KR102396510B1 - 핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법 - Google Patents

핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR102396510B1
KR102396510B1 KR1020180085392A KR20180085392A KR102396510B1 KR 102396510 B1 KR102396510 B1 KR 102396510B1 KR 1020180085392 A KR1020180085392 A KR 1020180085392A KR 20180085392 A KR20180085392 A KR 20180085392A KR 102396510 B1 KR102396510 B1 KR 102396510B1
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Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름은, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비되고, 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴; 및 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비된 차광 패턴을 포함한다.

Description

핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법{PIN HOLE PATTERN FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}
본 출원은 핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
컴퓨터 기술의 발달에 따라 노트북 컴퓨터, 태블릿 피시(Tablet PC), 스마트폰(Smart Phone), 개인 휴대용 정보단말기(Personal Digital Assistant), 현금 자동 입출금기(Automated Teller Machine), 검색 안내 시스템 등과 같은 다양한 용도의 컴퓨터 기반 시스템(Computer Based System)이 개발되어 왔다. 이들 시스템에는 통상적으로 개인 사생활과 관련된 개인정보는 물론 영업정보나 영업기밀 등과 같이 비밀을 요하는 많은 데이터가 저장되어 있기 때문에, 이들 데이터를 보호하기 위해서는 보안을 강화해야 할 필요성이 있다.
이를 위해 종래부터 생체 정보를 인식할 수 있는 이미지 센서를 이용하여, 보안성을 강화하는 방법이 제안된 바 있다. 예를 들어, 손가락의 지문을 이용하여 시스템의 등록이나 인증을 수행함으로써 보안성을 강화할 수 있는 지문 인식 센서가 알려져 있다. 상기 지문 인식 센서는 인간의 손가락 지문을 감지하는 센서이다. 상기 지문 인식 센서는 광학식 지문 센서(Optical Fingerprint Sensor)와 정전용량식 지문 센서(Capacitive Fingerprint Sensor)로 크게 나누어진다.
상기 광학식 지문 센서(Optical Fingerprint Sensor)는 내부에서 LED(Light Emitting Diode) 등의 광원을 이용하여 빛을 조사하고 지문의 융선(ridge)에 의해 반사된 빛을 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 이미지 센서를 통해 감지하는 원리를 이용한 것이다. 광학식 지문 센서는 LED를 이용해서 스캔을 해야 하기 때문에 스캔을 위한 부가 장비가 필요하다.
보다 구체적으로, 상기 광학식 지문 인식 센서는 광원과 광학센서가 일정한 거리와 각도를 두고 배치되며, 상기 광원으로부터의 빛이 사용자의 지문에 반사되면 광학센서가 상기 지문에 반사되는 빛을 감지하여 지문의 감지 유무를 판단할 수 있다.
그러나, 종래기술에 따른 광학식 지문센서는 지문과 센서 면의 거리가 멀 경우 인접한 지문에서 반사되는 빛들이 유입되기 쉬운 구조로 구성되어 있다.
따라서, 종래기술에 따른 광학식 지문센서는 지문과 센서 면의 거리가 10㎛ 이상 떨어질 경우 인접한 지문에서 반사된 빛들이 혼합되어 선명한 지문 이미지를 얻지 못하는 문제점이 있었다.
대한민국 특허공개공보 10-2006-0023853
본 출원은 핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태는,
투명 기재;
상기 투명 기재 상에 구비되고, 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴; 및
상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비된 차광 패턴
을 포함하는 핀홀 패턴 필름을 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는,
투명 기재 상에 광경화형 수지 조성물을 포함하는 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴을 형성하는 단계; 및
경사 증착공정을 이용하여, 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 차광 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 핀홀 패턴 필름의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 출원의 다른 실시상태는, 상기 핀홀 패턴 필름을 포함하는 지문 인식 센서를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 차광 패턴을 포함함으로써, 핀홀 패턴 필름을 지문 인식 센서에 적용시 빛의 간섭현상을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 종횡비가 1 이상인 투명 핀홀 패턴을 형성한 후, 경사 증착공정을 이용하여 차광 패턴을 형성할 수 있으므로, 보다 용이한 방법으로 핀홀 패턴 필름을 제조할 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3 내지 도 6은 각각 본 출원의 실시예 1 내지 4의 핀홀 패턴 필름의 현미경 투과모두 이미지를 나타낸 도이다.
도 7 및 도 8은 각각 본 출원의 실시예 5 및 6의 핀홀 패턴 필름의 SEM 이미지를 나타낸 도이다.
이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.
본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400nm 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.
전술한 바와 같이, 지문을 통해 반사된 빛의 세기에 따라 지문 이미지를 확보하는 광학식 지문인식 장치에 있어서, 사용자의 지문과 지문 인식 장치의 거리가 증가할 경우, 인접한 지문에서 반사되는 빛의 유입으로 인하여 명확한 지문 이미지를 확보하기 어려운 문제가 발생한다.
이에 본 출원에서는, 상기 지문 인식 센서에 적용될 수 있고, 인접한 지문에서 반사되는 빛의 간섭을 최소화할 수 있는 핀홀 패턴 필름 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름은, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비되고, 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴; 및 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비된 차광 패턴을 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기재는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴은 상기 투명 기재 상에 구비되고, 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름은 20㎛ 이하일 수 있고, 5㎛ 내지 20㎛ 일 수 있다. 상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름이 상기 범위를 만족하는 경우에는 블러(blur) 현상이 없는 고감도의 지문 이미지를 확보할 수 있으며, 상기 범위를 벗어나는 경우에는 사용자의 지문에서 반사되는 빛의 세기가 감소하여 지문 이미지의 감도가 저하되거나 인접한 지문에서 반사되는 빛의 간섭을 충분히 상쇄시키지 못하여 명확한 지문 이미지를 확보하기 어려운 문제가 발생할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리는 20㎛ 이하일 수 있고, 5㎛ 내지 20㎛ 일 수 있다. 상기 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 상기 범위를 만족하는 경우에는 고해상도의 지문 이미지를 확보할 수 있으며, 상기 범위를 벗어는 경우에는 지문 이미지의 감도 및 해상도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 하기 수학식 1로 표시되는 종횡비는 1 이상일 수 있고, 1 내지 10일 수 있으며, 1 내지 5일 수 있다.
[수학식 1]
종횡비 = 투명 핀홀 패턴의 평균두께(㎛) / 핀홀 개구부의 평균지름(㎛)
상기 핀홀 개구부 패턴의 종횡비가 상기 범위를 만족하는 경우, 경사 증착 공정을 통해 상기 양각부 패턴의 상부면 전체와 측면의 일부 영역에 차광 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 장점을 가지고 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 상기 양각부 패턴의 평균두께를 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 20㎛ 이상일 수 있다. 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께가 상기 범위를 만족하는 경우, 통상의 포로리소그래피 공정을 통해 종횡비가 1 이상의 핀홀 패턴을 용이하게 형성할 수 있는 장점을 가지고 있다. 본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께가 증가할수록 전술한 종횡비 1 이상을 만족하기 위하여 핀홀 개구부의 평균지름이 증가할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름이 동일할 수 있고, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 동일할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름은 20㎛ 이하이고, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리는 20㎛ 이하이며, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 20㎛ 이상이며, 상기 평균지름, 최단거리 및 평균두께의 표준편차는 각각 10% 이하일 수 있고, 5% 이하일 수 있으며, 2% 이하일 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 양각부와 핀홀 개구부는 교대로 반복하여 구비될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 양각부 패턴은 광경화형 수지 조성물을 포함할 수 있다. 상기 광경화형 수지 조성물은 아크릴계 모노머, 아크릴계 올리고머, 에폭시계 모노머 및 광 개시제를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 차광 패턴은 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비될 수 있다.
상기 차광 패턴은 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 차광 패턴은 Al, Cu, Ag 및 이들의 산화물 중 1종 이상을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 차광 패턴의 두께는 1㎛ 이하일 수 있고, 0.1㎛ 내지 1㎛ 일 수 있다. 상기 차광 패턴의 두께가 1㎛를 초과하는 경우에는, 증착 공정을 통하여 차광 패턴을 형성하는 과정에서 기판의 온도가 과도하게 상승하여, 상기 양각부 패턴의 손상이 유발될 수 있다. 또한, 상기 차광 패턴의 두께가 0.1㎛ 미만인 경우에는, 차광 패턴 일부 영역에 핀홀이 발생하는 문제가 발생할 수 있으므로, 상기 차광 패턴의 두께는 0.1㎛ 이상인 것이 바람직하다.
상기 차광 패턴은 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체에 구비될 수 있고, 상기 양각부 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비될 수 있다. 이 때, 상기 차광 패턴이 상기 양각부 패턴의 측면의 적어도 일부에 구비되는 경우에, 상기 차광 패턴은 상기 양각부 패턴의 상부 표면으로부터 기재 방향으로 1㎛ 이상 구비될 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름을 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다. 하기 도 1와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름은, 투명 기재(10); 상기 투명 기재(10) 상에 구비되고, 양각부(20) 패턴과 핀홀 개구부(30) 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴; 및 상기 양각부(20) 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비된 차광 패턴(40)을 포함한다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름의 제조방법은, 투명 기재 상에 광경화형 수지 조성물을 포함하는 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴을 형성하는 단계; 및 경사 증착 공정을 이용하여, 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름의 제조방법에 있어서, 상기 투명 기재, 투명 핀홀 패턴, 차광 패턴 등에 대한 내용은 전술한 바와 동일하다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴을 형성하는 단계는, 투명 기재 상에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 단계, 및 상기 감광성 수지 조성물층을 노광, 현상 및 세정하여 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 감광성 수지 조성물층의 노광은 접촉 노광 공정을 이용할 수 있다.
통상의 포토 공정의 경우에는, 포토마스크 표면의 오염을 방지하기 위하여 감광성 수지 조성물층과 포토마스크 사이에 일정 거리를 유지한 상태에서 노광이 진행된다. 그러나, 이러한 경우에는 포토마스크를 통과한 빛의 회절 현상으로 인하여 정밀하고 세밀한 패턴의 구현이 어려운 문제가 발생할 수 있다. 따라서, 보다 정밀하고 세밀한 패턴을 구현하기 위해서는 감광성 수지 조성물층과 포토마스크와의 갭이 존재하지 않아야 하며, 감광성 수지 조성물층과 포토마스크와의 접촉으로 인한 포토마스크와의 표면 오염을 방지하기 위해서 포토마스크의 표면에 불소계 이형 처리를 수행할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 경사 증착 공정 시 경사 증착 각도는 30도 내지 50도일 수 있다.
상기 경사 증착 공정은 스퍼터링 장비 또는 전자빔 증착 장비를 사용하는 방법으로, 통상적으로 사용되는 수직 증착 대신에 증착하고자 하는 기판에 각도를 주어 증착하는 방법이다. 이 때, 기판을 기울여 증착하는 동시에 기판을 회전시키거나, 증착장비가 기판 주위를 회전하여 증착시키게 되면, 상기 양각부 패턴에 의해 발생되는 기판 노출영역에 증착되지 않으며, 기울인 각도에 따라 양각부 패턴의 측면부에 증착되는 영역이 달라질 수 있다.
상기 경사 증착 각도가 30도 미만인 경우에는, 상기 양각부 패턴의 종횡비에 따라 상기 핀홀 개구부 영역의 일부에 차광 패턴이 증착되는 문제가 발생할 수 있다. 또한, 상기 경사 증착 각도가 50도를 초과하는 경우에는, 증착하고자 하는 시편의 높이가 증가함에 따라 증착 설비에 투입이 어려운 문제가 발생할 수 있다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 핀홀 패턴 필름의 제조방법을 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.
또한, 본 출원의 일 실시상태는 상기 핀홀 패턴 필름을 포함하는 지문 인식 센서를 제공한다.
본 출원의 일 실시상태에 따른 지문 인식 센서는, 전술한 핀홀 패턴 필름을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려진 재료 및 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
예컨대, 본 출원의 일 실시상태에 따른 지문 인식 센서는 광학식 지문 인식 센서일 수 있다. 상기 광학식 지문 인식 센서는 손가락의 지문 부위에 빛을 조사(照射)하는 광원, 이 광원으로부터 발생된 빛을 확산시키는 확산판, 빛을 굴절시키기 위한 프리즘, 프리즘의 지문 채취면에 형성되는 지문을 결상(結像)하는 렌즈, 렌즈에 결상된 지문 형상을 전기적 신호로 바꾸는 CCD(Charge Coupled Device) 카메라로 구성될 수 있다.
이러한 광학식 지문 인식 센서는 프리즘의 지문 채취면에 손가락의 지문 부위를 접촉시키면 광원의 빛이 지문의 골과 융선에서 반사와 흡수되고 이 중 반사된 빛이 프리즘으로 입사되어 렌즈에 결상되며 렌즈에 결상된 빛이 CCD 카메라로 촬영됨으로써, 지문의 영상이 입력될 수 있다. 경우에 따라서는 CCD 카메라 대신 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 이미지 센서를 사용할 수도 있다.
본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 핀홀 패턴 필름은 상기 광학식 지문 인식 센서의 프리즘과 이미지 센서 사이에 위치하여 핀홀 패턴에 대하여 수직으로 대칭되는 위치의 사용자의 지문에서 반사된 빛을 투과시키고, 인접한 지문에서 반사되는 빛의 유입을 차단하여 선명한 지문 이미지를 확보할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.
< 실시예 >
< 실시예 1> A : B = 7.5㎛ : 7.5㎛
50㎛ 두께의 PET 필름 상부에 감광성 수지 조성물인 SU-8 2050(Micro Chemical사)을 스핀코팅 방법을 이용하여 도포한 후, 핫플레이트에서 90℃, 10분간 건조하여 35㎛ 두께로 형성하였다. 지름이 10㎛이고 패턴 간 거리가 5㎛인 핀홀 패턴을 포함하는 포토마스크를 상기 SU-8 2050 도포면에 접촉시킨 후 Karl suss MA-8 평행광 노광기를 사용하여 상기 적층체에 150 mJ/cm2의 노광 에너지를 조사하였다.
상기 노광 완료된 적층체에서 포토마스크를 분리한 후 핫플레이트에서 90℃, 5분간 PEB(Post Exposure Bake)를 진행하였다.
상기 PEB 완료된 적층체를 SU-8 현상액으로 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 이용하여 5분간 스프레이 현상 후 이소프로필알콜에 1분간 세정하여, 높이가 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 7.5㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 7.5㎛인 투명 핀홀 패턴 필름을 제조하였다.
상기 투명 핀홀 패턴 상부에 Al을 30nm 두께로 30도 경사 증착하여 차광패턴이 구비되어 있는 핀홀 패턴 필름을 제조하였다.
상기 실시예 1에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 현미경 투과모두 이미지를 하기 도 3에 나타내었다.
< 실시예 2> A : B = 8㎛ : 12㎛
상기 실시예 1에서, 지름이 5㎛, 패턴 간 거리가 15㎛인 핀홀 패턴을 포함하는 포토마스크를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 실시예 2에서 제조된 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 8㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 12㎛ 였다.
상기 실시예 2에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 현미경 투과모두 이미지를 하기 도 4에 나타내었다.
< 실시예 3> A : B = 12.5㎛ : 7.5㎛
상기 실시예 1에서, 지름이 10㎛, 패턴 간 거리가 10㎛인 핀홀 패턴을 포함하는 포토마스크를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 실시예 3에서 제조된 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 12.5㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 7.5㎛ 였다.
상기 실시예 3에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 현미경 투과모두 이미지를 하기 도 5에 나타내었다.
< 실시예 4> A : B = 13.6㎛ : 11.4㎛
상기 실시예 1에서, 지름이 10㎛, 패턴 간 거리가 15㎛인 핀홀 패턴을 포함하는 포토마스크를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 실시예 4에서 제조된 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 13.6㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 11.4㎛ 였다.
상기 실시예 4에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 현미경 투과모두 이미지를 하기 도 6에 나타내었다.
< 실시예 5> A : B = 12.5㎛ : 10㎛
상기 실시예 1에서, 지름이 10㎛, 패턴 간 거리가 12.5㎛인 핀홀 패턴을 포함하는 포토마스크를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다.
상기 실시예 5에서 제조된 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 12.5㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 10㎛ 였다.
상기 실시예 5에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 SEM 이미지를 하기 도 7에 나타내었다.
< 실시예 6> A : B = 12.5㎛ : 12.5㎛
상기 실시예 4에서, 150 mJ/cm2의 노광 에너지를 조사한 것을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일하게 수행하였다.
상기 실시예 6에서 제조된 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 35㎛, 핀홀 개구부의 평균지름이 12.5㎛, 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리가 12.5㎛ 였다.
상기 실시예 6에서 제조한 핀홀 패턴 필름의 SEM 이미지를 하기 도 8에 나타내었다.
상기 핀홀 개구부의 평균지름과 서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리는 광학식 현미경(Olympus BX-51)을 이용하여 측정하였고, 상기 투명 핀홀 패턴 필름의 높이는 주사전자현미경(Hitachi S-4800)을 이용하여 측정하였다.
상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 차광 패턴을 포함함으로써, 핀홀 패턴 필름을 지문 인식 센서에 적용시 빛의 간섭현상을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 종횡비가 1 이상인 투명 핀홀 패턴을 형성한 후, 경사 증착공정을 이용하여 차광 패턴을 형성할 수 있으므로, 보다 용이한 방법으로 핀홀 패턴 필름을 제조할 수 있다.
10: 투명 기재
20: 양각부
30: 핀홀 개구부
40: 차광 패턴
50: 감광성 수지 조성물층
60: 포토마스크
A: 핀홀 개구부의 평균지름
B: 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리

Claims (14)

  1. 투명 기재;
    상기 투명 기재 상에 구비되고, 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴; 및
    상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 구비된 차광 패턴을 포함하고,
    상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름은 20㎛ 이하이며,
    서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리는 20㎛ 이하이고,
    상기 차광 패턴의 두께는 1㎛ 이하인 것인 핀홀 패턴 필름.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 하기 수학식 1로 표시되는 종횡비는 1 이상인 것인 핀홀 패턴 필름:
    [수학식 1]
    종횡비 = 투명 핀홀 패턴의 평균두께(㎛) / 핀홀 개구부의 평균지름(㎛)
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 20㎛ 이상인 것인 핀홀 패턴 필름.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 20㎛ 이상이며,
    상기 평균지름, 최단거리 및 평균두께의 표준편차는 각각 10% 이하인 것인 핀홀 패턴 필름.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 양각부와 핀홀 개구부는 교대로 반복하여 구비되는 것인 핀홀 패턴 필름.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 양각부 패턴은 광경화형 수지 조성물을 포함하는 것인 핀홀 패턴 필름.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 차광 패턴은 금속 및 금속 산화물 중 1종 이상을 포함하는 것인 핀홀 패턴 필름.
  10. 투명 기재 상에 광경화형 수지 조성물을 포함하는 양각부 패턴과 핀홀 개구부 패턴을 포함하는 투명 핀홀 패턴을 형성하는 단계; 및
    경사 증착공정을 이용하여, 상기 양각부 패턴의 상부면의 전체와 측면의 적어도 일부에 차광 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 핀홀 개구부 패턴을 구성하는 각각의 핀홀 개구부의 평균지름은 20㎛ 이하이며,
    서로 인접한 핀홀 개구부 간의 최단거리는 20㎛ 이하이고,
    상기 차광 패턴의 두께는 1㎛ 이하인 것인 핀홀 패턴 필름의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 경사 증착공정 시 경사 증착 각도는 30도 내지 50도인 것인 핀홀 패턴 필름의 제조방법.
  12. 청구항 10에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 하기 수학식 1로 표시되는 종횡비는 1 이상인 것인 핀홀 패턴 필름의 제조방법:
    [수학식 1]
    종횡비 = 투명 핀홀 패턴의 평균두께 / 핀홀 개구부의 평균지름
  13. 청구항 10에 있어서, 상기 투명 핀홀 패턴의 평균두께는 20㎛ 이상이며,
    상기 평균지름, 최단거리 및 평균두께의 표준편차는 각각 10% 이하인 것인 핀홀 패턴 필름의 제조방법.
  14. 청구항 1, 및 4 내지 9 중 어느 한 항의 핀홀 패턴 필름을 포함하는 지문 인식 센서.
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