KR102446419B1 - Optical communication module - Google Patents

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Abstract

본 발명에서는 광 통신 모듈이 개시된다. 상기 광 통신 모듈은, 서브 마운트와, 서브 마운트 상에 배치된 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 통신 모듈로서, 서브 마운트는, 발광 소자 및 수광 소자와 전기적으로 연결되는 패턴층과, 절연층을 사이에 두고 패턴층과 마주하게 배치되는 도전층을 포함한다.
본 발명에 의하면, 서로 다른 신호가 소통되는 도전 패턴들 사이에서 고주파 노이즈 성분의 전파에 따른 크로스 토크 또는 혼선에 의한 전송/수신 데이터의 오류가 차단될 수 있는 광 통신 모듈이 제공된다.
The present invention discloses an optical communication module. The optical communication module is an optical communication module including a submount, a light emitting element and a light receiving element disposed on the submount, wherein the submount includes a pattern layer electrically connected to the light emitting element and the light receiving element, and an insulating layer and a conductive layer disposed to face the pattern layer with an interposed therebetween.
According to the present invention, there is provided an optical communication module capable of blocking errors in transmission/reception data due to crosstalk or crosstalk caused by propagation of high-frequency noise components between conductive patterns through which different signals are communicated.

Figure R1020200085388
Figure R1020200085388

Description

광 통신 모듈{Optical communication module}Optical communication module

본 발명은 광 통신 모듈에 관한 것이다.The present invention relates to an optical communication module.

광 통신 모듈은, 전기적인 신호를 광학적인 신호로 변환하고 광 섬유를 통하여 광 신호를 전송하기 위한 발광 소자와, 광 섬유를 통하여 수신된 광학적인 신호를 전기적인 신호로 변환하기 위한 수광 소자를 포함할 수 있다. The optical communication module includes a light emitting element for converting an electrical signal into an optical signal and transmitting an optical signal through an optical fiber, and a light receiving element for converting an optical signal received through the optical fiber into an electrical signal can do.

상기 발광 소자와 수광 소자는 서브 마운트 상에 장착될 수 있는데, 서브 마운트 상에 형성된 것으로 발광 소자와 연결되어 있는 도전 패턴과, 수광 소자와 연결되어 있는 도전 패턴 사이에는, 크로스 토크 또는 혼선 등의 오류가 발생될 수 있다. 예를 들어, 서로 다른 신호가 소통되는 도전 패턴 사이의 크로스 토크 또는 혼선으로 인하여, 고주파 노이즈 성분의 혼입에 따른 전송 데이터 또는 수신 데이터에 오류가 발생될 수 있다.The light emitting element and the light receiving element may be mounted on a sub-mount, and between a conductive pattern formed on the sub-mount and connected to the light emitting element and a conductive pattern connected to the light receiving element, errors such as crosstalk or crosstalk may occur. For example, due to crosstalk or crosstalk between conductive patterns through which different signals are communicated, errors may occur in transmitted data or received data due to mixing of high-frequency noise components.

본 발명의 일 실시형태는 서로 다른 신호가 소통되는 도전 패턴들 사이에서 고주파 노이즈 성분의 전파에 따른 크로스 토크 또는 혼선에 의한 전송/수신 데이터의 오류가 차단될 수 있는 광 통신 모듈을 포함한다.An embodiment of the present invention includes an optical communication module capable of blocking errors in transmission/reception data due to crosstalk or crosstalk caused by propagation of high-frequency noise components between conductive patterns through which different signals are communicated.

상기와 같은 과제 및 그 밖의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 광 통신 모듈은,In order to solve the above and other problems, the optical communication module of the present invention,

서브 마운트와, 상기 서브 마운트 상에 배치된 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 통신 모듈로서, An optical communication module comprising a sub-mount, and a light-emitting element and a light-receiving element disposed on the sub-mount, the optical communication module comprising:

상기 서브 마운트는, 상기 발광 소자 및 수광 소자와 전기적으로 연결되는 패턴층과, 절연층을 사이에 두고 상기 패턴층과 마주하게 배치되는 도전층을 포함한다. The sub-mount includes a pattern layer electrically connected to the light emitting device and the light receiving device, and a conductive layer disposed to face the pattern layer with an insulating layer interposed therebetween.

예를 들어, 상기 도전층은, 상기 패턴층을 소통하는 고주파 노이즈 성분을 도전층으로 바이패스 시키는 바이패스 커패시턴스를 형성할 수 있다. For example, the conductive layer may form a bypass capacitance that bypasses a high-frequency noise component communicating with the pattern layer to the conductive layer.

예를 들어, 상기 서브 마운트는, 상기 수광 소자 및 수광 소자와 연결된 패턴층이 배치되는 제1 영역과, 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역을 포함할 수 있다. For example, the sub-mount may include a first region in which the light-receiving element and a pattern layer connected to the light-receiving element are disposed, and a second region excluding the first region.

예를 들어, 상기 제2 영역에는 상기 발광 소자 및 발광 소자와 연결된 패턴층이 배치될 수 있다. For example, the light emitting device and a pattern layer connected to the light emitting device may be disposed in the second region.

예를 들어, 상기 도전층은, 상기 제1, 제2 영역을 포함하는 서브 마운트의 전체 면적에 걸쳐서 형성될 수 있다. For example, the conductive layer may be formed over the entire area of the submount including the first and second regions.

예를 들어, 상기 도전층은, 상기 제1 영역에만 선택적으로 형성될 수 있다. For example, the conductive layer may be selectively formed only in the first region.

예를 들어, 상기 도전층은, 상기 제2 영역에만 선택적으로 형성될 수 있다. For example, the conductive layer may be selectively formed only in the second region.

예를 들어, 상기 도전층은, 상대적으로 넓은 제2 영역을 커버하면서 제1 영역에 대응되는 부분에는 오프닝이 형성될 수 있다. For example, the conductive layer may have an opening formed in a portion corresponding to the first region while covering the relatively wide second region.

예를 들어, 상기 서브 마운트는, For example, the sub-mount,

기저 기판과, 상기 기저 기판 상에 형성된 상기 절연층과, 상기 절연층 상에 형성된 상기 도전층과, 상기 도전층 상에 형성된 상기 패턴층을 포함할 수 있다. It may include a base substrate, the insulating layer formed on the base substrate, the conductive layer formed on the insulating layer, and the pattern layer formed on the conductive layer.

예를 들어, 상기 서브 마운트는, 상기 도전층 상에 형성된 것으로, 상기 발광 소자 및 수광 소자의 위치 정렬을 위한 정렬 가이드를 더 포함할 수 있다. For example, the sub-mount, which is formed on the conductive layer, may further include an alignment guide for aligning the light emitting device and the light receiving device.

예를 들어, 상기 정렬 가이드는 상기 발광 소자 및 수광 소자의 서로 다른 두 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. For example, the alignment guide may be formed to surround two different sides of the light emitting device and the light receiving device.

예를 들어, 상기 패턴층 중에서 일부 패턴층은, 상기 서브 마운트로부터 소정의 높이로 부상된 형태로 연장되는 와이어에 의해 상기 발광 소자 또는 수광 소자와 전기적으로 연결될 수 있다. For example, some of the pattern layers among the pattern layers may be electrically connected to the light emitting device or the light receiving device by a wire extending from the sub-mount to a predetermined height.

예를 들어, 상기 발광 소자와 연결되어 전기적인 신호를 출력하는 신호 전송용 IC 및 상기 수광 소자와 연결되어 전기적인 신호가 입력되는 신호 수신용 IC를 더 포함할 수 있다. For example, it may further include a signal transmission IC connected to the light emitting device to output an electrical signal, and a signal receiving IC connected to the light receiving device to receive an electrical signal.

예를 들어, 상기 신호 전송용 IC는, 영상 신호의 전송을 위한 영상 전송용 IC 및 보조 신호의 전송을 위한 보조 신호 전송용 IC를 포함할 수 있고, For example, the signal transmission IC may include an image transmission IC for transmitting an image signal and an auxiliary signal transmission IC for transmitting an auxiliary signal,

상기 신호 수신용 IC는, 보조 신호 수신용 IC를 포함할 수 있으며, The signal receiving IC may include an auxiliary signal receiving IC,

상기 발광 소자는, 상기 영상 전송용 IC와 연결되는 제1 내지 제4 발광 소자와 상기 보조 신호 전송용 IC와 연결되는 제5 발광 소자를 포함하며, The light emitting device includes first to fourth light emitting devices connected to the image transmission IC and a fifth light emitting device connected to the auxiliary signal transmission IC,

상기 수광 소자는, 상기 보조 신호 수신용 IC와 연결될 수 있다. The light receiving element may be connected to the IC for receiving the auxiliary signal.

예를 들어, 상기 영상 전송용 IC와, 보조 신호 전송용 IC와, 보조 신호 수신용 IC는, 서브 마운트의 서로 다른 측면을 바라보도록 배치될 수 있다.For example, the IC for transmitting the image, the IC for transmitting the auxiliary signal, and the IC for receiving the auxiliary signal may be arranged to face different sides of the sub-mount.

예를 들어, 상기 제1 내지 제5 발광 소자와, 상기 수광 소자는, 각각의 IC가 배치된 서브 마운트의 서로 다른 측면을 바라보도록 서브 마운트의 중앙을 둘러싸는 배열을 형성할 수 있다.For example, the first to fifth light emitting devices and the light receiving device may form an arrangement surrounding the center of the sub mount so as to face different sides of the sub mount on which the respective ICs are disposed.

본 발명의 광 통신 모듈에 의하면, 발광 소자 및 수광 소자가 장착되는 서브 마운트에 고주파 노이즈 성분을 바이패스 시킬 수 있는 바이패스 커패시턴스를 제공함으로써, 고주파 노이즈 성분을 제거할 수 있으며, 서로 다른 신호가 소통되는 도전 패턴들 사이에서 고주파 노이즈 성분의 전파에 따른 크로스 토크 또는 혼선을 방지할 수 있다.According to the optical communication module of the present invention, by providing a bypass capacitance capable of bypassing the high-frequency noise component to the submount on which the light-emitting element and the light-receiving element are mounted, the high-frequency noise component can be removed, and different signals can be communicated Crosstalk or crosstalk caused by propagation of high-frequency noise components between conductive patterns to be used can be prevented.

도 1에는 본 발명의 광 통신 모듈이 적용될 수 있는 전체 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 2에는 도 1에 도시된 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 3에는 도 2에 도시된 광 통신 모듈 중 서브 마운트의 단면 구조를 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 4 내지 도 10에는, 도 2에 도시된 광 통신 모듈의 형성을 위한 각 공정 별로 도면이 도시되어 있고, 각각의 도 4 내지 도 10에서, (a)는 각 공정에 따른 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주며, (b)는 각 공정에 따른 광 통신 모듈의 개략적인 단면 구조를 보여준다.
도 11에는, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 12에는, 도 11에 도시된 광 통신 모듈 중 서브 마운트의 개략적인 단면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 13에는, 도 11에 도시된 광 통신 모듈의 형성을 설명하기 위한 도면으로, 도 13에서, (a)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주며, (b)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈의 개략적인 단면 구조를 보여준다.
도 14에는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 15에는 도 14에 도시된 광 통신 모듈 중 서브 마운트의 개략적인 단면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.
도 16에는, 도 14에 도시된 광 통신 모듈의 형성을 설명하기 위한 도면으로, 도 16에서, (a)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈의 평면 구조를 보여주며, (b)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈의 개략적인 단면 구조를 보여준다.
1 is a diagram schematically showing an entire system to which the optical communication module of the present invention can be applied.
FIG. 2 is a diagram showing a planar structure of the optical communication module shown in FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing a cross-sectional structure of a sub-mount of the optical communication module shown in FIG. 2 .
4 to 10, a view is shown for each process for forming the optical communication module shown in FIG. 2, and in each of FIGS. 4 to 10, (a) is a plan view of the optical communication module according to each process It shows the structure, and (b) shows the schematic cross-sectional structure of the optical communication module according to each process.
11 is a diagram showing a planar structure of an optical communication module according to another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a view showing a schematic cross-sectional structure of a sub-mount of the optical communication module shown in FIG. 11 .
13 is a view for explaining the formation of the optical communication module shown in FIG. 11. In FIG. 13, (a) shows a planar structure of the optical communication module according to the illustrated process, (b) is the illustrated It shows the schematic cross-sectional structure of the optical communication module according to the process.
14 is a view showing a planar structure of an optical communication module according to another embodiment of the present invention.
15 is a diagram showing a schematic cross-sectional structure of a sub-mount of the optical communication module shown in FIG. 14 .
16 is a view for explaining the formation of the optical communication module shown in FIG. 14. In FIG. 16, (a) shows a planar structure of the optical communication module according to the illustrated process, (b) is the illustrated It shows the schematic cross-sectional structure of the optical communication module according to the process.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 일 실시형태에 따른 광 통신 모듈에 대해 설명하기로 한다. Hereinafter, an optical communication module according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 본 발명의 광 통신 모듈(M)이 적용될 수 있는 전체 시스템을 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 영상 신호를 생성하는 AV 소스로서의 소스 기기와, 소스 기기의 영상 신호로부터 영상 이미지를 구현하기 위한 싱크 기기는 광 통신을 매개하기 위한 광 섬유(F)를 통하여 데이터 통신을 수행할 수 있고, 소스 기기와 광 섬유(F) 사이와, 싱크 기기와 광 섬유(F) 사이에는 각각 본 발명의 일 실시형태에 따른 광 통신 모듈(M)이 개재될 수 있다. 1 is a diagram schematically showing an entire system to which the optical communication module M of the present invention can be applied. Referring to the drawings, a source device as an AV source that generates a video signal and a sink device for realizing a video image from the video signal of the source device perform data communication through an optical fiber (F) for mediating optical communication. The optical communication module M according to an embodiment of the present invention may be interposed between the source device and the optical fiber F and between the sink device and the optical fiber F, respectively.

본 발명의 일 실시형태에 따른 광 통신 모듈(M)은, 소스 기기와 광 섬유(F) 사이에 개재되어 소스 기기의 데이터를 광 섬유(F)를 통하여 송신하는 송신 모듈(T)로 기능하거나, 또는 싱크 기기와 광 섬유(F) 사이에 개재되어 광 섬유(F)를 통하여 수신된 데이터를 싱크 기기로 전달하는 수신 모듈(R)로 기능할 수도 있다.The optical communication module (M) according to an embodiment of the present invention is interposed between the source device and the optical fiber (F) and functions as a transmission module (T) for transmitting data of the source device through the optical fiber (F), or Alternatively, it may function as a receiving module R that is interposed between the sink device and the optical fiber F and transmits data received through the optical fiber F to the sink device.

이하에서는, 송신 모듈(T)로 기능하는 광 통신 모듈(M)을 위주로 설명되어 있으나, 본 발명의 광 통신 모듈(M)은 수신 모듈(R)로 기능할 수도 있으며, 송신 모듈(T) 또는 수신 모듈(R)로 기능하는 광 통신 모듈(M)은 각각 양 방향 통신을 수행하는 것으로, 각각의 송신 모듈(T) 및 수신 모듈(R)은 발광 소자(TX)와 수광 소자(RX)를 포함할 수 있다.Hereinafter, the optical communication module (M) functioning as the transmission module (T) is mainly described, but the optical communication module (M) of the present invention may also function as the reception module (R), the transmission module (T) or The optical communication module M functioning as the receiving module R is to perform bidirectional communication, respectively, and each of the transmitting module T and the receiving module R is a light emitting element TX and a light receiving element RX. may include

예를 들어, 상기 소스 기기는, 영상 신호를 생성하는 AV 소스로서, 컴퓨터, 게임기, 휴대폰, 디지털 카메라 등으로 예시될 수 있으며, 상기 싱크 기기는, 소스 기기의 영상 신호로부터 영상 이미지를 구현하기 위한 것으로, 텔레비전, 프로젝터와 같은 영상 기기일 수 있다.For example, the source device is an AV source that generates a video signal, and may be exemplified by a computer, a game machine, a mobile phone, a digital camera, etc., and the sink device is configured to implement a video image from the video signal of the source device. As such, it may be an image device such as a television or a projector.

본 발명의 일 실시형태에 따른 광 통신 모듈(M)은, 소스 기기 또는 싱크 기기 중 어느 하나의 기기와 광 섬유(F) 사이에 연결되어 전기적인 신호를 광학적인 신호로 변환하고 광 섬유(F)를 통하여 상대편 기기에 광 신호를 전송하기 위한 발광 소자(TX)와, 광 섬유(F)를 통하여 상대편 기기로부터 수신된 광학적인 신호를 전기적인 신호로 변환하여 전달하기 위한 수광 소자(RX)를 포함할 수 있다.The optical communication module (M) according to an embodiment of the present invention is connected between any one of a source device and a sink device and the optical fiber (F) to convert an electrical signal into an optical signal and convert the optical signal to the optical fiber (F). ) through a light emitting device (TX) for transmitting an optical signal to the other device, and a light receiving device (RX) for converting the optical signal received from the other device through the optical fiber (F) into an electrical signal and transmitting it. may include

송신 모듈(T)로 기능하는 광 통신 모듈(M)에서, 상기 발광 소자(TX)는, 주 데이터 신호를 송신하기 위한 제1 내지 제4 발광 소자(TX1, TX2, TX3, TX4)를 포함할 수 있고, 보조 데이터를 송신하기 위한 제5 발광 소자(TX5)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 발광 소자(TX1, TX2, TX3, TX4)는 R,G,B의 비디오 데이터를 픽셀 클럭에 동기하여 전송하기 위한 채널로서 3개의 TMDS(Transition-minimized differential signaling) 채널(L1,L2,L3)과 TMDS 클럭을 전송하기 위한 채널로서 TMDS 클럭 채널(CLK)을 형성할 수 있다. 상기 제5 발광 소자(TX5) 및 상기 수광 소자(RX)는, 싱크 기기의 구성 정보 및 제어 정보인 EDID(Extended Display Identification Data) 및 싱크 기기의 수신 조건 정보인 DPCD(Display Port Configuration Data) 등에 관한 보조 데이터(AUX)를 송수신하기 위한 채널을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제4 발광 소자(TX1, TX2, TX3, TX4)는 주 데이터의 전송을 위한 채널을 형성하는 것으로, 영상 전송용 IC와 연결될 수 있고, 제5 발광 소자(TX5) 및 수광 소자(RX)는 각각 보조 신호 전송용 IC 및 보조 신호 수신용 IC와 연결될 수 있다.In the optical communication module M functioning as the transmission module T, the light emitting element TX may include first to fourth light emitting elements TX1, TX2, TX3, TX4 for transmitting the main data signal. and may include a fifth light emitting element TX5 for transmitting auxiliary data. For example, the first to fourth light emitting devices TX1, TX2, TX3, and TX4 are channels for transmitting R, G, and B video data in synchronization with a pixel clock, and include three transition-minimized differential signaling (TMDS). ) channels (L1, L2, L3) and a TMDS clock channel (CLK) can be formed as a channel for transmitting the TMDS clock. The fifth light emitting element TX5 and the light receiving element RX relate to Extended Display Identification Data (EDID), which is configuration information and control information of the sink device, and Display Port Configuration Data (DPCD), which is reception condition information of the sink device. A channel for transmitting and receiving auxiliary data AUX may be formed. For example, the first to fourth light emitting devices TX1, TX2, TX3, and TX4 form a channel for main data transmission, and may be connected to an IC for image transmission, and the fifth light emitting device TX5. and the light receiving element RX may be connected to an IC for transmitting an auxiliary signal and an IC for receiving an auxiliary signal, respectively.

도 2에는 도 1에 도시된 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도 3에는 도 2에 도시된 광 통신 모듈(M) 중 서브 마운트(S)의 단면 구조를 개략적으로 보여주는 도면이 도시되어 있다. FIG. 2 is a diagram showing a planar structure of the optical communication module M shown in FIG. 1 . 3 is a view schematically showing a cross-sectional structure of the sub-mount (S) of the optical communication module (M) shown in FIG.

도면을 참조하면, 상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)는, 서로 간의 데이터 통신을 위한 신호 라인과, 공통적인 접지 전압의 공유를 위한 접지 라인을 통하여 서로 연결될 수 있다. 상기 신호 라인 및 접지 라인은 서브 마운트(S) 상에 형성된 신호 패턴층(P1) 및 접지 패턴층(P2)을 포함할 수 있고, 상기 신호 패턴층(P1) 및 접지 패턴층(P2)과 달리, 서브 마운트(S)로부터 소정의 높이로 부상된 형태로 연장되는 신호 와이어(W1) 및 접지 와이어(W2)를 포함할 수 있다. 이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에서, 상기 신호 라인 및 접지 라인은, 서로 다른 형태의 배선, 즉, 서브 마운트(S) 상에 패턴화된 층 형태의 패턴층(P) 및 서브 마운트(S)로부터 소정의 높이로 부상된 와이어(W) 형태로 형성되는데, 신호 라인 및 접지 라인이 서로 다른 형태로 형성됨으로써, 서로 다른 신호를 소통하는 라인들 간의 충분한 유격을 확보할 수 있고, 이에 따라 서로 다른 라인들 간의 혼선이나 크로스 토크를 방지할 수 있으며, 배선의 형성 공정에서 작업성이 향상될 수 있다. 상기 신호 라인 및 접지 라인은 도전성이 우수한 금속 소재로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 도전성이 우수한 구리, 금, 은 등의 패턴층(P) 또는 와이어(W)로 형성될 수 있다. Referring to the drawings, the light emitting element TX and the light receiving element RX and each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) includes a signal line for data communication between each other; They may be connected to each other through a ground line for sharing a common ground voltage. The signal line and the ground line may include a signal pattern layer P1 and a ground pattern layer P2 formed on the submount S, and unlike the signal pattern layer P1 and the ground pattern layer P2, , it may include a signal wire (W1) and a ground wire (W2) extending from the sub-mount (S) in a floating form to a predetermined height. As such, in one embodiment of the present invention, the signal line and the ground line are different types of wiring, that is, a patterned layer P and a sub-mount S patterned on the sub-mount S. ) is formed in the form of a wire (W) floated to a predetermined height from each other, and since the signal line and the ground line are formed in different shapes, sufficient clearance between lines communicating different signals can be secured, and thus each other Crosstalk or crosstalk between different lines may be prevented, and workability may be improved in a wiring forming process. The signal line and the ground line may be formed of a metal material having excellent conductivity, for example, a pattern layer P or wire W having excellent conductivity such as copper, gold, or silver.

상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는 서브 마운트(S) 상에 형성된 정렬 가이드(A)의 안내에 따라 서브 마운트(S) 상에서 정 위치에 정렬될 수 있는데, 서브 마운트(S)로부터 소정의 높이로 정렬 가이드(A)를 가로질러 연장되는 와이어(W)를 통하여, 정렬 가이드(A)와의 물리적인 간섭을 피하여 정렬 가이드(A)에 의해 둘러싸인 발광 소자(TX) 또는 수광 소자(RX)와 연결될 수 있다.The light emitting element TX and the light receiving element RX may be aligned in place on the sub mount S according to the guidance of the alignment guide A formed on the sub mount S, and from the sub mount S A light emitting element TX or light receiving element RX surrounded by the alignment guide A by avoiding physical interference with the alignment guide A through the wire W extending across the alignment guide A to a predetermined height ) can be associated with

도면을 참조하면, 상기 서브 마운트(S)는, 서로 다른 층 구조가 서로에 대해 적층된 적층 구조로 이루어질 수 있는데, 보다 구체적으로, 상기 서브 마운트(S)는 기저 기판(10)과, 상기 기저 기판(10) 상에 형성된 도전층(20)과, 도전층(20) 상에 형성된 절연층(30)과, 절연층(30) 상에 형성된 패턴층(P) 및 정렬 가이드(A)를 포함할 수 있다.Referring to the drawings, the sub-mount S may have a stacked structure in which different layer structures are stacked on each other. More specifically, the sub-mount S includes a base substrate 10 and the base a conductive layer 20 formed on the substrate 10 , an insulating layer 30 formed on the conductive layer 20 , a pattern layer P and an alignment guide A formed on the insulating layer 30 . can do.

상기 기저 기판(10)은 서브 마운트(S)의 베이스를 형성하는 것으로, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼로 형성될 수 있다. 상기 기저 기판(10)은 그 위에 순차적으로 형성되는 도전층(20), 절연층(30) 및 패턴층(P) 등을 지지해줄 수 있다. 상기 도전층(20)은 절연층(30)을 사이에 두고 패턴층(P)과 용량성 결합을 형성할 수 있고, 상기 도전층(20)은 절연층(30)을 사이에 두고 패턴층(P)과 마주하여 정전 용량, 즉, 바이패스 커패시턴스(bypass capacitance)를 형성할 수 있다. 상기 도전층(20)은 패턴층(P)과 용량성 결합을 형성함으로써, 패턴층(P)을 소통하는 고주파 노이즈 성분을 도전층(20)으로 바이패스 시킬 수 있고, 바이패스 커패시턴스(bypass capacitance)를 통하여 패턴층(P)의 고주파 노이즈 성분을 제거함으로써, 패턴층(P)의 노이즈 성분을 제거할 수 있다. The base substrate 10 forms the base of the sub-mount S, and may be formed of, for example, a silicon wafer. The base substrate 10 may support the conductive layer 20 , the insulating layer 30 , and the pattern layer P sequentially formed thereon. The conductive layer 20 may form a capacitive coupling with the pattern layer P with the insulating layer 30 interposed therebetween, and the conductive layer 20 may be formed with the pattern layer (P) with the insulating layer 30 interposed therebetween. P) and may form a capacitance, that is, bypass capacitance. The conductive layer 20 forms a capacitive coupling with the pattern layer P, so that a high-frequency noise component communicating the pattern layer P can be bypassed to the conductive layer 20, and the bypass capacitance ), by removing the high-frequency noise component of the pattern layer (P), it is possible to remove the noise component of the pattern layer (P).

본 발명의 일 실시형태에서, 상기 서브 마운트(S)의 도전층(20)은, 서브 마운트(S)의 전체 영역에 걸쳐서 형성될 수 있다. 즉, 상기 서브 마운트(S)의 도전층(20)은, 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P) 및 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P)과 용량성 결합을 형성하여, 이들 패턴층(P)으로부터 고주파 노이즈 성분을 제거할 수 있고, 수광 소자(RX)와 발광 소자(TX)의 패턴층(P)을 통하여 소통되는 신호 및 접지 전압을 안정화시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, the conductive layer 20 of the sub-mount S may be formed over the entire area of the sub-mount S. That is, the conductive layer 20 of the submount S forms a capacitive coupling with the pattern layer P connected to the light receiving element RX and the pattern layer P connected to the light emitting element TX, and these A high-frequency noise component may be removed from the pattern layer P, and a signal and a ground voltage communicated through the pattern layer P of the light-receiving element RX and the light-emitting element TX may be stabilized.

이하, 도 4 내지 도 10을 참조하여, 도 2에 도시된 광 통신 모듈(M)의 형성에 대해 설명하기로 한다. 참고로 각각의 도 4 내지 도 10에서, (a)는 각 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주며, (b)는 각 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 개략적인 단면 구조를 보여준다.Hereinafter, the formation of the optical communication module M shown in FIG. 2 will be described with reference to FIGS. 4 to 10 . For reference, in each of FIGS. 4 to 10 , (a) shows the planar structure of the optical communication module M according to each process, and (b) is a schematic cross-section of the optical communication module M according to each process show the structure.

먼저, 도 4 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 안착시킬 수 있는 서브 마운트(S)를 형성한다. 보다 구체적으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 서브 마운트(S)의 기저 기판(10)을 형성한다. 예를 들어, 상기 기저 기판(10)은, 실리콘 웨이퍼로 제공될 수 있다. First, as shown in FIGS. 4 to 9 , a sub-mount S on which the light emitting device TX and the light receiving device RX can be mounted is formed. More specifically, as shown in FIG. 4 , the base substrate 10 of the sub-mount S is formed. For example, the base substrate 10 may be provided as a silicon wafer.

다음에, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 기저 기판(10) 상에 도전층(20)을 형성한다. 본 발명의 일 실시형태에서 상기 도전층(20)은 기저 기판(10)의 전체 영역에 걸쳐서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층(20)은 기저 기판(10)에 대한 증착을 통하여 기저 기판(10)의 전체 면적에 걸쳐서 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층(20)은 전기적인 도전 특성이 우수한 금, 은, 구리와 같은 금속 소재로 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 5 , a conductive layer 20 is formed on the base substrate 10 . In one embodiment of the present invention, the conductive layer 20 may be formed over the entire area of the base substrate 10 . For example, the conductive layer 20 may be formed over the entire area of the base substrate 10 through deposition on the base substrate 10 . For example, the conductive layer 20 may be formed of a metal material such as gold, silver, or copper having excellent electrical conductivity.

다음에, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 도전층(20) 상에 절연층(30)을 형성한다. 상기 절연층(30)은 폴리이미드(polyimide)의 코팅이나 유전 물질(dielectric material)의 증착을 통하여 형성될 수 있다. 상기 절연층(30)은 도전층(20) 상에 전체 면적에 걸쳐서 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 6 , an insulating layer 30 is formed on the conductive layer 20 . The insulating layer 30 may be formed by coating polyimide or depositing a dielectric material. The insulating layer 30 may be formed over the entire area on the conductive layer 20 .

다음에, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 절연층(30) 상에, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 패턴층(P)을 정의하기 위한 패턴 마스크(40)를 형성한다. 상기 패턴 마스크(40)는 포토 리지스트로 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 7 , a pattern mask 40 for defining a pattern layer P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX is formed on the insulating layer 30 . do. The pattern mask 40 may be formed of a photoresist.

다음에, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 마스크(40) 상에 금속층(미도시)을 증착하고 패턴 마스크(40)의 리프트 오프(lift off)를 통하여 패턴 마스크(40) 및 패턴 마스크(40) 상에 형성된 금속층(미도시)을 함께 제거한다. 이에 따라, 상기 절연층(30) 상에는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 다수의 패턴층(P)이 형성될 수 있다. Next, as shown in FIG. 8 , a metal layer (not shown) is deposited on the pattern mask 40 and the pattern mask 40 and the pattern mask ( 40) The metal layer (not shown) formed thereon is removed together. Accordingly, a plurality of pattern layers P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX may be formed on the insulating layer 30 .

다음에, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 패턴층(P) 상에, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 정 위치에 정렬시키기 위한 정렬 가이드(A)를 형성한다. 예를 들어, 상기 정렬 가이드(A)는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)의 서로 다른 두 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는 대략 사각형 형태로 형성될 수 있으며, 상기 정렬 가이드(A)는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)의 서로 맞닿는 두 측면을 둘러싸도록 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 9 , an alignment guide A for aligning the light emitting element TX and the light receiving element RX in the proper position is formed on the pattern layer P. For example, the alignment guide A may be formed to surround two different side surfaces of the light emitting device TX and the light receiving device RX. For example, the light-emitting element TX and the light-receiving element RX may be formed in a substantially rectangular shape, and the alignment guide A may be formed so that two sides of the light-emitting element TX and the light-receiving element RX are in contact with each other. It may be formed to surround.

예를 들어, 상기 정렬 가이드(A)는 상기 패턴층(P) 상에 폴리머층(미도시)을 전면 형성한 후 포토 리소그래피(photolithography)와 같은 적정의 패턴 공정을 통하여 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 패턴층(P) 상에는 상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)의 서로 다른 두 측면을 둘러싸는 다수의 정렬 가이드(A)가 형성될 수 있다. For example, the alignment guide A may be formed through an appropriate pattern process such as photolithography after forming a polymer layer (not shown) on the pattern layer P on the entire surface. Accordingly, a plurality of alignment guides A surrounding two different sides of the light emitting device TX and the light receiving device RX may be formed on the pattern layer P.

이와 같이, 도 4 내지 도 9에 도시된 공정을 통하여, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 안착시킬 수 있는 서브 마운트(S)가 형성될 수 있고, 이후에, 도 10에 도시된 바와 같이, 서브 마운트(S) 상에 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 안착시킬 수 있다. In this way, through the processes shown in FIGS. 4 to 9 , a sub-mount S on which the light emitting device TX and the light receiving device RX can be seated may be formed, and then, as shown in FIG. As shown, the light emitting device TX and the light receiving device RX may be seated on the sub mount S.

즉, 상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는, 서브 마운트(S)에 형성된 정렬 가이드(A)의 안내에 따라 서브 마운트(S) 상에서 정해진 정 위치에 정렬될 수 있다. 그리고, 정 위치에 정렬된 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는 패턴층(P)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)의 전극과 패턴층(P) 사이에 솔더링 물질(미도시)을 개재하여 이들을 전기적으로 연결할 수 있다. That is, the light-emitting element TX and the light-receiving element RX may be aligned at a predetermined position on the sub-mount S according to the guidance of the alignment guide A formed on the sub-mount S. In addition, the light emitting device TX and the light receiving device RX aligned in the correct position may be electrically connected to the pattern layer P. For example, a soldering material (not shown) may be interposed between the electrodes of the light emitting device TX and the light receiving device RX and the pattern layer P to electrically connect them.

상기 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 패턴층(P) 간의 연결에서, 일부 패턴층(P)에 대해서는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)가 직접 연결될 수 있고, 다른 일부 패턴층(P)에 대해서는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)가 직접 연결되지 않고, 와이어(W)를 개재하여 패턴층(P)과 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)가 연결될 수도 있다. 예를 들어, 와이어(W)의 일단을 발광 소자(TX) 또는 수광 소자(RX)의 전극에 연결하고 와이어(W)의 타단을 패턴층(P)에 연결하는 와이어 본딩을 통하여 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 패턴층(P)이 서로 전기적으로 연결될 수 있다. In the connection between the light-emitting element TX and the light-receiving element RX and the pattern layer P, the light-emitting element TX and the light-receiving element RX may be directly connected to some pattern layer P, and some other patterns The light emitting element TX and the light receiving element RX are not directly connected to the layer P, but the pattern layer P and the light emitting element TX and the light receiving element RX may be connected via the wire W. have. For example, the light emitting element TX through wire bonding connecting one end of the wire W to the electrode of the light emitting element TX or the light receiving element RX and connecting the other end of the wire W to the pattern layer P. ) and the light receiving element RX and the pattern layer P may be electrically connected to each other.

마지막으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)과 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)를 전기적으로 연결한다. 패턴층(P)과 각 IC의 연결은 와이어 본딩으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 와이어(W)의 일단을 패턴층(P)에 연결하고, 와이어(W)의 타단을 각 IC의 전극에 연결하는 와이어 본딩을 통하여 패턴층(P)과 각 IC가 서로 전기적으로 연결될 수 있다.Finally, as shown in FIG. 2 , the pattern layer P connected to the light emitting element TX and the light receiving element RX and each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) electrically connect to The pattern layer P and each IC may be connected by wire bonding. For example, the pattern layer (P) and each IC are electrically connected to each other through wire bonding that connects one end of the wire (W) to the pattern layer (P) and the other end of the wire (W) to the electrode of each IC. can be connected

예를 들어, 상기 서브 마운트(S)는 대략 사각형 형상으로 형성될 수 있고, 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)는 서브 마운트(S)의 서로 다른 측면에 각각 배치될 수 있다. 예를 들어, 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)는 서브 마운트(S)의 외부에서 서브 마운트(S)의 서로 다른 측면을 바라보도록 배치될 수 있다. 그리고, 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)와 전기적으로 연결되는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는 연결 대상이 되는 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)가 배치된 측면을 향하도록 서브 마운트(S)의 중심을 둘러싸는 배열을 형성할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)는, 서브 마운트(S)의 중심으로부터 방사상으로 서로 겹쳐지지 않도록 서브 마운트(S)의 중심을 둘러싸도록 배열될 수 있다. 본 발명의 일 실시형태에서, 상기 제1 내지 제4 발광 소자(TX1,TX2,TX3,TX4)는, 영상 전송용 IC와 연결될 수 있고, 제5 발광 소자(TX5) 및 수광 소자(RX)는 각각 보조 신호 전송용 IC 및 보조 신호 수신용 IC와 연결될 수 있다. For example, the sub mount (S) may be formed in a substantially rectangular shape, and each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) has different sides of the sub mount (S). can be placed in each. For example, each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) may be disposed to face different sides of the sub-mount S from the outside of the sub-mount S. In addition, the light emitting device TX and the light receiving device RX electrically connected to each IC (IC for video transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) are connected to each IC (IC for transmitting video). , it is possible to form an arrangement surrounding the center of the sub-mount (S) so as to face the side on which the auxiliary signal transmission IC, auxiliary signal reception IC) is disposed. For example, the light emitting element TX and the light receiving element RX may be arranged to surround the center of the sub mount S so as not to overlap each other radially from the center of the sub mount S. In one embodiment of the present invention, the first to fourth light emitting devices TX1, TX2, TX3, TX4 may be connected to an IC for image transmission, and the fifth light emitting device TX5 and the light receiving device RX are It may be connected to an IC for transmitting an auxiliary signal and an IC for receiving an auxiliary signal, respectively.

도 11에는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도 12에는 도 11에 도시된 광 통신 모듈(M) 중 서브 마운트(S)의 개략적인 단면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.11 is a view showing a planar structure of the optical communication module (M) according to another embodiment of the present invention is shown. 12 is a view showing a schematic cross-sectional structure of the sub-mount (S) of the optical communication module (M) shown in FIG. 11 is shown.

도면을 참조하면, 광 통신 모듈(M) 또는 광 통신 모듈(M)의 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)가 안착되는 서브 마운트(S)는, 수광 소자(RX) 및 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P, 이하 수광 소자 RX 등)이 형성된 제1 영역(Z1)과, 발광 소자(TX) 및 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P, 이하 발광 소자 TX 등)이 형성된 제2 영역(Z2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 영역(Z2)은, 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)을 제외한 서브 마운트(S)의 나머지 영역으로 정의될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 상기 제1 영역(Z1)과 제2 영역(Z2)은 서로 다른 적층 구조를 가질 수 있다.Referring to the drawing, the optical communication module M or the submount S on which the light emitting element TX and the light receiving element RX of the optical communication module M are seated, the light receiving element RX and the light receiving element RX ) and a first region Z1 in which a patterned layer (P, hereinafter, a light receiving element RX, etc.) is formed, and a light emitting element TX and a patterned layer (P, hereinafter, a light emitting element TX, etc.) connected to the light emitting element TX are formed A second region Z2 may be included. For example, the second region Z2 may be defined as the remaining region of the submount S except for the first region Z1 in which the light receiving element RX is formed. As will be described later, the first region Z1 and the second region Z2 may have different stacked structures.

도 12를 참조하면, 상기 서브 마운트(S)는, 기저 기판(10)과, 상기 기저 기판(10) 상에 형성된 도전층(20)과, 도전층(20) 상에 형성된 절연층(30)과, 절연층(30) 상에 형성된 패턴층(P) 및 정렬 가이드(A)를 포함하는 적층 구조로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 12 , the sub-mount S includes a base substrate 10 , a conductive layer 20 formed on the base substrate 10 , and an insulating layer 30 formed on the conductive layer 20 . And, it may be formed of a stacked structure including the pattern layer (P) and the alignment guide (A) formed on the insulating layer (30).

본 발명의 실시형태에서, 상기 도전층(20)은 서브 마운트(S)의 전체 면적에 걸쳐서 형성되지 않고, 제1 영역(Z1)에만 선택적으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)에만 선택적으로 도전층(20)이 형성될 수 있고, 상기 발광 소자(TX) 등이 형성된 제2 영역(Z2)에는 도전층(20)이 형성되지 않을 수 있다. 이와 같이, 수광 소자(RX) 등이 배치된 제1 영역(Z1)과 발광 소자(TX) 등이 배치된 제2 영역(Z2)에서 서로 다른 적층 구조를 적용함으로써, 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)과 발광 소자(TX) 등이 형성된 제2 영역(Z2)이 제1, 제2 영역(Z2)을 가로질러 연장되는 도전층(20)을 통하여 서로 전기적으로 연결됨으로써, 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)과 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P) 사이에서 혼선이나 크로스 토크를 방지할 수 있다. In the embodiment of the present invention, the conductive layer 20 may not be formed over the entire area of the submount S, but may be selectively formed only in the first region Z1 . That is, the conductive layer 20 may be selectively formed only in the first region Z1 in which the light-receiving element RX is formed, and the conductive layer 20 in the second region Z2 in which the light-emitting element TX is formed. 20) may not be formed. As described above, by applying different stacked structures in the first region Z1 in which the light-receiving element RX is disposed and the second region Z2 in which the light-emitting element TX is disposed, the light-receiving element RX or the like is formed. The formed first region Z1 and the second region Z2 where the light emitting device TX, etc. are formed are electrically connected to each other through the conductive layer 20 extending across the first and second regions Z2, Crosstalk or crosstalk may be prevented between the pattern layer P connected to the light receiving element RX and the pattern layer P connected to the light emitting element TX.

보다 구체적으로, 상기 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P)은 발광 소자(TX)로 입력되는 전기적인 신호를 소통하기 위한 구성이며, 상기 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)은, 상기 수광 소자(RX)로부터 출력되는 전기적인 신호를 소통하기 위한 구성이다. 이때, 상기 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P)은, IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC)로부터 생성된 신호를 발광 소자(TX)로 입력하기 위한 구성으로, 비교적 짧은 전송 경로를 통하여 발광 소자(TX)로 입력되므로, 비교적 짧은 전송 경로를 통하여 고주파 노이즈 성분이 개입될 개연성이 크지 않다. 그러나, 상기 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)은, 광 섬유(F)를 통하여 상대방 기기로부터 비교적 먼 전송 경로를 통하여 수신된 광 신호를 수광 소자(RX)를 통하여 전기적인 신호로 변환한 후에, 변환된 전기적인 신호를 IC(보조 신호 수신용 IC)로 입력하기 위한 구성으로, 비교적 먼 전송 경로를 통하여 고주파 노이즈 성분이 개입될 개연성이 크다. 이와 같이, 발광 소자(TX, 또는 발광 소자 TX와 연결된 패턴층 P) 보다는 상대적으로 고주파 노이즈 성분에 대해 취약한 수광 소자(RX, 또는 수광 소자 RX와 연결된 패턴층 P)에 대해, 정전 용량, 즉, 바이패스 커패시턴스(bypass capacitance)를 제공함으로써, 고주파 노이즈 성분을 도전층(20)으로 바이패스 시킬 수 있다. 즉, 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)에만 선택적으로 도전층(20)을 형성함으로써, 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)과 발광 소자(TX) 등이 형성된 제2 영역(Z2)이 제1, 제2 영역(Z2)을 가로질러 연장되는 도전층(20)을 통하여 서로 전기적으로 연결됨으로써, 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)과 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P) 사이에서 혼선이나 크로스 토크를 방지할 수 있다. More specifically, the pattern layer P connected to the light emitting element TX is configured to communicate an electrical signal input to the light emitting element TX, and the pattern layer P connected to the light receiving element RX is , a configuration for communicating an electrical signal output from the light receiving element RX. At this time, the pattern layer P connected to the light emitting device TX is configured to input a signal generated from an IC (IC for image transmission, IC for auxiliary signal transmission) to the light emitting device TX, and a relatively short transmission Since it is input to the light emitting device TX through a path, it is unlikely that a high-frequency noise component will intervene through a relatively short transmission path. However, the pattern layer P connected to the light receiving element RX converts an optical signal received through a transmission path relatively far from the counterpart device through the optical fiber F into an electrical signal through the light receiving element RX After this, it is a configuration for inputting the converted electrical signal to an IC (an auxiliary signal receiving IC), and there is a high probability that a high-frequency noise component is intervened through a relatively distant transmission path. As such, for the light-receiving element (RX, or the pattern layer P connected to the light-receiving element RX) that is relatively weak to high-frequency noise components than the light-emitting element (TX, or the pattern layer P connected to the light-emitting element TX), the capacitance, that is, By providing bypass capacitance, the high-frequency noise component may be bypassed to the conductive layer 20 . That is, by selectively forming the conductive layer 20 only in the first region Z1 in which the light-receiving element RX is formed, the first region Z1 in which the light-receiving element RX, etc. are formed, and the light-emitting element TX, etc. The formed second region Z2 is electrically connected to each other through the conductive layer 20 extending across the first and second regions Z2, so that the pattern layer P connected to the light receiving element RX and the light emitting element are electrically connected to each other. Crosstalk or crosstalk between (TX) and the connected pattern layer (P) can be prevented.

이하, 도 13을 참조하여, 도 11에 도시된 광 통신 모듈(M)의 형성에 대해 설명하기로 한다. 참고로 도 13에서, (a)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주며, (b)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 개략적인 단면 구조를 보여준다.Hereinafter, with reference to FIG. 13, the formation of the optical communication module M shown in FIG. 11 will be described. For reference, in FIG. 13 , (a) shows a planar structure of the optical communication module M according to the illustrated process, and (b) shows a schematic cross-sectional structure of the optical communication module M according to the illustrated process. .

먼저, 서브 마운트(S)의 기저 기판(10)을 형성하고, 다음에, 상기 기저 기판(10) 상에 도전층(20)을 형성한다. 이때, 상기 도전층(20)은 수광 소자(RX) 등이 배치되는 제1 영역(Z1)에만 선택적으로 형성될 수 있고, 제1 영역(Z1)을 제외한 제2 영역(Z2), 그러니까, 발광 소자(TX) 등이 배치되는 제2 영역(Z2)에는 도전층(20)을 형성하지 않을 수 있다. 그리고, 상기 도전층(20) 상에 절연층(30)을 형성한다. First, a base substrate 10 of the sub-mount S is formed, and then, a conductive layer 20 is formed on the base substrate 10 . In this case, the conductive layer 20 may be selectively formed only in the first region Z1 in which the light receiving element RX is disposed, and in the second region Z2 excluding the first region Z1, that is, light emission. The conductive layer 20 may not be formed in the second region Z2 in which the device TX is disposed. Then, an insulating layer 30 is formed on the conductive layer 20 .

이후의 공정은 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명된 바와 사실상 같다. 즉, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 패턴층(P)을 정의하기 위한 패턴 마스크(40)를 형성하고, 상기 패턴 마스크(40) 상에 금속층(미도시)을 증착한 후, 패턴 마스크(40)의 리프트 오프(lift off)를 통하여 패턴 마스크(40) 및 패턴 마스크(40) 상에 형성된 금속층(미도시)을 함께 제거함으로써, 상기 절연층(30) 상에는 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 다수의 패턴층(P)을 형성한다.Subsequent processes are substantially the same as those described with reference to FIGS. 7 to 10 . That is, as shown in FIGS. 7 and 8 , a pattern mask 40 for defining a pattern layer P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX is formed, and the pattern mask 40 is formed. ) by depositing a metal layer (not shown) on the pattern mask 40 and then removing both the pattern mask 40 and the metal layer (not shown) formed on the pattern mask 40 through lift off of the pattern mask 40 . , a plurality of pattern layers P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX are formed on the insulating layer 30 .

다음에, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 패턴층(P) 상에, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 정 위치에 정렬시키기 위한 정렬 가이드(A)를 형성하고, 상기 정렬 가이드(A)의 안내에 따라 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 안착시키고, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 패턴층(P)을 서로 전기적으로 연결한다. Next, as shown in FIGS. 9 and 10 , an alignment guide (A) for aligning the light emitting device (TX) and the light receiving device (RX) in a fixed position is formed on the pattern layer (P), The light emitting device TX and the light receiving device RX are seated according to the guidance of the alignment guide A, and the light emitting device TX and the light receiving device RX and the pattern layer P are electrically connected to each other.

마지막으로, 도 11에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)과 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)를 전기적으로 연결한다. 예를 들어, 패턴층(P)과 각 IC의 연결은 와이어 본딩(와이어 W)으로 이루어질 수 있다. Finally, as shown in FIG. 11 , the pattern layer P connected to the light emitting element TX and the light receiving element RX and each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) electrically connect to For example, the connection between the pattern layer P and each IC may be formed by wire bonding (wire W).

도 14에는 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다. 도 15에는 도 14에 도시된 광 통신 모듈(M) 중 서브 마운트(S)의 개략적인 단면 구조를 보여주는 도면이 도시되어 있다.14 is a view showing a planar structure of the optical communication module (M) according to another embodiment of the present invention is shown. 15 is a view showing a schematic cross-sectional structure of the sub-mount (S) of the optical communication module (M) shown in FIG. 14 is shown.

도면을 참조하면, 광 통신 모듈(M) 또는 광 통신 모듈(M)의 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)가 안착되는 서브 마운트(S)는, 수광 소자(RX) 및 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P, 이하 수광 소자 RX 등)이 형성된 제1 영역(Z1)과, 발광 소자(TX) 및 발광 소자(TX)와 연결된 패턴층(P, 이하 발광 소자 TX 등)이 형성된 제2 영역(Z2)을 포함할 수 있고, 상기 제1 영역(Z1)과 제2 영역(Z2)은 서로 다른 적층 구조를 가질 수 있다.Referring to the drawing, the optical communication module M or the submount S on which the light emitting element TX and the light receiving element RX of the optical communication module M are seated, the light receiving element RX and the light receiving element RX ) and a first region Z1 in which a patterned layer (P, hereinafter, a light receiving element RX, etc.) is formed, and a light emitting element TX and a patterned layer (P, hereinafter, a light emitting element TX, etc.) connected to the light emitting element TX are formed A second region Z2 may be included, and the first region Z1 and the second region Z2 may have different stacked structures.

도면을 참조하면, 상기 서브 마운트(S)는, 기저 기판(10)과, 상기 기저 기판(10) 상에 형성된 도전층(20)과, 도전층(20) 상에 형성된 절연층(30)과, 절연층(30) 상에 형성된 패턴층(P) 및 정렬 가이드(A)를 포함하는 적층 구조로 이루어질 수 있다. Referring to the drawings, the sub-mount S includes a base substrate 10 , a conductive layer 20 formed on the base substrate 10 , an insulating layer 30 formed on the conductive layer 20 , and , may have a laminated structure including a pattern layer (P) and an alignment guide (A) formed on the insulating layer (30).

본 발명의 실시형태에서, 상기 도전층(20)은 서브 마운트(S)의 전체 면적에 걸쳐서 형성되지 않고, 제2 영역(Z2)에만 선택적으로 형성될 수 있다. 즉, 발광 소자(TX) 등이 형성된 제2 영역(Z2)에만 선택적으로 도전층(20)이 형성될 수 있고, 수광 소자(RX) 등이 형성된 제1 영역(Z1)에는 도전층(20)이 형성되지 않을 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명에서 상기 도전층(20)의 제1 영역(Z1)에 대응되는 부분에는 오프닝(OP)이 형성될 수 있다. In the embodiment of the present invention, the conductive layer 20 may not be formed over the entire area of the submount S, but may be selectively formed only in the second region Z2 . That is, the conductive layer 20 may be selectively formed only in the second region Z2 in which the light emitting device TX, etc. are formed, and the conductive layer 20 in the first region Z1 in which the light receiving device RX, etc. are formed. may not be formed. More specifically, in the present invention, an opening OP may be formed in a portion corresponding to the first region Z1 of the conductive layer 20 .

상기 도전층(20)은, 발광 소자(TX) 등이 형성된 제2 영역(Z2)에만 선택적으로 형성됨으로써, 수광 소자(RX)가 형성된 제1 영역(Z1)과 발광 소자(TX)가 형성된 제2 영역(Z2)이 제1, 제2 영역(Z2)을 가로질러 연장되는 도전층(20)을 통하여 서로 전기적으로 연결됨으로써, 수광 소자(RX)와 발광 소자(TX)의 패턴층(P) 간의 혼선이나 크로스 토크를 방지할 수 있다. The conductive layer 20 is selectively formed only in the second region Z2 in which the light emitting element TX is formed, so that the first region Z1 in which the light receiving element RX is formed and the first region Z1 in which the light emitting element TX is formed. The two regions Z2 are electrically connected to each other through the conductive layer 20 extending across the first and second regions Z2, so that the pattern layer P of the light-receiving element RX and the light-emitting element TX is formed. It is possible to prevent crosstalk or crosstalk between them.

앞서 설명된 바와 같이, 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)은, 광 섬유(F)를 통하여 상대방 기기로부터 비교적 먼 전송 경로를 통하여 수신된 광 신호를 처리하기 위한 구성으로, 비교적 먼 전송 경로를 통하여 고주파 노이즈 성분이 개입될 개연성이 크며, 이때, 수광 소자(RX) 등이 배치된 제1 영역(Z1)과 발광 소자(TX) 등이 배치된 제2 영역(Z2)이 도전층(20)을 통하여 서로 전기적으로 연결되지 않도록 제2 영역(Z2)에만 선택적으로 도전층(20)을 형성함으로써, 도전층(20)을 통하여 제2 영역(Z2)에 배치된 발광 소자(TX) 등으로 노이즈 성분이 전파되는 것을 차단할 수 있다. As described above, the pattern layer P connected to the light receiving element RX is configured to process an optical signal received through a transmission path that is relatively far from the counterpart device through the optical fiber F, and is transmitted relatively far away. It is highly probable that a high-frequency noise component will intervene through the path, and in this case, the first region Z1 in which the light-receiving element RX is disposed and the second region Z2 in which the light-emitting element TX, etc. are disposed are the conductive layers ( By selectively forming the conductive layer 20 only in the second region Z2 so as not to be electrically connected to each other through the conductive layer 20, the light emitting device TX disposed in the second region Z2 through the conductive layer 20, etc. This can block the propagation of noise components.

이하, 도 16을 참조하여, 도 14에 도시된 광 통신 모듈(M)의 형성에 대해 설명하기로 한다. 참고로 도 16에서, (a)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 평면 구조를 보여주며, (b)는 도시된 공정에 따른 광 통신 모듈(M)의 개략적인 단면 구조를 보여준다.Hereinafter, with reference to FIG. 16, the formation of the optical communication module M shown in FIG. 14 will be described. For reference, in FIG. 16 , (a) shows a planar structure of the optical communication module M according to the illustrated process, and (b) shows a schematic cross-sectional structure of the optical communication module M according to the illustrated process. .

먼저, 서브 마운트(S)의 기저 기판(10)을 준비하고, 다음에, 상기 기저 기판(10) 상에 도전층(20)을 형성한다. 이때, 상기 도전층(20)은, 수광 소자(RX) 등이 배치되는 제1 영역(Z1)을 제외한 제2 영역(Z2), 그러니까, 발광 소자(TX) 등이 배치된 제2 영역(Z2)에만 선택적으로 형성될 수 있다. 이때, 상기 도전층(20)은, 상대적으로 넓은 면적의 제2 영역(Z2)을 커버하면서 제1 영역(Z1)에 대응되는 부분에는 오프닝(OP)이 형성될 수 있다. 다음에, 상기 도전층(20) 상에 절연층(30)을 형성한다. First, a base substrate 10 of the sub-mount S is prepared, and then, a conductive layer 20 is formed on the base substrate 10 . In this case, the conductive layer 20 includes a second region Z2 excluding the first region Z1 in which the light receiving element RX is disposed, that is, the second region Z2 in which the light emitting device TX is disposed. ) can be selectively formed. In this case, in the conductive layer 20 , an opening OP may be formed in a portion corresponding to the first region Z1 while covering the second region Z2 having a relatively large area. Next, an insulating layer 30 is formed on the conductive layer 20 .

이후의 공정은 도 7 내지 도 10을 참조하여 설명된 바와 사실상 같다. 즉, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 패턴층(P)을 정의하기 위한 패턴 마스크(40)를 형성하고, 상기 패턴 마스크(40) 상에 금속층(미도시)을 증착한 후, 패턴 마스크(40)의 리프트 오프(lift off)를 통하여 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결되는 다수의 패턴층(P)을 형성한다.Subsequent processes are substantially the same as those described with reference to FIGS. 7 to 10 . That is, as shown in FIGS. 7 and 8 , a pattern mask 40 for defining a pattern layer P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX is formed, and the pattern mask 40 is formed. After depositing a metal layer (not shown) on the ), a plurality of pattern layers P connected to the light emitting device TX and the light receiving device RX are formed through lift off of the pattern mask 40 . do.

다음에, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 패턴층(P) 상에, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 정 위치에 정렬시키기 위한 정렬 가이드(A)를 형성하고, 상기 정렬 가이드(A)의 안내에 따라 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)를 안착시키고, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 패턴층(P)을 서로 전기적으로 연결한다. Next, as shown in FIGS. 9 and 10 , an alignment guide (A) for aligning the light emitting device (TX) and the light receiving device (RX) in a fixed position is formed on the pattern layer (P), The light emitting device TX and the light receiving device RX are seated according to the guidance of the alignment guide A, and the light emitting device TX and the light receiving device RX and the pattern layer P are electrically connected to each other.

마지막으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 발광 소자(TX) 및 수광 소자(RX)와 연결된 패턴층(P)과 각 IC(영상 전송용 IC, 보조 신호 전송용 IC, 보조 신호 수신용 IC)를 전기적으로 연결한다.Finally, as shown in FIG. 14 , the pattern layer P connected to the light emitting element TX and the light receiving element RX and each IC (IC for image transmission, IC for transmitting auxiliary signal, IC for receiving auxiliary signal) electrically connect to

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Although the present invention has been described with reference to the embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely an example, and that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom by those skilled in the art to which the present invention pertains. point can be understood. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined by the appended claims.

10: 기저 기판 20: 도전층
30: 절연층 40: 패턴 마스크
TX: 발광 소자 RX: 수광 소자
TX1~TX5: 제1 내지 제5 발광 소자
P: 패턴층 P1: 신호 패턴층
P2: 접지 패턴층 W: 와이어
W1: 신호 와이어 W2: 접지 와이어
S: 서브 마운트 A: 정렬 가이드
Z1: 제1 영역 Z2: 제2 영역
F: 광 섬유 op: 도전층의오프닝
10: base substrate 20: conductive layer
30: insulating layer 40: pattern mask
TX: light-emitting element RX: light-receiving element
TX1 to TX5: first to fifth light emitting devices
P: pattern layer P1: signal pattern layer
P2: ground pattern layer W: wire
W1: signal wire W2: ground wire
S: Sub mount A: Alignment guide
Z1: first area Z2: second area
F: optical fiber op: opening of conductive layer

Claims (16)

서브 마운트와, 상기 서브 마운트 상에 배치된 발광 소자 및 수광 소자를 포함하는 광 통신 모듈로서,
상기 서브 마운트는, 상기 수광 소자 및 수광 소자와 연결된 패턴층이 배치되는 제1 영역과, 상기 발광 소자 및 발광 소자와 연결된 패턴층이 배치되는 제2 영역을 포함하며,
상기 서브 마운트는, 상기 발광 소자 및 수광 소자와 전기적으로 연결되는 패턴층과, 절연층을 사이에 두고 상기 패턴층과 마주하게 배치되는 금속 도전층과, 상기 절연층과 금속 도전층이 형성된 기저 기판을 포함하되,
상기 금속 도전층은, 택일적으로 상기 제1 영역 또는 제2 영역 중에서 상대적으로 넓은 제2 영역을 커버하도록, 제1 영역에 대응되는 부분에는 오프닝이 형성되고,
상기 절연층은, 상기 제1 영역 및 제2 영역에 모두 형성되며,
상기 발광 소자는, 영상 전송용 IC와 연결되는 제1 내지 제4 발광 소자와 보조 신호 전송용 IC와 연결되는 제5 발광 소자를 포함하며, 수광 소자는, 보조 신호 수신용 IC와 연결되며,
상기 제1 내지 제5 발광 소자와, 상기 수광 소자는, 서브 마운트의 외부에 배치된 각각의 IC가 마주하는 서브 마운트의 서로 다른 측면을 바라보도록 서브 마운트의 중앙을 둘러싸는 배열을 형성하며, 서브 마운트의 중앙으로부터 방사상으로 서로 겹쳐지지 않도록 서브 마운트의 중앙을 둘러싸도록 배열되고,
상기 금속 도전층의 오프닝은 상기 제1, 제2 영역 중에서, 상기 수광 소자가 바라보는 서브 마운트의 일 측면에 인접하여 배치된 제1 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
An optical communication module comprising a sub-mount, and a light-emitting element and a light-receiving element disposed on the sub-mount, the optical communication module comprising:
The sub-mount includes a first area in which the light-receiving element and the pattern layer connected to the light-receiving element are disposed, and a second area in which the light-emitting element and the pattern layer connected to the light-emitting element are disposed,
The sub-mount may include a pattern layer electrically connected to the light emitting element and the light receiving element, a metal conductive layer disposed to face the pattern layer with an insulating layer interposed therebetween, and a base substrate on which the insulating layer and the metal conductive layer are formed. including,
In the metal conductive layer, an opening is formed in a portion corresponding to the first region to alternatively cover a relatively wide second region among the first region or the second region,
The insulating layer is formed in both the first region and the second region,
The light emitting device includes first to fourth light emitting devices connected to an IC for transmitting an image and a fifth light emitting device connected to an IC for transmitting an auxiliary signal, and the light receiving device is connected to an IC for receiving an auxiliary signal,
The first to fifth light emitting elements and the light receiving element form an arrangement surrounding the center of the sub mount so that each IC disposed outside the sub mount faces different sides of the sub mount facing each other, arranged to surround the center of the submount so as not to overlap each other radially from the center of the mount,
The optical communication module, characterized in that the opening of the metal conductive layer is formed in a first area disposed adjacent to one side of the submount that the light receiving element faces, among the first and second areas.
제1항에 있어서,
상기 금속 도전층은, 상기 패턴층을 소통하는 고주파 노이즈 성분을 금속 도전층으로 바이패스 시키는 바이패스 커패시턴스를 형성하는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
The method of claim 1,
The metal conductive layer forms a bypass capacitance for bypassing a high-frequency noise component communicating with the pattern layer to the metal conductive layer.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 서브 마운트는,
상기 기저 기판과, 상기 기저 기판 상에 형성된 상기 금속 도전층과, 상기 금속 도전층 상에 형성된 상기 절연층과, 상기 절연층 상에 형성된 상기 패턴층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
The method of claim 1,
The sub-mount is
and the base substrate, the metal conductive layer formed on the base substrate, the insulating layer formed on the metal conductive layer, and the pattern layer formed on the insulating layer.
제9항에 있어서,
상기 서브 마운트는, 상기 절연층 상에 형성된 것으로, 상기 발광 소자 및 수광 소자의 위치 정렬을 위한 정렬 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
10. The method of claim 9,
The sub-mount is formed on the insulating layer, and the optical communication module further comprises an alignment guide for positioning the light emitting element and the light receiving element.
제10항에 있어서,
상기 정렬 가이드는 상기 발광 소자 및 수광 소자의 서로 다른 두 측면을 둘러싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
11. The method of claim 10,
The alignment guide is an optical communication module, characterized in that formed to surround two different sides of the light emitting element and the light receiving element.
제1항에 있어서,
상기 패턴층 중에서 일부 패턴층은, 상기 서브 마운트로부터 소정의 높이로 부상된 형태로 연장되는 와이어에 의해 상기 발광 소자 또는 수광 소자와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 광 통신 모듈.
The method of claim 1,
Some of the pattern layers among the pattern layers are electrically connected to the light emitting element or the light receiving element by a wire extending from the sub-mount to a predetermined height.
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