KR102441699B1 - Thermoelectric element - Google Patents
Thermoelectric element Download PDFInfo
- Publication number
- KR102441699B1 KR102441699B1 KR1020180006572A KR20180006572A KR102441699B1 KR 102441699 B1 KR102441699 B1 KR 102441699B1 KR 1020180006572 A KR1020180006572 A KR 1020180006572A KR 20180006572 A KR20180006572 A KR 20180006572A KR 102441699 B1 KR102441699 B1 KR 102441699B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- protrusion
- adhesive layer
- lower electrode
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 7
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- -1 cyclic olefin Chemical class 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017767 Cu—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H01L35/08—
-
- H01L35/12—
-
- H01L35/32—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Control Of Combustion (AREA)
- Air-Conditioning For Vehicles (AREA)
Abstract
실시예는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치된 접착층; 상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그; 및 상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 기판을 향해 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하는 열전 소자를 개시한다.An embodiment includes a first substrate; an adhesive layer disposed on the first substrate; a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate; and a plurality of first electrodes disposed between the first substrate and the plurality of thermoelectric legs, wherein the first electrode includes at least one protrusion protruding toward the first substrate.
Description
본 발명은 열전소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전소자의 기판 및 전극 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric device, and more particularly, to a substrate and electrode structure of the thermoelectric device.
열전현상은 재료 내부의 전자(electron)와 정공(hole)의 이동에 의해 발생하는 현상으로, 열과 전기 사이의 직접적인 에너지 변환을 의미한다.The thermoelectric phenomenon is a phenomenon that occurs by the movement of electrons and holes inside a material, and refers to direct energy conversion between heat and electricity.
열전 소자는 열전현상을 이용하는 소자를 총칭하며, P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시켜 PN 접합 쌍을 형성하는 구조를 가진다. A thermoelectric element is a generic term for a device using a thermoelectric phenomenon, and has a structure in which a P-type thermoelectric material and an N-type thermoelectric material are bonded between metal electrodes to form a PN junction pair.
열전 소자는 전기저항의 온도 변화를 이용하는 소자, 온도차에 의해 기전력이 발생하는 현상인 제벡 효과를 이용하는 소자, 전류에 의한 흡열 또는 발열이 발생하는 현상인 펠티에 효과를 이용하는 소자 등으로 구분될 수 있다.Thermoelectric devices can be classified into devices using a temperature change in electrical resistance, devices using the Seebeck effect, which is a phenomenon in which electromotive force is generated by a temperature difference, and devices using the Peltier effect, which is a phenomenon in which heat absorption or heat is generated by current.
열전 소자는 가전제품, 전자부품, 통신용 부품 등에 다양하게 적용되고 있다. 예를 들어, 열전 소자는 냉각용 장치, 온열용 장치, 발전용 장치 등에 적용될 수 있다. 이에 따라, 열전 소자의 열전성능에 대한 요구는 점점 더 높아지고 있다.Thermoelectric elements are widely applied to home appliances, electronic parts, communication parts, and the like. For example, the thermoelectric element may be applied to an apparatus for cooling, an apparatus for heating, an apparatus for power generation, and the like. Accordingly, the demand for the thermoelectric performance of the thermoelectric element is increasing.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 열전소자의 기판 및 전극 구조를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate and an electrode structure of a thermoelectric element.
본 발명의 한 실시예에 따른 열전 소자는 제 1 기판; 상기 제 1 기판 상에 배치된 접착층; 상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그; 및 상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극을 포함하고, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 기판을 향해 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함한다.A thermoelectric device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate; an adhesive layer disposed on the first substrate; a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate; and a plurality of first electrodes disposed between the first substrate and the plurality of thermoelectric legs, wherein the first electrode includes at least one protrusion protruding toward the first substrate.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 접착층을 관통할 수 있다.At least one protrusion of the first electrode may penetrate the adhesive layer.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 제 1 기판에 접촉될 수 있다.At least one protrusion of the first electrode may contact the first substrate.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부의 두께는 상기 접착층의 두께와 동일할 수 있다.A thickness of the at least one protrusion of the first electrode may be the same as a thickness of the adhesive layer.
상기 제 1 기판은 상면에 형성된 적어도 하나의 홈을 포함하고, 상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부의 단부는 상기 제 1 기판의 적어도 하나의 홈에 각각 삽입될 수 있다.The first substrate may include at least one groove formed on an upper surface, and an end of the at least one protrusion of the first electrode may be inserted into the at least one groove of the first substrate, respectively.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 제 1 전극의 하면의 중심 영역에 배치된 중심 돌출부를 포함할 수 있다.At least one protrusion of the first electrode may include a central protrusion disposed in a central region of a lower surface of the first electrode.
상기 중심 돌출부의 최대 너비는 상기 제 1 전극의 최대 너비 대비 30% 내지 50%일 수 있다.The maximum width of the central protrusion may be 30% to 50% of the maximum width of the first electrode.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 제 1 전극의 하면에서 제 1 방향으로 서로 이격되어 배치된 복수의 돌출부를 포함할 수 있다.The at least one protrusion of the first electrode may include a plurality of protrusions disposed to be spaced apart from each other in the first direction from the lower surface of the first electrode.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 제 1 전극의 하면에서 제 1 방향 및 제 2 방향 각각으로 서로 이격 되어 격자형으로 배치된 복수의 돌출부를 포함하고, 상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향에 수직할 수 있다.At least one protrusion of the first electrode includes a plurality of protrusions spaced apart from each other in a first direction and a second direction from a lower surface of the first electrode and arranged in a grid shape, wherein the first direction is in the second direction can be perpendicular to
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 하부 방향으로 갈수록 점차 너비가 작아질 수 있다.The width of the at least one protrusion of the first electrode may gradually decrease in a downward direction.
상기 접착층은 열전달 물질(TIM; Thermal Interface Material), 방열 그리스(Thermal Grease), 방열 에폭시 접착제(Thermal Bond), 방열 패드(Thermally Conductive Silicone Pad), 방열테이프(Thermally Conductive Adhesive Tape) 및 그래파이트 시트(Graphite Sheet)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.The adhesive layer includes a thermal interface material (TIM), a thermal grease, a thermal bond, a thermally conductive silicone pad, a thermally conductive adhesive tape, and a graphite sheet. Sheet) may include one selected from the group consisting of.
본 발명의 실시예에 따르면, 열전도도가 우수하고, 신뢰성이 높은 열전소자를 얻을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a thermoelectric device having excellent thermal conductivity and high reliability can be obtained.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자의 사시도이고,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이고,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 전극의 사시도이고,
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 전극의 사시도이고,
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이고,
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이고,
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이다.1 is a perspective view of a thermoelectric element according to a first embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in the thermoelectric device according to the first embodiment of the present invention;
3 is a perspective view of a lower electrode in the thermoelectric element according to the first embodiment of the present invention;
4 is a perspective view of a lower electrode in a thermoelectric element according to a second embodiment of the present invention;
5 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a third embodiment of the present invention;
6 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a fourth embodiment of the present invention;
7 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a fifth embodiment of the present invention.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention may have various changes and may have various embodiments, specific embodiments will be illustrated and described in the drawings. However, this is not intended to limit the present invention to a specific embodiment, it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.
제2, 제1 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Terms including an ordinal number such as second, first, etc. may be used to describe various elements, but the elements are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the second component may be referred to as the first component, and similarly, the first component may also be referred to as the second component. and/or includes a combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.When a component is referred to as being “connected” or “connected” to another component, it may be directly connected or connected to the other component, but it is understood that other components may exist in between. it should be On the other hand, when it is said that a certain element is "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that the other element does not exist in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in a commonly used dictionary should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning unless explicitly defined in the present application. does not
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계 없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components are assigned the same reference numerals regardless of reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이고, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 전극의 사시도이다.1 is a perspective view of a thermoelectric element according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in the thermoelectric element according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a perspective view of a lower electrode in the thermoelectric element according to the first embodiment of the present invention.
우선, 도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 열전 소자(100)는 P형 열전 레그(120), N형 열전 레그(130), 하부 기판(140), 상부 기판(150), 하부 접착층(171), 전극(161, 162) 및 리드선(180)을 포함한다.First, referring to FIG. 1 , the
전극(161, 162)은 제 1 전극(161) 및 제 2 전극(162)을 포함하고, 리드선(180)은 일측에서 제 1 전극(161)에 솔더(S)로 연결된 제 1 리드선(181) 및 타측에서 제 1 전극(161)에 솔더(S)로 연결된 제 2 리드선(182)을 포함한다.The
하부 전극(161)은 하부 기판(140)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)의 하면 사이에 배치되고, 상부 전극(162)은 상부 기판(150)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)의 상면 사이에 배치된다. 이에 따라, 복수의 P형 열전 레그(120) 및 복수의 N형 열전 레그(130)는 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)에 의하여 전기적으로 연결된다. 하부 전극(161)과 상부 전극(162) 사이에 배치되며, 전기적으로 연결되는 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 단위 셀을 형성할 수 있다.The
예를 들어, 리드선(181, 182)을 통하여 하부 전극(161) 및 상부 전극(162)에 전압을 인가하면, 펠티에 효과로 인하여 P형 열전 레그(120)로부터 N형 열전 레그(130)로 전류가 흐르는 기판은 열을 흡수하여 냉각부로 작용하고, N형 열전 레그(130)로부터 P형 열전 레그(120)로 전류가 흐르는 기판은 가열되어 발열부로 작용할 수 있다.For example, when a voltage is applied to the
여기서, P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)을 주원료로 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 열전 레그일 수 있다. P형 열전 레그(120)는 전체 중량 100wt%에 대하여 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Se-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다. N형 열전 레그(130)는 전체 중량 100wt%에 대하여 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무스(Bi) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 비스무스텔루라이드(Bi-Te)계 주원료 물질 99 내지 99.999wt%와 Bi 또는 Te를 포함하는 혼합물 0.001 내지 1wt%를 포함하는 열전 레그일 수 있다. 예를 들어, 주원료물질이 Bi-Sb-Te이고, Bi 또는 Te를 전체 중량의 0.001 내지 1wt%로 더 포함할 수 있다.Here, the P-type
P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 벌크형 또는 적층형으로 형성될 수 있다. 일반적으로 벌크형 P형 열전 레그(120) 또는 벌크형 N형 열전 레그(130)는 열전 소재를 열처리하여 잉곳(ingot)을 제조하고, 잉곳을 분쇄하고 체거름하여 열전 레그용 분말을 획득한 후, 이를 소결하고, 소결체를 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다. 적층형 P형 열전 레그(120) 또는 적층형 N형 열전 레그(130)는 시트 형상의 기재 상에 열전 소재를 포함하는 페이스트를 도포하여 단위 부재를 형성한 후, 단위 부재를 적층하고 커팅하는 과정을 통하여 얻어질 수 있다.The P-type
이때, 한 쌍의 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130)는 동일한 형상으로 동일한 높이를 갖는 것이 바람직하며, 서로 다른 형상 및 체적을 가질 수 있다. 예를 들어, P형 열전 레그(120)와 N형 열전 레그(130)의 전기 전도 특성이 상이하므로, N형 열전 레그(130)의 단면적을 P형 열전 레그(120)의 단면적과 다르게 형성할 수도 있다.In this case, the pair of P-type
본 발명에 따른 열전 소자의 성능은 제벡 지수로 나타낼 수 있다. 제백 지수(ZT)는 수학식 1과 같이 나타낼 수 있다. The performance of the thermoelectric element according to the present invention may be expressed as a Seebeck index. The Seebeck index (ZT) may be expressed as in Equation (1).
여기서, 는 제벡계수[V/K]이고, 는 전기 전도도[S/m]이며, 는 파워 인자(Power Factor, [W/mK2])이다. 그리고 T는 온도이고, k는 열전도도[W/mK]이다. k는 로 나타낼 수 있으며, a는 열확산도[cm2/S]이고, cp 는 비열[J/gK]이며, 는 밀도[g/cm3]이다.here, is the Seebeck coefficient [V/K], is the electrical conductivity [S/m], is the Power Factor ([W/mK 2 ]). And T is the temperature, k is the thermal conductivity [W/mK]. k is It can be expressed as, a is the thermal diffusivity [cm 2 /S], cp is the specific heat [J / gK], is the density [g/cm 3 ].
열전 소자의 제백 지수를 얻기 위하여, Z미터를 이용하여 Z 값(V/K)을 측정하며, 측정한 Z값을 이용하여 제벡 지수(ZT)를 계산할 수 있다. To obtain the Seebeck index of the thermoelectric element, a Z value (V/K) is measured using a Z meter, and the Seebeck index (ZT) can be calculated using the measured Z value.
여기서, 하부 기판(140)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130) 사이에 배치되는 하부 전극(120), 그리고 상부 기판(150)과 P형 열전 레그(120) 및 N형 열전 레그(130) 사이에 배치되는 상부 전극(162)은 구리(Cu), 은(Ag) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.Here, the
그리고 상호 대향하는 하부 기판(140)과 상부 기판(150)은 절연 기판일 수 있다. 절연 기판은 알루미나 기판 또는 유연성을 가지는 고분자 수지 기판일 수 있다. 유연성을 가지는 고분자 수지 기판은 폴리이미드(PI), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 환상 올레핀 코폴리(COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 레진(resin)과 같은 고투과성 플라스틱 등의 다양한 절연성 수지재를 포함할 수 있다. 또는, 절연 기판은 직물일 수도 있다. 금속 기판은 Cu, Cu 합금 또는 Cu-Al 합금을 포함할 수 있다. 또한, 하부 기판(140)과 상부 기판(150)이 금속 기판인 경우, 하부 기판(140)과 하부 전극(161) 사이 및 상부 기판(150)과 상부 전극(162) 사이에는 각각 유전체층이 더 형성될 수 있다. 유전체층은 5~10W/K의 열전도도를 가지는 소재를 포함할 수 있다.In addition, the
이때, 하부 기판(140)과 상부 기판(150)의 크기는 다르게 형성될 수도 있다. 예를 들어, 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 중 하나의 체적, 두께 또는 면적은 다른 하나의 체적, 두께 또는 면적보다 크게 형성될 수 있다. 이에 따라, 열전 소자의 흡열 성능 또는 방열 성능을 높일 수 있다.In this case, the sizes of the
하부 접착층(171)은 하부 전극(161)과 하부 기판(140) 사이에 배치되어, 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 사이의 온도 차에 따른 수축 및 팽창을 억제하기 위해 하부 전극(161)과 하부 기판(140)을 접착시킬 수 있다.The lower
물론, 도시하지 않았지만, 상부 접착층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 상부 접착층(미도시)은 상부 전극(162)과 상부 기판(150) 사이에 배치되어, 하부 기판(140)과 상부 기판(150) 사이의 온도 차에 따른 수축 및 팽창을 억제하기 위해 상부 전극(162)과 상부 기판(150)을 접착시킬 수 있다.Of course, although not shown, an upper adhesive layer (not shown) may be further included, and the upper adhesive layer (not shown) is disposed between the
하부 접착층(171)은 비전도성 접착제를 포함할 수 있다.The lower
하부 접착층(171)은 열전달 물질(TIM; Thermal Interface Material), 방열 그리스(Thermal Grease), 방열 에폭시 접착제(Thermal Bond), 방열 패드(Thermally Conductive Silicone Pad), 방열테이프(Thermally Conductive Adhesive Tape) 및 그래파이트 시트(Graphite Sheet)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함할 수 있다.The lower
하부 접착층(171)은 열 압착을 통해 경화될 수 있으며, 경화되어 하부 전극(161)과 하부 기판(140)을 접착시킬 수 있다.The lower
한편, 도 2 및 도 3을 참조하면, 하부 전극(161)은 하부 전극(161)의 하면에서 하부 기판(140) 측으로 돌출된 복수의 돌출부(165)를 포함한다.Meanwhile, referring to FIGS. 2 and 3 , the
하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165)는 너비 방향인 제 1 방향을 따라 서로 이격 되도록 배치된 바 형상의 돌출부(165a)로 구성될 수 있다.The plurality of
여기서, 하부 접착층(171)의 두께(T1)는 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165)의 두께(T2)와 동일하며, 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165) 각각은 하부 접착층(171)을 관통하여, 하부 기판(140)에 접촉될 수 있다.Here, the thickness T1 of the lower
이를 통해, 열전도도가 상대적으로 낮은 하부 접착층(171)을 거치지 않고, 직접적으로 하부 전극(161)과 하부 기판(140) 사이의 열전달 경로를 형성할 수 있어, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.Through this, a heat transfer path between the
이로써, 하부 접착층(171)에는 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165)가 관통되는 관통홀(175)이 형성될 수 있다.Accordingly, a through
여기서, 하부 접착층(171)은 경화되기 전 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165)가 삽입된 후, 경화되는 것이 바람직하다.Here, the lower
도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 전극의 사시도이다.4 is a perspective view of a lower electrode in the thermoelectric element according to the second embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 열전 소자는 도 3에 도시된 하부 전극(161)의 돌출부(165a)와 돌출부(165b)의 구성이 상이하므로, 이하에서는 차별되는 돌출부(165b)의 구성에 대해서만 상세히 설명하며 동일한 구성에 중복되는 도면부호에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.4, since the configuration of the
본 발명의 제 2 실시예에 따른 열전 소자의 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165b)는 너비 방향인 제 1 방향과 제 1 방향에 수직한 제 2 방향을 따라 서로 이격 되도록 배치된 막대기 형상의 복수의 돌출부(165b)가 격자 형상으로 구성될 수 있다.The plurality of
즉, 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165b)가 하부 접착층(171)을 관통 시 보다 작은 외력을 요구할 수 있다.That is, when the plurality of
또한, 하부 전극(161)의 복수의 돌출부(165b)가 하부 접착층(171)을 관통 시, 넘쳐서 외측으로 밀려나는 하부 접착층(171)을 최소화할 수 있다.In addition, when the plurality of
도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이다.5 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a third exemplary embodiment of the present invention.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 열전 소자는 도 2에 도시된 열전 소자와 하부 전극(261)의 구성이 상이하므로, 이하에서는 차별되는 하부 전극(261)의 구성에 대해서만 상세히 설명하며 동일한 구성에 중복되는 도면부호에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 5 , in the thermoelectric element according to the third embodiment of the present invention, since the configuration of the
하부 전극(261)은 하면의 중심영역에서 하부 측으로 돌출된 하나의 돌출부(265)를 포함한다.The
여기서, 하부 전극(261)의 돌출부(265)는 하부 접착층(271)을 관통하여, 하부 기판(140)에 접촉될 수 있다.Here, the
이를 통해, 열전도도가 상대적으로 낮은 하부 접착층(271)을 거치지 않고, 직접적으로 하부 전극(261)과 하부 기판(140) 사이의 열전달 경로를 형성할 수 있어, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.Through this, a heat transfer path can be directly formed between the
이로써, 하부 접착층(271)에는 하부 전극(161)의 돌출부(265)가 관통되는 관통홀(275)이 형성될 수 있다.Accordingly, a through
여기서, 하부 전극(261)의 중심영역은 열이 집중되는 영역일 수 있다.Here, the central region of the
이를 통해, 우선, 돌출부(265)를 형성하는 과정이 단순할 수 있으며, 돌출부(265)와 하부 전극(261)의 면적 비율을 용이하게 설정할 수 있고, 하부 전극(261)에서 열이 집중되는 중심영역과 하부 기판(140) 사이에 열 교환 효율을 증대할 수 있다.Through this, first, the process of forming the
한편, 돌출부(265)의 너비(W2)는 하부 전극(261)의 너비(W1) 대비 30% 내지 50%로 설정될 수 있다.Meanwhile, the width W2 of the
여기서, 돌출부(265)의 너비(W2)가 하부 전극(261)의 너비(W1) 대비 30% 미만인 경우 하부 전극(261)과 하부 기판(140) 사이에 열 교환 효과가 미비하며, 돌출부(265)의 너비(W2)가 하부 전극(261)의 너비(W1) 대비 50% 초과인 경우, 하부 접착층(271)에 의한 하부 전극(261)과 하부 기판(140)의 접착 효과가 미비할 수 있다.Here, when the width W2 of the
여기서, 하부 접착층(271)은 경화되기 전 하부 전극(261)의 돌출부(265)가 삽입된 후, 경화되는 것이 바람직하다.Here, the lower
도 6은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이다.6 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 열전 소자는 도 2에 도시된 열전 소자와 하부 전극(361)의 구성이 상이하므로, 이하에서는 차별되는 하부 전극(361)의 구성에 대해서만 상세히 설명하며 동일한 구성에 중복되는 도면부호에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 6 , in the thermoelectric element according to the fourth embodiment of the present invention, since the configuration of the
하부 전극(361)은 하부 전극(361)의 하면에서 하부 기판(140) 측으로 돌출된 복수의 돌출부(365)를 포함한다.The
여기서, 하부 전극(361)의 돌출부(365)는 하부 접착층(371)을 관통하여, 하부 기판(140)에 접촉될 수 있다.Here, the
이를 통해, 열전도도가 상대적으로 낮은 하부 접착층(371)을 거치지 않고, 직접적으로 하부 전극(361)과 하부 기판(140) 사이의 열전달 경로를 형성할 수 있어, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.Through this, a heat transfer path can be directly formed between the
이로써, 하부 접착층(371)에는 하부 전극(161)의 돌출부(365)가 관통되는 관통홀(375)이 형성될 수 있다.Accordingly, a through
한편, 복수의 돌출부(365) 각각은 하부 방향으로 갈수록 점차 너비가 작아질 수 있다. 즉, 복수의 돌출부(365)를 이루는 측면은 하부 전극(361)의 하면을 기준으로 소정의 경사를 가지며 단부에서 서로 만나 바늘 형상으로 구성될 수 있다.Meanwhile, each of the plurality of
이로써, 하부 접착층(371)에는 하부 전극(361)의 복수의 돌출부(365)가 관통되는 관통홀(375)이 형성될 수 있다.Accordingly, a through
이를 통해, 복수의 돌출부(365)가 하부 접착층(371)을 관통 시 보다 작은 외력을 요구할 수 있으며, 또한, 하부 전극(361)의 복수의 돌출부(365)가 하부 접착층(371)을 관통 시, 넘쳐서 외측으로 밀려나는 하부 접착층(371)을 최소화할 수 있다.Through this, a smaller external force may be required when the plurality of
여기서, 하부 접착층(371)은 경화되기 전 하부 전극(361)의 복수의 돌출부(365)가 삽입된 후, 경화되는 것이 바람직하다.Here, the lower
도 7은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 열전 소자에서 하부 기판과 하부 전극의 연결관계를 개략적으로 나타내는 단면도이다.7 is a cross-sectional view schematically illustrating a connection relationship between a lower substrate and a lower electrode in a thermoelectric device according to a fifth embodiment of the present invention.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 열전 소자는 도 2에 도시된 열전 소자와 하부 전극(461)의 구성이 상이하므로, 이하에서는 차별되는 하부 전극(461)의 구성에 대해서만 상세히 설명하며 동일한 구성에 중복되는 도면부호에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 7 , in the thermoelectric element according to the fifth embodiment of the present invention, the configuration of the
하부 전극(461)은 하부 전극(461)의 하면에서 하부 기판(140) 측으로 돌출된 복수의 돌출부(465)를 포함한다.The
여기서, 하부 전극(461)의 돌출부(465)는 하부 접착층(471)을 관통하여, 하부 기판(140)에 접촉될 수 있다.Here, the
여기서, 하부 기판(140)의 상면에는 복수의 돌출부(465) 각각에 대응되는 복수의 홈(465)이 형성될 수 있다.Here, a plurality of
하부 접착층(471)은 제 1 두께(T1)를 가지며, 하부 전극(461)의 돌출부(465)는 제 1 두께(T1)보다 큰 제 2 두께(T2)를 가져, 하부 전극(461)의 돌출부(465)의 단부는 하부 기판(140)의 상면에 형성된 홈(465)에 삽입될 수 있다.The lower
이를 통해, 열전도도가 상대적으로 낮은 하부 접착층(471)을 거치지 않고, 직접적으로 하부 전극(461)과 하부 기판(140) 사이의 열전달 경로를 형성할 수 있어, 열전달 효율을 향상시킬 수 있다.Through this, a heat transfer path can be directly formed between the
여기서, 하부 전극(461)의 돌출부(465)의 단부는 하부 기판(140)의 홈(445)에 삽입되므로, 돌출부(465)와 하부 기판(140) 사이의 접촉 면적을 확대할 수 있어, 보다 효율적으로 열 교환을 수행할 수 있다.Here, since the end of the
여기서, 하부 접착층(471)은 경화되기 전 하부 전극(461)의 복수의 돌출부(465)가 삽입된 후, 경화되는 것이 바람직하다.Here, the lower
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in the range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And the differences related to these modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.
120: P형 열전 레그 130: N형 열전 레그
140: 하부 기판 150: 상부 기판
161: 하부 전극 162: 상부 전극
165: 돌출부 171: 하부 접착층120: P-type thermoelectric leg 130: N-type thermoelectric leg
140: lower substrate 150: upper substrate
161: lower electrode 162: upper electrode
165: protrusion 171: lower adhesive layer
Claims (11)
상기 제 1 기판 상에 배치된 접착층;
상기 제 1 기판의 상부에 배치된 복수의 열전 레그; 및
상기 제 1 기판과 상기 복수의 열전 레그 사이에 배치되는 복수의 제 1 전극을 포함하고,
상기 제 1 전극은 상기 제 1 기판을 향해 돌출된 적어도 하나의 돌출부를 포함하고,
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는 상기 접착층을 관통하여 상기 제1 기판에 접촉된 열전 소자.
a first substrate;
an adhesive layer disposed on the first substrate;
a plurality of thermoelectric legs disposed on the first substrate; and
a plurality of first electrodes disposed between the first substrate and the plurality of thermoelectric legs;
The first electrode includes at least one protrusion protruding toward the first substrate,
At least one protrusion of the first electrode penetrates the adhesive layer and is in contact with the first substrate.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부의 두께는 상기 접착층의 두께와 동일한 열전 소자.
According to claim 1,
The thickness of the at least one protrusion of the first electrode is the same as the thickness of the adhesive layer.
상기 제 1 기판은 상면에 형성된 적어도 하나의 홈을 포함하고,
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부의 단부는 상기 제 1 기판의 적어도 하나의 홈에 각각 삽입되는 열전 소자.
According to claim 1,
The first substrate includes at least one groove formed in the upper surface,
Ends of the at least one protrusion of the first electrode are respectively inserted into the at least one groove of the first substrate.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는
상기 제 1 전극의 하면의 중심 영역에 배치된 중심 돌출부를 포함하는 열전 소자.
According to claim 1,
At least one protrusion of the first electrode
and a central protrusion disposed in a central region of a lower surface of the first electrode.
상기 중심 돌출부의 최대 너비는 상기 제 1 전극의 최대 너비 대비 30% 내지 50%인 열전 소자.
7. The method of claim 6,
The maximum width of the central protrusion is 30% to 50% of the maximum width of the first electrode.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는
상기 제 1 전극의 하면에서 제 1 방향으로 서로 이격 되어 배치된 복수의 돌출부를 포함하는 열전 소자.
According to claim 1,
At least one protrusion of the first electrode
A thermoelectric element including a plurality of protrusions spaced apart from each other in a first direction from a lower surface of the first electrode.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는
상기 제 1 전극의 하면에서 제 1 방향 및 제 2 방향 각각으로 서로 이격 되어 격자 형으로 배치된 복수의 돌출부를 포함하고,
상기 제 1 방향은 상기 제 2 방향에 수직한 열전 소자.
According to claim 1,
At least one protrusion of the first electrode
and a plurality of protrusions spaced apart from each other in each of the first direction and the second direction on the lower surface of the first electrode and arranged in a lattice shape,
The first direction is perpendicular to the second direction.
상기 제 1 전극의 적어도 하나의 돌출부는
하부 방향으로 갈수록 점차 너비가 작아지는 열전 소자.
According to claim 1,
At least one protrusion of the first electrode
A thermoelectric element that gradually decreases in width toward the bottom.
상기 접착층은 열전달 물질(TIM; Thermal Interface Material), 방열 그리스(Thermal Grease), 방열 에폭시 접착제(Thermal Bond), 방열 패드(Thermally Conductive Silicone Pad), 방열테이프(Thermally Conductive Adhesive Tape) 및 그래파이트 시트(Graphite Sheet)로 이루어진 군에서 선택된 하나를 포함하는 열전 소자.The method of claim 1,
The adhesive layer includes a thermal interface material (TIM), a thermal grease, a thermal bond, a thermally conductive silicone pad, a thermally conductive adhesive tape, and a graphite sheet. A thermoelectric element comprising one selected from the group consisting of sheet).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180006572A KR102441699B1 (en) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | Thermoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180006572A KR102441699B1 (en) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | Thermoelectric element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190088256A KR20190088256A (en) | 2019-07-26 |
KR102441699B1 true KR102441699B1 (en) | 2022-09-08 |
Family
ID=67469826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180006572A KR102441699B1 (en) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | Thermoelectric element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102441699B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210122606A (en) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 엘지이노텍 주식회사 | Thermoelectric element |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239129A (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | ヤマハ株式会社 | Thermoelectric conversion module |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07321378A (en) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thermo-element and its manufacture |
-
2018
- 2018-01-18 KR KR1020180006572A patent/KR102441699B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239129A (en) * | 2013-06-07 | 2014-12-18 | ヤマハ株式会社 | Thermoelectric conversion module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190088256A (en) | 2019-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102434261B1 (en) | Heat conversion device | |
KR102606657B1 (en) | Thermo electric element | |
KR101931634B1 (en) | Thermo electric leg and thermo electric element comprising the same | |
US20240188442A1 (en) | Thermoelectric element | |
KR20200094388A (en) | Thermo electric element | |
KR102441699B1 (en) | Thermoelectric element | |
CN111615754B (en) | Thermoelectric element | |
KR20230065207A (en) | Thermo electric element | |
KR102343090B1 (en) | Thermo electric module | |
KR102509339B1 (en) | Thermo electric element | |
KR102366388B1 (en) | Thermo electric element | |
KR102693403B1 (en) | Thermo electric element | |
KR102355281B1 (en) | Thermo electric element | |
KR102368960B1 (en) | Thermoelectric element and thermoelectric conversion device comprising the same | |
KR102405457B1 (en) | Thermoelectric device module | |
KR102334189B1 (en) | Heat conversion device | |
KR102271221B1 (en) | Thermo electric element | |
KR20180010060A (en) | Thermo electric element | |
KR20210028494A (en) | Thermo electric module | |
KR102621998B1 (en) | Thermo electric leg and thermo electric element comprising the same | |
KR102220946B1 (en) | Thermo electric element | |
KR102448420B1 (en) | Thermoelectric element | |
KR20220038956A (en) | Thermoelectric module | |
KR20210014192A (en) | Thermo electric element | |
KR20210028492A (en) | Thermo electric module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |