KR102451856B1 - Dicing sheet and method for manufacturing semiconductor chip - Google Patents

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KR102451856B1 KR1020177008353A KR20177008353A KR102451856B1 KR 102451856 B1 KR102451856 B1 KR 102451856B1 KR 1020177008353 A KR1020177008353 A KR 1020177008353A KR 20177008353 A KR20177008353 A KR 20177008353A KR 102451856 B1 KR102451856 B1 KR 102451856B1
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Abstract

기재 (3) 와, 그 편면에 형성된 중간층 (2) 과, 중간층 (2) 상에 형성된 점착제층 (1) 을 구비하는 다이싱 시트 (10) 로서, 점착제층 (1) 은, 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물을 함유하고, 점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 보다 크고, 점착제층 (1) 을 경화시키기 전의 다이싱 시트 (10) 에 대하여, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180°박리 점착력 시험을 실시했을 때에 측정되는 점착력이, 2000 mN/25 ㎜ 이상이고, 점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 손실 계수 tanδ 는, 0.23 이상인 다이싱 시트 (10). 이러한 다이싱 시트 (10) 에 의하면, 다이싱 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (30) 에 첩부하여 얻어지는 적층체를 소정 기간 정치해도, 부분 박리가 잘 발생하지 않는다.A dicing sheet (10) comprising a substrate (3), an intermediate layer (2) formed on one side thereof, and an adhesive layer (1) formed on the intermediate layer (2), wherein the pressure-sensitive adhesive layer (1) is an energy ray-curable double It contains the compound which has a bond in a molecule|numerator, and the storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer (1) is larger than the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer (2), The adhesive layer (1) ) of the dicing sheet 10 before curing, in accordance with JIS Z 0237: 2000, the adhesive force measured when a 180 ° peel adhesion test to a silicon mirror wafer is performed is 2000 mN/25 mm or more, The dicing sheet 10 whose loss coefficient tan-delta in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 is 0.23 or more. According to such a dicing sheet 10, even if it leaves still the laminated body obtained by sticking the dicing sheet 10 to the semiconductor wafer 30 for a predetermined period, partial peeling does not generate|occur|produce easily.

Description

다이싱 시트 및 반도체 칩의 제조 방법{DICING SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP}The manufacturing method of a dicing sheet and a semiconductor chip TECHNICAL FIELD

본 발명은, 반도체 웨이퍼를 회로마다 개편화하고, 반도체 칩을 제작할 때에, 반도체 웨이퍼를 고정시키기 위해서 사용되는 다이싱 시트에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 그 다이싱 시트를 사용한 반도체 칩의 제조 방법에 관한 것이다. 특히 본 발명의 다이싱 시트는, 표면에 돌기상 전극을 갖는 반도체 웨이퍼, 예를 들어 이른바 관통 전극 (TSV) 을 갖는 반도체 웨이퍼를 고정, 절단하여, 칩을 제조할 때에 바람직하게 사용된다.The present invention relates to a dicing sheet used in order to fix a semiconductor wafer when a semiconductor wafer is divided into pieces for each circuit and a semiconductor chip is produced. Moreover, this invention relates to the manufacturing method of the semiconductor chip using the dicing sheet. In particular, the dicing sheet of the present invention is preferably used when manufacturing a chip by fixing and cutting a semiconductor wafer having a protruding electrode on its surface, for example, a semiconductor wafer having a so-called through electrode (TSV).

반도체 웨이퍼는 표면에 회로가 형성된 후, 웨이퍼의 이면측에 연삭 가공을 실시하고, 웨이퍼의 두께를 조정하는 이면 연삭 공정 및 웨이퍼를 소정의 칩 사이즈로 개편화하는 다이싱 공정이 실시된다. 또한 이면 연삭 공정에 이어서, 추가로 이면에 에칭 처리 등의 발열을 수반하는 가공 처리나, 이면에 대한 금속막의 증착과 같이 고온에서 행해지는 처리가 실시되는 경우가 있다. 칩 사이즈로 개편화된 반도체 웨이퍼 (반도체 칩) 는, 픽업되어 다음 공정에 이송된다.After a circuit is formed on the surface of a semiconductor wafer, a grinding process is performed on the back side of the wafer, a backside grinding process of adjusting the thickness of the wafer, and a dicing process of dividing the wafer into predetermined chip sizes are performed. Further, subsequent to the backside grinding step, there is a case where a treatment performed at a high temperature, such as a processing treatment involving heat generation such as an etching treatment or the like, or deposition of a metal film on the backside, may be performed. A semiconductor wafer (semiconductor chip) divided into chip sizes is picked up and transferred to the next step.

최근의 IC 카드의 보급에 수반하여, 그 구성 부재인 반도체 칩의 박형화가 진행되고 있다. 이 때문에, 종래 350 ㎛ 정도의 두께인 웨이퍼를, 50 ∼ 100 ㎛ 혹은 그 이하까지 얇게 하는 것이 요구되게 되었다.With the recent popularization of IC cards, thickness reduction of the semiconductor chip, which is a constituent member thereof, is progressing. For this reason, it has come to be calculated|required to thin the wafer which is about 350 micrometers in thickness conventionally to 50-100 micrometers or less.

또한, 전자 회로의 대용량화, 고기능화에 대응하여, 복수의 반도체 칩을 입체적으로 적층한 적층 회로의 개발이 진행되고 있다. 이와 같은 적층 회로에 있어서는, 종래는 반도체 칩의 도전 접속을 와이어 본딩에 의해 실시하는 것이 일반적이었지만, 최근의 소형화·고기능화의 필요성에 의해, 와이어 본딩을 하지 않고, 반도체 칩에 회로 형성면으로부터 이면으로 관통하는 전극 (관통 전극) 을 형성하여, 직접 상하의 칩 사이를 도전 접속하는 방법이 효과적인 수법으로서 개발되어 있다.Further, development of a multilayer circuit in which a plurality of semiconductor chips are three-dimensionally stacked is being developed in response to an increase in the capacity and high functionality of the electronic circuit. In such a multilayer circuit, conventionally, conductive connection of semiconductor chips has been generally performed by wire bonding. A method of forming a penetrating electrode (penetrating electrode) and directly conducting conductive connection between the upper and lower chips has been developed as an effective method.

이와 같은 관통 전극이 형성된 칩의 제조 방법으로는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼의 소정 위치에 플라즈마에 의해 관통공을 형성하고, 이 관통공에 구리의 도전체를 흘려 넣은 후, 에칭을 실시하여 반도체 웨이퍼의 표면에 회로와 관통 전극을 형성하는 방법을 들 수 있다. 회로 및 관통 전극이 형성된 반도체 웨이퍼는, 기재 필름 상에 점착제층이 형성된 다이싱 시트를 사용하여 다이싱되어, 개개의 관통 전극이 형성된 칩이 얻어진다.As a method for manufacturing a chip with such a through electrode, for example, a through hole is formed by plasma at a predetermined position of a semiconductor wafer, a copper conductor is poured into the through hole, and then the semiconductor is etched. A method of forming a circuit and a through electrode on the surface of the wafer is exemplified. The semiconductor wafer with a circuit and a through electrode is diced using the dicing sheet in which the adhesive layer was formed on the base film, and the chip|tip with each through electrode is obtained.

상기와 같은 관통 전극이 형성된 칩을 얻기 위한 다이싱 공정에 있어서는, 기재 필름 상에 형성된 점착제층이 첩부면에 돌출된 관통 전극에 가압됨으로써 변형되고, 전극의 돌출부와 대략 동일 형상의 점착제층의 함몰부에 전극을 매립함으로써, 관통 전극이 형성된 반도체 웨이퍼를 다이싱 시트에 첩부·고정시키고, 이어서 다이싱을 실시하여, 개개의 칩을 얻는 방법이 제안되어 있다 (특허문헌 1, 2). 그러나, 특허문헌 1, 2 에 기재된 다이싱 시트에서는, 점착제층이 관통 전극을 매립하여, 관통 전극 사이의 좁은 범위에 점착제의 잔류물이 발생할 우려가 있었다. 그 잔류물에 의해, 칩 표면은 오염되고, 반도체 칩의 신뢰성이 저하하는 경우가 있다. 특허문헌 1, 2 의 방법에 있어서도 이와 같은 잔류물 잔류의 저감 수단이 제안되어 있지만, 잔류물 잔류의 가능성을 완전히 불식시킬 수 있다고는 단언할 수 없었다. 또한, 특허문헌 1, 2 에 기재된 다이싱 시트에서는, 관통 전극을 매립하기 위해서 다이싱시의 탄성은 낮게 조정할 필요가 있다. 이 때문에, 다이싱시의 진동에 의해 칩 결손 (칩핑) 이 발생하기 쉽다는 문제도 안고 있었다.In the dicing step for obtaining a chip with a through electrode as described above, the pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film is deformed by being pressed by the through electrode protruding on the affixing surface, and the pressure-sensitive adhesive layer having substantially the same shape as the protrusion of the electrode is depressed. A method of affixing and fixing a semiconductor wafer with a through electrode to a dicing sheet by embedding an electrode in the portion, followed by dicing, to obtain individual chips has been proposed (Patent Documents 1 and 2). However, in the dicing sheet described in Patent Documents 1 and 2, the pressure-sensitive adhesive layer buried the through electrodes, and there was a fear that a residue of the pressure-sensitive adhesive was generated in a narrow range between the through electrodes. The residue may contaminate the chip surface and reduce the reliability of the semiconductor chip. Also in the methods of Patent Documents 1 and 2, such a means for reducing residual residue has been proposed, but it cannot be asserted that the possibility of residual residual can be completely eliminated. Moreover, in the dicing sheet described in patent documents 1 and 2, in order to embed a through electrode, it is necessary to adjust the elasticity at the time of dicing low. For this reason, there was also a problem that chip defects (chipping) are likely to occur due to vibration during dicing.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 돌기상 전극 (관통 전극) 사이에 점착제층의 잔류물이 잔류하지 않고, 칩을 파손하지 않고 다이싱 및 픽업 가능한 다이싱 시트로서, 기재와, 그 편면에 형성된 중간층과, 중간층 상에 형성된 두께가 8 ∼ 30 ㎛ 인 점착제층으로 이루어지고, 점착제층이, 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물을 함유하고, 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 4 배보다 크고, 높이 15 ㎛, 직경 15 ㎛ 의 원주형 전극이 40 ㎛ 의 피치로 등간격으로 3 행 3 열로 형성된 웨이퍼에, 점착제층을 개재하여 첩부한 경우에, 3 행 3 열로 형성된 원주형 전극의 중심의 전극에 있어서, 그 전극의 높이 7.5 ㎛ 이하의 부분에 점착제층이 접촉하지 않는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 특허문헌 3 에 기재되어 있다.In order to solve this problem, there is provided a dicing sheet that can be diced and picked up without any residue of the pressure-sensitive adhesive layer remaining between the protruding electrodes (through electrodes) and without damaging the chips, comprising: a substrate, an intermediate layer formed on one side thereof; , the pressure-sensitive adhesive layer formed on the intermediate layer with a thickness of 8 to 30 µm, the pressure-sensitive adhesive layer contains a compound having an energy ray-curable double bond in its molecule, and the storage elastic modulus G' at 23°C before curing of the pressure-sensitive adhesive layer is larger than four times the storage elastic modulus G' at 23°C of the intermediate layer, and the columnar electrodes having a height of 15 µm and a diameter of 15 µm are formed in three rows and three columns at equal intervals at a pitch of 40 µm. A pressure-sensitive adhesive layer is interposed on the wafer Patent Document 3 discloses a dicing sheet characterized in that the pressure-sensitive adhesive layer does not contact a portion of the electrode having a height of 7.5 µm or less in the electrode at the center of the columnar electrode formed in 3 rows and 3 columns when the dicing sheet is adhered has been

또한, 특허문헌 3 에 기재되는 발명에 관련하여, 함우레탄 경화물로 이루어지는 중간층을 구비하는 다이싱 시트가 특허문헌 4 에 기재되어 있다.Further, according to the invention described in Patent Literature 3, a dicing sheet having an intermediate layer made of a urethane-containing cured product is described in Patent Literature 4.

일본 공개특허공보 2006-202926호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-202926 일본 공개특허공보 2010-135494호Japanese Patent Laid-Open No. 2010-135494 일본 공개특허공보 2013-098408호Japanese Patent Laid-Open No. 2013-098408 일본 공개특허공보 2013-197390호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-197390

특허문헌 3 이나 4 에는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (30) 에 첩착될 때에, 점착제층 (21) 이 돌기상 전극 (31) 사이에 추종하지 않고, 돌기상 전극 (31) 이 형성된 영역 (전극 형성 영역) 의 외주부 (30A) 에 추종하는 다이싱 시트 (20) 가 기재되어 있다. 이러한 다이싱 시트 (20) 에 의하면, 돌기상 전극 (31) 사이에 점착제층 (21) 의 잔류물은 잔류하지 않고, 또한 중합 부전 (不全) 에 의한 전극 형성 영역의 외주부 (30A) 에 있어서의 잔류물 잔류도 억제된다. 또한, 전극 형성 영역의 외주부 (30A) 에 있어서 점착제층 (21) 을 반도체 웨이퍼 (30) 에 첩착하고, 또한 점착제층 (21) 이 과도하게 유연화하지 않기 때문에, 다이싱시에 있어서의 물의 침입을 방지하여, 다이싱성이 우수하여, 칩핑의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 점착제층 (21) 을 에너지선 경화함으로써, 그 점착력을 제어할 수 있기 때문에, 칩의 픽업이 용이함과 함께, 칩의 파손을 방지할 수 있다.In Patent Documents 3 and 4, as shown in Fig. 2, when affixed to the semiconductor wafer 30, the pressure-sensitive adhesive layer 21 does not follow between the protruding electrodes 31, and the protruding electrodes 31 are formed. The dicing sheet 20 following the outer peripheral part 30A of the area|region (electrode formation area|region) is described. According to such a dicing sheet 20, the residue of the adhesive layer 21 does not remain between the protrusion-shaped electrodes 31, and the outer periphery part 30A of the electrode formation area by polymerization failure does not exist. Residue residue is also suppressed. In addition, since the pressure-sensitive adhesive layer 21 is adhered to the semiconductor wafer 30 in the outer peripheral portion 30A of the electrode formation region, and the pressure-sensitive adhesive layer 21 is not excessively softened, the penetration of water during dicing is prevented. Thus, the dicing property is excellent, and the occurrence of chipping can be prevented. Moreover, since the adhesive force can be controlled by energy-beam hardening of the adhesive layer 21, while pick-up of a chip|tip is easy, breakage of a chip|tip can be prevented.

이와 같이, 특허문헌 3 이나 4 에 기재되는 다이싱 시트 (20) 는 우수한 특성을 갖지만, 최근, 다이싱 시트 (20) 를 반도체 웨이퍼 (30) 에 첩부하여 얻어지는 적층체를, 첩부 후 다이싱 공정의 개시까지 소정 기간 정치한 경우에, 전극 형성 영역의 외주부 (30A) 에 추종하여 반도체 웨이퍼 (30) 에 적절히 첩부해 있던 점착제층 (21) 이, 부분적으로 반도체 웨이퍼 (30) 로부터 박리하게 되는 현상 (본 명세서에 있어서, 이 현상 「부분 박리」 라고도 한다) 이 발생할 수 있는 것이 밝혀졌다. 구체적으로는, 도 3 에 있어서의 전극 형성 영역의 외주부 (30A') 로서 나타내는 부분이, 부분적으로 반도체 웨이퍼 (30) 로부터 점착제층 (21) 이 박리된 부분, 즉, 부분 박리가 발생한 부분이다. 이 부분 박리에 기초하는 점착제층 (21) 의 박리의 정도가 큰 경우, 즉, 부분 박리가 발생한 부분의 면적이 넓은 경우에는, 상기의 적층체를 다이싱 공정에 제공했을 때에, 다이싱 작업의 안정성에 영향을 줄 가능성이 있다.Thus, although the dicing sheet 20 described in patent document 3 and 4 has the outstanding characteristic, in recent years, the dicing process after sticking the laminated body obtained by sticking the dicing sheet 20 to the semiconductor wafer 30. A phenomenon in which the pressure-sensitive adhesive layer 21 properly adhered to the semiconductor wafer 30 following the outer peripheral portion 30A of the electrode formation region is partially peeled from the semiconductor wafer 30 when left still for a predetermined period until the start of It was found that (in this specification, this phenomenon is also referred to as "partial peeling") can occur. Specifically, the part shown as the outer peripheral part 30A' of the electrode formation area in FIG. 3 is the part where the adhesive layer 21 peeled from the semiconductor wafer 30 partially, ie, the part which partial peeling generate|occur|produced. When the degree of peeling of the pressure-sensitive adhesive layer 21 based on this partial peeling is large, that is, when the area of the part where partial peeling occurs is large, when the above-mentioned laminate is subjected to a dicing process, the dicing operation There is a possibility that stability may be affected.

본 발명은, 상기와 같은 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 다이싱 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부하여 얻어지는 적층체를 소정 기간, 구체적으로는, 24 시간 정도 정치 (靜置) 해도, 상기와 같은 부분 박리가 잘 발생하지 않는 다이싱 시트, 및 그 다이싱 시트를 사용하는 반도체 칩의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in view of the actual situation as described above, and even if the laminate obtained by affixing a dicing sheet to a semiconductor wafer is left still for a predetermined period, specifically, about 24 hours, partial peeling as described above is not achieved. It makes it a subject to provide the dicing sheet which does not generate|occur|produce easily, and the manufacturing method of the semiconductor chip using the dicing sheet.

상기 목적을 달성하기 위하여 제공되는 본 발명은 다음과 같다.The present invention provided to achieve the above object is as follows.

(1) 기재와, 그 편면에 형성된 중간층과, 상기 중간층 상에 형성된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트로서, 상기 점착제층은, 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물을 함유하고, 상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 보다 크고, 상기 점착제층을 경화시키기 전의 상기 다이싱 시트에 대하여, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180°박리 점착력 시험을 실시했을 때에 측정되는 점착력이, 2000 mN/25 ㎜ 이상이고, 상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 손실 계수 tanδ 는, 0.23 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.(1) A dicing sheet comprising a substrate, an intermediate layer formed on one side thereof, and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the intermediate layer, wherein the pressure-sensitive adhesive layer contains a compound having an energy ray-curable double bond in a molecule, the pressure-sensitive adhesive layer Storage elastic modulus G' at 23 degreeC before hardening is larger than the storage elastic modulus G' at 23 degreeC of the said intermediate|middle layer, with respect to the said dicing sheet before hardening the said adhesive layer, according to JISZ0237:2000 Therefore, the adhesive force measured when performing the 180 ° peel adhesion test to the silicon mirror wafer is 2000 mN/25 mm or more, and the loss coefficient tanδ at 23 ° C. before curing of the adhesive layer is 0.23 or more, characterized in that dicing sheet.

(2) 상기 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물이, 중합체의 주사슬 또는 측사슬에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 점착성 중합체를 포함하는 상기 (1) 에 기재된 다이싱 시트.(2) The dicing sheet according to the above (1), wherein the compound having the energy ray-curable double bond in the molecule contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer in which an energy ray-polymerizable group is bonded to a main chain or a side chain of the polymer. .

(3) 상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 ㎩ 이상 1 × 105 ㎩ 미만인 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 다이싱 시트.(3) The dicing sheet according to (1) or (2), wherein the intermediate layer has a storage elastic modulus G' at 23°C of 1×10 4 Pa or more and less than 1×10 5 Pa.

(4) 상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 3 × 105 ㎩ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(4) The storage elastic modulus G' at 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is 3 x 10 5 Pa or more, The dicing sheet in any one of said (1)-(3) characterized by the above-mentioned.

(5) 상기 점착제층이, 반응성 관능기를 갖는 아크릴 중합체 및 가교제를 함유하고, 아크릴 중합체 100 질량부에 대하여, 가교제를 5 질량부 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(5) The pressure-sensitive adhesive layer contains an acrylic polymer having a reactive functional group and a crosslinking agent, and contains 5 parts by mass or more of a crosslinking agent with respect to 100 parts by mass of the acrylic polymer. The dicing sheet described in one.

(6) 상기 가교제가 이소시아네이트계 가교제인 것을 특징으로 하는 상기 (5) 에 기재된 다이싱 시트.(6) The dicing sheet according to (5) above, wherein the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent.

(7) 돌기상 전극이 형성된 웨이퍼에 첩부하여 사용하는 것을 특징으로 하는 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(7) The dicing sheet according to any one of (1) to (6), wherein the dicing sheet is used by being pasted on a wafer on which the protruding electrode is formed.

(8) 상기 돌기상 전극이 관통 전극인 상기 (7) 에 기재된 다이싱 시트.(8) The dicing sheet according to the above (7), wherein the protruding electrode is a through electrode.

(9) 상기 중간층이, 상기 돌기상 전극의 높이의 0.5 배 이상 1.5 배 이하의 두께인 것을 특징으로 하는 상기 (7) 또는 (8) 에 기재된 다이싱 시트.(9) The dicing sheet according to the above (7) or (8), wherein the intermediate layer has a thickness of not less than 0.5 times and not more than 1.5 times the height of the protruding electrode.

(10) 상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 4 배보다 큰, 상기 (1) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(10) Storage elastic modulus G' at 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is larger than 4 times the storage elastic modulus G' at 23 degreeC of the said intermediate|middle layer, in any one of said (1)-(9) The described dicing sheet.

(11) 상기 점착제층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(11) The dicing sheet according to any one of (1) to (10), wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a thickness of 5 µm or more and 50 µm or less.

(12) 상기 중간층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트.(12) The dicing sheet according to any one of (1) to (11), wherein the intermediate layer has a thickness of 5 µm or more and 50 µm or less.

(13) 돌기상 전극을 갖는 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면에, 상기 (1) 내지 (12) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 시트를 첩부하는 공정, 상기 반도체 웨이퍼를 회로마다 개편화하여 반도체 칩을 제작하는 공정, 및 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는 반도체 칩의 제조 방법.(13) A step of affixing the dicing sheet according to any one of (1) to (12) above on the electrode-formed surface of a semiconductor wafer having protruding electrodes; A method for manufacturing a semiconductor chip, comprising: a step of manufacturing; and a step of picking up the semiconductor chip.

본 발명에 의하면, 다이싱 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부하여 얻어지는 적층체를 소정 기간 정치해도, 전술한 바와 같은 부분 박리가 잘 발생하지 않는 다이싱 시트, 및 그 다이싱 시트를 사용하는 반도체 칩의 제조 방법이 제공된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if the laminated body obtained by sticking a dicing sheet to a semiconductor wafer is left still for a predetermined period, the dicing sheet which does not generate|occur|produce the partial peeling as mentioned above easily, and manufacture of the semiconductor chip using the dicing sheet. A method is provided.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트의 개략 단면도이다.
도 2 는 특허문헌 3 이나 4 에 기재되는 다이싱 시트가 반도체 웨이퍼에 첩부된 상태를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 3 은 부분 박리가 발생한 다이싱 시트를 개념적으로 나타내는 단면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention.
It is sectional drawing which shows conceptually the state in which the dicing sheet described in patent document 3 and 4 was stuck to the semiconductor wafer.
Fig. 3 is a cross-sectional view conceptually showing a dicing sheet in which partial peeling has occurred.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 점착 시트의 개략 단면도이다. 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트 (10) 는, 기재 (3) 와, 그 편면에 형성된 중간층 (2) 과, 중간층 (2) 상에 형성된 점착제층 (1) 을 구비한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing of the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention. The dicing sheet 10 which concerns on one Embodiment of this invention is equipped with the base material 3, the intermediate|middle layer 2 formed on the single side|surface, and the adhesive layer 1 formed on the intermediate|middle layer 2.

(점착제층 (1))(Adhesive layer (1))

점착제층 (1) 의 경화 전 (에너지선 조사 전) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 보다 크다. 이와 같이 저탄성률의 중간층 (2) 을 덮는 형태로, 비교적 탄성이 높은 점착제층 (1) 이 존재함으로써, 돌기상 전극 사이에 점착제층 (1) 이 추종하는 것을 바람직하게 억제하고, 돌기상 전극 사이에 있어서의 점착제층 (1) 의 잔류물의 발생이나, 픽업시에 있어서의 칩의 파손을 방지할 수 있다. 또한, 점착제층 (1) 과 중간층 (2) 의 적층체에 있어서, 점착제층 (1) 이 중간층 (2) 의 저탄성을 보강하기 때문에, 저탄성률의 층의 1 층만이 존재하는 경우에 비하여, 다이싱시의 웨이퍼의 진동이 억제되어, 칩핑이 잘 발생하지 않게 된다. 상기의 효과를 보다 안정적으로 얻는 관점에서, 점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 4 배보다 큰 것이 바람직하고, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 5 배보다 큰 것이 보다 바람직하고, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 10 배보다 큰 것이 더욱 바람직하고, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 20 배보다 큰 것이 특히 바람직하다.The storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 (before energy-beam irradiation) is larger than the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer 2. Thus, in the form which covers the intermediate|middle layer 2 of a low elastic modulus, by the presence of the adhesive layer 1 with relatively high elasticity, it suppresses preferably that the adhesive layer 1 follows between protrusion electrodes, and between protrusion electrodes. Generation|occurrence|production of the residue of the adhesive layer 1 in this, and the damage|damage of the chip|tip at the time of pick-up can be prevented. In addition, in the laminate of the pressure-sensitive adhesive layer (1) and the intermediate layer (2), since the pressure-sensitive adhesive layer (1) reinforces the low elasticity of the intermediate layer (2), compared to the case where only one layer of the low elastic modulus layer exists, The vibration of the wafer during dicing is suppressed, and chipping is less likely to occur. From a viewpoint of acquiring said effect more stably, the storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 is larger than 4 times of the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer 2 Preferably, it is more preferably larger than 5 times the storage elastic modulus G' at 23°C of the intermediate layer (2), and more preferably larger than 10 times the storage elastic modulus G' at 23°C of the intermediate layer (2). , it is particularly preferably larger than 20 times the storage elastic modulus G' of the intermediate layer 2 at 23°C.

점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 구체적으로는, 바람직하게는 3 × 105 ㎩ 이상, 보다 바람직하게는 3.5 × 105 ㎩ 이상 1 × 107 ㎩ 이하이다. 점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 상기 범위로 함으로써, 점착제의 돌기상 전극 사이로의 추종을 억제하는 효과 등이 보다 확실하게 얻어진다.Storage elastic modulus G' at 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 becomes like this. Specifically, Preferably it is 3 x 10 5 Pa or more, More preferably, it is 3.5 x 10 5 Pa or more and 1 x 10 7 Pa or less. . By making storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 into the said range, the effect of suppressing the tracking between the protrusion-shaped electrodes of an adhesive, etc. are acquired more reliably.

에너지선을 조사하기 전의 상태에 있어서의 다이싱 시트에 대하여, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180°박리 점착력 시험을 실시했을 때에 측정되는 점착력 (본 명세서에 있어서, 「조사 전 점착력」 이라고도 한다) 은, 2000 mN/25 ㎜ 이상이다. 본 명세서에 있어서, 조사 전 점착력을 측정할 때까지의 조건은 다음과 같이로 한다. 다이싱 시트의 점착제층 (1) 의 면을, 고무 롤러를 사용하여 첩부 하중 2 kgf 로, 실리콘 미러 웨이퍼 상에 첩부한다. 그리고, 다이싱 시트가 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부된 상태를, 23 ℃, 상대 습도 50 % 의 환경하에서 20 분간 유지한다. 20 분간 경과하면, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여 180°박리 점착력 시험을 실시한다.Adhesive force measured when the dicing sheet in the state before irradiation with energy rays is subjected to a 180° peel adhesion test to a silicon mirror wafer based on JIS Z 0237:2000 (in this specification, "irradiation Total adhesive force") is 2000 mN/25 mm or more. In this specification, conditions until the adhesive force before irradiation are measured are as follows. The surface of the pressure-sensitive adhesive layer 1 of the dicing sheet is affixed on a silicon mirror wafer with a sticking load of 2 kgf using a rubber roller. Then, the state in which the dicing sheet is affixed to the silicon mirror wafer is maintained for 20 minutes in an environment of 23°C and 50% relative humidity. After 20 minutes have elapsed, a 180° peel adhesion test is performed in accordance with JIS Z 0237:2000.

조사 전 점착력이 2000 mN/25 ㎜ 이상임으로써, 부분 박리가 잘 발생하지 않게 된다. 부분 박리가 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시키는 관점에서, 조사 전 점착력은, 2200 mN/25 ㎜ 이상인 것이 바람직하고, 2300 mN/25 ㎜ 이상인 것이 보다 바람직하고, 2500 mN/25 ㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 부분 박리가 발생할 가능성을 저감시키는 관점에서는, 조사 전 점착력의 상한은 설정되지 않는다. 취급성이나 제조 안정성을 높이는 관점에서, 조사 전 점착력은, 10000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직한 경우가 있고, 8000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다.When the adhesive force before irradiation is 2000 mN/25 mm or more, partial peeling becomes difficult to generate|occur|produce. From the viewpoint of more stably reducing the possibility of partial peeling, the pre-irradiation adhesive force is preferably 2200 mN/25 mm or more, more preferably 2300 mN/25 mm or more, and particularly preferably 2500 mN/25 mm or more. . From a viewpoint of reducing the possibility that partial peeling will occur, the upper limit of the adhesive force before irradiation is not set. From a viewpoint of improving handleability and manufacturing stability, it may be preferable that it is 10000 mN/25 mm or less, and, as for the adhesive force before irradiation, it may be more preferable that it is 8000 mN/25 mm or less.

점착제층 (1) 의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 손실 계수 tanδ 는, 0.23 이상이다. 이러한 손실 계수 tanδ 가 0.23 이상임으로써, 점착제층 (1) 의 변형이 용이해진다. 이 때문에, 시간 경과적인 점착제층 (1) 의 변형이 억제되어, 부분 박리가 잘 발생하지 않게 된다. 부분 박리가 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시키는 관점에서, 상기의 손실 계수 tanδ 는, 0.25 이상인 것이 바람직하고 0.3 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.38 이상인 것이 특히 바람직하다. 부분 박리의 발생을 억제하는 관점에서는, 상기의 손실 계수 tanδ 의 상한은 설정되지 않는다. 취급성 및 생산성의 관점에서, 상기의 손실 계수 tanδ 는 0.7 이하인 것이 바람직한 경우가 있고, 0.65 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다.Loss coefficient tan-delta in 23 degreeC before hardening of the adhesive layer 1 is 0.23 or more. When such loss coefficient tanδ is 0.23 or more, deformation of the pressure-sensitive adhesive layer 1 becomes easy. For this reason, the deformation|transformation of the adhesive layer 1 with time is suppressed, and partial peeling becomes difficult to generate|occur|produce. From the viewpoint of more stably reducing the possibility of partial peeling, the loss coefficient tanδ is preferably 0.25 or more, more preferably 0.3 or more, and particularly preferably 0.38 or more. From a viewpoint of suppressing generation|occurrence|production of partial peeling, the upper limit of said loss coefficient tan δ is not set. From a viewpoint of handleability and productivity, it may be preferable that said loss coefficient tanδ is 0.7 or less, and it may be more preferable that it is 0.65 or less.

점착제층 (1) 의 두께는, 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제층 (1) 의 두께가 상기 범위에 있음으로써, 다이싱성이 향상되어, 칩핑의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 돌기상 전극 사이에 점착제층 (1) 이 추종하는 것을 바람직하게 억제하고, 돌기상 전극 사이에 있어서의 점착제층 (1) 의 잔류물의 발생이나, 픽업시에 있어서의 칩의 파손을 방지할 수 있고, 또한 후술하는 돌기상 전극이 형성된 영역 (전극 형성 영역) 의 외주부에 있어서의 다이싱 시트의 추종성이 유지된다. 점착제층 (1) 의 두께는, 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that the thickness of the adhesive layer 1 is 5 micrometers or more and 50 micrometers or less. When the thickness of the adhesive layer 1 exists in the said range, dicing property can improve and generation|occurrence|production of chipping can be suppressed. In addition, it preferably suppresses the tracking of the pressure-sensitive adhesive layer 1 between the protruding electrodes, and prevents the generation of residues of the pressure-sensitive adhesive layer 1 between the protruding electrodes and the chip breakage at the time of pickup. Furthermore, the followability of the dicing sheet in the outer peripheral portion of the region (electrode formation region) in which the protruding electrode is formed, which will be described later, is maintained. As for the thickness of the adhesive layer 1, it is more preferable that they are 5 micrometers or more and 40 micrometers or less, It is especially preferable that they are 5 micrometers or more and 30 micrometers or less.

점착제층 (1) 은, 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물 및 점착성을 발현시키기 위한 물질로 이루어지는 성분 (이하, 「에너지선 경화형 점착 성분」 이라고 기재하는 경우가 있다) 을 함유한다.The pressure-sensitive adhesive layer 1 contains a compound having an energy ray-curable double bond in a molecule and a component made of a substance for expressing adhesiveness (hereinafter, sometimes referred to as an “energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component”).

점착제층 (1) 은, 에너지선 경화형 점착 성분과 필요에 따라 광 중합 개시제를 배합한 점착제 조성물을 사용하여 형성된다. 또한, 상기 점착제 조성물에는, 각종 물성을 개량하기 위해서, 필요에 따라, 그 밖의 성분이 포함되어 있어도 된다. 그 밖의 성분으로는 가교제가 바람직하다.The adhesive layer 1 is formed using the adhesive composition which mix|blended the energy ray hardening-type adhesive component and the photoinitiator as needed. Moreover, in order to improve various physical properties, the said adhesive composition may contain other components as needed. As another component, a crosslinking agent is preferable.

이하, 에너지선 경화형 점착 성분에 대하여, 아크릴계 점착제를 예로 하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive component will be specifically described using an acrylic pressure-sensitive adhesive as an example.

아크릴계 점착제는, 점착제 조성물에 충분한 점착성 및 조막성 (시트 형성성) 을 부여하기 위해서 아크릴 중합체 (A) 를 함유하고, 또한 에너지선 경화성 화합물 (B) 를 함유한다. 에너지선 경화성 화합물 (B) 는, 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하여, 점착제 조성물의 점착력을 저하시키는 기능을 갖는다. 또한, 상기 성분 (A) 및 (B) 의 성질을 겸비하는 것으로서, 주사슬 또는 측사슬에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 점착성 중합체 (이하, 성분 (AB) 라고 기재하는 경우가 있다) 를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 는, 점착성과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다.An acrylic adhesive contains an acrylic polymer (A) in order to provide sufficient adhesiveness and film-forming property (sheet-forming property) to an adhesive composition, and also contains an energy-beam sclerosing|hardenable compound (B). An energy-beam-curable compound (B) contains an energy-beam polymeric group, and when irradiated with energy rays, such as an ultraviolet-ray and an electron beam, polymerization-hardens, and has the function of reducing the adhesive force of an adhesive composition. In addition, as having the properties of the components (A) and (B), an energy ray-curable adhesive polymer in which an energy ray polymerizable group is bonded to a main chain or a side chain (hereinafter referred to as component (AB)) ) is preferably used. Such an energy-ray-curable adhesive polymer (AB) has the property of having both adhesiveness and energy-beam sclerosis|hardenability.

아크릴 중합체 (A) 로는, 종래 공지된 아크릴 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴 중합체 (A) 의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 아크릴 중합체 (A) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 -70 ∼ 30 ℃, 더욱 바람직하게는 -60 ∼ 20 ℃ 의 범위에 있다.As an acrylic polymer (A), a conventionally well-known acrylic polymer can be used. It is preferable that it is 10,000-2 million, and, as for the polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) of an acrylic polymer (A), it is more preferable that it is 100,000-1,500,000. Moreover, the glass transition temperature (Tg) of an acrylic polymer (A) becomes like this. Preferably it is -70-30 degreeC, More preferably, it exists in the range of -60-20 degreeC.

아크릴 중합체 (A) 를 구성하는 모노머로는, (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체를 들 수 있다. 구체적으로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등의 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 알킬(메트)아크릴레이트 ; 시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이미드(메트)아크릴레이트 등의 고리형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트 ; 하이드록시메틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 ; 아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 글리시딜아크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다. 이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴산」 은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.As a monomer which comprises an acrylic polymer (A), a (meth)acrylic acid ester monomer or its derivative(s) is mentioned. Specifically, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate phosphorus alkyl (meth)acrylate; Cycloalkyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl oxyethyl ( (meth)acrylates having a cyclic skeleton such as meth)acrylate and imide (meth)acrylate; hydroxyl group-containing (meth)acrylates such as hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, and 2-hydroxypropyl (meth)acrylate; Acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, etc. are mentioned. Moreover, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, etc. may be copolymerized. These may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. In addition, "(meth)acrylic acid" in this specification means both acrylic acid and methacrylic acid. The same is true for other similar terms.

또한, 본 발명에 있어서의 아크릴 중합체 (A) 는 반응성 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 반응성 관능기는, 본 발명에 있어서의 점착제층 (1) 을 구성하는 점착제 조성물에 바람직하게 첨가되는 가교제의 반응성 관능기와 반응하여 삼차원 망목 구조를 형성하여, 점착제층 (1) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 소정 범위로 조정하는 것이 용이해진다. 아크릴 중합체 (A) 의 반응성 관능기로는, 카르복실기, 아미노기, 에폭시기, 수산기 등을 들 수 있지만, 가교제와 선택적으로 반응시키기 쉬운 점에서, 수산기인 것이 바람직하다. 반응성 관능기는, 상기 서술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트나 아크릴산 등의 반응성 관능기를 갖는 단량체를 사용하여 아크릴 중합체 (A) 를 구성함으로써, 아크릴 중합체 (A) 에 도입할 수 있다.Moreover, it is preferable that the acrylic polymer (A) in this invention has a reactive functional group. The reactive functional group reacts with the reactive functional group of the crosslinking agent preferably added to the pressure-sensitive adhesive composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer (1) in the present invention to form a three-dimensional network structure, and storage at 23°C of the pressure-sensitive adhesive layer (1) It becomes easy to adjust the elastic modulus G' to a predetermined range. Although a carboxyl group, an amino group, an epoxy group, a hydroxyl group, etc. are mentioned as a reactive functional group of an acrylic polymer (A), From the point which is easy to react selectively with a crosslinking agent, it is preferable that it is a hydroxyl group. A reactive functional group can be introduce|transduced into an acrylic polymer (A) by comprising the acrylic polymer (A) using the monomer which has reactive functional groups, such as hydroxyl-containing (meth)acrylate and acrylic acid mentioned above.

아크릴 중합체 (A) 는, 그 구성하는 전체 단량체 중, 반응성 관능기를 갖는 단량체를 5 ∼ 30 질량% 포함하는 것이 바람직하고, 10 ∼ 30 질량% 포함하는 것이 더욱 바람직하다. 반응성 관능기를 갖는 단량체의 배합 비율을 이와 같은 범위로 함으로써, 가교제에 의해 아크릴 중합체 (A) 가 효율적으로 가교되고, 점착제층 (1) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 소정 범위로 조정하는 것이 용이해진다. 또한, 아크릴 중합체 (A) 의 반응성 관능기 (예를 들어 수산기) 당량은, 가교제의 반응성 관능기 (예를 들어 이소시아네이트기) 당량의 0.17 ∼ 2.0 배인 것이 바람직하다. 아크릴 중합체 (A) 의 반응성 관능기 당량과, 가교제의 반응성 관능기 당량의 관계를 상기 범위로 함으로써, 점착제층 (1) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 소정 범위로 조정하는 것이 더욱 용이해진다.It is preferable to contain 5-30 mass % of the monomer which has a reactive functional group among all the monomers which comprise, and, as for an acrylic polymer (A), it is more preferable to contain 10-30 mass %. By making the compounding ratio of the monomer having a reactive functional group into such a range, the acrylic polymer (A) is efficiently crosslinked by the crosslinking agent, and the storage elastic modulus G' at 23°C of the pressure-sensitive adhesive layer (1) is adjusted to a predetermined range it becomes easier Moreover, it is preferable that the reactive functional group (for example, hydroxyl group) equivalent of an acrylic polymer (A) is 0.17 to 2.0 times the reactive functional group (for example, isocyanate group) equivalent of a crosslinking agent. By making the relationship between the reactive functional group equivalent of an acrylic polymer (A) and the reactive functional group equivalent of a crosslinking agent into the said range, it becomes further easier to adjust the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the adhesive layer 1 to a predetermined range.

에너지선 경화성 화합물 (B) 는, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면 중합 경화하는 화합물이다. 이 에너지선 경화성 화합물의 예로는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머) 을 들 수 있고, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 고리형 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고 에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다. 이와 같은 화합물은, 분자 내에 에너지선 경화성 이중 결합을 갖고, 통상적으로는, 분자량이 100 ∼ 30000, 바람직하게는 300 ∼ 10000 정도이다.An energy-beam-curable compound (B) is a compound which polymerization-hardens when irradiated with energy rays, such as an ultraviolet-ray and an electron beam. Examples of this energy-ray-curable compound include low-molecular-weight compounds (monofunctional and polyfunctional monomers and oligomers) having an energy-beam polymerizable group, and specifically, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethanetetra Acrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, etc. acrylates, dicyclopentadienedimethoxydiacrylate, and cyclic aliphatic skeleton-containing acrylates such as isobornyl acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, urethane acrylate oligomer, epoxy-modified acrylate, poly An acrylate-based compound such as ether acrylate or itaconic acid oligomer is used. Such a compound has an energy ray-curable double bond in a molecule|numerator, and molecular weight is 100-30000 normally, Preferably it is about 300-10000.

일반적으로는 성분 (A) (후술하는 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 를 포함한다) 100 질량부에 대하여, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물은 바람직하게는 0 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 100 질량부, 더욱 바람직하게는, 1 ∼ 30 질량부 정도의 비율로 사용된다. 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물은, 그 분자량의 낮음으로부터, 첨가하는 것에 의해 에너지선 경화 전의 점착제층 (1) 을 연화시킨다. 그러면, 돌기상 전극 사이에 점착제층 (1) 이 추종하기 쉬워져, 돌기상 전극 사이에 점착제 잔류물을 발생하기 쉬워질 우려가 있다. 이 때문에, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물의 사용량은 적게 제한하는 것이 바람직하다.In general, the low molecular weight compound having an energy ray polymerizable group is preferably 0 to 200 parts by mass, more preferably 0 to 200 parts by mass relative to 100 parts by mass of the component (A) (including the energy ray-curable adhesive polymer (AB) described later). is used in an amount of 1 to 100 parts by mass, more preferably 1 to 30 parts by mass. The low molecular weight compound which has an energy-beam polymeric group softens the adhesive layer 1 before energy-beam hardening by adding from the low molecular weight. Then, there exists a possibility that the adhesive layer 1 will become easy to follow between the protrusion-shaped electrodes, and there exists a possibility that it may become easy to generate|occur|produce an adhesive residue between the protrusion-shaped electrodes. For this reason, it is preferable to limit the usage-amount of the low molecular-weight compound which has an energy-beam polymeric group small.

상기 성분 (A) 및 (B) 의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 는, 중합체의 주사슬 또는 측사슬에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어진다. 상기 서술한 바와 같이, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물의 사용량을 적게 제한하는 것이 바람직하지만, 이 경우에는 에너지선의 조사에 의한 점착제층 (1) 의 경화가 불충분해져, 피착체에 점착제층 (1) 이 잔류하는 것을 억제하는 효과가 저하할 가능성이 있다. 그래서, 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 를 점착제층 (1) 에 적용함으로써, 에너지선 조사 전의 점착제층 (1) 을 연화시키지 않고, 또한, 에너지선의 조사에 의해 점착제층 (1) 의 경화를 충분히 진행시킬 수 있다. 또한, 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 는 분자 내에 에너지선 중합성기를 갖고, 또한 반응성 관능기도 갖는 것이 가능하기 때문에, 1 분자가 다른 분자와 결합할 확률이 높다. 이 때문에, 에너지선을 조사하고, 점착제층 (1) 을 경화시킨 후, 저분자 성분이 삼차원 망목 구조에 취입되지 않고 잔존할 가능성이 낮다. 따라서, 삼차원 망목 구조에 취입되지 않고 잔존한 저분자 성분에서 기인한 잔류물의 발생이 억제된다.The energy-beam-curable adhesive polymer (AB) which has the property of the said component (A) and (B) consists of an energy-beam polymeric group couple|bonded with the main chain or side chain of a polymer. As described above, it is preferable to limit the amount of the low-molecular-weight compound having an energy-beam polymerizable group to a small extent, but in this case, curing of the pressure-sensitive adhesive layer (1) by irradiation with energy rays becomes insufficient, and the pressure-sensitive adhesive layer ( 1) The effect which suppresses this remaining may fall. Then, by applying an energy-beam hardening type adhesive polymer (AB) to the adhesive layer 1, without softening the adhesive layer 1 before energy-beam irradiation, and also by irradiation of an energy-beam, hardening of the adhesive layer 1 is sufficient. can proceed. Moreover, since an energy-beam curable adhesive polymer (AB) has an energy-beam polymeric group in a molecule|numerator and can also have a reactive functional group, the probability that one molecule couple|bonds with another molecule is high. For this reason, after irradiating an energy ray and hardening the adhesive layer 1, the possibility that a low molecular component will remain|survive without being blown into a three-dimensional network structure is low. Accordingly, generation of residues due to low molecular weight components remaining without being incorporated into the three-dimensional network structure is suppressed.

에너지선 경화형 점착성 중합체의 주골격은 특별히 한정은 되지 않고, 점착제로서 범용되고 있는 아크릴 공중합체여도 된다.The main skeleton of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer is not particularly limited, and may be an acrylic copolymer widely used as an adhesive.

에너지선 경화형 점착성 중합체의 주사슬 또는 측사슬에 결합하는 에너지선 중합성기는, 예를 들어 에너지선 경화성의 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 기이고, 구체적으로는 (메트)아크릴로일기 등을 예시할 수 있다. 에너지선 중합성기는, 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 개재하여 에너지선 경화형 점착성 중합체에 결합하고 있어도 된다.The energy ray polymerizable group bonded to the main chain or the side chain of the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer is, for example, a group containing an energy ray-curable carbon-carbon double bond, specifically, a (meth) acryloyl group, etc. can do. The energy-beam polymerizable group may be couple|bonded with the energy-beam curable adhesive polymer via an alkylene group, an alkyleneoxy group, and a polyalkyleneoxy group.

에너지선 중합성기가 결합된 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 -70 ∼ 30 ℃, 보다 바람직하게는 -60 ∼ 20 ℃ 의 범위에 있다.It is preferable that it is 10,000-2 million, and, as for the weight average molecular weight (Mw) of the energy-beam curable adhesive polymer (AB) to which the energy-beam polymeric group couple|bonded, it is more preferable that it is 100,000-1,500,000. Moreover, the glass transition temperature (Tg) of an energy ray-curable adhesive polymer (AB) becomes like this. Preferably it is -70-30 degreeC, More preferably, it exists in the range of -60-20 degreeC.

에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 는, 예를 들어, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴 점착성 중합체와, 그 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자당 1 ∼ 5 개를 갖는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 아크릴 점착성 중합체는, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체와, 전술한 성분 (A) 를 구성하는 모노머로 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 그 중합성기 함유 화합물로는, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 ; (메트)아크릴산 등을 들 수 있다.The energy ray-curable adhesive polymer (AB) is, for example, an acrylic adhesive polymer containing a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group and an epoxy group, and a substituent reactive with the functional group and energy ray polymerizable carbon- It is obtained by reacting a polymerizable group-containing compound having 1 to 5 carbon double bonds per molecule. The acrylic adhesive polymer is preferably a copolymer comprising a (meth)acrylic acid ester monomer or derivative thereof having a functional group such as a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group, and a monomer constituting the component (A) described above. . Examples of the polymerizable group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, allyl isocyanate, glycidyl (meth)acryl. rate; (meth)acrylic acid etc. are mentioned.

상기와 같은 아크릴 중합체 (A) 및 에너지선 경화성 화합물 (B) 또는, 에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 를 포함하는 아크릴계 점착제는, 에너지선 조사에 의해 경화한다. 에너지선으로는, 구체적으로는, 자외선, 전자선 등이 사용된다.The acryl-type adhesive containing the above acrylic polymer (A), an energy-beam curable compound (B), or an energy-beam hardening type adhesive polymer (AB) is hardened|cured by energy-beam irradiation. As an energy beam, an ultraviolet-ray, an electron beam, etc. are specifically used.

광 중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있고, 구체적으로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부틸로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로르안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등을 예시할 수 있다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에, 광 중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. , specifically, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutylo Nitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide and the like can be exemplified. When using an ultraviolet-ray as an energy beam, irradiation time and irradiation amount can be decreased by mix|blending a photoinitiator.

광 중합 개시제의 함유량은, 이론적으로는, 점착제층 (1) 중에 존재하는 불포화 결합량 (에너지선 경화성 이중 결합량) 이나 그 반응성 및 사용되는 광 중합 개시제의 반응성에 기초하여 결정되어야 하지만, 복잡한 혼합물계에 있어서는 반드시 용이하지는 않다. 일반적인 지침으로서, 광 중합 개시제의 함유량은, 에너지선 경화성 화합물 (B) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 ∼ 10 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 5 질량부이다. 광 중합 개시제의 함유량이 상기 범위를 하회하면 광 중합의 부족으로 만족스러운 픽업성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 상기 범위를 상회하면 광 중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되고, 점착제층 (1) 의 경화성이 불충분해지는 경우가 있다.The content of the photoinitiator should, in theory, be determined based on the amount of unsaturated bonds (the amount of energy ray-curable double bonds) present in the pressure-sensitive adhesive layer 1 and its reactivity and the reactivity of the photoinitiator used, but a complex mixture It is not necessarily easy in the system. As a general guideline, content of a photoinitiator becomes like this with respect to 100 mass parts of energy-beam sclerosing|hardenable compounds (B), Preferably it is 0.1-10 mass parts, More preferably, it is 1-5 mass parts. When the content of the photoinitiator is less than the above range, satisfactory pickup properties may not be obtained due to insufficient photopolymerization. There are cases in which the hardenability of the resin becomes insufficient.

가교제로는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 에폭시 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있고, 유기 다가 이소시아네이트 화합물 (이소시아네이트계 가교제) 이 바람직하다.Examples of the crosslinking agent include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent epoxy compound, and an organic polyvalent imine compound, and an organic polyvalent isocyanate compound (isocyanate-based crosslinking agent) is preferable.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3 량체, 그리고 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리 폴리머 등을 들 수 있다.Examples of the organic polyvalent isocyanate compound include an aromatic polyvalent isocyanate compound, an aliphatic polyvalent isocyanate compound, an alicyclic polyvalent isocyanate compound, a trimer of these organic polyvalent isocyanate compounds, and a terminal isocyanate urethane-free polymer obtained by reacting these organic polyvalent isocyanate compounds with a polyol compound. and the like.

유기 다가 이소시아네이트 화합물의 더욱 구체적인 예로는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트 및 리신이소시아네이트를 들 수 있다.More specific examples of the organic polyvalent isocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4 '-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dish Chlohexylmethane-2,4'-diisocyanate, trimethylolpropane adduct tolylene diisocyanate, and lysine isocyanate are mentioned.

유기 다가 에폭시 화합물의 구체적인 예로는, 1,3-비스(N,N'-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판디글리시딜에테르, 디글리시딜아닐린, 디글리시딜아민 등을 들 수 있다.Specific examples of the organic polyvalent epoxy compound include 1,3-bis(N,N'-diglycidylaminomethyl)cyclohexane, N,N,N',N'-tetraglycidyl-m-xylylenediamine , ethylene glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane diglycidyl ether, diglycidyl aniline, diglycidyl amine, and the like.

유기 다가 이민 화합물의 구체적인 예로는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.Specific examples of the organic polyvalent imine compound include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethyl and olmethane-tri-β-aziridinyl propionate and N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine.

가교제는 아크릴 중합체 (A) (에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 를 포함한다) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 5 질량부 이상, 보다 바람직하게는 8 ∼ 35 질량부, 특히 바람직하게는 12 ∼ 30 질량부의 비율로 사용된다. 가교제의 배합량을 상기 범위로 함으로써, 점착제층 (1) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 바람직한 범위로 조정하는 것이 용이해진다.The crosslinking agent is preferably 5 parts by mass or more, more preferably 8 to 35 parts by mass, particularly preferably 12 to 100 parts by mass of the acrylic polymer (A) (including the energy ray-curable adhesive polymer (AB)). It is used in a proportion of 30 parts by mass. By making the compounding quantity of a crosslinking agent into the said range, it becomes easy to adjust the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the adhesive layer 1 to a preferable range.

또한, 다른 성분으로서, 가교제 외에 염료, 안료, 열화 방지제, 대전 방지제, 난연제, 실리콘 화합물, 연쇄 이동제 등을 첨가해도 된다.Moreover, as another component, you may add dye, a pigment, a deterioration inhibitor, an antistatic agent, a flame retardant, a silicone compound, a chain transfer agent, etc. other than a crosslinking agent.

점착제층 (1) 은, 분기 구조를 갖는 중합체인 중합성 분기 중합체를 포함하고 있어도 된다. 중합성 분기 중합체는 다이싱 시트의 박리성 (픽업성) 을 향상시키는 기능을 갖는다. 중합성 분기 중합체에 대한 구체적인 구조 (구체예로서, 분자량, 분기 구조의 정도, 1 분자 중에 갖는 에너지선 경화성 이중 결합의 수 등을 들 수 있다) 는 한정되지 않는다. 이와 같은 중합성 분기 중합체를 얻는 방법으로는, 예를 들어, 2 개 이상의 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 모노머와, 활성 수소기 및 1 개의 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 모노머와, 1 개의 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 모노머를 중합시킴으로써 얻어지는, 분기 구조를 갖는 중합체와, 활성 수소기와 반응하여 결합을 형성 가능한 관능기 및 적어도 1 개의 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.The adhesive layer 1 may contain the polymerizable branched polymer which is a polymer which has a branched structure. The polymerizable branched polymer has a function of improving the peelability (pickup property) of the dicing sheet. The specific structure for the polymerizable branched polymer (specific examples include molecular weight, degree of branched structure, number of energy ray-curable double bonds in one molecule, etc.) is not limited. As a method of obtaining such a polymerizable branched polymer, for example, a monomer having two or more energy ray-curable double bonds in a molecule, a monomer having an active hydrogen group and one energy ray-curable double bond in a molecule, 1 By reacting a polymer having a branched structure, obtained by polymerizing a monomer having two energy ray-curable double bonds in a molecule, and a compound having a functional group capable of forming a bond by reacting with an active hydrogen group and at least one energy ray-curable double bond in the molecule can be obtained

아크릴 중합체 (A) (에너지선 경화형 점착성 중합체 (AB) 를 포함한다) 와의 상호 작용을 적당히 억제하는 것을 용이하게 하는 관점에서, 중합성 분기 중합체의 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1,000 이상 100,000 이하인 것이 바람직하고, 3,000 이상 30,000 이하인 것이 보다 바람직하다. 중합성 분기 중합체에 있어서의 1 분자 중에 갖는 에너지선 중합성기의 수는 한정되지 않는다.From the viewpoint of facilitating moderately suppressing the interaction with the acrylic polymer (A) (including the energy ray-curable adhesive polymer (AB)), the polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) of the polymerizable branched polymer is 1,000 or more and 100,000 It is preferable that they are below, and it is more preferable that they are 3,000 or more and 30,000 or less. The number of energy-beam polymeric groups in 1 molecule in a polymerizable branched polymer is not limited.

또한, 본 명세서에 있어서, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) 의 값은, 테트라하이드로푸란 (THF) 을 용매로 하는 겔·퍼미에이션 크로마토그래피 (GPC) 에 의한 표준 폴리스티렌 환산치로서 측정된 값을 의미한다. 구체적으로는, GPC 측정 장치 (토소사 제조 「HLC-8220GPC」) 를 사용하여, 이하에 나타내는 조건으로 실시하는 것으로 한다.In addition, in this specification, the value of polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw) means the value measured as a standard polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) using tetrahydrofuran (THF) as a solvent. do. Specifically, it shall implement on the conditions shown below using a GPC measuring apparatus ("HLC-8220GPC" by Tosoh Corporation).

칼럼 : TSKgelGMHXL → TSKgelGMHXL → TSKgel2000HXLColumn: TSKgelGMHXL → TSKgelGMHXL → TSKgel2000HXL

측정 온도 : 40 ℃Measuring temperature: 40℃

유속 : 1 ㎖/분Flow rate: 1 ml/min

검출기 : 시차 굴절계Detector: Differential Refractometer

(중간층 (2))(middle floor (2))

중간층 (2) 은, 예를 들어 종래부터 공지된 다양한 점착제 등의 수지 조성물에 의해 형성할 수 있다. 이와 같은 점착제로는, 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 고무계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제가 사용된다. 또한, 에너지선 경화형이나 가열 발포형, 물 팽윤형의 점착제도 사용할 수 있다. 에너지선 경화 (자외선 경화, 전자선 경화 등) 형 점착제로는, 특히 자외선 경화형 점착제를 사용하는 것이 바람직하다.The intermediate|middle layer 2 can be formed with resin compositions, such as a conventionally well-known various adhesives, for example. Although it does not limit at all as such an adhesive, For example, adhesives, such as a rubber type, an acrylic type, a urethane type, a silicone type, polyvinyl ether, are used. Moreover, the adhesive of an energy-beam hardening type, a heat foaming type, and a water swelling type can also be used. As an energy-beam hardening (ultraviolet-ray hardening, electron beam hardening, etc.) type adhesive, it is preferable to use especially an ultraviolet-curing type adhesive.

중간층 (2) 을 구성하는 재료가 아크릴계의 재료인 경우에는, 점착제층 (1) 을 구성하는 재료로서 예시한 아크릴계 점착제와 동일한 재료여도 된다. 점착제층 (1) 을 구성하는 아크릴계 점착제에 함유되는 성분 중, 아크릴 중합체 (A) 를 함유하고 있으면, 에너지선으로 경화하는 성질을 가지지 않아도 된다.When the material which comprises the intermediate|middle layer 2 is an acrylic material, the same material as the acrylic adhesive illustrated as a material which comprises the adhesive layer 1 may be sufficient. If the acrylic polymer (A) is contained among the components contained in the acrylic adhesive which comprises the adhesive layer 1, it is not necessary to have the property to harden|cure with an energy beam.

중간층 (2) 을 구성하는 재료가 우레탄계의 재료인 경우에는, 당해 재료는, 특허문헌 4 에 기재되는 함우레탄 경화물로 이루어져 있어도 된다. 함우레탄 경화물은, 우레탄 올리고머 및/또는 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머와 필요에 따라 첨가되는 에너지선 경화형 모노머를 포함하는 배합물을 에너지선 경화시킨 경화물이어도 된다.When the material constituting the intermediate layer 2 is a urethane-based material, the material may consist of a urethane-containing cured product described in Patent Document 4. The hardened|cured material which carried out energy-beam hardening of the compound containing a urethane oligomer and/or a urethane (meth)acrylate oligomer, and the energy-beam curable monomer added as needed may be sufficient as a urethane-containing hardened|cured material.

중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 구체적인 값은, 전술한 점착제층 (1) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 와의 관계를 만족하는 한, 한정되지 않는다. 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 바람직하게는 1 × 104 ㎩ 이상 1 × 105 ㎩ 미만이고, 보다 바람직하게는 1 × 104 ㎩ 이상 9 × 104 ㎩ 이하, 더욱 바람직하게는 1 × 104 ㎩ 이상 8 × 104 ㎩ 이하이다. 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 를 이와 같은 범위로 조정함으로써, 전극 형성 영역의 외주부에 있어서의 다이싱 시트의 추종성을 향상시키는 효과가 보다 확실하게 얻어진다. 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 지나치게 낮으면, 돌기상 전극 사이에 점착제층 (1) 이 추종하고, 돌기상 전극 사이에 점착제층 (1) 의 잔류물이 발생할 가능성이 높아지는 경우가 있다. 또한, 중간층 (2) 이 에너지선 조사에 의해 경화하는 성질을 갖는 경우에는, 중간층 (2) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 에너지선 조사 전의 저장 탄성률이다.The specific value of the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer 2 is not limited, as long as the relationship with the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the above-mentioned adhesive layer 1 is satisfied. The storage elastic modulus G' at 23°C of the intermediate layer 2 is preferably 1 × 10 4 Pa or more and less than 1 × 10 5 Pa, more preferably 1 × 10 4 Pa or more and 9 × 10 4 Pa or less, More preferably, they are 1 x 10 4 Pa or more and 8 x 10 4 Pa or less. By adjusting the storage elastic modulus G' at 23 degreeC of the intermediate|middle layer 2 to such a range, the effect of improving the trackability of the dicing sheet in the outer peripheral part of an electrode formation area|region is acquired more reliably. When the storage elastic modulus G' at 23° C. of the intermediate layer 2 is too low, the pressure-sensitive adhesive layer 1 follows between the protruding electrodes, and there is a possibility that a residue of the pressure-sensitive adhesive layer 1 is generated between the protruding electrodes. sometimes it rises. In addition, when the intermediate|middle layer 2 has the property to harden|cure by energy-beam irradiation, the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer 2 is the storage elastic modulus before energy-beam irradiation.

또한, 중간층 (2) 의 두께는, 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 중간층 (2) 의 두께가 상기 범위에 있는 경우에는, 점착제층 (1) 의 변형에 맞추어 중간층 (2) 이 변형하는 것이 용이해진다. 중간층 (2) 은, 10 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 15 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 20 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is preferable that the thickness of the intermediate|middle layer 2 is 5 micrometers or more and 50 micrometers or less. When the thickness of the intermediate|middle layer 2 exists in the said range, it becomes easy that the intermediate|middle layer 2 deform|transforms according to the deformation|transformation of the adhesive layer 1. The intermediate layer 2 is more preferably 10 µm or more and 40 µm or less, still more preferably 15 µm or more and 35 µm or less, and particularly preferably 20 µm or more and 30 µm or less.

중간층 (2) 의 두께는, 돌기상 전극의 높이의 0.5 배 이상 1.5 배 이하인 것이 바람직한 경우가 있고, 1.0 배 이상 1.5 배 이하인 것이 보다 바람직한 경우가 있다. 중간층 (2) 의 구체적인 두께는, 상기의 바람직한 범위에서 선택하고, 적용되는 웨이퍼의 돌기상 전극의 높이로부터 계산하여 정하면 된다. 중간층 (2) 의 두께가 상기 범위에 있음으로써, 돌기상 전극 사이에 있어서의 다이싱 시트의 비추종성 및 전극 형성 영역의 외주부에 있어서의 다이싱 시트의 추종성이 우수하여, 다이싱성이 향상되고, 칩핑의 발생을 억제할 수 있다.As for the thickness of the intermediate|middle layer 2, it may be preferable that they are 0.5 times or more and 1.5 times or less of the height of a protruding electrode, and it may be more preferable that they are 1.0 times or more and 1.5 times or less. The specific thickness of the intermediate layer 2 may be selected from the above-mentioned preferred range, calculated from the height of the protruding electrode of the applied wafer, and determined. When the thickness of the intermediate layer 2 is in the above range, the non-trackability of the dicing sheet between the protruding electrodes and the followability of the dicing sheet in the outer periphery of the electrode formation region are excellent, and the dicing property is improved, The occurrence of chipping can be suppressed.

(기재 (3))(List (3))

기재 (3) 로는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 폴리이미드 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 불소 수지 필름, 및 그 수첨가물 또는 변성물 등으로 이루어지는 필름이 사용된다. 또한 이들의 가교 필름, 공중합체 필름도 사용된다. 상기의 기재 (3) 는 1 종 단독이어도 되고, 또한 이들을 2 종류 이상 조합한 복합 필름이어도 된다.Although it does not specifically limit as the base material 3, For example, Polyethylene films, such as a low-density polyethylene (LDPE) film, a linear low-density polyethylene (LLDPE) film, a high-density polyethylene (HDPE) film, a polypropylene film, a polybutene film , polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, vinyl chloride copolymer film, polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, polyurethane film, polyimide film, ethylene vinyl acetate copolymer film, ionomer A resin film, an ethylene/(meth)acrylic acid copolymer film, an ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, a polystyrene film, a polycarbonate film, a fluororesin film, and a film made of an additive or modified product thereof, etc. are used. Moreover, these crosslinked films and copolymer films are also used. The above-mentioned base material 3 may be used individually by 1 type, and the composite film which combined these 2 or more types may be sufficient as it.

또한, 점착제층 (1) 및/또는 중간층 (2) 을 경화시키기 위해서 조사하는 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 기재 (3) 는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 재료로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 사용하는 경우에는 기재 (3) 에 광선 투과성은 필요하지 않다. 피착체면의 시인성이 요구되는 경우에는, 기재 (3) 는 투명한 것이 바람직하다. 기재 (3) 는 착색되어 있어도 된다.Moreover, when using ultraviolet-ray as an energy beam irradiated in order to harden the adhesive layer 1 and/or the intermediate|middle layer 2, it is preferable that the base material 3 is comprised with the material which has transparency with respect to an ultraviolet-ray. In addition, when an electron beam is used as an energy beam, light transmittance is not required for the base material 3. When the visibility of the to-be-adhered surface is calculated|required, it is preferable that the base material 3 is transparent. The base material 3 may be colored.

또한, 기재 (3) 의 상면, 즉 중간층 (2) 이 형성되는 측의 기재 (3) 의 표면에는 중간층 (2) 과의 밀착성을 향상시키기 위해서, 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머층을 형성해도 된다. 또한, 중간층 (2) 과는 반대면에 각종 도막을 도공해도 된다. 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 상기와 같은 기재 (3) 의 편면에 중간층 (2) 을 형성하고, 그 중간층 (2) 상에 점착제층 (1) 을 형성함으로써 제조된다. 기재 (3) 의 두께는, 바람직하게는 20 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 25 ∼ 110 ㎛, 특히 바람직하게는 50 ∼ 90 ㎛ 의 범위에 있다. 기재 (3) 의 두께가 크면, 기재 (3) 의 굽힘에 대항하는 힘이 커져, 픽업시의 칩과 다이싱 시트의 박리 각도가 잘 커지지 않는다. 이 때문에, 픽업에 필요한 힘이 증가하여, 픽업성이 열등한 경우가 있다. 기재 (3) 의 두께가 작은 경우에는, 재료에 따라서는 제막이 곤란해지는 경우가 있다.In addition, in order to improve the adhesiveness with the intermediate|middle layer 2 on the upper surface of the base material 3, ie, the surface of the base material 3 on the side where the intermediate|middle layer 2 is formed, you may corona-treat or you may form a primer layer. . Moreover, you may apply various coating films to the surface opposite to the intermediate|middle layer 2. The dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention is manufactured by forming the intermediate|middle layer 2 on the single side|surface of the above base material 3, and forming the adhesive layer 1 on the intermediate|middle layer 2. The thickness of the base material 3 is preferably in the range of 20 to 200 µm, more preferably 25 to 110 µm, and particularly preferably 50 to 90 µm. When the thickness of the base material 3 is large, the force against bending of the base material 3 becomes large, and the peeling angle between the chip and the dicing sheet at the time of pickup is less likely to become large. For this reason, the force required for pick-up increases, and pick-up property may be inferior. When the thickness of the base material 3 is small, film forming may become difficult depending on a material.

상기 기재 (3) 의 표면에 중간층 (2) 을 형성하는 방법은, 중간층 (2) 을 구성하는 중간층용 조성물을 박리 시트 상에 소정의 막 두께가 되도록 도포하여 중간층 (2) 을 형성하고, 상기 기재 (3) 의 표면에 전사해도 상관없고, 상기 기재 (3) 의 표면에 중간층용 조성물을 직접 도포하여 중간층 (2) 을 형성해도 상관없다. 중간층 (2) 상에 점착제층 (1) 을 형성하는 방법은, 점착제 조성물을 이용하여, 기재 (3) 상에 중간층 (2) 을 형성하는 방법과 동일하다. 이와 같이 하여 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 얻어진다.In the method of forming the intermediate layer 2 on the surface of the substrate 3, the intermediate layer 2 is formed by applying a composition for an intermediate layer constituting the intermediate layer 2 on a release sheet to a predetermined film thickness, You may transfer to the surface of the base material 3, and you may apply|coat the composition for intermediate|middle layer directly to the surface of the said base material 3, and you may form the intermediate|middle layer 2. The method of forming the adhesive layer 1 on the intermediate|middle layer 2 is the same as the method of forming the intermediate|middle layer 2 on the base material 3 using an adhesive composition. In this way, the dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention is obtained.

또한, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 그 사용 전에 점착제층 (1) 을 보호하기 위해서 박리 시트가 적층되어 있어도 된다. 박리 시트는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 수지로 이루어지는 필름 또는 그들의 발포 필름이나, 글라신지, 코트지, 라미네이트지 등의 종이에, 실리콘계, 불소계, 장사슬 알킬기 함유 카르바메이트 등의 박리제로 박리 처리한 것을 사용할 수 있다.In addition, in the dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention, in order to protect the adhesive layer 1 before the use, the peeling sheet may be laminated|stacked. The release sheet is not particularly limited, and for example, a film made of a resin such as polyethylene terephthalate, polypropylene, or polyethylene, or a foamed film thereof, or a paper such as glassine paper, coated paper, or laminated paper, silicone-based or fluorine-based paper. , a long-chain alkyl group-containing carbamate can be used that has been peeled off with a release agent.

본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트는, 돌기상 전극을 갖는 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면에 첩부되는 것에 사용되는 것이 바람직하다. 돌기상 전극으로는, 원주형 전극, 구상 전극 등을 들 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트는 특히 최근 사용이 증가하고 있는 관통 전극을 갖는 웨이퍼에 바람직하게 사용할 수 있다. 반도체 웨이퍼에 대한 다이싱 시트의 첩부 방법은 특별히 한정되지 않는다.It is preferable that the dicing sheet which concerns on one Embodiment of this invention is used for sticking to the electrode-formed surface of the semiconductor wafer which has a protruding electrode. As a protruding electrode, a columnar electrode, a spherical electrode, etc. are mentioned. The dicing sheet according to one embodiment of the present invention can be particularly preferably used for a wafer having a through electrode, which has been increasingly used in recent years. The affixing method of the dicing sheet with respect to a semiconductor wafer is not specifically limited.

이어서, 다이싱 블레이드 등의 절단 수단을 사용하여, 반도체 웨이퍼를 회로마다 개편화하여 반도체 칩을 제작한다. 이 때의 절단 깊이는, 반도체 웨이퍼의 두께와, 점착제층 (1) 과 중간층 (2) 의 두께의 합계 및 다이싱 블레이드의 마모분을 가미한 깊이로 한다.Next, using cutting means, such as a dicing blade, a semiconductor wafer is segmented for every circuit, and a semiconductor chip is produced. The cutting depth at this time is made into the depth which added the thickness of a semiconductor wafer, the sum total of the thickness of the adhesive layer 1 and the intermediate|middle layer 2, and the abrasion powder of a dicing blade.

다이싱 후, 필요에 따라 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트를 익스팬드하여 각 반도체 칩의 간격을 이간시킨 후, 흡인 콜릿 등의 범용 수단에 의해 각 반도체 칩의 픽업을 실시함으로써, 반도체 칩이 제조된다. 또한, 점착제층 (1) 에 에너지선을 조사하고, 점착력을 저하시킨 후, 익스팬드, 픽업을 실시하는 것이 바람직하다.After dicing, if necessary, the dicing sheet according to the embodiment of the present invention is expanded to space the semiconductor chips apart, and then each semiconductor chip is picked up by a general-purpose means such as a suction collet, whereby the semiconductor The chip is manufactured. Moreover, after irradiating an energy ray to the adhesive layer 1 and reducing adhesive force, it is preferable to expand and pick-up.

이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 다이싱 시트를, 돌기상 전극을 갖는 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면에 첩부하는 공정, 반도체 웨이퍼를 회로마다 개편화하여 반도체 칩을 제작하는 공정, 및 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함함으로써, 반도체 칩을 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법에서는, 다이싱 시트의 부분 박리 등의 문제를 잘 가지지 않기 때문에, 반도체 웨이퍼의 다이싱이 안정적으로 (칩핑 등에서 기인하는 문제 적음) 실시되기 쉽다. 따라서, 상기의 제조 방법에 의하면, 우수한 품질의 반도체 칩을 안정적으로 제조할 수 있다.In this way, the step of affixing the dicing sheet according to the embodiment of the present invention to the electrode-formed surface of the semiconductor wafer having the projecting electrode, the step of dividing the semiconductor wafer into individual circuits to produce a semiconductor chip, and a semiconductor A semiconductor chip can be manufactured by including the process of picking up a chip. In such a manufacturing method, since it does not have problems, such as partial peeling of a dicing sheet, dicing of a semiconductor wafer is easy to be performed stably (there are few problems resulting from chipping etc.). Therefore, according to the above manufacturing method, a semiconductor chip of excellent quality can be stably manufactured.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.The embodiments described above are described in order to facilitate the understanding of the present invention, and are not described in order to limit the present invention. Accordingly, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents falling within the technical scope of the present invention.

예를 들어, 점착제층 (1) 과 중간층 (2) 사이에, 다른 층이 존재하고 있어도 된다. 그 층의 탄성체로서의 성질이 점착제층 (1) 과 중간층 (2) 의 중간의 성질인 경우에는, 부분 박리가 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시킬 수 있는 경우도 있다.For example, another layer may exist between the adhesive layer 1 and the intermediate|middle layer 2. When the property as an elastic body of the layer is an intermediate property of the adhesive layer 1 and the intermediate|middle layer 2, the possibility that partial peeling may generate|occur|produce can be reduced more stably.

혹은, 점착제층 (1) 과 중간층 (2) 은 명확한 경계를 갖지 않고, 점착제층 (1) 의 조성으로부터 중간층 (2) 의 조성으로 연속적으로 변화하고 있어도 된다. 이와 같은 구조를 갖는 경우에, 부분 박리가 발생할 가능성을 보다 안정적으로 저감시킬 수 있는 경우도 있다. 이와 같은 경우의 구체예로서, 점착제층 (1) 및 중간층 (2) 을 부여하는 층이 모두 아크릴계 점착제를 함유하고, 다이싱 시트 (10) 의 기재 (3) 와 반대의 면측에 전자선 조사하는 경우를 들 수 있다. 이 경우에는, 조사면 근방의 중합이 우선적으로 진행되어, 점착제층 (1) 에 상당하는 영역을 형성할 수 있다.Alternatively, the pressure-sensitive adhesive layer 1 and the intermediate layer 2 do not have a clear boundary, and may continuously change from the composition of the pressure-sensitive adhesive layer 1 to the composition of the intermediate layer 2 . When it has such a structure, the possibility that partial peeling may generate|occur|produce can be reduced more stably in some cases. As a specific example in such a case, the layer to which the pressure-sensitive adhesive layer (1) and the intermediate layer (2) is provided contains an acrylic pressure-sensitive adhesive, and the dicing sheet 10 is irradiated with electron beams to the side opposite to the base material 3 can be heard In this case, superposition|polymerization in the vicinity of an irradiation surface advances preferentially, and the area|region corresponding to the adhesive layer 1 can be formed.

실시예Example

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be more specifically described by way of Examples and the like, but the scope of the present invention is not limited to these Examples and the like.

(실시예 1)(Example 1)

〔점착제 조성물 A 의 제작〕[Preparation of the pressure-sensitive adhesive composition A]

부틸아크릴레이트/메틸메타크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 62/10/28 (질량비) 을 반응시켜 얻어진 아크릴 점착성 중합체와, 그 아크릴 점착성 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰 당 80 몰의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜 얻어진 에너지선 경화형 점착성 중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 40 만, 이하 「아크릴 중합체 A」 라고도 한다) 100 질량부, 광 중합 개시제 (α-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 「이르가큐어 184」)) 3 질량부, 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 8 질량부 (고형분 환산), 및 중합성 분기 중합체 (닛산 화학 공업사 제조 「OD-007」, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 14,000) 0.15 질량부를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물 A 를 얻었다.Per 100 moles of the acrylic adhesive polymer obtained by reacting butyl acrylate/methyl methacrylate/2-hydroxyethyl acrylate = 62/10/28 (mass ratio), and 2-hydroxyethyl acrylate units of the acrylic adhesive polymer 100 parts by mass of an energy ray-curable adhesive polymer obtained by reacting 80 moles of methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) (polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 400,000, hereinafter also referred to as “acrylic polymer A”), photopolymerization 3 parts by mass of an initiator (α-hydroxycyclohexylphenylketone (“Irgacure 184” manufactured by BASF)) 8 parts by mass of a crosslinking agent (polyhydric isocyanate compound (“BHS-8515” manufactured by Toyochem)) (in terms of solid content), and 0.15 mass parts of polymerizable branched polymers ("OD-007" by Nissan Chemical Industry Co., Ltd., polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 14,000) were mixed in a solvent, and the adhesive composition A was obtained.

〔중간층용 조성물의 제작〕[Preparation of composition for intermediate layer]

2-에틸헥실아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 95/5 (질량비) 를 반응시켜 아크릴 중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 90 만) 를 얻었다. 상기 아크릴 중합체 100 질량부, 및 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 0.5 질량부 (고형분 환산) 를 용매 중에서 혼합하여, 중간층용 조성물을 얻었다.2-ethylhexyl acrylate/2-hydroxyethyl acrylate = 95/5 (mass ratio) was made to react, and the acrylic polymer (polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 900,000) was obtained. 100 parts by mass of the acrylic polymer and 0.5 parts by mass (in terms of solid content) of a crosslinking agent (polyhydric isocyanate compound ("BHS-8515" manufactured by Toyochem Corporation)) were mixed in a solvent to obtain a composition for an intermediate layer.

〔다이싱 시트의 제작〕[Production of dicing sheet]

박리 필름 (린텍사 제조 「SP-PET381031 (PF)」) 에, 상기 중간층용 조성물을, 도포·건조 (건조 조건 : 100 ℃, 1 분간) 시켜, 박리 필름 상에 형성된 중간층 (두께 : 20 ㎛) 을 얻었다. 이어서, 중간층과 기재 (에틸렌메타크릴산 공중합 필름 80 ㎛ 두께) 를 첩합하여, 중간층 상으로부터 박리 필름을 박리하고, 중간층을 기재 상에 전사하였다.The intermediate layer (thickness: 20 µm) formed on a release film (“SP-PET381031 (PF)” manufactured by Lintec Co., Ltd.) by applying and drying the composition for an intermediate layer (drying conditions: 100° C., 1 minute) on the release film got Next, the intermediate|middle layer and the base material (ethylene methacrylic acid copolymer film 80 micrometers thickness) were bonded together, the peeling film was peeled from the intermediate|middle layer, and the intermediate|middle layer was transcribe|transferred on the base material.

또한, 박리 필름 (린텍사 제조 「SP-PET381031 (PF)」) 에, 상기 점착제 조성물을, 도포·건조 (건조 조건 : 100 ℃, 1 분간) 시켜, 박리 필름 상에 형성된 점착제층 (두께 : 10 ㎛) 을 얻었다.Further, the pressure-sensitive adhesive composition was applied and dried (drying conditions: 100° C., 1 minute) to a release film (“SP-PET381031 (PF)” manufactured by Lintec Co., Ltd.), and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the release film (thickness: 10) μm) was obtained.

그 후, 기재가 형성된 중간층과 박리 필름이 형성된 점착제층을 첩합하여, 다이싱 시트를 얻었다.Then, the intermediate|middle layer in which the base material was formed, and the adhesive layer in which the peeling film was formed were bonded together, and the dicing sheet was obtained.

(실시예 2)(Example 2)

부틸아크릴레이트/메틸메타크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 62/10/28 (질량비) 을 반응시켜 얻어진 아크릴 점착성 중합체와, 그 아크릴 점착성 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰 당 80 몰의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜 얻어진 에너지선 경화형 점착성 중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 60 만) 100 질량부, 광 중합 개시제 (α-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 「이르가큐어 184」)) 3 질량부, 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 8 질량부 (고형분 환산), 및 중합성 분기 중합체 (닛산 화학 공업사 제조 「OD-007」, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 14,000) 0.15 질량부를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물 B 를 얻었다.Per 100 moles of the acrylic adhesive polymer obtained by reacting butyl acrylate/methyl methacrylate/2-hydroxyethyl acrylate = 62/10/28 (mass ratio), and 2-hydroxyethyl acrylate units of the acrylic adhesive polymer 100 parts by mass of an energy ray-curable adhesive polymer obtained by reacting 80 moles of methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) (polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 600,000), a photopolymerization initiator (α-hydroxycyclohexylphenyl) 3 parts by mass of a ketone ("Irgacure 184" manufactured by BASF)) 8 parts by mass of a crosslinking agent (a polyvalent isocyanate compound ("BHS-8515" manufactured by Toyochem)) (in terms of solid content), and a polymerizable branched polymer (Nissan Chemical Industries, Ltd.) 0.15 mass parts of manufacture "OD-007" and polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 14,000) were mixed in a solvent, and the adhesive composition B was obtained.

얻어진 점착제 조성물 B 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 작업을 실시하여, 다이싱 시트를 얻었다.Except having used the obtained adhesive composition B, the same operation|work as Example 1 was performed and the dicing sheet was obtained.

(실시예 3)(Example 3)

아크릴 중합체 A 100 질량부, 광 중합 개시제 (α-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 「이르가큐어 184」)) 3 질량부, 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 10 질량부 (고형분 환산), 및 중합성 분기 중합체 (닛산 화학 공업사 제조 「OD-007」, 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 14,000) 0.15 질량부를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물 C 를 얻었다.100 parts by mass of acrylic polymer A, 3 parts by mass of a photoinitiator (α-hydroxycyclohexylphenyl ketone ("Irgacure 184" manufactured by BASF)), 3 parts by mass of a crosslinking agent (polyhydric isocyanate compound ("BHS-8515" manufactured by Toyochem)) ) 10 parts by mass (in terms of solid content) and 0.15 parts by mass of a polymerizable branched polymer ("OD-007" manufactured by Nissan Chemical Industry Co., Ltd., polystyrene conversion weight average molecular weight (Mw): 14,000) were mixed in a solvent to obtain an adhesive composition C.

얻어진 점착제 조성물 C 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 작업을 실시하여, 다이싱 시트를 얻었다.Except having used the obtained pressure-sensitive adhesive composition C, the same operation as in Example 1 was performed to obtain a dicing sheet.

(실시예 4)(Example 4)

아크릴 중합체 A 100 질량부, 광 중합 개시제 (α-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 「이르가큐어 184」)) 3 질량부, 및 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 8 질량부 (고형분 환산) 를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물 D 를 얻었다.100 parts by mass of acrylic polymer A, 3 parts by mass of a photoinitiator (α-hydroxycyclohexylphenyl ketone (“Irgacure 184” manufactured by BASF)), and 3 parts by mass of a crosslinking agent (polyvalent isocyanate compound (“BHS-8515” manufactured by Toyochem) )) 8 mass parts (conversion of solid content) was mixed in the solvent, and the adhesive composition D was obtained.

얻어진 점착제 조성물 D 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 작업을 실시하여, 다이싱 시트를 얻었다.Except having used the obtained pressure-sensitive adhesive composition D, the same operation as in Example 1 was performed to obtain a dicing sheet.

(실시예 5)(Example 5)

중간층의 두께를 30 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 다이싱 시트를 얻었다.A dicing sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the intermediate layer was set to 30 µm.

(실시예 6)(Example 6)

점착제층의 두께를 30 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여 다이싱 시트를 얻었다.Except having made the thickness of the adhesive layer into 30 micrometers, it carried out similarly to Example 2, and obtained the dicing sheet.

(실시예 7)(Example 7)

2-에틸헥실아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 80/20 (질량비) 을 반응시켜 얻어진 아크릴 점착성 중합체와, 그 아크릴 점착성 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰 당 80 몰의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 를 반응시켜 얻어진 에너지선 경화형 점착성 중합체 (폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (Mw) : 100 만) 100 질량부, 광 중합 개시제 (α-하이드록시시클로헥실페닐케톤 (BASF 사 제조 「이르가큐어 184」)) 3 질량부, 및 가교제 (다가 이소시아네이트 화합물 (토요켐사 제조 「BHS-8515」)) 10 질량부 (고형분 환산) 를 용매 중에서 혼합하여, 점착제 조성물 E 를 얻었다.An acrylic adhesive polymer obtained by reacting 2-ethylhexyl acrylate/2-hydroxyethyl acrylate = 80/20 (mass ratio) and 80 moles of meta per 100 moles of 2-hydroxyethyl acrylate units of the acrylic adhesive polymer 100 parts by mass of an energy ray-curable adhesive polymer obtained by reacting acryloyloxyethyl isocyanate (MOI) (polystyrene reduced weight average molecular weight (Mw): 1 million), a photopolymerization initiator (α-hydroxycyclohexylphenylketone (BASF) Manufacture "Irgacure 184")) 3 mass parts and 10 mass parts (solid content conversion) of a crosslinking agent (polyhydric isocyanate compound (Toyochem company "BHS-8515")) were mixed in a solvent, and the adhesive composition E was obtained.

얻어진 점착제 조성물 E 를 사용한 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 작업을 실시하여, 다이싱 시트를 얻었다.Except having used the obtained adhesive composition E, the same operation|work as Example 1 was performed and the dicing sheet was obtained.

(시험예 1) 저장 탄성률 G' 및 손실 계수 tanδ 의 측정(Test Example 1) Measurement of storage modulus G' and loss coefficient tanδ

실시예에 있어서 조제한 점착제 조성물 A 내지 D 의 각각을, 박리 필름 (린텍사 제조 「SP-PET381031 (PF)」) 에, 도포·건조 (건조 조건 : 100 ℃, 1 분간) 시켜, 박리 필름 상에 형성된 점착제층 (두께 : 25 ㎛) 을 얻었다. 점착제층을 박리 필름으로부터 박리하여 총 두께가 약 1 ㎜ 가 되도록 중합하여, 점착제층에 관한 시험 샘플을 제작하였다. 실시예에 있어서 조제한 중간층용 조성물에 대해서도 동일한 작업을 실시하여, 중간층에 관한 총 두께가 약 1 ㎜ 인 시험 샘플을 제작하였다.Each of the pressure-sensitive adhesive compositions A to D prepared in the Examples was applied to a release film (“SP-PET381031 (PF)” manufactured by Lintec Co., Ltd.) and dried (drying conditions: 100° C., 1 minute), and on the release film The formed adhesive layer (thickness: 25 micrometers) was obtained. The pressure-sensitive adhesive layer was peeled from the release film and superposed to have a total thickness of about 1 mm to prepare a test sample for the pressure-sensitive adhesive layer. The same operation|work was performed also about the composition for intermediate|middle layer prepared in the Example, and the test sample whose total thickness regarding an intermediate|middle layer is about 1 mm was produced.

얻어진 시험 샘플을 직경 8 ㎜ 의 원반상으로 타발하고, 패럴렐 플레이트로 끼우고, 점탄성 측정 장치 (레오메트릭스사 제조 「ARES」) 를 이용하여, 하기의 조건으로 측정하였다. 취입한 데이터로부터, 점착제층 및 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 값, 그리고 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 손실 계수 tanδ 의 값을 구하였다. 그들의 결과를, 점착제층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 에 대한 비율과 함께, 표 1 에 나타낸다.The obtained test sample was punched out in the disk shape of diameter 8mm, pinched|interposed with the parallel plate, and measured on the following conditions using the viscoelasticity measuring apparatus ("ARES" manufactured by Rheometrics). From the taken-in data, the value of the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of an adhesive layer and an intermediate|middle layer, and the value of the loss coefficient tan-delta in 23 degreeC of an adhesive layer were calculated|required. Those results are shown in Table 1 with the ratio with respect to the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the intermediate|middle layer of the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of an adhesive layer.

측정 온도 : -30 ∼ 120 ℃Measurement temperature: -30 ~ 120 ℃

승온 속도 : 3 ℃/분Temperature increase rate: 3 °C/min

측정 주파수 : 1 ㎐Measurement frequency: 1 Hz

(시험예 2) 조사 전 점착력의 측정(Test Example 2) Measurement of adhesive force before irradiation

실시예에 있어서 제작한 다이싱 시트로부터 박리 시트를 박리하여, 표출된 점착제층의 면을, 고무 롤러를 사용하여 첩부 하중 2 kgf 로, 실리콘 미러 웨이퍼 상에 첩부하였다. 다이싱 시트가 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부된 상태를, 23 ℃, 상대 습도 50 % 의 환경하에서 20 분간 유지한 후, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여, 180°박리 점착력 시험을 실시하였다. 그 결과를 표 1 에 나타낸다.The release sheet was peeled from the dicing sheet produced in the Example, and the surface of the exposed adhesive layer was affixed on the silicon mirror wafer with the sticking load of 2 kgf using the rubber roller. After the state in which the dicing sheet was affixed to the silicon mirror wafer was hold|maintained for 20 minutes in 23 degreeC and the environment of 50% of relative humidity, based on JISZ0237:2000, the 180 degree peeling adhesive force test was implemented. The results are shown in Table 1.

(시험예 3) 부분 박리 발생 유무의 확인(Test Example 3) Confirmation of occurrence of partial peeling

실시예에 있어서 제작한 다이싱 시트로부터 박리 시트를 박리하여, 표출된 점착제층의 면을, 직경 28 ㎛, 피치 35 ㎛, 높이 12 ㎛ 의 요철이 2 행 5 열로 형성된 웨이퍼에 대하여, 첩부 장치 (린텍사 제조 「RAD-3510F/12」) 를 사용하여 첩부하였다. 첩부 장치의 조건은 다음과 같았다.The release sheet was peeled from the dicing sheet produced in the Example, and the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer was applied to a wafer having irregularities of 28 µm in diameter, 35 µm in pitch, and 12 µm in height, formed in 2 rows and 5 columns, with a sticking device ( It was affixed using Lintec's "RAD-3510F/12"). The conditions of the affixing device were as follows.

압입량 : 15 ㎛Indentation amount: 15 ㎛

돌출량 : 150 ㎛Protrusion amount: 150 ㎛

첩부 응력 : 0.35 ㎫Adhesive stress: 0.35 MPa

첩부 속도 : 5 ㎜/secAttachment speed: 5 mm/sec

첩부 온도 : 23 ℃Attachment temperature: 23℃

다이싱 시트의 기재측의 면으로부터, 요철 주변의 점착제층의 첩부 상태를 관찰하였다. 구체적으로는, 다이싱 시트와 웨이퍼 사이에 발생한 기포를 관찰하였다. 23 ℃, 상대 습도 50 % 의 환경하에서 24 시간 정치한 후, 다이싱 시트의 기재측의 면으로부터, 요철 주변의 점착제층의 첩부 상태를 재차 관찰하여, 기포의 형상 변화에 기초하여 부분 박리의 발생 유무를 평가하였다. 변화가 없는 것을 양호 (표 1 중 「A」) 라고 판정하고, 기포가 확산되거나, 기포끼리 연결된 것을 불량 (표 1 중 「B」) 이라고 하였다.From the surface on the side of the base material of the dicing sheet, the state of sticking of the pressure-sensitive adhesive layer around the unevenness was observed. Specifically, bubbles generated between the dicing sheet and the wafer were observed. After standing still in the environment of 23 degreeC and 50% of relative humidity for 24 hours, from the surface of the base material side of a dicing sheet, the adhesion state of the adhesive layer around an unevenness|corrugation was observed again, and partial peeling was generated based on the shape change of a bubble. The presence or absence was evaluated. The thing without a change was judged as good ("A" in Table 1), and the thing which bubble spread or the bubble connected was called bad ("B" in Table 1).

Figure 112017029962684-pct00001
Figure 112017029962684-pct00001

본 발명예인 실시예 1 및 4 내지 6 에 있어서 제작된 다이싱 시트는, 23 ℃ 에 있어서의 경화 전의 점착제층의 저장 탄성률 G' 는 23 ℃ 에 있어서의 중간층의 저장 탄성률 G' 보다 크고, 또한 손실 계수 tanδ 가 0.23 이상이고, 조사 전 점착력은 2000 mN/25 ㎜ 이상이었다. 이러한 다이싱 시트를 사용한 경우에는, 부분 박리는 확인되지 않았다. 이에 반하여, 비교예인 실시예 2, 3 및 7 에 있어서 제작된 다이싱 시트를 사용한 경우에는, 부분 박리가 확인되었다.In the dicing sheets produced in Examples 1 and 4 to 6, which are examples of the present invention, the storage elastic modulus G' of the pressure-sensitive adhesive layer before curing at 23°C is larger than the storage elastic modulus G' of the intermediate layer at 23°C, and a loss Coefficient tanδ was 0.23 or more, and the adhesive force before irradiation was 2000 mN/25 mm or more. When such a dicing sheet was used, partial peeling was not confirmed. On the other hand, when the dicing sheets produced in Examples 2, 3, and 7 which are comparative examples were used, partial peeling was confirmed.

본 발명에 관련된 다이싱 시트는, 이른바 관통 전극 (TSV) 등 요철을 갖는 반도체 웨이퍼의 다이싱 시트로서 바람직하게 사용될 수 있다.The dicing sheet according to the present invention can be suitably used as a dicing sheet for a semiconductor wafer having irregularities such as a so-called through electrode (TSV).

10, 20 ; 다이싱 시트
1, 21 ; 점착제층
2 ; 중간층
3 ; 기재
30 ; 반도체 웨이퍼
30A ; 전극 형성 영역의 외주부
30A' ; 부분 박리가 발생한 부분
31 ; 돌기상 전극
10, 20; dicing sheet
1, 21 ; adhesive layer
2 ; mezzanine
3 ; write
30 ; semiconductor wafer
30A; The outer periphery of the electrode formation region
30A'; part where partial peeling occurred
31 ; dendritic electrode

Claims (13)

기재와, 그 편면에 형성된 중간층과, 상기 중간층 상에 형성된 점착제층을 구비하는 다이싱 시트로서,
상기 점착제층은, 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물을 함유하고,
상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 보다 크고,
상기 점착제층을 경화시키기 전의 상기 다이싱 시트에 대하여, JIS Z 0237 : 2000 에 준거하여, 실리콘 미러 웨이퍼에 대한 180°박리 점착력 시험을 실시했을 때에 측정되는 점착력이, 2000 mN/25 ㎜ 이상이고,
상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 손실 계수 tanδ 는, 0.44 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
A dicing sheet comprising a substrate, an intermediate layer formed on one side thereof, and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the intermediate layer, the dicing sheet comprising:
The pressure-sensitive adhesive layer contains a compound having an energy ray-curable double bond in the molecule,
Storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is larger than storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the said intermediate|middle layer,
With respect to the dicing sheet before curing the pressure-sensitive adhesive layer, in accordance with JIS Z 0237: 2000, the adhesive force measured when a 180 ° peel adhesion test to a silicon mirror wafer is performed is 2000 mN/25 mm or more,
The loss coefficient tanδ in 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is 0.44 or more, The dicing sheet characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 에너지선 경화성 이중 결합을 분자 내에 갖는 화합물이, 중합체의 주사슬 또는 측사슬에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 점착성 중합체를 포함하는, 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The dicing sheet wherein the compound having the energy ray-curable double bond in the molecule contains an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive polymer in which an energy ray-polymerizable group is bonded to a main chain or a side chain of the polymer.
제 1 항에 있어서,
상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 1 × 104 ㎩ 이상 1 × 105 ㎩ 미만인, 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The dicing sheet whose storage elastic modulus G' at 23 degreeC of the said intermediate|middle layer is 1x10 4 Pa or more and less than 1x10 5 Pa.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 가 3 × 105 ㎩ 이상인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is 3x10 5 Pa or more, The dicing sheet characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층이, 반응성 관능기를 갖는 아크릴 중합체 및 가교제를 함유하고, 아크릴 중합체 100 질량부에 대하여, 가교제를 5 질량부 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The said adhesive layer contains the acrylic polymer which has a reactive functional group, and a crosslinking agent, 5 mass parts or more of crosslinking agents are contained with respect to 100 mass parts of acrylic polymers, The dicing sheet characterized by the above-mentioned.
제 5 항에 있어서,
상기 가교제가 이소시아네이트계 가교제인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
6. The method of claim 5,
The dicing sheet, characterized in that the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent.
제 1 항에 있어서,
돌기상 전극이 형성된 웨이퍼에 첩부하여 사용하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
The method of claim 1,
A dicing sheet characterized in that the dicing sheet is used by being pasted on a wafer on which a protruding electrode is formed.
제 7 항에 있어서,
상기 돌기상 전극이 관통 전극인, 다이싱 시트.
8. The method of claim 7,
The dicing sheet, wherein the protruding electrode is a through electrode.
제 7 항에 있어서,
상기 중간층이, 상기 돌기상 전극의 높이의 0.5 배 이상 1.5 배 이하의 두께인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트.
8. The method of claim 7,
The dicing sheet, characterized in that the intermediate layer has a thickness of 0.5 times or more and 1.5 times or less of the height of the protruding electrode.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층의 경화 전의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 는, 상기 중간층의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률 G' 의 4 배보다 큰, 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The dicing sheet whose storage elastic modulus G' in 23 degreeC before hardening of the said adhesive layer is larger than 4 times of the storage elastic modulus G' in 23 degreeC of the said intermediate|middle layer.
제 1 항에 있어서,
상기 점착제층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인, 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 5 μm or more and 50 μm or less, a dicing sheet.
제 1 항에 있어서,
상기 중간층의 두께는 5 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하인, 다이싱 시트.
The method of claim 1,
The thickness of the said intermediate|middle layer is 5 micrometers or more and 50 micrometers or less, The dicing sheet.
돌기상 전극을 갖는 반도체 웨이퍼의 전극이 형성된 면에, 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 시트를 첩부하는 공정, 상기 반도체 웨이퍼를 회로마다 개편화하여 반도체 칩을 제작하는 공정, 및 상기 반도체 칩을 픽업하는 공정을 포함하는, 반도체 칩의 제조 방법.A step of affixing the dicing sheet according to any one of claims 1 to 12 on the electrode-formed surface of a semiconductor wafer having a protruding electrode, a step of dividing the semiconductor wafer into pieces for each circuit to produce a semiconductor chip and picking up the semiconductor chip.
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