KR102413302B1 - Light emitting device package and lighting apparatus for vehicle including the package - Google Patents

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Abstract

발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치가 개시된다. 발광 소자 패키지는 서로 전기적으로 이격된 제1 및 제2 리드 프레임과, 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 배면에 실장되는 하나의 발광 소자와, 발광 소자와 마주하는 반사면을 갖고 제1 및 제2 리드 프레임을 지지하는 반사체 및 제1 및 제2 리드 프레임에 각각 형성된 제1 및 제2 관통홀에 매립되어, 반사체에서 반사된 광의 파장을 서로 다른 복수의 파장으로 변환하고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광을 출사하는 복수의 파장 변환부를 포함한다.Disclosed are a light emitting device package and a vehicle lighting device including the same. The light emitting device package includes first and second lead frames electrically spaced apart from each other, a light emitting device mounted on a rear surface of at least one of the first or second lead frame, and a reflective surface facing the light emitting device. and the reflector supporting the second lead frame and the first and second through-holes respectively formed in the first and second lead frames to convert the wavelengths of light reflected from the reflectors into a plurality of different wavelengths, and different wavelengths and a plurality of wavelength converters for emitting a plurality of light having a

Description

발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치{Light emitting device package and lighting apparatus for vehicle including the package}Light emitting device package and vehicle lighting device including the same

실시 예는 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a light emitting device package and a vehicle lighting device including the same.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등이나 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성 및 환경 친화성의 장점을 가진다.Light emitting devices such as light emitting diodes or laser diodes using group 3-5 or group 2-6 compound semiconductor materials of semiconductors have various colors such as red, green, blue, and ultraviolet rays due to the development of thin film growth technology and device materials. By using fluorescent materials or combining colors, high-efficiency white light can also be realized. have an advantage

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)의 백라이트를 구성하는 냉음극 형광 램프(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)를 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호 등에까지 그 응용이 확대되고 있다.Therefore, the transmission module of the optical communication means, the light emitting diode backlight that replaces the Cold Cathode Fluorescence Lamp (CCFL) constituting the backlight of the liquid crystal display (LCD), the fluorescent lamp or the incandescent light bulb. Its application is expanding to white light emitting diode lighting devices, automobile headlights, and signals.

기존의 하나의 발광 소자는 한가지 색만의 광을 방출하며 다색을 방출할 수 없다. 근래에 발광 소자가 응용 분야가 다양해 짐에 따라 이러한 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 특성의 한계를 극복할 필요가 있다.One conventional light emitting device emits light of only one color and cannot emit multiple colors. In recent years, as the field of application of the light emitting device is diversified, it is necessary to overcome the limitations of the characteristics of the light emitting device package including the light emitting device.

실시 예는 하나의 발광 소자만을 이용하여 다양한 색을 제공할 수 있는 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device package capable of providing various colors using only one light emitting device, and a vehicle lighting device including the same.

일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지는, 서로 전기적으로 이격된 제1 및 제2 리드 프레임; 상기 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 배면에 실장되는 하나의 발광 소자; 상기 발광 소자와 마주하는 반사면을 갖고 상기 제1 및 제2 리드 프레임을 지지하는 반사체; 및 상기 제1 및 제2 리드 프레임에 각각 형성된 제1 및 제2 관통홀에 매립되어, 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 서로 다른 복수의 파장으로 변환하고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광을 출사하는 복수의 파장 변환부를 포함할 수 있다.A light emitting device package according to an embodiment includes first and second lead frames electrically spaced apart from each other; one light emitting device mounted on a rear surface of at least one of the first and second lead frames; a reflector having a reflective surface facing the light emitting element and supporting the first and second lead frames; and the first and second through-holes respectively formed in the first and second lead frames, converts the wavelengths of the light reflected by the reflector into a plurality of different wavelengths, and emits a plurality of lights having different wavelengths It may include a plurality of wavelength converters.

예를 들어, 상기 복수의 파장 변환부는 상기 제1 관통홀에 매립되고 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제1 파장을 갖는 제1 광을 출사하는 제1 파장 변환부; 및 상기 제2 관통홀에 매립되고 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제2 파장을 갖는 제2 광을 출사하는 제2 파장 변환부를 포함할 수 있다.For example, the plurality of wavelength converters may include: a first wavelength converter embedded in the first through hole, converting a wavelength of light reflected from the reflector, and emitting first light having the converted first wavelength; and a second wavelength converter embedded in the second through hole, converting a wavelength of light reflected from the reflector, and emitting a second light having the converted second wavelength.

예를 들어, 상기 반사면은 상기 복수의 파장 변환부를 통해 출사시킬 상기 제1 및 제2 광의 세기에 따라 결정된 반사도를 가질 수 있다.For example, the reflective surface may have reflectivity determined according to intensities of the first and second lights to be emitted through the plurality of wavelength converters.

예를 들어, 상기 반사체는 상기 반사면에 의해 정의되는 캐비티를 포함하고, 상기 하나의 발광 소자는 상기 캐비티에 수용될 수 있다.For example, the reflector may include a cavity defined by the reflective surface, and the one light emitting element may be accommodated in the cavity.

예를 들어, 상기 반사체는 상기 제1 및 제2 리드 프레임을 지지하는 몸체; 및 상기 몸체의 상부면에 배치되며 상기 반사면을 갖는 반사층을 포함할 수 있다.For example, the reflector may include a body supporting the first and second lead frames; and a reflective layer disposed on the upper surface of the body and having the reflective surface.

예를 들어, 상기 반사체는 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 탈착 가능할 수 있다.For example, the reflector may be detachable from the first and second lead frames.

예를 들어, 제1 및 제2 리드 프레임 중에서 상기 발광 소자가 배치되는 해당 리드 프레임은 상기 발광 소자가 배치되는 소자 영역; 및 상기 소자 영역을 제외한 비소자 영역을 포함하고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임이 서로 대향하는 제1 방향으로 상기 해당 리드 프레임의 소자 영역은 상기 비소자 영역보다 상기 해당 리드 프레임과 대향하는 리드 프레임쪽으로 더 돌출될 수 있다. 상기 소자 영역은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 해당하는 리드 프레임의 중앙에 위치할 수 있다. For example, a corresponding lead frame in which the light emitting device is disposed among the first and second lead frames may include an element region in which the light emitting device is disposed; and a non-device region excluding the device region, wherein in a first direction in which the first and second lead frames face each other, the device region of the corresponding lead frame faces the corresponding lead frame rather than the non-device region It may protrude further toward the frame. The device region may be positioned at a center of a lead frame corresponding to a second direction intersecting the first direction.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 광이 출사되는 면과 상기 제2 광이 출사되는 면 사이의 영역으로부터 광축 방향으로 돌출되어, 상기 제1 광과 상기 제2 광의 혼합을 가로막는 격벽을 더 포함할 수 있다.For example, the light emitting device package includes a barrier rib that protrudes in the optical axis direction from a region between the surface from which the first light is emitted and the surface from which the second light is emitted to block the mixing of the first light and the second light. may include more.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 및 제2 리드 프레임에 전원을 각각 공급하는 제1 및 제2 솔더 패드를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 솔더 패드 각각은 상기 제1 및 제2 리드 프레임으로부터 돌출된 형상을 가질 수 있다.For example, the light emitting device package may further include first and second solder pads respectively supplying power to the first and second lead frames. Each of the first and second solder pads may have a shape protruding from the first and second lead frames.

예를 들어, 상기 제1 관통홀의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 상기 제1 광의 지향각을 결정하는 경사각 중 적어도 하나는 상기 제2 관통홀과 동일할 수 있다. 또는, 상기 제1 관통홀의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 상기 제1 광의 지향각을 결정하는 경사각 중 적어도 하나는 상기 제2 관통홀과 다를 수 있다.For example, at least one of a planar shape, a plane size, a mutual separation distance, a location, and a number of the first through-hole, or an inclination angle for determining a direction angle of the first light may be the same as that of the second through-hole. Alternatively, at least one of a planar shape, a planar size, a mutual separation distance, a location, and the number of the first through-hole, and an inclination angle determining a direction angle of the first light may be different from that of the second through-hole.

예를 들어, 상기 제1 또는 제2 파장 변환부 중 적어도 하나의 상측과 하측의 폭은 중간의 폭보다 클 수 있다.For example, upper and lower widths of at least one of the first and second wavelength converters may be greater than a middle width.

예를 들어, 상기 제1 파장 변환부의 광 출사면과 상기 제2 파장 변환부의 광 출사면은 동일 수평면 상에 배치될 수 있다.For example, the light emitting surface of the first wavelength converter and the light emitting surface of the second wavelength converter may be disposed on the same horizontal plane.

예를 들어, 상기 제1 파장 변환부의 광 출사면과 상기 제2 파장 변환부의 광 출사면이 이루는 각도는 180° 이상일 수 있다.For example, an angle between the light emitting surface of the first wavelength converter and the light emitting surface of the second wavelength converter may be 180° or more.

예를 들어, 상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치되어, 상기 제1 및 제2 리드 프레임을 전기적으로 이격시키는 절연체를 더 포함할 수 있다.For example, the light emitting device package may further include an insulator disposed between the first and second lead frames to electrically separate the first and second lead frames.

예를 들어, 상기 제1 관통홀과 상기 제2 관통홀은 상기 절연체를 중심으로 상기 제1 및 제2 리드 프레임이 서로 대향하는 방향으로 대칭인 평면 위치에 배치될 수 있다.For example, the first through-hole and the second through-hole may be disposed at symmetrical planar positions in a direction in which the first and second lead frames face each other with respect to the insulator.

다른 실시 예에 의한 차량용 조명 장치는 상기 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.A lighting device for a vehicle according to another embodiment may include the light emitting device package.

실시 예에 따른 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 차량용 조명 장치는 하나의 발광 소자만을 이용하면서 다양한 색의 광을 방출할 수 있어, 차량 등 은은한 불빛을 요구하는 분야에 유용하게 사용될 수 있다.The light emitting device package and the vehicle lighting device including the same according to the embodiment can emit light of various colors while using only one light emitting device, and thus can be usefully used in fields requiring soft light, such as a vehicle.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 상부 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 하부 사시도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 상부 분해 사시도를 나타낸다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지의 배면도를 나타낸다.
도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 국부적인 평면도를 나타낸다.
도 7a 내지 도 7c는 발광 소자 패키지에 포함되는 발광 소자의 다양한 실시 예를 설명하기 위한 국부적인 단면도이다.
도 8은 제1 또는 제2 파장 변환부 각각의 일 실시 예에 의한 확대 사시도를 나타낸다.
도 9는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지의 단면도를 나타낸다.
도 10a 내지 도 10e는 발광 소자 패키지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도이다.1 is a top perspective view of a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 2 is a bottom perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
3 is a top exploded perspective view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
FIG. 5 is a rear view of the light emitting device package shown in FIG. 1 .
6 is a local plan view of a light emitting device package according to another embodiment.
7A to 7C are local cross-sectional views for explaining various embodiments of a light emitting device included in a light emitting device package.
8 is an enlarged perspective view of each of the first or second wavelength converter according to an embodiment.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device package according to another embodiment.
10A to 10E are perspective views of a process for explaining a method of manufacturing a light emitting device package.

이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시 예를 들어 설명하고, 발명에 대한 이해를 돕기 위해 첨부도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명에 따른 실시 예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되지 않아야 한다. 본 발명의 실시 예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings to help the understanding of the present invention by giving examples and to explain the present invention in detail. However, embodiments according to the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided in order to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, in the case where it is described as being formed on "up (above)" or "below (on or under)" of each element, upper (upper) or lower (lower) (on or under) includes both elements in which two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are disposed between the two elements indirectly. In addition, when expressed as “up (up)” or “down (on or under)”, the meaning of not only the upward direction but also the downward direction based on one element may be included.

또한, 이하에서 이용되는 "제1" 및 "제2," "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다.Also, as used hereinafter, relational terms such as “first” and “second,” “top/top/top” and “bottom/bottom/bottom” refer to any physical or logical relationship between such entities or elements or It may be used only to distinguish one entity or element from another, without requiring or implying an order.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.In the drawings, the thickness or size of each layer is exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. In addition, the size of each component does not fully reflect the actual size.

이하, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A 내지 100C)를 데카르트 좌표계를 이용하여 설명하지만, 다른 좌표계를 이용하여 설명할 수 있음은 물론이다. 데카르트 좌표계에 의하면 x축, y축, z축은 서로 직교하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, x축, y축, z축은 서로 직교하지는 않지만 교차할 수도 있다.Hereinafter, the light emitting device packages 100A to 100C according to the embodiment will be described using a Cartesian coordinate system, but of course, description may be made using other coordinate systems. According to the Cartesian coordinate system, the x-axis, the y-axis, and the z-axis are orthogonal to each other, but the embodiment is not limited thereto. That is, the x-axis, y-axis, and z-axis are not orthogonal to each other, but may intersect.

도 1은 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 상부 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 하부 사시도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 상부 분해 사시도를 나타내고, 도 4는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 단면도를 나타내고, 도 5는 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)의 배면도를 나타낸다.1 is a top perspective view of a light emitting device package 100A according to an embodiment, FIG. 2 is a bottom perspective view of the light emitting device package 100A shown in FIG. 1 , and FIG. 3 is a light emitting device shown in FIG. 1 . An upper exploded perspective view of the package 100A is shown, FIG. 4 is a cross-sectional view of the light emitting device package 100A shown in FIG. 1 , and FIG. 5 is a rear view of the light emitting device package 100A shown in FIG. 1 .

도 1 내지 도 5를 참조하면, 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112), 절연체(120), 반사체(130), 발광 소자(140) 및 복수의 파장 변환부(150, 160)를 포함할 수 있다.1 to 5 , a light emitting device package 100A according to an embodiment includes first and second lead frames 110 and 112 , an insulator 120 , a reflector 130 , a light emitting device 140 and A plurality of wavelength converters 150 and 160 may be included.

제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)은 서로 전기적으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 각각은 판형 형상을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 또한, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 각각은 Cu, Ni, Ag, 또는 Au 중 적어도 하나로 구현될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 각각은 Cu과, Ni 도금과, Ag 또는 Au를 포함할 수 있다.The first and second lead frames 110 and 112 may be disposed to be electrically spaced apart from each other. Each of the first and second lead frames 110 and 112 is illustrated as having a plate shape, but the embodiment is not limited thereto. In addition, each of the first and second lead frames 110 and 112 may be implemented with at least one of Cu, Ni, Ag, or Au. For example, each of the first and second lead frames 110 and 112 may include Cu, Ni plating, Ag or Au.

제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 서로 전기적으로 이격시키기 위해, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 사이에 절연체(120)가 배치될 수 있다. 이를 위해, 절연체(120)는 전기적 절연성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다. 그러나, 실시 예는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 절연시키는 특정한 구조에 국한되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 서로 전기적으로 이격시키기 위해 절연체(120) 대신에 다른 구성을 가질 수 있음은 물론이다. 이 경우, 절연체(120)는 생략될 수 있다.In order to electrically separate the first and second lead frames 110 and 112 from each other, an insulator 120 may be disposed between the first and second lead frames 110 and 112 . To this end, the insulator 120 may be made of a material having electrical insulation properties. However, the embodiment is not limited to a specific structure that insulates the first and second lead frames 110 and 112 . That is, of course, the first and second lead frames 110 and 112 may have a different configuration instead of the insulator 120 to electrically separate them from each other. In this case, the insulator 120 may be omitted.

발광 소자(140)는 제1 또는 제2 리드 프레임(110, 112) 중 적어도 하나의 배면에 실장될 수 있다. 여기서, 각 리드 프레임(110, 112)의 배면이란, 각 리드 프레임(110, 112)에서 반사체(130)를 바라보는 면을 의미할 수 있다.The light emitting device 140 may be mounted on the rear surface of at least one of the first and second lead frames 110 and 112 . Here, the rear surface of each lead frame 110 , 112 may refer to a surface facing the reflector 130 from each lead frame 110 , 112 .

실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)에 포함되는 발광 소자(140)는 하나일 수 있다. 발광 소자(140)가 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)에 전기적으로 연결되는 방식에 따라 수평형 본딩 구조, 수직형 본딩 구조 또는 플립 칩형 본딩 구조로 구분될 수 있다.There may be one light emitting device 140 included in the light emitting device package 100A according to the embodiment. The light emitting device 140 may be classified into a horizontal bonding structure, a vertical bonding structure, or a flip-chip bonding structure according to a method in which the light emitting device 140 is electrically connected to the first and second lead frames 110 and 112 .

도시된 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)에서 발광 소자(140)는 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에 배치되고 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에 배치되지 않지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 발광 소자(140)는 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에 배치되고 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에 배치되지 않을 수도 있다. 또는, 발광 소자(140)는 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B) 및 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에 배치될 수도 있다.In the light emitting device package 100A according to the illustrated embodiment, the light emitting device 140 is disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110 and is not disposed on the rear surface 112B of the second lead frame 112, but , the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, the light emitting device 140 may be disposed on the rear surface 112B of the second lead frame 112 and may not be disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110 . Alternatively, the light emitting device 140 may be disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110 and the rear surface 112B of the second lead frame 112 .

또한, 도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 리드 프레임(110)은 적어도 하나의 제1 관통홀(H1)을 포함하고 제2 리드 프레임(112)은 적어도 하나의 제2 관통홀(H2)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)은 후술되는 복수의 파장 변환부(150, 160)를 각각 수용하는 역할을 한다.In addition, referring to FIGS. 4 and 5 , the first lead frame 110 includes at least one first through hole H1 and the second lead frame 112 includes at least one second through hole H2 . may include The first and second through-holes H1 and H2 serve to accommodate a plurality of wavelength converters 150 and 160, which will be described later, respectively.

여기서, 적어도 하나의 제1 관통홀(H1)은 복수 개의 제1 관통홀(H1)을 포함하고, 적어도 하나의 제2 관통홀(H2)은 복수 개의 제2 관통홀(H2)을 포함할 수 있다. 전술한 발광 소자 패키지(100A)에서 제1 관통홀(H1)의 개수와 제2 관통홀(H2)의 개수는 각각 8개인 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각의 개수는 8개보다 많을 수도 있고 적을수도 있다.Here, the at least one first through-hole H1 may include a plurality of first through-holes H1 , and the at least one second through-hole H2 may include a plurality of second through-holes H2 . have. The number of the first through-holes H1 and the number of the second through-holes H2 in the above-described light emitting device package 100A is illustrated as being 8, respectively, but the embodiment is not limited thereto. That is, the number of each of the first and second through holes H1 and H2 may be greater than or less than eight.

또한, 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각은 다양한 평면 형상을 가질 수 있다. 전술한 실시 예의 경우, 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각은 원형 평면 형상을 갖는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, each of the first and second through holes H1 and H2 may have various planar shapes. In the case of the above-described embodiment, each of the first and second through-holes H1 and H2 is illustrated as having a circular planar shape, but the embodiment is not limited thereto.

도 6은 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)의 국부적인 평면도를 나타낸다.6 is a local plan view of a light emitting device package 100B according to another embodiment.

도 1 내지 도 5에 도시된 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)에서 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각은 원형 평면 형상을 갖는다. 반면에, 도 6에 도시된 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)에서, 제1 관통홀(H1)은 하트 모양의 평면 형상을 갖고, 제2 관통홀(H2)은 화살표 모양의 평면 형상을 갖는다. 따라서, 제1 관통홀(H1)에 매립된 제1 파장 변환부(150)의 상부면은 하트 모양의 평면 형상을 갖고, 제2 관통홀(H2)에 매립된 제2 파장 변환부(160)의 상부면은 화살표 모양의 평면 형상을 가질 수 있다. 이러한 차이점만 제외하면 도 6에 도시된 발광 소자 패키지(100B)는 도 5에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로 중복되는 설명을 생략한다.In the light emitting device package 100A according to an embodiment shown in FIGS. 1 to 5 , each of the first and second through holes H1 and H2 has a circular planar shape. On the other hand, in the light emitting device package 100B according to another embodiment shown in FIG. 6 , the first through-hole H1 has a heart-shaped planar shape, and the second through-hole H2 has an arrow-shaped planar shape. has Accordingly, the upper surface of the first wavelength converter 150 embedded in the first through hole H1 has a heart-shaped planar shape, and the second wavelength converter 160 is embedded in the second through hole H2 . The upper surface of may have an arrow-shaped planar shape. Except for these differences, since the light emitting device package 100B shown in FIG. 6 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. 5 , the overlapping description will be omitted.

전술한 바와 같이, 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각은 원형뿐만 아니라 사각형과 같은 다각형, 타원형, 또는 특정한 형태(예를 들어, 별 모양이나, 도 6에 도시된 바와 같은 하트 모양, 화살표 모양 등)의 다양한 평면 형상을 가질 수도 있다.As described above, each of the first and second through-holes H1 and H2 is not only circular, but also has a polygonal shape such as a quadrangle, an oval shape, or a specific shape (eg, a star shape, or a heart shape as shown in FIG. 6 ). , arrow shape, etc.) may have various planar shapes.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1)은 다양한 평면 형상으로 배열될 수 있고, 복수의 제2 관통홀(H2)도 다양한 평면 형상으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 5에 도시된 바와 같이 복수의 제1 관통홀(H1)은 반달 모양으로 배열되고, 복수의 제2 관통홀(H2)도 반달 모양으로 배열될 수 있다.In addition, the plurality of first through-holes H1 may be arranged in various planar shapes, and the plurality of second through-holes H2 may also be arranged in various planar shapes. For example, as shown in FIG. 5 , the plurality of first through-holes H1 may be arranged in a half-moon shape, and the plurality of second through-holes H2 may also be arranged in a half-moon shape.

또한, 제1 관통홀(H1)의 평면 크기는 그(H1)의 개수와 제1 리드 프레임(110)의 평면적에 따라 결정될 수 있다. 또한, 제2 관통홀(H2)의 평면 크기도 그(H2)의 개수와 제2 리드 프레임(112)의 평면적에 따라 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)의 평면적은 정해져 있으므로, 개수가 많을수록 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)의 평면 크기 작아질 수 있다. 그 밖에 다양한 인자에 의해 제1 및 제2 관통홀(H1, H2) 각각의 평면 크기는 결정될 수 있다. 예를 들어, 제1 또는 제2 관통홀(H1, H2) 각각의 평면 크기는 0.54 ㎜ 내지 1.00 ㎜일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the planar size of the first through-holes H1 may be determined according to the number of the first through-holes H1 and the planar area of the first lead frame 110 . Also, the planar size of the second through-holes H2 may be determined according to the number of the second through-holes H2 and the planar area of the second lead frame 112 . For example, since the planar area of the first and second lead frames 110 and 112 is determined, the larger the number, the smaller the planar size of the first and second through-holes H1 and H2. In addition, the planar size of each of the first and second through-holes H1 and H2 may be determined by various factors. For example, a planar size of each of the first or second through holes H1 and H2 may be 0.54 mm to 1.00 mm, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1) 간의 평면 크기는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 이와 마찬가지로, 복수의 제2 관통홀(H2) 간의 평면 크기는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다.Also, planar sizes between the plurality of first through-holes H1 may be the same or different from each other. Likewise, planar sizes between the plurality of second through-holes H2 may be the same as or different from each other.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1)이 서로 이격된 제1 상호 이격 거리(d1)는 동일할 수도 있고 다를 수도 있고, 복수의 제2 관통홀(H2)이 서로 이격된 제2 상호 이격 거리(d2)는 서로 동일할 수도 있고 서로 다를 수도 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 상호 이격 거리(d1, d2) 각각은 0.7 ㎜이상일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, the first mutually spaced distance d1 in which the plurality of first through-holes H1 are spaced apart from each other may be the same or different, and the second mutually spaced distance in which the plurality of second through-holes H2 are spaced apart from each other. (d2) may be the same as or different from each other. For example, each of the first and second mutually spaced distances d1 and d2 may be 0.7 mm or more, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1)의 위치는 제1 리드 프레임(110)의 전체 평면적과 제1 관통홀(H1)의 평면 크기에 따라 결정될 수 있고, 복수의 제2 관통홀(H2)의 위치는 제2 리드 프레임(112)의 전체 평면적과 제2 관통홀(H2)의 평면 크기에 따라 결정될 수 있다.In addition, the positions of the plurality of first through-holes H1 may be determined according to the total plan area of the first lead frame 110 and the planar size of the first through-holes H1, and the plurality of second through-holes H2 may be positioned. The position of may be determined according to the total planar area of the second lead frame 112 and the planar size of the second through hole H2.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1) 각각은 제1 리드 프레임(110)의 상부면(110F)을 기준으로 제1 경사각(θ1)만큼 경사지게 배치될 수 있고, 복수의 제2 관통홀(H2) 각각은 제2 리드 프레임(112)의 상부면(112F)을 기준으로 제2 경사각(θ2)만큼 경사지게 배치될 수 있다.In addition, each of the plurality of first through-holes H1 may be disposed to be inclined by a first inclination angle θ1 with respect to the upper surface 110F of the first lead frame 110 , and the plurality of second through-holes H2 ) may be disposed to be inclined by a second inclination angle θ2 with respect to the upper surface 112F of the second lead frame 112 .

제1 경사각(θ1)에 따라 제1 관통홀(H1)로부터 출사되는 제1 광의 제1 지향각(θ11)이 결정되고, 제2 경사각(θ2)에 따라 제2 관통홀(H2)로부터 출사되는 제2 광의 제2 지향각(θ21)이 결정될 수 있다.A first directional angle θ11 of the first light emitted from the first through hole H1 is determined according to the first inclination angle θ1, and is emitted from the second through hole H2 according to the second inclination angle θ2. A second directional angle θ21 of the second light may be determined.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1)의 제1 경사각(θ1)은 서로 동일할 수도 있고 다를 수도 있다. 또한, 복수의 제2 관통홀(H2)의 제2 경사각(θ2)은 서로 동일할 수도 있고 다를 수도 있다.Also, the first inclination angles θ1 of the plurality of first through-holes H1 may be the same as or different from each other. In addition, the second inclination angles θ2 of the plurality of second through holes H2 may be the same as or different from each other.

예를 들어, 제1 또는 제2 경사각(θ1, θ2)은 90° 내지 120°일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.For example, the first or second inclination angles θ1 and θ2 may be 90° to 120°, but the embodiment is not limited thereto.

또는, 전술한 제1 관통홀(H1)의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 제1 경사각(θ1)은 제2 관통홀(H2)의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 제2 경사각(θ2) 각각과 동일할 수 있다. 이 경우, 도 5에 예시된 바와 같이, 제1 관통홀(H1)과 제2 관통홀(H2)은 절연체(120)를 중심으로 제1 방향(예를 들어, y축 방향)으로 서로 대칭일 수 있다.Alternatively, the above-described planar shape, planar size, mutual separation distance, location, number, or first inclination angle θ1 of the first through-hole H1 is the planar shape, planar size, and mutual separation distance of the second through-hole H2. , the position, the number, or each of the second inclination angles θ2 may be the same. In this case, as illustrated in FIG. 5 , the first through-hole H1 and the second through-hole H2 are symmetrical to each other in the first direction (eg, the y-axis direction) with respect to the insulator 120 . can

또는, 전술한 제1 관통홀(H1)의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 제1 경사각(θ1)은 제2 관통홀(H2)의 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 위치, 개수 또는 제2 경사각(θ2)은 각각 서로 다를 수도 있다.Alternatively, the above-described planar shape, planar size, mutual separation distance, location, number, or first inclination angle θ1 of the first through-hole H1 is the planar shape, planar size, and mutual separation distance of the second through-hole H2. , the position, the number, or the second inclination angle θ2 may be different from each other.

이하, 도 7a 내지 도 7c를 참조하여, 발광 소자(140)가 제1 또는 제2 리드 프레임(110, 112) 중 적어도 한 곳의 배면에 배치되는 예시를 살펴본다.Hereinafter, an example in which the light emitting device 140 is disposed on the rear surface of at least one of the first and second lead frames 110 and 112 will be described with reference to FIGS. 7A to 7C .

도 7a 내지 도 7c는 발광 소자 패키지(100A)에 포함되는 발광 소자(140)의 다양한 실시 예(140A, 140B, 140C)를 설명하기 위한 국부적인 단면도이다.7A to 7C are local cross-sectional views for explaining various embodiments 140A, 140B, and 140C of the light emitting device 140 included in the light emitting device package 100A.

도 7a에 도시된 발광 소자(140A)는 수평형 본딩 구조를 갖는다.The light emitting device 140A illustrated in FIG. 7A has a horizontal bonding structure.

수평형 본딩 구조를 갖는 발광 소자(140A)는 기판(142), 발광 구조물(144), 제1 및 제2 전극(146A, 146B)을 포함할 수 있다. 기판(142)은 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에 배치된다. 기판(142)은 도전형 물질 또는 비도전형 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판(142)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga203, GaAs 및 Si 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The light emitting device 140A having a horizontal bonding structure may include a substrate 142 , a light emitting structure 144 , and first and second electrodes 146A and 146B. The substrate 142 is disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110 . The substrate 142 may include a conductive material or a non-conductive material. For example, the substrate 142 may include at least one of sapphire (Al 2 0 3 ), GaN, SiC, ZnO, GaP, InP, Ga 2 0 3 , GaAs, and Si.

예를 들어, 기판(142)이 실리콘 기판일 경우, (111) 결정면을 주면으로서 가질 수 있다. 실리콘 기판일 경우, 대구경이 용이하며 열전도도가 우수하지만, 실리콘과 질화물계 발광 구조물(144) 간의 열 팽창 계수의 차이 및 격자 부정합에 의해 발광 구조물(144)에 크랙(crack)이 발생하는 등의 문제점이 발생할 수도 있다.For example, when the substrate 142 is a silicon substrate, it may have a (111) crystal plane as a main surface. In the case of a silicon substrate, it is easy to have a large diameter and has excellent thermal conductivity. Problems may arise.

이를 방지하기 위해, 비록 도시되지는 않았지만 기판(142)과 발광 구조물(144)의 사이에 버퍼층(또는, 전이층)이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 예를 들어 Al, In, N 및 Ga로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있으나, 이에 국한되지 않는다. 또한, 버퍼층은 단층 또는 다층 구조를 가질 수도 있다.To prevent this, although not shown, a buffer layer (or a transition layer) may be further disposed between the substrate 142 and the light emitting structure 144 . The buffer layer may include, for example, at least one material selected from the group consisting of Al, In, N, and Ga, but is not limited thereto. In addition, the buffer layer may have a single-layer or multi-layer structure.

기판(142) 위에 발광 구조물(144)이 배치된다. 발광 구조물(144)은 제1 도전형 반도체층(144A), 활성층(144B) 및 제2 도전형 반도체층(144C)을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(144A)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(144A)이 n형 반도체층인 경우, 제1 도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A light emitting structure 144 is disposed on the substrate 142 . The light emitting structure 144 may include a first conductivity type semiconductor layer 144A, an active layer 144B, and a second conductivity type semiconductor layer 144C. The first conductivity type semiconductor layer 144A may be implemented as a compound semiconductor such as group III-V or group II-VI doped with a first conductivity type dopant, and may be doped with a first conductivity type dopant. When the first conductivity-type semiconductor layer 144A is an n-type semiconductor layer, the first conductivity-type dopant is an n-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, and Te, but is not limited thereto.

예를 들어, 제1 도전형 반도체층(144A)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(144A)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.For example, the first conductivity type semiconductor layer 144A has a composition formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) It may include a semiconductor material. The first conductivity type semiconductor layer 144A may include any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, and InP.

활성층(144B)은 제1 도전형 반도체층(144A)을 통해서 주입되는 전자(또는, 정공)와 제2 도전형 반도체층(144B)을 통해서 주입되는 정공(또는, 전자)이 서로 만나서, 활성층(144B)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.In the active layer 144B, electrons (or holes) injected through the first conductivity type semiconductor layer 144A and holes (or electrons) injected through the second conductivity type semiconductor layer 144B meet each other, and the active layer ( 144B) is a layer that emits light with energy determined by the intrinsic energy band of the material constituting it.

활성층(144B)은 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.The active layer 144B may have at least one of a single well structure, a multi-well structure, a single quantum well structure, a multi quantum well (MQW) structure, a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. can be formed into one.

활성층(144B)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 우물층은 장벽층의 밴드갭 에너지보다 낮은 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer/barrier layer of the active layer 144B may be formed of any one or more pair structures of InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs (InGaAs)/AlGaAs, and GaP (InGaP)/AlGaP. However, the present invention is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a bandgap energy lower than the bandgap energy of the barrier layer.

활성층(144B)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(144B)의 장벽층의 밴드갭 에너지보다 더 높은 밴드갭 에너지를 갖는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on and/or under the active layer 144B. The conductive cladding layer may be formed of a semiconductor having a bandgap energy higher than that of the barrier layer of the active layer 144B. For example, the conductive clad layer may include GaN, AlGaN, InAlGaN, or a superlattice structure. In addition, the conductivity-type cladding layer may be doped with n-type or p-type.

제2 도전형 반도체층(144C)은 반도체 화합물 예를 들어, Ⅲ-Ⅴ 족 또는 Ⅱ-Ⅵ 족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(144C)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제2 도전형 반도체층(144C)에는 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제2 도전형 반도체층(144C)이 p형 반도체층인 경우, 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 144C may be implemented with a semiconductor compound, for example, a compound semiconductor such as III-V group or II-VI group. For example, the second conductivity type semiconductor layer 144C is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1) may include The second conductivity type semiconductor layer 144C may be doped with a second conductivity type dopant. When the second conductivity-type semiconductor layer 144C is a p-type semiconductor layer, the second conductivity-type dopant is a p-type dopant and may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like.

제1 도전형 반도체층(144A)은 n형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(144C)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또는, 제1 도전형 반도체층(144A)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(144C)은 n형 반도체층으로 구현할 수도 있다.The first conductivity-type semiconductor layer 144A may be implemented as an n-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 144C may be implemented as a p-type semiconductor layer. Alternatively, the first conductivity-type semiconductor layer 144A may be implemented as a p-type semiconductor layer, and the second conductivity-type semiconductor layer 144C may be implemented as an n-type semiconductor layer.

발광 구조물(144)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.The light emitting structure 144 may be implemented as any one of an n-p junction structure, a p-n junction structure, an n-p-n junction structure, and a p-n-p junction structure.

또한, 제1 전극(146A)은 제1 도전형 반도체층(144A) 위에 배치되고, 제2 전극(146B)은 제2 도전형 반도체층(144C) 위에 배치된다. In addition, the first electrode 146A is disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 144A, and the second electrode 146B is disposed on the second conductivity-type semiconductor layer 144C.

제1 전극(146A)은 오믹 접촉하는 물질을 포함하여 오믹 역할을 수행하여 별도의 오믹층(미도시)이 배치될 필요가 없을 수도 있고, 별도의 오믹층이 제1 전극(146A)에 배치될 수도 있다.The first electrode 146A includes a material in ohmic contact to perform an ohmic role, so that a separate ohmic layer (not shown) may not need to be disposed, and a separate ohmic layer may be disposed on the first electrode 146A. may be

또한, 제2 전극(146B)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 만일, 제2 전극(146B)이 오믹 역할을 수행할 경우, 별도의 오믹층(미도시)은 형성되지 않을 수 있다.In addition, the second electrode 146B may be formed of a single layer or multiple layers of a reflective electrode material having an ohmic characteristic. If the second electrode 146B performs an ohmic role, a separate ohmic layer (not shown) may not be formed.

제1 및 제2 전극(146A, 146B) 각각은 활성층(144B)에서 방출된 광을 흡수하지 않고 반사시키거나 투과시킬 수 있고, 제1 및 제2 도전형 반도체층(144A, 144C) 상에 양질로 성장될 수 있는 어느 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 전극(146A, 146B) 각각은 금속으로 형성될 수 있으며, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 이루어질 수 있다.Each of the first and second electrodes 146A and 146B may reflect or transmit light emitted from the active layer 144B without absorbing it, and may be disposed on the first and second conductivity-type semiconductor layers 144A and 144C. It can be formed of any material that can be grown into For example, each of the first and second electrodes 146A and 146B may be formed of a metal, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf, and their It can be made in optional combinations.

도 7a에 도시된 발광 소자(140A)에서 제1 전극(146A)은 제1 와이어(172)에 의해 제1 리드 프레임(110)과 전기적으로 연결되고 제2 전극(146B)은 제2 와이어(174)에 의해 제2 리드 프레임(112)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이, 발광 소자 패키지(100A)는 제1 및 제2 와이어(172, 174)를 더 포함할 수 있다.In the light emitting device 140A shown in FIG. 7A , the first electrode 146A is electrically connected to the first lead frame 110 by a first wire 172 , and the second electrode 146B is the second wire 174 . ) may be electrically connected to the second lead frame 112 . As such, the light emitting device package 100A may further include first and second wires 172 and 174 .

또는, 도 7b에 도시된 바와 같이 발광 소자(140B)는 수직형 본딩 구조를 가질 수도 있다.Alternatively, as shown in FIG. 7B , the light emitting device 140B may have a vertical bonding structure.

수직형 본딩 구조를 갖는 발광 소자(140B)는 지지 기판(147), 발광 구조물(144) 및 제1 전극(146A)을 포함할 수 있다.The light emitting device 140B having a vertical bonding structure may include a support substrate 147 , a light emitting structure 144 , and a first electrode 146A.

지지 기판(147)은 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에 배치된다. 지지 기판(147)은 도 7a에 도시된 제2 전극(146B)과 동일한 역할을 수행한다. 지지 기판(147)은 도전형 물질을 포함할 수 있다. 만일, 지지 기판(147)이 도전형일 경우, 지지 기판(147)의 전체는 p형 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.The support substrate 147 is disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110 . The support substrate 147 performs the same role as the second electrode 146B illustrated in FIG. 7A . The support substrate 147 may include a conductive material. If the support substrate 147 is of the conductive type, the entire support substrate 147 can serve as a p-type electrode, so a metal having excellent electrical conductivity can be used, and heat generated during operation of the light emitting device can be sufficiently dissipated. Therefore, it is possible to use a metal with high thermal conductivity.

예를 들어, 지지 기판(147)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.For example, the support substrate 147 may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or an alloy thereof. , also gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (eg GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3 , etc.) and the like may optionally be included.

지지 기판(147)과 발광 구조물(144) 사이에 반사층(미도시)이 더 배치될 수도 있다. 반사층은 활성층(144B)에서 방출된 빛을 반사체(130) 쪽으로 반사시키는 역할을 하며, 지지 기판(147) 위에 배치되며, 약 2500 옹스르통(Å)의 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 반사층은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광 소자의 광 추출 효율을 크게 개선할 수 있다.A reflective layer (not shown) may be further disposed between the support substrate 147 and the light emitting structure 144 . The reflective layer serves to reflect light emitted from the active layer 144B toward the reflector 130 , is disposed on the support substrate 147 , and may have a thickness of about 2500 Angstroms (Å). For example, the reflective layer may be made of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, or Pt or Rh. have. Aluminum, silver, or the like can effectively reflect the light generated by the active layer 124 to greatly improve the light extraction efficiency of the light emitting device.

발광 구조물(144)은 지지 기판(147) 위에 배치된다. 발광 구조물(144)은 제1 도전형 반도체층(144A), 활성층(144B) 및 제2 도전형 반도체층(144C)을 포함할 수 있다. 여기서, 발광 구조물(144), 제1 도전형 반도체층(144A), 활성층(144B) 및 제2 도전형 반도체층(144C)은 도 7a에 도시된 발광 구조물(144), 제1 도전형 반도체층(144A), 활성층(144B) 및 제2 도전형 반도체층(144C)과 각각 동일한 기능을 수행하므로 동일한 참조부호를 사용하였으며 중복되는 설명을 생략한다. 다만, 도 7a의 경우 광은 제2 도전형 반도체층(144C)과 제2 전극(146B)을 통해 출사되지만, 도 7b에 도시된 발광 소자(140B)에서 광은 제1 도전형 반도체층(144A)을 통해 출사된다. 따라서, 도 7a에 도시된 제1 도전형 반도체층(144A)은 광 투과 특성을 가질 필요가 없고 제2 도전형 반도체층(144C)은 광 투과 특성을 가질 필요가 있다. 이와 반대로, 도 7b에 도시된 제1 도전형 반도체층(144A)은 광 투과 특성을 가질 필요가 있고 제2 도전형 반도체층(144C)은 광 투과 특성을 가질 필요가 없을 수 있다.The light emitting structure 144 is disposed on the support substrate 147 . The light emitting structure 144 may include a first conductivity type semiconductor layer 144A, an active layer 144B, and a second conductivity type semiconductor layer 144C. Here, the light emitting structure 144 , the first conductivity type semiconductor layer 144A, the active layer 144B, and the second conductivity type semiconductor layer 144C are the light emitting structure 144 and the first conductivity type semiconductor layer shown in FIG. 7A . (144A), the active layer 144B, and the second conductivity-type semiconductor layer 144C and each perform the same function, so the same reference numerals are used, and overlapping descriptions will be omitted. However, in the case of FIG. 7A , light is emitted through the second conductivity type semiconductor layer 144C and the second electrode 146B, but in the light emitting device 140B illustrated in FIG. 7B , light is emitted from the first conductivity type semiconductor layer 144A ) is emitted through Accordingly, the first conductivity type semiconductor layer 144A illustrated in FIG. 7A does not need to have a light transmission characteristic and the second conductivity type semiconductor layer 144C needs to have a light transmission characteristic. Conversely, the first conductivity type semiconductor layer 144A illustrated in FIG. 7B may need to have a light transmission characteristic and the second conductivity type semiconductor layer 144C may not need to have a light transmission characteristic.

제1 전극(146A)은 발광 구조물(144)의 제1 도전형 반도체층(144A) 위에 배치된다. 제1 전극(146A)의 구성 물질은 도 7a에 도시된 제1 전극(146A)의 구성 물질과 동일할 수 있으므로, 여기서는 중복되는 설명을 생략한다.The first electrode 146A is disposed on the first conductivity-type semiconductor layer 144A of the light emitting structure 144 . Since the material of the first electrode 146A may be the same as that of the first electrode 146A illustrated in FIG. 7A , the overlapping description will be omitted herein.

도 7b에 도시된 제1 전극(146A)은 와이어(174)에 의해 제2 리드 프레임(112)과 전기적으로 연결되는 반면, 제2 전극의 역할을 수행하는 지지 기판(147)은 제1 리드 프레임(110)과 전기적으로 직접 연결될 수 있다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 수직형 본딩 구조에서도, 제1 및 제2 도전형 반도체층(144A, 144C)은 제1 및 제2 와이어(172, 174)를 통해 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)과 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode 146A shown in FIG. 7B is electrically connected to the second lead frame 112 by a wire 174, while the supporting substrate 147 serving as the second electrode is connected to the first lead frame. It may be electrically directly connected to 110 . However, the embodiment is not limited thereto. Even in the vertical bonding structure, the first and second conductivity-type semiconductor layers 144A and 144C are electrically connected to the first and second lead frames 110 and 112 through the first and second wires 172 and 174, respectively. can be connected

도 7a 및 도 7b에 도시된 제1 및 제2 와이어(172, 174) 각각은 Au, Ag, 또는 Cu 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.Each of the first and second wires 172 and 174 shown in FIGS. 7A and 7B may be implemented with at least one of Au, Ag, or Cu.

도 7a 및 도 7b의 경우 발광 소자(140A, 140B)는 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에 배치되는 것으로 예시되어 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 발광 소자(140A, 140B)는 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B) 대신에 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에 배치될 수도 있다.7A and 7B , the light emitting devices 140A and 140B are illustrated as being disposed on the rear surface 110B of the first lead frame 110, but the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, the light emitting devices 140A and 140B may be disposed on the rear surface 112B of the second lead frame 112 instead of the rear surface 110B of the first lead frame 110 .

또는, 도 7c에 도시된 바와 같이 발광 소자(140C)는 플립 칩형 본딩 구조를 가질 수도 있다.Alternatively, as shown in FIG. 7C , the light emitting device 140C may have a flip-chip bonding structure.

플립 칩형 본딩 구조를 갖는 발광 소자(140C)는 기판(142), 발광 구조물(144), 제1 및 제2 전극(146A, 146B)을 포함할 수 있다.The light emitting device 140C having a flip-chip bonding structure may include a substrate 142 , a light emitting structure 144 , and first and second electrodes 146A and 146B.

도 7c에 도시된 발광 소자(140C)는 도 7a에 도시된 발광 소자(140A)를 뒤집은 형태로서 동일하므로 동일한 참조부호를 사용하였으며 중복되는 설명을 생략하고 차이점에 대해서만 다음과 같이 설명한다.Since the light emitting device 140C shown in FIG. 7C is the same as the light emitting device 140A shown in FIG. 7A in an inverted form, the same reference numerals are used, and overlapping descriptions will be omitted and only differences will be described as follows.

전술한 바와 같이 도 7a에 도시된 발광 소자(140A)에서 광은 제2 도전형 반도체층(144C)과 제2 전극(146B)을 통해 출사되지만, 도 7c에 도시된 발광 소자(140C)에서 광은 제1 도전형 반도체층(144A)을 통해 출사된다. 따라서, 도 7a에 도시된 제2 도전형 반도체층(144C)과 달리 도 7c에 도시된 제2 도전형 반도체층(144C)은 광 투과 특성을 갖는 물질로 구현될 수 있다.As described above, in the light emitting device 140A shown in FIG. 7A , light is emitted through the second conductivity type semiconductor layer 144C and the second electrode 146B, but in the light emitting device 140C shown in FIG. 7C , light is emitted. is emitted through the first conductivity type semiconductor layer 144A. Accordingly, unlike the second conductivity-type semiconductor layer 144C illustrated in FIG. 7A , the second conductivity-type semiconductor layer 144C illustrated in FIG. 7C may be made of a material having a light-transmitting characteristic.

또한, 도 7c에 도시된 발광 소자(140C)에서 제1 및 제2 전극(146A, 146B)은 제1 및 제2 범퍼(148A, 148B)를 통해 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 플립 칩 본딩 구조를 갖는 발광 소자(140C)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)의 배면(110B, 112B)에 배치될 수 있다.In addition, in the light emitting device 140C shown in FIG. 7C , the first and second electrodes 146A and 146B are connected to the first and second lead frames 110 and 112 through the first and second bumpers 148A and 148B. may be electrically connected to each other. The light emitting device 140C having such a flip-chip bonding structure may be disposed on the rear surfaces 110B and 112B of the first and second lead frames 110 and 112 .

이하, 발광 소자(140)가 제1 리드 프레임(110)의 배면(110A)에만 배치되는 것으로 설명하지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 발광 소자(140)가 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에만 배치되거나, 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B) 및 제2 리드 프레임(112)의 배면(112B)에 배치되는 경우에도 하기의 설명은 적용될 수 있다.Hereinafter, it will be described that the light emitting device 140 is disposed only on the rear surface 110A of the first lead frame 110 , but the embodiment is not limited thereto. That is, the light emitting device 140 is disposed only on the rear surface 112B of the second lead frame 112 , or on the rear surface 110B of the first lead frame 110 and the rear surface 112B of the second lead frame 112 . Even in the case of arrangement, the following description may be applied.

한편, 도 5를 참조하면, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 중에서 발광 소자(140)가 배치되는 제1 리드 프레임(110)은 소자 영역(A1) 및 비소자 영역(A2)을 포함할 수 있다. 여기서, 소자 영역(A1)이란, 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에서 발광 소자(140)가 배치되기 위해 할당된 영역을 의미하고, 비소자 영역(A2)이란, 제1 리드 프레임(110)의 배면(110B)에서 소자 영역(A1)을 제외한 영역을 의미할 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 5 , among the first and second lead frames 110 and 112 , the first lead frame 110 in which the light emitting device 140 is disposed forms a device area A1 and a non-device area A2 . may include Here, the device area A1 refers to an area allocated to the rear surface 110B of the first lead frame 110 in which the light emitting device 140 is disposed, and the non-device area A2 refers to the first lead frame. It may refer to a region excluding the device region A1 on the rear surface 110B of 110 .

제1 리드 프레임(110)에서 소자 영역(A1)은 제1 방향에서 비소자 영역(A2)보다 제2 리드 프레임(112) 쪽으로 더 돌출되어 형성될 수 있다. 여기서, 제1 방향이란, 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)이 서로 대향하는 방향으로서 y축 방향일 수 있다.In the first lead frame 110 , the device area A1 may be formed to protrude more toward the second lead frame 112 than the non-device area A2 in the first direction. Here, the first direction is a direction in which the first and second lead frames 110 and 112 face each other and may be a y-axis direction.

또한, 소자 영역(A1)은 제2 방향으로 제1 리드 프레임(110)의 중앙에 위치할 수 있다. 여기서, 제2 방향이란, 제1 방향과 교차하는 방향을 의미할 수 있으며 예를 들어 x축 방향일 수 있다.In addition, the device region A1 may be positioned at the center of the first lead frame 110 in the second direction. Here, the second direction may mean a direction crossing the first direction, for example, may be an x-axis direction.

전술한 바와 같이 소자 영역(A1)이 비소자 영역(A2)보다 제2 리드 프레임(112)쪽으로 더 돌출되고, 제1 리드 프레임(110)의 중앙에 위치하는 이유는, 후술되는 반사체(130)의 상부 중앙의 정점(AP)(또는, 캐비티(C)의 최저점)이 발광 소자(140)의 광축(LX) 상에 위치하도록 하기 위함이다. 이와 같이, 정점(AP)이 광축(LX) 상에 위치할 경우 발광 소자(140)로부터 방출된 광은 반사체(130)의 반사면(RS1, RS2)에서 반사되어 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)에 골고루 도달할 수 있다.As described above, the reason why the device region A1 protrudes more toward the second lead frame 112 than the non-device region A2 and is located in the center of the first lead frame 110 is a reflector 130 to be described later. This is so that the apex AP of the upper center (or the lowest point of the cavity C) is located on the optical axis LX of the light emitting device 140 . As such, when the apex AP is positioned on the optical axis LX, the light emitted from the light emitting device 140 is reflected from the reflective surfaces RS1 and RS2 of the reflector 130 to the first and second lead frames ( 110, 112) can be reached evenly.

또한, 전술한 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)는 제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)를 더 포함할 수 있다. 제1 솔더 패드(111)는 제1 리드 프레임(110)에 필요한 전원을 공급하는 역할을 하고, 제2 솔더 패드(113)는 제2 리드 프레임(112)에 필요한 전원을 공급하는 역할을 한다.In addition, the light emitting device package 100A according to the above-described embodiment may further include first and second solder pads 111 and 113 . The first solder pad 111 serves to supply power required to the first lead frame 110 , and the second solder pad 113 serves to supply power required to the second lead frame 112 .

또한, 제1 솔더 패드(111)는 제1 리드 프레임(110)으로부터 돌출된 형상을 갖고, 제2 솔더 패드(113)는 제2 리드 프레임(112)으로부터 돌출된 형상을 가질 수 있다. 제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)는 전원을 공급하는 기판(미도시)과 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 각각 전기적으로 연결하는 역할을 한다. In addition, the first solder pad 111 may have a shape protruding from the first lead frame 110 , and the second solder pad 113 may have a shape protruding from the second lead frame 112 . The first and second solder pads 111 and 113 electrically connect the first and second lead frames 110 and 112 to a substrate (not shown) for supplying power, respectively.

일 례로서, 제1 솔더 패드(111)는 제1 리드 프레임(110)으로부터 제1 리드 프레임(110)의 두께 방향(예를 들어, z축 방향)으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 또한, 제2 솔더 패드(113)는 제2 리드 프레임(112)으로부터 제2 리드 프레임(112)의 두께 방향(예를 들어, z축 방향)으로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 도 3을 참조하면, 반사체(130)는 패드 수용홈(137)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 패드 수용홈(137)은 반사체(130)의 외벽에 형성되어 제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)를 수용하여 고정하는 역할을 한다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 패드 수용홈(137)은 반사체(130)의 외벽의 어느 곳에나 배치될 수 있다. 이와 같이, 제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)가 z축 방향으로 돌출된 이유는, 반사체(130)의 하부에 배치되는 기판(미도시)이 배치되어 있기 때문이다. 기판은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(metal Core) PCB, 연성(flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있으며, 발광 소자(140)에서 필요로 하는 전원을 공급하는 역할을 수행할 수도 있다.As an example, the first solder pad 111 may have a shape protruding from the first lead frame 110 in a thickness direction (eg, z-axis direction) of the first lead frame 110 . Also, the second solder pad 113 may have a shape protruding from the second lead frame 112 in the thickness direction (eg, the z-axis direction) of the second lead frame 112 . In this case, referring to FIG. 3 , the reflector 130 may further include a pad receiving groove 137 . Here, the pad receiving groove 137 is formed on the outer wall of the reflector 130 to receive and fix the first and second solder pads 111 and 113 . However, the embodiment is not limited thereto. That is, the pad receiving groove 137 may be disposed anywhere on the outer wall of the reflector 130 . The reason why the first and second solder pads 111 and 113 protrude in the z-axis direction is because a substrate (not shown) disposed under the reflector 130 is disposed. The substrate may be a circuit pattern printed on an insulator, and may include, for example, a general printed circuit board (PCB), a metal core PCB, a flexible PCB, a ceramic PCB, and the like. Also, it may serve to supply power required by the light emitting device 140 .

다른 례로서, 비록 도시되지는 않았지만, 예를 들어 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)에서 필요한 전원을 공급하는 기판이 반사체(130)의 아래에 배치되지 않는 등의 상황에서, 제1 솔더 패드(111)는 제1 리드 프레임(110)의 두께 방향과 교차하는 방향(예를 들어 y축 방향)으로 돌출되고 제2 솔더 패드(113)는 제2 리드 프레임(112)의 두께 방향과 교차하는 방향(예를 들어, y축 방향)으로 돌출될 수도 있다.As another example, although not shown, for example, in a situation where a substrate for supplying power required from the first and second lead frames 110 and 112 is not disposed under the reflector 130 , the first The solder pad 111 protrudes in a direction crossing the thickness direction of the first lead frame 110 (for example, the y-axis direction), and the second solder pad 113 is formed in the thickness direction of the second lead frame 112 and It may protrude in an intersecting direction (eg, a y-axis direction).

제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)의 개수는 도시된 바와 같이 2개일 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The number of the first and second solder pads 111 and 113 may be two as illustrated, but the embodiment is not limited thereto.

또한, 도시된 바와 같이, 제1 솔더 패드(111)는 제1 리드 프레임(110)과 일체로 형성되고, 제2 솔더 패드(113)는 제2 리드 프레임(112)과 일체로 형성될 수 있지만, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.In addition, as shown, the first solder pad 111 may be integrally formed with the first lead frame 110 , and the second solder pad 113 may be integrally formed with the second lead frame 112 , but , the embodiment is not limited thereto.

제1 및 제2 솔더 패드(111, 113) 각각은 전기적 전도성을 갖는 물질로 이루어질 수 있다.Each of the first and second solder pads 111 and 113 may be formed of a material having electrical conductivity.

한편, 다시 도 1 내지 도 5를 참조하면, 반사체(130)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 지지하는 역할을 수행한다.Meanwhile, referring back to FIGS. 1 to 5 , the reflector 130 serves to support the first and second lead frames 110 and 112 .

게다가, 반사체(130)는 발광 소자(140)로부터 방출된 광을 반사시키는 역할을 수행할 수도 있다. 이를 위해, 반사체(130)는 발광 소자(140)와 마주하는 반사면(RS:Reflector Surface)(RS1, RS2)을 갖는다. 여기서, 반사층(134)이 존재할 경우 반사층(134)의 상면이 반사면(RS1)에 해당하고, 반사층(134)이 생략될 경우 반사체(130)의 상면이 반사면(RS2)에 해당할 수 있다. 이에 대해서는 다시 한 번 후술된다.In addition, the reflector 130 may serve to reflect the light emitted from the light emitting device 140 . To this end, the reflector 130 has a reflective surface (RS: Reflector Surface) (RS1, RS2) facing the light emitting element 140. Here, when the reflective layer 134 is present, the upper surface of the reflective layer 134 may correspond to the reflective surface RS1, and if the reflective layer 134 is omitted, the upper surface of the reflector 130 may correspond to the reflective surface RS2. . This will be described again later.

반사면(RS1, RS2)은 복수의 파장 변환부(150, 160)를 통해 출사시킬 광 예를 들어 후술되는 제1 및 제2 광의 세기를 어느 정도로 할 것인가에 따라 결정된 반사도를 가질 수 있다. 이는 반사면(RS1, RS2)의 반사도가 높을 경우 복수의 파장 변환부(150, 160)를 통해 출사되는 광의 세기는 커지고, 반사면(RS1, RS2)의 반사도가 낮을 경우 복수의 파장 변환부(150, 160)를 통해 출사되는 광의 세기가 작아지기 때문이다.The reflective surfaces RS1 and RS2 may have reflectivity determined according to the intensity of the light to be emitted through the plurality of wavelength converters 150 and 160 , for example, first and second light to be described later. This means that when the reflectivity of the reflective surfaces RS1 and RS2 is high, the intensity of light emitted through the plurality of wavelength converters 150 and 160 increases, and when the reflectivity of the reflective surfaces RS1 and RS2 is low, the plurality of wavelength converters ( This is because the intensity of the light emitted through 150 and 160) is reduced.

발광 소자(140)로부터 방출된 광은 반사체(130)의 반사면(RS1, RS2)에서 반사된 후 복수의 파장 변환부(150, 160)를 통해 발광 소자 패키지(100A)로부터 출사될 수 있다. 따라서, 반사면(RS1, RS2)의 반사도(또는, 광 흡수도)를 조절함으로써, 파장 변환부(150, 160)로부터 출사되는 광의 세기를 조정할 수 있다.The light emitted from the light emitting device 140 may be reflected from the reflective surfaces RS1 and RS2 of the reflector 130 , and then may be emitted from the light emitting device package 100A through the plurality of wavelength converters 150 and 160 . Accordingly, the intensity of light emitted from the wavelength converters 150 and 160 may be adjusted by adjusting the reflectivity (or light absorption) of the reflective surfaces RS1 and RS2 .

또한, 반사체(130)는 반사면(RS1, RS2)에 의해 정의되는 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 캐비티(C)는 도시된 바와 같이 반구형 단면 형상을 가질 수 있으나, 실시 예는 캐비티(C)의 특정 단면 형상에 국한되지 않는다. 또한, 발광 소자(140)는 반사면(RS1, RS2)과 대향하며, 캐비티(C)에 의해 정의되는 빈 공간에 수용될 수 있다. In addition, the reflector 130 may include a cavity C defined by the reflective surfaces RS1 and RS2 . The cavity (C) may have a hemispherical cross-sectional shape as shown, but the embodiment is not limited to a specific cross-sectional shape of the cavity (C). In addition, the light emitting device 140 faces the reflective surfaces RS1 and RS2 and may be accommodated in an empty space defined by the cavity C. Referring to FIG.

또한, 반사체(130)는 몸체(132) 및 반사층(134)을 포함할 수 있다.In addition, the reflector 130 may include a body 132 and a reflective layer 134 .

몸체(132)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 지지하는 역할을 한다. 반사층(134)은 몸체(132)의 상부면에 배치되며 반사면(RS1)을 갖는다. 만일, 반사체(130)가 반사층(134)을 포함하지 않을 경우, 몸체(132)의 상부면이 반사면(RS2)에 해당할 수 있다. 이를 위해, 몸체(132)의 상부면은 경면 처리될 수 있다.The body 132 serves to support the first and second lead frames 110 and 112 . The reflective layer 134 is disposed on the upper surface of the body 132 and has a reflective surface RS1 . If the reflector 130 does not include the reflective layer 134 , the upper surface of the body 132 may correspond to the reflective surface RS2 . To this end, the upper surface of the body 132 may be mirror-treated.

반사체(130)의 몸체(132)는 화이트(white) EMC(Epoxy Molding Compound), 블랙(black) EMC 또는 PPA(PolyPhthalAmide) 중 적어도 하나로 구현될 수 있다.The body 132 of the reflector 130 may be implemented with at least one of white EMC (Epoxy Molding Compound), black EMC, and PPA (PolyPhthalAmide).

또한, 반사체(130)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)과 탈착 가능한 형상을 가질 수 있다. 이와 같이, 반사체(130)와 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)이 탈착 가능할 경우 이들을 분리하여 재활용할 수도 있다.In addition, the reflector 130 may have a shape detachable from the first and second lead frames 110 and 112 . As such, when the reflector 130 and the first and second lead frames 110 and 112 are detachable, they may be separated and recycled.

한편, 복수의 파장 변환부는 제1 리드 프레임(110)에 형성된 제1 관통홀(H1)과 제2 리드 프레임(112)에 형성된 제2 관통홀(H2)에 매립되어, 반사체(130)에서 반사된 광의 파장을 서로 다른 복수의 파장으로 변환하고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광을 출사할 수 있다. 이로 인해, 다양한 색의 광이 발광 소자 패키지(100A, 100B)로부터 방출될 수 있다. 즉, 반사체(130)의 반사면(RS1, RS2)에서 반사된 광의 파장이 복수의 파장 변환부를 통과하는 동안 변환될 수 있다.On the other hand, the plurality of wavelength converters are embedded in the first through hole H1 formed in the first lead frame 110 and the second through hole H2 formed in the second lead frame 112 , and are reflected by the reflector 130 . It is possible to convert the wavelength of the light to a plurality of wavelengths different from each other, and to emit a plurality of lights having different wavelengths. Accordingly, light of various colors may be emitted from the light emitting device packages 100A and 100B. That is, the wavelength of the light reflected from the reflective surfaces RS1 and RS2 of the reflector 130 may be converted while passing through the plurality of wavelength converters.

실시 예에 의하면, 복수의 파장 변환부는 제1 파장 변환부(150) 및 제2 파장 변환부(160)를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the plurality of wavelength converters may include a first wavelength converter 150 and a second wavelength converter 160 .

제1 파장 변환부(150)는 제1 관통홀(H1)에 매립되어 반사체(130)에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제1 파장을 갖는 제1 광을 출사한다. 이를 위해, 제1 파장 변환부(150)는 제1 파장 변환 물질인 형광체(또는, 인광물질(phosphor))를 포함할 수 있다. 제2 파장 변환부(160)는 제2 관통홀(H2)에 매립되어 반사체(130)에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제2 파장을 갖는 제2 광을 출사한다. 이를 위해, 제2 파장 변환부(160)는 제2 파장 변환 물질인 형광체를 포함할 수 있다. 여기서, 제1 파장과 제2 파장은 서로 다르므로, 제1 파장 변환 물질과 제2 파장 변환 물질도 서로 다르다.The first wavelength converter 150 is buried in the first through hole H1 , converts the wavelength of light reflected from the reflector 130 , and emits the first light having the converted first wavelength. To this end, the first wavelength conversion unit 150 may include a phosphor (or a phosphor) that is a first wavelength conversion material. The second wavelength converter 160 is buried in the second through hole H2 , converts the wavelength of the light reflected from the reflector 130 , and emits the second light having the converted second wavelength. To this end, the second wavelength conversion unit 160 may include a phosphor which is a second wavelength conversion material. Here, since the first wavelength and the second wavelength are different from each other, the first wavelength conversion material and the second wavelength conversion material are also different from each other.

또한, 복수의 제1 관통홀(H1)에는 동일한 종류의 제1 파장 변환 물질이 매립되고, 복수의 제2 관통홀(H2)에는 동일한 종류의 제1 파장 변환 물질이 매립될 수 있다. 이 경우, 제1 관통홀(H1)에 매립된 제1 파장 변환부(150)를 통해 출사되는 제1 광의 색은 동일하고, 제2 관통홀(H2)에 매립된 제2 파장 변환부(160)를 통해 출사되는 제2 광의 색은 동일하다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 다른 실시 예에 의하면, 복수의 제1 관통홀(H1)에 서로 다른 종류의 복수의 제1 파장 변환 물질이 매립되고, 복수의 제2 관통홀(H2)에 서로 다른 종류의 복수의 제2 파장 변환 물질이 매립될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 관통홀(H1)에 매립된 복수의 제1 파장 변환부(150)로부터 서로 다른 색의 광이 방출되고, 복수의 제2 관통홀(H2)에 매립된 복수의 제2 파장 변환부(160)로부터 서로 다른 색의 광이 방출될 수 있다. 이 경우, 복수의 제1 파장 변환부(150)로부터 방출되는 서로 다른 색의 광을 혼합한 색의 광이 제1 리드 프레임(110)의 상부로 방출되고, 복수의 제2 파장 변환부(160)로부터 방출되는 서로 다른 색의 광을 혼합한 색의 광이 제2 리드 프레임(112)의 상부로 방출될 수 있다.In addition, the same type of first wavelength conversion material may be embedded in the plurality of first through-holes H1 , and the same type of first wavelength conversion material may be embedded in the plurality of second through-holes H2 . In this case, the color of the first light emitted through the first wavelength conversion unit 150 embedded in the first through hole H1 is the same, and the second wavelength conversion unit 160 embedded in the second through hole H2 is the same. ) of the second light emitted through the same color. However, the embodiment is not limited thereto. That is, according to another embodiment, a plurality of first wavelength conversion materials of different types are embedded in the plurality of first through-holes H1 , and a plurality of different types of products are embedded in the plurality of second through-holes H2 . A two-wavelength converting material may be embedded. In this case, different colors of light are emitted from the plurality of first wavelength converters 150 embedded in the plurality of first through-holes H1 , and the plurality of second through-holes H2 embedded in the plurality of second through-holes H2 are emitted. Lights of different colors may be emitted from the two wavelength converter 160 . In this case, light of a color in which light of different colors emitted from the plurality of first wavelength converters 150 is mixed is emitted to the upper portion of the first lead frame 110 , and the plurality of second wavelength converters 160 . ) may be emitted to the upper portion of the second lead frame 112, the light of a color that is a mixture of light of different colors emitted from.

도 8은 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160) 각각의 일 실시 예에 의한 확대 사시도를 나타낸다.8 is an enlarged perspective view of each of the first or second wavelength converters 150 and 160 according to an embodiment.

제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160) 중 적어도 하나의 상측과 하측의 폭은 중간의 폭보다 클 수 있다. 예를 들어, 도 8을 참조하면, 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160) 각각의 중간의 제1 폭(φ1)(즉, 도 8에 도시된 가운데 부분의 지름)보다 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160) 각각의 상측(또는, 하측)의 제2 폭(φ2)(즉, 도 8에 도시된 탑면 또는 바닥면의 지름)은 더 클 수 있다. 이를 위해, 도 5를 참조하면, 제1 또는 제2 관통홀(H1, H2) 중 적어도 하나의 가운데 부분은 제1 폭(φ1)을 갖고, 제1 또는 제2 관통홀(H1, H2) 중 적어도 하나의 상측 또는 하측 부분은 제2 폭(φ2)을 가질 수 있다.Widths of an upper side and a lower side of at least one of the first or second wavelength converters 150 and 160 may be greater than a middle width. For example, referring to FIG. 8 , the first or second width φ1 in the middle of each of the first or second wavelength converters 150 and 160 (ie, the diameter of the middle portion shown in FIG. 8 ) The second width φ2 (ie, the diameter of the top or bottom surface shown in FIG. 8 ) of the upper (or lower) side of each of the second wavelength converters 150 and 160 may be larger. To this end, referring to FIG. 5 , a central portion of at least one of the first or second through-holes H1 and H2 has a first width φ1 , and among the first or second through-holes H1 and H2, At least one upper or lower portion may have a second width φ2 .

또한, 제1 파장 변환부(150)의 광 출사면(즉, 제1 리드 프레임(110)의 상면(110F))과 제2 파장 변환부(160)의 광 출사면(즉, 제2 리드 프레임(112)의 상면(112F))은 서로 동일한 수평면 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 파장 변환부(150)의 광 출사면인 상부면(110F)과 제2 파장 변환부(160)의 광 출사면인 상부면(112F)이 이루는 제3 각도(θ3)는 180°일 수 있다.In addition, the light exit surface of the first wavelength converter 150 (ie, the upper surface 110F of the first lead frame 110) and the light exit surface of the second wavelength converter 160 (ie, the second lead frame) The upper surface 112F of 112 may be disposed on the same horizontal plane as each other. In this case, the third angle θ3 between the upper surface 110F that is the light output surface of the first wavelength converter 150 and the upper surface 112F that is the light output surface of the second wavelength converter 160 is 180 ° can be

전술한 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 발광 소자(140)로부터 방출되어 반사체(130)에서 반사된 광은 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)에 매립된 제1 및 제2 파장 변환부(150, 160)를 통과하는 동안 서로 다른 파장의 광들로 변환된다. 따라서, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B)는 하나의 발광 소자(140)를 이용하여 다색의 광을 출사시킬 수 있음은 전술한 바와 같다.In the light emitting device packages 100A and 100B according to the above-described embodiment, the light emitted from the light emitting device 140 and reflected from the reflector 130 is first and second buried in the first and second through holes H1 and H2. While passing through the second wavelength converters 150 and 160 , they are converted into lights having different wavelengths. Accordingly, as described above, the light emitting device packages 100A and 100B according to the embodiment can emit multi-colored light using one light emitting device 140 .

예를 들어, 발광 소자(140)로부터 블루 광이 방출될 경우, 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)의 파장 변환 물질이 515 ㎚의 인광 물질 즉, 그린(Green)색 인광 물질일 경우 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)로부터 스카이 블루(sky blue) 광이 출사될 수 있다.For example, when blue light is emitted from the light emitting device 140 , the wavelength conversion material of the first or second wavelength conversion units 150 and 160 may be a 515 nm phosphor, that is, a green phosphor. In this case, sky blue light may be emitted from the first or second wavelength converters 150 and 160 .

또는, 발광 소자(140)로부터 블루 광이 방출될 경우, 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)의 파장 변환 물질이 520 ㎚의 인광 물질일 경우 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)로부터 아이스 블루(ice blue)광이 출사될 수 있다.Alternatively, when blue light is emitted from the light emitting device 140 , when the wavelength conversion material of the first or second wavelength converters 150 and 160 is a phosphor having a wavelength of 520 nm, the first or second wavelength converter 150 . , 160 ) may emit ice blue light.

또는, 발광 소자(140)로부터 블루 광이 방출될 경우, 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)의 파장 변환 물질이 옐로우(yellow) 인광 물질일 경우 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)로부터 백색광이 출사될 수 있다.Alternatively, when blue light is emitted from the light emitting device 140 , when the wavelength conversion material of the first or second wavelength conversion units 150 and 160 is a yellow phosphor material, the first or second wavelength conversion unit ( 150 and 160), white light may be emitted.

그 밖에도 발광 소자(140)로부터 방출되는 광의 색과, 제1 또는 제2 파장 변환부(150, 160)의 파장 변환 물질에 따라, 다양한 색을 갖는 광이 출사될 수 있다. 즉, 동일한 색의 광을 발광 소자(140)에서 방출하여도, 제1 파장 변환부(150)의 파장 변환 물질을 제2 파장 변환부(160)의 파장 변환 물질과 다르게 할 경우, 제1 광의 색과 제2 광의 색은 서로 달라질 수 있다.In addition, light having various colors may be emitted according to a color of light emitted from the light emitting device 140 and a wavelength conversion material of the first or second wavelength conversion unit 150 or 160 . That is, even when light of the same color is emitted from the light emitting device 140 , when the wavelength conversion material of the first wavelength conversion unit 150 is different from the wavelength conversion material of the second wavelength conversion unit 160 , the first light The color and the color of the second light may be different from each other.

그러나, 제1 파장 변환부(150)를 통해 출사되는 제1 광과 제2 파장 변환부(160)를 통해 출사되는 제2 광이 혼합될 경우, 하나의 발광 소자(140)를 이용하여 다색을 구현하기 어려울 수 있다. 이를 방지하기 위해, 즉, 제1 광과 제2 광이 혼합되는 것을 방지하기 위해, 도 4에 도시된 제3 각도(θ3)는 180°이상일 수 있다. 왜냐하면, 제3 각도(θ3)가 180°보다 커질수록 제1 광과 제2 광이 혼합될 가능성은 감소하기 때문이다. 그러나, 실시 예는 제3 각도(θ3)의 특정한 값에 국한되지 않는다.However, when the first light emitted through the first wavelength conversion unit 150 and the second light emitted through the second wavelength conversion unit 160 are mixed, multiple colors are produced using one light emitting device 140 . It can be difficult to implement. To prevent this, that is, to prevent the first light and the second light from being mixed, the third angle θ3 shown in FIG. 4 may be 180° or more. This is because, as the third angle θ3 becomes greater than 180°, the possibility that the first light and the second light are mixed decreases. However, the embodiment is not limited to a specific value of the third angle θ3.

도 9는 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)의 단면도를 나타낸다.9 is a cross-sectional view of a light emitting device package 100C according to another embodiment.

도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 달리 격벽(180)을 더 포함한다. 이를 제외하면, 도 9에 도시된 발광 소자 패키지(100C)는 도 4에 도시된 발광 소자 패키지(100A)와 동일하므로, 중복되는 설명을 생략한다.The light emitting device package 100C shown in FIG. 9 further includes a barrier rib 180 unlike the light emitting device package 100A shown in FIG. 4 . Except for this, the light emitting device package 100C shown in FIG. 9 is the same as the light emitting device package 100A shown in FIG. 4 , and thus overlapping description will be omitted.

격벽(180)은 제1 광과 제2 광의 혼합을 가로 막는 역할을 한다. 이를 위해, 예를 들어, 격벽(180)은 제1 광이 출사되는 면(110F)과 제2 광이 출사되는 면(112F) 사이의 영역(예를 들어, 절연체(120)의 상부면)으로부터 광축(LX) 방향으로 돌출된 형상을 가질 수 있다.The barrier rib 180 serves to block mixing of the first light and the second light. To this end, for example, the barrier rib 180 is formed from a region between the surface 110F from which the first light is emitted and the surface 112F from which the second light is emitted (eg, the upper surface of the insulator 120 ). It may have a shape protruding in the direction of the optical axis LX.

제1 광과 제2 광의 혼합을 막기 위한 격벽(180)의 높이(h)는 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112) 각각의 y축 방향으로의 길이에 영향을 받을 수 있다. 예를 들어, 제1 광과 제2 광의 혼합을 막기 위한 격벽(180)의 높이(h)는 0.25 ㎜일 수 있으나 실시 예는 이에 국한되지 않는다.The height h of the barrier rib 180 for preventing mixing of the first light and the second light may be affected by the length of each of the first and second lead frames 110 and 112 in the y-axis direction. For example, the height h of the barrier rib 180 for preventing mixing of the first light and the second light may be 0.25 mm, but the embodiment is not limited thereto.

그 밖에, 다른 실시 예에 의하면, 복수의 제1 관통홀(H1)과 복수의 제2 관통홀(H2)의 전술한 평면 형상, 평면 크기, 상호 이격 거리, 개수 또는 제1 또는 제2 경사각(θ1, θ2) 중 적어도 하나를 이용하여, 제1 광과 제2 광의 혼합을 막을 수 있다.In addition, according to another embodiment, the aforementioned planar shape, planar size, mutual separation distance, number, or first or second inclination angle ( Mixing of the first light and the second light may be prevented by using at least one of θ1 and θ2).

실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C), 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment may be arrayed on a substrate, and a light guide plate, a prism sheet, and a diffusion sheet that are optical members on a light path of the light emitting device package 100A, 100B, 100C etc. may be placed. The light emitting device packages 100A, 100B, and 100C, the substrate, and the optical member may function as a backlight unit.

또한, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)는 표시 장치, 지시 장치, 조명 장치에서 사용될 수 있다.In addition, the light emitting device packages 100A, 100B, and 100C according to the embodiment may be used in a display device, an indicator device, and a lighting device.

여기서, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 상에 배치되는 반사판과, 광을 방출하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.Here, the display device includes a bottom cover, a reflecting plate disposed on the bottom cover, a light emitting module emitting light, a light guide plate disposed in front of the reflecting plate and guiding light emitted from the light emitting module in front of the light guide plate An optical sheet comprising prism sheets disposed thereon, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, and a color filter disposed in front of the display panel may include Here, the bottom cover, the reflector, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.

또한, 조명 장치는 기판과 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)를 포함하는 광원 모듈, 광원 모듈의 열을 발산시키는 방열체, 및 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈로 제공하는 전원 제공부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 조명 장치는, 램프, 해드 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있다. 특히, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)를 포함하는 조명 장치는 차량의 실내등이나 실외등에서 특정한 목적(예를 들어, 은은한 분위기를 자아내는 자동차 실내등용)을 위해 유용하게 이용될 수 있다.In addition, the lighting device includes a light source module including a substrate and a light emitting device package 100A, 100B, or 100C according to an embodiment, a heat sink for dissipating heat of the light source module, and a light source by processing or converting an electrical signal provided from the outside. It may include a power supply unit provided as a module. For example, the lighting device may include a lamp, a head lamp, or a street lamp. In particular, the lighting device including the light emitting device package 100A, 100B, 100C according to the embodiment is usefully used for a specific purpose (for example, for a car interior lamp that creates a soft atmosphere) in an indoor light or an outdoor light of a vehicle. can

해드 램프는 기판 상에 배치되는 발광 소자 패키지(100A, 100B, 100C)들을 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.The head lamp is a light emitting module including a light emitting device package (100A, 100B, 100C) disposed on a substrate, a reflector that reflects light irradiated from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, reflected by the reflector It may include a lens that refracts light forward, and a shade that blocks or reflects a portion of light reflected by the reflector and directed to the lens to form a light distribution pattern desired by a designer.

이하, 전술한 일 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 다음과 같이 설명한다. 그러나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다. 즉, 발광 소자 패키지(100A)는 도 10a 내지 도 10e에 도시된 방법 이외에 다양한 방법으로 제조될 수 있음은 물론이다.Hereinafter, a method of manufacturing the light emitting device package 100A according to the above-described embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiment is not limited thereto. That is, it goes without saying that the light emitting device package 100A may be manufactured by various methods other than the method illustrated in FIGS. 10A to 10E .

도 10a 내지 도 10e는 발광 소자 패키지(100A)의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도이다.10A to 10E are perspective views illustrating a method of manufacturing the light emitting device package 100A.

먼저, 도 10a에 도시된 바와 같이, 절연체(120)에 의해 서로 전기적으로 분리된 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)과 제1 및 제2 솔더 패드(111, 113)를 준비한다.First, as shown in FIG. 10A , first and second lead frames 110 and 112 and first and second solder pads 111 and 113 electrically separated from each other by an insulator 120 are prepared.

이후, 도 10b에 도시된 바와 같이, 도 10a에 도시된 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)에 제1 및 제2 파장 변환부(150, 160)인 제1 및 제2 파장 변환 물질을 각각 디스펜싱(dispensing)하여 채운다. 이때, 제1 및 제2 파장 변환 물질을 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)에 각각 채운 후, 몰드 경화 즉 큐어링(curing)을 수행한다.Thereafter, as shown in FIG. 10B , first and second wavelength conversion materials that are first and second wavelength conversion units 150 and 160 in the first and second through holes H1 and H2 illustrated in FIG. 10A . Each is filled by dispensing. At this time, after the first and second wavelength conversion materials are filled in the first and second through-holes H1 and H2, respectively, mold curing, that is, curing is performed.

이후, 도 10c에 도시된 바와 같이 제1 리드 프레임(110)의 소자 영역(A1)에 발광 소자(140)를 배치하고, 본딩 방식에 따라 필요할 경우 발광 소자(140)를 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)과 전기적으로 연결하기 위해 와이어 본딩한다.Thereafter, as shown in FIG. 10C , the light emitting device 140 is disposed in the device area A1 of the first lead frame 110 , and if necessary according to a bonding method, the light emitting device 140 is first and second leaded. Wire bonding is performed to electrically connect to the frames 110 and 112 .

이후, 도 10d에 도시된 바와 같이, 도 10c에 도시된 결과물을 뒤집는다.Thereafter, as shown in FIG. 10D , the result shown in FIG. 10C is turned over.

이후, 도 10e에 도시된 바와 같이 미리 준비된 반사체(130)에 도 10d에 도시된 결과물을 합체함으로써, 도 1에 도시된 발광 소자 패키지(100A)를 완성한다.Thereafter, the light emitting device package 100A shown in FIG. 1 is completed by incorporating the result shown in FIG. 10D into the reflector 130 prepared in advance as shown in FIG. 10E .

전술한 바와 같이, 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100A)는 조립식으로 제작될 수 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.As described above, the light emitting device package 100A according to the embodiment may be manufactured in a prefabricated manner, but the embodiment is not limited thereto.

비록 설명하지는 않았지만, 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B, 100C)도 도 10a 내지 도 10e에 도시된 바와 같이 조립식으로 제작될 수 있다.Although not described, the light emitting device packages 100B and 100C according to other embodiments may also be fabricated as shown in FIGS. 10A to 10E .

즉, 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100B)는 원형 평면 형상 대신에 하트 모양이나 화살표 모양의 제1 및 제2 관통홀(H1, H2)이 새겨진 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 준비한다. 이후 과정은 동일하다.That is, the light emitting device package 100B according to another embodiment has first and second lead frames 110 and 112 in which first and second through-holes H1 and H2 of a heart shape or an arrow shape are engraved instead of a circular planar shape. ) to prepare After that, the process is the same.

또 다른 실시 예에 의한 발광 소자 패키지(100C)는 격벽(180)이 그의 상부에 배치된 제1 및 제2 리드 프레임(110, 112)을 준비한다. 이후의 과정은 동일하다.In the light emitting device package 100C according to another embodiment, the first and second lead frames 110 and 112 having the barrier rib 180 disposed thereon are prepared. The subsequent process is the same.

이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In the above, the embodiment has been mainly described, but this is only an example and does not limit the present invention, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains are not exemplified above in a range that does not depart from the essential characteristics of the present embodiment. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiment can be implemented by modification. And differences related to such modifications and applications should be construed as being included in the scope of the present invention defined in the appended claims.

100A 내지 100C: 발광 소자 패키지 110, 112: 리드 프레임
120: 절연체 130: 반사체
132: 몸체 134: 반사층
140: 발광 소자 150, 160: 파장 변환부
172, 174: 와이어 180: 격벽100A to 100C: light emitting device package 110, 112: lead frame
120: insulator 130: reflector
132: body 134: reflective layer
140: light emitting element 150, 160: wavelength conversion unit
172, 174: wire 180: bulkhead

Claims (19)

서로 전기적으로 이격된 제1 및 제2 리드 프레임;
상기 제1 또는 제2 리드 프레임 중 적어도 하나의 배면에 실장되는 하나의 발광 소자;
상기 발광 소자와 마주하는 반사면을 갖고 상기 제1 및 제2 리드 프레임을 지지하는 반사체; 및
상기 제1 및 제2 리드 프레임에 각각 형성된 제1 및 제2 관통홀에 매립되어, 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 서로 다른 복수의 파장으로 변환하고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 광을 출사하는 복수의 파장 변환부를 포함하고,
상기 복수의 파장 변환부는
상기 제1 관통홀에 매립되고 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제1 파장을 갖는 제1 광을 출사하는 제1 파장 변환부; 및
상기 제2 관통홀에 매립되고 상기 반사체에서 반사된 광의 파장을 변환하고, 변환된 제2 파장을 갖는 제2 광을 출사하는 제2 파장 변환부를 포함하고,
상기 반사면은 상기 복수의 파장 변환부를 통해 출사시킬 상기 제1 및 제2 광의 세기에 따라 결정된 반사도를 갖고,
상기 반사체는 상기 반사면에 의해 정의되는 캐비티를 포함하고, 상기 하나의 발광 소자는 상기 캐비티에 수용되는 발광 소자 패키지.first and second lead frames electrically spaced apart from each other;
one light emitting device mounted on a rear surface of at least one of the first and second lead frames;
a reflector having a reflective surface facing the light emitting element and supporting the first and second lead frames; and
It is buried in the first and second through-holes respectively formed in the first and second lead frames, converts the wavelength of the light reflected by the reflector into a plurality of different wavelengths, and emits a plurality of lights having different wavelengths including a plurality of wavelength converters,
The plurality of wavelength converters
a first wavelength converter embedded in the first through hole, converting a wavelength of light reflected from the reflector, and emitting a first light having the converted first wavelength; and
and a second wavelength converter embedded in the second through hole, converting a wavelength of light reflected from the reflector, and emitting a second light having the converted second wavelength;
The reflective surface has a reflectivity determined according to the intensity of the first and second light to be emitted through the plurality of wavelength converters,
The reflector includes a cavity defined by the reflective surface, and the one light emitting device is accommodated in the cavity. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 반사체는
상기 제1 및 제2 리드 프레임을 지지하는 몸체; 및
상기 몸체의 상부면에 배치되며 상기 반사면을 갖는 반사층을 포함하고,
상기 반사체는 상기 제1 및 제2 리드 프레임과 탈착 가능한 발광 소자 패키지.According to claim 1, wherein the reflector is
a body supporting the first and second lead frames; and
and a reflective layer disposed on the upper surface of the body and having the reflective surface,
The reflector is a light emitting device package detachable from the first and second lead frames. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 중에서 상기 발광 소자가 배치되는 해당 리드 프레임은
상기 발광 소자가 배치되는 소자 영역; 및
상기 소자 영역을 제외한 비소자 영역을 포함하고,
상기 제1 및 제2 리드 프레임이 서로 대향하는 제1 방향으로 상기 해당 리드 프레임의 소자 영역은 상기 비소자 영역보다 상기 해당 리드 프레임과 대향하는 리드 프레임쪽으로 더 돌출되고,
상기 소자 영역은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 해당하는 리드 프레임의 중앙에 위치하는 발광 소자 패키지.According to claim 1, wherein the lead frame in which the light emitting element is disposed among the first and second lead frames is
an element region in which the light emitting element is disposed; and
a non-device region other than the device region;
In a first direction in which the first and second lead frames face each other, the device region of the corresponding lead frame protrudes more toward the lead frame facing the lead frame than the non-device region,
The device region is a light emitting device package positioned at the center of a lead frame corresponding to a second direction intersecting the first direction. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 제1 광이 출사되는 면과 상기 제2 광이 출사되는 면 사이의 영역으로부터 광축 방향으로 돌출되어, 상기 제1 광과 상기 제2 광의 혼합을 가로막는 격벽을 더 포함하는 발광 소자 패키지.The method of claim 1, further comprising: a barrier rib that protrudes in the optical axis direction from a region between the surface from which the first light is emitted and the surface from which the second light is emitted to block the mixing of the first light and the second light. light emitting device package. 제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임에 전원을 각각 공급하는 제1 및 제2 솔더 패드를 더 포함하고,
상기 제1 및 제2 솔더 패드 각각은 상기 제1 및 제2 리드 프레임으로부터 돌출된 형상을 갖고,
상기 제1 또는 제2 파장 변환부 중 적어도 하나의 상측과 하측의 폭은 중간의 폭보다 크고,
상기 제1 파장 변환부의 광 출사면과 상기 제2 파장 변환부의 광 출사면이 이루는 각도는 180° 이상인 발광 소자 패키지.The method of claim 1, further comprising first and second solder pads for supplying power to the first and second lead frames, respectively;
Each of the first and second solder pads has a shape protruding from the first and second lead frames,
The width of the upper side and the lower side of at least one of the first or second wavelength conversion unit is greater than the width of the middle,
An angle between the light emitting surface of the first wavelength converter and the light emitting surface of the second wavelength converter is 180° or more. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1 항 또는 제9 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 리드 프레임 사이에 배치되어, 상기 제1 및 제2 리드 프레임을 전기적으로 이격시키는 절연체를 더 포함하고,
상기 제1 관통홀과 상기 제2 관통홀은 상기 절연체를 중심으로 상기 제1 및 제2 리드 프레임이 서로 대향하는 방향으로 대칭인 평면 위치에 배치된 발광 소자 패키지.10. The method of claim 1 or 9, further comprising an insulator disposed between the first and second lead frames to electrically separate the first and second lead frames;
The first through-hole and the second through-hole are disposed in a planar position symmetrical with respect to the insulator in a direction in which the first and second lead frames face each other. 삭제delete 제1 항, 제5 항, 제7 항, 제9 항 및 제10 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자 패키지를 포함하는 차량용 조명 장치.A lighting device for a vehicle comprising the light emitting device package according to any one of claims 1, 5, 7, 9 and 10.
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