KR102462493B1 - Wafer cleaning module of CMP system - Google Patents

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KR102462493B1
KR102462493B1 KR1020220055272A KR20220055272A KR102462493B1 KR 102462493 B1 KR102462493 B1 KR 102462493B1 KR 1020220055272 A KR1020220055272 A KR 1020220055272A KR 20220055272 A KR20220055272 A KR 20220055272A KR 102462493 B1 KR102462493 B1 KR 102462493B1
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김원봉
선종오
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김원봉
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Abstract

The present invention provides a wafer cleaning module of a chemical mechanical polishing (CMP) facility, which comprises: a cleaning block which is installed on a path along which a polished wafer moves in the CMP facility that performs a CMP process and has nozzles on one surface to spray a cleaning solution to the wafer; a cleaning solution supply pipe which has one side connected to the other surface of the cleaning block and the other side that supplies the cleaning solution drawn from the outside to the cleaning block; and a support which has one side connected to a side surface of the cleaning block and fixes the cleaning block to be located on the corresponding height. The nozzles provided on the cleaning block are provided in a plural form, and in response to the contamination distribution of a wafer, some of the plurality of nozzles are selectively opened to spray the cleaning solution. Each of the plurality of nozzles is linearly opened so that the cleaning solution sprayed from each nozzle forms a linear spray region. A rotation angle of each nozzle is adjusted around the center thereof as a shaft so that an angle of the linear spray region of the cleaning solution is selectively adjusted. The wafer cleaning module of a CMP facility is provided between polishing modules of the CMP facility that performs a CMP process to neutralize a pH level on a surface of a wafer after a polishing process and remove slurry remaining on the surface of the wafer. To this end, some of the plurality of nozzles are selectively opened according to the contamination distribution of the wafer, and the cleaning solution is sprayed onto the surface of the wafer. In addition, the nozzles are rotated according to the contamination distribution of the wafer to adjust an angle of the linear spray region of the cleaning solution.

Description

CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈{Wafer cleaning module of CMP system}Wafer cleaning module of CMP system

본 발명은 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비의 연마모듈들 사이에 구비되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거하도록, 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되도록 하고, 또한 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 노즐을 회전시켜, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 조정되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning module of a CMP facility, and more particularly, it is provided between polishing modules of a CMP facility that performs a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process to neutralize and remain in the PH value of the wafer surface after the polishing process In order to remove the slurry, some of the plurality of nozzles are selectively opened according to the contamination distribution of the wafer recognized in advance, so that the cleaning liquid is sprayed on the surface of the wafer, and also by rotating the nozzle according to the contamination distribution of the wafer, It relates to a wafer cleaning module of a CMP facility in which the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid is adjusted.

일반적으로 반도체소자는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행함으로써 만들어지고, 이렇게 반도체소자로 제조되기까지의 웨이퍼는 그 표면에 회로패턴을 형성하기 용이하도록 평탄화와 에치 백(etch back) 등을 위한 CMP(chemicalmechanical polishing) 공정을 거친다.In general, semiconductor devices are made by selectively and repeatedly performing processes such as photography, etching, diffusion, chemical vapor deposition, ion implantation, and metal deposition on a wafer. A CMP (chemical mechanical polishing) process for planarization and etch back is performed to easily form a pattern.

상술한 CMP 공정은 고속 회전하는 폴리싱 패드의 표면에 슬러리가 균일하게 분포되게 공급하고, 이러한 폴리싱 패드의 표면에 평탄화가 요구되는 웨이퍼의 표면을 근접 위치시켜 슬러리에 의한 화학적인 작용과 고속 회전에 의한 물리적인 힘으로 웨이퍼의 대상 표면을 가공하는 것으로써 이루어진다.In the above-described CMP process, the slurry is uniformly distributed on the surface of the high-speed rotating polishing pad, and the surface of the wafer requiring planarization is placed close to the surface of the polishing pad by chemical action and high-speed rotation by the slurry. This is done by machining the target surface of the wafer with physical force.

이를 위한 CMP 설비의 종래 기술 구성을 살펴보면, 상면에 폴리싱 패드를 구비하여 고속 회전하는 테이블이 설치되어 있고, 이 테이블의 상부에는 폴리싱 패드의 중심 부위에 슬러리를 공급토록 하는 슬러리 공급노즐과 폴리싱 공정이 종료된 시점에서 폴리싱 패드 표면에 잔존하는 슬러리 등을 제거하도록 세정액을 공급하는 세정액 공급노즐이 설치된다.Looking at the prior art configuration of the CMP facility for this purpose, a high-speed rotating table is installed with a polishing pad on the upper surface, and a slurry supply nozzle and a polishing process are provided on the table to supply the slurry to the center of the polishing pad. A cleaning liquid supply nozzle for supplying a cleaning liquid to remove the slurry or the like remaining on the surface of the polishing pad at the completion point is installed.

여기서, 슬러리 공급노즐과 세정액 공급노즐을 통해 공급이 이루어진 슬러리 또는 세정액은 테이블의 고속 회전에 의해 폴리싱 패드의 중심 위치에서 점차 가장자리 부위로 이동하다가 결국 폴리싱 패드의 가장자리 부위로부터 이탈한다.Here, the slurry or the cleaning liquid supplied through the slurry supply nozzle and the cleaning liquid supply nozzle gradually moves from the center position of the polishing pad to the edge portion due to the high-speed rotation of the table, and eventually separates from the edge portion of the polishing pad.

상술한 과정에서 폴리싱 패드의 회전 속도가 일정 수준을 유지하는 상태에서 슬러리 또는 세정액 중 어느 하나의 공급을 일정 수준으로 계속하여 공급하면, 이들 슬러리 또는 세정액은 폴리싱 패드의 전면에 대하여 균일한 수준으로 분포된다.In the process described above, if either the slurry or the cleaning liquid is continuously supplied at a predetermined level while the rotational speed of the polishing pad is maintained at a constant level, the slurry or the cleaning liquid is uniformly distributed over the entire surface of the polishing pad. do.

한편, 상술한 테이블의 일측에는 웨이퍼를 장착하여 평탄면이 요구되는 웨이퍼의 표면을 상술한 폴리싱 패드의 표면에 대향하여 근접 위치시키도록 하는 헤드부가 설치된다.On the other hand, on one side of the above-mentioned table, a head portion for mounting a wafer so that the surface of the wafer for which a flat surface is required is placed opposite to the surface of the above-described polishing pad is provided.

이때 웨이퍼는 헤드부의 헤드에 장착된 상태로 고속 회전하며 대략 헤드 영역범위로 이동함과 동시에 헤드의 승·하강 구동 위치에 의해 근접 또는 가압되어 폴리싱 공정을 수행한다.At this time, the wafer rotates at high speed while mounted on the head of the head unit, moves to approximately the head area, and at the same time is approached or pressed by the lifting/lowering driving position of the head to perform the polishing process.

상기 공정의 가장 중요한 기능은 패턴의 안정적인 적층을 위한 웨이퍼 평탄화인데, 상기한 웨이퍼의 안정적인 평탄화가 이루어지기 위해서는 3차례로 이루어지는 연마와 연마 후 세정이 이루어져야 한다.The most important function of the process is wafer planarization for stable pattern lamination. In order to achieve stable planarization of the wafer, three rounds of polishing and post-polishing cleaning are required.

각각의 연마공정은 PH 수치와 슬러리의 종류가 모두 다르게 셋팅되어 있고, 웨이퍼 연마 후 다음 공정으로 웨이퍼가 이동할 때 웨이퍼의 표면 PH 수치를 중성화시키고, 슬러리를 제거해주는 세정이 필요하다.In each polishing process, the pH value and the type of slurry are set differently, and when the wafer is moved to the next process after wafer polishing, cleaning is necessary to neutralize the surface PH value of the wafer and remove the slurry.

현재 세정 방식은 노즐 위치가 고정이 되어 있어 각 연마 공정마다 발생되는 오염을 효과적으로 제거가 불가능하고, 이로 인해 각각의 연마 공정에 설정되어 있는 PH 수치가 변경되고, 슬러리가 섞여 웨이퍼 표면에 심각한 손상을 주어 웨이퍼 패턴에 DEFECT(파티클 불량)를 발생시킨다.In the current cleaning method, since the nozzle position is fixed, it is impossible to effectively remove the contamination generated in each polishing process. DEFECT (particle defect) is generated in the given wafer pattern.

이로 인해 갈라진 틈으로 케미컬이 침투하여 금속 박막층을 부식시키고, 웨이퍼 세정을 위한 시간은 정해져 있으나 회전반경이 있어 가운데를 제외한 부위는 세정이 미흡한 상황이다.As a result, chemicals penetrate into the cracks and corrode the metal thin film layer, and although the time for wafer cleaning is set, cleaning is insufficient except for the center due to the rotation radius.

종래기술로는 공개특허 제10-2004-0035344호(2004.04.29)를 참고할 수 있다.As a prior art, reference may be made to Korean Patent Publication No. 10-2004-0035344 (April 29, 2004).

본 발명은 오염 분포도에 따라 세정액을 분사하는 노즐 수량을 변경하여 노즐의 분사압의 조절이 가능하고, 선형으로 분사되는 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 조정 가능하여, 각 공정별로, 웨이퍼 중 오염물질이 많이 생기는 부위에만 집중적으로 세정이 가능한 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.According to the present invention, the spray pressure of the nozzle can be adjusted by changing the number of nozzles that spray the cleaning liquid according to the contamination distribution, and the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid sprayed linearly can be adjusted. An object of the present invention is to provide a wafer cleaning module of a CMP facility capable of intensively cleaning only the areas where this occurs a lot.

본 발명은 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈은 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐을 구비한 세정블록; 상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관; 및 상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대를 포함하고, 상기 세정블록에 구비되는 노즐은 복수 개로 구비되며, 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어 세정액을 분사하되, 상기 복수 개의 노즐 각각은 선형으로 개방되어, 각 노즐에서 분사되는 세정액의 선 모양 분사영역을 형성하며, 상기 노즐 각각이 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정된다.In the present invention, a wafer cleaning module of a CMP facility is disposed on a path in which a polished wafer moves among CMP facilities performing a CMP (Chemical Mechanical Polishing) process, and a cleaning block having a nozzle for spraying a cleaning solution to the wafer on one surface ; a cleaning liquid supply pipe having one side connected to the other surface of the cleaning block and supplying the cleaning liquid introduced from the outside through the other side to the cleaning block; and a support having one side connected to the side surface of the cleaning block and fixing the cleaning block to be positioned on a corresponding height, wherein a plurality of nozzles are provided in the cleaning block, and a plurality of nozzles are provided in response to the contamination distribution of the wafer. Some of the nozzles are selectively opened to spray the cleaning liquid, and each of the plurality of nozzles is opened linearly to form a linear spraying area of the cleaning liquid sprayed from each nozzle, and the angle of rotation of each of the nozzles about the center is adjusted, the angle of the linear jetting area of the cleaning liquid is selectively adjusted.

이때 본 발명에 따른 상기 세정블록은 전체적인 직육면체를 이루는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the cleaning block according to the present invention form an overall rectangular parallelepiped.

그리고 본 발명에 따른 상기 복수 개의 노즐은 상기 세정블록의 일면에 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열되는 것이 바람직하다.And it is preferable that the plurality of nozzles according to the present invention are spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the cleaning block and arranged in a matrix form.

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이때 본 발명에 따른 상기 세정블록 중 노즐들의 주변에는 상기 노즐의 회전각도를 확인하는 회전각 확인 눈금을 형성한다.At this time, a rotation angle check scale for checking the rotation angle of the nozzle is formed around the nozzles among the cleaning blocks according to the present invention.

본 발명에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈은 다음과 같은 효과를 가진다.The wafer cleaning module of the CMP facility according to the present invention has the following effects.

오염 분포도에 따라 세정액을 분사하는 노즐 수량을 변경하여 노즐의 분사압의 조절이 가능하고, 선형으로 분사되는 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 조정 가능하여, 각 공정별로, 웨이퍼 중 오염물질이 많이 생기는 부위에만 집중적으로 세정이 가능하다.It is possible to adjust the nozzle injection pressure by changing the number of nozzles that spray the cleaning liquid according to the contamination distribution, and the linear spraying area angle of the linearly sprayed cleaning liquid can be adjusted. It is possible to intensively clean only the area.

도 1은 CMP 설비를 보인 예시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈을 보인 예시도이다.
도 3은 연마 공정을 마친 웨이퍼의 오염 분포도를 보인 참고도이다.
도 4는 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부를 개방하여 웨이퍼를 세정하는 상태를 보인 예시도이다.
도 5는 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부를 개방하면서 분사압이 강화하여, 웨이퍼를 세정하는 상태를 보인 예시도이다.1 is an exemplary view showing a CMP facility.
2 is an exemplary view showing a wafer cleaning module of a CMP facility according to an embodiment of the present invention.
3 is a reference diagram showing a contamination distribution of a wafer after a polishing process has been completed.
4 is an exemplary view illustrating a state in which a wafer is cleaned by opening some of a plurality of nozzles in response to a contamination distribution of the wafer.
5 is an exemplary view illustrating a state in which the wafer is cleaned by increasing the injection pressure while opening some of the plurality of nozzles in response to the contamination distribution of the wafer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in the present specification and claims should not be construed as being limited to conventional or dictionary meanings, and the inventor should properly understand the concept of the term in order to best describe his invention. Based on the principle that it can be defined, it should be interpreted as meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 실시 예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들은 대체할 수 있는 균등한 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Therefore, the embodiments described in this specification and the configurations shown in the drawings are only the most preferred embodiments of the present invention, and do not represent all the technical ideas of the present invention, so at the time of the present application, they are equivalent It should be understood that there may be variations.

본 발명은 CMP(Chemical Mechanical Planarization) 공정을 실시하는 CMP 설비의 연마모듈들 사이에 구비되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거하도록, 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되도록 하고, 또한 웨이퍼의 오염 분포도에 따라 노즐을 회전시켜, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 조정되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈에 관한 것으로, 도면을 참조하여 살펴보면 다음과 같다.The present invention is provided between polishing modules of a CMP facility that performs a CMP (Chemical Mechanical Planarization) process, neutralizing the PH value of the wafer surface after the polishing process and removing the remaining slurry, contamination of the wafer recognized in advance A part of the plurality of nozzles is selectively opened according to the distribution diagram to spray the cleaning liquid on the surface of the wafer, and also by rotating the nozzle according to the contamination distribution of the wafer, the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid is adjusted. Regarding the cleaning module, referring to the drawings, it is as follows.

먼저, 도 1을 참조한 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비(10)를 살펴보면 다음과 같다.First, looking at the CMP facility 10 according to an embodiment of the present invention with reference to FIG. 1 is as follows.

배선절연막의 평탄화 및 회로배선을 분리하는 방법으로 화학 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; 이하 'CMP'라 한다) 공정이 사용되고 있다.A chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as 'CMP') process is used as a method for planarizing a wiring insulating film and separating circuit wiring.

CMP의 원리는 탄성 폴리우레탄 패드(Polyurethane Pad) 위에 반도체소자 패턴이 형성된 웨이퍼를 장착한 상태에서 수백 nm 크기의 연마제가 함유된 슬러리를 패드 상부에 연속적으로 공급하여 연마대상막(산화막 또는 금속막)과 화학적 반응을 유도하면서 웨이퍼를 지지하여 가압하는 연마헤드(Polishing Head)와 패드가 부착된 플래튼(Platen)을 고속 회전시켜 연마 대상막을 기계적으로 제거함으로써 회로배선 절연막을 평탄화하거나 회로배선을 분리하는 반도체 전공정 중 핵심기술이다.The principle of CMP is to continuously supply a slurry containing an abrasive with a size of several hundred nm to the top of the pad while mounting a wafer on which a semiconductor element pattern is formed on an elastic polyurethane pad to form a polishing target film (oxide film or metal film). A high-speed rotation of a polishing head that supports and presses the wafer while inducing a hyperchemical reaction and a platen with a pad attached to it to mechanically remove the polishing target film to planarize the circuit wiring insulating film or separate the circuit wiring. It is a core technology in the entire process of semiconductors.

여기서 연마헤드(Polishing Head)와, 패드가 부착된 플래튼(Platen)은 하나의 조를 이루어, 상기 웨이퍼(W)를 연마하는 공정이 실시되는 하나의 연마모듈(11, 12, 13)을 이룬다.Here, a polishing head and a platen to which a pad is attached form a set, forming one polishing module 11 , 12 , 13 in which a process of polishing the wafer W is performed. .

상기 CMP 설비(10)는 보편적으로 3개의 상기 연마모듈(11, 12, 13)이 연결되어, 1차 ~ 3차에 걸쳐 웨이퍼를 연마하여 상기 웨이퍼(W)의 평탄화 공정이 이루어진다.In the CMP facility 10 , the three polishing modules 11 , 12 , and 13 are generally connected, and the wafer W is planarized by polishing the wafer in first to third steps.

1차 ~ 3차의 연마공정을 실시하기 위해 1차 연마공정이 이루어지는 제1연마모듈(11), 2차 연마공정이 이루어지는 제2연마모듈(12), 3차 연마공정이 이루어지는 제3연마모듈(13)과, 웨이퍼의 로딩 및 언로딩을 위한 웨이퍼 출입모듈(14)이 사각형태 배치되어, 상기 웨이퍼가 사각형태를 따라 순차적으로 이동하면서 입출 및 연마공정이 이루어진다.In order to perform the 1st to 3rd polishing process, the 1st grinding module 11 which a 1st grinding|polishing process is made, the 2nd grinding|polishing module 12 which the 2nd grinding|polishing process is made|formed, The 3rd grinding|polishing module which consists of 3rd grinding|polishing process (13) and the wafer entry/exit module 14 for loading and unloading the wafer are arranged in a rectangular shape, and the wafer is sequentially moved along the rectangular shape to perform loading and unloading and polishing processes.

그리고 각 연마모듈(11, 12, 13)의 사이에는 다음 공정으로 이동되는 웨이퍼(W)의 표면을 세정하는 웨이퍼 세정모듈(100)이 각각 구비된다.A wafer cleaning module 100 for cleaning the surface of the wafer W moved to the next process is provided between each polishing module 11 , 12 , and 13 , respectively.

상기 웨이퍼 세정모듈(100)은 경로를 따라 이동하는 웨이퍼에 세정액을 분사하여 PH수치 중화 및 웨이퍼(W) 표면에 잔존하는 슬러리를 제거한다.The wafer cleaning module 100 sprays a cleaning solution to the wafer moving along the path to neutralize the pH value and remove the slurry remaining on the surface of the wafer (W).

본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비(10)의 웨이퍼 세정모듈(100)은 연마모듈들(11, 12, 13)에서 연마된 웨이퍼가 다음 공정으로 이동하는 경로 상에 구비되어, 경로를 따라 이동하는 웨이퍼에 세정액을 분사하여 PH수치 중화 및 웨이퍼 표면에 잔존하는 슬러리를 제거하는 것으로, 세정블록(110), 세정액공급배관(120), 지지대(130)를 포함한다.The wafer cleaning module 100 of the CMP facility 10 according to an embodiment of the present invention is provided on a path in which the wafer polished by the polishing modules 11, 12, and 13 moves to the next process, along the path. The cleaning liquid is sprayed on the moving wafer to neutralize the pH value and remove the slurry remaining on the wafer surface, and includes a cleaning block 110 , a cleaning liquid supply pipe 120 , and a support 130 .

도 2 내지 도 5를 참조하여 상기 세정블록(110)을 보다 상세하게 살펴보면, 상기 세정블록(110)은 직육면체의 블록으로, 내부에 형성된 유로(도시하지 않음)를 따라 세정액이 유동하고, 상기 유로를 따라 유동하는 세정액은 상기 세정블록(110)의 일면에는 구비된 노즐(111)의 개방으로 세척하고자 하는 웨이퍼(W)의 표면으로 분사된다.2 to 5 , the cleaning block 110 is viewed in more detail. The cleaning block 110 is a block of rectangular parallelepiped, and the cleaning liquid flows along a flow path (not shown) formed therein, and the flow path The cleaning liquid flowing along the cleaning block 110 is sprayed onto the surface of the wafer W to be cleaned by opening the nozzle 111 provided on one surface of the cleaning block 110 .

이때 상기 노즐(111)은 선형으로 개방되어, 세정액을 선 모양으로 분사하여, 선 모양의 분사영역을 형성하는 것이 바람직하고, 상기 노즐(111)은 복수 개로 구비되어, 각 공정별 오염물질이 많이 분포된 포인트에만 집중적으로 세정이 가능하도록, 상기 세정블록(110)의 일면에서 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열되는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable that the nozzles 111 are linearly opened, and the cleaning liquid is sprayed in a linear shape to form a linear spraying area. In order to enable intensive cleaning only on the distributed points, it is preferable to be spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the cleaning block 110 and arranged in a matrix form.

여기서 본 발명의 일 실시 예에 따른 복수 개의 노즐(111)들은 사전에 인지된 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 복수 개의 노즐(111)들 중 일부가 선택적으로 분사된다. Here, in the plurality of nozzles 111 according to an embodiment of the present invention, some of the plurality of nozzles 111 are selectively sprayed in response to the previously recognized contamination distribution of the wafer W.

따라서 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 따라 상기 노즐(111)들의 개방 수량을 가변하여 상기 노즐(111)들의 분사면적 및 분사압을 조절할 수 있다.Accordingly, the injection area and injection pressure of the nozzles 111 may be adjusted by varying the number of openings of the nozzles 111 according to the contamination distribution of the wafer W.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 노즐(111)들은 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 상기 노즐(111)들의 선 모양 분사영역 각도를 조정할 수 있다. In addition, the nozzles 111 according to an embodiment of the present invention may adjust the angle of the linear spraying area of the nozzles 111 in response to the contamination distribution of the wafer W.

이때 상기 세정블록(110) 중 상기 노즐(111)이 구비된 지점에는 상기 노즐(111)을 기준으로 방사상으로 회전각 확인 눈금(112)이 형성되어, 상기 노즐(111)의 선 모양 분사영역 각도를 확인할 수 있고, 상기 웨이퍼(W)의 오염 분포도에 대응하여, 상기 노즐(111)의 선 모양 분사영역 각도를 조정할 수 있다.At this time, a rotation angle check scale 112 is formed radially with respect to the nozzle 111 at the point where the nozzle 111 is provided among the cleaning block 110 , and the angle of the linear spraying area of the nozzle 111 is formed. can be confirmed, and the angle of the linear spraying area of the nozzle 111 can be adjusted in response to the contamination distribution of the wafer W.

상기 노즐(111)은 상기 노즐(111)의 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되는데, 약 15°의 각도로 조정 가능하다.The nozzle 111 is rotated about the center of the nozzle 111 as an axis, so that the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid is selectively adjusted, which can be adjusted to an angle of about 15°.

그리고 상기 세정블록(110)에는 세정액 공급배관(120)이 연결되는데, 상기 세정액 공급배관(120)은 그 일측단이 상기 세정블록(110)에 타면에 연결되어, 타측단을 통해 외부에서 공급되는 세정액을 상기 세정블록(100)로 공급한다.And a cleaning solution supply pipe 120 is connected to the cleaning block 110, and the cleaning solution supply pipe 120 has one end connected to the other surface of the cleaning block 110, and is supplied from the outside through the other end. A cleaning solution is supplied to the cleaning block 100 .

또한, 상기 지지대(130)은 상기 세정블록(110)의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록(110)이 위치하도록 고정한다.In addition, one side of the support 130 is connected to a side surface of the cleaning block 110 , and the cleaning block 110 is fixed to be positioned on a corresponding height.

이때 상기 지지대(130)는 '┓' 또는 '┫' 형태를 이루는 것이 바람직하고, 하단에는 상기 CMP 설비(10)에 고정되는 고정브라켓(131)을 구비하는데, 상기 지지대(130)의 높낮이를 조절할 수 있도록, 상기 고정브라켓(131)의 높이를 따라 장공을 형성한다.At this time, the support 130 preferably forms a '┓' or '┫' shape, and a fixing bracket 131 fixed to the CMP facility 10 is provided at the lower end, and the height of the support 130 is adjusted. To do so, a long hole is formed along the height of the fixing bracket 131 .

상기 장공을 통해 체결되는 볼트의 체결 높이에 의해 상기 지지대(130)의 높낮이를 조절할 수 있다.The height of the support 130 can be adjusted by the fastening height of the bolts fastened through the long hole.

도 3은 연마 공정을 마친 웨이퍼의 오염 분포도를 보인 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈(100)은 도 3에 도시한 바와 같이 사전에 인지된 상기 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여, 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어, 웨이퍼의 표면에 세정액이 분사되어, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리를 제거한다. 3 shows the contamination distribution of the wafer after the polishing process, and the wafer cleaning module 100 of the CMP facility according to an embodiment of the present invention shows the previously recognized contamination distribution of the wafer as shown in FIG. Correspondingly, some of the plurality of nozzles are selectively opened, and the cleaning liquid is sprayed on the surface of the wafer to neutralize the PH value of the wafer surface after the polishing process and to remove the remaining slurry.

또한, 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여, 노즐을 회전시켜, 연마 공정을 마친 웨이퍼 표면의 PH수치 중화 및 잔존하는 슬러리 제거를 세정액의 선 모양 분사영역 각도를 조정한다.In addition, in response to the contamination distribution of the wafer, the nozzle is rotated to adjust the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid to neutralize the PH value of the polished wafer surface and remove the remaining slurry.

본 발명은 도면에 도시된 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the drawings, which is only exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.

W: 웨이퍼
10: CMP 설비
11, 12, 13: 연마모듈
100: 웨이퍼 세정모듈
110: 세정블록
111: 노즐
112: 회전각 확인 눈금
120: 세정액공급배관
130: 지지대
131: 고정브라켓W: Wafer
10: CMP equipment
11, 12, 13: polishing module
100: wafer cleaning module
110: cleaning block
111: nozzle
112: rotation angle check scale
120: cleaning solution supply pipe
130: support
131: fixing bracket

Claims (6)

CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 실시하는 CMP 설비 중 연마된 웨이퍼가 이동하는 경로 상에 배치되고, 일면에는 상기 웨이퍼로 세정액을 분사하는 노즐을 구비한 세정블록;
상기 세정블록의 타면에 일측이 연결되어, 타측을 통해 외부에서 인입된 세정액을 상기 세정블록으로 공급하는 세정액 공급배관; 및
상기 세정블록의 측면에 일측이 연결되고, 해당 높이 상에 상기 세정블록이 위치하도록 고정하는 지지대를 포함하고,
상기 세정블록에 구비되는 노즐은 복수 개로 구비되며, 웨이퍼의 오염 분포도에 대응하여 복수 개의 노즐 중 일부가 선택적으로 개방되어 세정액을 분사하되,
상기 복수 개의 노즐 각각은 선형으로 개방되어, 각 노즐에서 분사되는 세정액의 선 모양 분사영역을 형성하며,
상기 노즐 각각이 중심을 축으로 회전각도가 조정되어, 세정액의 선 모양 분사영역 각도가 선택적으로 조정되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
a cleaning block disposed on a path on which a polished wafer moves among CMP equipment for performing a chemical mechanical polishing (CMP) process, and having a nozzle on one surface for spraying a cleaning solution to the wafer;
a cleaning liquid supply pipe having one side connected to the other surface of the cleaning block and supplying the cleaning liquid introduced from the outside through the other side to the cleaning block; and
One side is connected to the side of the cleaning block, and a support for fixing the cleaning block to be located on the corresponding height,
A plurality of nozzles are provided in the cleaning block, and some of the plurality of nozzles are selectively opened to spray the cleaning solution in response to the contamination distribution of the wafer,
Each of the plurality of nozzles is linearly opened to form a linear spraying area of the cleaning liquid sprayed from each nozzle,
A wafer cleaning module of a CMP facility in which the angle of rotation of each of the nozzles is adjusted about the center, thereby selectively adjusting the angle of the linear spraying area of the cleaning liquid.
 청구항 1에 있어서,
상기 세정블록은
전체적인 직육면체를 이루는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
The method according to claim 1,
The cleaning block
The wafer cleaning module of the CMP facility that forms the entire rectangular parallelepiped.
 청구항 2에 있어서,
상기 복수 개의 노즐은
상기 세정블록의 일면에 서로 일정한 간격으로 이격 배치되어, 행렬 형태로 배열되는 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.
3. The method according to claim 2,
The plurality of nozzles
A wafer cleaning module of a CMP facility that is spaced apart from each other at regular intervals on one surface of the cleaning block and arranged in a matrix form.
 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 세정블록 중 노즐들의 주변에는
상기 노즐의 회전각도를 확인하는 회전각 확인 눈금을 형성한 CMP 설비의 웨이퍼 세정모듈.The method according to claim 1,
In the vicinity of the nozzles in the cleaning block,
A wafer cleaning module of a CMP facility with a rotation angle checking scale to check the rotation angle of the nozzle.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158202A (en) * 2000-11-20 2002-05-31 Super Silicon Kenkyusho:Kk Wafer cleaner
KR101210297B1 (en) * 2011-08-01 2012-12-10 주식회사 케이씨텍 Cleaning device of chemical mechanical polishing apparatus

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