KR102449699B1 - Organic light emitting diode display device and method of repairing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 리페어 공정 시 상부전극 들뜸에 의해 이웃 화소영역에 불량이 발생되는 것을 개선하는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.
이를 위해, 본 발명에서는 불량 화소영역에 대해 해당 트랜지스터를 단선 상태로 만드는 리페어 공정 이전에, 이 트랜지스터에서 단선되는 전극의 외측에 발광다이오드의 상부전극의 일부가 제거된 슬릿홈을 형성한다.
이에 따라, 리페어 공정 시 단선되는 전극에 의해 가려지지 않은 레이저빔의 일부가 상부전극에 조사되어 충격파가 발생하더라도, 이 충격파는 슬릿홈에 의해 차단되어 이웃하는 정상 화소영역으로 전달되지 않게 된다. 따라서, 이웃 화소영역에서 상부전극의 들뜸 현상이 방지되어, 들뜸 현상에 의한 암정화 불량이 개선될 수 있게 된다.An object of the present invention is to provide a method for improving the occurrence of defects in neighboring pixel regions due to lifting of the upper electrode during a repair process.
To this end, in the present invention, a slit in which a part of the upper electrode of the light emitting diode is removed is formed outside the disconnected electrode in the transistor prior to the repair process for making the transistor disconnected in the defective pixel region.
Accordingly, even if a part of the laser beam that is not covered by the disconnected electrode during the repair process is irradiated to the upper electrode to generate a shock wave, the shock wave is blocked by the slit groove and is not transmitted to the neighboring normal pixel area. Accordingly, the lifting phenomenon of the upper electrode in the neighboring pixel region is prevented, and thus the dark refining defect caused by the lifting phenomenon can be improved.

Description

유기발광소자 표시장치 및 이의 리페어 방법{Organic light emitting diode display device and method of repairing the same}Organic light emitting diode display device and repair method thereof

본 발명은 유기발광소자 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 리페어 공정 시 상부전극 들뜸에 의해 이웃 화소영역에 불량이 발생되는 현상을 개선할 수 있는 유기발광소자 표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to an organic light emitting device display device, and more particularly, to an organic light emitting device display device capable of improving a phenomenon in which defects occur in neighboring pixel areas due to lifting of an upper electrode during a repair process.

최근, 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치(flat panel display)가 널리 개발되어 다양한 분야에 적용되고 있다. Recently, a flat panel display having excellent characteristics such as reduction in thickness, weight reduction, and low power consumption has been widely developed and applied to various fields.

평판표시장치 중에서, 유기 전계발광 표시장치 또는 유기 전기발광 표시장치(organic electroluminescent display device)라고도 불리는 유기발광소자 표시장치(organic light emitting diode display device: OLED display device)는, 전자 주입 전극인 음극과 정공 주입 전극인 양극 사이에 형성된 발광층에 전하를 주입하여 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자이다. Among flat panel display devices, an organic light emitting diode display device (OLED display device), also called an organic electroluminescent display device or an organic electroluminescent display device, includes a cathode and a hole as an electron injection electrode. It is a device that emits light while electrons and holes are paired by injecting electric charge into the light emitting layer formed between the anode, which is the injection electrode, and then disappears.

이러한 유기발광소자 표시장치는 플라스틱과 같은 유연한 기판(flexible substrate) 위에도 형성할 수 있을 뿐 아니라, 자체 발광형이기 때문에 대조비(contrast ratio)가 크며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도이므로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다. The organic light emitting diode display can be formed on a flexible substrate such as plastic, and has a large contrast ratio because it is a self-luminous type and has a response time of several microseconds (㎲) to realize a moving image. This is easy, there is no restriction on the viewing angle, and it is stable even at low temperatures and can be driven with a relatively low voltage of 5V to 15V of DC, so that it is easy to manufacture and design a driving circuit.

유기발광소자 표시장치의 각 화소영역에는 유기발광다이오드와 이를 구동하기 위한 다수의 트랜지스터가 구성된다. An organic light emitting diode and a plurality of transistors for driving the organic light emitting diode are configured in each pixel region of the organic light emitting diode display.

이와 같은 유기발광소자 표시장치는 제조 후 검사 공정을 진행하게 되는데, 이때 불량이 검출된 화소영역에 대해서는 트랜지스터의 전극을 절단하는 레이저 컷팅(laser cutting)을 진행하여 해당 불량 화소영역을 암점화하는 리페어(repair) 공정이 진행된다.Such an organic light emitting diode display device undergoes an inspection process after manufacturing. At this time, laser cutting for cutting the electrode of the transistor is performed on the pixel region in which the defect is detected, and repairing the defective pixel region to darken. (repair) process proceeds.

도 1 및 2는 각각 종래의 유기발광소자 표시장치에서 리페어 공정이 진행되는 모습을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도로서, 도 2는 도 1의 절단선 II-II를 따라 도시한 도면이다.1 and 2 are plan and cross-sectional views schematically illustrating a state in which a repair process is performed in a conventional organic light emitting diode display device, respectively, and FIG. 2 is a view taken along line II-II of FIG. 1 .

도 1 및 2를 참조하면, 보호막(60) 상에 하부전극인 제1전극(62)과 유기발광층(80)과 상부전극인 제2전극(92)으로 구성된 유기발광다이오드(OD)가 위치하고, 보호막(60) 하부에는 트랜지스터(T)가 배치된다. 이 트랜지스터(T)는 데이터배선(DL) 및 게이트배선(GL)과 연결될 수 있다.1 and 2, an organic light emitting diode OD composed of a first electrode 62 as a lower electrode, an organic light emitting layer 80, and a second electrode 92 as an upper electrode is positioned on the protective film 60, A transistor T is disposed under the passivation layer 60 . The transistor T may be connected to the data line DL and the gate line GL.

도 1에서 하부에 위치하는 화소영역인 제1화소영역(P1)에 불량이 발생한 경우, 이 제1화소영역(P1)을 구동하는 트랜지스터(T)의 전극 예를 들어 소스전극(52)에 대해 기판(11) 배면으로부터 레이저빔(L)을 조사하여 이를 단선시키게 되며, 이에 따라 단선홈(DH)이 형성된다.When a defect occurs in the first pixel region P1, which is the lower pixel region in FIG. 1, the electrode of the transistor T that drives the first pixel region P1, for example, the source electrode 52 The laser beam L is irradiated from the rear surface of the substrate 11 to disconnect it, and thus a disconnection groove DH is formed.

이때, 소스전극(52)을 완전히 단선시키기 위해, 레이저빔(L)은 단선되는 소스전극(52)의 폭보다 넓게 조사된다.At this time, in order to completely disconnect the source electrode 52 , the laser beam L is irradiated wider than the width of the disconnected source electrode 52 .

이처럼 레이저빔(L)이 해당 소스전극(52)보다 넓은 폭으로 조사됨에 따라, 레이저빔(L)의 일부(Ls)가 소스전극(52) 외측을 통해 상부에 위치하는 제2전극(92)에도 조사되어, 조사된 제2전극(92) 부분 또한 조사된 레이저빔(Ls)에 의해 컷팅되어 컷팅홈(CH)이 형성된다.As such, as the laser beam L is irradiated with a wider width than the corresponding source electrode 52 , a portion Ls of the laser beam L is disposed on the second electrode 92 through the outside of the source electrode 52 . Also, the portion of the second electrode 92 irradiated and irradiated is also cut by the irradiated laser beam Ls to form a cutting groove CH.

그런데, 이와 같이 레이저빔 일부(Ls)가 조사된 제2전극(92) 부분에서는 레이저빔(Ls)에 의한 컷팅 시 충격파(W)가 발생하게 되고, 이 충격파(W)가 제2전극(92)과 그 하부막인 보호막(60)의 계면을 따라 주변으로 전달되어 제2전극(92)이 기판으로부터 들뜨게 된다.However, in the portion of the second electrode 92 irradiated with the laser beam Ls as described above, a shock wave W is generated during cutting by the laser beam Ls, and the shock wave W is transmitted to the second electrode 92 . ) and the lower layer of the protective layer 60 along the interface, the second electrode 92 is lifted from the substrate.

특히, 이 충격파(W)가 제1화소영역(P1)에 이웃하는 정상 화소영역인 제2화소영역(P2)으로 전달됨에 의해, 제2화소영역(P2)에서 제2전극(92)이 들뜨는 결함이 유발되어 제2화소영역(P2)이 암점화되는 문제가 발생하게 된다.In particular, when the shock wave W is transmitted to the second pixel region P2, which is a normal pixel region adjacent to the first pixel region P1, the second electrode 92 is excited in the second pixel region P2. A defect is induced and a problem occurs that the second pixel region P2 is darkened.

위와 같이, 종래의 경우에는 불량 화소영역(P1)을 암점화하는 리페어 공정에 의해 이웃하는 정상 화소영역(P2) 또한 암점화되어 불량이 되는 문제가 발생하게 된다.
As described above, in the conventional case, due to the repair process of darkening the defective pixel area P1, the adjacent normal pixel area P2 is also darkened, resulting in a defect.

본 발명은 리페어 공정 시 상부전극 들뜸에 의해 이웃 화소영역에 불량이 발생되는 것을 개선하는 방안을 제공하는 것에 과제가 있다.
An object of the present invention is to provide a method for improving the occurrence of defects in neighboring pixel regions due to lifting of the upper electrode during a repair process.

전술한 바와 같은 과제를 달성하기 위해, 본 발명은 기판 상에 서로 이웃한 제1,2화소영역 각각에 배치된 트랜지스터와, 제1,2화소영역 각각에 배치된 제1전극 및 유기발광층과, 유기발광층 상에 배치된 제2전극과, 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극으로서 단선홈에 의해 단선된 단선 전극과, 제2전극 내부에 구성되며, 단선 전극의 폭방향 일측변에서 제2화소영역 방향으로 이격된 슬릿홈을 포함하는 유기발광소자 표시장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a transistor disposed in each of the first and second pixel regions adjacent to each other on a substrate, a first electrode and an organic light emitting layer disposed in each of the first and second pixel regions; The second electrode disposed on the organic light emitting layer, the disconnected electrode as an electrode constituting the transistor of the first pixel region and disconnected by the disconnection groove, and configured inside the second electrode, the second electrode at one side in the width direction of the disconnected electrode Provided is an organic light emitting diode display including slit grooves spaced apart from each other in a pixel area direction.

여기서, 슬릿홈은 단선 전극의 폭방향과 교차하는 방향으로 연장된 형태를 가질 수 있으며, 제2전극 내부에 구성되며 단선홈에서 슬릿홈 방향으로 연장되고 상기 슬릿홈과 이격된 컷팅홈을 더 포함할 수 있다.Here, the slit groove may have a shape extending in a direction crossing the width direction of the disconnection electrode, and further include a cutting groove configured inside the second electrode and extending from the disconnection groove to the slit groove direction and spaced apart from the slit groove can do.

다른 측면에서, 본 발명은 제1레이저빔을 제2전극에 조사하여 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극의 폭방향 일측변에서 제2화소영역 방향으로 이격된 슬릿홈을 형성하는 단계와, 제2레이저빔을 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극에 조사하여 이 전극을 단선시키는 단선홈을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자 표시장치 리페어 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention comprises the steps of: irradiating a first laser beam to a second electrode to form a slit spaced apart from one side in the width direction of an electrode constituting a transistor of the first pixel region in the direction of the second pixel region; A method for repairing an organic light emitting diode display is provided, comprising: irradiating a second laser beam to an electrode constituting a transistor in a first pixel region to form a disconnection groove for disconnecting the electrode.

여기서, 슬릿홈은 상기 단선된 전극의 폭방향과 교차하는 방향으로 연장된 형태로 형성될 수 있으며, 제1레이저빔의 세기는 제2레이저빔의 세기보다 작을 수 있고, 단선홈을 형성하는 단계에서 제2레이저빔 조사에 의해 제2전극 내부에는 단선홈에서 슬릿홈 방향으로 연장되고 슬릿홈과 이격된 컷팅홈이 형성될 수 있다.
Here, the slit groove may be formed to extend in a direction intersecting the width direction of the disconnected electrode, the intensity of the first laser beam may be less than that of the second laser beam, and forming a disconnection groove A cutting groove extending from the disconnection groove to the slit groove direction and spaced apart from the slit groove may be formed inside the second electrode by irradiation with the second laser beam.

본 발명에서는, 불량 화소영역에 대해 해당 트랜지스터를 단선 상태로 만드는 리페어 공정 이전에, 이 트랜지스터에서 단선되는 전극의 외측에 발광다이오드의 상부전극의 일부가 제거된 슬릿홈을 형성한다.In the present invention, a slit in which a portion of the upper electrode of the light emitting diode is removed is formed outside the disconnected electrode in the transistor prior to the repair process for causing the transistor to be disconnected in the defective pixel region.

이에 따라, 리페어 공정 시 단선되는 전극에 의해 가려지지 않은 레이저빔의 일부가 상부전극에 조사되어 충격파가 발생하더라도, 이 충격파는 슬릿홈에 의해 차단되어 이웃하는 정상 화소영역으로 전달되지 않게 된다. 따라서, 이웃 화소영역에서 상부전극의 들뜸 현상이 방지되어, 들뜸 현상에 의한 암정화 불량이 개선될 수 있게 된다.
Accordingly, even if a part of the laser beam that is not covered by the disconnected electrode during the repair process is irradiated to the upper electrode to generate a shock wave, the shock wave is blocked by the slit groove and is not transmitted to the neighboring normal pixel area. Accordingly, the lifting phenomenon of the upper electrode in the neighboring pixel region is prevented, and thus the dark refining defect caused by the lifting phenomenon can be improved.

도 1 및 2는 각각 종래의 유기발광소자 표시장치에 리페어 공정이 진행되는 모습을 개략적으로 도시한 평면도 및 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 표시장치의 일예를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는 도 3의 절단선 IV-IV를 따라 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에서 리페어 공정 전에 제2전극에 슬릿홈을 형성한 모습을 개략적으로 도시한 평면도.
도 6은 도 5의 절단선 IV-IV을 따라 도시한 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에서 리페어 공정이 진행되는 모습을 도시한 개략적으로 도시한 평면도.
도 8은 도 7의 절단선 VIII-VIII을 따라 도시한 단면도.1 and 2 are a plan view and a cross-sectional view schematically illustrating a state in which a repair process is performed in a conventional organic light emitting diode display device, respectively.
3 is a plan view schematically illustrating an example of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 ;
5 is a plan view schematically illustrating a state in which a slit groove is formed in a second electrode before a repair process in an embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 5;
7 is a schematic plan view illustrating a state in which a repair process is performed in an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII of FIG. 7 .

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 실시예에서는 동일 유사한 구성에 대해서는 동일 유사한 도면번호가 부여되고, 그 구체적인 설명은 생략될 수도 있다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Meanwhile, in the following embodiments, the same and similar reference numerals are assigned to the same and similar components, and a detailed description thereof may be omitted.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광소자 표시장치의 일예를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 절단선 IV-IV를 따라 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a plan view schematically illustrating an example of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3 .

도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기발광소자 표시장치(100)에는 다수의 화소영역(P)이 행방향과 열방향을 따라 매트릭스 형태로 배치되어 있다. As illustrated, in the organic light emitting diode display 100 according to the present exemplary embodiment, a plurality of pixel areas P are arranged in a matrix form along the row direction and the column direction.

이 유기발광소자 표시장치(100)의 기판(110) 상에는 화소영역(P)을 구동하기 구동신호를 전달하는 다수의 신호전달배선이 배치되어 있다. A plurality of signal transmission lines for transmitting driving signals for driving the pixel region P are disposed on the substrate 110 of the organic light emitting diode display device 100 .

이와 관련하여 예를 들면, 행방향을 따라 게이트신호를 전달하는 게이트배선(GL)과 열방향을 따라 데이터신호를 전달하는 데이터배선(DL)이 형성된다. 더욱이, 데이터배선(DL)과 평행하게 열방향을 따라 전원전압으로서 일예로 고전위전압을 전달하는 전원배선(PL)이 배치될 수 있다.In this regard, for example, a gate line GL transmitting a gate signal along a row direction and a data line DL transmitting a data signal along a column direction are formed. Furthermore, a power supply line PL that transmits, for example, a high potential voltage as a power supply voltage along a column direction in parallel with the data line DL may be disposed.

이와 같은 신호전달배선들(GL,DL,PL)은 대응되는 화소영역(P)에 연결되어 해당 구동신호를 공급하게 된다. 한편, 경우에 따라 위와 같은 배선들(GL,DL,PL) 외에 다른 신호를 전달하는 배선들이 추가적으로 형성될 수 있다.These signal transfer lines GL, DL, and PL are connected to the corresponding pixel region P to supply a corresponding driving signal. Meanwhile, in some cases, wirings for transmitting other signals in addition to the above wirings GL, DL, and PL may be additionally formed.

각 화소영역(P)에는 발광다이오드(OD)와, 신호전달배선을 통해 공급된 구동신호를 사용하여 발광다이오드(OD)를 구동하기 위한 구동소자들로서 다수의 트랜지스터가 구성될 수 있다.Each pixel region P may include a light emitting diode OD and a plurality of transistors as driving elements for driving the light emitting diode OD using a driving signal supplied through a signal transmission line.

이와 관련하여 예를 들면, 각 화소영역(P)에는 스위칭트랜지스터(Ts)와 구동트랜지스터(Td)가 구비될 수 있다. 이에 더하여, 구동트랜지스터(Td)나 발광다이오드(OD)의 열화 보상 등과 같이 다른 기능을 수행하는 트랜지스터가 추가적으로 형성될 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 설명의 편의를 위해, 스위칭트랜지스터(Ts)와 구동트랜지스터(Td)가 사용된 경우를 예로 든다.In this regard, for example, each pixel region P may include a switching transistor Ts and a driving transistor Td. In addition, a transistor performing other functions, such as compensating for deterioration of the driving transistor Td or the light emitting diode OD, may be additionally formed. Meanwhile, in this embodiment, for convenience of description, a case in which the switching transistor Ts and the driving transistor Td are used is taken as an example.

스위칭트랜지스터(Ts)는 게이트전극(132a)(즉, 제1게이트전극)이 게이트배선(GL)에 연결되고 소스전극(152a)(즉, 제1소스전극)은 데이터배선(DL)에 연결되도록 구성될 수 있다. The switching transistor Ts is such that the gate electrode 132a (ie, the first gate electrode) is connected to the gate line GL and the source electrode 152a (ie, the first source electrode) is connected to the data line DL. can be configured.

그리고, 구동트랜지스터(Td)는 게이트전극(132b)(즉, 제2게이트전극)이 스위칭트랜지스터(Ts)의 드레인전극(154a)(즉, 제1드레인전극)에 연결되고, 소스전극(152b)(즉, 제2소스전극)은 전원배선(PL)에 연결되도록 구성될 수 있다. And, in the driving transistor Td, the gate electrode 132b (ie, the second gate electrode) is connected to the drain electrode 154a (ie, the first drain electrode) of the switching transistor Ts, and the source electrode 152b (ie, the second source electrode) may be configured to be connected to the power supply line PL.

한편, 유기발광다이오드(OD)는 제1전극(162)으로서 예를 들어 애노드(anode)는 구동트랜지스터(Td)의 드레인전극(154b)(즉, 제2드레인전극)에 연결되고, 제2전극(192)으로서 예를 들어 캐소드(cathode)는 저전위전압을 인가받도록 구성될 수 있다.On the other hand, the organic light emitting diode OD is a first electrode 162, for example, an anode is connected to the drain electrode 154b (ie, the second drain electrode) of the driving transistor Td, and the second electrode As 192, for example, a cathode may be configured to be applied with a low potential voltage.

여기서, 구체적으로 도시하지는 않았지만, 각 화소영역(P)에는 구동트랜지스터(Td)의 제2게이트전극(132b)과 제2소스전극(152b) 사이에 스토리지커패시터가 구성될 수 있다.Here, although not specifically illustrated, a storage capacitor may be formed in each pixel region P between the second gate electrode 132b and the second source electrode 152b of the driving transistor Td.

이와 같이 구성된 화소영역(P)의 영상표시 동작을 살펴보면, 게이트배선(GL)을 통해 인가된 게이트신호에 따라 스위칭트랜지스터(Ts)가 턴온(turn-on) 되고, 이에 동기하여 데이터배선(DL)으로 인가된 데이터신호가 스위칭트랜지스터(Ts)를 통해 구동트랜지스터(Td)의 제2게이트전극(132b)에 인가된다. Looking at the image display operation of the pixel region P configured as described above, the switching transistor Ts is turned on according to the gate signal applied through the gate line GL, and in synchronization with this, the data line DL is turned on. The applied data signal is applied to the second gate electrode 132b of the driving transistor Td through the switching transistor Ts.

구동트랜지스터(Td)는 데이터신호에 따라 턴온 되어 유기발광다이오드(OD)에 공급되는 발광전류를 제어하여 빛을 방출함으로써 영상을 표시하게 된다.The driving transistor Td is turned on according to the data signal to control the emission current supplied to the organic light emitting diode OD to emit light, thereby displaying an image.

여기서, 유기발광다이오드(OD)를 흐르는 발광전류의 양은 데이터신호의 크기에 비례하고, 유기발광다이오드(OD)가 방출하는 빛의 세기는 유기발광다이오드(OD)를 흐르는 발광전류의 양에 비례하므로, 화소영역(P)은 데이터신호의 크기에 따라 상이한 계조를 표시하고, 그 결과 유기발광소자 표시장치(100)는 영상을 표시한다.Here, the amount of light emitting current flowing through the organic light emitting diode OD is proportional to the size of the data signal, and the intensity of light emitted from the organic light emitting diode OD is proportional to the amount of light emitting current flowing through the organic light emitting diode OD. , the pixel region P displays different grayscales according to the size of the data signal, and as a result, the organic light emitting diode display 100 displays an image.

이와 같은 화소영역(P)의 단면 구조에 대해 도 4를 함께 참조하여 보다 상세히 살펴보면, 기판(110) 상에 스위칭트랜지스터 및 구동트랜지스터(Ts,Td) 각각에 구성된 제1,2반도체층(122a,122b)이 형성될 수 있다. 이때, 반도체층(122a,122b)은 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있는데, 이에 한정되지는 않는다. Looking at the cross-sectional structure of the pixel region P in more detail with reference to FIG. 4 , the first and second semiconductor layers 122a configured in each of the switching transistors and the driving transistors Ts and Td on the substrate 110 , 122b) may be formed. In this case, the semiconductor layers 122a and 122b may be made of polycrystalline silicon, but is not limited thereto.

반도체층(122a,122b) 상에는 절연물질로 이루어진 절연막으로서 게이트절연막(130)이 기판(110) 전면에 형성될 수 있다. 게이트절연막(130)은 무기절연물질로서, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2)이나 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다.A gate insulating layer 130 as an insulating layer made of an insulating material may be formed on the entire surface of the substrate 110 on the semiconductor layers 122a and 122b. The gate insulating layer 130 is an inorganic insulating material, and may be formed of, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx).

게이트절연막(130) 상에는 금속물질로 이루어진 제1,2게이트전극(132a,132b)이 해당 반도체층(122a,122b)의 중앙에 대응하여 형성된다. 또한, 게이트절연막(130) 상부에는 게이트배선(GL)이 형성될 수 있다. The first and second gate electrodes 132a and 132b made of a metal material are formed on the gate insulating layer 130 to correspond to the centers of the corresponding semiconductor layers 122a and 122b. Also, a gate line GL may be formed on the gate insulating layer 130 .

게이트전극(132a,132b) 상에는 절연물질로 이루어진 절연막으로서 층간절연막(140)이 기판(110) 전면에 형성될 수 있다. 층간절연막(140)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질로 형성되거나, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene)이나 포토아크릴(photo acryl)과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다. An interlayer insulating layer 140 as an insulating layer made of an insulating material may be formed on the entire surface of the substrate 110 on the gate electrodes 132a and 132b. The interlayer insulating film 140 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), or an organic insulating material such as benzocyclobutene or photo acryl. .

층간절연막(140)은 반도체층(122a,122b) 각각의 양측을 노출하는 제1,2콘택홀(140a,140b)을 구비할 수 있다. 제1,2콘택홀(140a,140b)은 해당 게이트전극(132a,132b)의 양측에 서로 이격되어 위치한다. 더욱이, 제1,2콘택홀(140a,140b)은 게이트 절연막(130) 내에도 형성될 수 있다. The interlayer insulating layer 140 may include first and second contact holes 140a and 140b exposing both sides of the semiconductor layers 122a and 122b, respectively. The first and second contact holes 140a and 140b are positioned at both sides of the corresponding gate electrodes 132a and 132b to be spaced apart from each other. Furthermore, the first and second contact holes 140a and 140b may also be formed in the gate insulating layer 130 .

층간절연막(140) 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 제1,2소스전극(152a,152b)과 제1,2드레인전극(154a,154b)이 형성된다. 또한, 층간절연막(140) 상부에는 게이트배선(GL)과 교차하는 데이터배선(DL)과 전원배선(PL)이 형성될 수 있다. First and second source electrodes 152a and 152b and first and second drain electrodes 154a and 154b are formed on the interlayer insulating layer 140 using a conductive material such as a metal. In addition, a data line DL and a power line PL crossing the gate line GL may be formed on the interlayer insulating layer 140 .

소스전극(152a,152b) 및 드레인전극(154a,154b)은 해당 게이트전극(132a,132b)을 중심으로 서로 이격되어 위치하며, 각각 제1,2콘택홀(140a,140b)을 통해 해당 반도체층(122a,122b)의 양측과 접촉한다.The source electrodes 152a and 152b and the drain electrodes 154a and 154b are spaced apart from each other around the corresponding gate electrodes 132a and 132b, and the corresponding semiconductor layer is passed through the first and second contact holes 140a and 140b, respectively. It is in contact with both sides of (122a, 122b).

위와 같이 구성된 제1반도체층(122a)과 제1게이트전극(132a)과 제1소스전극 및 제1드레인전극(152a,154a)은 스위칭트랜지스터(Ts)를 구성하게 된다. 그리고, 제2반도체층(122b)과 제2게이트전극(132b)과 제2소스전극 및 제2드레인전극(152b,154b)은 구동트랜지스터(Td)를 구성하게 된다.The first semiconductor layer 122a, the first gate electrode 132a, the first source electrode, and the first drain electrodes 152a and 154a configured as described above constitute the switching transistor Ts. The second semiconductor layer 122b, the second gate electrode 132b, the second source electrode, and the second drain electrodes 152b and 154b constitute the driving transistor Td.

여기서, 스위칭트랜지스터(Ts)의 제1드레인전극(154a)은 구동트랜지스터(Td)의 제2게이트전극(132b)과 접속되는데, 예를 들면, 도 3에 도시한 바와 같이 제3콘택홀(141)을 통해 접속될 수 있다.Here, the first drain electrode 154a of the switching transistor Ts is connected to the second gate electrode 132b of the driving transistor Td. For example, as shown in FIG. 3 , the third contact hole 141 ) can be accessed through

소스전극(152a,152b) 및 드레인전극(154a,154b) 상부에는 절연물질로 이루어진 절연막으로서 보호막(160)이 기판(110) 전면에 형성될 수 있다. 보호막(160)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNx)과 같은 무기절연물질이나, 벤조사이클로부텐이나 포토 아크릴과 같은 유기절연물질로 형성될 수 있다.On the source electrodes 152a and 152b and the drain electrodes 154a and 154b, a protective film 160 as an insulating film made of an insulating material may be formed on the entire surface of the substrate 110 . The passivation layer 160 may be formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (SiNx), or an organic insulating material such as benzocyclobutene or photoacrylic.

보호막(160)에는 구동트랜지스터(Td)의 제2드레인전극(154b)을 노출하는 드레인콘택홀(160a)이 형성될 수 있다.A drain contact hole 160a exposing the second drain electrode 154b of the driving transistor Td may be formed in the passivation layer 160 .

보호막(160) 상부에는 각 화소영역(P) 마다 패터닝된 형태의 제1전극(162)이 형성된다. 제1전극(162)은 드레인콘택홀(160a)을 통해 구동트랜지스터(Td)의 제2드레인전극(154b)과 접촉한다. 제1전극(162)은 비교적 일함수가 높은 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들면, ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명도전성물질로 형성될 수 있다. A patterned first electrode 162 is formed on the passivation layer 160 for each pixel region P. Referring to FIG. The first electrode 162 contacts the second drain electrode 154b of the driving transistor Td through the drain contact hole 160a. The first electrode 162 may be formed of a conductive material having a relatively high work function, for example, a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

제1전극(162) 상부에는 화소영역(P)의 경계를 따라 각 화소영역(P)을 둘러싸는 형태의 뱅크(170)가 형성된다. 뱅크(170)는 각 화소영역(P)의 제1전극(162)을 노출하는 투과홀을 가지며, 제1전극(162)의 가장자리를 덮도록 구성된다.A bank 170 is formed on the first electrode 162 to surround each pixel area P along the boundary of the pixel area P. As shown in FIG. The bank 170 has a through hole exposing the first electrode 162 of each pixel region P, and is configured to cover the edge of the first electrode 162 .

뱅크(170)의 투과홀을 통해 노출된 제1전극(162) 상부에는 유기발광층(180)이 형성된다. 유기발광층(180)은 발광물질층을 포함한 적어도 하나의 유기막을 포함하는 다층 구조로 형성될 수 있다.The organic light emitting layer 180 is formed on the first electrode 162 exposed through the transmission hole of the bank 170 . The organic light emitting layer 180 may be formed in a multilayer structure including at least one organic layer including a light emitting material layer.

이와 관련하여 예를 들면, 제1전극(162)이 애노드이고 제2전극(192)이 캐소드인 경우에, 제1전극(162)과 발광물질층 사이에는 정공주입층과 정공수송층이 순차적으로 배치될 수 있고, 발광물질층과 제2전극(192) 사이에는 전자수송층과 전자주입층이 순차적으로 배치될 수 있다. In this regard, for example, when the first electrode 162 is an anode and the second electrode 192 is a cathode, a hole injection layer and a hole transport layer are sequentially disposed between the first electrode 162 and the light emitting material layer. The electron transport layer and the electron injection layer may be sequentially disposed between the light emitting material layer and the second electrode 192 .

유기발광층(180) 상부에는 비교적 일함수가 낮은 금속물질로 제2전극(192)이 기판(110) 전면에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제2전극(192)은 알루미늄(aluminum)이나 마그네슘(magnesium), 은(silver) 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. A second electrode 192 made of a metal material having a relatively low work function may be formed on the entire surface of the substrate 110 on the organic light emitting layer 180 . For example, the second electrode 192 may be formed of aluminum, magnesium, silver, or an alloy thereof.

제1전극(162)과 유기발광층(180) 및 제2전극(192)은 발광다이오드(OD)를 구성하게 된다.
The first electrode 162 , the organic light emitting layer 180 , and the second electrode 192 constitute a light emitting diode OD.

전술한 바와 같이 구성된 유기발광소자 표시장치(100)는 제조 완료 후 검사 공정을 진행하게 되는데, 이때 화소영역(P)에 결함이 존재하여 불량 화소로 판정되면 이 불량 화소영역에 대해서는 구동신호 유입을 차단하기 위해 해당 화소영역에 배치된 트랜지스터들 중 적어도 하나를 단선 상태로 만드는 리페어 공정이 진행된다. The organic light emitting diode display device 100 configured as described above undergoes an inspection process after completion of manufacturing. At this time, if a defect exists in the pixel region P and is determined to be a bad pixel, the driving signal is interrupted to the bad pixel region. A repair process of making at least one of the transistors disposed in the corresponding pixel region into a disconnected state is performed in order to block the circuit.

이와 관련하여 예를 들면, 트랜지스터를 구성하는 소스전극과 드레인전극과 게이트전극 중 적어도 하나의 전극을 레이저빔을 사용하여 컷팅하게 된다. 이에 따라, 컷팅된 전극은 단선 상태가 되어 트랜지스터를 통해 해당 구동신호가 화소영역(P) 내부로 유입되는 것이 차단됨으로써, 불량 화소영역은 발광 동작을 수행하지 않고 암점화 상태가 된다.In this regard, for example, at least one of the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode constituting the transistor is cut using a laser beam. Accordingly, the cut electrode is in a disconnected state and the corresponding driving signal is blocked from flowing into the pixel region P through the transistor, so that the bad pixel region does not emit light and is in a darkened state.

이때, 본 실시예에서는 전극 단선을 위한 레이저빔 조사 전에, 다른 레이저빔을 발광다이오드(OD)의 제2전극(192)에 조사하여 단선 전극과 폭방향으로 이격되어 위치하는 슬릿홈을 형성하는 공정을 진행하게 된다. At this time, in the present embodiment, before irradiating the laser beam for electrode disconnection, another laser beam is irradiated to the second electrode 192 of the light emitting diode OD to form a slit groove positioned to be spaced apart from the disconnection electrode in the width direction. will proceed with

이에 따라, 종래와 같이 리페어 공정 시 전극 단선을 위해 조사되는 레이저빔의 일부가 단선 전극의 외측을 통해 제2전극에 조사되어 제2전극 하면을 따라 충격파가 발생하더라도, 이 충격파는 제2전극이 제거된 슬릿홈에 의해 진행이 차단될 수 있게 된다. 이로 인해, 슬릿홈 외측에 위치하는 단선 전극 근방의 이웃 화소영역으로 충격파가 전달되는 것이 방지되어, 이웃 화소영역이 암점화 불량이 되는 것을 개선할 수 있게 된다.Accordingly, even if a part of the laser beam irradiated to the second electrode through the outside of the disconnected electrode is irradiated to the second electrode during the repair process during the repair process and a shock wave is generated along the lower surface of the second electrode, the shock wave is the second electrode Progress can be blocked by the removed slit groove. For this reason, transmission of the shock wave to the neighboring pixel region near the disconnection electrode positioned outside the slit is prevented, and it is possible to improve the dark ignition of the neighboring pixel region.

이와 같은 슬릿홈 형성을 통한 암점화 불량 방지와 관련하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서는 설명의 편의를 위해, 리페어 공정으로서 스위칭트랜지스터(Ts)의 소스전극(152a)을 단선하는 경우를 일예로 하여 설명한다.With reference to the drawings in relation to the prevention of dark ignition defects through the formation of such a slit groove will be described in more detail. Meanwhile, hereinafter, for convenience of description, a case in which the source electrode 152a of the switching transistor Ts is disconnected as a repair process will be described as an example.

도 5는 본 발명의 실시예에서 리페어 공정 전에 제2전극에 슬릿홈을 형성한 모습을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 6은 도 5의 절단선 IV-IV을 따라 도시한 단면도이다. 그리고, 도 7은 본 발명의 실시예에서 리페어 공정이 진행되는 모습을 도시한 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 8은 도 7의 절단선 VIII-VIII을 따라 도시한 단면도이다.5 is a plan view schematically illustrating a state in which a slit groove is formed in the second electrode before the repair process in the embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. 5 . And, FIG. 7 is a plan view schematically illustrating a state in which a repair process is performed in an embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the cutting line VIII-VIII of FIG.

구체적인 설명에 앞서, 도 5 및 7에서 하부에 위치하는 화소영역을 제1화소영역이라 하고 이에 이웃하는 화소영역으로서 상부에 위치하는 화소영역을 제2화소영역이라 하며, 제1화소영역은 불량 화소영역으로서 리페어 공정이 진행되며 제2화소영역은 정상 화소영역임을 예로 든다. 그리고, 설명의 편의를 위해, 슬릿홈 형성 공정과 리페어 공정과 관련된 구성을 위주로 도시하였고, 나머지 구성들은 생략하였다.Prior to the detailed description, in FIGS. 5 and 7 , the lower pixel area is referred to as a first pixel area, the adjacent pixel area is referred to as a second pixel area, and the first pixel area is referred to as a bad pixel. For example, a repair process is performed as an area and the second pixel area is a normal pixel area. In addition, for convenience of description, only the components related to the slit groove forming process and the repair process are mainly illustrated, and the remaining components are omitted.

먼저, 도 5 및 6을 참조하여 리페어 공정 전의 슬릿홈(SH) 형성 공정을 살펴본다. 불량 화소영역인 제1화소영역(P1)에 배치된 트랜지스터를 구성하는 일전극으로서 일예로 스위칭트랜지스터(Ts)의 소스전극(152a)을 단선하기 위한 리페어 공정을 진행하기에 앞서, 기판(110) 배면으로부터 제1레이저빔(L1)을 제2전극(192) 일부에 조사하여 해당 부분을 제거함으로써 일방향으로 연장된 슬릿 형태의 슬릿홈(SH)을 형성하게 된다.First, a slit groove (SH) forming process before the repair process will be described with reference to FIGS. 5 and 6 . Prior to performing a repair process for disconnecting the source electrode 152a of the switching transistor Ts as one electrode constituting the transistor disposed in the first pixel region P1, which is a bad pixel region, for example, the substrate 110 By irradiating a portion of the second electrode 192 with the first laser beam L1 from the rear surface and removing the portion, a slit-shaped slit groove SH extending in one direction is formed.

이때, 슬릿홈(SH)은 소스전극(152a)의 폭방향 외측으로 소스전극(152a)과 일정 간격 이격된 위치에 형성된다. 즉, 소스전극(152a)의 폭방향 일측변으로서 이에 근접한 화소영역인 제2화소영역(P2)을 바라보는 소스전극(152a)의 일측변으로부터 일정 거리만큼 이격된 위치에 형성된다.In this case, the slit groove SH is formed at a position spaced apart from the source electrode 152a by a predetermined interval outside the source electrode 152a in the width direction. That is, one side of the source electrode 152a in the width direction is formed at a position spaced apart by a predetermined distance from one side of the source electrode 152a facing the second pixel area P2, which is a pixel area adjacent thereto.

이러한바, 슬릿홈(SH)을 형성하는 제1레이저빔(L1) 또한 슬릿홈(SH)의 형성 위치에 대응되어 위치하게 되어 소스전극(152a)에는 조사되지 않게 된다.As such, the first laser beam L1 for forming the slit SH is also positioned to correspond to the formation position of the slit SH, so that the source electrode 152a is not irradiated.

이와 같은 슬릿홈(SH)은 그 연장 방향 즉 길이 방향이 소스전극(152a)의 폭방향과는 실질적으로 수직하게 교차하도록 구성되는 것이 바람직한데, 이에 한정되지는 않는다. Preferably, the slit groove SH is configured such that its extension direction, ie, a longitudinal direction, intersects substantially perpendicularly to the width direction of the source electrode 152a, but is not limited thereto.

여기서, 슬릿홈(SH)이 소스전극(152a) 폭방향과 수직하게 교차되면, 이후 리페어 공정에서 소스전극(152a)의 단선 방향 즉 레이저 컷 방향과 수직하게 됨으로써, 리페어 공정에서의 레이저빔인 제2레이저빔(도 8의 L2)의 제2전극(192) 입사에 의한 제2화소영역(P2)으로의 충격파 전달을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.Here, when the slit groove SH crosses perpendicularly to the width direction of the source electrode 152a, in the subsequent repair process, the slit groove SH becomes perpendicular to the disconnection direction of the source electrode 152a, that is, the laser cut direction. Transmission of a shock wave to the second pixel region P2 due to the incident of the second laser beam (L2 in FIG. 8 ) to the second electrode 192 may be more effectively blocked.

그리고, 슬릿홈(SH)과 소스전극(152a) 간의 이격 거리는, 슬릿홈(SH)이 리페어 공정에서의 제2레이저빔과 중첩되지 않을 정도의 이격 거리로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 제2레이저빔의 길이 방향(즉, 소스전극(152a)의 폭 방향)의 끝단으로서 슬릿홈(SH) 측의 일끝단이 슬릿홈(SH)과 이격되도록 슬릿홈(SH)을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 리페어 공정의 제2레이저빔은 제2화소영역(P2) 방향으로 슬릿홈(SH)을 넘어가지 않게 되어, 제2레이저빔에 의한 충격파가 슬릿홈(SH)을 넘어 제2화소영역(P2)으로 전달되는 것이 효과적으로 방지될 수 있게 된다.In addition, it is preferable that the separation distance between the slit groove SH and the source electrode 152a is such that the slit groove SH does not overlap the second laser beam in the repair process. That is, as an end of the second laser beam in the longitudinal direction (that is, in the width direction of the source electrode 152a), the slit groove SH is formed so that one end of the slit groove SH is spaced apart from the slit groove SH. it is preferable In this case, the second laser beam of the repair process does not cross the slit SH in the direction of the second pixel region P2 , so that a shock wave by the second laser beam crosses the slit SH to the second pixel Transmission to the area P2 can be effectively prevented.

한편, 제2전극(192) 하부에 배치된 절연막들과 기판을 통과하고 제2전극(192)에 조사되어 슬릿홈(SH)을 형성하는 제1레이저빔(L1)은 리페어 공정을 위한 제2레이저빔(L2)보다 세기가 작은 것이 바람직하다. On the other hand, the first laser beam L1 passing through the insulating films and the substrate disposed under the second electrode 192 and irradiated to the second electrode 192 to form the slit SH is a second laser beam L1 for the repair process. It is preferable that the intensity is smaller than that of the laser beam L2.

이와 관련하여, 제1레이저빔(L1)의 세기가 제2레이저빔 이상이 되면, 종래와 마찬가지로 슬릿홈(SH) 형성 시 제1레이저빔(L1)에 의해 제2전극(192) 하면에 충격파가 발생하고 이는 제2화소영역(P2) 내부로 전달되어 제2화소영역(P2)에서 제2전극(P2)의 들뜸이 유발됨으로써 제2화소영역(P2)은 암점화 불량 상태가 된다. In this regard, when the intensity of the first laser beam L1 is greater than or equal to the second laser beam, a shock wave is generated on the lower surface of the second electrode 192 by the first laser beam L1 when the slit SH is formed as in the prior art. , which is transmitted to the inside of the second pixel region P2 and causes the second electrode P2 to float in the second pixel region P2, thereby causing the second pixel region P2 to be in a dark ignition failure state.

이러한바, 슬릿홈(SH)을 형성하는 제1레이저빔(L1)에 의해 제2전극(192)에 충격파가 발생하는 것을 방지할 수 있도록, 제1레이저빔(L1)을 리페어 공정을 위한 제2레이저빔보다 세기가 작도록 하는 것이 바람직하다.As such, in order to prevent a shock wave from being generated in the second electrode 192 by the first laser beam L1 forming the slit SH, the first laser beam L1 is used for the repair process. It is preferable to make the intensity smaller than that of the two laser beams.

위와 같이, 제1레이저빔(L1)을 제2전극(192)에 조사하여 리페어 공정 시 단선되는 소스전극(152a)의 일측에 소스전극(152a)의 폭방향과 교차하는 방향으로 연장된 형태의 슬릿홈(SH)을 형성하게 된다.As described above, the first laser beam L1 is irradiated to the second electrode 192 to extend in a direction crossing the width direction of the source electrode 152a on one side of the source electrode 152a that is disconnected during the repair process. A slit groove SH is formed.

다음으로, 도 7 및 8을 참조하여 슬릿홈(SH)이 형성된 상태에서의 리페어 공정을 살펴본다. Next, a repair process in a state in which the slit groove SH is formed will be described with reference to FIGS. 7 and 8 .

불량 화소영역인 제1화소영역(P1)을 구동하는 스위칭트랜지스터(Ts)의 소스전극(152a)에 대해 기판(110) 배면으로부터 제2레이저빔(L2)을 조사하여 소스전극(152a)을 레이저 컷팅하게 되고, 이에 따라 소스전극(152a)에는 레이저 컷팅 홈인 단선홈(DH)이 형성된다.A second laser beam L2 is irradiated from the rear surface of the substrate 110 to the source electrode 152a of the switching transistor Ts for driving the first pixel region P1, which is a bad pixel region, to irradiate the source electrode 152a with a laser beam. The cut is performed, and accordingly, a disconnection groove DH, which is a laser cut groove, is formed in the source electrode 152a.

이때, 소스전극(152a)를 완전히 단선 상태로 만들기 위해, 제2레이저빔(L2)의 길이(즉, 소스전극(152a)의 폭방향으로의 길이)는 소스전극(152a)의 폭보다 크다. 즉, 소스전극(152a)의 폭방향을 따라 제2레이저빔(L2)은 소스전극(152a)의 양측을 넘어 연장된 형태로 조사된다.At this time, in order to make the source electrode 152a completely disconnected, the length of the second laser beam L2 (ie, the length in the width direction of the source electrode 152a) is greater than the width of the source electrode 152a. That is, along the width direction of the source electrode 152a, the second laser beam L2 is irradiated to extend beyond both sides of the source electrode 152a.

이에 따라, 평면적으로 볼 때 제2레이저빔(L2) 중 소스전극(152a)에 의해 가려지지 않는 일부(L2s)는 소스전극(152a) 상부에 배치된 절연막들을 통과하여, 소스전극(152a)에 의해 가려지지 않는 제2전극(192) 부분에 입사된다. Accordingly, in a plan view, a portion L2s of the second laser beam L2 that is not covered by the source electrode 152a passes through the insulating layers disposed on the source electrode 152a and is applied to the source electrode 152a. It is incident on the portion of the second electrode 192 that is not covered by the .

이와 같이 제2레이저빔 일부(L2s)가 입사된 제2전극(192) 부분은 제2레이저빔(L2s)에 의해 레이저 컷팅되어 제거됨으로써 컷팅홈(CH)이 생성된다. 여기서, 컷팅홈(CH)은 단선홈(DH)에서 연장된 형태를 갖게 된다.As described above, the portion of the second electrode 192 to which the second laser beam L2s is incident is laser cut and removed by the second laser beam L2s, thereby creating a cutting groove CH. Here, the cutting groove CH has a shape extending from the disconnection groove DH.

이때, 제2레이저빔 일부(L2s) 조사에 의해 충격파(W)가 발생되어 제2전극(192) 하면을 따라 주변으로 전달된다.At this time, a shock wave W is generated by the irradiation of a part of the second laser beam L2s and is transmitted along the lower surface of the second electrode 192 to the surroundings.

그런데, 본 실시예에서는, 소스전극(152a) 근방에 위치하는 제2화소영역(P2) 방향으로 제2전극(192)이 제거된 슬릿홈(SH)이 리페어 공정 이전에 형성된다. 이와 같은 슬릿홈(SH)은 제2레이저빔(L2)에 의해 생성된 컷팅홈(CH)과는 바람직하게는 이격된 상태가 된다.However, in the present embodiment, the slit groove SH from which the second electrode 192 is removed in the direction of the second pixel region P2 positioned near the source electrode 152a is formed before the repair process. The slit groove SH is preferably spaced apart from the cutting groove CH generated by the second laser beam L2.

이에 따라, 제2레이저빔(L2) 조사에 의해 발생되어 컷팅홈(CH)에서 제2화소영역(P2) 방향으로 진행하는 충격파(WA)는 슬릿홈(SH)에 의해 그 진행이 차단되게 된다. Accordingly, the shock wave WA generated by irradiation of the second laser beam L2 and propagating in the direction of the second pixel region P2 in the cutting groove CH is blocked by the slit groove SH. .

즉, 슬릿홈(SH)에는 제2전극(192)이 이미 제거된 상태이므로, 제2전극(192) 하면을 따라 진행하는 충격파(W)는 슬릿홈(SH) 부분에서 진행이 멈추게 됨으로써, 슬릿홈(SH)을 넘어 제2화소영역(P2) 내부로의 전달이 방지된다.That is, since the second electrode 192 is already removed from the slit SH, the shock wave W traveling along the lower surface of the second electrode 192 stops at the slit SH, and thus the slit Transmission into the second pixel area P2 beyond the groove SH is prevented.

이에 따라, 제2화소영역(P2)에 위치하는 제2전극(192) 부분에는 리페어 공정 시 발생된 충격파(W)가 전달되지 않게 되어 들뜸 현상 또한 발생하지 않게 된다. Accordingly, the shock wave W generated during the repair process is not transmitted to the portion of the second electrode 192 located in the second pixel region P2, so that the lifting phenomenon does not occur.

따라서, 제2화소영역(P2)의 유기발광다이오드(OD)는 정상적으로 동작하여 발광할 수 있게 되는 바, 제2화소영역(P2)이 종래와 같이 제2전극(192)의 들뜸에 의해 암점화 불량이 되는 것을 개선할 수 있게 된다.
Accordingly, the organic light emitting diode OD of the second pixel region P2 operates normally and can emit light, so that the second pixel region P2 is darkened by the lifting of the second electrode 192 as in the prior art. It is possible to improve what is defective.

전술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 불량 화소영역에 대해 해당 트랜지스터를 단선 상태로 만드는 리페어 공정 이전에, 이 트랜지스터에서 단선되는 전극의 외측에 발광다이오드의 상부전극의 일부가 제거된 슬릿홈을 형성한다.As described above, according to the exemplary embodiment of the present invention, before the repair process for making the transistor disconnected in the defective pixel region, a slit in which a part of the upper electrode of the light emitting diode is removed outside the disconnected electrode in the transistor. form a groove

이에 따라, 리페어 공정 시 단선되는 전극에 의해 가려지지 않은 레이저빔의 일부가 상부전극에 조사되어 충격파가 발생하더라도, 이 충격파는 슬릿홈에 의해 차단되어 이웃하는 정상 화소영역으로 전달되지 않게 된다. 따라서, 이웃 화소영역에서 상부전극의 들뜸 현상이 방지되어, 들뜸 현상에 의한 암정화 불량이 개선될 수 있게 된다.
Accordingly, even if a part of the laser beam that is not covered by the disconnected electrode during the repair process is irradiated to the upper electrode to generate a shock wave, the shock wave is blocked by the slit groove and is not transmitted to the neighboring normal pixel area. Accordingly, the lifting phenomenon of the upper electrode in the neighboring pixel region is prevented, and thus the dark refining defect caused by the lifting phenomenon can be improved.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.
The above-described embodiment of the present invention is an example of the present invention, and free modifications are possible within the scope included in the spirit of the present invention. Accordingly, the present invention includes modifications of the present invention provided they come within the scope of the appended claims and their equivalents thereto.

100: 유기발광소자 표시장치 110: 기판
122a,122b: 제1,2반도체층 130: 게이트절연막
132a,131b: 제1,2게이트전극 140: 층간절연막
140a: 제1콘택홀 140b: 제2콘택홀
141: 제3콘택홀 152a,152b: 제1,2소스전극
154a,154b: 제1,2드레인전극 160: 보호막
160a: 드레인콘택홀 162: 제1전극
170: 뱅크 180: 유기발광층
192: 제2전극
P,P1,P2: 화소영역,제1화소영역,제2화소영역
GL,DL,PL: 게이트배선,데이터배선,전원배선
Ts,Td: 스위칭트랜지스터,구동트랜지스터
SH,CH,DH: 슬릿홈,컷팅홈,단선홈
L1,L2: 제1,2레이저빔100: organic light emitting device display device 110: substrate
122a, 122b: first and second semiconductor layers 130: gate insulating film
132a, 131b: first and second gate electrodes 140: interlayer insulating film
140a: first contact hole 140b: second contact hole
141: third contact hole 152a, 152b: first and second source electrodes
154a, 154b: first and second drain electrodes 160: protective film
160a: drain contact hole 162: first electrode
170: bank 180: organic light emitting layer
192: second electrode
P, P1, P2: pixel area, first pixel area, second pixel area
GL, DL, PL: Gate wiring, data wiring, power wiring
Ts, Td: switching transistor, driving transistor
SH,CH,DH: slit groove, cutting groove, single wire groove
L1, L2: first and second laser beams

Claims (9)

서로 이웃하는 제1,2화소영역이 정의된 기판과;
상기 기판 상에 상기 제1,2화소영역 각각에 배치된 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 상에 절연막과;
상기 절연막 상에 상기 제1,2화소영역 각각에 배치된 제1전극 및 상기 제1전극 상의 유기발광층과;
상기 유기발광층 상에 배치된 제2전극과;
상기 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극으로서 단선홈에 의해 단선된 단선 전극과;
상기 제2전극 내부에 구성되며, 상기 단선 전극의 폭방향 일측변에서 상기 제2화소영역 방향으로 이격된 슬릿홈
을 포함하는 유기발광소자 표시장치.
a substrate on which first and second pixel regions adjacent to each other are defined;
a transistor disposed in each of the first and second pixel regions on the substrate, and an insulating layer on the transistor;
a first electrode disposed in each of the first and second pixel regions on the insulating layer and an organic light emitting layer on the first electrode;
a second electrode disposed on the organic light emitting layer;
a disconnection electrode configured as an electrode constituting the transistor of the first pixel region and disconnected by a disconnection groove;
A slit groove configured inside the second electrode and spaced apart from one side in the width direction of the disconnected electrode in the direction of the second pixel region
An organic light emitting diode display comprising a.
 제 1 항에 있어서,
상기 슬릿홈은 상기 단선 전극의 폭방향과 교차하는 방향으로 연장된 형태를 갖는
유기발광소자 표시장치.
The method of claim 1,
The slit groove has a shape extending in a direction crossing the width direction of the single wire electrode.
Organic light emitting diode display.
 제 1 항에 있어서,
상기 제2전극 내부에 구성되며, 상기 단선홈에서 상기 슬릿홈 방향으로 연장되고 상기 슬릿홈과 이격된 컷팅홈
을 더 포함하는 유기발광소자 표시장치.
The method of claim 1,
A cutting groove configured inside the second electrode, extending from the disconnection groove to the slit groove and spaced apart from the slit groove
An organic light emitting diode display further comprising a.
 서로 이웃하는 제1,2화소영역이 정의된 기판 상에 상기 제1,2화소영역 각각에 배치된 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 상에 절연막과, 상기 절연막 상에 상기 제1,2화소영역 각각에 배치된 제1전극 및 상기 제1전극 상의 유기발광층과, 상기 유기발광층 상에 배치된 제2전극을 포함하는 유기발광소자 표시장치의 리페어 방법에 있어서,
제1레이저빔을 상기 제2전극에 조사하여, 상기 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극의 폭방향 일측변에서 상기 제2화소영역 방향으로 이격된 슬릿홈을 형성하는 단계와;
제2레이저빔을 상기 제1화소영역의 트랜지스터를 구성하는 전극에 조사하여 이 전극을 단선시키는 단선홈을 형성하는 단계
를 포함하는 유기발광소자 표시장치 리페어 방법.
A transistor disposed in each of the first and second pixel regions on a substrate on which adjacent first and second pixel regions are defined; an insulating layer disposed on the transistor; and an insulating layer disposed in each of the first and second pixel regions on the insulating layer In the repair method of an organic light emitting device display device comprising a first electrode and an organic light emitting layer on the first electrode, and a second electrode disposed on the organic light emitting layer,
irradiating a first laser beam to the second electrode to form a slit groove spaced apart from one side in the width direction of an electrode constituting the transistor of the first pixel region in the direction of the second pixel region;
forming a disconnection groove for disconnecting the electrode by irradiating a second laser beam to the electrode constituting the transistor of the first pixel region;
An organic light emitting diode display device repair method comprising a.
 제 4 항에 있어서,
상기 슬릿홈은 상기 단선된 전극의 폭방향과 교차하는 방향으로 연장된 형태로 형성되는
유기발광소자 표시장치 리페어 방법.
5. The method of claim 4,
The slit groove is formed to extend in a direction crossing the width direction of the disconnected electrode.
A method for repairing an organic light emitting diode display.
 제 4 항에 있어서,
상기 제1레이저빔의 세기는 상기 제2레이저빔의 세기보다 작은
유기발광소자 표시장치 리페어 방법.
5. The method of claim 4,
The intensity of the first laser beam is smaller than the intensity of the second laser beam
A method for repairing an organic light emitting diode display.
 제 4 항에 있어서,
상기 단선홈을 형성하는 단계에서,
상기 제2레이저빔 조사에 의해, 상기 제2전극 내부에는 상기 단선홈에서 상기 슬릿홈 방향으로 연장되고 상기 슬릿홈과 이격된 컷팅홈이 형성되는
유기발광소자 표시장치 리페어 방법.5. The method of claim 4,
In the step of forming the disconnection groove,
A cutting groove extending from the disconnection groove to the slit groove direction and spaced apart from the slit groove is formed in the second electrode by irradiation with the second laser beam.
A method for repairing an organic light emitting diode display. 제 1 항에 있어서,
상기 단선 전극의 길이 방향을 따라 정의된 상기 슬릿홈의 길이는, 상기 단선 전극의 길이 방향을 따라 정의된 상기 단선홈의 폭 보다 큰
유기발광소자 표시장치.
The method of claim 1,
A length of the slit groove defined along the longitudinal direction of the disconnection electrode is greater than a width of the disconnection groove defined along the length direction of the disconnection electrode
Organic light emitting diode display.
 제 4 항에 있어서,
상기 단선된 전극의 길이 방향을 따라 정의된 상기 슬릿홈의 길이는, 상기 단선된 전극의 길이 방향을 따라 정의된 상기 단선홈의 폭 보다 큰
유기발광소자 표시장치 리페어 방법.5. The method of claim 4,
A length of the slit groove defined along the length direction of the disconnected electrode is greater than a width of the disconnection groove defined along the length direction of the disconnected electrode
A method for repairing an organic light emitting diode display.
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