KR102388192B1 - 경화성 조성물 및 그 경화물 - Google Patents

경화성 조성물 및 그 경화물 Download PDF

Info

Publication number
KR102388192B1
KR102388192B1 KR1020207027915A KR20207027915A KR102388192B1 KR 102388192 B1 KR102388192 B1 KR 102388192B1 KR 1020207027915 A KR1020207027915 A KR 1020207027915A KR 20207027915 A KR20207027915 A KR 20207027915A KR 102388192 B1 KR102388192 B1 KR 102388192B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
aromatic
compound
preferable
unsaturated bond
Prior art date
Application number
KR1020207027915A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200128092A (ko
Inventor
가즈히사 야모토
유타카 사토우
고지 하야시
Original Assignee
디아이씨 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 디아이씨 가부시끼가이샤 filed Critical 디아이씨 가부시끼가이샤
Publication of KR20200128092A publication Critical patent/KR20200128092A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102388192B1 publication Critical patent/KR102388192B1/ko

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/44Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F283/00Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G
    • C08F283/06Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G on to polyethers, polyoxymethylenes or polyacetals
    • C08F283/08Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers provided for in subclass C08G on to polyethers, polyoxymethylenes or polyacetals on to polyphenylene oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18Manufacture of films or sheets
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Dental Preparations (AREA)

Abstract

경화물에 있어서의 내열성 및 유전 특성이 우수한 경화성 조성물, 상기 경화성 조성물의 경화물, 상기 경화성 조성물을 사용한 프린트 배선 기판, 반도체 봉지(封止) 재료, 빌드업 필름을 제공한다. 구체적으로는, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)과, 폴리아릴렌에테르 수지(B)를 함유하는 경화성 조성물, 상기 경화성 조성물의 경화물, 상기 경화성 조성물을 사용한 프린트 배선 기판, 반도체 봉지 재료, 빌드업 필름을 제공한다.

Description

경화성 조성물 및 그 경화물
본 발명은, 경화물에 있어서의 내열성 및 유전 특성이 우수한 경화성 조성물, 상기 경화성 조성물의 경화물, 상기 경화성 조성물을 사용한 프린트 배선 기판, 반도체 봉지(封止) 재료, 빌드업 필름에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 소형화, 고성능화가 진행하고 있고, 이것에 수반해서 사용되는 각종 재료의 요구 성능이 향상하고 있다. 예를 들면, 반도체 패키지 기판에서는, 신호의 고속화, 고주파화가 진행하고 있고, 전기 에너지 손실이 낮은 재료, 즉, 저유전정접의 재료가 요구되고 있다.
이와 같은 저유전정접의 재료로서, 예를 들면, (A) 에폭시 수지, (B) 활성 에스테르 화합물, (C) 스미어(smear) 억제 성분, 및 (D) 무기 충전제를 함유하는 수지 조성물에 따른 발명이 제공되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이때, 상기 수지 조성물의 불휘발 성분을 100질량%로 했을 경우에, 상기 (B) 활성 에스테르 화합물, 상기 (C) 스미어 억제 성분, 및 상기 (D) 무기 충전제가, 각각 소정의 함유율이며, 또한, 상기 (C) 스미어 억제 성분이 고무 입자인 것을 특징으로 하고 있다.
상기 특허문헌 1에는, 당해 수지 조성물의 경화물은, 저유전정접화를 달성할 수 있는 것이 기재되어 있다. 또한, 상기 경화물을 구멍 뚫기 가공해서 조화(粗化) 처리한 후의 비아 홀 내의 스미어(수지 잔사)를 억제할 수 있는 것도 기재되어 있다.
또, 상기 특허문헌 1에 기재된 (B) 활성 에스테르 화합물은, 1분자 중에 활성 에스테르기를 1개 이상 갖는 화합물이고, 수지 조성물의 경화물의 유전정접을 낮게 하는 것임이 기재되어 있다.
일본 특개2016-156019호 공보
상기 특허문헌 1에는, 활성 에스테르 화합물을 사용함에 의해, 얻어지는 경화물의 유전정접을 낮게 할 수 있는 것이 기재되어 있다. 그러나, 이와 같은 경화물은, 내열성이 반드시 충분하다고 할 수 없는 경우가 있는 것이 판명되었다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여, 예의 연구를 행했다. 그 결과, 분자 구조 중에 중합성 불포화 결합을 갖는 방향족 에스테르 화합물과, 폴리아릴렌에테르 수지를 함유하는 경화성 조성물은, 경화물에 있어서의 내열성 및 유전 특성이 각별히 우수한 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키는데 이르렀다.
즉, 본 발명은, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)과, 폴리아릴렌에테르 수지(B)를 함유하는 경화성 조성물, 그 경화물, 또한, 경화성 조성물을 사용해서 이루어지는 프린트 배선 기판, 반도체 봉지 재료, 빌드업 필름을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 경화물에 있어서의 내열성 및 유전 특성이 우수한 경화성 조성물, 상기 경화성 조성물의 경화물, 상기 경화성 조성물을 사용한 프린트 배선 기판, 반도체 봉지 재료, 빌드업 필름을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에서 사용하는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)은, 분자 구조 중에 중합성 불포화 결합을 하나 내지 복수 갖고, 방향환끼리가 에스테르 결합으로 결합된 구조 부위를 갖는 방향족 에스테르 화합물이면, 그 밖의 구체 구조나 분자량 등은 특히 불문하며, 다종다양한 화합물을 사용할 수 있다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)의 구체예로서는, 예를 들면, 하기 화학식(1) :
Figure 112020102851935-pct00001
(상기 화학식(1) 중, Ar1이, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고, Ar2이, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고, 이때, 상기 Ar1 및 상기 Ar2의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고, n이, 2 또는 3의 정수이다)
으로 표시되는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)이나, 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는 제1 방향족 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 제2 방향족 화합물과, 2 이상의 카르복시기를 갖는 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물과의 반응 생성물이고, 상기 제1 방향족 화합물, 상기 제2 방향족 화합물, 그리고 상기 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것인 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2) 등을 들 수 있다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)로서는, 후술하는 경화성 조성물로서 조정할 때의 핸들링성이나, 그 경화물의 내열성, 유전 특성과의 밸런스가 보다 우수한 관점에서, 상온(25℃)에서 액체이거나, 혹은, 그 연화점이 40℃∼200℃의 범위인 것이 바람직하다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)에 대하여, 상기 화학식(1) 중의 Ar1은 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이다. 후술하는 바와 같이, 화학식(1) 중의 n은 2 또는 3의 정수이므로, 제1 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자 중 둘 또는 셋이 「-C(O)OAr2」로 치환되는 것으로 된다.
상기 제1 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등의, 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋이 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 페닐피리딜메탄, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 또는 셋 제거된 것 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 보다 유전 특성이 우수한 경화물이 얻어지므로, Ar1은 치환 또는 비치환의 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하고, 치환 또는 비치환의 벤젠환인 것이 보다 바람직하다.
Ar1에 따른 제1 방향족환기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제1 방향족환기의 치환기」란, 상기 제1 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나로 치환되는 것이다. 제1 방향족환기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 알킬기, 알콕시기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다.
상기 알킬기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, 시클로헥실기 등을 들 수 있다.
상기 알콕시기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기 등을 들 수 있다.
상기 알킬옥시카르보닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸옥시카르보닐기, 에틸옥시카르보닐기, 프로필옥시카르보닐기, 이소프로필옥시카르보닐기, 부틸옥시카르보닐기, n-부틸옥시카르보닐기, 이소부틸옥시카르보닐기, sec-부틸옥시카르보닐기, tert-부틸옥시카르보닐기 등을 들 수 있다.
상기 알킬카르보닐옥시기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, 프로필카르보닐옥시기, 이소프로필카르보닐옥시기, 부틸카르보닐옥시기, n-부틸카르보닐옥시기, 이소부틸카르보닐옥시기, sec-부틸카르보닐옥시기, tert-부틸카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.
할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, Ar1은 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 중합성 불포화 결합 함유 치환기의 구체예로서는, 알케닐기나 알키닐기 등을 들 수 있다.
상기 알케닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-옥테닐기, 2-옥테닐기, 1-운데세닐기, 1-펜타데세닐기, 3-펜타데세닐기, 7-펜타데세닐기, 1-옥타데세닐기, 2-옥타데세닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로옥테닐기, 1,3-부타디에닐기, 1,4-부타디에닐기, 헥사-1,3-디에닐기, 헥사-2,5-디에닐기, 펜타데카-4,7-디에닐기, 헥사-1,3,5-트리에닐기, 펜타데카-1,4,7-트리에닐기 등을 들 수 있다.
상기 알키닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 에티닐기, 프로파르길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1,3-부타디이닐기 등을 들 수 있다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다. 이때, 「중합성 불포화 결합 함유 치환기의 치환기」란, 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 구성하는 수소 원자의 적어도 하나로 치환되는 것이다. 당해 중합성 불포화 결합 함유 치환기의 치환기의 구체예로서는, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자를 들 수 있다. 이때, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자로서는 상술한 것을 들 수 있다.
이들 중, 중합성 불포화 결합 함유 치환기로서는, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 2∼30의 알케닐기인 것이 바람직하고, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 2∼10의 알케닐기인 것이 보다 바람직하고, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기인 것이 더 바람직하고, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기인 것이 특히 바람직하고, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기인 것이 가장 바람직하다.
Ar1의 바람직한 구조로서는, 하기 식(2-1)∼(2-17)을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00002
이때, 상기 식(2-1)∼(2-17)에 있어서, 「*」는, 「-C(O)OAr2」에 결합하는 위치를 나타낸다. 또, 「-*」는 방향족환의 어느 위치에 결합되어 있어도 된다.
이들 중, 식(2-1)∼(2-11)인 것이 바람직하고, 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7), (2-9)인 것이 보다 바람직하고, 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7)인 것이 더 바람직하다. 또한, 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 (2-1), (2-2)인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전 특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, (2-6), (2-7)인 것이 바람직하다.
또, 식(2-1)∼(2-17)의 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나가 불포화 결합 함유기로 치환되어 있어도 된다.
Ar2은, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이다. 상기 화학식(1)의 기재로부터도 명백한 바와 같이, 제2 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자 중의 하나가 「-OC(O)Ar1」로 치환되는 것으로 된다.
상기 제2 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등의 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 페닐피리딜메탄, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등의 알킬렌에 의해 연결되는 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 보다 유전 특성이 우수한 경화물이 얻어지므로, Ar2은 치환 또는 비치환의 벤젠환 또는 나프탈렌환인 것이 바람직하다. 또한, 방향족 에스테르 화합물(A)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 벤젠환인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전 특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, 나프탈렌환인 것이 바람직하다.
Ar2에 따른 제2 방향족환기는, 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제2 방향족환기의 치환기」란, 상기 제2 방향족환기를 구성하는 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나로 치환되는 것이다. 제2 방향족환기의 치환기의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 알킬기, 알콕시기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자 등을 들 수 있다. 이때, 알킬기, 알콕시기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자로서는 상술한 것을 들 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, Ar2은, 상술한 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 상기 불포화 결합 함유 치환기는 단독으로 갖고 있어도 되고, 2종 이상이 조합되어 갖고 있어도 된다.
Ar2의 바람직한 구조로서는, 하기 식(3-1)∼(3-17)을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00003
이때, 상기 식(3-1)∼(3-17)에 있어서, 「*」는, 「-OC(O)Ar1」에 결합하는 위치를 나타낸다. 또, 「-*」는 방향환의 어느 위치에 결합되어 있어도 된다.
이들 중, 식(3-1)∼(3-11)인 것이 바람직하고, 식(3-1), (3-6), (3-9)인 것이 보다 바람직하고, 식(3-1), (3-6)인 것이 더 바람직하다.
또, 식(3-1)∼(3-17)의 방향족환의 수소 원자의 적어도 하나가 불포화 결합 함유기로 치환되어 있어도 된다.
일 실시형태에 따르면, Ar1이 상기 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7), (2-9)이고, Ar2이 상기 식(3-1), (3-6), (3-9)인 것이 보다 바람직하고, Ar1이 상기 식(2-1), (2-2), (2-6), (2-7)이고, Ar2이 상기 식(3-1), (3-6)인 것이 더 바람직하고, Ar1이 상기 식(2-1)이고, Ar2이 상기 식(3-1), (3-6)인 것이 특히 바람직하다.
상기 화학식(1)에 있어서, 상술의 Ar1 및 Ar2의 적어도 하나는 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다. 즉, Ar1만이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, Ar2만이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, Ar1 및 Ar2이 모두 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다.
일 실시형태에 따르면, Ar2의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 바람직하고, 모든 Ar2이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 보다 바람직하고, Ar1이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖지 않으며, 또한, 모든 Ar2이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 더 바람직하다. 중합성 불포화 결합 함유 치환기가 Ar2에 존재하면, 내열성과 유전정접의 밸런스가 우수하므로 바람직하다.
상기 화학식(1)에 있어서, n은 2 또는 3의 정수이다. 즉, 상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)은, 두 방향족환을 결합하는 에스테르 결합을 둘 또는 셋 갖는다.
이상으로부터, 상기 화학식(1)으로 표시되는 상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 보다 바람직한 형태로서, 하기 화학식(1-1) 또는 (1-2)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00004
[식 중 R1은 중합성 불포화 결합 함유 치환기이다. R2은 각각 독립으로 알킬기, 알콕시기, 알킬옥시카르보닐기, 알킬카르보닐옥시기, 할로겐 원자의 어느 하나이다. h는 2 또는 3, i는 각각 독립으로 1 이상의 정수, j는 각각 독립으로 0 또는 1 이상의 정수이고, i+j는 5 이하의 정수이다. k는 2 또는 3, l은 각각 독립으로 1 이상의 정수, m은 각각 독립으로 0 또는 1 이상의 정수이고, l+m은 7 이하의 정수이다. i, j, l, m이 2 이상의 정수일 경우, 복수의 R1 혹은 R2은 서로 동일해도 되고, 서로 달라도 된다. 식(1-2)에 있어서 R1, R2은 나프탈렌환을 형성하는 어느 탄소 원자 상으로 치환되어 있어도 된다]
상기 식(1-1)에 있어서, R1의 특히 바람직한 것으로서는, 상술한 바와 같이, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기를 들 수 있다. i는 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.
상기 식(1-2)에 있어서, R1의 특히 바람직한 것으로서는, 상술한 바와 같이, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기를 들 수 있다. l은 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 보다 바람직하다.
상술의 화학식(1)으로 표시되는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 구체적인 구조로서는, 특히 제한되지 않지만, 하기 화학식(4-1)∼(4-43)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00005
Figure 112020102851935-pct00006
Figure 112020102851935-pct00007
Figure 112020102851935-pct00008
상기 화학식(4-1)∼(4-43) 중, 화학식(4-1)∼(4-39)인 것이 바람직하고, 화학식(4-1)∼(4-3), (4-10)∼(4-13), (4-18)∼(4-39)인 것이 보다 바람직하고, 화학식(4-1)∼(4-3), (4-12), (4-13), (4-19)∼(4-21), (4-23)∼(4-26), (4-29), (4-30), (4-32)∼(4-39)인 것이 더 바람직하고, 화학식(4-1), (4-2), (4-12), (4-13), (4-26), (4-32), (4-37)인 것이 특히 바람직하다.
또한, 방향족 에스테르 화합물(A)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 (4-1), (4-2), (4-12), (4-13)인 것이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전 특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, (4-26), (4-32), (4-37)인 것이 바람직하다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 제조 방법은 특히 제한되지 않으며, 적의(適宜) 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1)의 제조 방법은, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기를 갖는 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체와, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기를 갖는 페놀 화합물을 반응시키는 공정을 포함한다.
이때, 상기 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체 및 페놀 화합물의 적어도 하나가, 치환 또는 비치환의 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다.
(폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체)
상기 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 갖고, 바람직하게는 탄소 원자수가 3∼30의 범위이다. 이때, 「폴리카르복시산 화합물의 유도체」로서, 카르복시산의 산할로겐화물 등을 들 수 있다.
상기 제1 방향족환기 및 제1 방향족환기의 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다.
구체적인 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는 하기 화학식(5-1)∼(5-15)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00009
상기 화학식(5-1)∼(5-15)에 있어서, R1은 히드록시기, 할로겐 원자이다. 또한, R2은 중합성 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, p는, 2 또는 3이다. 또한, q는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고, 더 바람직하게는 0이다. 또, 상기 화학식에 있어서의 방향환 상의 치환기의 위치에 대해서는, 편의상 동일한 방향환 상으로 기재하고 있지만, 예를 들면, 상기 화학식(5-7) 등에 있어서, R1OC, R2은 서로 다른 벤젠환 상으로 치환되어 있어도 되고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가, p 및 q인 것을 나타내고 있다.
구체적인 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체로서는, 특히 제한되지 않지만, 이소프탈산, 테레프탈산, 5-알릴이소프탈산, 2-알릴테레프탈산 등의 벤젠디카르복시산; 트리멜리트산, 5-알릴트리멜리트산 등의 벤젠트리카르복시산; 나프탈렌-1,5-디카르복시산, 나프탈렌-2,3-디카르복시산, 나프탈렌-2,6-디카르복시산, 나프탈렌-2,7-디카르복시산, 3-알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산, 3,7-디알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산 등의 나프탈렌디카르복시산; 2,4,5-피리딘트리카르복시산 등의 피리딘트리카르복시산; 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리카르복시산 등의 트리아진카르복시산; 이들의 산할로겐화물 등을 들 수 있다. 이들 중, 벤젠디카르복시산, 벤젠트리카르복시산인 것이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르복시산, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 보다 바람직하고, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 더 바람직하다.
상술의 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
(페놀 화합물)
페놀 화합물은, 치환 또는 비치환의 방향족환기를 갖고, 바람직하게는 탄소 원자수 3∼30의 범위이다. 이때, 제2 방향족환기 및 제2 방향족환기의 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다.
구체적인 페놀 화합물은 하기 화학식(6-1)∼(6-17)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00010
상기 화학식(6-1)∼(6-17)에 있어서, R2은 중합성 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, q는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이고, 더 바람직하게는 1이다. q가 2 이상일 경우, 방향환 상의 결합 위치는 임의이며, 예를 들면, 화학식(6-6)의 나프탈렌환이나 화학식(6-17)의 복소환에 있어서는 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되고, 화학식(6-9) 등에서는, 1분자 중에 존재하는 벤젠환의 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되는 것을 나타내고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가 q인 것을 나타내고 있다.
구체적인 페놀 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀; 나프톨; 2-알릴페놀, 3-알릴페놀, 4-알릴페놀, 4-메틸-2-알릴페놀, 6-메틸-2-알릴페놀, 오이게놀 등의 알릴페놀; 2-(1-프로페닐)페놀, 이소오이게놀 등의 프로페닐페놀; 2-(3-부테닐)페놀, 2-(1-에틸-3-부테닐)페놀 등의 부테닐페놀; 카르다놀 등의 장쇄 알케닐페놀; 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨, 3-알릴-1-나프톨, 3-알릴-1-나프톨 등의 알릴나프톨을 들 수 있다. 이들 중, 알릴페놀, 알릴나프톨인 것이 바람직하고, 2-알릴페놀, 4-메틸-2-알릴페놀, 6-메틸-2-알릴페놀, 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨인 것이 보다 바람직하고, 2-알릴페놀, 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨인 것이 더 바람직하다.
또한, 방향족 에스테르 화합물(A)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 벤젠환 골격을 갖는 2-알릴페놀 등이 바람직하고, 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전 특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, 나프탈렌환 골격을 갖는 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨 등이 바람직하다.
상술의 페놀 화합물은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체 및 페놀 화합물의 사용량으로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀 화합물의 히드록시기의 몰수에 대한 폴리카르복시산 화합물 또는 그 유도체의, 카르복시기 및/또는 할로겐화아실기 등의 유도기의 몰수의 몰비〔(카르복시기 및/또는 할로겐화아실기 등의 유도기)/(히드록시기)〕가, 0.8∼3.0인 것이 바람직하고, 0.9∼2.0인 것이 보다 바람직하고, 1.0∼1.2인 것이 더 바람직하다.
반응 조건에 대해서는 특히 제한되지 않으며, 적의 공지의 방법이 채용될 수 있다.
반응 시의 pH는, 특히 제한되지 않지만, 11 이상인 것이 바람직하다. 이때, pH의 조정은, 염산, 황산, 질산, 아세트산 등의 산; 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 암모니아 등의 염기가 사용될 수 있다.
반응 온도도 특히 제한되지 않으며, 20∼100℃인 것이 바람직하고, 40∼80℃인 것이 보다 바람직하다.
반응 압력도 특히 제한되지 않으며, 상압인 것이 보다 바람직하다.
반응 시간도 특히 제한되지 않으며, 0.5∼10시간인 것이 바람직하고, 1∼5시간인 것이 보다 바람직하다.
상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)은, 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는 제1 방향족 화합물과, 페놀성 수산기를 갖는 제2 방향족 화합물과, 2 이상의 카르복시기를 갖는 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물과의 반응 생성물이고, 상기 제1 방향족 화합물, 상기 제2 방향족 화합물, 그리고 상기 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이다.
[제1 방향족 화합물]
제1 방향족 화합물은, 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는다. 2 이상의 페놀성 수산기를 가짐에 의해, 후술하는 제3 방향족 화합물 등과 반응함으로써 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2) 중에 있어서, 폴리에스테르 구조를 형성할 수 있다.
제1 방향족 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 3∼30의 제1 방향족환에 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
이때, 상기 탄소 원자수 3∼30의 제1 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 단환 방향족환, 축환 방향족환, 환 집합 방향족환 등을 들 수 있다.
상기 단환 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등을 들 수 있다.
상기 축환 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등을 들 수 있다.
상기 환 집합 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등을 들 수 있다.
상기 제1 방향족환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제1 방향족환의 치환기」로서는, 특히 제한되지 않지만, 탄소 원자수 1∼10의 알킬기, 탄소 원자수 1∼10의 알콕시기, 할로겐 원자, 중합성 불포화 결합 함유 치환기 등을 들 수 있다.
탄소 원자수 1∼10의 알킬기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 1,2-디메틸프로필기, n-헥실기, 이소헥실기, n-노닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 시클로노닐기를 들 수 있다.
탄소 원자수 1∼10의 알콕시기로서는, 특히 제한되지 않지만, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 옥틸옥시기, 노닐옥시기 등을 들 수 있다.
할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
중합성 불포화 결합 함유 치환기란, 중합성 불포화 결합을 적어도 하나 갖는 탄소 원자수 2∼30의 치환기를 의미한다. 이때, 「불포화 결합」이란, 탄소 원자-탄소 원자의 이중 결합, 탄소 원자-탄소 원자의 삼중 결합을 의미한다. 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기로서는, 알케닐기나 알키닐기 등을 들 수 있다.
상기 알케닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1-헥세닐기, 2-헥세닐기, 3-헥세닐기, 4-헥세닐기, 5-헥세닐기, 1-옥테닐기, 2-옥테닐기, 1-운데세닐기, 1-펜타데세닐기, 3-펜타데세닐기, 7-펜타데세닐기, 1-옥타데세닐기, 2-옥타데세닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 시클로옥테닐기, 1,3-부타디에닐기, 1,4-부타디에닐기, 헥사-1,3-디에닐기, 헥사-2,5-디에닐기, 펜타데카-4,7-디에닐기, 헥사-1,3,5-트리에닐기, 펜타데카-1,4,7-트리에닐기 등을 들 수 있다.
상기 알키닐기로서는, 특히 제한되지 않지만, 에티닐기, 프로파르길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1,3-부타디이닐기 등을 들 수 있다.
이들 중, 중합성 불포화 결합 함유 치환기로서는, 탄소 원자수 2∼30의 알케닐기인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 2∼10의 알케닐기인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 2∼5의 알케닐기인 것이 더 바람직하고, 비닐기, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기인 것이 특히 바람직하고, 알릴기, 프로페닐기, 이소프로페닐기, 1-프로페닐기인 것이 가장 바람직하다.
상술의 제1 방향족환의 치환기는, 단독으로 포함하고 있어도 되고, 2종 이상을 조합해서 포함하고 있어도 된다.
그리고, 상술과 같이 제1 방향족 화합물은, 상술의 치환 또는 비치환의 제1 방향족환을 구성하는 수소 원자의 적어도 둘이 히드록시기로 치환되어 이루어지는 것이다.
제1 방향족환이 단환 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제1 단환 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다)의 구체예로서는, 카테콜, 레조르시놀, 히드로퀴논, 히드록시놀, 플로로글루시놀, 피로갈롤, 2,3-디히드록시피리딘, 2,4-디히드록시피리딘, 4,6-디히드록시피리미딘, 3-메틸카테콜, 4-메틸카테콜, 4-알릴피로카테콜 등을 들 수 있다.
제1 방향족환이 축환 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제1 축환 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다)의 구체예로서는, 1,3-나프탈렌디올, 1,5-나프탈렌디올, 2,6-나프탈렌디올, 2,7-나프탈렌디올, 1,2,4-나프탈렌트리올, 1,4,5-나프탈렌트리올, 9,10-디히드록시안트라센, 1,4,9,10-테트라히드록시안트라센, 2,4-디히드록시퀴놀린, 2,6-디히드록시퀴놀린, 5,6-디히드록시인돌, 2-메틸나프탈렌-1,4-디올 등을 들 수 있다.
제1 방향족환이 환 집합 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제1 환 집합 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다)의 구체예로서는, 2,2'-디히드록시비페닐, 4,4'-디히드록시비페닐, 3,4,4'-트리히드록시비페닐, 2,2',3-트리히드록시비페닐 등을 들 수 있다.
또한, 제1 방향족 화합물은, 상기 제1 방향족환이 연결기에 의해 연결된 구조를 갖는 것이어도 된다. 일 실시형태에 있어서, 제1 방향족 화합물은 하기 화학식(7)으로 표시된다.
Figure 112020102851935-pct00011
상기 화학식(7)에 있어서, Ar3은 각각 독립해서 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고, Ar4은 각각 독립해서 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고, X는 각각 독립해서 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환의 알킬렌, 치환 또는 비치환의 시클로알킬렌, 아랄킬렌이고, n은 0∼10이다. 이때, 상기 Ar3 및 상기 Ar4을 구성하는 수소 원자의 적어도 둘이, 히드록시기로 치환되어서 이루어진다. 또, 상기 X가 연결기에 상당한다.
상기 Ar3은 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이다. 상기 화학식(7)의 기재로부터도 명백한 바와 같이, 상술의 치환 또는 비치환의 방향족환을 구성하는 방향족환의 수소 원자 중의 하나가 「X」와 결합하는 것으로 된다.
상기 제1 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것 등의 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다.
이때, 제1 방향족환기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 「제1 방향족환기의 치환기」로서는, 상술한 「제1 방향족환의 치환기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
이들 중, Ar3은, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 비페닐, 비나프탈렌, 쿼터페닐, 알릴벤젠, 디알릴벤젠, 알릴나프탈렌, 디알릴나프탈렌, 알릴비페닐, 디알릴비페닐로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 바람직하고, 벤젠, 나프탈렌, 비페닐, 알릴벤젠, 디알릴나프탈렌, 디알릴비페닐로부터 수소 원자가 하나 제거된 것임이 보다 바람직하다.
상기 Ar4은 각각 독립해서 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이다. 상기 화학식(1)의 기재로부터도 명백한 바와 같이, 상술의 치환 또는 비치환의 방향족환을 구성하는 방향족환의 수소 원자 중 둘이 「X」와 결합하는 것으로 된다.
상기 제2 방향족환기로서는, 특히 제한되지 않지만, 벤젠, 퓨란, 피롤, 티오펜, 이미다졸, 피라졸, 옥사졸, 이소옥사졸, 티아졸, 이소티아졸, 피리딘, 피리미딘, 피리다진, 피라진, 트리아진 등의 단환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 제거된 것; 나프탈렌, 안트라센, 페날렌, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 프탈라진, 프테리딘, 쿠마린, 인돌, 벤조이미다졸, 벤조퓨란, 아크리딘 등의 축환 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 제거된 것 등의 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 제거된 것을 들 수 있다. 또한, 이들 방향족 화합물을 복수 조합한 것이어도 되며, 예를 들면, 비페닐, 비나프탈렌, 비피리딘, 비티오펜, 페닐피리딘, 페닐티오펜, 테르페닐, 디페닐티오펜, 쿼터페닐 등의 환 집합 방향족 화합물로부터 수소 원자가 둘 제거된 것을 들 수 있다.
이때, 제2 방향족환기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 「제2 방향족환기의 치환기」로서는, 상술한 「제1 방향족환의 치환기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
상기 X는, 각각 독립해서, 산소 원자, 황 원자, 치환 또는 비치환의 알킬렌, 치환 또는 비치환의 시클로알킬렌, 아랄킬렌이다.
상기 알킬렌으로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 1-메틸메틸렌, 1,1-디메틸메틸렌, 1-메틸에틸렌, 1,1-디메틸에틸렌, 1,2-디메틸에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 1-메틸프로필렌, 2-메틸프로필렌, 펜틸렌, 헥실렌 등을 들 수 있다.
상기 시클로알킬렌으로서는, 특히 제한되지 않지만, 시클로프로필렌, 시클로부틸렌, 시클로펜틸렌, 시클로헥실렌, 시클로펜틸렌, 시클로헵틸렌, 및 하기 화학식(8-1)∼(8-4)으로 표시되는 시클로알킬렌 등을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00012
또, 상기 화학식(8-1)∼(8-4)에 있어서, 「*」는 Ar3 또는 Ar4과 결합하는 부위를 나타낸다.
상기 아랄킬렌으로서는, 특히 제한되지 않지만, 하기 화학식(9-1)∼(9-8)으로 표시되는 아랄킬렌 등을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00013
또, 상기 화학식(9-1)∼(9-8)에 있어서, 「*」는 Ar3 또는 Ar4과 결합하는 부위를 나타낸다.
상기 알킬렌, 상기 시클로알킬렌, 상기 아랄킬렌은 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「X의 치환기」로서는, 상술한 「제1 방향족환의 치환기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
상기 화학식(7) 중의 n은 0∼10의 정수이고, 바람직하게는 0∼8이고, 바람직하게는 0∼5이다. 또, 상기 화학식(7)으로 표시되는 화합물이 올리고머 또는 폴리머일 경우, n은 그 평균값을 의미한다.
그리고, 상기 Ar3 및 상기 Ar4을 구성하는 수소 원자의 적어도 둘이, 히드록시기로 치환되어서 이루어진다.
하기 화학식(7)으로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 예를 들면, 각종 비스페놀 화합물이나, 하기 화학식(10-1)∼(10-8)으로 표시되는 화합물, 및 이들의 방향핵 상에 하나 내지 복수의 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00014
상기 각종 비스페놀 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀A, 비스페놀AP, 비스페놀B, 비스페놀E, 비스페놀F, 비스페놀Z 등을 들 수 있다.
상기 화학식(10-1)∼(10-8)에 있어서, n은 0∼10, 바람직하게는 0∼5이다. 이때, 화학식(10-1)∼(10-8)으로 표시되는 화합물이 올리고머 또는 폴리머일 경우, n은 그 평균값을 의미한다. 또, 본 명세서에 있어서, 「올리고머」란, 반복 단위가 1∼5인 화합물을 포함하는 것을 의미하고, 「폴리머」란, 반복 단위가 6 이상인 화합물을 포함하는 것을 의미한다. 또한, 방향환 상의 치환기인 히드록시기의 치환 위치에 대해서는 임의이고, 나프탈렌환의 경우에 있어서, 다른 구조와 결합하고 있는 환, 결합하고 있지 않은 환의 어느 것이어도 된다.
또, 일 실시형태에 있어서, 상술의 제1 방향족환이 상기 화학식(7)으로 표시되는 것은, 제1 방향족환을 구성하는 수소 원자의 적어도 하나가 히드록시기로 치환되어서 이루어지는 것과, 디비닐 화합물이나 디알킬옥시메틸 화합물과의 반응에 의해 합성할 수 있다.
이때, 상기 디비닐 화합물이나 디알킬옥시메틸 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 1,3-부타디엔, 1,5-헥사디엔, 디시클로펜타디엔, 트리시클로펜타디엔, 테트라시클로펜타디엔, 펜타시클로펜타디엔, 헥사시클로펜타디엔 등의 지방족 디엔 화합물; 디비닐벤젠, 디비닐비페닐 등의 방향족 디엔 화합물; 디메톡시메틸벤젠, 디메톡시메틸비페닐, 비스페놀A메톡시 부가물, 비스페놀A에톡시 부가물, 비스페놀F메톡시 부가물, 비스페놀F에톡시 부가물 등의 디알킬옥시메틸 화합물 등을 들 수 있다.
상술의 2 이상의 페놀성 수산기를 갖는 제1 방향족 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
제1 방향족 화합물의 수산기 당량으로서는, 130∼500g/당량인 것이 바람직하고, 130∼400g/당량인 것이 보다 바람직하다. 제1 방향족 화합물의 수산기 당량이 130g/당량 이상이면 내열성을 부여할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 제1 방향족 화합물의 수산기 당량이 500g/당량 이하이면, 내열성과 유전정접의 밸런스가 우수하므로 바람직하다.
제1 방향족 화합물이, 상기 화학식(7)으로 표시되는 것으로서, n이 올리고머 또는 폴리머인 경우에 있어서의 중량 평균 분자량은, 200∼3000인 것이 바람직하고, 200∼2000인 것이 보다 바람직하다. 상기 제1 방향족 화합물의 중량 평균 분자량이 200 이상이면, 유전정접이 우수하므로 바람직하다. 한편, 상기 제1 방향족 화합물의 중량 평균 분자량이 3000 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」의 값은 이하의 방법에 의해 측정된 값을 채용하는 것으로 한다. 즉, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)를 이하의 조건에 의해 측정해서 얻어진 값을 채용한다.
GPC의 측정 조건
측정 장치 : 도소가부시키가이샤제 「HLC-8320 GPC」
칼럼 : 도소가부시키가이샤제 가드칼럼 「HXL-L」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G4000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G3000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G2000HXL」
+도소가부시키가이샤제 「TSK-GEL G2000HXL」
검출기 : RI(시차 굴절계)
데이터 처리 : 도소가부시키가이샤제 「GPC 워크 스테이션 EcoSEC-Work Station」
칼럼 온도 : 40℃
전개 용매 : 테트라히드로퓨란
유속 : 1.0ml/분
표준 : 상기 「GPC-8320 GPC」의 측정 매뉴얼에 준거해서, 분자량이 기지인 하기의 단분산 폴리스티렌을 사용했다.
사용 폴리스티렌
도소가부시키가이샤제 「A-500」
도소가부시키가이샤제 「A-1000」
도소가부시키가이샤제 「A-2500」
도소가부시키가이샤제 「A-5000」
도소가부시키가이샤제 「F-1」
도소가부시키가이샤제 「F-2」
도소가부시키가이샤제 「F-4」
도소가부시키가이샤제 「F-10」
도소가부시키가이샤제 「F-20」
도소가부시키가이샤제 「F-40」
도소가부시키가이샤제 「F-80」
도소가부시키가이샤제 「F-128」
시료 : 수지 고형분 환산으로 1.0질량%의 테트라히드로퓨란 용액을 마이크로 필터로 여과한 것(50μl).
[제2 방향족 화합물]
제2 방향족 화합물은, 페놀성 수산기를 갖는다. 제2 방향족 화합물은 페놀성 수산기를 하나 가지므로, 상술의 제1 방향족 화합물 및 후술의 제3 방향족 화합물 등의 폴리에스테르화의 반응을 정지시키는 기능을 갖는다.
제2 방향족 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 3∼30의 제2 방향족환에 하나의 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
상기 제2 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 단환 방향족환, 축환 방향족환, 환 집합 방향족환, 알킬렌에 의해 연결되는 방향족환 등을 들 수 있다. 상기 단환 방향족환, 상기 축환 방향족환, 상기 환 집합 방향족환으로서는, 상술한 제1 방향족환과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
또한, 알킬렌에 의해 연결되는 방향족환으로서는, 디페닐메탄, 디페닐에탄, 1,1-디페닐에탄, 2,2-디페닐프로판, 나프틸페닐메탄, 트리페닐메탄, 디나프틸메탄, 디나프틸프로판, 페닐피리딜메탄, 플루오렌, 디페닐시클로펜탄 등을 들 수 있다.
제2 방향족 화합물에 따른 제2 방향족환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제2 방향족환의 치환기」로서는, 상술한 「제1 방향족환의 치환기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
그리고, 상술과 같이 제2 방향족 화합물은, 상술의 치환 또는 비치환의 제2 방향족환을 구성하는 수소 원자의 하나가 히드록시기로 치환된다.
제2 방향족 화합물로서는 하기 화학식(11-1)∼(11-17)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00015
상기 화학식(11-1)∼(11-17)에 있어서, R1은 중합성 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, p는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이고, 더 바람직하게는 1이다. p가 2 이상일 경우, 방향환 상의 결합 위치는 임의이며, 예를 들면, 화학식(11-6)의 나프탈렌환이나 화학식(11-17)의 복소환에 있어서는 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되고, 화학식(11-9) 등에서는, 1분자 중에 존재하는 벤젠환의 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되는 것을 나타내고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가 p인 것을 나타내고 있다.
구체적인 제2 방향족 화합물로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀, 크레졸, 자일레놀, 오르토알릴페놀, 메타알릴페놀, 파라알릴페놀, 2,4-디알릴페놀, 2,6-디알릴페놀, 2-알릴-4-메틸페놀, 2-알릴-6-메틸페놀, 2-알릴-4-메톡시-6-메틸페놀, 2-프로파르길페놀, 3-프로파르길페놀, 4-프로파르길페놀 등의 방향족환이 단환 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제2 단환 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다); 1-나프톨, 2-나프톨, 2-알릴-1-나프톨, 3-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨, 3-알릴-2-나프톨, 5-알릴-1-나프톨, 6-알릴-1-나프톨, 디알릴나프톨, 2-알릴-4-메톡시-1-나프톨, 2-프로파르길-1-나프톨, 3-프로파르길-1-나프톨, 1-프로파르길-2-나프톨, 3-프로파르길-2-나프톨 등의 방향족환이 축환 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제2 축환 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다); 알릴히드록시비페닐, 히드록시프로파르길비페닐 등의 방향족환이 환 집합 방향족환인 화합물(이하, 단순히 「제2 환 집합 방향족환 화합물」이라 칭하는 경우가 있다) 등을 들 수 있다.
상술 중, 제2 방향족 화합물은, 제2 단환 방향족환 화합물, 제2 축환 방향족환 화합물인 것이 바람직하고, 오르토알릴페놀, 메타알릴페놀, 파라알릴페놀, 2-알릴-1-나프톨, 3-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨, 3-알릴-2-나프톨, 5-알릴-1-나프톨, 6-알릴-1-나프톨인 것이 보다 바람직하다.
또한, 다른 일 실시형태에 있어서, 제2 방향족 화합물은, 제2 축환 방향족환 화합물(축환 방향족환 화합물)인 것이 바람직하고, 2-알릴-1-나프톨, 3-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨, 3-알릴-2-나프톨, 5-알릴-1-나프톨, 6-알릴-1-나프톨인 것이 보다 바람직하다. 제2 방향족 화합물은, 축환 방향족환 화합물이면, 입체 장해에 의해 분자 운동이 억제됨으로써, 유전정접이 저하할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 방향족 에스테르 화합물(A)의 고핸들링성, 저점도인 관점에 있어서는 벤젠환 골격을 갖는 2-알릴페놀 등이 바람직한 한편, 얻어지는 경화물에 있어서 보다 내열성이고, 저유전 특성과의 밸런스가 우수한 관점에서는, 나프탈렌환 골격을 갖는 2-알릴-1-나프톨, 1-알릴-2-나프톨 등이 바람직하다.
또, 상술의 제2 방향족 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
[제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물]
제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물은, 2 이상의 카르복시기를 갖는 카르복시산, 또는 그 유도체, 구체적으로는 산할로겐화물, 에스테르화물이다(본 명세서에 있어서, 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물을 아울러서 「제3 방향족 화합물 등」이라 칭하는 경우가 있다). 제3 방향족 화합물 등은, 2 이상의 카르복시기 등을 가짐에 의해, 상술의 제1 방향족 화합물과 반응함으로써 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)에 있어서, 폴리에스테르 구조를 형성할 수 있다. 또, 상술의 제2 방향족 화합물과 반응함으로써, 폴리에스테르화 반응은 정지한다.
제3 방향족 화합물 등으로서는, 특히 제한되지 않지만, 치환 또는 치환의 탄소 원자수 3∼30의 제3 방향족환에 2 이상의 카르복시기 등을 갖는 화합물을 들 수 있다.
또, 「카르복시기 등」이란, 카르복시기; 불화아실기, 염화아실기, 브롬화아실기 등의 할로겐화아실기; 메틸옥시카르보닐기, 에틸옥시카르보닐기 등의 알킬옥시카르보닐기; 페닐옥시카르보닐기, 나프틸옥시카르보닐기 등의 아릴옥시카르보닐기 등을 들 수 있다. 또, 할로겐화아실기를 가질 경우, 제3 방향족 화합물은 산할로겐화물이고, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기를 가질 경우, 제3 방향족 화합물은 에스테르화물로 될 수 있다. 이들 중, 제3 방향족 화합물은 카르복시기, 할로겐화아실기, 아릴옥시카르보닐기를 갖는 것이 바람직하고, 카르복시기, 할로겐화아실기를 갖는 것이 더 바람직하고, 카르복시기, 염화아실기, 브롬화아실기를 갖는 것이 더 바람직하다.
제3 방향족 화합물 등으로서는, 특히 제한되지 않지만, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 3∼30의 제3 방향족환에 2 이상의 카르복시기 등을 갖는 화합물을 들 수 있다.
상기 제3 방향족환으로서는, 특히 제한되지 않지만, 단환 방향족환, 축환 방향족환, 환 집합 방향족환, 알킬렌에 의해 연결되는 방향족환 등을 들 수 있다. 상기 단환 방향족환, 상기 축환 방향족환, 상기 환 집합 방향족환, 알킬렌에 의해 연결되는 방향족환으로서는, 상술한 제1 방향족환 및 제2 방향족환과 마찬가지의 것을 들 수 있다.
제3 방향족 화합물 등에 따른 제3 방향족환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 이때, 「제3 방향족환의 치환기」로서는, 상술한 「제1 방향족환의 치환기」와 마찬가지의 것을 들 수 있다.
구체적인 제3 방향족 화합물 등으로서는 하기 화학식(12-1)∼(12-15)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00016
상기 화학식(12-1)∼(12-15)에 있어서, R1은 중합성 불포화 결합 함유 치환기이다. 이때, 상기 중합성 불포화 결합 함유 치환기는 상술한 것과 마찬가지이다. 또한, R2은 히드록시기, 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기이다. 또한, p는 0 또는 1 이상의 정수이고, 바람직하게는 0 또는 1∼3이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1이고, 더 바람직하게는 0이다. q는, 2 또는 3이다. p, q가 2 이상일 경우, 방향환 상의 결합 위치는 임의이며, 예를 들면, 화학식(12-5)의 나프탈렌환이나 화학식(12-15)의 복소환에 있어서는 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되고, 화학식(12-7) 등에서는, 1분자 중에 존재하는 벤젠환의 어느 환 상으로 치환되어 있어도 되는 것을 나타내고, 1분자 중에 있어서의 치환기의 개수가 p, q인 것을 나타내고 있다.
구체적인 제3 방향족 화합물 등으로서는, 특히 제한되지 않지만, 이소프탈산, 테레프탈산, 5-알릴이소프탈산, 2-알릴테레프탈산 등의 벤젠디카르복시산; 트리멜리트산, 5-알릴트리멜리트산 등의 벤젠트리카르복시산; 나프탈렌-1,5-디카르복시산, 나프탈렌-2,3-디카르복시산, 나프탈렌-2,6-디카르복시산, 나프탈렌-2,7-디카르복시산, 3-알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산, 3,7-디알릴나프탈렌-1,4-디카르복시산 등의 나프탈렌디카르복시산; 2,4,5-피리딘트리카르복시산 등의 피리딘트리카르복시산; 1,3,5-트리아진-2,4,6-트리카르복시산 등의 트리아진카르복시산; 이들의 산할로겐화물, 에스테르화물 등을 들 수 있다. 이들 중, 벤젠디카르복시산, 벤젠트리카르복시산인 것이 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르복시산, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 보다 바람직하고, 이소프탈산클로리드, 테레프탈산클로리드, 1,3,5-벤젠트리카르보닐트리클로리드인 것이 더 바람직하다.
상술 중, 방향족환이 단환 방향족환인 제3 방향족 화합물 등, 방향족환이 축환 방향족환인 제3 방향족 화합물 등인 것이 바람직하고, 벤젠디카르복시산, 벤젠트리카르복시산, 나프탈렌디카르복시산, 이들의 산할로겐화물인 것이 바람직하고, 벤젠디카르복시산, 나프탈렌디카르복시산, 이들의 산할로겐화물인 것이 보다 바람직하고, 이소프탈산, 테레프탈산, 나프탈렌-1,5-디카르복시산, 나프탈렌-2,3-디카르복시산, 나프탈렌-2,6-디카르복시산, 나프탈렌-2,7-디카르복시산, 이들의 산할로겐화물인 것이 더 바람직하다.
상술의 제3 방향족 화합물 등은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
[중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 구성]
상술의 제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 그리고 제3 방향족 화합물 및/또는 그 산할로겐화물, 에스테르화물(제3 방향족 화합물 등)의 적어도 하나는 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다. 즉, 제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 제3 방향족 화합물 등 모두가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, 제1 방향족 화합물 및 제2 방향족 화합물이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 되고, 제2 방향족 화합물만이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 또한, 2종 이상의 제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 제3 방향족 화합물 등을 사용하는 경우에는, 그 일부만이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고 있어도 된다. 중합성 불포화 결합 함유 치환기의 탄소 원자수는 2∼30의 범위인 것이 바람직하다.
일 실시형태에 있어서, 적어도 제2 방향족 화합물이 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 제2 방향족 화합물에 유래하는 구조는, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 분자 말단에 위치하는 것으로 된다. 그 결과, 제2 방향족 화합물이 갖는 중합성 불포화 결합 함유 치환기도 또한 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 분자 말단에 배치되는 것으로 된다. 이 경우, 얻어지는 경화물의 내열성 및 유전정접의 밸런스가 보다 높아질 수 있으므로 바람직하다.
중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)은, 상술과 같이, 제1 방향족 화합물과, 제2 방향족 화합물과, 제3 방향족 화합물 등과의 반응 생성물이고, 각종 화합물을 포함할 수 있다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 구성에 대해서는, 제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 및 제3 방향족 화합물 등의 사용량, 반응 조건 등을 적의 변경함으로써 제어할 수 있다.
또, 본 형태에 따른 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)은, 원칙으로서, 얻어지는 수지의 분자 중에 히드록시기를 갖지 않는다. 단, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 반응 생성물의 부생물로서 히드록시기를 갖는 화합물을 포함해도 된다.
일 실시형태에 있어서, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)은, 하기 화학식(13)으로 표시되는 화합물을 포함한다.
Figure 112020102851935-pct00017
상기 화학식(13)에 있어서, Ar1은 제1 방향족 화합물에 유래하는 구조이고, Ar2은 제2 방향족 화합물에 유래하는 구조이고, Ar3은 제3 방향족 화합물 등에 유래하는 구조이다. 또한, n은 0∼10이다. 또, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)이 올리고머 또는 폴리머일 경우, n은 그 평균값을 나타낸다.
즉, Ar1은, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환으로부터 수소 원자가 둘 이상 제거된 것, 또는 제1 방향족환이 연결기에 의해 연결된 구조를 갖는 것으로부터 수소 원자가 둘 이상 제거된 것을 들 수 있다.
또한, Ar2은, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환으로부터 수소 원자가 하나 제거된 것을 들 수 있다.
Ar3은, 치환 또는 비치환의 제3 방향족환으로부터 수소 원자가 둘 이상 제거된 것을 들 수 있다.
또, Ar1, Ar2, 및 Ar3의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖는다.
이때, 제1 방향족 화합물이 페놀성 수산기를 3 이상 갖는 경우에는, Ar1이 더 분기한 구조를 가질 수 있다.
또한, 제3 방향족 화합물 등이 2 이상의 카르복시기 등을 갖는 경우에는, Ar3이 더 분기한 구조를 가질 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)이 포함하는 화합물로서는, 하기 화학식(14-1)∼(14-10)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00018
Figure 112020102851935-pct00019
Figure 112020102851935-pct00020
상기 화학식(14-1)∼(14-10)에 있어서, s는 0∼10, 바람직하게는 0∼5이고, r은 1∼10이다. 이때, 화학식(14-1)∼(14-10)으로 표시되는 화합물이 올리고머 또는 폴리머일 경우, s1, s2, r은 그 평균값을 의미한다. 또, 화학식 중의 파선은, Ar3, 그리고 Ar1 및/또는 Ar2에 상당하는 화합물이 반응해서 얻어지는 구조이다.
방향족 에스테르 화합물(A-2)의 중량 평균 분자량은, 150∼3000인 것이 바람직하고, 200∼2000인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 800 이상이면, 유전정접이 우수하므로 바람직하다. 한편, 중량 평균 분자량이 500 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 또한, 마찬가지로 수 평균 분자량으로서는, 150∼1500의 범위인 것이 마찬가지의 이유에 의해 바람직한 것이다.
<중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 제조 방법>
중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 제조 방법은 특히 제한되지 않으며, 적의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다.
일 실시형태에 있어서, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 제조 방법은, 제1 방향족 화합물과, 제2 방향족 화합물과, 제3 방향족 화합물 등을 반응시키는 공정을 포함한다.
(제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 제3 방향족 화합물 등)
제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 및 제3 방향족 화합물 등으로서는, 상술한 것이 사용된다.
일 실시형태에 있어서, 제1 방향족 화합물, 제2 방향족 화합물, 제3 방향족 화합물 등의 사용량을 적의 조정함으로써, 얻어지는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 구성을 제어할 수 있다.
예를 들면, 제1 방향족 화합물의 히드록시기의 몰수에 대한 제3 방향족 화합물의 카르복시기 등의 몰수의 비(카르복시기 등/제1 방향족 화합물의 히드록시기)는, 0.5∼10인 것이 바람직하고, 0.5∼6.0인 것이 보다 바람직하고, 1.0∼3.0인 것이 더 바람직하다. 상기 비가 0.5 이상이면, 내열성이 높아지므로 바람직하다. 한편, 상기 비가 10 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다.
또한, 제2 방향족 화합물의 히드록시기의 몰수에 대한 제3 방향족 화합물의 카르복시기 등의 몰수의 비(카르복시기 등/제2 방향족 화합물의 히드록시기)는, 0.5∼10인 것이 바람직하고, 1.5∼4.0인 것이 더 바람직하다. 상기 비가 0.5 이상이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 상기 비가 10 이하이면, 내열성이 높아지므로 바람직하다.
또한, 일 실시형태에 있어서, 반응 순서를 제어함에 의해, 얻어지는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 구성을 제어할 수 있다.
중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 제조 방법은, 제1 방향족 화합물 및 제3 방향족 화합물을 반응시키는 공정(1)과, 상기 공정(1)에서 얻어지는 생성물 및 제2 방향족 화합물을 반응시키는 공정(2)을 포함한다. 상기 제조 방법에 따르면, 폴리에스테르 구조를 구축한 후에 반응을 제어할 수 있으므로, 분자량 분포가 균일한 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)을 얻을 수 있다.
그 외, 반응 조건을 제어함에 의해, 얻어지는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2)의 구성을 제어할 수 있다.
반응 시의 pH는, 특히 제한되지 않지만, 11 이상인 것이 바람직하다. 이때, pH의 조정은, 염산, 황산, 질산, 아세트산 등의 산; 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화칼슘, 암모니아 등의 염기가 사용될 수 있다.
반응 온도도 특히 제한되지 않으며, 20∼100℃인 것이 바람직하고, 40∼80℃인 것이 보다 바람직하다.
반응 압력도 특히 제한되지 않으며, 상압인 것이 보다 바람직하다.
반응 시간도 특히 제한되지 않으며, 0.5∼10시간인 것이 바람직하고, 1∼5시간인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에서 사용하는 폴리아릴렌에테르 수지(B)에 있어서의 아릴렌기는, 페닐렌기, 나프틸렌기, 및 이들의 방향핵 상에 지방족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기 등의 치환기를 갖는 구조 부위 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물에 있어서의 유전 특성과 내열성과의 밸런스가 우수한 경화성 조성물로 되므로, 페닐렌기를 주골격으로 하는 것이 바람직하고, 방향핵 상에 치환기를 둘 갖는 페닐렌기인 것이 보다 바람직하다. 치환기의 종류로서는 지방족 탄화수소기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기가 특히 바람직하다.
상기 폴리아릴렌에테르 수지(B)의 말단 구조는, 일반적으로는 페놀성 수산기를 갖는 아릴옥시기로 된다. 상기 페놀성 수산기는 다른 구조 부위로 변성되어 있어도 된다. 아릴옥시기에 있어서의 아릴기는, 페닐기, 나프틸기, 및 이들의 방향핵 상에 지방족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기 등의 치환기를 갖는 구조 부위 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물에 있어서의 유전 특성과 내열성과의 밸런스가 우수한 경화성 조성물로 되므로, 페닐기를 주골격으로 하는 것이 바람직하고, 방향핵 상에 페놀성 수산기 외에 치환기를 둘 더 갖는 페닐렌기인 것이 보다 바람직하다. 치환기의 종류로서는 지방족 탄화수소기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1∼4의 알킬기가 특히 바람직하다.
상기 페놀성 수산기를 변성해서 얻어지는 구조 부위로서는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시기나 알릴옥시기, 비닐옥시기 등의 중합성 불포화 결합 함유기나, 페놀성 수산기에 에폭시 화합물을 반응시켜서 얻어지는 구조 부위 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 경화물에 있어서의 유전 특성과 내열성과의 밸런스가 우수한 경화성 조성물로 되므로, 페놀성 수산기 또는 상기 중합성 불포화 결합 함유기인 것이 바람직하다.
상기 폴리아릴렌에테르 수지(B)는, 예를 들면, 하기 구조식(15)으로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00021
(식 중 R1은 각각 독립으로 수소 원자, 지방족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기의 어느 하나이다. m 및 n은 각각 독립으로 0 이상의 정수이다. X는 수소 원자 또는 중합성 불포화 결합 함유기이다)
상기 구조식(15) 중의 Y는 2가의 유기기이면 특히 한정되지 않으며, 어떠한 구조 부위여도 되지만, 그 일례로서는 하기 구조식(Y-1)∼(Y-9)의 어느 하나로 표시되는 것 등을 들 수 있다.
Figure 112020102851935-pct00022
(식 중, R2은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴기, 아랄킬기의 어느 하나이다. R3은 각각 독립으로 지방족 탄화수소기, 알콕시기, 아릴기의 어느 하나이고, k는 0∼4의 정수이다)
상기 폴리아릴렌에테르 수지(B)의 페놀성 수산기 혹은 이것을 변성해서 얻어지는 구조 부위의 관능기 당량, 즉, 상기 구조식(15) 중 말단의 ―OX기로 표시되는 구조 부위의 관능기 당량은, 내열성과 유전 특성과의 양 성능이 우수한 경화성 조성물로 되므로, 500∼3,000g/당량의 범위인 것이 바람직하고, 500∼1,500g/당량의 범위인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 경화성 조성물에 있어서, 상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)과 상기 폴리아릴렌에테르 수지(B)와의 배합 비율은 특히 한정되지 않으며, 원하는 경화물 성능 등에 따라서 적의 조정된다. 그 중에서도, 경화물에 있어서의 내열성과 유전 특성과의 밸런스가 우수한 경화성 조성물로 되므로, 상기 방향족 에스테르 화합물(A) 100질량부에 대하여 상기 폴리아릴렌에테르 수지(B)를 10∼300질량부의 범위에서 사용하는 것이 바람직하고, 20∼200질량부의 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 경화성 조성물은, 상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A) 및 폴리아릴렌에테르 수지(B) 외에, 그 밖의 성분을 함유하고 있어도 된다. 이하, 그 밖의 성분의 일례를 든다. 또, 본 발명의 경화성 조성물이 함유할 수 있는 그 밖의 성분은 이하에 예시된 것으로 한정되는 것은 아니며, 이들 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다.
[에폭시 수지]
본 발명의 경화성 조성물은, 상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)이 중합성 불포화 결합을 함유하므로, 상기 방향족 에스테르 화합물(A) 및 폴리아릴렌에테르 수지(B)만으로도 경화성을 갖는다. 한편으로, 상기 방향족 에스테르 화합물(A)은 에폭시 수지의 경화제로서도 기능하고, 보다 고내열의 경화물을 부여할 수 있으므로, 본 발명의 경화성 조성물은 에폭시 수지를 더 함유하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 특히 제한되지 않지만, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, α-나프톨노볼락형 에폭시 수지, β-나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A노볼락형 에폭시 수지, 비페닐노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지; 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 나프톨아랄킬형 에폭시 수지, 페놀비페닐아랄킬형 에폭시 수지 등의 아랄킬형 에폭시 수지; 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀AP형 에폭시 수지, 비스페놀AF형 에폭시 수지, 비스페놀B형 에폭시 수지, 비스페놀BP형 에폭시 수지, 비스페놀C형 에폭시 수지, 비스페놀E형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 비스페놀S형 에폭시 수지, 테트라브로모비스페놀A형 에폭시 수지 등의 비스페놀형 에폭시 수지; 비페닐형 에폭시 수지, 테트라메틸비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 골격 및 디글리시딜옥시벤젠 골격을 갖는 에폭시 수지 등의 비페닐형 에폭시 수지; 나프탈렌형 에폭시 수지; 비나프톨형 에폭시 수지; 비나프틸형 에폭시 수지; 디시클로펜타디엔페놀형 에폭시 수지 등의 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지; 테트라글리시딜디아미노디페닐메탄형 에폭시 수지, 트리글리시딜-p-아미노페놀형 에폭시 수지, 디아미노디페닐설폰의 글리시딜아민형 에폭시 수지 등의 글리시딜아민형 에폭시 수지; 2,6-나프탈렌디카르복시산디글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 헥사히드로무수프탈산의 글리시딜에스테르형 에폭시 수지 등의 디글리시딜에스테르형 에폭시 수지; 디벤조피란, 헥사메틸디벤조피란, 7-페닐헥사메틸디벤조피란 등의 벤조피란형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 150∼500g/당량인 것이 바람직하고, 200∼350g/당량인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 에폭시 당량이 150g/당량 이상이면, 내열성이 우수하므로 바람직하고, 한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량이 500g/당량 이하이면, 내열성과 유전정접의 밸런스가 보다 우수하므로 바람직하다.
에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 200∼5000인 것이 바람직하고, 300∼3000인 것이 보다 바람직하다. 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 200 이상이면, 속경화성을 겸비할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 에폭시 수지의 중량 평균 분자량이 5000 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다. 또, 중량 평균 분자량은 상술의 방법(GPC)에 의해 측정된 값을 채용한다.
[다른 경화제]
본 발명의 경화성 조성물이 상기 에폭시 수지를 함유할 경우, 상기 방향족 에스테르 화합물(A) 외에, 에폭시 수지와 경화할 수 있는 다른 경화제를 병용해도 된다.
다른 경화제로서는, 특히 제한되지 않지만, 중합성 불포화 결합을 함유하지 않는 방향족 에스테르 화합물, 아민 경화제, 이미다졸 경화제, 산무수물 경화제, 페놀 수지 경화제 등을 들 수 있다.
상기 아민 경화제로서는, 특히 제한되지 않지만, 디에틸렌트리아민(DTA), 트리에틸렌테트라민(TTA), 테트라에틸렌펜타민(TEPA), 디프로필렌디아민(DPDA), 디에틸아미노프로필아민(DEAPA), N-아미노에틸피페라진, 멘센디아민(MDA), 이소포론디아민(IPDA), 1,3-비스아미노메틸시클로헥산(1,3-BAC), 피페리딘, N,N,-디메틸피페라진, 트리에틸렌디아민 등의 지방족 아민; m-자일렌디아민(XDA), 메탄페닐렌디아민(MPDA), 디아미노디페닐메탄(DDM), 디아미노디페닐설폰(DDS), 벤질메틸아민, 2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다.
상기 이미다졸 경화제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 에폭시-이미다졸어덕트 등을 들 수 있다.
상기 산무수물 경화제로서는, 무수프탈산, 무수트리멜리트산, 무수피로멜리트산, 무수벤조페논테트라카르복시산, 에틸렌글리콜비스트리멜리테이트, 글리세롤트리스트리멜리테이트, 무수말레산, 테트라히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 엔드메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸엔드메틸렌테트라히드로무수프탈산, 메틸부테닐테트라히드로무수프탈산, 도데세닐무수숙신산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 무수숙신산, 메틸시클로헥센디카르복시산무수물 등을 들 수 있다.
상기 페놀 수지 경화제로서는, 페놀노볼락 수지, 크레졸노볼락 수지, 나프톨노볼락 수지, 비스페놀노볼락 수지, 비페닐노볼락 수지, 디시클로펜타디엔-페놀 부가형 수지, 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지, 트리페놀메탄형 수지, 테트라페놀에탄형 수지, 아미노트리아진 변성 페놀 수지 등을 들 수 있다.
상술의 다른 경화제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
상기 다른 경화제의 함유량은, 특히 제한되지 않지만, 상기 방향족 에스테르 화합물(A)에 대해서 2∼80질량%인 것이 바람직하고, 5∼70질량%인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 경화성 조성물에 있어서, 상기 방향족 에스테르 화합물(A), 에폭시 수지, 다른 경화제의 배합 비율은 특히 한정되지 않으며, 원하는 경화물 성능 등에 따라서 적의 조정되지만, 일례로서는, 에폭시기의 합계 1몰에 대하여, 상기 방향족 에스테르 화합물(A)이나 다른 경화제 중의 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기의 합계가 0.7∼1.5몰의 범위인 것이 바람직하다.
[다른 수지]
다른 수지의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 폴리이미드 수지, 시아네이트에스테르 수지, 벤조옥사진 수지, 트리아진 함유 크레졸노볼락 수지, 시안산에스테르 수지, 스티렌-무수말레산 수지, 디알릴비스페놀이나 트리알릴이소시아누레이트 등의 알릴기 함유 수지, 폴리인산에스테르, 인산에스테르-카보네이트 공중합체, 폴리부타디엔 수지 등을 들 수 있다. 이들 다른 수지는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
[용매]
일 실시형태에 있어서, 조성물은 용매를 포함하고 있어도 된다. 상기 용매는, 조성물의 점도를 조정하는 기능 등을 갖는다.
용매의 구체예로서는, 특히 제한되지 않지만, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온 등의 케톤; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 카르비톨아세테이트 등의 에스테르; 셀로솔브, 부틸카르비톨 등의 카르비톨류, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
용매의 사용량으로서는, 경화성 조성물의 전질량에 대해서, 10∼80질량%인 것이 바람직하고, 20∼70질량%인 것이 보다 바람직하다. 용매의 사용량이 10질량% 이상이면, 핸들링성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 용매의 사용량이 80질량% 이하이면, 다른 기재와의 함침성이 우수하므로 바람직하다.
[첨가제]
일 실시형태에 있어서, 조성물은 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 당해 첨가제로서는, 경화촉진제, 난연제, 충전제 등을 들 수 있다.
(경화촉진제)
경화촉진제로서는, 특히 제한되지 않지만, 인계 경화촉진제, 아민계 경화촉진제, 이미다졸계 경화촉진제, 구아니딘계 경화촉진제, 요소계 경화촉진제, 과산화물, 아조 화합물 등을 들 수 있다.
상기 인계 경화촉진제로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리파라톨릴포스핀, 디페닐시클로헥실포스핀, 트리시클로헥실포스핀 등의 유기 포스핀 화합물; 트리메틸포스파이트, 트리에틸포스파이트 등의 유기 포스파이트 화합물; 에틸트리페닐포스포늄브로미드, 벤질트리페닐포스포늄클로리드, 부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄디시아나미드, 부틸페닐포스포늄디시아나미드, 테트라부틸포스포늄데칸산염 등의 포스포늄염 등을 들 수 있다.
아민계 경화촉진제로서는, 트리에틸아민, 트리부틸아민, N,N-디메틸-4-아미노피리딘(DMAP), 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]-운데센-7(DBU), 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-노넨-5(DBN) 등을 들 수 있다.
이미다졸계 경화촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린 등을 들 수 있다.
구아니딘계 경화촉진제로서는, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-시클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자비시클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-부틸비구아니드, 1-시클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드 등을 들 수 있다.
상기 요소계 경화촉진제로서는, 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 클로로페닐요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소 등을 들 수 있다.
상기 과산화물, 아조 화합물로서는, 벤조일퍼옥사이드, p-클로로벤조일퍼옥사이드, 디-t-부틸퍼옥사이드, 디이소프로필퍼옥시카보네이트, 디-2-에틸헥실퍼옥시카보네이트, 아조비스이소부티로니트릴 등을 들 수 있다.
상술의 경화촉진제 중, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 디메틸아미노피리딘을 사용하는 것이 바람직하다.
또, 상술의 경화촉진제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
경화촉진제의 사용량은, 경화성 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대해서, 0.01∼5질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼3인 것이 더 바람직하다. 경화촉진제의 사용량이 0.01질량부 이상이면, 경화성이 우수하므로 바람직하다. 한편, 경화촉진제의 사용량이 5질량부 이하이면, 성형성이 우수하므로 바람직하다.
(난연제)
난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 무기 인계 난연제, 유기 인계 난연제, 할로겐계 난연제 등을 들 수 있다.
상기 무기 인계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 적린(赤燐); 인산일암모늄, 인산이암모늄, 인산삼암모늄, 폴리인산암모늄 등의 인산암모늄; 인산아미드 등을 들 수 있다.
상기 유기 인계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 메틸애시드포스페이트, 에틸애시드포스페이트, 이소프로필애시드포스페이트, 디부틸포스페이트, 모노부틸포스페이트, 부톡시에틸애시드포스페이트, 2-에틸헥실애시드포스페이트, 비스(2-에틸헥실)포스페이트, 모노이소데실애시드포스페이트, 라우릴애시드포스페이트, 트리데실애시드포스페이트, 스테아릴애시드포스페이트, 이소스테아릴애시드포스페이트, 올레일애시드포스페이트, 부틸피로포스페이트, 테트라코실애시드포스페이트, 에틸렌글리콜애시드포스페이트, (2-히드록시에틸)메타크릴레이트애시드포스페이트 등의 인산에스테르; 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 디페닐포스핀옥사이드 등 디페닐포스핀; 10-(2,5-디히드록시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(1,4-디옥시나프탈렌)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 디페닐포스피닐히드로퀴논, 디페닐포스페닐-1,4-디옥시나프탈린, 1,4-시클로옥틸렌포스피닐-1,4-페닐디올, 1,5-시클로옥틸렌포스피닐-1,4-페닐디올 등의 인 함유 페놀; 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(2,5-디히드로옥시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드, 10-(2,7-디히드로옥시나프틸)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드 등의 환상 인 화합물; 상기 인산에스테르, 상기 디페닐포스핀, 상기 인 함유 페놀과, 에폭시 수지나 알데히드 화합물, 페놀 화합물과 반응시켜서 얻어지는 화합물 등을 들 수 있다.
상기 할로겐계 난연제로서는, 특히 제한되지 않지만, 브롬화폴리스티렌, 비스(펜타브로모페닐)에탄, 테트라브로모비스페놀A비스(디브로모프로필에테르), 1,2-비스(테트라브로모프탈이미드), 2,4,6-트리스(2,4,6-트리브로모페녹시)-1,3,5-트리아진, 테트라브로모프탈산 등을 들 수 있다.
상술의 난연제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
난연제의 사용량은, 경화성 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대해서, 0.1∼50질량부인 것이 바람직하고, 1∼30인 것이 보다 바람직하다. 난연제의 사용량이 0.1질량부 이상이면, 난연성을 부여할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 난연제의 사용량이 50질량부 이하이면, 유전 특성을 유지하면서 난연성을 부여할 수 있으므로 바람직하다.
(충전제)
충전제로서는, 유기 충전제, 무기 충전제를 들 수 있다. 충전제는, 신장을 향상시키는 기능, 기계적 강도를 향상시키는 기능 등을 갖는다.
상기 유기 충전제로서는, 특히 제한되지 않지만, 폴리아미드 입자 등을 들 수 있다.
상기 무기 충전제로서는, 특히 제한되지 않지만, 실리카, 알루미나, 유리, 코디에라이트, 실리콘산화물, 황산바륨, 탄산바륨, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화망간, 붕산알루미늄, 탄산스트론튬, 티탄산스트론튬, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무트, 산화티타늄, 산화지르코늄, 티탄산바륨, 티탄산지르콘산바륨, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 인산지르코늄, 인산텅스텐산지르코늄, 탈크, 클레이, 운모분, 산화아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 카본 블랙 등을 들 수 있다.
이들 중, 실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 이때, 실리카로서는, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 충전제는, 필요에 따라서 표면 처리되어 있어도 된다. 이때 사용될 수 있는 표면처리제로서는, 특히 제한되지 않지만, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 메르캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 오르가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등이 사용될 수 있다. 표면처리제의 구체예로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 헥사메틸디실라잔 등을 들 수 있다.
또, 상술의 충전제는, 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합해서 사용해도 된다.
충전제의 평균 입경은, 특히 제한되지 않으며, 0.01∼10㎛인 것이 바람직하고, 0.03∼5㎛인 것이 보다 바람직하고, 0.05∼3㎛인 것이 더 바람직하다. 또, 본 명세서에 있어서 「입경」이란, 입자의 윤곽선 상의 2점간의 거리 중, 최대의 길이를 의미한다. 또한, 「평균 입경」은, 주사형 전자현미경(SEM)에 의해 얻어진 이미지에 있어서, 1화면 중의 임의의 100개의 입자의 입경을 측정하고, 그 평균값을 산출의 방법에 의해 측정된 값을 채용하는 것으로 한다.
충전제의 사용량은, 경화성 조성물의 수지 고형분 100질량부에 대해서, 0.5∼95질량부인 것이 바람직하고, 5∼80질량부인 것이 보다 바람직하다. 충전제의 사용량이 0.5질량부 이상이면, 저열팽창성을 부여할 수 있으므로 바람직하다. 한편, 충전제의 사용량이 95질량부 이하이면, 특성과 성형성의 밸런스가 우수하므로 바람직하다.
<경화물(경화성 조성물의 경화물)>
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상술의 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)과 폴리아릴렌에테르 수지(B)를 함유하는 경화성 조성물을 경화해서 이루어지는 경화물이 제공된다.
상술의 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)은, 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 가지므로 그 자체로의 중합이 가능하여, 경화물을 얻을 수 있다.
또, 상기 경화물에는, 필요에 따라서, 상술의 경화제, 첨가제, 경화촉진제 등을 포함하고 있어도 된다.
중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)은 그 자체가 유전정접이 낮으므로, 당해 경화물은, 저유전정접이며, 또한, 보다 내열성이 우수하므로, 반도체 패키지 기판, 프린트 배선 기판, 빌드업 접착 필름, 반도체 봉지 재료 등의 전자재 용도에 사용할 수 있다. 또한, 그 외, 접착제, 도료 등의 용도에도 적용할 수 있다.
가열 경화할 때의 가열 온도는, 특히 제한되지 않지만, 150∼300℃인 것이 바람직하고, 175∼250℃인 것이 보다 바람직하다.
(실시예)
이하, 실시예를 사용해서 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 실시예의 기재로 제한되는 것은 아니다.
제조예 1 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1-1)의 제조
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에, 오르토알릴페놀 268g과 톨루엔 1200g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 내용물을 용해시켰다. 다음으로, 이소프탈산클로라이드 203g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 내용물을 용해시켰다. 테트라부틸암모늄브로마이드 0.6g을 더해서 용해시키고, 질소가스 퍼지를 실시하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 412g을 3시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 동(同)온도 조건 하에서 1시간 교반을 계속했다. 반응 혼합물을 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 얻어진 유기상에 물을 더해서 약 15분간 교반하고, 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 수층의 pH가 7로 될 때까지 이 수세 조작을 반복했다. 수세 후의 유기상을 가열 감압 조건 하에서 건조시켜서, 하기 구조식으로 표시되는 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1-1) 370g을 얻었다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-1-1)의 에스테르기 당량은 199g/당량, 알릴기 당량은 199g/당량, E형 점도(25℃)는 6000mPa.s였다.
Figure 112020102851935-pct00023
제조예 2 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-1)의 제조
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에, 디시클로펜타디엔과 페놀과의 중부가 반응 수지(수산기 당량 165g/당량, 연화점 85℃) 165g, 오르토알릴페놀 134g, 및 톨루엔 1200g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 내용물을 용해시켰다. 다음으로, 이소프탈산클로라이드 203g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 용해시켰다. 테트라부틸암모늄브로마이드 0.6g을 더해서 용해시키고, 질소가스 퍼지를 실시하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 412g을 3시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 동온도 조건 하에서 1시간 교반을 계속했다. 반응 혼합물을 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 얻어진 유기상에 물을 더해서 약 15분간 교반하고, 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 수층의 pH가 7로 될 때까지 이 수세 조작을 반복했다. 수세 후의 유기상을 가열 감압 조건 하 건조시켜서, 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-1) 385g을 얻었다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-1)의 이론 구조를 하기에 나타낸다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-1)의 에스테르기 당량은 214g/당량, 알릴기 당량은 428g/당량, 연화점은 82℃였다.
Figure 112020102851935-pct00024
제조예 3 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-2)의 제조
제조예 2의 디시클로펜타디엔과 페놀과의 중부가 반응 수지 165g을 디알릴비스페놀A 160g으로 변경한 것 이외는, 제조예 2와 마찬가지로 해서 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-2) 402g을 얻었다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-2)의 이론 구조를 하기에 나타낸다. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A-2-2)의 에스테르기 당량은 212g/당량, 알릴기 당량은 212g/당량, 연화점은 51℃였다.
Figure 112020102851935-pct00025
비교제조예 1 방향족 에스테르 화합물(A')의 제조
온도계, 적하 깔때기, 냉각관, 분류관, 교반기를 부착한 플라스크에 디시클로펜타디엔과 페놀과의 중부가 반응 수지(수산기 당량 : 165g/당량, 연화점 85℃) 165g, 1-나프톨 72g, 및 톨루엔 630g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 내용물을 용해시켰다. 다음으로, 이소프탈산클로리드 152g을 투입하고, 계 내를 감압 질소 치환하면서 용해시켰다. 테트라부틸암모늄브로미드 0.6g을 더하고, 질소가스 퍼지 처리를 행하면서, 계 내를 60℃ 이하로 제어하고, 20% 수산화나트륨 수용액 315g을 3시간에 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후, 동온도 조건 하에서 1시간 교반을 계속했다. 반응 혼합물을 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 얻어진 유기상에 물을 더해서 약 15분간 교반하고, 정치해서 분액시키고, 수층을 제거했다. 수층의 pH가 7로 될 때까지 이 수세 조작을 반복했다. 수세 후의 유기상을 가열 감압 조건 하 건조시켜서, 방향족 에스테르 화합물(A')을 얻었다. 방향족 에스테르 화합물(A')의 에스테르기 당량은 223g/당량, 연화점은 150℃였다.
실시예 1∼9 및 비교예 1
하기 표 1, 2에 나타내는 비율로 각 성분을 배합하여, 경화성 조성물을 얻었다. 얻어진 경화성 조성물에 대하여, 하기 요령으로 경화물의 내열성 평가와 유전정접값의 측정을 행했다. 결과를 표 1, 2에 나타낸다.
실시예에서 사용한 각 성분의 상세는 이하와 같다.
·폴리아릴렌에테르 수지(B-1) : SABIC사제 「NORYL SA90」, 수산기 당량 850g/당량, 이론 구조는 이하와 같다.
Figure 112020102851935-pct00026
·폴리아릴렌에테르 수지(B-2) : SABIC사제 「NORYL SA9000」, 메타크릴로일기 당량 850g/당량, 이론 구조는 이하와 같다.
Figure 112020102851935-pct00027
·에폭시 수지 : 비스페놀A형 에폭시 수지(DIC가부시키가이샤제 「EPICLON850S」 에폭시 당량 188g/당량)
경화물의 제조
경화성 조성물을 11㎝×9㎝×2.4㎜의 형틀에 흘려넣고, 프레스기를 사용해서 150℃에서 60분간, 이어서 175℃에서 90분간, 200℃에서 90분간 더 성형했다. 형틀로부터 성형물을 취출하고, 230℃에서 4시간 더 경화시켜서 경화물을 얻었다.
내열성의 평가(유리 전이 온도의 측정)
앞서 얻은 두께 2.4㎜의 경화물로부터 폭 5㎜, 길이 54㎜의 시험편을 잘라냈다. 레오매트릭스샤제 「고체 점탄성 측정 장치 RSAII」를 사용하여, 렉탱귤러 텐션법에 의한 DMA(동적 점탄성) 측정에 의해, 시험편의 탄성률 변화가 최대로 되는(tanδ 변화율이 가장 큰) 온도를 유리 전이 온도로서 측정했다. 측정 조건은 주파수 1Hz, 승온 속도가 3℃/분으로 했다.
유전정접의 측정
앞서 얻은 경화물을 105℃에서 2시간 가열 진공 건조시킨 후, 온도 23℃, 습도 50%의 실내에 24시간 보관한 것을 시험편으로 했다. 애질런트·테크놀러지가부시키가이샤제 「네트워크 애널라이저 E8362C」를 사용하여, 공동 공진법에 의해 시험편의 1GHz에서의 유전정접을 측정했다.
[표 1]
Figure 112020102851935-pct00028
[표 2]
Figure 112020102851935-pct00029

Claims (8)

  1. 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)과, 폴리아릴렌에테르 수지(B)를 함유하는 경화성 조성물로서,
    상기 중합성 불포화 결합 함유 방향족 에스테르 화합물(A)이, 하기 화학식(1) :
    Figure 112021151390152-pct00030

    (상기 화학식(1) 중,
    Ar1이, 치환 또는 비치환의 제1 방향족환기이고,
    Ar2이, 각각 독립해서, 치환 또는 비치환의 제2 방향족환기이고,
    이때, 상기 Ar1 및 상기 Ar2의 적어도 하나가 중합성 불포화 결합 함유 치환기를 갖고, n이, 2 또는 3의 정수이다)
    으로 표시되는 것인 경화성 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    에폭시 수지를 더 함유하는 경화성 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 조성물의 경화물.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 조성물을 사용해서 이루어지는 프린트 배선 기판.
  5. 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 조성물을 사용해서 이루어지는 반도체 봉지(封止) 재료.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 경화성 조성물을 사용해서 이루어지는 빌드업 필름.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020207027915A 2018-03-29 2019-03-14 경화성 조성물 및 그 경화물 KR102388192B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-064715 2018-03-29
JP2018064715 2018-03-29
PCT/JP2019/010503 WO2019188331A1 (ja) 2018-03-29 2019-03-14 硬化性組成物及びその硬化物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200128092A KR20200128092A (ko) 2020-11-11
KR102388192B1 true KR102388192B1 (ko) 2022-04-19

Family

ID=68061501

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207027915A KR102388192B1 (ko) 2018-03-29 2019-03-14 경화성 조성물 및 그 경화물

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6955232B2 (ko)
KR (1) KR102388192B1 (ko)
CN (1) CN111936526B (ko)
TW (1) TWI783133B (ko)
WO (1) WO2019188331A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI698460B (zh) * 2018-06-05 2020-07-11 台灣中油股份有限公司 含雙環戊二烯之官能化聚(2,6-二甲基苯醚)寡聚物、其製造方法及其用途
JP7333737B2 (ja) * 2019-09-30 2023-08-25 太陽ホールディングス株式会社 硬化性樹脂組成物、ドライフィルム、樹脂付き銅箔、硬化物、及び電子部品
JP7247862B2 (ja) * 2019-11-08 2023-03-29 Dic株式会社 酸基含有(メタ)アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物、絶縁材料、ソルダーレジスト用樹脂材料及びレジスト部材
JP7228102B2 (ja) * 2019-11-08 2023-02-24 Dic株式会社 エポキシ(メタ)アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物及び物品
JP7228104B2 (ja) * 2019-11-08 2023-02-24 Dic株式会社 エポキシ(メタ)アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物及び物品
JP7228101B2 (ja) * 2019-11-08 2023-02-24 Dic株式会社 酸基含有(メタ)アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物、絶縁材料、ソルダーレジスト用樹脂材料及びレジスト部材
JP7228103B2 (ja) * 2019-11-08 2023-02-24 Dic株式会社 酸基含有(メタ)アクリレート樹脂組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物、絶縁材料、ソルダーレジスト用樹脂材料及びレジスト部材
WO2022202347A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板
WO2022202346A1 (ja) * 2021-03-24 2022-09-29 パナソニックIpマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及び配線板
KR20240095510A (ko) * 2021-11-17 2024-06-25 혼슈우 카가쿠고교 가부시키가이샤 경화성 수지 조성물, 바니시, 프리프레그, 경화물

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008524867A (ja) * 2004-12-22 2008-07-10 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 硬化性封止剤組成物、該組成物を含むデバイス及び関連方法
JP2016534166A (ja) 2013-10-11 2016-11-04 イソラ・ユーエスエイ・コーポレーシヨンIsola USA Corp. ワニスおよびこれから作られたプレプレグおよび積層品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09194545A (ja) * 1996-01-17 1997-07-29 Toagosei Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物および積層板
JPH11349788A (ja) * 1998-06-05 1999-12-21 Daicel Chem Ind Ltd 熱可塑性樹脂組成物
JP2000194070A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Fujitsu Ltd 投写型表示装置
US20060135704A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Vallance Michael A Tack free compositions useful for electronic encapsulation
TW201817807A (zh) 2012-05-31 2018-05-16 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物
US10590223B2 (en) * 2013-06-18 2020-03-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Polyphenylene ether resin composition, prepreg, metal-clad laminate and printed wiring board
JP6906171B2 (ja) * 2016-01-19 2021-07-21 パナソニックIpマネジメント株式会社 ポリフェニレンエーテル樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板及びプリント配線板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008524867A (ja) * 2004-12-22 2008-07-10 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 硬化性封止剤組成物、該組成物を含むデバイス及び関連方法
JP2016534166A (ja) 2013-10-11 2016-11-04 イソラ・ユーエスエイ・コーポレーシヨンIsola USA Corp. ワニスおよびこれから作られたプレプレグおよび積層品

Also Published As

Publication number Publication date
CN111936526A (zh) 2020-11-13
WO2019188331A1 (ja) 2019-10-03
CN111936526B (zh) 2022-09-30
JP6955232B2 (ja) 2021-10-27
JPWO2019188331A1 (ja) 2021-02-25
KR20200128092A (ko) 2020-11-11
TWI783133B (zh) 2022-11-11
TW201942166A (zh) 2019-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102388192B1 (ko) 경화성 조성물 및 그 경화물
KR102494828B1 (ko) 활성 에스테르 화합물 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물
KR102628710B1 (ko) 활성 에스테르 수지 그리고 이것을 사용한 조성물 및 경화물
JP7114987B2 (ja) 硬化性組成物及びその硬化物
KR102453731B1 (ko) 경화성 조성물 및 그 경화물
CN111971323B (zh) 固化性组合物及其固化物
JP7389967B2 (ja) リン含有活性エステル、硬化性樹脂組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材、及び、半導体装置
WO2023074258A1 (ja) 活性エステル化合物
WO2023021900A1 (ja) 活性エステル化合物

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right