KR102434418B1 - Manufacturing Method for Carrier Used in Polishing Wafer for Seimi-Conductor - Google Patents

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KR102434418B1
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Abstract

A method for manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer is disclosed. The present invention is implemented through a process of performing laser patterning on the surface of a main body part of a metal carrier, and a process of etching the surface of the main body part of the metal carrier. According to the present invention, product deformation does not occur in a process of implementing roughness on the surface of the carrier, and a more uniform roughness value can be formed.

Description

반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법{Manufacturing Method for Carrier Used in Polishing Wafer for Seimi-Conductor}Carrier manufacturing method used in the polishing process of semiconductor wafers {Manufacturing Method for Carrier Used in Polishing Wafer for Seimi-Conductor}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 캐리어의 표면에 조도(Roughness)를 구현하는 과정에서 제품 변형이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 보다 균일한 조도값을 형성할 수 있도록 하는 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer, and more particularly, not only does not cause product deformation in the process of implementing roughness on the surface of the carrier, but also provides a more uniform roughness value. It relates to a method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer to be formed.

반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어를 제조하는 과정에서 캐리어의 표면에 조도(Roughness)를 구현하는 방법으로는 쇼트피닝 방법, 샌드블라스트 방법, 연마재를 통한 연마(Polishing) 방법 등이 있다.Methods for implementing roughness on the surface of a carrier in the process of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer include a shot peening method, a sandblasting method, a polishing method using an abrasive, and the like.

이 중에서 쇼트피닝 방법과 샌드블라스트 방법에 의하는 경우 캐리어 제품에 휨 변형이 발생하게 되는 문제가 있다.Among them, when the shot peening method and the sandblasting method are used, there is a problem in that bending deformation occurs in the carrier product.

또한, 연마재를 통한 연마 방법에 의하는 경우에는 연마 과정에서 캐리어 표면에 연마재가 박힘으로 인해 이를 제거하기 위해서 연마 부위에 대한 재연마가 필요하게 됨에 따라 결과적으로 표면 조도가 낮아지게 되는 문제가 있다.In addition, in the case of the polishing method through the abrasive, there is a problem in that the surface roughness is lowered as a result as re-polishing of the abrasive area is required to remove the abrasive due to the abrasive being embedded in the surface of the carrier during the polishing process.

따라서, 본 발명의 목적은, 캐리어의 표면에 조도(Roughness)를 구현하는 과정에서 제품 변형이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 보다 균일한 조도값을 형성할 수 있도록 하는 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention, a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer so that product deformation does not occur in the process of implementing roughness on the surface of the carrier, and a more uniform roughness value can be formed. To provide a manufacturing method.

본 발명의 해결하고자 하는 과제는 언급한 과제로 제한되지 않으며, 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있는 다른 기술적 과제들을 포함한다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the aforementioned problems, and includes other technical problems that can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the following description.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법은, 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에 있어서, (a) 금속재 캐리어의 본체부 표면을 레이저 패터닝 처리하는 단계; 및 (b) 상기 금속재 캐리어의 본체부 표면을 에칭 처리하는 단계를 포함한다.In the carrier manufacturing method used in the polishing process of a semiconductor wafer according to the present invention for achieving the above object, in the carrier manufacturing method used in the polishing process of a semiconductor wafer, (a) the surface of the body portion of the metal carrier is laser patterned to do; and (b) etching the surface of the body portion of the metal carrier.

바람직하게는, 상기 (a) 단계는, 상기 본체부의 컷아웃의 외주 부위에 레이저를 점(dot) 형태로 주사하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the step (a) is characterized in that the laser is scanned in the form of dots on the outer periphery of the cutout of the main body.

또한, 상기 레이저 패터닝 처리에 의해 본체부 표면의 기본 조도가 형성되고, 상기 에칭 처리에 의해 상기 본체부 표면에 추가 조도가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the basic roughness of the surface of the body part is formed by the laser patterning process, and additional roughness is formed on the surface of the body part by the etching process.

또한, 상기 레이저 패터닝 처리에 의해 상기 본체부 표면에 형성된 버(Burr)가 상기 에칭 처리에 의해 제거되는 것을 특징으로 한다.In addition, it is characterized in that the burr (Burr) formed on the surface of the body portion by the laser patterning process is removed by the etching process.

또한, 상기 (a) 단계 이전에, 상기 금속재 캐리어의 본체부 표면을 경질 코팅 처리하는 단계를 더 포함한다.In addition, before the step (a), the method further comprises the step of hard coating the surface of the body portion of the metal carrier.

또한, 상기 경질 코팅 처리는 DLC(diamond-like carbon) 코팅 처리 또는 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 처리인 것을 특징으로 한다.In addition, the hard coating treatment is characterized in that DLC (diamond-like carbon) coating treatment or silicon carbide (SiC) coating treatment.

본 발명에 따르면, 캐리어의 표면에 조도(Roughness)를 구현하는 과정에서 제품 변형이 발생하지 않을 뿐만 아니라, 보다 균일한 조도값을 형성할 수 있게 된다.According to the present invention, product deformation does not occur in the process of implementing roughness on the surface of the carrier, and it is possible to form a more uniform roughness value.

본 발명의 효과는 언급한 효과로 제한되지 않으며, 이하의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있는 다른 효과들을 포함한다.The effects of the present invention are not limited to the aforementioned effects, and include other effects that can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법의 실행 과정을 설명하는 절차 흐름도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서의 레이저 패터닝 공정을 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서의 레이저 패터닝 처리된 캐리어 표면의 확대 사진 도면,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서의 레이저 패터닝 처리를 위해 조사되는 레이저 형태를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서의 에칭 처리 공정을 나타낸 도면,
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서의 에칭 처리된 캐리어 표면의 확대 사진 도면, 및
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법에서 가공되는 캐리어의 컷아웃 주변부를 나타낸 도면이다.1 is a flowchart illustrating an execution process of a carrier manufacturing method used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
2 is a view showing a laser patterning process in a carrier manufacturing method used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
3 is an enlarged photograph of a surface of a carrier subjected to laser patterning in a method for manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
4 is a view showing the form of a laser irradiated for laser patterning in a method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
5 is a view showing an etching process in a carrier manufacturing method used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
6 is an enlarged photograph of a carrier surface etched in a carrier manufacturing method used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention;
7 is a view illustrating a cutout periphery of a carrier processed in a method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 한 어느 곳에서든지 동일한 부호들로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. It should be noted that the same components in the drawings are denoted by the same reference numerals wherever possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the gist of the present invention will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법의 실행 과정을 설명하는 절차 흐름도이다. 이하에서는 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법의 실행 과정을 설명하기로 한다.1 is a flowchart illustrating an execution process of a method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. Hereinafter, an execution process of the carrier manufacturing method used in the polishing process of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1 .

제조자는 먼저 금속재 캐리어(100)의 본체부 표면을 경질 코팅 처리함으로써 표면 경도(hardness)가 13Gpa 내지 18Gpa의 값으로 형성되도록 할 수 있으며, 이를 통해 캐리어(100)의 내마모성 및 그에 따른 제품 수명을 개선시킬 수 있을 것이다(S110).The manufacturer can first hard coat the surface of the body portion of the metal carrier 100 so that the surface hardness is formed to a value of 13 Gpa to 18 Gpa, thereby improving the abrasion resistance of the carrier 100 and thus the product life. It will be possible to do (S110).

본 발명을 실시함에 있어서, 이와 같은 경질 코팅 처리는 DLC(diamond-like carbon) 코팅 처리 또는 실리콘 카바이드(SiC) 코팅 처리가 될 수 있을 것이다.In practicing the present invention, the hard coating process may be a diamond-like carbon (DLC) coating process or a silicon carbide (SiC) coating process.

제조자는 이와 같이 캐리어 표면의 경질 코팅 공정을 후술하는 캐리어 표면에서의 조도 형성 공정에 앞서 실행함으로써 경질 코팅 처리로 인해 캐리어 표면 조도가 낮아지는 것을 방지할 수 있게 된다.The manufacturer can prevent the carrier surface roughness from being lowered due to the hard coating treatment by performing the hard coating process of the carrier surface prior to the roughness forming process on the carrier surface, which will be described later.

그 다음, 제조자는 도 2에서와 같이 레이저 마킹 장비(10)를 통해 금속재 캐리어(100)의 본체부 표면을 레이저 패터닝(laser Patterning) 처리함으로써, 도 3에서와 같이 캐리어 표면에 조도를 형성한다(S130).Next, the manufacturer forms the roughness on the surface of the carrier as in FIG. 3 by laser patterning the surface of the body part of the metal carrier 100 through the laser marking equipment 10 as in FIG. 2 ( S130).

구체적으로, 제조자는 도 7에서와 같이 캐리어(100)의 본체부에 구비된 컷아웃(150)의 외주 부위에 레이저 패터닝 처리를 함으로써 반도체 웨이퍼의 연마에 필요한 조도가 컷아웃(150)의 외주 부위에 형성되도록 할 수 있을 것이다.Specifically, as shown in FIG. 7 , the manufacturer performs laser patterning on the outer periphery of the cutout 150 provided in the body portion of the carrier 100 so that the roughness required for polishing the semiconductor wafer is determined at the outer periphery of the cutout 150 . can be formed in

보다 구체적으로, 제조자는 티타늄 또는 스테인리스 스틸 등의 금속재의 캐리어(100)의 본체부 표면에 레이저 마킹 장비(10)로부터의 레이저가 점(dot)형태로 조사되도록 함으로써 표면 조도를 형성할 수 있으며, 레이저 마킹 장비(10)에서의 레이저 출력값과 조사 간격(pitch)값을 선택하여 레이저 마킹 장비(10)를 조작함으로써 필요에 따라 캐리어 표면에 형성되는 조도값을 선택할 수도 있을 것이다.More specifically, the manufacturer can form the surface roughness by allowing the laser from the laser marking equipment 10 to be irradiated in the form of dots on the surface of the body portion of the carrier 100 of a metallic material such as titanium or stainless steel, By operating the laser marking equipment 10 by selecting the laser output value and the irradiation interval (pitch) value in the laser marking equipment 10, it may be possible to select the illuminance value formed on the carrier surface as needed.

아울러, 본 발명을 실시함에 있어서, 제조자는 레이저 마킹 장비(10)를 통해 조사되는 레이저 형태를 도 4에서와 같이 (a)일자 형태, (b)격자 형태 및 (c)원형 형태 중에서 선택하여 레이저 마킹 장비(10)를 조작함으로써, 필요에 따라 캐리어 표면에 형성되는 조도값을 선택할 수도 있을 것이다.In addition, in carrying out the present invention, the manufacturer selects the laser form irradiated through the laser marking equipment 10 from among (a) a straight form, (b) a grid form, and (c) a circular form as shown in FIG. By manipulating the marking equipment 10, it may be possible to select the roughness value formed on the carrier surface as needed.

이와 같이 본 발명에서는 제조자가 레이저 마킹 장비(10)의 정교한 조작을 통해 캐리어(100)의 표면 조도를 형성할 수 있게 됨에 따라, 보다 정교하면서도 균일한 조도값을 형성할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, as the manufacturer can form the surface roughness of the carrier 100 through the precise manipulation of the laser marking equipment 10, it is possible to form a more sophisticated and uniform roughness value.

그 다음 제조자는 레이저 패터닝 처리된 캐리어 표면에 대해 도 5에서와 같이 에칭(etching) 처리를 실행함으로써, 전술한 S130 단계에서의 레이저 패터닝 처리 과정에서 캐리어 본체부의 표면에 형성된 버(Burr)가 제거되도록 할 수 있을 것이다(S150).Then, the manufacturer performs an etching process as in FIG. 5 on the surface of the carrier subjected to laser patterning, so that burrs formed on the surface of the carrier body in the laser patterning process in step S130 are removed. It will be possible (S150).

아울러, 이와 같은 에칭 처리에 의하면 전술한 S130 단계에서의 레이저 조사에 의한 점(dot) 형태의 조도 가공 영역 사이에 도 6에서와 같이 추가의 조도 가공 영역이 형성됨에 따라, 캐리어(100)의 표면에서의 보다 균일한 조도 형성이 가능하게 된다.In addition, according to this etching process, as an additional roughening area is formed as in FIG. 6 between the dot-shaped roughening areas by laser irradiation in step S130 described above, the surface of the carrier 100 It is possible to form a more uniform illuminance in

즉, 본 발명에서는 도 7에서와 같이 캐리어(100)의 본체부에 구비된 컷아웃(150)의 외주 부위에 레이저 패터닝 처리 후 에칭 처리를 함으로써, 반도체 웨이퍼의 평탄도 품질에 가장 큰 영향을 주는 컷아웃(150)의 외주 부위에 균일한 조도를 형성할 수 있게 될 뿐만 아니라, 대형 캐리어에서의 레이저 패터닝 처리 시간을 단축시킬 수 있게 됨에 따라 제조 공정의 효율성을 도모할 수 있을 것이다.That is, in the present invention, as shown in FIG. 7 , by performing an etching process after laser patterning on the outer periphery of the cutout 150 provided in the body part of the carrier 100, the flatness quality of the semiconductor wafer is most affected. In addition to being able to form a uniform roughness on the outer periphery of the cutout 150, it is possible to shorten the laser patterning processing time in the large carrier, thereby increasing the efficiency of the manufacturing process.

구체적으로, 제조자는 이와 같은 S150 단계에서의 캐리어 표면의 에칭 처리를 실행함에 있어서, 캐리어 표면을 40~48wt% KOH, NaOH, LiOH 등과 같은 알칼리계 에칭 용액을 이용하여 1차 에칭을 실행함으로써 캐리어 표면에서의 얼룩 및 유분을 충분히 제거한 후, 캐리어 표면을 수세 처리할 수 있을 것이다.Specifically, in carrying out the etching treatment of the carrier surface in the step S150, the manufacturer performs primary etching on the carrier surface using an alkaline etching solution such as 40 to 48 wt% KOH, NaOH, LiOH, etc. After sufficiently removing stains and oils, the surface of the carrier may be washed with water.

그 다음, 제조자는 42~52wt% 플루오린화 암모늄(Ammonium fluoride, NH4F)을 함유하는 에칭 용액에 캐리어(100)를 담그거나(dipping), 해당 에칭 용액을 캐리어(100)의 표면에 뿌림(spraying)으로써 2차 에칭을 실행할 수 있을 것이다.Then, the manufacturer dipping the carrier 100 in an etching solution containing 42 to 52 wt% ammonium fluoride (NH4F), or spraying the etching solution on the surface of the carrier 100 (spraying) As a result, secondary etching may be performed.

제조자는 이와 같은 2차 에칭의 실행을 통해 금속재 캐리어 표면 광택을 제거함으로써, 후술하는 3차 에칭의 효과를 증대시킬 수도 있을 것이다.The manufacturer may be able to increase the effect of the tertiary etching described later by removing the gloss of the metal carrier surface through the execution of the secondary etching.

구체적으로, 플루오린화 암모늄은 육방 결정계 바늘 모양 결정을 가지는 무색 물질로서, 이와 같은 플루오린화 암모늄 용액은 유리 및 금속의 광택 제거, 재료의 방부 처리를 위해 사용될 수 있다.Specifically, ammonium fluoride is a colorless substance having hexagonal acicular crystals, and such an ammonium fluoride solution can be used for deglazing glass and metal, and for antiseptic treatment of materials.

제조자는 이와 같이 2차 에칭 처리된 캐리어(100)의 본체부 표면을 수세 처리한 후 38~54wt%의 질산을 함유하는 에칭 용액에 담그거나(dipping), 해당 에칭 용액을 캐리어 본체부의 표면에 뿌림(spraying)으로써 3차 에칭을 실행할 수 있을 것이다.The manufacturer, after washing the surface of the body part of the carrier 100 subjected to the secondary etching process in this way, is immersed in an etching solution containing 38 to 54 wt% of nitric acid (dipping), or the etching solution is sprayed on the surface of the carrier body part (spraying) may be able to carry out the third etching.

이와 같은 3차 에칭에 의하면, 전술한 S130 단계에서의 레이저 조사에 의한 점(dot) 형태의 조도 가공 영역 사이에 도 6에서와 같이 추가의 조도 가공 영역이 형성됨에 따라, 캐리어(100)의 표면에서의 보다 균일한 조도 형성이 가능하게 된다.According to this tertiary etching, as an additional roughening area is formed as in FIG. 6 between the dot-shaped roughening areas by laser irradiation in step S130 described above, the surface of the carrier 100 It is possible to form a more uniform illuminance in

이후 제조자는 3차 에칭 처리된 캐리어(100)의 본체부 표면을 수세 처리한 후, 에어 분사 방식으로 건조 처리함으로써 본 발명에 따른 캐리어(100)의 제조를 완료하게 된다.Thereafter, the manufacturer completes the manufacture of the carrier 100 according to the present invention by washing the surface of the body portion of the carrier 100 subjected to the tertiary etching treatment with water, and then drying the surface by an air spraying method.

본 발명자는 상술한 방법을 통해 캐리어(100)를 수차례 시험 제조한 후 각 캐리어(100)에서의 표면 조도를 측정한 결과, 하기의 표 1에서와 같이 종래 기술에 따른 연마(Polishing) 방법을 통해 형성되는 표면 조도 대비 개선된 효과를 확인할 수 있었다.As a result of measuring the surface roughness of each carrier 100 after test-manufactured several times through the above-described method, the present inventors use a polishing method according to the prior art as shown in Table 1 below. It was possible to confirm the improved effect compared to the surface roughness formed through the

Figure 112022026128164-pat00001
Figure 112022026128164-pat00001

아울러, 본 발명을 실시함에 있어서, 제조자는 전술한 S130 단계에서의 레이저 패터닝 처리 및 전술한 S150 단계에서의 에칭 처리로 이루어지는 조도 형성 공정을 필요에 따라 수차례 반복하여 실행함으로써 필요한 표면 조도값을 확보할 수도 있을 것이다.In addition, in implementing the present invention, the manufacturer secures the required surface roughness value by repeatedly executing the roughness forming process consisting of the laser patterning process in step S130 and the etching process in step S150 described above several times as needed. you might be able to

본 발명에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It is to be understood that this does not preclude the possibility of the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예 및 응용예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예 및 응용예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.In the above, preferred embodiments and applications of the present invention have been illustrated and described, but the present invention is not limited to the specific embodiments and applications described above, and the present invention is not limited to the scope of the present invention as claimed in the claims. Various modifications may be made by those skilled in the art to which this belongs, of course, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or prospect of the present invention.

10: 레이저 마킹 장비, 100: 캐리어,
150: 컷아웃. 10: laser marking equipment, 100: carrier,
150: cutout.

Claims (3)

반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어의 제조 방법에 있어서,
(a) 금속재 캐리어의 본체부 표면을 경질 코팅 처리하는 단계;
(b) 경질 코팅 처리된 상기 금속재 캐리어의 본체부 표면에 반도체 웨이퍼의 연마를 위한 조도가 형성되도록 상기 금속재 캐리어의 본체부 표면을 레이저 패터닝 처리하는 단계; 및
(c) 상기 금속재 캐리어의 본체부 표면을 에칭 처리하는 단계
를 포함하며,
상기 (c) 단계는,
(c1) 알칼리계 에칭 용액을 이용하여 1차 에칭 처리하는 단계;
(c2) 플루오린화 암모늄(Ammonium fluoride, NH4F)을 함유하는 에칭 용액을 이용하여 2차 에칭 처리하는 단계; 및
(c3) 질산을 함유하는 에칭 용액을 이용하여 3차 에칭 처리하는 단계
를 포함하는 것인 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법.
In the manufacturing method of the carrier used in the polishing process of a semiconductor wafer,
(a) hard coating the surface of the body portion of the metal carrier;
(b) laser patterning the surface of the body of the metal carrier to form a roughness for polishing a semiconductor wafer on the surface of the body of the metal carrier subjected to hard coating; and
(c) etching the surface of the body portion of the metal carrier;
includes,
Step (c) is,
(c1) performing a primary etching treatment using an alkaline etching solution;
(c2) performing a secondary etching process using an etching solution containing ammonium fluoride (NH4F); and
(c3) performing a third etching treatment using an etching solution containing nitric acid
A carrier manufacturing method used in the polishing process of a semiconductor wafer comprising a.
 제1항에 있어서,
상기 (a) 단계는,
상기 본체부의 컷아웃의 외주 부위에 레이저를 점(dot) 형태로 주사하는 것인 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법.
According to claim 1,
The step (a) is,
A method of manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer to scan a laser in the form of a dot on the outer periphery of the cutout of the main body.
 제1항에 있어서,
상기 레이저 패터닝 처리에 의해 상기 본체부 표면에 형성된 버(Burr)가 상기 에칭 처리에 의해 제거되는 것인 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 제조 방법.





According to claim 1,
A method for manufacturing a carrier used in a polishing process of a semiconductor wafer, wherein a burr formed on the surface of the body portion by the laser patterning process is removed by the etching process.
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