KR100487546B1 - an apparatus for polishing semiconductor wafer - Google Patents
an apparatus for polishing semiconductor wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR100487546B1 KR100487546B1 KR10-2002-0054906A KR20020054906A KR100487546B1 KR 100487546 B1 KR100487546 B1 KR 100487546B1 KR 20020054906 A KR20020054906 A KR 20020054906A KR 100487546 B1 KR100487546 B1 KR 100487546B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- polishing pad
- polishing head
- wafer
- head
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명의 화학적 기계적 평탄화(CMP) 기계는 연마 패드가 부착된 플래튼을 갖는 폴리싱 스테이션과, 상기 플래튼의 연마 패드 상에 웨이퍼를 폴리싱 하기 위한 폴리싱 헤드 및; 상기 연마 패드 상으로 유체를 제공하는 제1세정 장치를 포함하되; 상기 세정 장치는 상기 폴리싱 헤드의 운동 궤적을 따라 상기 연마 패드를 세정할 수 있도록 상기 폴리싱 헤드에 설치된다.The chemical mechanical planarization (CMP) machine of the present invention comprises a polishing station having a platen with a polishing pad attached thereto, a polishing head for polishing a wafer on the platen's polishing pad; A first cleaning device for providing fluid onto said polishing pad; The cleaning device is installed in the polishing head to clean the polishing pad along the movement trajectory of the polishing head.
Description
본 발명은 반도체 칩 제조 장치에 관한 것으로서 보다 상세하게는, 반도체 제조시에 사용되는 화학적 기계적 연마 설비에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor chip manufacturing apparatus, and more particularly, to a chemical mechanical polishing facility used in semiconductor manufacturing.
현재의 화학적 기계적 연마 프로세스(Chemical-Mechanical Polish processes)는 다양한 연마 패드를 사용한다. 일반적으로, 이러한 패드는 우레탄 물질로 이루어지며, 연질 또는 경질로서 특징 지워진다. 연마 패드는 최적의 편평한 표면을 제공한다. 그러나, 상기 연마 패드는 웨이퍼를 연마하는 동안 잔여물과 찌꺼기 슬러리(waste slurry)로 글레이징(glazing)되는 경향이 있다. 이러한 글레이징은 패드 수명과 연마 결과를 열화시킨다. Current chemical-mechanical polishing processes use a variety of polishing pads. Generally, these pads are made of urethane material and are characterized as soft or hard. The polishing pad provides the optimum flat surface. However, the polishing pad tends to glaze into residue and waste slurry while polishing the wafer. Such glazing degrades pad life and polishing results.
현재의 CMP 설비는 연마 종료 후 연마 패드위에 남게 되는 잔류물들(찌꺼기 슬러리와 연마시 웨이퍼로부터 떨어져 나간 이물질들)을 제거하는 구조적 장치가 마련되지 않았다. 결국, 상기 잔류물들은 후속 연마 공정시 웨이퍼에 스크래치와 결함의 오염원으로 작용한다. Current CMP plants do not have a structural device to remove residues left on the polishing pad after the end of polishing (dust slurries and debris falling off the wafer during polishing). Eventually, the residues serve as a source of scratches and defects on the wafer during subsequent polishing processes.
본 발명의 목적은 연마를 마친후 연마 패드상에 남게 되는 잔류물들을 제거할 수 있는 새로운 형태의 화학적 기계적 연마 설비를 제공하는데 있다.It is an object of the present invention to provide a new type of chemical mechanical polishing facility capable of removing residues left on a polishing pad after polishing.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 본 발명의 웨이퍼 연마 장치는 연마패드가 부착된 플래튼을 갖는 폴리싱 스테이션과; 상기 플래튼의 연마 패드 상에 웨이퍼를 폴리싱 하기 위한 폴리싱 헤드 및; 상기 연마 패드 상으로 유체를 제공하는 제1세정 장치를 갖는다. 상기 세정 장치는 상기 폴리싱 헤드의 운동 궤적을 따라 상기 연마 패드를 세정할 수 있도록 상기 폴리싱 헤드에 설치된다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the wafer polishing apparatus of the present invention comprises a polishing station having a platen to which a polishing pad is attached; A polishing head for polishing a wafer on the polishing pad of the platen; And a first cleaning device for providing fluid onto the polishing pad. The cleaning device is installed in the polishing head to clean the polishing pad along the movement trajectory of the polishing head.
이와 같은 본 발명에서 상기 제1세정 장치는 상기 폴리싱 헤드의 측면에 설치되는 그리고 노즐들을 갖는다. 이 노즐들은 상기 연마패드의 표면으로부터 10mm 높이를 두고 상기 폴리싱 헤드에 설치된다. 노즐은 저면에 홈을 갖으며, 이 홈에 분사공이 형성된다.In this invention the first cleaning device is provided on the side of the polishing head and has nozzles. These nozzles are mounted to the polishing head at a height of 10 mm from the surface of the polishing pad. The nozzle has a groove on the bottom surface, and injection holes are formed in the groove.
이와 같은 본 발명에서 상기 폴리싱 헤드는 유체를 상기 노즐들로 공급하기 위한 공급관을 더 포함한다. 상기 폴리싱 헤드는 상기 연마 패드의 표면 상태를 컨디셔닝하기 위한 컨디셔너를 더 포함한다.In the present invention, the polishing head further includes a supply pipe for supplying fluid to the nozzles. The polishing head further includes a conditioner for conditioning the surface condition of the polishing pad.
이와 같은 본 발명에서 상기 컨디셔너는 고리형상의 디스크로 이루어지고, 이 컨디셔너는 상기 폴리싱 헤드의 가장자리에 설치된다.In the present invention, the conditioner is composed of an annular disk, which is installed at the edge of the polishing head.
이와 같은 본 발명에서 상기 CMP 설비는 상기 연마 헤드를 둘러싸는 그리고 웨이퍼 연마 과정에서 슬러리의 찌꺼기 등이 설비 주변으로 튀는 것을 방지하기 위한 커버를 더 포함한다. CMP 설비는 상기 커버의 안쪽면을 세정하기 위하여 상기 커버의 안쪽면으로 세정액이 흐르도록 상기 커버에 설치되는 제2세정장치를 더 포함한다.In the present invention, the CMP apparatus further includes a cover for enclosing the polishing head and preventing splashing of slurry and the like around the apparatus during wafer polishing. The CMP apparatus further includes a second cleaning device installed on the cover to flush the cleaning liquid to the inner surface of the cover to clean the inner surface of the cover.
예컨대, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다. For example, the embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. These examples are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of the elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize a clearer description.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부도면 도 1 내지 도 5c에 의거하여 상세히 설명한다. 또 도면들에서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5C. In the drawings, the same reference numerals are used for components that perform the same function.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 CMP 장치(100)는 연마 패드(112)가 부착되어진 회전 가능한 턴 테이블(114)이 설치된 폴리싱 스테이션(110)과 폴리싱 헤드 어셈블리(120)를 갖는다. Referring to FIG. 1, the CMP apparatus 100 according to the present invention has a polishing station 110 and a polishing head assembly 120 provided with a rotatable turntable 114 to which a polishing pad 112 is attached.
상기 턴 테이블(114)은 턴 테이블을 회전시키기 위한 수단(미도시됨)에 연결되어지며, 가장 양호한 폴리싱 과정에서, 상기 회전 수단은 상기 턴 테이블(114)을 분당 약 50 내지 80회전수로 회전시킨다. 물론, 회전 수단의 회전속도는 이보다 낮거나 높을 수 있다. 상기 연마 패드(112)는 거친 폴리싱 면을 갖는 복합재료일 수 있다. 상기 폴리싱 스테이션(110)은 반응시약(예, 산화폴리싱용 탈이온수)과 마찰 입자(예, 산화폴리싱용 이산화규소)와 화학 반응 촉매(예, 산화폴리싱용 수산화칼륨)를 포함하는 슬러리를 연마 패드의 표면에 공급하기 위한 통상의 슬러리 공급 수단(미도시됨)을 포함한다. The turn table 114 is connected to means (not shown) for rotating the turn table, and in the best polishing process, the rotating means rotates the turn table 114 at about 50 to 80 revolutions per minute. Let's do it. Of course, the rotational speed of the rotating means can be lower or higher than this. The polishing pad 112 may be a composite material having a rough polishing surface. The polishing station 110 is a polishing pad containing a slurry containing a reaction reagent (eg, deionized water for polishing oxide), friction particles (eg, silicon dioxide for polishing oxide) and a chemical reaction catalyst (eg, potassium hydroxide for polishing polishing). Conventional slurry supply means (not shown) for feeding to the surface of the substrate.
상기 폴리싱 헤드 어셈블리(120)는 폴리싱 헤드(130), 커버(140), 구동축(122) 그리고 모터(124)를 포함한다. 폴리싱 헤드(130)는 연마 패드(112)에 대향해서 웨이퍼(10)를 유지하고 웨이퍼(10)의 후면으로 하향 압력을 균일하게 분포시킨다. 폴리싱 헤드(130)는 모터(124)에 연결된 구동축(122)에 의해 분당 40 내지 70 회전수로 회전할 수 있다. 물론, 회전속도는 이보다 낮거나 높을 수 있다. 또, 폴리싱 헤드(130)에는 가스압을 제공하거나, 또는 웨이퍼를 진공으로 흡착하기 위한 진공압을 제공하는 적어도 2개의 기체 공급 채널들이 연결될 수 있다. 물론, 이들 기체 공급 채널들에는 밸브, 변환기(transducer) 그리고 조절기(regulator)가 설치된다. 상기 커버(140)는 웨이퍼 연마 과정에서 슬러리의 찌꺼기 등이 설비 주변으로 튀는 것을 방지한다. The polishing head assembly 120 includes a polishing head 130, a cover 140, a drive shaft 122, and a motor 124. The polishing head 130 holds the wafer 10 against the polishing pad 112 and evenly distributes the downward pressure to the backside of the wafer 10. The polishing head 130 may rotate at 40 to 70 revolutions per minute by the drive shaft 122 connected to the motor 124. Of course, the rotation speed can be lower or higher than this. In addition, at least two gas supply channels may be connected to the polishing head 130 to provide a gas pressure or a vacuum pressure for adsorbing the wafer into a vacuum. Of course, these gas supply channels are equipped with valves, transducers and regulators. The cover 140 prevents the residue of the slurry from splashing around the facility during wafer polishing.
다음에는 도 2 내지 도 3을 참조하면서 폴리싱 헤드(130)를 구체적으로 설명한다. Next, the polishing head 130 will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 3.
도 3을 참고하면, 상기 폴리싱 헤드(130)는 캐리어(132), 리테이너 링(retainer ring;134), 다공판(perforated plate;138), 유연한 재질의 멤브레인(139), 컨디셔너(136) 그리고 제1세정장치(150)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the polishing head 130 includes a carrier 132, a retainer ring 134, a perforated plate 138, a membrane 139 of a flexible material, a conditioner 136 and a first material. One washing device 150 is included.
상기 캐리어(132)는 질소(N2) 가스압(또는 공기압)이나 진공압이 전달되어지는 통로들(미도시됨)과, 상기 제1세정장치(150)로 세정액을 공급하기 위한 통로(152)를 구비한다. 이들 통로들은 외부의 유체 공급채널들(미도시됨)과 연결된다. The carrier 132 may include passages (not shown) through which nitrogen (N 2) gas pressure (or air pressure) or vacuum pressure is transmitted, and a passage 152 for supplying a cleaning liquid to the first cleaning device 150. Equipped. These passages are connected to external fluid supply channels (not shown).
한편, 상기 캐리어(132)의 하단 가장자리에는 컨디셔너(136)가 설치된다. 이 컨디셔너(136)는 상기 연마 패드(112)의 표면 거칠기 상태를 회복시키기 위한 것이다. 이 컨디셔너(136)는 고리형상의 디스크로 이루어진다. 상기 컨디셔너(136)의 안쪽으로는 리테이너 링(134)이 설치된다. 이 리테이너 링(134)은 연마 공정시 웨이퍼가 외부로 이탈하는 것을 방지한다. 상기 다공판(138)은 캐리어(132)의 하단 중앙부분에 설치된다. 상기 멤브레인(139)은 상기 다공판의 저면을 감싸도록 피복된다. 상기 멤브레인(139)은 웨이퍼의 후면과 직접적으로 면 접촉하는 얇은 고무막으로, 압력을 받으면 팽창하여 웨이퍼의 후면으로 로드를 가한다. Meanwhile, the conditioner 136 is installed at the lower edge of the carrier 132. This conditioner 136 is for restoring the surface roughness state of the polishing pad 112. This conditioner 136 consists of an annular disk. A retainer ring 134 is installed inside the conditioner 136. This retainer ring 134 prevents the wafer from leaving out during the polishing process. The porous plate 138 is installed at the lower center portion of the carrier 132. The membrane 139 is coated to surround the bottom of the porous plate. The membrane 139 is a thin rubber film that is directly in surface contact with the back side of the wafer, and expands under pressure to apply a load to the back side of the wafer.
이들(리터이너 링, 컨디셔너, 다공판)은 상기 캐리어(132)의 통로들을 통하여 전달되는 가스압이나 진공압에 의하여 눌러질 수 있다. These (liter ring, conditioner, porous plate) may be pressed by gas pressure or vacuum pressure transmitted through the passages of the carrier 132.
한편, 상기 폴리싱 헤드(130)에는 상기 연마 패드(112)상으로 세정액을 제공하는 제1세정장치(150)가 설치된다. 이 제1세정장치(150)는 다수의 노즐(154)들로 이루어진다. 상기 제1세정장치(150)는 상기 연마 패드(112)위에 남아있는 잔류물들(찌꺼기 슬러리와 연마시 웨이퍼로부터 떨어져 나간 이물질들)을 씻어내기 위한 것이다. 이들 노즐(154)들은 상기 폴리싱 헤드의 측면에 일정간격을 두고 8개가 설치된다. 상기 노즐(154)들은 상기 폴리싱 헤드(130)의 운동 궤적을 따라 상기 연마 패드(112)상에 세정액을 뿌린다. 상기 폴리싱 헤드(130)는 상기 노즐(154)들로 세정액을 제공하기 위한 공급통로(152)들을 갖는다. 상기 노즐(154)들은 상기 연마 패드(112)의 표면으로부터 10mm 높이를 두고 설치되는 것이 바람직하다. 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 노즐(154)은 저면에 분사공(156)을 갖으며, 이 분사공(156)은 저면에 형성된 홈(158)상에 형성된다. 이러한 구조를 갖는 상기 노즐(154)은 세정액을 보다 넓은 범위에 뿌릴 수 있는 것이다. 특히, 상기 노즐(154)들은 상기 폴리싱 헤드(130)의 운동 궤적에 따라서 이동됨으로써 세정액을 연마 패드상에 골고루 뿌릴 수 있다.On the other hand, the polishing head 130 is provided with a first cleaning device 150 for providing a cleaning liquid on the polishing pad 112. The first cleaning device 150 is composed of a plurality of nozzles 154. The first cleaning device 150 is for washing away the residues (dust residues and foreign matters removed from the wafer during polishing) remaining on the polishing pad 112. Eight of these nozzles 154 are provided at a predetermined interval on the side of the polishing head. The nozzles 154 spray the cleaning liquid on the polishing pad 112 along the movement trajectory of the polishing head 130. The polishing head 130 has supply passages 152 for providing a cleaning liquid to the nozzles 154. The nozzles 154 may be installed at a height of 10 mm from the surface of the polishing pad 112. As shown in FIG. 4, the nozzle 154 has an injection hole 156 at a bottom thereof, and the injection hole 156 is formed on a groove 158 formed at the bottom thereof. The nozzle 154 having such a structure can spray the cleaning liquid in a wider range. In particular, the nozzles 154 may be moved along the movement trajectory of the polishing head 130 to evenly spray the cleaning liquid onto the polishing pad.
예컨대, 본 실시예에서는 노즐의 분사방식을 적용한 세정장치를 사용하지만, 이는 하나의 실시예에 불과하다. 본 발명의 제1세정장치는 노즐을 이용한 분사방식, 단순 플로우(flow)방식 또는 드롭(drop)방식을 병행 또는 독립적으로 사용할 수 있다. For example, the present embodiment uses a cleaning device applying the nozzle injection method, but this is only one embodiment. The first cleaning apparatus of the present invention may use a spray method, a simple flow method or a drop method using a nozzle in parallel or independently.
한편, 상기 커버(140)의 내측면 상단에는 노즐(142)들이 설치된다. 이들은 연마과정에서 슬러리 찌꺼기 등이 상기 커버(140)의 내측면에 달라붙지 않도록 세정액을 지속적으로 커버(140)의 내측면으로 플로우한다. Meanwhile, nozzles 142 are installed at an upper end of the inner surface of the cover 140. They continuously flow the cleaning liquid to the inner side of the cover 140 so that slurry residues and the like do not stick to the inner side of the cover 140 during polishing.
상술한 바와 같이, 본 발명에서 연마패드의 세정 방법은 다음과 같다. As described above, the cleaning method of the polishing pad in the present invention is as follows.
도 5a 내지 도 5c를 참고하면, 우선 상기 연마 패드(112)에 세정액을 뿌린다. 세정액은 상기 연마 패드(112)상에 잔류하는 이물질들과 혼합된다. 상기 폴리싱 헤드(130)는 상기 컨디셔너(136)가 상기 연마 패드(112)의 표면에 닿도록 하강된 후, 회전과 좌우 왕복 운동을 실시한다. 상기 컨디셔너(136)는 상기 폴리싱 헤드(130)의 회전에 의해 상기 연마 패드(112)의 표면을 컨디셔닝한다. 그리고 상기 연마 헤드(130)는 좌우 이동을 통해 상기 연마 패드(112)상의 세정액(이물질이 혼합된 세정액)을 연마 패드 밖으로 밀어낸다. 여기서, 상기 연마 패드상에서 상기 폴리싱 헤드(130)의 이동은 상기 폴리싱 스테이션의 이동 또는 폴리싱 헤드의 이동에 의해 이루어질 수 있으며, 그 이동에 필요한 수단은 생략했다. 5A to 5C, first, a cleaning liquid is sprayed on the polishing pad 112. The cleaning liquid is mixed with foreign substances remaining on the polishing pad 112. The polishing head 130 is lowered to bring the conditioner 136 in contact with the surface of the polishing pad 112, and then rotates and performs left and right reciprocating motions. The conditioner 136 conditions the surface of the polishing pad 112 by the rotation of the polishing head 130. In addition, the polishing head 130 pushes the cleaning liquid (the cleaning liquid mixed with foreign matter) on the polishing pad 112 out of the polishing pad through left and right movement. Here, the movement of the polishing head 130 on the polishing pad may be made by the movement of the polishing station or the movement of the polishing head, and the means necessary for the movement is omitted.
이처럼, 본 발명에 따른 연마 패드의 세정 방법은 연마 헤드의 좌우 이동을 통해 연마 패드상에 이물질들을 세정액과 함께 연마 패드 밖으로 밀어냄으로써, 보다 효과적으로 연마 패드상의 이물질들을 제거할 수 있다.As such, the cleaning method of the polishing pad according to the present invention can remove foreign matters on the polishing pad more effectively by pushing foreign matters on the polishing pad together with the cleaning liquid through the left and right movement of the polishing head.
한편, 상기 커버(140) 안쪽으로는 상기 연마 헤드(130)의 작동에 의해 와류성 난류가 발생된다. 이 기류는 상기 커버(140)의 내측면이나 상기 연마 헤드(130) 등이 기타 구조물들에 붙어있는 오염원(파티클)들을 떨어뜨려서, 연마 공정시의 스크래치 등의 원인이 된다. 하지만, 본 발명에서는 상기 커버(140)의 내측면으로 세정액을 흐르게 함으로써, 오염원들이 세정액의 점성으로 세정액에 흡착된 후, 세정액을 따라 외부로 배출된다. 그리고, 상기 노즐(142)을 통해 상기 커버(140)의 내측면으로 세정액이 흐르기 때문에, 커버(140)의 내부 공간의 습도를 높게 유지시켜 건조로 인한 파티클의 경화를 막을 수 있다.On the other hand, the turbulent turbulence is generated inside the cover 140 by the operation of the polishing head 130. This airflow causes contamination of particles (particles) attached to the inner surface of the cover 140, the polishing head 130, and the like to other structures, and causes scratches during the polishing process. However, in the present invention, by causing the cleaning liquid to flow to the inner surface of the cover 140, the pollutants are adsorbed to the cleaning liquid by the viscosity of the cleaning liquid, and then discharged to the outside along the cleaning liquid. In addition, since the cleaning liquid flows to the inner surface of the cover 140 through the nozzle 142, the humidity of the internal space of the cover 140 may be maintained to prevent hardening of particles due to drying.
이상에서는 바람직한 실시예들을 예시하고 그 것을 통해서 본 발명을 설명하였지만, 본 발명이 거기에 한정되는 것이 아님을 유의해야 하며, 본 발명의 사상과 기술적 범위를 벗어나지 않는 선에서 다양한 실시예들 및 변형예들이 있을 수 있다는 것을 잘 이해해야 한다.While the above has illustrated preferred embodiments and described the present invention, it should be noted that the present invention is not limited thereto, and various embodiments and modifications may be made without departing from the spirit and technical scope of the present invention. It should be well understood that there may be
이상과 같은 본 발명에 따르면, 연마 패드상에 잔류하는 이물질이 세정액과 함께 상기 연마 헤드의 회전 및 좌우이동을 통해 연마 패드 밖으로 밀어냄으로써, 연마 공정시 웨이퍼에 스크래치와 결함을 최소화 할 수 있다.According to the present invention as described above, foreign matter remaining on the polishing pad is pushed out of the polishing pad by the rotation and left and right movement of the polishing head with the cleaning liquid, it is possible to minimize scratches and defects in the wafer during the polishing process.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 CMP 장치의 구성을 보여주는 도면;1 is a view showing the configuration of a CMP apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폴리싱 헤드의 단면도;2 is a cross-sectional view of a polishing head according to a preferred embodiment of the present invention;
도 3은 도 2에 표시된 X방향에서 바라본 폴리실 헤드의 저면도;3 is a bottom view of the polysilk head viewed from the X direction shown in FIG. 2;
도 4는 노즐의 사시도;4 is a perspective view of a nozzle;
도 5a 내지 도 5c는 연마패드의 세정 과정은 설명하기 위한 도면들이다.5A to 5C are views for explaining a cleaning process of the polishing pad.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
110 : 폴리싱 스테이션110: polishing station
112 : 연마 패드112: Polishing Pads
120 : 폴리싱 헤드 어셈블리120: polishing head assembly
130 : 폴리싱 헤드130: polishing head
132 : 캐리어132 carrier
134 : 리테이너링134: Retaining Ring
138 : 다공판138: perforated plate
150 : 제1세정장치 150: first cleaning device
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0054906A KR100487546B1 (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | an apparatus for polishing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0054906A KR100487546B1 (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | an apparatus for polishing semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040023225A KR20040023225A (en) | 2004-03-18 |
| KR100487546B1 true KR100487546B1 (en) | 2005-05-03 |
Family
ID=37326894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0054906A KR100487546B1 (en) | 2002-09-11 | 2002-09-11 | an apparatus for polishing semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100487546B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101555015B1 (en) * | 2012-12-28 | 2015-09-22 | 주식회사 잉크테크 | Method for manufacturing conductive pattern |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09117856A (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-06 | Texas Instr Inc <Ti> | Device for which wafer carrier and pad regulator are combined for application of chemical machinery grinding |
| US5702563A (en) * | 1995-06-07 | 1997-12-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination |
| KR19980016804A (en) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 김광호 | CMP device |
| US5876508A (en) * | 1997-01-24 | 1999-03-02 | United Microelectronics Corporation | Method of cleaning slurry remnants after the completion of a chemical-mechanical polish process |
| JPH11104947A (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Toshiro Doi | Dressing device for polishing pad |
| KR20000025767A (en) * | 1998-10-14 | 2000-05-06 | 윤종용 | Cmp(chemical mechanical polishing) device for manufacturing semiconductor device |
| KR20000052631A (en) * | 1999-01-06 | 2000-08-25 | 오쯔보 히데오 | Planarization apparatus and method |
-
2002
- 2002-09-11 KR KR10-2002-0054906A patent/KR100487546B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5702563A (en) * | 1995-06-07 | 1997-12-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination |
| JPH09117856A (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-06 | Texas Instr Inc <Ti> | Device for which wafer carrier and pad regulator are combined for application of chemical machinery grinding |
| KR19980016804A (en) * | 1996-08-29 | 1998-06-05 | 김광호 | CMP device |
| US5876508A (en) * | 1997-01-24 | 1999-03-02 | United Microelectronics Corporation | Method of cleaning slurry remnants after the completion of a chemical-mechanical polish process |
| JPH11104947A (en) * | 1997-10-03 | 1999-04-20 | Toshiro Doi | Dressing device for polishing pad |
| KR20000025767A (en) * | 1998-10-14 | 2000-05-06 | 윤종용 | Cmp(chemical mechanical polishing) device for manufacturing semiconductor device |
| KR20000052631A (en) * | 1999-01-06 | 2000-08-25 | 오쯔보 히데오 | Planarization apparatus and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040023225A (en) | 2004-03-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0154610B1 (en) | Method for polishing semiconductor substrate and apparatus for the same | |
| JP5009101B2 (en) | Substrate polishing equipment | |
| US7544113B1 (en) | Apparatus for controlling the forces applied to a vacuum-assisted pad conditioning system | |
| KR19990007262A (en) | Combined Slurry Dispenser and Cleaning Arms and How It Works | |
| KR20010021732A (en) | A carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system | |
| WO1999051397A1 (en) | Polishing device | |
| US10256120B2 (en) | Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning | |
| US7025663B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device | |
| JP2000311875A (en) | Chemical-mechanical polishing device | |
| US6878045B2 (en) | Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems | |
| JP2002079461A (en) | Polishing device | |
| KR100487546B1 (en) | an apparatus for polishing semiconductor wafer | |
| KR20070095096A (en) | Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus | |
| KR20210115433A (en) | Wafer polishing apparatus | |
| KR20100005474A (en) | Cleaning apparatus for polishing pad conditioning dresser of chemical mechanical polishing apparatus | |
| JP2000127025A (en) | Polishing device and polishing method | |
| US10784113B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus | |
| KR20030064469A (en) | an apparatus for polishing semiconductor wafer | |
| KR100723435B1 (en) | Polishing head for chemical mechanical polishing apparatus | |
| JPH11333677A (en) | Polishing device for substrate | |
| JPH11254300A (en) | Washing device for carrier in surface polishing device | |
| US6368186B1 (en) | Apparatus for mounting a rotational disk | |
| KR20040061132A (en) | Cleaning System and method of polishing pad | |
| KR20070112647A (en) | Chemical mechanical polishing apparatus and method for cleaning polishing-pad using the same | |
| KR101017156B1 (en) | Slurry dispenser of cmp apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |