KR102390795B1 - Composition, cured film, and organic el·liquid crystal display device - Google Patents

Composition, cured film, and organic el·liquid crystal display device Download PDF

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Abstract

(과제) 아웃 가스의 발생이 적은 경화막을 형성할 수 있는 조성물을 제공한다.
(해결 수단) 식 (A1)로 나타나는 구조 단위 (A1)과 환상 에테르기를 포함하는 구조 단위 (A2)를 갖고, 상기 구조 단위 (A1)의 함유량이 전체 구조 단위 100질량% 중 30질량% 이상인 수지 (A), 반응 개시제 (B) 및, 다관능 중합성 화합물 (C)를 함유하는 조성물.

Figure 112017079751562-pat00008

[식 (A1) 중, R1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자이고, R2는 치환기를 가져도 좋은 탄화수소기이지만, 단 환상 에테르기를 포함하는 기는 아니다.](Project) The composition which can form the cured film with little generation|occurrence|production of an outgas is provided.
(Solution) Resin having a structural unit (A1) represented by the formula (A1) and a structural unit (A2) containing a cyclic ether group, wherein the content of the structural unit (A1) is 30% by mass or more in 100% by mass of all the structural units A composition containing (A), a reaction initiator (B), and a polyfunctional polymerizable compound (C).
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[In formula (A1), R 1 is each independently a hydrogen atom or a halogen atom, and R 2 is a hydrocarbon group which may have a substituent, provided that it is not a group containing a cyclic ether group.]

Description

조성물, 경화막 및 유기 EL·액정 표시 소자{COMPOSITION, CURED FILM, AND ORGANIC EL·LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}A composition, a cured film, and organic electroluminescent liquid crystal display element TECHNICAL FIELD

본 발명은, 조성물, 경화막 및 유기 EL·액정 표시 소자에 관한 것이다.The present invention relates to a composition, a cured film, and an organic EL/liquid crystal display element.

액정 표시 소자, 유기 일렉트로 루미네선스(EL) 표시 소자 등의 표시 소자는, 일반적으로, 평탄화막, 층간 절연막, 격벽, 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 접착제층 등의 경화막을 갖는다(특허문헌 1, 2 참조). 그러나, 경화막에 기인하는 아웃 가스에 의해, 표시 소자의 신뢰성이 악화되는 것이 알려져 있다.Display elements, such as a liquid crystal display element and an organic electroluminescent (EL) display element, generally have cured films, such as a planarization film, an interlayer insulating film, a partition, a spacer, a protective film, and the adhesive bond layer for color filters (patent document 1, see 2). However, it is known that the reliability of a display element deteriorates with the outgas resulting from a cured film.

일본공개특허공보 2002-275432호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-275432 일본공개특허공보 2015-140435호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2015-140435

경화막을 형성하는 재료로서, 수지, 반응 개시제 및 중합성 화합물을 함유하는 조성물이 알려져 있다. 본 발명자들의 검토에 의하면, 메타크릴산 에스테르 유래의 구조 단위로 주로 구성되어 있는 수지는, 열에 의해 해(解)중합하기 쉽고, 해중합 한 성분이 아웃 가스가 되는 경향이 있는 것을 알 수 있었다. 본 발명의 과제는, 아웃 가스의 발생이 적은 경화막을 형성할 수 있는 조성물을 제공하는 것에 있다.As a material which forms a cured film, the composition containing resin, a reaction initiator, and a polymeric compound is known. According to the examination of the present inventors, it was found that the resin mainly composed of structural units derived from methacrylic acid esters is easily depolymerized by heat, and the depolymerized component tends to become outgas. The subject of this invention is providing the composition which can form the cured film with little generation|occurrence|production of an outgas.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 검토를 행했다. 그 결과, 이하의 구성을 갖는 조성물에 의해 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성했다. 본 발명은, 예를 들면 이하의 [1]∼[9]에 관한 것이다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors examined in order to solve the said subject. As a result, it was discovered that the said subject could be solved by the composition which has the following structures, and this invention was completed. The present invention relates to, for example, the following [1] to [9].

[1] 식 (A1)로 나타나는 구조 단위 (A1)과 환상 에테르기를 포함하는 구조 단위 (A2)를 갖고, 상기 구조 단위 (A1)의 함유량이 전체 구조 단위 100질량% 중 30질량% 이상인 수지 (A), 반응 개시제 (B) 및, 다관능 중합성 화합물 (C)를 함유하는 조성물.[1] a resin having a structural unit (A1) represented by the formula (A1) and a structural unit (A2) containing a cyclic ether group, wherein the content of the structural unit (A1) is 30% by mass or more in 100% by mass of all structural units ( A composition comprising A), a reaction initiator (B), and a polyfunctional polymerizable compound (C).

Figure 112017079751562-pat00001
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[식 (A1) 중, R1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자이고, R2는 치환기를 가져도 좋은 탄화수소기이지만, 단 환상 에테르기를 포함하는 기는 아니다.][In formula (A1), R 1 is each independently a hydrogen atom or a halogen atom, and R 2 is a hydrocarbon group which may have a substituent, provided that it is not a group containing a cyclic ether group.]

[2] 상기식 (A1) 중의 R2가, 치환기를 가져도 좋은 환상 탄화수소기인 상기 [1]의 조성물.[2] The composition of the above [1], wherein R 2 in the formula (A1) is a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.

[3] 상기 환상 탄화수소기가, 단환 탄화수소기, 가교환 탄화수소기 및 스피로 탄화수소기로부터 선택되는 적어도 1종의 지환식 탄화수소기인 상기 [2]의 조성물.[3] The composition of the above [2], wherein the cyclic hydrocarbon group is at least one alicyclic hydrocarbon group selected from a monocyclic hydrocarbon group, a crosslinked hydrocarbon group and a spiro hydrocarbon group.

[4] 상기 구조 단위 (A2) 중의 환상 에테르기가, 에폭시환 및 옥세탄환으로부터 선택되는 적어도 1종인 상기 [1]∼[3] 중 어느 한 항의 조성물.[4] The composition according to any one of [1] to [3], wherein the cyclic ether group in the structural unit (A2) is at least one selected from an epoxy ring and an oxetane ring.

[5] 상기 수지 (A)가, 알칼리 가용성 수지인 상기 [1]∼[4] 중 어느 한 항의 조성물.[5] The composition according to any one of [1] to [4], wherein the resin (A) is an alkali-soluble resin.

[6] 상기 [1]∼[5] 중 어느 한 항의 조성물로 형성된 경화막.[6] A cured film formed from the composition according to any one of [1] to [5].

[7] 표시 소자 또는 조명 소자용인 상기 [6]에 기재된 경화막.[7] The cured film according to the above [6], which is for a display element or a lighting element.

[8] 상기 [6]의 경화막을 갖는 유기 EL 소자.[8] An organic EL device having the cured film according to [6] above.

[9] 상기 [6]의 경화막을 갖는 액정 표시 소자.[9] A liquid crystal display element having the cured film according to [6] above.

본 발명에 의하면, 아웃 가스의 발생이 적은 경화막을 형성할 수 있는 조성물을 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the composition which can form the cured film with little generation|occurrence|production of an outgas can be provided.

도 1은, 유기 EL 소자의 일 실시 형태의 단면도이다.
도 2는, 유기 EL 소자의 일 실시 형태의 단면도이다.
도 3은, 액정 표시 소자의 일 실시 형태의 단면도이다.
1 : is sectional drawing of one Embodiment of an organic electroluminescent element.
2 : is sectional drawing of one Embodiment of an organic electroluminescent element.
3 : is sectional drawing of one Embodiment of a liquid crystal display element.

(발명을 실시하기 위한 형태)(Form for implementing the invention)

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서, 적합한 태양도 포함하여 상세하게 설명한다. 본 명세서에서 예시하는 각 성분은, 특별히 언급하지 않는 한, 각각 1종 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated in detail including suitable aspect. Unless otherwise specified, each component illustrated in this specification may be used individually by 1 type, respectively, and may use 2 or more types together.

〔조성물〕[Composition]

본 발명의 조성물은, 후술하는 수지 (A)와, 반응 개시제 (B)와, 다관능 중합성 화합물 (C)를 함유한다. 상기 조성물은, 추가로, 밀착 조제 (D), 중합 금지제 (E) 및, 그 외의 성분으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유할 수 있다. 상기 각 성분을 각각 성분 (A), 성분 (B), 성분 (C), 성분 (D), 성분 (E)라고도 기재한다.The composition of this invention contains resin (A) mentioned later, a reaction initiator (B), and a polyfunctionally polymerizable compound (C). The said composition can contain the at least 1 sort(s) chosen from an adhesion auxiliary|assistant (D), a polymerization inhibitor (E), and another component further. Each of the above components is also described as component (A), component (B), component (C), component (D), and component (E), respectively.

<수지 (A)><Resin (A)>

수지 (A)는, 식 (A1)로 나타나는 구조 단위 (A1)과, 환상 에테르기를 포함하는 구조 단위 (A2)를 갖는다. 성분 (A)에 있어서, 구조 단위 (A1)의 함유량은 전체 구조 단위 100질량% 중 30질량% 이상이다.Resin (A) has a structural unit (A1) represented by Formula (A1), and a structural unit (A2) containing a cyclic ether group. Component (A) WHEREIN: Content of a structural unit (A1) is 30 mass % or more in 100 mass % of all structural units.

Figure 112017079751562-pat00002
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식 (A1) 중, R1은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자이고, 바람직하게는 수소 원자이다. R2는 치환기를 가져도 좋은 탄화수소기이지만, 단 환상 에테르기를 포함하는 기는 아니다.In the formula (A1), R 1 each independently represents a hydrogen atom or a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, preferably a hydrogen atom. R 2 is a hydrocarbon group which may have a substituent, provided that it is not a group containing a cyclic ether group.

구조 단위 (A1)은, 식 (A1) 중에 나타나는 카보닐기에 결합한 탄소 원자 상의 기가 수소 원자인 점에서, 성분 (A)에 있어서 해중합이 진행되기 어렵기 때문에, 경화막으로부터의 아웃 가스의 발생을 억제할 수 있다.In the structural unit (A1), since the group on the carbon atom bonded to the carbonyl group shown in the formula (A1) is a hydrogen atom, depolymerization is difficult to proceed in the component (A), so the generation of outgas from the cured film is reduced. can be suppressed

R2의 탄소수의 상한값은, 바람직하게는 30, 보다 바람직하게는 20, 더욱 바람직하게는 16, 그보다 더욱 바람직하게는 12, 특히 바람직하게는 10이다. 이러한 태양이면, 조성물의 해상성 및 현상성을 높일 수 있다.The upper limit of carbon number of R2 becomes like this. Preferably it is 30, More preferably, it is 20, More preferably, it is 16, More preferably, it is 12, Especially preferably, it is 10. If it is such an aspect, the resolution and developability of a composition can be improved.

R2에 있어서의 탄화수소기로서는, 예를 들면, 지환식 탄화수소기, 방향환 함유 탄화수소기 등의 환상 탄화수소기, 쇄상 탄화수소기를 들 수 있고, 성분 (A)의 소수성이 보다 적당한 것이 되고, 해상성, 현상성 및 노광 불균일의 억제능을 높일 수 있다는 관점에서, 바람직하게는 환상 탄화수소기이고, 보다 바람직하게는 지환식 탄화수소기이다.Examples of the hydrocarbon group for R 2 include cyclic hydrocarbon groups such as alicyclic hydrocarbon groups and aromatic ring-containing hydrocarbon groups, and chain hydrocarbon groups. The hydrophobicity of component (A) becomes more suitable, and resolution From a viewpoint of being able to improve developability and the suppression ability of exposure nonuniformity, Preferably it is a cyclic hydrocarbon group, More preferably, it is an alicyclic hydrocarbon group.

R2에 있어서의 지환식 탄화수소기의 환 탄소가 식 (A1) 중에 나타나는 에스테르기에 결합하고 있는 것이 바람직하다. 이러한 태양이면, 고(高)투명성을 발현할 수 있다.It is preferable that the ring carbon of the alicyclic hydrocarbon group in R< 2 > couple|bonds with the ester group shown in Formula (A1). In such an aspect, high transparency can be expressed.

지환식 탄화수소기로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵타닐기, 사이클로옥틸기, 사이클로데카닐기, 사이클로도데카닐기, 사이클로헥사데카닐기, 사이클로이코산기로 대표되는 사이클로알킬기, 사이클로펜테닐기, 사이클로헥세닐기, 사이클로헵테닐기, 사이클로옥테닐기, 사이클로데케닐기, 사이클로도데케닐기로 대표되는 사이클로알케닐기 등의 단환 탄화수소기; 노르보르닐기, 아다만틸기, 바이사이클로[2.2.1]헵타-2-에닐기, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데카닐기 등의 포화 또는 불포화의 가교환 탄화수소기; 스피로바이사이클로펜타닐기 등의 포화 또는 불포화의 스피로 탄화수소기를 들 수 있다. 이들 중에서도, 단환 탄화수소기 및 가교환 탄화수소기가 바람직하다.Examples of the alicyclic hydrocarbon group include a cycloalkyl group represented by a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptanyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, a cyclododecanyl group, a cyclohexadecanyl group, and a cycloicosan group, and a cyclo monocyclic hydrocarbon groups such as a cycloalkenyl group represented by a pentenyl group, a cyclohexenyl group, a cycloheptenyl group, a cyclooctenyl group, a cyclodekenyl group, and a cyclododekenyl group; saturated or unsaturated cross-linked hydrocarbon groups such as norbornyl group, adamantyl group, bicyclo[2.2.1]hepta-2-enyl group, tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decanyl group; Saturated or unsaturated spiro hydrocarbon groups, such as a spirobicyclopentanyl group, are mentioned. Among these, a monocyclic hydrocarbon group and a crosslinked hydrocarbon group are preferable.

방향환 함유 탄화수소기로서는, 예를 들면, 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 아르알킬기를 들 수 있다.As an aromatic ring containing hydrocarbon group, For example, Aryl groups, such as a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group; Aralkyl groups, such as a benzyl group and a phenethyl group, are mentioned.

쇄상 탄화수소기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 부틸기, 2-에틸헥실기, 데실기, n-라우릴기, n-스테아릴기 등의 쇄상 알킬기를 들 수 있다.Examples of the chain hydrocarbon group include chain alkyl groups such as methyl group, ethyl group, butyl group, 2-ethylhexyl group, decyl group, n-lauryl group and n-stearyl group.

R2에 있어서의 탄화수소기는, 치환기를 가져도 좋다. 단, 치환기 중 환상 에테르기는 제외한다. 치환기로서는, 예를 들면, 하이드록시기, 카복실기를 들 수 있다.The hydrocarbon group for R 2 may have a substituent. However, a cyclic ether group is excluded among the substituents. As a substituent, a hydroxyl group and a carboxyl group are mentioned, for example.

구조 단위 (A1)을 유도하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 사이클로펜틸아크릴레이트, 사이클로헥실아크릴레이트, 사이클로옥틸아크릴레이트 등의 사이클로알킬아크릴레이트; 사이클로헥세닐아크릴레이트 등의 사이클로알케닐아크릴레이트; 노르보르닐아크릴레이트, 아다만틸아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일아크릴레이트 등의 가교환 탄화수소기 함유 아크릴레이트; 페닐아크릴레이트등의 아릴아크릴레이트; 벤질아크릴레이트 등의 아르알킬아크릴레이트; 메틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, n-라우릴아크릴레이트, n-스테아릴아크릴레이트 등의 C1 -20 알킬아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound that induces the structural unit (A1) include cycloalkyl acrylates such as cyclopentyl acrylate, cyclohexyl acrylate and cyclooctyl acrylate; cycloalkenyl acrylates such as cyclohexenyl acrylate; cross-linked hydrocarbon group-containing acrylates such as norbornyl acrylate, adamantyl acrylate, and tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan-8-yl acrylate; aryl acrylates such as phenyl acrylate; Aralkyl acrylates, such as benzyl acrylate; and C 1-20 alkyl acrylates such as methyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, n-lauryl acrylate, and n-stearyl acrylate.

성분 (A)에 있어서, 구조 단위 (A1)의 함유량은, 성분 (A)를 구성하는 전체 구조 단위 100질량% 중, 30질량% 이상이고, 바람직하게는 30∼75질량%, 보다 바람직하게는 30∼70질량%이다. 이러한 태양이면, 성분 (A)의 해중합이 진행되기 어려워, 경화막으로부터의 아웃 가스의 발생을 억제할 수 있다.In component (A), content of structural unit (A1) is 30 mass % or more in 100 mass % of all the structural units which comprise component (A), Preferably it is 30-75 mass %, More preferably, It is 30-70 mass %. If it is such an aspect, depolymerization of a component (A) will not advance easily, and generation|occurrence|production of the outgas from a cured film can be suppressed.

구조 단위 (A2)는, 환상 에테르기를 포함한다. 환상 에테르기로서는, 예를 들면, 3∼8원환(員環)을 들 수 있고, 바람직하게는, 탄소 원자와 1개의 산소 원자로 구성되는 헤테로환, 특히 3원 또는 4원의 헤테로환, 구체적으로는 에폭시환 및 옥세탄환을 들 수 있다. 또한, 에폭시환을 구성하는 1개∼2개의 탄소 원자가 환 탄소 원자인 태양도 에폭시환에 포함하고, 또한 옥세탄환을 구성하는 1개∼3개의 탄소 원자가 환 탄소 원자인 태양도 옥세탄환에 포함한다. 성분 (A)가 구조 단위 (A2)를 가짐으로써, 조성물의 해상성이나, 경화막의 밀착성 및 내약품성을 높일 수 있다.The structural unit (A2) contains a cyclic ether group. Examples of the cyclic ether group include a 3- to 8-membered ring, preferably a heterocyclic ring composed of a carbon atom and one oxygen atom, particularly a 3-membered or 4-membered heterocyclic ring, specifically is an epoxy ring and an oxetane ring. The epoxy ring also includes an embodiment in which one to two carbon atoms constituting the epoxy ring is a ring carbon atom, and also includes an embodiment in which one to three carbon atoms constituting the oxetane ring is a ring carbon atom. . When a component (A) has a structural unit (A2), the resolution of a composition, the adhesiveness of a cured film, and chemical-resistance can be improved.

구조 단위 (A2)는, 바람직하게는 식 (A2)로 나타난다.The structural unit (A2) is preferably represented by a formula (A2).

Figure 112017079751562-pat00003
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식 (A2) 중, R3은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자이고, 바람직하게는 수소 원자이다. R4는 수소 원자 또는 탄소수 1∼4의 알킬기이고, 바람직하게는 수소 원자 또는 메틸기이다. R5는 환상 에테르 함유기이다. X는 단결합, 또는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 등의 탄소수 1∼12의 알칸디일기이고, 바람직하게는 단결합 또는 메틸렌기이다.In the formula (A2), R 3 each independently represents a hydrogen atom or a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom, preferably a hydrogen atom. R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, preferably a hydrogen atom or a methyl group. R 5 is a cyclic ether-containing group. X is a single bond or a C1-C12 alkanediyl group, such as a methylene group, an ethylene group, and a propylene group, Preferably it is a single bond or a methylene group.

구조 단위 (A2)가 갖는 환상 에테르기는, 가교기로서 작용한다. 따라서, 본 발명의 조성물을 이용함으로써, 장기간에 걸쳐 열화가 방지되는 경화막을 형성할 수 있다.The cyclic ether group of the structural unit (A2) acts as a crosslinking group. Therefore, the cured film from which deterioration is prevented over a long period of time can be formed by using the composition of this invention.

환상 에테르 함유기로서는, 예를 들면, 에폭시환 함유기 및 옥세탄환 함유기를 들 수 있고, 구체적으로는, 옥시라닐기(에폭시기); 3,4-에폭시사이클로헥실기로 대표되는 하기식 (1)로 나타나는 기, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실기로 대표되는 하기식 (2)로 나타나는 기 등의, 지환식 탄화수소기를 에폭시화한 기; 3-에틸옥세타닐기로 대표되는 하기식 (3)으로 나타나는 기를 들 수 있다. 이들 기는 치환기를 가져도 좋고, 예를 들면 탄소수 1∼15의 알킬기, 하이드록시기, 카복실기를 들 수 있다. 지환식 탄화수소기로서는, 전술한 식 (A1) 중의 R2로서 열거한 예를 들 수 있다.Examples of the cyclic ether-containing group include an epoxy ring-containing group and an oxetane ring-containing group, and specifically, an oxiranyl group (epoxy group); A group represented by the following formula (1) represented by a 3,4-epoxycyclohexyl group, a group represented by the following formula (2) represented by a 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decyl group, etc. , a group obtained by epoxidation of an alicyclic hydrocarbon group; The group represented by following formula (3) represented by 3-ethyloxetanyl group is mentioned. These groups may have a substituent, for example, a C1-C15 alkyl group, a hydroxyl group, and a carboxyl group are mentioned. As an alicyclic hydrocarbon group, the example enumerated as R< 2 > in Formula (A1) mentioned above is mentioned.

Figure 112017079751562-pat00004
Figure 112017079751562-pat00004

식 (1)∼(3) 중, *는 X와의 결합 부위이고, 식 (3) 중, R은 수소 원자 또는 탄소수 1∼15의 알킬기이다.In formulas (1) to (3), * is a bonding site with X, and in formula (3), R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms.

환상 에테르 함유기는, 경화막 물성의 관점에서, 에폭시환 함유기가 바람직하다.The cyclic ether-containing group is preferably an epoxy ring-containing group from the viewpoint of cured film physical properties.

구조 단위 (A2)를 유도하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 환상 에테르기 함유 (메타)아크릴레이트를 들 수 있고, 구체적으로는, 글리시딜(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸(메타)아크릴레이트, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸(메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시트리사이클로[5.2.1.02,6]데실(메타)아크릴레이트 등의 에폭시환 함유 (메타)아크릴레이트; (3-메틸옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트, (3-에틸옥세탄-3-일)(메타) 크릴레이트, (옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트, (3-에틸옥세탄-3-일)메틸(메타)아크릴레이트 등의 옥세탄환 함유 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound from which the structural unit (A2) is derived include cyclic ether group-containing (meth)acrylate, and specifically, glycidyl (meth)acrylate and 3,4-epoxycyclohexyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyl (meth)acrylate, 3,4-epoxytricyclo[5.2.1.0 2 ,6 ] epoxy ring-containing (meth)acrylates such as decyl (meth)acrylate; (3-methyloxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate, (3-ethyloxetan-3-yl) (meth)acrylate, (oxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate; Oxetane ring containing (meth)acrylates, such as (3-ethyloxetan-3-yl)methyl (meth)acrylate, are mentioned.

성분 (A)에 있어서, 구조 단위 (A2)의 함유량은, 성분 (A)를 구성하는 전체 구조 단위 100질량% 중, 통상은 5∼40질량%, 바람직하게는 10∼35질량%, 보다 바람직하게는 15∼30질량%이다. 구조 단위 (A2)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 경화막의 경도 및 내약품성을 보다 높이는 것 등을 할 수 있다. 구조 단위 (A2)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 조성물의 현상성을 보다 양호하게 할 수 있다.In component (A), content of structural unit (A2) is 5-40 mass % normally in 100 mass % of all the structural units which comprise component (A), Preferably it is 10-35 mass %, More preferably Preferably, it is 15-30 mass %. By making content of a structural unit (A2) more than the said lower limit, the hardness and chemical-resistance of a cured film can be improved more, etc. By making content of a structural unit (A2) below the said upper limit, the developability of a composition can be made more favorable.

성분 (A)는, 산기(酸基)를 포함하는 구조 단위를 갖는 것이 바람직하고, 카복실기를 포함하는 구조 단위를 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 태양에 의해, 본 발명의 조성물은 알칼리 현상액에 대한 양호한 현상성을 발휘할 수 있다.It is preferable to have a structural unit containing an acidic radical, and, as for a component (A), it is more preferable to have a structural unit containing a carboxyl group. According to this aspect, the composition of the present invention can exhibit good developability with respect to an alkaline developer.

성분 (A)에 있어서 구조 단위 (A1) 및/또는 (A2)가 산기를 포함하는 태양이라도 좋지만, 성분 (A)는, 구조 단위 (A1) 및 (A2) 이외의, 산기를 포함하는 구조 단위 (A3)을 추가로 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구조 단위 (A2)의 환상 에테르기와, 구조 단위 (A3)의 산기가 가교 반응할 수 있기 때문에, 경화막의 경도 및 내약품성을 보다 높일 수 있다.In the component (A), the structural unit (A1) and/or (A2) may contain an acid group, but the component (A) is a structural unit containing an acid group other than the structural units (A1) and (A2). It is preferable to further have (A3). For example, since the cyclic ether group of a structural unit (A2) and the acidic radical of a structural unit (A3) can crosslinking-react, the hardness and chemical-resistance of a cured film can be improved more.

구조 단위 (A3)을 유도하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산, 4-비닐벤조산 등의 불포화 모노카본산; 말레인산, 푸마르산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 불포화 디카본산을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound that induces the structural unit (A3) include: unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid, crotonic acid, and 4-vinylbenzoic acid; Unsaturated dicarboxylic acids, such as maleic acid, a fumaric acid, a citraconic acid, a mesaconic acid, and itaconic acid, are mentioned.

성분 (A)에 있어서, 구조 단위 (A3)의 함유량은, 성분 (A)를 구성하는 전체 구조 단위 100질량% 중, 통상은 2∼25질량%, 바람직하게는 4∼20질량%, 보다 바람직하게는 8∼18질량%이다. 이러한 태양으로 함으로써, 조성물의 감도 및 현상성이나, 경화막의 경도를 보다 양호하게 할 수 있다.In component (A), content of structural unit (A3) is 2-25 mass % normally in 100 mass % of all the structural units which comprise component (A), Preferably it is 4-20 mass %, More preferably Preferably, it is 8-18 mass %. By setting it as such an aspect, the sensitivity and developability of a composition, and hardness of a cured film can be made more favorable.

성분 (A)는, 구조 단위 (A1)∼(A3) 이외의 구조 단위 (A4)를 가져도 좋다. The component (A) may have a structural unit (A4) other than the structural units (A1) to (A3).

구조 단위 (A4)를 유도하는 불포화 화합물로서는, 예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, n-라우릴메타크릴레이트, n-스테아릴메타크릴레이트 등의 C1 -20 알킬메타크릴레이트; 사이클로펜틸메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 사이클로옥틸메타크릴레이트 등의 사이클로알킬메타크릴레이트; 사이클로헥세닐메타크릴레이트 등의 사이클로알케닐메타크릴레이트; 노르보르닐메타크릴레이트, 아다만틸메타크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일메타크릴레이트 등의 가교환 탄화수소기 함유 메타크릴레이트; 페닐메타크릴레이트 등의 아릴메타크릴레이트; 벤질메타크릴레이트 등의 아르알킬메타아크릴레이트; 이타콘산 디에틸 등의 불포화 디카본산 디에스테르; N-페닐말레이미드, N-사이클로헥실말레이미드, N-벤질말레이미드 등의 말레이미드 화합물; 스티렌, α-메틸스티렌, o,m 또는 p-메틸스티렌, p-메톡시스티렌 등의 불포화 방향족 화합물; 1,3-부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔 화합물; 그 외, (메타)아크릴로니트릴, (메타)아크릴아미드, 염화 비닐, 염화 비닐리덴, 아세트산 비닐을 들 수 있다.Examples of the unsaturated compound from which the structural unit (A4) is derived include methyl methacrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, n-lauryl methacrylate, n-stearyl methacrylate, and the like. of C 1-20 alkyl methacrylate; cycloalkyl methacrylates such as cyclopentyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, and cyclooctyl methacrylate; cycloalkenyl methacrylates such as cyclohexenyl methacrylate; cross-linked hydrocarbon group-containing methacrylates such as norbornyl methacrylate, adamantyl methacrylate, and tricyclo[5.2.1.0 2,6 ]decan-8-yl methacrylate; aryl methacrylates such as phenyl methacrylate; Aralkyl methacrylates, such as benzyl methacrylate; unsaturated dicarboxylic acid diesters such as diethyl itaconic acid; maleimide compounds such as N-phenylmaleimide, N-cyclohexylmaleimide, and N-benzylmaleimide; unsaturated aromatic compounds such as styrene, α-methylstyrene, o,m or p-methylstyrene, and p-methoxystyrene; conjugated diene compounds such as 1,3-butadiene and isoprene; In addition, (meth)acrylonitrile, (meth)acrylamide, vinyl chloride, vinylidene chloride, and vinyl acetate are mentioned.

성분 (A)에 있어서, 구조 단위 (A4)의 함유량은, 성분 (A)를 구성하는 전체 구조 단위 100질량% 중, 통상은 40질량% 이하, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 25질량% 이하이다. 특히, 식 (A1) 중에 나타나는 카보닐기에 결합한 탄소 원자상의 수소 원자를 메틸기로 바꾼 구조 단위의 함유량이, 상기값 이하인 것이 바람직하다. 또한, 식 (A1) 중에 나타나는 카보닐기에 결합한 탄소 원자상의 수소 원자를 메틸기로 바꾸고, 또한 R2가 치환기를 가져도 좋은 환상 탄화수소기(특히 지환식 탄화수소기)인 구조 단위의 함유량이, 상기값 이하인 것이 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 태양이면, 성분 (A)의 해중합이 진행되기 어려워, 경화막으로부터의 아웃 가스의 발생을 억제할 수 있다.In component (A), the content of the structural unit (A4) is usually 40% by mass or less, preferably 30% by mass or less, more preferably, in 100% by mass of all the structural units constituting the component (A). It is 25 mass % or less. It is preferable that content of the structural unit which replaced the hydrogen atom on the carbon atom couple|bonded with the carbonyl group especially shown in Formula (A1) with a methyl group is below the said value. In addition, the content of a structural unit in which a hydrogen atom on a carbon atom bonded to a carbonyl group represented in the formula (A1) is replaced with a methyl group, and R 2 is a cyclic hydrocarbon group optionally having a substituent (especially an alicyclic hydrocarbon group) is the above value It is preferable that it is less than, and it is more preferable that it is 20 mass % or less. If it is such an aspect, depolymerization of a component (A) will not advance easily, and generation|occurrence|production of the outgas from a cured film can be suppressed.

성분 (A)는, 구조 단위 (A1)을 1종류만 가져도 좋고, 구조 단위 (A1)을 복수종 가져도 좋다. 성분 (A)는, 구조 단위 (A2)를 1종류만 가져도 좋고, 구조 단위 (A2)를 복수종 가져도 좋다. 구조 단위 (A3) 및 (A4)도 마찬가지이다. 각 구조 단위의 함유량은, NMR 분석에 의해 측정할 수 있다.A component (A) may have only one type of structural unit (A1), and may have multiple types of structural unit (A1). A component (A) may have only one type of structural unit (A2), and may have multiple types of structural unit (A2). The same is true for structural units (A3) and (A4). Content of each structural unit can be measured by NMR analysis.

성분 (A)는, 예를 들면, NMR 분석에 의해 측정한 각 구조 단위의 함유량이 상기 요건을 충족하는 한, 1종의 수지로 이루어져도 좋고, 2종 이상의 수지로 이루어져도 좋다. 2종 이상의 수지로 이루어지는 경우(블렌드물)는, 블렌드물 전체에 대한 각 구조 단위의 함유량(측정값)이 상기 요건을 충족하고 있으면, 블렌드물 중에, 구조 단위 (A1) 또는 (A2)를 갖고 있지 않은 수지나, 각 구조 단위의 함유량이 상기 요건을 충족하고 있지 않은 수지가 포함되어 있어도 좋다.Component (A) may consist of 1 type of resin, and may consist of 2 or more types of resin, as long as content of each structural unit measured by NMR analysis satisfies the said requirements, for example. In the case of two or more types of resins (blend), if the content (measured value) of each structural unit in the entire blend satisfies the above requirements, the blend has a structural unit (A1) or (A2) Resin which is not present, and resin in which content of each structural unit does not satisfy|fill the said requirement may be contained.

성분 (A)는, 알칼리 가용성 수지인 것이 바람직하다. 성분 (A)에 있어서 알칼리 가용성이란, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액 등의 알칼리 수용액에, 용해 또는 팽윤 가능한 것을 의미한다.It is preferable that a component (A) is alkali-soluble resin. Alkali solubility in a component (A) means that it can melt|dissolve or swell in aqueous alkali solutions, such as a tetramethylammonium hydroxide aqueous solution with a concentration of 2.38 mass %.

성분 (A)의 겔 투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의한 중량 평균 분자량(Mw)은, 통상은 2000∼20000, 바람직하게는 3000∼12000이다. 또한, 성분 (A)의 분산도(중량 평균 분자량 (Mw)/수 평균 분자량 (Mn))는, 통상은 1.0∼4.0, 바람직하게는 1.0∼2.5이다. 측정 조건의 상세는 실시예에 기재한다. 이러한 태양이면, 상기 조성물의 현상성의 저하를 방지하고, 또한 성막성을 양호하게 할 수 있다.The weight average molecular weight (Mw) by the gel permeation chromatography method (GPC method) of a component (A) is 2000-20000 normally, Preferably it is 3000-12000. Moreover, the dispersion degree (weight average molecular weight (Mw)/number average molecular weight (Mn)) of a component (A) is 1.0-4.0 normally, Preferably it is 1.0-2.5. The details of measurement conditions are described in Examples. In such an aspect, a decrease in the developability of the composition can be prevented, and the film formability can be improved.

본 발명의 조성물의 고형분 중, 성분 (A)의 함유량은, 통상은 10∼80질량%, 바람직하게는 15∼75질량%, 보다 바람직하게는 20∼70질량%이다. 여기에서 고형분이란, 후술하는 용매를 제외하는 전체 성분이다. 이러한 태양이면, 조성물의 노광 불균일의 억제능 및 현상성이 보다 양호하게 발휘되고, 또한 경화성 및 투명성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.Content of component (A) is 10-80 mass % normally in solid content of the composition of this invention, Preferably it is 15-75 mass %, More preferably, it is 20-70 mass %. Here, solid content is all components except the solvent mentioned later. If it is such an aspect, the suppression ability and developability of the exposure nonuniformity of a composition can be exhibited more favorably, and the cured film excellent in sclerosis|hardenability and transparency can be formed.

성분 (A)는, 예를 들면, 전술한 각 구조 단위를 유도하는 불포화 화합물을 이용하여, 적당한 용매, 중합 개시제 및 연쇄 이동제 등의 존재하, 예를 들면 라디칼 중합 등의 공지의 방법에 의해 얻을 수 있다.Component (A) is obtained by, for example, a known method such as radical polymerization in the presence of an appropriate solvent, polymerization initiator and chain transfer agent, using an unsaturated compound that induces each structural unit described above, for example. can

<반응 <reaction 개시제initiator (B)> (B)>

반응 개시제 (B)는, 수지 및 다관능 중합성 화합물 등을 중합하기 위해 이용되는 성분이다. 반응 개시제 (B)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 라디칼 중합 개시제, 양이온 중합 개시제 등의 중합 개시제를 들 수 있다. 반응 개시제 (B)의 종류는, 다관능 중합성 화합물 (C)의 중합 형태에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 본 발명의 조성물로서는, 감방사선성 경화형이라도 열 경화형이라도 좋지만, 패턴 형성의 관점 및 소자의 열화 방지의 관점에서, 감방사선성 경화형이 바람직하다. 이와 같이, 본 발명의 조성물은, 방사선 감도 및 해상성이 우수하다.A reaction initiator (B) is a component used in order to superpose|polymerize resin, a polyfunctional polymerizable compound, etc. Although it does not specifically limit as a reaction initiator (B), For example, polymerization initiators, such as a radical polymerization initiator and a cationic polymerization initiator, are mentioned. The kind of the reaction initiator (B) can be appropriately selected according to the polymerization form of the polyfunctional polymerizable compound (C). The composition of the present invention may be a radiation-sensitive curing type or a thermosetting type, but from the viewpoint of pattern formation and prevention of deterioration of the element, a radiation-sensitive curing type is preferable. As such, the composition of the present invention is excellent in radiation sensitivity and resolution.

라디칼 중합 개시제는, 방사선(광) 조사, 가열 등에 의해 라디칼 중합을 개시하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 옥심에스테르 화합물, 알킬페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 비이미다졸 화합물, 트리아진 화합물, 벤조인 화합물, 벤조페논 화합물 등의 감방사선성 라디칼 중합 개시제; 과산화물, 아조 화합물 등의 열 라디칼 중합 개시제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 감방사선성 라디칼 중합 개시제가 바람직하고, 옥심에스테르 화합물이 보다 바람직하다.The radical polymerization initiator is not particularly limited as long as it initiates radical polymerization by radiation (light) irradiation, heating, or the like. For example, Radiation-sensitive radical polymerization initiators, such as an oxime ester compound, an alkylphenone compound, an acylphosphine oxide compound, a biimidazole compound, a triazine compound, a benzoin compound, and a benzophenone compound; Thermal radical polymerization initiators, such as a peroxide and an azo compound, are mentioned. Among these, a radiation-sensitive radical polymerization initiator is preferable and an oxime ester compound is more preferable.

옥심에스테르 화합물로서는, 예를 들면, O-아실옥심 화합물을 들 수 있고, 구체적으로는, 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 1-(9-에틸-6-벤조일-9.H.-카르바졸-3-일)-옥탄-1-온옥심-O-아세테이트, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 1-[9-n-부틸-6-(2-에틸벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-벤조에이트, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-4-테트라하이드로피라닐벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸-5-테트라하이드로푸라닐벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심), 에탄온-1-[9-에틸-6-{2-메틸-4-(2,2-디메틸-1,3-디옥소라닐)메톡시벤조일}-9.H.-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심)을 들 수 있다.As an oxime ester compound, an O-acyl oxime compound is mentioned, for example, Specifically, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyl oxime)]; Ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime), 1-(9-ethyl-6-benzoyl-9 H.-carbazol-3-yl)-octane-1-oneoxime-O-acetate, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9.H.-carbazol-3-yl ]-Ethan-1-oneoxime-O-benzoate, 1-[9-n-butyl-6-(2-ethylbenzoyl)-9.H.-carbazol-3-yl]-ethan-1-one Oxime-O-benzoate, ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-4-tetrahydrofuranylbenzoyl)-9.H.-carbazol-3-yl]-1-(O -acetyloxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-4-tetrahydropyranylbenzoyl)-9.H.-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyl oxime), ethanone-1-[9-ethyl-6-(2-methyl-5-tetrahydrofuranylbenzoyl)-9.H.-carbazol-3-yl]-1-(O-acetyloxime) , ethanone-1-[9-ethyl-6-{2-methyl-4-(2,2-dimethyl-1,3-dioxolanyl)methoxybenzoyl}-9.H.-carbazole-3- yl]-1-(O-acetyloxime);

옥심에스테르 화합물로서는, 예를 들면, NCI-831, NCI-930(이상, 가부시키가이샤 ADEKA사 제조), DFI-020, DFI-091(이상, 다이토케믹스 가부시키가이샤 제조), 이르가큐어 OXE01, OXE02, OXE03(이상, BASF사 제조) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.Examples of the oxime ester compound include NCI-831, NCI-930 (above, manufactured by ADEKA Corporation), DFI-020, DFI-091 (above, manufactured by Daitokemix, Inc.), Irgacure OXE01 , OXE02, OXE03 (above, manufactured by BASF), etc. can also be used.

양이온 중합 개시제는, 방사선(광) 조사, 가열 등에 의해 프로톤산 또는 루이스산을 발생하는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 이온성 광 산 발생형, 비이온성 광 산 발생형의 개시제를 들 수 있다.A cationic polymerization initiator will not be specifically limited if it generate|occur|produces a protonic acid or a Lewis acid by radiation (light) irradiation, heating, etc. For example, the initiator of an ionic photoacid generating type|mold and a nonionic photoacid generating type|mold is mentioned.

이온성 광 산 발생형의 광 양이온 중합 개시제로서는, 예를 들면, 방향족 술포늄염, 방향족 요오도늄염, 방향족 디아조늄염, 방향족 암모늄염, (2,4-사이클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe염 등의 오늄염 화합물을 들 수 있고, 그 외에, 할로겐 함유 화합물, 술폰 화합물, 술폰산 화합물, 술폰이미드 화합물, 디아조메탄 화합물을 들 수 있다. 오늄염으로서는, 구체적으로는, 양이온 부분이 방향족 술포늄, 방향족 요오도늄, 방향족 디아조늄, 방향족 암모늄, 또는 (2,4-사이클로펜타디엔-1-일)[(1-메틸에틸)벤젠]-Fe양이온이고, 음이온 부분이 BF4 -, PF6 -, SbF6-,[BX4]-(X는, 2 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기임), 또는 [PRf6 -](Rf는, 불소화 알킬기임)로 구성되는 오늄염을 들 수 있다.Examples of the ionic photoacid-generating photocationic polymerization initiator include aromatic sulfonium salts, aromatic iodonium salts, aromatic diazonium salts, aromatic ammonium salts, (2,4-cyclopentadien-1-yl)[(1) -methylethyl)benzene]-Fe salt, etc. onium salt compounds are mentioned, In addition, a halogen-containing compound, a sulfone compound, a sulfonic acid compound, a sulfonimide compound, and a diazomethane compound are mentioned. As the onium salt, specifically, the cation moiety is aromatic sulfonium, aromatic iodonium, aromatic diazonium, aromatic ammonium, or (2,4-cyclopentadien-1-yl)[(1-methylethyl)benzene] -Fe is a cation, and the anion moiety is BF 4 - , PF 6 - , SbF 6 - ,[BX 4 ] - (X is a phenyl group substituted with two or more fluorine or trifluoromethyl groups), or [PRf 6 - ] and onium salts constituted by (Rf is a fluorinated alkyl group).

비이온성 광 산 발생형의 광 양이온 중합 개시제로서는, 예를 들면, 니트로벤질에스테르, 술폰산 유도체, 인산 에스테르, 페놀술폰산 에스테르, 디아조나프토퀴논, N-하이드록시이미드술포네이트를 들 수 있다.Examples of the nonionic photoacid generating type photocationic polymerization initiator include nitrobenzyl ester, sulfonic acid derivative, phosphoric acid ester, phenolsulfonic acid ester, diazonaphthoquinone, and N-hydroxyimidesulfonate.

본 발명의 조성물을 감방사선성 경화형으로 함으로써, 방사선(자외선, 원자외선, 가시광선 등)의 조사에 의해 성분 (C)가 중합 및 경화하여, 통상, 네거티브형의 경화막 또는 패턴을 형성할 수 있다.By making the composition of the present invention a radiation-sensitive curing type, component (C) is polymerized and cured by irradiation with radiation (ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible rays, etc.), and usually a negative cured film or pattern can be formed. there is.

본 발명의 조성물 중, 성분 (B)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 통상은 1∼20질량부, 바람직하게는 3∼18질량부, 보다 바람직하게는 5∼15질량부이다. 이러한 태양이면, 조성물의 노광 불균일의 억제능 및 현상성이 보다 양호하게 발휘되고, 또한 경화성 및 투명성이 우수한 경화막을 형성할 수 있다.In the composition of this invention, content of component (B) is 1-20 mass parts normally with respect to 100 mass parts of component (A), Preferably it is 3-18 mass parts, More preferably, 5-15 mass parts am. If it is such an aspect, the suppression ability and developability of the exposure nonuniformity of a composition can be exhibited more favorably, and the cured film excellent in sclerosis|hardenability and transparency can be formed.

<< 다관능multisensory 중합성polymeric 화합물 (C)> compound (C)>

다관능 중합성 화합물 (C)란, 통상, 복수의 중합성기를 갖는 화합물이다. 중합성기로서는, 예를 들면, 비닐기, (메타)아크릴로일옥시기 등의, 탄소-탄소 불포화 이중 결합을 포함하는 기를 들 수 있다.A polyfunctional polymerizable compound (C) is a compound which has a some polymerizable group normally. As a polymeric group, groups containing carbon-carbon unsaturated double bonds, such as a vinyl group and a (meth)acryloyloxy group, are mentioned, for example.

성분 (C)는, 바람직하게는, 1분자당 2개 이상의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트이고, 보다 바람직하게는, 1분자당 2∼6개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 다관능 (메타)아크릴레이트이다. 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트 등의, 알킬렌글리콜 또는 폴리알킬렌글리콜의 (메타)아크릴산 디에스테르; 사이클로헥산디메탄올디(메타)아크릴레이트, 트리사이클로데칸디메탄올디(메타)아크릴레이트 등의, 모노 또는 폴리사이클로알칸디메탄올의 (메타)아크릴산 디에스테르; 트리메틸올프로판폴리(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판폴리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨폴리(메타)아크릴레이트 등의, 3가 이상의 다가 알코올의 (메타)아크릴산 폴리에스테르; 펜타에리트리톨 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 AO 변성 폴리(메타)아크릴레이트 등의, 3가 이상의 다가 알코올의 AO 변성 또는 카프로락톤 변성물의 (메타)아크릴산 폴리에스테르; 그 외에, 트리(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)포스페이트, 숙신산 변성 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 숙신산 변성 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트를 들 수 있다. 여기에서의 폴리는, 디, 트리, 테트라, 펜타, 헥사 또는 그 이상을 의미한다. 본 명세서에 있어서, AO 변성이란, 에틸렌옥사이드(EO) 변성 및 프로필렌옥사이드(PO) 변성 등의 알킬렌옥사이드 변성을 의미한다.Component (C), Preferably, it is polyfunctional (meth)acrylate which has 2 or more (meth)acryloyloxy groups per molecule, More preferably, it is 2-6 pieces of (meth)acryl per molecule. It is a polyfunctional (meth)acrylate which has a royloxy group. Examples of the polyfunctional (meth)acrylate include ethylene glycol di(meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, 1,9-nonanedi (meth)acrylic acid diesters of alkylene glycol or polyalkylene glycol, such as old-di (meth)acrylate; (meth)acrylic acid diesters of mono- or polycycloalkanedimethanol, such as cyclohexane dimethanol di(meth)acrylate and tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate; Trimethylolpropane poly(meth)acrylate, ditrimethylolpropane poly(meth)acrylate, pentaerythritol poly(meth)acrylate, dipentaerythritol poly(meth)acrylate (meth)acrylic acid polyester; AO-modified or caprolactone of polyhydric alcohols having trivalence or higher, such as pentaerythritol AO-modified poly(meth)acrylate, trimethylolpropane AO-modified poly(meth)acrylate, and dipentaerythritol AO-modified poly(meth)acrylate (meth)acrylic acid polyester of a modified product; In addition, tri(2-(meth)acryloyloxyethyl)phosphate, succinic acid modified pentaerythritol triacrylate, and succinic acid modified dipentaerythritol pentaacrylate are mentioned. Poly here means di, tri, tetra, penta, hexa or more. In this specification, AO modification means alkylene oxide modification|denaturation, such as ethylene oxide (EO) modification and a propylene oxide (PO) modification|denaturation.

그 외에, 직쇄 알킬렌기 및 지환식 구조를 갖고, 또한 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖는 화합물과, 분자 내에 1개 이상의 하이드록시기를 갖고, 또한 3개, 4개 또는 5개의 (메타)아크릴로일옥시기를 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 다관능 우레탄(메타)아크릴레이트도 들 수 있다.In addition, a compound having a straight-chain alkylene group and an alicyclic structure and having two or more isocyanate groups, a compound having one or more hydroxyl groups in the molecule, and three, four or five (meth)acryloyloxy groups Polyfunctional urethane (meth)acrylate obtained by making the compound which has it react is also mentioned.

본 발명의 조성물 중, 성분 (C)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 통상은 20∼200질량부, 바람직하게는 30∼150질량부, 보다 바람직하게는 40∼100질량부이다. 성분 (C)의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 조성물의 감도 및 해상성이나, 경화막의 내약품성을 높일 수 있다. 성분 (C)의 함유량을 상기 상한값 이하로 함으로써, 노광 불균일의 발생을 효과적으로 저감할 수 있다.In the composition of this invention, content of component (C) is 20-200 mass parts normally with respect to 100 mass parts of component (A), Preferably it is 30-150 mass parts, More preferably, 40-100 mass parts am. By making content of a component (C) more than the said lower limit, the sensitivity and resolution of a composition, and the chemical-resistance of a cured film can be improved. By making content of a component (C) or less into the said upper limit, generation|occurrence|production of exposure nonuniformity can be reduced effectively.

<밀착 조제 (D)><Adhesive aid (D)>

밀착 조제 (D)는, 경화막과 기판의 밀착성을 향상시키는 성분이다. 성분 (D)로서는, 카복시기, 메타크릴옥시기, 비닐기, 이소시아네이트기, 옥시라닐기 등의 반응성 관능기를 갖는 관능성 실란 커플링제가 바람직하다. 관능성 실란 커플링제로서는, 예를 들면, 트리메톡시실릴벤조산, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, 3-글리시딜옥시프로필트리메톡시실란, 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란, 인산 2-(메타크릴옥시)에틸을 들 수 있다.Adhesion adjuvant (D) is a component which improves the adhesiveness of a cured film and a board|substrate. As component (D), the functional silane coupling agent which has reactive functional groups, such as a carboxy group, a methacryloxy group, a vinyl group, an isocyanate group, an oxiranyl group, is preferable. Examples of the functional silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, 3-glycan Cydyloxypropyl trimethoxysilane, 2-(3,4-epoxy cyclohexyl) ethyl trimethoxysilane, and phosphoric acid 2-(methacryloxy) ethyl are mentioned.

본 발명의 조성물 중, 성분 (D)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 통상은 0.01∼10질량부, 바람직하게는 0.1∼5질량부, 보다 바람직하게는 0.5∼4질량부이다.In the composition of this invention, content of component (D) is 0.01-10 mass parts normally with respect to 100 mass parts of component (A), Preferably it is 0.1-5 mass parts, More preferably, 0.5-4 mass parts. am.

<중합 <polymerization 금지제ban (E)> (E)>

중합 금지제 (E)는, 본 발명의 조성물의 보존 안정성을 높이는 성분이다. 성분 (E)로서는, 예를 들면, 황, 퀴논류, 하이드로퀴논류, 폴리옥시 화합물, 아민, 니트로니트로소 화합물을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 2,5-디-t-부틸하이드로퀴논, p-메톡시페놀, N-니트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄을 들 수 있다.A polymerization inhibitor (E) is a component which improves the storage stability of the composition of this invention. Examples of the component (E) include sulfur, quinones, hydroquinones, polyoxy compounds, amines and nitronitroso compounds, and more specifically, 2,5-di-t-butylhydroquinone. , p-methoxyphenol, and N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum.

본 발명의 조성물 중, 성분 (E)의 함유량은, 성분 (A) 100질량부에 대하여, 통상은 0.01∼0.5질량부, 바람직하게는 0.01∼0.3질량부, 보다 바람직하게는 0.01∼0.2질량부이다.In the composition of this invention, content of component (E) is 0.01-0.5 mass part normally with respect to 100 mass parts of component (A), Preferably it is 0.01-0.3 mass part, More preferably, 0.01-0.2 mass part am.

<그 외의 성분><Other ingredients>

본 발명의 조성물은, 전술한 성분 (A)∼(E) 이외의 그 외의 성분을 추가로 함유할 수 있다. 이러한 다른 성분으로서는, 예를 들면, 성분 (A) 이외의 중합체, 산화 방지제, 계면 활성제, 연쇄 이동제를 들 수 있다.The composition of the present invention may further contain components other than the above-mentioned components (A) to (E). As such other components, polymers other than component (A), antioxidant, surfactant, and a chain transfer agent are mentioned, for example.

또한, 본 발명의 조성물의 고형분 중, 성분 (A)∼(E) 성분 이외의 그 외의 성분의 합계의 함유량의 상한값으로서는, 예를 들면 10질량%라도 좋고, 5질량%라도 좋고, 1질량%라도 좋다.In addition, in the solid content of the composition of this invention, as an upper limit of content of the sum total of components other than component (A)-(E) component, 10 mass % may be sufficient, 5 mass % may be sufficient, and 1 mass %, for example. also good

<조성물의 조제 방법><Method for preparing the composition>

본 발명의 조성물은, 성분 (A)∼(C) 및, 필요에 따라서 성분 (D)∼(E), 그 외의 성분을 소정의 비율로 혼합하여, 바람직하게는 적당한 용매에 용해하여 조제할 수 있다. 조제한 조성물은, 예를 들면 공경 0.2㎛ 정도의 필터로 여과하는 것이 바람직하다.The composition of the present invention can be prepared by mixing components (A) to (C) and, if necessary, components (D) to (E) and other components in a predetermined ratio, preferably by dissolving in a suitable solvent. there is. It is preferable to filter the prepared composition with a filter with a pore diameter of about 0.2 micrometer, for example.

용매로서는, 상기 각 성분을 균일하게 용해 또는 분산시키고, 상기 각 성분과 반응하지 않는 것이 이용된다. 용매로서는, 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 이소 프로판올, 부탄올, 옥탄올 등의 알코올류; 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 락트산 에틸, γ-부티로락톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌디글리콜모노메틸에테르, 에틸렌디글리콜에틸메틸에테르 등의 에테르류; 디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드류; 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤류; 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다. 용매로서는, 에스테르류가 바람직하다.As a solvent, the thing which melt|dissolves or disperse|distributes each said component uniformly, and does not react with each said component is used. Examples of the solvent include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, and octanol; esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, γ-butyrolactone, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, methyl 3-methoxypropionate, and ethyl 3-ethoxypropionate; Ethers, such as ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethylene diglycol monomethyl ether, and ethylene diglycol ethyl methyl ether; amides such as dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and ethylbenzene. As a solvent, esters are preferable.

본 발명의 조성물의 고형분 농도는, 예를 들면 10∼60질량%, 바람직하게는 20∼40질량%이다. 여기에서 고형분 농도란, 상기 용매를 제외하는 전체 성분의 합계 농도이다.Solid content concentration of the composition of this invention is 10-60 mass %, for example, Preferably it is 20-40 mass %. Here, the solid content concentration is the total concentration of all components excluding the solvent.

[ 경화막cured film ]

본 발명의 경화막은, 전술한 본 발명의 조성물로 형성된다. 상기 경화막은, 아웃 가스의 발생량이 적다는 특징을 갖고 있고, 또한 일 실시 태양에 있어서, 광 투과성, 내열성, 내약품성, 발포 내성, 전압 보전율 및 기판에 대한 밀착성이 우수하다.The cured film of this invention is formed from the composition of this invention mentioned above. The cured film has a characteristic that there is little amount of outgas generated, and in one embodiment, it is excellent in light transmittance, heat resistance, chemical resistance, foaming resistance, voltage retention, and adhesion to a substrate.

본 발명의 경화막의 두께는, 그의 용도에 따라서 적절히 설정할 수 있지만, 바람직하게는 0.5∼10.0㎛, 보다 바람직하게는 1.0∼8.0㎛, 더욱 바람직하게는 1.5∼5.0㎛이다.Although the thickness of the cured film of this invention can be set suitably according to the use, Preferably it is 0.5-10.0 micrometers, More preferably, it is 1.0-8.0 micrometers, More preferably, it is 1.5-5.0 micrometers.

일 실시 태양에 있어서, 본 발명의 경화막의, 파장 400∼800㎚에 있어서의 광 투과율의 하한값은, 바람직하게는 95%, 보다 바람직하게는 96%이다. 경화막을 클린 오븐 내에서 230℃에서 5시간 가열한 후의, 파장 400∼800㎚에 있어서의 광 투과율도, 상기 하한값 이상인 것이 바람직하다. 이러한 태양이면, 양호한 광학 특성을 갖는 소자를 얻을 수 있다.In one embodiment, the lower limit of the light transmittance in wavelength 400-800 nm of the cured film of this invention becomes like this. Preferably it is 95 %, More preferably, it is 96 %. It is preferable that the light transmittance in wavelength 400-800 nm after heating a cured film at 230 degreeC in clean oven for 5 hours is also more than the said lower limit. According to such an aspect, the element which has favorable optical characteristics can be obtained.

본 발명의 경화막은, 예를 들면, 표시 소자 및 조명 소자 등의 소자가 갖는, TFT 등의 부재에 의한 표면 요철을 평탄화하는 역할을 다하는 평탄화막, 배선 간을 절연하는 층간 절연막, 발광층을 형성하기 위한 영역을 규정하는 뱅크(격벽), 스페이서, 보호막, 컬러 필터용 접착제층으로서 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 네거티브형 평탄화막으로서 유용하고, 특히 유기 EL 소자가 갖는 평탄화막으로서 유용하다.The cured film of the present invention is, for example, a planarizing film that plays a role of flattening surface irregularities caused by members such as TFTs that elements such as display elements and lighting elements have, an interlayer insulating film that insulates between wirings, and a light emitting layer to form It can be used as an adhesive layer for a bank (barrier), a spacer, a protective film, and a color filter defining an area for the purpose. Among these, it is useful as a negative planarization film, and is especially useful as a planarization film which an organic electroluminescent element has.

이하, 일 예로서, 감방사선성 경화형 수지 조성물을 이용하는 경우의 경화막의 형성 방법에 대해서 설명한다. 경화막의 형성 방법은, 본 발명의 조성물을 이용하여, 기판 상에 도막을 형성하는 공정 (1), 상기 도막의 적어도 일부를 노광하는 공정 (2), 상기 도막을 현상하는 공정 (3) 및, 상기 현상된 도막을 가열하는 공정 (4)를 갖는다.Hereinafter, as an example, the formation method of the cured film in the case of using a radiation-sensitive curable resin composition is demonstrated. The method for forming a cured film includes a step (1) of forming a coating film on a substrate using the composition of the present invention, a step (2) of exposing at least a portion of the coating film, a step (3) of developing the coating film, and; A step (4) of heating the developed coating film is included.

[공정 (1)][Process (1)]

본 공정에서는, 본 발명의 조성물을 이용하여, 기판 상에 도막을 형성한다. 구체적으로는, 상기 조성물을 기판 표면에 도포하고, 바람직하게는 프리베이킹을 행함으로써 용매를 제거하여 도막을 형성한다.In this process, a coating film is formed on a board|substrate using the composition of this invention. Specifically, the composition is applied to the surface of the substrate, preferably prebaking is performed to remove the solvent to form a coating film.

기판으로서는, 예를 들면, 유리 기판, 실리콘 기판, 플라스틱 기판 및, 이들의 표면에 각종 금속 박막이 형성된 기판을 들 수 있다. 플라스틱 기판으로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 폴리이미드 등의 플라스틱으로 이루어지는 수지 기판을 들 수 있다. 또한, 기판으로서는, TFT가 형성된 기판이라도 좋다.Examples of the substrate include a glass substrate, a silicon substrate, a plastic substrate, and a substrate in which various thin metal films are formed on the surface. As a plastic substrate, the resin substrate which consists of plastics, such as a polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyether sulfone, a polycarbonate, and a polyimide, is mentioned, for example. Moreover, as a board|substrate, the board|substrate in which TFT was formed may be sufficient.

도포 방법으로서는, 예를 들면, 스프레이법, 롤 코팅법, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 도포법, 바 도포법, 잉크젯법을 들 수 있다. 이들 중에서도, 스핀 코팅법, 슬릿 다이 도포법 및 바 도포법이 바람직하다.As a coating method, the spray method, the roll coating method, the spin coating method, the slit-die coating method, the bar coating method, and the inkjet method are mentioned, for example. Among these, the spin coating method, the slit die coating method, and the bar coating method are preferable.

프리베이킹의 조건으로서는, 각 성분의 종류, 사용 비율 등에 따라서도 상이하지만, 예를 들면 60∼130℃에서 0.5∼10분이다. 형성되는 도막의 막두께는, 프리베이킹 후의 값으로서, 1.0∼12.0㎛가 바람직하다.As conditions for a prebaking, although it changes also with the kind of each component, a usage ratio, etc., it is 0.5 to 10 minutes at 60-130 degreeC, for example. As for the film thickness of the coating film to be formed, 1.0-12.0 micrometers is preferable as a value after prebaking.

[공정 (2)][Process (2)]

본 공정에서는, 상기 도막의 적어도 일부에 방사선을 조사한다. 구체적으로는, 공정 (1)에서 형성한 도막에 소정의 패턴을 갖는 마스크를 통하여 방사선을 조사한다. 방사선으로서는, 예를 들면, 자외선, 원자외선, 가시광선, X선, 전자선 등의 하전 입자선을 들 수 있다. 이들 중에서도 자외선이 바람직하고, 자외선으로서는, 예를 들면, g선(파장 436㎚), i선(파장 365㎚)을 들 수 있다. 방사선의 노광량으로서는, 0.1∼20,000J/㎡가 바람직하다.In this step, at least a part of the coating film is irradiated with radiation. Specifically, the coating film formed in step (1) is irradiated with radiation through a mask having a predetermined pattern. Examples of the radiation include charged particle beams such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, visible rays, X-rays, and electron beams. Among these, an ultraviolet-ray is preferable, and as an ultraviolet-ray, g line|wire (wavelength 436 nm) and i line|wire (wavelength 365 nm) are mentioned, for example. As an exposure amount of a radiation, 0.1-20,000 J/m<2> is preferable.

[공정 (3)][Process (3)]

본 공정에서는, 방사선이 조사된 도막을 현상한다. 본 방법에서는, 통상, 네거티브형 현상이 된다. 구체적으로는, 공정 (2)에서 방사선이 조사된 도막에 대하여, 현상액에 의해 현상을 행하여 방사선의 비조사 부분을 제거한다.In this step, the coating film irradiated with radiation is developed. In this method, normally, it becomes negative type development. Specifically, the coating film irradiated with radiation in step (2) is developed with a developer to remove the non-radiation portion.

현상액으로서는, 예를 들면, 알칼리(염기성 화합물)의 수용액을 들 수 있다. 알칼리로서는, 예를 들면, 수산화 나트륨, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 그 외에, 일본공개특허공보 2016-145913호의 단락 [0127]에 예시된 알칼리(본 명세서에 있어서 원용함)를 들 수 있다. 알칼리 수용액에 있어서의 알칼리 농도로서는, 적당한 현상성을 얻는 관점에서, 0.1∼5.0질량%가 바람직하다.As a developing solution, the aqueous solution of an alkali (basic compound) is mentioned, for example. Examples of the alkali include sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, and other alkalis exemplified in paragraph [0127] of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-145913 (incorporated herein). As alkali concentration in aqueous alkali solution, 0.1-5.0 mass % is preferable from a viewpoint of obtaining moderate developability.

현상 방법으로서는, 예를 들면, 퍼들법, 딥핑법, 요동 침지법, 샤워법 등의 적절한 방법을 들 수 있다. 현상 시간은, 조성물의 조성에 따라 상이하지만, 예를 들면 30∼120초이다. 또한, 현상 공정 후, 패터닝된 도막에 대하여 유수 세정에 의한 린스 처리를 행하는 것이 바람직하다.As a developing method, suitable methods, such as the puddle method, the dipping method, the rocking|fluctuation immersion method, and the shower method, are mentioned, for example. Although development time changes with the composition of a composition, it is 30 to 120 second, for example. Moreover, it is preferable to perform the rinse process by running water washing with respect to the patterned coating film after a developing process.

[공정 (4)][Process (4)]

본 공정에서는, 현상된 도막을 가열한다. 예를 들면 오븐이나 핫 플레이트 등의 가열 장치를 이용하여 가열할 수 있다. 가열 온도는, 예를 들면 120∼250℃이다. 가열 시간은, 가열 기기의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들면 핫 플레이트 상에서 가열 처리를 행하는 경우에는 5∼40분, 오븐 중에서 가열 처리를 행하는 경우에는 10∼80분이다. 이상과 같이 하여, 목적으로 하는, 패터닝된 경화막(패턴)을 기판 상에 형성할 수 있다.In this step, the developed coating film is heated. For example, it can be heated using heating apparatuses, such as an oven and a hot plate. Heating temperature is 120-250 degreeC, for example. Although heating time changes with the kind of heating equipment, when heat-processing on a hotplate, for example, it is 5-40 minutes, when heat-processing in oven, it is 10-80 minutes. As mentioned above, the target patterned cured film (pattern) can be formed on a board|substrate.

〔표시 소자 및 조명 소자〕[display element and lighting element]

본 발명의 표시 소자 및 조명 소자는, 전술한 본 발명의 경화막을 갖는다. 상기 소자로서는, 예를 들면, 유기 EL 표시 소자, 유기 EL 조명 소자 등의 유기 EL 소자; 액정 표시 소자를 들 수 있다. 이들 소자에 있어서, 상기 경화막은, 예를 들면, 평탄화막, 층간 절연막, 격벽, 스페이서, 보호막 및 컬러 필터용 접착제층으로부터 선택되는 적어도 1종으로서 이용된다.The display element and lighting element of this invention have the cured film of this invention mentioned above. As said element, For example, Organic electroluminescent elements, such as an organic electroluminescent display element and an organic electroluminescent lighting element; A liquid crystal display element is mentioned. These elements WHEREIN: The said cured film is used as at least 1 sort(s) chosen from a planarization film, an interlayer insulating film, a partition, a spacer, a protective film, and the adhesive bond layer for color filters, for example.

<유기 EL 소자><Organic EL device>

이하, 유기 EL 소자의 일 실시 형태로서, 도 1 및 도 2에 기초하여 설명한다. 유기 EL 소자(1)는, 톱 이미션 구조(도 1 참조) 또는 보텀 이미션 구조(도 2 참조)로 할 수 있고, 각 구성 재료의 재질은, 상기 구조에 따라서 적절히 선택할 수 있다. 도 1 및 2의 유기 EL 소자(1)는, 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소를 갖는 액티브 매트릭스형이다.Hereinafter, one Embodiment of an organic electroluminescent element is demonstrated based on FIG. 1 and FIG. The organic EL element 1 can have a top emission structure (refer to FIG. 1) or a bottom emission structure (refer to FIG. 2), and the material of each constituent material can be suitably selected according to the said structure. The organic EL element 1 in Figs. 1 and 2 is an active matrix type having a plurality of pixels formed in a matrix shape.

유기 EL 소자(1)는, 지지 기판(2), 박막 트랜지스터(이하 「TFT」라고도 함)(3), 평탄화막(4), 제1 전극으로서의 양극(5), 스루홀(6), 격벽(7), 유기 발광층(8), 제2 전극으로서의 음극(9), 패시베이션막(10) 및 봉지 기판(11)을 구비한다. The organic EL element 1 includes a support substrate 2 , a thin film transistor (hereinafter also referred to as “TFT”) 3 , a planarization film 4 , an anode 5 as a first electrode, a through hole 6 , and a partition wall. (7), the organic light emitting layer 8, the cathode 9 as a 2nd electrode, the passivation film 10, and the sealing substrate 11 are provided.

지지 기판(2)은, 절연 재료로 형성되어 있다. 유기 EL 소자(1)가 보텀 이미션형인 경우, 지지 기판(2)에는 높은 광 투과성이 요구된다. 그 때문에, 절연 재료로서는, 예를 들면, 광 투과성이 높은, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드 등의 투명 수지, 무알칼리 유리 등의 유리 재료가 바람직하다. 한편, 유기 EL 소자(1)가 톱 이미션형인 경우, 절연 재료로서는, 임의의 절연체를 이용할 수 있고, 예를 들면, 전술의 투명 수지 및 유리 재료를 이용하는 것이 가능하다.The support substrate 2 is formed of an insulating material. When the organic EL element 1 is of a bottom emission type, the support substrate 2 is required to have high light transmittance. Therefore, as an insulating material, transparent resins, such as a polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, etc. with high light transmittance, and glass materials, such as alkali free glass, are preferable, for example. On the other hand, when the organic EL element 1 is a top emission type, any insulator can be used as the insulating material, for example, it is possible to use the above-described transparent resin and glass material.

TFT(3)는, 각 화소 부분의 액티브 소자이고, 지지 기판(2) 상에 형성되어 있다. 이 TFT(3)는, 게이트 전극, 게이트 절연막, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고 있다. 게이트 전극 상에 게이트 절연막 및 반도체층을 순서로 구비하는 보텀 게이트형에 한정하지 않고, 반도체층 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 순서로 구비하는 톱 게이트형이라도 좋다.The TFT 3 is an active element in each pixel portion, and is formed on the support substrate 2 . The TFT 3 includes a gate electrode, a gate insulating film, a semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. It is not limited to the bottom gate type in which a gate insulating film and a semiconductor layer are provided in this order on a gate electrode, but a top gate type in which a gate insulating film and a gate electrode are provided in this order on a semiconductor layer may be used.

평탄화막(4)은, TFT(3) 및 일 실시 태양에서는 컬러 필터(13)에 의한 표면 요철을 평탄화하는 역할을 다하는 절연막이다. 평탄화막(4)은, TFT(3) 및 일 실시 태양에서는 컬러 필터(13)의 전체를 피복하도록 형성되어 있다.The flattening film 4 is an insulating film that plays a role in flattening the surface irregularities of the TFT 3 and, in one embodiment, the color filter 13 . The planarization film 4 is formed so as to cover the entirety of the TFT 3 and the color filter 13 in one embodiment.

양극(5)은, 화소 전극을 이룬다. 양극(5)은, 도전성 재료에 의해 평탄화막(4) 상에 형성되어 있다. 유기 EL 소자(1)가 보텀 이미션형인 경우, 양극(5)에는 광 투과성인 것이 요구된다. 그 때문에, 양극(5)의 재료로서는, 광 투과성이 높은, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), 산화 주석이 바람직하다. 유기 EL 소자(1)가 톱 이미션형인 경우, 양극(5)에는 광 반사성이 요구된다. 그 때문에, 양극(5)의 재료로서는, 광 반사성이 높은, Al(알루미늄), APC 합금(은, 팔라듐, 구리의 합금), ARA(은, 루비듐, 금의 합금), MoCr(몰리브덴과 크롬의 합금), NiCr(니켈과 크롬의 합금), 또한 이들의 금속과 광 투과성이 높은 전극(예: ITO)의 적층막이 바람직하다.The anode 5 forms a pixel electrode. The anode 5 is formed on the planarization film 4 with a conductive material. When the organic EL element 1 is of the bottom emission type, the anode 5 is required to be light-transmissive. Therefore, as a material of the anode 5, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), and tin oxide with high light transmittance are preferable. When the organic EL element 1 is of the top emission type, the anode 5 is required to have light reflectivity. Therefore, as the material of the anode 5, Al (aluminum), APC alloy (alloy of silver, palladium, and copper), ARA (alloy of silver, rubidium, and gold), MoCr (of molybdenum and chromium) with high light reflectivity alloy), NiCr (an alloy of nickel and chromium), and a laminate film of these metals and an electrode with high light transmittance (eg, ITO) is preferable.

스루홀(6)은, 양극(5)과 TFT(3)의 드레인 전극을 접속하기 위해 형성된다. 스루홀(6)에 형성된 배선에 의해, 양극(5)과 TFT(3)의 드레인 전극이 접속된다.The through hole 6 is formed in order to connect the anode 5 and the drain electrode of the TFT 3 . The anode 5 and the drain electrode of the TFT 3 are connected by a wiring formed in the through hole 6 .

격벽(7)은, 양극(5)의 주연부를 피복하도록 형성되어 있고, 유기 발광층(8)의 배치 영역을 규정하는 오목부(70)를 획정하고 있다. 평탄화막(4) 및/또는 격벽(7)은, 본 발명의 조성물로 형성되어 있다.The barrier rib 7 is formed so as to cover the periphery of the anode 5 , and defines a concave portion 70 defining an arrangement region of the organic light emitting layer 8 . The planarization film 4 and/or the partition 7 are formed from the composition of this invention.

유기 발광층(8)은, 격벽(7)에 의해 규정되는 영역, 즉 오목부(70)에서 양극(5) 상에 형성되어 있다. 이와 같이, 오목부(70)에 유기 발광층(8)을 형성함으로써 유기 발광층(8)의 주위가 격벽(7)에 의해 포위되어, 인접하는 복수 화소끼리를 구획할 수 있다. 유기 발광층(8)은, 유기 재료인 발광 재료, 즉, 유기 발광 재료를 함유한다. 유기 발광층에 포함되는 유기 발광 재료는 저분자 유기 발광 재료라도, 고분자 유기 발광 재료라도 좋다. 유기 발광층(8)은, 서로 대향하는 양극(5)과 음극(9)의 사이에 위치한다.The organic light emitting layer 8 is formed on the anode 5 in the region defined by the partition 7 , that is, the recess 70 . In this way, by forming the organic light emitting layer 8 in the concave portion 70 , the periphery of the organic light emitting layer 8 is surrounded by the barrier rib 7 , and a plurality of adjacent pixels can be partitioned. The organic light emitting layer 8 contains a light emitting material which is an organic material, that is, an organic light emitting material. The organic light emitting material included in the organic light emitting layer may be a low molecular weight organic light emitting material or a high molecular weight organic light emitting material. The organic light emitting layer 8 is located between the anode 5 and the cathode 9 which face each other.

음극(9)은, 복수의 화소를 공통으로 덮어 형성되고, 유기 EL 소자(1)의 공통 전극을 이룬다. 음극(9)은, 도전성 부재로 이루어진다. 유기 EL 소자(1)가 톱 이미션형인 경우에는, 음극(9)은 광 투과성의 전극인 것이 바람직하고, ITO 전극이나 IZO 전극을 들 수 있다. 유기 EL 소자(1)가 보텀 이미션형인 경우에는, 음극(9)은 광 투과성의 전극일 필요는 없다. 그 경우, 음극(9)의 구성 재료는, 예를 들면, 바륨(Ba), 산화 바륨(BaO), 알루미늄(Al) 및 Al을 포함하는 합금을 들 수 있다.The cathode 9 is formed to cover a plurality of pixels in common, and constitutes a common electrode of the organic EL element 1 . The cathode 9 is made of a conductive member. When the organic EL element 1 is a top emission type, it is preferable that the cathode 9 is a light transmissive electrode, and an ITO electrode and an IZO electrode are mentioned. When the organic EL element 1 is a bottom emission type, the cathode 9 does not need to be a light-transmitting electrode. In that case, as a constituent material of the cathode 9, an alloy containing barium (Ba), barium oxide (BaO), aluminum (Al), and Al is mentioned, for example.

패시베이션막(10)은, 수분이나 산소의 침입을 억제한다. 이 패시베이션막(10)은, 음극(9) 상에 형성되어 있다.The passivation film 10 suppresses penetration of moisture and oxygen. This passivation film 10 is formed on the cathode 9 .

봉지 기판(11)은, 유기 발광층(8)이 배치된 주면(主面)(지지 기판(2), TFT(3) 및 평탄화막(4)을 갖는 TFT 기판에 있어서 지지 기판(2)과는 반대측의 면)을 봉지한다. 봉지 기판(11)으로서는, 무알칼리 유리 기판 등의 유리 기판을 들 수 있다. 유기 발광층(8)이 배치된 주면은, TFT 기판의 외주 단부 부근에 도포된 시일제를 이용하여, 봉지층(12)을 통하여, 봉지 기판(11)에 의해 봉지하는 것이 바람직하다. 봉지층(12)은, 예를 들면, 건조된 질소 가스 등의 불활성인 가스의 층, 또는 접착제 등의 충전 재료의 층이다.The sealing substrate 11 is different from the support substrate 2 in the TFT substrate which has the main surface (support substrate 2, TFT3, and planarization film 4) on which the organic light emitting layer 8 is arrange|positioned. opposite side) is sealed. As the sealing substrate 11, glass substrates, such as an alkali free glass substrate, are mentioned. It is preferable to seal the main surface in which the organic light emitting layer 8 is arrange|positioned with the sealing substrate 11 through the sealing layer 12 using the sealing compound apply|coated to the outer peripheral edge part vicinity of a TFT board|substrate. The sealing layer 12 is a layer of inert gas, such as dried nitrogen gas, or a layer of filling materials, such as an adhesive agent, for example.

도 1에 나타내는 유기 EL 소자(1)는, 톱 이미션형이고, 오목부(70)에 백색광을 방사하는 화소가 형성되어 있고, 그의 상방, 예를 들면 봉지 기판(11) 아래에, 상기 화소마다 대응하는, 적녹청 등의 각 색 컬러 필터(13)가 배치되어 있다. 각 컬러 필터(13) 간에는 블랙 매트릭스(14)가 형성되어 있어도 좋다. 상기 화소로부터 방사된 백색광은, 대응하는 컬러 필터(13)에 의해 투과 선택된 색광이 되어, 봉지 기판(11)을 투과한다.The organic EL element 1 shown in Fig. 1 is of a top emission type, and a pixel emitting white light is formed in a recess 70, and above it, for example, under the sealing substrate 11, for each pixel. Corresponding color filters 13 for each color such as red, green, blue, or the like are arranged. A black matrix 14 may be formed between each color filter 13 . The white light emitted from the pixel becomes the color light transmitted and selected by the corresponding color filter 13 , and passes through the encapsulation substrate 11 .

도 2에 나타내는 유기 EL 소자(1)는, 보텀 이미션형이고, 오목부(70)에 백색광을 방사하는 화소가 형성되어 있고, 그의 하방, 예를 들면 평탄화막(4) 아래에, 상기 화소마다 대응하는, 적녹청 등의 각 색 컬러 필터(13)가 배치되어 있다. 상기 화소로부터 방사된 백색광은, 대응하는 컬러 필터(13)에 의해 투과 선택된 색광이 되어, 지지 기판(2)을 투과한다.The organic EL element 1 shown in Fig. 2 is of a bottom emission type, a pixel emitting white light is formed in a recess 70, and below the pixel, for example, under the planarization film 4, for each pixel. Corresponding color filters 13 for each color such as red, green, blue, or the like are arranged. The white light emitted from the pixel becomes the color light transmitted and selected by the corresponding color filter 13 , and passes through the supporting substrate 2 .

도 1 및 도 2에 있어서, 컬러 필터(13)를 형성하지 않고, 예를 들면 적녹청 등의 각 색을 화소마다 나누어 도포하여, 오목부(70)에 적녹청의 각 색 화소가 형성되어 있어도 좋다.1 and 2, even if the color filter 13 is not formed, for example, each color such as red, green, blue, and the like is applied separately for each pixel, and red, green, and blue pixels of each color are formed in the recesses 70 good.

<액정 표시 소자><Liquid crystal display element>

이하, 액정 표시 소자의 일 실시 태양으로서, 도 3에 기초하여 설명한다. 액정 표시 소자는, 예를 들면, 대향 배치된 2매의 기판, 이 기판 중 적어도 어느 것의 내면측에 적층된 표시 화소 및, 상기 기판 간에 배치된 액정층을 갖고 있고, 이것이 액정 셀이 된다.Hereinafter, an embodiment of the liquid crystal display device will be described with reference to FIG. 3 . A liquid crystal display element has, for example, two board|substrates which are opposingly arranged, the display pixel laminated|stacked on the inner surface side of at least either of these board|substrates, and the liquid crystal layer arrange|positioned between the said board|substrates, This becomes a liquid crystal cell.

액정 표시 소자(1a)는, 액티브 매트릭스형이다. 액정 표시 소자(1a)는, 표시 소자용 기판인 어레이 기판(15)과, 어레이 기판(15)에 대향 배치된 컬러 필터 기판(90)을 갖고, 양 기판(15, 90)의 주위에 형성된 시일재에 의해 양 기판(15, 90) 간에 액정이 봉지됨으로써 액정층(16)이 형성되어 있다.The liquid crystal display element 1a is of an active matrix type. The liquid crystal display element 1a has an array substrate 15 serving as a display element substrate, and a color filter substrate 90 disposed opposite to the array substrate 15, and a seal formed around both substrates 15 and 90 . The liquid crystal layer 16 is formed by sealing the liquid crystal between the substrates 15 and 90 by the ash.

어레이 기판(15)은, 복수의 화소가 배열된 표시 영역인 화소 영역에 있어서, 기판(21)과 층간 절연막(52)과 화소 전극(36)이 이 순서로 형성된 구조를 갖는다. 구체적으로는, 어레이 기판(15)은, 상기 화소 영역에 있어서, 절연성의 기판(21) 상에, 베이스 코팅막(22)과, 반도체층(23)과, 게이트 절연막(24)과, 게이트 전극(25)과, 무기 절연막(41)과, 제1 배선층(61)으로 이루어지는 소스 전극(34) 및 드레인 전극(35)과, 층간 절연막(52)과, 화소마다 형성된 화소 전극(36)과, 상기 화소 영역을 덮도록 형성된 배향막(37)이 기판(21)측으로부터 이 순서로 적층된 구조를 갖는다.The array substrate 15 has a structure in which a substrate 21 , an interlayer insulating film 52 , and a pixel electrode 36 are formed in this order in a pixel region that is a display region in which a plurality of pixels are arranged. Specifically, in the pixel region, the array substrate 15 includes a base coating film 22 , a semiconductor layer 23 , a gate insulating film 24 , and a gate electrode ( 25), an inorganic insulating film 41, a source electrode 34 and a drain electrode 35 made of a first wiring layer 61, an interlayer insulating film 52, a pixel electrode 36 formed for each pixel, and The alignment film 37 formed so as to cover the pixel region has a structure in which it is stacked in this order from the substrate 21 side.

이와 같이, 어레이 기판(15)을 구성하는 기판(21) 상에는, 반도체층(23), 게이트 절연막(24) 및 게이트 전극(25)을 포함하고, 또한 화소 스위칭 소자로서 기능하는 TFT(29)가 화소마다 직접 만들어져 있다. TFT(29)는, 소위 톱 게이트형의 TFT를 구성한다. 제1 배선층(61)으로 이루어지는 소스 전극(34) 및 드레인 전극(35)은, 무기 절연막(41)에 형성된 콘택트 홀(31f)을 통하여 반도체층(23)의 소스·드레인 영역에 접속되어 있다. 또한, 화소 전극(36)은, 층간 절연막(52)에 형성된 콘택트 홀(31g)을 통하여 제1 배선층(61)으로 이루어지는 드레인 전극(35)과 접속되어 있다.In this way, on the substrate 21 constituting the array substrate 15 , the TFT 29 including the semiconductor layer 23 , the gate insulating film 24 , and the gate electrode 25 , and functioning as a pixel switching element is formed. Each pixel is made by hand. The TFT 29 constitutes a so-called top gate type TFT. The source electrode 34 and the drain electrode 35 made of the first wiring layer 61 are connected to the source/drain region of the semiconductor layer 23 via a contact hole 31f formed in the inorganic insulating film 41 . Further, the pixel electrode 36 is connected to the drain electrode 35 made of the first wiring layer 61 through a contact hole 31g formed in the interlayer insulating film 52 .

배향막(37)은, 적어도 화소 영역을 덮도록, 어레이 기판(15)의 액정층(16)과 접하는 표면에 형성되어 있다.The alignment film 37 is formed on the surface of the array substrate 15 in contact with the liquid crystal layer 16 so as to cover at least the pixel region.

컬러 필터 기판(90)은, 화소 영역에 있어서, 절연성의 기판(91) 상에, 각 화소 사이에 형성된 차광 부재로 이루어지는 블랙 매트릭스(92)와, 화소마다 형성된 적, 녹 및 청의 컬러 필터(93)와, 투명 도전막으로 이루어지는 공통 전극(94)과, 배향막(95)이 기판(91)측으로부터 이 순서로 형성되어 있다.In the pixel region, the color filter substrate 90 includes a black matrix 92 comprising a light blocking member formed between each pixel on an insulating substrate 91, and red, green, and blue color filters 93 formed for each pixel. ), a common electrode 94 made of a transparent conductive film, and an alignment film 95 are formed in this order from the substrate 91 side.

액정 표시 소자(1a)를 구성하는 각 부재는, 각각, 종래 공지의 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 각 부재 중 절연막의 적어도 하나가, 본 발명의 조성물로 형성되어 있다. 예를 들면, 층간 절연막(52)은, 본 발명의 조성물로 형성되어 있다. 층간 절연막(52)의 막두께는, 절연 기능과 평탄화 기능을 충분히 발휘할 수 있는 1∼5㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2∼4㎛이다.Each member constituting the liquid crystal display element 1a can each be formed using a conventionally well-known material, and at least one of the insulating films among each member is formed from the composition of this invention. For example, the interlayer insulating film 52 is formed of the composition of the present invention. As for the film thickness of the interlayer insulating film 52, 1-5 micrometers which can fully exhibit an insulating function and a planarization function are preferable, More preferably, it is 2-4 micrometers.

(실시예)(Example)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되지 않는다. 이하의 실시예 등의 기재에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한, 「부(部)」는 「질량부」를 의미한다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on Examples, but the present invention is not limited to these Examples. In the description of Examples etc. below, unless otherwise indicated, "part" means "part by mass".

[중량 평균 분자량(Mw), 수 평균 분자량([Weight average molecular weight (Mw), number average molecular weight ( MnMn ) 및 분산도(Mw/) and dispersion (Mw/ MnMn )])]

수지의 Mw 및 Mn은, 토소사의 GPC 컬럼(G2000HXL 2개, G3000HXL 1개, G4000HXL 1개)을 이용하여, 하기 분석 조건으로 겔 투과 크로마토그래피법(GPC법)에 의해 측정했다. 분산도(Mw/Mn)는, Mw 및 Mn의 측정 결과로부터 산출했다.Mw and Mn of the resin were measured by gel permeation chromatography (GPC method) under the following analysis conditions using a GPC column (2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL) manufactured by Tosoh Corporation. The degree of dispersion (Mw/Mn) was calculated from the measurement results of Mw and Mn.

(분석 조건)(Analysis Conditions)

용출 용매: 테트라하이드로푸란Elution solvent: tetrahydrofuran

유량: 1.0mL/분Flow rate: 1.0 mL/min

시료 농도: 1.0질량%Sample concentration: 1.0% by mass

시료 주입량: 100μLSample injection volume: 100 μL

컬럼 온도: 40℃Column temperature: 40°C

검출기: 시차(示差) 굴절계Detector: Differential Refractometer

표준 물질: 단분산 폴리스티렌Standard material: monodisperse polystyrene

[[ 1313 C-NMR 분석]C-NMR analysis]

13C-NMR 분석은, 측정 용매를 중(重)클로로포름으로 하여, 분석 기기(니혼덴시사의 「JNM-EX400」)를 이용하여 행했다. 수지의 각 구조 단위의 함유 비율은, 13C-NMR 분석으로 얻어진 스펙트럼에 있어서의 각 구조 단위에 대응하는 피크의 면적비로부터 질량%로서 산출했다. 13 C-NMR analysis was performed using the analysis instrument ("JNM-EX400" manufactured by Nippon Electronics Co., Ltd.) using heavy chloroform as the measurement solvent. The content ratio of each structural unit of the resin was calculated as mass% from the area ratio of the peak corresponding to each structural unit in the spectrum obtained by 13 C-NMR analysis.

<알칼리 가용성 수지의 합성><Synthesis of alkali-soluble resin>

[[ 합성예Synthesis example 1] One]

냉각관 및 교반기를 구비한 플라스크에, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴) 10부 및 3-메톡시프로피온산 메틸 200부를 투입했다. 계속해서, 메타크릴산 10부, 3,4-에폭시사이클로헥실메틸메타크릴레이트 25부 및, 사이클로헥실아크릴레이트 65부를 투입했다. 질소 치환한 후, 천천히 교반을 시작했다. 용액의 온도를 75℃로 상승시키고, 이 온도를 5시간 보존유지함으로써 알칼리 가용성 수지 (A-1)을 포함하는 용액을 얻었다. 상기 용액의 고형분 농도는 34.2질량%이고, 수지 (A-1)의 Mw는 8,300, Mw/Mn은 2.0이었다.To a flask equipped with a cooling tube and a stirrer, 10 parts of 2,2'-azobis-(2,4-dimethylvaleronitrile) and 200 parts of methyl 3-methoxypropionate were charged. Then, 10 parts of methacrylic acid, 25 parts of 3, 4- epoxycyclohexyl methyl methacrylate, and 65 parts of cyclohexyl acrylates were thrown in. After nitrogen substitution, stirring was started slowly. The solution containing alkali-soluble resin (A-1) was obtained by raising the temperature of a solution to 75 degreeC, and preserving this temperature for 5 hours. Solid content concentration of the said solution was 34.2 mass %, Mw of resin (A-1) was 8,300, and Mw/Mn was 2.0.

[[ 합성예Synthesis example 2∼12] 2-12]

모노머로서 표 1에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 이용한 것 이외에는 합성예 1과 동일하게 조작하여, 알칼리 가용성 수지 (A-2)∼(A-12)를 포함하는 용액을 얻었다. 결과를 표 1에 나타낸다.A solution containing alkali-soluble resins (A-2) to (A-12) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that each component of the kind and compounding amount shown in Table 1 was used as a monomer. A result is shown in Table 1.

Figure 112017079751562-pat00005
Figure 112017079751562-pat00005

<조성물의 조제><Preparation of composition>

[[ 실시예Example 1] One]

수지 (A-1)을 함유하는 용액에, 수지 (A-1) 100부(고형분)에 상당하는 양에 대하여, 반응 개시제 (B-1) 4부, 반응 개시제 (B-2) 5부, 다관능 중합성 화합물 (C-1) 50부, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(토레·다우코닝사의 「XIAMETER(R) OFS-6030 SILANE」) 3부 및, 2,5-디-t-부틸하이드로퀴논(와코준야쿠코교사) 0.1부를 혼합하고, 얻어진 혼합물을 고형분 농도가 30질량%가 되도록 3-메톡시프로피온산 메틸과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 혼합 용매(질량비 50:50)에 용해시킨 후, 공경 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과하여, 수지 조성물 (S-1)을 조제했다.In a solution containing resin (A-1), 4 parts of reaction initiator (B-1), 5 parts of reaction initiator (B-2) with respect to an amount equivalent to 100 parts (solid content) of resin (A-1); 50 parts of polyfunctional polymerizable compound (C-1), 3 parts of methacryloxypropyltrimethoxysilane ("XIAMETER(R) OFS-6030 SILANE" manufactured by Toray Dow Corning) and 2,5-di-t- 0.1 part of butylhydroquinone (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) was mixed, and the obtained mixture was dissolved in a mixed solvent of methyl 3-methoxypropionate and propylene glycol monomethyl ether acetate (mass ratio of 50:50) so that the solid content concentration was 30% by mass. Then, it filtered with a membrane filter with a pore diameter of 0.2 micrometer, and the resin composition (S-1) was prepared.

[[ 실시예Example 2∼10 및 2 to 10 and 비교예comparative example 1∼3] 1-3]

수지 (A) 및 그 외의 수지, 반응 개시제 (B) 그리고 다관능 중합성 화합물 (C)에 대해서, 표 2에 나타내는 종류 및 배합량의 각 성분을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 조작하여, 수지 조성물 (S-2)∼(S-10) 및 (CS-1)∼(CS-3)을 조제했다.The resin (A) and other resins, the reaction initiator (B), and the polyfunctional polymerizable compound (C) were operated in the same manner as in Example 1 except that each component of the type and compounding amount shown in Table 2 was used, and the resin Compositions (S-2) to (S-10) and (CS-1) to (CS-3) were prepared.

표 2 중의 각 기호의 의미는 이하와 같다. The meaning of each symbol in Table 2 is as follows.

수지 (A) 및 그 외의 수지Resin (A) and other resins

A-1∼A-12: 합성예 1∼12에서 각각 합성한 수지A-1 to A-12: Resins synthesized in Synthesis Examples 1 to 12, respectively

반응 reaction 개시제initiator (B) (B)

B-1: ADEKA사의 「NCI-930」B-1: 「NCI-930」 from ADEKA

B-2: 1,2-옥탄디온,1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)](BASF사의 「이르가큐어 OXE01」)B-2: 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -2- (O-benzoyloxime)] (BASF's "Irgacure OXE01")

다관능multisensory 중합성polymeric 화합물 (C) compound (C)

C-1: 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트와 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트의 혼합물(닛폰카야쿠사의 「KAYARAD DPHA」)C-1: a mixture of dipentaerythritol hexaacrylate and dipentaerythritol pentaacrylate ("KAYARAD DPHA" by Nippon Kayaku Corporation)

C-2: 1,9-노난디올디아크릴레이트(교에이샤카가쿠사의 「라이트아크릴레이트1,9ND-A」)C-2: 1,9-nonanediol diacrylate (“Light acrylate 1,9ND-A” by Kyoei Sha Chemicals)

<평가><Evaluation>

실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물로 절연막을 형성하고, 이하에 설명하는 수법에 따라 저(低)아웃 가스성, 네거티브형 방사선 감도, 네거티브형 해상성, 현상 밀착성, 화학 약품 내성, 광 투과성 및 내열 광 투과성을 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.An insulating film was formed from the resin compositions obtained in Examples and Comparative Examples, and in accordance with the method described below, low outgas properties, negative radiation sensitivity, negative resolution, development adhesion, chemical resistance, light transmittance and Heat-resistant light transmittance was evaluated. Table 2 shows the evaluation results.

[저(低)[I (低) 아웃가스성outgas castle ]]

실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 90℃에서 2분간 프리베이킹하여, 도막을 형성했다. 이어서, 노광기(캐논사의 「PLA-501F」: 초고압 수은 램프를 사용)를 이용하여, 노광량을 400J/㎡로 도막의 노광을 행했다. 이어서, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여, 퍼들법에 의해 25℃에서 현상 처리를 행했다. 현상 처리의 시간은 100초였다. 현상 처리 후, 초순수에서 1분간, 도막의 유수 세정을 행하고, 건조시켜 실리콘 기판 상에 패턴을 형성했다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 230℃에서 30분 가열하여, 막두께 2.0㎛의 절연막을 얻었다.After apply|coating the resin composition obtained by the Example and the comparative example using a spinner on a silicon substrate, it prebaked at 90 degreeC for 2 minute(s) on a hotplate, and the coating film was formed. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 400 J/m 2 using an exposure machine ("PLA-501F" by Canon Corporation: an ultra-high pressure mercury lamp was used). Next, using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) of 2.38 mass % density|concentration, the development process was performed at 25 degreeC by the Puddle method. The time of the developing treatment was 100 seconds. After the developing treatment, the coating film was washed with running water for 1 minute in ultrapure water and dried to form a pattern on the silicon substrate. This silicon substrate was heated at 230 degreeC for 30 minutes in a clean oven, and the insulating film with a film thickness of 2.0 micrometers was obtained.

절연막 실리콘 기판을 1㎝×5㎝편(片)으로 절단하고, 절단한 실리콘 기판 4매에 대해서, 실리콘 웨이퍼 애널라이저 장치(니혼분세키코교사의 「가열 탈착 장치 JTD-505」, 시마즈세이사쿠쇼사의 「가스 크로마토그래피 질량 분석계 GCMS-QP2010Plus」)를 이용하여, 승온 속도 10℃/분으로 230℃로 올리고, 동(同) 온도에서 15분 보존유지했을 때의 아웃 가스량(ng/㎠)을 구했다.The insulating film silicon substrate was cut into 1 cm × 5 cm pieces, and for the four cut silicon substrates, a silicon wafer analyzer device (“Heat/Desorption Device JTD-505” manufactured by Nippon Bun Seki Kogyo Co., Ltd., Shimadzu Corporation) Using "Gas Chromatography Mass Spectrometer GCMS-QP2010Plus"), the amount of outgas (ng/cm 2 ) when the temperature was raised to 230° C. at a temperature increase rate of 10° C./min and stored and maintained at the same temperature for 15 minutes was determined.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 200ng/㎠ 미만A: Less than 200ng/cm2

B: 200ng/㎠ 이상 600ng/㎠ 미만B: 200ng/cm2 or more and less than 600ng/cm2

C: 600ng/㎠ 이상C: 600ng/cm2 or more

[[ 네거티브형negative 방사선 감도] radiation sensitivity]

실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 유리 기판(코닝사의 「코닝 7059」) 상에 스피너를 이용하여 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 90℃에서 2분간 프리베이킹하여, 막두께 4.0㎛의 도막을 형성했다.The resin compositions obtained in Examples and Comparative Examples were coated on a glass substrate (“Corning 7059” by Corning Corporation) using a spinner, and then prebaked on a hot plate at 90° C. for 2 minutes to form a coating film having a thickness of 4.0 μm. did.

이어서, 노광기(캐논사의 「PLA-501F」: 초고압 수은 램프를 사용)를 이용하여, 노광량을 변화시키고, 복수의 직사각형 차광부(10㎛×10㎛)를 갖는 패턴 마스크를 통하여 도막의 노광을 행했다. 이어서, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여, 퍼들법에 의해 25℃에서 현상 처리를 행했다. 현상 처리의 시간은 100초였다. 현상 처리 후, 초순수에서 1분간, 도막의 유수 세정을 행하고, 건조시켜, 유리 기판 상에 패턴을 형성했다. 이 유리 기판을 클린 오븐 내에서 230℃에서 30분 가열하여, 절연막을 얻었다.Next, using an exposure machine ("PLA-501F" by Canon Corporation: using an ultra-high pressure mercury lamp), the exposure amount was changed, and the coating film was exposed through a pattern mask having a plurality of rectangular light-shielding portions (10 µm × 10 µm). . Next, using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) of 2.38 mass % density|concentration, the development process was performed at 25 degreeC by the Puddle method. The time of the developing treatment was 100 seconds. After the developing treatment, the coating film was washed with running water for 1 minute in ultrapure water and dried to form a pattern on the glass substrate. This glass substrate was heated at 230 degreeC in clean oven for 30 minutes, and the insulating film was obtained.

절연막의 막두께에 대해서, 하기식으로 나타나는 잔막률(패턴 형상 박막이 적정하게 잔존하는 비율)이 85% 이상이 되는 노광량을 감도로서 구하고, 이하의 기준에 따라 감도를 평가했다.About the film thickness of an insulating film, the exposure amount used as 85 % or more of the residual film ratio (ratio which a patterned thin film remains appropriately) represented by the following formula was calculated|required as a sensitivity, and the following criteria evaluated sensitivity.

잔막률(%)=(현상 후 막두께/현상 전 막두께)×100Remaining film rate (%) = (film thickness after development / film thickness before development) x 100

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 400J/㎡ 이하A: 400J/㎡ or less

B: 400J/㎡를 초과하여 600J/㎡ 이하B: Exceeding 400J/m2 and less than or equal to 600J/m2

[[ 네거티브형negative 해상성]resolution]

노광량을 400J/㎡로 한 것 이외에는 방사선 감도의 평가와 동일하게 하여 관통공을 갖는 절연막을 형성하고, 이 절연막의 관통공의 최소 지름을 광학 현미경으로 관찰했다. 해상성은, 이하의 기준에 따라 평가했다.An insulating film having a through hole was formed in the same manner as in the evaluation of radiation sensitivity except that the exposure amount was 400 J/m 2 , and the minimum diameter of the through hole of the insulating film was observed with an optical microscope. Resolution was evaluated according to the following criteria.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 관통공의 최소 지름이 10㎛ 이상A: The minimum diameter of the through hole is 10 µm or more

B: 관통공의 최소 지름이 8㎛ 이상 10㎛ 미만B: The minimum diameter of the through hole is 8 µm or more and less than 10 µm

C: 관통공의 최소 지름이 5㎛ 이상 8㎛ 미만C: The minimum diameter of the through hole is 5 µm or more and less than 8 µm

[현상 밀착성][Development Adhesion]

라인·앤드·스페이스비(L/S)가 1:1(5∼40㎛의 라인 폭과 동 사이즈의 스페이스 폭)인 마스크를 이용하여, 노광량을 400J/㎡로 한 것 이외에는 방사선 감도의 평가와 동일하게 하여 절연막을 형성했다. 이 절연막에 대해서, 현상 후에 박리하지 않고 남는 라인의 최소 폭을 광학 현미경으로 관찰하여, 이하의 기준에 따라 현상 밀착성을 평가했다.Using a mask with a line-and-space ratio (L/S) of 1:1 (a line width of 5 to 40 µm and a space width of the same size), the radiation sensitivity was evaluated and In the same manner, an insulating film was formed. About this insulating film, the minimum width of the line which remained without peeling after image development was observed with the optical microscope, and image development adhesiveness was evaluated according to the following criteria.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 최소 폭이 10㎛ 미만A: The minimum width is less than 10㎛

B: 최소 폭이 10㎛ 이상 30㎛ 미만B: Minimum width 10㎛ or more and less than 30㎛

[화학 약품 내성][Chemical resistance]

실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 실리콘 기판 상에 스피너를 이용하여 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 90℃에서 2분간 프리베이킹하여, 도막을 형성했다. 이어서, 노광기(캐논사의 「PLA-501F」: 초고압 수은 램프를 사용)를 이용하여, 노광량을 400J/㎡로 도막의 노광을 행했다. 이어서, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여, 퍼들법에 의해 25℃에서 현상 처리를 행했다. 현상 처리의 시간은 100초였다. 현상 처리 후, 초순수에서 1분간, 도막의 유수 세정을 행하고, 건조시켰다. 이 실리콘 기판을 클린 오븐 내에서 230℃에서 30분 가열하여, 막두께 4.0㎛의 절연막을 얻었다. 이것을 65℃로 가열한 N-메틸-2-피롤리돈에 6분간 침지하고, 침지 후 초순수에서 5초간, 절연막의 유수 세정을 행하고, 건조시켰다. 처리 후의 절연막의 막두께를, 촉침식 막두께계를 이용하여 측정했다. 하기식에 따라 N-메틸-2-피롤리돈 팽윤율(%)을 산출하고, 하기 기준에 따라 화학 약품 내성을 평가했다.After apply|coating the resin composition obtained by the Example and the comparative example using a spinner on a silicon substrate, it prebaked at 90 degreeC for 2 minute(s) on a hotplate, and the coating film was formed. Next, the coating film was exposed at an exposure amount of 400 J/m 2 using an exposure machine ("PLA-501F" by Canon Corporation: an ultra-high pressure mercury lamp was used). Next, using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) of 2.38 mass % density|concentration, the development process was performed at 25 degreeC by the Puddle method. The time of the developing treatment was 100 seconds. After the developing treatment, the coating film was washed with running water for 1 minute in ultrapure water and dried. This silicon substrate was heated at 230 degreeC for 30 minutes in a clean oven, and the insulating film with a film thickness of 4.0 micrometers was obtained. This was immersed in N-methyl-2-pyrrolidone heated to 65° C. for 6 minutes, and after immersion, the insulating film was washed in running water for 5 seconds in ultrapure water and dried. The film thickness of the insulating film after the treatment was measured using a stylus type film thickness meter. N-methyl-2-pyrrolidone swelling ratio (%) was calculated according to the following formula, and chemical resistance was evaluated according to the following criteria.

N-메틸-2-피롤리돈 팽윤율(%)N-methyl-2-pyrrolidone swelling ratio (%)

=100×{(침지 후의 잔막(㎛)-침지 전의 잔막(㎛))/침지 전의 잔막(㎛)}=100 x {(remaining film after immersion (μm) - remaining film before immersion (μm)) / remaining film before immersion (μm)}

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 3% 미만A: Less than 3%

B: 3% 이상 5% 미만B: 3% or more and less than 5%

C: 5% 이상C: 5% or more

[광 투과성 및 내열 광 투과성][Light transmittance and heat-resistant light transmittance]

실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 유리 기판(코닝사의 「코닝 7059」) 상에 스피너를 이용하여 도포한 후, 핫 플레이트 상에서 90℃에서 2분간 프리베이킹하여, 도막을 형성했다.After apply|coating the resin composition obtained by the Example and the comparative example using a spinner on a glass substrate ("Corning 7059" by Corning Corporation), it prebaked at 90 degreeC for 2 minute(s) on a hotplate, and formed the coating film.

이어서, 노광기(캐논사의 「PLA-501F」: 초고압 수은 램프를 사용)를 이용하여, 노광량 400J/㎡로 도막의 노광을 행했다. 이어서, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여, 퍼들법에 의해 25℃에서 현상 처리를 행했다. 현상 처리의 시간은 100초였다. 또한 클린 오븐 내에서 230℃에서 30분 가열함으로써, 막두께 3.0㎛의 경화막 A를 얻었다. 이 경화막 A를, 추가로 클린 오븐 내에서 230℃에서 5시간 가열함으로써, 경화막 B를 얻었다.Subsequently, the coating film was exposed at an exposure amount of 400 J/m 2 using an exposure machine ("PLA-501F" by Canon Corporation: an ultra-high pressure mercury lamp was used). Next, using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) of 2.38 mass % density|concentration, the development process was performed at 25 degreeC by the Puddle method. The time of the developing treatment was 100 seconds. Furthermore, the cured film A with a film thickness of 3.0 micrometers was obtained by heating at 230 degreeC for 30 minutes in clean oven. The cured film B was obtained by heating this cured film A at 230 degreeC for 5 hours further within a clean oven.

경화막 A 또는 경화막 B가 형성된 유리 기판에 대해서, 분광 광도계(히타치세이사쿠쇼사의 「150-20형 더블빔」)를 이용하여 파장 400∼800㎚의 범위의 광 투과율(광선 투과율)을 측정하고, 각 유리 기판에 대해서, 파장 400∼800㎚의 범위의 광 투과율의 최저값(경화막 A에 대해서 최저 광 투과율, 경화막 B에 대해서 최저 내열 광 투과율이라고도 칭함)을 평가했다. 최저 광 투과율 및 최저 내열 광 투과율을 표 2에 나타낸다.About the glass substrate on which the cured film A or the cured film B was formed, the light transmittance (light transmittance) of the range of wavelength 400-800 nm is measured using the spectrophotometer ("150-20 type double beam" by Hitachi Seisakusho) And about each glass substrate, the minimum value (it also called the minimum light transmittance with respect to the cured film A and the minimum heat-resistant light transmittance with respect to the cured film B) of the light transmittance of the range of wavelength 400-800 nm was evaluated. Table 2 shows the lowest light transmittance and the lowest heat-resistant light transmittance.

<액정 표시 소자의 제조와 발포 내성 및 전압 보전율의 평가><Production of liquid crystal display element and evaluation of foaming resistance and voltage retention rate>

[발포 내성의 평가][Evaluation of foam resistance]

본 실시예에서는, 적절히 공지의 방법을 이용하여, 도 3의 액정 표시 소자(1a)와 동일한 구조를 갖는 액티브 매트릭스형의 VA 모드의 컬러 액정 표시 소자를 제조했다.In this Example, an active matrix type VA mode color liquid crystal display element having the same structure as that of the liquid crystal display element 1a of FIG. 3 was manufactured using a well-known method suitably.

먼저, 액정 표시 소자를 구성하는 어레이 기판의 제조를 행했다. 제조되는 어레이 기판이 전술한 도 3의 TFT(29)와 동일한 TFT를 갖도록, 먼저, 공지의 방법에 따라, 무알칼리 유리로 이루어지는 절연성의 유리 기판 상에, p-Si로 이루어지는 반도체층을 갖는 TFT나 전극, 배선 등 및, SiN으로 이루어지는 무기 절연막을 배치하여, TFT를 갖는 기판을 준비했다. 따라서, 본 실시예에 있어서, 어레이 기판의 TFT는, 유리 기판 상에서, 통상의 반도체막 성막 및 공지의 절연층 형성 등과, 포토리소그래피법에 의한 에칭을 반복하는 등 하여, 공지의 방법에 따라 형성된 것이다.First, the array substrate which comprises a liquid crystal display element was manufactured. First, according to a known method, a TFT having a semiconductor layer made of p-Si on an insulating glass substrate made of alkali-free glass so that the array substrate to be manufactured has the same TFT as the TFT 29 of FIG. 3 described above. A substrate having a TFT was prepared by arranging bare electrodes, wiring, and the like, and an inorganic insulating film made of SiN. Accordingly, in the present embodiment, the TFT of the array substrate is formed according to a known method on a glass substrate by repeating the normal semiconductor film formation and known insulating layer formation, and the like, and repeating the etching by the photolithography method. .

이어서, 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 사용하여, 준비된 TFT를 갖는 기판 상에 슬릿 다이 코터로 도포했다. 이어서, 핫 플레이트 상에서, 90℃에서 100초간 프리베이킹하고, 유기 용매 등을 증발시켜 도막을 형성했다. 이어서, UV(자외) 노광기(TOPCON Deep-UV 노광기 TME-400PRJ)를 이용하여, 소정의 패턴이 형성 가능한 패턴 마스크를 통하여, UV 광을 1000J/㎡ 조사했다. 그 후, 2.38질량% 농도의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액(현상액)을 이용하여, 퍼들법에 의해, 25℃에서 100초간의 현상 처리를 행했다. 현상 처리 후, 초순수에서 1분간, 도막의 유수 세정을 행하고, 건조시켜 기판 상에 패터닝된 도막을 형성한 후, 오븐에서 230℃로 30분간 가열(포스트베이킹)하여 경화시키고, 기판 상에 경화막을 형성하여, 막두께 4.0㎛의 층간 절연막으로 했다. 기판 상의 층간 절연막에는, 패터닝에 의해 콘택트 홀을 형성했다.Next, using the resin composition obtained in the Example and the comparative example, it apply|coated with the slit-die coater on the board|substrate with the prepared TFT. Next, on a hot plate, it prebaked at 90 degreeC for 100 second, the organic solvent etc. were evaporated, and the coating film was formed. Next, using a UV (ultraviolet) exposure machine (TOPCON Deep-UV exposure machine TME-400PRJ), 1000 J/m 2 of UV light was irradiated through a pattern mask in which a predetermined pattern can be formed. Then, using the tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (developing solution) of 2.38 mass % density|concentration, the development process for 100 second was performed by the puddle method at 25 degreeC. After the development treatment, the coating film is washed in running water for 1 minute in ultrapure water, dried to form a patterned coating film on the substrate, and then heated (post-baked) in an oven at 230°C for 30 minutes (post-baking) to cure, and the cured film on the substrate formed to obtain an interlayer insulating film having a thickness of 4.0 µm. A contact hole was formed in the interlayer insulating film on the substrate by patterning.

이어서, 층간 절연막 상에, ITO로 이루어지는 막을, 스퍼터링법을 이용하여 성막하고, 포토리소그래피법을 이용한 패터닝에 의해 화소 전극을 형성했다. 형성된 화소 전극은, 콘택트 홀을 통하여, TFT에 접속시켰다.Next, on the interlayer insulating film, a film made of ITO was formed using a sputtering method, and a pixel electrode was formed by patterning using a photolithography method. The formed pixel electrode was connected to the TFT through a contact hole.

이상과 같이 하여, 어레이 기판을 제조했다.As described above, an array substrate was manufactured.

이어서, 공지의 방법에 의해 제조된 컬러 필터 기판을 준비했다. 이 컬러 필터 기판은, 투명한 유리 기판 상에 적색의 컬러 필터, 녹색의 컬러 필터 및 청색의 컬러 필터와, 블랙 매트릭스가 격자 형상으로 배치되어 컬러 필터가 형성되고, 그 컬러 필터의 위에는, 컬러 필터의 평탄화층이 되는 절연막이 형성된 것이었다. 그리고 추가로, 그 절연막의 위에는, ITO로 이루어지는 투명한 공통 전극이 형성되어 있었다.Next, the color filter board|substrate manufactured by a well-known method was prepared. In this color filter substrate, a red color filter, a green color filter and a blue color filter, and a black matrix are arranged in a grid shape on a transparent glass substrate to form a color filter, and on the color filter, the color filter An insulating film serving as a planarization layer was formed. In addition, on the insulating film, a transparent common electrode made of ITO was formed.

다음으로, 제조된 어레이 기판의 TFT의 배치면 및 컬러 필터 기판의 컬러 필터의 배치면에, 각각 액정 배향제(상품명 JALS2095-S2, JSR(주) 제조)를, 스피너를 이용하여 도포하고, 80℃에서 1분간, 그 후 180℃에서 1시간 가열함으로써, 막두께 60㎚의 배향막을 형성하여, 배향막이 있는 어레이 기판 및 배향막이 있는 컬러 필터 기판을 제조했다.Next, a liquid crystal aligning agent (trade name: JALS2095-S2, manufactured by JSR Co., Ltd.) is applied to each of the TFT arrangement surface of the array substrate and the color filter arrangement surface of the color filter substrate using a spinner, 80 An alignment film having a film thickness of 60 nm was formed by heating at deg. C for 1 minute and then at 180 deg. C for 1 hour to prepare an array substrate with an alignment film and a color filter substrate with an alignment film.

다음으로, 각 기판의 화소 영역의 외주(外周)에 자외선 경화형의 시일재를 도포한 후, 디스펜서를 이용하여, 시일재의 내측에, 부(負)의 유전율 이방성을 갖는 네마틱 액정에 광 중합성을 갖는 중합성 성분을 첨가하여 조제된 중합성 액정 조성물을 적하했다.Next, after applying an ultraviolet curable sealing material to the outer periphery of the pixel region of each substrate, using a dispenser, photopolymerizable to a nematic liquid crystal having negative dielectric anisotropy on the inside of the sealing material The polymerizable liquid crystal composition prepared by adding the polymerizable component which has

그 후, 진공 중에서, 중합성 액정 조성물이 적하된 어레이 기판에 컬러 필터 기판을 접합했다. 다음으로, 시일재의 도포 영역을 따라 UV 광원을 이동시키면서 UV 광을 시일재에 조사하여, 시일재를 경화시켰다. 이와 같이 하여, 대향하는 어레이 기판과 컬러 필터 기판의 사이에 중합성 액정 조성물을 충전 및 봉지하여, 중합성 액정 조성물의 층을 형성했다.Then, the color filter board|substrate was bonded together to the array board|substrate to which the polymeric liquid crystal composition was dripped in vacuum. Next, UV light was irradiated to the sealing material while moving the UV light source along the application area of the sealing material to harden the sealing material. In this way, the polymerizable liquid crystal composition was filled and sealed between the opposing array substrate and the color filter substrate to form a layer of the polymerizable liquid crystal composition.

다음으로, 어레이 기판의 TFT가 온(on)이 되는 전압을 TFT의 게이트 전극에 인가한 상태로 TFT의 소스 전극과 컬러 필터 기판 상의 공통 전극의 사이에 교류 전압을 인가하여, 중합성 액정 조성물의 층의 액정을 경사 배향시켰다. 이어서, 액정이 경사 배향하는 상태를 유지한 채로, 초고압 수은 램프를 이용하여, 중합성 액정 조성물의 층에 어레이 기판측으로부터 자외광을 조사하여, 액정이 소정의 방향으로 프리틸트각을 형성하여 거의 수직으로 배향하여 이루어지는 액정층을 형성했다.Next, by applying an alternating voltage between the source electrode of the TFT and the common electrode on the color filter substrate in a state in which the voltage at which the TFT of the array substrate turns on is applied to the gate electrode of the TFT, the polymerizable liquid crystal composition The liquid crystals in the layer were oriented obliquely. Then, while maintaining the state in which the liquid crystal is oriented in an oblique orientation, ultraviolet light is irradiated to the layer of the polymerizable liquid crystal composition using an ultra-high pressure mercury lamp from the side of the array substrate, so that the liquid crystal forms a pretilt angle in a predetermined direction. A liquid crystal layer formed by vertically aligning was formed.

이상과 같이 하여, VA 모드의 컬러 액정 표시 소자를 제조했다.As mentioned above, the color liquid crystal display element of VA mode was manufactured.

다음으로, 제조된 액정 표시 소자를 이용하여, 고온(80℃)의 상태로 충격을 부여하여, 화소 중에서의 발포의 유무를 확인했다. 액정 표시 소자로의 충격은, 쇠구슬(5.5g)을 액정 표시 소자의 상방 30㎝로부터 낙하시킴으로써 부여했다. 충격의 부여에 의해, 액정 표시 소자의 화소 중에, 발포가 전혀 발생하지 않는 것을 「매우 양호」로, 발포하기는 하지만 기포의 밀도가 적은 것을 「양호」로, 기포의 밀도가 큰 것을 「불량」으로 하여 평가했다. 평가의 결과는, 매우 양호를 A, 양호를 B, 불량을 C로 했다.Next, using the manufactured liquid crystal display element, the impact was given in the state of high temperature (80 degreeC), and the presence or absence of foaming in a pixel was confirmed. The impact to a liquid crystal display element was provided by making the iron ball (5.5 g) fall from 30 cm above the liquid crystal display element. In the pixel of the liquid crystal display element by the application of an impact, a thing in which foaming does not occur at all is "very good", a thing which foams but has little bubble density is "good", and a thing with a large bubble density is "poor". was evaluated as As for the result of evaluation, A was made into very favorable, B was made into good, and bad was made into C.

[전압 보전율][Voltage retention rate]

표면에 나트륨 이온의 용출을 방지하는 SiO2막이 형성되고, 추가로 ITO(인듐-산화 주석 합금) 전극을 소정 형상으로 증착한 소다 유리 기판 상에, 실시예 및 비교예에서 얻어진 수지 조성물을 스핀 코팅한 후, 90℃의 클린 오븐 내에서 10분간 프리베이킹을 행하여, 막두께 2.0㎛의 도막을 형성했다. 이어서, 포토마스크를 통하지 않고, 도막에 400J/㎡의 노광량으로 노광했다. 그 후, 230℃에서 30분간 포스트베이킹을 행하여 도막을 경화시켰다. 이어서, 이 화소를 형성한 기판과 ITO 전극을 소정 형상으로 증착만 한 기판을, 0.8mm의 유리 비즈를 혼합한 시일제로 접합한 후, 메르크제 액정 MLC 6608을 주입하여, 액정 셀을 제작했다. 추가로, 액정 셀을 60℃의 항온층에 넣어, 액정 셀의 전압 보전율을, 액정 전압 보전율 측정 시스템(VHR-1A형, 도요테크니카사)에 의해 측정했다. 이때의 인가 전압은 5.5V의 방형파, 측정 주파수는 60㎐이다. 전압 보전율(%)이란, 하기식으로부터 구해지는 값이다.A SiO 2 film is formed on the surface to prevent elution of sodium ions, and the resin composition obtained in Examples and Comparative Examples is spin coated on a soda glass substrate on which an ITO (indium-tin oxide alloy) electrode is deposited in a predetermined shape. After carrying out, prebaking was performed for 10 minutes in 90 degreeC clean oven, and the coating film with a film thickness of 2.0 micrometers was formed. Next, it exposed to the coating film with the exposure amount of 400 J/m<2> without passing through the photomask. Then, post-baking was performed at 230 degreeC for 30 minute(s), and the coating film was hardened. Next, after bonding the board|substrate which formed this pixel and the board|substrate which vapor-deposited only the ITO electrode in the predetermined shape with the sealing compound which mixed 0.8 mm glass beads, Merck liquid crystal MLC 6608 was inject|poured, and the liquid crystal cell was produced. Furthermore, the liquid crystal cell was put into a 60 degreeC constant temperature layer, and the voltage retention of a liquid crystal cell was measured with the liquid crystal voltage retention measuring system (VHR-1A type, Toyo Technica Corporation). The applied voltage at this time is a square wave of 5.5 V, and the measurement frequency is 60 Hz. Voltage retention (%) is a value calculated|required from a following formula.

전압 보전율(%)Voltage retention rate (%)

=(16.7밀리초 후의 액정 셀 전위차/0밀리초에서 인가한 전압)×100= (voltage applied at liquid crystal cell potential difference after 16.7 milliseconds/0 milliseconds) x 100

액정 셀의 전압 보전율이 90% 미만이면, 액정 셀은 16.7밀리초의 시간, 인가 전압을 소정 레벨로 유지할 수 없어, 충분히 액정을 배향시킬 수 없는 것을 의미하고, 잔상 등의 「번인」을 일으킬 우려가 높다.When the voltage retention of the liquid crystal cell is less than 90%, the liquid crystal cell cannot maintain the applied voltage at a predetermined level for a time of 16.7 milliseconds, meaning that the liquid crystal cannot be sufficiently oriented, and there is a risk of causing "burn-in" such as an afterimage high.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 95% 이상A: 95% or more

B: 90% 이상 95% 미만B: 90% or more and less than 95%

C: 90% 미만C: less than 90%

비교예 1의 절연막은, 저아웃 가스성, 발포 내성 및 전압 보전율이 뒤떨어져 있고, 비교예 2의 절연막은, 저아웃 가스성이 뒤떨어져 있고, 또한 비교예 3의 절연막은, 화학 약품 내성 및 전압 보전율이 뒤떨어져 있었다. 본 발명은, 저아웃 가스성, 화학 약품 내성, 광 투과율, 내열 광 투과율, 발포 내성 및 전압 보전율이 우수한 절연막을 제공할 수 있다. 따라서, 본 발명에서의 절연막은, 예를 들면 표시 소자가 갖는 평탄화막이나 층간 절연막으로서 적합하게 이용할 수 있다.The insulating film of Comparative Example 1 was inferior in low outgassing property, foaming resistance and voltage retention ratio, the insulating film of Comparative Example 2 was inferior in low outgassing property, and the insulating film of Comparative Example 3 had chemical resistance and voltage retention ratio. this was behind The present invention can provide an insulating film excellent in low outgas properties, chemical resistance, light transmittance, heat-resistant light transmittance, foaming resistance, and voltage retention. Accordingly, the insulating film in the present invention can be suitably used, for example, as a planarization film or an interlayer insulating film included in a display element.

Figure 112017079751562-pat00006
Figure 112017079751562-pat00006

1 : 유기 EL 소자
2 : 지지 기판
3 : 박막 트랜지스터(TFT)
4 : 평탄화막
5 : 제1 전극으로서의 양극
6 : 스루홀
7 : 격벽
8 : 유기 발광층
9 : 제2 전극으로서의 음극
10 : 패시베이션막
11 : 봉지 기판
12 : 봉지층
13 : 컬러 필터
14 : 블랙 매트릭스
70 : 오목부
1a : 액정 표시 소자
15 : 어레이 기판
16 : 액정층
21, 91 : 기판
22 : 베이스코팅막
23 : 반도체층
24 : 게이트 절연막
25 : 게이트 전극
29 : TFT
31f, 31g : 콘택트 홀
34 : 소스 전극
35 : 드레인 전극
36 : 화소 전극
37, 95 : 배향막
41 : 무기 절연막
52 : 층간 절연막
61 : 제1 배선층
90 : 컬러 필터 기판
92 : 블랙 매트릭스
93 : 컬러 필터
94 : 공통 전극
1: organic EL element
2: support substrate
3: thin film transistor (TFT)
4: planarization film
5: Anode as first electrode
6: Through hole
7: bulkhead
8: organic light emitting layer
9: cathode as second electrode
10: passivation film
11: encapsulation substrate
12: encapsulation layer
13 : color filter
14 : Black Matrix
70: recess
1a: liquid crystal display element
15: array substrate
16: liquid crystal layer
21, 91: substrate
22: base coating film
23: semiconductor layer
24: gate insulating film
25: gate electrode
29: TFT
31f, 31g: contact hole
34: source electrode
35: drain electrode
36: pixel electrode
37, 95: alignment layer
41: inorganic insulating film
52: interlayer insulating film
61: first wiring layer
90: color filter substrate
92: Black Matrix
93: color filter
94: common electrode

Claims (9)

식 (A1)로 나타나는 구조 단위 (A1)과 환상 에테르기를 포함하는 구조 단위 (A2)를 갖고, 상기 구조 단위 (A1)의 함유량이 전체 구조 단위 100질량% 중 30질량% 이상인 수지 (A),
반응 개시제 (B)로서의 라디칼 중합 개시제 및,
다관능 중합성 화합물 (C)
를 함유하고,
평탄화막 또는 층간 절연막의 형성에 이용되는 것을 특징으로 하는 조성물:
Figure 112021117615345-pat00007

[식 (A1) 중, R1은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 할로겐 원자이고, R2는 치환기를 가져도 좋은 탄화수소기이지만, 단 환상 에테르기를 포함하는 기는 아님].
Resin (A) having a structural unit (A1) represented by formula (A1) and a structural unit (A2) containing a cyclic ether group, wherein the content of the structural unit (A1) is 30% by mass or more in 100% by mass of all structural units;
a radical polymerization initiator as the reaction initiator (B); and
Polyfunctional polymerizable compound (C)
contains,
A composition characterized in that it is used for the formation of a planarization film or an interlayer insulating film:
Figure 112021117615345-pat00007

[In formula (A1), R 1 is each independently a hydrogen atom or a halogen atom, and R 2 is a hydrocarbon group which may have a substituent, provided that it is not a group containing a cyclic ether group].
제1항에 있어서,
상기식 (A1) 중의 R2가, 치환기를 가져도 좋은 환상 탄화수소기인 조성물.
According to claim 1,
A composition in which R 2 in the formula (A1) is a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent.
제2항에 있어서,
상기 환상 탄화수소기가, 단환 탄화수소기, 가교환 탄화수소기 및 스피로 탄화수소기로부터 선택되는 적어도 1종의 지환식 탄화수소기인 조성물.
3. The method of claim 2,
The composition wherein the cyclic hydrocarbon group is at least one alicyclic hydrocarbon group selected from a monocyclic hydrocarbon group, a cross-linked hydrocarbon group and a spiro hydrocarbon group.
제1항에 있어서,
상기 구조 단위 (A2) 중의 환상 에테르기가, 에폭시환 및 옥세탄환으로부터 선택되는 적어도 1종인 조성물.
According to claim 1,
The composition in which the cyclic ether group in the said structural unit (A2) is at least 1 sort(s) chosen from an epoxy ring and an oxetane ring.
제1항에 있어서,
상기 수지 (A)가, 알칼리 가용성 수지인 조성물.
According to claim 1,
The composition in which the said resin (A) is alkali-soluble resin.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 조성물로 형성된 평탄화막 또는 층간 절연막인 경화막.A cured film which is a planarization film or an interlayer insulating film formed from the composition of any one of claims 1 to 5. 제6항에 있어서,
표시 소자 또는 조명 소자용으로서, 평탄화막 또는 층간 절연막인 경화막.
7. The method of claim 6,
A cured film which is a planarization film or an interlayer insulating film for use in a display element or a lighting element.
제6항의 평탄화막 또는 층간 절연막인 경화막을 갖는 유기 EL 소자.An organic EL device having a cured film which is the planarization film or interlayer insulating film according to claim 6 . 제6항의 평탄화막 또는 층간 절연막인 경화막을 갖는 액정 표시 소자.The liquid crystal display element which has a cured film which is the planarization film of Claim 6 or an interlayer insulating film.
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