KR102445433B1 - Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display - Google Patents

Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display Download PDF

Info

Publication number
KR102445433B1
KR102445433B1 KR1020150191796A KR20150191796A KR102445433B1 KR 102445433 B1 KR102445433 B1 KR 102445433B1 KR 1020150191796 A KR1020150191796 A KR 1020150191796A KR 20150191796 A KR20150191796 A KR 20150191796A KR 102445433 B1 KR102445433 B1 KR 102445433B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
driving
switching
thin film
film transistor
electrode
Prior art date
Application number
KR1020150191796A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170081067A (en
Inventor
나세환
이재영
김도형
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150191796A priority Critical patent/KR102445433B1/en
Publication of KR20170081067A publication Critical patent/KR20170081067A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102445433B1 publication Critical patent/KR102445433B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Abstract

본 발명의 초고 해상도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판, 화소 영역, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 그리고 유기발광 다이오드를 포함한다. 다수 개의 화소 영역은, 기판 위에 배치된다. 스위칭 박막 트랜지스터는, 화소 영역 내에 배치된다. 구동 박막 트랜지스터는, 구동 게이트 전극, 구동 반도체 층, 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함한다. 구동 게이트 전극은, 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된다. 구동 반도체 층은, 구동 게이트 전극과 중첩한다. 구동 소스 전극은, 구동 반도체 층의 일측부와 쇼트키 접촉한다. 구동 드레인 전극은, 반도체 층의 타측부와 쇼트키 접촉한다. 유기발광 다이오드는, 구동 박막 트랜지스터에 연결된다.The present invention relates to an organic light emitting diode display having an ultra-high resolution. An organic light emitting diode display according to the present invention includes a substrate, a pixel region, a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, and an organic light emitting diode. A plurality of pixel regions are disposed on the substrate. The switching thin film transistor is disposed in the pixel region. The driving thin film transistor includes a driving gate electrode, a driving semiconductor layer, a driving source electrode, and a driving drain electrode. The driving gate electrode is connected to the switching thin film transistor. The driving semiconductor layer overlaps the driving gate electrode. The driving source electrode is in Schottky contact with one side of the driving semiconductor layer. The driving drain electrode is in Schottky contact with the other side of the semiconductor layer. The organic light emitting diode is connected to the driving thin film transistor.

Description

초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치{Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display}Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display {Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display}

본 발명의 초고 해상도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 초고 해상도를 구현함에 따라, 표현하고자 하는 계조를 조절하기 위한 전류의 편차가 작아진 화소를 효과적으로 구동하는 박막 트랜지스터를 구비한 초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display having an ultra-high resolution. In particular, the present invention relates to an ultra-high resolution organic light emitting diode display including a thin film transistor that effectively drives a pixel having a reduced current deviation for controlling a gray level to be expressed by realizing an ultra high resolution.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 표시장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시장치에는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기영동 표시장치(Electrophoretic Display Device: ED) 등이 있다.As the information society develops, the demand for a display device for displaying an image is increasing in various forms. The display device field has rapidly changed to a thin, light, and large-area Flat Panel Display Device (FPD) that replaces a bulky cathode ray tube (CRT). Flat panel displays include Liquid Crystal Display Device (LCD), Plasma Display Panel (PDP), Organic Light Emitting Display Device (OLED), and Electrophoretic Display Device. : ED), etc.

능동형으로 구동하는 액정 표시장치, 유기발광 표시장치 및 전기영동 표시장치의 경우, 매트릭스 방식으로 배열된 화소 영역 내에 할당된 박막 트랜지스터가 배치된 박막 트랜지스터 기판을 포함한다. 액정 표시장치(Liquid Crystal Display Device: LCD)는 전계를 이용하여 액정의 광 투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다. 유기발광 표시장치는 매트릭스 방식으로 배열된 화소 자체에 유기발광 소자를 형성함으로써, 화상을 표시한다.In the case of a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, and an electrophoretic display device that are actively driven, a thin film transistor substrate is included in which thin film transistors allocated in pixel regions arranged in a matrix manner are disposed. A liquid crystal display device (LCD) displays an image by controlling the light transmittance of liquid crystal using an electric field. An organic light emitting display device displays an image by forming an organic light emitting element in pixels arranged in a matrix manner.

유기발광 다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 특히, 에너지 효율이 우수한 유기발광 다이오드의 특징을 이용한 유기발광 다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLEDD)에는 패시브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Passive Matrix type Organic Light Emitting Diode display, PMOLED)와 액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(Active Matrix type Organic Light Emitting Diode display, AMOLED)로 대별된다.The organic light emitting diode display device is a self-luminous device that emits light by itself, and has advantages of fast response speed, luminous efficiency, luminance and viewing angle. In particular, in an organic light emitting diode display (OLED) using the characteristics of an organic light emitting diode having excellent energy efficiency, a passive matrix type organic light emitting diode display (PMOLED) and It is roughly classified into an active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED).

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면이다. 유기발광 다이오드는 도 1과 같이 전계발광하는 유기 전계발광 화합물층과, 유기 전계발광 화합물층을 사이에 두고 대향하는 캐소드 전극(Cathode) 및 애노드 전극(Anode)을 포함한다. 유기 전계발광 화합물층은 정공주입층(Hole injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron injection layer, EIL)을 포함한다. 1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode. The organic light emitting diode includes an organic electroluminescent compound layer emitting electroluminescence as shown in FIG. 1 , and a cathode and an anode facing each other with the organic electroluminescent compound layer interposed therebetween. The organic electroluminescent compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (Electron injection layer). layer, EIL).

유기발광 다이오드는 애노드 전극(Anode)과 캐소드 전극(Cathode)에 주입된 정공과 전자가 발광층(EML)에서 재결합할 때의 여기 과정에서 여기자(excition)가 형성되고 여기자로부터의 에너지로 인하여 발광한다. 유기발광 다이오드 표시장치는 도 1과 같은 유기발광 다이오드의 발광층(EML)에서 발생하는 빛의 양을 전기적으로 제어하여 영상을 표시한다.In the organic light emitting diode, excitons are formed in the excitation process when holes and electrons injected into the anode and cathode recombine in the light emitting layer EML, and light is emitted due to energy from the excitons. The organic light emitting diode display displays an image by electrically controlling the amount of light generated from the light emitting layer (EML) of the organic light emitting diode as shown in FIG. 1 .

액티브 매트릭스 타입의 유기발광 다이오드 표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 혹은 "TFT")를 이용하여 유기발광 다이오드에 흐르는 전류를 제어하여 화상을 표시한다. 도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도의 한 예이다. 도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.An active matrix type organic light emitting diode display (AMOLED) displays an image by controlling the current flowing through the organic light emitting diode using a thin film transistor (or "TFT"). 2 is an example of an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in a general organic light emitting diode display device. 3 is a plan view illustrating the structure of one pixel in an organic light emitting diode display according to the related art. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic light emitting diode display according to the related art taken along the cut line II′ in FIG. 3 .

도 2 내지 4를 참조하면, 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLE)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.2 to 4 , the active matrix organic light emitting diode display includes a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT connected to the switching thin film transistor ST, and an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor DT. (OLE). The switching thin film transistor ST is formed at the intersection of the scan line SL and the data line DL. The switching thin film transistor ST functions to select a pixel. The switching thin film transistor ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 역할을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving thin film transistor DT serves to drive the organic light emitting diode OLE of the pixel selected by the switching thin film transistor ST. The driving thin film transistor DT has a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, a semiconductor layer DA, a source electrode DS connected to the driving current line VDD, and a drain and an electrode DD. The drain electrode DD of the driving thin film transistor DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE.

도 4를 참조하여 유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면 구조에 대해 좀 더 상세히 설명한다. 액티브 매트릭스 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)를 구성하는 반도체 층들이 먼저 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 반도체 층은, 중심 영역을 차지하는 채널 영역(SA), 채널 영역(SA) 양 측변 영역에 배치된 소스 영역(SSA) 및 드레인 영역(SDA)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 반도체 층은 중심 영역을 차지하는 채널 영역(DA), 채널 영역(DA) 양 측변 영역에 배치된 소스 영역(DSA) 및 드레인 영역(DDA)을 포함한다.A cross-sectional structure of the thin film transistor substrate for an organic light emitting diode display will be described in more detail with reference to FIG. 4 . In the active matrix organic light emitting diode display, semiconductor layers constituting the switching thin film transistor ST and the driving thin film transistor DT are first formed on a transparent substrate SUB. The semiconductor layer of the switching thin film transistor ST includes a channel area SA occupying a central area, and a source area SSA and a drain area SDA disposed on both side areas of the channel area SA. The semiconductor layer of the driving thin film transistor DT includes a channel area DA occupying a central area, and a source area DSA and a drain area DDA disposed on both side areas of the channel area DA.

채널 영역들(SA, DA)은 진성(Intrinsic) 반도체 상태로 이루어져 있다. 소스 영역들(SSA, DSA) 및 드레인 영역들(SDA, DDA)에는 불순물이 도핑 되어 있다. 불순물은, N형 불순물 혹은 P형 불순물이 선택적으로 도핑될 수 있다. 불순물이 도핑된 소스 영역들(SSA, DSA) 및 드레인 영역들(SDA, DDA) 각각은 위에 형성되는, 소스 전극들(SS, DS) 및 드레인 전극들(SD, DD) 각각과 오믹 콘택(Ohmic Contact)을 형성한다.The channel regions SA and DA are in an intrinsic semiconductor state. The source regions SSA and DSA and the drain regions SDA and DDA are doped with impurities. The impurity may be selectively doped with an N-type impurity or a P-type impurity. The impurity-doped source regions SSA and DSA and the drain regions SDA and DDA, respectively, are formed thereon, respectively, in ohmic contact with the source electrodes SS and DS and the drain electrodes SD and DD, respectively. Contact) is formed.

반도체 층의 중앙부인 채널 영역들(SA, DA) 위에는 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩하는 게이트 요소가 형성되어 있다. 게이트 요소는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG), 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG), 구동 게이트 전극(DG)에서 연장된 제1 보조 용량 전극(ST1), 그리고 스위칭 게이트 전극(SG)에 연결된 스캔 배선(SL)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 스위칭 반도체 층의 중앙 영역인 채널 영역(SA)과 중첩한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 구동 반도체 층의 중앙 영역인 채널 영역(DA)과 중첩한다. 제1 보조 용량 전극(ST1)은, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)에서 연장된 구조를 갖는다.A gate element overlapping with the gate insulating layer GI interposed therebetween is formed on the channel regions SA and DA, which are central portions of the semiconductor layer. The gate element includes the gate electrode SG of the switching thin film transistor ST, the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT, the first storage capacitor electrode ST1 extending from the driving gate electrode DG, and the switching gate and a scan line SL connected to the electrode SG. The gate electrode SG of the switching thin film transistor ST overlaps the channel region SA, which is the central region of the switching semiconductor layer, with the gate insulating layer GI interposed therebetween. The gate electrode DG of the driving thin film transistor DT overlaps the channel region DA, which is the central region of the driving semiconductor layer, with the gate insulating layer GI interposed therebetween. The first storage capacitor electrode ST1 has a structure extending from the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT.

게이트 요소들(SG, DG, ST1)이 형성된 기판(SUB)의 전체 표면 위에는 중간 절연막(ILD)이 적층되어 있다. 중간 절연막(ILD)에는 반도체 층들의 일부분을 노출하는 콘택홀들이 형성되어 있다. 예를 들어, 스위칭 반도체 층의 소스 영역(SSA)과 드레인 영역(SDA)을 각각 노출하는 소스 콘택홀(SSH)과 드레인 콘택홀(SDH)가 형성되어 있다. 구동 반도체 층의 소스 영역(DSA)과 드레인 영역(DDA)을 각각 노출하는 소스 콘택홀(DSH)과 드레인 콘택홀(DDH)이 형성되어 있다.An intermediate insulating layer ILD is stacked on the entire surface of the substrate SUB on which the gate elements SG, DG, and ST1 are formed. Contact holes exposing a portion of the semiconductor layers are formed in the intermediate insulating layer ILD. For example, a source contact hole SSH and a drain contact hole SDH respectively exposing the source region SSA and the drain region SDA of the switching semiconductor layer are formed. A source contact hole DSH and a drain contact hole DDH exposing the source region DSA and the drain region DDA of the driving semiconductor layer, respectively, are formed.

중간 절연막(ILD) 위에는 소스-드레인 요소가 형성되어 있다. 소스-드레인 요소는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD), 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD), 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD), 그리고 제2 보조 용량 전극(ST2)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS)과 드레인 전극(SD)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG)을 중심으로 일정 거리 이격하여 서로 마주보고 있다. 소스 전극(SS)은 소스 콘택홀(SSH)을 통해 소스 영역(SSA)과 접촉하고, 드레인 전극(SD)은 드레인 콘택홀(SDH)을 통해 드레인 영역(SDA)과 접촉한다.A source-drain element is formed on the intermediate insulating layer ILD. The source-drain elements include the source electrode SS and the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, the source electrode DS and the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT, the data line DL, and the driving element. a current line VDD and a second storage capacitor electrode ST2. The source electrode SS and the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST are spaced apart from each other by a predetermined distance with respect to the gate electrode SG of the switching thin film transistor ST to face each other. The source electrode SS contacts the source region SSA through the source contact hole SSH, and the drain electrode SD contacts the drain region SDA through the drain contact hole SDH.

구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS)과 드레인 전극(DD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)을 중심으로 일정 거리 이격하여 서로 마주보고 있다. 소스 전극(DS)은 소스 콘택홀(DSH)을 통해 소스 영역(DSA)과 접촉하고, 드레인 전극(DD)은 드레인 콘택홀(DDH)을 통해 드레인 영역(DDA)과 접촉한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)은, 게이트 콘택홀(GH)을 통해 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(DD)과 연결되어 있다. 데이터 배선(DL)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS)과 연결되어 있다. 구동 전류 배선(VDD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS)과 연결되어 있다.The source electrode DS and the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT are spaced apart from each other by a predetermined distance with respect to the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT to face each other. The source electrode DS contacts the source region DSA through the source contact hole DSH, and the drain electrode DD contacts the drain region DDA through the drain contact hole DDH. The gate electrode DG of the driving thin film transistor DT is connected to the drain electrode DD of the switching thin film transistor ST through the gate contact hole GH. The data line DL is connected to the source electrode SS of the switching thin film transistor ST. The driving current line VDD is connected to the source electrode DS of the driving thin film transistor DT.

제2 보조 용량 전극(ST2)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)에서 연장되어, 중간 절연막(ILD)을 사이에 두고 제1 보조 용량 전극(ST1)과 중첩한다. 서로 중첩하는 제1 보조 용량 전극(ST1)과 제2 보조 용량 전극(ST2) 사이에 개재된 중간 절연막(ILD)에 보조 용량(STG)이 형성된다.The second storage capacitor electrode ST2 extends from the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT and overlaps the first storage capacitor electrode ST1 with the intermediate insulating layer ILD interposed therebetween. The storage capacitor STG is formed in the intermediate insulating layer ILD interposed between the first storage capacitor electrode ST1 and the second storage capacitor electrode ST2 overlapping each other.

스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 보조 용량(STG)이 형성된 기판(SUB)은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 기판(SUB)의 표면을 평탄하게 할 목적으로 평탄화 막(OC)을 기판(SUB) 전체 표면에 도포한다. 경우에 따라서, 평탄화 막(OC)을 도포하기 전에, 나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터를 형성할 수도 있다.The substrate SUB on which the switching thin film transistor ST, the driving thin film transistor DT, and the storage capacitor STG are formed has a non-flat surface due to the formation of various components, and many steps are formed. A planarization film OC is applied to the entire surface of the substrate SUB for the purpose of flattening the surface of the substrate SUB. In some cases, before applying the planarization layer OC, a color filter may be formed in a portion corresponding to the region of the anode electrode ANO to be formed later.

평탄화 막(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(OC)에 형성된 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE is formed on the planarization layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through the pixel contact hole PH formed in the planarization layer OC.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank BN is formed on the region where the switching thin film transistor ST, the driving thin film transistor DT, and various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. do. The anode electrode ANO exposed by the bank BN becomes a light emitting region.

뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OL)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다.An organic light emitting layer OL and a cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode electrode ANO exposed by the bank BN. When the organic light emitting layer OL is made of an organic material emitting white light, a color assigned to each pixel by a color filter positioned below is indicated.

최근 평판 표시장치는 고 해상도를 구현하는 방향으로 발전하고 있다. 특히 휴대용 모바일 제품군의 경우, VGA 급에서 FHD 급으로 다시 QHD 급으로 급격하게 변화하고 있는 추세이다. 이러한 표시장치 시장의 경향에 맞추어, 유기발광 다이오드 표시장치도 고 해상도 및 고 효율의 특성을 갖도록 개발되고 있다.Recently, flat panel display devices are developing in the direction of realizing high resolution. In particular, in the case of portable mobile products, the trend is rapidly changing from VGA level to FHD level and back to QHD level. In line with the trend of the display device market, an organic light emitting diode display device is also being developed to have high resolution and high efficiency characteristics.

유기발광 다이오드 표시장치의 해상도가 증가함에 따라, 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 최대 전류가 급격히 감소한다. 그 결과 박막 트랜지스터가 처리하는 데이터 전압의 범위가 매우 협소해 진다. 예를 들어, 화소의 개수가 640×480인 VGA급에서 2560×1440인 QHD 급으로 해상도가 변경된 경우를 예로 들어 설명한다. 여기서, 유기발광 다이오드 표시장치의 휘도는 300nit라고 가정한다.As the resolution of the organic light emitting diode display increases, the maximum current for driving the organic light emitting diode rapidly decreases. As a result, the range of the data voltage processed by the thin film transistor becomes very narrow. For example, a case in which the resolution is changed from a VGA class in which the number of pixels is 640×480 to a QHD class in which the number of pixels is 2560×1440 will be described as an example. Here, it is assumed that the luminance of the organic light emitting diode display is 300 nits.

표시장치의 휘도는 단위 화소의 휘도와 해상도의 곱으로 표시할 수 잇다. 따라서, 해상도가 640×480인 VGA급인 경우, 단위 화소의 휘도는 300 / (640×480) = 9.76E-4(nit)가 된다. 반면, 해상도가 2560×1440인 QHD급인 경우, 단위 화소의 휘도는 300 / (2560×1440) = 8.13E-5(nit)이 된다. 즉, QHD급은 VGA급에 비해 단위 화소당 최대 1/10의 휘도를 표현하면 된다. The luminance of the display device may be displayed as the product of the luminance of the unit pixel and the resolution. Accordingly, in the case of a VGA level having a resolution of 640×480, the luminance of a unit pixel becomes 300 / (640×480) = 9.76E-4 (nit). On the other hand, in the case of a QHD level having a resolution of 2560 × 1440, the luminance of a unit pixel is 300 / (2560 × 1440) = 8.13E-5 (nit). That is, the QHD class only needs to express up to 1/10 of the luminance per unit pixel compared to the VGA class.

앞에서 설명했듯이, 유기발광 다이오드(OLE)는 구동 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(DS)에서 드레인 전극(DD)으로 증폭되어 흐르는 전류(Ids)에 의해 구동된다. 예를 들어, VGA급인 경우, 하나의 단위 화소에 필요한 휘도를 나타내기 위해 유기발광 다이오드(OLE)에 필요한 전류는 약 503nA이다. 반면, QHD급인 경우, 유기발광 다이오드(OLE)에 필요한 전류는 약 40nA 정도이다. 또한, 단위 화소가 적색, 녹색 및 청색, 세 개의 서브 화소를 포함하는 것을 감안하면, 서브 화소 하나에 배치된 유기발광 다이오드(OLE)에 필요한 최대 전류는 10nA 이하의 수준이 된다.As described above, the organic light emitting diode OLE is driven by the current Ids that is amplified and flows from the source electrode DS to the drain electrode DD of the driving thin film transistor ST. For example, in the case of VGA, the current required for the organic light emitting diode (OLE) is about 503 nA to display the luminance required for one unit pixel. On the other hand, in the case of QHD class, the current required for the organic light emitting diode (OLE) is about 40nA. In addition, considering that the unit pixel includes three sub-pixels, red, green, and blue, the maximum current required for the organic light emitting diode OLE disposed in one sub-pixel is 10nA or less.

유기발광 다이오드(OLE)를 구동하기 위한 구동 전류(Ids)는 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)와 소스 전극(DS) 사이의 전압에 의해 결정된다. 도 5는 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 포함된 구동 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프이다. 도 5에서 X축은 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs) 값을 나타내며, Y축은 구동 박막 트랜지스터의 소스-드레인 전류(Ids) 값을 나타낸다.The driving current Ids for driving the organic light emitting diode OLE is determined by the voltage between the gate electrode DG and the source electrode DS of the driving thin film transistor DT. 5 is a graph illustrating characteristics of a driving thin film transistor included in an organic light emitting diode display according to the related art. In FIG. 5 , the X axis represents a gate-source voltage (Vgs) value of the driving thin film transistor, and the Y axis represents a source-drain current (Ids) value of the driving thin film transistor.

도 5에서, VGA급의 경우, 단위 화소의 최대 전류값이 500nA이므로, 이들 전류 값을 조절하기 위한 Vgs의 범위는 'A'로 표시된 범위가 된다. 반면에, QHD급의경우, 단위 화소의 전류 값이 40nA이므로, 이 전류 값을 조절하기 위한 게이트-소스 전압(Vgs)의 범위는 'Q'로 표시된 범위가 된다. 즉, QHD 급으로 해상도가 높아짐에 따라, 단위 화소 영역에서 휘도 변화를 표시하기 위한, 구동 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 범위가 급격히 좁아진다.In FIG. 5 , in the case of the VGA class, since the maximum current value of the unit pixel is 500 nA, the range of Vgs for adjusting these current values is the range indicated by 'A'. On the other hand, in the case of the QHD class, since the current value of the unit pixel is 40 nA, the range of the gate-source voltage Vgs for controlling the current value is the range indicated by 'Q'. That is, as the resolution is increased to the level of QHD, the control range of the gate-source voltage Vgs of the driving thin film transistor for displaying the luminance change in the unit pixel area is sharply narrowed.

특히, 유기발광 다이오드 표시장치의 성능을 높이기 위해서는, 박막 트랜지스터의 성능이 점점 더 향상된다. 예를 들어, 박막 트랜지스터의 성능을 향상할 수록 전하 이동도(mobility)가 증가한다. 성능이 높은 (즉, 이동도가 높은) 박막 트랜지스터의 특성은 도 5에 도시한 그래프보다 기울기가 더 높은 값을 갖는다. 즉, Y축에 더 가까운 기울기 값을 갖는다. 그 결과, 게이트-소스 전압(Vgs)의 범위는 더 좁아진다.In particular, in order to increase the performance of the organic light emitting diode display device, the performance of the thin film transistor is gradually improved. For example, as the performance of a thin film transistor is improved, charge mobility increases. The characteristic of the thin film transistor with high performance (ie, high mobility) has a higher slope than the graph shown in FIG. 5 . That is, it has a slope value closer to the Y-axis. As a result, the range of the gate-source voltage Vgs becomes narrower.

휘도를 표현하기 위해 조절해야 하는 게이트-소스 전압(Vgs)의 범위가 좁아지면, 저 계조에서 작은 편차에도 휘도 차이가 크게 발생한다. 그 결과 저 계조 구현시에 표시장치 전체 면적에 걸쳐 일정한 휘도를 나타내기 어렵다. 결국, 패널 전체에 걸쳐 균일하지 않은 휘도가 표현되어 이는 얼룩 무늬로 나타난다. 박막 트랜지스터의 성능이 향상되고, 고 해상도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치로 발전함에 따라, 역설적으로 화질이 열화되는 문제가 발생한다.When the range of the gate-source voltage Vgs that must be adjusted to express the luminance is narrowed, a luminance difference occurs even with a small deviation in the low gray scale. As a result, it is difficult to display a constant luminance over the entire area of the display device when implementing a low gray scale. As a result, non-uniform luminance is expressed across the entire panel, which appears as a mottled pattern. As the performance of the thin film transistor is improved and an organic light emitting diode display having a high resolution is developed, paradoxically, a problem of deterioration of image quality occurs.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점들을 해결하고자 안출 된 발명으로써, 저 계조를 표현함에 있어서, 패널 전체 면적에 걸쳐 일정한 휘도를 보장하는 초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 유기발광 다이오드를 구동하는 박막 트랜지스터의 전류 특성을 완화하여, 저 계조 표현을 위한 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압의 조절 가능 범위를 확대한 초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an ultra-high resolution organic light emitting diode display that guarantees a constant luminance over the entire area of a panel when expressing a low gray scale, as an invention devised to solve the problems of the prior art. Another object of the present invention is to provide an ultra-high resolution organic light emitting diode display device in which the controllable range of the gate-source voltage of the thin film transistor for low grayscale expression is reduced by reducing the current characteristics of the thin film transistor driving the organic light emitting diode. is to do

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 기판, 화소 영역, 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터, 그리고 유기발광 다이오드를 포함한다. 다수 개의 화소 영역은, 기판 위에 배치된다. 스위칭 박막 트랜지스터는, 화소 영역 내에 배치된다. 구동 박막 트랜지스터는, 구동 게이트 전극, 구동 반도체 층, 구동 소스 전극 및 구동 드레인 전극을 포함한다. 구동 게이트 전극은, 스위칭 박막 트랜지스터에 연결된다. 구동 반도체 층은, 구동 게이트 전극과 중첩한다. 구동 소스 전극은, 구동 반도체 층의 일측부와 쇼트키 접촉한다. 구동 드레인 전극은, 반도체 층의 타측부와 쇼트키 접촉한다. 유기발광 다이오드는, 구동 박막 트랜지스터에 연결된다.In order to achieve the above object, an organic light emitting diode display device according to the present invention includes a substrate, a pixel region, a switching thin film transistor, a driving thin film transistor, and an organic light emitting diode. A plurality of pixel regions are disposed on the substrate. The switching thin film transistor is disposed in the pixel region. The driving thin film transistor includes a driving gate electrode, a driving semiconductor layer, a driving source electrode, and a driving drain electrode. The driving gate electrode is connected to the switching thin film transistor. The driving semiconductor layer overlaps the driving gate electrode. The driving source electrode is in Schottky contact with one side of the driving semiconductor layer. The driving drain electrode is in Schottky contact with the other side of the semiconductor layer. The organic light emitting diode is connected to the driving thin film transistor.

일례로, 구동 반도체 층은, 구동 채널 영역, 구동 소스 영역, 그리고 구동 드레인 영역을 포함한다. 구동 채널 영역은, 게이트 절연막을 사이에 두고 구동 게이트 전극과 중첩한다. 구동 소스 영역은, 구동 채널 영역에서 일측부로 연장되며, 소스 전극과 쇼트키 접촉한다. 구동 드레인 영역은, 구동 채널 영역에서 타측부로 연장되며, 드레인 전극과 쇼트키 접촉한다.In one example, the driving semiconductor layer includes a driving channel region, a driving source region, and a driving drain region. The driving channel region overlaps the driving gate electrode with the gate insulating film interposed therebetween. The driving source region extends from one side of the driving channel region and is in Schottky contact with the source electrode. The driving drain region extends from the driving channel region to the other side, and is in Schottky contact with the drain electrode.

일례로, 구동 채널 영역, 구동 소스 영역 및 구동 드레인 영역을 포함하는 구동 반도체 층은, 불순물이 1010 내지 1012 (개/㎤) 포함된 진성 반도체 물질이다.For example, the driving semiconductor layer including the driving channel region, the driving source region, and the driving drain region is an intrinsic semiconductor material including 10 10 to 10 12 (pcs/cm 3 ) impurities.

일례로, 스위칭 박막 트랜지스터는, 스위칭 게이트 전극, 스위칭 반도체 층, 스위칭 소스 전극, 그리고 스위칭 드레인 전극을 포함한다. 스위칭 반도체 층은, 스위칭 채널 영역, 스위칭 소스 영역 및 스위칭 드레인 영역을 구비한다. 스위칭 채널 영역은, 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩한다. 스위칭 소스 영역은, 스위칭 채널 영역에서 일측부로 연장된다. 스위칭 드레인 영역은, 스위칭 채널 영역에서 타측부로 연장된다. 스위칭 소스 전극은, 스위칭 소스 영역과 오믹 접촉한다. 스위칭 드레인 전극은, 스위칭 드레인 영역과 오믹 접촉한다.In one example, the switching thin film transistor includes a switching gate electrode, a switching semiconductor layer, a switching source electrode, and a switching drain electrode. The switching semiconductor layer includes a switching channel region, a switching source region, and a switching drain region. The switching channel region overlaps the gate electrode with the gate insulating film interposed therebetween. The switching source region extends from the switching channel region to one side. The switching drain region extends from the switching channel region to the other side. The switching source electrode is in ohmic contact with the switching source region. The switching drain electrode is in ohmic contact with the switching drain region.

일례로, 스위칭 채널 영역은, 불순물이 1010 내지 1012 (개/㎤) 포함된 진성 반도체 물질이다. 스위칭 소스 영역 및 스위칭 드레인 영역은, 불순물이 1016 내지 1018 (개/㎤) 포함된 반도체 물질이다.For example, the switching channel region is an intrinsic semiconductor material containing 10 10 to 10 12 (pieces/cm 3 ) impurities. The switching source region and the switching drain region are semiconductor materials containing 10 16 to 10 18 (pieces/cm 3 ) impurities.

본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 반도체 층과 소스-드레인 전극이 쇼트키 접촉을 유지하는 구동 박막 트랜지스터를 구비한다. 구동 박막 트랜지스터에서 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 가능 범위를 넓게 확보할 수 있다. 이는, 저 계조를 표현함에 있어서, 게이트-소스 전압의 편차가 발생하더라도 일정한 휘도를 확보할 수 있도록 해준다. 그 결과, 초고 해상도 유기발광 다이오드 표시장치에서, 패널 전체 면적에 걸쳐 얼룩이 없는 균일한 휘도를 제공한다.An organic light emitting diode display device according to the present invention includes a driving thin film transistor in which a semiconductor layer and a source-drain electrode maintain a Schottky contact. In the driving thin film transistor, it is possible to secure a wide adjustable range of the gate-source voltage (Vgs). This makes it possible to secure a constant luminance even when a gate-source voltage deviation occurs in expressing a low grayscale. As a result, in the ultra-high resolution organic light emitting diode display device, uniform luminance without spotting is provided over the entire panel area.

도 1은 일반적인 유기발광 다이오드의 구조를 나타내는 도면.
도 2는 일반적인 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 등가 회로도.
도 3은 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 4는 도 3에서 절취선 I-I'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5는 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 포함된 구동 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프.
도 6은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 포함된 구동 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프.
도 7은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도.
도 8은 도 7에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도.1 is a view showing the structure of a general organic light emitting diode.
2 is an equivalent circuit diagram showing the structure of one pixel in a typical organic light emitting diode display.
3 is a plan view illustrating the structure of one pixel in an organic light emitting diode display according to the related art;
FIG. 4 is a cross-sectional view showing the structure of an organic light emitting diode display according to the related art taken along the cut line I-I' in FIG. 3;
5 is a graph illustrating characteristics of a driving thin film transistor included in an organic light emitting diode display according to the related art;
6 is a graph showing characteristics of a driving thin film transistor included in an organic light emitting diode display according to the present invention.
7 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic light emitting diode display according to the related art taken along the cut line II-II' in FIG. 7;

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 실질적으로 동일한 구성 요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기술 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 이하의 설명에서 사용되는 구성요소 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것일 수 있는 것으로서, 실제 제품의 부품 명칭과는 상이할 수 있다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the present invention will be described. Like reference numerals refer to substantially identical elements throughout. In the following description, if it is determined that a detailed description of a known technology or configuration related to the present invention may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the component names used in the following description may be selected in consideration of the ease of writing the specification, and may be different from the component names of the actual product.

먼저 도 6을 참조하여, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 전류의 조절 범위를 넓게하기 위한 방안을 설명한다. 도 6은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에 포함된 구동 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 그래프이다.First, with reference to FIG. 6 , a method for widening the control range of the current for driving the organic light emitting diode in the organic light emitting diode display device according to the present invention will be described. 6 is a graph showing characteristics of a driving thin film transistor included in an organic light emitting diode display according to the present invention.

도 6에서 점선은 유기발광 다이오드 표시장치에 적용한 종래 기술에 의한 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 곡선이다. 점선으로 표시된 박막 트랜지스터의 특성 곡선은 도 5의 특성 곡선과 동일할 수 있다. 도 6에서 실선은 본 발명에 의한 FHD급 혹은 QHD급 해상도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터의 특성을 나타내는 곡선이다. 본 발명에서는, 구동 박막 트랜지스터의 특성 그래프의 기울기를 낮게 조정함으로써, 유기발광 다이오드를 구동하기 위한 전류 조절 범위를 넓게 확보할 수 있다.In FIG. 6 , a dotted line is a curve showing characteristics of a thin film transistor according to the prior art applied to an organic light emitting diode display. The characteristic curve of the thin film transistor indicated by the dotted line may be the same as the characteristic curve of FIG. 5 . In FIG. 6, the solid line is a curve showing the characteristics of the thin film transistor for an organic light emitting diode display having FHD class or QHD class resolution according to the present invention. In the present invention, by adjusting the slope of the characteristic graph of the driving thin film transistor to be low, it is possible to secure a wide current control range for driving the organic light emitting diode.

예를 들어, 단위 화소의 최대 전류 값이 40nA인 경우, 종래 기술에 의한 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 가능 범위는 'Q'로 표시한 범위를 갖는다. 반면에, 본 발명에 의한 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 가능 범위는 'LQ'로 표시한 범위를 갖는다. 그래프에서 볼 수 있듯이, 본 발명에 의한 박막 트랜지스터의 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 가능 범위 'LQ'는 'Q'보다 훨씬 넓은 폭을 갖는다. 그 결과, 저 계조를 표현함에 있어서, 전체 기판에 걸쳐 일정한 휘도를 나타낼 수 있어, 얼룩 무늬가 발생하지 않는다.For example, when the maximum current value of the unit pixel is 40 nA, the adjustable range of the gate-source voltage (Vgs) of the thin film transistor according to the related art has a range indicated by 'Q'. On the other hand, the adjustable range of the gate-source voltage (Vgs) of the thin film transistor according to the present invention has a range indicated by 'LQ'. As can be seen from the graph, the adjustable range 'LQ' of the gate-source voltage (Vgs) of the thin film transistor according to the present invention has a much wider width than that of 'Q'. As a result, in expressing a low gray level, a constant luminance can be displayed over the entire substrate, so that a mottled pattern does not occur.

이하, 본 발명에 의한 박막 트랜지스터의 특성 곡선을 도 6에 도시한 바와 같이 게이트-소스 전압(Vgs)의 조절 가능 범위를 넓게 확보할 수 있는 박막 트랜지스터의 구조를 설명한다. 도 7은 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치에서 한 화소의 구조를 나타내는 평면도이다. 도 8은 도 7에서 절취선 II-II'로 자른 종래 기술에 의한 유기발광 다이오드 표시장치의 구조를 나타내는 단면도이다.Hereinafter, a structure of a thin film transistor capable of securing a wide adjustable range of the gate-source voltage (Vgs) as shown in FIG. 6 of the characteristic curve of the thin film transistor according to the present invention will be described. 7 is a plan view showing the structure of one pixel in the organic light emitting diode display according to the present invention. FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating the structure of an organic light emitting diode display according to the related art taken along the cut line II-II′ in FIG. 7 .

도 7 및 8을 참조하면, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 스위칭 박막 트랜지스터(ST)와 연결된 구동 박막 트랜지스터(DT), 구동 박막 트랜지스터(DT)에 접속된 유기발광 다이오드(OLE)를 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)과 데이터 배선(DL)이 교차하는 부위에 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 화소를 선택하는 기능을 한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 스캔 배선(SL)에서 분기하는 게이트 전극(SG)과, 반도체 층(SA)과, 소스 전극(SS)과, 드레인 전극(SD)을 포함한다.7 and 8 , an organic light emitting diode display according to the present invention includes a switching thin film transistor ST, a driving thin film transistor DT connected to the switching thin film transistor ST, and an organic light emitting diode display connected to the driving thin film transistor DT. and a light emitting diode (OLE). The switching thin film transistor ST is formed at the intersection of the scan line SL and the data line DL. The switching thin film transistor ST functions to select a pixel. The switching thin film transistor ST includes a gate electrode SG branching from the scan line SL, a semiconductor layer SA, a source electrode SS, and a drain electrode SD.

구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)에 의해 선택된 화소의 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 역할을 한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(SD)과 연결된 게이트 전극(DG)과, 반도체 층(DA), 구동 전류 배선(VDD)에 연결된 소스 전극(DS)과, 드레인 전극(DD)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스(DT)의 드레인 전극(DD)은 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)과 연결되어 있다.The driving thin film transistor DT serves to drive the organic light emitting diode OLE of the pixel selected by the switching thin film transistor ST. The driving thin film transistor DT has a gate electrode DG connected to the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, a semiconductor layer DA, a source electrode DS connected to the driving current line VDD, and a drain and an electrode DD. The drain electrode DD of the driving thin film transistor DT is connected to the anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE.

도 8을 참조하여 유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 단면 구조에 대해 좀 더 상세히 설명한다. 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는, 투명 기판(SUB) 상에 스위칭 박막 트랜지스터(ST) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)를 구성하는 반도체 층들이 먼저 형성되어 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 반도체 층은, 중심 영역을 차지하는 채널 영역(SA), 채널 영역(SA) 양 측변 영역에 배치된 소스 영역(SSA) 및 드레인 영역(SDA)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 반도체 층은 중심 영역을 차지하는 채널 영역(DA), 채널 영역(DA) 양 측변 영역에 배치된 소스 영역(DSA) 및 드레인 영역(DDA)을 포함한다.A cross-sectional structure of the thin film transistor substrate for an organic light emitting diode display will be described in more detail with reference to FIG. 8 . In the organic light emitting diode display according to the present invention, semiconductor layers constituting the switching thin film transistor ST and the driving thin film transistor DT are first formed on a transparent substrate SUB. The semiconductor layer of the switching thin film transistor ST includes a channel area SA occupying a central area, and a source area SSA and a drain area SDA disposed on both side areas of the channel area SA. The semiconductor layer of the driving thin film transistor DT includes a channel area DA occupying a central area, and a source area DSA and a drain area DDA disposed on both side areas of the channel area DA.

스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 채널 영역(SA) 및 구동 박막 트랜지스터(DT)d의 채널 영역(DA)은 진성(Intrinsic) 반도체 상태로 이루어져 있다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 영역(SSA)과 드레인 영역(SDA)에는 불순물이 도핑되어 있다. 반면에 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 영역(DSA)과 드레인 영역(DDA)에는 불순물이 도핑되어 있지 않은 진성 상태를 갖는다.The channel region SA of the switching thin film transistor ST and the channel region DA of the driving thin film transistor DT d are in an intrinsic semiconductor state. The source region SSA and the drain region SDA of the switching thin film transistor ST are doped with impurities. On the other hand, the source region DSA and the drain region DDA of the driving thin film transistor DT have an intrinsic state in which no impurities are doped.

예를 들어, 진성 반도체 상태는 반도체 물질에 불순물이 포함된 정도가 1010 내지 1012 (개/㎤) 정도 포함된 상태를 의미한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 영역(SSA)과 드레인 영역(SDA)에 포함된 불순물의 양은 1016 내지 1018 (개/㎤)정도로 고 농도의 불순물이 포함된다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 영역(DSA)과 드레인 영역(DDA)은 불순물이 포함되지 않은 진성 반도체 상태이므로, 불순물의 양은 채널 영역(SA, DA)과 동일한 1010 내지 1012 (개/㎤) 정도이다.For example, the intrinsic semiconductor state refers to a state in which the semiconductor material contains about 10 10 to 10 12 (units/cm 3 ) impurities. The amount of impurities included in the source region SSA and the drain region SDA of the switching thin film transistor ST is about 10 16 to 10 18 (pieces/cm 3 ). Since the source region DSA and the drain region DDA of the driving thin film transistor DT are in an intrinsic semiconductor state in which impurities are not included, the amount of impurities is the same as that of the channel regions SA and DA 10 10 to 10 12 (pieces/cm 3 ). ) is about

스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 영역(SSA) 및 드레인 영역(SDA) 각각은 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD)과 오믹 접촉을 이룬다. 따라서, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 도 6에서 점선으로 표시한 특성을 갖는다. 반면에, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 영역(DSA) 및 드레인 영역(DDA) 각각은 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD)과 오믹 접촉이 아닌 쇼트키(Shortkey) 접촉을 이룬다. 즉, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)보다 특성이 저하된다. 그 결과, 구동 박막 트랜지스터(DT)는 도 6에서 실선으로 표시한 특성을 가질 수 있다.Each of the source region SSA and the drain region SDA of the switching thin film transistor ST is in ohmic contact with the source electrode SS and the drain electrode SD. Accordingly, the switching thin film transistor ST has characteristics indicated by dotted lines in FIG. 6 . On the other hand, each of the source area DSA and the drain area DDA of the driving thin film transistor DT makes a Schottky contact with the source electrode DS and the drain electrode DD instead of an ohmic contact. That is, the driving thin film transistor DT has lower characteristics than the switching thin film transistor ST. As a result, the driving thin film transistor DT may have a characteristic indicated by a solid line in FIG. 6 .

반도체 층의 중앙부인 채널 영역들(SA, DA) 위에는 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 중첩하는 게이트 요소가 형성되어 있다. 게이트 요소는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG), 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG), 구동 게이트 전극(DG)에서 연장된 제1 보조 용량 전극(ST1), 그리고 스위칭 게이트 전극(SG)에 연결된 스캔 배선(SL)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 스위칭 반도체 층의 중앙 영역인 채널 영역(SA)과 중첩한다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)은 게이트 절연막(GI)을 사이에 두고 구동 반도체 층의 중앙 영역인 채널 영역(DA)과 중첩한다. 제1 보조 용량 전극(ST1)은, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)에서 연장된 구조를 갖는다.A gate element overlapping with the gate insulating layer GI interposed therebetween is formed on the channel regions SA and DA, which are central portions of the semiconductor layer. The gate element includes the gate electrode SG of the switching thin film transistor ST, the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT, the first storage capacitor electrode ST1 extending from the driving gate electrode DG, and the switching gate and a scan line SL connected to the electrode SG. The gate electrode SG of the switching thin film transistor ST overlaps the channel region SA, which is the central region of the switching semiconductor layer, with the gate insulating layer GI interposed therebetween. The gate electrode DG of the driving thin film transistor DT overlaps the channel region DA, which is the central region of the driving semiconductor layer, with the gate insulating layer GI interposed therebetween. The first storage capacitor electrode ST1 has a structure extending from the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT.

게이트 요소들(SG, DG, ST1)이 형성된 기판(SUB)의 전체 표면 위에는 중간 절연막(ILD)이 적층되어 있다. 중간 절연막(ILD)에는 반도체 층들의 일부분을 노출하는 콘택홀들이 형성되어 있다. 예를 들어, 스위칭 반도체 층의 소스 영역(SSA)과 드레인 영역(SDA)을 각각 노출하는 소스 콘택홀(SSH)과 드레인 콘택홀(SDH)가 형성되어 있다. 구동 반도체 층의 소스 영역(DSA)과 드레인 영역(DDA)을 각각 노출하는 소스 콘택홀(DSH)과 드레인 콘택홀(DDH)이 형성되어 있다.An intermediate insulating layer ILD is stacked on the entire surface of the substrate SUB on which the gate elements SG, DG, and ST1 are formed. Contact holes exposing a portion of the semiconductor layers are formed in the intermediate insulating layer ILD. For example, a source contact hole SSH and a drain contact hole SDH respectively exposing the source region SSA and the drain region SDA of the switching semiconductor layer are formed. A source contact hole DSH and a drain contact hole DDH exposing the source region DSA and the drain region DDA of the driving semiconductor layer, respectively, are formed.

중간 절연막(ILD) 위에는 소스-드레인 요소가 형성되어 있다. 소스-드레인 요소는 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS) 및 드레인 전극(SD), 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS) 및 드레인 전극(DD), 데이터 배선(DL), 구동 전류 배선(VDD), 그리고 제2 보조 용량 전극(ST2)을 포함한다. 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS)과 드레인 전극(SD)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 게이트 전극(SG)을 중심으로 일정 거리 이격하여 서로 마주보고 있다. 소스 전극(SS)은 소스 콘택홀(SSH)을 통해 소스 영역(SSA)과 오믹 콘택을 이루고, 드레인 전극(SD)은 드레인 콘택홀(SDH)을 통해 드레인 영역(SDA)과 오믹 콘택을 이룬다.A source-drain element is formed on the intermediate insulating layer ILD. The source-drain elements include the source electrode SS and the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST, the source electrode DS and the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT, the data line DL, and the driving element. a current line VDD and a second storage capacitor electrode ST2. The source electrode SS and the drain electrode SD of the switching thin film transistor ST are spaced apart from each other by a predetermined distance with respect to the gate electrode SG of the switching thin film transistor ST to face each other. The source electrode SS makes an ohmic contact with the source area SSA through the source contact hole SSH, and the drain electrode SD makes an ohmic contact with the drain area SDA through the drain contact hole SDH.

구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS)과 드레인 전극(DD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)을 중심으로 일정 거리 이격하여 서로 마주보고 있다. 소스 전극(DS)은 소스 콘택홀(DSH)을 통해 소스 영역(DSA)과 쇼트키 콘택을 이루고, 드레인 전극(DD)은 드레인 콘택홀(DDH)을 통해 드레인 영역(DDA)과 쇼트키 콘택을 이룬다. 구동 박막 트랜지스터(DT)의 게이트 전극(DG)은, 게이트 콘택홀(GH)을 통해 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 드레인 전극(DD)과 연결되어 있다. 데이터 배선(DL)은 스위칭 박막 트랜지스터(ST)의 소스 전극(SS)과 연결되어 있다. 구동 전류 배선(VDD)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 소스 전극(DS)과 연결되어 있다.The source electrode DS and the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT are spaced apart from each other by a predetermined distance with respect to the gate electrode DG of the driving thin film transistor DT to face each other. The source electrode DS makes a Schottky contact with the source area DSA through the source contact hole DSH, and the drain electrode DD makes a Schottky contact with the drain area DDA through the drain contact hole DDH. accomplish The gate electrode DG of the driving thin film transistor DT is connected to the drain electrode DD of the switching thin film transistor ST through the gate contact hole GH. The data line DL is connected to the source electrode SS of the switching thin film transistor ST. The driving current line VDD is connected to the source electrode DS of the driving thin film transistor DT.

제2 보조 용량 전극(ST2)은 구동 박막 트랜지스터(DT)의 드레인 전극(DD)에서 연장되어, 중간 절연막(ILD)을 사이에 두고 제1 보조 용량 전극(ST1)과 중첩한다. 서로 중첩하는 제1 보조 용량 전극(ST1)과 제2 보조 용량 전극(ST2) 사이에 개재된 중간 절연막(ILD)에 보조 용량(STG)이 형성된다.The second storage capacitor electrode ST2 extends from the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT and overlaps the first storage capacitor electrode ST1 with the intermediate insulating layer ILD interposed therebetween. The storage capacitor STG is formed in the intermediate insulating layer ILD interposed between the first storage capacitor electrode ST1 and the second storage capacitor electrode ST2 overlapping each other.

스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 및 보조 용량(STG)이 형성된 기판(SUB)은 여러 구성 요소들이 형성되어 표면이 평탄하지 못하고, 단차가 많이 형성되어 있다. 기판(SUB)의 표면을 평탄하게 할 목적으로 평탄화 막(OC)을 기판(SUB) 전체 표면에 도포한다. 경우에 따라서, 평탄화 막(OC)을 도포하기 전에, 나중에 형성될 애노드 전극(ANO)의 영역에 해당하는 부분에 칼라 필터를 형성할 수도 있다.The substrate SUB on which the switching thin film transistor ST, the driving thin film transistor DT, and the storage capacitor STG are formed has a non-flat surface due to the formation of various components, and many steps are formed. A planarization film OC is applied to the entire surface of the substrate SUB for the purpose of flattening the surface of the substrate SUB. In some cases, before applying the planarization layer OC, a color filter may be formed in a portion corresponding to the region of the anode electrode ANO to be formed later.

평탄화 막(OC) 위에 유기발광 다이오드(OLE)의 애노드 전극(ANO)이 형성된다. 여기서, 애노드 전극(ANO)은 평탄화 막(OC)에 형성된 화소 콘택홀(PH)을 통해 구동 박막 트랜지스(DT)의 드레인 전극(DD)과 연결된다.An anode electrode ANO of the organic light emitting diode OLE is formed on the planarization layer OC. Here, the anode electrode ANO is connected to the drain electrode DD of the driving thin film transistor DT through the pixel contact hole PH formed in the planarization layer OC.

애노드 전극(ANO)이 형성된 기판 위에, 화소 영역을 정의하기 위해 스위칭 박막 트랜지스터(ST), 구동 박막 트랜지스터(DT) 그리고 각종 배선들(DL, SL, VDD)이 형성된 영역 위에 뱅크(BN)를 형성한다. 뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO)이 발광 영역이 된다.On the substrate on which the anode electrode ANO is formed, a bank BN is formed on the region where the switching thin film transistor ST, the driving thin film transistor DT, and various wirings DL, SL, and VDD are formed to define a pixel region. do. The anode electrode ANO exposed by the bank BN becomes a light emitting region.

뱅크(BN)에 의해 노출된 애노드 전극(ANO) 위에 유기발광 층(OL)과 캐소드 전극(CAT)이 순차적으로 적층된다. 유기발광 층(OL)은 백색광을 발하는 유기물질로 이루어진 경우, 아래에 위치한 칼라 필터에 의해 각 화소에 배정된 색상을 나타낸다.An organic light emitting layer OL and a cathode electrode CAT are sequentially stacked on the anode electrode ANO exposed by the bank BN. When the organic light emitting layer OL is made of an organic material emitting white light, a color assigned to each pixel by a color filter positioned below is indicated.

본 발명에 의한 초고 해상도용 유기발광 다이오드 표시장치는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)는 우수한 특성을 유지하는 것이 바람직하다. 반면에, 구동 박막 트랜지스터(DT)의 경우, 소스 전극(DS)과 드레인 전극(DD)의 저항을 중가하여 전류 수준을 저하시키는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명에 의한 유기발광 다이오드 표시장치는 일부 박막 트랜지스터들은 고 성능을 유지하기 위해 소스-드레인 전극이 반도체 층과 오믹 접촉을 유지하는 반면, 타부 박막 트랜지스터는 성능을 일정 정도 하향할 수 있도록 소스-드레인 전극이 반도체 층과 쇼트키 접촉(Shortkey Contact)(혹은, 비 오믹 접촉(non-ohmic contact))을 이루는 것이 바람직하다.In the organic light emitting diode display for ultra-high resolution according to the present invention, the switching thin film transistor (ST) preferably maintains excellent characteristics. On the other hand, in the case of the driving thin film transistor DT, it is preferable to increase the resistance of the source electrode DS and the drain electrode DD to decrease the current level. Accordingly, in the organic light emitting diode display according to the present invention, in some thin film transistors, the source-drain electrode maintains ohmic contact with the semiconductor layer in order to maintain high performance, whereas in other thin film transistors, the source may lower the performance to a certain extent. - It is preferable that the drain electrode makes Schottky contact (or non-ohmic contact) with the semiconductor layer.

특히, 유기발광 다이오드(OLE)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터(DT)는 소스-드레인 전극이 반도체 층과 비 오믹 접촉을 이루는 것이 바람직하다. 하지만, 유기발광 다이오드 표시장치 전체적인 품질을 우수하게 유지하기 위해서는, 스위칭 박막 트랜지스터(ST)를 비롯하여 게이트 구동부 및/또는 데이터 구동부에 적용하는 다른 박막 트랜지스터들은 소스-드레인 전극이 반도체 층과 오믹 접촉을 이루는 것이 바람직하다.In particular, in the driving thin film transistor DT for driving the organic light emitting diode OLE, it is preferable that the source-drain electrode be in biomic contact with the semiconductor layer. However, in order to maintain the overall quality of the organic light emitting diode display excellently, the switching thin film transistor (ST) and other thin film transistors applied to the gate driver and/or the data driver have a source-drain electrode in ohmic contact with the semiconductor layer. it is preferable

또한, 본 발명의 설명에서는, 편의를 위해, 두 개의 박막 트랜지스터들과 한 개의 보조 용량을 구비한 2T1C의 구조로 설명하였다. 하지만, 본 발명의 특징은, 보상 박막 트랜지스터들 및/또는 보상 보조 용량을 구비하는 3T1C, 6T1C, 4T2C 및 7T1C 등의 다양한 박막 트랜지스터 구조를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치에도 적용할 수 있다.In addition, in the description of the present invention, for convenience, it has been described as a 2T1C structure having two thin film transistors and one storage capacitor. However, the features of the present invention can also be applied to an organic light emitting diode display having various thin film transistor structures such as 3T1C, 6T1C, 4T2C and 7T1C including compensation thin film transistors and/or compensation auxiliary capacitance.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art from the above description will be able to see that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

SL(GL): 스캔 배선(게이트 배선) GI: 게이트 절연막
DL: 데이터 배선 VDD: 구동 전류 배선
ST: 스위칭 박막 트랜지스터 DT: 구동 박막 트랜지스터
SG: (스위칭) 게이트 전극 SA: (스위칭) 반도체 층
SS: (스위칭) 소스 전극 SD: (스위칭) 드레인 전극
SSA: (스위칭) 소스 영역 SDA: (스위칭) 드레인 영역
DG: (구동) 게이트 전극 DA: (구동) 반도체 층
DS: (구동) 소스 전극 DD: (구동) 드레인 전극
DSA: (구동) 소스 영역 DDA: (구동) 드레인 영역
ILD: 중간 절연막 OC: 평탄화 막
ANO: 애노드 전극 OL: 유기발광 층
CAT: 캐소드 전극 OLE: 유기발광 다이오드SL (GL): Scan wiring (gate wiring) GI: Gate insulating film
DL: data wire VDD: drive current wire
ST: switching thin film transistor DT: driving thin film transistor
SG: (switching) gate electrode SA: (switching) semiconductor layer
SS: (switching) source electrode SD: (switching) drain electrode
SSA: (switching) source region SDA: (switching) drain region
DG: (drive) gate electrode DA: (drive) semiconductor layer
DS: (drive) source electrode DD: (drive) drain electrode
DSA: (drive) source region DDA: (drive) drain region
ILD: intermediate insulating film OC: planarization film
ANO: anode electrode OL: organic light emitting layer
CAT: cathode electrode OLE: organic light emitting diode

Claims (6)

다수 개의 화소 영역이 배치된 기판;
상기 화소 영역 내에 배치된 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 구동 게이트 전극, 상기 구동 게이트 전극과 중첩하는 구동 반도체 층, 상기 구동 반도체 층의 일측부와 쇼트키 접촉하는 구동 소스 전극, 상기 반도체 층의 타측부와 쇼트키 접촉하는 구동 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 그리고
상기 구동 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드를 포함하고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는:
스위칭 게이트 전극;
게이트 절연막을 사이에 두고 상기 스위칭 게이트 전극과 중첩하는 스위칭 채널 영역, 상기 스위칭 채널 영역에서 일측부로 연장된 스위칭 소스 영역 및 상기 스위칭 채널 영역에서 타측부로 연장된 스위칭 드레인 영역을 구비한 스위칭 반도체 층;
상기 스위칭 소스 영역과 오믹 접촉하는 스위칭 소스 전극; 그리고
상기 스위칭 드레인 영역과 오믹 접촉하는 스위칭 드레인 전극을 포함하는,
유기발광 다이오드 표시장치.
a substrate on which a plurality of pixel areas are disposed;
a switching thin film transistor disposed in the pixel area;
A driving gate electrode connected to the switching thin film transistor, a driving semiconductor layer overlapping the driving gate electrode, a driving source electrode in schottky contact with one side of the driving semiconductor layer, and a driving in schottky contact with the other side of the semiconductor layer a driving thin film transistor including a drain electrode; and
An organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor,
The switching thin film transistor comprises:
switching gate electrode;
a switching semiconductor layer having a switching channel region overlapping the switching gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween, a switching source region extending from the switching channel region to one side, and a switching drain region extending from the switching channel region to the other side;
a switching source electrode in ohmic contact with the switching source region; and
a switching drain electrode in ohmic contact with the switching drain region;
Organic light emitting diode display.
 제 1 항에 있어서,
상기 구동 반도체 층은,
게이트 절연막을 사이에 두고 상기 구동 게이트 전극과 중첩하는 구동 채널 영역;
상기 구동 채널 영역에서 일측부로 연장되며, 상기 소스 전극과 쇼트키 접촉하는 구동 소스 영역; 그리고
상기 구동 채널 영역에서 타측부로 연장되며, 상기 드레인 전극과 쇼트키 접촉하는 구동 드레인 영역을 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The driving semiconductor layer,
a driving channel region overlapping the driving gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween;
a driving source region extending from the driving channel region to one side and in Schottky contact with the source electrode; and
and a driving drain region extending from the driving channel region to the other side and in Schottky contact with the drain electrode.
 제 2 항에 있어서,
상기 구동 채널 영역, 상기 구동 소스 영역 및 상기 구동 드레인 영역을 포함하는 상기 구동 반도체 층은,
불순물이 1010 내지 1012 (개/㎤) 포함된 진성 반도체 물질인 유기발광 다이오드 표시장치.
3. The method of claim 2,
The driving semiconductor layer including the driving channel region, the driving source region, and the driving drain region,
An organic light emitting diode display that is an intrinsic semiconductor material containing 10 10 to 10 12 (pcs/cm 3 ) impurities.
 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 스위칭 채널 영역은,
불순물이 1010 내지 1012 (개/㎤) 포함된 진성 반도체 물질이고;
상기 스위칭 소스 영역 및 상기 스위칭 드레인 영역은,
불순물이 1016 내지 1018 (개/㎤) 포함된 반도체 물질인 유기발광 다이오드 표시장치.
The method of claim 1,
The switching channel region is
an intrinsic semiconductor material containing 10 10 to 10 12 (pieces/cm 3 ) impurities;
the switching source region and the switching drain region,
An organic light emitting diode display that is a semiconductor material containing impurities 10 16 to 10 18 (pieces/cm 3 ).
 다수 개의 화소 영역이 배치된 기판;
상기 화소 영역 내에 배치된 스위칭 박막 트랜지스터;
상기 스위칭 박막 트랜지스터에 연결되는 구동 게이트 전극, 상기 구동 게이트 전극과 중첩하는 구동 반도체 층, 상기 구동 반도체 층의 일측부와 쇼트키 접촉하는 구동 소스 전극, 상기 반도체 층의 타측부와 쇼트키 접촉하는 구동 드레인 전극을 포함하는 구동 박막 트랜지스터; 그리고
상기 구동 박막 트랜지스터에 연결된 유기발광 다이오드를 포함하는고,
상기 스위칭 박막 트랜지스터는:
스위칭 게이트 전극;
게이트 절연막을 사이에 두고 상기 스위칭 게이트 전극과 중첩하는 스위칭 채널 영역, 상기 스위칭 채널 영역에서 일측부로 연장된 스위칭 소스 영역 및 상기 스위칭 채널 영역에서 타측부로 연장된 스위칭 드레인 영역을 구비한 스위칭 반도체 층;
상기 스위칭 소스 영역과 오믹 접촉하는 스위칭 소스 전극; 그리고
상기 스위칭 드레인 영역과 오믹 접촉하는 스위칭 드레인 전극을 포함하고,
상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 게이트 전극에서 연장된 구조를 갖는 제1 보조 용량 전극; 및 상기 구동 박막 트랜지스터의 구동 드레인 전극에서 연장되어 층간 절연막을 사이에 두고 상기 제1 보조 용량 전극과 중첩하는 제2 보조 용량 전극을 더 포함하는,
유기발광 다이오드 표시장치.


a substrate on which a plurality of pixel areas are disposed;
a switching thin film transistor disposed in the pixel area;
A driving gate electrode connected to the switching thin film transistor, a driving semiconductor layer overlapping the driving gate electrode, a driving source electrode in schottky contact with one side of the driving semiconductor layer, and a driving in schottky contact with the other side of the semiconductor layer a driving thin film transistor including a drain electrode; and
and an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor,
The switching thin film transistor comprises:
switching gate electrode;
a switching semiconductor layer having a switching channel region overlapping the switching gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween, a switching source region extending from the switching channel region to one side, and a switching drain region extending from the switching channel region to the other side;
a switching source electrode in ohmic contact with the switching source region; and
a switching drain electrode in ohmic contact with the switching drain region;
a first storage capacitor electrode having a structure extending from the driving gate electrode of the driving thin film transistor; and a second storage capacitor electrode extending from the driving drain electrode of the driving thin film transistor and overlapping the first storage capacitor electrode with an interlayer insulating layer therebetween.
Organic light emitting diode display.
KR1020150191796A 2015-12-31 2015-12-31 Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display KR102445433B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191796A KR102445433B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150191796A KR102445433B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170081067A KR20170081067A (en) 2017-07-11
KR102445433B1 true KR102445433B1 (en) 2022-09-21

Family

ID=59355006

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150191796A KR102445433B1 (en) 2015-12-31 2015-12-31 Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102445433B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200115750A (en) 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 Display device and method of testing for the display device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858822B1 (en) 2007-05-11 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 Thin film transitor, organic light emitting display device comprising the same and manufacturing of the organic light emitting display device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101025846B1 (en) * 2004-09-13 2011-03-30 삼성전자주식회사 Transistor of semiconductor device comprising carbon nano-tube channel
KR102043826B1 (en) * 2012-11-16 2019-11-12 엘지디스플레이 주식회사 Thin Film Transistor Substrate And Method For Manufacturing The Same
KR102037365B1 (en) * 2013-06-12 2019-11-26 엘지디스플레이 주식회사 Thin Film Transistor Substrate For Flat Panel Display And Method For Manufacturing The Same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100858822B1 (en) 2007-05-11 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 Thin film transitor, organic light emitting display device comprising the same and manufacturing of the organic light emitting display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170081067A (en) 2017-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9899461B2 (en) Organic light-emitting diode display
US9343520B2 (en) Organic light-emitting diode display and method of fabricating the same
US20180158410A1 (en) Organic light-emitting diode display
CN108091672B (en) Large area ultra-high density flat panel display with high aperture ratio
CN108122951B (en) Ultra-high density transparent flat panel display
US10651256B2 (en) Thin film transistor substrate for organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof
TWI635609B (en) Organic light emitting diode display
KR102000642B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Having High Luminescence
US8376802B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method thereof
CN111771283A (en) Thin film transistor with small storage capacitor of metal oxide switch
KR100739065B1 (en) Organic light emitting display and method for fabricating thereof
JP6417017B2 (en) Ultra-high resolution flat panel display with high aperture ratio
KR20090046053A (en) Organic light emitting display and method of driving the same
KR20110070165A (en) Organic electro-luminescence device
KR102358542B1 (en) Organic light emitting diode panel and organic light emitting diode display and manufacturing method thereof
KR102445433B1 (en) Ultra High Density Organic Light Emitting Diode Display
KR102191823B1 (en) Organic light emitting diode device and method of fabricating the same
KR100739649B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for fabricating thereof
US20060102902A1 (en) Thin film transistor array panel
KR101958010B1 (en) Super Ultra High Resolution Organic Light Emitting Diode Display
KR100739645B1 (en) Organic light emitting display
KR102648971B1 (en) Thin Film Transistor Substrate For Ultra High Density Display
KR100637130B1 (en) Organic electro luminescence display device
KR100669316B1 (en) Organic electro luminescence display device
KR20140095354A (en) Organic electroluminescence device, and display device including the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant