KR102460921B1 - Shift resister and display device having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명에 의한 시프트레지스터는 제1 내지 제n 스테이지로 이루어져서 순차적으로 게이트펄스를 출력하되, 게이트펄스의 출력순서는 양방향 중에서 어느 하나로 선택 가능하게 설정된다. 제n 스테이지는 Q 노드의 전압에 응답하여 출력단을 충전시키는 풀업 트랜지스터, 순방향 스캔 모드에서 이전단 게이트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제1 트랜지스터, 역방향 스캔 모드에서, 스타트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제2 트랜지스터, 및 순방향 스캔 모드에서 제n 게이트펄스를 출력한 이후에 인가되는 더미 게이트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 순방향 리셋 트랜지스터를 포함한다.The shift register according to the present invention is composed of first to n-th stages and sequentially outputs gate pulses, and the output order of the gate pulses is set to be selectable in either direction. The n-th stage is a pull-up transistor that charges the output terminal in response to the voltage of the Q node, the first transistor that applies a turn-on voltage to the Q node in response to the previous stage gate pulse in the forward scan mode, and the start pulse in the reverse scan mode a second transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to, and a forward direction for applying a turn-off voltage to the Q node in response to a dummy gate pulse applied after outputting an n-th gate pulse in the forward scan mode Includes a reset transistor.

Description

시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치{SHIFT RESISTER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}Shift register and display device including same

본 발명은 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a shift register and a display device including the same.

표시장치는 데이터라인들과 게이트라인들이 직교되도록 배치되고 픽셀들이 매트릭스 형태로 배치된다. 데이터라인들에는 표시하고자 하는 비디오 데이터전압이 공급되고 게이트라인들에는 게이트펄스가 순차적으로 공급된다. 게이트펄스가 공급되는 표시라인의 픽셀들에 비디오 데이터전압이 공급되며, 모든 표시라인들이 게이트펄스에 의해 순차적으로 스캐닝되면서 비디오 데이터를 표시한다. In the display device, data lines and gate lines are arranged to be perpendicular to each other, and pixels are arranged in a matrix form. A video data voltage to be displayed is supplied to the data lines, and a gate pulse is sequentially supplied to the gate lines. A video data voltage is supplied to pixels of a display line to which a gate pulse is supplied, and video data is displayed while all display lines are sequentially scanned by the gate pulse.

표시장치의 적용분야는 점차 다양해지고, 휴대용 단말기의 보급이 보편화되면서 표시장치의 종류도 늘어나고 있다. 표시장치가 적용되는 기기의 디자인 및 특징에 따라 표시장치를 구동하는 구동회로부의 위치 또한 다양해지고 있다. 각각의 표시장치에 따라서 표시패널의 게이트라인을 구동하기 위한 시프트레지스터의 출력 방향도 어느 한 방향으로 한정되지 않는다. 게이트 구동부는 표시패널에서 GIP(Gate In Panel) 형태로 구현될 수 있는데, 게이트펄스의 출력방향을 한 방향으로 고정시키지 않기 위해서는 기존과는 다른 회로 구성이 필요하다.The field of application of the display device is gradually diversifying, and as the spread of portable terminals becomes common, the types of display devices are also increasing. The position of the driving circuit part for driving the display device is also diversified according to the design and characteristics of the device to which the display device is applied. The output direction of the shift register for driving the gate line of the display panel according to each display device is also not limited to any one direction. The gate driver may be implemented in the form of a gate in panel (GIP) in the display panel. In order not to fix the output direction of the gate pulse in one direction, a circuit configuration different from the conventional one is required.

본 발명은 표시패널의 종류에 따라 호환성을 높일 수 있는 시프트레지스터 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하기 위한 것이다. An object of the present invention is to provide a shift register capable of increasing compatibility according to types of display panels and a display device including the same.

본 발명에 의한 시프트레지스터는 제1 내지 제n 스테이지로 이루어져서 순차적으로 게이트펄스를 출력하되, 게이트펄스의 출력순서는 양방향 중에서 어느 하나로 선택 가능하게 설정된다. 제n 스테이지는 Q 노드의 전압에 응답하여 출력단을 충전시키는 풀업 트랜지스터, 순방향 스캔 모드에서 이전단 게이트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제1 트랜지스터, 역방향 스캔 모드에서, 스타트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제2 트랜지스터, 및 순방향 스캔 모드에서 제n 게이트펄스를 출력한 이후에 인가되는 더미 게이트펄스에 응답하여 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 순방향 리셋 트랜지스터를 포함한다.The shift register according to the present invention is composed of first to n-th stages and sequentially outputs gate pulses, and the output order of the gate pulses is set to be selectable in either direction. The n-th stage is a pull-up transistor that charges the output terminal in response to the voltage of the Q node, the first transistor that applies a turn-on voltage to the Q node in response to the previous stage gate pulse in the forward scan mode, and the start pulse in the reverse scan mode a second transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to, and a forward direction for applying a turn-off voltage to the Q node in response to a dummy gate pulse applied after outputting an n-th gate pulse in the forward scan mode Includes a reset transistor.

본 발명의 시프트레지스터는 스테이지들 각각에 Q 노드를 세팅하고 리셋할 수 있는 트랜지스터들을 이용하여, 순방향 스캔 모드 또는 역방향 스캔 모드에 모두 적용할 수 있다. The shift register of the present invention can be applied to both a forward scan mode and a reverse scan mode by using transistors capable of setting and resetting a Q node in each of the stages.

특히, 본 발명은 가장 마지막 스테이지의 Q 노드를 순방향 리셋 트랜지스터를 이용하기 때문에, 역방향 스캔 모드를 위해서 제2 트랜지스터의 게이트전극을 스타트펄스 입력단에 연결할지라도 순방향 스캔 모드에서 Q 노드의 리셋 동작을 원활하게 할 수 있다.In particular, since the present invention uses a forward reset transistor for the Q node of the last stage, even if the gate electrode of the second transistor is connected to the start pulse input terminal for the reverse scan mode, the reset operation of the Q node in the forward scan mode is smoothly performed. can do.

도 1은 본 발명에 의한 표시장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시 예에 의한 시프트레지스터를 나타내는 도면이다.
도 3은 제1 실시 예에 의한 시프트레지스터가 출력하는 게이트펄스의 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 4 내지 도 6은 제1 실시 예에 의한 시프트레지스터의 스테이지들을 나타내는 도면들이다.
도 7은 제1 실시 예에 의한 시프트레지스터에 인가되는 클럭신호들 및 이에 따른 주요 노드의 전압변화를 나타내는 도면이다.
도 8은 제2 실시 예에 의한 시프트레지스터를 나타내는 도면이다.
도 9는 제2 실시 예에 의한 시프트레지스터가 출력하는 게이트펄스의 타이밍을 나타내는 도면이다.
도 10 및 도 11은 제2 실시 예에 의한 시프트레지스터의 스테이지들을 나타내는 도면들이다.
도 12는 제2 실시 예에 의한 시프트레지스터에 인가되는 클럭신호들 및 이에 따른 주요 노드의 전압변화를 나타내는 도면이다.
1 is a view showing a display device according to the present invention.
2 is a view showing a shift register according to the first embodiment.
3 is a diagram showing the timing of a gate pulse output from the shift register according to the first embodiment.
4 to 6 are views showing stages of the shift register according to the first embodiment.
7 is a diagram illustrating clock signals applied to the shift register and voltage changes of main nodes according to the first embodiment.
8 is a diagram illustrating a shift register according to the second embodiment.
9 is a diagram showing the timing of the gate pulse output from the shift register according to the second embodiment.
10 and 11 are diagrams illustrating stages of a shift register according to the second embodiment.
12 is a diagram illustrating clock signals applied to a shift register according to the second embodiment, and voltage changes of main nodes according to the clock signals.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known function or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 명세서의 게이트 구동회로에서 스위치 소자들은 n 타입 또는 p 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 구조의 트랜지스터로 구현될 수 있다. 이하의 실시예에서 n 타입 트랜지스터를 예시하였지만, 본 명세서는 이에 한정되지 않는다. 트랜지스터는 게이트(gate), 소스(source), 및 드레인(drain)을 포함한 3 전극 소자이다. 소스는 캐리어(carrier)를 트랜지스터에 공급하는 전극이다. 트랜지스터 내에서 캐리어는 소스로부터 흐르기 시작한다. 드레인은 트랜지스터에서 캐리어가 외부로 나가는 전극이다. 즉, MOSFET에서의 캐리어의 흐름은 소스로부터 드레인으로 흐른다. n 타입 MOSFET(NMOS)의 경우, 캐리어 가 전자(electron)이기 때문에 소스에서 드레인으로 전자가 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 낮은 전압을 가진다. n 타입 MOSFET에서 전자가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류의 방향은 드레인으로부터 소스 쪽으로 흐른다. p 타입 MOSFET(PMOS)의 경우, 캐리어가 정공(hole)이기 때문에 소스로부터 드레인으로 정공이 흐를 수 있도록 소스 전압이 드레인 전압보다 높다. p 타입 MOSFET에서 정공이 소스로부터 드레인 쪽으로 흐르기 때문에 전류가 소스로부터 드레인 쪽으로 흐른다. MOSFET의 소스와 드레인은 고정된 것이 아니다. 예컨대, MOSFET의 소스와 드레인은 인가 전압에 따라 변경될 수 있다. 이하의 실시예에서 트랜지스터의 소스와 드레인으로 인하여 발명이 제한되지는 않는다. In the gate driving circuit of the present specification, the switch elements may be implemented as transistors of an n-type or p-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) structure. Although the n-type transistor is illustrated in the following embodiments, the present specification is not limited thereto. A transistor is a three-electrode device including a gate, a source, and a drain. The source is an electrode that supplies a carrier to the transistor. In the transistor, carriers begin to flow from the source. The drain is an electrode through which carriers exit the transistor. That is, the flow of carriers in the MOSFET flows from the source to the drain. In the case of an n-type MOSFET (NMOS), since carriers are electrons, the source voltage is lower than the drain voltage so that electrons can flow from the source to the drain. In an n-type MOSFET, the direction of current flows from drain to source because electrons flow from source to drain. In the case of a p-type MOSFET (PMOS), since the carrier is a hole, the source voltage is higher than the drain voltage so that holes can flow from the source to the drain. In a p-type MOSFET, current flows from the source to the drain because holes flow from the source to the drain. The source and drain of the MOSFET are not fixed. For example, the source and drain of the MOSFET may be changed according to the applied voltage. The invention is not limited by the source and drain of the transistor in the following embodiments.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 보여 주는 도면이다. 1 is a diagram schematically showing a display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(PNL)과, 표시패널(PNL)을 구동하기 위한 드라이브 IC(DIC)을 구비한다. Referring to FIG. 1 , the display device of the present invention includes a display panel PNL and a drive IC DIC for driving the display panel PNL.

표시패널(PNL)의 표시부(AA)는 데이터라인들(DL), 데이터라인들(DL)과 직교하는 게이트라인들(GL), 및 데이터라인들(DL)과 게이트라인들(GL)에 의해 정의된 매트릭스 형태로 픽셀(P)들을 포함한다. 제1 픽셀라인(HL1)은 제1 게이트라인(GL1)을 통해서 인가받는 게이트펄스에 의해서 스캔되는 픽셀(P)들을 지칭하고, 제n 픽셀라인(HLn)은 제n 게이트라인(GLn)을 통해서 인가받는 게이트펄스에 의해서 스캔되는 픽셀(P)들을 지칭한다.The display portion AA of the display panel PNL is formed by data lines DL, gate lines GL orthogonal to the data lines DL, and data lines DL and gate lines GL. It includes pixels P in a defined matrix form. The first pixel line HL1 refers to pixels P that are scanned by a gate pulse applied through the first gate line GL1 , and the n-th pixel line HLn is connected through the n-th gate line GLn. Refers to pixels P that are scanned by the applied gate pulse.

표시패널(PNL)의 표시부(AA)는 TFT 어레이와 컬러 필터 어레이로 나뉘어질 수 있다. 표시패널(PNL)의 상판 또는 하판에 TFT 어레이가 형성될 수 있다. TFT 어레이는 데이터라인들(DL)과 게이트라인들(GL)의 교차부들에 형성된 TFT들(Thin Film Transistor, T), 데이터 신호의 전압을 충전하는 액정셀(Clc)의 픽셀 전극, 공통전압(Vcom)이 공급되는 액정셀(Clc)의 공통전극, 픽셀전극에 접속되어 데이터 전압을 유지하는 스토리지 커패시터(Storage Capacitor, Cst)(미도시) 등을 포함하여 입력 영상을 표시한다. 스토리지 커패시터는 도면에서 생략되어 있다. The display portion AA of the display panel PNL may be divided into a TFT array and a color filter array. A TFT array may be formed on an upper plate or a lower plate of the display panel PNL. The TFT array includes TFTs (Thin Film Transistor, T) formed at intersections of the data lines DL and the gate lines GL, the pixel electrode of the liquid crystal cell Clc charging the voltage of the data signal, and the common voltage ( Vcom) is supplied to the common electrode of the liquid crystal cell Clc, and a storage capacitor (Cst) (not shown) connected to the pixel electrode to maintain a data voltage, and the like, to display an input image. The storage capacitor is omitted from the figure.

표시패널(PNL)의 상판 또는 하판에 컬러 필터 어레이가 형성될 수 있다. 컬러 필터 어레이는 블랙매트릭스(black matrix), 컬러 필터(color filter) 등을 포함한다. COT(Color Filter on TFT) 또는 TOC(TFT on Color Filter) 모델의 경우에, TFT 어레이와 함께 컬러 필터와 블랙 매트릭스가 하나의 기판 상에 배치될 수 있다.A color filter array may be formed on an upper or lower plate of the display panel PNL. The color filter array includes a black matrix, a color filter, and the like. In the case of a COT (Color Filter on TFT) ? or TOC (TFT on Color Filter) ? model, a color filter and a black matrix together with a TFT array may be disposed on one substrate.

표시패널(PNL)에는 게이트 구동부(120)가 형성될 수 있다. 게이트 구동부(120)는 드라이브 IC(DIC)를 통해 입력되는 게이트 타이밍 제어신호에 응답하여 데이터 신호에 동기되는 게이트펄스를 출력하는 시프트 레지스터(shift register)를 포함한다. 게이트 타이밍 제어신호는 스타트펄스와 시프트 클럭을 포함한다. 시프트 레지스터는 스타트펄스를 시프트 클럭 타이밍에 맞추어 게이트펄스를 시프트함으로써 게이트펄스를 게이트라인들(GL)에 순차적으로 공급한다.The gate driver 120 may be formed in the display panel PNL. The gate driver 120 includes a shift register that outputs a gate pulse synchronized with a data signal in response to a gate timing control signal input through the drive IC (DIC). The gate timing control signal includes a start pulse and a shift clock. The shift register sequentially supplies the gate pulses to the gate lines GL by shifting the gate pulses according to the shift clock timing.

표시패널(PNL)의 TFT들(T)은 게이트펄스에 따라 턴-온되어 입력 영상의 데이터가 기입되는 표시패널(PNL)의 라인을 선택한다. 시프트 레지스터는 픽셀 어레이의 TFT 어레이와 함께 동일 공정으로 표시패널(PNL)의 기판 상에 직접 형성될 수 있다.The TFTs T of the display panel PNL are turned on according to a gate pulse to select a line of the display panel PNL in which data of an input image is written. The shift register may be directly formed on the substrate of the display panel PNL in the same process as the TFT array of the pixel array.

드라이브 IC(DIC)는 입력 영상의 데이터 신호를 데이터라인들(DL)에 공급하고, 게이트 구동부(120)에 클럭신호(CLK)들을 포함하는 게이트 타이밍 제어신호를 공급한다. 드라이브 IC(DIC)는 타이밍 신호 발생부 및 데이터 구동부를 포함한다. The drive IC DIC supplies the data signal of the input image to the data lines DL and supplies the gate timing control signal including the clock signals CLK to the gate driver 120 . The drive IC (DIC) includes a timing signal generator and a data driver.

타이밍 신호 발생부(100)는 도시하지 않은 호스트 시스템으로부터 수신되는 입력 영상의 픽셀 데이터를 데이터 구동부(110)로 전송한다. 타이밍 신호 발생부(100)는 픽셀 데이터에 동기하여 수신되는 타이밍신호를 입력 받아 데이터 구동부(110)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호와, 게이트 구동부(120)의 동작 타이밍을 제어시키기 위한 게이트 타이밍 제어신호를 발생한다. 드라이브 IC(DIC)와 데이터라인들(DL) 사이에 디멀티플렉서(Demultiplexer, MUX)가 배치될 수 있다. 이 경우, 타이밍 신호 발생부(100)는 디멀티플렉서(Demultiplexer, MUX)를 제어하기 위한 MUX 제어 신호를 발생한다. The timing signal generator 100 transmits pixel data of an input image received from a host system (not shown) to the data driver 110 . The timing signal generator 100 receives a timing signal received in synchronization with pixel data, a data timing control signal for controlling the operation timing of the data driver 110 , and a data timing control signal for controlling the operation timing of the gate driver 120 . A gate timing control signal is generated. A demultiplexer (MUX) may be disposed between the drive IC (DIC) and the data lines (DL). In this case, the timing signal generator 100 generates a MUX control signal for controlling a demultiplexer (MUX).

데이터 구동부(110)는 디스플레이 구간 동안 타이밍 신호 발생부(100) 로부터 입력 영상의 픽셀 데이터(디지털 데이터)를 수신하고, 래치(latch)하여 디지털 아날로그 변환기(Digital-to- Analog Converter, 이하 "DAC"라 함)에 공급한다. DAC는 픽셀 데이터를 감마보상전압으로 변환하여 데이터 신호의 전압을 발생한다.The data driver 110 receives the pixel data (digital data) of the input image from the timing signal generator 100 during the display period, latches it, and then performs a digital-to-analog converter (hereinafter referred to as "DAC"). ) is supplied. The DAC converts the pixel data into a gamma compensation voltage to generate a voltage of the data signal.

또한, 드라이브 IC는 전원부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 전원부는 직류-직류 변환기(DC-DC converter)를 이용하여 표시패널(PNL)의 구동에 필요한 직류 전원을 발생한다. 직류-직류 변환기는 차지 펌프(Charge pump), 레귤레이터(Regulator), 벅 변환기(Buck Converter), 부스트 변환기(Boost Converter) 등을 포함한다. In addition, the drive IC may further include a power supply unit (not shown). The power supply unit generates DC power required for driving the display panel PNL by using a DC-DC converter. The DC-DC converter includes a charge pump, a regulator, a buck converter, a boost converter, and the like.

게이트 구동부(120)는 클럭신호(CLK)들 및 스타트펄스(VST)에 대응하여 게이트펄스를 출력한다. 게이트 구동부(120)는 서로 종속적으로 연결된 스테이지들로 이루어지는 시프트레지스터로 구현될 수 있다.The gate driver 120 outputs a gate pulse in response to the clock signals CLK and the start pulse VST. The gate driver 120 may be implemented as a shift register including stages connected to each other.

도 2는 제1 실시 예에 의한 시프트레지스터를 나타내는 도면이고, 도 3은 시프트레지스터가 출력하는 게이트펄스의 타이밍을 나타내는 도면이다. 도 3에서 순방향 리셋 신호(DG2) 및 역방향 리셋 신호(DG1)는 더미 스테이지(미도시)를 이용하여 출력되거나, 별도로 인가되는 신호일 수 있다. FIG. 2 is a diagram illustrating a shift register according to the first embodiment, and FIG. 3 is a diagram illustrating timing of gate pulses output from the shift register. In FIG. 3 , the forward reset signal DG2 and the reverse reset signal DG1 may be output using a dummy stage (not shown) or may be separately applied signals.

도 4 내지 도 6은 제1 실시 예에 의한 스테이지를 나타내는 도면이다. 특히, 도 4는 제1 스테이지의 구성을 나타내는 도면이고, 도 5는 제k 스테이지의 구성을 나타내는 도면이며, 도 6은 마지막 픽셀라인을 구동하는 제n 스테이지의 구성을 나타내는 도면이다.4 to 6 are views showing a stage according to the first embodiment. In particular, FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a first stage, FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a k-th stage, and FIG. 6 is a diagram illustrating a configuration of an n-th stage for driving the last pixel line.

도 4 내지 도 6에 도시된 순방향 구동전압(FWD)과 역방향 구동전압(REV)은 스캔 모드에 따라서 달라진다. 다음의 [표 1]은 스캔 모드에 따라, 순방향 구동전압과 역방향 구동전압의 전압레벨을 나타내는 표이다.The forward driving voltage FWD and the reverse driving voltage REV shown in FIGS. 4 to 6 vary according to the scan mode. The following [Table 1] is a table showing the voltage levels of the forward driving voltage and the reverse driving voltage according to the scan mode.

순방향 스캔 모드Forward scan mode 역방향 스캔 모드Reverse scan mode FWDFWD VGHVGH VGLVGL REVREV VGLVGL VGHVGH

[표 1]을 참조하면, 순방향 구동전압(FWD)은 순방향 스캔 모드에서 턴-온 전압레벨의 고전위전압을 유지하고, 역방향 스캔 모드에서 턴-오프 전압레벨의 저전위전압을 유지한다. 역방향 구동전압(REV)는 역방향 스캔 모드에서 턴-온 전압레벨의 고전위전압을 유지하고, 순방향 스캔 모드에서 턴-오프 전압레벨의 저전위전압을 유지한다.Referring to [Table 1], the forward driving voltage FWD maintains the high potential voltage of the turn-on voltage level in the forward scan mode and the low potential voltage of the turn-off voltage level in the reverse scan mode. The reverse driving voltage REV maintains the high potential voltage of the turn-on voltage level in the reverse scan mode and the low potential voltage of the turn-off voltage level in the forward scan mode.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 의한 시프트레지스터는 서로 종속적으로 연결된 제1 내지 제n 스테이지들(STG1~STG[n])(n은 자연수)을 포함한다. 제1 스테이지(STG)는 제1 게이트펄스(G1)를 생성하여 제1 게이트라인(GL1)에 인가한다. 제n 스테이지(STG[n])는 제n 게이트펄스(G[n])를 생성하여 제n 게이트라인(GL[n])에 인가한다. 2 to 6 , the shift register according to the present invention includes first to n-th stages STG1 to STG[n] (n is a natural number) that are dependently connected to each other. The first stage STG generates a first gate pulse G1 and applies it to the first gate line GL1 . The n-th stage STG[n] generates an n-th gate pulse G[n] and applies it to the n-th gate line GL[n].

제1 스테이지(STG1) 내지 제n 스테이지(STGN)들 각각은 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 노드 제어부(NCON), 풀업 트랜지스터(Tpu) 및 풀다운 트랜지스터(Tpd)를 포함한다. Each of the first stages STG1 to n-th stages STGN includes a first transistor T1 , a second transistor T2 , a node controller NCON, a pull-up transistor Tpu, and a pull-down transistor Tpd. .

제1 트랜지스터(T1)는 스타트펄스(VST) 또는 제(k-1) 게이트펄스(Gout[k-1])를 입력받는 게이트전극, 순방향 구동전압(FWD)의 입력단에 연결된 드레인전극 및 Q 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제2 트랜지스터(T2)는 후단 게이트펄스를 입력받는 게이트전극, Q 노드에 연결된 드레인전극 및 역방향 구동전압(REV)의 입력단에 연결된 소스전극으로 이루어진다. 노드 제어부(NCON)는 Q 노드 및 QB 노드의 전압을 제어한다. 특히 노드 제어부(NCON)는 Q 노드가 턴-온 전압인 구간에서 QB 노드를 턴-오프 전압으로 유지하고, QB 노드가 턴-온 전압인 구간에서 Q 노드를 턴-오프 전압으로 유지하는 인버터를 포함할 수 있다. 풀업 트랜지스터(Tpu)는 Q 노드에 연결된 게이트전극, 클럭신호(CLK) 입력단에 연결된 드레인전극 및 출력단(Nout)에 연결된 소스전극을 포함한다. 풀다운 트랜지스터(Tpd)는 QB 노드에 연결된 게이트전극, 출력단(Nout)에 연결된 드레인전극 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다. 제1 커패시터(CQ)는 Q 노드의 전압을 안정적으로 유지하고, 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드의 전압을 안정적으로 유지한다.The first transistor T1 has a gate electrode receiving a start pulse VST or a (k-1)th gate pulse Gout[k-1], a drain electrode connected to an input terminal of the forward driving voltage FWD, and a Q node a source electrode connected to The second transistor T2 includes a gate electrode to which a subsequent gate pulse is input, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to an input terminal of the reverse driving voltage REV. The node controller NCON controls voltages of the Q node and the QB node. In particular, the node control unit NCON maintains the QB node at the turn-off voltage in the section where the Q node is the turn-on voltage, and maintains the Q node at the turn-off voltage in the section where the QB node is the turn-on voltage. may include The pull-up transistor Tpu includes a gate electrode connected to the Q node, a drain electrode connected to an input terminal of the clock signal CLK, and a source electrode connected to an output terminal Nout. The pull-down transistor Tpd includes a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to an output terminal Nout, and a source electrode connected to an input terminal of the low potential voltage VGL. The first capacitor CQ stably maintains the voltage of the Q node, and the second capacitor CQB stably maintains the voltage of the QB node.

제1 스테이지(STG1)는 역방향 리셋 트랜지스터(Tre1, 이하, 제1 리셋 트랜지스터)를 더 포함한다. 제1 스테이지(STG1)의 제1 리셋 트랜지스터(Tre1)는 역방향 리셋신호(DG1, 이하 제1 더미 게이트펄스)에 응답하여 턴-온 된다.The first stage STG1 further includes a reverse reset transistor Tre1 (hereinafter, referred to as a first reset transistor). The first reset transistor Tre1 of the first stage STG1 is turned on in response to a reverse reset signal DG1 (hereinafter, referred to as a first dummy gate pulse).

제n 스테이지(STGn)는 순방향 리셋 트랜지스터(Tre2 이하, 제2 리셋 트랜지스터)를 더 포함한다. 제n 스테이지(STGn)의 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)는 순방향 리셋신호(DG2, 이하 제2 더미 게이트펄스)에 응답하여 턴-온 된다.The n-th stage STGn further includes a forward reset transistor (Tre2 or less, a second reset transistor). The second reset transistor Tre2 of the n-th stage STGn is turned on in response to a forward reset signal DG2 (hereinafter, referred to as a second dummy gate pulse).

이러한 구성에 의해서, 본 발명에 의한 시프트레지스터는 순방향 스캔 모드와 역방향 스캔 모드가 가능하다.With this configuration, the shift register according to the present invention can have a forward scan mode and a reverse scan mode.

순방향 스캔 모드에서, 제1 스테이지(STG1)는 스타트펄스(VST)에 의해서 구동을 시작하여, 제1 게이트펄스(G1)를 출력한다. 이어서 제2 스테이지(STG2)는 제2 게이트펄스(G2)를 출력한다. 이와 같이, 제(k-1)(k는 1 보다 크고 n 보다 작은 자연수) 스테이지(STG[k-1])는 제(k-1) 게이트펄스(G[k-1])를 출력하고, 이어서 제k 스테이지(STGk)는 제k 게이트펄스(Gk)를 출력한다. In the forward scan mode, the first stage STG1 starts driving by the start pulse VST, and outputs the first gate pulse G1. Subsequently, the second stage STG2 outputs the second gate pulse G2. As such, the (k-1)th (k is a natural number greater than 1 and less than n) stage STG[k-1]) outputs the (k-1)th gate pulse G[k-1], Subsequently, the kth stage STGk outputs the kth gate pulse Gk.

역방향 스캔 모드에서, 제n 스테이지(STGn)는 스타트펄스(VST)에 응답하여 제n 게이트펄스(Gn)를 출력한다. 이어서, 제(n-1) 스테이지를 구동하여 제(n-1) 게이트펄스(G[n-1])를 출력한다. 이와 같이, 제k 스테이지(STGk)는 제k 게이트펄스(Gk)를 출력하고, 이어서 제(k-1) 스테이지(STG[k-1])는 제(k-1) 게이트펄스(G[k-1])를 출력한다.In the reverse scan mode, the n-th stage STGn outputs the n-th gate pulse Gn in response to the start pulse VST. Then, the (n-1)th stage is driven to output the (n-1)th gate pulse G[n-1]. As such, the k-th stage STGk outputs the k-th gate pulse Gk, and then the (k-1)-th stage STG[k-1]) generates the (k-1)-th gate pulse G[k]. -1]) is printed.

순방향 스캔 모드에서 시프트레지스터들의 구동을 살펴보면 다음과 같다.The driving of the shift registers in the forward scan mode is as follows.

순방향 스캔 모드에서, 각 스테이지들의 제1 트랜지스터(T1)는 이전단 게이트펄스에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 제1 스테이지(STG1)의 제1 트랜지스터(T1)는 스타트펄스(VST)에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 제2 스테이지(STG2)의 제1 트랜지스터(T1)는 제1 게이트펄스(G1)에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 마찬가지로, 제k 스테이지(STG[k])의 제1 트랜지스터(T1)는 제(k-1) 게이트펄스(G[k-1])에 응답하여, Q 노드를 세팅하고, 제n 스테이지(STG[n])의 제1 트랜지스터(T1)는 제(n-1) 게이트펄스(G[n-1])에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. Q 노드를 세팅하는 동작은 Q 노드를 턴-온 전압으로 프리챠지하는 것을 의미한다. In the forward scan mode, the first transistor T1 of each stage sets the Q node in response to the previous stage gate pulse. The first transistor T1 of the first stage STG1 sets the Q node in response to the start pulse VST. The first transistor T1 of the second stage STG2 sets the Q node in response to the first gate pulse G1 . Similarly, the first transistor T1 of the kth stage STG[k] sets the Q node in response to the (k-1)th gate pulse G[k-1], and the nth stage STG The first transistor T1 of [n]) sets the Q node in response to the (n-1)th gate pulse G[n-1]. Setting the Q node means precharging the Q node to a turn-on voltage.

순방향 스캔 모드에서, 제1 내지 제(n-1) 스테이지들(STG1~STG[n-1])의 제2 트랜지스터(T2)는 후단 게이트펄스에 응답하여, Q 노드를 리셋한다. 예컨대, 제1 스테이지(STG1)의 제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트펄스(G2)에 응답하여 Q 노드를 리셋하고, 제2 스테이지(STG2)의 제2 트랜지스터(T2)는 제3 게이트펄스(G3)에 응답하여 Q 노드를 리셋한다. 마찬가지로, 제k 스테이지(STG[k])의 제2 트랜지스터(T2)는 제(k+1) 게이트펄스(G[k+1])에 응답하여 Q 노드를 리셋한다. In the forward scan mode, the second transistor T2 of the first to (n-1)th stages STG1 to STG[n-1] resets the Q node in response to the subsequent gate pulse. For example, the second transistor T2 of the first stage STG1 resets the Q node in response to the second gate pulse G2 , and the second transistor T2 of the second stage STG2 has the third gate pulse Reset the Q node in response to (G3). Similarly, the second transistor T2 of the kth stage STG[k] resets the Q node in response to the (k+1)th gate pulse G[k+1].

순방향 스캔 모드에서, 제n 스테이지(STG[n])는 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)를 이용하여 Q 노드를 리셋한다. 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)는 제2 더미 게이트펄스(DG2)에 응답하여 턴-온 된다. 제n 스테이지(STGn)의 제2 트랜지스터(T2)는 역방향 스캔 모드에서 스타트신호(VST)에 응답하여 Q 노드를 세팅한다. In the forward scan mode, the n-th stage STG[n] resets the Q node using the second reset transistor Tre2. The second reset transistor Tre2 is turned on in response to the second dummy gate pulse DG2. The second transistor T2 of the n-th stage STGn sets the Q node in response to the start signal VST in the reverse scan mode.

역방향 스캔 모드에서, 각 스테이지들의 제2 트랜지스터(T2)는 이전단 게이트펄스에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 역방향 스캔 모드에서 제k 게이트펄스(Gk)의 이전단 게이트펄스는 제(k+1) 게이트펄스(G[k+1])가 된다. 즉, 제n 스테이지(STG[n])의 제2 트랜지스터(T2)는 스타트펄스(VST)에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 제k 스테이지(STGk)의 제2 트랜지스터(T2)는 제(k+1) 게이트펄스(G[k+1])에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. 마찬가지로 제1 스테이지(STG1)의 제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트펄스(G2)에 응답하여, Q 노드를 세팅한다. In the reverse scan mode, the second transistor T2 of each stage sets the Q node in response to the previous stage gate pulse. In the reverse scan mode, the gate pulse preceding the kth gate pulse Gk becomes the (k+1)th gate pulse G[k+1]. That is, the second transistor T2 of the n-th stage STG[n] sets the Q node in response to the start pulse VST. The second transistor T2 of the kth stage STGk sets the Q node in response to the (k+1)th gate pulse G[k+1]. Similarly, the second transistor T2 of the first stage STG1 sets the Q node in response to the second gate pulse G2.

역방향 스캔 모드에서, 제2 내지 제n 스테이지들(STG2~STG[n])의 제1 트랜지스터(T1)는 후단 게이트펄스에 응답하여, Q 노드를 리셋한다. 역방향 스캔 모드에서 제k 게이트펄스(Gk)의 후단 게이트펄스는 제(k-1) 게이트펄스(G[k-1])가 된다. 즉, 제n 스테이지(STGn)의 제1 트랜지스터(T1)는 제(n-1) 게이트펄스(G[n-1])에 응답하여 Q 노드를 리셋하고, 제k 스테이지(STGk)의 제1 트랜지스터(T1)는 제(k-1) 게이트펄스(G[k-1])에 응답하여 Q 노드를 리셋한다. 제2 스테이지(STG1)의 제1 트랜지스터(T1)는 제1 게이트펄스(G1)에 응답하여 Q 노드를 리셋한다.In the reverse scan mode, the first transistor T1 of the second to n-th stages STG2 to STG[n] resets the Q node in response to the subsequent gate pulse. In the reverse scan mode, the gate pulse after the kth gate pulse Gk becomes the (k-1)th gate pulse G[k-1]. That is, the first transistor T1 of the nth stage STGn resets the Q node in response to the (n-1)th gate pulse G[n-1], and the first transistor T1 of the kth stage STGk The transistor T1 resets the Q node in response to the (k-1)th gate pulse G[k-1]. The first transistor T1 of the second stage STG1 resets the Q node in response to the first gate pulse G1 .

역방향 스캔 모드에서, 제1 스테이지(STG1)는 제1 리셋 트랜지스터(Tre1)를 이용하여 Q 노드를 리셋한다. 제1 리셋 트랜지스터(Tre1)는 제1 더미 게이트펄스(DG1)에 응답하여 턴-온 된다. In the reverse scan mode, the first stage STG1 resets the Q node using the first reset transistor Tre1. The first reset transistor Tre1 is turned on in response to the first dummy gate pulse DG1.

도 7은 시프트레지스터에 인가되는 클럭신호들의 타이밍을 나타내는 도면이다. 도 7에서 Q 노드의 전압 변화는 제1 클럭신호의 출력기간에 게이트펄스를 출력하는 스테이지의 Q 노드 전압 변화를 도시하고 있다.7 is a diagram illustrating timings of clock signals applied to a shift register. In FIG. 7 , the voltage change of the Q node shows the change in the voltage of the Q node of the stage outputting the gate pulse during the output period of the first clock signal.

도 4 및 도 7을 참조하여, 순방향 스캔 모드에서 제1 스테이지의 동작을 살펴보면 다음과 같다.4 and 7, the operation of the first stage in the forward scan mode is as follows.

제1 타이밍(t1) 이전까지, QB 노드는 고전위전압을 상태이고, 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드가 턴-온 전압인 것을 안정적으로 유지한다.Until the first timing t1, the QB node is in a high potential voltage state, and the second capacitor CQB stably maintains the QB node is a turn-on voltage.

제1 타이밍(t1)에서 제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호(VST)에 응답하여 Q 노드를 프리챠지시킨다. At a first timing t1 , the first transistor T1 precharges the Q node in response to the start signal VST.

제2 타이밍(t2)에서, 제1 클럭신호(CLK1)가 풀업 트랜지스터(Tpu)의 드레인전극에 입력되면, Q 노드는 풀업 트랜지스터(Tpu)의 드레인전극의 전압 상승에 따라 부트스트래핑(bootstrapping)된다. Q 노드가 부트스트래핑되면서 풀업 트랜지스터(Tpu)의 게이트-소스 간의 전위차는 커지면서 풀업 트랜지스터(Tpu)는 턴-온된다. 그 결과 풀업 트랜지스터(Tpu)는 제1 클럭신호(CLK1)을 이용하여 출력단(Nout)을 충전시킨다.At the second timing t2 , when the first clock signal CLK1 is input to the drain electrode of the pull-up transistor Tpu, the Q node is bootstrapped according to a voltage increase of the drain electrode of the pull-up transistor Tpu. . As the Q node is bootstrapped, the potential difference between the gate and the source of the pull-up transistor Tpu increases, and the pull-up transistor Tpu is turned on. As a result, the pull-up transistor Tpu charges the output terminal Nout using the first clock signal CLK1.

제3 타이밍(t3)에서, 제1 클럭신호(CLK1)는 저전위전압이 되고, 출력단(Nout)은 턴-오프 전압이 된다. 그리고, 제2 트랜지스터(T2)는 제2 게이트펄스(G2)에 응답하여 Q 노드를 저전위전압(VSS)으로 방전시킨다.At the third timing t3 , the first clock signal CLK1 becomes a low potential voltage, and the output terminal Nout becomes a turn-off voltage. In addition, the second transistor T2 discharges the Q node to the low potential voltage VSS in response to the second gate pulse G2.

도 8은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 시프트레지스터를 나타내는 도면이다. 도 9는 도 8에 순방향 스캔 모드에서 게이트펄스들의 출력 타이밍을 나타내는 도면이다. 제2 실시 예에서 제1 실시 예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 자세한 설명은 생략하기로 한다.8 is a diagram illustrating a shift register according to a second embodiment of the present invention. 9 is a diagram illustrating output timing of gate pulses in a forward scan mode of FIG. 8 . In the second embodiment, the same reference numerals are used for the same components as those of the first embodiment, and detailed descriptions thereof will be omitted.

도 8을 참조하면, 제2 실시 예에 따른 시프트레지스터는 제1 시프트레지스터(SR1) 및 제2 시프트레지스터(SR2)를 포함한다. 제1 시프트레지스터(SR1)는 기수 번째 픽셀라인들을 구동하고, 제2 시프트레지스터(SR2)는 우수 번째 픽셀라인들을 구동한다.Referring to FIG. 8 , the shift register according to the second embodiment includes a first shift register SR1 and a second shift register SR2. The first shift register SR1 drives odd-numbered pixel lines, and the second shift register SR2 drives even-numbered pixel lines.

제1 시프트레지스터(SR1)는 좌측 클럭신호들(CLK1_L~CLK4_L)을 이용하여 구동되는 제1 내지 제m(m은 m<(n/4) 조건을 만족하는 자연수) 좌측 스테이지(LSTG)를 포함한다. 제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 (4m-3) 번째 게이트펄스 및 (4m-1) 번째 게이트펄스를 출력한다. 도 8은 "4m-3=n-1"인 실시 예를 도시하고 있다. 따라서, 제1 좌측 스테이지(LSTG1)는 제1 게이트펄스(G1) 및 제3 게이트펄스(G3)를 출력하고, 제2 좌측 스테이지(LSTG1)는 제5 게이트펄스(G5) 및 제7 게이트펄스(G7)를 출력한다.The first shift register SR1 includes the first to mth (m is a natural number satisfying the condition m<(n/4)) left stage LSTG driven using the left clock signals CLK1_L to CLK4_L. do. The m-th left stage LSTGm outputs a (4m-3)-th gate pulse and a (4m-1)-th gate pulse. 8 shows an embodiment in which "4m-3=n-1". Accordingly, the first left stage LSTG1 outputs the first gate pulse G1 and the third gate pulse G3, and the second left stage LSTG1 outputs the fifth gate pulse G5 and the seventh gate pulse G5 and the seventh gate pulse G3. G7) is output.

제2 시프트레지스터(SR2)는 우측 클럭신호들(CLK1_R~CLK4_R)을 이용하여 구동되는 제1 내지 제m 우측 스테이지(RSTG1~RSTGm)를 포함한다. 제m 우측 스테이지(LSTGm)는 (4m-2) 번째 게이트펄스 및 4m 번째 게이트펄스를 출력한다. 따라서, 제1 우측 스테이지(RSTG1)는 제2 게이트펄스(G2) 및 제4 게이트펄스(G4)를 출력하고, 제2 우측 스테이지(RSTG2)는 제6 게이트펄스(G6) 및 제8 게이트펄스(G8)를 출력한다.The second shift register SR2 includes first to m-th right stages RSTG1 to RSTGm driven using the right clock signals CLK1_R to CLK4_R. The m-th right stage LSTGm outputs a (4m-2)-th gate pulse and a 4m-th gate pulse. Accordingly, the first right stage RSTG1 outputs the second gate pulse G2 and the fourth gate pulse G4, and the second right stage RSTG2 outputs the sixth gate pulse G6 and the eighth gate pulse G6. G8) is output.

제2 실시 예에 따른 시프트레지스터는 순방향 스캔 모드와 역방향 스캔 모드가 가능하다.The shift register according to the second embodiment is capable of a forward scan mode and a reverse scan mode.

순방향 스캔 모드에서, 제1 좌측 스테이지(LSTG1)는 스타트펄스(LVST)에 의해서 구동을 시작하여, 제1 게이트펄스(G1) 및 제3 게이트펄스(G3)를 순차적으로 출력한다. 이어서 제2 좌측 스테이지(LSTG2)는 제5 게이트펄스(G5) 및 제7 게이트펄스(G7)를 순차적으로 출력한다. 이와 같이, 제1 시프트레지스터(SR1)는 기수 번째 게이트펄스들을 순차적으로 출력한다. In the forward scan mode, the first left stage LSTG1 starts driving by the start pulse LVST, and sequentially outputs the first gate pulse G1 and the third gate pulse G3. Subsequently, the second left stage LSTG2 sequentially outputs the fifth gate pulse G5 and the seventh gate pulse G7. As such, the first shift register SR1 sequentially outputs odd-numbered gate pulses.

순방향 스캔 모드에서, 제1 우측 스테이지(RSTG1)는 스타트펄스(RVST)에 의해서 구동을 시작하여, 제2 게이트펄스(G2) 및 제4 게이트펄스(G4)를 순차적으로 출력한다. 이어서 제2 우측 스테이지(RSTG2)는 제6 게이트펄스(G6) 및 제8 게이트펄스(G8)를 순차적으로 출력한다. 이와 같이, 제2 시프트레지스터(SR2)는 우수 번째 게이트펄스들을 순차적으로 출력한다.In the forward scan mode, the first right stage RSTG1 starts driving by the start pulse RVST, and sequentially outputs the second gate pulse G2 and the fourth gate pulse G4. Subsequently, the second right stage RSTG2 sequentially outputs the sixth gate pulse G6 and the eighth gate pulse G8. As described above, the second shift register SR2 sequentially outputs even-th gate pulses.

역방향 스캔 모드에서, 제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 스타트펄스(LVST)에 의해서 구동을 시작하여, 제(n-1) 게이트펄스(G[n-1]) 및 제(n-3) 게이트펄스(G[n-3])를 출력한다. 이어서 제(m-1) 좌측 스테이지(LSTG[m-1])는 제(n-5) 게이트펄스(G[n-5]) 및 제(n-7) 게이트펄스(G[n-7])를 출력한다. 이와 같이, 제1 시프트레지스터(SR1)는 기수 번째 게이트펄스를 역순으로 출력하여, 기수 번째 게이트라인들을 구동한다. In the reverse scan mode, the mth left stage LSTGm starts driving by the start pulse LVST, and the (n-1)th gate pulse G[n-1] and the (n-3)th gate pulse It outputs (G[n-3]). Subsequently, the (m-1)th left stage (LSTG[m-1]) is performed with the (n-5)th gate pulse (G[n-5]) and the (n-7)th gate pulse (G[n-7] ) is output. As such, the first shift register SR1 outputs the odd-numbered gate pulses in the reverse order to drive the odd-numbered gate lines.

역방향 스캔 모드에서, 제m 우측 스테이지(RSTGm)는 스타트펄스(RVST)에 의해서 구동을 시작하여, 제n 게이트펄스(Gn) 및 제(n-2) 게이트펄스(G[n-2])를 출력한다. 이어서 제2 우측 스테이지(RSTG2)는 제(n-4) 게이트펄스(G[n-4]) 및 제(n-6) 게이트펄스(G[n-6])를 출력한다. 이와 같이, 제2 시프트레지스터(SR2)는 우수 번째 게이트펄스들을 역순으로 출력하여, 우수 번째 게이트라인들을 구동한다.In the reverse scan mode, the m-th right stage RSTGm starts driving by the start pulse RVST, and generates the n-th gate pulse Gn and the (n-2)-th gate pulse G[n-2]. print out Subsequently, the second right stage RSTG2 outputs an (n-4)th gate pulse G[n-4] and an (n-6)th gate pulse G[n-6]. As described above, the second shift register SR2 outputs even-th gate pulses in the reverse order to drive even-th gate lines.

도 10는 제1 시프트레지스터의 제1 좌측 스테이지를 나타내는 도면이고, 도 11은 제1 시프트레지스터의 제m 좌측 스테이지를 나타내는 도면이다. 도 10 및 도 11에 도시된 좌측 스테이지들을 도시하고 있지만, 우측 스테이지들 또한 실질적으로 동일한 회로 구성을 갖는다. 따라서, 도 10 및 도 11에서는 제1 내지 제4 클럭신호들(CLK1~CLK4)로 표기하기로 한다. 10 is a diagram illustrating a first left stage of the first shift register, and FIG. 11 is a diagram illustrating an m-th left stage of the first shift register. Although the left stages shown in FIGS. 10 and 11 are shown, the right stages also have substantially the same circuit configuration. Therefore, in FIGS. 10 and 11 , first to fourth clock signals CLK1 to CLK4 are denoted.

도 10을 참조하면, 제1 시프트레지스터(SR1)의 제1 좌측 스테이지(LSTG1)는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2), 노드 제어부(T3~T12), 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1), 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2), 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1), 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2), 및 제1 리셋 트랜지스터(Tre1)를 포함한다.Referring to FIG. 10 , the first left stage LSTG1 of the first shift register SR1 includes the first transistor T1 and the second transistor T2 , the node controllers T3 to T12 , and the first pull-up transistor Tpu1 . ), a second pull-up transistor Tpu2 , a first pull-down transistor Tpd1 , a second pull-down transistor Tpd2 , and a first reset transistor Tre1 .

제1 트랜지스터(T1)는 스타트펄스(RVST)를 입력받는 게이트전극, 순방향 구동전압(FWD)의 입력단에 연결된 드레인전극 및 Q 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. The first transistor T1 includes a gate electrode receiving the start pulse RVST, a drain electrode connected to an input terminal of the forward driving voltage FWD, and a source electrode connected to the Q node.

제2 트랜지스터(T2)는 후단 게이트펄스를 입력받는 게이트전극, Q 노드에 연결된 드레인전극 및 역방향 구동전압(REV)의 입력단에 연결된 소스전극으로 이루어진다. The second transistor T2 includes a gate electrode to which a subsequent gate pulse is input, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to an input terminal of the reverse driving voltage REV.

노드 제어부(T3~T12)는 Q 노드 및 QB 노드의 전압을 제어한다. 노드 제어부(T3~T12)는 QB 노드 제어부(T3,T4,T5), 인버터(T6,T12), 제7 내지 제11 트랜지스터들(T7~T11)을 포함한다. QB 노드 제어부(T3,T4,T5)는 순방향 X 노드 충전부(T3)(이하, 제3 트랜지스터), 역방향 X 노드 충전부(T4)(이하 제4 트랜지스터), 및 QB 노드 충전부(T5)(이하, 제5 트랜지스터)를 포함한다. 인버터(T6,T12)는 QB 노드 방전부(T6)(이하, 제6 트랜지스터) 및 Q 노드 방전부(T12)(이하, 제12 트랜지스터)를 포함한다.The node controllers T3 to T12 control voltages of the Q node and the QB node. The node controllers T3 to T12 include QB node controllers T3, T4, and T5, inverters T6 and T12, and seventh to eleventh transistors T7 to T11. The QB node controllers T3, T4, and T5 include a forward X node charging unit T3 (hereinafter, referred to as the third transistor), a reverse X node charging unit T4 (hereinafter referred to as a fourth transistor), and a QB node charging unit T5 (hereinafter, referred to as a fourth transistor). fifth transistor). The inverters T6 and T12 include a QB node discharge unit T6 (hereinafter referred to as a sixth transistor) and a Q node discharge unit T12 (hereinafter referred to as a twelfth transistor).

제3 트랜지스터(T3)는 순방향 구동전압(FWD)의 입력단에 연결된 게이트전극, 제3 클럭신호(CLK3) 입력단에 연결된 드레인전극, 및 X 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제4 트랜지스터(T4)는 역방향 구동전압(REV)의 입력단에 연결된 게이트전극, 제4 클럭신호(CLK4) 입력단에 연결된 드레인전극, 및 X 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. The third transistor T3 includes a gate electrode connected to the input terminal of the forward driving voltage FWD, a drain electrode connected to the input terminal of the third clock signal CLK3, and a source electrode connected to the X node. The fourth transistor T4 includes a gate electrode connected to the input terminal of the reverse driving voltage REV, a drain electrode connected to the input terminal of the fourth clock signal CLK4, and a source electrode connected to the X node.

제3 트랜지스터(T3)는 순방향 스캔 모드에서 제3 클럭신호(CLK3)의 출력기간에 제5 트랜지스터(t5)를 턴-온 시키고, 제4 트랜지스터(T4)는 역방향 스캔 모드에서 제4 클럭신호(CLK4)의 출력기간에 제5 트랜지스터(T5)를 턴-온 시킨다.The third transistor T3 turns on the fifth transistor t5 during the output period of the third clock signal CLK3 in the forward scan mode, and the fourth transistor T4 turns on the fourth clock signal ( The fifth transistor T5 is turned on during the output period of CLK4).

제5 트랜지스터(T5)는 X 노드에 연결된 게이트전극, 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결된 드레인전극, 및 QB 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제5 트랜지스터(T5)는 X 노드가 턴-온 전압인 구간에서 QB 노드애 턴-온 전압을 인가한다.The fifth transistor T5 includes a gate electrode connected to the X node, a drain electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH, and a source electrode connected to the QB node. The fifth transistor T5 applies a turn-on voltage to the QB node in a period in which the X node is the turn-on voltage.

제6 트랜지스터(T6)는 Q 노드에 연결된 게이트전극, QB 노드에 연결된 드레인전극, 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다. 제6 트랜지스터(T6)는 Q 노드가 턴-온 전압인 기간에 QB 노드에 턴-오프 전압을 인가한다. The sixth transistor T6 includes a gate electrode connected to the Q node, a drain electrode connected to the QB node, and a source electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL. The sixth transistor T6 applies a turn-off voltage to the QB node during a period in which the Q node is a turn-on voltage.

제7 트랜지스터(T7)는 APO 신호(APO)를 입력받는 게이트전극과 드레인전극, 및 제1 출력단(Nout1)에 연결된 소스전극을 포함한다. 제8 트랜지스터(T8)는 APO 신호(APO)를 입력받는 게이트전극, QB 노드에 연결된 드레인전극, 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다. 제9 트랜지스터(T9)는 APO 신호(APO)를 입력받는 게이트전극과 드레인전극, 및 제2 출력단(Nout2)에 연결된 소스전극을 포함한다. 제7 트랜지스터(T7) 및 제9 트랜지스터(T9)는 APO 신호(APO)에 응답하여 제1 출력단(Nout1) 및 제2 출력단(Nout2)에 턴-온 전압을 인가한다. 제8 트랜지스터(T8)는 APO 신호(APO)에 응답하여 QB 노드에 턴-오프 전압을 인가한다.The seventh transistor T7 includes a gate electrode and a drain electrode receiving the APO signal APO, and a source electrode connected to the first output terminal Nout1 . The eighth transistor T8 includes a gate electrode receiving the APO signal APO, a drain electrode connected to the QB node, and a source electrode connected to an input terminal of the low potential voltage VGL. The ninth transistor T9 includes a gate electrode and a drain electrode receiving the APO signal APO, and a source electrode connected to the second output terminal Nout2. The seventh transistor T7 and the ninth transistor T9 apply a turn-on voltage to the first output terminal Nout1 and the second output terminal Nout2 in response to the APO signal APO. The eighth transistor T8 applies a turn-off voltage to the QB node in response to the APO signal APO.

제10 트랜지스터(T10)는 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결된 게이트전극, Q 노드에 연결된 드레인전극, 및 BST1 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제11 트랜지스터(T11)는 고전위전압(VGH)의 입력단에 연결된 게이트전극, Q 노드에 연결된 드레인전극, 및 BST2 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제10 트랜지스터(T10) 및 제11 트랜지스터(T11)는 제1 및 제2 풀업 트랜지스터들(Tpu1,Tpu2)이 부트스트래핑 되는 과정에서 Q 노드의 전압이 부트스트래핑되는 것을 방지하여, Q 노드와 연결된 트랜지스터들에 순간적으로 과부하가 가해지는 것을 방지한다.The tenth transistor T10 includes a gate electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST1 node. The eleventh transistor T11 includes a gate electrode connected to the input terminal of the high potential voltage VGH, a drain electrode connected to the Q node, and a source electrode connected to the BST2 node. The tenth transistor T10 and the eleventh transistor T11 prevent the voltage of the Q node from being bootstrapped while the first and second pull-up transistors Tpu1 and Tpu2 are bootstrapped, thereby preventing the transistor connected to the Q node. Prevents instantaneous overloading of fields.

제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)는 BST1 노드에 연결된 게이트전극, 제1 클럭신호(CLK1) 입력단에 연결된 드레인전극 및 제1 출력단(Nout)에 연결된 소스전극을 포함한다. 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)는 BST2 노드에 연결된 게이트전극, 제2 클럭신호(CLK2) 입력단에 연결된 드레인전극 및 제2 출력단(Nout)에 연결된 소스전극을 포함한다. The first pull-up transistor Tpu1 includes a gate electrode connected to the node BST1 , a drain electrode connected to the input terminal of the first clock signal CLK1 , and a source electrode connected to the first output terminal Nout. The second pull-up transistor Tpu2 includes a gate electrode connected to the node BST2 , a drain electrode connected to the input terminal of the second clock signal CLK2 , and a source electrode connected to the second output terminal Nout.

제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1)는 QB 노드에 연결된 게이트전극, 제1 출력단(Nout)에 연결된 드레인전극 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다. 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)는 QB 노드에 연결된 게이트전극, 제2 출력단(Nout)에 연결된 드레인전극 및 저전위전압(VGL)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다.The first pull-down transistor Tpd1 includes a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the first output terminal Nout, and a source electrode connected to the input terminal of the low potential voltage VGL. The second pull-down transistor Tpd2 includes a gate electrode connected to the QB node, a drain electrode connected to the second output terminal Nout, and a source electrode connected to an input terminal of the low potential voltage VGL.

제1 리셋 트랜지스터(Tre1)는 제1 더미 게이트펄스(DG1)를 입력받는 게이트전극, 순방향 구동전압(FWD)을 입력받는 드레인전극, 및 Q 노드에 연결된 소스전극을 포함한다. 제1 리셋 트랜지스터(Tre1)는 역방향 스캔 모드에서 제1 더미 게이트펄스(DG1)에 응답하여 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가한다.The first reset transistor Tre1 includes a gate electrode receiving the first dummy gate pulse DG1 , a drain electrode receiving the forward driving voltage FWD, and a source electrode connected to the Q node. The first reset transistor Tre1 applies a turn-off voltage to the Q node in response to the first dummy gate pulse DG1 in the reverse scan mode.

제1 커패시터(CQ)는 Q 노드의 전압을 안정적으로 유지하고, 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드의 전압을 안정적으로 유지한다.The first capacitor CQ stably maintains the voltage of the Q node, and the second capacitor CQB stably maintains the voltage of the QB node.

도 11을 참조하면, 제1 시프트레지스터(SR1)의 제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2), 노드 제어부(T3~T12), 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1), 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2), 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1), 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2), 및 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)를 포함한다.Referring to FIG. 11 , the m-th left stage LSTGm of the first shift register SR1 includes the first transistor T1 and the second transistor T2 , the node controllers T3 to T12 , and the first pull-up transistor Tpu1 . ), a second pull-up transistor Tpu2 , a first pull-down transistor Tpd1 , a second pull-down transistor Tpd2 , and a second reset transistor Tre2 .

제m 좌측 스테이지(LSTGm)의 제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2), 노드 제어부, 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1), 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2), 제1 풀다운 트랜지스터(Tpd1), 제2 풀다운 트랜지스터(Tpd2)의 구성은 제1 스테이지(STG1)와 동일하다. The first transistor T1 and the second transistor T2, the node controller, the first pull-up transistor Tpu1, the second pull-up transistor Tpu2, the first pull-down transistor Tpd1, and the second transistor T2 of the m-th left stage LSTGm The configuration of the 2 pull-down transistor Tpd2 is the same as that of the first stage STG1.

제m 좌측 스테이지(LSTGm)의 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)는 제2 더미 게이트펄스(DG2)에 연결된 게이트전극, Q 노드에 연결된 드레인전극, 및 역방향 구동전압(REV)의 입력단에 연결된 소스전극을 포함한다. 제m 좌측 스테이지(LSTGm)의 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)는 순방향 스캔 모드에서 제2 더미 게이트펄스(DG2)에 응답하여, Q 노드에 턴-오프 전압을 인가한다. The second reset transistor Tre2 of the m-th left stage LSTGm connects the gate electrode connected to the second dummy gate pulse DG2, the drain electrode connected to the Q node, and the source electrode connected to the input terminal of the reverse driving voltage REV. include The second reset transistor Tre2 of the mth left stage LSTGm applies a turn-off voltage to the Q node in response to the second dummy gate pulse DG2 in the forward scan mode.

도 12는 클럭신호의 타이밍 및 이에 따른 주요 노드의 전압 변화를 나타내는 도면이다. 특히, 도 12는 제1 좌측 스테이지 노드 변화를 나타내고 있다.12 is a diagram illustrating a timing of a clock signal and a voltage change of a main node according thereto. In particular, Fig. 12 shows the first left stage node change.

도 10 및 도 12를 참조하여, 제1 좌측 스테이지의 구동을 살펴보면 다음과 같다. Referring to FIGS. 10 and 12 , driving of the first left stage is as follows.

스타트펄스(LVST)가 인가되지 이전까지 QB 노드는 고전위전압을 상태이고, 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드가 턴-온 전압인 것을 안정적으로 유지한다.Until the start pulse LVST is applied, the QB node is in a high potential voltage state, and the second capacitor CQB stably maintains that the QB node is a turn-on voltage.

스타트펄스(LVST)가 인가되는 기간에서, 제1 트랜지스터(T1)는 스타트신호(LVST)에 응답하여 Q 노드를 프리챠지시킨다. Q 노드가 턴-온 전압이 되면, 제10 트랜지스터(T10)는 다이오드 연결이 되어서 BST1 노드에 턴-온 전압을 인가한다.In a period in which the start pulse LVST is applied, the first transistor T1 precharges the Q node in response to the start signal LVST. When the Q node becomes the turn-on voltage, the tenth transistor T10 is diode-connected to apply the turn-on voltage to the BST1 node.

제1 클럭신호(CLK1)가 인가되는 기간에서, BST1 노드는 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)의 드레인전극의 전압 상승에 따라 부트스트래핑(bootstrapping)된다. BST1 노드가 부트스트래핑되면서 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)의 게이트-소스 간의 전위차는 커지면서 제1 풀업 트랜지스터(Tpu1)는 턴-온된다. 그 결과, 제1 출력단(Nout1)은 제1 게이트펄스를 출력한다. In a period in which the first clock signal CLK1 is applied, the BST1 node is bootstrapped according to a voltage increase of the drain electrode of the first pull-up transistor Tpu1. As the BST1 node is bootstrapped, the potential difference between the gate and the source of the first pull-up transistor Tpu1 increases, and the first pull-up transistor Tpu1 is turned on. As a result, the first output terminal Nout1 outputs the first gate pulse.

제1 클럭신호(CLK1)가 저전위전압이 되면, BST1 노드는 부트스트래핑 된 전압에서 일정 수준 낮아지지만, 이때에도 턴-온 전압을 유지하고 있다.When the first clock signal CLK1 becomes the low potential voltage, the BST1 node is lowered to a certain level from the bootstrapped voltage, but also maintains the turn-on voltage at this time.

제2 클럭신호(CLK2)가 인가되는 기간에서, BST2 노드는 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 드레인전극의 전압 상승에 따라 부트스트래핑(bootstrapping)된다. BST2 노드가 부트스트래핑되면서 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)의 게이트-소스 간의 전위차는 커지면서 제2 풀업 트랜지스터(Tpu2)는 턴-온된다. 그 결과, 제2 출력단(Nout2)은 제3 게이트펄스를 출력한다. During the period in which the second clock signal CLK2 is applied, the BST2 node is bootstrapped according to a voltage increase of the drain electrode of the second pull-up transistor Tpu2 . As the BST2 node is bootstrapped, the potential difference between the gate and the source of the second pull-up transistor Tpu2 increases, and the second pull-up transistor Tpu2 is turned on. As a result, the second output terminal Nout2 outputs the third gate pulse.

제3 클럭신호(CLK3)가 인가되는 기간에서, 제3 트랜지스터(T3)는 X 노드에 턴-온 전압을 인가한다. 그 결과, 제5 트랜지스터(T5)는 QB 노드에 턴-온 전압을 인가한다. 제12 트랜지스터(T12)는 QB 노드 전압에 응답하여 Q 노드를 저전위전압(VGL)으로 방전시킨다. 제3 클럭신호(CLK3)가 인가되는 기간은 제2 좌측 스테이지(LSTG2)가 제5 게이트펄스(G5)를 출력하는 기간이다. 즉, 제3 클럭신호(CLK3)가 인가되는 기간에서, 제2 트랜지스터(T2)는 제5 게이트펄스(G5)에 응답하여 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가한다.In a period in which the third clock signal CLK3 is applied, the third transistor T3 applies a turn-on voltage to the X node. As a result, the fifth transistor T5 applies a turn-on voltage to the QB node. The twelfth transistor T12 discharges the Q node to the low potential voltage VGL in response to the QB node voltage. A period in which the third clock signal CLK3 is applied is a period in which the second left stage LSTG2 outputs the fifth gate pulse G5 . That is, in a period in which the third clock signal CLK3 is applied, the second transistor T2 applies a turn-off voltage to the Q node in response to the fifth gate pulse G5 .

이와 같은 방법으로 순방향 스캔 모드에서, 제1 내지 제(m-1) 좌측 스테이지들(LSTG1~LSTG[m-1))은 순차적으로 기수 번째 게이트펄스들을 출력한다. In this way, in the forward scan mode, the first to (m-1)th left stages LSTG1 to LSTG[m-1) sequentially output odd-numbered gate pulses.

이어서, 도 11에 도시된 제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 동일한 과정을 통해서, 제n 클럭신호(CLKn)를 이용하여 제(n-1) 게이트펄스를 출력한다. 제n 클럭신호(CLKn)는 제2 클럭신호(CLK2) 또는 제4 클럭신호(CLK4)일 수 있다.Subsequently, the mth left stage LSTGm shown in FIG. 11 outputs a (n−1)th gate pulse using the nth clock signal CLKn through the same process. The nth clock signal CLKn may be the second clock signal CLK2 or the fourth clock signal CLK4 .

제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 제1 내지 제(m-1) 좌측 스테이지들(LSTG[m-1])과는 다르게 제2 트랜지스터(T2)의 게이트전극이 후단 스테이지의 게이트펄스를 입력받는 것이 아니라, 역방향 스캔 모드에서 스타팅 동작을 하기 위해서 스타트펄스(LVST)를 입력받는다. 따라서, 제m 좌측 스테이지(LSTGm)의 제2 트랜지스터(T2)는 Q 노드를 리셋하는 동작을 수행하지 못한다. Unlike the first to (m-1)th left stages LSTG[m-1], in the m-th left stage LSTGm, the gate electrode of the second transistor T2 receives the gate pulse of the subsequent stage. Instead, the start pulse LVST is input to perform a starting operation in the reverse scan mode. Accordingly, the second transistor T2 of the m-th left stage LSTGm does not perform an operation for resetting the Q node.

제m 좌측 스테이지(LSTGm)의 제12 트랜지스터(T12)는 QB 노드 전압에 응답하여, Q 노드를 리셋한다. 제12 트랜지스터(T12)가 턴-온되기 위해서, 제5 트랜지스터(T5)를 턴-온 시키기 위한 X 노드가 턴-온 전압이어야 한다. X 노드는 제(n+1) 클럭신호(CLK[n+1])의 출력 타이밍에 턴-온 전압이 된다. The twelfth transistor T12 of the mth left stage LSTGm resets the Q node in response to the QB node voltage. In order for the twelfth transistor T12 to be turned on, the X node for turning on the fifth transistor T5 must be a turn-on voltage. The X node becomes a turn-on voltage at the output timing of the (n+1)th clock signal CLK[n+1].

만약 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)가 없으면, 제12 트랜지스터(T12)가 턴-온 되어야 하는 타이밍에 Q 노드는 턴-오프전압으로 방전되지 못하기 때문에 제6 트랜지스터(T6)도 턴-온 상태이다. 제6 트랜지스터(T6)는 QB 노드 전압을 턴-오프 전압으로 방전시키는 동작을 한다. 따라서, QB 노드는 제5 트랜지스터(T5)에 의해서 턴-온 전압이 충전되는 동작과 제12 트랜지스터(T12)에 의해서 턴-오프 전압으로 방전되는 동작이 동시에 수행된다. If the second reset transistor Tre2 is not present, the sixth transistor T6 is also turned on because the Q node cannot be discharged to the turn-off voltage at the timing when the twelfth transistor T12 is to be turned on. . The sixth transistor T6 operates to discharge the QB node voltage to a turn-off voltage. Accordingly, the QB node is simultaneously charged with the turn-on voltage by the fifth transistor T5 and discharged to the turn-off voltage by the twelfth transistor T12.

그 결과, QB 노드의 전압이 턴-온 전압으로 확실하게 반전되지 못하여 Q 노드 전압 또한 불안정한 상태이기 때문에, 원치않는 게이트펄스가 출력되기도 한다. As a result, since the voltage of the QB node is not reliably inverted to the turn-on voltage and the Q node voltage is also unstable, an unwanted gate pulse may be output.

이에 반해서, 본 발명의 제m 좌측 스테이지(LSTGm)는 제2 리셋 트랜지스터(Tre2)를 이용하여, Q 노드를 턴-오프 전압으로 리셋한다. 따라서, 역방향 스캔 모드를 위해서 제2 트랜지스터(T2)를 스타트펄스를 인가하는 입력단에 연결할지라도, 게이트펄스가 종료된느 시점에 Q 노드를 안정적으로 리셋할 수 있다. 그 결과, 마지막 스테이지에서 원치않는 게이트펄스가 출력되는 현상을 방지할 수 있다.In contrast, the m-th left stage LSTGm of the present invention resets the Q node to a turn-off voltage using the second reset transistor Tre2. Therefore, even when the second transistor T2 is connected to the input terminal to which the start pulse is applied for the reverse scan mode, the Q node can be stably reset at the time when the gate pulse is terminated. As a result, it is possible to prevent an unwanted gate pulse from being output in the last stage.

본 발명에 시프트레지스터는 비정상 전원오프 상황에서 QB 노드 및 출력단들을 방전시킨다. 비정상 전원오프는 정상적인 파워 오프 시퀀스(Power off Sequence)를 거치지 않고 전원이 오프되는 상황이며, 예컨대 배터리 등의 이탈할 경우가 될 수 있다. In the present invention, the shift register discharges the QB node and the output terminals in an abnormal power-off situation. Abnormal power-off is a situation in which power is turned off without going through a normal power-off sequence, and may be, for example, when a battery is removed.

비정상 전원오프 상황을 대비하기 위해서 드라이브 IC(DIC)는 입력 전원들 중에서 어느 하나 이상의 전압레벨을 감지한다. 드라이브 IC(DIC)는 입력전원이 미리 설정된 임계치 이하가 될 때, APO 신호(APO)를 생성한다. In order to prepare for an abnormal power-off situation, the drive IC (DIC) senses one or more voltage levels among the input power sources. The drive IC (DIC) generates an APO signal (APO) when the input power is below a preset threshold.

스테이지들의 제7 트랜지스터(T7)는 APO 신호(APO)에 응답하여, QB 노드를 턴-오프 전압으로 리셋한다. 제10 트랜지스터(T10) 및 제11 트랜지스터(T11)는 제1 및 제2 출력단(Nout2)에 턴-온 전압을 인가하여, 픽셀(P)들에 충전되어 있는 전압을 방전시킨다.The seventh transistor T7 of the stages resets the QB node to a turn-off voltage in response to the APO signal APO. The tenth transistor T10 and the eleventh transistor T11 apply a turn-on voltage to the first and second output terminals Nout2 to discharge the voltage charged in the pixels P.

데이터 구동부(110)는 APO 신호에 응답하여 데이터라인들(DL)을 방전시킨다.The data driver 110 discharges the data lines DL in response to the APO signal.

결과적으로 제2 실시 예에 따른 표시장치는 입력 전원(Vin)이 비정상적으로 차단된 것으로 판단될 때 픽셀들에 연결된 모든 배선들을 방전시켜 잔상과 얼룩을 방지한다. 만약 게이트 구동부(120) 및 픽셀(P)들에 전압이 남아있으면 표시장치가 정상적인 구동을 재개할 때, 픽셀(P)들이 원치 않는 순간에 발광하여 플리커(flicker) 현상이 발생할 수 있다. 이에 반해서, 본 발명은 비정상 전원오프 감지부(30)를 이용하여 게이트 구동부(120)와 표시패널(PNL)의 전압을 방전시킴으로써, 표시장치의 재구동시에 발생할 수 있는 플리커 현상을 방지할 수 있다.As a result, when it is determined that the input power Vin is abnormally cut off, the display device according to the second exemplary embodiment discharges all wires connected to the pixels to prevent afterimages and stains. If voltage remains in the gate driver 120 and the pixels P, when the display device resumes normal driving, the pixels P emit light at an undesired moment, which may cause a flicker phenomenon. In contrast, according to the present invention, the voltage of the gate driver 120 and the display panel PNL is discharged using the abnormal power-off detection unit 30 to prevent a flicker phenomenon that may occur when the display device is re-driven.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

PNL: 표시패널 DIC: 드라이브IC
100: 타이밍 신호 발생부 110: 데이터 구동부
120: 게이트 구동부
PNL: Display panel DIC: Drive IC
100: timing signal generator 110: data driver
120: gate driver

Claims (9)

제1 내지 제n 스테이지로 이루어져서 순차적으로 게이트펄스를 출력하되, 상기 게이트펄스의 출력순서는 양방향 중에서 어느 하나로 선택 가능한 시프트레지스터에 있어서,
상기 제n 스테이지는
Q 노드의 전압에 응답하여 출력단을 충전시키는 풀업 트랜지스터;
순방향 스캔 모드에서, 이전단 게이트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제1 트랜지스터;
역방향 스캔 모드에서, 스타트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제2 트랜지스터; 및
상기 순방향 스캔 모드에서, 제n 게이트펄스를 출력한 이후에 인가되는 더미 게이트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 순방향 리셋 트랜지스터를 포함하되,
상기 제n 스테이지는
QB 노드의 전압에 응답하여, 상기 출력단에 턴-오프 전압을 인가하는 풀다운 트랜지스터;
상기 Q 노드 및 QB 노드의 전압을 반대 전압레벨로 유지하는 인버터; 및
상기 더미 게이트펄스의 출력 타이밍에 상기 QB 노드에 턴-온 전압을 인가하는 QB 노드 제어부를 더 포함하고,
상기 QB 노드 제어부는
상기 순방향 스캔 모드에서 고전위전압을 인가받는 게이트전극, 상기 더미 게이트펄스에 동기되는 클럭신호를 입력받는 드레인전극, 및 X 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 순방향 X 노드 충전부; 및
상기 X 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 QB 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 QB 노드 충전부를 포함하는 표시장치의 시프트레지스터.
In the shift register comprising the first to n-th stages and sequentially outputting gate pulses, the output order of the gate pulses is selectable in any one of two directions,
The nth stage is
a pull-up transistor that charges the output stage in response to the voltage at the Q node;
a first transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to a previous gate pulse in a forward scan mode;
a second transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to a start pulse in a reverse scan mode; and
a forward reset transistor for applying a turn-off voltage to the Q node in response to a dummy gate pulse applied after outputting an n-th gate pulse in the forward scan mode;
The nth stage is
a pull-down transistor for applying a turn-off voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node;
an inverter for maintaining voltages of the Q node and the QB node at opposite voltage levels; and
Further comprising a QB node control unit for applying a turn-on voltage to the QB node at the output timing of the dummy gate pulse,
The QB node control unit
a forward X node charging unit including a gate electrode to which a high potential voltage is applied in the forward scan mode, a drain electrode receiving a clock signal synchronized with the dummy gate pulse, and a source electrode connected to the X node; and
and a QB node charging unit comprising a gate electrode connected to the X node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the QB node.
제 1 항에 있어서,
상기 제n 스테이지는
상기 순방향 스캔 모드일 때, 한 프레임 내에서 마지막으로 상기 제n 게이트펄스를 출력하고,
상기 역방향 스캔 모드일 때, 한 프레임 내에서 첫 번째로 상기 제n 게이트펄스를 출력하는 표시장치의 시프트레지스터.
The method of claim 1,
The nth stage is
In the forward scan mode, the n-th gate pulse is output last in one frame,
A shift register of a display device that outputs the n-th gate pulse first in one frame in the reverse scan mode.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 내지 제n 스테이지는 각각 제1 내지 제n 게이트펄스를 출력하고,
제(n-1) 게이트펄스와 상기 제n 게이트펄스 및 상기 더미 게이트펄스는 동일한 시간 간격으로 출력되는 표시장치의 시프트레지스터.
3. The method of claim 2,
The first to nth stages output first to nth gate pulses, respectively,
A shift register of a display device in which an (n-1)th gate pulse, the nth gate pulse, and the dummy gate pulse are output at the same time interval.
삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 인버터는
상기 Q 노드 전압에 응답하여, 상기 QB 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 QB 노드 방전부; 및
상기 QB 노드 전압에 응답하여, 상기 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 Q 노드 방전부를 포함하는 표시장치의 시프트레지스터.
The method of claim 1,
The inverter is
a QB node discharge unit configured to apply a turn-off voltage to the QB node in response to the Q node voltage; and
and a Q node discharge unit configured to apply a turn-off voltage to the Q node in response to the QB node voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 제1 트랜지스터는 역방향 스캔 모드에서 후단 게이트펄스에 응답하여, 상기 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 표시장치의 시프트레지스터.
The method of claim 1,
The first transistor is a shift register of the display device for applying a turn-off voltage to the Q node in response to a gate pulse at a later stage in a reverse scan mode.
제 7 항에 있어서,
상기 제2 트랜지스터는
상기 역방향 스캔 모드에서 제2 게이트펄스에 응답하여, 상기 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 표시장치의 시프트레지스터.
8. The method of claim 7,
The second transistor is
A shift register of a display device for applying a turn-on voltage to the Q node in response to a second gate pulse in the reverse scan mode.
픽셀들에 연결된 게이트라인들 및 데이터라인들이 배치된 표시패널; 및
제1 내지 제n 스테이지로 이루어져서 상기 게이트라인들에 인가되는 게이트펄스를 순차적으로 출력하되, 상기 게이트펄스의 출력순서는 양방향 중에서 어느 하나로 선택되는 시프트레지스터를 포함하고,
제n 게이트펄스를 출력하는 상기 제n 스테이지는
Q 노드의 전압에 응답하여 출력단을 충전시키는 풀업 트랜지스터;
순방향 스캔 모드에서, 이전단 게이트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제1 트랜지스터;
역방향 스캔 모드에서, 스타트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-온 전압을 인가하는 제2 트랜지스터;
상기 순방향 스캔 모드에서, 상기 제n 게이트펄스를 출력한 이후에 인가되는 더미 게이트펄스에 응답하여 상기 Q 노드에 턴-오프 전압을 인가하는 순방향 리셋 트랜지스터;
QB 노드의 전압에 응답하여, 상기 출력단에 턴-오프 전압을 인가하는 풀다운 트랜지스터;
상기 Q 노드 및 QB 노드의 전압을 반대 전압레벨로 유지하는 인버터; 및
상기 더미 게이트펄스의 출력 타이밍에 상기 QB 노드에 턴-온 전압을 인가하는 QB 노드 제어부를 더 포함하고,
상기 QB 노드 제어부는
상기 순방향 스캔 모드에서 고전위전압을 인가받는 게이트전극, 상기 더미 게이트펄스에 동기되는 클럭신호를 입력받는 드레인전극, 및 X 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 순방향 X 노드 충전부; 및
상기 X 노드에 연결되는 게이트전극, 고전위전압의 입력단에 연결되는 드레인전극, 및 상기 QB 노드에 연결되는 소스전극으로 이루어지는 QB 노드 충전부를 포함하는 표시장치.
a display panel on which gate lines and data lines connected to pixels are disposed; and
The first to n-th stages are configured to sequentially output gate pulses applied to the gate lines, and the output order of the gate pulses includes a shift register selected from one of two directions;
The n-th stage outputting the n-th gate pulse is
a pull-up transistor that charges the output stage in response to the voltage at the Q node;
a first transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to a previous gate pulse in a forward scan mode;
a second transistor for applying a turn-on voltage to the Q node in response to a start pulse in a reverse scan mode;
a forward reset transistor for applying a turn-off voltage to the Q node in response to a dummy gate pulse applied after outputting the n-th gate pulse in the forward scan mode;
a pull-down transistor for applying a turn-off voltage to the output terminal in response to the voltage of the QB node;
an inverter for maintaining voltages of the Q node and the QB node at opposite voltage levels; and
Further comprising a QB node control unit for applying a turn-on voltage to the QB node at the output timing of the dummy gate pulse,
The QB node control unit
a forward X node charging unit including a gate electrode to which a high potential voltage is applied in the forward scan mode, a drain electrode receiving a clock signal synchronized with the dummy gate pulse, and a source electrode connected to the X node; and
and a QB node charging unit including a gate electrode connected to the X node, a drain electrode connected to an input terminal of a high potential voltage, and a source electrode connected to the QB node.
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