KR102387890B1 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
KR102387890B1
KR102387890B1 KR1020200080214A KR20200080214A KR102387890B1 KR 102387890 B1 KR102387890 B1 KR 102387890B1 KR 1020200080214 A KR1020200080214 A KR 1020200080214A KR 20200080214 A KR20200080214 A KR 20200080214A KR 102387890 B1 KR102387890 B1 KR 102387890B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
terminal
conductive adhesive
semiconductor device
micro
Prior art date
Application number
KR1020200080214A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20220001816A (en
Inventor
최윤화
조정훈
김영훈
최소영
최현화
Original Assignee
제엠제코(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제엠제코(주) filed Critical 제엠제코(주)
Priority to KR1020200080214A priority Critical patent/KR102387890B1/en
Publication of KR20220001816A publication Critical patent/KR20220001816A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102387890B1 publication Critical patent/KR102387890B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H01G2/06—Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/248—Terminals the terminals embracing or surrounding the capacitive element, e.g. caps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Abstract

본 발명은, 양단에 단자전극(111)이 각각 형성된 반도체 부품(110), 단자전극(111)과 접합되어 전기적으로 연결되는 금속터미널(120), 및 단자전극(111)과 금속터미널(120) 사이에 개재되어 상호 접합시키는 전도성 접착제(130)를 포함하되, 단자전극(111)에 대향하는 금속터미널(120)의 표면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골(121a)로 이루어진 미세음각패턴(121)이 형성되며, 미세음각패턴(121)의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제1금속돌기(122)가 형성되고, 전도성 접착제(130)는 미세음각패턴(121)의 하나 이상의 골(121a) 내측에 일정부분 채워지도록 형성되어, 단자전극(111)과 금속터미널(120)의 접합강도를 높여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시킬 수 있는, 반도체 장치를 개시한다.According to the present invention, a semiconductor component 110 having terminal electrodes 111 formed at both ends, a metal terminal 120 electrically connected to the terminal electrode 111 by bonding, and a terminal electrode 111 and a metal terminal 120 . A conductive adhesive 130 interposed therebetween and bonding to each other is included, but on the surface of the metal terminal 120 opposite to the terminal electrode 111, a plurality of continuous linear valleys 121a formed to a depth of 1 μm to 150 μm ) is formed, and one or more first metal protrusions 122 are formed on the inner wall of the micro-engraved pattern 121 to a height of 1 μm or more, and the conductive adhesive 130 is formed with a fine engraved pattern ( Disclosed is a semiconductor device that is formed to be partially filled inside one or more of the valleys 121a of 121) to increase the bonding strength between the terminal electrode 111 and the metal terminal 120 to improve electrical reliability and mass productivity. .

Description

반도체 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE}semiconductor device {SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 금속터미널의 미세음각패턴 및 금속돌기에 의해 단자전극 또는 회로기판과의 접합강도를 높이고 수분침투를 억제하여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시키며, 터미널리드를 절곡시켜 회로기판과 접합하여 터미널리드와 회로기판과의 접합강도를 높일 수 있는, 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention improves the electrical reliability and mass productivity by increasing the bonding strength with the terminal electrode or circuit board and suppressing moisture penetration by using the fine engraved pattern and metal protrusion of the metal terminal, and bonding the terminal lead to the circuit board by bending the terminal lead. It relates to a semiconductor device capable of increasing bonding strength between a lead and a circuit board.

일반적으로, 적층 세라믹 콘덴서(Multi layer ceramic condenser; MLCC)는 전자산업의 쌀로 지칭되는데, MLCC는 전압을 일정하게 유지하도록 하여 과전압 또는 저전압에 의한 IC의 오동작을 억제하고 고주파 노이즈를 외부로 방출하는 역할을 한다.In general, multi-layer ceramic condenser (MLCC) is referred to as rice in the electronics industry. MLCC maintains a constant voltage to suppress malfunction of IC due to overvoltage or undervoltage, and plays a role of emitting high-frequency noise to the outside. do

이와 관련한 선행기술로서, 한국 등록특허공보 제10-0964043호가 개시되어 있는데, 종래기술에 의한 전자부품은, 도 1에 도시된 바와 같이, 유전체층을 적층하여 형성된 유전체 소체(3)와, 유전체 소체(3)의 여러 측면에 각각 인출되는 여러 인출부(4A,5A)를 각각 갖는 2종류의 내부도체(4,5)와, 2종류의 내부도체(4,5)안의 어느 한 내부도체(4,5)의 여러 인출부(4A,5A)에 한쪽이 접속됨과 동시에 남은 내부도체(4,5)의 여러 인출부(4A,5A)에 다른쪽이 접속되는 2종류의 단자전극(11A,12A)과, 2종류의 단자전극(11A,12A)안의 어느 한 단자전극에 한쪽이 접속됨과 동시에 남은 단자전극에 다른쪽이 접속되는 한쌍의 금속단자(21,22)를 포함하여, 충분한 응력의 흡수를 가능하게 하면서 ESR(등가직렬저항)을 저감하도록 한다.As a prior art related to this, Korean Patent Registration No. 10-0964043 is disclosed. The electronic component according to the prior art, as shown in FIG. 1, includes a dielectric body 3 formed by stacking dielectric layers, and a dielectric body ( 3) two kinds of inner conductors (4,5) each having several lead-out parts (4A, 5A) drawn out from different sides, respectively, and one inner conductor (4, Two types of terminal electrodes 11A, 12A, in which one is connected to several lead-out portions 4A, 5A in 5) and the other is connected to several lead-out portions 4A, 5A of the remaining inner conductors 4 and 5 and a pair of metal terminals 21 and 22 in which one is connected to one of the two types of terminal electrodes 11A and 12A and the other is connected to the remaining terminal electrode at the same time to ensure sufficient stress absorption. It is possible to reduce ESR (Equivalent Series Resistance).

하지만, 단자전극(11A,12A)이 접합제(25)를 개재하여 금속단자(21,22)에 단순 구조로 접합되고, 외측접속부(21C,22C)가 접합제(33)를 개재하여 배선기판(31)에 단순 구조로 접합되어, 휠 수 있는 배선기판(31)의 특성을 고려할 때, 이로 인해 접합제의 접합강도가 저하되어 전기적 신뢰성 및 안정성이 저하되는 문제점이 있다.However, the terminal electrodes 11A and 12A are bonded to the metal terminals 21 and 22 through a bonding agent 25 in a simple structure, and the outer connection portions 21C and 22C are connected to the wiring board through the bonding agent 33 interposed therebetween. Considering the characteristics of the wiring board 31 that can be bent by being bonded to 31 in a simple structure, there is a problem in that the bonding strength of the bonding agent is lowered due to this, and electrical reliability and stability are lowered.

이에, 금속단자의 단자전극 및 배선기판과의 접합강도를 향상시킬 수 있는 기술이 요구된다.Accordingly, a technology capable of improving the bonding strength of the metal terminal to the terminal electrode and the wiring board is required.

한국 등록특허공보 제10-1862705호 (음각 패턴이 형성된 반도체 패키지용 클립, 리드프레임 및 이를 포함하는 반도체 패키지, 2018.05.30)Korean Patent Publication No. 10-1862705 (Clip for semiconductor package with engraved pattern, lead frame and semiconductor package including same, 2018.05.30) 한국 등록특허공보 제10-0964043호 (전자부품, 2010.06.16)Korean Patent Publication No. 10-0964043 (Electronic Components, 2010.06.16)

본 발명의 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는, 금속터미널의 미세음각패턴 및 금속돌기에 의해 단자전극 또는 회로기판과의 접합강도를 높이고 수분침투를 억제하여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시키며, 터미널리드를 절곡시켜 회로기판과 접합하여 터미널리드와 회로기판과의 접합강도를 높일 수 있는, 반도체 장치를 제공하는 데 있다.The technical task to be achieved by the idea of the present invention is to increase the bonding strength with the terminal electrode or circuit board by the fine engraved pattern and metal projection of the metal terminal, suppress moisture penetration, improve electrical reliability and mass productivity, and An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of increasing bonding strength between a terminal lead and a circuit board by bending and bonding to a circuit board.

전술한 목적을 달성하고자, 본 발명은, 양단에 단자전극이 각각 형성된 반도체 부품; 상기 단자전극과 접합되어 전기적으로 연결되는 금속터미널; 및 상기 단자전극과 상기 금속터미널 사이에 개재되어 상호 접합시키는 전도성 접착제;를 포함하되, 상기 단자전극에 대향하는 상기 금속터미널의 표면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골로 이루어진 미세음각패턴이 형성되며, 상기 미세음각패턴의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제1금속돌기가 형성되고, 상기 전도성 접착제는 상기 미세음각패턴의 하나 이상의 골 내측에 일정부분 채워지는, 반도체 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor component each having terminal electrodes formed on both ends; a metal terminal bonded to the terminal electrode and electrically connected to the metal terminal; and a conductive adhesive interposed between the terminal electrode and the metal terminal to bond to each other, wherein a plurality of continuous linear troughs formed to a depth of 1 μm to 150 μm are formed on the surface of the metal terminal facing the terminal electrode. A micro-engraved pattern is formed, one or more first metal protrusions are formed with a height of 1 μm or more on the inner wall of the micro-engraved pattern, and the conductive adhesive is partially filled inside one or more valleys of the micro-engraved pattern, a semiconductor provide the device.

또한, 상기 미세음각패턴의 골의 외측 가장자리에는 상기 금속터미널의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제2금속돌기가 형성될 수 있다.In addition, a second metal protrusion protruding to a predetermined height from the surface of the metal terminal may be formed on the outer edge of the valley of the micro-engraved pattern.

또한, 상기 제2금속돌기의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛일 수 있다.In addition, the height of the second metal protrusion may be 0.1 μm to 70 μm.

또한, 상기 제1금속돌기의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성될 수 있다.In addition, one or more metal plating layers may be formed on the surface of the first metal protrusion.

또한, 상기 제2금속돌기의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성될 수 있다.In addition, one or more metal plating layers may be formed on the surface of the second metal protrusion.

또한, 상기 금속터미널의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성될 수 있다.In addition, one or more metal plating layers may be formed on the surface of the metal terminal.

또한, 상기 금속도금층은 Ni, Ag, Au, Pd, Cu 및 Sn 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, 또는 Ni, Ag, Au, Pd, Cu 및 Sn 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 구성될 수 있다.In addition, the metal plating layer may be composed of a single component of any one of Ni, Ag, Au, Pd, Cu and Sn, or an alloy containing any one or more of Ni, Ag, Au, Pd, Cu and Sn. can

또한, 상기 금속터미널은 Fe, Cu, Al 및 Cr 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, Fe, Cu, Al 및 Cr 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 구성될 수 있다.In addition, the metal terminal may be composed of a single component of any one of Fe, Cu, Al, and Cr, or may be composed of an alloy containing any one or more of Fe, Cu, Al, and Cr.

또한, 상기 전도성 접착제는 Sn, Pb 및 Ag 중 어느 하나 이상이 코팅된 Cu 단일 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용하거나, Sn, Pb, Cu 및 Ag 중 어느 하나 이상의 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용할 수 있다.In addition, the conductive adhesive uses a material in which a single metal powder of Cu coated with at least one of Sn, Pb, and Ag is formed in a paste state, or a metal powder of any one or more of Sn, Pb, Cu and Ag is used. A material formed in a paste state may be used.

또한, 200℃ 이상의 소성 공정을 통해, 상기 단자전극과 상기 금속터미널을 상호 접합시켜 전기적으로 연결할 수 있다.In addition, through a firing process of 200° C. or higher, the terminal electrode and the metal terminal may be interconnected to be electrically connected.

또한, 상기 전도성 접착제는 상기 금속터미널의 표면으로부터 상기 골 내측방향으로, 상기 골의 깊이 기준으로 30% 이상의 높이로 채워질 수 있다.In addition, the conductive adhesive may be filled from the surface of the metal terminal in the inner direction of the bone to a height of 30% or more based on the depth of the bone.

또한, 상기 전도성 접착제와 상기 제1금속돌기 사이에는 Sn 또는 Cu 함유 금속간화합물이 형성될 수 있다.In addition, an intermetallic compound containing Sn or Cu may be formed between the conductive adhesive and the first metal protrusion.

또한, 상기 전도성 접착제는 금속알갱이를 포함하고, 하나 이상의 상기 금속알갱이가 상기 제1금속돌기와 전기적으로 접촉할 수 있다.In addition, the conductive adhesive may include metal particles, and at least one of the metal particles may be in electrical contact with the first metal protrusion.

또한, 회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합되는 상기 금속터미널의 터미널리드의 일측면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골로 이루어진 미세음각패턴이 더 형성되며, 상기 미세음각패턴의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제3금속돌기가 형성될 수 있다.In addition, on one side of the terminal lead of the metal terminal bonded to be electrically connected to the circuit board, a fine engraved pattern consisting of a plurality of continuous linear valleys formed to a depth of 1 μm to 150 μm is further formed, and the fine engraved pattern is further formed. One or more third metal protrusions may be formed on the inner wall of the to have a height of 1 μm or more.

또한, 상기 금속터미널의 터미널리드의 일측면에 형성된 상기 미세음각패턴의 골의 외측 가장자리에는 상기 금속터미널의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제4금속돌기가 더 형성될 수 있다.In addition, a fourth metal protrusion protruding to a predetermined height from the surface of the metal terminal may be further formed on the outer edge of the valley of the micro-engraved pattern formed on one side of the terminal lead of the metal terminal.

또한, 상기 제4금속돌기의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛일 수 있다.In addition, the height of the fourth metal protrusion may be 0.1 μm to 70 μm.

또한, 회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합되는 상기 금속터미널의 터미널리드는 상기 회로기판을 기준으로 5° 내지 70°의 벤딩 각도로 상기 반도체부품 내측 또는 외측으로 절곡 형성될 수 있다.In addition, the terminal lead of the metal terminal bonded to be electrically connected to the circuit board may be bent inside or outside the semiconductor component at a bending angle of 5° to 70° with respect to the circuit board.

또한, 상기 반도체부품은 세라믹 콘덴서 또는 적층 세라믹 콘덴서를 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor component may include a ceramic capacitor or a multilayer ceramic capacitor.

또한, 상기 미세음각패턴의 단면은 V자 또는 U자 형상의 골로 형성될 수 있다.In addition, the cross-section of the micro-engraved pattern may be formed of a V- or U-shaped valley.

또한, 상기 금속터미널의 터미널리드는 회로기판 상에 전도성 접착제를 개재하여 상기 회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합될 수 있다.In addition, the terminal lead of the metal terminal may be bonded to be electrically connected to the circuit board by interposing a conductive adhesive on the circuit board.

또한, 상기 전도성 접착제는 상기 터미널리드의 미세음각패턴의 하나 이상의 골 내측에 일정부분 채워질 수 있다.In addition, the conductive adhesive may be partially filled inside one or more valleys of the micro-engraved pattern of the terminal lead.

또한, 상기 전도성 접착제와 접하는 상기 금속터미널의 터미널리드에는 미세홀이 다수 이격되어 형성되고, 상기 전도성 접착제가 상기 미세홀을 관통하여 형성될 수 있다.In addition, in the terminal lead of the metal terminal in contact with the conductive adhesive, a plurality of micro-holes may be formed to be spaced apart, and the conductive adhesive may be formed through the micro-holes.

본 발명에 의하면, 금속터미널의 미세음각패턴 및 금속돌기에 의해 단자전극 또는 회로기판과의 접합강도를 높이고 수분침투를 억제하여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시키며, 터미널리드를 절곡시켜 회로기판과 접합하여 터미널리드와 회로기판과의 접합강도를 높일 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the bonding strength with the terminal electrode or circuit board is increased by the fine engraved pattern and the metal protrusion of the metal terminal, the electrical reliability and mass productivity are improved by suppressing moisture penetration, and the terminal lead is bent to bond with the circuit board. This has the effect of increasing the bonding strength between the terminal lead and the circuit board.

도 1은 종래기술에 의한 전자부품을 예시한 것이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치를 각각 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 반도체 장치의 측면도를 도시한 것이다.
도 5 및 도 6은 도 2의 반도체 장치의 다른 예를 각각 도시한 것이다.
도 7은 도 5의 반도체 장치의 측면도를 도시한 것이다.
도 8은 도 2의 반도체 장치의 단면도를 도시한 것이다.
도 9는 도 2 및 도 5의 반도체 장치의 미세음각패턴의 SEM 사진을 예시한 것이다.
도 10은 도 9의 미세음각패턴의 골의 SEM 사진을 예시한 것이다.
도 11은 도 2 및 도 5의 반도체 장치의 미세음각패턴의 금속돌기를 도시한 것이다.
도 12는 도 2 및 도 5의 반도체 장치의 미세음각패턴의 다양한 예를 각각 예시한 것이다.
도 13은 도 2 및 도 5의 반도체 장치의 터미널리드의 변형예를 예시한 것이다.1 illustrates an electronic component according to the prior art.
2 and 3 each show a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a side view of the semiconductor device of FIG. 2 .
5 and 6 each show another example of the semiconductor device of FIG. 2 .
FIG. 7 is a side view of the semiconductor device of FIG. 5 .
FIG. 8 is a cross-sectional view of the semiconductor device of FIG. 2 .
9 illustrates an SEM photograph of the micro-engraved pattern of the semiconductor device of FIGS. 2 and 5 .
FIG. 10 illustrates an SEM photograph of the valley of the micro-engraved pattern of FIG. 9 .
11 is a view illustrating a metal protrusion of a micro-engraved pattern of the semiconductor device of FIGS. 2 and 5 .
12 illustrates various examples of micro-engraved patterns of the semiconductor device of FIGS. 2 and 5 , respectively.
13 illustrates a modified example of the terminal lead of the semiconductor device of FIGS. 2 and 5 .

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 발명의 실시예에 의한 반도체 장치는, 양단에 단자전극(111)이 각각 형성된 반도체 부품(110), 단자전극(111)과 접합되어 전기적으로 연결되는 금속터미널(120), 및 단자전극(111)과 금속터미널(120) 사이에 개재되어 상호 접합시키는 전도성 접착제(130)를 포함하되, 단자전극(111)에 대향하는 금속터미널(120)의 표면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골(121a)로 이루어진 미세음각패턴(121)이 형성되며, 미세음각패턴(121)의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제1금속돌기(122)가 형성되고, 전도성 접착제(130)는 미세음각패턴(121)의 하나 이상의 골(121a) 내측에 일정부분 채워지도록 형성되어, 단자전극(111)과 금속터미널(120)의 접합강도를 높여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시키는 것을 요지로 한다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a semiconductor component 110 having terminal electrodes 111 formed at both ends, a metal terminal 120 electrically connected to the terminal electrode 111 by bonding, and a terminal electrode 111 . ) and a conductive adhesive 130 interposed between the metal terminal 120 and bonding to each other, but a continuous line formed to a depth of 1 μm to 150 μm on the surface of the metal terminal 120 opposite to the terminal electrode 111 . A micro-engraved pattern 121 made of a plurality of valleys 121a in the form is formed, and one or more first metal protrusions 122 are formed on the inner wall of the micro-engraved pattern 121 to a height of 1 μm or more, and a conductive adhesive ( 130) is formed to be partially filled inside one or more of the valleys 121a of the micro-engraved pattern 121 to increase the bonding strength between the terminal electrode 111 and the metal terminal 120 to improve electrical reliability and mass productivity. make the gist

이하, 도 2 내지 도 12를 참조하여, 전술한 반도체 장치의 구성을 구체적으로 상술하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of the above-described semiconductor device will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 12 .

선행하여, 도 2 내지 도 4에 도시된 반도체 장치는, 반도체 부품(110)이 금속터미널(120) 사이에 수직 방향으로 배열되는 구조를 예시한 것이고, 도 5 내지 도 7에 도시된 반도체 장치는, 반도체 부품(110)이 금속터미널(120) 사이에 수평 방향으로 배열되는 구조를 예시한 것이다.Previously, the semiconductor device shown in FIGS. 2 to 4 exemplifies a structure in which the semiconductor components 110 are vertically arranged between the metal terminals 120 , and the semiconductor device shown in FIGS. 5 to 7 is , illustrates a structure in which the semiconductor components 110 are arranged in a horizontal direction between the metal terminals 120 .

우선, 반도체 부품(110)의 양단에는 단자전극(111)이 각각 형성되어 단자전극(111)을 통해 회로기판(140)과 전기적으로 연결된다.First, terminal electrodes 111 are respectively formed at both ends of the semiconductor component 110 to be electrically connected to the circuit board 140 through the terminal electrodes 111 .

한편, 반도체부품으로는 세라믹 콘덴서 또는 적층 세라믹 콘덴서(MLCC;Multi layer ceramic condenser)일 수 있고, 특히 MLCC는 전압을 일정하게 유지하도록 하여 과전압 또는 저전압에 의한 IC의 오동작을 억제하고 고주파 노이즈를 외부로 방출하는 역할을 한다.On the other hand, the semiconductor component may be a ceramic capacitor or a multi-layer ceramic condenser (MLCC). In particular, the MLCC maintains a constant voltage to suppress malfunctions of the IC due to overvoltage or undervoltage, and to reduce high-frequency noise to the outside. serves to emit.

다음, 금속터미널(120)은 전도성 접착제(130)에 의해 단자전극(111)과 접합되어 회로기판(140)과 전기적으로 연결되도록 형성된다.Next, the metal terminal 120 is bonded to the terminal electrode 111 by the conductive adhesive 130 to be electrically connected to the circuit board 140 .

여기서, 도 3, 도 6, 도 9 및 도 10을 참고하면, 단자전극(111)에 대향하는 금속터미널(120)의 표면에는, 레이저조사에 의해, 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골(121a)로 이루어진 미세음각패턴(121)이 형성된다.Here, referring to FIGS. 3, 6, 9 and 10 , on the surface of the metal terminal 120 facing the terminal electrode 111, a continuous line formed to a depth of 1 μm to 150 μm by laser irradiation A micro-engraved pattern 121 made of a plurality of valleys 121a in the form is formed.

다음, 전도성 접착제(130)는, 도 8에 확대 도시된 바와 같이, 단자전극(111)과 금속터미널(120) 사이에 개재되어 솔더링 또는 신터링에 의해 상호 접합시켜 단자전극(111)과 금속터미널(120)를 전기적으로 연결한다.Next, the conductive adhesive 130 is interposed between the terminal electrode 111 and the metal terminal 120 and bonded to each other by soldering or sintering, as shown in an enlarged view in FIG. 8 , and the terminal electrode 111 and the metal terminal (120) is electrically connected.

한편, 도 11을 참고하면, 미세음각패턴(121)의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제1금속돌기(122)가 돌출 형성되고, 전도성 접착제(130)는 미세음각패턴(121)의 하나 이상의 골(121a) 내측에 일정부분 채워져서, 제1금속돌기(122)에 의해 전도성 접착제(130)와의 접촉면적 및 표면조도를 크게 하여 전극단자(111)와 금속터미널(120)과의 접합강도를 높일 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 11 , one or more first metal protrusions 122 are formed to protrude to a height of 1 μm or more on the inner wall of the micro-engraved pattern 121 , and the conductive adhesive 130 is one of the micro-engraved patterns 121 . The above-mentioned valley 121a is partially filled inside, and the contact area and surface roughness with the conductive adhesive 130 are increased by the first metal protrusion 122 to increase the bonding strength between the electrode terminal 111 and the metal terminal 120 . can increase

한편, 도 9의 (b) 및 (c)를 참고하면, 미세음각패턴(121)의 골(121a)의 외측 가장자리에는 금속터미널(120)의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제2금속돌기(123)가 형성되어서 제2금속돌기(123)에 의해 전도성 접착제(130)와의 접촉면적 및 표면조도를 크게 하여, 전극단자(111)와 금속터미널(120)과의 접합강도를 높이고 금속터미널(120)과 전도성 접착제(130) 사이의 마이크로미터 수준의 틈을 통한 금속터미널(120)의 표면으로부터 골(121a)로의 수분침투를 억제하여 내부부식을 방지할 수 있는데, 바람직하게 제2금속돌기(123)의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛일 수 있다.On the other hand, referring to FIGS. 9 (b) and (c), on the outer edge of the valley 121a of the micro-engraved pattern 121, a second metal protrusion 123 protruding to a predetermined height from the surface of the metal terminal 120 ) is formed to increase the contact area and surface roughness with the conductive adhesive 130 by the second metal protrusion 123 to increase the bonding strength between the electrode terminal 111 and the metal terminal 120, and the metal terminal 120 It is possible to prevent internal corrosion by inhibiting moisture penetration from the surface of the metal terminal 120 to the bone 121a through the micrometer-level gap between the conductive adhesive 130 and the second metal protrusion 123. The height may be 0.1 μm to 70 μm.

또한, 도시되지는 않았으나, 제1금속돌기(122) 또는 제2금속돌기(123)의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 적층 형성될 수도 있고, 금속터미널(120)의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성될 수도 있다.In addition, although not shown, one or more metal plating layers may be laminated on the surface of the first metal projection 122 or the second metal projection 123 , and one or more metal plating layers may be formed on the surface of the metal terminal 120 . it might be

여기서, 금속도금층은 Ni, Ag, Au, Pd, Cu 및 Sn 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, 이들 중 적어도 하나 이상의 성분을 포함하는 합금으로 구성될 수 있고, 금속터미널(120)은 Fe, Cu, Al 및 Cr 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, 이들 중 적어도 하나 이상의 성분을 포함하는 합금으로 구성될 수 있다.Here, the metal plating layer may be composed of a single component of any one of Ni, Ag, Au, Pd, Cu and Sn, or may be composed of an alloy containing at least one of these components, and the metal terminal 120 is Fe, It may be composed of a single component of Cu, Al, and Cr, or an alloy containing at least one of these components.

또한, 전도성 접착제(130)는 Sn, Pb 및 Ag 중 어느 하나 이상이 코팅된 Cu 단일 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용하거나, Sn, Pb, Cu 및 Ag 중 어느 하나 이상의 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용할 수 있고, 200℃ 이상의 소성 공정을 통해, 단자전극(111)과 금속터미널(120)을 상호 접합시켜 전기적으로 연결하되, 금속터미널(120)의 표면으로부터 미세음각패턴(121)의 골(121a) 내측방향으로, 골(121a)의 깊이 기준으로 적어도 30% 이상의 높이로 채워져서 일정수준 이상의 접합력을 유지하도록 할 수 있다. 즉, 단자전극(111)과 금속터미널(120)을 전도성 접착제(130)로 상호 접합시키는데 있어 전도성 접착제(130)는 금속터미널(120)의 표면으로부터 골(121a)의 내측방향으로 채워지는데, 이때 금속터미널(120)의 표면으로부터 골(121a)의 깊이 기준 적어도 30% 이상 높이로 채워질 수 있으며, 이때 골(121a)의 깊이 기준 100%가 채워지는 것은 골(121a)의 저면부까지 전도성 접착제(130)가 채워지는 것을 의미한다.In addition, the conductive adhesive 130 uses a material in which a metal powder of a single component of Cu coated with at least one of Sn, Pb, and Ag is formed in a paste state, or a metal of any one or more components of Sn, Pb, Cu and Ag. A material in which the powder is formed in a paste state can be used, and through a firing process of 200° C. or higher, the terminal electrode 111 and the metal terminal 120 are electrically connected to each other by bonding, but micro-engraved from the surface of the metal terminal 120 In the inner direction of the valleys 121a of the pattern 121, it may be filled to a height of at least 30% or more based on the depth of the valleys 121a to maintain bonding strength of a certain level or more. That is, in interconnecting the terminal electrode 111 and the metal terminal 120 with the conductive adhesive 130, the conductive adhesive 130 is filled from the surface of the metal terminal 120 in the inner direction of the valley 121a. From the surface of the metal terminal 120, it may be filled to a height of at least 30% or more based on the depth of the valley 121a, in which case 100% of the depth of the valley 121a is filled with a conductive adhesive ( 130) is filled.

여기서, 도 11의 (a)에 도시된 바와 같이, 전도성 접착제(130)는 금속분말의 금속알갱이를 포함할 수 있고, 적어도 하나 이상의 금속알갱이(131)는 제1금속돌기(122)와 전기적으로 접촉할 수 있다.Here, as shown in (a) of FIG. 11 , the conductive adhesive 130 may include metal particles of a metal powder, and at least one or more metal particles 131 are electrically connected to the first metal projection 122 . can be contacted

한편, 도 11의 (b)에 도시된 바와 같이, 전도성 접착제(130)와 제1금속돌기(122) 사이에는 반도체특성을 갖는 Sn 함유 금속간화합물(intermetallic compound; IMC)(124)이 형성될 수 있거나, 또는 전도성 접착제(130)와 제1금속돌기(122) 사이에는 반도체특성을 갖는 Cu 함유 금속간화합물(124)이 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 11B , a Sn-containing intermetallic compound (IMC) 124 having semiconductor properties is formed between the conductive adhesive 130 and the first metal protrusion 122 . Alternatively, a Cu-containing intermetallic compound 124 having semiconductor properties may be formed between the conductive adhesive 130 and the first metal protrusion 122 .

또한, 도 3의 (b), 도 6의 (b) 및 도 8에 확대 도시된 바와 같이, 회로기판(140)과 전기적으로 연결되도록 접합되는 금속터미널(120)의 터미널리드(125)의 일측면에는, 레이저조사에 의해, 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골(126a)로 이루어진 미세음각패턴(126)이 형성되며, 금속터미널(120)의 터미널리드(125)는 회로기판(140) 상에 전도성 접착제(150)를 개재하여 회로기판(140)과 전기적으로 연결되도록 접합될 수 있고, 또한, 전도성 접착제(150)는 터미널리드(125)의 미세음각패턴(126)의 골(126a) 내측에 일정부분 채워질 수 있으며, 예컨대 터미널리드(125)의 표면으로부터 미세음각패턴(126)의 골(126a) 내측 방향으로, 골(126a)의 깊이 기준으로 적어도 30% 이상의 높이로 채워져서 일정수준 이상의 접합력을 유지하도록 할 수 있다. 즉, 전도성 접착제(150)는 터미널리드(125)의 표면으로부터 미세음각패턴(126)의 골(126a) 내측방향으로 채워지는데, 이때 터미널리드(125)의 표면으로부터 골(126a)의 깊이 기준 적어도 30% 이상의 높이로 채워질 수 있으며, 이때, 골(126a)의 깊이 기준 100%가 채워지는 것은 골(126a)의 저면부까지 전도성 접착제(150)가 채워지는 것을 의미한다.In addition, one of the terminal leads 125 of the metal terminal 120 bonded to be electrically connected to the circuit board 140 as shown in enlarged views in FIGS. 3 ( b ), 6 ( b ) and 8 . On the side surface, by laser irradiation, a micro-engraved pattern 126 consisting of a plurality of continuous linear valleys 126a formed to a depth of 1 μm to 150 μm is formed, and the terminal lead 125 of the metal terminal 120 is formed. may be bonded to be electrically connected to the circuit board 140 by interposing the conductive adhesive 150 on the circuit board 140 , and the conductive adhesive 150 is a micro-engraved pattern 126 of the terminal lead 125 . ) may be partially filled inside the valley 126a, for example, from the surface of the terminal lead 125 in the inner direction of the valley 126a of the micro-engraved pattern 126, based on the depth of the valley 126a, at least 30% or more It can be filled with a height to maintain a certain level of bonding strength. That is, the conductive adhesive 150 is filled inwardly from the surface of the terminal lead 125 to the valley 126a of the micro-engraved pattern 126, at this time from the surface of the terminal lead 125 to the depth of the valley 126a. It may be filled to a height of 30% or more, and in this case, 100% of the depth of the valley 126a is filled means that the conductive adhesive 150 is filled up to the bottom of the valley 126a.

여기서, 별도로 도시되지는 않았으나 도 11의 (a)에 도시된 제1금속돌기(122) 및 도 9에 도시된 제2금속돌기(123)의 구조와 동일하게, 미세음각패턴(126)의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제3금속돌기가 형성되고, 미세음각패턴(126)의 골(126a)의 외측 가장자리에는 금속터미널(120)의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제4금속돌기가 형성되어서, 제3금속돌기 및 제4금속돌기에 의해 전도성 접착제(150)와의 접촉면적 및 표면조도를 크게 하여 터미널리드(125)와 회로기판(140)과의 접합강도를 높이고, 터미널리드(125)와 전도성 접착제(150) 사이의 마이크로미터 수준의 틈을 통한 터미널리드(125)의 표면으로부터 골(126a)로의 수분침투를 억제하여 내부부식을 방지할 수 있는데, 바람직하게 제4금속돌기의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛일 수 있다.Here, although not shown separately, the inner wall of the micro-engraved pattern 126 is identical to the structure of the first metal protrusion 122 shown in FIG. 11 (a) and the second metal protrusion 123 shown in FIG. 9 . At least one third metal protrusion is formed at a height of 1 μm or more, and a fourth metal protrusion protruding to a predetermined height from the surface of the metal terminal 120 is formed on the outer edge of the valley 126a of the micro-engraved pattern 126 . Therefore, by increasing the contact area and surface roughness with the conductive adhesive 150 by the third and fourth metal projections, the bonding strength between the terminal lead 125 and the circuit board 140 is increased, and the terminal lead 125 It is possible to prevent internal corrosion by suppressing moisture penetration from the surface of the terminal lead 125 to the valley 126a through a micrometer-level gap between the and conductive adhesive 150. Preferably, the height of the fourth metal protrusion is 0.1 It may be from ㎛ to 70㎛.

한편, 도 4 및 도 7에 도시된 바와 같이, 회로기판(140)과 전기적으로 연결되도록 접합되는 금속터미널(120)의 터미널리드(125)는 회로기판(140)을 기준으로 5° 내지 70°의 벤딩 각도(α)로 반도체부품 내측으로(a) 또는 외측으로(b) 절곡 형성되어서, 전도성 접착제(150)와의 접촉면적을 크게 하여 터미널리드(125)와 회로기판(140)과의 접합강도를 높일 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 4 and 7 , the terminal lead 125 of the metal terminal 120 , which is bonded to be electrically connected to the circuit board 140 , is 5° to 70° with respect to the circuit board 140 . By bending the semiconductor component inside (a) or outward (b) at a bending angle (α) of can increase

또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 금속터미널의 미세음각패턴(121)의 단면은 V자의 골(121a)(a) 또는 U자 형상의 골(121a)(b)로 형성될 수 있고, 별도로 도시되지는 않았으나, 터미널리드(125)의 미세음각패턴(126)의 단면은 V자의 골 또는 U자 형상의 골로 형성될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 9, the cross section of the micro-engraved pattern 121 of the metal terminal may be formed of V-shaped troughs 121a (a) or U-shaped troughs 121a, (b), and separately Although not shown, the cross-section of the micro-engraved pattern 126 of the terminal lead 125 may be formed of a V-shaped trough or a U-shaped trough.

한편, 도 12에 도시된 바와 같이, 미세음각패턴(121,126)은 사선형, 직선형, 격자형, 물결무늬형, 원형, 삼각형, 사각형 또는 벌집형으로 다양한 패턴으로 레이저조사에 의해 형성될 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 12 , the micro-engraved patterns 121 and 126 may be formed by laser irradiation in various patterns such as diagonal, linear, lattice, wavy, circular, triangular, square or honeycomb.

또한, 도 13은 도 2 및 도 5의 반도체 장치의 터미널리드의 변형예를 예시한 것으로서, 도 13을 참고하면, 전도성 접착제(150)와 접하는 금속터미널(120)의 터미널리드(125)에는 미세홀(127)이 다수 이격되어 형성되고, 전도성 접착제(150)가 미세홀(127)을 관통하여 형성되어서, 미세홀(127)에 도포된 전도성 접착제(150)에 의해 전기적 신뢰성을 유지하면서 터미널리드(125)와 전도성 접착제(150)의 접합강도를 보다 높일 수도 있다.In addition, FIG. 13 exemplifies a modified example of the terminal lead of the semiconductor device of FIGS. 2 and 5 . Referring to FIG. 13 , the terminal lead 125 of the metal terminal 120 in contact with the conductive adhesive 150 has a fine A plurality of holes 127 are formed to be spaced apart, and the conductive adhesive 150 is formed to penetrate the micro-holes 127, so that electrical reliability is maintained by the conductive adhesive 150 applied to the micro-holes 127 and the terminal lead The bonding strength between (125) and the conductive adhesive 150 may be further increased.

따라서, 전술한 바와 같은 반도체 장치의 구성에 의해서, 금속터미널의 미세음각패턴 및 금속돌기에 의해 단자전극 또는 회로기판과의 접합강도를 높이고 수분침투를 억제하여 전기적 신뢰성 및 양산성을 향상시키며, 터미널리드를 절곡시켜 회로기판과 접합하여 터미널리드와 회로기판과의 접합강도를 높일 수 있다.Therefore, by the configuration of the semiconductor device as described above, the bonding strength with the terminal electrode or circuit board is increased by the fine engraved pattern and the metal protrusion of the metal terminal, and the electrical reliability and mass productivity are improved by suppressing moisture penetration, and the terminal By bending the lead and bonding it to the circuit board, the bonding strength between the terminal lead and the circuit board can be increased.

이상, 본 발명을 도면에 도시된 실시예를 참조하여 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명과 균등한 범위에 속하는 다양한 변형예 또는 다른 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 이어지는 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.In the above, the present invention has been described with reference to the embodiments shown in the drawings. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications or other embodiments within the scope equivalent to the present invention are possible by those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be defined by the following claims.

110 : 반도체 부품 111 : 단자전극
120: 금속터미널 121 : 미세음각패턴
122 : 제1금속돌기 123 : 제2금속돌기
124 : 금속간화합물 125 : 터미널리드
126 : 미세음각패턴 127 : 미세홀
130 : 전도성 접착제 131 : 금속알갱이
140 : 회로기판 150 : 전도성 접착제110: semiconductor component 111: terminal electrode
120: metal terminal 121: fine engraved pattern
122: first metal projection 123: second metal projection
124: intermetallic compound 125: terminal lead
126: fine engraved pattern 127: fine hole
130: conductive adhesive 131: metal grains
140: circuit board 150: conductive adhesive

Claims (22)

양단에 단자전극이 각각 형성된 반도체 부품;
상기 단자전극과 접합되어 전기적으로 연결되는 금속터미널; 및
상기 단자전극과 상기 금속터미널 사이에 개재되어 상호 접합시키는 제1전도성 접착제;를 포함하되,
상기 단자전극에 대향하는 상기 금속터미널의 표면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골로 이루어진 제1미세음각패턴이 형성되며, 상기 제1미세음각패턴의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제1금속돌기가 형성되고, 상기 제1전도성 접착제는 상기 제1미세음각패턴의 하나 이상의 골 내측에 일정부분 채워지며,
상기 제1미세음각패턴의 골의 외측 가장자리에는 상기 금속터미널의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제2금속돌기가 형성되고,
회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합되는 상기 금속터미널의 터미널리드의 일측면에는 1㎛ 내지 150㎛ 깊이로 형성된 연속적인 선형태의 다수의 골로 이루어진 제2미세음각패턴이 더 형성되며, 상기 제2미세음각패턴의 내벽에는 1㎛ 이상의 높이로 하나 이상의 제3금속돌기가 형성되고,
상기 금속터미널의 터미널리드의 일측면에 형성된 상기 제2미세음각패턴의 골의 외측 가장자리에는 상기 금속터미널의 터미널리드의 표면으로부터 일정 높이로 돌출된 제4금속돌기가 더 형성되며,
상기 회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합되는 상기 금속터미널의 터미널리드는 상기 회로기판을 기준으로 5° 내지 70°의 벤딩 각도로 상기 반도체부품 내측 또는 외측으로 절곡 형성되고,
상기 금속터미널의 터미널리드는 상기 회로기판 상에 제2전도성 접착제를 개재하여 상기 회로기판과 전기적으로 연결되도록 접합되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.a semiconductor component having terminal electrodes formed on both ends, respectively;
a metal terminal bonded to the terminal electrode and electrically connected to the metal terminal; and
A first conductive adhesive interposed between the terminal electrode and the metal terminal for bonding to each other; including,
On the surface of the metal terminal facing the terminal electrode, a first micro-engraved pattern consisting of a plurality of continuous linear valleys formed to a depth of 1 µm to 150 µm is formed, and on the inner wall of the first micro-engraved pattern, 1 µm or more One or more first metal projections are formed in height, and the first conductive adhesive is partially filled inside one or more valleys of the first micro-engraved pattern,
A second metal protrusion protruding to a predetermined height from the surface of the metal terminal is formed on the outer edge of the valley of the first micro-engraved pattern,
On one side of the terminal lead of the metal terminal joined to be electrically connected to the circuit board, a second fine engraved pattern comprising a plurality of continuous linear valleys formed to a depth of 1 μm to 150 μm is further formed, and the second fine One or more third metal protrusions are formed on the inner wall of the intaglio pattern to a height of 1 μm or more,
A fourth metal projection protruding to a predetermined height from the surface of the terminal lead of the metal terminal is further formed on the outer edge of the valley of the second fine engraved pattern formed on one side of the terminal lead of the metal terminal,
The terminal lead of the metal terminal bonded to be electrically connected to the circuit board is bent inside or outside the semiconductor component at a bending angle of 5° to 70° with respect to the circuit board,
The terminal lead of the metal terminal is bonded so as to be electrically connected to the circuit board via a second conductive adhesive on the circuit board. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2금속돌기의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The height of the second metal protrusion is 0.1 μm to 70 μm, characterized in that the semiconductor device. 제 1 항에 있어서,
상기 제1금속돌기의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A semiconductor device, characterized in that one or more metal plating layers are formed on the surface of the first metal protrusion. 제 1 항에 있어서,
상기 제2금속돌기의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A semiconductor device, characterized in that one or more metal plating layers are formed on the surface of the second metal protrusion. 제 1 항에 있어서,
상기 금속터미널의 표면에는 한층 이상의 금속도금층이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A semiconductor device, characterized in that one or more metal plating layers are formed on the surface of the metal terminal. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속도금층은 Ni, Ag, Au, Pd, Cu 및 Sn 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, 또는 Ni, Ag, Au, Pd, Cu 및 Sn 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.7. The method according to any one of claims 4 to 6,
The metal plating layer is composed of a single component of any one of Ni, Ag, Au, Pd, Cu and Sn, or is composed of an alloy containing any one or more of Ni, Ag, Au, Pd, Cu and Sn. with a semiconductor device. 제 1 항에 있어서,
상기 금속터미널은 Fe, Cu, Al 및 Cr 중 어느 하나의 단일 성분으로 구성되거나, Fe, Cu, Al 및 Cr 중 어느 하나 이상을 포함하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The metal terminal is composed of a single component of any one of Fe, Cu, Al and Cr, or is composed of an alloy containing any one or more of Fe, Cu, Al and Cr, the semiconductor device. 제 1 항에 있어서,
상기 제1전도성 접착제 또는 상기 제2전도성 접착제는 Sn, Pb 및 Ag 중 어느 하나 이상이 코팅된 Cu 단일 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용하거나, Sn, Pb, Cu 및 Ag 중 어느 하나 이상의 성분의 금속분말이 페이스트 상태로 형성된 소재를 사용하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
For the first conductive adhesive or the second conductive adhesive, a material in which a single Cu metal powder coated with at least one of Sn, Pb, and Ag is formed in a paste state, or any one of Sn, Pb, Cu and Ag A semiconductor device, characterized in that a material in which the metal powder of the above components is formed in a paste state is used. 제 1 항에 있어서,
200℃ 이상의 소성 공정을 통해, 상기 단자전극과 상기 금속터미널을 상호 접합시켜 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A semiconductor device, characterized in that the terminal electrode and the metal terminal are electrically connected to each other through a firing process of 200° C. or higher. 제 1 항에 있어서,
상기 제1전도성 접착제는 상기 금속터미널의 표면으로부터 상기 골 내측방향으로, 상기 골의 깊이 기준으로 30% 이상의 높이로 채워지거나, 혹은
상기 제2전도성 접착제는 상기 터미널리드의 표면으로부터 상기 골 내측방향으로, 상기 골의 깊이 기준으로 30% 이상의 높이로 채워지는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The first conductive adhesive is filled in the inner direction of the bone from the surface of the metal terminal to a height of 30% or more based on the depth of the bone, or
The second conductive adhesive is filled from the surface of the terminal lead in the inner direction of the valley to a height of 30% or more based on the depth of the valley, the semiconductor device. 제 1 항에 있어서,
상기 제1전도성 접착제와 상기 제1금속돌기 사이, 또는 상기 제2전도성 접착제와 상기 제3금속돌기 사이에는 Sn 또는 Cu 함유 금속간화합물이 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A semiconductor device, characterized in that the Sn or Cu-containing intermetallic compound is formed between the first conductive adhesive and the first metallic protrusion or between the second conductive adhesive and the third metallic protrusion. 제 1 항에 있어서,
상기 제1전도성 접착제 또는 상기 제2전도성 접착제는 금속알갱이를 포함하고,
하나 이상의 상기 금속알갱이가 상기 제1금속돌기 또는 상기 제3금속돌기와 전기적으로 접촉하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The first conductive adhesive or the second conductive adhesive includes metal particles,
The semiconductor device, characterized in that at least one of the metal grains is in electrical contact with the first metal projection or the third metal projection. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제4금속돌기의 높이는 0.1㎛ 내지 70㎛인 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The height of the fourth metal protrusion is 0.1 μm to 70 μm, characterized in that the semiconductor device. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 반도체부품은 세라믹 콘덴서 또는 적층 세라믹 콘덴서를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The semiconductor device, characterized in that the semiconductor component includes a ceramic capacitor or a multilayer ceramic capacitor. 제 1 항에 있어서,
상기 제1미세음각패턴 또는 상기 제2미세음각패턴의 단면은 V자 또는 U자 형상의 골로 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A cross section of the first micro-engraved pattern or the second micro-engraved pattern is formed as a V- or U-shaped valley. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제2전도성 접착제는 상기 금속터미널의 터미널리드의 제2미세음각패턴의 하나 이상의 골 내측에 일정부분 채워지는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
The second conductive adhesive is a semiconductor device, characterized in that a portion is filled inside one or more valleys of the second micro-engraved pattern of the terminal lead of the metal terminal. 제 1 항에 있어서,
상기 제2전도성 접착제와 접하는 상기 금속터미널의 터미널리드에는 미세홀이 다수 이격되어 형성되고, 상기 제2전도성 접착제가 상기 미세홀을 관통하여 형성되는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치.The method of claim 1,
A plurality of micro-holes are formed in a terminal lead of the metal terminal in contact with the second conductive adhesive, and the second conductive adhesive is formed through the micro-holes.
KR1020200080214A 2020-06-30 2020-06-30 Semiconductor device KR102387890B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200080214A KR102387890B1 (en) 2020-06-30 2020-06-30 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200080214A KR102387890B1 (en) 2020-06-30 2020-06-30 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220001816A KR20220001816A (en) 2022-01-06
KR102387890B1 true KR102387890B1 (en) 2022-04-18

Family

ID=79348072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200080214A KR102387890B1 (en) 2020-06-30 2020-06-30 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102387890B1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015095490A (en) 2013-11-08 2015-05-18 Tdk株式会社 Ceramic electronic component
JP2016225380A (en) 2015-05-28 2016-12-28 株式会社村田製作所 Ceramic electronic component
KR101862705B1 (en) * 2017-09-29 2018-05-30 제엠제코(주) Clip and leadframe for semiconductor package with finely engraved patterns and the semiconductor package having the same
JP6393026B2 (en) 2013-08-09 2018-09-19 日立エーアイシー株式会社 Metallized film capacitors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11329893A (en) * 1998-05-20 1999-11-30 Tokin Corp Laminated capacitor with metal terminal and its manufacture
JP4187184B2 (en) 2002-02-28 2008-11-26 Ｔｄｋ株式会社 Electronic components
EP1890302B1 (en) * 2005-05-23 2018-06-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and method for manufacturing same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6393026B2 (en) 2013-08-09 2018-09-19 日立エーアイシー株式会社 Metallized film capacitors
JP2015095490A (en) 2013-11-08 2015-05-18 Tdk株式会社 Ceramic electronic component
JP2016225380A (en) 2015-05-28 2016-12-28 株式会社村田製作所 Ceramic electronic component
KR101862705B1 (en) * 2017-09-29 2018-05-30 제엠제코(주) Clip and leadframe for semiconductor package with finely engraved patterns and the semiconductor package having the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220001816A (en) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9947466B2 (en) Electronic component
US10186367B2 (en) Electronic component and board having the same
JP5472230B2 (en) Chip component structure and manufacturing method
KR102171678B1 (en) Multi-layered ceramic capacitor and board for mounting the same
JP5955919B2 (en) Multilayer chip electronic component and its mounting board
KR101952860B1 (en) Multi-layered ceramic capacitor and board for mounting the same
US10522289B2 (en) Electronic component and electronic component series including the same
US10879000B2 (en) Multilayer ceramic electronic component and interposer included therein
JP2015065394A (en) Multilayer ceramic electronic component to be embedded in board, manufacturing method thereof, and printed circuit board having multilayer ceramic electronic component embedded therein
JPWO2013008550A1 (en) Electronic components
KR102183424B1 (en) stacked electronic component and and circuit board for mounting the same
JP2017005221A (en) Composite electronic component
CN111863450B (en) Interposer and electronic assembly including the same
CN107808775B (en) Composite electronic component and resistive element
KR20150091677A (en) Embedded multilayer ceramic electronic component, manufacturing method thereof and print circuit board having embedded multilayer ceramic electronic component
JP2008060214A (en) Mounting structure of laminated ceramic electronic component
JP2016076582A (en) Ceramic electronic component
KR102387890B1 (en) Semiconductor device
KR20160000329A (en) Multi-layered inductor and board having the same mounted thereon
KR102387893B1 (en) Semiconductor device by using metal spacer bonding
KR20190098016A (en) Electronic component and board having the same mounted thereon
CN113764170A (en) Laminated inductor component
JP4654929B2 (en) Chip type solid electrolytic capacitor
CN112349516B (en) Multilayer ceramic capacitor and substrate including the same
KR102514239B1 (en) Multi-layered capacitor and board having the same mounted thereon

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant