KR102413795B1 - Cooling-heating apparatus of semi-conductor liquid - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것으로서, 반도체 처리액의 온도를 일정하게 유지시키기 위해 흐름 경로를 길게 하면서도 동시에 많은 양의 반도체 처리액의 온도를 조절할 수 있는 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것이다. 이를 위해 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 배출되는 주입 및 배출부, 주입 및 배출 부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부, 1차 온도 유지 부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부, 반도체 처리액 전달 부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치가 개시된다.The present invention relates to an apparatus for maintaining a temperature of a semiconductor processing liquid, and to a semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus capable of controlling the temperature of a large amount of semiconductor processing liquid while lengthening a flow path in order to maintain a constant temperature of the semiconductor processing liquid will be. To this end, the semiconductor processing liquid is injected, and the temperature of the injected semiconductor processing liquid is controlled and maintained, and the injected and discharged semiconductor processing liquid is branched in various directions in one direction at the injection and discharge part, and the injection and discharge part is first temperature controlled and a primary temperature control unit for maintaining, a semiconductor processing liquid delivery unit for collecting and delivering the semiconductor processing liquid branched from the primary temperature maintaining unit and having the primary temperature control, and a semiconductor processing liquid delivered from the semiconductor processing liquid delivery unit in various ways Disclosed is a device for maintaining a temperature of a semiconductor processing liquid, comprising a secondary temperature control unit for controlling and maintaining a secondary temperature while branching in one direction, and transferring the temperature-controlled semiconductor processing liquid to an injection and discharge unit.
Description
본 발명은 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 처리액의 온도를 일정하게 유지시키기 위해 흐름 경로를 길게 하면서도 동시에 많은 양의 반도체 처리액의 온도를 조절할 수 있는 반도체 처리액 온도 유지 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for maintaining a temperature of a semiconductor processing liquid, and more particularly, a semiconductor processing liquid temperature capable of controlling the temperature of a large amount of semiconductor processing liquid while lengthening a flow path in order to maintain a constant temperature of the semiconductor processing liquid. It relates to holding devices.
선행특허문헌인 KR 10-1327874와 JP 3724763에 공지된 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위한 흐름 경로가 짧을 뿐만 아니라 이와 더불어 한번에 많은 양의 반도체 처리액의 처리가 어려운 문제점이 있었다.The semiconductor processing liquid temperature maintaining device disclosed in the prior patent documents KR 10-1327874 and JP 3724763 not only has a short flow path for controlling the temperature of the semiconductor processing liquid, but also has a problem in that it is difficult to process a large amount of the semiconductor processing liquid at once. there was
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 한번에 많은 양의 반도체 처리액을 처리할 수 있으면서도 동시에 온도 조절 및 유지가 가능한 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been created to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an invention capable of processing a large amount of semiconductor processing liquid at once and simultaneously controlling and maintaining temperature.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
전술한 본 발명의 목적은, 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 배출되는 주입 및 배출부, 주입 및 배출 부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부, 1차 온도 유지 부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부, 반도체 처리액 전달 부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치를 제공함으로써 달성될 수 있다.The above-described object of the present invention is to inject a semiconductor processing liquid, and to control and maintain the temperature of the injected semiconductor processing liquid to discharge the semiconductor processing liquid in one direction in various ways. A primary temperature control unit that regulates and maintains the primary temperature while branching, a semiconductor processing liquid delivery unit that branches from the primary temperature maintenance unit and collects and delivers the first temperature-controlled semiconductor processing liquid, and a semiconductor delivered from the semiconductor processing liquid delivery unit Provide a semiconductor processing liquid temperature maintaining device comprising a secondary temperature controller for controlling and maintaining the secondary temperature while branching the processing liquid in one direction in various ways, and transferring the temperature-controlled semiconductor processing liquid to the injection and discharge part can be achieved by
또한, 1차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향과 2차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향은 서로 반대 방향이다.In addition, the flow direction of the semiconductor processing liquid branched in the horizontal direction from the primary temperature control unit and the flow direction of the semiconductor processing liquid that branched and flowed horizontally from the secondary temperature control unit are opposite to each other.
또한, 반도체 처리액 전달부에서의 반도체 처리액 전달방향은 1,2차 온도 조절부의 흐름 방향과 서로 다른 방향이다.Also, the semiconductor processing liquid delivery direction in the semiconductor processing liquid delivery unit is different from the flow direction of the first and second temperature controllers.
또한, 주입 및 배출부는 일측에 배치되고, 반도체 처리액 전달부는 주입 및 배출부의 타측에 배치되며, 1차 온도 조절부 및 2차 온도 조절부는 주입 및 배출부와 반도체 처리액 전달부의 사이 공간에 몸체의 길이방향 또는 수평방향으로 배치되면서 순차적으로 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 서로 대칭적으로 마주보도록 쌍으로 배치된다.In addition, the injection and discharge part is disposed on one side, the semiconductor processing liquid delivery part is disposed on the other side of the injection and discharge part, and the primary temperature control part and the secondary temperature control part are located in a space between the injection and discharge part and the semiconductor processing liquid delivery part in the body are arranged in pairs to face each other symmetrically in order to sequentially control the temperature of the semiconductor processing liquid while being arranged in the longitudinal or horizontal direction.
또한, 1차 온도 조절부는 몸체의 길이방향으로 배치되는 1차 방열판부, 반도체 처리액을 1차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 1차 열교환 모듈부, 주입 및 배출부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 1차 도관부를 포함하며,In addition, the primary temperature control unit includes a primary heat sink unit disposed in the longitudinal direction of the body, a primary heat exchange module unit in which a plurality of heat exchange elements are disposed in the width direction and length direction of the body to primary temperature control the semiconductor processing liquid, injection and and a primary conduit part disposed in the longitudinal direction of the body so that the semiconductor processing liquid delivered from the discharge part branches in various ways and flows in the first direction,
2차 온도 조절부는 1차 방열판부와 마주보도록 대향하여 쌍으로 배치되는 2차 방열판부, 1차 열교환 모듈부에서 1차 온도 조절한 반도체 처리액을 2차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 2차 열교환 모듈부, 반도체 처리액 전달부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제2 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 2차 도관부를 포함한다.The secondary temperature control unit in the width direction and length direction of the body so as to control the secondary temperature of the secondary heat sink unit, which is arranged in pairs to face the primary heat sink unit, and the semiconductor processing liquid first temperature-controlled in the primary heat exchange module unit and a secondary heat exchange module unit in which a plurality of heat exchange elements are disposed, and a secondary conduit unit disposed in the longitudinal direction of the body so that the semiconductor processing liquid delivered from the semiconductor processing liquid delivery unit is branched in various ways and flows in the second direction.
또한, 제1 방향은 주입 및 배출부에서 반도체 처리액 전달부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이고, 제2 방향은 반도체 처리액 전달부에서 주입 및 배출부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이다.In addition, the first direction is a direction in which the semiconductor processing liquid flows from the injection and discharge unit to the semiconductor processing liquid delivery unit, and the second direction is a direction in which the semiconductor processing liquid flows from the semiconductor processing liquid delivery unit to the injection and discharge unit.
또한, 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 도관, 도관이 끼움 삽입되도록 도관 끼움 홈이 형성된 도관 끼움 몸체를 포함한다.In addition, each of the primary conduit part and the secondary conduit part has a plurality of conduits and conduits disposed in the longitudinal direction of the body by varying the arrangement positions in the vertical direction so that the semiconductor processing liquid is branched in various ways and flows in the first direction. and a grooved conduit fitting body.
또한, 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은 도관의 일측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제1 도관 지지부, 도관의 타측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제2 도관 지지부를 더 포함한다.In addition, each of the primary conduit portion and the secondary conduit portion is a first conduit support portion formed with a plurality of conduit support grooves to support one end portion of the conduit, and a second conduit support portion formed with a plurality of conduit support grooves to support the other end portion of the conduit. further includes
또한, 도관 끼움 몸체는 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함한다.In addition, the conduit fitting body is a first conduit fitting body formed on one surface by varying the arrangement position of the conduit fitting groove in the vertical direction, a second conduit fitting body formed on both sides by varying the arrangement position of the conduit fitting groove in the vertical direction, The conduit fitting groove includes a third conduit fitting body formed on one surface by varying the arrangement position in the vertical direction.
또한, 반도체 처리액 전달부는 1차 도관부의 복수의 분기된 도관으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 전달받아 모으는 반도체 처리액 모음 매니폴드부, 반도체 처리액 모음 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받는 반도체 처리액 전달 매니폴드부, 반도체 처리액 전달 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받으며, 전달받은 반도체 처리액의 2차 온도 조절을 위해 2차 도관부의 복수의 분기된 도관으로 반도체 처리액을 배출하는 반도체 처리액 배출 매니폴드부를 포함한다.In addition, the semiconductor processing liquid delivery unit communicates with the semiconductor processing liquid collection manifold and the semiconductor processing liquid collection manifold for receiving and collecting the first temperature-controlled semiconductor processing liquid from the plurality of branched conduits of the primary conduit portion to process semiconductors The semiconductor processing liquid delivery manifold that receives the liquid and the semiconductor processing liquid delivery manifold communicate with each other to receive the semiconductor processing liquid, and a plurality of branched branches of the secondary conduit for secondary temperature control of the received semiconductor processing liquid and a semiconductor processing liquid discharge manifold for discharging the semiconductor processing liquid to the conduit.
또한, 반도체 처리액 모음 매니폴드부에는 1차 도관부의 도관으로부터 반도체 처리액을 전달받기 위한 1차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성되며, 반도체 처리액 배출 매니폴드부에는 2차 도관부의 도관으로 반도체 처리액을 배출하기 위한 2차도관 연통 홀이 수직방향으로 복수로 형성된다.In addition, a plurality of primary conduit communication holes for receiving the semiconductor processing liquid from the conduit of the primary conduit portion are formed in the semiconductor processing liquid collection manifold in the vertical direction, and the conduit of the secondary conduit portion in the semiconductor processing liquid discharge manifold portion As a result, a plurality of secondary conduit communication holes for discharging the semiconductor processing liquid are formed in the vertical direction.
또한, 1차 온도 조절부는 1차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 1차 도관부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치되며, 2차 온도 조절부는 2차 도관부, 2차 방열판부, 1차 열교환 모듈부, 및 2차 방열판부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치된다.In addition, the primary temperature control unit is sequentially disposed from the outside to the inside of the body based on the width direction of the body, the primary heat sink unit, the primary heat exchange module unit, and the primary conduit part, the secondary temperature control unit is the secondary conduit part, The secondary heat sink unit, the primary heat exchange module unit, and the secondary heat sink unit are sequentially disposed from the outside to the inside of the body based on the width direction of the body.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제1 열로 도관이 배치되고, 제2,3 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제2 열로 도관이 배치된다.In addition, by being inserted and fixed into the conduit fitting groove of the first and second conduit fitting body, the conduit is arranged in a first row by changing the position in the vertical direction, and by being inserted and fixed in the conduit fitting groove of the second and third conduit fitting body in the vertical direction The conduits are placed in a second row at a different location.
한편, 본 발명의 목적은 반도체 처리액을 주입하고, 주입된 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 구분 구획된 제1,2 매니폴더부, 제1,2 매니폴더부의 서로 대응하는 일 영역이 서로 연통되도록 배치됨으로써 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 하는 제1 도관부, 제1,2 매니폴더부의 서로 대응하는 타 영역이 서로 연통되도록 배치됨으로써 반도체 처리액이 온도 조절 및 유지되어 회수되도록 하는 제2 도관부, 반도체 처리액을 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 제1,2 도관부의 사이 공간에 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 열교환 모듈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치를 제공함으로써 달성될 수 있다.On the other hand, it is an object of the present invention to inject a semiconductor processing liquid, and a region corresponding to each other of the first and second manifolds and the first and second manifolds divided so that the injected semiconductor processing liquid is temperature-controlled, maintained, and recovered. The other regions corresponding to each other of the first conduit portion and the first and second manifold portions are arranged to communicate with each other so that the temperature of the semiconductor processing liquid is controlled, maintained and recovered, and the semiconductor processing liquid is temperature-controlled, maintained, and recovered. A semiconductor comprising: a second conduit part to enable temperature control of the semiconductor processing liquid; and a heat exchange module part in which a plurality of heat exchange elements are disposed in a space between the first and second conduit parts in the width and length directions of the body in the longitudinal direction of the body This can be achieved by providing a treatment liquid temperature maintaining device.
또한, 제1,2 매니폴더부는 상측에 배치된 제1 매니폴더부, 제1 매니폴더부의 하측에 배치된 제2 매니폴더부를 포함하며, 제1 도관부는 제1 매니폴더부의 일 영역과 일 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 일 영역이 서로 연통되도록 배치되며, 제2 도관부는 제1 매니폴더부의 타 영역과 타 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 타 영역이 서로 연통되도록 배치된다.In addition, the first and second manifold parts include a first manifold part disposed on the upper side, and a second manifold part disposed below the first manifold part, and the first conduit part includes one region and one region of the first manifold part. One area of the second manifold unit corresponding to ' is arranged to communicate with each other, and the second conduit unit is arranged such that the other area of the first manifold unit and the other area of the second manifold unit corresponding to the other area communicate with each other.
또한, 제1,2 도관부는 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 열교환 모듈부를 중심으로 서로 대칭적으로 쌍으로 배치된다.In addition, the first and second conduit units are symmetrically disposed in pairs around the heat exchange module unit to control the temperature of the semiconductor processing liquid.
또한, 제1 도관부는 제1 매니폴더부의 제1 영역과 제1 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제1 영역이 서로 연통되도록 배치되어 반도체 처리액이 1차 온도 조절되도록 하는 제1 도관, 제1 매니폴더부의 제2 영역과 제2 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제2 영역이 서로 연통되도록 배치되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 순차적으로 2차 온도 조절 및 유지되도록 하는 제2 도관을 포함한다.In addition, the first conduit unit includes a first conduit for the first region of the first manifold unit and a first region of the second manifold unit corresponding to the first region to communicate with each other so that the semiconductor processing liquid is first temperature controlled; The second conduit is disposed so that the second region of the first manifold unit and the second region of the second manifold unit corresponding to the second region communicate with each other so that the semiconductor processing liquid whose primary temperature has been adjusted is sequentially secondary temperature controlled and maintained. includes
또한, 제2 도관부는 제1 매니폴더부의 제3 영역과 제3 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제3 영역이 서로 연통되도록 배치되어 반도체 처리액이 1차 온도 조절되도록 하는 제1 도관, 제1 매니폴더부의 제4 영역과 제4 영역에 대응하는 제2 매니폴더부의 제4 영역이 서로 연통되도록 배치되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 순차적으로 2차 온도 조절 및 유지되도록 하는 제2 도관을 포함한다.In addition, the second conduit unit includes a first conduit configured to allow a third region of the first manifold unit and a third region of the second manifold unit corresponding to the third region to communicate with each other so that the semiconductor processing liquid is first temperature controlled; The second conduit is disposed so that the fourth region of the first manifold unit and the fourth region of the second manifold unit corresponding to the fourth region communicate with each other so that the semiconductor processing liquid whose primary temperature has been adjusted is sequentially secondary temperature controlled and maintained. includes
또한, 제1,2 도관부의 제1,2 도관 각각은 U자 형상으로 이루어져 1차 온도 조절을 위한 반도체 처리액이 제1 매니폴더부에서 제2 매니폴더부로 제1 방향으로 반도체 처리액이 흐르고, 1차 온도 조절된 반도체 처리액의 순차적인 2차 온도 조절 및 유지를 위해 제2 매니폴더부에서 제1 매니폴더부로 제2 방향으로 반도체 처리액이 흐른다.In addition, each of the first and second conduits of the first and second conduit portions has a U-shape, so that the semiconductor processing liquid for primary temperature control flows from the first manifold portion to the second manifold portion in a first direction, , the semiconductor processing liquid flows from the second manifold unit to the first manifold unit in the second direction to sequentially control and maintain the secondary temperature of the semiconductor processing liquid whose primary temperature has been adjusted.
또한, 제1,2 도관부의 제1 도관 각각은 제1,2 도관부의 제2 도관 각각에 비해 열교환 모듈부에 상대적으로 가깝게 배치된다.In addition, each of the first conduits of the first and second conduit portions is disposed relatively close to the heat exchange module portion compared to each of the second conduits of the first and second conduit portions.
또한, 제1,2 도관부의 제1,2 도관 각각이 끼움 삽입되도록 U자형 도관 끼움 홈이 형성된 제1,2 도관 끼움 몸체부를 더 포함한다.In addition, the first and second conduit fittings further include a first and second conduit fitting body in which a U-shaped conduit fitting groove is formed so that each of the first and second conduits of the first and second conduit sections are fitted.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체부 각각은 U자형 도관 끼움 홈이 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체, U자형 도관 끼움 홈이 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체, 도관 끼움 홈이 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함한다.In addition, each of the first and second conduit fitting body parts is a first conduit fitting body in which a U-shaped conduit fitting groove is formed on one surface, a second conduit fitting body in which U-shaped conduit fitting grooves are formed on both sides, and a conduit fitting groove on one surface and a third conduit fitting body formed therein.
또한, 제1,2 도관 끼움 몸체부의 제2,3 도관 끼움 몸체에 제1,2 도관부의 제1 도관이 각각 삽입 고정되고, 제1,2 도관 끼움 몸체부의 제1,2 도관 끼움 몸체에 제1,2 도관부의 제2 도관이 각각 삽입 고정된다.In addition, the first conduits of the first and second conduits are respectively inserted and fixed to the second and third conduit fitting bodies of the first and second conduit fitting bodies, and first and second conduits fitting bodies of the first and second conduit fitting bodies are inserted and fixed. The second conduits of the first and second conduit portions are respectively inserted and fixed.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 한번에 많은 양의 반도체 처리액을 처리할 수 있으면서도 동시에 온도 조절 및 유지가 가능한 효과가 있다.According to the present invention as described above, it is possible to process a large amount of semiconductor processing liquid at once, and at the same time, there is an effect that the temperature can be controlled and maintained.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치에 대한 개략적인 구조를 나타낸 도면이고,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 커부를 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관 및 1차 온도 조절부의 제1 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 10은 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 1차 도관을 도시한 도면이고,
도 11 및 도 12는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 13은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 커버부를 도시한 도면이고,
도 14는 본 발명의 제1실시예에 따른 매트릭스 배치된 2차 도관 및 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 15는 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 16은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 17은 본 발명의 제1실시예에 따른 2차 방열판부를 도시한 도면이고,
도 18은 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 제2 도관 지지부 및 2차 온도 조절부의 제2 도관 지지부를 도시한 도면이고,
도 19는 본 발명의 제1실시예에 따른 1차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부 및 2차 온도 조절부의 도관 끼움 몸체부를 도시한 도면이고,
도 20은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달부를 도시한 도면이고,
도 21은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 공급홀, 1차도관 연통홀, 반도체 처리액 유입홀, 2차도관 연통홀을 도시한 도면이고,
도 22는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 전달 매니폴드부의 반도체 처리액 유입홀, 반도체 처리액 배출홀을 도시한 도면이고,
도 23은 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 저면을 도시한 도면이고,
도 24는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치의 개략적인 구조를 도시한 도면이고,
도 25는 본 발명의 제2실시예에 따른 제1,2 도관부를 도시한 도면이고,
도 26은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체부, 제2 도관 끼움 몸체부, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 27은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관 끼움 몸체, 제2 도관 끼움 몸체, 제3 도관 끼움 몸체를 도시한 도면이고,
도 28은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 29는 본 발명의 제2실시예에 따른 제2 도관부의 제1,2 도관을 도시한 도면이고,
도 30은 본 발명의 제2실시예에 따른 제1 도관부의 제1,2 도관, 제2 도관부의 제1,2 도관, 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 31은 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부, 제1,2 열교환 모듈부를 도시한 도면이고,
도 32는 본 발명의 제2실시예에 따른 방열판부를 도시한 도면이다.The following drawings attached to the present specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical spirit of the present invention together with the detailed description of the present invention, so the present invention is limited to the matters described in such drawings It should not be construed as being limited.
1 to 5 are views showing a schematic structure of a semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to a first embodiment of the present invention;
6 is a view showing a primary Kebu according to a first embodiment of the present invention,
7 is a view showing a primary heat sink according to a first embodiment of the present invention,
8 is a view showing a primary heat exchange module unit according to a first embodiment of the present invention,
9 is a view showing the first conduit support of the matrix-arranged primary conduit and the primary temperature control unit according to the first embodiment of the present invention,
10 is a view showing a matrix-arranged primary conduit according to a first embodiment of the present invention;
11 and 12 are views showing the conduit fitting body of the primary temperature control unit according to the first embodiment of the present invention,
13 is a view showing a secondary cover unit according to a first embodiment of the present invention,
14 is a view showing a matrix-arranged secondary conduit and a second conduit support according to a first embodiment of the present invention;
15 is a view showing the conduit fitting body of the secondary temperature control unit according to the first embodiment of the present invention,
16 is a view showing a secondary heat exchange module unit according to a first embodiment of the present invention;
17 is a view showing a secondary heat sink according to the first embodiment of the present invention,
18 is a view showing a second conduit support part of the primary temperature control unit and a second conduit support unit of the secondary temperature control unit according to the first embodiment of the present invention;
19 is a view showing the conduit fitting body portion of the primary temperature control unit and the conduit fitting body portion of the secondary temperature control unit according to the first embodiment of the present invention,
20 is a view showing a semiconductor processing liquid delivery unit according to a first embodiment of the present invention;
21 is a view showing a semiconductor processing liquid supply hole, a primary conduit communication hole, a semiconductor processing liquid inflow hole, and a secondary conduit communication hole according to a first embodiment of the present invention;
22 is a view showing a semiconductor treatment liquid inlet hole and a semiconductor treatment liquid discharge hole in the semiconductor treatment liquid delivery manifold according to the first embodiment of the present invention;
23 is a view showing the bottom of the semiconductor processing liquid temperature maintaining device according to the first embodiment of the present invention;
24 is a view showing a schematic structure of a semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to a second embodiment of the present invention;
25 is a view showing first and second conduit parts according to a second embodiment of the present invention;
26 is a view showing a first conduit fitting body portion, a second conduit fitting body portion, and a heat exchange module portion according to a second embodiment of the present invention;
27 is a view showing a first conduit fitting body, a second conduit fitting body, and a third conduit fitting body according to a second embodiment of the present invention;
28 is a view showing first and second conduits of the first conduit part according to a second embodiment of the present invention;
29 is a view showing first and second conduits of a second conduit unit according to a second embodiment of the present invention;
30 is a view showing the first and second conduits of the first conduit part, the first and second conduits of the second conduit part, and the heat exchange module part according to the second embodiment of the present invention;
31 is a view showing a heat sink unit and first and second heat exchange module units according to a second embodiment of the present invention;
32 is a view showing a heat sink according to a second embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, one embodiment described below does not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims, and it cannot be said that the entire configuration described in the present embodiment is essential as a solution for the present invention. In addition, descriptions of the prior art and matters obvious to those skilled in the art may be omitted, and the description of the omitted components (methods) and functions may be sufficiently referenced within the scope not departing from the technical spirit of the present invention.
본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도를 조절하고 일정하게 유지하는 장치이다. 일예로서 본 발명에서 설명되는 반도체 처리액은 불산, 황산, 염산 등이 될 수 있으나 꼭 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 반도체 처리액은 -10도씨 ~ 50도씨 사이의 온도로 조절되며, 일반적으로는 25도씨의 온도를 유지하도록 조절한다. 이하에서는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치에 대해 첨부된 도면을 참고하여 자세히 설명하기로 한다. A semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to an embodiment of the present invention is an apparatus for controlling and maintaining a constant temperature of a semiconductor processing liquid. As an example, the semiconductor treatment solution described in the present invention may be hydrofluoric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, etc., but is not limited thereto. The semiconductor treatment solution of the present invention is controlled to a temperature between -10 °C and 50 °C, and is generally adjusted to maintain a temperature of 25 °C. Hereinafter, an apparatus for maintaining a temperature of a semiconductor processing liquid according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(제1 실시예)(Example 1)
도 1 내지 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 반도체 처리액의 온도 조절 및 유지를 위해 주입 및 배출부(100), 1차 온도 조절부(200), 반도체 처리액 전달부(300), 2차 온도 조절부(400)를 포함한다.1 to 5, the semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to the first embodiment of the present invention includes an injection and
주입 및 배출부(100)는 도 1을 기준으로 좌측에 위치하며, 1차 및 2차 온도 조절부(200,400)는 수평방향으로 배치되며, 반도체 처리액 전달부(300)는 주입 및 배출부(100)와 마주보도록 오른쪽에 배치된다. 또한, 1차 및 2차 온도 조절부(200,400)는 가상의 기준점을 중심으로 서로 마주보면서 쌍으로 배치된다. 이렇게 쌍으로 배치함으로써 주입된 반도체 처리액이 1차 온도 조절을 거쳐 다시 2차 온도 조절 및 유지될 수 있고, 더 나아가 반도체 처리액의 이동 경로를 더 길게 할 수 있는 장점이 있다. The injection and
주입 및 배출부(100)는 반도체 처리액이 온도 조절을 위해 공급되고, 순차적으로 온도 조절된 반도체 처리액이 다시 회수되어 배출되는 포트이다. 이를 위해 주입 및 배출부(100)는 제1,2 매니폴드(101,102)와 주입 및 배출포트(110,120)를 포함한다. The injection and
제1 매니폴드(101)는 도 2에 도시된 바와 같이 주입포트(110)와 배출포트(120)를 포함한다. 주입포트(110)는 반도체 처리액이 주입되는 포트이고, 배출포트(120)는 온도 조절된 반도체 처리액이 회수되어 배출되는 포트이다.The
제2 매니폴드(102)는 후술하는 2차 온도 조절부(400)에서 최종 온도 조절된 반도체 처리액이 회수되고, 이를 다시 배출포트(120)로 전달하여 최종적으로 온도 조절된 반도체 처리액이 외부로 배출되도록 한다. 즉, 제2 매니폴드(102)에서 회수된 반도체 처리액이 다시 제1 매니폴드(101)로 공급되어 배출포트(120)를 통해 배출된다. 이를 위해 도면에는 도시되어 있지 않으나 제2 매니폴드(102)에서 배출포트(120)로 반도체 처리액을 전달하기 위한 전달 경로부가 더 포함될 수 있다.In the
상술한 매니폴드(101,102) 및 후술하는 반도체 처리액 전달부(310,320,330)는 테프론 재질로 형성될 수 있다.The above-described
도 6에 도시된 바와 같이 1차 온도 조절부(200)는 주입 및 배출부(100)와 반도체 처리액 전달부(300)의 사이 공간에 반도체 처리액이 수평방향(주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300) 방향)으로 흐르도록 배치된다. 이를 위해 1차 온도 조절부(210)는 1차 커버부(210), 1차 방열판부(220), 1차 열교환 모듈부(230), 1차 도관부(240)를 포함한다. 1차 커버부(210), 1차 방열판부(220), 1차 열교환 모듈부(230), 1차 도관부(240)는 폭 방향을 기준으로 순차적으로 배치된다. 즉, 1차 커버부(210)가 가장 외 측에 배치되고, 순차적으로 배치되면서 1차 도관부(240)가 가장 내측에 배치된다.As shown in FIG. 6 , the primary
1차 커버부(210)는 는 도 6에 도시된 바와 같이 가장 외 측에 배치되어 제품을 보호한다.The
1차 방열판부(220)는 도 7에 도시된 바와 같이 1차 커버부(210)의 내측에 배치되며, 후술하는 1차 열교환 모둘부(230)를 방열시킨다. 필요에 따라 1차 열교환 모듈부(230)의 일측 면이 1차 방열판부(220)에 부착될 수 있다. 또한, 1차 열교환 모듈부(230)의 방열을 위해 PCW(process cooling water) 라인 또는 냉각순환라인이 1차 방열판부(220)의 둘레방향으로 배치될 수 있다. 1차 방열판부(220)의 몸체 플레이트도 1차 커버부(210)와 동일하게 수평방향으로 배치된다. 1차 커버부(210) 및 1차 방열판부(220)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있다.The primary
1차 열교환 모듈부(230)는 도 8에 도시된 바와 같이 열교환 플레이트부(231)와 펠티어 소자부(232)를 포함한다. 열교환 플레이트부(231)는 알루미늄 재질 또는 구리 재질로 형성된다. 열교환 플레이트부(231)는 1차 방열판부(220)의 내측에 배치되면서 1차 커버부(210) 및 1차 방열판부(220)와 동일하게 수평방향으로 배치된다. 펠티어 소자부(232)는 제어부(도면 미도시)의 제어에 따라 반도체 처리액의 온도를 조절하고 유지하도록 한다. 이때, 1차 열교환 모듈부(230)는 반도체 처리액의 온도를 1차 조절한다. 펠티어 소자부(232)는 열교환 플레이트부(231)의 일면에 열교환 플레이트부(231)의 폭 방향 및 길이방향으로 복수 설치된다. The primary heat
1차 도관부(240)는 가장 내측에 배치되며, 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300)측으로 이동하도록 배치된다. 도 9 내지 도 12에 도시된 바와 같이 1차 도관부(240)는 1차 도관(241), 도관 지지부(242), 도관 끼움 몸체부(243)를 포함한다. The
1차 도관(241)은 도 9 및 도 18에 도시된 바와 같이 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300)측으로 이동하도록 수평방향으로 배치되면서 2열 6행(필요에 따라 더 늘리거나 줄일 수 있음)으로 매트릭스 배치된다. 이렇게 도관을 매트릭스 배치함으로써 더욱 많은 반도체 처리액을 흘려보낼 수 있다. 1차 도관(241)의 유입측은 상술한 주입포트(110)와 연통 됨으로써 주입포트(110)를 통해 주입된 반도체 처리액이 2열 6행 매트릭스 배치된 각 도관으로 분기되어 유입된다. 또한, 도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이 1차 도관(241)의 배출측은 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)와 연통 됨으로써 각각이 복수의 도관에 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에 회수된다. As shown in FIGS. 9 and 18 , the
도관 지지부(242)는 도 9 및 도 18에 도시된 바와 같이 제1 도관 지지부(242a)와 제2 도관 지지부(242b)를 포함한다. 제1 도관 지지부(242a)와 제2 도관 지지부(242b)에는 매트릭스 배치된 각각의 도관이 끼움 삽입될 수 있는 도관 지지 홈이 형성되어 있다. 제1 도관 지지부(242a)에는 1차 도관(241)의 유입측이 삽입되어 지지되며, 제2 도관 지지부(242b)에는 1차 도관(241)의 배출측이 삽입되어 지지된다. 도 10은 제1 도관 지지부(242a)를 제거한 것을 도시한 도면이다. 도 9와 도 10을 비교해 보면 제1,2 도관 지지부(242a,242b)에 마련된 각각의 도관 지지 홈은 후술하는 제1,2,3 도관 끼움 몸체(243a,243b,243c)에 형성된 도관 끼움 홈과 비교해 볼 때 직경은 적어도 동일하거나 더 크고, 홈의 형성 높이 또는 홈의 형성 위치가 서로 동일하도록 하는 것이 바람직하다.The
도관 끼움 몸체부(243)는 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이 외 측에서 내측 방향으로 제1 도관 끼움 몸체(243a), 제2 도관 끼움 몸체(243b), 제3 도관 끼움 몸체(243c)로 순차 배치된다. 도관 끼움 몸체부(243)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이 도관 끼움 몸체부(243)는 1차 도관(241)을 끼움 삽입하여 고정시키기 위한 도관 끼움 홈이 형성된다. 도관 끼움 홈은 1차 도관(241)과 동일한 형상으로 몸체의 수평방향으로 형성된다. 즉, 제1 도관 끼움 몸체(243a)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 일면에 형성된다. 제2 도관 끼움 몸체(243b)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 양면에 형성된다. 제3 도관 끼움 몸체(243c)에는 도관 끼움 홈이 반원 형상으로 일면에 형성된다. 따라서 제1,2 도관 끼움 몸체(243a,243b)가 합쳐져서 도관 끼움 홈이 원 형상을 이룰 수 있고, 제2,3 도관 끼움 몸체(243b,243c)가 합쳐져서 도관 끼움 홈이 원 형상을 이룰 수 있다. 따라서, 각 도관 끼움 홈에 1차 도관을 매트릭스 형태로 삽입하고, 각 도관 끼움 몸체를 서로 결합함으로써 매트릭스 형태로 삽입된 1차 도관(241)을 배치 고정할 수 있다. The conduit
도 13 내지 도 16은 2차 온도 조절부(400)를 도시한 도면이다. 2차 온도 조절부(400)는 1차 온도 조절부(200)와 비교해 볼 때 반도체 처리액이 반대방향으로 흐르도록 대향 배치된다. 즉, 1차 온도 조절부(200)는 반도체 처리액이 주입 및 배출부(100)에서 반도체 처리액 전달부(300) 방향으로 흐르도록 배치되고, 2차 온도 조절부(400)는 반도체 처리액이 반도체 처리액 전달부(300)에서 주입 및 배출부(100) 방향으로 흐르도록 배치된다. 1차 온도 조절부(200)와 2차 온도 조절부(400)는 서로 마주보도록 배치되면서 쌍으로 배치되기 때문에 그 기능이나 배치방법은 1차 온도 조절부와 동일한 원리가 적용할 수 있다. 따라서 동일한 설명은 1차 온도 조절부(200)의 설명에 갈음하기로 하고 차이점만 후술하기로 한다.13 to 16 are views illustrating the secondary
2차 온도 조절부(400)는 2차 커버부(410), 2차 방열판부(420), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 도관부(240)를 포함한다. 2차 커버부(410), 2차 방열판부(420), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 도관부(440)는 폭 방향을 기준으로 순차적으로 배치된다. 즉, 2차 커버부(410)가 가장 외 측에 배치되고, 순차적으로 2차 도관부(440), 2차 열교환 모듈부(430), 2차 방열판부(420)가 가장 내측에 배치된다. 2차 방열판부(420)와 1차 도관부(240)가 내측 대략 중앙지점을 기준으로 서로 마주보게 배치된다. 상술한 1,2차 도관부(241,441)은 테프론 튜브로 구체화될 수 있다.The secondary
반도체 처리액 전달부(300)는 도 20 내지 도 23에 도시된 바와 같이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310), 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320), 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330), 및 지지 매니폴드부(340)를 포함한다. As shown in FIGS. 20 to 23 , the semiconductor processing
반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)는 지지 매니폴드부(340)에 의해 지지되면서 내부에 1차 도관(241)으로부터 반도체 처리액이 유입될 수 있도록 소정의 폭으로 적어도 1차 도관(241)의 높이보다 높게 몸체가 형셩된다. 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에는 도 21에 도시된 바와 같이 매트릭스 배치된 1차 도관(241)으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 유입되도록 하는 1차도관 연통 홀(312)이 형성된다. 1차도관 연통 홀(312)은 바람직하게는 매트릭스 배치된 1차 도관(241)의 각각의 형성 높이와 동일한 위치에 각각 형성된다. 또한, 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)의 상부 측에는 1차도관 연통 홀(312)을 통해 유입된 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)로 전달되기 위한 반도체 처리액 공급홀(311)이 형성된다. 반도체 처리액 공급홀(311)은 도 22에 도시된 반도체 처리액 유입 홀(321)과 연통된다.The semiconductor processing
반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 도 20 및 도 22에 도시된 바와 같이 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)에서 전달된 반도체 처리액을 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)로 전달 공급한다. 이를 위해 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 반도체 처리액 모음 매니폴드부(310)와 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)의 상부에 배치된다. 반도체 처리액 전달 매니폴드부(320)는 반도체 처리액을 유입 받아 전달하기 위해 도 22에 도시된 바와 같이 몸체의 하부 면에 반도체 처리액 유입홀(321)과 반도체 처리액 배출홀(322)이 형성된다. 반도체 처리액 유입홀(321)은 반도체 처리액 공급홀(311)과 연통 되며, 반도체 처리액 배출홀(322)은 반도체 처리액 유입홀(331)과 서로 연통 됨으로써 반도체 처리액을 유입 받아 전달한다.The semiconductor processing
상술한 바와 같이 1차 온도 조절부(200)에서는 반도체 처리액이 도 1을 기준으로 좌측에서 우측방향(제1방향 흐름)으로 흐르며, 2차 온도 조절부(400)에서는 반도체 처리액이 도 1을 기준으로 우측에서 좌측방향(제2방향 흐름)으로 흐른다. 1차 온도 조절부(200)에서 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 2차 온도 조절부(400)에서 2차 온도 조절하도록 하기 위해 반도체 처리액 전달부(300)에서는 반도체 처리액이 제1방향 흐름에 대해 수직방향으로 흐르도록 한다.As described above, in the primary
반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)는 도 21에 도시된 바와 같이 지지 매니폴드부(340)에 의해 지지된다. 또한, 반도체 처리액 전달부(300)로부터 전달된 반도체 처리액이 몸체 내부에 모이면서 2차 도관(441)으로 반도체 처리액을 배출할 수 있도록 소정의 폭으로 적어도 2차 도관(441)의 높이보다 높게 몸체가 형셩된다. 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)에는 도 21에 도시된 바와 같이 매트릭스 배치된 2차 도관(441)으로 몸체 내부에 모인 반도체 처리액이 배출되도록 하는 2차도관 연통 홀(332)이 형성된다. 2차도관 연통 홀(332)은 바람직하게는 매트릭스 배치된 2차 도관(441)의 각각의 형성 높이와 동일한 위치에 각각 형성된다. 또한, 반도체 처리액 배출 매니폴드부(330)의 상부 측에는 반도체 처리액 전달부(300)로부터 전달된 반도체 처리액이 몸체 내부로 유입되도록 하는 반도체 처리액 유입홀(331)이 형성된다. 반도체 처리액 유입홀(331)은 도 22에 도시된 반도체 처리액 배출홀(322)과 연통된다.The semiconductor processing
(제2 실시예)(Second embodiment)
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 처리액 온도 유지 장치는 도 24에 도시된 바와 같이 제1,2 매니폴더부(601.602), 제1,2 반도체 처리액 운반 모듈부(701,702), 열교환 모듈부(900)를 포함한다.As shown in FIG. 24 , the semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to the second embodiment of the present invention includes first and second manifold units 601.602, first and second semiconductor processing liquid
제1 매니폴더부(601)는 제2 매니폴더부(602)의 상측에 배치된다. 또한, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이 제1 매니폴더부(601)의 우측 일부 영역은 제1,2 도관(811,812)의 일측 포트와 연통 되며, 제1 매니폴더부(601)의 좌측 일부 영역은 제1,2 도관(821,822)의 일측 포트와 연통된다. 또한, 제2 매니폴더부(602)의 우측 일부 영역은 제1,2 도관(811,812)의 타측 포트와 연통 되며, 제2 매니폴더부(602)의 좌측 일부 영역은 제1,2 도관(821,822)의 타측 포트와 연통된다.The
이때, 제1 도관부(810)는 제1,2 도관(811,812)을 포함하며, 제1,2 도관(811,812)을 흐르는 반도체 처리액의 흐름 경로는 다음과 같다. 즉, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 유입 포트는 제1 매니폴더부(601)와 연통 되며, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트는 제2 매니폴더부(602)와 연통된다. 따라서 제1 도관(811)의 반도체 처리액 유입 포트에서 반도체 처리액이 주입되고, 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트에서 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 배출된다. 한편, 제2 도관(812)의 반도체 처리액 유입 포트는 제2 매니폴더부(602)와 연통 되며, 제2 도관(812)의 반도체 처리액 배출 포트는 제1 매니폴더부(601)와 연통된다. 제1 도관(811)의 반도체 처리액 배출 포트에서 배출된 1차 온도 조절된 반도체 처리액은 제2 도관(812)의 반도체 처리액 유입 포트로 다시 유입되어 2차 온도 조절되어 제2 도관(812)의 반도체 처리액 배출 포트로 배출된다.In this case, the
한편, 제2 도관부(820)는 제1,2 도관(821,822)을 포함하며, 제1,2 도관(821,822)을 흐르는 반도체 처리액의 흐름 경로는 앞서 설명한 제1 도관부(810)의 반도체 처리액 흐름 경로의 원리와 동일하므로 설명을 생략하기로 한다. Meanwhile, the
제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)는 제1 도관 끼움 몸체부(710)와 제1 도관부(810)를 포함한다. 제1 도관 끼움 몸체부(710)는 도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이 외 측으로부터 제1 도관 끼움 몸체(711), 제2 도관 끼움 몸체(712), 제3 도관 끼움 몸체(713)가 순차적으로 배치된다. 제1,3 도관 끼움 몸체(711,713)의 일면에는 단면이 반원이면서 U자형 형상으로 이루어진 도관 끼움 홈이 각각 형성된다. U자형 형상으로 이루어진 것은 후술하는 바와 같이 각 도관(811,812,821,822)의 형상이 U자형이고, 각 도관이 도관 끼움 홈에 삽입되어 고정되기 때문이다. 제2 도관 끼움 몸체(712)의 양면에는 단면이 반원이면서 U자형 형상으로 이루어진 도관 끼움 홈이 형성된다. 제1 도관 끼움 몸체(711)와 제2 도관 끼움 몸체(712)의 일면이 서로 결합됨으로써 제1 도관부(810)의 제2 도관(812)이 내측으로 삽입 고정되고, 제2 도관 끼움 몸체(712)의 나머지 일면과 제3 도관 끼움 몸체(713)가 서로 결합 됨으로써 제1 도관부(810)의 제1 도관(811)이 내측으로 삽입 고정될 수 있다. 이와 마찬가지로 제2 도관 끼움 몸체부(720)와 제2 도관부(820)의 구성도 동일한 원리가 적용된다. 상술한 도관 끼움 홈은 제1,2 도관(811,812)의 배치 위치에 상응하도록 형성된다.The first semiconductor processing
제1 도관부(810)는 도 28에 도시된 바와 같이 상대적으로 외 측에 배치되는 제2 도관(812)과 상대적으로 열교환 모듈부(900)에 가깝게 내측에 배치되는 제1 도관(811)을 포함한다. 제1 매니폴더부(601)에 있는 반도체 처리액이 제1 도관(811)을 따라 제2 매니폴더부(602)로 배출되면서 열교환 모듈부(900)에 의해 1차 온도 조절된다. 한편, 1차 온도 조절된 반도체 처리액은 제2 매니폴더부(602)에서 제2 도관(812)의 유입 포트로 전달되며, 제2 도관(812)을 따라 2차 온도 조절된 반도체 처리액이 최종적으로 제1 매니폴더부(601)로 회수되어 배출포트(620)를 따라 외부로 배출된다.The
도 29에 도시된 바와 같이 제2 도관부(820)는 상대적으로 외 측에 배치되는 제2 도관(822)과 상대적으로 열교환 모듈부(900)에 가깝게 내측에 배치되는 제1 도관(821)을 포함한다. 반도체 처리액의 흐름 경로는 앞서 설명한 제1 도관부(810)의 경로 설명에 갈음하기로 한다. 29, the
반도체 처리액 흐름 경로를 요약하면, 제1 매니폴더부(601)에 있는 반도체 처리액이 제1 도관(811,821)을 통해 제2 매니폴더부(602)로 이동하면서 1차 온도 조절되고, 제2 매니폴더부(602)에 있는 1차 온도 조절된 반도체 처리액이 제2 도관(812,822)을 통해 제1 매니폴더부(601)로 이동하면서 2차 온도 조절된다. Summarizing the semiconductor processing liquid flow path, the semiconductor processing liquid in the
상술한 도관 끼움 몸체부(710,720)는 알루미늄 또는 구리 재질로 형성될 수 있으며, 도관(811,812,821,822)은 테프론 튜브로 형성될 수 있다.The above-described conduit
도 30 및 도 31에 도시된 바와 같이 열교환 모듈부(900)는 대략 중앙 영역에 몸체의 길이 방향 또는 수평방향으로 배치됨으로써 도관(811,812,821,822)을 통해 흐르는 반도체 처리액의 온도를 조절한다. 열교환 모듈부(900)는 중앙 영역에 배치되기 때문에 각 도관(811,812,821,822)을 흐르는 반도체 처리액을 1차 및 2차에 걸쳐 온도 조절할 수 있다.30 and 31 , the heat
한편, 도 30에 도시된 바와 같이 제1 도관(811)은 제2 도관(812)에 비해 열교환 모듈부(900)에 가깝고, 제1 도관(821)은 제2 도관(822)에 비해 열교환 모듈부(900)에 가깝게 배치된다. 따라서 배치 위치를 서로 동일하게 하기 위해서 도면에는 도시되어 있지 않으나 제1 도관(811,821)의 내측에 제2 도관(812,822)이 배치되도록 함으로써(즉, 제2 도관의 크기를 줄이거나 제1 도관의 크기를 더 크게 함으로써) 열교환 모둘부(900)와 상대적인 거리를 동일하게 할 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 30 , the
열교환 모듈부(900)는 제1 열교환 모듈부(910), 방열판부(920), 제2 열교환 모듈부(930)를 포함한다. 중앙에 배치된 방열판부(920)를 사이에 두고 방열판부(920)의 각 일면에 제1,2 열교환 모듈부(910,930)가 배치된다. The heat
제1,2 열교환 모듈부(910,930)에는 열교환을 위한 펠티어 소자가 도 31 및 도 32에 도시된 방열판부(920)의 각 일면에 길이방향 및 폭 방향으로 각각 배치된다. In the first and second heat
제2 반도체 처리액 운반 모듈부(702)는 제2 도관 끼움 몸체부(720)와 제2 도관부(820)를 포함한다. 제2 반도체 처리액 운반 모듈부(702)는 열교환 모듈부(901)를 기준으로 제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)와 서로 마주보면서 쌍으로 배치되기 때문에 설명을 생략하고 앞서 설명한 제1 반도체 처리액 운반 모듈부(701)의 설명에 갈음하기로 한다.The second semiconductor processing
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다. 또한, 상술한 본 발명의 구성요소는 본 발명의 설명의 편의를 위하여 설명하였을 뿐 여기에서 설명되지 아니한 구성요소가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 추가될 수 있다. In the description of the present invention, the description may be omitted for matters obvious to those skilled in the art and those skilled in the art, and the description of these omitted components (methods) and functions will be sufficiently referenced within the scope not departing from the technical spirit of the present invention. will be able In addition, the above-described components of the present invention have been described for convenience of description of the present invention, and components not described herein may be added within the scope without departing from the technical spirit of the present invention.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.The description of the configuration and function of each part described above has been described separately for convenience of description, and if necessary, any configuration and function may be implemented by integrating into other components, or may be implemented more subdivided.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.In the above, although described with reference to one embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto, and various modifications and applications are possible. That is, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without departing from the gist of the present invention. In addition, it should be noted that, when it is determined that a detailed description of a known function related to the present invention and its configuration or a coupling relationship for each configuration of the present invention may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description is omitted. something to do.
100 : 주입 및 배출부
101 : 제1 매니폴드
102 : 제2 매니폴드
110 : 주입포트
120 : 배출포트
200 : 1차 온도 조절부
210 : 1차 커버부
220 : 1차 방열판부
221 : 냉각순환라인
230 : 1차 열교환 모듈부
231 : 열교환 플레이트부
232 : 펠티어 소자부
240 : 1차 도관부
241 : 1차 도관
242 : 도관 지지부
242a : 제1 도관 지지부
242b : 제2 도관 지지부
243 : 도관 끼움 몸체부
243a : 제1 도관 끼움 몸체
243b : 제2 도관 끼움 몸체
243c : 제3 도관 끼움 몸체
300 : 반도체 처리액 전달부
310 : 반도체 처리액 모음 매니폴드부
311 : 반도체 처리액 공급홀
312 : 1차도관 연통홀
320 : 반도체 처리액 전달 매니폴드부
321 : 반도체 처리액 유입홀
322 : 반도체 처리액 배출홀
330 : 반도체 처리액 배츨 매니폴드부
331 : 반도체 처리액 유입홀
332 : 2차도관 연통홀
340 : 지지 매니폴드부
400 : 2차 온도 조절부
410 : 2차 커버부
420 : 2차 방열판부
430 : 2차 열교환 모듈부
440 : 2차 도관부
441 : 2차 도관(또는 도관 끼움 홈)
442a : 제1 도관 지지부
442b : 제2 도관 지지부
443a : 제1 도관 끼움 몸체
443b : 제2 도관 끼움 몸체
443c : 제3 도관 끼움 몸체
601 : 제1 매니폴더부
602 : 제2 매니폴더부
610 : 주입포트
620 : 배출포트
701 : 제1 반도체 처리액 운반 모듈부
702 : 제2 반도체 처리액 운반 모듈부
710 : 제1 도관 끼움 몸체부
711 : 제1 도관 끼움 몸체
712 : 제2 도관 끼움 몸체
713 : 제3 도관 끼움 몸체
720 : 제2 도관 끼움 몸체부
721 : 제1 도관 끼움 몸체
722 : 제2 도관 끼움 몸체
723 : 제3 도관 끼움 몸체
810 : 제1 도관부
811 : 제1 도관
812 : 제2 도관
820 : 제2 도관부
821 : 제1 도관
822 : 제2 도관
900,901 : 열교환 모듈부
910 : 제1 열교환 모듈부
920 : 방열판부(또는 지지부)
930 : 제2 열교환 모듈부100: injection and discharge part
101: first manifold
102: second manifold
110: injection port
120: discharge port
200: primary temperature control unit
210: primary cover part
220: primary heat sink unit
221: cooling circulation line
230: primary heat exchange module unit
231: heat exchange plate part
232: Peltier element part
240: primary conduit part
241: primary conduit
242: conduit support
242a: first conduit support
242b: second conduit support
243: conduit fitting body part
243a: first conduit fitting body
243b: second conduit fitting body
243c: third conduit fitting body
300: semiconductor processing liquid delivery unit
310: semiconductor processing liquid collection manifold part
311: semiconductor processing liquid supply hole
312: 1st conduit communication hole
320: semiconductor processing liquid delivery manifold part
321: semiconductor processing liquid inlet hole
322: semiconductor processing liquid discharge hole
330: semiconductor processing liquid discharge manifold part
331: semiconductor processing liquid inlet hole
332: secondary conduit communication hole
340: support manifold part
400: secondary temperature control unit
410: secondary cover part
420: secondary heat sink part
430: secondary heat exchange module unit
440: secondary conduit part
441: secondary conduit (or conduit fitting groove)
442a: first conduit support
442b: second conduit support
443a: first conduit fitting body
443b: second conduit fitting body
443c: third conduit fitting body
601: first manifold unit
602: second manifold unit
610: injection port
620: discharge port
701: first semiconductor processing liquid transport module unit
702: second semiconductor processing liquid transport module unit
710: first conduit fitting body portion
711: first conduit fitting body
712: second conduit fitting body
713: third conduit fitting body
720: second conduit fitting body portion
721: first conduit fitting body
722: second conduit fitting body
723: third conduit fitting body
810: first conduit portion
811: first conduit
812: second conduit
820: second conduit part
821: first conduit
822: second conduit
900,901: heat exchange module part
910: first heat exchange module unit
920: heat sink part (or support part)
930: second heat exchange module unit
Claims (13)
상기 주입 및 배출부에서 주입된 반도체 처리액을 여러 가지로 한 방향으로 분기하면서 1차 온도 조절 및 유지하는 1차 온도 조절부,
상기 1차 온도 조절부에서 분기되어 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 모아서 전달하는 반도체 처리액 전달부,
상기 반도체 처리액 전달부로부터 전달된 반도체 처리액을 여러 가지로 일방향으로 분기하면서 2차 온도 조절 및 유지하고, 온도 조절된 반도체 처리액을 상기 주입 및 배출부로 전달하는 2차 온도 조절부를 포함하며,
상기 1차 온도 조절부는,
몸체의 길이방향으로 배치되는 1차 방열판부,
상기 반도체 처리액을 1차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 1차 열교환 모듈부,
상기 주입 및 배출부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제1 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 1차 도관부를 포함하며,
상기 2차 온도 조절부는,
상기 1차 방열판부와 마주보도록 대향하여 쌍으로 배치되는 2차 방열판부,
상기 1차 열교환 모듈부에서 1차 온도 조절한 반도체 처리액을 2차 온도 조절하도록 몸체의 폭 방향 및 길이방향으로 열교환 소자가 복수 배치되는 2차 열교환 모듈부,
상기 반도체 처리액 전달부에서 전달된 반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 제2 방향으로 흐르도록 몸체 길이방향으로 배치되는 2차 도관부를 포함하며,
상기 1차 온도 조절부는,
상기 1차 방열판부, 1차 열교환 모듈부 및 1차 도관부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치됨으로써 상기 1차 방열판부가 외측에 배치되면서 1차 도관부가 내측으로 배치되며,
상기 2차 온도 조절부는,
상기 2차 도관부, 2차 열교환 모듈부 및 2차 방열판부가 몸체의 폭 방향을 기준으로 몸체의 외측에서 내측으로 순차적으로 배치됨으로써 상기 2차 도관부가 외측에 배치되면서 2차 방열판부가 내측으로 배치되며,
상기 1차 온도 조절부의 1차 도관부와 2차 온도 조절부의 2차 방열판부가 서로 마주보게 배치되며,
상기 반도체 처리액 전달부는,
상기 1차 도관부의 복수의 분기된 도관으로부터 1차 온도 조절된 반도체 처리액을 전달받아 모으는 반도체 처리액 모음 매니폴드부,
상기 반도체 처리액 모음 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받는 반도체 처리액 전달 매니폴드부,
상기 반도체 처리액 전달 매니폴드부와 서로 연통 되어 반도체 처리액을 전달받으며, 전달받은 반도체 처리액의 2차 온도 조절을 위해 상기 2차 도관부의 복수의 분기된 도관으로 상기 반도체 처리액을 배출하는 반도체 처리액 배출 매니폴드부를 포함하며,
상기 반도체 처리액 모음 매니폴드부에는 상기 1차 도관부의 도관으로부터 반도체 처리액을 전달받기 위한 1차도관 연통 홀이 상기 1차 도관부의 도관의 형성 높이와 동일한 위치에 수직방향으로 간격 이격되어 복수로 형성되며,
상기 반도체 처리액 배출 매니폴드부에는 상기 2차 도관부의 도관으로 반도체 처리액을 배출하기 위한 2차도관 연통 홀이 상기 2차 도관부의 도관의 형성 높이와 동일한 위치에 수직방향으로 복수로 간격 이격되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
An injection and discharge unit for injecting the semiconductor processing liquid and discharging the injected semiconductor processing liquid by controlling and maintaining the temperature;
A primary temperature control unit for controlling and maintaining the primary temperature while branching the semiconductor processing liquid injected from the injection and discharge unit in one direction in various ways;
A semiconductor processing liquid delivery unit branching from the first temperature control unit to collect and deliver the first temperature-controlled semiconductor processing liquid;
A secondary temperature control unit for controlling and maintaining a secondary temperature while branching the semiconductor processing liquid delivered from the semiconductor processing liquid delivery unit in one direction in various ways, and transferring the temperature-controlled semiconductor processing liquid to the injection and discharge unit,
The first temperature control unit,
The primary heat sink part disposed in the longitudinal direction of the body,
a primary heat exchange module unit in which a plurality of heat exchange elements are disposed in a width direction and a length direction of the body to primary temperature control the semiconductor processing liquid;
and a primary conduit part disposed in the longitudinal direction of the body so that the semiconductor processing liquid delivered from the injection and discharge part is branched in various ways and flows in a first direction,
The secondary temperature control unit,
Secondary heat sink portions disposed in pairs to face the primary heat sink portion,
A secondary heat exchange module unit in which a plurality of heat exchange elements are disposed in the width direction and the length direction of the body so as to control the secondary temperature of the semiconductor processing liquid whose primary temperature is adjusted in the primary heat exchange module unit;
and a secondary conduit portion disposed in the longitudinal direction of the body so that the semiconductor processing liquid delivered from the semiconductor processing liquid delivery unit branches in various ways and flows in a second direction,
The first temperature control unit,
The primary heat sink part, the primary heat exchange module part, and the primary conduit part are sequentially disposed from the outside to the inside of the body based on the width direction of the body, so that the primary heat sink part is disposed on the outside while the first conduit part is disposed inside, ,
The secondary temperature control unit,
The secondary conduit part, the secondary heat exchange module part, and the secondary heat sink part are sequentially disposed from the outside to the inside of the body based on the width direction of the body, so that the secondary conduit part is disposed on the outside while the secondary heat sink part is disposed inside,
The primary conduit part of the primary temperature control unit and the secondary heat sink unit of the secondary temperature control unit are disposed to face each other,
The semiconductor processing liquid delivery unit,
A semiconductor processing liquid collection manifold for receiving and collecting the first temperature-controlled semiconductor processing liquid from the plurality of branched conduits of the first conduit part;
A semiconductor processing liquid delivery manifold unit communicating with the semiconductor processing liquid collection manifold unit to receive the semiconductor processing liquid;
A semiconductor that communicates with the semiconductor processing liquid delivery manifold part to receive a semiconductor processing liquid, and discharges the semiconductor processing liquid through a plurality of branched conduits of the secondary conduit part for secondary temperature control of the received semiconductor processing liquid Includes a treatment liquid discharge manifold portion,
In the semiconductor processing liquid collection manifold part, a primary conduit communication hole for receiving the semiconductor processing liquid from the conduit of the primary conduit part is vertically spaced at the same position as the formation height of the conduit of the primary conduit part, and a plurality of is formed,
In the semiconductor processing liquid discharge manifold part, a secondary conduit communication hole for discharging the semiconductor processing liquid to the conduit of the secondary conduit part is spaced apart in a plurality in the vertical direction at the same position as the formation height of the conduit of the secondary conduit part. A semiconductor processing liquid temperature maintaining device, characterized in that formed.
상기 1차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향과 상기 2차 온도 조절부에서 수평방향으로 분기되어 흐르는 반도체 처리액의 흐름 방향은 서로 반대 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
The method of claim 1,
The flow direction of the semiconductor processing liquid branched in the horizontal direction from the first temperature control unit and the flow direction of the semiconductor processing liquid that branched and flowed horizontally from the second temperature control unit are opposite to each other. Liquid temperature maintenance device.
상기 반도체 처리액 전달부에서의 반도체 처리액 전달방향은 상기 1,2차 온도 조절부의 흐름 방향과 서로 다른 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
3. The method of claim 2,
The semiconductor processing liquid temperature maintaining device, characterized in that the semiconductor processing liquid delivery direction in the semiconductor processing liquid delivery unit is different from the flow direction of the first and second temperature control unit.
상기 주입 및 배출부는 일측에 배치되고,
상기 반도체 처리액 전달부는 상기 주입 및 배출부의 타측에 배치되며,
상기 1차 온도 조절부 및 2차 온도 조절부는 상기 주입 및 배출부와 반도체 처리액 전달부의 사이 공간에 몸체의 길이방향 또는 수평방향으로 배치되면서 순차적으로 반도체 처리액의 온도를 조절하기 위해 서로 대칭적으로 마주보도록 쌍으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
4. The method of claim 3,
The injection and discharge part is disposed on one side,
The semiconductor processing liquid delivery unit is disposed on the other side of the injection and discharge unit,
The primary temperature control unit and the secondary temperature control unit are disposed in the longitudinal or horizontal direction of the body in the space between the injection and discharge unit and the semiconductor processing liquid delivery unit and are symmetrical to each other to sequentially control the temperature of the semiconductor processing liquid. A semiconductor processing liquid temperature maintaining device, characterized in that arranged in pairs to face each other.
상기 제1 방향은 상기 주입 및 배출부에서 상기 반도체 처리액 전달부로 반도체 처리액이 흐르는 방향이고,
상기 제2 방향은 상기 반도체 처리액 전달부에서 상기 주입 및 배출부로 반도체 처리액이 흐르는 방향인 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
The method of claim 1,
The first direction is a direction in which the semiconductor processing liquid flows from the injection and discharge part to the semiconductor processing liquid delivery part,
and the second direction is a direction in which the semiconductor processing liquid flows from the semiconductor processing liquid delivery part to the injection and discharge part.
상기 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은,
반도체 처리액이 여러 가지로 분기되어 상기 제1 방향으로 흐르도록 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 몸체 길이방향으로 복수 배치되는 도관,
상기 도관이 끼움 삽입되도록 도관 끼움 홈이 형성된 도관 끼움 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
7. The method of claim 6,
Each of the first conduit portion and the secondary conduit portion,
Conduits arranged in plurality in the longitudinal direction of the body by varying the arrangement positions in the vertical direction so that the semiconductor processing liquid is branched into various branches and flows in the first direction;
and a conduit fitting body having a conduit fitting groove formed therein so that the conduit is inserted.
상기 1차 도관부 및 2차 도관부 각각은,
상기 도관의 일측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제1 도관 지지부,
상기 도관의 타측 끝 부분을 지지하도록 복수의 도관 지지 홈이 형성된 제2 도관 지지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
8. The method of claim 7,
Each of the first conduit portion and the secondary conduit portion,
A first conduit support in which a plurality of conduit support grooves are formed to support one end of the conduit;
The semiconductor processing liquid temperature maintaining apparatus according to claim 1, further comprising a second conduit support in which a plurality of conduit support grooves are formed to support the other end of the conduit.
상기 도관 끼움 몸체는,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제1 도관 끼움 몸체,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 양면에 형성되는 제2 도관 끼움 몸체,
상기 도관 끼움 홈이 수직방향으로 배치 위치를 달리하여 일면에 형성되는 제3 도관 끼움 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.
8. The method of claim 7,
The conduit fitting body,
A first conduit fitting body in which the conduit fitting groove is formed on one surface by varying the arrangement position in the vertical direction;
A second conduit fitting body in which the conduit fitting groove is formed on both sides by different arrangement positions in the vertical direction,
and a third conduit fitting body in which the conduit fitting groove is formed on one surface by different arrangement positions in the vertical direction.
상기 제1,2 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제1 열로 도관이 배치되고,
상기 제2,3 도관 끼움 몸체의 도관 끼움 홈에 삽입 고정됨으로써 수직방향으로 위치를 달리하여 제2 열로 도관이 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리액 온도 유지 장치.10. The method of claim 9,
By being inserted and fixed into the conduit fitting groove of the first and second conduit fitting bodies, the conduits are arranged in a first row by changing their positions in the vertical direction,
The semiconductor processing liquid temperature maintaining device, characterized in that by being inserted and fixed into the conduit fitting groove of the second and third conduit fitting body, the conduits are arranged in a second row by different positions in the vertical direction.
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