KR102459216B1 - Display panel - Google Patents

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KR102459216B1
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윤성경
조은미
임정식
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엘지디스플레이 주식회사
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 하부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드층이 각각 설계된다.
이와 달리, 본 발명에 다른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 내부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드가 삽입 배치될 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층 또는 제1 및 제2 비드의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다.
이 결과, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 편광판을 부착하는 것 없이도 정반사율이 감소될 수 있고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하여 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질 특성을 개선할 수 있다.In the display panel according to the present invention, first and second bead layers having a high refractive index of 1.5 to 2.5 are designed under the plurality of signal wirings and the light blocking pattern, respectively.
Alternatively, in the display panel according to the present invention, first and second beads having a high refractive index of 1.5 to 2.5 may be inserted and disposed inside the plurality of signal wirings and the light blocking pattern.
Accordingly, in the display panel according to the present invention, due to the design of the first and second bead layers or the first and second beads, the specular reflectance, which has a large effect on the reflective visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased to provide excellent image quality. can be obtained
As a result, in the display panel according to the present invention, the specular reflectance can be reduced without attaching a polarizing plate, and the diffuse reflection is increased, so that the perceived luminous luminance is reduced, so that image reflection can be improved, thereby improving image quality. .

Description

디스플레이 패널{DISPLAY PANEL}display panel {DISPLAY PANEL}

본 발명은 반사율을 감소시킴과 더불어 정반사를 낮추고 확산 반사를 증가시켜 반사 시감 및 화질 개선을 도모할 수 있는 디스플레이 패널에 관한 것이다.
The present invention relates to a display panel capable of reducing specular reflection and increasing diffuse reflection while reducing reflectance to improve reflective visibility and image quality.

유기전계발광 표시 장치는 자발광 소자로서, 비발광 소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 또한, 유기전계발광 표시 장치는 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하고, 직류 저전압 구동이 가능하다. 또한, 응답속도가 빠르며 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 갖는다.Since the organic light emitting display device is a self-luminous device and does not require a backlight used in a liquid crystal display device, which is a non-light emitting device, it is possible to be lightweight and thin. In addition, the organic light emitting display device has better viewing angle and contrast ratio than the liquid crystal display device, is advantageous in terms of power consumption, and can be driven with a low DC voltage. In addition, the response speed is fast, and since the internal components are solid, they are strong against external shocks and have a wide operating temperature range.

이러한 유기전계발광 표시 장치는 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 구분된다. 이때, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성한다. 이에 반해, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터와 전류를 흘려 보내주는 구동 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 한 프레임 동안 전압을 유지해 주는 캐패시터가 화소 별로 배치된다.Such an organic light emitting display device is divided into a passive matrix type and an active matrix type. At this time, in the passive matrix type, the device is formed in a matrix form while crossing the signal lines. In contrast, in the active matrix type, a thin film transistor, which is a switching element that turns on/off a pixel, a driving thin film transistor that passes current, and a capacitor that maintains a voltage in the driving thin film transistor for one frame are arranged for each pixel. .

최근에는 패시브 매트릭스 타입의 유기전계발광 표시 장치가 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광 표시 장치의 연구가 활발히 진행되고 있다.Recently, passive matrix type organic light emitting display device has many limiting factors such as resolution, power consumption, and lifespan, so research on active matrix type organic light emitting display device capable of realizing high resolution or large screen is being actively conducted. .

또한, 이러한 유기전계발광 표시 장치는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type) 및 하부 발광방식(bottom emission type)으로 구분된다.
In addition, such an organic light emitting display device is classified into a top emission type and a bottom emission type according to the transmission direction of the emitted light.

도 1은 일반적인 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도로, 이를 참조하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.1 is a cross-sectional view showing a general organic electroluminescence type display panel, which will be described in more detail with reference to the same.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(1)은 제1 기판(10)과, 제1 기판(10)과 마주하는 제2 기판(20)을 포함하며, 제1 및 제2 기판(10, 20)은 가장자리를 따라 배치되는 씰 패턴(30)에 의해 봉지되어 합착될 수 있다.As shown in FIG. 1 , a general organic electroluminescent display panel 1 includes a first substrate 10 and a second substrate 20 facing the first substrate 10 , and The second substrates 10 and 20 may be sealed by the seal pattern 30 disposed along the edges and bonded thereto.

이때, 제1 기판(10) 상에는 각 화소 영역 별로 박막 트랜지스터(Tr)와, 박막 트랜지스터(Tr)와 연결된 제1 전극(60)과, 제1 전극(60) 상에 적층된 유기 발광층(70)과, 유기 발광층(70) 상에 적층된 제2 전극(80)이 배치된다.At this time, on the first substrate 10 , a thin film transistor Tr for each pixel region, a first electrode 60 connected to the thin film transistor Tr, and an organic light emitting layer 70 stacked on the first electrode 60 . and a second electrode 80 stacked on the organic light emitting layer 70 is disposed.

유기 발광층(70)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소 영역마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질을 패턴하여 사용한다.The organic light emitting layer 70 expresses red, green, and blue colors. In a general method, a separate organic material emitting red, green, and blue light is patterned and used for each pixel area.

이때, 제1 전극(60), 유기 발광층(70) 및 제2 전극(80)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 제1 전극(60)을 양극(anode)으로 제 2 전극(80)을 음극(cathode)으로 구성할 수 있다.At this time, the first electrode 60 , the organic light emitting layer 70 , and the second electrode 80 form an organic light emitting diode. The first electrode 60 may be configured as an anode and the second electrode 80 may be configured as a cathode.

이러한 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(1)은 외부광의 세기에 따라 콘트라스트가 크게 감소하는 단점이 있다. 따라서, 외부광에 의한 콘트라스트의 저하를 방지하기 위하여 외부광을 차단하기 위한 편광판(미도시)을 제2 기판(20)에 부착하여 사용하고 있다.The organic electroluminescent display panel 1 has a disadvantage in that the contrast is greatly reduced according to the intensity of external light. Accordingly, a polarizing plate (not shown) for blocking external light is attached to the second substrate 20 to prevent a decrease in contrast caused by external light.

즉, 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(1)은 유기 발광층(70)을 통해 발광된 빛의 투과 방향에 외부로부터 입사되는 외부광을 차단하는 편광판을 통해 콘트라스트를 향상시키고 있다.That is, the organic light emitting display panel 1 improves contrast through a polarizing plate that blocks external light incident from the outside in the transmission direction of the light emitted through the organic light emitting layer 70 .

그러나, 편광판은 가시광 영역대의 모든 빛의 편광방향을 바꿔주지 못해, 외부광이 게이트 배선, 데이터 배선 등의 신호 배선(미도시)과, 박막 트랜지스터(Tr)의 소스 및 드레인 전극(미도시) 등에서 반사되는 문제점이 발생하고 있다. 이와 같이, 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(1)은 복수의 신호 배선 및 전극 등에 반사되는 빛에 의해 콘트라스트가 저하되게 된다.However, the polarizing plate cannot change the polarization direction of all light in the visible region, so that external light is transmitted from signal wiring (not shown) such as gate wiring and data wiring, and source and drain electrodes (not shown) of the thin film transistor Tr, etc. There is a problem with reflection. As described above, in the organic electroluminescent display panel 1, the contrast is lowered by light reflected from a plurality of signal wires and electrodes.

또한, 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(10)에 부착되는 편광판은 다층 구조로 설계되는데 기인하여 제조 원가가 비싸며, 편광판을 이루는 각층은 대략 수십㎛ 이상의 두께를 가짐으로써, 편광판의 전체 두께를 증가시켜 경량 박형화에 불리하다.In addition, the polarizing plate attached to the organic electroluminescent display panel 10 is designed in a multi-layered structure, so the manufacturing cost is high, and each layer constituting the polarizing plate has a thickness of approximately several tens of μm or more, thereby increasing the overall thickness of the polarizing plate. It is disadvantageous for light weight and thinning.

이를 해결하기 위해, 최근에는 유기전계발광 표시 장치에서 편광판을 삭제하는 대신, 저반사율을 갖는 금속 재질을 이용하여 게이트 배선, 데이터 배선 등의 신호 배선을 설계하고 있으나, 이 경우 금속의 정 반사율이 높아 실제 반사율은 낮지만 인지되는 반사율이 높다는 단점이 있다. 이 결과, 금속의 강한 정반사가 영상 시청시 시청자의 눈에 들어와 쉽게 피로해지는 문제가 있다.In order to solve this problem, recently, instead of removing the polarizer from the organic light emitting display device, signal wiring such as gate wiring and data wiring is designed using a metal material having low reflectance. Although the actual reflectance is low, there is a disadvantage in that the perceived reflectance is high. As a result, there is a problem in that the strong specular reflection of the metal enters the eyes of the viewer when viewing the video and is easily fatigued.

다른 해결 방법으로, 최근에는 유기전계발광 표시 장치에서 편광판을 삭제하는 대신, 패널 내에 투과율 조절이 가능한 투과율 조절 필름을 부착하여 전체 반사율을 낮추려는 시도가 진행 중에 있다.As another solution, an attempt is being made to lower the total reflectance by attaching a transmittance control film capable of adjusting transmittance in the panel instead of removing the polarizing plate from the organic light emitting display device.

그러나, 유기전계발광 표시 장치에 투과율 조절 필름을 부착시에도 투과율이 높아 금속 재질의 전극부에서 시인되는 문제가 있었다. 또한, 투과율 조절 필름은 패널 내부 전체에 적용하고 있는데, 이 경우 투과율 조절 필름 내부에 랜덤하게 분산 배치된 투과율 조절 입자가 표시 영역의 개구부에도 존재하는데 기인하여 외부로부터 입사된 광이 산란되어 화질적으로 좋지 않은 영향을 미친다.However, even when the transmittance control film is attached to the organic light emitting display device, there is a problem that the transmittance is high, so that the metal electrode is visually recognized. In addition, the transmittance control film is applied to the entire interior of the panel. In this case, the transmittance control particles randomly dispersed inside the transmittance control film are also present in the opening of the display area, so that light incident from the outside is scattered to improve image quality. have a bad effect

관련 선행문헌으로는 대한민국 등록특허공보 제10-0717269호(2007.05.04 공고)가 있으며, 상기 문헌에는 디스플레이장치 및 그 제조방법이 기재되어 있다.
As a related prior art, there is Republic of Korea Patent Publication No. 10-0717269 (published on May 4, 2007), which describes a display device and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 하부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드층이 각각 설계된다.In the display panel according to the present invention, first and second bead layers having a high refractive index of 1.5 to 2.5 are designed under the plurality of signal wirings and the light blocking pattern, respectively.

이와 달리, 본 발명에 다른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 내부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드가 삽입 배치될 수 있다.Alternatively, in the display panel according to the present invention, first and second beads having a high refractive index of 1.5 to 2.5 may be inserted and disposed inside the plurality of signal wirings and the light blocking pattern.

이에 따라, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층 또는 제1 및 제2 비드의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다.Accordingly, in the display panel according to the present invention, due to the design of the first and second bead layers or the first and second beads, the specular reflectance, which has a large effect on the reflective visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased to provide excellent image quality. can be obtained

이 결과, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 편광판을 부착하는 것 없이도 정반사율이 감소될 수 있고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하여 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질 특성을 개선할 수 있다.
As a result, in the display panel according to the present invention, the specular reflectance can be reduced without attaching a polarizing plate, and the diffuse reflection is increased, so that the perceived luminous luminance is reduced, so that image reflection can be improved, thereby improving image quality. .

본 발명에 따른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 중첩된 하부에 배치된 제1 비드층과, 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 배치된 제2 비드층을 포함한다.The display panel according to the present invention includes a first bead layer disposed on a lower portion overlapping a plurality of signal wires, and a second bead layer disposed on a lower portion overlapping a light blocking pattern.

여기서, 제1 및 제2 비드층은 1.5 ~ 2.5의 굴절률을 갖는 복수의 비드를 포함할 수 있다.Here, the first and second bead layers may include a plurality of beads having a refractive index of 1.5 to 2.5.

이때, 복수의 비드는 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 가짐으로써, 굴절율 차이에 따라 재 반사되는 빛의 파장 및 빛의 방향을 바꾸어 산란되도록 하기 위해 어두운 계열의 색상을 갖는 CeFx, Al2O3, ZrOx, TiOx 및 Nb2Ox 중 선택된 1종 이상의 재질을 이용하는 것이 바람직하다.At this time, since the plurality of beads have a high refractive index of 1.5 to 2.5, CeFx, Al 2 O 3 , ZrOx having a dark color in order to be scattered by changing the wavelength and direction of the re-reflected light according to the difference in refractive index It is preferable to use at least one material selected from among , TiOx and Nb 2 Ox.

이에 따라, 본 발명에 다른 디스플레이 패널은 외부로부터 입사되는 광을 제1 및 제2 비드층에 각각 구비되는 복수의 비드에 의해 흡수되거나, 복수의 비드에 의해 기판 방향으로 반사될 수 있으므로, 경면 반사는 감소하고 확산 반사는 증가되어 실제 인지되는 전체 반사율이 감소하게 되어 명실 콘트라스트(ambient contrast ratio)가 증가된다.Accordingly, in the display panel according to the present invention, light incident from the outside may be absorbed by the plurality of beads provided in the first and second bead layers, respectively, or may be reflected in the direction of the substrate by the plurality of beads, so specular reflection is decreased and diffuse reflection is increased, so that the actual perceived total reflectance is decreased, and thus the ambient contrast ratio is increased.

따라서, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다.Accordingly, in the display panel according to the present invention, due to the design of the first and second bead layers, the specular reflectance, which has a large influence on the reflection visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased, so that excellent image quality can be secured.

이 결과, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 편광판을 부착하는 것 없이도 정반사율이 감소될 수 있고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하여 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질 특성을 개선할 수 있다.As a result, in the display panel according to the present invention, the specular reflectance can be reduced without attaching a polarizing plate, and the diffuse reflection is increased, so that the perceived luminous luminance is reduced, so that image reflection can be improved, thereby improving image quality. .

이에 더불어, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층이 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에만 배치되기 때문에 표시 영역의 개구부에는 비드가 위치하지 않게 되므로 빛이 산란될 염려가 없어 선명한 영상을 구현할 수 있게 된다.In addition, in the display panel according to the present invention, since the first and second bead layers are disposed only at the lower portion overlapping the plurality of signal wirings and the light blocking pattern, the beads are not positioned in the opening of the display area, so there is a risk of light scattering It is possible to realize clear images without

이와 달리, 본 발명에 다른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 내부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드가 삽입 배치될 수 있다.Alternatively, in the display panel according to the present invention, first and second beads having a high refractive index of 1.5 to 2.5 may be inserted and disposed inside the plurality of signal wirings and the light blocking pattern.

이때, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드가 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴을 각각 증착 공정으로 형성할 시, 듀얼 스퍼터링 방식으로 동시 증착을 실시하는 것을 통해 함께 형성되므로, 별도의 비드층을 설계할 필요가 없으므로 공정 단순화를 도모할 수 있다.
At this time, the display panel according to the present invention is formed together by performing simultaneous deposition in a dual sputtering method when the first and second beads are formed by a deposition process to form a plurality of signal wirings and light blocking patterns, respectively. Since there is no need to design a bead layer, process simplification can be achieved.

본 발명에 따른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 하부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드층이 각각 설계된다.In the display panel according to the present invention, first and second bead layers having a high refractive index of 1.5 to 2.5 are designed under the plurality of signal wirings and the light blocking pattern, respectively.

이에 따라, 본 발명에 다른 디스플레이 패널은 외부로부터 입사되는 광을 제1 및 제2 비드층에 각각 구비되는 복수의 비드에 의해 흡수되거나, 복수의 비드에 의해 기판 방향으로 반사될 수 있으므로, 경면 반사는 감소하고 확산 반사는 증가되어 실제 인지되는 전체 반사율이 감소하게 되어 명실 콘트라스트(ambient contrast ratio)가 증가된다.Accordingly, in the display panel according to the present invention, light incident from the outside may be absorbed by the plurality of beads provided in the first and second bead layers, respectively, or may be reflected in the direction of the substrate by the plurality of beads, so specular reflection is decreased and diffuse reflection is increased, so that the actual perceived total reflectance is decreased, and thus the ambient contrast ratio is increased.

따라서, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다.Accordingly, in the display panel according to the present invention, due to the design of the first and second bead layers, the specular reflectance, which has a large influence on the reflection visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased, so that excellent image quality can be secured.

이 결과, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 편광판을 부착하는 것 없이도 정반사율이 감소될 수 있고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하여 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질 특성을 개선할 수 있다.As a result, in the display panel according to the present invention, the specular reflectance can be reduced without attaching a polarizing plate, and the diffuse reflection is increased, so that the perceived luminous luminance is reduced, so that image reflection can be improved, thereby improving image quality. .

이에 더불어, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드층이 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에만 배치되기 때문에 표시 영역의 개구부에는 비드가 위치하지 않게 되므로 빛이 산란될 염려가 없어 선명한 영상을 구현할 수 있게 된다.In addition, in the display panel according to the present invention, since the first and second bead layers are disposed only at the lower portion overlapping the plurality of signal wirings and the light blocking pattern, the beads are not positioned in the opening of the display area, so there is a risk of light scattering It is possible to realize clear images without

한편, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 복수의 신호 배선과 광 차단 패턴의 내부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드가 삽입 배치될 수 있다.Meanwhile, in the display panel according to the present invention, first and second beads having a high refractive index of 1.5 to 2.5 may be inserted and disposed inside the plurality of signal wirings and the light blocking pattern.

이때, 본 발명에 따른 디스플레이 패널은 제1 및 제2 비드가 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴을 각각 증착 공정으로 형성할 시, 듀얼 스퍼터링 방식으로 동시 증착을 실시하는 것을 통해 함께 형성되므로, 별도의 비드층을 설계할 필요가 없으므로 공정 단순화를 도모할 수 있다.
At this time, the display panel according to the present invention is formed together by performing simultaneous deposition in a dual sputtering method when the first and second beads are formed by a deposition process to form a plurality of signal wirings and light blocking patterns, respectively. Since there is no need to design a bead layer, process simplification can be achieved.

도 1은 일반적인 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도.
도 3은 도 2의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도.
도 5는 도 4의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면.
도 6은 실시예 1 ~ 3 및 비교예 1에 대한 파장대별 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프.
도 7은 실시예 1 및 비교예 1에 대한 디스플레이 패널의 전체 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프.
도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 대한 디스플레이 패널의 경면 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프.1 is a cross-sectional view showing a general organic electroluminescence type display panel.
2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent display panel according to a first embodiment of the present invention.
3 is an enlarged view of part A of FIG. 2;
4 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent display panel according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is an enlarged view of part B of FIG. 4;
6 is a graph showing the results of measuring the reflectance for each wavelength band for Examples 1 to 3 and Comparative Example 1.
7 is a graph showing the results of measuring the total reflectance of the display panel for Example 1 and Comparative Example 1.
8 is a graph showing the results of measuring the specular reflectance of the display panel for Example 1 and Comparative Example 1.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.The above-described objects, features and advantages will be described below in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 디스플레이 패널에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
Hereinafter, a display panel according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent display panel according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 복수의 신호 배선(120, 130), 박막 트랜지스터(Tr), 광 차단 패턴(112), 제1 전극(160), 뱅크층(165), 유기 발광층(170), 제2 전극(180), 제1 비드층(150) 및 제2 비드층(152)을 포함한다.
Referring to FIG. 2 , the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of signal wires 120 and 130 , a thin film transistor Tr, a light blocking pattern 112 , and a first electrode 160 . , a bank layer 165 , an organic emission layer 170 , a second electrode 180 , a first bead layer 150 , and a second bead layer 152 .

복수의 신호 배선(120, 130)은 기판(110) 상의 제1 방향을 따라 배열된 게이트 배선(120) 및 게이트 배선(120)과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 데이터 배선(130)을 포함할 수 있다. 또한, 도면으로 도시하지는 않았지만, 복수의 신호 배선(120, 130)은 데이터 배선(130)과 평행하게 이격 배치되는 전원공급 배선(미도시)을 더 포함할 수 있다.The plurality of signal wirings 120 and 130 include a gate wiring 120 arranged along a first direction on the substrate 110 and a data wiring 130 arranged along a second direction crossing the gate wiring 120 . can do. Also, although not shown in the drawings, the plurality of signal wires 120 and 130 may further include power supply wires (not shown) spaced apart from the data wires 130 .

이때, 기판(110) 상부 전면에는 버퍼층(115)이 배치될 수 있다. 이러한 버퍼층(115)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 박막 트랜지스터(Tr)를 보호하는 역할을 한다.
In this case, the buffer layer 115 may be disposed on the entire upper surface of the substrate 110 . The buffer layer 115 serves to protect the thin film transistor Tr from impurities such as alkali ions leaking from the substrate 110 .

박막 트랜지스터(Tr)는 기판(110) 상의 신호 배선(120, 130)에 연결된다. 이때, 박막 트랜지스터(Tr)는 구동 트랜지스터 및 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있으며, 도 2에서는 구동 트랜지스터만을 나타내었다.The thin film transistor Tr is connected to the signal wires 120 and 130 on the substrate 110 . In this case, the thin film transistor Tr may include a driving transistor and a switching transistor, and only the driving transistor is shown in FIG. 2 .

이러한 박막 트랜지스터(Tr)는 버퍼층(115) 상에 배치된 반도체층(140)과, 반도체층(140)을 덮는 게이트 절연막(125)과, 반도체층(140)과 중첩되도록 게이트 절연막(125) 상에 배치된 게이트 전극(122)과, 게이트 전극(122)을 덮는 층간 절연막(135)과, 게이트 전극(122)을 사이에 두고, 상호 이격 배치되어 반도체층(140)에 각각 접속된 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 포함할 수 있다.The thin film transistor Tr is formed on the semiconductor layer 140 disposed on the buffer layer 115 , the gate insulating layer 125 covering the semiconductor layer 140 , and the gate insulating layer 125 to overlap the semiconductor layer 140 . The gate electrode 122 disposed on the , an interlayer insulating layer 135 covering the gate electrode 122 , and the source and drain respectively spaced apart from each other with the gate electrode 122 interposed therebetween and respectively connected to the semiconductor layer 140 . It may include electrodes 132 and 134 .

이때, 반도체층(140)은 실리콘으로 이루어지며, 중앙에 배치되어 채널을 이루는 액티브 영역(140a)과, 액티브 영역(140a)을 사이에 두고 양측에 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)으로 구분될 수 있다.At this time, the semiconductor layer 140 is made of silicon, and the active region 140a is disposed in the center to form a channel, and the source and drain regions 140b are doped with a high concentration of impurities on both sides with the active region 140a interposed therebetween. , 140c).

소스 및 드레인 전극(132, 134)은 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 반도체층 컨택홀(미도시)을 통해 반도체층(140)의 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)과 각각 전기적으로 접속된다.The source and drain electrodes 132 and 134 are connected to the source and drain regions of the semiconductor layer 140 through first and second semiconductor layer contact holes (not shown) exposing portions of the source and drain regions 140b and 140c, respectively. are electrically connected to 140b and 140c, respectively.

이때, 박막 트랜지스터(Tr)는 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)에 도핑되는 불순물에 따라 P 또는 N형 트랜지스터를 이루게 된다. P형 트랜지스터의 경우, 반도체층(140)의 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)에 3족의 원소, 예를 들면, 붕소(B)를 도핑함으로써 이루어진다. 또한, N형 트랜지스터의 경우, 반도체층(140)의 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)에 5족의 원소, 예를 들면, 인(P)를 도핑함으로써 이루어진다. P형 트랜지스터는 캐리어로서 정공이 이용되며, N형 트랜지스터는 캐리어로서 전자가 이용된다.
In this case, the thin film transistor Tr forms a P or N-type transistor according to impurities doped into the source and drain regions 140b and 140c. In the case of the P-type transistor, the source and drain regions 140b and 140c of the semiconductor layer 140 are doped with a group 3 element, for example, boron (B). In addition, in the case of the N-type transistor, the source and drain regions 140b and 140c of the semiconductor layer 140 are doped with a group 5 element, for example, phosphorus (P). In the P-type transistor, holes are used as carriers, and in the N-type transistors, electrons are used as carriers.

광 차단 패턴(112)은 박막 트랜지스터(Tr)와 중첩하여 배치되며, 보다 구체적으로는 기판(110) 상의 버퍼층(115) 하부에 배치된다. 이러한 광 차단 패턴(112)은 박막 트랜지스터(Tr)의 반도체층(140)으로 외부 광이 입사되는 것을 차폐하는 역할을 한다. 따라서, 광 차단 패턴(112)은 박막 트랜지스터(Tr)의 반도체층(140)과 중첩된 하부에서 반도체층(140)의 전체 면적을 차폐하도록 설계된다.
The light blocking pattern 112 is disposed to overlap the thin film transistor Tr, and more specifically, is disposed under the buffer layer 115 on the substrate 110 . The light blocking pattern 112 serves to shield external light from being incident on the semiconductor layer 140 of the thin film transistor Tr. Accordingly, the light blocking pattern 112 is designed to shield the entire area of the semiconductor layer 140 under the overlapping with the semiconductor layer 140 of the thin film transistor Tr.

제1 전극(160)은 박막 트랜지스터(Tr)를 덮는 평탄화막(145) 상에 배치되어 있을 수 있다. 이때, 평탄화막(145)은 층간 절연막(135)을 덮으며, 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)의 일부를 노출시키는 드레인 컨택홀(미도시)을 가질 수 있다.The first electrode 160 may be disposed on the planarization layer 145 covering the thin film transistor Tr. In this case, the planarization layer 145 may cover the interlayer insulating layer 135 and may have a drain contact hole (not shown) exposing a portion of the drain electrode 134 of the thin film transistor Tr.

평탄화막(145)은 포토아크릴(Photo Acryl)과 같은 유기절연물질을 증착하여 형성하게 된다. 도면으로 도시하지는 않았지만, 층간 절연막(135)과 평탄화막(145) 사이에는 보호막(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 이때, 제1 전극(160)은 드레인 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(Tr)의 드레인 전극(134)과 전기적으로 연결된다.The planarization layer 145 is formed by depositing an organic insulating material such as photo acryl. Although not shown in the drawings, a passivation layer (not shown) may be further disposed between the interlayer insulating layer 135 and the planarization layer 145 . In this case, the first electrode 160 is electrically connected to the drain electrode 134 of the thin film transistor Tr through the drain contact hole.

또한, 평탄화막(145) 상에는 컬러필터(190)가 더 배치될 수 있다. 이러한 컬러필터(190)는 반드시 설계되는 것은 아니며, 필요에 따라 생략 가능하다. 이때, 컬러필터(190)는 유기발광 다이오드(E)로부터 출사된 광을 적색, 녹색 및 청색으로 변환하는 색 변환재료이다.
Also, a color filter 190 may be further disposed on the planarization layer 145 . Such a color filter 190 is not necessarily designed, and may be omitted if necessary. At this time, the color filter 190 is a color conversion material that converts the light emitted from the organic light emitting diode (E) into red, green, and blue.

뱅크층(165)은 평탄화막(145) 상에 배치되며, 제1 전극(160)을 노출시키는 뱅크 홀(미도시)을 갖는다. 이러한 뱅크층(165)은 격자 구조의 매트릭스 타입으로 배치될 수 있다. 이때, 뱅크층(165)은 유전율이 낮은 감광성의 유기절연재질인 블랙 수지, 그라파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이 및 블랙 에나멜 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다.
The bank layer 165 is disposed on the planarization layer 145 and has a bank hole (not shown) exposing the first electrode 160 . The bank layer 165 may be disposed in a matrix type having a lattice structure. In this case, for the bank layer 165, any one selected from black resin, graphite powder, gravure ink, black spray, and black enamel, which is a photosensitive organic insulating material having a low dielectric constant, may be used.

유기 발광층(170)은 뱅크 홀에 의해 노출된 제1 전극(160) 상에 배치된다. 이러한 유기 발광층(170)은 화소 영역별로 패터닝되어 있을 수 있다. 이때, 유기발광층(170)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다층 구조를 가질 수 있다.
The organic emission layer 170 is disposed on the first electrode 160 exposed by the bank hole. The organic emission layer 170 may be patterned for each pixel area. In this case, the organic light emitting layer 170 may be composed of a single layer made of a light emitting material, and in order to increase light emitting efficiency, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer (emitting material layer), electrons It may have a multilayer structure of an electron transporting layer and an electron injection layer.

제2 전극(180)은 뱅크 홀을 통해 유기 발광층(170)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 제1 전극(160), 유기 발광층(170) 및 제2 전극(180)은 유기전계 발광다이오드(E)를 이루게 되며, 제 1 전극(160)은 애노드(anode)로, 그리고 제 2 전극(180)은 캐소드(cathode)로 구성할 수 있다.The second electrode 180 is electrically connected to the organic light emitting layer 170 through the bank hole. Here, the first electrode 160 , the organic light emitting layer 170 , and the second electrode 180 form an organic light emitting diode E, and the first electrode 160 serves as an anode, and the second electrode 180 may be configured as a cathode.

이러한 유기전계 발광다이오드(E)는 선택된 색 신호에 따라 제1 전극(160)과 제2 전극(180)으로 일정한 전압이 인가되면, 제1 전극(160)으로부터 주입된 정공과 제2 전극(180)으로부터 제공된 전자가 유기 발광층(170)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루게 된다. 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다. 이때, 발광된 빛은 투명한 제2 전극(180)을 통과하여 외부로 출사된다.
In the organic light emitting diode E, when a constant voltage is applied to the first electrode 160 and the second electrode 180 according to a selected color signal, holes injected from the first electrode 160 and the second electrode 180 are ) provided by electrons are transported to the organic light emitting layer 170 to form excitons. When these excitons transition from an excited state to a ground state, light is generated and emitted in the form of visible light. At this time, the emitted light passes through the transparent second electrode 180 and is emitted to the outside.

제1 비드층(150)은 복수의 신호 배선(120, 130)과 중첩하여 배치되고, 제2 비드층(152)은 광 차단 패턴(112)과 중첩하여 배치된다. 이때, 제1 비드층(150)은 복수의 신호 배선(120, 130)과 중첩된 하부, 보다 구체적으로는 게이트 배선(120), 데이터 배선(130) 및 전원공급 배선(미도시)과 중첩된 하부에 각각 배치되어 있을 수 있다.The first bead layer 150 is disposed to overlap the plurality of signal wires 120 and 130 , and the second bead layer 152 is disposed to overlap the light blocking pattern 112 . At this time, the first bead layer 150 overlaps with the plurality of signal wirings 120 and 130, and more specifically, overlaps with the gate wiring 120 , the data wiring 130 and the power supply wiring (not shown). They may be respectively disposed on the lower part.

여기서, 제1 비드층(150)은 게이트 전극(122)의 하부에도 배치될 수 있으나, 게이트 전극(125) 하부에는 제1 비드층(150)을 설계하지 않아도 무방하다. 또한, 본 발명의 제1 실시예의 경우, 제2 비드층(152)은 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 중첩된 하부에는 배치하지 않는 것이 바람직한데, 이는 제1 비드층(150)을 소스 및 드레인 전극(132, 134)과 중첩된 하부에 배치할 경우, 반도체층(140)과 소스 및 드레인 전극(132, 134) 간의 컨택시, 제1 비드층(150)에 의해 접촉 불량이 야기될 수 있기 때문이다.Here, the first bead layer 150 may be disposed under the gate electrode 122 , but it is not necessary to design the first bead layer 150 under the gate electrode 125 . In addition, in the case of the first embodiment of the present invention, the second bead layer 152 is preferably not disposed in the lower portion overlapping the source and drain electrodes 132 and 134, which is the first bead layer 150, the source and when disposed under the overlapping portions of the drain electrodes 132 and 134 , when the semiconductor layer 140 and the source and drain electrodes 132 and 134 are in contact, poor contact may be caused by the first bead layer 150 . because it can

이러한 제1 및 제2 비드층(150, 152) 각각은 1.5 ~ 2.5의 굴절률을 갖는 복수의 비드(도 3의 153)를 포함할 수 있다. 이때, 복수의 비드는 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 가짐으로써, 굴절율 차이에 따라 재 반사되는 빛의 파장 및 빛의 방향을 바꾸어 산란되도록 하기 위해 어두운 계열의 색상을 갖는 CeFx, Al2O3, ZrOx, TiOx 및 Nb2Ox 중 선택된 1종 이상의 재질을 이용하는 것이 바람직하다.Each of the first and second bead layers 150 and 152 may include a plurality of beads ( 153 in FIG. 3 ) having a refractive index of 1.5 to 2.5. At this time, since the plurality of beads have a high refractive index of 1.5 to 2.5, CeFx, Al 2 O 3 , ZrOx having a dark color in order to be scattered by changing the wavelength and direction of the re-reflected light according to the difference in refractive index It is preferable to use at least one material selected from among , TiOx and Nb 2 Ox.

비드는 10 ~ 1000nm의 평균 직경을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이, 10 ~ 1000nm의 평균 직경을 갖는 비드를 이용해야 가시광선 영역에서 녹색 파장대의 확산 반사율을 극대화하는데 유리하여 시인성을 확보할 수 있게 된다.The beads preferably have an average diameter of 10 to 1000 nm. As such, it is advantageous to maximize the diffuse reflectance of the green wavelength band in the visible ray region when the beads having an average diameter of 10 to 1000 nm are used, and thus visibility can be secured.

이때, 제1 및 제2 비드층(150, 152)은 증착, 코팅 등의 방식에 의해 형성될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 비드층(150, 152)은 스핀 코팅 방식, 프린팅 코팅 방식, 스퍼터링 증착 방식, 화학 기상 증착 방식, 원자빔 증착 방식 등에서 선택된 어느 하나에 의해 형성될 수 있다.In this case, the first and second bead layers 150 and 152 may be formed by deposition, coating, or the like. That is, the first and second bead layers 150 and 152 may be formed by any one selected from a spin coating method, a printing coating method, a sputtering deposition method, a chemical vapor deposition method, an atomic beam deposition method, and the like.

따라서, 제1 비드층(150)은 복수의 신호 배선(120, 130), 보다 구체적으로는 게이트 배선(120)과, 데이터 배선(130) 및 전원공급 배선을 형성하기에 앞서 사전에 증착, 코팅 등의 방식으로 미리 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 제2 비드층(152)은 광 차단 패턴(112)을 형성하기에 앞서 사전에 증착, 코팅 등의 방식으로 미리 형성하는 것이 바람직하다.
Accordingly, the first bead layer 150 is deposited and coated in advance before forming the plurality of signal wirings 120 and 130 , more specifically, the gate wiring 120 , the data wiring 130 , and the power supply wiring. It is preferable to form in advance in such a way. In addition, the second bead layer 152 is preferably formed in advance by deposition, coating, or the like prior to forming the light blocking pattern 112 .

한편, 도 3은 도 2의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면으로, 도 2와 연계하여 설명하도록 한다.Meanwhile, FIG. 3 is an enlarged view of part A of FIG. 2 , and will be described in conjunction with FIG. 2 .

도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 광 차단 패턴(112) 및 복수의 신호 배선(120, 130) 각각은 단층 구조 또는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 이때, 광 차단 패턴(112) 및 복수의 신호 배선(120, 130)은 저반사 특성을 구현하기 위해 2층 이상의 다층 구조가 적용될 수 있다.2 and 3 , each of the light blocking pattern 112 and the plurality of signal wirings 120 and 130 may have a single-layer structure or a multi-layer structure of two or more layers. In this case, a multilayer structure of two or more layers may be applied to the light blocking pattern 112 and the plurality of signal wirings 120 and 130 to realize low reflection characteristics.

일 예로, 광 차단 패턴(112)은 최 하부에 배치되는 하부 금속층(112a)과, 하부 금속층(112a) 상에 적층된 중간 금속층(112b)과, 중간 금속층(112b) 상에 적층된 상부 금속층(112c)을 갖는 3층 구조를 가질 수 있다.For example, the light blocking pattern 112 includes a lower metal layer 112a disposed at the lowermost portion, an intermediate metal layer 112b stacked on the lower metal layer 112a, and an upper metal layer stacked on the intermediate metal layer 112b ( 112c) may have a three-layer structure.

이때, 광 차단 패턴(112)은 반도체층(140)과 중첩된 하부에 배치되는데 기인하여 제2 비드층(152) 상에 직접 형성시킬 경우, 그 형태가 변형될 우려가 있을 뿐만 아니라 반도체층(140)의 특성을 열화시킬 수 있다. 따라서, 광 차단 패턴(112)과 제2 비드층(152) 사이에는 비드 평탄화층(114)을 배치하는 것이 보다 바람직하다.At this time, when the light blocking pattern 112 is directly formed on the second bead layer 152 due to being disposed on the lower portion overlapping the semiconductor layer 140 , there is a risk that the shape thereof may be deformed as well as the semiconductor layer ( 140) may deteriorate. Therefore, it is more preferable to dispose the bead planarization layer 114 between the light blocking pattern 112 and the second bead layer 152 .

이러한 비드 평탄화층(114)은 포토아크릴(Photo Acryl)과 같은 유기절연물질을 이용하여 100 ~ 1000nm의 두께를 갖도록 형성하는 것이 바람직하다. 이때, 비드 평탄화층(114)의 두께가 100nm 미만일 경우에는 제2 비드층(152)을 완벽하게 덮는 것이 어려워 평탄화 효과를 제대로 발휘하지 못할 우려가 있다. 반대로, 비드 평탄화층(152)의 두께가 1000nm를 초과할 경우에는 더 이상의 효과 상승 없이 두께 증가로 인해 단차 불량을 야기할 수 있으므로 바람직하지 못하다.
The bead planarization layer 114 is preferably formed to have a thickness of 100 to 1000 nm using an organic insulating material such as photo acryl. At this time, when the thickness of the bead planarization layer 114 is less than 100 nm, it is difficult to completely cover the second bead layer 152 , and there is a fear that the planarization effect may not be properly exhibited. Conversely, when the thickness of the bead planarization layer 152 exceeds 1000 nm, it is not preferable because it may cause a step defect due to an increase in thickness without further increasing the effect.

이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 복수의 신호 배선(120, 130)과 광 차단 패턴(112)의 하부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드층(150, 152)이 각각 설계된다. 이에 따라, 외부로부터 입사되는 광을 제1 및 제2 비드층(150, 152)에 각각 구비되는 복수의 비드(153)에 의해 흡수되거나, 복수의 비드(153)에 의해 기판(110) 방향으로 반사될 수 있으므로, 경면 반사는 감소하고 확산 반사는 증가되어 실제 인지되는 전체 반사율이 감소하게 되어 명실 콘트라스트(ambient contrast ratio)가 증가된다.As described above, the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention has first and second high refractive indexes of 1.5 to 2.5 under the plurality of signal wires 120 and 130 and the light blocking pattern 112 . Bead layers 150 and 152 are designed, respectively. Accordingly, the light incident from the outside is absorbed by the plurality of beads 153 provided in the first and second bead layers 150 and 152 , respectively, or toward the substrate 110 by the plurality of beads 153 . Since it can be reflected, specular reflection is reduced and diffuse reflection is increased, thereby reducing the total reflectance actually perceived and increasing the ambient contrast ratio.

따라서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 제1 및 제2 비드층(150, 152)의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 수 있게 된다. 이 결과, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 편광판을 부착하는 것 없이도 정반사율이 감소될 수 있고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하여 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질 특성을 개선할 수 있다.Accordingly, in the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, due to the design of the first and second bead layers 150 and 152 , the specular reflectance, which has a large effect on the reflection visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased to increase the image quality. Thus, excellent properties can be obtained. As a result, in the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, the specular reflectance can be reduced without attaching a polarizing plate, and the diffuse reflection is increased to reduce the perceived luminous reflection, so that image reflection can be improved. Therefore, image quality characteristics can be improved.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 패널(100)은 제1 및 제2 비드층(150, 152)이 복수의 신호 배선(120, 130) 및 광 차단 패턴(112)과 중첩된 하부에만 배치되기 때문에 표시 영역의 개구부에는 비드가 위치하지 않게 되므로 빛이 산란될 염려가 없어 선명한 영상을 구현할 수 있게 된다.
In addition, in the display panel 100 according to the first embodiment of the present invention, the lower portion of the first and second bead layers 150 and 152 overlapping the plurality of signal wires 120 and 130 and the light blocking pattern 112 . Since the bead is not positioned in the opening of the display area, there is no concern about light scattering, thereby realizing a clear image.

한편, 도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널을 나타낸 단면도이고, 도 5는 도 4의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면이다.Meanwhile, FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an organic electroluminescent display panel according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an enlarged view of part B of FIG. 4 .

도 4 및 도 5에 도시된 바와, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(200)은 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한 제1 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(도 2의 100)과 비드의 적용 구조를 제외하고는 실질적으로 동일한 구성을 갖는바, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대하여 중점적으로 설명하도록 한다.
As shown in FIGS. 4 and 5 , the organic electroluminescent display panel 200 according to the second embodiment of the present invention is an organic electroluminescent display panel 200 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3 . Since the display panel (100 in FIG. 2) and the bead have substantially the same configuration except for the applied structure, the overlapping description will be omitted and the differences will be mainly described.

본 발명의 제2 실시예에 따른 유기전계발광 방식의 디스플레이 패널(200)은, 제1 실시예와 다르게, 복수의 신호 배선(220, 230)에 삽입된 제1 비드(251) 및 광 차단 패턴(212)에 삽입된 제2 비드(253)를 포함한다.Unlike the first embodiment, the organic electroluminescent display panel 200 according to the second embodiment of the present invention has a first bead 251 and a light blocking pattern inserted into the plurality of signal wires 220 and 230 . and a second bead 253 inserted in 212 .

이때, 제1 및 제2 비드(251, 253)는 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)을 각각 증착 공정으로 형성할 시, 듀얼 스퍼터링 방식으로 동시 증착을 실시하는 것을 통해 형성될 수 있다.At this time, when the first and second beads 251 and 253 are formed by a deposition process of the plurality of signal wires 220 and 230 and the light blocking pattern 212, respectively, through simultaneous deposition by a dual sputtering method. can be formed.

즉, 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)을 형성하기 위한 각각의 제조 단계시, 금속 증착과 동시에 제1 및 제2 비드(251, 253)를 함께 증착하여 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)의 내부에 제1 및 제2 비드(251, 253)를 램덤하게 분산 배치시키게 된다. 이에 따라, 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)을 형성함과 동시에 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)의 내부에는 제1 및 제2 비드(251, 253)가 각각 삽입될 수 있다.That is, in each manufacturing step for forming the plurality of signal wirings 220 and 230 and the light blocking pattern 212, the first and second beads 251 and 253 are deposited together at the same time as the metal deposition to form the plurality of signal lines. The first and second beads 251 and 253 are randomly dispersed inside the wiring 220 and 230 and the light blocking pattern 212 . Accordingly, the plurality of signal wires 220 and 230 and the light blocking pattern 212 are formed, and at the same time, the first and second beads ( 251 and 253) may be inserted respectively.

따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은, 제1 실시예와 달리, 별도의 비드층을 설계할 필요가 없으므로 공정이 간소화될 수 있게 된다.Accordingly, in the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, unlike the first embodiment, there is no need to design a separate bead layer, so that the process can be simplified.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)의 경우에는 소스 및 드레인 전극(232, 234)의 내부에 제1 비드(251)가 배치되더라도, 제1 비드(251)와 금속이 동시 증착에 의해 형성됨에 따라 소스 및 드레인 전극(232, 234)의 전도성 확보가 가능하여 반도체층(240)과의 접촉 불량이 발생할 염려가 없게 된다.In addition, in the case of the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, even if the first bead 251 is disposed inside the source and drain electrodes 232 and 234, the first bead 251 and the metal As it is formed by simultaneous deposition, conductivity of the source and drain electrodes 232 and 234 can be secured, so that there is no risk of contact failure with the semiconductor layer 240 .

이때, 광 차단 패턴(212) 및 복수의 신호 배선(220, 230) 각각은 단층 구조 또는 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 이때, 광 차단 패턴(212) 및 복수의 신호 배선(220, 230) 각각은 저반사 특성을 구현하기 위해 2층 이상의 다층 구조가 적용될 수 있다.In this case, each of the light blocking pattern 212 and the plurality of signal wires 220 and 230 may have a single-layer structure or a multi-layer structure of two or more layers. In this case, a multilayer structure of two or more layers may be applied to each of the light blocking pattern 212 and the plurality of signal wires 220 and 230 to implement low reflection characteristics.

일 예로, 복수의 신호 배선(220, 230), 보다 구체적으로 데이터 배선(230)은 최 하부에 배치되는 하부 금속층(230a)과, 하부 금속층(230a) 상에 적층된 중간 금속층(230b)과, 중간 금속층(230b) 상에 적층된 상부 금속층(230c)을 갖는 3층 구조를 가질 수 있다. 이와 마찬가지로, 광 차단 패턴(212)은 하부 금속층(미도시), 중간 금속층(미도시) 및 상부 금속층(미도시)이 차례로 적층된 3층 구조를 가질 수 있다.For example, the plurality of signal wires 220 and 230, and more specifically, the data wires 230 include a lower metal layer 230a disposed at the lowermost portion, an intermediate metal layer 230b stacked on the lower metal layer 230a, It may have a three-layer structure having an upper metal layer 230c stacked on the intermediate metal layer 230b. Similarly, the light blocking pattern 212 may have a three-layer structure in which a lower metal layer (not shown), an intermediate metal layer (not shown), and an upper metal layer (not shown) are sequentially stacked.

이 경우, 광 차단 패턴(212) 및 복수의 신호 배선(220, 230)을 3층 구조로 설계할 시, 최 하부에 배치되는 하부 금속층(230a)에만 제1 비드(251) 및 제2 비드(253)를 동시 증착하는 것만으로도 하부 금속층(230a), 중간 금속층(230b) 및 상부 금속층(230c) 전체에 제1 및 제2 비드(251, 253)를 동시 증착한 것과 동일한 효과를 나타낼 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 비드(251, 253)를 중간 금속층(230b) 및 상부 금속층(230c)에 삽입 배치하는 것은 제조 비용만을 증가시키는 요인으로 작용할 수 있으므로, 제1 및 제2 비드(251, 253)는 하부 금속층(230a)에만 삽입 배치하는 것이 바람직하다.In this case, when the light blocking pattern 212 and the plurality of signal wirings 220 and 230 are designed in a three-layer structure, only the first bead 251 and the second bead ( 253) can exhibit the same effect as the simultaneous deposition of the first and second beads 251 and 253 on the entire lower metal layer 230a, the middle metal layer 230b, and the upper metal layer 230c. . Therefore, inserting the first and second beads 251 and 253 in the intermediate metal layer 230b and the upper metal layer 230c may act as a factor to increase only the manufacturing cost, so the first and second beads 251, 251, 253 is preferably inserted only in the lower metal layer 230a.

이때, 하부 금속층(230a)의 재질로는 Cu, Mo 및 MoTi 중 선택된 1종 이상이 이용될 수 있다. 그리고, 중간 금속층(230b)의 재질로는 투명 재질의 ITO, IZO 및 ITZO 중 선택된 1종 이상이 이용될 수 있다. 또한, 상부 금속층(230c)의 재질로는 Mo 및 Cu 중 선택된 1종 이상이 이용될 수 있다.At this time, as a material of the lower metal layer 230a, at least one selected from Cu, Mo, and MoTi may be used. In addition, as a material of the intermediate metal layer 230b, at least one selected from among transparent materials ITO, IZO, and ITZO may be used. In addition, as a material of the upper metal layer 230c, at least one selected from Mo and Cu may be used.

이와 같이, 하부 금속층(230a) 및 상부 금속층(230c)의 재질로는 불투명한 금속 재질을 이용하고, 중간 금속층(230b)의 재질로는 투명한 금속 재질을 이용하는 것에 의해 저반사 특성을 구현할 수 있게 된다.
In this way, by using an opaque metal material as the material of the lower metal layer 230a and the upper metal layer 230c, and using a transparent metal material as the material of the intermediate metal layer 230b, low reflection characteristics can be realized. .

전술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은 복수의 신호 배선(220, 230)과 광 차단 패턴(212)의 내부에 1.5 ~ 2.5의 고굴절율을 갖는 제1 및 제2 비드(251, 253)가 삽입 배치된다. 이에 따라, 외부로부터 입사되는 광이 제1 및 제2 비드(251, 253)에 의해 흡수되거나, 제1 및 제2 비드(251, 253)에 의해 기판(210) 방향으로 반사될 수 있으므로, 경면 반사는 감소하고 확산 반사는 증가되어 실제 인지되는 전체 반사율이 감소하게 되어 명실 콘트라스트(ambient contrast ratio)가 증가된다.The display panel 200 according to the second embodiment of the present invention described above has first and second beads having a high refractive index of 1.5 to 2.5 inside the plurality of signal wires 220 and 230 and the light blocking pattern 212 . (251, 253) is insertedly arranged. Accordingly, since light incident from the outside may be absorbed by the first and second beads 251 and 253 or reflected in the direction of the substrate 210 by the first and second beads 251 and 253, a mirror surface Reflection decreases and diffuse reflection increases, which reduces the actual perceived total reflectance and increases the ambient contrast ratio.

따라서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은 제1 및 제2 비드(251, 253)의 설계로 반사 시인성에 영향이 큰 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 화질적으로 우수한 특성을 확보할 있게 된다. 이 결과, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은 정반사율은 감소되고, 확산 반사는 증가되어 인지되는 반사 시감은 감소하고, 상 비침을 개선할 수 있으므로 화질을 개선할 수 있게 된다.Accordingly, in the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, due to the design of the first and second beads 251 and 253, the specular reflectance, which has a large effect on the reflection visibility, is reduced, and the diffuse reflection is increased to improve image quality. to ensure excellent properties. As a result, in the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, the specular reflectance is reduced and the diffuse reflection is increased, so that the perceived reflective luminance is reduced, and image reflection can be improved, so that the image quality can be improved. do.

또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은 제1 및 제2 비드(251, 253)가 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)의 내부에만 삽입 배치되기 때문에 표시 영역의 개구부에는 비드가 위치하지 않게 되므로 빛이 산란될 염려가 없어 선명한 영상을 구현할 수 있게 된다.In addition, in the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, the first and second beads 251 and 253 are inserted only inside the plurality of signal wires 220 and 230 and the light blocking pattern 212 . Therefore, since the beads are not positioned in the opening of the display area, there is no concern about light scattering, thereby realizing a clear image.

이에 더불어, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 패널(200)은 제1 및 제2 비드(251, 253)가 복수의 신호 배선(220, 230) 및 광 차단 패턴(212)을 각각 증착 공정으로 형성할 시, 듀얼 스퍼터링 방식으로 동시 증착을 실시하는 것을 통해 함께 형성되므로, 별도의 비드층을 설계할 필요가 없으므로 공정 단순화를 도모할 수 있다.
In addition, in the display panel 200 according to the second embodiment of the present invention, the first and second beads 251 and 253 deposit the plurality of signal wires 220 and 230 and the light blocking pattern 212, respectively. Since it is formed together by performing simultaneous deposition in a dual sputtering method, there is no need to design a separate bead layer, thereby simplifying the process.

한편, 도 6은 실시예 1 ~ 2 및 비교예 1 ~ 2에 대한 파장대별 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.Meanwhile, FIG. 6 is a graph showing the results of measuring the reflectance for each wavelength band for Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2;

이때, 실시예 1은 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 Nb2O3를 이용하여 제1 및 제2 비드층을 형성한 것을 적용하였다. 그리고, 비교예 1은 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 제1 및 제2 비드층을 각각 형성하지 않았다. 여기서, 실시예 1 및 비교예 1에 각각 기재된 복수의 신호 배선은 Cu 단층 구조로 형성하였고, 광 차단 패턴은 MoTi 단층 구조로 형성하였다.In this case, Example 1 was applied to form the first and second bead layers using Nb 2 O 3 on the lower portion overlapped with the plurality of signal wirings and light blocking patterns. Further, in Comparative Example 1, the first and second bead layers were not respectively formed on the lower portions overlapping the plurality of signal wirings and the light blocking patterns. Here, the plurality of signal wirings described in Example 1 and Comparative Example 1, respectively, were formed in a single Cu single layer structure, and the light blocking pattern was formed in a MoTi single layer structure.

또한, 실시예 2는 3층 구조를 적용한 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 TiO2를 이용하여 제1 및 제2 비드층을 각각 형성한 것을 적용하였다. 그리고, 비교예 2는 3층 구조를 적용한 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 제1 및 제2 비드층을 각각 형성하지 않았다. 여기서, 실시예 2는 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴을 Mo/ITO/Mo의 3층 구조로 각각 형성하였다. 그리고, 비교예 2는 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴을 Mo/ITO/Mo의 3층 구조로 각각 형성하였다.In addition, in Example 2, the first and second bead layers were respectively formed using TiO 2 in the lower portion overlapped with the plurality of signal wirings and light blocking patterns to which the three-layer structure was applied. Further, in Comparative Example 2, the first and second bead layers were not respectively formed on the lower portions overlapping the plurality of signal wirings and light blocking patterns to which the three-layer structure was applied. Here, in Example 2, a plurality of signal wirings and light blocking patterns were respectively formed in a three-layer structure of Mo/ITO/Mo. And, in Comparative Example 2, a plurality of signal wirings and light blocking patterns were respectively formed in a three-layer structure of Mo/ITO/Mo.

1) 측정장비 : DMS-8031) Measuring equipment: DMS-803

2) 측정조건 : Halogen lamp
2) Measurement condition: Halogen lamp

도 6에 도시된 바와 같이, 실시예 1의 경우, 비교예 1에 비하여 전체 반사율(경면반사 + 확산반사)이 대략 25% 감소하였다.As shown in FIG. 6 , in the case of Example 1, the total reflectance (specular reflection + diffuse reflection) was reduced by approximately 25% compared to Comparative Example 1.

그리고, 실시예 2의 경우도, 비교예 2에 비하여 전체 반사율(경면반사 + 확산반사)이 감소한 것을 확인할 수 있다.Also, in the case of Example 2, it can be confirmed that the total reflectance (specular reflection + diffuse reflection) is reduced compared to Comparative Example 2.

위의 실험 결과를 토대로 알 수 있는 바와 같이, 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴과 중첩된 하부에 제1 및 제2 비드층을 형성할 경우, 전체 반사율이 감소하였다. 특히, 실시예 2와 같이 복수의 신호 배선 및 광 차단 패턴으로 3층 구조에 제1 및 제2 비드층을 적용할 시 전체 반사율이 가장 많이 감소한 것을 확인할 수 있다.
As can be seen based on the above experimental results, when the first and second bead layers are formed under overlapping the plurality of signal wirings and light blocking patterns, the total reflectance is reduced. In particular, it can be seen that when the first and second bead layers are applied to the three-layer structure with a plurality of signal wirings and light blocking patterns as in Example 2, the total reflectance is the most reduced.

도 7은 실시예 1 및 비교예 1에 대한 디스플레이 패널의 전체 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing the results of measuring the total reflectance of the display panel for Example 1 and Comparative Example 1. Referring to FIG.

도 7에 도시된 바와 같이, 실시예 1의 경우, 비교예 1에 비하여, 비드 적용으로 패널의 전체 반사율(경면반사 + 확산반사)이 대략 7% 정도 감소하였다.
As shown in FIG. 7 , in the case of Example 1, compared to Comparative Example 1, the total reflectance (specular reflection + diffuse reflection) of the panel was reduced by about 7% by applying the bead.

도 8은 실시예 1 및 비교예 1에 대한 디스플레이 패널의 경면 반사율을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the results of measuring the specular reflectance of the display panel for Example 1 and Comparative Example 1. Referring to FIG.

도 8에 도시된 바와 같이, 비교예 1의 경우에는 경면 반사율이 70.4%로 측정되었으나, 실시예 1의 경우에는 비드 적용으로 경면 반사율이 5.1%로 확연히 낮아진 것을 확인할 수 있다.As shown in FIG. 8 , in the case of Comparative Example 1, the specular reflectance was measured to be 70.4%, but in the case of Example 1, it can be seen that the specular reflectance was significantly lowered to 5.1% by applying the bead.

위의 실험 결과를 토대로, 비드를 적용할 시 경면 반사율의 감소율이 크며, 확산 반사가 증가되어 전체 반사율이 같더라도 반사율 시인성이 현저히 감소되어 화질적 이점이 있다는 것을 확인하였다.
Based on the above experimental results, it was confirmed that when beads were applied, the decrease in specular reflectance was large, and diffuse reflection was increased, so that even though the total reflectance was the same, reflectance visibility was significantly reduced, resulting in an image quality advantage.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 따라서, 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해할 수 있을 것이다.
In the above, although the embodiment of the present invention has been mainly described, various changes or modifications may be made at the level of those skilled in the art. Accordingly, it will be understood that such changes and modifications are included within the scope of the present invention without departing from the scope of the present invention.

100 : 디스플레이 패널 110 : 기판
112 : 광 차단 패턴 115 : 버퍼층
120 : 게이트 배선 122 : 게이트 전극
125 : 게이트 절연막 130 : 데이터 배선
132, 134 : 소스 및 드레인 전극 135 : 층간 절연막
140 : 반도체층 145 : 평탄화막
150 : 제1 비드층 152 : 제2 비드층
160 : 제1 전극 165 : 뱅크층
170 : 유기 발광층 180 : 제2 전극
190 : 컬러필터 E : 유기발광 다이오드
Tr : 박막 트랜지스터100: display panel 110: substrate
112: light blocking pattern 115: buffer layer
120: gate wiring 122: gate electrode
125: gate insulating film 130: data wiring
132, 134: source and drain electrodes 135: interlayer insulating film
140: semiconductor layer 145: planarization film
150: first bead layer 152: second bead layer
160: first electrode 165: bank layer
170: organic light emitting layer 180: second electrode
190: color filter E: organic light emitting diode
Tr: thin film transistor

Claims (15)

기판 상에 구비된 복수의 신호 배선과 박막 트랜지스터;
상기 박막 트랜지스터와 중첩하여 배치된 광 차단 패턴;
상기 복수의 신호 배선에 포함되고 복수의 비드를 포함하는 제1 비드층; 및
상기 광 차단 패턴에 포함되고 복수의 비드를 포함하는 제2 비드층을 포함하고,
상기 제1 비드층과 상기 제2 비드층은 서로 이격되며 발광부를 제외한 영역에 배치되는 디스플레이 패널.
a plurality of signal wirings and thin film transistors provided on the substrate;
a light blocking pattern overlapping the thin film transistor;
a first bead layer included in the plurality of signal lines and including a plurality of beads; and
and a second bead layer included in the light blocking pattern and including a plurality of beads,
The first bead layer and the second bead layer are spaced apart from each other and disposed in an area excluding the light emitting part.
 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제2 비드층 각각은
1.5 ~ 2.5의 굴절률을 갖는 복수의 비드를 포함하는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
Each of the first and second bead layers
A display panel comprising a plurality of beads having a refractive index of 1.5 to 2.5.
 제2항에 있어서,
상기 비드는
CeFx, Al2O3, ZrOx, TiOx 및 Nb2Ox 중 선택된 1종 이상을 포함하는 디스플레이 패널.
3. The method of claim 2,
the bead
A display panel comprising at least one selected from CeFx, Al 2 O 3 , ZrOx, TiOx, and Nb 2 Ox.
 제2항에 있어서,
상기 비드는
10 ~ 1000nm의 평균 직경을 갖는 디스플레이 패널.
3. The method of claim 2,
the bead
A display panel with an average diameter of 10 to 1000 nm.
 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 광 차단 패턴 및 복수의 신호 배선 각각은
단층 또는 다층 구조를 갖는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
Each of the light blocking pattern and the plurality of signal wirings is
A display panel having a single-layer or multi-layer structure.
 제1항에 있어서,
상기 박막 트랜지스터에 접속된 제1 전극과,
상기 제1 전극을 노출시키는 뱅크 홀을 갖는 뱅크층과,
상기 뱅크 홀에 의해 노출된 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층과,
상기 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극을 더 포함하는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
a first electrode connected to the thin film transistor;
a bank layer having a bank hole exposing the first electrode;
an organic light emitting layer disposed on the first electrode exposed by the bank hole;
A display panel further comprising a second electrode disposed on the organic light emitting layer.
 제1항에 있어서,
상기 제1 비드층은 상기 복수의 신호 배선 내에 삽입되고,
상기 제2 비드층은 상기 광 차단 패턴 내에 삽입되는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
the first bead layer is inserted into the plurality of signal wirings;
The second bead layer is inserted into the light blocking pattern display panel.
 제1항에 있어서,
상기 광 차단 패턴 및 복수의 신호 배선 각각은
최 하부에 배치되는 하부 금속층과,
상기 하부 금속층 상에 적층된 중간 금속층과,
상기 중간 금속층 상에 적층된 상부 금속층을 갖는 3층 구조인 디스플레이 패널.
According to claim 1,
Each of the light blocking pattern and the plurality of signal wirings is
a lower metal layer disposed at the lowermost portion;
an intermediate metal layer laminated on the lower metal layer;
A display panel having a three-layer structure having an upper metal layer laminated on the intermediate metal layer.
 제10항에 있어서,
상기 하부 금속층은 Mo 및 MoTi 중 선택된 1종 이상의 금속 재질이고,
상기 중간 금속층은 ITO, IZO 및 ITZO 중 선택된 1종 이상의 금속 재질이며,
상기 상부 금속층은 Mo 및 Cu 중 선택된 1종 이상의 금속 재질인 디스플레이 패널.
11. The method of claim 10,
The lower metal layer is made of at least one metal material selected from Mo and MoTi,
The intermediate metal layer is made of one or more metal materials selected from ITO, IZO and ITZO,
The upper metal layer is a display panel made of at least one metal material selected from Mo and Cu.
 제10항에 있어서,
상기 제1 비드층 및 제2 비드층 각각은
상기 하부 금속층에 삽입 배치된 디스플레이 패널.
11. The method of claim 10,
Each of the first bead layer and the second bead layer
A display panel inserted into the lower metal layer.
 제1항에 있어서,
상기 제1 비드층은 상기 복수의 신호 배선의 하부에 위치하고,
상기 제2 비드층은 상기 광 차단 패턴의 하부에 위치하는 디스플레이 패널.
According to claim 1,
The first bead layer is located under the plurality of signal wiring,
The second bead layer is located under the light blocking pattern display panel.
 제13항에 있어서,
상기 광 차단 패턴과 상기 제2 비드층 사이에 배치된 비드 평탄화층을 더 포함하는 디스플레이 패널.
14. The method of claim 13,
The display panel further comprising a bead planarization layer disposed between the light blocking pattern and the second bead layer.
 제14항에 있어서,
상기 비드 평탄화층은
100 ~ 1000nm의 두께를 갖는 디스플레이 패널.
15. The method of claim 14,
The bead planarization layer is
A display panel with a thickness of 100 to 1000 nm.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070103807A (en) * 2006-04-20 2007-10-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Substrate assembly and method of manufacturing thereof, and display substrate using the same
JP2010182449A (en) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp Organic electroluminescent display device
KR101912923B1 (en) * 2011-12-12 2018-10-30 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and manufacturing method of the same
KR102068089B1 (en) * 2013-06-28 2020-01-20 엘지디스플레이 주식회사 Oxide semiconductor thin film transistor, method for fabricating tft, array substrate for display device having tft and method for fabricating the same
KR102112979B1 (en) * 2013-11-20 2020-05-20 엘지디스플레이 주식회사 Liquid crystal display device and method of fabricating the same
KR102187791B1 (en) * 2014-04-14 2020-12-07 엘지이노텍 주식회사 Touch panel and touch device with the same

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