KR102439150B1 - Method for detecting defect pixel of organic light emitting display and organic light emitting display using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법 및 이를 이용한 유기발광 표시 장치에 관한 것으로, 센싱 TFT의 불량 등으로 발생되는 불량 화소의 검출을 위해 모든 게이트 라인에 순차적으로 스캔 신호를 입력하여 일일이 불량 여부를 센싱할 수밖에 없었다는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안되었다.
이에 따라, 본 발명은, 인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 블록을 설정하고, 블록 단위로 스캔 신호를 인가하도록 함으로써, 블록 단위의 센싱을 통해 불량 TFT의 신속한 검출이 가능할 수 있도록 한다는 등의 장점을 제공할 수 있다.
The present invention relates to a method for detecting bad pixels in an organic light emitting display device and an organic light emitting display device using the same. It has been proposed to solve the problem of the prior art that there was no choice but to sense whether the
Accordingly, according to the present invention, by setting two or more blocks having a plurality of adjacent gate lines as one block and applying a scan signal in block units, it is possible to quickly detect defective TFTs through sensing in units of blocks. It can provide advantages such as

Description

유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법 및 이를 이용한 유기발광 표시 장치{METHOD FOR DETECTING DEFECT PIXEL OF ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY USING THE SAME}Method for detecting bad pixels of an organic light emitting display device and an organic light emitting display device using the same

본 발명은 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법 및 이를 이용한 유기발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 센싱(SENSING) TFT의 오작동 등으로 인해 발생되는 불량 화소를 신속하게 검출할 수 있도록 하기 위한 불량 화소 검출 방법과, 이를 이용하여 구성된 유기발광 표시 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting display device and an organic light emitting display device using the same, and more particularly, to a method for quickly detecting a bad pixel generated due to a malfunction of a sensing TFT, etc. The present invention relates to a method for detecting a bad pixel, and to an organic light emitting diode display configured using the same.

액티브 매트리스 타입의 유기발광 표시 장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode; 이하 'OLED'라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The active mattress type organic light emitting display device includes an organic light emitting diode (hereinafter referred to as 'OLED') that emits light by itself, and has advantages of fast response speed, luminous efficiency, luminance and viewing angle.

자발광 소자인 OLED는 애노드 전극 및 캐소드 전극과 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공 주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층(Emission Layer; EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer; ETL) 및 전자 주입층(Electron Injection Layer; EIL)으로 이루어진다. 애노드 전극과 캐소드 전극에 구동 전압이 인가되면 정공 수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자 수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발광하게 된다.OLED, which is a self-luminous device, includes an anode electrode and a cathode electrode, and an organic compound layer (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (Electron Injection Layer); EIL). When a driving voltage is applied to the anode electrode and the cathode electrode, holes passing through the hole transport layer (HTL) and electrons passing through the electron transport layer (ETL) are moved to the light emitting layer (EML) to form excitons, and as a result, the light emitting layer (EML) is It emits visible light.

유기발광 표시 장치는 OLED를 각각 포함한 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고, 비디오 데이터의 계조에 따라 픽셀들의 휘도를 조절한다. 픽셀들 각각은 자신의 게이트 전극과 소스 전극 사이에 걸리는 전압(Vgs)에 따라 OLED에 흐르는 구동 전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함하며, 이러한 구동 전류에 비례하는 OLED의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다.The organic light emitting display device arranges pixels each including OLEDs in a matrix form, and adjusts the luminance of the pixels according to the gray level of video data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) that controls the driving current flowing through the OLED according to the voltage (Vgs) applied between its gate electrode and the source electrode, and is displayed as the amount of light emitted by the OLED proportional to the driving current Adjust the gradation (luminance).

이와 같은 OLED의 영상 품질 향상을 위한 다양한 센싱 기술이나 보상 기술이 개발되고 있다.Various sensing technologies or compensation technologies are being developed to improve the image quality of OLEDs.

가령, 통상 OLED는 발광 시간이 경과함에 따라서 OLED의 동작점 전압(문턱 전압)이 증가하고 발광 효율이 감소하는 열화 특성이 있다. 각 픽셀의 OLED에 인가되는 전류 누적치는 해당 픽셀에서 구현된 계조 누적치에 비례하므로, 이와 같은 OLED 열화 정도는 픽셀마다 달라질 수 있다.For example, in general, an OLED has a deterioration characteristic in which the operating point voltage (threshold voltage) of the OLED increases and the luminous efficiency decreases as the emission time elapses. Since the accumulated current applied to the OLED of each pixel is proportional to the accumulated grayscale implemented in the corresponding pixel, the degree of degradation of the OLED may vary for each pixel.

이러한 픽셀들 간 OLED 열화 편차는 휘도 편차를 야기하고, 이것이 심화되면 영상 고착화(Image Sticking) 현상이 발생될 수 있다.The OLED deterioration deviation between these pixels causes a luminance deviation, and if this is intensified, an image sticking phenomenon may occur.

OLED 열화를 보상하기 위해 OLED 열화를 센싱한 후, 이 센싱값을 기초로 외부 회로에서 비디오 데이터를 변조하는 다양한 보상 방식이 제안된 바 있다. 이러한 외부 보상 방식에서, 데이터 구동회로는 센싱 라인을 통해 각 픽셀로부터 센싱 전압을 직접 입력받고, 이 센싱 전압을 디지털 센싱값으로 변환한 후 타이밍 컨트롤러에 전송한다.In order to compensate for OLED degradation, various compensation schemes have been proposed in which OLED degradation is sensed and video data is modulated in an external circuit based on the sensed value. In this external compensation method, the data driving circuit directly receives a sensing voltage from each pixel through a sensing line, converts the sensing voltage into a digital sensing value, and transmits it to the timing controller.

타이밍 컨트롤러는 디지털 센싱값을 기초로 디지털 비디오 데이터를 변조하여 OLED의 열화 편차를 보상한다.The timing controller compensates for the deterioration deviation of the OLED by modulating the digital video data based on the digital sensed value.

이와 같이, OLED TV 등에 적용되는 외부 보상 방식은 화소 마다 센싱이 가능하도록 지원하므로, 포인트 디펙트(Point Defect), 또는 라인 디펙트(Line Defect)를 유발하는 이상 화소에 대한 검출이 가능하다. As described above, since the external compensation method applied to the OLED TV supports sensing for each pixel, it is possible to detect an abnormal pixel that causes a point defect or a line defect.

즉, 만약 센싱 된 화소값이 평균값보다 낮다면 암점으로 판단하여 보상 데이터를 더 높일 수 있으며, 반대로 평균값보다 높을 때에는 보상값을 낮춰 화질의 균일성 등을 향상시키게 된다.That is, if the sensed pixel value is lower than the average value, it is determined as a dark spot and the compensation data can be increased. On the contrary, when the detected pixel value is higher than the average value, the compensation value is lowered to improve the uniformity of image quality.

하지만, 이의 판단을 위한 검출 방식은, 앞서 설명한 TFT의 특성이나 OLED의 특성을 센싱하여 판단하는 방식과는 다르다. 다시 말해, 제품의 출하 전TFT 또는 OLED의 특성을 추출하는 센싱 방식을 적용한 다음, 별도로 화소의 이상을 검출하기 위한 센싱 방식을 적용해야 하는데, 이 경우 추가적인 작업 시간(Tact Time)이 필요하게 된다.However, the detection method for this determination is different from the method of sensing and determining the TFT characteristic or the OLED characteristic described above. In other words, it is necessary to apply the sensing method to extract the characteristics of TFT or OLED before shipment of the product, and then separately apply the sensing method to detect pixel abnormalities. In this case, additional work time (Tact Time) is required.

즉, OLED의 외부 보상 방식은 크게 파워 온(Power On) 보상, 실시간 구동(Driving RT) 보상, 파워 오프(Power Off) 보상 등으로 구분할 수 있다. 그런데, 실시간 구동 보상의 경우에는 영상의 디스플레이가 이루어지고 있는 중이기 때문에 불량 화소의 검출이 어렵고, 파워 온 시에 수행을 하게 된다면 로딩(loading) 시간의 증대가, 파워 오프 시에는 오프 시간의 증대가 발생한다는 문제가 있다. That is, the external compensation method of OLED can be largely divided into Power On compensation, Driving RT compensation, Power Off compensation, and the like. However, in the case of real-time driving compensation, since an image is being displayed, it is difficult to detect a bad pixel. If it is performed at power-on, the loading time increases, and when the power is off, the off-time increases. There is a problem that occurs.

다시 말해, 센싱 TFT의 불량 등으로 발생되는 불량 화소의 검출을 위해서는 모든 게이트 라인에 순차적으로 스캔 신호를 입력하여 일일이 불량 여부를 센싱할 수밖에 없으며, 이에 따라, 작업 시간 문제 등으로 인해 생산성이 저하됨과 아울러, 제품 출하 후에는 정상적인 불량 검출의 수행이 이루어지기 어렵다는 등의 문제점이 있다.
In other words, in order to detect defective pixels caused by defects in the sensing TFT, scan signals are sequentially input to all gate lines to sense defects one by one. In addition, there is a problem in that it is difficult to perform normal defect detection after product shipment.

본 발명은 센싱 TFT의 오작동 등으로 인해 발생되는 불량 화소를 신속하게 검출할 수 있도록 하기 위한 불량 화소 검출 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for detecting a bad pixel for quickly detecting a bad pixel generated due to a malfunction of a sensing TFT.

즉, 본 발명은, 모든 게이트 라인에 순차적으로 스캔 신호를 입력하여 일일이 불량 여부를 센싱할 수밖에 없어, 소요 시간 등의 문제로 출하된 제품에 적용하기에 어려움이 있던 센싱 TFT의 불량 검출 과정에 대해, 인접한 복수개의 게이트 라인으로 2 이상의 블록을 구성하고 해당 블록 단위로 센싱이 이루어지도록 함으로써, 신속한 불량 화소의 검출을 지원할 수 있도록 하는 방법에 관한 것이다.That is, the present invention relates to the defect detection process of the sensing TFT, which was difficult to apply to shipped products due to problems such as the time required because scan signals were sequentially input to all gate lines to sense the defects one by one. , a method of supporting rapid detection of bad pixels by configuring two or more blocks with a plurality of adjacent gate lines and performing sensing in units of corresponding blocks.

또한, 본 발명은, 상기와 같은 불량 화소 검출 방법이 적용된 유기발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
Another object of the present invention is to provide an organic light emitting display device to which the above-described bad pixel detection method is applied.

본 발명은 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법 및 이를 이용한 유기발광 표시 장치에 관한 것으로, 센싱 TFT의 불량 등으로 발생되는 불량 화소의 검출을 위해서는 많은 작업 시간이 소요될 수밖에 없었다는 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안되었다.The present invention relates to a method for detecting a bad pixel in an organic light emitting display device and an organic light emitting display device using the same. was proposed to do.

다시 말해, 본 발명은, 종래 센싱 TFT의 불량 등으로 발생되는 불량 화소의 검출을 위해서는 모든 게이트 라인에 순차적으로 스캔 신호를 입력하여 일일이 불량 여부를 센싱할 수밖에 없으며, 따라서, 작업 시간 문제 등으로 인해 제품 출하 후에는 정상적인 불량 검출의 수행이 이루어지기 어렵다는 등의 문제점을 해결하기 위한 것이다.In other words, according to the present invention, in order to detect defective pixels caused by defects in the conventional sensing TFT, scan signals are sequentially input to all gate lines to sense the defects one by one. This is to solve problems such as difficulty in performing normal defect detection after product shipment.

이에 따라, 본 발명은, 인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 블록을 설정하고, 각각의 블록 단위로 스캔 신호를 인가하여 불량 화소를 검출하도록 함으로써, 불량 화소의 신속한 검출이 가능할 수 있도록 한다는 등의 장점을 제공할 수 있다.Accordingly, according to the present invention, by setting two or more blocks using a plurality of adjacent gate lines as one block and applying a scan signal to each block to detect the bad pixels, it is possible to quickly detect the bad pixels. It can provide advantages such as allowing

이로 인해, 본 발명이 적용된 유기발광 표시 장치의 경우, 제품의 출하 전에는 불량 화소에 대한 신속한 검사를 가능하도록 하는 한편, 제품 출하 후에는 파워 온 보상 방식 등의 적용을 통해 지속적인 화질 개선을 지원할 수 있다는 등의 다양한 장점을 제공할 수 있다.
For this reason, in the case of an organic light emitting diode display to which the present invention is applied, it is possible to quickly inspect defective pixels before shipment of the product, and to support continuous image quality improvement by applying a power-on compensation method after shipment of the product. Various advantages such as

본 발명은 각각의 픽셀에 구비되는 센싱 TFT의 불량 검출을 위해 인접한 복수개의 게이트 라인을 블록으로 설정하고, 블록 단위의 센싱을 통해 불량 TFT의 신속한 검출이 가능할 수 있도록 한다는 장점이 있다.The present invention has an advantage in that a plurality of adjacent gate lines are set as blocks to detect defects in the sensing TFTs provided in each pixel, and the defective TFTs can be quickly detected through sensing in units of blocks.

이에 따라, 센싱 TFT의 불량 검출에 소요되는 작업 시간(Tact Time)을 획기적으로 절감할 수 있다는 등의 효과가 있다.Accordingly, there are effects such as being able to dramatically reduce the tact time required for detecting defects in the sensing TFT.

또한, 센싱 TFT의 불량 검출을 위한 작업 시간이 크게 절감 가능함으로 인해, 출하된 제품에 적용되는 자동 보정 기능 등에 센싱 TFT 불량 검출 과정을 추가할 수 있다는 장점이 있다.In addition, since the work time for detecting defects in the sensing TFT can be greatly reduced, there is an advantage that a sensing TFT defect detection process can be added to the automatic correction function applied to shipped products.

즉, 본 발명에 따르면, 불량 등으로 인해 오작동 하는 센싱 TFT의 신속한 검출 기능을 갖는 유기발광 표시 장치를 제공할 수 있어, 제품의 출하 전에는 불량 화소에 대한 신속한 검사를 가능하도록 하는 한편, 제품 출하 후에는 파워 온 보상 방식 등의 적용을 통해 지속적인 화질 개선을 지원할 수 있다는 등의 다양한 효과를 제공할 수 있다.
That is, according to the present invention, it is possible to provide an organic light emitting display device having a function of quickly detecting a sensing TFT malfunctioning due to a defect, etc. can provide various effects such as being able to support continuous image quality improvement by applying a power-on compensation method.

도 1은 유기발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도이다.
도 2는 종래 기술에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 나타낸 설명도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 6은 도 4 및 도 5의 불량 화소 검출 방법이 적용된 유기발광 표시 장치를 나타낸 설명도이다.
1 is a circuit diagram illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display.
2 is an explanatory diagram illustrating a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to the related art.
3 is a conceptual diagram illustrating a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.
4 is a driving timing diagram illustrating a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
5 is a flowchart illustrating a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.
6 is an explanatory diagram illustrating an organic light emitting display device to which the bad pixel detection method of FIGS. 4 and 5 is applied.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
The above-described objects, features and advantages will be described below in detail with reference to the accompanying drawings, and accordingly, those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to easily implement the technical idea of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a known technology related to the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals are used to indicate the same or similar components.

도 1은 유기발광 표시 장치의 화소 구조를 설명하기 위한 회로도로써, 외부 보상 구성을 갖는 유기발광 표시 장치의 일 화소의 구조를 나타내고 있다.1 is a circuit diagram for explaining a pixel structure of an organic light emitting diode display, and illustrates the structure of one pixel of an organic light emitting diode display having an external compensation structure.

도 1을 참조하면, 일 화소에는 OLED(Organic Light Emitting Diode), 구동 TFT(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1) 및 제2 스위치 TFT(ST2) 등이 구비됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 1 , it can be seen that one pixel includes an organic light emitting diode (OLED), a driving TFT (DT), a storage capacitor (Cst), a first switch TFT (ST1), and a second switch TFT (ST2). have.

OLED는 제2 노드(N2)에 접속된 애노드 전극과 저전위 구동 전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드 전극, 애노드 전극 및 캐소드 전극의 사이에 위치하는 유기 화합물층 등을 포함한다. 애노드 전극, 캐소드 전극, 그리고 그들 사이에 존재하는 다수의 절연막들에 의해 OLED에는 기생 커패시터가 생성될 수 있다. The OLED includes an anode electrode connected to the second node N2, a cathode electrode connected to the input terminal of the low potential driving voltage EVSS, and an organic compound layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode. A parasitic capacitor may be generated in the OLED by the anode electrode, the cathode electrode, and a plurality of insulating layers present therebetween.

구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 OLED에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 제1 노드(N1)에 접속된 게이트 전극, 고전위 구동 전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인 전극 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스 전극 등을 구비한다.The driving TFT DT controls the amount of current input to the OLED according to the gate-source voltage Vgs. The driving TFT DT includes a gate electrode connected to the first node N1 , a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage EVDD, and a source electrode connected to the second node N2 .

스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속된다. The storage capacitor Cst is connected between the first node N1 and the second node N2 .

제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트 라인을 통해 전달되는 스캔 제어 신호(SCAN)에 응답하여 데이터 라인 상의 데이터 전압(Vdata)을 제1 노드(N1)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 게이트 라인에 접속된 게이트 전극, 데이터 라인에 접속된 드레인 전극 및 제1 노드(N1)에 접속된 소스 전극 등을 구비한다. The first switch TFT ST1 applies the data voltage Vdata on the data line to the first node N1 in response to the scan control signal SCAN transmitted through the gate line. The first switch TFT ST1 includes a gate electrode connected to the gate line, a drain electrode connected to the data line, and a source electrode connected to the first node N1 .

제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱 제어 신호(SENSE)에 응답하여 제2 노드(N2)와 센싱 라인 간의 전류 흐름을 스위칭 하며, 본 발명에서는 제2 스위치 TFT 또는 센싱 TFT로 설명하도록 한다. The second switch TFT ST2 switches the current flow between the second node N2 and the sensing line in response to the sensing control signal SENSE, and will be described as a second switch TFT or sensing TFT in the present invention.

제2 스위치 TFT(ST2) 또한 게이트 라인에 접속된 게이트 전극을 구비하며, 센싱 라인(Sensing Line)에 접속된 드레인 전극 및 제2 노드(N2)에 접속된 소스 전극 등을 구비한다.The second switch TFT ST2 also includes a gate electrode connected to a gate line, a drain electrode connected to a sensing line, and a source electrode connected to the second node N2 .

이때, 도 1에는 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)가 단일의 게이트 라인을 이용해 제1 스위치 TFT(ST1) 및 제2 스위치 TFT(ST2)로 각각 공급되는 구성이 개시되어 있으나, 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)가 상호 이격된 별개의 신호 라인을 통해 각각의 스위치 TFT(ST1, ST2)에 공급되는 등의 구성 또한 제공 가능할 수 있음은 당연하다.At this time, FIG. 1 discloses a configuration in which the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are respectively supplied to the first switch TFT ST1 and the second switch TFT ST2 using a single gate line, It goes without saying that a configuration in which the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are supplied to each of the switch TFTs ST1 and ST2 through separate signal lines spaced apart from each other may also be provided.

이하, 종래 기술 및 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명함에 있어, 도 1의 화소 구조를 참조할 수 있도록 한다.
Hereinafter, in describing a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to the prior art and an embodiment of the present invention, reference will be made to the pixel structure of FIG. 1 .

도 2는 종래 기술에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 나타낸 설명도이다.2 is an explanatory diagram illustrating a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to the related art.

도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법은, 패널(P)에 구비된 다수(n개)의 게이트 라인을 통해 순차적으로 스캔 신호를 공급하고, 스캔 신호의 펄스와 대응되도록 데이터 신호를 공급하는 과정을 통해 이루어짐을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 2 , in the method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to the related art, a scan signal is sequentially supplied through a plurality (n) gate lines provided in a panel P, and a pulse of the scan signal is supplied. It can be confirmed that this is done through the process of supplying a data signal to correspond to .

즉, 일 게이트 라인의 스캔 신호와 그 다음 게이트 라인의 스캔 신호 공급 시간 사이에 형성되는 센싱 피리어드(Sensing Period; SP) 동안 각 게이트 라인에 대한 센싱을 수행함으로써, 해당 게이트 라인에 연결되는 각 화소의 이상 동작 여부를 검출할 수 있도록 한다.That is, by performing sensing on each gate line during a sensing period (SP) formed between a scan signal supply time of one gate line and a scan signal supply time of the next gate line, Enables detection of abnormal operation.

따라서, 데이터 라인(3840) × 게이트 라인(2160)의 구조를 갖는 UHD 패널의 경우, 2160개의 게이트 라인을 따라 각각 스캔 신호를 공급해 불량 화소를 검출하는 과정이 요구된다. 즉, 종래의 방식을 통해 센싱 TFT의 불량 등에 따른 이상 화소를 검출하기 위해서는 2160회의 스캔 신호 공급이 필요하며, 이는 물리적으로 많은 시간을 요구하기 때문에, 사용 편의성 등을 고려할 때 출하 후 제품에 이와 같은 센싱 알고리즘을 적용하기 어렵다는 문제로 연결된다.Therefore, in the case of a UHD panel having a structure of data lines 3840 × gate lines 2160, a process of detecting bad pixels by supplying scan signals along 2160 gate lines is required. In other words, in order to detect abnormal pixels due to defects in the sensing TFT through the conventional method, it is necessary to supply 2160 scan signals, which physically requires a lot of time. It leads to the problem that it is difficult to apply the sensing algorithm.

이와 같은 과정을 통해 검출되는 불량 화소는, 도 2와 같이 포인트 디펙트(Point Defect; PD) 형태로 검출될 수 있다.
A bad pixel detected through this process may be detected in the form of a point defect (PD) as shown in FIG. 2 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 개념도이다.3 is a conceptual diagram illustrating a method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법은, 패널(P)을, 인접한 복수개의 게이트 라인으로 이루어진 2 이상의 블록으로 구분한 뒤, 각각의 블록 단위로 동일한 스캔 신호를 공급하도록 하는 구성을 가질 수 있다.Referring to FIG. 3 , in the method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention, the panel P is divided into two or more blocks including a plurality of adjacent gate lines, and then each block is It may have a configuration to supply the same scan signal as .

가령, 도 3의 예와 같이, 하나의 패널(P)을 게이트 라인 기준으로 4개의 블록(A, B, C, D)으로 설정한 후 각각의 블록에 대해 동일한 스캔 신호를 공급함으로써, 해당 스캔 신호와 다음 스캔 신호 사이의 센싱 피리어드(SP) 동안 전체 블록 내의 이상 신호 센싱을 수행할 수 있다.For example, as in the example of FIG. 3 , one panel P is set as four blocks A, B, C, and D based on the gate line, and then the same scan signal is supplied to each block, so that the corresponding scan During the sensing period SP between the signal and the next scan signal, the abnormal signal sensing within the entire block may be performed.

이 과정에서, 어느 일 블록(도 3의 경우, B 블록)에서 이상이 감지되면, 이어서 해당 블록만을 대상으로 다시 서브 블록 별 스캔 신호를 공급하여 대상 블록을 축소하고, 선택된 서브 블록을 대상으로 다시 하위 블록 별 스캔 신호를 공급하는 과정의 반복을 통해, 결국 라인 별 스캔 신호가 공급 가능한 범위까지 한정 가능할 수 있다. 이후에는 라인 별 스캔 신호의 공급을 통해 이상이 발생된 화소를 특정하게 된다.In this process, if an abnormality is detected in any one block (block B in the case of FIG. 3 ), then a scan signal for each sub-block is supplied again to only the corresponding block to reduce the target block, and to target the selected sub-block again. Through repetition of the process of supplying the scan signal for each sub-block, it may be possible to limit the scan signal for each line to a range that can be supplied. Thereafter, a pixel in which an abnormality has occurred is specified by supplying a scan signal for each line.

상술하자면, 도면과 같이 4개의 블록이 구성 가능하도록 설정되는 경우, 타이밍 컨트롤러 또는 별도의 프로세서 등은 전체 게이트 라인에 대해, 게이트 라인 수를 기준하여 4개의 균등한 블록을 구성한다. 이후, 4개의 블록 가운데 어느 일 블록에서 이상이 감지되었다면, 다시 해당 블록을 게이트 라인 수 기준 4개의 균등 블록으로 구성하는 과정을 반복한다. 이와 같이, 반복적으로 하위 블록을 설정하는 과정을, 본 명세서에서는 단계적 하위 블록 반복 설정 과정으로 지칭하기로 한다.In detail, when four blocks are configured to be configurable as shown in the drawing, a timing controller or a separate processor configures four equal blocks for all gate lines based on the number of gate lines. Thereafter, if an abnormality is detected in any one of the four blocks, the process of composing the corresponding block into four equal blocks based on the number of gate lines is repeated. In this way, the process of repeatedly setting the sub-blocks will be referred to as a step-by-step sub-block repeat setting process.

이와 같은 단계적 하위 블록 설정 과정의 수행을 통해, 결국 어느 일 하위 블록에 포함되는 게이트 라인의 수가 3개 이하인 상황에서 해당 하위 블록에 이상이 있는 것으로 감지되는 경우, 타이밍 컨트롤러 또는 별도의 프로세서는 추가적인 하위 블록을 구성할 수 없다. 왜냐하면, 복수개의 게이트 라인을 포함하는 2 이상의 블록 설정이 더 이상 불가능하기 때문이다.Through such a step-by-step sub-block setting process, if an abnormality is detected in the corresponding sub-block when the number of gate lines included in a sub-block is 3 or less, the timing controller or a separate processor performs an additional sub-block Blocks cannot be constructed. This is because it is no longer possible to set two or more blocks including a plurality of gate lines.

따라서, 이때에는 각각의 게이트 라인에 대한 개별 센싱을 통해 이상이 발생된 게이트 라인을 직접 검출하는 과정을 수행하는 것이 가능하다. 참고로, 도 3의 경우, 마지막에 남은 4개의 게이트 라인에 대해 추가적인 블록 구성 없이 곧바로 라인 센싱을 수행하는 예를 나타내고 있으며, 이와 같은 디테일 한 구성의 설정은 블록 구성과 관련한 옵션 기능 등을 통해 세부 조정 가능한 것이 바람직할 수 있다.Accordingly, in this case, it is possible to directly detect the gate line in which the abnormality has occurred through individual sensing for each gate line. For reference, in the case of FIG. 3, an example of directly performing line sensing without additional block configuration for the last four gate lines is shown. It may be desirable to be adjustable.

즉, 블록 단위로 동일한 스캔 신호를 공급하고 센싱 라인을 통해 이상 발생 여부를 확인하는 경우, 해당 센싱 라인을 공유하는 화소들 전체에 디펙트(defect)가 감지될 수 있으며, 따라서, 도 3과 같이 라인 디펙트(Line Defect; LD) 형태로 이상이 감지될 수 있다. 단, 이 경우에도 최후에 라인 별 스캔 신호를 공급해 이상 여부를 감지하는 결과는 포인트 디펙트(PD) 형태로 표시될 수 있음은 도면에 도시된 바와 같다.That is, when the same scan signal is supplied in units of blocks and whether an abnormality occurs through a sensing line is checked, defects can be detected in all pixels sharing the sensing line, and thus, as shown in FIG. An abnormality may be detected in the form of a line defect (LD). However, even in this case, as shown in the drawing, the result of detecting an abnormality by supplying a scan signal for each line at the end can be displayed in the form of a point defect (PD).

도 3과 같은 구성을 통해 UHD 패널에 대해 불량 화소를 검출하는 경우, 2160개의 게이트 라인을 계속 4개의 블록으로 설정하고, 마지막에 4개의 게이트 라인을 통한 라인 검출을 수행하게 되므로, 패널 전체에 만일 1개의 센싱 TFT 불량이 존재하는 경우라면, 약 10회(6(log42160 ? 6) + 4)의 스캔 신호 공급만으로 불량 화소의 검출이 가능할 수 있다.
When bad pixels are detected for the UHD panel through the configuration as shown in FIG. 3, 2160 gate lines are continuously set to 4 blocks, and line detection is performed through 4 gate lines at the end. If there is one sensing TFT defective, the defective pixel may be detected only by supplying a scan signal approximately 10 times (6(log 4 2160 − 6) + 4).

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 구동 타이밍도이다.4 is a driving timing diagram illustrating a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

도 4를 참조하면, 다수(n개)의 스캔 라인을 일정 단위의 블록으로 설정하고, 동일한 블록에 대해서는 동시에 스캔 신호를 공급하는 구성을 확인할 수 있다. 다시 말해, 블록 L, 블록 M 및 블록 N 등의 단위 블록에 대해 동시에 동일한 스캔 신호가 인가됨을 확인할 수 있다. Referring to FIG. 4 , a configuration in which a plurality of (n) scan lines is set as a block of a predetermined unit and a scan signal is simultaneously supplied to the same block can be confirmed. In other words, it can be confirmed that the same scan signal is simultaneously applied to unit blocks such as block L, block M, and block N.

일 블록에 스캔 신호가 인가된 후 다음 블록에 대한 스캔 신호의 공급이 이루어지기까지, 가령, 블록 L에 대한 스캔 신호의 공급이 이루어지고, 다음 블록 M에 대한 스캔 신호의 공급이 이루어지기 전까지가 블록 L의 센싱 피리어드(SP)에 해당된다.After the scan signal is applied to one block, until the scan signal is supplied to the next block, for example, the scan signal is supplied to the block L and the scan signal is supplied to the next block M It corresponds to the sensing period (SP) of block L.

스캔 신호가 공급되는 동안, 해당 블록에는 데이터 신호의 공급이 이루어지는데, 이 경우 데이터 신호는 최대값(Max)이 공급되는 것이 바람직할 수 있다.While the scan signal is being supplied, the data signal is supplied to the corresponding block. In this case, it may be preferable that the maximum value (Max) of the data signal is supplied.

또한, 각각의 블록을 구성하는 스캔 라인의 수는, 게이트 공급부를 통해 공급 가능한 최대 전압치 등을 고려해 설정되는 것이 바람직할 수 있다. 즉, 한꺼번에 여러 게이트 라인을 통해 스캔 신호가 공급되더라도 구동에 이상이 없는 범위 내에서, 최대한 많은 게이트 라인에 동시에 스캔 신호의 공급이 이루어지도록 블록의 설정이 이루어질 수 있다. 하지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 각 블록의 크기는 여러 가지 상황 및 조건 등을 반영하여 가변적으로 설정 가능하도록 구성될 수 있다. 즉, 이와 같은 설정 또한, 전술한 바 있는 블록 설정 구성과 관련한 옵션 기능 등을 통해 조정되는 것이 바람직할 수 있다.In addition, the number of scan lines constituting each block may be preferably set in consideration of the maximum voltage value that can be supplied through the gate supply unit. That is, even if a scan signal is supplied through several gate lines at once, the block may be set so that the scan signal is simultaneously supplied to as many gate lines as possible within a range in which there is no abnormality in driving. However, the present invention is not necessarily limited thereto, and the size of each block may be configured to be variably set by reflecting various situations and conditions. That is, it may be desirable to adjust such a setting through an optional function related to the above-described block setting configuration.

따라서, 패널에 대한 블록의 설정은, 패널의 구성 조건 등을 고려하여 각각의 경우에 적합하도록 이루어지는 것이 좋다.Therefore, it is preferable that the setting of the block for the panel is suitable for each case in consideration of the configuration conditions of the panel and the like.

다음의 도면을 통해, 지금까지 설명된 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 보다 상세히 설명할 수 있도록 한다.
With reference to the following drawings, a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention described so far will be described in more detail.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법을 설명하기 위한 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법은, 블록 설정 단계(S510), 블록 검색 단계(S520), 디펙트(defect) 검출 여부를 확인하는 단계(S530) 및 저장 단계(S590) 등을 포함하여 구성됨을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 5 , the method for detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display according to an embodiment of the present invention includes the steps of setting a block ( S510 ), searching for a block ( S520 ), and checking whether or not a defect is detected. (S530) and the storage step (S590), it can be confirmed that the configuration is included.

블록 설정 단계(S510)는, 인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 블록을 설정하는 과정을 의미한다. 블록의 설정이 게이트 구동부의 출력 전압 등을 고려하여 이루어질 수 있음은 전술한 바 있다.The block setting step S510 refers to a process of setting two or more blocks using a plurality of adjacent gate lines as one block. It has been described above that the block can be set in consideration of the output voltage of the gate driver.

블록 검색 단계(S520)는, 블록 설정 단계(S510)를 통해 설정된 각각의 블록에 대해, 블록 별로 동일한 스캔 신호를 동시에 인가함으로써 센싱 TFT의 불량 여부 등을 확인하기 위한 과정이다.The block search step S520 is a process for checking whether the sensing TFT is defective or the like by simultaneously applying the same scan signal for each block to each block set through the block setting step S510 .

블록 검색 단계(S520)를 통해 디펙트가 검출(S530)되는 경우, 이를 기록(S535)하고 다음 블록이 존재하는지 여부를 확인(S540)한다. 즉, 다음 블록이 존재하는 경우(S540)에는 다음 블록에 대한 검색을 수행(S545)하지만, 해당 블록이 마지막 블록인 경우에는 더 이상 블록 검색을 진행하지 않고, 디펙트 검출 기록이 존재하는지 여부를 확인(S550)하게 된다.When a defect is detected (S530) through the block search step (S520), it is recorded (S535) and it is checked whether the next block exists (S540). That is, if the next block exists (S540), the next block is searched (S545), but when the corresponding block is the last block, the block search is not performed any more, and whether a defect detection record exists It is confirmed (S550).

다시 말해, 마지막 블록까지 검색(S520, S545)이 완료되었음에도 디펙트가 검출되지 않았다면, 해당 내용을 저장(S590)한 후 불량 화소 검출 과정을 종료하게 되지만, 만일, 마지막 블록까지 검색이 완료되었을 때 디펙트 검출 기록이 존재(S550)한다면, 디펙트가 검출된 블록에 대한 서브 블록이 존재하는지 여부를 확인(S560)하게 된다.In other words, if no defects are detected even after the searches (S520 and S545) are completed up to the last block, the process of detecting bad pixels is ended after the corresponding contents are saved (S590). If the defect detection record exists (S550), it is checked whether a sub-block for the block in which the defect is detected exists (S560).

따라서, 디펙트가 검출된 블록이 서브 블록을 포함하는 경우 다시 각각의 서브 블록에 대해 검색(S565)을 수행하게 되며, 이 과정에서 디펙트가 검출(S530)된 블록에 대해 기록(S535)하고 마지막 블록까지 검색을 지속한다.Accordingly, when the block in which the defect is detected includes the sub-block, a search (S565) is performed again for each sub-block, and in this process, the block in which the defect is detected (S530) is recorded (S535) and Search continues until the last block.

이상의 과정을 통해, 더 이상 서브 블록을 포함하지 않는 마지막 블록까지 모든 검색이 완료(S560)되면, 즉, 단계적으로 하위 블록을 반복 설정하고, 각각의 하위 블록에 대한 디펙트 검출을 수행하는 과정이 모두 완료(S560) 되면, 디펙트가 검출된 마지막 하위 블록을 구성하는 게이트 라인들에 대한 라인 검색을 수행(S570)함으로써, 디펙트가 발생된 픽셀을 최종적으로 검출(S580)할 수 있다. 즉, 디펙트가 검출된 하위 블록 내의 게이트 라인을 이용해 더 이상 추가 블록 설정이 불가능한 상황(가령, 해당 서브 블록 내에 3개 이하의 게이트 라인만이 존재하는 경우)에서는, 라인 검색(S570)을 통해 디펙트 픽셀을 최종 검출(S580)할 수 있다.Through the above process, when all searches up to the last block that no longer contain sub-blocks are completed (S560), that is, the process of repeatedly setting sub-blocks step by step and performing defect detection for each sub-block When all is completed ( S560 ), a pixel in which a defect is generated may be finally detected ( S580 ) by performing a line search for gate lines constituting the last sub-block in which the defect is detected ( S570 ). That is, in a situation in which additional block setting is no longer possible using the gate line in the sub-block in which the defect is detected (for example, when there are only three or less gate lines in the sub-block), the line search (S570) is performed. The defective pixel may be finally detected ( S580 ).

이와 같이 디펙트의 검출(S580)이 완료되면, 이에 대한 내용을 저장한 후 불량 화소 검출 과정을 종료하게 된다. 그리고 디펙트 검출 정보의 저장(S590)이 완료되면, 해당 화소의 불량 정보는 타이밍 컨트롤러의 메모리 등을 통해 지속적으로 관리될 수 있다. When the detection of the defect ( S580 ) is completed in this way, the contents are stored and the bad pixel detection process is ended. When the storage of the defect detection information ( S590 ) is completed, the defect information of the corresponding pixel may be continuously managed through the memory of the timing controller or the like.

따라서, 이후의 불량 화소 검출 과정에서, 상기 저장 단계(S590)를 통해 저장된 화소에 대한 불량이 다시 검출되는 경우, 새로운 기록 단계(S535) 등의 실행 없이 다음 단계의 지속적인 수행이 이루어지는 등의 구성 제공이 가능할 수 있다.Accordingly, in the subsequent bad pixel detection process, when a defect with respect to the stored pixel is detected again through the storage step S590, the next step is continuously performed without executing a new writing step S535, etc. This may be possible.

여기서, 블록 검색(S520, S545, S565)을 통해 검색되는 디펙트를 포함하는 블록의 경우 라인 디펙트(LD) 형태로 검출이 이루어지고, 라인 검색(S570)을 통해 검색되는 최종 디펙트 화소의 경우 포인트 디펙트(PD) 형태로 검출이 이루어짐에 대해서는 전술한 바 있다.Here, in the case of a block including defects searched for through the block search ( S520 , S545 , and S565 ), the detection is performed in the form of a line defect (LD), and the final defect pixel searched for through the line search (S570) is In this case, it has been described above that the detection is performed in the form of a point defect (PD).

그리고, 이상과 같은 과정을 통해 불량 화소의 검출을 수행하게 되면, 2160개의 스캔 라인을 구비하는 UHD 패널에 대해 4블록 단위의 검색을 수행하는 경우를 가정하면, 약 10회 정도의 스캔 신호 공급만으로 정확한 디펙트의 검출이 가능할 수 있음을 확인한 바 있다.
And, when the detection of the bad pixel is performed through the above process, assuming that a 4-block search is performed for a UHD panel having 2160 scan lines, only about 10 scan signals are supplied. It has been confirmed that accurate defect detection is possible.

도 6은 도 3 내지 도 5의 불량 화소 검출 방법이 적용된 유기발광 표시 장치를 나타낸 설명도이다.6 is an explanatory diagram illustrating an organic light emitting display device to which the bad pixel detection method of FIGS. 3 to 5 is applied.

도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시 장치는 표시패널(610), 타이밍 컨트롤러(620), 데이터 구동회로(630), 게이트 구동회로(640) 및 메모리(650) 등을 구비함을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 6 , an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention includes a display panel 610 , a timing controller 620 , a data driving circuit 630 , a gate driving circuit 640 , and a memory 650 . You can check availability.

표시패널(610)에는 다수의 데이터 라인들(DL) 및 센싱 라인들(SL)과 다수의 게이트 라인들(GL)이 교차되고, 이 교차 영역마다 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다. A plurality of data lines DL and sensing lines SL and a plurality of gate lines GL cross each other in the display panel 610 , and pixels P are arranged in a matrix form in each crossed area.

각각의 픽셀(P)은 데이터 라인들(DL) 중 어느 하나에, 센싱 라인들(SL) 중 어느 하나에, 그리고 게이트 라인들(GL) 중 어느 하나에 접속된다.Each pixel P is connected to any one of the data lines DL, to any one of the sensing lines SL, and to any one of the gate lines GL.

각 픽셀(P)은 게이트 라인(GL)을 통해 입력되는 게이트 펄스에 응답하여, 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결되어 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 전압을 입력받고, 센싱 라인(SL)을 통해 센싱 신호를 출력한다.Each pixel P is electrically connected to the data line DL in response to a gate pulse input through the gate line GL, receives a data voltage from the data line DL, and receives a data voltage through the sensing line SL. Outputs a sensing signal.

여기서, 센싱 라인(SL)은 수평으로 이웃한 각각의 픽셀에 서로 독립적으로 접속되거나, 또는, 수평으로 이웃한 적어도 2개 이상의 픽셀들에 공통으로 접속될 수도 있다. 즉, 센싱 라인(SL)은 모든 각각의 픽셀에 독립적으로 연결될 수도 있으며, 또는, 수평으로 서로 이웃한 R 픽셀, W 픽셀, G 픽셀, B 픽셀이 서로 동일한 센싱 라인(SL)을 공유하도록 구성될 수도 있다. Here, the sensing line SL may be independently connected to each of the horizontally adjacent pixels, or may be commonly connected to at least two or more horizontally adjacent pixels. That is, the sensing line SL may be independently connected to every pixel, or the horizontally adjacent R, W, G, and B pixels may be configured to share the same sensing line SL. may be

픽셀(P)은 전원 공급부(미도시)로부터 고전위 구동 전압(EVDD)과 저전위 구동전압(EVSS)을 공급받는다. 각각의 픽셀(P)이 OLED, 구동 TFT(DT), 제1 및 제2 스위치 TFT(ST1, ST2) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있음은 앞서 도 1을 통해 살펴본 바 있다.The pixel P receives a high potential driving voltage EVDD and a low potential driving voltage EVSS from a power supply unit (not shown). It has been previously described with reference to FIG. 1 that each pixel P may include an OLED, a driving TFT DT, first and second switch TFTs ST1 and ST2, and a storage capacitor Cst.

픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는 n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 픽셀(P)을 구성하는 TFT들의 반도체층은 아몰포스 실리콘 또는 폴리 실리콘이나 산화물을 포함할 수 있다.The TFTs constituting the pixel P may be implemented as p-type or n-type. In addition, the semiconductor layer of the TFTs constituting the pixel P may include amorphous silicon or polysilicon or oxide.

각각의 픽셀(P)은 화상 구현을 위한 노멀(normal) 구동 시와, 센싱값 획득을 위한 센싱(sensing) 구동 시에 서로 다르게 동작할 수 있다. 즉, 센싱 구동은 노멀 구동에 앞서 소정 시간 동안 수행되거나, 또는, 노멀 구동 중의 수직 블랭크 기간들에서 수행될 수 있다.Each pixel P may operate differently during normal driving for image implementation and sensing driving for obtaining a sensed value. That is, the sensing driving may be performed for a predetermined time prior to the normal driving or may be performed in vertical blank periods during the normal driving.

노멀 구동은 타이밍 컨트롤러(620)의 제어 하에 데이터 구동회로(630)와 게이트 구동회로(640)의 일 동작으로 이루어질 수 있다. 센싱 구동은 타이밍 컨트롤러(620)의 제어 하에 데이터 구동회로(630)와 게이트 구동회로(640)의 다른 동작으로 이루어질 수 있다. The normal driving may be performed by one operation of the data driving circuit 630 and the gate driving circuit 640 under the control of the timing controller 620 . The sensing driving may be performed by different operations of the data driving circuit 630 and the gate driving circuit 640 under the control of the timing controller 620 .

센싱 구동에 따른 센싱 결과를 기반으로 편차 보상을 위한 보상 데이터를 도출하는 동작과, 보상 데이터를 이용하여 디지털 비디오 데이터를 변조하는 동작 등은 타이밍 컨트롤러(620)에 의해 수행될 수 있다.An operation of deriving compensation data for compensation for deviation based on a sensing result according to a sensing driving operation and an operation of modulating digital video data using the compensation data may be performed by the timing controller 620 .

데이터 구동회로(630)는 적어도 하나 이상의 데이터 드라이버 IC(SDIC)를 포함한다. 데이터 드라이버 IC에는 각 데이터 라인(DL)에 연결된 다수의 디지털-아날로그 컨버터(DAC)들과, 센싱 채널들을 통해 센싱 라인들(SL)에 연결된 다수의 센싱 유닛들이 포함될 수 있다.The data driving circuit 630 includes at least one data driver IC (SDIC). The data driver IC may include a plurality of digital-to-analog converters (DAC) connected to each data line (DL) and a plurality of sensing units connected to the sensing lines (SL) through sensing channels.

데이터 드라이버 IC의 DAC는 노멀 구동시 타이밍 컨트롤러(620)로부터 인가되는 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 화상 구현용 데이터 전압으로 변환하여 데이터 라인들(DL)에 공급한다. The DAC of the data driver IC converts the digital video data RGB into a data voltage for image realization according to the data timing control signal DDC applied from the timing controller 620 during normal driving and supplies it to the data lines DL. .

한편, 데이터 드라이버 IC의 DAC는 센싱 구동시 타이밍 컨트롤러(620)로부터 인가되는 데이터 타이밍 제어 신호(DDC)에 따라 센싱용 데이터 전압을 생성하여 데이터 라인들(DL)에 공급한다.Meanwhile, the DAC of the data driver IC generates a data voltage for sensing according to the data timing control signal DDC applied from the timing controller 620 during sensing driving and supplies it to the data lines DL.

게이트 구동회로(640)는 노멀 구동시 게이트 제어 신호(GDC)를 기반으로 화상 표시용 게이트 펄스를 생성한 후, 행 순차 방식으로 게이트 라인들(GL)에 이를 순차 공급한다. The gate driving circuit 640 generates a gate pulse for image display based on the gate control signal GDC during normal driving, and then sequentially supplies it to the gate lines GL in a row-sequential manner.

게이트 구동회로(640)는 센싱 구동 시 게이트 제어 신호(GDC)를 기반으로 센싱용 게이트 펄스를 생성한 후, 행 순차 방식으로 게이트 라인들(GL)에 이를 순차 공급한다. 이때, 본 발명의 실시예에 따른 불량 화소 검출 방법이 적용된 유기발광 표시 장치의 경우, 서로 인접한 복수개의 게이트 라인들(GL)로 설정된 2 이상의 블록으로 표시패널(610)을 구획하고, 블록 순차 방식으로 게이트 라인들(GL)에 센싱용 게이트 펄스를 공급하도록 구성될 수 있다. 그리고, 더 이상 블록 구성이 불가능한 상황이 도래하는 경우, 라인 센싱을 통해 특정 픽셀의 디펙트를 검출할 수 있다.The gate driving circuit 640 generates a sensing gate pulse based on the gate control signal GDC during sensing driving, and then sequentially supplies it to the gate lines GL in a row-sequential manner. At this time, in the case of the organic light emitting display device to which the bad pixel detection method according to the embodiment of the present invention is applied, the display panel 610 is divided into two or more blocks set by a plurality of gate lines GL adjacent to each other, and the block sequential method is used. may be configured to supply a sensing gate pulse to the gate lines GL. And, when a situation arises in which block configuration is no longer possible, a defect of a specific pixel may be detected through line sensing.

이에 따라, 모든 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 일일이 신호를 공급하던 종래 방식에 비해 획기적으로 단축된 시간 내에 모든 화소에 대한 불량 여부의 검출이 가능할 수 있게 되었으며, 이는 특히, 센싱 TFT의 오작동 등으로 인한 불량 화소를 검출하는 등의 과정에 매우 유용하게 적용될 수 있다.Accordingly, it is possible to detect defects in all pixels within a significantly shorter time compared to the conventional method in which signals are sequentially supplied to all the gate lines GL. It can be very usefully applied to a process such as detecting a bad pixel caused by .

즉, 파워 온(Power On) 보상, 실시간 구동(Driving RT) 보상 및 파워 오프(Power Off) 보상 등으로 구분 가능한 OLED의 외부 보상 방식에 있어서, 본 발명은, 특히 파워 온 보상 과정에 적용 가능한, 센싱 TFT로 인한 불량 화소 검출 기능을 갖는 유기발광 표시 장치를 제공할 수 있다. That is, in the external compensation method of OLED that can be divided into power-on compensation, real-time driving (driving RT) compensation, and power-off compensation, the present invention is particularly applicable to the power-on compensation process, An organic light emitting diode display having a function of detecting a bad pixel due to a sensing TFT may be provided.

하지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 불량 화소 검출 방법이, 파워 오프 보상이나 기타 다양한 시간을 이용한 보상 방식 등을 통해 지원 가능할 수 있음은 당연하다.However, the present invention is not necessarily limited thereto, and it is natural that the bad pixel detection method of the present invention may be supported through power-off compensation or other compensation methods using various times.

한편, 게이트 펄스는 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)를 포함할 수 있으며, 이때, 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)가 동일하게 구현되거나, 또는, 각각의 개별 신호로 구현될 수 있음에 대해서는 전술한 바 있다.On the other hand, the gate pulse may include the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE, in this case, the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are implemented in the same way, or each individual It has been described above that it can be implemented as a signal.

즉, 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)가 동일하게 구현될 때, 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)는 단일한 신호 형태로 동일한 게이트 라인(GL)을 통해 각 픽셀(P)에 인가될 수 있으며, 신호 배선수를 줄일 수 있다는 등의 효과를 제공할 수 있다. 반면, 스캔 제어 신호(SCAN)와 센싱 제어 신호(SENSE)가 서로 다르게 구현될 때, 스캔 제어 신호와 센싱 제어 신호는 서로 다른 게이트 라인을 통해 각 픽셀(P)에 인가될 수 있다.That is, when the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are implemented identically, the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are formed as a single signal through the same gate line GL, respectively. It may be applied to the pixel P, and effects such as reducing the number of signal wirings may be provided. On the other hand, when the scan control signal SCAN and the sensing control signal SENSE are implemented differently, the scan control signal and the sensing control signal may be applied to each pixel P through different gate lines.

타이밍 컨트롤러(620)는 수직 동기 신호(Vsync), 수평 동기 신호(Hsync), 도트 클럭 신호(DLCK) 및 데이터 인에이블 신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여, 데이터 구동회로(630)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어 신호(DDC)와, 게이트 구동회로(640)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어 신호(GDC) 등을 생성한다.The timing controller 620 controls the data driving circuit 630 based on timing signals such as the vertical sync signal Vsync, the horizontal sync signal Hsync, the dot clock signal DLCK, and the data enable signal DE. A data control signal DDC for controlling the operation timing and a gate control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driving circuit 640 are generated.

타이밍 컨트롤러(620)는 소정의 참조 신호(구동 전원 인에이블 신호, 수직 동기 신호, 데이터 인에이블 신호 등)를 기반으로 노멀 구동과 센싱 구동을 구분하고, 각 구동에 맞게 데이터 제어 신호(DDC)와 게이트 제어 신호(GDC)를 생성한다.The timing controller 620 divides the normal driving and the sensing driving based on a predetermined reference signal (eg, a driving power enable signal, a vertical sync signal, a data enable signal, etc.), A gate control signal GDC is generated.

타이밍 컨트롤러(620)는 센싱 구동시 센싱용 데이터 전압에 대응되는 디지털 데이터를 데이터 구동회로(630)에 전송할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(620)는 센싱 구동시 데이터 구동회로(630)로부터 전송되는 센싱 데이터(SD)를 기반으로 각 픽셀(P)의 OLED 열화, 구동 TFT의 불량이나 센싱 TFT의 오작동 등을 검출하고 이에 대응되는 보상을 수행할 수 있다.The timing controller 620 may transmit digital data corresponding to the data voltage for sensing to the data driving circuit 630 during sensing driving. The timing controller 620 detects OLED deterioration of each pixel P, defective driving TFT or malfunctioning sensing TFT, etc. based on the sensing data SD transmitted from the data driving circuit 630 during sensing driving, and responds accordingly. compensation can be performed.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명은, 각각의 픽셀에 구비되는 센싱 TFT의 불량 검출을 위해 인접한 복수개의 게이트 라인을 블록으로 설정하고, 블록 단위의 센싱을 통해 불량 TFT의 신속한 검출이 가능할 수 있도록 하며, 이에 따라, 센싱 TFT의 불량 검출에 소요되는 작업 시간(Tact Time) 등을 획기적으로 절감할 수 있다는 등의 효과가 있다.According to the present invention as described above, a plurality of adjacent gate lines are set as a block for defective detection of a sensing TFT provided in each pixel, and a fast detection of a defective TFT is possible through sensing in units of blocks, Accordingly, there are effects such as being able to dramatically reduce the tact time required for detecting defects in the sensing TFT.

따라서, 센싱 TFT의 불량 검출을 위한 작업 시간이 크게 절감 가능함으로 인해, 출하된 제품에 적용되는 자동 보정 기능 등에 센싱 TFT 불량 검출 과정을 추가 가능하다는 등의 장점을 제공할 수 있다.
Accordingly, since the work time for detecting defects in the sensing TFT can be greatly reduced, it is possible to provide advantages such as being able to add a sensing TFT defect detection process to an automatic correction function applied to shipped products.

전술한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다.
For those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains, various substitutions, modifications and changes are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention. is not limited by

610: 표시패널
620: 타이밍 컨트롤러
630: 데이터 구동 회로
640: 게이트 구동 회로
650: 메모리
610: display panel
620: timing controller
630: data driving circuit
640: gate driving circuit
650: memory

Claims (10)

인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 블록을 설정하는 단계 (a);
상기 단계 (a)를 통해 설정된 2 이상의 블록에 대해, 순차적으로 블록 단위의 디펙트(defect) 검출을 수행하는 단계 (b);
상기 단계 (b)를 통해 디펙트가 검출된 블록에 대해, 추가적인 하위 블록의 구성이 불가능 할 때까지 단계적으로 하위 블록을 반복 설정하고, 상기 각각의 하위 블록에 대해 디펙트 검출을 수행하는 단계 (c); 및
상기 단계 (c)를 통해 추가적인 하위 블록의 구성이 불가능한 경우, 해당 블록을 구성하는 각각의 게이트 라인에 대한 라인 검색을 통해 디펙트가 발생된 불량 화소를 검출하는 단계 (d);를 포함하는 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
(a) setting two or more blocks using a plurality of adjacent gate lines as one block;
(b) sequentially performing block-by-block defect detection for two or more blocks set through step (a);
With respect to the block in which the defect is detected through step (b), repeatedly setting sub-blocks step by step until configuration of additional sub-blocks is impossible, and performing defect detection for each sub-block ( c); and
organic including; (d) detecting a defective pixel through a line search for each gate line constituting the corresponding block when it is impossible to construct an additional sub-block through step (c); A method for detecting bad pixels in a light emitting display device.
제 1 항에 있어서,
상기 단계 (b)를 통해 순차적으로 블록 단위의 디펙트 검출을 수행한 결과 디펙트가 검출되지 않는 경우, 해당 정보를 저장하거나, 상기 단계 (d)를 통해 디펙트가 발생된 불량 화소가 검출되는 경우, 해당 정보를 저장하는 단계 (e);를 더 포함하는 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
The method of claim 1,
If the defect is not detected as a result of sequentially performing block-by-block defect detection through step (b), the corresponding information is stored, or a bad pixel in which the defect is detected is detected through step (d). case, storing the corresponding information (e);
제 2 항에 있어서,
상기 단계 (e)를 통해 저장된 불량 화소에 대한 검출 정보에 대응되는 화소는, 추후 불량 화소 검출 과정에서 제외되는 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
3. The method of claim 2,
A method for detecting a bad pixel in an organic light emitting diode display device, wherein the pixel corresponding to the detection information on the bad pixel stored in step (e) is excluded from the subsequent bad pixel detection process.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 단계 (b) 또는 단계 (c)를 통해 검출되는 디펙트는 라인 디펙트(Line Defect)이고, 상기 단계 (d)를 통해 검출되는 디펙트는 포인트 디펙트(Point Defect)인 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The defect detected through step (b) or step (c) is a line defect, and the defect detected through step (d) is a point defect. bad pixel detection method.
제 4 항에 있어서,
상기 단계 (a)를 통해 설정되는 각각의 블록을 구성하는 게이트 라인의 수는, 게이트 공급부를 통해 공급 가능한 최대 전압치를 고려해 설정되는 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
5. The method of claim 4,
The number of gate lines constituting each block set through step (a) is set in consideration of a maximum voltage value that can be supplied through a gate supply unit.
제 4 항에 있어서,
상기 단계 (a) 내지 단계 (d)에 따른 각각의 과정은, 유기발광 표시 장치의 파워 온(Power On) 구간에서 이루어지는 유기발광 표시 장치의 불량 화소 검출 방법.
5. The method of claim 4,
Each process according to steps (a) to (d) is a method of detecting a bad pixel of an organic light emitting diode display, which is performed in a power-on period of the organic light emitting diode display.
영상을 표시하는 표시 패널;
게이트 라인을 통해 상기 표시 패널에 게이트 신호를 공급하며, 게이트 라인 블록에 대해 순차적인 블록 단위의 디펙트(defect) 검출용 게이트 신호를 공급하는 게이트 회로부;
상기 게이트 신호 및 디펙트 검출용 게이트 신호에 대응되도록, 데이터 라인을 통해 상기 표시 패널에 데이터 신호를 공급하는 데이터 회로부; 및
상기 게이트 회로부 및 데이터 회로부에 제어 신호를 공급하고, 상기 게이트 라인에 대해 인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 상기 게이트 라인 블록을 설정하는 제어 회로부;를 포함하는 유기발광 표시 장치.
a display panel for displaying an image;
a gate circuit unit for supplying a gate signal to the display panel through a gate line, and for supplying a gate signal for detecting defects sequentially in block units to gate line blocks;
a data circuit unit configured to supply a data signal to the display panel through a data line to correspond to the gate signal and the defect detection gate signal; and
and a control circuit unit for supplying a control signal to the gate circuit unit and the data circuit unit, and for setting two or more gate line blocks including a plurality of gate lines adjacent to the gate line as one block.
제 7 항에 있어서,
상기 제어 회로부는, 상기 디펙트가 검출된 블록에 대해 추가적인 하위 블록의 구성이 불가능 할 때까지 단계적으로 하위 블록을 반복 설정하여, 상기 각각의 하위 블록에 대해 디펙트 검출을 수행하며,
추가적인 하위 블록의 구성이 불가능한 경우, 해당 블록을 구성하는 각각의 게이트 라인에 대한 라인 검색을 통해 디펙트가 발생된 불량 화소를 검출하는 유기발광 표시 장치.
8. The method of claim 7,
The control circuit unit repeatedly sets sub-blocks step by step until it is impossible to configure additional sub-blocks for the block in which the defect is detected, and performs defect detection for each sub-block,
An organic light emitting diode display that detects a defective pixel through a line search for each gate line constituting a corresponding block when it is impossible to configure an additional sub-block.
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
상기 제어 회로부가 전체 게이트 라인에 대해 인접하는 복수개의 게이트 라인을 하나의 블록으로 하는 2 이상의 게이트 라인 블록을 설정함에 있어서, 각각의 블록을 구성하는 상기 게이트 라인의 수는, 게이트 공급부를 통해 공급 가능한 최대 전압치를 고려해 설정되는 유기발광 표시 장치.
9. The method according to claim 7 or 8,
When the control circuit unit sets two or more gate line blocks including a plurality of adjacent gate lines as one block for all gate lines, the number of the gate lines constituting each block may be supplied through the gate supply unit. An organic light emitting display device that is set in consideration of the maximum voltage value.
제 9 항에 있어서,
상기 검출된 불량 화소 정보를 저장 및 관리하는 메모리;를 더 포함하되,
상기 메모리를 통해 저장 및 관리되는 상기 불량 화소 정보에 대응되는 불량 화소는, 추후 불량 화소 검출 과정에서 제외되는 유기발광 표시 장치.
10. The method of claim 9,
and a memory for storing and managing the detected bad pixel information;
The bad pixel corresponding to the bad pixel information stored and managed through the memory is excluded from the bad pixel detection process later.
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