KR102402739B1 - Display panel and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

표시 패널은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름, 상기 박형 보호 필름 상에 배치된 압력 민감 접착층, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층에 대응하고, 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 포함한다.The display panel includes a first switching element, a first pixel electrode electrically connected to the first switching element and including a reflective material, and disposed on the first pixel electrode, when a voltage is applied to the first pixel electrode. Accordingly, a first light emitting layer emitting light of a first color, a thin protective film disposed on the first light emitting layer to protect the first light emitting layer, a pressure sensitive adhesive layer disposed on the thin protective film, and the pressure sensitive adhesive layer and a first color filter disposed on the first light emitting layer and having the first color.

Figure R1020200188389
Figure R1020200188389

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Display panel and manufacturing method thereof

본 발명은 표시 패널 및 상기 표시 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 표시 장치용 표시 패널 및 상기 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display panel and a method of manufacturing the display panel, and more particularly, to a display panel for an organic light emitting display device and a method of manufacturing the display panel.

최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 유기 발광 표시 장치가 주목을 받고 있다. Recently, thanks to the development of technology, display products with better performance are being produced as they have become smaller and lighter. Until now, a conventional cathode ray tube (CRT) has been widely used as a display device with many advantages in terms of performance and price. An organic light emitting diode display having advantages has been attracting attention.

유기 발광 표시 장치는 통상적으로 레드, 그린, 블루 컬러의 광을 방출하는 유기 발광층들 및 화소 전극들을 포함하여 다양한 색상을 표현할 수 있다. 상기 유기 발광 표시 장치의 화소 전극은 반사 전극으로 광을 반사시키는데, 외부 광이 반사되어 시인성이 저하되는 문제가 있었다. The organic light emitting diode display may display various colors including organic light emitting layers and pixel electrodes emitting light of red, green, and blue colors. Although the pixel electrode of the organic light emitting diode display reflects light with a reflective electrode, external light is reflected and visibility is deteriorated.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 외부 광에 의한 반사율을 낮춰 시인성이 향상된 표시 패널을 제공하는 것이다. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a display panel with improved visibility by reducing reflectance due to external light.

본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the display panel.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름, 상기 박형 보호 필름 상에 배치된 압력 민감 접착층, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제1 발광층에 대응하고, 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 포함한다.A display panel according to an embodiment of the present invention provides a first switching element, a first pixel electrode electrically connected to the first switching element and including a reflective material, and the first pixel electrode a first light emitting layer disposed on the first light emitting layer and emitting light of a first color when a voltage is applied to the first pixel electrode; a thin protective film disposed on the first light emitting layer to protect the first light emitting layer; a pressure-sensitive adhesive layer disposed on the protective film; and a first color filter disposed on the pressure-sensitive adhesive layer, the first color filter corresponding to the first light-emitting layer, and having the first color.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함할 수 있다. 상기 베이스 층은 유리, 금속 및 고분자 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.In an exemplary embodiment, the display panel may further include a base layer disposed on the first color filter. The base layer may include any one of glass, metal, and polymer material.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층이 상기 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 및 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, when the base layer includes the polymer material, the polymer material is polyimide, polycarbonate, polyethyleneterephthalate (PET), or polyurethane. ), polyacrynitrile (polyacrynitril; PAN), polyethylene (PE), and polypropylene (polypropylene; PP) may include any one.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박형 보호 필름은 교대로 적층되는 복수의 유기층들 및 무기층들을 포함할 수 있다. In an embodiment of the present invention, the thin protective film may include a plurality of organic layers and inorganic layers that are alternately stacked.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 박형 보호 필름의 상기 유기층들은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 무기층들은 산화물(oxide) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 박형 보호 필름은 100도(Celsius degree) 이하의 온도에서 형성될 수 있다. In an embodiment of the present invention, the organic layers of the thin protective film may include an acrylate-based material. The inorganic layers may include an oxide-based material. The thin protective film may be formed at a temperature of 100 degrees (Celsius degree) or less.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전극의 광 반사율은 100%일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the light reflectance of the first electrode may be 100%.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the switching device may include a low temperature poly silicon (Low Temperature Poly Silicon) formed by crystallizing an amorphous silicon thin film by a laser annealing method.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 저온 폴리 실리콘은 100도 (Celsius degree) 이하의 공정으로 형성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the low-temperature polysilicon may be formed by a process of 100 degrees (Celsius degree) or less.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 제2 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제2 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 컬러와 다른 제2 컬러의 광을 방출하는 제2 발광층, 제3 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제3 화소 전극, 상기 제3 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제3 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라, 상기 제1 및 제2 컬러들과 다른 제3 컬러의 광을 방출하는 제3 발광층, 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제2 발광층에 대응하고, 상기 제2 컬러를 갖는 제2 컬러 필터, 및 상기 압력 민감 접착층 상에 배치되고, 상기 제3 발광층에 대응하고, 상기 제3 컬러를 갖는 제3 컬러 필터를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the display panel includes a second switching element, a second pixel electrode electrically connected to the second switching element and including a reflective material, and the second pixel electrode; When a voltage is applied to the second pixel electrode, a second light emitting layer emitting light of a second color different from the first color, a third switching element, and a material electrically connected to the third switching element and having a reflectivity a third pixel electrode including a third light emitting layer disposed on the third pixel electrode and emitting light of a third color different from the first and second colors when a voltage is applied to the third pixel electrode , a second color filter disposed on the pressure-sensitive adhesive layer, corresponding to the second light-emitting layer, and having the second color, and disposed on the pressure-sensitive adhesive layer, corresponding to the third light-emitting layer, and the third A third color filter having a color may be further included.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러는 레드(red), 상기 제2 컬러는 그린(green), 상기 제3 컬러는 블루(blue)이고, 상기 제1 발광층의 높이(H1)는 다음과 같은 조건 "2nR(H1) = mλR 또는 2 nR(H1) = (m+1/2)λR (여기서, nR, λR 는 각각 상기 제1 발광층의 굴절률, 입사되는 적색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)"을 만족하고, 상기 제2 발광층의 높이(H2)는 다음과 같은 조건 "2nG(H2) = mλG 또는 2 nG(H2) = (m+1/2)λG (여기서, nG, λG 는 각각 상기 제2 발광층(162)의 굴절률, 입사되는 녹색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)"을 만족하고, 상기 제3 발광층의 높이(H3)는 다음과 같은 조건 "2nB(H3) = mλB 또는 2 nB(H3) = (m+1/2)λB (여기서, nB, λB 는 각각 상기 제3 발광층(163)의 굴절률, 입사되는 청색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)"을 만족할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first color is red, the second color is green, the third color is blue, and the height H1 of the first light emitting layer is The following conditions "2n R (H1) = mλ R or 2 n R (H1) = (m+1/2)λ R (where n R , λ R are the refractive index of the first light emitting layer, respectively, and incident red light represents the wavelength of , and m means an integer)", and the height (H2) of the second light emitting layer is determined under the following conditions "2n G (H2) = mλ G or 2 n G (H2) = (m) +1/2)λ G (here, n G , λ G represents the refractive index of the second light emitting layer 162 and the wavelength of the incident green light, respectively, and m means an integer)” satisfies the third The height H3 of the light emitting layer is determined under the following conditions "2n B (H3) = mλ B or 2 n B (H3) = (m+1/2)λ B (where n B and λ B are each of the third The refractive index of the light emitting layer 163 and the wavelength of the incident blue light, m means an integer)” may be satisfied.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들 상에 배치되는 베이스 층을 더 포함할 수 있다. 상기 베이스 층 상에 배치되어 상기 제1 컬러 필터, 상기 제2 컬러 필터 및 상기 제3 컬러 필터를 구획하는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. In an embodiment of the present invention, a base layer disposed on the first to third color filters may be further included. A black matrix disposed on the base layer to partition the first color filter, the second color filter, and the third color filter may be further included.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 베이스 층 하부에 배치되는 하부 보호 필름을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, it may further include a lower protective film disposed under the base layer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 압력 민감 접착체는 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the pressure-sensitive adhesive may include an acrylic polymer.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 필터 및 상기 박형 보호 필름 사이에 배치되는 베이스 층, 및 상기 제1 컬러 필터 상에 배치되는 오버 코팅층을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a base layer disposed between the first color filter and the thin protective film, and an overcoat layer disposed on the first color filter may be further included.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법은 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되고 반사성을 갖는 물질을 포함하는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고, 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층, 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 박형 보호 필름을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계; 베이스 층 상에 상기 제1 컬러를 갖는 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 및 상기 제1 컬러 필터 상에 압력 민감 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 상부 보호 필름을 형성하는 단계; 및 상기 표시 기판의 상기 박형 보호 필름과 상기 상부 보호 필름의 상기 압력 민감 접착층을 접합하는 단계를 포함할 수 있다.According to an exemplary embodiment, a method of manufacturing a display panel for realizing the object of the present invention includes a first switching element, a first pixel electrode electrically connected to the first switching element and including a reflective material, and the first switching element. a first light emitting layer disposed on one pixel electrode and emitting light of a first color when a voltage is applied to the first pixel electrode, and a thin protective film disposed on the first light emitting layer to protect the first light emitting layer; forming a display substrate including; forming an upper protective film comprising the steps of: forming a first color filter having the first color on a base layer; and forming a pressure-sensitive adhesive layer on the first color filter; and bonding the thin protective film of the display substrate to the pressure-sensitive adhesive layer of the upper protective film.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, in the step of forming the display substrate, the switching element may include low temperature polysilicon formed by crystallizing an amorphous silicon thin film by a laser annealing method. can

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계는, 상기 베이스 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스가 형성된 상기 베이스 기판 상에 제1 컬러 레지스트가 도포되는 단계; 상기 제1 컬러 레지스트를 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계; 및 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the forming of the first color filter may include: forming a black matrix on the base substrate; applying a first color resist on the base substrate on which the black matrix is formed; exposing the first color resist using a mask having a pattern; and developing the first color resist to form the first color filter.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 노광하는 단계 전에 상기 제1 컬러 레지스트를 90 도 내지 110도(Celsius degree)로 열 경화 하는 프리 베이크(pre-bake)단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the method may further include a pre-bake step of thermally curing the first color resist at 90 degrees to 110 degrees (Celsius degrees) before the exposing step.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 상기 제1 컬러 필터를 형성하는 단계 이후에, 상기 제1 컬러 필터를 220도 내지 230도(Celsius degree)로 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, after the step of developing the first color resist to form the first color filter, post-bake for thermally curing the first color filter at 220 degrees to 230 degrees (Celsius degrees). (post-bake) may further include a step.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계에서, 상기 박형 보호 필름은 복수의 유기층들 및 무기층들을 교대로 적층하여 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the forming of the display substrate, the thin protective film may be formed by alternately stacking a plurality of organic layers and inorganic layers.

*본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 패널은 발광층들이 발광하는 컬러의 광들과 각각 동일한 컬러를 갖는 컬러 필터들을 포함하므로, 외부광의 화소 전극에서의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. *According to embodiments of the present invention, since the display panel includes color filters each having the same color as the light of the color emitted by the light emitting layers, it is possible to reduce the reflectance of external light at the pixel electrode. Accordingly, the display quality of the display panel may be improved.

또한, 상기 컬러 필터들을 포함하는 외부 보호 필름을 상기 발광층들을 포함하는 표시 기판에 압력 민감 접착층을 이용하여 접착하므로, 상기 컬러 필터들을 고온의 공정을 이용하여 형성하더라도, 상기 발광층들의 열에 의한 손상을 감소시킬 수 있다. In addition, since the external protective film including the color filters is adhered to the display substrate including the light emitting layers using a pressure sensitive adhesive layer, even when the color filters are formed using a high-temperature process, damage due to heat of the light emitting layers is reduced can do it

또한, 상기 표시 패널이 플렉서블 디스플레이인 경우에 있어서, 반사율을 낮추기 위해 사용되는 일반적인 편광판을 대체하여 상기 컬러 필터를 사용할 수 있으므로, 상기 표시 패널 전체의 두께를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널의 유연성이 증가할 수 있다. In addition, when the display panel is a flexible display, the color filter may be used instead of a general polarizing plate used to reduce reflectance, and thus the overall thickness of the display panel may be reduced. Accordingly, flexibility of the display panel may be increased.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5c는 도 2의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 3의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7a 내지 도 7g는 도 2의 표시 패널의 표시 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
도 8은 도 2의 표시 패널을 완성하기 위해, 상부 보호 필름 및 하부 보호 필름을 표시 기판에 접합하는 단계를 나타낸 단면도이다.1 is a plan view of a display panel according to an exemplary embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
3 is a cross-sectional view of a display panel according to another exemplary embodiment.
4 is a cross-sectional view of a display panel according to still another exemplary embodiment of the present invention.
5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an upper protective film of the display panel of FIG. 2 .
6A to 6C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an upper protective film of the display panel of FIG. 3 .
7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a display substrate of the display panel of FIG. 2 .
8 is a cross-sectional view illustrating a step of bonding an upper protective film and a lower protective film to a display substrate to complete the display panel of FIG. 2 .

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view of a display panel according to an exemplary embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I' of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(300) 및 하부 보호 필름(200)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다. 1 and 2 , the display panel includes a display substrate 100 , an upper protective film 300 , and a lower protective film 200 . The display panel includes a plurality of unit pixels. In the drawings, one unit pixel including the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 will be described.

상기 표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 버퍼층(120), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3), 제3 절연층(150), 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3), 화소 정의막(160), 제 1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163), 공통 전극(CE), 및 박형 보호 필름(thin encapsulation film; 170)을 포함한다. The display substrate 100 includes a base substrate 110 , a buffer layer 120 , a first insulating layer 130 , a second insulating layer 140 , first to third switching elements SW1 , SW2 , SW3 , Third insulating layer 150 , first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , PE3 , pixel defining layer 160 , first to third emission layers 161 , 162 , 163 , and common electrode CE ), and a thin encapsulation film 170 .

상기 베이스 기판(110)은 절연 기판을 포함할 수 있다. 또한 상기 베이스 기판(110)은 플렉서블 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 베이스 기판(110)은 유리 기판, 석영 기판, 수지 기판 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 수지 기판은 폴리이미드계(polyimide-based) 수지, 아크릴계(acryl-based) 수지, 폴리아크릴레이트계(polyacrylate-based) 수지, 폴리카보네이트계(polycarbonate-based) 수지, 폴리에테르계(polyether-based) 수지, 술폰산계(sulfonic acid-based) 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트계(polyethyleneterephthalate-based) 수지 등을 포함할 수 있다.The base substrate 110 may include an insulating substrate. In addition, the base substrate 110 may include a flexible substrate. For example, the base substrate 110 may be formed of a glass substrate, a quartz substrate, a resin substrate, or the like. For example, the resin substrate may be a polyimide-based resin, an acryl-based resin, a polyacrylate-based resin, a polycarbonate-based resin, or a polyether-based resin. (polyether-based) resins, sulfonic acid-based resins, polyethyleneterephthalate-based resins, and the like may be included.

상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(110) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(120)은 상기 베이스 기판(110)으로부터 불순물 확산을 방지하고, 상기 베이스 기판(110)의 평단도를 향상하며, 균일한 상기 채널층(CH)을 형성할 수 있도록 한다. 상기 버퍼층(120)은 실리콘 화합물을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층(120)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 및/또는 실리콘 탄질화물(SiCxNy) 등을 포함할 수 있다. The buffer layer 120 is disposed on the base substrate 110 . The buffer layer 120 prevents diffusion of impurities from the base substrate 110 , improves the flatness of the base substrate 110 , and allows the uniform channel layer CH to be formed. The buffer layer 120 may be formed using a silicon compound. For example, the buffer layer 120 may include silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon oxycarbide (SiOxCy), and/or silicon carbonitride (SiCxNy). have.

상기 채널층(CH)은 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 채널층(CH)은 LTPS 박막은 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.The channel layer CH is disposed on the buffer layer 120 . The channel layer CH may include a low temperature polysilicon obtained by crystallizing an amorphous silicon thin film using a laser annealing method for the LTPS thin film. In addition, the channel layer CH may include a semiconductor layer made of amorphous silicon (a-Si:H) and an ohmic contact layer made of n+ amorphous silicon (n+ a-Si:H). Also, the channel layer CH may include an oxide semiconductor.

상기 제1 절연층(130)은 상기 채널층(CH)이 배치된 상기 버퍼층(120) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(130)은 실리콘 산화물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. The first insulating layer 130 is disposed on the buffer layer 120 on which the channel layer CH is disposed. The first insulating layer 130 may include silicon oxide, metal oxide, or the like.

상기 게이트 전극(GE)은 상기 제1 절연층(130) 상에 상기 채널층(CH)과 중첩하여 배치된다. 상기 게이트 전극(GE)은 게이트 라인(GL)과 전기적으로 연결된다. 상기 게이트 전극(GE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.The gate electrode GE is disposed on the first insulating layer 130 to overlap the channel layer CH. The gate electrode GE is electrically connected to the gate line GL. The gate electrode GE may include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like.

상기 제2 절연층(140)은 상기 게이트 전극(GE)이 배치된 상기 제1 절연층(130) 상에 배치된다. 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy), 실리콘 탄질화물(SiCxNy)등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 절연층(140)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산질화물(SiOxNy), 실리콘 산탄화물(SiOxCy) 및/또는 실리콘 탄질화물(SiCxNy)을 포함하는 단층 구조 또는 다층 구조를 가질 수 있다. The second insulating layer 140 is disposed on the first insulating layer 130 on which the gate electrode GE is disposed. The second insulating layer 140 may include silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon oxycarbide (SiOxCy), silicon carbonitride (SiCxNy), or the like. In addition, the second insulating layer 140 has a single-layer structure including silicon oxide (SiOx), silicon nitride (SiNx), silicon oxynitride (SiOxNy), silicon oxycarbide (SiOxCy), and/or silicon carbonitride (SiCxNy). Or it may have a multi-layer structure.

제1 콘택홀(C1)은 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성되어, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출한다. 상기 제2 콘택홀(C2)은 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성되어, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출한다. The first contact hole C1 is formed through the first and second insulating layers 130 and 140 to expose a portion of the channel layer CH. The second contact hole C2 is formed through the first and second insulating layers 130 and 140 to expose a portion of the channel layer CH.

소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 상기 제2 절연층(140) 상에 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 콘택홀(C1)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제2 콘택홀(C2)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.A source electrode SE and a drain electrode DE are disposed on the second insulating layer 140 . The source electrode SE is electrically connected to the channel layer CH through the first contact hole C1. The drain electrode DE is electrically connected to the channel layer CH through the second contact hole C2. The source electrode SE and the drain electrode DE may include a metal, an alloy, a metal nitride, a conductive metal oxide, a transparent conductive material, or the like.

상기 채널층(CH), 상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)는 상기 제1 스위칭 소자(SW1)를 구성한다. 상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성된다. 유사하게, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되고, 상기 제3 스위칭 소자(SW3)는 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성된다. The channel layer CH, the gate electrode GE, the source electrode SE, and the drain electrode DE constitute the first switching element SW1. The first switching element SW1 is formed to correspond to the first sub-pixel SP1 . Similarly, the second switching element SW2 is formed to correspond to the second sub-pixel SP2 , and the third switching element SW3 is formed to correspond to the third sub-pixel SP3 .

상기 제3 절연층(150)은 상기 소스 및 드레인 전극들(SE, DE)이 배치된 상기 제2 절연막(130) 상에 배치된다. 상기 제3 절연층(150)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 절연층(90)은 포토레지스트, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계(siloxane-based) 수지 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 제3 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속, 금속 산화물 등의 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 제3 절연층(150)은 단층 구조로 형성될 수 있지만, 적어도 2이상의 절연막들을 포함하는 다층 구조로 형성될 수도 있다. The third insulating layer 150 is disposed on the second insulating layer 130 on which the source and drain electrodes SE and DE are disposed. The third insulating layer 150 may include an organic material. For example, the insulating layer 90 may include a photoresist, an acrylic resin, a polyimide-based resin, a polyamide-based resin, a siloxane-based resin, or the like. In addition, the third insulating layer 150 may include an inorganic material such as a silicon compound, a metal, or a metal oxide. The third insulating layer 150 may be formed in a single-layer structure, but may also be formed in a multi-layer structure including at least two insulating layers.

제3 콘택홀(CH3)은 상기 제3 절연층(150)을 통해 형성되어, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출한다. A third contact hole CH3 is formed through the third insulating layer 150 to expose a portion of the drain electrode DE.

상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 상기 제3 절연막(150) 상에 배치된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제3 콘택홀(CH3)을 통해 상기 제1 스위칭 소자(SW1)의 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성된다. 유사하게, 상기 제2 화소 전극(PE2)는 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되고, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)에 전기적으로 연결된다. 상기 제3 화소 전극(PE3)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되고, 상기 제3 스위칭 소자(SW3)에 전기적으로 연결된다. The first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are disposed on the third insulating layer 150 . The first pixel electrode PE1 is electrically connected to the drain electrode DE of the first switching element SW1 through the third contact hole CH3. The first pixel electrode PE1 is formed to correspond to the first sub-pixel SP1 . Similarly, the second pixel electrode PE2 is formed to correspond to the second sub-pixel SP2 and is electrically connected to the second switching element SW2 . The third pixel electrode PE3 is formed to correspond to the third sub-pixel SP3 and is electrically connected to the third switching element SW3 .

상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 바람직하게 약 100%의 반사율을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)은 상기 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. The first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 may include a reflective material. The first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 may have reflectivity of about 100%. For example, the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 may include aluminum, an aluminum-containing alloy, aluminum nitride, silver, a silver-containing alloy, tungsten, tungsten nitride, copper, or copper. alloys containing nickel, chromium, chromium nitride, molybdenum, alloys containing molybdenum, titanium, titanium nitride, platinum, tantalum, tantalum nitride, neodymium, scandium, strontium ruthenium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, tin oxide, indium oxide, gallium oxide, indium zinc oxide, and the like.

상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다. The pixel defining layer 160 is disposed on the third insulating layer 150 on which the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are disposed. Openings exposing the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are formed in the pixel defining layer 160 .

상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 포함할 수 있다. The pixel defining layer 160 may include an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the pixel defining layer 160 may include a photoresist, a polyacrylic resin, a polyimide-based resin, an acrylic resin, a silicone compound, or the like.

상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 상기 화소 정의막(160)의 개구들를 통해 노출되는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 상기 화소 정의막(160)의 상기 개구들의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 각각의 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(161)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성되며, 제1 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)은 적색광을 발광할 수 있다. 상기 제2 발광층(162)은 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 컬러와 상이한 제2 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)은 녹색광을 발광할 수 있다. 상기 제3 발광층(163)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 및 제2 컬러들과 상이한 제3 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)은 청색광을 발광할 수 있다. The first to third emission layers 161 , 162 , and 163 are respectively disposed on the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 exposed through the openings of the pixel defining layer 160 . . Also, the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 may extend on sidewalls of the openings of the pixel defining layer 160 . Each of the first to third light-emitting layers 161 , 162 , and 163 may be formed using light-emitting materials capable of emitting light of different colors. The first emission layer 161 is formed to correspond to the first sub-pixel SP1 and emits light of a first color. For example, the first emission layer 161 may emit red light. The second emission layer 162 is formed to correspond to the second sub-pixel SP2 and emits light of a second color different from the first color. For example, the second emission layer 162 may emit green light. The third emission layer 163 is formed to correspond to the third sub-pixel SP3 and emits light of a third color different from the first and second colors. For example, the third light emitting layer 163 may emit blue light.

상기 공통 전극(CE)이 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)이 배치된 상기 화소 정의막(160) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(CE)은 투광성을 갖는 물질 또는 반사성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 공통 전극(CE)은 알루미늄, 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물, 은, 은을 함유하는 합금, 텅스텐, 텅스텐 질화물, 구리, 구리를 함유하는 합금, 니켈, 크롬, 크롬 질화물, 몰리브데늄, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄, 티타늄 질화물, 백금, 탄탈륨, 탄탈륨 질화물, 네오디뮴, 스칸듐, 스트론튬 루테늄 산화물, 아연 산화물, 인듐 주석 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 인듐 아연 산화물 등을 포함할 수 있다. The common electrode CE is disposed on the pixel defining layer 160 on which the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 are disposed. The common electrode CE may include a transmissive material or a reflective material. For example, the common electrode CE may include aluminum, an alloy containing aluminum, aluminum nitride, silver, an alloy containing silver, tungsten, tungsten nitride, copper, an alloy containing copper, nickel, chromium, chromium nitride, Molybdenum, alloys containing molybdenum, titanium, titanium nitride, platinum, tantalum, tantalum nitride, neodymium, scandium, strontium ruthenium oxide, zinc oxide, indium tin oxide, tin oxide, indium oxide, gallium oxide, indium zinc oxides and the like.

상기 박형 보호 필름(170)은 상기 공통 전극(CE) 상에 배치된다. 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163) 등을 보호한다. The thin protective film 170 is disposed on the common electrode CE. The thin protective film 170 protects the first to third light emitting layers 161 , 162 , 163 , and the like.

상기 박형 보호 필름(170)은 교대로 적층되는 복수의 유기 및 무기층들을 포함한다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 순차로 적층되는 제1 유기층(171), 제1 무기층(172), 제2 유기층(173), 제2 무기층(174), 및 제3 유기층(175)를 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 및 제3 유기층들(171, 173, 175)은 아크릴레이트(acrylate) 계열의 물질을 포함하고, 상기 제1 및 제2 무기층들(172, 174)은 산화물(oxide) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)에 손상을 주지 않기 위해, 저온 공정에서 제조될 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 100 도(Celsius degree) 이하의 온도에서 제조될 수 있다. 따라서, 상기 박형 보호 필름(170)은 상기 공통 전극(CE) 상에 직접 형성될 수 있다. 상기 박형 보호 필름(170)은 약 1 내지 10㎛(마이크로 미터)의 두께를 가질 수 있다.The thin protective film 170 includes a plurality of organic and inorganic layers that are alternately stacked. For example, the thin protective film 170 may include a first organic layer 171 , a first inorganic layer 172 , a second organic layer 173 , a second inorganic layer 174 , and a third organic layer sequentially stacked. (175). The first, second, and third organic layers 171 , 173 , and 175 include an acrylate-based material, and the first and second inorganic layers 172 and 174 are formed of oxide. It may contain a series of substances. The thin protective film 170 may be manufactured in a low-temperature process in order not to damage the first to third light-emitting layers 161 , 162 , and 163 . For example, the thin protective film 170 may be manufactured at a temperature of 100 degrees Celsius or less. Accordingly, the thin protective film 170 may be directly formed on the common electrode CE. The thin protective film 170 may have a thickness of about 1 to 10 μm (micrometer).

상기 하부 보호 필름(200)은 제1 베이스 층(210) 및 제1 압력 민감 접착층(pressure sensitive adhesive; 220)을 포함한다. 상기 하부 보호 필름(200)은 상기 표시 기판(100)의 하부를 보호한다.The lower protective film 200 includes a first base layer 210 and a first pressure sensitive adhesive 220 . The lower protective film 200 protects the lower portion of the display substrate 100 .

상기 제1 베이스 층(210)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 베이스 층(210)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제1 베이스층(210)은 바람직하게 75μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다. The first base layer 210 may include glass, metal, or a polymer material. When the first base layer 210 includes a polymer material, polyimide, polycarbonate, polyethyleneterephthalate (PET), polyurethane, polyacrynitril; PAN ), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. The first base layer 210 may have a thickness of preferably 75 μm (micrometer).

상기 제1 압력 민감 접착층(pressure sensitive adhesive; 220)은 상기 제1 베이스층(210) 및 상기 표기 기판(100)의 상기 베이스 기판(110) 사이에 배치된다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 상기 하부 보호 필름(200)을 상기 표기 기판(100)의 상기 베이스 기판(110) 상에 접착 시킨다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제1 압력 민감 접착층(220)은 바람직하게 약 25μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.The first pressure sensitive adhesive 220 is disposed between the first base layer 210 and the base substrate 110 of the marking substrate 100 . The first pressure-sensitive adhesive layer 220 adheres the lower protective film 200 to the base substrate 110 of the display substrate 100 . The first pressure-sensitive adhesive layer 220 may have an adhesive action as pressure is applied. For example, the first pressure-sensitive adhesive layer 220 may include an acrylic polymer. The first pressure-sensitive adhesive layer 220 may preferably have a thickness of about 25 μm (micrometer).

상기 상부 보호 필름(300)은 제2 베이스 층(310), 블랙 매트릭스(BM), 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 및 제2 압력 민감 접착층(320)을 포함한다. 상기 상부 보호 필름(300)은 상기 표시 기판(100)의 상부를 보호한다.The upper protective film 300 includes a second base layer 310 , a black matrix BM, first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 , and a second pressure sensitive adhesive layer 320 . The upper protective film 300 protects an upper portion of the display substrate 100 .

상기 제2 베이스 층(310)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다. The second base layer 310 may include glass, metal, or a polymer material. When the second base layer 310 includes a polymer material, polyimide, polycarbonate, polyethyleneterephthalate (PET), polyurethane, polyacrynitrile (PAN) ), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. The second base layer 310 may preferably have a thickness of 100 μm (micrometer).

상기 제2 베이스층(310) 상에는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성되어야 하므로, 상기 제2 베이스 층(310)의 내열 온도는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 제조 공정 온도 보다 높은 약 200도 내지 약 300도(Celsius degree)인 것이 바람직하다. Since the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 must be formed on the second base layer 310 , the heat resistance temperature of the second base layer 310 is It is preferable that the temperature of the black matrix BM and the first to third color filters CF1, CF2, and CF3 is about 200 to about 300 degrees (Celsius degree) higher than the manufacturing process temperature.

상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 베이스층(310) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인(DL), 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3) 등의 배선과 중첩하고, 광차단 물질을 포함한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 서브 화소들과의 경계를 정의한다. The black matrix BM is disposed on the first base layer 310 . The black matrix BM overlaps the data line DL, the gate line GL, and wirings such as the switching elements SW1, SW2, and SW3, and includes a light blocking material. The black matrix BM defines a boundary with neighboring sub-pixels.

상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 상기 제1 베이스층(310) 상에 배치된다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)들에 대응되게 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)과 대응되게 배치된다. 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 상기 제1 발광층(161)의 상기 제1 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하는 경우, 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 적색일 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 상기 제2 발광층(162)의 상기 제2 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하는 경우, 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색일 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 상기 제3 발광층(163)의 상기 제3 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광하는 경우, 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 청색일 수 있다. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are disposed on the first base layer 310 on which the black matrix BM is disposed. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are respectively disposed to correspond to the first to third sub-pixels SP1 , SP2 and SP3 . In addition, the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are disposed to correspond to the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 , respectively. The first color filter CF1 has the same color as the light of the first color of the first emission layer 161 . For example, when the first emission layer 161 emits red light, the first color filter CF1 may be red. The second color filter CF2 has the same color as the light of the second color of the second emission layer 162 . For example, when the second light emitting layer 162 emits green light, the second color filter CF2 may be green. The third color filter CF3 has the same color as the light of the third color of the third emission layer 163 . For example, when the third emission layer 163 emits blue light, the third color filter CF3 may be blue.

상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 당해 기술분야의 일반적인 블랙 매트릭스 및 컬러 필터 제조 공정에 따라 형성될 수 있다. 예를 들면, 액정 표시 장치에 사용되는 블랙 매트릭스 및 컬러 필터의 제조 공정으로, 약 90 내지 110도(Celsius degree)의 프리 베이크(pre-bake) 단계 및 약 220 내지 230도(Celsius degree)의 포스트 베이크(post-bake) 단계를 포함하는 공정이 사용될 수 있다. The black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be formed according to a general black matrix and color filter manufacturing process in the art. For example, in a manufacturing process of a black matrix and a color filter used in a liquid crystal display, a pre-bake step of about 90 to 110 degrees (Celsius degree) and a post-bake step of about 220 to 230 degrees (Celsius degree) Processes that include a post-bake step may be used.

상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 배치된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 상기 상부 보호 필름(300)을 상기 표기 기판(100)의 상기 박형 보호 필름(170) 상에 접착 시킨다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.The second pressure-sensitive adhesive layer 320 is disposed on the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 . The second pressure-sensitive adhesive layer 320 adheres the upper protective film 300 to the thin protective film 170 of the display substrate 100 . The second pressure-sensitive adhesive layer 320 may have an adhesive action as pressure is applied. For example, the second pressure-sensitive adhesive layer 320 may include an acrylic polymer. The second pressure-sensitive adhesive layer 320 may preferably have a thickness of about 100 μm (micrometer).

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a display panel according to another exemplary embodiment.

도 3을 참조하면, 표시 패널은 상부 보호 필름(400)을 제외하고 도 2의 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.Referring to FIG. 3 , the display panel is substantially the same as the display panel of FIG. 2 except for the upper protective film 400 . Accordingly, overlapping descriptions will be simplified or omitted.

상기 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(400) 및 하부 보호 필름(400)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다. The display panel includes a display substrate 100 , an upper protective film 400 , and a lower protective film 400 . The display panel includes a plurality of unit pixels. In the drawings, one unit pixel including the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 will be described.

상기 표시 기판(100)은 베이스 기판, 버퍼층, 제1 절연층, 제2 절연층, 제1 내지 제3 스위칭 소자들, 제1 내지 제3 화소 전극들, 화소 정의막, 제 1 내지 제3 발광층들, 공통 전극, 및 박형 보호 필름을 포함한다. 상기 하부 보호 필름(200)은 제1 베이스 층(210) 및 제1 압력 민감 접착층(220)을 포함한다. (도 2 참조)The display substrate 100 includes a base substrate, a buffer layer, a first insulating layer, a second insulating layer, first to third switching elements, first to third pixel electrodes, a pixel defining layer, and first to third light emitting layers. , a common electrode, and a thin protective film. The lower protective film 200 includes a first base layer 210 and a first pressure sensitive adhesive layer 220 . (See Fig. 2)

상기 상부 보호 필름(400)은 제2 베이스 층(410), 블랙 매트릭스(BM), 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3), 제2 압력 민감 접착층(420) 및 오버 코팅층(430)을 포함한다. 상기 상부 보호 필름(400)은 상기 표시 기판(100)의 상부를 보호한다.The upper protective film 400 includes a second base layer 410, a black matrix BM, first to third color filters CF1, CF2, CF3, a second pressure sensitive adhesive layer 420, and an overcoat layer ( 430). The upper protective film 400 protects an upper portion of the display substrate 100 .

상기 제2 베이스 층(410)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(410)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(410)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다. The second base layer 410 may include glass, metal, or a polymer material. When the second base layer 410 includes a polymer material, polyimide, polycarbonate, polyethyleneterephthalate (PET), polyurethane, polyacrynitril; PAN ), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. The second base layer 410 may preferably have a thickness of 100 μm (micrometer).

상기 제2 베이스층(410) 상에는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)이 형성되어야 하므로, 상기 제2 베이스 층(410)의 내열 온도는 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 제조 공정 온도 보다 높은 약 200도 내지 약 300도(Celsius degree)인 것이 바람직하다. Since the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 must be formed on the second base layer 410 , the heat resistance temperature of the second base layer 410 is It is preferable that the temperature of the black matrix BM and the first to third color filters CF1, CF2, and CF3 is about 200 to about 300 degrees (Celsius degree) higher than the manufacturing process temperature.

상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 베이스층(410) 상에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 데이터 라인, 게이트 라인 및 스위칭 소자들등의 배선과 중첩하고(도2 참조), 광차단 물질을 포함한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 이웃하는 서브 화소들과의 경계를 정의한다. The black matrix BM is disposed on the first base layer 410 . The black matrix BM overlaps with wirings such as data lines, gate lines, and switching devices (see FIG. 2 ), and includes a light blocking material. The black matrix BM defines a boundary with neighboring sub-pixels.

상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 상기 제1 베이스층(410) 상에 배치된다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(SP1, SP2, SP3)들에 대응되게 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)과 대응되게 배치된다. 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 상기 제1 발광층(161)의 상기 제1 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하는 경우, 상기 제1 컬러 필터(CF1)는 적색일 수 있다. 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 상기 제2 발광층(162)의 상기 제2 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하는 경우, 상기 제2 컬러 필터(CF2)는 녹색일 수 있다. 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 상기 제3 발광층(163)의 상기 제3 컬러의 광과 동일한 색을 갖는다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광하는 경우, 상기 제3 컬러 필터(CF3)는 청색일 수 있다. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are disposed on the first base layer 410 on which the black matrix BM is disposed. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are respectively disposed to correspond to the first to third sub-pixels SP1 , SP2 and SP3 . Also, the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are disposed to correspond to the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 , respectively. The first color filter CF1 has the same color as the light of the first color of the first emission layer 161 . For example, when the first emission layer 161 emits red light, the first color filter CF1 may be red. The second color filter CF2 has the same color as the light of the second color of the second emission layer 162 . For example, when the second light emitting layer 162 emits green light, the second color filter CF2 may be green. The third color filter CF3 has the same color as the light of the third color of the third emission layer 163 . For example, when the third emission layer 163 emits blue light, the third color filter CF3 may be blue.

상기 제1 내지 제3 컬러 필터(161, 162, 163)는 상기 제1 내지 제3 발광층(161, 162, 163)의 제1 내지 제3 컬러의 광과 각각 동일한 색을 가지므로, 표시 패널 내부를 통과하여 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)에서 반사되는 외부광의 특정한 파장대의 광만이 상기 컬러 필터를 통과하게 된다. 따라서, 외부광이 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)에서 반사되어, 표시 품질을 떨어 뜨리는 방지하여, 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. Since the first to third color filters 161 , 162 , and 163 have the same color as the light of the first to third colors of the first to third light emitting layers 161 , 162 and 163 , respectively, the inside of the display panel Only light of a specific wavelength band of external light passing through and reflected from the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 and PE3 passes through the color filter. Accordingly, it is possible to prevent external light from being reflected from the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 from degrading the display quality, thereby improving the display quality of the display panel.

상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 당해 기술분야의 일반적인 블랙 매트릭스 및 컬러 필터 제조 공정에 따라 형성될 수 있다. 예를 들면, 액정 표시 장치에 사용되는 블랙 매트릭스 및 컬러 필터의 제조 공정으로, 약 90 내지 110도(Celsius degree)의 프리 베이크(pre-bake) 단계 및 약 220 내지 230도(Celsius degree)의 포스트 베이크(post-bake) 단계를 포함하는 공정이 사용될 수 있다. The black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be formed according to a general black matrix and color filter manufacturing process in the art. For example, in a manufacturing process of a black matrix and a color filter used in a liquid crystal display, a pre-bake step of about 90 to 110 degrees (Celsius degree) and a post-bake step of about 220 to 230 degrees (Celsius degree) Processes that include a post-bake step may be used.

상기 오버 코팅층(430)은 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 배치된다. 상기 오버 코팅층(430)은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 평탄화하면서 보호하는 역할 및 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.The overcoat layer 430 is disposed on the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 . The overcoat layer 430 serves to protect and insulate the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 while planarizing, and may be formed using an acrylic epoxy material.

상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410) 하부에 배치된다. 즉, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410)을 기준으로 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 반대방향에 배치된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 상부 보호 필름(400)을 상기 표기 기판(100)의 상기 박형 보호 필름(170) 상에 접착 시킨다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 압력이 가해짐에 따라 접착작용을 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 아크릴계 중합체를 포함할 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.The second pressure sensitive adhesive layer 420 is disposed under the second base layer 410 . That is, the second pressure-sensitive adhesive layer 420 is located in a direction opposite to the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 and CF3 with respect to the second base layer 410 . are placed The second pressure-sensitive adhesive layer 420 adheres the upper protective film 400 to the thin protective film 170 of the display substrate 100 . The second pressure-sensitive adhesive layer 420 may have an adhesive action as pressure is applied. For example, the second pressure-sensitive adhesive layer 420 may include an acrylic polymer. The second pressure-sensitive adhesive layer 420 may preferably have a thickness of about 100 μm (micrometer).

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a display panel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 표시 패널은 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163) 및 화소 정의막(160)을 제외하고 도 2의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다. Referring to FIG. 4 , since the display panel is substantially the same as the display panel of FIG. 2 except for the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 and the pixel defining layer 160 , the overlapping description will be simplified or omitted. omit

상기 표시 패널은 표시 기판(100), 상부 보호 필름(400) 및 하부 보호 필름(400)을 포함한다. 상기 표시 패널은 복수의 단위 화소들을 포함한다. 도면에서는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)을 포함하는 하나의 단위 화소에 대해 설명한다. The display panel includes a display substrate 100 , an upper protective film 400 , and a lower protective film 400 . The display panel includes a plurality of unit pixels. In the drawings, one unit pixel including the first sub-pixel SP1 , the second sub-pixel SP2 , and the third sub-pixel SP3 will be described.

상기 표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 버퍼층(120), 제1 절연층(130), 제2 절연층(140), 제1 내지 제3 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3), 제3 절연층(150), 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3), 화소 정의막(160), 제 1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163), 공통 전극(CE), 및 박형 보호 필름(thin encapsulation film; 170)을 포함한다. The display substrate 100 includes a base substrate 110 , a buffer layer 120 , a first insulating layer 130 , a second insulating layer 140 , first to third switching elements SW1 , SW2 , SW3 , Third insulating layer 150 , first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , PE3 , pixel defining layer 160 , first to third emission layers 161 , 162 , 163 , and common electrode CE ), and a thin encapsulation film 170 .

상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다. The pixel defining layer 160 is disposed on the third insulating layer 150 on which the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are disposed. Openings exposing the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are formed in the pixel defining layer 160 .

상기 화소 정의막(160)은 상기 제1 내지 제3 화소 전극(PE1, PE2, PE3)이 배치된 상기 제3 절연층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 정의막(160)에는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 노출하는 개구들이 형성된다. 상기 화소 정의막(160)의 높이는 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)의 높이에 따라 각각의 서브 화소들 마다 다르게 형성될 수 있다.The pixel defining layer 160 is disposed on the third insulating layer 150 on which the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are disposed. Openings exposing the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 are formed in the pixel defining layer 160 . The height of the pixel defining layer 160 may be different for each sub-pixel according to the height of the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 .

상기 화소 정의막(160)은 유기 물질, 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(160)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘 화합물 등을 포함할 수 있다. The pixel defining layer 160 may include an organic material, an inorganic material, or the like. For example, the pixel defining layer 160 may include a photoresist, a polyacrylic resin, a polyimide-based resin, an acrylic resin, a silicone compound, or the like.

상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 상기 화소 정의막(160)의 개구들를 통해 노출되는 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3) 상에 배치된다. 또한, 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 상기 화소 정의막(160)의 상기 개구들의 측벽 상으로 연장될 수 있다. 각각의 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 상이한 색광들을 발생시킬 수 있는 발광 물질들을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 발광층(161)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 대응하여 형성되며, 제1 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제1 발광층(161)은 적색광을 발광할 수 있다. 상기 제2 발광층(162)은 상기 제2 서브 화소(SP2)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 컬러와 상이한 제2 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제2 발광층(162)은 녹색광을 발광할 수 있다. 상기 제3 발광층(163)은 상기 제3 서브 화소(SP3)에 대응하여 형성되며, 상기 제1 및 제2 컬러들과 상이한 제3 컬러의 광을 발생한다. 예를 들면, 상기 제3 발광층(163)은 청색광을 발광할 수 있다. The first to third emission layers 161 , 162 , and 163 are respectively disposed on the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , and PE3 exposed through the openings of the pixel defining layer 160 . . Also, the first to third emission layers 161 , 162 , and 163 may extend on sidewalls of the openings of the pixel defining layer 160 . Each of the first to third light-emitting layers 161 , 162 , and 163 may be formed using light-emitting materials capable of emitting light of different colors. The first emission layer 161 is formed to correspond to the first sub-pixel SP1 and emits light of a first color. For example, the first emission layer 161 may emit red light. The second emission layer 162 is formed to correspond to the second sub-pixel SP2 and emits light of a second color different from the first color. For example, the second emission layer 162 may emit green light. The third emission layer 163 is formed to correspond to the third sub-pixel SP3 and emits light of a third color different from the first and second colors. For example, the third light emitting layer 163 may emit blue light.

상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 각각 적절한 높이를 갖으며, 외부 광에 의한 반사를 최소화 하기 위해, 상기 제1 내지 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)과 상기 공통 전극(CE)에서의 상기 외부 광의 반사에 의한 상쇄간섭이 이용될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광층들(161, 162, 163)은 색파장 및 굴절률에 의존하는 두께를 가진다. The first to third emission layers 161 , 162 , and 163 may have different heights. The first to third light emitting layers 161 , 162 , and 163 have an appropriate height, respectively, and to minimize reflection by external light, the first to third pixel electrodes PE1 , PE2 , PE3 and Destructive interference due to reflection of the external light at the common electrode CE may be used. The first to third light emitting layers 161 , 162 , and 163 have a thickness depending on a color wavelength and a refractive index.

예를 들면, 상기 제1 발광층(161)이 적색광을 발광하고, 상기 제2 발광층(162)이 녹색광을 발광하고, 상기 제3 발광층(163)이 청색광을 발광할 수 있다. 이때, 외부 광은 상기 공통 전극(CE)의 반투과성(semi-transparent property)으로 인해 그 일부가 상기 공통 전극(CE)에서 반사되어 나가고, 다른 일부는 상기 공통 전극(CE)을 투과하게 된다. 상기 공통 전극(CE)을 투과하는 상기 외부광의 적색광은 상기 제1 발광층(161)을 통과하여 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사된 후, 상기 제1 발광층(161) 및 상기 공통 전극(CE)을 투과하여 나가게 된다. 여기서, 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 상기 외부광의 적색광과 상기 공통 전극(CE)을 투과한 다음 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 상기 외부광의 적색광이 상쇄 간섭을 일으키게 되면, 외부로부터 입사된 적색광의 반사율을 줄일 수 있게 된다. For example, the first emission layer 161 may emit red light, the second emission layer 162 may emit green light, and the third emission layer 163 may emit blue light. In this case, part of the external light is reflected from the common electrode CE due to the semi-transparent property of the common electrode CE, and the other part passes through the common electrode CE. The red light of the external light passing through the common electrode CE passes through the first emission layer 161 and is reflected by the first pixel electrode PE1, and then passes through the first emission layer 161 and the common electrode CE. ) through and out. Here, the red light of the external light reflected from the first pixel electrode PE1 and the red light of the external light passing through the common electrode CE and then reflected from the first pixel electrode PE1 cause destructive interference. Then, it is possible to reduce the reflectance of the red light incident from the outside.

상기 제1 발광층(161)의 높이(H1)가 다음과 같은 조건, The condition that the height H1 of the first light emitting layer 161 is as follows;

2nR(H1) = mλR 또는 2 nR(H1) = (m+1/2)λR 2n R (H1) = mλ R or 2 n R (H1) = (m+1/2)λ R

(여기서, nR, λR 는 각각 상기 제1 발광층(161)의 굴절률, 입사되는 적색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)(Here, n R and λ R are the refractive index of the first light emitting layer 161 and the wavelength of the incident red light, respectively, and m is an integer)

을 만족하게 되면 상기 공통 전극(CE)에서 반사되어 나가는 적색광과 상기 공통 전극(CE)을 투과한 다음 상기 제1 화소 전극(PE1)에서 반사되어 나가는 적색광이 상쇄 간섭을 일으킬 수 있다. 이에 따라, 외부로부터 입사되는 적색광의 반사율을 줄일 수 있다.is satisfied, the red light reflected from the common electrode CE and the red light transmitted through the common electrode CE and then reflected from the first pixel electrode PE1 may cause destructive interference. Accordingly, it is possible to reduce the reflectance of the red light incident from the outside.

유사하게 상기 제2 발광층(162)의 높이(H2)가 다음과 같은 조건,Similarly, the condition that the height H2 of the second light emitting layer 162 is as follows;

2nG(H2) = mλG 또는 2 nG(H2) = (m+1/2)λG 2n G (H2) = mλ G or 2 n G (H2) = (m+1/2)λ G

(여기서, nG, λG 는 각각 상기 제2 발광층(162)의 굴절률, 입사되는 녹색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)(Here, n G and λ G represent the refractive index of the second light emitting layer 162 and the wavelength of the incident green light, respectively, and m means an integer)

또한, 유사하게 상기 제3 발광층(163)의 높이(H3)가 다음과 같은 조건,In addition, similarly, the height (H3) of the third light emitting layer 163 is the following condition,

2nB(H3) = mλB 또는 2 nB(H3) = (m+1/2)λB 2n B (H3) = mλ B or 2 n B (H3) = (m+1/2)λ B

(여기서, nB, λB 는 각각 상기 제3 발광층(163)의 굴절률, 입사되는 청색광의 파장을 나타내며, m은 정수를 의미함)(Here, n B and λ B represent the refractive index of the third light emitting layer 163 and the wavelength of the incident blue light, respectively, and m means an integer)

도 5a 내지 도 5c는 도 2의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계, 및 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성하는 단계를 포함한다. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an upper protective film of the display panel of FIG. 2 . The method of manufacturing the upper protective film includes forming a black matrix BM, forming first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 , and forming a second pressure-sensitive adhesive layer 320 . includes steps.

도 5a를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계에서는, 제2 베이스층(310) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. Referring to FIG. 5A , in the step of forming the black matrix BM, the black matrix BM is formed on the second base layer 310 .

상기 제2 베이스층(310) 상에 광 차단 물질을 스퍼터링 방식으로 도포하고, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광(exposure) 후, 현상(develop)하여 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. 상기 제2 베이스 층(310)은 유리, 금속, 또는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)이 고분자 물질을 포함하는 경우, 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate; PET), 폴리 우레탄(polyurethane), 폴리아크릴니트릴(polyacrynitril; PAN), 폴리에틸렌(polyethylene; PE), 폴리프로필렌(polypropylene; PP) 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 베이스 층(310)은 바람직하게 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다. 상기 광 차단 물질은 크롬(Cr) 등의 금속, 탄소계의 유기 재료 등을 포함할 수 있다. A light blocking material is applied on the second base layer 310 by sputtering, exposed using a mask having a pattern, and then developed to form the black matrix BM. The second base layer 310 may include glass, metal, or a polymer material. When the second base layer 310 includes a polymer material, polyimide, polycarbonate, polyethyleneterephthalate (PET), polyurethane, polyacrynitrile (PAN) ), polyethylene (PE), polypropylene (PP), and the like. The second base layer 310 may preferably have a thickness of 100 μm (micrometer). The light blocking material may include a metal such as chromium (Cr) or a carbon-based organic material.

도 5b를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성한다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(도 5c의 SP1 내지 SP3 참조)에 대응하여 형성되고, 이웃하는 컬러 필터와 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에서 일부 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 순차적으로 형성될 수 있다. Referring to FIG. 5B , in the forming of the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 , first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed on the second base layer 310 on which the black matrix BM is formed. Three color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are respectively formed to correspond to the first to third sub-pixels (see SP1 to SP3 of FIG. 5C ), and the adjacent color filter and the black matrix BM ) can be partially overlapped. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be sequentially formed.

상기 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계는 제1 컬러 레지스트가 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. Forming the first color filter CF1 includes applying a first color resist on the second base layer 310 on which the black matrix BM is formed, and exposing using a mask having a pattern. , forming the first color filter CF1 by developing the first color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제1 컬러 필터(CF1)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 필터(CF1)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the first color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). The method may further include a post-bake step of thermally curing the first color filter CF1 after the developing step. In the post-baking step, the first color filter CF1 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

상기 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계는 제2 컬러 레지스트가 상기 제1 컬러 필터(CF1)가 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제2 컬러 레지스트를 현상하여 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. In the forming of the second color filter CF2 , a second color resist is applied on the second base layer 310 on which the first color filter CF1 is formed, and exposure is performed using a mask having a pattern. and forming the second color filter CF2 by developing the second color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제2 컬러 필터(CF2)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 필터(CF2)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the second color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). In addition, the method may further include a post-bake step of thermally curing the second color filter CF2 after the developing step. In the post-baking step, the second color filter CF2 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

상기 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계는 제3 컬러 레지스트가 상기 제1 및 제2 컬러 필터들(CF1, CF2)이 형성된 상기 제2 베이스층(310) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제3 컬러 레지스트를 현상하여 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the third color filter CF3 includes applying a third color resist on the second base layer 310 on which the first and second color filters CF1 and CF2 are formed. The method may include exposing using a mask having a mask, and forming a third color filter CF3 by developing the third color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제3 컬러 필터(CF3)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 필터(CF3)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the third color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). In addition, the method may further include a post-bake step of thermally curing the third color filter CF3 after the developing step. In the post-baking step, the third color filter CF3 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

한편, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be formed by an inkjet method.

도 5c를 참조하면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성하는 단계에서는 상기 제1 내지 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성한다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 별도의 접착 테이프를 상기 제1 내지 제3 컬러필터(CF1, CF2, CF3) 및 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에 접착시켜 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 아크릴계 중합체를 포함하는 테이프(tape)일 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.Referring to FIG. 5C , in the step of forming the second pressure-sensitive adhesive layer 320, a second pressure-sensitive adhesive layer ( 320) is formed. The second pressure-sensitive adhesive layer 320 may be formed by bonding a separate adhesive tape on the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 and the black matrix BM. For example, the second pressure-sensitive adhesive layer 320 may be a tape including an acrylic polymer. The second pressure-sensitive adhesive layer 320 may preferably have a thickness of about 100 μm (micrometer).

도 6a 내지 도 6c는 도 3의 표시 패널의 상부 보호 필름의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계 및 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계를 제외하고, 도 5a 내지 도 5c의 상부 보호 필름의 제조 방법과 동일하므로, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다. 6A to 6C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an upper protective film of the display panel of FIG. 3 . The manufacturing method of the upper protective film is the same as the manufacturing method of the upper protective film of FIGS. 5A to 5C, except for the step of forming the overcoat layer 430 and the step of forming the second pressure-sensitive adhesive layer 420, Duplicate descriptions will be simplified or omitted.

상기 상부 보호 필름의 제조 방법은 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계, 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계, 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계 및 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계를 포함한다.The manufacturing method of the upper protective film includes forming a black matrix BM, forming first to third color filters CF1 , CF2 , CF3 , forming an overcoat layer 430 , and a second and forming a pressure sensitive adhesive layer 420 .

도 6a를 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성하는 단계에서는, 제2 베이스층(310) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. 상기 제2 베이스층(410) 상에 광 차단 물질을 스퍼터링 방식으로 도포하고, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광(exposure) 후, 현상(develop)하여 상기 블랙 매트릭스(BM)를 형성한다. Referring to FIG. 6A , in the step of forming the black matrix BM, the black matrix BM is formed on the second base layer 310 . A light blocking material is applied on the second base layer 410 by sputtering, exposed using a mask having a pattern, and then developed to form the black matrix BM.

도 6a를 다시 참조하면, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 형성한다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 각각 제1 내지 제3 서브 화소(도 6c의 SP1 내지 SP3 참조)에 대응하여 형성되고, 이웃하는 컬러 필터와 상기 블랙 매트릭스(BM) 상에서 일부 중첩될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 순차적으로 형성될 수 있다. Referring back to FIG. 6A , in the forming of the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 , first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed on the second base layer 410 on which the black matrix BM is formed. The third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 are formed to correspond to the first to third sub-pixels (see SP1 to SP3 of FIG. 6C ), respectively, and the adjacent color filter and the black matrix BM ) can be partially overlapped. The first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be sequentially formed.

상기 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계는 제1 컬러 레지스트가 상기 블랙 매트릭스(BM)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제1 컬러 레지스트를 현상하여 제1 컬러 필터(CF1)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the first color filter CF1 includes applying a first color resist on the second base layer 410 on which the black matrix BM is formed, and exposing using a mask having a pattern. , forming the first color filter CF1 by developing the first color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제1 컬러 필터(CF1)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제1 컬러 필터(CF1)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the first color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). The method may further include a post-bake step of thermally curing the first color filter CF1 after the developing step. In the post-baking step, the first color filter CF1 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

상기 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계는 제2 컬러 레지스트가 상기 제1 컬러 필터(CF1)가 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제2 컬러 레지스트를 현상하여 제2 컬러 필터(CF2)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. In the forming of the second color filter CF2 , a second color resist is applied on the second base layer 410 on which the first color filter CF1 is formed, and exposure is performed using a mask having a pattern. and forming the second color filter CF2 by developing the second color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제2 컬러 필터(CF2)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제2 컬러 필터(CF2)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the second color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). In addition, the method may further include a post-bake step of thermally curing the second color filter CF2 after the developing step. In the post-baking step, the second color filter CF2 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

상기 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계는 제3 컬러 레지스트가 상기 제1 및 제2 컬러 필터들(CF1, CF2)이 형성된 상기 제2 베이스층(410) 상에 도포되는 단계, 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광하는 단계, 상기 제3 컬러 레지스트를 현상하여 제3 컬러 필터(CF3)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. The forming of the third color filter CF3 includes applying a third color resist on the second base layer 410 on which the first and second color filters CF1 and CF2 are formed. The method may include exposing using a mask having a mask, and forming a third color filter CF3 by developing the third color resist.

이때, 상기 노광하는 단계 전에 진공 건조 단계 및/또는 프리 베이크(pre-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 프리 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 레지스트를 약 90 도 내지 약 110도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다. 또한, 상기 현상하는 단계 이 후에 상기 제3 컬러 필터(CF3)을 열 경화 시키는 포스트 베이크(post-bake) 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 포스트 베이크 단계에서는 상기 제3 컬러 필터(CF3)를 약 220 내지 약 230 도(Celsius degree)로 열 경화 할 수 있다.In this case, a vacuum drying step and/or a pre-bake step may be further included before the step of exposing. In the pre-bake step, the third color resist may be thermally cured at about 90 degrees to about 110 degrees (Celsius degree). In addition, the method may further include a post-bake step of thermally curing the third color filter CF3 after the developing step. In the post-baking step, the third color filter CF3 may be thermally cured at about 220 to about 230 degrees Celsius (Celsius degree).

한편, 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)은 잉크젯 방식으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 may be formed by an inkjet method.

도 6b를 참조하면, 상기 오버 코팅층(430)을 형성하는 단계에서는, 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3) 상에 오버 코팅층(430)을 형성한다. 상기 오버 코팅층(430)은 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)을 평탄화하면서 보호하는 역할 및 절연하는 역할을 하며, 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6B , in the forming of the overcoat layer 430 , an overcoat layer 430 is formed on the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 . do. The overcoat layer 430 serves to protect and insulate the first to third color filters CF1 , CF2 , and CF3 while planarizing, and may be formed using an acrylic epoxy material.

도 6c를 참조하면, 제2 압력 민감 접착층(420)을 형성하는 단계에서는, 상기 제2 베이스층(410) 하부에 제2 압력 민감 접착층(320)을 형성한다. 즉, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 상기 제2 베이스층(410)을 기준으로 상기 블랙 매트릭스(BM) 및 상기 제1 내지 제3 컬러 필터들(CF1, CF2, CF3)의 반대방향에 형성된다. 상기 제2 압력 민감 접착층(320)은 별도의 접착 테이프를 상기 제2 베이스층(410) 상에 접착시켜 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 아크릴계 중합체를 포함하는 테이프(tape)일 수 있다. 상기 제2 압력 민감 접착층(420)은 바람직하게 약 100μm(마이크로미터)의 두께를 가질 수 있다.Referring to FIG. 6C , in the forming of the second pressure-sensitive adhesive layer 420 , a second pressure-sensitive adhesive layer 320 is formed under the second base layer 410 . That is, the second pressure-sensitive adhesive layer 420 is located in a direction opposite to the black matrix BM and the first to third color filters CF1 , CF2 and CF3 with respect to the second base layer 410 . is formed The second pressure-sensitive adhesive layer 320 may be formed by bonding a separate adhesive tape on the second base layer 410 . For example, the second pressure-sensitive adhesive layer 420 may be a tape including an acrylic polymer. The second pressure-sensitive adhesive layer 420 may preferably have a thickness of about 100 μm (micrometer).

도 7a 내지 도 7g는 도 2의 표시 패널의 표시 기판의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 도면에서는 하나의 서브 화소에 대해서 설명한다. 7A to 7G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the display substrate of the display panel of FIG. 2 . In the drawings, one sub-pixel will be described.

도 7a를 참조하면, 베이스 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성한다. 상기 버퍼층(120)은 스핀 코팅(spin coating) 공정, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 프린팅(printing) 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7A , the buffer layer 120 is formed on the base substrate 110 . The buffer layer 120 is formed by a spin coating process, a chemical vapor deposition (CVD) process, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process, a high-density plasma-chemical vapor deposition (HDP-CVD) process, and a printing process. and the like.

상기 버퍼층(120) 상에 채널층(CH)이 형성된다. 상기 버퍼층(120) 상에 반도체층을 형성한 후, 상기 반도체층을 패터닝 하여 상기 채널층(CH)을 형성한다. 상기 채널층(CH)은 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 저압 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)일 수 있다. A channel layer CH is formed on the buffer layer 120 . After a semiconductor layer is formed on the buffer layer 120 , the semiconductor layer is patterned to form the channel layer CH. The channel layer CH may be formed using a chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a low pressure chemical vapor deposition process, a sputtering process, or the like. In addition, the channel layer CH may be a low temperature polysilicon formed by crystallizing an amorphous silicon thin film using a laser annealing method.

도 7b를 참조하면, 상기 채널층(CH)이 형성된 상기 버퍼층(120) 상에 제1 절연층(130)을 형성한다. 상기 제1 절연층(130)은 화학 기상 증착 공정, 스핀 코팅 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 스퍼터링 공정, 진공 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7B , a first insulating layer 130 is formed on the buffer layer 120 on which the channel layer CH is formed. The first insulating layer 130 may be formed using a chemical vapor deposition process, a spin coating process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a sputtering process, a vacuum deposition process, a high-density plasma-chemical vapor deposition process, a printing process, etc. .

도 7c를 참조하면, 상기 제1 절연층(130) 상에 상기 채널층(CH)과 중첩하는 게이트 전극(GE)을 형성한다. 상기 제1 절연층(130) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝하여 상기 게이트 전극(GE)을 형성할 수 있다. Referring to FIG. 7C , a gate electrode GE overlapping the channel layer CH is formed on the first insulating layer 130 . After the conductive layer is formed on the first insulating layer 130 , the gate electrode GE may be formed by patterning the conductive layer using a photolithography process or an etching process using an additional etching mask.

상기 게이트 전극(GE)이 형성된 상기 제1 절연층(130) 상에 제2 절연층(140)을 형성한다. 상기 제2 절연층(140)은 스핀 코팅 공정, 화학 기상 증착 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. A second insulating layer 140 is formed on the first insulating layer 130 on which the gate electrode GE is formed. The second insulating layer 140 may be formed using a spin coating process, a chemical vapor deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high-density plasma-chemical vapor deposition process, or the like.

도 7d를 참조하면, 상기 채널층(CH)의 일부를 노출하는 제1 및 제2 콘택홀들(도 1의 C1, C2 참조)이 상기 제1 및 제2 절연층(130, 140)을 통해 형성된다. 상기 제1 및 제2 콘택홀은 사진 식각 공정이나 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7D , first and second contact holes (refer to C1 and C2 of FIG. 1 ) exposing a portion of the channel layer CH pass through the first and second insulating layers 130 and 140 . is formed The first and second contact holes may be formed through a photolithography process or an etching process using an additional mask.

상기 제1 및 제2 콘택홀들이 형성된 상기 제2 절연층(140) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 형성된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 제1 콘택홀(C1)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 제2 콘택홀(C2)을 통해 상기 채널층(CH)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 절연층(140) 상에 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정 또는 추가적인 식각 마스크를 이용하는 식각 공정 등을 이용하여 상기 도전막을 패터닝하여 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)을 형성할 수 있다.A source electrode SE and a drain electrode DE are formed on the second insulating layer 140 in which the first and second contact holes are formed. The source electrode SE is electrically connected to the channel layer CH through the first contact hole C1. The drain electrode DE is electrically connected to the channel layer CH through the second contact hole C2. After forming a conductive layer on the second insulating layer 140 , the source electrode SE and the drain electrode DE are formed by patterning the conductive layer using a photolithography process or an etching process using an additional etching mask. can be formed

상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 제2 절연층(140) 상에 제3 절연층(150)을 형성한다. 상기 제3 절연층(150)은 구성 물질에 따라, 스핀 코팅 공정, 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착 공정, 진공 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. A third insulating layer 150 is formed on the second insulating layer 140 on which the source electrode SE and the drain electrode DE are formed. The third insulating layer 150 may be formed by a spin coating process, a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a plasma enhanced chemical vapor deposition process, a high-density plasma-chemical vapor deposition process, vacuum depending on constituent materials. It may be formed using a deposition process or the like.

도 7e를 참조하면, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 제3 콘택홀(도 1의 C3 참조)상기 제3 절연층(150)을 관통하여 형성된다. 상기 제3 콘택홀은 사진 식각 공정이나 추가적인 마스크를 사용하는 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.Referring to FIG. 7E , a third contact hole (see C3 of FIG. 1 ) exposing a portion of the drain electrode DE is formed through the third insulating layer 150 . The third contact hole may be formed through a photolithography process or an etching process using an additional mask.

상기 제3 콘택홀이 형성된 상기 제3 절연층(150) 상에 제1 화소 전극(161)을 형성한다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 상기 제3 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 제1 화소 전극(PE1)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.A first pixel electrode 161 is formed on the third insulating layer 150 in which the third contact hole is formed. The first pixel electrode PE1 is electrically connected to the drain electrode DE through the third contact hole. The first pixel electrode PE1 may be formed using a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a vacuum deposition process, a pulse laser deposition process, or the like.

상기 제1 화소 전극(PE1)이 형성된 상기 제3 절연층(150) 상에는 화소 정의막(160)이 형성될 수 있다. 상기 화소 정의막(160)은 스핀 코팅 공정, 스프레이 공정, 프린팅 공정, 화학 기상 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. A pixel defining layer 160 may be formed on the third insulating layer 150 on which the first pixel electrode PE1 is formed. The pixel defining layer 160 may be formed using a spin coating process, a spray process, a printing process, a chemical vapor deposition process, or the like.

도 7f를 참조하면, 상기 화소 정의막(160)에 의해 구획되는 상기 제1 화소 전극(PE1) 상에는 제1 발광층(161)이 형성된다. 상기 제1 발광층(161)은 레이저 전사 공정, 프린팅 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다. Referring to FIG. 7F , a first emission layer 161 is formed on the first pixel electrode PE1 partitioned by the pixel defining layer 160 . The first emission layer 161 may be formed using a laser transfer process, a printing process, or the like.

상기 화소 정의막(160) 및 상기 제1 화소 전극(PE1) 상에 공통 전극(CE)이 형성된다. 상기 공통 전극(CE)은 프린팅 공정, 스퍼터링 공정, 화학 기상 증착 공정, 원자층 적층 공정, 진공 증착 공정, 펄스 레이저 증착 공정 등을 이용하여 형성될 수 있다.A common electrode CE is formed on the pixel defining layer 160 and the first pixel electrode PE1 . The common electrode CE may be formed using a printing process, a sputtering process, a chemical vapor deposition process, an atomic layer deposition process, a vacuum deposition process, a pulse laser deposition process, or the like.

도 7g를 참조하면, 상기 공통 전극(CE) 상에 박형 보호 필름(170)이 형성된다. 상기 박형 보호 필름(170)은 복수의 유기 및 무기층들 교대로 적층하여 형성한다. 상기 박형 보호 필름(170)은 약 100도(Celsius degree) 이하의 저온 공정에서 형성될 수 있다. 이러한 저온 공정에 의해 상기 박형 보호막(170)은 상기 제1 발광층(161)의 손상없이 상기 공통 전극(CE) 상에 직접 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 박형 보호 필름(170)은 순차로 적층되는 제1 유기층(171), 제1 무기층(172), 제2 유기층(173), 제2 무기층(174), 및 제3 유기층(175)를 포함할 수 있다. 상기 제1 유기층(171)이 상기 공통 전극(CE) 상에 형성되고, 상기 제1 무기층(172)이 상기 제1 유기층(171) 상에 형성된다. 상기 제2 유기층(173)이 상기 제1 무기층(172) 상에 형성되고, 상기 제2 무기층(174)이 상기 제2 유기층(173) 상에 형성된다. 상기 제3 유기층(175)이 상기 제2 무기층(174) 상에 형성된다. Referring to FIG. 7G , a thin protective film 170 is formed on the common electrode CE. The thin protective film 170 is formed by alternately stacking a plurality of organic and inorganic layers. The thin protective film 170 may be formed in a low temperature process of about 100 degrees (Celsius degree) or less. Through this low-temperature process, the thin protective layer 170 may be directly formed on the common electrode CE without damaging the first light emitting layer 161 . For example, the thin protective film 170 may include a first organic layer 171 , a first inorganic layer 172 , a second organic layer 173 , a second inorganic layer 174 , and a third organic layer sequentially stacked. (175). The first organic layer 171 is formed on the common electrode CE, and the first inorganic layer 172 is formed on the first organic layer 171 . The second organic layer 173 is formed on the first inorganic layer 172 , and the second inorganic layer 174 is formed on the second organic layer 173 . The third organic layer 175 is formed on the second inorganic layer 174 .

도 8은 도 2의 표시 패널을 완성하기 위해, 상부 보호 필름 및 하부 보호 필름을 표시 기판에 접합하는 단계를 나타낸 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a step of bonding an upper protective film and a lower protective film to a display substrate to complete the display panel of FIG. 2 .

표시 기판(100)을 완성하고, 상부 보호 필름(300) 및 하부 보호 필름(200)을 별도의 공정으로 완성할 수 있다. 이후, 상기 표시 기판(100)의 베이스 기판(110) 상에 상기 하부 보호 필름(200)의 제1 압력 민감 접착층(220)을 압력하여 접착시키고, 상기 표시 기판(100)의 박형 보호 필름(170) 상에 상기 상부 보호 필름(300)의 제2 압력 민감 접착층(320)을 압력하여 접착시켜, 상기 표시 패널을 완성할 수 있다. After the display substrate 100 is completed, the upper protective film 300 and the lower protective film 200 may be completed in a separate process. Thereafter, the first pressure-sensitive adhesive layer 220 of the lower protective film 200 is pressed onto the base substrate 110 of the display substrate 100 and adhered to the base substrate 110 of the display substrate 100 , and the thin protective film 170 of the display substrate 100 is pressed. ), the second pressure-sensitive adhesive layer 320 of the upper protective film 300 is pressed and adhered to each other to complete the display panel.

본 발명의 실시예들에 따르면, 표시 패널은 발광층들이 발광하는 컬러의 광들과 각각 동일한 컬러를 갖는 컬러 필터들을 포함하므로, 외부광의 화소 전극에서의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 상기 표시 패널의 표시 품질을 향상시킬 수 있다. According to embodiments of the present invention, since the display panel includes color filters each having the same color as the light of the color emitted by the emission layers, the reflectance of external light at the pixel electrode may be reduced. Accordingly, the display quality of the display panel may be improved.

또한, 상기 컬러 필터들을 포함하는 외부 보호 필름을 상기 발광층들을 포함하는 표시 기판에 압력 민감 접착층을 이용하여 접착하므로, 상기 컬러 필터들을 고온의 공정을 이용하여 형성하더라도, 상기 발광층들의 열에 의한 손상을 감소시킬 수 있다. In addition, since the external protective film including the color filters is adhered to the display substrate including the light emitting layers using a pressure sensitive adhesive layer, even when the color filters are formed using a high-temperature process, heat damage to the light emitting layers is reduced can do it

또한, 상기 표시 패널이 플렉서블 디스플레이인 경우에 있어서, 반사율을 낮추기 위해 사용되는 일반적인 편광판을 대체하여 상기 컬러 필터를 사용할 수 있으므로, 상기 표시 패널 전체의 두께를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 표시 패널의 유연성이 증가할 수 있다. In addition, when the display panel is a flexible display, the color filter may be used instead of a general polarizing plate used to reduce reflectance, and thus the overall thickness of the display panel may be reduced. Accordingly, flexibility of the display panel may be increased.

*이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. * Although described with reference to the above embodiments, those skilled in the art can variously modify and change the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below You will understand.

100: 표시 패널 110: 베이스 기판
120: 버퍼층 130: 제1 절연층
140: 제2 절연층 150: 제3 절연층
160: 화소 정의막 161: 제1 발광층
162: 제2 발광층 163: 제3 발광층
170: 박형 보호 필름 200: 하부 보호 필름
210: 제1 베이스 층 220: 제1 압력 민감 접착층
300: 상부 보호 필름 310: 제2 베이스 층
320: 제2 압력 민감 첩착층 BM: 블랙 매트릭스
CF1, CF2, CF3: 제1-3 컬러필터
PE1, PE2, PE3: 제1-3 화소 전극들
SW1, SW2, SW3: 제 1-3 스위칭 소자100: display panel 110: base substrate
120: buffer layer 130: first insulating layer
140: second insulating layer 150: third insulating layer
160: pixel defining layer 161: first light emitting layer
162: second light-emitting layer 163: third light-emitting layer
170: thin protective film 200: lower protective film
210: first base layer 220: first pressure sensitive adhesive layer
300: upper protective film 310: second base layer
320: second pressure sensitive adhesive layer BM: black matrix
CF1, CF2, CF3: 1-3 color filter
PE1, PE2, PE3: 1-3 pixel electrodes
SW1, SW2, SW3: 1-3 switching element

Claims (5)

제1 베이스층;
상기 제1 베이스층 상에 형성된 제1 스위칭 소자, 상기 제1 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 제1 화소 전극, 상기 제1 화소 전극 상에 배치되고 상기 제1 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 제1 컬러의 광을 방출하는 제1 발광층 및 상기 제1 발광층 상에 배치되어 상기 제1 발광층을 보호하는 보호층;
제2 베이스층; 및
상기 제2 베이스층 하부에 배치되고 상기 제1 발광층에 대응하여 배치되는 제1 컬러 필터 및 상기 제1 컬러 필터 하부에 배치되는 접착층을 포함하고,
상기 보호층 상에 상기 접착층이 배치되며,
상기 제1 베이스층 상에 형성된 제2 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 제2 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 상에 배치되고 상기 제2 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 광을 방출하는 제2 발광층; 및
상기 제1 베이스층 상에 형성된 제3 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 제3 화소 전극, 상기 제3 화소 전극 상에 배치되고 상기 제3 화소 전극에 전압이 인가됨에 따라 광을 방출하는 제3 발광층을 더 포함하고,
상기 제1 발광층의 높이, 상기 제2 발광층의 높이, 및 상기 제3 발광층의 높이는 서로 다르며,
상기 제2 베이스층의 두께 및 상기 접착층의 두께는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 표시 패널.a first base layer;
A first switching element formed on the first base layer, a first pixel electrode electrically connected to the first switching element, is disposed on the first pixel electrode, and as a voltage is applied to the first pixel electrode, a first light emitting layer emitting colored light and a protective layer disposed on the first light emitting layer to protect the first light emitting layer;
a second base layer; and
a first color filter disposed under the second base layer and disposed to correspond to the first light emitting layer, and an adhesive layer disposed under the first color filter,
The adhesive layer is disposed on the protective layer,
a second switching element formed on the first base layer, a second pixel electrode electrically connected to the second switching element, and disposed on the second pixel electrode to emit light as a voltage is applied to the second pixel electrode a second light emitting layer emitting; and
A third switching element formed on the first base layer, a third pixel electrode electrically connected to the third switching element, and a third pixel electrode disposed on the third pixel electrode to emit light as a voltage is applied to the third pixel electrode Further comprising a third light emitting layer to emit,
The height of the first light-emitting layer, the height of the second light-emitting layer, and the height of the third light-emitting layer are different from each other,
The thickness of the second base layer and the thickness of the adhesive layer are the same as each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 컬러 필터는 상기 제1 컬러를 갖는 표시 패널. The method of claim 1,
The first color filter is a display panel having the first color. 제 1 항에 있어서,
상기 제1 베이스층 및 상기 제2 베이스층은 유리, 금속 및 고분자 물질 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널. The method of claim 1,
The display panel of claim 1, wherein the first base layer and the second base layer include any one of glass, metal, and a polymer material. 제1항에 있어서,
상기 제1 스위칭 소자는 비정질 실리콘 박막을 레이저 어닐링(Laser Annealing) 방법으로 결정화하여 형성한 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.The method of claim 1,
The first switching element comprises a low temperature polysilicon formed by crystallizing an amorphous silicon thin film using a laser annealing method. 제 1 항에 있어서,
상기 접착층은 아크릴계 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
The method of claim 1,
The adhesive layer comprises an acrylic polymer.
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