KR102426224B1 - Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same - Google Patents
Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR102426224B1 KR102426224B1 KR1020170152187A KR20170152187A KR102426224B1 KR 102426224 B1 KR102426224 B1 KR 102426224B1 KR 1020170152187 A KR1020170152187 A KR 1020170152187A KR 20170152187 A KR20170152187 A KR 20170152187A KR 102426224 B1 KR102426224 B1 KR 102426224B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- delete delete
- heating
- plate
- guide plate
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
Abstract
본 발명은 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 기판 가열 장치는, 기판을 가열하는 가열 플레이트와, 기판과 가열 플레이트의 사이에 열풍을 공급하는 열풍공급부와, 기판과 가열 플레이트의 사이에 배치되며 열풍을 기판의 저면으로 안내하는 관통홀이 형성된 하부 가이드 플레이트를 포함한다.The present invention relates to a substrate heating apparatus and a substrate processing system having the same, comprising: a heating plate for heating a substrate; a hot air supply unit for supplying hot air between the substrate and the heating plate; It is disposed between and includes a lower guide plate formed with a through hole for guiding the hot air to the bottom surface of the substrate.
Description
본 발명은 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 피처리 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 가열 장치 및 이를 구비한 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate heating apparatus and a substrate processing system having the same, and more particularly, to a substrate heating apparatus capable of suppressing the occurrence of stains by uniformly heat-drying a chemical applied to a substrate to be processed, and a substrate processing having the same It's about the system.
최근 들어 반도체의 수율 및 생산성을 높이기 위한 다양한 시도가 이루어지고 있다.Recently, various attempts have been made to increase the yield and productivity of semiconductors.
이 중, 패널 레벨 패키지(Panel Level Package ; PLP)는, 반도체 패키지용 PCB(인쇄회로기판)이 없이 저렴한 비용으로 입출력이 많은 고성능 반도체 칩을 패키징(칩과 기기를 잇는 선을 패널에 직접 심는 패키징)하는 기술로서, 웨이퍼 레벨 패키지(WLP) 공정보다도 앞선 기술로 평가되고 있다.Among them, the Panel Level Package (PLP) is a packaging in which a high-performance semiconductor chip with a lot of input and output is packaged at a low cost without a PCB (printed circuit board) for a semiconductor package (a line connecting the chip and the device is directly planted on the panel) ), it is evaluated as a technology that is more advanced than the wafer level package (WLP) process.
반도체 패키지를 제조하는 공정에서는 피처리 기판의 표면에 레지스트액 등의 약액을 도포하는 코팅 공정이 수반된다. 피처리 기판의 크기가 작았던 종래에는 피처리 기판의 중앙부에 약액을 도포하면서 피처리 기판을 회전시키는 것에 의하여 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하는 스핀 코팅 방법이 사용되었다.In the process of manufacturing a semiconductor package, a coating process of applying a chemical solution such as a resist solution to the surface of a substrate to be processed is accompanied. Conventionally, when the size of the substrate to be processed is small, a spin coating method in which a chemical is applied to the surface of the substrate to be processed by rotating the substrate while applying the chemical to the central portion of the substrate to be processed has been used.
그러나, 피처리 기판의 크기가 대형화됨에 따라 스핀 코팅 방식은 거의 사용되지 않으며, 피처리 기판의 폭에 대응하는 길이를 갖는 슬릿 형태의 슬릿 노즐과 피처리 기판을 상대 이동시키면서 슬릿 노즐로부터 약액을 피처리 기판의 표면에 도포하는 방식의 코팅 방법이 사용되고 있다.However, as the size of the target substrate increases, the spin coating method is rarely used, and the chemical solution is avoided from the slit nozzle while the slit-type slit nozzle having a length corresponding to the width of the target substrate and the target substrate are moved relative to each other. A coating method of applying to the surface of a treated substrate is used.
보다 구체적으로, 반도체 패키지를 제조하는 공정은, 피처리 기판의 표면에 약액을 도포하고, 도포된 약액을 건조시키고, 약액을 건조시킨 후에 필요한 패턴으로 노광하는 등의 공정을 순차적으로 거치면서 행해진다.More specifically, the process of manufacturing a semiconductor package is performed while sequentially passing through steps such as applying a chemical to the surface of the substrate to be processed, drying the applied chemical, drying the chemical, and then exposing in a required pattern. .
한편, 기판에 도포된 약액이 건조되는 중에 가열 온도 편차가 발생하면, 기판의 표면에 도포된 약액의 건조가 불균일해져 얼룩이 발생되는 문제가 발생하기 때문에 공정 중에 기판의 가열 온도가 전체적으로 균일하게 유지될 수 있어야 한다.On the other hand, if the heating temperature deviation occurs while the chemical liquid applied to the substrate is dried, the drying of the chemical liquid applied to the surface of the substrate becomes non-uniform and causes a problem of staining, so that the heating temperature of the substrate is maintained uniformly throughout the process should be able
그러나, 기존에는 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하기 어렵고, 기판의 영역별로 온도 편차가 발생하더라도 이를 보정할 수 없어, 온도 편차가 발생한 상태에서 건조 공정이 행해짐에 따라, 약액 코팅막의 두께 균일도가 저하되고, 얼룩이 발생되는 문제점이 있다.However, in the prior art, it is difficult to heat the entire area of the substrate to a uniform temperature, and even if a temperature deviation occurs for each area of the substrate, it cannot be corrected. is lowered, and there is a problem that stains are generated.
이에 따라, 최근에는 기판의 가열 건조 공정 중에 기판의 가열 온도를 균일하게 유지시키기 위한 다양한 검토가 이루어지고 있으나, 아직 미흡하여 이에 대한 개발이 요구되고 있다.Accordingly, in recent years, various studies have been made to maintain a uniform heating temperature of the substrate during the heating and drying process of the substrate, but the development thereof is still insufficient.
본 발명은 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the occurrence of stains by uniformly thermally drying a chemical solution applied to a substrate.
특히, 본 발명은 기판에 도포된 약액을 가열 건조시키는 과정에서, 기판을 전체적으로 균일하게 가열할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In particular, an object of the present invention is to allow the entire substrate to be uniformly heated in the process of heating and drying a chemical solution applied to the substrate.
또한, 본 발명은 기판의 가열 온도 편차를 보상할 수 있으며, 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to be able to compensate for the variation in the heating temperature of the substrate, and to suppress the occurrence of stains by uniformly thermally drying the chemical solution applied to the substrate.
또한, 본 발명은 약액 도포층의 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 약액 코팅막의 품질을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to make it possible to uniformly form the thickness of the chemical coating layer and to improve the quality of the chemical coating film.
또한, 본 발명은 본 발명은 수율 및 공정 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to improve the yield and process efficiency.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 기판이 가열플레이트에 의해 가열됨과 동시에 열풍에 의해 가열되도록 하는 것에 의하여, 가열 건조 공정 중에 기판의 가열 온도 편차를 최소화할 수 있으며, 가열 온도 편차에 따른 얼룩 발생을 최소화할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above-described objects of the present invention, by allowing the substrate to be heated by the hot air at the same time as being heated by the heating plate, it is possible to minimize the heating temperature deviation of the substrate during the heat drying process. And it is possible to minimize the occurrence of stains due to the heating temperature deviation.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판에 도포된 약액을 균일하게 열건조시켜 얼룩의 발생을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of suppressing the occurrence of stains by uniformly heat-drying the chemical applied to the substrate.
특히, 본 발명에 따르면 기판에 도포된 약액을 가열 건조시키는 과정에서, 기판의 가열 온도 편차를 최소화할 수 있으며, 가열 온도 편차에 따른 얼룩 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In particular, according to the present invention, in the process of heating and drying the chemical applied to the substrate, it is possible to minimize the heating temperature deviation of the substrate, and it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of stains due to the heating temperature deviation.
또한, 본 발명에 따르면 가열 건조 공정 중에 기판의 특정 영역에서 온도의 외란(disturbance)이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of minimizing the occurrence of temperature disturbance in a specific region of the substrate during the heat drying process.
또한, 본 발명에 따르면 가열 건조 공정 중에 기판의 영역별로 온도 편차가 발생하더라도, 기판의 온도 편차를 보상하여 얼룩의 발생을 억제하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, even if a temperature deviation occurs for each region of the substrate during the heating and drying process, it is possible to obtain an advantageous effect of suppressing the occurrence of unevenness by compensating for the temperature deviation of the substrate.
또한, 본 발명에 따르면 약액 도포층의 두께를 균일하게 형성할 수 있으며, 약액 코팅막의 품질을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, the thickness of the chemical coating layer can be uniformly formed, and advantageous effects of improving the quality of the chemical coating film can be obtained.
또한, 본 발명에 따르면 수율 및 공정 효율을 향상시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In addition, according to the present invention, it is possible to obtain an advantageous effect of improving the yield and process efficiency.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 도면,
도 2는 도 1의 가열 건조 유닛을 도시한 단면도,
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 시스템으로서, 가열 플레이트와 하부 가이드 플레이트를 설명하기 위한 도면,
도 5는 도 1의 'A'부분의 확대도,
도 6은 도 1의 'B'부분의 확대도,
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 도면이다.1 is a view for explaining a substrate processing system according to the present invention;
Figure 2 is a cross-sectional view showing the heat drying unit of Figure 1;
3 and 4 are views for explaining a heating plate and a lower guide plate as a substrate processing system according to the present invention;
5 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 1;
6 is an enlarged view of part 'B' of FIG. 1;
7 and 8 are diagrams for explaining a substrate processing system according to another embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 이러한 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. For reference, the same numbers in this description refer to substantially the same elements, and may be described by citing the contents described in other drawings under these rules, and the contents determined to be obvious to those skilled in the art or repeated may be omitted.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1의 가열 건조 유닛을 도시한 단면도이며, 도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치로서, 가열 플레이트와 하부 가이드 플레이트를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 5는 도 1의 'A'부분의 확대도이고, 도 6은 도 1의 'B'부분의 확대도이다.FIG. 1 is a view for explaining a substrate processing apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating the heat drying unit of FIG. 1 , and FIGS. 3 and 4 are a substrate processing apparatus according to the present invention, including a heating plate and It is a view for explaining the lower guide plate. Also, FIG. 5 is an enlarged view of part 'A' of FIG. 1 , and FIG. 6 is an enlarged view of part 'B' of FIG. 1 .
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 피처리 기판에 대한 약액 도포 공정을 처리하는 기판 처리 시스템(1)은, 기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛(200)과; 기판을 이송하는 이송 유닛(300)과; 가열 플레이트(410)와, 기판과 가열 플레이트(410)의 사이에 열풍을 공급하는 열풍공급부(420)와, 기판과 가열 플레이트(410)의 사이에 배치되며 열풍을 기판의 저면으로 안내하는 관통홀(432)이 형성된 하부 가이드 플레이트(430)를 구비하며, 이송 유닛(300)으로부터 기판을 이송받아 기판에 도포된 약액을 가열 건조하는 가열 건조 유닛(400)을; 포함한다.1 to 6 , a
여기서, 기판(10)에 대한 약액 코팅 공정이라 함은, 기판(10)의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 공정과, 기판(10)의 표면에 도포된 약액을 가열 건조하는 가열 건조 공정을 포함하는 것으로 정의된다.Here, the chemical coating process on the
약액 도포 유닛(200)은 기판(10)의 표면에 약액(예를 들어, 레지스트액 ; PR)을 도포하도록 구비된다.The chemical
여기서, 약액 도포 유닛(200)에 의해 약액이 도포되는 영역은 피처리 기판(10)의 전체 표면이거나, 기판(10)의 표면 중 일부일 수 있다.Here, the area to which the chemical is applied by the
일 예로, 약액 도포 유닛(200)은 기판(10)의 이송 경로 양측에 설치되는 겐트리에 결합되어 기판(10)의 표면에 약액을 도포하도록 구비된다. 아울러, 약액 도포 유닛(200)의 저단부에는 기판(10)의 너비와 대응하는 길이의 슬릿 노즐이 형성되며, 슬릿 노즐을 통해 약액이 분사되어 기판(10)의 표면에 도포될 수 있다.For example, the
아울러, 약액 도포 유닛(200)에는 예비토출장치(미도시)가 구비될 수 있다. 예비토출장치는 슬릿 노즐을 통해 기판(10)상에 약액을 도포하기 직전에 슬릿 노즐 토출구 측에 잔류되어 있는 도포액을 탈락시킴과 아울러 차후 양호한 도포를 위해 토출구를 따라 약액 비드층을 미리 형성할 수 있다.In addition, the chemical
또한, 기판(10)에 약액을 도포하기 전에 기판(10)이 대기되는 인덱스 유닛(100)이 구비될 수 있다.In addition, the
인덱스 유닛(100)은 약액 도포 유닛(200)에 인접하게 배치되며, 인덱스 유닛(100)에는 약액이 도포될 적어도 하나 이상의 기판(10)이 미리 대기된다. 이와 같이, 약액 도포 유닛(200)에 인접한 인덕스 유닛에 피처리 기판(10)이 미리 대기하도록 하는 것에 의하여, 약액 도포 유닛(200)으로의 기판(10) 공급을 보다 신속하고 정확하게 행하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.The
이송 유닛(300)은 미리 설정된 코팅 처리 경로를 따라 기판(10)을 이송시키도록 마련된다.The
여기서, 기판(10)의 코팅 처리 경로라 함은, 기판(10)이 이송되면서 처리되는 경로로 정의된다. 보다 구체적으로, 이송 유닛(300)은, 인덱스 유닛(100)에서 약액 도포 유닛(200)으로 기판(10)을 이송하고, 그 후 약액이 도포된 기판(10)을 약액 도포 유닛(200)에서 가열 건조 유닛(400)으로 이송한다.Here, the coating processing path of the
이송 유닛(300)으로서는 통상의 이송 로봇이 사용될 수 있으며, 이송 유닛(300)의 종류 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.A conventional transfer robot may be used as the
가열 건조 유닛(400)은 약액 도포 유닛(200)으로부터 약액이 도포된 상태로 이송된 기판(10)을 가열하여 약액을 건조시키도록 구비된다.The
보다 구체적으로, 가열 건조 유닛(400)은 기판을 가열하는 가열 플레이트(410)와, 기판과 가열 플레이트(410)의 사이에 열풍을 공급하는 열풍공급부(420)와, 가이드챔버(450)의 전체 횡단면을 가로지르는 형태로 기판과 가열 플레이트(410)의 사이에 배치되며 열풍을 기판의 저면으로 안내하는 관통홀(432)이 형성된 하부 가이드 플레이트(430)를 포함한다.More specifically, the
가열 플레이트(410)는 기판을 가열 가능한 다양한 형태로 형성될 수 있다. 일 예로, 가열 플레이트(410)는 사각 플레이트 형태로 형성될 수 있으며, 약액이 도포된 기판(10)은 이송 유닛(300)에 의하여 가열 플레이트(410)의 상부로 이송된다.The
참고로, 가열 플레이트(410)로서는 기판(10)보다 큰 사이즈를 갖는 하나의 가열 플레이트(410)가 사용될 수 있으나, 경우에 따라서는 기판보다 작은 사이즈를 갖는 복수개의 가열 플레이트(410)를 연속적으로 배치하는 것도 가능하다.For reference, as the
아울러, 기판(10)에 대한 가열 건조 공정 중에 가열 플레이트(410)의 가열 온도는 소정 온도 범위로 균일하게 유지될 수 있다.In addition, the heating temperature of the
경우에 따라서는, 기판에 대한 가열 건조 공정 중에 기판의 가열 온도가 점진적으로 변화(예를 들어, 점진적으로 증가)하도록 구성하는 것도 가능하다. 이와 같이, 기판에 대한 가열 건조 공정 중에 기판의 가열 온도를 단계적으로 증가시키는 것에 의하여, 약액 내의 솔벤트 성분에 의한 얼룩이 남는 것을 억제함으로써, 대기압 보다 낮은 감압 상태에서 건조하는 공정을 배제시키는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In some cases, it is also possible to configure the heating temperature of the substrate to gradually change (eg, gradually increase) during the heating and drying process for the substrate. In this way, by increasing the heating temperature of the substrate stepwise during the heating and drying process for the substrate, by suppressing staining due to the solvent component in the chemical solution, an advantageous effect of excluding the process of drying under reduced pressure lower than atmospheric pressure is obtained. can
열풍공급부(420)는 기판과 가열 플레이트(410)의 사이에 열풍을 공급하도록 구비된다.The hot
열풍공급부(420)는 통상의 히터와 공기펌프 등을 이용하여 열풍을 공급하도록 구성될 수 있으며, 열풍공급부(420)의 구조 및 공급 방식은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The hot
하부 가이드 플레이트(430)는 기판의 하부에 배치되고, 하부 가이드 플레이트(430)에는 기판과 가열 플레이트(410)의 사이로 공급된 열풍을 기판을 저면으로 안내하도록 하부 가이드 플레이트(430)의 전체 표면에 걸쳐 분포되게 복수개의 관통홀(432)이 형성된다.The
일 예로, 하부 가이드 플레이트(430)는 가열 플레이트(410)에 대응되는 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 하부 가이드 플레이트가 여타 다른 형상 및 구조를 갖도록 형성될 수 있으며, 하부 가이드 플레이트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.For example, the
바람직하게, 관통홀(432)은 하부 가이드 플레이트(430)의 세로 및 가로 방향을 따라 균일한 간격으로 이격되게 복수개가 형성된다. 이와 같이, 복수개의 관통홀(432)을 균일한 간격으로 이격되게 형성하는 것에 의하여, 기판의 저면에 전체적으로 균일하게 열풍을 공급할 수 있다.Preferably, a plurality of through-
참고로, 가열 건조 유닛(400)으로 공급된 기판은 지지부재(480)에 의해 하부 가이드 플레이트(430)로부터 이격되게 배치된 상태에서 가열될 수 있다.For reference, the substrate supplied to the
지지부재(480)로서는 기판을 하부 가이드 플레이트(430)로부터 이격되게 지지할 수 있는 다양한 지지수단이 사용될 수 있으며, 지지부재(480)의 종류 및 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 지지부재(480)로서는 기판에 대응하는 지지 면적을 갖는 트레이(481)와, 트레이(481)에 결합되어 관통홀(432)의 일부를 관통하여 선택적으로 승강하는 리프팅핀(482)이 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 기판이 하부 가이드 플레이트의 상면에 안착된 상태에서 기판이 가열되도록 구성하는 것도 가능하다.As the
이와 같이, 기판이 가열 플레이트(410)에 의해서 가열됨과 동시에 기판의 하부에 배치되는 하부 가이드 플레이트(430)에 의해 기판의 저면에 균일하게 열풍이 공급되도록 하는 것에 의하여, 기판에 도포된 약액이 건조되는 중에 기판의 가열 온도 편차를 최소화할 수 있으며, 가열 온도 편차에 따른 얼룩 발생을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, as the substrate is heated by the
더욱이, 가열 플레이트(410)에서 발생된 열이 기판으로 복사됨과 동시에 열풍에 의해 골고루 확산된 상태로 기판에 전체적으로 균일하게 전달되도록 하는 것에 의하여, 기판의 특정 부위, 예를 들어, 기판의 가장자리 영역에서 온도의 외란(disturbance)이 발생하는 것을 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Furthermore, by allowing the heat generated by the
또한, 본 발명은 가열 건조 공정 중에 기판의 영역별로 온도 편차가 발생하더라도 이를 보정할 수 있도록 구성될 수 있다.In addition, the present invention may be configured to compensate for a temperature deviation for each region of the substrate during the heating and drying process.
이를 위해, 본 발명에 따른 기판 처리 시스템은, 기판의 영역별로 온도를 측정하는 온도측정부(402)와, 기판의 영역별 온도에 따라 기판의 영역별로 가열 온도를 제어하는 제어부(404)를 포함한다.To this end, the substrate processing system according to the present invention includes a
온도측정부(402)로서는 기판의 온도를 측정 가능한 통상의 온도센서가 사용될 수 있다. 일 예로, 온도측정부(402)로서는 적외선(IR) 온도센서가 사용될 수 있다. 경우에 따라서는 온도측정부로서 여타 다른 비접촉 온도 센서를 사용하는 것이 가능하다. 다르게는, 온도측정부로서 접촉식 온도센서를 사용하는 것도 가능하다.As the
제어부(404)는 온도측정부(402)에서 측정된 기판(10)의 영역별 온도에 따라 기판의 영역별로 가열 온도를 제어한다.The
제어부(404)에 의한 기판(10)의 영역별 가열 온도 제어는 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 방식으로 행해질 수 있다.The heating temperature control for each area of the
일 예로, 가열 플레이트(410)는, 기판의 영역별로 분할되는 복수개의 분할플레이트(412,414)를 포함하고, 제어부(404)는 분할플레이트(412,414) 별로 가열 온도를 독립적으로 제어한다.For example, the
보다 구체적으로, 가열 플레이트(410)는 기판(10)의 제1영역(Z1)을 제1온도범위(T1)로 가열하는 제1분할플레이트(412)와, 기판(10)의 제2영역(Z2-1~Z2-8)을 제1온도범위와 다른 제2온도범위(T2)로 가열하는 제2분할플레이트(414)를 포함한다.More specifically, the
여기서, 기판(10)의 제1영역(Z1) 및 제2영역(Z2-1~Z2-8)은 요구되는 조건 및 설계 사양에 따라 다양하게 분할될 수 있으며, 제1영역(Z1) 및 제2영역(Z2-1~Z2-8)의 형태 및 사이즈에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Here, the first region Z1 and the second region Z2-1 to Z2-8 of the
바람직하게, 제1분할플레이트(412)는 기판(10)의 중앙부 영역에 배치되고, 제2분할플레이트(414)는 기판(10)의 가장자리 영역에 배치된다. 더욱 바람직하게, 제2분할플레이트(414)는 제1분할플레이트(412)의 가장자리를 따라 배치되며 독립적으로 분할된 복수개의 가장자리 플레이트(414a)를 포함한다. 일 예로, 제1분할플레이트(412)를 중앙부로 하여 제1분할플레이트(412)의 둘레에는 독립적으로 분할된 8개의 가장자리 플레이트(414a)가 배치될 수 있다.Preferably, the
이와 같이, 온도의 외란이 발생될 가능성이 높은 기판(10)의 가장자리 영역에 배치되는 제2분할플레이트(414)를 독립적으로 분할된 복수개의 가장자리 플레이트(414a)로 구성하는 것에 의하여, 기판(10)의 가장자리 영역에서의 발생되는 온도 외란을 보다 정확하고 효과적으로 보정하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, by configuring the
또한, 기판(10)의 영역별 온도에 따라 각 분할플레이트(제1분할플레이트, 가장자리 플레이트)(412,414)의 가열 온도를 독립적으로 조절하는 것에 의하여, 기판(10)의 각 영역별로 공급되는 열풍의 온도도 함께 제어할 수 있다. 일 예로, 제1분할플레이트(412) 보다 가장자리 플레이트(414a)의 가열 온도를 높이면 가장자리 플레이트(414a) 영역에서 기판으로 공급되는 열풍(HA2)의 온도는 제1분할플레이트(412) 영역에서 기판으로 공급되는 열풍(HA1)의 온도보다 높게 제어될 수 있다.In addition, by independently controlling the heating temperature of each division plate (first division plate, edge plate) 412 and 414 according to the temperature for each area of the
바람직하게 가열 플레이트(410)에 의한 열풍의 온도 제어가 보다 효과적으로 이루어지도록, 하부 가이드 플레이트(430)는 가열 플레이트(410)로부터 2~13㎜ 이격되게 배치된다.Preferably, the
이와 같이 본 발명은 가열 건조 공정 중에 온도 외란 등에 의하여 기판(10)의 영역별로 온도 편차가 발생하더라도, 각 분할플레이트(412,414)의 온도를 개별적으로 제어하는 것에 의하여, 기판(10)의 영역별로 온도 편차를 보정하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.As described above, in the present invention, even if a temperature deviation occurs for each region of the
또한, 각 분할플레이트(412,414) 간의 상호 열전달을 차단하는 차단부(416)를 포함할 수 있다. 바람직하게, 차단부(416)는 분할플레이트(412,414) 간의 경계를 따라 형성된다.In addition, it may include a blocking
즉, 각 분할플레이트(412,414)는 서로 다른 온도로 가열될 수 있다. 그런데, 각 분할플레이트(412,414) 간의 각 경계에서 상호 열전달이 발생하게 되면, 경계 부분에서 가열 편차가 생겨 각 분할플레이트(412,414)의 온도를 의도한 설정 온도로 정확하게 제어하기 어렵다. 이에 본 발명은, 각 분할플레이트(412,414)의 각 경계에 차단부(416)를 마련하는 것에 의하여, 서로 다른 온도 범위를 갖는 각 분할플레이트(412,414)의 경계 영역에서 열전달에 의한 가열 편차를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.That is, each of the
바람직하게 차단부(416)를 각 분할플레이트의 경계(제1분할플레이트와 가장자리 플레이트의 경계, 가장자리 플레이트와 인접한 다른 가장자리 플레이트의 경계)를 따라 전체적으로 형성하는 것에 의하여, 차단부(416)에 의한 열전달 차단 효과를 높이는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Preferably, by forming the blocking
차단부(416)는 열 차단 성능이 우수한 통상의 단열 소재(예를 들어, 실리콘, 고무 등)로 형성될 수 있으며, 차단부(416)의 재질 및 특성에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 차단부(416)는 단일 재질의 단일층 구조로 형성되거나, 이종 재질의 다층 구조로 형성되는 것이 가능하다.The blocking
또한, 본 발명은 하부 가이드 플레이트(430)를 통과한 열풍 기류(HA)를 가이드하는 기류안내부(440)를 포함할 수 있다.In addition, the present invention may include an
이는, 하부 가이드 플레이트(430)를 통과한 열풍 기류(HA)의 흐름이 기판의 가열 컨디션에 영향을 미치는 것에 기인한 것으로, 하부 가이드 플레이트(430)를 통과한 열풍 기류(HA)가 기류안내부(440)에 의해 변화없이 안정되도록 하는 것에 의하여, 열풍 기류 변화에 따른 가열 온도 편차를 최소화하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.This is due to the fact that the flow of the hot air flow HA passing through the
일 예로, 기류안내부(440)는 기판(10)과 간격을 두고 기판(10)을 둘러싸는 횡단면이 상하 방향으로 일정하게 형성된 가이드챔버(450)를 포함한다.For example, the
가이드챔버(450)는 내부에 소정 공간을 갖는 케이스 형태로 형성되며, 기판의 주변은 가이드 챔버에 의해 차단된다. 아울러, 가이드챔버(450)의 하단은 가열 플레이트(410)와 하부 가이드 플레이트(430)의 사이 공간의 둘레도 차단하도록 형성된다.The
이와 같이, 기판의 주변이 가이드챔버(450)에 의해 차단되도록 하는 것에 의하여, 외류 기류 등에 의한 열풍 기류(HA) 변화를 방지하는 유리한 효과를 얻을 수 있다.In this way, by blocking the periphery of the substrate by the
또한, 기류안내부(440)는, 가이드챔버(450)의 전체 횡단면을 가로지르는 형태로 기판의 상부에 배치되며, 열풍 기류가 배출되는 배출홀(462)이 형성된 상부 가이드 플레이트(460)를 포함할 수 있다.In addition, the
일 예로, 상부 가이드 플레이트(460)는 하부 가이드 플레이트(430)에 대응되는 사각 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 경우에 따라서는 상부 가이드 플레이트가 여타 다른 형상 및 구조를 갖도록 형성될 수 있으며, 상부 가이드 플레이트의 구조에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.For example, the
바람직하게, 배출홀(462)은 상부 가이드 플레이트(460)의 세로 및 가로 방향을 따라 상부 가이드 플레이트(460)의 전체 표면에 걸쳐 분포되게 균일한 간격으로 이격되게 복수개가 형성된다. 이와 같이, 복수개의 배출홀(462)을 균일한 간격으로 이격되게 형성하는 것에 의하여, 하부 가이드 플레이트(430)를 통과한 열풍 기류가 특정 영역으로 집중되지 않고 복수개의 배출홀(462)을 통해 균일하게 배출될 수 있다.Preferably, a plurality of discharge holes 462 are formed to be spaced apart from each other at uniform intervals to be distributed over the entire surface of the
한편, 도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.Meanwhile, FIGS. 7 and 8 are diagrams for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In addition, the same or equivalent reference numerals are assigned to the same or equivalent parts as those of the above-described configuration, and detailed description thereof will be omitted.
도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 다른 실시예에 따르면, 약액 도포 유닛(200)에서 약액이 도포된 기판을 이송하는 이송 유닛(300')은 인라인(In-Line) 방식으로 기판을 이송하는 것도 가능하다.Referring to FIG. 7 , according to another embodiment according to the present invention, the
일 예로, 이송유닛(300')으로서는 기판을 파지한 상태로 이송레일(미도시)을 따라 직선 이동하는 파지부재가 사용될 수 있다. 이때, 이송 레일은 N극과 S극의 영구 자석이 교대로 배열되고, 기판을 파지하는 파지 부재의 코일에 인가되는 전류 제어에 의하여 정교한 위치 제어가 가능한 리니어 모터의 원리로 구동될 수 있다.For example, as the
또한, 도 8을 참조하면, 지지부재(480')로서는 기판의 저면 가장자리를 지지하는 지지플레이트가 사용될 수 있다. 기판은 양단 저면 가장자리가 지지플레이트에 지지된 상태에서 가열될 수 있다.Also, referring to FIG. 8 , a support plate for supporting the bottom edge of the substrate may be used as the
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify and modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the following claims. You will understand that it can be changed.
1 : 기판 처리 시스템 100 : 인덱스 유닛
200 : 약액 도포 유닛 300 : 이송 유닛
400 : 가열 건조 유닛 402 : 온도측정부
404 : 제어부 410 : 가열 플레이트
412 : 제1분할플레이트 414 : 제2분할플레이트
414a : 가장자리 플레이트 416 : 차단부
420 : 열풍공급부 430 : 하부 가이드 플레이트
432 : 관통홀 440 : 기류안내부
450 : 가이드챔버 460 : 상부 가이드 플레이트
462 : 배출홀 470 : 배기부1: substrate processing system 100: index unit
200: chemical application unit 300: transfer unit
400: heat drying unit 402: temperature measuring unit
404: control unit 410: heating plate
412: first divided plate 414: second divided plate
414a: edge plate 416: blocking part
420: hot air supply 430: lower guide plate
432: through hole 440: air flow guide part
450: guide chamber 460: upper guide plate
462: exhaust hole 470: exhaust
Claims (28)
상기 기판과 간격을 두고 상기 기판을 둘러싸는 횡단면이 상하 방향으로 일정하게 형성된 가이드챔버와;
상기 기판에 대응하는 지지 면적을 갖고 상기 기판을 지지하는 트레이와, 상기 트레이에 결합되어 선택적으로 승강하는 리프팅핀을 구비한 지지부재와;
다수의 관통홀이 형성되고, 상기 가이드 챔버의 전체 횡단면을 가로지르는 형태로 상기 기판의 하측에 설치되는 하부 가이드 플레이트와;
다수의 배출홀이 형성되고, 상기 가이드 챔버의 전체 횡단면을 가로지르는 형태로 상기 기판의 상측에 설치되는 상부 가이드 플레이트와;
상기 하부 가이드 플레이트로부터 하측으로 이격된 상기 가이드챔버에 배치된 가열 플레이트와;
상기 하부 가이드 플레이트와 상기 가열 플레이트의 사이에 열풍을 공급하는 열풍 공급부를;
포함하고, 상기 관통홀은 상기 하부 가이드 플레이트의 전체 표면에 걸쳐 분포되게 관통 형성되고, 상기 배출홀은 상기 상부 가이드 플레이트의 전체 표면에 걸쳐 분포되게 관통 형성되며, 상기 리프팅 핀은 상기 관통홀의 일부를 관통하고, 상기 하부 가이드 플레이트와 상기 가열 플레이트의 사이로 공급된 열풍이 다수의 상기 관통홀을 통해 상기 기판의 주변으로 상방 전달되고, 상기 기판의 주변을 통과한 열풍은 상부 가이드 플레이트의 다수의 상기 배출홀을 통과하여 상기 가이드 챔버의 외부로 배기되는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
A heating device for a substrate coated with a chemical, comprising:
a guide chamber in which a cross section surrounding the substrate is formed uniformly in a vertical direction at a distance from the substrate;
a support member having a tray having a supporting area corresponding to the substrate and supporting the substrate, and a lifting pin coupled to the tray and selectively elevating;
a lower guide plate having a plurality of through-holes formed therein and installed on the lower side of the substrate in a form that crosses the entire cross-section of the guide chamber;
an upper guide plate in which a plurality of discharge holes are formed and installed on the upper side of the substrate in a form that crosses the entire cross section of the guide chamber;
a heating plate disposed in the guide chamber spaced downward from the lower guide plate;
a hot air supply unit for supplying hot air between the lower guide plate and the heating plate;
Including, the through-holes are formed to be distributed over the entire surface of the lower guide plate, the discharge holes are formed to be distributed through the entire surface of the upper guide plate, and the lifting pin is a part of the through-hole passing through, and the hot air supplied between the lower guide plate and the heating plate is transmitted upwardly to the periphery of the substrate through the plurality of through holes, and the hot air passing through the periphery of the substrate is discharged from the plurality of the upper guide plate The substrate heating apparatus, characterized in that exhausted to the outside of the guide chamber through the hole.
상기 기판의 영역별로 온도를 측정하는 온도측정부와;
상기 기판의 영역별 온도에 따라 상기 기판의 영역별로 가열 온도를 제어하는 제어부를;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
According to claim 1,
a temperature measuring unit for measuring a temperature for each area of the substrate;
a controller for controlling the heating temperature for each region of the substrate according to the temperature for each region of the substrate;
Substrate heating apparatus comprising a.
상기 가열플레이트는, 상기 기판의 영역별로 분할되는 복수개의 분할플레이트를 포함하고,
상기 제어부는 상기 분할플레이트 별로 가열 온도를 독립적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
3. The method of claim 2,
The heating plate includes a plurality of division plates divided by area of the substrate,
The control unit is a substrate heating apparatus, characterized in that for independently controlling the heating temperature for each of the divided plates.
상기 분할플레이트 간의 상호 열전달을 차단하는 차단부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 장치.
4. The method of claim 3,
and a blocking part for blocking mutual heat transfer between the split plates.
기판의 표면에 약액을 도포하는 약액 도포 유닛과;
상기 기판을 이송하는 이송 유닛과;
상기 이송 유닛으로부터 상기 기판을 이송받아 상기 기판에 도포된 약액을 가열 건조하는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항 또는 제8항에 따른 가열 건조 유닛을;
포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
A substrate processing system for processing a chemical application process on a target substrate, comprising:
a chemical solution application unit for applying a chemical solution to the surface of the substrate;
a transfer unit for transferring the substrate;
a heat-drying unit according to any one of claims 1 to 3 or 8, which receives the substrate from the transfer unit and heats and dries the chemical applied to the substrate;
A substrate processing system comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170152187A KR102426224B1 (en) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170152187A KR102426224B1 (en) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190055453A KR20190055453A (en) | 2019-05-23 |
KR102426224B1 true KR102426224B1 (en) | 2022-07-28 |
Family
ID=66681234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170152187A KR102426224B1 (en) | 2017-11-15 | 2017-11-15 | Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102426224B1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188077A (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate drier |
JP2009192674A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Pioneer Electronic Corp | Drying method and drying furnace for substrate |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100512260B1 (en) * | 2003-06-25 | 2005-09-05 | 주식회사 좋은기술 | Semiconductor heating system and its control method |
KR100906683B1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-07-07 | 주식회사 티엔텍 | Heater temperature control equipment of drying machine for wide glass |
-
2017
- 2017-11-15 KR KR1020170152187A patent/KR102426224B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003188077A (en) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate drier |
JP2009192674A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Pioneer Electronic Corp | Drying method and drying furnace for substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190055453A (en) | 2019-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101018578B1 (en) | Apparatus and method for heating substrate and coating and developing system | |
KR101059309B1 (en) | Heating device, coating, developing device and heating method | |
JP4542577B2 (en) | Normal pressure drying apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
KR100875597B1 (en) | Heating treatment device | |
KR101999890B1 (en) | Thermal processing device, substrate processing apparatus and thermal processing method | |
JP2013161946A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN107219727B (en) | Decompression drying equipment | |
KR20130019931A (en) | Apparatus and method for heating a substrate | |
KR102426224B1 (en) | Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same | |
JP5622701B2 (en) | Vacuum dryer | |
KR102041318B1 (en) | Method and Apparatus for treating substrate | |
KR20210054642A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
WO2012114850A1 (en) | Coating film drying method and coating film drying device | |
JP2691908B2 (en) | Heating device, heat treatment device, and heat treatment method | |
KR20190055448A (en) | Substrate treating apparatus | |
KR102186816B1 (en) | Substrate heating apparatus and substrate treating system having the same | |
KR102200744B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate carrier using the same | |
KR20210054105A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR102544865B1 (en) | Substrate heating apparatus | |
KR20140028579A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR20200026563A (en) | Transfer robot and Apparatus for treating substrate with the robot | |
US11469135B2 (en) | Substrate placing part that is arranged in substrate processing apparatus | |
KR102246678B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR20210054610A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
JP2022034168A (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |