KR20000025767A - Cmp(chemical mechanical polishing) device for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 씨엠피설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 컨디셔너(Conditioner)의 컨디셔닝 디스크(Conditioning disk)를 효과적으로 세정할 수 있는 반도체장치 제조용 씨엠피설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CMP facility for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a CMP facility for manufacturing a semiconductor device capable of effectively cleaning a conditioning disk of a conditioner.
최근에 반도체장치가 고집적화, 고밀도화됨에 따라 웨이퍼 상에 보다 미세한 패턴(Pattern)을 형성하도록 요구되고, 배선의 다층구조는 층간막들의 단차를 제거하기 위한 노력이 요구되고 있다.In recent years, as semiconductor devices have become highly integrated and densified, finer patterns are required on wafers, and multilayer structures of wirings have been required to remove the steps of the interlayer films.
따라서, 상기 단차를 제거하기 위하여 웨이퍼 평탄화 기술의 중요성이 대두되었다. 상기 평탄화 기술로서 에스오지(SOG)막 증착, 에치백(Etch Back)공정 또는 리플로우(Reflow)공정 등의 부분평탄화방법이 개발되어 반도체 제조공정에 사용되고 있다.Therefore, the importance of wafer planarization technology has emerged to remove the step. As the planarization technology, partial planarization methods such as SOG film deposition, an etch back process, or a reflow process have been developed and used in a semiconductor manufacturing process.
그러나, 상기 방법들은 많은 문제점이 발생하여 전면에 걸친 평탄화, 즉 광역평탄화(Global planarzation)를 위해 씨엠피(CMP : Chemical Mechanical Polishing 이하 ‘CMP’라고함) 기술이 개발되었다. 상기 CMP 기술이란 화학적 물리적인 반응을 통하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 기술이다.However, the above methods have many problems, and CMP (CMP: CMP) technology has been developed for planarization across the entire surface, ie, global planarzation. The CMP technique is a technique for planarizing a wafer surface through chemical and physical reactions.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 CMP설비의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional CMP facility for manufacturing a semiconductor device.
종래의 반도체장치 제조용 CMP설비에는 도1에 도시된 바와 같이 우레탄(Urethane) 재질의 연마패드(4)가 부착된 연마테이블(2)이 구비되어 있다. 상기 연마테이블(2)은 하부의 모터의 구동에 의해서 소정속도로 회전할 수 있도록 되어 있다.As shown in FIG. 1, a conventional CMP facility for manufacturing a semiconductor device is provided with a polishing table 2 to which a polishing pad 4 made of urethane is attached. The polishing table 2 is capable of rotating at a predetermined speed by driving a lower motor.
그리고, 상기 연마테이블(2) 상부에는 상기 연마패드(4)상에 연마액을 공급할 수 있는 연마액 공급수단(6)이 구비되어 있고, 상기 연마테이블(2) 상부에는 상기 연마패드(4)에 웨이퍼(W)를 고정 및 가압한 후, 회전운동시키는 연마헤드(8)가 구비되어 있다. 상기 연마헤드(8)는 모터의 구동에 의해서 회전운동 및 상하운동이 가능하도록 되어 있다.The polishing table 2 is provided with polishing liquid supply means 6 capable of supplying polishing liquid on the polishing pad 4, and the polishing pad 4 is provided on the polishing table 2. After the wafer W is fixed and pressurized, the polishing head 8 for rotating is provided. The polishing head 8 is capable of rotating and vertical movement by driving a motor.
또한, 상기 연마테이블(2) 상부에는 CMP공정 후, 상기 연마패드(4)를 컨디셔닝시키는 컨디셔닝 디스크(12)가 부착된 컨디셔너(10)가 설치되어 있다. 상기 컨디셔닝 디스크(12)는 모터의 구동에 의해서 소정속도로 회전할 수있도록 되어 있고, 상기 컨디셔너(10)는 소정각도로 회전할 수 있도록 되어 있다. 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)의 저면부에는 도2에 도시된 바와 같이 소정의 크기를 갖는 인조다이아몬드(13)가 니켈박막(표시하지 않음)을 매개로 부착되어 있다.In addition, a conditioner 10 having a conditioning disk 12 for conditioning the polishing pad 4 is installed on the polishing table 2 after the CMP process. The conditioning disk 12 is capable of rotating at a predetermined speed by driving a motor, and the conditioner 10 is capable of rotating at a predetermined angle. An artificial diamond 13 having a predetermined size is attached to the bottom portion of the conditioning disk 12 of the conditioner 10 via a nickel thin film (not shown).
그리고, 상기 연마테이블(2) 일측에는 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 후, 상기 컨디셔너(10)가 탈이온수(Deionized water)에 잠겨서 대기하는 컨디셔너 파킹 배스(14)가 설치되어 있다. 상기 컨디셔너 파킹 배스(14) 저면부에는 제 1 밸브(20)가 설치된 탈이온수 공급관(16) 및 제 2 밸브(21)가 설치된 탈이온수 방출관(18)이 설치되어 있다.On one side of the polishing table 2, a conditioner parking bath 14 is provided in which the conditioner 10 is immersed in deionized water and waiting after the conditioner 10 is conditioned. The deionized water supply pipe 16 provided with the 1st valve 20 and the deionized water discharge pipe 18 provided with the 2nd valve 21 are provided in the bottom part of the said conditioner parking bath 14.
따라서, 연마테이블(2)의 연마패드(4) 상에 웨이퍼(W)가 위치되면, 연마헤드(8)는 웨이퍼(W)를 고정한다. 그리고, 연마액 공급수단(6)은 연마테이블(2)의 연마패드(4) 상에 연마액을 공급한다. 이후, 모터의 구동에 의해서 연마헤드(8) 및 연마테이블(2)이 회전함에 따라 웨이퍼(W) 표면은 화학적 및 물리적 작용에 의해서 연마된다.Therefore, when the wafer W is positioned on the polishing pad 4 of the polishing table 2, the polishing head 8 fixes the wafer W. As shown in FIG. Then, the polishing liquid supply means 6 supplies the polishing liquid on the polishing pad 4 of the polishing table 2. Thereafter, as the polishing head 8 and the polishing table 2 are rotated by the driving of the motor, the surface of the wafer W is polished by chemical and physical action.
그리고, 상기 CMP공정이 완료되면, 연마테이블(2) 상의 웨이퍼(W)는 로봇아암 등의 이송수단에 의해서 소정위치로 이동하게 된다. 또한, 상기 연마테이블(2) 상에는 모터의 구동에 의해서 컨디셔너(10)가 위치하게 되고, 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)는 모터의 구동에 의해서 회전하며 연마패드(4) 표면의 연마액 및 연마부산물을 제거하는 컨디셔닝공정이 진행된다. 상기 컨디셔닝공정은 선행된 CMP공정의 수행에 의해서 연마패드(4) 표면의 구멍내에 잔존하는 연마부산물을 제거함으로서 후속되는 CMP공정을 진행할 때 연마액이 연마패드(4) 표면의 구멍내에 충분히 충진되어 CMP공정이 용이하게 진행될 수 있도록 하기 위함이다.When the CMP process is completed, the wafer W on the polishing table 2 is moved to a predetermined position by a transfer means such as a robot arm. In addition, the conditioner 10 is positioned on the polishing table 2 by the driving of the motor, and the conditioning disk 12 of the conditioner 10 is rotated by the driving of the motor to polish the surface of the polishing pad 4. The conditioning process proceeds to remove the liquid and abrasive byproducts. The conditioning process removes the polishing by-products remaining in the holes on the surface of the polishing pad 4 by performing the preceding CMP process, so that the polishing liquid is sufficiently filled in the holes on the surface of the polishing pad 4 during the subsequent CMP process. This is to facilitate the CMP process.
그리고, 상기 컨디셔닝공정이 진행된 컨디셔너(10)는 모터의 구동에 의해서 소정각도로 회전하여 연마테이블(2) 일측에 설치된 컨디셔너 파킹 배스(14)로 이동하게 된다. 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)는 제 1 밸브(20)의 개방에 따라 탈이온수 공급관(16)을 통해서 컨디셔너 파킹 배스(14)에 저장된 탈이온수에 잠겨서 소정시간 대기한다. 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)가 탈이온수에 잠겨서 대기함으로서 컨디셔닝 디스크(12)에 흡착된 연마액 및 연마부산물이 주변환경에 노출되어 경화되는 것을 방지할 수 있고, 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)에 연마액 및 연마부산물이 경화되면, 후속 컨디셔닝공정을 진행할 때 컨디셔닝 디스크(12)의 인조다이아몬드(13)와 연마패드(4)의 마찰력을 감소시켜 컨디셔닝공정의 불량원인 및 웨이퍼(W)를 오염시키는 오염원으로 작용할 수 있다.The conditioner 10 in which the conditioning process is performed is rotated at a predetermined angle by the driving of the motor and moved to the conditioner parking bath 14 installed at one side of the polishing table 2. The conditioning disk 12 of the conditioner 10 is immersed in the deionized water stored in the conditioner parking bath 14 through the deionized water supply pipe 16 according to the opening of the first valve 20 to wait for a predetermined time. The conditioning disk 12 of the conditioner 10 is immersed in deionized water to stand by to prevent the polishing liquid and the abrasive by-products adsorbed to the conditioning disk 12 to be exposed to the surrounding environment and harden, and the conditioner 10 When the polishing liquid and the polishing by-products are cured in the conditioning disk 12 of the polishing disk, the frictional force between the artificial diamond 13 and the polishing pad 4 of the conditioning disk 12 during the subsequent conditioning process is reduced, thereby causing the failure of the conditioning process. It can act as a pollution source to contaminate the wafer (W).
그러나, CMP공정이 반복적으로 진행됨으로써 상기 컨디셔닝 디스크(12)를 탈이온수에 잠겨 대기하는 것만으로는 효과적으로 컨디셔닝 디스크(12)에 흡착된 연마액 및 연마부산물이 경화되는 것을 방지할 수 없었다.However, since the CMP process is repeatedly performed, simply immersing the conditioning disk 12 in deionized water and waiting to effectively prevent the hardening of the polishing liquid and the polishing by-product adsorbed to the conditioning disk 12.
따라서, 컨디셔닝 디스크(12)의 인조다이아몬드(13)와 연마패드(4)의 마찰력을 감소시켜 컨디셔닝공정의 불량원인으로 작용하고, 컨디셔닝공정 과정에 연마패드(4) 상에 탈착되어 연마패드(4) 상에 위치된 웨이퍼(W)를 오염시키는 파티클(Particle)로 작용하였다.Therefore, the frictional force between the artificial diamond 13 of the conditioning disk 12 and the polishing pad 4 is reduced to act as a cause of failure of the conditioning process, and the polishing pad 4 is detached from the polishing pad 4 during the conditioning process. It acts as a particle that contaminates the wafer W located on the wafer).
따라서, 반도체장치의 생산수율이 떨어지는 문제점이 있었다.Therefore, there is a problem that the production yield of the semiconductor device falls.
본 발명의 목적은, 연마패드 컨디셔너의 컨디셔닝 디스크에 흡착된 연마액을 효과적으로 제거함으로서 CMP공정의 안정화와 반도체장치의 생산수율을 향상시킬 수 있는 반도체장치 제조용 씨엠피설비를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a CMP facility for manufacturing a semiconductor device which can stabilize the CMP process and improve the production yield of the semiconductor device by effectively removing the polishing liquid adsorbed to the conditioning disk of the polishing pad conditioner.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 씨엠피설비를 개략적으로 나타내는 구성도이다.1 is a schematic view showing a conventional CMP facility for manufacturing a semiconductor device.
도2는 컨디셔녀의 컨디셔닝 디스크를 나타내는 사시도이다.2 is a perspective view showing a conditioning disk of a conditioning girl.
도3은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 씨엠피설비의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.3 is a block diagram showing an embodiment of a CMP facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of symbols for main parts of drawing
2 ; 연마테이블 4 ; 연마패드2 ; Polishing table 4; Polishing pad
6 ; 연마액 공급수단 8 ; 연마헤드6; Polishing liquid supply means 8; Polishing head
10 ; 컨디셔너 12 ; 컨디셔닝 디스크10; Conditioner 12; Conditioning Disc
13 ; 인조다이아몬드 14, 30 ; 컨디셔너 파킹 배스13; Artificial diamond 14, 30; Conditioner Parking Bath
16, 36 ; 탈이온수 공급관 18, 42 ; 탈이온수 방출관16, 36; Deionized water supply pipe 18, 42; Deionized Water Discharge Tube
20 ; 제 1 밸브 21, 44 ; 제 2 밸브20; First valve 21, 44; Second valve
32 : 분사노즐 34 : 압력조절장치32: injection nozzle 34: pressure regulator
40 : 탈이온수배스 M ; 모터40: deionized water bath M; motor
W ; 웨이퍼W; wafer
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 씨엠피설비는, 상부표면에 연마패드가 부착되어 있으며, 회전가능한 연마테이블; 상기 연마패드상에 연마액을 공급할 수 있는 연마액공급수단; 상기 연마액공급수단에 의해 상기 연마패드상에 공급되는 상기 연마액을 사용하여 웨이퍼를 고정, 가압 및 회전운동시킴으로서 연마하는 연마헤드; 상기 연마헤드에 의해 연마공정이 수행된 상기 연마테이블의 연마패드를 컨디셔닝하는 컨디셔너; 및 상기 컨디셔너에 소정압력으로 탈이온수를 방출함으로서 상기 컨디셔너를 세정할 수 있는 탈이온수공급수단이 구비된 컨디셔너 파킹 배스를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, a CMP apparatus for manufacturing a semiconductor device includes: a polishing pad attached to an upper surface thereof, and a rotatable polishing table; Polishing liquid supply means capable of supplying a polishing liquid on the polishing pad; A polishing head for polishing by fixing, pressing, and rotating a wafer using the polishing liquid supplied on the polishing pad by the polishing liquid supplying means; A conditioner for conditioning a polishing pad of the polishing table on which a polishing process is performed by the polishing head; And a conditioner parking bath having deionized water supply means capable of cleaning the conditioner by discharging deionized water at a predetermined pressure to the conditioner.
상기 탈이온수공급수단은 상기 컨디셔너 파킹 배스 저면부에 설치된 분사노즐과 상기 분사노즐과 연결된 펌프 및 상기 펌프와 연결된 탈이온수배스로 이루어질 수 있다.The deionized water supply means may include a spray nozzle installed at the bottom of the conditioner parking bath, a pump connected to the spray nozzle, and a deionized water bath connected to the pump.
그리고, 상기 분사노즐과 펌프 사이에 압력조절장치가 더 구비될 수 있고, 상기 탈이온배스 저면에 초음파발생기가 더 구비될 수 있다.A pressure regulating device may be further provided between the injection nozzle and the pump, and an ultrasonic generator may be further provided on the bottom of the deionization bath.
또한, 상기 컨디셔너 파킹 배스 소정영역에 제 2 밸브가 설치된 탈이온수 방출관이 형성될 수 있다.In addition, a deionized water discharge pipe having a second valve may be formed in a predetermined region of the conditioner parking bath.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도3은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 CMP설비의 일 실시예를 나타내는 구성도로서, 도1과 동일한 부품은 동일한 부호로서 표기한다.3 is a block diagram showing an embodiment of a CMP apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, in which the same components as those in FIG.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 CMP설비에는 도3에 도시된 바와 같이 우레탄 등의 재질의 연마패드(4)가 부착된 연마테이블(2)이 구비되어 있다. 상기 연마테이블(2)은 모터의 구동에 의해서 소정속도로 회전할 수 있도록 되어 있다.As shown in FIG. 3, the CMP facility for manufacturing a semiconductor device according to the present invention is provided with a polishing table 2 to which a polishing pad 4 of urethane or the like is attached. The polishing table 2 is capable of rotating at a predetermined speed by driving of a motor.
그리고, 상기 연마테이블(2) 상부에는 상기 연마패드(4)상에 연마액 즉 슬러리(Slurry)를 공급할 수 있는 연마액 공급수단(6)이 구비되어 있고, 상기 연마테이블(2) 상부에는 상기 연마패드(4) 상에 위치된 웨이퍼(W)를 고정 및 가압한 후, 회전시킬 수 있는 연마헤드(8)가 구비되어 있다. 상기 연마헤드(8)는 진공을 이용하여 웨이퍼(W)를 흡착하여 고정한 후, 자체 하중 의해서 웨이퍼(W)를 가압하고, 모터의 구동에 의해서 회전 및 상하이동이 이루어질 수 있도록 되어 있다.The polishing table 2 is provided with polishing liquid supply means 6 for supplying polishing liquid, that is, slurry, on the polishing pad 4, and above the polishing table 2. A polishing head 8 is provided which can be rotated after fixing and pressing the wafer W positioned on the polishing pad 4. The polishing head 8 is configured to suck and fix the wafer W using a vacuum, pressurize the wafer W by its own load, and rotate and move by a motor.
또한, 상기 연마테이블(2) 상부에는 CMP공정 후, 상기 연마패드(4)를 컨디셔닝시키는 컨디셔닝 디스크(12)가 부착된 컨디셔너(10)가 설치되어 있다. 상기 컨디셔닝 디스크(12)는 모터의 구동에 의해서 소정속도로 회전할 수있도록 되어 있고, 상기 컨디셔너(10)는 소정각도로 회전할 수 있도록 되어 있다. 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)의 저면부에는 도2에 도시된 바와 같이 소정의 크기를 갖는 인조다이아몬드(13)가 니켈박막(표시하지 않음)을 매개로 부착되어 있다.In addition, a conditioner 10 having a conditioning disk 12 for conditioning the polishing pad 4 is installed on the polishing table 2 after the CMP process. The conditioning disk 12 is capable of rotating at a predetermined speed by driving a motor, and the conditioner 10 is capable of rotating at a predetermined angle. An artificial diamond 13 having a predetermined size is attached to the bottom portion of the conditioning disk 12 of the conditioner 10 via a nickel thin film (not shown).
그리고, 상기 연마테이블(2) 일측에는 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 후, 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)에 소정압력으로 탈이온수를 방출함으로서 상기 컨디셔닝 디스크(12)의 인조다이아몬드(13) 사이에 흡착된 연마액을 세정할 수 있는 탈이온수 공급수단이 구비된 컨디셔너 파킹 배스(30)가 설치되어 있다. 상기 컨디셔너 파킹 배스(30) 저면부에는 탈이온수 공급수단으로서 소정압력으로 탈이온수를 분사할 수 있는 복수의 분사노즐(32)이 설치되어 있고, 상기 분사노즐(32)과 일정량의 탈이온수가 저장된 탈이온수배스(40)가 탈이온수 공급관(36)에 의해서 서로 연결되어 있다. 상기 탈이온수 공급관(36) 상에는 탈이온수의 흐름을 기준으로 펌프(38) 및 압력조절장치(34)가 순차적으로 설치되어 있다. 또한, 상기 컨디셔너 파킹 배스(30) 저면부에는 제 2 밸브(44)가 설치된 탈이온수 방출관(42)이 형성되어 있다. 그리고, 제작자에 따라 상기 탈이온수배스(40) 저면부에 초음파발생기(도시되지 않음)를 더 형성함으로서 상기 초음파발생기에 의해서 700 MHz 내지 900 MHz의 진동이 가해진 탈이온수를 분사노즐(32)을 통해서 컨디셔닝 디스크(12)에 분사시킬 수도 있다.In addition, after the conditioning of the conditioner 10, one side of the polishing table 2 discharges deionized water to the conditioning disk 12 of the conditioner 10 at a predetermined pressure, thereby increasing the artificial diamond 13 of the conditioning disk 12. The conditioner parking bath 30 is provided with a deionized water supply means capable of washing the polishing liquid adsorbed therebetween. A plurality of injection nozzles 32 for spraying deionized water at a predetermined pressure as a deionized water supply means are installed at the bottom of the conditioner parking bath 30, and the spray nozzle 32 and a predetermined amount of deionized water are stored. Deionized water bath 40 is connected to each other by the deionized water supply pipe 36. On the deionized water supply pipe 36, a pump 38 and a pressure regulator 34 are sequentially installed based on the flow of deionized water. In addition, a deionized water discharge pipe 42 in which the second valve 44 is provided is formed at the bottom of the conditioner parking bath 30. In addition, by forming an ultrasonic generator (not shown) on the bottom surface of the deionized water bath 40 according to the manufacturer, the deionized water subjected to vibration of 700 MHz to 900 MHz by the ultrasonic generator is injected through the spray nozzle 32. It may be sprayed onto the conditioning disk 12.
따라서, 연마테이블(2)의 연마패드(4) 상에 웨이퍼(W)가 위치되면, 연마헤드(8)는 웨이퍼(W)를 고정한다. 그리고, 연마액 공급수단(6)은 연마테이블(2)의 연마패드(4) 상에 연마액을 공급한다. 이후, 모터의 구동에 의해서 연마헤드(8) 및 연마테이블(2)이 회전함에 따라 웨이퍼(W) 표면은 화학적 및 물리적 작용에 의해서 연마된다.Therefore, when the wafer W is positioned on the polishing pad 4 of the polishing table 2, the polishing head 8 fixes the wafer W. As shown in FIG. Then, the polishing liquid supply means 6 supplies the polishing liquid on the polishing pad 4 of the polishing table 2. Thereafter, as the polishing head 8 and the polishing table 2 are rotated by the driving of the motor, the surface of the wafer W is polished by chemical and physical action.
그리고, 상기 CMP공정이 완료되면, 연마테이블(2) 상의 웨이퍼(W)는 로봇아암 등의 이송수단에 의해서 소정위치로 이동하게 된다. 또한, 상기 연마테이블(2) 상에는 모터의 구동에 의해서 컨디셔너(10)가 위치하게 되고, 상기 컨디셔너(10)의 컨디셔닝 디스크(12)는 모터의 구동에 의해서 회전하며 연마패드(4) 표면의 연마액 및 연마부산물을 제거하는 컨디셔닝공정이 진행된다. 상기 컨디셔닝공정은 선행된 CMP공정의 수행에 의해서 연마패드(4) 표면의 구멍내에 잔존하는 연마부산물을 제거함으로서 후속되는 CMP공정을 진행할 때 연마액이 연마패드(4) 표면의 구멍내에 충분히 충진되어 CMP공정이 용이하게 진행될 수 있도록 하기 위함이다.When the CMP process is completed, the wafer W on the polishing table 2 is moved to a predetermined position by a transfer means such as a robot arm. In addition, the conditioner 10 is positioned on the polishing table 2 by the driving of the motor, and the conditioning disk 12 of the conditioner 10 is rotated by the driving of the motor to polish the surface of the polishing pad 4. The conditioning process proceeds to remove the liquid and abrasive byproducts. The conditioning process removes the polishing by-products remaining in the holes on the surface of the polishing pad 4 by performing the preceding CMP process, so that the polishing liquid is sufficiently filled in the holes on the surface of the polishing pad 4 during the subsequent CMP process. This is to facilitate the CMP process.
그리고, 상기 컨디셔닝공정이 진행된 컨디셔너(10)는 모터의 구동에 의해서 소정각도로 회전하여 연마테이블(2) 일측에 설치된 컨디셔너 파킹 배스(30)로 이동하게 되고, 탈이온수 공급관(36) 상에 설치된 펌프(38)는 펌핑동작을 수행하게 된다. 또한, 상기 펌프(38)가 가동됨에 따라 탈이온수배스(40)에 저장된 탈이온수는 탈이온수 공급관(36) 상에 설치된 압력조절장치(34)에 의해서 그 방출압력이 조절된 후, 분사노즐(32)을 통해서 컨디셔닝 디스크(12)의 인조다이아몬드(13)에 분사됨에 따라 인조다이아몬드(13) 사이에 흡착된 연마액 및 연마부산물은 제거된다. 이후, 상기 컨디셔너(10)는 모터의 구동에 의해서 다시 연마테이블(2)의 연마패드(4)로 이동하여 후속 컨디션닝공정을 수행한다.In addition, the conditioner 10 in which the conditioning process is performed is rotated at a predetermined angle by the driving of the motor to move to the conditioner parking bath 30 installed at one side of the polishing table 2, and is installed on the deionized water supply pipe 36. The pump 38 performs the pumping operation. In addition, as the pump 38 operates, the deionized water stored in the deionized water bath 40 is discharged by the pressure regulator 34 installed on the deionized water supply pipe 36, and then the injection nozzle ( The abrasive liquid and the abrasive by-products adsorbed between the artificial diamonds 13 are removed as they are sprayed onto the artificial diamonds 13 of the conditioning disk 12 through 32. Thereafter, the conditioner 10 moves to the polishing pad 4 of the polishing table 2 again by the driving of the motor to perform the subsequent conditioning process.
따라서, 본 발명에 의하면 소정압력으로 분사노즐을 통해서 탈이온수를 컨디셔너의 컨디셔닝 디스크에 분사함으로서 컨디셔닝 디스크의 인조다이아몬드 사이에 흡착된 연마액 및 연마부산물을 효과적으로 세정할 수 있다.Therefore, according to the present invention, by spraying deionized water onto the conditioning disk of the conditioner through the injection nozzle at a predetermined pressure, it is possible to effectively clean the polishing liquid and the abrasive by-product adsorbed between the artificial diamond of the conditioning disk.
따라서, 컨디셔닝 디스크의 인조다이아몬드 사이에 흡착된 연마액 및 연마부산물이 경화되어 컨디셔닝공정을 진행할 때 컨디션닝 디스크의 인조다이아몬드와 연마패드 사이의 마찰력을 감소시켜 컨디셔닝공정의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 상기 인조다이아몬드의 경화된 연마액 및 연마부산물이 연마패드에 탈착되어 연마패드 상에 위치된 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지함으로서 반도체장치의 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, the polishing liquid and the polishing by-products adsorbed between the artificial diamonds of the conditioning disks are cured to reduce the friction force between the artificial diamonds and the polishing pads of the conditioning disks during the conditioning process, thereby preventing the failure of the conditioning process. In addition, the cured polishing liquid and the polishing by-product of the artificial diamond are prevented from being detached from the polishing pad to contaminate the wafer located on the polishing pad, thereby improving the production yield of the semiconductor device.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (5)
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