KR102447467B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정; 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정; 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정; 및 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정을 포함하고, 상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하는 기판 처리 방법을 제공한다.

Description

기판 처리 방법{Method of processing a substrate}
본 발명은 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 기판 상에 박막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
기판 상에 박막을 형성하는 방법으로는 물리적 증착 방법과 화학적 증착 방법이 있다.
상기 화학적 증착 방법으로는 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 및 원자층 증착법(Atomic Layer Depotion)이 있다. 상기 원자층 증착법은 상기 화학적 기상 증착법에 비하여 막질이 우수하고 스텝 커버리지(step coverage) 특성이 우수한 장점이 있다.
그러나, 기판의 표면이 균일하지 못한 경우에는 상기 원자층 증착법을 이용한다 하더라도 불균일한 기판의 표면에 박막을 형성하는 것은 용이하지 않다. 특히, 기판의 표면에 종횡비(aspect ratio)가 큰 트렌치가 형성된 경우에는, 상기 종횡비가 큰 트렌치 내부 영역 및 상기 트렌치 외부의 기판 표면 영역에 균일한 박막을 형성하는 것은 더욱 어렵다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 불균일한 기판 표면에 박막을 균일하게 형성할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정; 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정; 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정; 및 상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정을 포함하고, 상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 반응 가스를 분사하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정 이후에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정 이후에 수행할 수 있다.
상기 반응 가스를 분사하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정 이후에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 동시에 수행할 수 있다.
상기 반응 가스를 분사하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 동시에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정 이후에 수행할 수 있다.
상기 소스 가스를 분사하는 공정과 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정의 사이 및 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 소스 가스를 분사하는 공정의 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 반응 가스를 분사하는 공정의 사이 및 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정 이후에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정 이후에 수행할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 동시에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정 이후에 수행할 수 있다.
상기 소스 가스를 분사하는 공정과 상기 반응 가스를 분사하는 공정의 사이 및 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정의 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 반응 가스를 분사하는 공정과 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정의 사이 및 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 소스 가스를 분사하는 공정의 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
본 발명은 또한 소스 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제1 퍼지 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정; 상기 제1 퍼지 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제1 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정; 상기 제1 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 반응 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정; 상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제2 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정; 및 상기 제2 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 제2 퍼지 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 제1 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 반응 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 다른 퍼지 가스 분사 영역을 경유하여 상기 반응 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제2 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정은 상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 또 다른 퍼지 가스 분사 영역을 경유하여 상기 제2 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
본 발명은 또한, 소스 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제1 퍼지 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정; 상기 제1 퍼지 가스 분사 영역에 위치한 기판을 반응 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정; 상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제1 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정; 상기 제1 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 제2 퍼지 가스 영역으로 이동시키는 공정; 및 상기 제2 퍼지 가스 영역에 위치한 기판을 제2 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정을 포함하는 기판 처리 방법을 제공한다.
상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 제1 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정은 상기 반응 가스 분사 영역에 위치한 기판을 다른 퍼지 가스 분사 영역을 경유하여 상기 제1 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 퍼지 가스 영역에 위치한 기판을 제2 플라즈마 처리 영역으로 이동시키는 공정 이후에 상기 제2 플라즈마 처리 영역에 위치한 기판을 또 다른 퍼지 가스 분사 영역으로 이동시키는 공정을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 처리 영역, 상기 반응 가스 분사 영역, 및 상기 제2 플라즈마 처리 영역 중 어느 하나에서는 고주파의 플라즈마 처리가 수행되고 다른 하나에서는 저주파의 플라즈마 처리가 수행되고, 나머지 하나에서는 플라즈마 처리가 수행되지 않을 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 구비된 종횡비가 큰 트렌치 내부에 우수한 품질의 박막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불균일한 기판 표면에 박막을 형성한 모습을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4는 도 3에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 6은 도 5에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 8은 도 7에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이다.
도 10은 도 9에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 불균일한 기판 표면에 박막을 형성한 모습을 도시한 것이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 기판(10)의 표면에는 트렌치(11)가 형성되어 있다. 상기 트렌치(11)는 종횡비가 크게 형성될 수 있다. 즉, 상기 트렌치(11)는 가로 방향의 폭(x)에 비하여 세로 방향의 깊이(y)가 클 수 있다.
이와 같이, 상기 트렌치(11)가 구비된 기판(10)의 표면에 박막(20)을 균일하게 형성하는 것은 용이하지 않다. 구체적으로, 상기 기판(10)의 상면(10a)보다는 상기 트렌치(11) 내부에 상기 박막(20)을 형성하는 것이 어렵다.
특히, 상기 박막(20)을 원자층 증착법으로 형성할 경우 최초 증착된 막에 의해서 상기 트렌치(11)의 입구 부분(11a)이 막히게 되면 상기 트렌치(11) 내부에 상기 박막(20)을 균일하게 형성하는 것이 어렵다. 또한, 상기 트렌치(11)의 입구 부분(11a)이 막히지 않는다 하더라도 종횡비가 큰 상기 트렌치(11) 내부에 우수한 품질의 박막(20)을 형성하는 것은 쉽지 않다.
본 발명은 이와 같은 종횡비가 큰 트렌치(11) 내부에 우수한 품질의 박막(20)을 형성할 수 있는 방법을 제공한다. 이하에서 그 방법에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 도시한 것이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 챔버(100), 기판 지지대(200), 가스 분사 장치(300), 및 플라즈마 생성 장치(400)를 포함하여 이루어진다.
상기 기판 지지대(200)는 상기 챔버(100) 내부에 배치되어 기판(10)을 지지한다. 전술한 도 1에서와 같이 상기 기판(10)의 표면에는 트렌치(11)가 구비될 수 있다. 복수의 기판(10)이 상기 기판 지지대(200)에 안착될 수 있고, 그에 따라 상기 복수의 기판(10) 상에 박막이 동시에 형성될 수 있다.
상기 기판 지지대(200)는 회전이 가능하도록 구비될 수 있다. 그에 따라 상기 복수의 기판(10)은 상기 가스 분사 장치(300) 및 상기 플라즈마 생성 장치(400)각각의 영역으로 이동할 수 있다.
상기 가스 분사 장치(300)는 상기 챔버(100) 내부에 배치되어 상기 기판(10) 상에 소정의 가스, 예를 들어 소스 가스, 반응 가스, 또는 퍼지 가스를 분사할 수 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 가스 분사 장치(300)는 가스 공급 라인을 통해서 소스 가스, 반응 가스, 또는 퍼지 가스를 수용하고 있는 가스 공급부와 연결되어 있다. 상기 가스 분사 장치(300)는 당업계에 공지된 다양한 가스 분사 장치가 이용될 수 있다.
상기 플라즈마 생성 장치(400)는 상기 챔버(100) 내부에 배치되어 상기 기판(10) 상에 형성된 박막의 품질을 개선한다. 상기 플라즈마 생성 장치(400)는 고주파수 또는 저주파수의 플라즈마를 생성하도록 구비된다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 플라즈마 생성 장치(400)는 가스 공급 라인을 통해서 산소, 수소, 또는 아르곤 등의 불활성 가스를 수용하고 있는 가스 공급부와 연결되어 있다. 또한, 상기 플라즈마 생성 장치(400)는 소정의 배선을 통해서 고주파 또는 저주파의 전원을 공급하는 전원 공급부와 연결되어 있다. 따라서, 상기 전원 공급부로부터 상기 플라즈마 생성 장치(400)에 고주파 또는 저주파의 전원이 공급되면 상기 가스 공급 라인을 통해서 공급된 불활성 가스로부터 플라즈마가 생성된다. 본 명세서에서, 고주파 플라즈마는 상기 고주파의 전원이 공급된 경우를 의미하고, 저주파 플라즈마는 상기 저주파의 전원이 공급된 경우를 의미한다.
상기 플라즈마 생성 장치(400)는 당업계에 공지된 다양한 플라즈마 생성 장치가 이용될 수 있다.
상기 가스 분사 장치(300)와 상기 플라즈마 생성 장치(400)는 각각 복수 개가 형성되어 상기 기판(10) 상에 균일한 박막을 형성하게 되는데, 이하에서 그에 대한 다양한 실시예를 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 4는 도 3에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 3에서 알 수 있듯이, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되어 있고, 상기 기판 지지대(200) 위쪽에는 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 시계방향으로 배열되어 있고, 상기 장치들 중앙, 즉, 상기 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에는 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 구비되어 있다.
상기 소스 가스 분사 장치(S)는 상기 기판(10) 상에 소스 가스를 분사하여 상기 소스 가스가 상기 기판(10)의 표면에 흡착될 수 있도록 한다. 상기 소스 가스는 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 당업계에 공지된 다양한 가스가 선택될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 복수 개의 소스 가스 분사 장치(S)가 서로 인접하면서 시계방향으로 배열될 수 있다.
상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 상기 소스 가스 분사 장치(S)에서 분사된 소스 가스와 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)는 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 제1 플라즈마 처리 영역을 구분한다. 상기 퍼지 가스는 당업계에 공지된 다양한 퍼지 가스가 이용될 수 있다.
상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 제1 플라즈마를 생성하여 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스를 제거할 수 있다. 구체적으로, 고주파수, 예를 들어 100MHz 정도의 고주파수의 제1 플라즈마 처리가 상기 기판(10)의 표면에 수행되면, 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스가 제거되어, 추후 형성되는 박막의 막질이 향상될 수 있다. 고주파의 제1 플라즈마는 비교적 에너지가 낮기 때문에 상기 기판(10)의 표면에 완전하게 흡착된 소스 가스는 그대로 남겨주고 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스만을 제거할 수 있다.
한편, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 제1 플라즈마를 생성하여 상기 기판(10)의 트렌치(11)의 입구 부분에 쌓여있는 박막을 제거하여 상기 트렌치(11)의 입구 부분이 막히지 않도록 할 수 있다. 상기 기판 지지대(200)가 회전하면서 상기 기판(10) 상에서 소스 가스와 반응 가스가 반응하여 박막이 형성될 수 있으며, 이와 같은 박막은 전술한 바와 같이 상기 기판(10)의 트렌치(11)의 입구 부분을 막을 수 있다. 따라서, 저주파수, 예를 들어 450KHx 정도의 저주파수의 제1 플라즈마 처리가 상기 기판(10)의 표면에 수행되면, 상기 기판(10)의 트렌치(10)의 입구 부분에 쌓여있는 박막이 제거되어 상기 기판(10)의 트렌치(11)의 입구 부분이 막히지 않게 되고, 그에 따라 상기 기판(10)의 트렌치(11) 내부에 양질의 박막이 형성될 수 있다. 저주파의 제2 플라즈마는 비교적 에너지가 높기 때문에 상기 기판(10)의 트렌치(11) 입구에 쌓여있는 박막을 제거할 수 있고, 또한 상기 기판(10)의 트렌치(11) 내부에 형성된 박막의 화학적 결합을 증진하여 상기 박막의 막질을 향상시킬 수 있다.
상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))는 상기 기판(10) 상에 반응 가스를 분사하여 상기 기판(10) 상에 흡착된 소스 가스와 상기 반응 가스가 반응하도록 한다. 이와 같이 소스 가스와 반응 가스가 반응함으로써 상기 기판(10) 상에 원하는 박막이 형성될 수 있다. 상기 반응 가스는 형성하고자 하는 박막의 종류에 따라 당업계에 공지된 다양한 가스가 선택될 수 있다. 도시하지는 않았지만, 복수 개의 반응 가스 분사 장치(R(PL))가 서로 인접하면서 시계방향으로 배열될 수 있다.
상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서는 플라즈마를 생성될 수도 있고, 따라서, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서는 상기 반응 가스를 상기 기판(10) 상에 분사하면서 상기 기판(10)에 대한 플라즈마 처리를 동시에 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 전술한 바와 같은 고주파수 플라즈마 처리로 이루어질 수도 있고 저주파수 플라즈마 처리로 이루어질 수도 있다.
상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 제2 플라즈마를 생성하여 상기 기판(10)의 트렌치(11)의 입구 부분에 쌓여있는 박막을 제거하여 상기 트렌치(11)의 입구 부분이 막히지 않도록 할 수 있다. 구체적으로, 저주파수, 예를 들어 450KHx 정도의 저주파수의 제2 플라즈마 처리가 상기 기판(10)의 표면에 수행되면, 상기 기판(10)의 트렌치(10)의 입구 부분에 쌓여있는 박막이 제거되어 상기 기판(10)의 트렌치(11)의 입구 부분이 막히지 않게 되고, 또한 상기 기판(10)의 트렌치(11) 내부에 형성된 박막의 화학적 결합이 증진되어 상기 박막의 막질을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 제2 플라즈마를 생성하여 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스를 제거할 수 있다. 구체적으로, 고주파수, 예를 들어 100MHz 정도의 고주파수의 제2 플라즈마 처리가 상기 기판(10)의 표면에 수행되면, 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스가 제거되어, 추후 형성되는 박막의 막질이 향상될 수 있다. 고주파의 제2 플라즈마는 비교적 에너지가 낮기 때문에 상기 기판(10)의 표면에 완전하게 흡착된 소스 가스는 그대로 남겨주고 상기 기판(10)의 표면에 불완전하게 흡착된 소스 가스만을 제거할 수 있다.
상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 고주파수의 제1 플라즈마를 생성하면 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 저주파수의 제2 플라즈마를 생성하고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 저주파수의 제1 플라즈마를 생성하면 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 고주파수의 제2 플라즈마를 생성한다.
상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 생성된 제2 플라즈마는 서로 동일한 가스로 이루어질 수도 있고 서로 상이한 가스로 이루어질 수도 있다.
상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 상기 소스 가스 분사 장치(S)에서 분사된 소스 가스와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 생성된 제2 플라즈마가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 제2 플라즈마 처리 영역을 구분한다.
상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 서로 마주하거나 서로 인접하는 장치들에서 분사한 각각의 가스 또는 플라즈마가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)는 상기 소스 가스 분사 영역, 상기 제1 플라즈마 처리 영역, 상기 반응 가스 분사 영역, 및 상기 제2 플라즈마 처리 영역을 구분한다.
도 4는 도 3에 따른 기판 처리 장치를 이용한 제1 실시예 내지 제6 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여준다.
제1 실시예 내지 제6 실시예에 따르면, 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하고, 그에 따라 상기 기판(10)이 상기 소스 가스 분사 장치(S)가 구비된 소스 가스 분사 영역, 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)가 구비된 제1 퍼지 가스 분사 영역, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 구비된 제1 플라즈마 생성 영역, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))가 구비된 반응 가스 분사 영역, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 구비된 제2 플라즈마 생성 영역, 및 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 구비된 제2 퍼지 가스 분사 영역을 차례로 이동한다.
제1 실시예 및 제2 실시예에 따르면, 상기 소스 가스 분사 장치(S), 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 모두 동작한다.
이때, 상기 제1 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제2 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제3 실시예 및 제4 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 동작하지 않고, 그 외에 상기 소스 가스 분사 장치(S), 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 및 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 모두 동작한다.
참고로, 본 발명의 도면에서 특정 장치가 동작하지 않는 경우 X자로 표기하였다.
제3 실시예 및 제4 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 동작하지 않는 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다.
이때, 상기 제3 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다. 그에 반해, 상기 제4 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제5 실시예 및 제6 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 동작하지 않고, 그 외에 상기 소스 가스 분사 장치(S), 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 모두 동작한다.
제5 실시예 및 제6 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 동작하지 않는 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다.
이때, 상기 제5 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다. 그에 반해, 상기 제6 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
전술한 제1 실시예 내지 제6 실시예는 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하는 경우에 해당하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 상기 기판 지지대(200)가 시계 반대 방향으로 회전할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 6은 도 5에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되어 있고, 상기 기판 지지대(200) 위쪽에는 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3), 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 시계방향으로 배열되어 있고, 상기 장치들 중앙, 즉, 상기 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에는 제5 퍼지 가스 분사 장치(P5)가 구비되어 있다.
도 5에 따른 기판 처리 장치는 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 반응 가스 분사 장치(R(PL)) 사이에 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 추가되고, 반응 가스 분사 장치(R(PL))와 제2 플라즈마 생성 장치(PL2) 사이에 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 추가된 점에서 전술한 도 3에 따른 기판 처리 장치와 상이하다.
상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2) 및 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 추가됨에 따라 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)와 소스 가스 분사 장치(S) 사이에 구비된 퍼지 가스 분사 장치가 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)로 명명되고, 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에 구비된 퍼지 가스 분사 장치가 제5 퍼지 가스 분사 장치(P5)로 명명된 것을 제외하고, 도 5에 따른 기판 처리 장치는 도 3에 따른 기판 처리 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 내용에 대한 반복 설명은 생략하고 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 5에 따르면, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마와 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 분사된 반응 가스가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 제1 플라즈마 처리 영역과 상기 반응 가스 분사 영역을 구분한다.
또한, 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 분사된 반응 가스와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제2 플라즈마가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)는 상기 반응 가스 분사 영역과 상기 제2 플라즈마 처리 영역을 구분한다.
도 6은 도 5에 따른 기판 처리 장치를 이용한 제7 실시예 내지 제16 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여준다.
제7 실시예 내지 제16 실시예에 따르면, 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하고, 그에 따라 상기 기판(10)이 상기 소스 가스 분사 장치(S)가 구비된 소스 가스 분사 영역, 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)가 구비된 제1 퍼지 가스 분사 영역, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 구비된 제1 플라즈마 생성 영역, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 구비된 제2 퍼지 가스 분사 영역, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))가 구비된 반응 가스 분사 영역, 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 구비된 제3 퍼지 가스 분사 영역, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 구비된 제2 플라즈마 생성 영역, 및 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 구비된 제4 퍼지 가스 분사 영역을 차례로 이동한다.
제7 실시예 및 제8 실시예에 따르면, 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3), 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 모두 동작한다.
이때, 상기 제7 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제8 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제9 실시예 내지 제12 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 동작하지 않고, 그 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다. 제9 실시예 내지 제12 실시예의 경우 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 동작하지 않기 때문에 그와 인접한 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)와 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4) 중 어느 하나는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제9 실시예 및 제10 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제11 실시예 및 제12 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제13 실시예 내지 제16 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 동작하지 않고, 그 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다. 제13 실시예 내지 제16 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 동작하지 않기 때문에 그와 인접한 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)와 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2) 중 어느 하나는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제13 실시예 및 제14 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 제15 실시예 및 제16 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
전술한 제7 실시예 내지 제16 실시예는 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하는 경우에 해당하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 상기 기판 지지대(200)가 시계 반대 방향으로 회전할 수도 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 8은 도 7에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 7에서 알 수 있듯이, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되어 있고, 상기 기판 지지대(200) 위쪽에는 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 및 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 시계방향으로 배열되어 있고, 상기 장치들 중앙, 즉, 상기 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에는 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 구비되어 있다.
도 7에 따르면, 상기 소스 가스 분사 장치(S)와 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL)) 사이에 플라즈마 생성 장치가 구비되어 있지 않다. 따라서, 상기 소스 가스 분사 장치(S)에서 분사된 소스 가스가 상기 기판(10) 상에 흡착되고, 이어서 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 분사된 반응 가스가 상기 소스 가스와 반응하여 상기 기판(10) 상에 박막이 형성된다. 그리고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에 의해서 상기 박막에 대한 제1 플라즈마 처리와 제2 플라즈마 처리가 연속적으로 수행된다.
특히, 도 7의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2) 사이에 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 구비되어 있기 때문에, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 서로 상이한 가스를 이용할 경우에 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마와 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마가 섞이지 않게 된다.
도 8은 도 7에 따른 기판 처리 장치를 이용한 제17 실시예 내지 제22 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여준다.
제17 실시예 내지 제22 실시예에 따르면, 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하고, 그에 따라 상기 기판(10)이 상기 소스 가스 분사 장치(S)가 구비된 소스 가스 분사 영역, 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)가 구비된 제1 퍼지 가스 분사 영역, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))가 구비된 반응 가스 분사 영역, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 구비된 제1 플라즈마 생성 영역, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 구비된 제2 퍼지 가스 분사 영역, 및 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 구비된 제2 플라즈마 생성 영역을 차례로 이동한다.
제17 실시예 및 제18 실시예에 따르면, 상기 소스 가스 분사 장치(S), 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 및 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 모두 동작한다.
이때, 상기 제17 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제18 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제19 실시예 및 제20 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제19 실시예 및 제20 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 동작하지 않는 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다.
이때, 상기 제19 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다. 그에 반해, 상기 제20 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제21 실시예 및 제22 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제21 실시예 및 제22 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 동작하지 않는 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다.
이때, 상기 제21 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다. 그에 반해, 상기 제22 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
전술한 제17 실시예 내지 제22 실시예는 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하는 경우에 해당하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 상기 기판 지지대(200)가 시계 반대 방향으로 회전할 수도 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략적인 평면도이고, 도 10은 도 9에 따른 기판 처리 장치를 이용한 다양한 기판 처리 방법을 보여주는 표이다.
도 9에서 알 수 있듯이, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되어 있고, 상기 기판 지지대(200) 위쪽에는 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3), 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 시계방향으로 배열되어 있고, 상기 장치들 중앙, 즉, 상기 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에는 제5 퍼지 가스 분사 장치(P5)가 구비되어 있다.
도 9에 따른 기판 처리 장치는 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 반응 가스 분사 장치(R(PL)) 사이에 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 추가되고, 소스 가스 분사 장치(S))와 제2 플라즈마 생성 장치(PL2) 사이에 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 추가된 점에서 전술한 도 7에 따른 기판 처리 장치와 상이하다.
상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2) 및 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 추가됨에 따라 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)와 제2 플라즈마 생성 장치(PL2) 사이에 구비된 퍼지 가스 분사 장치가 제3 퍼지 가스 분사 장치(P4)로 명명되고, 기판 지지대(200)의 위쪽 중앙에 구비된 퍼지 가스 분사 장치가 제5 퍼지 가스 분사 장치(P5)로 명명된 것을 제외하고, 도 9에 따른 기판 처리 장치는 도 7에 따른 기판 처리 장치와 동일하다. 따라서, 동일한 내용에 대한 반복 설명은 생략하고 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 9에 따르면, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제1 플라즈마와 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 분사된 반응 가스가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)는 상기 제1 플라즈마 처리 영역과 상기 반응 가스 분사 영역을 구분한다.
또한, 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)는 상기 기판(10) 상에 퍼지 가스를 분사하여 상기 소스 가스 분사 장치(S))에서 분사된 소스 가스와 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 생성된 제2 플라즈마가 서로 섞이지 않도록 한다. 즉, 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)는 상기 소스 가스 분사 영역과 상기 제2 플라즈마 처리 영역을 구분한다.
도 10은 도 9에 따른 기판 처리 장치를 이용한 제23 실시예 내지 제32 실시예에 따른 기판 처리 방법을 보여준다.
제23 실시예 내지 제32 실시예에 따르면, 상기 기판 지지대(200)가 시계 방향으로 회전하고, 그에 따라 상기 기판(10)이 상기 소스 가스 분사 장치(S)가 구비된 소스 가스 분사 영역, 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)가 구비된 제1 퍼지 가스 분사 영역, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))가 구비된 반응 가스 분사 영역, 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2)가 구비된 제2 퍼지 가스 분사 영역, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 구비된 제1 플라즈마 생성 영역, 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)가 구비된 제3 퍼지 가스 분사 영역, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 구비된 제2 플라즈마 생성 영역, 및 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 구비된 제4 퍼지 가스 분사 영역을 차례로 이동한다.
제23 실시예 및 제24 실시예에 따르면, 소스 가스 분사 장치(S), 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1), 반응 가스 분사 장치(R(PL)), 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2), 제1 플라즈마 생성 장치(PL1), 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3), 제2 플라즈마 생성 장치(PL2), 및 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4)가 모두 동작한다.
이때, 상기 제23 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제24 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제25 실시예 내지 제28 실시예에 따르면, 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)는 동작하지 않고, 그 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다. 제25 실시예 내지 제28 실시예의 경우 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)가 동작하지 않기 때문에 그와 인접한 상기 제3 퍼지 가스 분사 장치(P3)와 상기 제4 퍼지 가스 분사 장치(P4) 중 어느 하나는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제25 실시예 및 제26 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 상기 제27 실시예 및 제28 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
제29 실시예 내지 제32 실시예에 따르면, 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)는 동작하지 않고, 그 대신에, 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 플라즈마 처리가 추가로 수행된다. 제29 실시예 내지 제32 실시예의 경우 상기 제1 플라즈마 생성 장치(PL1)가 동작하지 않기 때문에 그와 인접한 상기 제1 퍼지 가스 분사 장치(P1)와 상기 제2 퍼지 가스 분사 장치(P2) 중 어느 하나는 동작하지 않고, 그 외의 장치는 모두 동작한다.
제29 실시예 및 제30 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 고주파(H)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2)에서 저주파(L)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
그에 반해, 제31 실시예 및 제32 실시예의 경우 상기 반응 가스 분사 장치(R(PL))에서 저주파(L)의 제1 플라즈마 처리가 수행되고 상기 제2 플라즈마 생성 장치(PL2))에서 고주파(H)의 제2 플라즈마 처리가 수행된다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 100: 챔버
200: 기판 지지대 300: 가스 분사 장치
400: 플라즈마 생성 장치

Claims (15)

  1. 삭제
  2. 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정;
    상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 제1 퍼지 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정; 및
    상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 제2 퍼지 공정을 포함하고,
    상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하고,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 제1 퍼지 공정과 상기 반응 가스를 분사하는 공정 사이에 수행하고,
    상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 상기 제2 퍼지 공정 사이에 이후에 수행하는 기판 처리 방법.
  3. 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정;
    상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 제1 퍼지 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정; 및
    상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 제2 퍼지 공정을 포함하고,
    상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하고,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 제1 퍼지 공정과 상기 반응 가스를 분사하는 공정 사이에 수행하고,
    상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 동시에 수행하는 기판 처리 방법.
  4. 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정; 및
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하고,
    상기 반응 가스를 분사하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 동시에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정 이후에 수행하는 기판 처리 방법.
  5. 삭제
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 반응 가스를 분사하는 공정의 사이 및 상기 반응 가스를 분사하는 공정과 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 기판 상에 소스 가스를 분사하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정;
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 반응 가스를 분사하는 공정; 및
    상기 소스 가스가 분사된 기판 상에 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정을 포함하고,
    상기 제1 플라즈마 처리와 상기 제2 플라즈마 처리 중 어느 하나는 상대적으로 고주파 플라즈마를 이용하여 수행하고 나머지 하나는 상대적으로 저주파 플라즈마를 이용하여 수행하고,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 반응 가스를 분사하는 공정 이후에 수행하고, 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정은 상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정 이후에 수행하는 기판 처리 방법.
  8. 삭제
  9. 제3항, 제4항 및 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 플라즈마 처리를 수행하는 공정과 상기 제2 플라즈마 처리를 수행하는 공정의 사이에 상기 기판 상에 퍼지 가스를 분사하는 공정을 추가로 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
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