KR102403661B1 - Chiller apparatus for semiconductor process - Google Patents
Chiller apparatus for semiconductor process Download PDFInfo
- Publication number
- KR102403661B1 KR102403661B1 KR1020200020296A KR20200020296A KR102403661B1 KR 102403661 B1 KR102403661 B1 KR 102403661B1 KR 1020200020296 A KR1020200020296 A KR 1020200020296A KR 20200020296 A KR20200020296 A KR 20200020296A KR 102403661 B1 KR102403661 B1 KR 102403661B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- channel
- line
- control
- channels
- tank
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16K—VALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
- F16K11/00—Multiple-way valves, e.g. mixing valves; Pipe fittings incorporating such valves
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B39/00—Evaporators; Condensers
- F25B39/02—Evaporators
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
- F25B49/00—Arrangement or mounting of control or safety devices
- F25B49/02—Arrangement or mounting of control or safety devices for compression type machines, plants or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
채널별 탱크의 레벨 밸런싱 제어 시에도 온도 제어의 영향을 최소화할 수 있는 칠러 장치가 개시된다. 공정챔버에 연결되는 핫 존(hot zone)과 콜드 존(cold zone)의 두 채널에 대응하여 구성되고, 상기 콜드 존에 연결되는 제1채널에서, 회수라인부터 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 상기 냉동사이클에 결합된 증발기, 및 라인 히터가 순차 배치되어 설치되고, 상기 핫존에 연결되는 제2채널에서, 회수라인에서 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 냉각수 열교환기, 및 라인 히터가 순차 배치되어 설치되며, 각 채널을 흐르는 냉매는, 상기 제1채널의 증발기와 상기 제2채널의 냉각수 열교환기에서 냉각 제어되고 상기 제1 및 제2채널의 라인 히터에서 가열 제어된다.Disclosed is a chiller device capable of minimizing the influence of temperature control even during level balancing control of tanks for each channel. It is configured to correspond to two channels of a hot zone and a cold zone connected to the process chamber, and in the first channel connected to the cold zone, a tank, a circulation pump, The evaporator coupled to the refrigerating cycle and the line heater are sequentially arranged and installed, and in the second channel connected to the hot zone, the tank, the circulation pump, the cooling water heat exchanger, and the line heater are sequentially arranged and installed from the recovery line to the supply line The refrigerant flowing through each channel is controlled to be cooled by the evaporator of the first channel and the coolant heat exchanger of the second channel, and heated by the line heaters of the first and second channels.
Description
본 발명은 반도체 공정용 칠러 장치에 관한 것으로, 특히 채널별 탱크의 레벨 밸런싱 제어 시에도 온도 제어의 영향을 최소화할 수 있는 기술에 관련한다.The present invention relates to a chiller device for a semiconductor process, and more particularly, to a technique capable of minimizing the influence of temperature control even when controlling the level balancing of a tank for each channel.
반도체 시장의 3D 메모리 관련 기술개발이 활발히 이뤄지고 있다. 3D 메모리 기술은 기존 2D 반도체 제조에서 미세 공정기술로는 한계를 느껴 반도체 소자를 수직으로 여러 층의 소자를 적층하는 방법이다.3D memory-related technology development in the semiconductor market is being actively carried out. 3D memory technology is a method of vertically stacking semiconductor devices in multiple layers, feeling the limitations of micro-processing technology in the existing 2D semiconductor manufacturing.
이러한 3D 메모리 공정은 대용량, 고속 처리가 요구되는 4차 산업시대의 꼭 필요한 기술로 시장 규모가 급격히 성장하고 있다. 3D 메모리 공정을 수행함에 있어 높은 생산성과 효율성을 확보하기 위해서는 기존 공정보다 폭 넓은 온도 범위와 빠른 응답성을 요구하고 있다.The 3D memory process is an essential technology in the 4th industrial age that requires large-capacity and high-speed processing, and the market size is rapidly growing. In order to secure high productivity and efficiency in performing the 3D memory process, a wider temperature range and faster response than the existing process are required.
이러한 공정이 이루어지는 챔버의 내부 온도와 웨이퍼 표면의 온도를 제어 하는 정전 척(ESC CHUCK)의 정밀 온도제어를 유지시켜 주는 장치가 반도체용 칠러 장치이다.The device that maintains precise temperature control of the electrostatic chuck (ESC CHUCK) that controls the internal temperature of the chamber where this process is performed and the temperature of the wafer surface is a semiconductor chiller device.
예를 들어, 본 출원인에 의한 국내 등록특허 제2070455호에 "반도체 공정용 칠러 장치 및 그 온도제어 방법"이 개시되어 있다.For example, "a chiller apparatus for a semiconductor process and a temperature control method thereof" is disclosed in Korean Patent Registration No. 2070455 by the present applicant.
최근에는 기존의 공정 온도범위, 가령 -20℃ ~ 90℃에서 필요한 설정값에 따라 시스템의 온도를 올리고 내리는데 많은 시간을 소비하는 공정을 개선하고자 핫 존(hot zone)과 콜드 존(cold zone)의 두 채널을 가지고 믹싱 또는 스위칭하여 빠른 온도 대응을 진행하고자 하는 공정이 늘어나고 있다. Recently, in order to improve the process that spends a lot of time raising and lowering the temperature of the system according to the required set value in the existing process temperature range, for example, -20℃ ~ 90℃, the hot zone and cold zone Processes that want to quickly respond to temperature by mixing or switching with two channels are increasing.
그런데 믹싱 또는 스위칭 공정을 진행함에 있어 두 개의 온도 영역이 섞이며 온도가 헌팅하는 부분이 문제가 되고 있다.However, in the mixing or switching process, two temperature regions are mixed and the temperature hunting part becomes a problem.
또한, 믹싱 또는 스위칭 공정시 발생하는 탱크 간 냉매의 쏠림, 즉 냉매 유량의 불균형으로 인해 칠러 장치의 온도 제어성에 악영향을 미친다.In addition, the temperature controllability of the chiller device is adversely affected due to the inclination of the refrigerant between the tanks, that is, the imbalance in the refrigerant flow rate, which occurs during the mixing or switching process.
따라서, 본 발명의 목적은 공정 온도 변화에 빠르게 대응할 수 있는 칠러 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a chiller device capable of quickly responding to process temperature changes.
본 발명의 다른 목적은 채널별 탱크의 레벨 밸런싱 제어 시에도 온도 제어의 영향을 최소화할 수 있는 칠러 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chiller device capable of minimizing the influence of temperature control even during level balancing control of tanks for each channel.
본 발명의 다른 목적은 순간 가열에 의해 온도 응답성을 향상시킬 수 있는 칠러 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chiller device capable of improving temperature response by instantaneous heating.
상기의 목적은, 냉동사이클과 공정챔버 사이에 설치되는 온도제어모듈을 구비한 반도체 공정용 칠러 장치로서, 상기 온도제어모듈은, 상기 공정챔버에 연결되는 핫 존(hot zone)과 콜드 존(cold zone)의 두 채널에 대응하여 구성되고, 상기 콜드 존에 연결되는 제1채널에서, 회수라인부터 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 상기 냉동사이클에 결합된 증발기, 및 라인 히터가 순차 배치되어 설치되고, 상기 핫존에 연결되는 제2채널에서, 회수라인에서 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 냉각수 열교환기, 및 라인 히터가 순차 배치되어 설치되며, 각 채널을 흐르는 냉매는, 상기 제1채널의 증발기와 상기 제2채널의 냉각수 열교환기에서 냉각 제어되고 상기 제1 및 제2채널의 라인 히터에서 가열 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러 장치에 의해 달성된다.The above object is a chiller device for a semiconductor process having a temperature control module installed between a refrigeration cycle and a process chamber, wherein the temperature control module includes a hot zone and a cold zone connected to the process chamber. zone), and in the first channel connected to the cold zone, a tank, a circulation pump, an evaporator coupled to the refrigeration cycle, and a line heater are sequentially arranged and installed from the recovery line to the supply line , in the second channel connected to the hot zone, a tank, a circulation pump, a cooling water heat exchanger, and a line heater are sequentially arranged and installed from the recovery line to the supply line, and the refrigerant flowing through each channel is combined with the evaporator of the first channel It is achieved by a chiller apparatus for a semiconductor process, characterized in that cooling is controlled by the cooling water heat exchanger of the second channel and heating is controlled by the line heaters of the first and second channels.
바람직하게, 각 채널의 라인 히터의 후단에 각 채널의 회수라인에 더 연결되는 3방밸브가 설치되어 각 채널의 공급라인의 유량을 조절할 수 있다.Preferably, a three-way valve further connected to the recovery line of each channel is installed at the rear end of the line heater of each channel to control the flow rate of the supply line of each channel.
바람직하게, 상기 콜드 존과 상기 핫존은, 3방밸브의 궤도 조절을 통한 믹싱(mixing) 제어 또는 양방향 솔레노이드 밸브의 온/오프 제어에 의한 스위칭(switching) 제어가 수행된다.Preferably, the cold zone and the hot zone, mixing (mixing) control through the orbit control of the three-way valve or switching (switching) control by the on/off control of the two-way solenoid valve is performed.
본 발명에 의하면, 각 채널에서 탱크 후단에서 순환 과정 중 온도를 제어하기 때문에 탱크 간 밸런싱 제어 시에도 온도 제어의 영향을 최소화할 수 있고 제어 응답성이 향상된다.According to the present invention, since the temperature during the circulation process is controlled at the rear end of the tank in each channel, the influence of temperature control can be minimized even during balancing between tanks and the control responsiveness is improved.
그 결과, 순환 과정 중 냉매의 온도 제어, 즉 냉각 제어와 가열 제어를 통해 칠러 장치내 핫존과 콜드 존은 항상 일정한 온도 유지가 가능하며 외부에서의 유량 분배 문제가 발생하여 칠러 장치의 탱크간 레벨 밸런싱 제어시에도 온도제어에 영향을 미치지 않는다.As a result, the temperature control of the refrigerant during the circulation process, i.e., cooling control and heating control, makes it possible to always maintain a constant temperature in the hot zone and cold zone in the chiller unit, and the flow rate distribution problem from the outside causes level balancing between the tanks of the chiller unit. It does not affect temperature control even during control.
또한, 탱크 내에서 히터 가열을 수행하지 않고 순환 과정에서 배관내 라인 히터를 적용함으로써 더 작은 체적을 순간 가열할 수 있어 온도 응답성 또한 우수하다.In addition, since a smaller volume can be instantaneously heated by applying a line heater in the pipe in the circulation process without heating the heater in the tank, the temperature response is also excellent.
도 1은 본 발명의 실시 예에 의한 칠러 장치의 계통도를 나타낸다.
도 2는 온도제어모듈의 구성을 보여준다.1 shows a schematic diagram of a chiller device according to an embodiment of the present invention.
2 shows the configuration of the temperature control module.
본 발명에서 사용되는 기술적 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아님을 유의해야 한다. 또한, 본 발명에서 사용되는 기술적 용어는 본 발명에서 특별히 다른 의미로 정의되지 않는 한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 의미로 해석되어야 하며, 과도하게 포괄적인 의미로 해석되거나 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다. 또한, 본 발명에서 사용되는 기술적인 용어가 본 발명의 사상을 정확하게 표현하지 못하는 잘못된 기술적 용어일 때에는, 당업자가 올바르게 이해할 수 있는 기술적 용어로 대체되어 이해되어야 할 것이다. 또한, 본 발명에서 사용되는 일반적인 용어는 사전에 정의되어 있는 바에 따라, 또는 전후 문맥상에 따라 해석되어야 하며, 과도하게 축소된 의미로 해석되지 않아야 한다.It should be noted that the technical terms used in the present invention are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. In addition, the technical terms used in the present invention should be interpreted as meanings generally understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs, unless otherwise defined in the present invention. It should not be construed in the meaning of a human being or in an excessively reduced meaning. In addition, when the technical term used in the present invention is an incorrect technical term that does not accurately express the spirit of the present invention, it should be understood by being replaced with a technical term that can be correctly understood by those skilled in the art. In addition, the general terms used in the present invention should be interpreted according to the definition in the dictionary or according to the context before and after, and should not be interpreted in an excessively reduced meaning.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 의한 칠러 장치의 계통도를 나타내고, 도 2는 온도제어모듈의 구성을 보여준다.1 shows a schematic diagram of a chiller device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a configuration of a temperature control module.
칠러 장치는, 압축기와 응축기를 구비한 냉동사이클(10)과 공정 챔버(20) 사이에 구비된 온도제어모듈(100)을 포함한다.The chiller device includes a
온도제어모듈(100)은 공정챔버(20)의 정전 척에 연결되는 핫 존(hot zone)과 콜드 존(cold zone)의 두 채널에 대응하여 구성된다.The
다시 말해, 반도체 공정용 칠러 장치의 경우, 공정 온도 변환시 칠러 장치내 온도 상승 및 하강 시간과 안정화되고 난 후 공정 진행시작까지 걸리는 시간을 단축하기 위해 3방밸브의 궤도 조절을 통한 믹싱 제어 또는 양방향 솔레노이드 밸브의 온/오프 제어에 의한 스위칭 제어가 도입되고 있다.In other words, in the case of a chiller device for a semiconductor process, mixing control or bidirectional solenoid through orbital control of a 3-way valve to shorten the time it takes for the temperature to rise and fall within the chiller device and the time it takes to start the process after stabilization during process temperature conversion Switching control by on/off control of a valve has been introduced.
본 발명의 온도제어모듈(100)은 여기에 대응하여, 가령 -40℃의 콜드 존과 +90℃의 핫존의 개별 채널을 상시 준비 제어를 하며 일정한 유량제어를 통해 각각의 온도를 공급하게 되면 공정 챔버(20)에서 -30℃ 내지 +80℃ 사이에서 공정의 원하는 온도를 맞출 수 있다.The
도 1을 보면, 공정챔버(20)의 콜드 존에 연결되는 제1채널은 회수라인(110)과 공급라인(120)으로 구성되어 순환 라인을 구성하고, 핫존에 연결되는 제2채널은 회수라인(210)과 공급라인(220)으로 구성되어 순환 라인을 구성한다.Referring to FIG. 1 , the first channel connected to the cold zone of the
제1채널에서, 탱크(120), 순환펌프(130), 증발기(140), 및 라인 히터(150)가 순차 배치되어 설치되며, 제1채널은 냉동사이클을 구성하여 증발기(140)에서 냉각 제어되고 라인 히터(150)에서 가열 제어된다.In the first channel, the
제2채널에서, 탱크(220), 순환펌프(230), 냉각수 열교환기(240), 및 라인 히터(250)가 순차 배치되어 설치되며, 제2채널은 냉각수 냉각사이클을 구성하여 냉각수 열교환기(240)에서 냉각 제어되고 라인 히터(250)에서 가열 제어된다.In the second channel, the
따라서, 제1채널을 통하여 공정챔버(20)의 척 → 제1채널 탱크(120) → 제1채널 순환펌프(130) → 증발기(140) → 제1채널 히터(150) → 척의 순서로 냉매 흐름이 이루어지고, 제2채널을 통하여 척 → 제2채널 탱크(220) → 제2채널 순환펌프(230) → 냉각수 열교환기(240) → 제2채널 히터(250)의 순서로 냉매 흐름이 이루어진다.Accordingly, the refrigerant flows in the order of the chuck of the
이 과정에서, 냉매는 제1채널의 증발기(140)와 제2채널의 냉각수 열교환기(240)에서 냉각 제어되고, 제1채널의 히터(150)와 제2채널의 히터(250)에서 가열 제어된다.In this process, the refrigerant is controlled to be cooled by the
일반적으로, 각 채널별로 척에 공급되는 냉매의 유량이 온도에 따라 다르기 때문에 결과적으로 척으로부터 회수되는 냉매의 유량도 다를 수밖에 없고, 그 결과 각 채널별 탱크(120, 220)의 수위가 달라진다. 이를 방지하기 위해 탱크(120, 220) 간 연결 밸브(170)를 통해 수위를 조절하게 되는데, 이때 각각 채널별 다른 온도로 제어 중인 냉매가 섞이면서 온도 제어 헌팅이 발생된다.In general, since the flow rate of the refrigerant supplied to the chuck for each channel varies depending on the temperature, the flow rate of the refrigerant recovered from the chuck is consequently also different, as a result, the water level of the
그러나 본 발명과 같이, 각 채널에서 탱크(120, 220) 후단에서 순환 과정 중 온도를 제어하기 때문에 탱크 간 밸런싱 제어 시에도 온도 제어의 영향을 최소화할 수 있고 제어 응답성이 향상된다.However, as in the present invention, since the temperature during the circulation process is controlled at the rear end of the
이와 같이, 순환 과정 중 냉매의 온도 제어, 즉 냉각 제어와 가열 제어를 통해 칠러 장치내 핫존과 콜드 존은 항상 일정한 온도 유지가 가능하며 외부에서의 유량 분배 문제가 발생하여 칠러 장치의 탱크간 밸런싱 제어시에도 온도제어에 영향을 미치지 않는다.In this way, through the temperature control of the refrigerant during the circulation process, that is, the cooling control and heating control, the hot zone and the cold zone in the chiller device can always maintain a constant temperature, and the flow rate distribution problem from the outside occurs, thereby controlling the balancing between the tanks of the chiller device. It does not affect the temperature control even during operation.
또한, 탱크 내에서 히터 가열을 수행하지 않고 순환 과정에서 배관내 라인 히터(150, 160)를 적용함으로써 더 작은 체적을 순간 가열할 수 있어 온도 응답성 또한 우수하다.In addition, by applying the
다시 도 2를 보면, 각 채널의 회수라인(110, 210)과 탱크(120, 220)에 연결되는 버퍼 탱크(320)가 설치되어 배관내 드레인시 집수용으로 사용될 수 있다.Referring to FIG. 2 again, the
또한, 각 채널의 라인 히터(150, 250)의 후단에는 회수라인(110, 210)에 더 연결되는 3방밸브(160, 260)가 설치되어 공급라인(112, 212)의 유량을 조절할 수 있다.In addition, three-
이상에서는 본 발명의 실시 예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경을 가할 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기한 실시 예에 한정되어 해석될 수 없으며, 이하에 기재되는 청구범위에 의해 해석되어야 한다.Although the above description has been focused on the embodiments of the present invention, it goes without saying that various changes may be made at the level of those skilled in the art. Accordingly, the scope of the present invention cannot be construed as being limited to the above-described embodiments, and should be construed by the claims described below.
10: 냉동사이클
20: 공정챔버
100: 온도제어모듈
110, 210: 회수라인
112, 212; 공급라인
120, 220: 탱크
130, 230: 순환펌프
140: 증발기
150, 250: 라인 히터(line heater)
160, 260: 3방밸브
240: 냉각수 열교환기10: refrigeration cycle
20: process chamber
100: temperature control module
110, 210: recovery line
112, 212; supply line
120, 220: tank
130, 230: circulation pump
140: evaporator
150, 250: line heater (line heater)
160, 260: 3-way valve
240: coolant heat exchanger
Claims (3)
상기 온도제어모듈은, 상기 공정챔버에 연결되는 핫 존(hot zone)과 콜드 존(cold zone)의 두 채널에 대응하여 구성되고,
상기 콜드 존에 연결되는 제1채널에서, 회수라인부터 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 상기 냉동사이클에 결합되는 냉각 제어용 증발기, 및 가열 제어용 라인 히터가 순차 배치되어 설치되고,
상기 핫존에 연결되는 제2채널에서, 회수라인에서 공급라인까지 탱크, 순환펌프, 상기 냉동사이클에 결합되는 냉각 제어용 냉각수 열교환기, 및 가열 제어용 라인 히터가 순차 배치되어 설치되며,
상기 제1 및 제2채널의 탱크는 각각 연결 밸브를 개재하여 직접 연결되어 각 탱크의 수위가 조절되고,
각 채널을 흐르는 냉매는, 상기 제1채널의 증발기와 상기 제2채널의 냉각수 열교환기에서 냉각 제어된 후, 상기 제1 및 제2채널의 라인 히터에서 신속하게 가열 제어되어 상기 공정챔버에 공급됨으로써, 상기 제1 및 제2채널의 탱크간 밸런싱 제어시 상기 공정챔버에 공급되는 냉매의 온도제어에 영향을 최소화하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러 장치.A chiller device for a semiconductor process having a temperature control module installed between a refrigeration cycle and a process chamber,
The temperature control module is configured to correspond to two channels of a hot zone and a cold zone connected to the process chamber,
In the first channel connected to the cold zone, a tank, a circulation pump, an evaporator for cooling control coupled to the refrigeration cycle, and a line heater for heating control are sequentially arranged and installed from the recovery line to the supply line,
In the second channel connected to the hot zone, a tank, a circulation pump, a cooling water heat exchanger for cooling control coupled to the refrigeration cycle, and a line heater for heating control are sequentially arranged and installed from the recovery line to the supply line,
The tanks of the first and second channels are directly connected through a connection valve, respectively, so that the water level of each tank is adjusted,
The refrigerant flowing through each channel is controlled to be cooled by the evaporator of the first channel and the coolant heat exchanger of the second channel, and then is rapidly heated and controlled by the line heaters of the first and second channels and supplied to the process chamber. , Chiller apparatus for a semiconductor process, characterized in that when controlling the balancing between the tanks of the first and second channels, the influence on the temperature control of the refrigerant supplied to the process chamber is minimized.
각 채널의 라인 히터의 후단에 각 채널의 회수라인에 더 연결되는 3방밸브가 설치되어 각 채널의 공급라인의 유량을 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러 장치.In claim 1,
A three-way valve further connected to the recovery line of each channel is installed at the rear end of the line heater of each channel to control the flow rate of the supply line of each channel.
상기 콜드 존과 상기 핫존은, 3방밸브의 궤도 조절을 통한 믹싱(mixing) 제어 또는 양방향 솔레노이드 밸브의 온/오프 제어에 의한 스위칭(switching) 제어가 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정용 칠러 장치.
In claim 1,
The cold zone and the hot zone, a chiller apparatus for a semiconductor process, characterized in that the switching (switching) control by mixing (mixing) control through the orbit control of the three-way valve or the on/off control of the two-way solenoid valve is performed.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200020296A KR102403661B1 (en) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | Chiller apparatus for semiconductor process |
| CN202110191290.2A CN113280538A (en) | 2020-02-19 | 2021-02-19 | Cooling device for semiconductor process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020200020296A KR102403661B1 (en) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | Chiller apparatus for semiconductor process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210105616A KR20210105616A (en) | 2021-08-27 |
| KR102403661B1 true KR102403661B1 (en) | 2022-05-31 |
Family
ID=77275877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200020296A KR102403661B1 (en) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | Chiller apparatus for semiconductor process |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102403661B1 (en) |
| CN (1) | CN113280538A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7473401B2 (en) * | 2020-06-03 | 2024-04-23 | 株式会社ディスコ | Processing water supply system |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101367086B1 (en) | 2013-10-17 | 2014-02-24 | (주)테키스트 | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
| KR101975007B1 (en) * | 2018-09-19 | 2019-05-07 | (주)본씨앤아이 | cooling system for semiconductor parts cooling |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100925236B1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-11-05 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | Temperature control system for Semiconductor Manufacturing Device |
| US20090126378A1 (en) * | 2007-11-20 | 2009-05-21 | Hyun-Myung Oh | Chiller of etch equipment for semiconductor processing |
| JP5912439B2 (en) * | 2011-11-15 | 2016-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Temperature control system, semiconductor manufacturing apparatus, and temperature control method |
| JP5841281B1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-01-13 | 伸和コントロールズ株式会社 | Chiller device for plasma processing equipment |
| JP6714696B2 (en) * | 2016-06-01 | 2020-06-24 | 株式会社アドテックス | Cooling device for semiconductor inspection equipment |
| JP2018076995A (en) * | 2016-11-08 | 2018-05-17 | 株式会社ナカヤ | Circulation liquid temperature control method using parameter control-by-area type chiller by remote control, and maintenance method |
| KR101910347B1 (en) * | 2016-12-05 | 2018-10-23 | 주식회사 글로벌스탠다드테크놀로지 | High-Tech Temperature Control Device for Semiconductor Manufacturing Facilities |
-
2020
- 2020-02-19 KR KR1020200020296A patent/KR102403661B1/en active IP Right Grant
-
2021
- 2021-02-19 CN CN202110191290.2A patent/CN113280538A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101367086B1 (en) | 2013-10-17 | 2014-02-24 | (주)테키스트 | Temperature control system for semiconductor manufacturing system |
| KR101975007B1 (en) * | 2018-09-19 | 2019-05-07 | (주)본씨앤아이 | cooling system for semiconductor parts cooling |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20210105616A (en) | 2021-08-27 |
| CN113280538A (en) | 2021-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101109730B1 (en) | Chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same | |
| KR101739369B1 (en) | Temperature Control System for Chiller of Semiconductor Device | |
| JP6063895B2 (en) | Temperature control system for semiconductor manufacturing equipment | |
| KR101975007B1 (en) | cooling system for semiconductor parts cooling | |
| CN204026991U (en) | heating hot water supply system | |
| KR20090039420A (en) | Temperature control system for semiconductor manufacturing device | |
| KR20090054597A (en) | Chiller apparatus for semiconductor process equipment | |
| KR102179060B1 (en) | Apparatus for mixing heating medium and Chiller apparatus using the same | |
| WO2006075592A1 (en) | Refrigerating device | |
| CN209841590U (en) | Temperature control device for rapid cold and hot impact test | |
| KR102403661B1 (en) | Chiller apparatus for semiconductor process | |
| CN100437966C (en) | Static chuck system capable of controlling temperature partitionedly | |
| JP5762493B2 (en) | Circulating fluid temperature control method using area-specific parameter control hybrid chiller | |
| KR102345640B1 (en) | Chiller apparatus for semiconductor process | |
| KR101923433B1 (en) | Dual cooling system for semiconductor parts cooling | |
| KR20190078791A (en) | Semiconductor cooling system for improving the temperature deviation of semiconductor test | |
| JP5319502B2 (en) | Heat pump heating system | |
| KR100404651B1 (en) | Chiller of Semiconductor Manufacturing Equipment | |
| KR101501175B1 (en) | Method for controlling temperature in chiller device | |
| CN109916758A (en) | A kind of temperature control device for quick-cooling, heating shock-testing | |
| CN114534651A (en) | Reactor temperature control method | |
| JP2018169108A5 (en) | ||
| KR100653455B1 (en) | Chiller for semiconductor progress having high temperature type and low temperature type heater exchanger | |
| JPH06174388A (en) | Two-channel liquid cooling apparatus | |
| KR101438182B1 (en) | Attachment for controlling the flow rate and temperature of brine |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |