KR102397700B1 - Cleaning composition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 글래스 CMP 후 건조 이물에 대한 세정제 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMP 슬러리 공정 처리 후, 특히 글래스 위의 건조되어 쉽게 제거 되지 않는 실리카(Silica) 계열의 슬러리 건조 이물을 제거 하며 글래스를 오염시키지 않으면서 세정할 수 있는 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition for dry foreign matter after glass CMP, and more particularly, after CMP slurry process treatment, it removes silica-based slurry dry foreign matter that is dried on the glass and is not easily removed, and removes the glass. It relates to a composition that can be cleaned without contamination.

Description

세정제 조성물{CLEANING COMPOSITION}Cleaning composition {CLEANING COMPOSITION}

본 발명은 CMP 공정 후 기판 상에 잔류하는 건조 이물을 세정하기 위한 세정제 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 CMP 슬러리 공정 처리 후, 글래스 위의 건조되어 쉽게 제거되지 않는 실리카(Silica) 계열의 슬러리 건조 이물을 제거 하며 글래스를 오염시키지 않으면서 세정할 수 있는 조성물에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning composition for cleaning dry foreign matter remaining on a substrate after a CMP process, and more particularly, to a silica-based slurry drying on glass that is dried on glass and not easily removed after CMP slurry process treatment It relates to a composition capable of removing foreign substances and cleaning the glass without contaminating the glass.

일반적으로 화학적 기계 연마 또는 평탄화 CMP(Chemical Mechanical Polishing or Planarization)란 임의의 물질을 기판, 예를 들어, 웨이퍼 또는 글래스의 표면에 분산시키고 상기 표면을 연마와 같은 물리적 공정과 산화 또는 킬레이트화와 같은 화학 공정을 통해 평탄화시키는 공정을 말한다.In general, chemical mechanical polishing or planarization CMP (Chemical Mechanical Polishing or Planarization) refers to dispersing an arbitrary material on the surface of a substrate, for example, a wafer or glass, and dispersing the surface through a physical process such as polishing and a chemical process such as oxidation or chelation. It refers to the process of planarizing through the process.

CMP 슬러리는 연마의 타겟이 되는 막질에 따라 그 성분을 달리하며, 텅스텐, 구리 등의 금속 막질을 연마 시 에는 연마입자로 실리카(SiO2)가 사용되고 있으며 기계적인 연마를 돕기 위해 금속 산화막을 형성하는 산화제가 들어가기도 하고 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘나이트 라이드(Si3N4) 등의 절연막의 연마에는 세리아(CeO2) 입 자가 사용되고 있다.CMP slurry has different components depending on the film quality to be polished. When polishing metal films such as tungsten and copper, silica (SiO 2 ) is used as an abrasive particle, and a metal oxide film is formed to help mechanical polishing. Oxidizing agents are sometimes included, and ceria (CeO 2 ) particles are used to polish insulating films such as silicon oxide (SiO 2 ) and silicon nitride (Si3N4).

세정 공정 (CMP 후 세정)의 목적은 금속을 임의적으로 에칭시키거나, 표면에 이물을 남기거나, 또는 소재에 오염을 시키지 않으면서 CMP 단계 및 이후 공정의 잔류물을 반도체 소재 표면으로부터 제거하는 것이다. 또한 에칭, 메탈 부식과 같은 여러 메커니즘에 의한 부식으로부터 하부 막질에 영향을 주지 않는 것이 바람직하다.The purpose of the cleaning process (post-CMP cleaning) is to remove residues from the CMP step and subsequent processes from the surface of a semiconductor material without optionally etching the metal, leaving foreign substances on the surface, or contaminating the material. In addition, it is desirable not to affect the underlying film quality from corrosion by various mechanisms such as etching and metal corrosion.

이러한 CMP 공정의 장점은 다층 배선 및 0.2um 이하의 광역 평탄화가 가능하며, 공정 수 감소도 가능하다. 또한 비-평탄도에 기인한 이물 감소와 막 표면에 존재하는 결함 제거에 용이하다는 특징을 갖는다. 반면 CMP 자체의 공정 변수가 많아 기계적인 신뢰성, 패드, 슬러리 등의 영향을 받으며 CMP에 의한 스크래치 발생 가능성이 있다. 또한 생산 비용이 저렴하지 않다는 단점도 갖는다.The advantage of the CMP process is that multi-layer wiring and wide area planarization of 0.2 μm or less are possible, and the number of processes can be reduced. In addition, it has the characteristics of reducing foreign matter due to non-flatness and facilitating removal of defects existing on the film surface. On the other hand, there are many process variables of CMP itself, so it is affected by mechanical reliability, pad, slurry, etc., and there is a possibility of scratching due to CMP. It also has a disadvantage that the production cost is not cheap.

세정 용액은 세정 공정 시 여러 작용을 하는 화학 물질이 함유 된다. 세정제는 소재의 표면으로부터 잔류 CMP 슬러리 입자 및 금속 입자를 제거하는 용액의 성분이다. 또한 일반적으로 부식 방지제, 계면 활성제 및 킬레이트제 등을 함유하는 조성물도 개발 되어 있다. 킬레이트제는 세정용액 중의 금속 물질과 결합하여 용액 중에 금속 불순물들을 재흡착시키는 목적으로 사용되나 킬레이트제 자체가 이물 성분으로 남는 단점도 동시에 나타날 수 있다고 알려져 있다.Cleaning solutions contain chemicals that have multiple actions during the cleaning process. The cleaning agent is a component of the solution that removes residual CMP slurry particles and metal particles from the surface of the material. In general, compositions containing corrosion inhibitors, surfactants and chelating agents have also been developed. The chelating agent is used for the purpose of re-adsorbing metal impurities in the solution by binding with the metal material in the cleaning solution, but it is known that the chelating agent itself may exhibit a disadvantage of remaining as a foreign material component.

기존 CMP 슬러리 세정제에 대하여는 대한민국 특허 공개번호 10-2006-0126527) 및 특허공개번호 10-2014-0101005등에서 CMP 후 세정 용액에 대한 내용을 개시하고 있다. 이들 조성물들은 기본적으로 4급 암모늄염(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)를 포함하며 메탈 부식 방지제 및 킬레이트제를 포함하는 것이 일반적이다. 예를 들어 부식 방지제는 아스코르브산, 갈산, 유기 아민 등이 포함 되며 하부 메탈을 보호하는 목적으로 포함된다. 킬레이트제는 보통 메르캅토기를 포함하는 지방족 알코올 화합물, 티오글리세롤, 알칼리성 화합물이 사용된다.Regarding the existing CMP slurry cleaner, Korean Patent Publication No. 10-2006-0126527) and Patent Publication No. 10-2014-0101005 disclose the contents of the cleaning solution after CMP. These compositions basically include a quaternary ammonium salt (Tetra Methyl Ammonium Hydroxide), and it is common to include a metal corrosion inhibitor and a chelating agent. For example, corrosion inhibitors include ascorbic acid, gallic acid, organic amines, etc., and are included for the purpose of protecting the underlying metal. The chelating agent is usually an aliphatic alcohol compound containing a mercapto group, thioglycerol, or an alkaline compound.

상기 조성물의 4급 암모늄염은 일반적으로 OH 이온 작용에 의해 유기물을 분해하는 강력한 물질이나 pH 12이상의 강 알칼리로서 하부 메탈 또는 기타 막질까지 침식을 시킬 수 있는 위험성이 있으며, 휘발 또는 인체 접촉에 따른 위험물질로 알려져 있다. 그리고 암모니아 특유의 냄새를 동반하며 4급 암모늄염은 공기 노출 시 CO2와 강력히 반응하여 점차적으로 산성화되어 성능이 저하되는 단점이 있을 수 있다. 또한 이러한 강력한 유기 성분 분해 특징에도 불구하고 실리카 계열의 슬러리 물질의 건조 이물들은 제거하지 못하는 단점이 있다.The quaternary ammonium salt of the composition is generally a strong substance that decomposes organic matter by the action of OH ions or a strong alkali of pH 12 or higher, and there is a risk of erosion to the lower metal or other membranes, and is a hazardous substance due to volatilization or human contact is known as And it is accompanied by a peculiar smell of ammonia, and when exposed to air, the quaternary ammonium salt reacts strongly with CO 2 and is gradually acidified, which may have a disadvantage in that the performance is deteriorated. In addition, in spite of such strong decomposition of organic components, there is a disadvantage in that it is not possible to remove the dried foreign substances of the silica-based slurry material.

부식 방지제 또는 킬레이트제의 첨가제들은 각자 고유의 장점들을 가지고 있으나 이러한 첨가제 역시 세정 중의 잔류하여 워터 마크 등의 불량을 야기할 수 있는 우려가 있다.The additives of the corrosion inhibitor or chelating agent each have their own advantages, but there is a concern that these additives also remain during cleaning and may cause defects such as water marks.

대한민국 등록특허 10-0700860 및 특허공개번호 10-2007-0003854 등은 산성계의 CMP 후 세정제들을 개시하고 있다. 일반적으로 묽은 불산이나 시트르산, 옥살산 등이 사용된다고 개시되어 있다. 이들 조성 역시 산성 계열로 취급에 어려움이 있을 수 있으며, 슬러리 성분의 pH 특징에 의한 화학적 충격이 있을 수 있으며 실리카 계열의 건조 이물을 제거하기에는 유기물 분해 성능이 부족할 수 있다. Korean Patent Registration No. 10-0700860 and Patent Publication No. 10-2007-0003854 disclose acid-based post-CMP cleaning agents. In general, it is disclosed that dilute hydrofluoric acid, citric acid, oxalic acid and the like are used. These compositions may also be difficult to handle as acidic, and there may be a chemical impact due to the pH characteristics of the slurry component, and organic matter decomposition performance may be insufficient to remove silica-based dry foreign matter.

이에 본 발명자들은 CMP 박리액 조성물이 가지는 종래 문제점을 해결하기 위하여, 강산 또는 강염기가 아닌 중성의 pH를 가지며, 일반적으로 제거가 힘든 실리카 계열의 건조 이물을 제거할 수 있는 조성물을 개발함으로써, 본 발명을 완성하였다.Accordingly, the present inventors developed a composition capable of removing silica-based dry foreign matter, which is generally difficult to remove, having a neutral pH, not a strong acid or strong base, in order to solve the conventional problems of the CMP stripper composition. was completed.

대한민국 등록특허 10-0700860Korean Patent Registration 10-0700860 대한민국 공개특허 10-2007-0003854Republic of Korea Patent Publication 10-2007-0003854 대한민국 공개특허 10-2006-0126527Republic of Korea Patent Publication 10-2006-0126527 대한민국 공개특허 10-2014-0101005Republic of Korea Patent Publication 10-2014-0101005

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 강산이나 강염기 조성물이 아닌 중성 조성물임을 특징으로 하여 하부 막질의 침식을 최소화 하며, 취급의 안전성을 높이고 추가적인 고형 첨가제를 포함하지 않는다. 특히 아직 상업화 되지 않은 소형 또는 대면적의 글래스 적용 CMP 공정 특성상 발생할 수 있는 실리카계 건조 이물을 세정하는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the above problems, it is characterized in that it is a neutral composition rather than a strong acid or strong base composition, thereby minimizing the erosion of the lower film quality, increasing the safety of handling, and does not contain additional solid additives. In particular, an object of the present invention is to provide a composition for cleaning silica-based dry foreign substances that may occur due to the characteristics of a CMP process applied to a small or large-area glass that has not yet been commercialized.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 종래 세정제 조성물에 사용되던 강알칼리성 4급 암모늄염 또는 산성 물질, 첨가제를 대체할 수 있는 중성의 불화 암모늄과 함께 건조된 실리카 계열의 건조 이물 제거를 용이하게 할 수 있는 비양성자성 아마이드계 화합물 및 양성자성 글리콜계 화합물 성분을 포함하는 조성물을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention facilitates the removal of silica-based dry foreign matter dried together with neutral ammonium fluoride that can replace strong alkaline quaternary ammonium salts or acidic substances and additives used in conventional cleaning compositions. It provides a composition comprising an aprotic amide-based compound and a protic glycol-based compound component.

보다 구체적으로, 본 발명은 일실시예에서 불화 암모늄(ammonium fluoride), 불산(hydrofluoric acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 불화물 수용액 1.0~15중량%, 비양성자성 아마이드계 화합물 10~30중량%, 양성자성 글리콜계 화합물 10~30중량% 및 나머지로 초순수를 포함하는 세정제 조성물을 제공한다.More specifically, the present invention in one embodiment 1.0 to 15% by weight of an aqueous fluoride solution selected from the group consisting of ammonium fluoride, hydrofluoric acid, and mixtures thereof, 10 to 30% by weight of an aprotic amide-based compound %, it provides a cleaning composition comprising 10 to 30% by weight of the protic glycol-based compound and ultrapure water as the remainder.

본 발명에 의해 CMP 공정 후 기판(글래스 기판 포함)의 잔류되는 오염물, 특히 실리카계 건조성 이물 제거가 가능한 조성물이 제공된다. 특히, 상기 조성물은 강산 또는 강염기 조건이 아닌 중성 상태에서 상온 조건 하에 수분 이내로 건조된 이물을 신속히 제거할 수 있는 우수한 세정 특성을 갖는 동시에 고형 첨가제가 포함되지 않는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, there is provided a composition capable of removing contaminants remaining on a substrate (including a glass substrate) after a CMP process, in particular, silica-based drying foreign substances. In particular, the composition is characterized in that it has excellent cleaning properties capable of quickly removing dried foreign substances within minutes under room temperature conditions in a neutral state rather than a strong acid or strong base condition, and at the same time does not contain a solid additive.

또한 본 발명의 세정제 조성물을 사용하는 경우, 세정 시간 단축을 위한 기판에 접촉식 브러쉬 사용이 가능할 뿐 아니라, 슬러리 이물 제거 등 필요에 따라, 상기 세정제 조성물을 초순수에 희석하여 사용 가능하기 때문에 공정 원가의 절감 효과가 있고, 작업자의 안전 및 환경적 측면에서도 우수하다.In addition, when the cleaning composition of the present invention is used, it is possible to use a contact-type brush on the substrate for shortening the cleaning time, as well as to dilute the cleaning composition in ultrapure water as needed to remove foreign substances from the slurry. It has a saving effect and is excellent in terms of worker safety and environment.

도 1은 글래스 기판상에 도포된 CMP 후 잔류 건조 이물을 박리하기 전후의 모습을 나타내는 실물 사진으로, (a)는 건조 이물이 잔류한 기판, (b)는 본 발명의 일 실시예에서 제조된 세정제 조성물을 이용하여 건조 이물을 제거한 후의 기판을 나타낸다.
도 2는 글래스 기판상에 도포된 CMP 후 잔류 건조 이물을 박리하기 전후의 모습을 나타내는 실물 사진으로, 는 실시예 (a)내지(c)는 제조된 세정제 조성물로 처리한 후 건조 이물이 완전히 제거된 기판, 비교예 (a)는 비교예4에서 제조된 세정제 조성물을 이용하여 건조 이물이 소량 잔류한 기판, 비교예 (b)는 비교예 1에서 제조된 세정제 조성물로 건조 이물이 제거 되지 않은 기판이다.
1 is a real photograph showing a state before and after peeling off the residual dried foreign material after CMP applied on a glass substrate, (a) is a substrate on which the dry foreign material remains, (b) is a substrate manufactured in an embodiment of the present invention The board|substrate after removing a dry foreign material using a cleaning composition is shown.
2 is a real photograph showing the appearance before and after peeling off the residual dried foreign material after CMP applied on the glass substrate, in Examples (a) to (c), the dried foreign material is completely removed after treatment with the prepared cleaning composition; substrate, Comparative Example (a) is a substrate with a small amount of dry foreign matter remaining using the cleaning composition prepared in Comparative Example 4, Comparative Example (b) is a substrate from which dry foreign matter is not removed with the cleaning composition prepared in Comparative Example 1 am.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명의 일 구체예에 따르면, 본 발명은 불화 암모늄(ammonium fluoride), 이화 불화암모늄(ammonium bifluoride), 불산(hydrofluoric acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 불화물 수용액 1.0~15중량%, 비양성자성 아마이드계 화합물 10~30중량%, 양성자성 글리콜계 화합물 10~30중량% 및 나머지로 초순수를 포함하는 세정제 조성물을 제공한다.According to one embodiment of the present invention, the present invention is a fluoride aqueous solution selected from the group consisting of ammonium fluoride, ammonium bifluoride, hydrofluoric acid, and mixtures thereof in an amount of 1.0 to 15% by weight, a ratio It provides a cleaning composition comprising 10 to 30% by weight of a protic amide-based compound, 10 to 30% by weight of a protic glycol-based compound, and ultrapure water as the remainder.

실리카계 건조 이물 제거를 위해서라면 일반적인 불화 화합물의 원액 및 이의 희석액이 사용 가능하지만, 우수한 세정성 확보를 위해서는 본 발명의 일 구체예에 따른, 불화 암모늄(ammonium fluoride, AF), 이화 불화암모늄(ammonium bifluoride, ABF), 불산(hydrofluoric acid, HF)및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 불화 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. In order to remove silica-based dry foreign matter, a stock solution of a general fluoride compound and a diluted solution thereof can be used, but in order to secure excellent cleaning properties, ammonium fluoride (AF), ammonium difluoride (ammonium fluoride, AF), according to an embodiment of the present invention, can be used. It is preferable to use a fluorinated compound selected from the group consisting of bifluoride (ABF), hydrofluoric acid (HF), and mixtures thereof.

본 발명의 일 구체예에 따른, 불화 암모늄 수용액은 상기 조성물의 전체 중량 대비 1.0내지 15중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 1.0중량% 미만으로 포함될 경우에는 충분한 건조 이물의 세정성을 확보하기 어렵고, 15중량%를 초과하여 포함될 경우에는 첨가량에 비해 충분한 세정성 향상의 효과를 기대하기 어려우며 오히려 전체 조성물의 단가가 상승될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the aqueous solution of ammonium fluoride is preferably included in an amount of 1.0 to 15% by weight based on the total weight of the composition. When included in an amount of less than 1.0% by weight, it is difficult to ensure sufficient cleaning properties of dry foreign substances, and when included in an amount exceeding 15% by weight, it is difficult to expect an effect of sufficient cleaning property improvement compared to the added amount, and on the contrary, the unit price of the entire composition may increase. there is.

본 발명의 일 구체예에 따른 조성물에 있어서, 비양성자성 아마이드계 화합물은 불화 암모늄 수용액의 작용을 증진시키고, 건조 이물 내 고분자로의 침투 및 팽윤을 가속화시켜 박리를 돕는 것으로 보인다. 본 발명의 일 구체예에 따른 비양성자성 아마이드계 화합물은 구체적으로, 메틸포름아마이드(N-methyl formamide, NMF), 메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), 디메틸프로피온아마이드(N,N-dipropionamide, DMPA), 디에틸포름아마이드(diethyl formamide, DEF), 에틸-2-피롤리돈(N-Ethyl-2-pyrrolidone, NEP), 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide, DMAC), 에틸포름아마이드(N-ethyl formamide, NEF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있다.In the composition according to one embodiment of the present invention, the aprotic amide-based compound appears to promote the action of the aqueous ammonium fluoride solution and accelerate the penetration and swelling of the polymer in the dry foreign material to aid peeling. The aprotic amide compound according to an embodiment of the present invention is specifically, methyl formamide (N-methyl formamide, NMF), methyl-2-pyrrolidone (N-methyl-2-pyrrolidone, NMP), dimethyl Propionamide (N,N-dipropionamide, DMPA), diethyl formamide (DEF), ethyl-2-pyrrolidone (N-Ethyl-2-pyrrolidone, NEP), dimethylacetamide (DMAC) , may be selected from the group consisting of ethyl formamide (N-ethyl formamide, NEF) and mixtures thereof.

본 발명의 일 구체예에서, 비양성자성 아마이드계 화합물은 본 발명의 세정제 조성물에 10내지 30중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 10중량% 미만으로 포함될 경우 건조 이물의 세정 속도가 저하되고, 30 중량%를 초과하여 포함될 경우, 고분자로의 침투 및 팽윤 효과가 충분히 발휘되지 못하는 문제가 있다.In one embodiment of the present invention, the aprotic amide-based compound is preferably included in the detergent composition of the present invention in an amount of 10 to 30% by weight. When included in less than 10% by weight, the cleaning rate of dry foreign substances is lowered, and when included in excess of 30% by weight, there is a problem that penetration into the polymer and the swelling effect are not sufficiently exhibited.

본 발명의 일 구체예에 따른 조성물에 있어서, 양성자성 글리콜계 화합물은 조성물의 세정성을 높이며, 불화 암모늄 화합물의 조성 내 안정성을 높이는 역할을 하며, 용해된 이물이 세정제에 잘 퍼지게 하여 신속한 제거에 도움을 주는 것으로 보인다. In the composition according to one embodiment of the present invention, the protic glycol-based compound increases the cleaning property of the composition, serves to increase the stability in the composition of the ammonium fluoride compound, and allows the dissolved foreign material to spread well in the cleaning agent for rapid removal. seems to help

본 발명의 일 구체예에서, 양성자성 글리콜계 화합물은 구체적으로, 에틸렌글리콜(etylene glycol, EG), 프로필렌글리콜(propylene glycol, PG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(diethylene glycol monoethyl ether, EDG), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(diethylene glycol monobutyl ether, BDG), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(diethylene glycol monomethyl ether, MDG), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(ethylene glycol mono ethyl ether, EEG), 프로필렌글리콜모노부에테르(propylene glycol monobutyl ether, PGMBE), 트리프로판올글리콜모노에틸에테르(tripropylene glycol monoethyl ether, TPGMEE) 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(triethylene glycol monobutyl ether, TEGMBE) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the protic glycol-based compound is specifically ethylene glycol (ethylene glycol, EG), propylene glycol (PG), diethylene glycol monoethyl ether (EDG), Diethylene glycol monobutyl ether (BDG), diethylene glycol monomethyl ether (MDG), ethylene glycol monoethyl ether (EEG), propylene glycol monoether It may be selected from the group consisting of (propylene glycol monobutyl ether, PGMBE), tripropylene glycol monoethyl ether (TPGMEE) and triethylene glycol monobutyl ether (TEGMBE), and mixtures thereof. .

본 발명의 일 구체예에 따른 조성물은 필요에 따라, 초순수로 추가적인 희석이 가능하므로 제조상의 단가 경쟁력 및 작업상의 안정성을 향상시킬 수 있으며, 나아가 친환경적인 장점을 갖는다. Since the composition according to an embodiment of the present invention can be further diluted with ultrapure water as necessary, it is possible to improve unit cost competitiveness and operational stability in manufacturing, and further has an environmental-friendly advantage.

본 발명의 일 구체예에서, 본 발명은 불화 암모늄(ammonium fluoride) 및 이화 불화암모늄(ammonium bifluoride) 1.0~15중량%, 메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-Pyrrolidone, NMP) 및 디메틸프로피온아마이드(N,N-dipropionamide, DMPA) 10~30중량%, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(diethylene glycol monoethyl ether, EDG) 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(diethylene glycol monobutyl ether, BDG) 10~30중량% 및 나머지로 초순수 포함하는 CMP 후 건조 이물 세정 조성물을 제공한다. In one embodiment of the present invention, the present invention is ammonium fluoride (ammonium fluoride) and ammonium bifluoride (ammonium bifluoride) 1.0 to 15% by weight, methyl-2-pyrrolidone (N-methyl-2-Pyrrolidone, NMP) and Dimethylpropionamide (N,N-dipropionamide, DMPA) 10-30 wt%, diethylene glycol monoethyl ether (EDG) and diethylene glycol monobutyl ether (BDG) 10-30 wt% It provides a dry foreign material cleaning composition after CMP containing ultrapure water as a weight% and the remainder.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples. These examples are only for illustrating the present invention, and it will be apparent to those of ordinary skill in the art that the scope of the present invention is not to be construed as being limited by these examples.

실시예 1 내지 9. CMP 후 건조 이물 세정 박리액 조성물의 제조Examples 1 to 9. Preparation of dry foreign material cleaning stripper composition after CMP

본 발명의 일 구체예에 따른 제조 공정을 통하여, 불화암모늄수용액, 비양성자성 아마이드계 화합물 및 양성자성 글리콜계 화합물을 포함하는 본 발명의 건조 이물 세정제 조성물을 제조하였고, 이를 실시예 1 내지 9에 구체적으로 기재하였다. 각 조성물의 구성성분 및 함량은 하기 표 1에 정리하여 나타내었다.Through the manufacturing process according to an embodiment of the present invention, a dry foreign material cleaning composition of the present invention comprising an aqueous ammonium fluoride solution, an aprotic amide compound and a protic glycol compound was prepared, and this was used in Examples 1 to 9 Specifically described. Components and contents of each composition are summarized in Table 1 below.

비교예 1 내지 5. Comparative Examples 1 to 5.

제4급 암모늄염 수용액으로 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액, 비양성자성 아마이드계 화합물, 양성자성 글리콜계 화합물로 구성된 비교예 1 내지 3의 건조 이물 세정 조성물을 제조하였다. 각 조성물의 함량은 상기 실시예와 유사한 범위이나, 비양성자성 아마이드계 화합물의 성능을 확인 하기 위해 비 아마이드계 화합물을 추가하였으며 양성자성 글리콜계 화합물의 성분을 달리 배합하였다. 또한 불화암모늄 수용액 및 비양성자성 아마이드계 화합물의 함량을 줄여 최적의 세정 성능 함량을 확인하여 보았다. 각 조성물에 대한 구성성분 및 함량은 하기 표 1에 정리하여 나타내었다. As a quaternary ammonium salt aqueous solution, the dry foreign material cleaning compositions of Comparative Examples 1 to 3 comprising an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, an aprotic amide compound, and a protic glycol compound were prepared. The content of each composition is in a range similar to that of the above example, but in order to confirm the performance of the aprotic amide-based compound, a non-amide-based compound was added, and the components of the protic glycol-based compound were mixed differently. In addition, the content of the ammonium fluoride aqueous solution and the aprotic amide-based compound was reduced to confirm the optimal cleaning performance content. Components and contents for each composition are summarized in Table 1 below.

#실시예#Example 구성성분Ingredients 구성 함량(%)Composition content (%) 불화
암모늄
Dissension
ammonium
아마이드계 화합물amide compounds 양성자성
글리콜계
proton
glycol-based
초순수ultrapure water 불화
암모늄
Dissension
ammonium
아마이드계
화합물
amide
compound
양성자성
글리콜계
proton
glycol-based
초순수ultrapure water
실시예 1Example 1 AFAF NMPNMP EDGEDG DIDI 1One 2525 2525 4949 실시예 2Example 2 AFAF NMPNMP EDGEDG DIDI 55 10 10 3030 55 55 실시예 3Example 3 AFAF NMPNMP EDGEDG DIDI 1515 3030 10 10 45 45 실시예 4Example 4 AFAF NMPNMP BDGBDG DIDI 77 3030 2525 3838 실시예 5Example 5 AFAF DMPADMPA EDGEDG DIDI 77 2525 2525 4343 실시예 6Example 6 AFAF DMPADMPA EDGEDG DIDI 1515 2020 2525 4040 실시예 7Example 7 ABFABF NEFNEF BDGBDG DIDI 55 2020 3030 5555 실시예 8Example 8 ABFABF NMPNMP EDGEDG DIDI 77 3030 2525 3838 실시예 9Example 9 ABFABF DMPADMPA BDGBDG DIDI 1515 3030 2525 3030 #비교예#comparative example 불화암모늄 또는
4급암모늄염
ammonium fluoride or
quaternary ammonium salt
양성자성
글리콜계
proton
glycol-based
초순수ultrapure water 불화암모늄 또는
4급암모늄염
ammonium fluoride or
quaternary ammonium salt
양성자성
글리콜계
proton
glycol-based
초순수ultrapure water
비교예 1Comparative Example 1 AFAF EL*EL* EDGEDG DIDI 77 3030 2525 3838 비교예 2Comparative Example 2 TMAHTMAH DMPADMPA EDGEDG DIDI 77 1515 2525 5353 비교예 3Comparative Example 3 TMAHTMAH DMPADMPA EDGEDG DIDI 1515 1515 2525 4545 비교예 4Comparative Example 4 AFAF NMPNMP EDGEDG DIDI 0.50.5 3030 2525 44.544.5 비교예 5Comparative Example 5 AFAF DMPADMPA EDGEDG DIDI 1515 55 2525 5555

TMAH : Tetramethylammonium hydroxideTMAH: Tetramethylammonium hydroxide

BDG : Diethylene glycol monobutyl etherBDG : Diethylene glycol monobutyl ether

EDG : Diethylene glycol monoethyl etherEDG : Diethylene glycol monoethyl ether

AF : Ammonium Fluoride 40%AF : Ammonium Fluoride 40%

ABF : Ammonium Bifluoride 40%ABF : Ammonium Bifluoride 40%

NMP : N-Methyl-2-PyrrolidoneNMP: N-Methyl-2-Pyrrolidone

NEF : N-Ethyl-FormamideNEF: N-Ethyl-Formamide

DMPA : N,N-Dimethyl PropionamideDMPA: N,N-Dimethyl Propionamide

*EL : Ethyl Lactate: 비 아마이드계 화합물*EL: Ethyl Lactate: Non-amide compounds

실험예 1. 세정성 평가Experimental Example 1. Evaluation of cleaning properties

본 발명의 일 실시예에서 제조된 세정제 조성물의 CMP공정 후 건조된 이물에 대한 세정성을 평가하기 위하여, 패턴 형성을 위한 에칭 및 현상 공정 후, 배선이 형성된 글래스 기판을 세정제 조성물에 침적시켰다. In order to evaluate the cleaning properties of the cleaning composition prepared in one embodiment of the present invention to the dried foreign matter after the CMP process, after the etching and development process for pattern formation, the glass substrate on which the wiring is formed was immersed in the cleaning composition.

구체적으로, 상온에서 본 발명의 일 실시예에서 제조된 세정제 조성물 200ml를 비이커에 넣고, 마그네틱바를 사용하여 100 rpm으로 교반하였다. 상기 조성물에 실리카 슬러리 건조 이물이 도포된 시편을 300초 동안 침적하여 상기 건조 이물을 세정하였다. 이어서 상기 시편을 꺼내 초순수로 세척, 건조한 후, 기판 상의 건조 이물의 잔존 여부를 분석하였다. Specifically, 200ml of the detergent composition prepared in Example of the present invention was put into a beaker at room temperature, and stirred at 100 rpm using a magnetic bar. A specimen coated with a silica slurry dry foreign material was immersed in the composition for 300 seconds to wash the dry foreign material. Then, the specimen was taken out, washed with ultrapure water, dried, and analyzed whether the dried foreign matter remained on the substrate.

건조 이물의 제거 유무는 육안으로 구별하기 쉽기 때문에 동일 실험자가 같은 방법으로 제거 유무를 면밀히 분석하고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 1 내지 2에 나타내었다.Since it is easy to distinguish the presence or absence of dry foreign matter with the naked eye, the same experimenter closely analyzed whether or not the dried foreign matter was removed by the same method, and the results are shown in Table 2 and FIGS. 1 to 2 below.

구분division 실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 실시예 6Example 6 실시예 7Example 7 실시예 8Example 8 실시예 9Example 9 박리성peelability OO OO OO OO OO OO OO OO OO 구분division 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 비교예 4Comparative Example 4 비교예 5Comparative Example 5 박리성peelability XX XX

[건조 이물 세정에 대한 판단 기준][Judgment criteria for cleaning dry foreign matter]

육안 확인 시,Upon visual inspection,

O : 글래스 기판위에 건조 이물이 완전 박리됨.O: Dry foreign matter is completely peeled off on the glass substrate.

△ : 글래스 기판위에 건조 이물이 일부 잔존함.Δ: Some dry foreign matter remains on the glass substrate.

X : 글래스 기판위에 건조 이물이 확연히 제거되지 않음.X: Dry foreign matter is not clearly removed on the glass substrate.

표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지9에서 제조된 조성물은 본 발명의 범위내에서 다양한 조성의 변화에도 불구하고 세정성이 매우 우수함을 확인하였다. As shown in Table 1, it was confirmed that the compositions prepared in Examples 1 to 9 of the present invention were very excellent in cleaning properties despite various composition changes within the scope of the present invention.

반면, 비교예 1 내지 5에서 제조된 조성물을 이용한 세정 시에는, 건조 이물이 잘 제거되지 않으며 세정성을 향상시키기 위해 TMAH 함량을 늘리는 것은 이후 공정에서 생성되는 다양한 막에 부정적인 영향을 줄 것으로 판단된다.On the other hand, when cleaning using the compositions prepared in Comparative Examples 1 to 5, dry foreign matter is not well removed, and increasing the TMAH content to improve cleaning properties is considered to have a negative effect on various films produced in the subsequent process. .

한편, 본 발명의 실시예에 따른 조성물의 세정력 측정 결과 불화 암모늄의 함량의 증가에 따른 세정력의 증가 경향이 관찰되며, 이에 따라 실제 공정 적용 시 이물의 경화 정도에 따라 불화 암모늄의 함량을 조절하면, 세정력도 조절 가능할 것으로 예상된다. 다만, 불화 암모늄이 전체 조성물에서 15%가 초과하는 경우, 뚜렷한 세정력의 증가는 관찰되지 않았다.On the other hand, as a result of measuring the cleaning power of the composition according to the embodiment of the present invention, a tendency to increase the cleaning power according to the increase in the content of ammonium fluoride is observed. The cleaning power is also expected to be adjustable. However, when the amount of ammonium fluoride exceeds 15% in the total composition, no significant increase in cleaning power was observed.

또한 비교예 에서 볼 수 있듯이 불화 암모늄을 1.0%이하로 사용할 경우, 조성물의 세정력이 감소됨을 확인할 수 있었으며, 비교예 5에서와 같이 아마이드계 화합물이 10%이하로 첨가되는 경우에도 조성물의 세정력이 감소 함을 알 수 있다. In addition, as can be seen in Comparative Example, when ammonium fluoride was used at 1.0% or less, it was confirmed that the cleaning power of the composition was reduced, and as in Comparative Example 5, even when the amide-based compound was added at 10% or less, the cleaning power of the composition was reduced. it can be seen that

또한, 비교예 1에서 볼 수 있듯이 아마이드계 화합물 대신에 비아마이드계 화합물을 사용하는 경우, 조성물의 세정력이 크게 저하되는 것을 확인할 수 있는데, 이 결과로 비추어볼 때 비양성자성 아마이드계 화합물이 건조 이물 내 고분자로의 침투 및 팽윤을 가속화시켜 전체 조성물의 세정성을 향상시키는데 일정한 역할을 하는 것으로 판단된다.In addition, as shown in Comparative Example 1, when a non-amide-based compound is used instead of an amide-based compound, it can be confirmed that the cleaning power of the composition is greatly reduced. It is judged that it plays a certain role in improving the cleaning properties of the entire composition by accelerating penetration and swelling into the polymer.

아울러, 도 1 내지 2는 본 발명의 일 실시예 및 비교예에서 제조된 조성물의 세정성 정도를 평가하기 위하여, 세정제 처리 후 기판의 사진을 촬영 한 것이다.In addition, in order to evaluate the degree of cleaning properties of the compositions prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention, FIGS. 1 and 2 are photographs taken of the substrate after the cleaning agent treatment.

도 1를 참고 하면 세정액 처리 전(a) CMP후 건조 이물이 기판 전체에 뿌옇게 관찰되는 모습을 볼 수 있으며 세정액 처리 후(b)에는 완전히 제거된 상태를 관찰할 수 있다Referring to FIG. 1 , it can be seen that the dried foreign matter is observed cloudy on the entire substrate after CMP before (a) the cleaning solution treatment, and it can be observed that it is completely removed after the cleaning solution treatment (b).

도 2를 참고하면, 각각의 조성물에 대한 세정력을 비교 판단해 볼 때 실시예 1, 6, 및 8의 조성물로 처리하는 경우, CMP 후 생성된 건조 이물이 완전히 제거된 모습을 볼 수 있으나, 동일 조건하에서 세정액의 주요 성분으로 TMAH를 적용한 비교예 2의 조성물로 처리하는 경우 CMP 후 생성된 건조 이물이 전혀 제거되지 않은 것을 관찰할 수 있다.Referring to FIG. 2 , when comparing and judging the cleaning power of each composition, in the case of treatment with the compositions of Examples 1, 6, and 8, it can be seen that the dry foreign matter generated after CMP is completely removed, but the same It can be observed that, when treated with the composition of Comparative Example 2 in which TMAH is applied as the main component of the cleaning solution under the conditions, the dry foreign matter generated after CMP is not removed at all.

이는 CMP 슬러리의 특정 성분이 TMAH로 제거될 수 없음을 보여 주는 예이다. 한편, 비교예 3에서는 TMAH 함량 증가 시 일부 세정력이 개선되는 듯한 효과를 보이나 이는 위에서 기술한 바와 같이 추후 공정에서 부가적인 문제를 야기할 수 있는 우려가 있으므로 추천되지 않는다.This is an example showing that certain components of the CMP slurry cannot be removed with TMAH. On the other hand, in Comparative Example 3, some cleaning power seems to be improved when the TMAH content is increased, but as described above, this is not recommended because there is a concern that may cause additional problems in the subsequent process.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. So far, with respect to the present invention, the preferred embodiments have been looked at. Those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains will understand that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential characteristics of the present invention.

Claims (3)

불화 암모늄(ammonium fluoride), 이화 불화암모늄(ammonium bifluoride), 불산(hydrofluoric acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 불화물 수용액 0.5~15중량%;
비양성자성 아마이드계 화합물 10~30중량%;
양성자성 글리콜계 화합물 10~30중량%; 및
나머지로 초순수를 포함하는 세정제 조성물로서,
상기 비양성자성 아마이드계 화합물이 디메틸프로피온아마이드(N,N-dipropionamide, DMPA), 디에틸포름아마이드(diethyl formamide, DEF), 에틸포름아마이드(N-ethyl formamide, NEF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 양성자성 글리콜계 화합물은 에틸렌글리콜(Etylene glycol, EG), 프로필렌글리콜(Propylene glycol, PG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Diethylene glycol monoethyl ether, EDG), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, BDG), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(Diethylene glycol monomethyl ether, MDG), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene glycol mono ethyl ether, EEG), 프로필렌글리콜모노부에테르(propylene glycol monobutyl ether, PGMBE), 트리프로판올글리콜모노에틸에테르(tripropylene glycol monoethyl ether, TPGMEE), 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(Triethylene glycol monobutyl ether, TEGMBE), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 세정제 조성물.
0.5 to 15% by weight of an aqueous fluoride solution selected from the group consisting of ammonium fluoride, ammonium bifluoride, hydrofluoric acid, and mixtures thereof;
10-30 wt% of an aprotic amide-based compound;
10-30 wt% of a protic glycol-based compound; and
As a cleaning composition comprising ultrapure water as the remainder,
The aprotic amide compound is dimethylpropionamide (N,N-dipropionamide, DMPA), diethyl formamide (DEF), ethyl formamide (N-ethyl formamide, NEF), and a group consisting of mixtures thereof is selected from
The protic glycol-based compound is ethylene glycol (EG), propylene glycol (PG), diethylene glycol monoethyl ether (EDG), diethylene glycol monobutyl ether (Diethylene glycol monobutyl) ether, BDG), diethylene glycol monomethyl ether (MDG), ethylene glycol monoethyl ether (EEG), propylene glycol monobutyl ether (PGMBE), tri A detergent composition selected from the group consisting of propanol glycol monoethyl ether (tripropylene glycol monoethyl ether, TPGMEE), triethylene glycol monobutyl ether (TEGMBE), and mixtures thereof.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7435712B2 (en) 2004-02-12 2008-10-14 Air Liquide America, L.P. Alkaline chemistry for post-CMP cleaning
US7087564B2 (en) 2004-03-05 2006-08-08 Air Liquide America, L.P. Acidic chemistry for post-CMP cleaning
US8030263B2 (en) * 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
KR100700860B1 (en) 2005-12-28 2007-03-29 동부일렉트로닉스 주식회사 Cleaning method in CMP process for semiconductor manufacturing
KR101622862B1 (en) 2007-05-17 2016-05-19 엔테그리스, 아이엔씨. New antioxidants for post-cmp cleaning formulations
KR20120029043A (en) * 2010-09-16 2012-03-26 동우 화인켐 주식회사 Composition for cleaning flat panel display and cleaning method using the same
KR20150000129A (en) * 2013-06-24 2015-01-02 램테크놀러지 주식회사 Cleaning solvent to remove the oil in the glass substrate

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