KR102457876B1 - Laser processing method - Google Patents

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KR102457876B1 KR1020200160708A KR20200160708A KR102457876B1 KR 102457876 B1 KR102457876 B1 KR 102457876B1 KR 1020200160708 A KR1020200160708 A KR 1020200160708A KR 20200160708 A KR20200160708 A KR 20200160708A KR 102457876 B1 KR102457876 B1 KR 102457876B1
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Abstract

본 발명은 레이저를 이용하여 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 반도체 자재가 접착될 접착층만 남겨두고 반도체 자재가 접착되지 않는 비접착부의 접착층을 필링 제거할 수 있으며, 필링 제거하는 과정에서 레이저 가공 패턴을 이용하여 접착제를 원하는 방향으로 밀어내어 제거할 수 있게 된다. 본 발명에 따르면, 반도체 자재에 대한 스퍼터링 공정 후 반도체 자재를 스퍼터링 프레임으로부터 분리시 버(burr) 발생을 방지하여 불량률을 낮추고 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 공정시간을 단축시켜 수율(Unit Per Hour; UPH)을 향상시킬 수 있는, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 접착층 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing method for peeling an adhesive layer used in a sputtering process of a semiconductor material using a laser. Specifically, the present invention can peel and remove the adhesive layer of the non-adhesive part to which the semiconductor material is not adhered, leaving only the adhesive layer to which the semiconductor material is to be adhered, and pushes the adhesive in the desired direction using a laser processing pattern during the peeling removal process. can be removed. According to the present invention, when the semiconductor material is separated from the sputtering frame after the sputtering process for the semiconductor material, it is possible to reduce the defect rate and improve the reliability of the product by preventing the generation of burrs, and to shorten the process time and thus the yield (Unit Per Hour). ; UPH) can be improved, relates to a method for processing an adhesive layer for a sputtering process of a semiconductor material.

Description

레이저 가공 방법{Laser processing method}Laser processing method

본 발명은 레이저를 이용하여 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 반도체 자재에 대한 스퍼터링 공정 후 반도체 자재를 스퍼터링 프레임으로부터 분리시 버(burr) 발생을 방지하여 불량률을 낮추고 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 공정시간을 단축시켜 생산성(Unit Per Hour; UPH)을 향상시킬 수 있는 레이저 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a laser processing method for peeling an adhesive layer used in a sputtering process of a semiconductor material using a laser. Specifically, the present invention can reduce the defect rate and improve product reliability by preventing the generation of burrs when separating the semiconductor material from the sputtering frame after the sputtering process for the semiconductor material, and shorten the process time to improve productivity (Unit Per It relates to a laser processing method that can improve Hour (UPH).

일반적으로 반도체 제조공정은 전공정과 후공정으로 나뉘며, 반도체 전공정에서 웨이퍼 상에 회로를 새겨 넣는 패터닝(patterning) 과정을 마치고 나면 후공정에서 웨이퍼를 작은 칩 단위로 쪼개고, 외부의 다양한 자극으로부터 반도체 칩을 안전하게 보호할 수 있는 패키징(packaging)을 수행하게 된다.In general, the semiconductor manufacturing process is divided into a front process and a post process, and after the patterning process of engraving circuits on the wafer in the semiconductor front process is completed, the wafer is split into small chips in the post process, and the semiconductor is protected from various external stimuli. Packaging that can safely protect the chip is performed.

패키징 공정에서는 작은 크기로 절단된 칩이 전기적 신호를 송수신할 수 있도록 하기 위한 도체 연결 공정과 함께, 화학적 반응이나 온도 변화 등 외부 자극으로부터 반도체 칩을 보호하고, 인접하는 칩과의 간섭으로 인한 노이즈를 방지하기 위한 여러 가지 추가 공정이 이루어진다.In the packaging process, the semiconductor chip is protected from external stimuli such as chemical reactions or temperature changes, along with the conductor connection process to enable the chip cut into small sizes to transmit and receive electrical signals, and noise caused by interference with adjacent chips. A number of additional steps are taken to prevent this.

전술한 패키징을 거쳐 제조되는 반도체패키지는 다양한 종류가 있으며, 최근에는 소형화, 박형화, 다기능화 및 많은 양의 정보를 빠른 시간에 처리할 수 있는 고집적화 등 다양한 수요를 충족할 수 있는 반도체 자재가 요구되고 있는 실정이다.There are various types of semiconductor packages manufactured through the above-mentioned packaging, and in recent years, semiconductor materials that can meet various demands such as miniaturization, thinness, multi-functionality, and high integration that can process large amounts of information in a short time are required. there is a situation.

한편, 전술한 바와 같이 패키징 공정에 있어서, 인접하는 칩과의 간섭으로 인한 노이즈를 방지할 수 있도록 EMI(electro magnetic interference) 코팅을 형성하는 스퍼터링(sputtering) 공정을 수행하게 되는데, 칩 전극이 구비된 하부면을 제외한 나머지 5면에 코팅 처리를 하게된다.On the other hand, as described above, in the packaging process, a sputtering process of forming an EMI (electro magnetic interference) coating is performed to prevent noise due to interference with an adjacent chip. Coating is applied to the remaining 5 surfaces except for the lower surface.

도 1은 종래 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 수행하는 과정을 개략적으로 도시한 것이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 종래 스퍼터링 공정은 스퍼터링 프레임의 필름(20) 상부면에 반도체 자재(30)를 고정하기 위한 접착층(22)이 구비되고 상기 접착층(22) 상부면에 반도체 자재(30)를 고정한 상태로 상기 반도체 자재(30)의 하부면, 즉 상기 접착층(22)과의 접착면을 제외한 5개의 표면에 스퍼터링 증착층(32)을 형성하게 된다.1 schematically illustrates a process of performing a sputtering process of a conventional semiconductor material. As shown in Figure 1a, the conventional sputtering process is provided with an adhesive layer 22 for fixing the semiconductor material 30 to the upper surface of the film 20 of the sputtering frame, and the semiconductor material 30 on the upper surface of the adhesive layer 22 ) in a fixed state, the sputtering deposition layer 32 is formed on the lower surface of the semiconductor material 30 , that is, on five surfaces except for the adhesive surface with the adhesive layer 22 .

또한, 도 1b에 도시된 바와 같이, 스퍼터링 증착층(32)의 형성이 완료된 후 진공흡착 방식의 피커(picker, 70)로 반도체 자재(30)를 흡착 고정하고, 도 1c에 도시된 바와 같이, 상기 피커(70)를 승강시켜 반도체 자재(30)를 스퍼터링 프레임의 접착층(22)으로부터 분리한 후 후속 공정을 진행한다.In addition, as shown in Fig. 1b, after the formation of the sputtering deposition layer 32 is completed, the semiconductor material 30 is adsorbed and fixed with a vacuum adsorption type picker 70, and as shown in Fig. 1c, After the picker 70 is lifted to separate the semiconductor material 30 from the adhesive layer 22 of the sputtering frame, a subsequent process is performed.

그런데, 스퍼터링 증착층(32)은 증착가스가 상부에서 하부로 진행하면서 증착이 이루어지는데 이때 반도체 자재(30) 사이에 위치한 비접착부는 상면으로 증착 물질이 적층되므로 반도체 자재(30)의 측면보다 상대적으로 두껍게 형성되며 특히, 도 1과 같이 반도체 자재(30)의 측면 하부에 증착 물질이 상대적으로 얇게 형성된다. By the way, the sputtering deposition layer 32 is deposited while the deposition gas proceeds from the top to the bottom. At this time, the non-adhesive portion located between the semiconductor materials 30 is deposited on the top surface, so that the deposition material is stacked on the top surface of the semiconductor material 30 . In particular, the deposition material is formed to be relatively thin on the lower side of the side of the semiconductor material 30 as shown in FIG. 1 .

그리고, 이 상태에서 상기 피커(70)를 통해 반도체 자재(30)를 스퍼터링 프레임의 접착층(22)으로부터 분리하면 도 1c에 도시된 것처럼 하부의 두꺼운 부분이 함께 딸려오면서 버(burr, 32a)가 발생하게 된다.And, in this state, when the semiconductor material 30 is separated from the adhesive layer 22 of the sputtering frame through the picker 70 in this state, as shown in FIG. will do

특히 반도체 자재(30)의 측면과 사이 공백영역이 만나는 모서리 부분에서 스퍼터링 증착층(32)이 직각으로 깔끔하게 형성되지 않고 라운드 형태로 형성되기 때문에 반도체 자재(30)를 분리하면서 끊어질 때 버(32a) 발생 확률이 높아지게 된다.In particular, since the sputtering deposition layer 32 is not formed neatly at a right angle at the corner where the side surface of the semiconductor material 30 meets the blank region, but is formed in a round shape, when the semiconductor material 30 is broken while separating the burr 32a ) increases the probability of occurrence.

또한, 스퍼터링 증착층(32)과 반도체 자재(30)의 결합력과 스퍼터링 증착층(32)과 비접착부에 노출된 접착층(22)의 결합력 차이에 의해 상대적으로 결합력이 약한 부분이 먼저 분리되어 버 발생을 가중시킨다.In addition, due to the difference in the bonding force between the sputtering deposition layer 32 and the semiconductor material 30 and the bonding strength between the sputtering deposition layer 32 and the adhesive layer 22 exposed to the non-adhesive portion, the portion with relatively weak bonding strength is first separated and burrs are generated. weight the

이와 같이 스퍼터링 증착층(32)에 버(32a)가 발생하면 반도체 자재(30)의 주변 회로구성과의 관계에서 쇼트(short)를 발생시킴으로써 제품의 신뢰성을 떨어뜨리는 원인이 될 수 있다.As described above, when the burrs 32a are generated in the sputtering deposition layer 32 , a short occurs in relation to the peripheral circuit configuration of the semiconductor material 30 , thereby reducing the reliability of the product.

이에 공개특허 10-2017-59927에 기재된 바와 같이, 반도체 자재를 접착층으로부터 분리시 버(burr) 발생을 회피하거나 최소화하기 위해 반도체 자재를 접착층에 고정하기 전 접착층 중 반도체 자재가 접착될 부분을 제외한 나머지 부분을 미리 제거하는 방법을 사용하려 하였으나, 상기 접착층의 제거는 일반적으로 해당 부분의 접착층에 열을 가하여 태워 제거하거나 블레이드에 의해 제거하는 방식으로 이러한 제거 과정에서 발생하는 분진 또는 제거된 접착층이 남겨진 접착층 표면에 부착됨으로써 이러한 접착층과 반도체 자재 사이의 접착 불량을 유발하고, 결과적으로 스퍼터링 공정에서 증착가스가 접착층과 반도체 자재 사이에 침투하는 문제를 발생시킬 수 있고, 또한 공정시간을 증가시켜 수율(UPH)을 저하시킬 수 있다.Accordingly, as described in Korean Patent Application Publication No. 10-2017-59927, in order to avoid or minimize the occurrence of burrs when separating the semiconductor material from the adhesive layer, before fixing the semiconductor material to the adhesive layer, the remainder of the adhesive layer except for the part to which the semiconductor material is to be adhered An attempt was made to use a method of removing the part in advance, but the removal of the adhesive layer is generally removed by burning the adhesive layer of the part by applying heat or removing it with a blade. Adhering to the surface causes poor adhesion between the adhesive layer and the semiconductor material, and as a result, in the sputtering process, there may be a problem that the deposition gas penetrates between the adhesive layer and the semiconductor material, and also increases the process time to increase the yield (UPH) can lower the

따라서, 반도체 자재에 대한 스퍼터링 공정 후 반도체 자재를 스퍼터링 프레임으로부터 분리시 버(burr) 발생을 방지하여 불량률을 낮추면서도 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 공정시간을 단축시켜 수율(Unit Per Hour; UPH)을 향상시킬 수 있는, 반도체 자재의 스퍼터링 공정을 위한 접착층 가공 방법이 절실히 요구되고 있다.Therefore, when the semiconductor material is separated from the sputtering frame after the sputtering process for the semiconductor material, it is possible to improve the reliability of the product while reducing the defect rate by preventing the generation of burrs, and by shortening the process time, the yield (Unit Per Hour; UPH) ), which can improve, an adhesive layer processing method for the sputtering process of semiconductor materials is urgently required.

본 발명은 반도체 자재에 대한 스퍼터링 공정 후 반도체 자재를 스퍼터링 프레임으로부터 분리시 버(burr) 발생을 방지하여 불량률을 낮추고 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a laser processing method capable of reducing the defect rate and improving product reliability by preventing burrs from being generated when the semiconductor material is separated from the sputtering frame after the sputtering process for the semiconductor material.

또한, 본 발명은 공정시간을 단축시켜 수율(Unit Per Hour; UPH)을 향상시킬 수 있는 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 가공하는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a laser processing method for processing an adhesive layer used in a sputtering process of a semiconductor material that can improve the yield (Unit Per Hour; UPH) by shortening the process time.

또한, 본 발명은 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 방식으로 벗겨내어 제거하는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a laser processing method for peeling off the adhesive layer used in the sputtering process of the semiconductor material in a peeling manner.

또한, 본 발명은 접착층을 필링할 때 접착층을 완전 제거하지 않고 접착층을 필링하는 방식으로 일부 제거함으로써 접착층에 분진이 생기지 않아 오염을 방지하고 접착층 성능을 유지할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, the present invention does not completely remove the adhesive layer when peeling the adhesive layer, but partially removes the adhesive layer by peeling the adhesive layer so that no dust is generated in the adhesive layer, thereby preventing contamination and maintaining the adhesive layer performance It aims to provide a laser processing method do.

또한, 본 발명은 접착층을 쉽고 빠르게 제거하기 위한 최적의 필링을 위한 레이저 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a laser processing method for optimal peeling for easily and quickly removing an adhesive layer.

또한, 레이저 펄스 주기의 변경없이 제1 패턴 내지 제5 패턴을 가공하여 가공 속도를 향상시킬 수 있다.In addition, the processing speed may be improved by processing the first to fifth patterns without changing the laser pulse period.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은,In order to solve the above problems, the present invention,

레이저를 이용하여 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역을 제외한 접착층 필링 영역을 설정하는 단계; 상기 설정된 접착층 필링 영역에서 내측 테두리의 모서리에서 외측 방향 측으로 연장된 절개 라인을 따라 레이저를 조사하여 상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계; 및 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 방향 측으로 레이저를 조사하여 상기 접착층 필링 영역을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 필링하는 단계;를 포함하는 레이저 가공 방법을 제공한다.A laser processing method for peeling an adhesive layer used in a sputtering process of a semiconductor material using a laser, the laser processing method comprising: setting an adhesive layer peeling area excluding an area to which a lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed; cutting the incision line of the adhesive layer by irradiating a laser along the incision line extending from the edge of the inner edge toward the outside in the set adhesive layer peeling area; and gradually peeling the adhesive layer peeling region from the inside to the outside by irradiating a laser from the inner edge of the adhesive layer peeling region toward the outside.

여기서, 상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계는 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 따라 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Here, the step of cutting the cut line of the adhesive layer provides a laser processing method, characterized in that it further comprises the step of cutting the inner edge of the adhesive layer by irradiating the laser along the inner edge of the adhesive layer peeling area.

또한, 상기 절개 라인을 절개하는 단계와 상기 내측 테두리를 절개하는 단계는 연속 가공에 의해 상기 절개 라인과 상기 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 한번에 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.In addition, the step of cutting the incision line and the step of cutting the inner edge provides a laser processing method, characterized in that performed at once in a pattern connecting the incision line and the inner edge by continuous processing.

그리고, 상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계 이전에 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.And, by irradiating the laser in a pattern connecting the inner edge of the adhesive layer peeling area before the step of cutting the cut-out line of the adhesive layer, the step of removing a part of the inner edge of the adhesive layer, characterized in that it further comprises the step of laser processing provide a way

여기서, 상기 레이저 가공 방법에 사용되는 레이저는 펄스 레이저이며, 상기 절개 라인을 절개하는 단계에서 상기 내측 테두리에 조사되는 레이저는 상기 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계에서 조사되는 레이저의 펄스와 위상이 90°~270°차이나는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Here, the laser used in the laser processing method is a pulse laser, and the laser irradiated to the inner edge in the step of cutting the incision line has a phase with the pulse of the laser irradiated in the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer It provides a laser processing method, characterized in that 90 ° ~ 270 ° difference.

한편, 상기 점진적으로 필링하는 단계는 상기 필링 영역의 내측 테두리에 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 절개한 후, 상기 레이저를 내측에서 외측 방향으로 조사하면서 상기 접착층을 내측에서 외측 방향으로 벗겨내는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.On the other hand, in the step of peeling gradually, the laser is irradiated to the inner edge of the peeling area to cut the inner edge of the adhesive layer, and then peeling off the adhesive layer from the inside to the outside while irradiating the laser from the inside to the outside. It provides a laser processing method, characterized in that out.

또한, 상기 접착층의 절개라인은 상기 접착층을 외측 방향으로 필링하는 과정에서 상기 접착층 필링 영역의 횡방향 조사 라인과 종방향 조사 라인이 만나는 내측 테두리의 모서리 영역에서 대각선 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.In addition, the cut-out line of the adhesive layer is formed in a diagonal direction in the corner area of the inner edge where the lateral irradiation line and the longitudinal irradiation line of the adhesive layer peeling area meet in the process of peeling the adhesive layer outward. Laser, characterized in that processing methods are provided.

그리고, 상기 접착층의 절개라인을 상기 레이저로 조사할 때 상기 레이저는 상기 절개 라인을 따라 왕복 이동하며, 상기 레이저의 왕복 이동 경로는 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.And, when the incision line of the adhesive layer is irradiated with the laser, the laser reciprocates along the incision line, and the reciprocating path of the laser does not overlap with each other.

여기서, 상기 레이저의 왕복 이동 경로는 서로 중첩되지 않도록 2회 이상 왕복 이동하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Here, the reciprocating path of the laser provides a laser processing method, characterized in that the reciprocating movement twice or more so as not to overlap each other.

또한, 상기 왕복 이동 경로의 간격은 상기 점진적으로 필링하는 단계에서 조사되는 레이저의 궤적 간격보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.In addition, the interval of the reciprocating path provides a laser processing method, characterized in that formed narrower than the trajectory interval of the laser irradiated in the step of gradually peeling.

나아가, 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리는 상기 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역의 외곽 테두리인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Furthermore, the inner edge of the adhesive layer peeling area provides a laser processing method, characterized in that the outer edge of the area to be attached and fixed to the lower surface of the semiconductor material.

한편, 상기 절개 라인을 절개하는 단계 이전 또는 상기 절개 라인을 절개하는 단계 이후에 상기 절개 라인의 외측 방향에서 상기 절개 라인을 둘러싸는 라인과 상기 접착층 필링 영역의 외측 테두리를 연결하는 패턴으로 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.On the other hand, before the step of cutting the incision line or after the step of cutting the incision line, the laser in a pattern connecting the line surrounding the incision line and the outer edge of the adhesive layer peeling area in the outer direction of the incision line It provides a laser processing method, characterized in that performing the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer by irradiation.

여기서, 상기 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행할 때 상기 레이저의 이동 속도를 빠르게 제어하거나, 상기 레이저의 조사 세기를 약하게 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Here, when performing the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer, it provides a laser processing method, characterized in that by rapidly controlling the moving speed of the laser or controlling the irradiation intensity of the laser weakly.

또한, 상기 점진적으로 필링하는 단계에서 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 테두리까지 연속적인 사각의 나선형 궤적패턴으로 상기 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.In addition, it provides a laser processing method, characterized in that for irradiating the laser in a continuous square spiral trajectory pattern from the inner edge to the outer edge of the adhesive layer peeling area in the step of gradually peeling.

그리고, 상기 레이저 가공 방법에 사용되는 레이저는 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.And, it provides a laser processing method, characterized in that the laser used in the laser processing method is a pulse laser.

나아가, 상기 접착층은 스퍼터링이 수행되기 위해 자재가 고정될 프레임 상에 도포되는 접착층이거나, 스퍼터링이 수행되기 위해 자재의 하면이 부착될 테이프의 접착층인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Furthermore, the adhesive layer provides a laser processing method, characterized in that either an adhesive layer applied on a frame to which a material is to be fixed in order to be sputtered, or an adhesive layer of a tape to which the lower surface of the material is to be attached in order to perform sputtering.

여기서, 상기 프레임 또는 상기 테이프에는 상기 자재의 하면에 형성된 솔더볼이 수용되기 위한 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법을 제공한다.Here, the frame or the tape provides a laser processing method, characterized in that the through-hole for receiving the solder ball formed on the lower surface of the material is formed.

본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 접착층 중 반도체 자재가 접착되는 부분의 둘레를 새로운 방식으로 가공함으로써 반도체 자재에 대한 스퍼터링 공정 후 반도체 자재를 스퍼터링 프레임으로부터 분리시 버(burr) 발생을 방지하여 불량률을 낮추고 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 나타낸다.The laser processing method according to the present invention processes the periphery of the portion to which the semiconductor material is adhered among the adhesive layer in a new way, thereby reducing the defect rate by preventing the occurrence of burrs when the semiconductor material is separated from the sputtering frame after the sputtering process for the semiconductor material. It shows an excellent effect that can improve the reliability of the product.

또한, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 새로운 방식으로 접착층을 가공함으로써 가공시 분진 발생이 거의 없어 공정불량을 회피할 수 있는 동시에 공정시간이 단축되어 수율(UPH)을 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 나타낸다.In addition, the laser processing method according to the present invention shows an excellent effect of improving the yield (UPH) by reducing the processing time while at the same time avoiding process defects because there is little generation of dust during processing by processing the adhesive layer in a new way. .

또한, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 접착층을 필링할 때 모서리에 의해 연결되는 수평면과 수직면 각각에 배치된 접착층들은 서로에게 장력을 인가하여 상기 각각의 접착층이 박리되어 말려 올라가는 것을 방해하게 되는데 본 발명은 모서리 영역을 미리 절개함으로써 모서리 영역에서 발생되는 장력을 제거할 수 있으므로 접착층을 쉽게 필링할 수 있는 효과가 있다.In addition, in the laser processing method according to the present invention, when peeling the adhesive layer, the adhesive layers disposed on each of the horizontal and vertical surfaces connected by corners apply tension to each other to prevent the respective adhesive layers from peeling off and rolling up. Since it is possible to remove the tension generated in the corner area by cutting the corner area in advance, there is an effect that the adhesive layer can be easily peeled.

또한, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 접착층을 완전히 제거하지 않고 레이저의 가공 방향을 이용하여 비접착부의 접착층을 점진적으로 벗겨내면서 접착층의 일부를 제거하여 접착층 제거시 발생되는 분진으로 인해 접착층이 오염되는 것을 방지하고 효과적으로 접착층만 양호하게 박리 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the laser processing method according to the present invention removes a part of the adhesive layer while gradually peeling off the adhesive layer of the non-adhesive part using the processing direction of the laser without completely removing the adhesive layer. It has the effect of preventing and effectively peeling and removing only the adhesive layer.

또한, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법으로 접착층을 필링하여 제거하면, 반도체 자재를 부착하고 스퍼터링을 수행한 후, 스퍼터링된 반도체 자재를 접착층으로 부터 박리하더라도 반도체 자재의 접촉면에 버가 생기지 않으므로, 반도체 자재의 주변 회로 구성과의 관계에서 쇼트(short)를 방지할 수 있게 된다. In addition, if the adhesive layer is peeled and removed by the laser processing method according to the present invention, after attaching the semiconductor material and performing sputtering, even if the sputtered semiconductor material is peeled from the adhesive layer, there is no burr on the contact surface of the semiconductor material, so the semiconductor material It is possible to prevent a short circuit in relation to the peripheral circuit configuration of .

또한, 본 발명에 따른 제1 패턴 내지 제5 패턴에 따른 가공은 모두 연속적인 패턴으로 가공될 수 있으므로, 레이저의 ON/OFF를 제어할 필요가 없이 레이저의 이동 경로를 최소화하고 공정시간을 단축할 수 있다.In addition, since the processing according to the first pattern to the fifth pattern according to the present invention can be processed in a continuous pattern, it is not necessary to control the ON/OFF of the laser, and it is possible to minimize the movement path of the laser and shorten the process time. can

도 1은 종래 반도체 자재에 스퍼터링 공정을 수행한 후 반도체 자재를 접착층으로부터 박리하는 과정을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 반도체 자재의 스퍼터링 프레임 상부면의 접착층을 가공하는 모습을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 가공 방법에서 적용되는 가공 패턴을 순차적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 3에 도시한 가공 패턴에 의한 접착층 필링 영역의 모든 가공 영역을 도시한 것이다.
도 5는 도 3에 도시한 가공 패턴의 단면을 확대 도시한 것이다.
도 6은 도 5c에 도시된 가공이 완료된 접착층에 반도체 자재를 고정한 단면 모습을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically illustrates a process of peeling a semiconductor material from an adhesive layer after performing a sputtering process on a conventional semiconductor material.
Figure 2 schematically shows a state of processing the adhesive layer of the upper surface of the sputtering frame of the semiconductor material.
3 is a view sequentially showing a processing pattern applied in the laser processing method according to the present invention.
FIG. 4 shows all the processing areas of the adhesive layer peeling area by the processing pattern shown in FIG. 3 .
FIG. 5 is an enlarged view of a cross section of the processing pattern shown in FIG. 3 .
FIG. 6 schematically illustrates a cross-sectional view in which a semiconductor material is fixed to the adhesive layer on which the processing shown in FIG. 5C is completed.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed subject matter may be thorough and complete, and the spirit of the present invention may be sufficiently conveyed to those skilled in the art. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 2는 반도체 자재의 스퍼터링 프레임 상부면에 접착층을 가공하는 모습을 개략적으로 도시한 것이다.Figure 2 schematically shows the state of processing the adhesive layer on the upper surface of the sputtering frame of the semiconductor material.

도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 자재의 표면에 EMI 코팅을 형성하기 위한 스퍼터링 공정은 스퍼터링 프레임 상부면에 형성된 접착층에 상기 반도체 자재를 고정한 상태로 수행되고, 스퍼터링 공정 완료 후 상기 반도체 자재를 스퍼터링 프레임 상부면의 접착층으로부터 박리할 때 상기 반도체 자재 측면 하단부에서 인접한 반도체 자재 사이의 비접착부에 적층된 EMI 코팅층이 부분적으로 함께 분리되어 형성되는 버(burr)의 발생을 회피하거나 최소화하기 위해 상기 접착층에 상기 반도체 자재를 고정하기 전에 반도체 자재 비접착부의 접착층을 레이저를 이용하여 미리 필링하여 제거하는 가공 처리를 하게 된다.As shown in Figure 2, the sputtering process for forming the EMI coating on the surface of the semiconductor material is performed in a state in which the semiconductor material is fixed to the adhesive layer formed on the upper surface of the sputtering frame, and after the sputtering process is completed, the semiconductor material is applied to the sputtering frame When peeling from the adhesive layer on the top surface, the EMI coating layer laminated on the non-adhesive portion between adjacent semiconductor materials at the lower end of the side of the semiconductor material is applied to the adhesive layer to avoid or minimize the occurrence of burrs formed by partially separating together. Prior to fixing the semiconductor material, the adhesive layer of the non-adhesive part of the semiconductor material is pre-peeled and removed using a laser.

여기에서 접착층은 스퍼터링이 수행되기 위해 자재가 고정될 프레임 상에 도포되는 접착층이 될 수도 있고, 스퍼터링이 수행되기 위해 자재의 하면이 부착될 테이프의 접착층이 될 수도 있다.Here, the adhesive layer may be an adhesive layer applied on a frame to which a material is to be fixed in order to perform sputtering, or may be an adhesive layer of a tape to which a lower surface of a material is to be attached in order to perform sputtering.

프레임은 평평한 판 타입의 스탠실이 될 수 있으며 스탠실에 자재가 부착, 고정되기 위한 접착제를 도포한 후에 자재의 하면을 부착한 후 자재의 상면과 측면상에 EMI 스퍼터링을 수행할 수 있다. 이때 프레임 상에는 자재의 하면에 형성된 볼들이 수용될 수 있도록 자재보다 작은 크기의 관통홀이 형성되어 있을 수 있다.The frame can be a flat plate-type stencil, and after applying the adhesive for attaching and fixing the material to the stencil, attach the lower surface of the material, and then perform EMI sputtering on the upper and side surfaces of the material. In this case, a through hole having a size smaller than that of the material may be formed on the frame so that the balls formed on the lower surface of the material can be accommodated.

도 2는 테이프에 접착되어 스퍼터링이 수행되는 경우를 나타낸 것으로, 스퍼터링 프레임에 테이프의 접착층이 상부를 향한 상태로 부착되어 있는 상태이며, 상면은 접착층이 형성되고, 하면에는 폴리이미드(PI) 필름층(지지 플레이트)이 구비된다. 이때 솔더볼이 형성된 반도체 자재의 경우에는 솔더볼이 형성된 반도체 자재의 하면이 EMI 코팅이 되지 않도록 솔더볼이 수용되기 위한 관통홀이 형성되어 있는 상태이다.Figure 2 shows a case where sputtering is performed by being adhered to the tape, in a state in which the adhesive layer of the tape is attached to the sputtering frame in a state facing upward, the upper surface is formed with an adhesive layer, and the lower surface is a polyimide (PI) film layer (support plate) is provided. At this time, in the case of the semiconductor material in which the solder ball is formed, a through hole for receiving the solder ball is formed so that the lower surface of the semiconductor material in which the solder ball is formed is not subjected to EMI coating.

즉, 가공전의 모습에는 테이프에 반도체 자재의 하면에 형성된 솔더볼이 수용되기 위한 복수개의 관통홀이 형성되어 있다. 관통홀과 관통홀 사이에는 테이프의 접착층이 존재한다.That is, in the state before processing, a plurality of through-holes for accommodating the solder balls formed on the lower surface of the semiconductor material are formed in the tape. An adhesive layer of the tape exists between the through hole and the through hole.

참고로 반도체 자재의 하면에 솔더볼이 아닌 평평한 리드가 구비되거나, 솔더볼의 직경이 작은 경우에는 관통홀에 도피되지 않고 테이프의 상면에 반도체 자재의 하면이 직접 밀착되어 접착 고정될 수도 있다.For reference, if a flat lead, not a solder ball, is provided on the lower surface of the semiconductor material, or if the diameter of the solder ball is small, the lower surface of the semiconductor material may be directly adhered and fixed to the upper surface of the tape without escaping from the through hole.

이러한 경우에는 상기 지지 플레이트와 상기 접착층의 탄성에 따라 상기 반도체 자재의 하부면에 형성된 솔더볼이 상기 접착층을 누르면서 상기 반도체 자재의 하부면이 상기 접착층에 밀착되어 접착 및 고정될 수 있다.In this case, depending on the elasticity of the support plate and the adhesive layer, a solder ball formed on the lower surface of the semiconductor material presses the adhesive layer while the lower surface of the semiconductor material is in close contact with the adhesive layer to be adhered and fixed.

한편, 도 2에서 '가공 전'으로 표시된 부분이 상기 관통홀이 형성된 모습이며, 반도체 자재의 하면 가장 자리부분이 테이프에 부착 고정되어야 하므로, 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역을 제외한 접착층의 나머지 영역(비접착부의 접착층)은 접착층 필링 영역이 될 수 있다.On the other hand, the portion marked 'before processing' in FIG. 2 is a state in which the through hole is formed, and since the lower edge of the semiconductor material must be attached and fixed to the tape, the remainder of the adhesive layer except for the area where the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed. The region (adhesive layer of the non-adhesive portion) may be an adhesive layer peeling region.

상기 관통홀의 크기는 상기 반도체 자재의 둘레 영역이 상기 접착층과 접촉할 수 있도록 상기 반도체 자재의 하부면 크기 보다 작고, 상기 접착층에 접착될 상기 반도체 자재 하부면의 크기를 고려하여 상기 접착층 중 상기 반도체 자재 하부면이 접착되는 영역의 둘레에서 접착층을 가공함으로써 스퍼터링 공정이 완료된 후 반도체 자재를 분리시 버(burr)의 발생을 회피하거나 최소화할 수 있으며, 도 2에서 '가공 후'로 표시된 부분이 이러한 비접착부의 접착층을 레이저 가공하여 접착층을 필링한 모습이다.The size of the through hole is smaller than the size of the lower surface of the semiconductor material so that the peripheral region of the semiconductor material can contact the adhesive layer, and the semiconductor material of the adhesive layer in consideration of the size of the lower surface of the semiconductor material to be adhered to the adhesive layer By processing the adhesive layer around the area where the lower surface is bonded, the occurrence of burrs can be avoided or minimized when the semiconductor material is separated after the sputtering process is completed. This is a picture of peeling the adhesive layer by laser processing the adhesive layer of the adhesive part.

이하 도 3 내지 도 5를 참조하여, 본 발명의 레이저 가공 방법에 대해 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 3 to 5, the laser processing method of the present invention will be described.

도 3은 본 발명에 따른 레이저 가공 방법의 일실시예에 따라 적용되는 가공 패턴을 순차적으로 도시한 것이고, 도 4는 도 3에 도시한 가공 패턴에 의한 접착층 필링 영역의 모든 가공 영역을 도시한 것이며, 도 5는 도 3에 도시한 가공 패턴의 단면을 확대 도시한 것이다.3 is a sequential view of a processing pattern applied according to an embodiment of the laser processing method according to the present invention, and FIG. 4 shows all processing areas of the adhesive layer peeling area by the processing pattern shown in FIG. , FIG. 5 is an enlarged cross-section of the processing pattern shown in FIG. 3 .

본 발명은 레이저를 이용하여 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법에 있어서, 레이저 가공 패턴을 이용하여 접착층을 원하는 방향(외측 방향)으로 밀어내어 제거하는 것을 특징으로 한다.The present invention is a laser processing method for peeling an adhesive layer used in a sputtering process of a semiconductor material using a laser, characterized in that the adhesive layer is removed by pushing it in a desired direction (outward direction) using a laser processing pattern.

이를 위해 본 발명의 레이저 가공 방법은 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역을 제외한 접착층 필링 영역을 설정하는 단계; 상기 설정된 접착층 필링 영역에서 내측 테두리의 모서리에서 외측 방향 측으로 연장된 절개 라인을 따라 레이저를 조사하여 상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계; 및 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 방향 측으로 레이저를 조사하여 상기 접착층 필링 영역을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 필링하는 단계;를 포함한다.To this end, the laser processing method of the present invention comprises the steps of setting an adhesive layer peeling area excluding the area to which the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed; cutting the incision line of the adhesive layer by irradiating a laser along the incision line extending from the edge of the inner edge toward the outside in the set adhesive layer peeling area; and gradually peeling the adhesive layer peeling area from the inside to the outside by irradiating a laser from the inner edge of the adhesive layer peeling area toward the outside.

본 발명에서 접착층 필링 영역은 반도체 자재의 하면이 부착 고정되지 않는 비접착부의 접착층을 의미한다.In the present invention, the adhesive layer peeling region refers to the adhesive layer of the non-adhesive part to which the lower surface of the semiconductor material is not attached and fixed.

본 발명의 레이저 가공 방법에서 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계는 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 따라 레이저를 조사하여 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계를 포함한다.The step of cutting the incision line of the adhesive layer in the laser processing method of the present invention includes cutting the inner edge of the adhesive layer by irradiating a laser along the inner edge of the adhesive layer peeling area.

여기에서 접착층의 절개 라인을 절개함으로써 접작층 필링 영역의 횡방향 조사라인과 종방향 조사 라인이 만나는 내측 테두리의 모서리 영역을 절개하여 모서리에서 인가되는 장력을 제거할 수 있다. 즉, 각각의 모서리에 의해 연결되는 수평면과 수직면 각각에 배치된 접착층들은 서로에게 장력을 인가하여 상기 각각의 접착층이 박리되는 과정을 방해하므로, 이러한 장력을 제거하기 위해 각각의 모서리에서 외측 방향으로 연장된 절개라인을 따라 레이저를 조사하여 접착층의 모서리 부근에 절개라인을 형성한다.Here, by cutting the cut-out line of the adhesive layer, it is possible to remove the tension applied from the edge by cutting the corner area of the inner edge where the lateral irradiation line and the longitudinal irradiation line of the adhesive layer peeling region meet. That is, the adhesive layers disposed on each of the horizontal and vertical surfaces connected by respective corners apply tension to each other to prevent the peeling process of the respective adhesive layers, and thus extend outward from each corner to remove this tension. A laser is irradiated along the cut incision line to form an incision line near the edge of the adhesive layer.

이때 절개 라인은 내측 테두리의 모서리 영역에서 외측 테두리의 모서리 영역 측으로 외측 방향 및 일정 길이로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 대각선 방향으로 형성되어 종방향과 횡방향에 인가되는 장력을 충분히 제거할 수 있다.At this time, the incision line may be formed in an outward direction and a certain length from the corner region of the inner rim to the corner region of the outer rim, preferably in a diagonal direction to sufficiently remove the tension applied in the longitudinal and lateral directions. .

여기에서 대각선 방향의 절개 라인의 절개 방향은 접착층의 절단에 의해 분리되는 수평면과 수직면 각각에 배치된 접착층들 사이에 서로 인가되는 장력을 동일한 정도로 낮출 수 있는 방향, 예를 들어 상기 수평면 및 상기 수직면 각각을 기준으로 동일하게 45°의 외측 방향으로 형성될 수도 있다.Here, the cutting direction of the diagonal incision line is a direction capable of lowering the tension applied to each other between the adhesive layers disposed on each of the horizontal plane and the vertical plane separated by the cutting of the adhesive layer to the same degree, for example, the horizontal plane and the vertical plane, respectively. It may be formed in the same outward direction of 45° with respect to .

또한 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 절개해야 이후 접착층을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 접착층을 밀어내면서 필링할 수 있게 된다.In addition, the inner edge of the adhesive layer peeling area must be cut so that the adhesive layer can be peeled while gradually pushing the adhesive layer from the inside to the outside.

이를 위해 절개 라인을 절개하는 단계에서 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계를 함께 수행할 수 있으며 바람직하게는 도 3b에 도시된 바와 같이 절개 라인을 절개하는 단계와 내측 테두리를 절개하는 단계는 연속 가공에 의해 절개 라인과 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 한번에 수행될 수 있다.To this end, in the step of cutting the incision line, the step of cutting the inner edge of the adhesive layer may be performed together. Preferably, as shown in FIG. 3B, the step of cutting the incision line and the step of cutting the inner edge are continuous processing. It can be performed at once in a pattern connecting the incision line and the inner edge by the

이때 절개 라인은 왕복하면서 레이저를 조사하여 접착층을 절개하기 위한 깊이 가공을 수행할 수 있다. 레이저는 절개 라인을 따라 왕복 이동하지만, 왕복 이동 경로는 서로 중첩되지 않는 것이 바람직하다. In this case, the incision line may be irradiated with a laser while reciprocating to perform depth processing for cutting the adhesive layer. The laser reciprocates along the incision line, but preferably the reciprocating paths do not overlap each other.

즉, 점진적으로 필링할 때 레이저의 열에 의해 필링되는 접착층이 휘어지면서 필링 영역의 외측으로 말리면서 넘어가게 되는데 횡방향 조사라인에 의해 접착층이 횡방향으로 넘어가는 부분과 종방향 조사라인에 의해 접착층이 종방향으로 넘어가는 부분이 서로에 영향을 주지 않고 잘 넘어갈 수 있도록 영역을 나누기 위해서는 절개 라인의 영역이 어느 정도 너비를 갖는 것이 좋다. 이를 위해 레이저의 왕복 이동 경로는 중첩되지 않도록 형성하였으며, 더욱 바람직하게는 도 3b의 제2 패턴(200)과 같이 2회 왕복 이동하는 것이 좋다. That is, when gradually peeling, the adhesive layer peeled by the heat of the laser bends and rolls over while being rolled out of the peeling area. In order to divide the area so that the parts that cross in the longitudinal direction can pass over each other without affecting each other, it is good for the area of the incision line to have a certain width. To this end, the reciprocating path of the laser is formed so as not to overlap, and more preferably, it is preferable to reciprocate twice as in the second pattern 200 of FIG. 3B .

이때 2회이상 왕복되는 패턴 형태는 적절하게 채택할 수 있으며, 지그재그 형태의 패턴을 사용할 수도 있으며, 제2 패턴(200)에 따른 절단 공정을 수행시 절단되는 폭 및 길이는 적절하게 조절할 수 있다.In this case, a pattern shape reciprocating two or more times may be appropriately adopted, a zigzag pattern may be used, and the width and length to be cut when performing the cutting process according to the second pattern 200 may be appropriately adjusted.

다만, 왕복 이동 경로의 간격은 점진적으로 필링하는 단계에서 조사되는 사각의 나선형 궤적 간격보다 좁게 형성됨으로써 접착층을 절개하기 위한 깊이 가공을 수행할 수 있게 된다.However, since the interval of the reciprocating path is formed to be narrower than the interval of the square spiral trajectory irradiated in the gradually peeling step, depth processing for cutting the adhesive layer can be performed.

참고로 레이저의 이동 경로는 중첩되지 않더라도 레이저의 가공영역이 중첩되므로 깊이 가공이 되어 접착층의 절개 라인을 절개할 수 있게 된다. 또한 레이저 가공시 중간에 ON/OFF를 제어할 필요없이 연속적으로 가공하기 위하여 절개라인인 제2 패턴(200)과 내측 테두리를 연결하는 제3패턴(300)을 한번에 이어서 가공할 수 있다. 이때 절개라인은 왕복 이동 경로를 가지면서 절개라인을 절개하고 내측 테두리에 이어질 수 있게 된다.For reference, even if the movement path of the laser does not overlap, the laser processing area overlaps, so that the depth processing is performed to cut the incision line of the adhesive layer. In addition, in order to process continuously without the need to control ON/OFF in the middle during laser processing, the second pattern 200 , which is an incision line, and the third pattern 300 connecting the inner edge may be continuously processed at once. At this time, the incision line can be connected to the inner edge by cutting the incision line while having a reciprocating movement path.

물론, 절개 라인을 절개한 후에 별도로 내측 테두리를 절개할 수도 있지만 가공 공정상 절개 라인과 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 레이저를 조사하는 것이 레이저 가공시 ON/OFF를 제어할 필요가 없이 한번의 가공으로 빠르고 간단하게 접착층 필링 영역의 절개 라인을 형성할 수 있게 되는 것이다.Of course, the inner edge can be cut separately after the incision line is cut, but in the processing process, irradiating the laser in a pattern that connects the incision line and the inner edge of the adhesive layer peeling area is not necessary to control ON/OFF during laser processing. It is possible to quickly and simply form an incision line in the adhesive layer peeling area with one processing.

접착층 필링 영역의 절개 라인을 형성한 후에는 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 테두리까지 연속적인 사각의 나선형 궤적 패턴으로 레이저를 조사하여 접착층을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 밀어내면서 벗겨낼 수 있다.After the incision line of the adhesive layer peeling area is formed, the adhesive layer can be peeled off while gradually pushing it from the inside to the outside by irradiating a laser in a continuous square spiral trajectory pattern from the inner edge to the outer edge of the adhesive layer peeling area.

참고로, 본 발명의 접착층의 내측 테두리 절개 단계는 점진적으로 필링하는 단계에서 수행될 수도 있다.For reference, the step of cutting the inner edge of the adhesive layer of the present invention may be performed in the step of gradually peeling.

즉, 접착층의 모서리 영역에 대각선 방향으로 절개 라인을 형성한 후에 필링하는 단계에서 나선형 궤적 간격이나 내측 테두리 영역에 레이저를 반복 조사하여 내측 테두리를 절개할 수 있다. 예를 들어 사각의 나선형 궤적 패턴으로 패턴 형태 또는 궤적 간격을 변경하여 먼저 내측 테두리를 따라 여러 번 레이저를 조사하거나 내측 테두리에서는 나선형 궤적 간격을 좁게 형성하여 접착층의 내측 테두리를 절개한 후 나선형 궤적 간격을 조금 더 넓게 변경하여 접착층을 필링할 수 있게 되는 것이다.That is, the inner edge may be cut by repeatedly irradiating a laser to the spiral trajectory interval or the inner edge area in the peeling step after forming the cut line in the diagonal direction in the edge area of the adhesive layer. For example, by changing the pattern shape or trajectory interval to a square spiral trajectory pattern, first irradiate the laser several times along the inner rim or narrow the helical trajectory space on the inner rim to cut the inner rim of the adhesive layer and then reduce the spiral trajectory interval. By changing a little wider, it becomes possible to fill the adhesive layer.

물론 이전 단계에서 접착층 필링 영역의 내측 테두리가 기 절개된 경우에는 도 3d에 도시된 바와 같은 제5패턴(500), 즉 내측으로부터 외측으로 순차적이고 연속적으로 감아 돌아가는 사각의 나선형 궤적 패턴으로 레이저를 조사할 수 있으며, 이때 나선형 궤적 간격은 동일한 간격으로 형성될 수도 있다.Of course, in the case where the inner edge of the adhesive layer peeling area was pre-cut in the previous step, the laser is irradiated with the fifth pattern 500 as shown in FIG. 3D , that is, a square spiral trajectory pattern that is sequentially and continuously wound from the inside to the outside. In this case, the spiral trajectory interval may be formed at the same interval.

물론 사각의 나선형 궤적 패턴 대신에 각 면에 대하여 각각 내측에서 외측 방향 측으로 레이저를 조사하여 한 면씩 접착층을 점진적으로 필링하여 네면 각각에 대하여 순차적으로 접착층을 외측으로 벗겨낼 수도 있다. Of course, instead of a square spiral trajectory pattern, the adhesive layer may be sequentially peeled off for each of the four sides by irradiating a laser from the inside to the outside on each side to gradually peel the adhesive layer one by one.

또한, 사각의 나선형 궤적 대신에 점점 큰 사각형 궤적으로 레이저를 조사하여 접착층의 4면을 함께 벗겨낼 수도 있다. 그러나 사각 나선형 궤적의 경우 레이저를 중간에 껐다가 킬 필요없이 한번에 연속적으로 가공이 가능한 반면, 이들은 모두 레이저의 ON/OFF 제어가 필요하여 레이저의 이동 경로도 길어지므로 사각 나선형 궤적에 비해 가공시간이 더 많이 소요될 수 밖에 없다. In addition, the four sides of the adhesive layer may be peeled off together by irradiating the laser with a larger and larger square trajectory instead of the square spiral trajectory. However, in the case of the square spiral trajectory, continuous processing is possible without turning the laser off and on in the middle. It may take a lot

본 발명은 접착층 필링 영역을 내측에서 외측 방향으로 벗겨내기 위한 레이저 조사 패턴이라면 어떠한 가공 패턴도 사용될 수 있으며, 보다 바람직하게는 레이저를 필링할 때 사각의 나선형 궤적패턴으로 레이저를 조사하여 레이저 이동 경로 단축에 따른 가공시간 단축 효과를 얻을 수 있게 된다.According to the present invention, any processing pattern can be used as long as it is a laser irradiation pattern for peeling off the adhesive layer peeling area from the inside to the outside, and more preferably, when peeling the laser, the laser is irradiated in a square spiral trajectory pattern to shorten the laser movement path. Accordingly, it is possible to obtain the effect of shortening the processing time.

또한 레이저 필링시에 절개된 레이저 층에 연속적으로 레이저를 조사하면 필링 제거된 접착층은 필링 영역의 외측 부근 측으로 휘어지면서 접착층이 벗겨질 수 있다.In addition, when laser is continuously irradiated to the cut laser layer during laser peeling, the adhesive layer removed by peeling may be bent toward the outer side of the peeling area and the adhesive layer may be peeled off.

즉, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법의 원리는 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 자재가 부착될 접착층만 남겨두고 자재가 부착되지 않는 영역의 접착층은 필링하여 제거하는 것이다. That is, the principle of the laser processing method according to the present invention is to remove the adhesive layer used in the sputtering process by leaving only the adhesive layer to which the material is to be attached, and peeling the adhesive layer in the area where the material is not attached.

이때 접착층을 필링하기 위한 레이저 가공 방법으로서, 접착층 필링 영역을 설정한 후 레이저를 이용하여 접착층 필링 영역의 각각의 모서리 부분과 내측 테두리를 먼저 절개한 후 내측 테두리에서 외측 테두리 측으로 접착층을 점진적으로 밀어내면서 벗겨내는 것이다.At this time, as a laser processing method for peeling the adhesive layer, after setting the adhesive layer peeling area, each corner part and the inner edge of the adhesive layer peeling area are first cut using a laser, and then the adhesive layer is gradually pushed from the inner edge to the outer edge side. will peel it off

접착층을 벗겨내는 레이저 가공 방법 중에서 일부의 공정을 추가적으로 수행하면 더욱 좋은 효과가 구현될 수 있다.A better effect may be realized if some processes are additionally performed among the laser processing methods for peeling off the adhesive layer.

예를 들어, 도 3a에 도시된 바와 같이 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계를 수행하기 전에 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 레이저를 조사하여 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.For example, as shown in FIG. 3A, before performing the step of cutting the incision line of the adhesive layer, the step of irradiating a laser in a pattern connecting the inner edge of the adhesive layer peeling area to remove a part of the inner edge of the adhesive layer is further included can do.

즉, 도 3a에 도시된 바와 같은 제1 패턴(100)을 따라 레이저를 조사하여 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계를 수행할 수 있다.That is, the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer by irradiating a laser along the first pattern 100 as shown in FIG. 3A may be performed.

참고로, 본 발명에서 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법을 구성하는 각각의 단계에서 접착층을 절단하거나, 접착층을 부분적으로 절단하는 가공은 레이저를 이용하며, 바람직하게는 펄스 레이저를 사용할 수 있다.For reference, in the present invention, cutting the adhesive layer or partially cutting the adhesive layer in each step constituting the laser processing method for peeling the adhesive layer used in the sputtering process of the semiconductor material uses a laser, preferably pulse A laser can be used.

펄스 레이저 가공은 일정한 주기로 강도가 높은 레이저를 비연속적으로 조사하는 레이저 발진기를 이용한 가공으로서, 일반적으로 폴리우레탄, 폴리아크릴 등의 고분자 소재로 이루어진 접착층에 펄스 레이저 가공을 수행하는 경우 강도가 높은 레이저를 연속적으로 조사하는 연속발진(Continuous Wave; CW) 레이저 가공시 접착층 필링 영역의 주변, 즉 제거되지 않아야 할 반도체 자재가 접착되는 접착층에도 많은 열이 발생되어 원하지 않는 영역에서도 접착층이 가공되어 녹아내리는 문제를 방지할 수 있다. 즉, CW 레이저로는 선택된 영역의 접착층을 벗겨내면서 필링하는 공정을 달성하기가 어렵다.Pulse laser processing is processing using a laser oscillator that discontinuously irradiates a high-intensity laser at regular intervals. In general, when pulse laser processing is performed on an adhesive layer made of a polymer material such as polyurethane or polyacrylic, a high-intensity laser is used. During continuous wave (CW) laser processing that is continuously irradiated, a lot of heat is generated in the vicinity of the adhesive layer peeling area, that is, the adhesive layer to which the semiconductor material that should not be removed is attached. can be prevented That is, it is difficult to achieve a peeling process while peeling off the adhesive layer in a selected area with a CW laser.

반면, 펄스 레이저 가공은 비연속적으로 레이저를 조사하기 때문에, 레이저가 균일한 세기로 조사되지 않아 내측 테두리의 라인을 따라 레이저를 조사하더라도 펄스가 강하게 맞는 영역과 펄스를 맞지 않는 영역이 생기게 된다. 따라서 펄스를 강하게 맞은 영역은 접착층이 많이 제거되고 펄스를 맞지 않는 영역은 접착층이 적게 제거되어 도 5a에 도시된 바와 같이 상기 제1 단계에서 제1 패턴(100)의 가공면이 울퉁불퉁하고 거친 형태로 가공이 된다. 또한 펄스 레이저를 1회 조사시에는 레이저 펄스에 의해 접착층의 경계영역에 레이저 버가 남게 된다. On the other hand, since pulsed laser processing irradiates the laser non-continuously, the laser is not irradiated with a uniform intensity, so even if the laser is irradiated along the line of the inner edge, a region where the pulse is strongly hit and a region where the pulse is not hit are generated. Therefore, a large amount of the adhesive layer is removed from the region hit strongly with the pulse, and a small amount of the adhesive layer is removed from the region not hit with the pulse. will be processed In addition, when the pulse laser is irradiated once, a laser burr is left in the boundary region of the adhesive layer by the laser pulse.

즉, 접착층의 내측 테두리를 일부 제거함으로써 후속 단계에서 접착층의 절개 라인을 절개할 때 내측 테두리의 가공면을 보다 깨끗하게 개선할 수 있게 된다.That is, by partially removing the inner edge of the adhesive layer, it is possible to improve the processing surface of the inner edge more cleanly when cutting the cut line of the adhesive layer in a subsequent step.

이를 위해 접착층 절개 라인과 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계에서는 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계에서 조사되는 레이저 펄스의 위상과 차이나도록 펄스의 위상을 지연(phase shift)시켜 조사하는 것이 바람직하다. To this end, in the step of cutting the adhesive layer cutting line and the inner edge of the adhesive layer, it is preferable to irradiate by delaying the phase of the pulse so as to be different from the phase of the laser pulse irradiated in the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer.

즉 위상 지연을 시키면 레이저가 강하게 조사되는 위치가 이동되어 레이저 펄스의 에너지가 중첩 분산되어 가공면에 인가되는 에너지의 세기를 비슷한 수준으로 가공할 수 있게 된다.That is, if the phase delay is applied, the position where the laser is strongly irradiated is moved, and the energy of the laser pulse is overlapped and dispersed, so that the intensity of the energy applied to the processing surface can be processed to a similar level.

보다 자세히 설명하면 내측 테두리를 일부 제거하는 단계에서 조사되는 레이저의 펄스의 위상이 차이 나도록 한다. 이를 통해 펄스가 강하게 맞았던 영역은 펄스가 맞지 않도록 하고, 펄스가 맞지 않았던 영역은 펄스가 강하게 맞게 펄스의 위상을 180°차이나도록 펄스의 위상을 지연시킴으로써 내측 테두리 가공영역에 비슷한 레이저 에너지의 세기로 고르게 가공이 될 수 있다.In more detail, in the step of partially removing the inner edge, the phases of the laser pulses irradiated are different. Through this, the area where the pulse was strongly hit does not match the pulse, and in the area where the pulse is not hit the pulse is strongly matched and the phase of the pulse is delayed so that the phase of the pulse is 180° different, so that the laser energy intensity similar to the inner edge processing area is evenly distributed. can be processed.

이때 펄스의 위상을 180°차이나도록 펄스의 주기를 반만큼 이동시키면 가공영역에 가장 고른 에너지의 세기로 조사할 수 있으나 이외에도 펄스가 중첩되는 영역이 생기도록 위상을 90°~270° 변화시켜 펄스의 위상을 지연시킴으로써 레이저의 에너지가 중첩되어 분산되는 효과를 얻을 수 있게 된다.At this time, if the pulse cycle is shifted by half so that the phase of the pulse is 180° different, the processing area can be irradiated with the most even energy intensity. By delaying the phase, it is possible to obtain the effect that the energy of the laser is overlapped and dispersed.

이를 위해 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계에서 어느 한 측의 모서리 부분의 절개 라인부터 펄스 레이저로 가공하되 내측 테두리에서 조사되는 펄스 레이저가 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계에서 조사되는 펄스 레이저가 중첩되도록 절개 라인의 길이를 설정할 수 있을 것이다.To this end, in the step of cutting the incision line of the adhesive layer, it is processed with a pulse laser from the incision line at the edge of either side, but the pulse laser irradiated from the inner edge partially removes the inner edge of the adhesive layer. It will be possible to set the length of the incision line as much as possible.

예를 들어 상기 제3 패턴(300)은 상기 제1 패턴(100)과 달리 각각의 모서리에 제2 패턴(200)과 함께 연결된 패턴으로 가공되기 때문에 상기 제1 패턴(100)과 상기 제3 패턴(300)의 전체적인 길이를 계산함으로써 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계와 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계에서 레이저를 조사하는 주기의 개시에 대한 시간차를 적절히 조절하는 방식으로 펄스를 조절할 수 있게 된다.For example, since the third pattern 300 is processed into a pattern connected with the second pattern 200 at each corner, unlike the first pattern 100 , the first pattern 100 and the third pattern By calculating the overall length of 300, the pulse can be adjusted in a way that appropriately adjusts the time difference for the start of the laser irradiation cycle in the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer and the step of cutting the inner edge of the adhesive layer. .

따라서, 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계에서 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 따라 레이저를 조사하여 접착층의 내측 테두리를 절개하면 도 5(a)에 도시된 바와 같이 제1 패턴(100)의 가공면보다 레이저 버가 제거되면서도 매끈하고 깔끔한 제3 패턴(300)의 가공면이 형성되는 것을 확인할 수 있으며, 펄스의 위상을 지연시켜 레이저 가공을 수행함으로써 가공 속도가 향상된다. Therefore, when cutting the inner edge of the adhesive layer by irradiating a laser along the inner edge of the adhesive layer peeling area in the step of cutting the incision line of the adhesive layer, as shown in FIG. It can be seen that the processing surface of the third pattern 300 is formed smoothly and neatly while the burrs are removed, and the processing speed is improved by performing laser processing by delaying the phase of the pulse.

또한 제2 패턴(200)의 절개라인 가공면은 2회 왕복 조사를 통해 4회 가공이 되어 제1패턴(100)과 제3패턴(300)으로 2회 조사된 가공면보다 좀 더 큰 너비의 가공면으로 가공이 되는 것을 볼 수 있다.In addition, the cutting line processing surface of the second pattern 200 is processed 4 times through two reciprocating irradiation, so that the processing of a width slightly larger than the processing surface irradiated twice with the first pattern 100 and the third pattern 300 You can see it being processed into cotton.

즉, 모서리 부분의 절개 라인을 통해 횡방향 접착층과 종방향 접착층을 확실하게 영역 분리를 할 수 있게 된다.That is, it is possible to reliably separate the area between the lateral adhesive layer and the longitudinal adhesive layer through the cut line at the edge.

따라서, 도 3(a)의 제1 패턴(100)과 도 3(b)의 제2 패턴(200)과 제3 패턴(300)을 통해 접착층 필링 영역의 내부선과 모서리 부분의 절개 라인을 가공할 수 있다. 내부선 가공을 통해 접착층의 필링 영역의 내측 테두리를 완전히 절개할 수 있게 된다.Therefore, through the first pattern 100 of FIG. 3(a) and the second pattern 200 and the third pattern 300 of FIG. 3(b), the inner line of the adhesive layer peeling area and the cut-out line of the corner can be processed. can The inner edge of the peeling area of the adhesive layer can be completely cut through the inner line processing.

도 3(a)의 과정을 수행하면 도 5(a)의 좌측 제1 패턴(100)과 같은 형태로 나타나게 되고, 도 3(b)의 과정을 수행하면 도 5(a)의 우측 제2 패턴(200), 제 3 패턴(300)과 같은 형태가 되며, 이를 단면도로 나타내면 도 5(b)의 좌측 제3 패턴(300)과 같이 접착층이 절개된 형태가 된다.When the process of FIG. 3(a) is performed, the first pattern 100 on the left side of FIG. 5(a) appears in the same form, and when the process of FIG. 3(b) is performed, the second pattern on the right side of FIG. 5(a) is performed. (200), has the same shape as the third pattern 300, and when it is shown in a cross-sectional view, the adhesive layer is cut as shown in the left third pattern 300 of FIG. 5(b).

본 발명은 레이저 가공시 접착층을 벗겨낼 때 접착층이 필링 영역의 외측으로 잘 넘어가게 하기 위하여 절개 라인을 절개하는 단계 이전 또는 절개 라인을 절개하는 단계 이후에 절개 라인의 외측 방향에서 절개 라인을 둘러싸는 라인과 접착층 필링 영역의 외측 테두리를 연결하는 패턴으로 레이저를 조사하여 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행할 수 있다.The present invention surrounds the incision line in the outer direction of the incision line before or after the step of cutting the incision line so that the adhesive layer passes well to the outside of the peeling area when the adhesive layer is peeled off during laser processing. A step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer by irradiating a laser in a pattern connecting the line and the outer edge of the adhesive layer peeling area may be performed.

즉, 접착층 필링 영역의 외부선 가공을 통해 접착층을 바깥으로 넘길 때 접착층이 쉽게 넘어가게 할 수 있도록 외부에 공간을 확보하기 위하여 외부선 가공을 수행할 수 있다. That is, when the adhesive layer is turned over to the outside through the external line processing of the adhesive layer peeling area, the external line processing may be performed to secure a space outside so that the adhesive layer can be easily passed over.

이때 외부선 가공은 도 3(c)에 나타낸 바와 같은 패턴으로 레이저를 조사하게 되며, 도 3(b)의 접착층의 절개 라인과 내측 테두리를 연결하는 패턴을 외측에서 둘러싸는 패턴(제4 패턴(400))을 갖게 된다.At this time, the outer line processing is performed by irradiating the laser in a pattern as shown in Fig. 3(c), and a pattern (the fourth pattern (fourth pattern) 400)).

여기에서 도 3(c)의 레이저 가공으로 접착층 필링 영역을 완전 제거하는 것이 아니라 제4 패턴(400)은 접착층 필링 영역의 상면 중 일부만을 제거하기 때문에 레이저 에너지의 크기를 낮춘 상태에서 레이저를 조사할 수 있다.Here, the fourth pattern 400 does not completely remove the adhesive layer peeling region by the laser processing of FIG. can

레이저 가공시 접착층에 인가되는 에너지의 크기는 조사되는 레이저가 패턴을 따라 이동하는 레이저 이동 속도를 조절하거나 레이저 조사 세기를 조절하는 방식으로 조절될 수 있다.The amount of energy applied to the adhesive layer during laser processing may be adjusted by adjusting the laser movement speed at which the irradiated laser moves along the pattern or by adjusting the laser irradiation intensity.

예를 들어, 레이저가 이동 궤적에 따라 이동하면서 조사되는데 레이저의 이동 속도를 낮추면 인가되는 에너지가 더 오래 가공면에 인가되기 때문에 레이저 에너지의 크기가 증가하게 되고, 레이저의 이동 속도를 높이면 인가되는 에너지가 짧게 가공면에 인가되기 때문에 레이저 에너지의 크기가 감소하게 된다.For example, the laser is irradiated while moving along the moving trajectory. If the moving speed of the laser is lowered, the applied energy is applied to the processing surface for a longer time, so the size of the laser energy increases. If the moving speed of the laser is increased, the applied energy is applied to the processing surface for a short time, so the amount of laser energy decreases.

따라서, 본 발명은 레이저 이동속도를 빠르게 제어하거나 레이저 조사 세기를 약하게 제어한 상태에서 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행할 수 있다.Therefore, in the present invention, the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer can be performed in a state in which the laser moving speed is quickly controlled or the laser irradiation intensity is weakly controlled.

참고로 본 발명의 도 3에서, 도 3(c)의 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계는 도 3(b)의 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계 이후에 수행하는 것으로 나타내었으나 도 3(c)의 가공은 접착층 필링 영역의 최외곽 테두리 경계부분을 가공하고, 이후 필링하는 과정에서 비접착부의 접착층이 잘 벗겨지도록 가공하는 단계이므로 앞서 다른 레이저 가공 공정에 영향을 주지 않는다.For reference, in FIG. 3 of the present invention, the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer of FIG. 3(c) is shown to be performed after the step of cutting the cut-out line of the adhesive layer of FIG. 3(b), but FIG. 3(c) In the processing of the adhesive layer, the outermost edge boundary of the peeling area is processed, and the adhesive layer of the non-adhesive part is processed so that the adhesive layer of the non-adhesive part is well peeled off during the subsequent peeling process, so it does not affect other laser processing processes.

따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계는 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계 이후에 수행되어도 무방하나 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계 이전에 수행되어도 무방하며, 또한 가장 먼저 수행되어도 무방하다. 예를 들어 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계 이전에 수행될 수도 있다.Therefore, as shown in FIG. 3 , the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer may be performed after the step of cutting the cut line of the adhesive layer, but may be performed before the step of cutting the cut line of the adhesive layer, and also first It is free to perform For example, it may be performed before the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer.

즉, 도 3은 예시로 나타낸 것일 뿐이며, (a),(b),(c),(d) 순서로 수행될 수도 있고, (a),(c),(b),(d) 순서로 수행될 수도 있으며, (c),(a),(b),(d) 순서로 수행되어도 무방하다. That is, FIG. 3 is only shown as an example, and may be performed in the order of (a), (b), (c), (d), or (a), (c), (b), (d) in the order may be performed, or may be performed in the order of (c), (a), (b), (d).

또한, 도 3(c)의 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계(제4 패턴(400))는 접착층을 필링할 때 접착층을 보다 잘 벗겨내기 위해 접착층이 잘 넘어가도록 하기 위한 외부선 가공 공정으로 생략될 수 있다. 제4 패턴(400)은 원활한 필링 과정을 위해 사용하는 가공 공정이다. 본 발명의 레이저 가공 방법은 도 3의 순서도인 (a),(b),(c),(d)에 제한되지 않으며, 본 발명은 (b),(d) 또는 (a),(b),(d) 또는 (c),(b),(d) 또는 (b),(c),(d) 등 다양한 조합으로 사용될 수 있다.In addition, the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer of FIG. 3(c) (the fourth pattern 400) is omitted as an external line processing process for better peeling of the adhesive layer when peeling the adhesive layer can be The fourth pattern 400 is a processing process used for a smooth peeling process. The laser processing method of the present invention is not limited to the flowchart of FIG. 3 (a), (b), (c), (d), and the present invention is not limited to (b), (d) or (a), (b) , (d) or (c), (b), (d) or (b), (c), (d), etc. may be used in various combinations.

도 3(c)의 가공을 수행하면 도 5(b)의 제4 패턴(400)에서 나타낸 바와 같이 접착층의 상면 일부만 제거된 형태가 된다.When the processing of FIG. 3(c) is performed, as shown in the fourth pattern 400 of FIG. 5(b), only a portion of the upper surface of the adhesive layer is removed.

접착층 필링 영역의 내측 테두리와 모서리의 절개 라인을 절개하고, 접착층의 외측 테두리와 절개 라인의 외측의 상면 일부를 제거한 후에는 레이저의 열을 이용하여 절개된 접착층을 벗겨내는 과정을 수행할 수 있다.After cutting the incision line at the inner edge and corner of the adhesive layer peeling area, and removing a part of the upper surface of the outer edge and the outside of the incision line of the adhesive layer, a process of peeling off the cut adhesive layer using laser heat may be performed.

본 발명의 레이저 가공 방법에서 마지막 단계는 접착층 필링 영역을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 필링하는 단계이다.The last step in the laser processing method of the present invention is a step of gradually peeling the adhesive layer peeling area from the inside to the outside.

앞선 가공들에 의해 절개된 접착층에 내측에서 외측 방향 측으로 레이저를 조사하면 레이저의 열에 의해 접착층이 내측에서 외측 방향 측으로 휘어지면서 접착층 필링 영역의 외측으로 넘어가게 된다. When the laser is irradiated from the inside to the outside direction to the adhesive layer cut by the previous processing, the adhesive layer is bent from the inside to the outside direction by the heat of the laser and passes to the outside of the adhesive layer peeling area.

이때 4면 각각에 대하여 순차적으로 벗겨내는 과정을 수행할 수도 있지만 레이저의 가공 경로를 내측 테두리에서 외측 테두리까지 사각 나선형 궤적 패턴으로 가공하게 되면 레이저의 이동 경로를 줄일 수 있으므로 결론적으로 레이저 가공시간을 단축할 수 있게 된다.At this time, it is possible to perform the peeling process on each of the four sides sequentially, but if the laser processing path is processed in a square spiral trajectory pattern from the inner edge to the outer edge, the movement path of the laser can be reduced, and consequently the laser processing time is shortened. be able to do

절개된 접착층에 레이저의 열과 레이저의 이동 방향에 의해 점점 내측에서 외측으로 밀려나게 되는데 내측 테두리에서 외측 테두리까지 점차 큰 크기의 사각의 나선 경로를 이용하면 접착층이 내부에서 외부로 넘어가는 현상이 더 잘 일어나게 된다.The incised adhesive layer is pushed out from the inside to the outside by the heat of the laser and the direction of movement of the laser. will wake up

본 발명의 바람직한 실시예인 도 3 내지 도 6을 참조하여 레이저 가공 방법에 대해 간략하게 설명하면 다음과 같지만, 순서는 앞서 설명한 바와 같이 변경될 수 있다.A brief description of the laser processing method with reference to FIGS. 3 to 6, which is a preferred embodiment of the present invention, is as follows, but the order may be changed as described above.

먼저, 반도체 자재의 하면이 부착되어 고정될 영역을 제외한 접착층 필링 영역을 설정한다. 접착층 필링 영역에서 제1 패턴(100)을 따라 레이저를 조사한다.First, an adhesive layer peeling area is set except for the area to which the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed. A laser is irradiated along the first pattern 100 in the adhesive layer peeling area.

제1 패턴(100)은 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 연결하는 패턴이다. 제1 패턴(100)을 따라 접착층의 내측 테두리를 펄스 레이저를 이용하여 일부 제거하면 도 5(a)의 좌측과 같다.The first pattern 100 is a pattern connecting the inner edges of the adhesive layer filling area. When the inner edge of the adhesive layer is partially removed using a pulse laser along the first pattern 100, it is shown on the left side of FIG. 5(a).

이후, 접착층 필링 영역에서 내측 테두리의 모서리 영역에서 대각선 방향으로 형성된 절개 라인(제2 패턴(200))과 내측 테두리 라인(제3 패턴(300))을 연결하는 패턴으로 펄스 레이저를 조사한다.Thereafter, the pulse laser is irradiated in a pattern connecting the incision line (the second pattern 200) and the inner edge line (the third pattern 300) formed in a diagonal direction in the corner area of the inner edge in the adhesive layer peeling area.

이때 절개 라인(제 2패턴(200))은 2회 왕복 이동하면서 펄스 레이저를 조사하여 절개가 되고, 제3 패턴(300)은 앞서 제1 패턴이 조사된 영역과 동일하게 레이저가 조사됨으로써 내측 테두리가 제거된다.At this time, the incision line (the second pattern 200) is cut by irradiating a pulse laser while reciprocating twice, and the third pattern 300 is irradiated with a laser in the same manner as the area on which the first pattern was previously irradiated, thereby the inner edge is removed

즉, 도 5(a)의 우측에서 본 바와 같이 내측 테두리의 가공면이 매끄러워지고, 도 5(b)의 좌측에서 본 바와 같이 접착층 필링 영역 중 내측 테두리가 절개된 상태이다.That is, as seen from the right side of FIG. 5(a), the processing surface of the inner edge is smooth, and as seen from the left side of FIG. 5(b), the inner edge of the adhesive layer peeling area is cut off.

그 다음 절개 라인과 내측 테두리를 바깥쪽에서 둘러싸는 제4 패턴(400)으로 레이저를 조사하여 접착층의 상면 일부를 제거하면, 도 5(b)의 우측에서 본 바와 같이 접착층 필링 영역 중 외측 테두리가 일부 제거된다.Then, when a part of the upper surface of the adhesive layer is removed by irradiating a laser with the fourth pattern 400 surrounding the incision line and the inner edge from the outside, as seen from the right side of FIG. 5(b), the outer edge of the adhesive layer peeling area is partially is removed

제1 패턴(100), 제2 패턴(200) 및 제3 패턴(300)에 의한 접착층 절단 공정과, 접착층이 필링 영역의 외측방향으로 잘 넘어갈 수 있도록 제4 패턴(400)에 의한 접착층 상면 일부를 제거하는 공정이 완료된 후 제5 패턴(500)을 따라 제3 패턴(300)과 제4 패턴(400) 사이의 접착층 표면에 제3 패턴(300)으로부터 제4 패턴(400) 방향, 즉 내측에서 외측 방향으로 레이저를 조사하게 되면 제3 패턴(300)과 제4 패턴(400) 사이의 접착층은 도 5c에 도시된 바와 같이 내측에서 외측 방향으로 테이프의 폴리이미드(PI) 필름층(지지 플레이트)로부터 박리되어 말려 올라가면서 외측으로 넘어가게 된다.The adhesive layer cutting process by the first pattern 100 , the second pattern 200 , and the third pattern 300 , and a portion of the upper surface of the adhesive layer by the fourth pattern 400 so that the adhesive layer can pass well in the outer direction of the peeling area After the process of removing When the laser is irradiated in the outward direction, the adhesive layer between the third pattern 300 and the fourth pattern 400 forms a polyimide (PI) film layer (support plate) of the tape from the inside to the outside as shown in FIG. 5C . ) is peeled off and rolled up and passed to the outside.

이때 지지 플레이트는 테이프의 폴리이미드 필름층이 될 수도 있지만, 프레임이 될 수도 있다.At this time, the support plate may be a polyimide film layer of the tape, but may also be a frame.

반도체 자재가 접착될 각각의 접착층에 대하여 반도체 자재의 하면이 부착되어 고정될 영역을 제외하고 나머지 접착층 필링 영역에 대하여 동일한 레이저 가공 방법으로 레이저를 조사하며 이들의 가공 패턴을 모두 합하면 도 4에 도시된 바와 같게 된다.For each adhesive layer to which the semiconductor material is to be adhered, the laser is irradiated with the same laser processing method for the remaining adhesive layer peeling regions except for the region where the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed. becomes like a bar.

도 4는 도 3에 도시한 가공 패턴에 의한 모든 가공 영역을 도시한 것이며, 이후 반도체 자재 부착 영역에 대하여 가공이 모두 수행된 후에는 접착층에 반도체 자재를 부착 고정한다.4 is a view showing all the processing regions according to the processing pattern shown in FIG. 3, and after all processing is performed on the semiconductor material attachment region, the semiconductor material is attached and fixed to the adhesive layer.

도 6은 도 5c에 도시된 가공이 완료된 접착층에 반도체 자재를 고정한 단면 모습을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 6 schematically illustrates a cross-sectional view in which a semiconductor material is fixed to the adhesive layer on which the processing shown in FIG. 5C is completed.

도 6에 도시된 바와 같이 가공이 완료된 접착층은 반도체 자재가 부착되지 않는 비접착부의 접착층이 필링 제거되고, 접착층에 반도체 자재(P)를 고정한 상태로 스퍼터링 증착공정을 수행하게 된다.As shown in FIG. 6 , the adhesive layer of the non-adhesive part to which the semiconductor material is not attached is peeled off the adhesive layer, and the sputtering deposition process is performed in a state in which the semiconductor material (P) is fixed to the adhesive layer.

본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 상기 반도체 자재(P)의 모든 측면에서 접착층이 부분적으로 박리에 의해 제거되어 상기 반도체 자재(P)의 하부면보다 낮은 위치, 즉 접착층이 박리된 지지 플레이트 상부면에 증착층이 적층되기 때문에 스퍼터링 증착공정의 완료 후 반도체 자재(P)를 접착층으로부터 분리해도 측면의 증착층 말단에 상기 지지 플레이트 상부면에 적층된 증착층의 일부가 함께 분리되어 딸려오지 않아 깔끔하게 분리됨으로써 버(burr)가 발생하는 것을 회피하거나 최소화할 수 있다.In the laser processing method according to the present invention, the adhesive layer is partially removed by peeling from all sides of the semiconductor material (P) and deposited at a position lower than the lower surface of the semiconductor material (P), that is, on the upper surface of the supporting plate from which the adhesive layer is peeled. Since the layers are stacked, even if the semiconductor material (P) is separated from the adhesive layer after the sputtering deposition process is completed, a part of the deposition layer stacked on the upper surface of the support plate is separated and does not come together at the end of the deposition layer on the side. (burr) can be avoided or minimized.

본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 접착층 중 반도체 자재가 접착되지 않는 비접착부를 모두 태우거나 잘라내서 완전 제거하는 방식이 아니라 접착층의 제거는 최소화하고 박리에 의해 가공하는 방식으로서 접착층을 말려 넘기는 방식으로 일부 제거하고, 박리된 접착층이 도 6에 도시된 바와 같이 지지 플레이트 상에 잔존하고 있으므로 접착층이 제거되는 과정에서 발생하는 분진을 최소화할 수 있다. 또한, 떨어져 나온 접착층이 반도체 자재의 하면이 부착되어 고정될 영역에 붙지 않게 되므로 접착층의 접착 성능에 영향을 주지 않아 상기 분진에 의한 접착층과 반도체 자재 사이의 접착불량을 회피할 수 있다. The laser processing method according to the present invention is not a method to completely remove all non-adhesive parts to which the semiconductor material is not adhered among the adhesive layers, but to minimize the removal of the adhesive layer and process by peeling. Partial removal by rolling over the adhesive layer And, since the peeled adhesive layer remains on the support plate as shown in FIG. 6, it is possible to minimize dust generated in the process of removing the adhesive layer. In addition, since the detached adhesive layer does not adhere to the area to be fixed by attaching the lower surface of the semiconductor material, it does not affect the adhesive performance of the adhesive layer, so that poor adhesion between the adhesive layer and the semiconductor material caused by the dust can be avoided.

본 발명에 따른 제1 패턴 내지 제5 패턴에 따른 각각의 레이저 가공 방법은 레이저의 ON/OFF를 제어할 필요가 없이 모두 연속적으로 수행됨으로써 공정시간을 단축하여 레이저 가공 방법의 생산성(UPH)을 향상시킬 수 있다.Each of the laser processing methods according to the first to fifth patterns according to the present invention is performed continuously without the need to control ON/OFF of the laser, thereby shortening the process time and improving the productivity (UPH) of the laser processing method can do it

또한, 본 발명에 따른 레이저 가공 방법은 접착층을 내측에서 외측으로 박리시킬 때 각각의 모서리에서 연결되는 수평면과 수직면 각각에 배치된 접착층들은 서로에게 장력을 인가하여 상기 각각의 접착층이 박리되어 말려 올라가는 것을 방해하게 되는데 본 발명은 모서리 영역을 미리 절개함으로써 모서리 영역에서 발생되는 장력을 제거할 수 있어 접착층을 내측에서 외측 방향 측으로 용이하게 필링할 수 있게 된다.In addition, in the laser processing method according to the present invention, when the adhesive layer is peeled from the inside to the outside, the adhesive layers disposed on each of the horizontal and vertical surfaces connected at each corner apply tension to each other so that each adhesive layer is peeled off and rolled up. In the present invention, the tension generated in the corner area can be removed by cutting the corner area in advance, so that the adhesive layer can be easily peeled from the inside to the outside.

본 발명의 레이저 가공 방법에서 사용되는 레이저는 펄스 레이저를 사용할 수 있고, 각각의 가공 단계에서 조사되는 펄스의 세기 또는 레이저의 이동 속도를 조절하여 단위 면적 당 조사되는 레이저의 에너지 크기를 다르게 설정할 수 있다.The laser used in the laser processing method of the present invention may use a pulsed laser, and the energy level of the laser irradiated per unit area can be set differently by adjusting the intensity of the pulse or the movement speed of the laser irradiated in each processing step. .

예를 들어 접착층의 절개 라인을 형성하는 깊이 가공을 수행할 때는 단위면적당 레이저 에너지의 크기를 크게 할 수 있고, 절개 라인 형성시 레이저 조사 횟수를 2회 또는 그 이상에 걸쳐서 조사하는 경우 폴리 이미드 필름(지지 플레이트) 층이 찢어지거나 손상되지 않도록 레이저 에너지의 크기를 작게 한 상태로 가변시킬 수 있다.For example, when performing depth processing to form an incision line of the adhesive layer, the size of laser energy per unit area can be increased. It is possible to change the size of the laser energy in a small state so that the (support plate) layer is not torn or damaged.

또한, 본 발명에서 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계에서는 레이저 에너지의 크기를 약하게 조사할 수도 있을 것이다.In addition, in the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer in the present invention, the amount of laser energy may be weakly irradiated.

즉, 레이저의 이동 경로와 조사 횟수 등을 고려하여 레이저 에너지의 크기를 다르게 할 수 있을 것이다. 이때 레이저 에너지의 크기를 다르게 하기 위해서는 레이저의 세기를 조절해도 무방하며, 레이저의 세기를 동일하게 설정하더라도 레이저 이동 속도를 조절하면 가공면에 인가되는 레이저 에너지의 크기가 가변될 수 있게 된다.That is, the size of the laser energy may be different in consideration of the movement path of the laser, the number of irradiations, and the like. In this case, in order to vary the size of the laser energy, the intensity of the laser may be adjusted, and even if the intensity of the laser is set to be the same, if the laser moving speed is adjusted, the size of the laser energy applied to the processing surface can be varied.

예를 들어 제1 패턴 내지 제3 패턴에 따른 레이저 가공은 접착층을 지지 플레이트 상부면까지 완전히 절단하는 가공으로 인가되는 에너지가 가장 크고, 제4 패턴에 따른 레이저 가공은 박리된 접착층이 용이하게 외측으로 넘어갈 수 있는 정도로 접착층을 부분적으로 절단하는 가공으로 인가되는 에너지가 상대적으로 가장 작고, 제5 패턴에 따른 레이저 가공은 접착층을 절단하는 것이 아니라 표면을 레이저 열로 휘어지게하는 가공으로 인가되는 에너지가 제 4 패턴에 따른 에너지보다 상대적으로 크게 설정할 수 있을 것이다. For example, the laser processing according to the first pattern to the third pattern has the largest energy applied to the processing of completely cutting the adhesive layer up to the upper surface of the support plate, and the laser processing according to the fourth pattern allows the peeled adhesive layer to be easily exposed to the outside. The energy applied by the process of partially cutting the adhesive layer to the extent that it can be crossed is relatively small, and the laser processing according to the fifth pattern does not cut the adhesive layer but bends the surface with laser heat. The energy applied is the fourth It may be set relatively larger than the energy according to the pattern.

물론 필요에 따라 제 1패턴 내지 제3 패턴에 따른 레이저 가공은 접착층을 지지하는 플레이트의 상부면까지 절단하는 공정이지만 절개 라인은 왕복 이동에 의해 반복조사되고, 내측 테두리는 제1패턴에서 한번 가공이 된 부분이므로 제 1패턴 내지 제3 패턴에 따른 에너지보다 제 5패턴에 따른 접착층을 필링 제거할 때 사용되는 에너지를 더 크게 설정할 수 있을 것이다.Of course, if necessary, laser processing according to the first to third patterns is a process of cutting up to the upper surface of the plate supporting the adhesive layer, but the incision line is repeatedly irradiated by reciprocating movement, and the inner edge is processed once in the first pattern. Since it is a portion of the first pattern, the energy used for peeling and removing the adhesive layer according to the fifth pattern can be set to be larger than the energy according to the first to third patterns.

본 발명에 따른 레이저 가공 방법을 통해 접착층을 필링하면, 이후 후속 공정에서 반도체 자재를 접착층에 부착 고정한 후 스퍼터링을 수행하고, 접착층으로부터 스퍼터링된 반도체 자재를 분리할 때 버 발생을 방지하여 불량률을 현저하게 낮출 수 있어 제품의 생산성을 상시킬 수 있게 된다. When the adhesive layer is peeled through the laser processing method according to the present invention, sputtering is performed after attaching and fixing the semiconductor material to the adhesive layer in the subsequent process, and when separating the sputtered semiconductor material from the adhesive layer, burrs are prevented and the defect rate is significantly reduced It can lower the productivity of the product.

상기에서는 본 발명의 일 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.Although the above has been described with reference to one embodiment of the present invention, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims described below. You can do it. Therefore, if the modified implementation basically includes the elements of the claims of the present invention, all of them should be considered to be included in the technical scope of the present invention.

100 : 제1 패턴 200 : 제2 패턴
300 : 제3 패턴 400 : 제4 패턴
500 : 제5 패턴100: first pattern 200: second pattern
300: third pattern 400: fourth pattern
500: fifth pattern

Claims (17)

레이저를 이용하여 반도체 자재의 스퍼터링 공정에 사용되는 접착층을 필링하는 레이저 가공 방법에 있어서,
상기 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역을 제외한 접착층 필링 영역을 설정하는 단계;
상기 설정된 접착층 필링 영역에서 내측 테두리의 모서리에서 외측 방향 측으로 연장된 절개 라인을 따라 레이저를 조사하여 상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계; 및
상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 방향 측으로 레이저를 조사하여 상기 접착층 필링 영역을 내측에서 외측 방향으로 점진적으로 필링하는 단계;를 포함하는 레이저 가공 방법. In the laser processing method of peeling the adhesive layer used in the sputtering process of a semiconductor material using a laser,
setting an adhesive layer peeling area excluding the area to which the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed;
cutting the incision line of the adhesive layer by irradiating a laser along the incision line extending from the edge of the inner edge toward the outside in the set adhesive layer peeling area; and
A laser processing method comprising: irradiating a laser from the inner edge of the adhesive layer peeling region toward the outside to gradually peel the adhesive layer peeling region from the inside to the outside. 제1항에 있어서,
상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계는
상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 따라 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 절개하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.According to claim 1,
The step of cutting the incision line of the adhesive layer is
Laser processing method further comprising the step of cutting the inner edge of the adhesive layer by irradiating the laser along the inner edge of the adhesive layer peeling area. 제2항에 있어서,
상기 절개 라인을 절개하는 단계와 상기 내측 테두리를 절개하는 단계는 연속 가공에 의해 상기 절개 라인과 상기 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 한번에 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. 3. The method of claim 2,
The step of cutting the incision line and the step of cutting the inner edge are laser processing method, characterized in that performed at once in a pattern connecting the incision line and the inner edge by continuous processing. 제2항에 있어서,
상기 접착층의 절개 라인을 절개하는 단계 이전에 상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리를 연결하는 패턴으로 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.3. The method of claim 2,
Laser processing method, characterized in that it further comprises the step of removing a portion of the inner edge of the adhesive layer by irradiating the laser in a pattern connecting the inner edge of the adhesive layer peeling area before the step of cutting the incision line of the adhesive layer. 제4항에 있어서,
상기 레이저 가공 방법에 사용되는 레이저는 펄스 레이저이며,
상기 절개 라인을 절개하는 단계에서 상기 내측 테두리에 조사되는 레이저는 상기 접착층의 내측 테두리를 일부 제거하는 단계에서 조사되는 레이저의 펄스와 위상이 90°~270°차이나는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.5. The method of claim 4,
The laser used in the laser processing method is a pulse laser,
The laser irradiated to the inner edge in the step of cutting the incision line is a laser processing method, characterized in that 90° to 270° difference in phase with the pulse of the laser irradiated in the step of partially removing the inner edge of the adhesive layer. 제1항에 있어서,
상기 점진적으로 필링하는 단계는 상기 필링 영역의 내측 테두리에 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 내측 테두리를 절개한 후, 상기 레이저를 내측에서 외측 방향으로 조사하면서 상기 접착층을 내측에서 외측 방향으로 벗겨내는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. According to claim 1,
The gradual peeling step includes irradiating the laser to the inner edge of the peeling area to cut the inner edge of the adhesive layer, and then peeling off the adhesive layer from the inside to the outside while irradiating the laser from the inside to the outside. Characterized by the laser processing method. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착층의 절개라인은 상기 접착층을 외측 방향으로 필링하는 과정에서 상기 접착층 필링 영역의 횡방향 조사 라인과 종방향 조사 라인이 만나는 내측 테두리의 모서리 영역에서 대각선 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. 7. The method according to any one of claims 2 to 6,
The incision line of the adhesive layer is formed in a diagonal direction in the corner area of the inner edge where the transverse irradiation line and the longitudinal irradiation line of the adhesive layer peeling area meet in the process of peeling the adhesive layer outward. Laser processing method, characterized in that . 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착층의 절개라인을 상기 레이저로 조사할 때 상기 레이저는 상기 절개 라인을 따라 왕복 이동하며,
상기 레이저의 왕복 이동 경로는 서로 중첩되지 않는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
When irradiating the incision line of the adhesive layer with the laser, the laser reciprocates along the incision line,
Laser processing method, characterized in that the reciprocating paths of the laser do not overlap each other. 제8항에 있어서,
상기 레이저의 왕복 이동 경로는 서로 중첩되지 않도록 2회 이상 왕복 이동하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.9. The method of claim 8,
Laser processing method, characterized in that the reciprocating path of the laser is reciprocated two or more times so as not to overlap each other. 제9항에 있어서,
상기 왕복 이동 경로의 간격은 상기 점진적으로 필링하는 단계에서 조사되는 레이저의 궤적 간격보다 좁게 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.10. The method of claim 9,
The interval of the reciprocating path is a laser processing method, characterized in that formed narrower than the trajectory interval of the laser irradiated in the step of gradually peeling. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리는 상기 반도체 자재의 하면이 부착 고정될 영역의 외곽 테두리인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
The inner edge of the adhesive layer peeling area is a laser processing method, characterized in that the outer edge of the area to which the lower surface of the semiconductor material is to be attached and fixed. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 절개 라인을 절개하는 단계 이전 또는 상기 절개 라인을 절개하는 단계 이후에 상기 절개 라인의 외측 방향에서 상기 절개 라인을 둘러싸는 라인과 상기 접착층 필링 영역의 외측 테두리를 연결하는 패턴으로 상기 레이저를 조사하여 상기 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
By irradiating the laser in a pattern connecting the line surrounding the incision line and the outer edge of the adhesive layer peeling area in the outer direction of the incision line before or after the step of cutting the incision line, Laser processing method, characterized in that performing the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer. 제12항에 있어서,
상기 접착층의 상면 일부를 제거하는 단계를 수행할 때 상기 레이저의 이동 속도를 빠르게 제어하거나, 상기 레이저의 조사 세기를 약하게 제어하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.13. The method of claim 12,
When performing the step of removing a portion of the upper surface of the adhesive layer, the laser processing method, characterized in that by rapidly controlling the moving speed of the laser or controlling the irradiation intensity of the laser weakly. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 점진적으로 필링하는 단계에서
상기 접착층 필링 영역의 내측 테두리에서 외측 테두리까지 연속적인 사각의 나선형 궤적패턴으로 상기 레이저를 조사하는 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. 7. The method according to any one of claims 2 to 6,
In the step of gradually peeling
Laser processing method, characterized in that for irradiating the laser in a continuous square spiral trajectory pattern from the inner edge to the outer edge of the adhesive layer peeling area. 제2항 내지 제4항, 및 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 레이저 가공 방법에 사용되는 레이저는 펄스 레이저인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.The method of any one of claims 2 to 4 and 6,
The laser used in the laser processing method is a laser processing method, characterized in that the pulse laser. 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착층은 스퍼터링이 수행되기 위해 자재가 고정될 프레임 상에 도포되는 접착층이거나,
스퍼터링이 수행되기 위해 자재의 하면이 부착될 테이프의 접착층인 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법.7. The method according to any one of claims 2 to 6,
The adhesive layer is an adhesive layer applied on the frame to which the material is to be fixed in order to perform sputtering,
A laser processing method, characterized in that the lower surface of the material is an adhesive layer of the tape to be attached to perform sputtering. 제16항에 있어서,
상기 프레임 또는 상기 테이프에는 상기 자재의 하면에 형성된 솔더볼이 수용되기 위한 관통홀이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 가공 방법. 17. The method of claim 16,
Laser processing method, characterized in that the frame or the tape is formed with a through hole for receiving the solder ball formed on the lower surface of the material.
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