KR102385329B1 - Wafer storage container - Google Patents

Wafer storage container Download PDF

Info

Publication number
KR102385329B1
KR102385329B1 KR1020170035864A KR20170035864A KR102385329B1 KR 102385329 B1 KR102385329 B1 KR 102385329B1 KR 1020170035864 A KR1020170035864 A KR 1020170035864A KR 20170035864 A KR20170035864 A KR 20170035864A KR 102385329 B1 KR102385329 B1 KR 102385329B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
injection
flow path
purge gas
plate
branch flow
Prior art date
Application number
KR1020170035864A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180107500A (en
Inventor
우범제
Original Assignee
우범제
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우범제 filed Critical 우범제
Priority to KR1020170035864A priority Critical patent/KR102385329B1/en
Publication of KR20180107500A publication Critical patent/KR20180107500A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102385329B1 publication Critical patent/KR102385329B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67379Closed carriers characterised by coupling elements, kinematic members, handles or elements to be externally gripped

Abstract

본 발명은 수납실에 수납되는 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여 웨이퍼의 퓸을 제거하거나 웨이퍼의 습기를 제거하는 웨이퍼 수납용기에 관한 것으로서, 특히, 균일한 퍼지가스의 분사를 통해 사영역 발생을 최소화함과 동시에 수납실 내부의 난류 형성을 방지하여 웨이퍼 퍼징의 효율을 높이고, 수납실 내부로 퍼지가스를 분사하는 분사부재의 컴팩트화를 도모하여 웨이퍼 수납용기 전체의 컴팩트화를 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer storage container that removes fumes or moisture from a wafer by supplying a purge gas to a wafer accommodated in a storage room, and in particular, minimizes dead areas through uniform spraying of purge gas At the same time, it prevents the formation of turbulence inside the storage chamber to increase the efficiency of wafer purging, and promotes compactness of the injection member that injects the purge gas into the storage chamber, thereby achieving the overall compactness of the wafer storage container. is about

Description

웨이퍼 수납용기{WAFER STORAGE CONTAINER}Wafer storage container {WAFER STORAGE CONTAINER}

본 발명은 웨이퍼 수납용기에 관한 것으로서, 수납실에 수납되는 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여 웨이퍼의 퓸을 제거하거나, 웨이퍼의 습기를 제거하는 웨이퍼 수납용기에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer storage container, and to a wafer storage container that supplies a purge gas to a wafer accommodated in a storage chamber to remove fumes from the wafer or to remove moisture from the wafer.

일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 증착 공정, 연마 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 세정 공정, 검사 공정, 열처리 공정 등이 선택적이면서도 반복적으로 수행되어 제조되며, 이렇게 반도체 소자로 형성되기 위하여 웨이퍼는 각 공정에서 요구되는 특정 위치로 운반되어 진다.In general, a semiconductor device is manufactured by selectively and repeatedly performing a deposition process, a polishing process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, and a heat treatment process on a wafer, and thus formed into a semiconductor device. For this purpose, wafers are transported to specific locations required for each process.

웨이퍼는 고정밀도의 물품으로서 외부의 오염 물질과 충격으로부터 오염되거나 손상되지 않도록 개구형 통합형 포드(Front Opening Unifie Pod, FOUP) 등과 같은 웨이퍼 수납용기에 수납되어 보관되거나 운반되어 진다.Wafers are high-precision items and are stored or transported in a wafer storage container such as a Front Opening Unifie Pod (FOUP) to prevent contamination or damage from external contaminants and impacts.

이 경우, 공정상에서 사용되는 공정 가스 및 공정상의 부산물인 퓸(Fume) 등이 제거되지 않고 웨이퍼 표면에 잔존하게 되며, 이로 인해, 공정 중 반도체 제조장비의 오염이 발생하거나, 웨이퍼의 에칭 패턴(etch pattern) 불량 등이 발생하여 웨이퍼의 신뢰성이 저하되는 문제가 있다.In this case, the process gas used in the process and fume, which is a by-product of the process, are not removed and remain on the wafer surface. There is a problem in that the reliability of the wafer is deteriorated due to the occurrence of pattern) defects.

최근에 이러한 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼 수납용기에 수납된 웨이퍼에 퍼지가스를 공급하여, 웨이퍼의 표면에 잔존하는 퓸을 제거하거나, 웨이퍼의 산화를 방지하는 퍼징(Purging) 기술들이 개발되고 있다.Recently, in order to solve this problem, purging technologies have been developed to supply a purge gas to a wafer accommodated in a wafer storage container to remove fumes remaining on the surface of the wafer or to prevent oxidation of the wafer.

위와 같이, 퍼지가스의 공급이 가능한 웨이퍼 수납용기로는 한국등록특허 제10-1637498호(이하, '특허문헌 1' 이라 한다)에 기재된 것이 공지되어 있다.As described above, as a wafer storage container capable of supplying a purge gas, the one described in Korean Patent No. 10-1637498 (hereinafter referred to as 'Patent Document 1') is known.

특허문헌 1의 웨이퍼 수납용기는,내부에 웨이퍼가 수납되는 수납실과, 수납실과 연통되는 제1가스주입실과, 수납실과 제1가스주입실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제1구멍이 형성된 제1분리벽과, 수납실과 연통되는 제2가스주입실과, 수납실과 제2가스주입실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제2구멍이 형성된 제2분리벽과, 수납실과 연통되는 가스배기실과, 수납실과 가스배기실을 서로 독립된 별개의 공간으로 분리하되, 가스가 연통되는 다수의 제3구멍이 형성된 제3분리벽과, 웨이퍼를 지지하는 다수의 플레이트를 포함하여 구성된다.The wafer storage container of Patent Document 1 includes a storage room in which a wafer is accommodated, a first gas injection room communicating with the storage room, and a storage room and a first gas injection room separated into separate spaces independent from each other, but a plurality of communicating gases A first partition wall having a first hole formed therein, a second gas injection room communicating with the storage room, and a storage room and a second gas injection room are separated into separate spaces independent of each other, and a plurality of second holes for communicating with the gas are formed A second partition wall, a gas exhaust room communicating with the storage room, and a third partition wall that separates the storage room and the gas exhaust room into separate spaces independent of each other, provided with a plurality of third holes through which gas communicates, and a wafer supporting the wafer It consists of a plurality of plates.

따라서, 제1, 2가스주입실로 유입된 가스는 각각 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되어 웨이퍼의 표면에 잔존하는 퓸과 함께 제3구멍을 통해 가스배기실로 배기되며, 이로 인해, 웨이퍼의 퓸 제거가 달성될 수 있다.Accordingly, the gas introduced into the first and second gas injection chambers is injected into the storage chamber through the first and second holes, respectively, and is exhausted into the gas exhaust chamber through the third hole together with the fume remaining on the surface of the wafer. Fume removal can be achieved.

그러나, 특허문헌 1의 웨이퍼 수납용기의 경우, 가스 유입홀을 통해 제1, 2가스주입실 각각에 유입된 가스가 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입될 때, 가스가 수납실 내부로 균일하게 주입하는데 한계가 있다.However, in the case of the wafer storage container of Patent Document 1, when the gas introduced into each of the first and second gas injection chambers through the gas inlet hole is injected into the storage chamber through the first and second holes, the gas is uniformly introduced into the storage chamber. There is a limit to how much it can be injected.

상세하게 설명하자면, 제1, 2가스주입실이 단순한 챔버형태로 이루어져 있으므로, 제1, 2가스주입실의 하부 영역에서 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되는 가스의 주입력과, 제1, 2가스주입실의 상부 영역에서 제1, 2구멍을 통해 수납실로 가스의 주입력은 서로 다를 수 밖에 없다. 따라서, 수납실 내부에 수납된 웨이퍼들의 퓸 제거가 고르게 이루어질 수 없다는 한계가 있다.. In detail, since the first and second gas injection chambers have a simple chamber shape, the injection force of the gas injected into the storage chamber through the first and second holes in the lower region of the first and second gas injection chambers, and the first , 2 The gas injection force is inevitably different from the upper region of the gas injection chamber to the storage chamber through the first and second holes. Therefore, there is a limit in that the removal of fume from the wafers accommodated in the storage chamber cannot be performed evenly.

또한, 전술한, 제1, 2가스주입실의 상, 하 영역 뿐만 아니라, 가스 유입홀과 상대적으로 먼 위치의 영역의 경우에도 가스 주입력의 불균등성이 발생할 개연성을 갖고 있다. 즉, 제1, 2가스주입실의 수직 및 수평 위치에 모두에 따라 가스 주입력의 불균등성이 발생되며, 이는 수납실 내부로 주입된 가스의 난류 형성에 기여하게 된다.In addition, there is a possibility that unevenness of the gas injection force may occur not only in the above-described upper and lower regions of the first and second gas injection chambers, but also in the region relatively far from the gas inlet hole. That is, unevenness of the gas injection force is generated depending on both the vertical and horizontal positions of the first and second gas injection chambers, which contributes to the formation of turbulence of the gas injected into the storage chamber.

위와 같이, 수납실 내부에 주입된 가스들이 일종의 난류를 형성함에 따라, 웨이퍼의 전 영역에 퍼징이 고르게 이루어질 수 없다는 한계가 있다.As described above, as the gases injected into the storage chamber form a kind of turbulence, there is a limitation in that purging cannot be performed evenly over the entire area of the wafer.

또한, 전술한 가스의 주입력 측면에서도, 상대적으로 직경이 작은 가스 유입홀을 통해 상대적으로 큰 부피를 갖는 제1, 2가스 주입실로 가스가 유입되게 되므로, 가스 유입홀로 유동될 때의 가스의 유동력, 즉, 가스의 유동속도가 그대로 유지될 수 없다는 한계가 있고, 이로 인해, 제1, 2구멍을 통해 수납실로 주입되는 가스의 주입력(가스의 유동 속도)이 현저히 약해지게 된다. 따라서, 웨이퍼의 퍼징이 이루어지지 않는 사영역이 많이 존재할 수 있는 문제점이 있다.In addition, in terms of the above-described gas injection force, since the gas is introduced into the first and second gas injection chambers having a relatively large volume through the relatively small diameter gas inlet hole, the flow rate of the gas when flowing into the gas inlet hole There is a limit in that power, that is, the flow rate of gas cannot be maintained as it is, and this significantly weakens the injection force (flow rate of gas) of the gas injected into the storage chamber through the first and second holes. Accordingly, there is a problem in that there may be many dead areas in which the purging of the wafer is not performed.

한국등록특허 제10-1670383호.Korean Patent No. 10-1670383.

본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로, 균일한 퍼지가스의 분사를 통해 사영역 발생을 최소화함과 동시에 수납실 내부의 난류 형성을 방지하여 웨이퍼 퍼징의 효율을 높이고, 수납실 내부로 퍼지가스를 분사하는 분사부재의 컴팩트화를 도모하여 웨이퍼 수납용기 전체의 컴팩트화를 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above problem, and it minimizes the occurrence of dead areas through uniform purge gas injection and at the same time prevents the formation of turbulence inside the storage chamber to increase the efficiency of wafer purging, and An object of the present invention is to provide a wafer storage container capable of achieving compactness of the entire wafer storage container by achieving compactness of an injection member for spraying a purge gas.

본 발명의 일 특징에 따른 웨이퍼 수납용기는, 전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실; 및 상기 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 상기 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재;를 포함하되, 상기 분사부재는, 상기 퍼지가스를 상기 수납실로 분사하도록 상기 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구; 및 유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 상기 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부;를 포함하고, 상기 분지유로부는 상기 일부면에서 평행이동한 면에 구비되고, 상기 분사구는 상기 수납실 내부의 하부영역에 퍼지가스를 분사하는 하부영역분사구와, 상기 수납실 내부의 상부영역에 퍼지가스를 분사하는 상부영역분사구를 포함하고, 상기 분지유로부는 하부영역분지유로부와, 상부영역분지유로부를 포함하고, 상기 하부영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 하부영역분사구를 통해 상기 하부영역으로 분사되고, 상기 상부영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 상부영역분사구를 통해 상기 상부영역으로 분사되고, 상기 하부영역분사구 및 상기 상부영역분사구에서 분사된 퍼지가스는 상기 수납실 내부의 상기 하부영역 및 상기 상부영역 각각에 분사되게 되어 상기 수납실 내부의 상기 하부영역 및 상기 상부영역의 퍼징을 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.A wafer storage container according to one aspect of the present invention includes a storage chamber in which the wafer accommodated through the front opening is accommodated; and an injection member disposed on at least a partial surface of the circumferential surface of the storage chamber to inject the purge gas into the storage chamber, wherein the injection member is arranged on the partial surface to inject the purge gas into the storage chamber a plurality of nozzles; and a branch flow path part having at least one branching section to flow the purge gas introduced through the inlet to the plurality of injection ports, wherein the branch flow path part is provided on a surface that is moved in parallel from the partial surface, and the injection port includes a lower area injection port for spraying a purge gas to a lower area inside the storage room and an upper area injection port for spraying a purge gas to an upper area inside the storage room, wherein the branch flow path includes a lower area branch flow passage part; an upper region branch flow path part, wherein the purge gas flowing through the lower region branch flow path part is injected into the lower region through the lower region injection port, and the purge gas flowing through the upper region branch flow path part flows through the upper region injection port. The purge gas injected into the upper region and injected from the lower region injection port and the upper region injection port is injected into each of the lower region and the upper region inside the storage chamber, and the lower region and the upper region inside the storage chamber. It is characterized in that the purging of the can be controlled.

또한, 상기 분사구는 상기 수납실 내부의 중앙영역에 퍼지가스를 분사하는 중앙영역분사구를 더 포함하고, 상기 분지유로부는 중앙영역분지유로부를 더 포함하고, 상기 중앙영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 중앙영역분사구를 통해 상기 중앙영역으로 분사되고, 상기 중앙영역분사구에서 분사된 퍼지가스는 상기 수납실 내부의 상기 중앙영역에 분사되게 되어 상기 수납실 내부의 상기 중앙영역의 퍼징을 제어할 수 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the injection port further includes a central area injection port for injecting a purge gas to a central area inside the storage room, the branch flow path part further comprising a central area branch flow path part, and the purge gas flowing through the central area branch flow path part is The purge gas injected into the central region through the central region jet port, and the purge gas injected from the central region injection port, is injected into the central region inside the storage chamber, so that purging of the central region inside the storage chamber can be controlled. characterized in that

또한, 상기 유입구는 상기 하부영역분지유로부로 퍼지가스를 유입시키는 하부영역유입구와, 상기 상부 영역분지유로부로 퍼지가스를 유입시키는 상부영역유입구를 포함하고, 상기 하부영역분지유로부의 메인유로에서 분지된 분지유로는, 상기 하부영역분지유로부의 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하고, 상기 하부영역유입구는 상기 하부영역분지유로부의 메인유로의 상하방향 길이의 중심에 위치하고, 상기 상부영역분지유로부의 메인유로에서 분지된 분지유로는, 상기 상부영역분지유로부의 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하고, 상기 상부영역유입구는 상기 상부영역분지유로부의 메인유로의 상하방향 길이의 중심에 위치하는 것을 특징으로 한다.In addition, the inlet includes a lower region inlet for introducing a purge gas into the lower region branch flow path part, and an upper region inlet for introducing a purge gas into the upper region branch passage part, and branched from the main flow path of the lower region branch flow path part. The branch flow path is branched symmetrically with respect to the main flow path of the sub-region branch flow path part to form the branching section, and the lower-region inlet is located at the center of the vertical length of the main flow path of the sub-region branch flow path part, and the The branching flow path branched from the main flow path of the upper region branch flow path part is branched symmetrically with respect to the main flow path of the upper region branch flow path part to form the branching section, and the upper region inlet is the main flow path of the upper region branch flow path part. It is characterized in that it is located at the center of the vertical length of the

또한, 상기 분지유로부를 통해 상기 유입구에서 상기 복수 개의 분사구 각각으로 유동하는 퍼지가스의 유동거리는 모두 동일한 것을 특징으로 한다.In addition, the flow distance of the purge gas flowing from the inlet to each of the plurality of injection holes through the branch flow passage is the same.

또한, 상기 분지유로부의 상기 분지구간은 서로 반대 방향으로 분지되어 2개의 분지유로로 분지되는 것을 특징으로 한다.In addition, the branching sections of the branch flow path are branched in opposite directions to each other and branched into two branch flow paths.

또한, 상기 분사부재는, 상기 복수 개의 분사구 및 상기 분지유로부가 형성되는 분사플레이트; 및 상기 분사플레이트에 결합하며, 상기 유입구가 형성되는 유입플레이트;를 더 포함하되, 상기 분사플레이트의 일측면에 상기 복수 개의 분사구가 형성되고, 상기 분사플레이트의 반대측면에 상기 분지유로부가 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the injection member may include: an injection plate in which the plurality of injection ports and the branch flow passage are formed; and an inlet plate coupled to the spray plate and having the inlet formed thereon, wherein the plurality of spray holes are formed on one side of the spray plate, and the branch flow path part is formed on the opposite side of the spray plate characterized.

또한, 상기 분사부재는, 상기 분사플레이트와 상기 유입플레이트 사이에 배치되며, 상기 유입구와 상기 분지유로부를 연통시키는 부가유로가 형성된 부가유로플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The injection member may further include an additional passage plate disposed between the injection plate and the inlet plate and having an additional passage communicating the inlet and the branch passage portion.

이상에서 살펴본 바와 같은 본 발명의 웨이퍼 수납용기에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the wafer storage container of the present invention as described above, there are the following effects.

분사부재의 유로 구조를 통해 종래의 웨이퍼 수납용기의 챔버 형태의 분사부재보다 외부 공급부에서 공급된 퍼지 가스의 유동 속도가 유지될 수 있으므로, 분사구에서 분사되는 퍼지가스의 분사 속도가 높아지게 되며, 이로 인해, 수납실 내부의 사영역의 발생을 최소화할 수 있다.The flow rate of the purge gas supplied from the external supply unit can be maintained through the flow path structure of the injection member, compared to the conventional injection member in the form of a chamber of the wafer storage container, so that the injection speed of the purge gas injected from the injection port is increased, which results in , it is possible to minimize the occurrence of dead areas inside the storage room.

수납실 내부의 하부영역, 중앙영역 및 상부영역으로의 퍼징을 개별적으로 제어할 수 있다.Purging to the lower area, the center area and the upper area inside the storage room can be individually controlled.

분사부재 및 웨이퍼 수납용기의 컴팩트화를 달성함과 동시에 효율적인 웨이퍼 퍼징을 달성할 수 있다.It is possible to achieve efficient wafer purging while achieving compactness of the jetting member and the wafer storage container.

분사부재의 분사구를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량이 균일하므로, 불균등한 퍼지가스의 분사로 인해 발생하는 수납실 내부의 난류 발생을 방지할 수 있으며, 이로 인해, 수납실 내부의 기류 형성을 원활하게 할 수 있다.Since the flow rate of the purge gas injected through the injection port of the injection member is uniform, it is possible to prevent the occurrence of turbulence inside the storage chamber caused by the uneven injection of the purge gas, and thus, it is possible to smoothly form the airflow inside the storage chamber. can do.

분사부재를 쉽게 결합/분리할 수 있는 구조이므로, 웨이퍼 수납용기를 장기간 사용하여 분사부재에 오염물질이 쌓인 경우, 이를 쉽게 교체할 수 있어 유지보수가 용이하다.Since the spray member can be easily combined/detached, when the wafer storage container is used for a long period of time and contaminants are accumulated on the spray member, it can be easily replaced and maintenance is easy.

웨이퍼 수납용기에 배치되는 분사부재의 배치위치에 따라 분사부재의 분사구들의 위치 및 개구 면적을 변화시킴으로써, 수납실 내부의 최적화된 퍼지가스의 기류 형성을 달성할 수 있으며, 이로 인해, 사영역 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.By changing the position and opening area of the injection holes of the injection member according to the arrangement position of the injection member disposed in the wafer storage container, it is possible to achieve an optimized airflow of the purge gas inside the storage chamber, thereby reducing the generation of dead areas can be effectively prevented.

배기부재의 배기를 선택적으로 차단시킴으로써, 수납실 내부의 퍼지가스 분사 및 퍼지가스 및 퓸의 배기를 통해 웨이퍼의 퓸 제거를 달성하거나, 수납실 내부에 퍼지가스를 채움으로써 수납실 내부의 습도 제어를 달성할 수 있다.By selectively blocking the exhaust of the exhaust member, fume removal from the wafer is achieved through purge gas injection and evacuation of purge gas and fume inside the storage room, or humidity control inside the storage room is controlled by filling the inside of the storage room with purge gas. can be achieved

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기의 사시도.
도 2는 도 1의 분해 사시도.
도 3은 도 1의 저면도.
도 4는 도 1의 하부플레이트에서 분사부재들로 유동되는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 5는 도 1의 좌측전방분사부재의 사시도.
도 6은 도 5의 분해 사시도.
도 7은 도 6의 분지유로부플레이트를 도시한 도.
도 8은 도 7의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 9는 도 1의 배기부재의 사시도.
도 10은 도 9의 분해 사시도.
도 11은 도 1의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도.
도 12는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분지유로부플레이트를 도시한 도.
도 13은 도 12의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 14는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 사시도.
도 15는 도 14의 분해 사시도.
도 16(a)는 도 15의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 16(b)는 도 15의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 17은 도 16(b)의 분사플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도.
도 18은 도 15의 부가유로플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 19(a)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 19(b)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 20(a)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 20(b)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 21(a)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도.
도 21(b)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도.
도 22는 제3변형 예에 따른 분사부재들이 구비된 웨이퍼 수납용기의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도.
1 is a perspective view of a wafer storage container according to a preferred embodiment of the present invention.
Figure 2 is an exploded perspective view of Figure 1;
Fig. 3 is a bottom view of Fig. 1;
Figure 4 is a view showing the flow of the purge gas flowing from the lower plate of Figure 1 to the injection members.
Figure 5 is a perspective view of the left front injection member of Figure 1;
Figure 6 is an exploded perspective view of Figure 5;
7 is a view showing the branch flow path plate of FIG.
FIG. 8 is a view showing the flow of the purge gas flowing through the branch passage plate of FIG. 7;
Fig. 9 is a perspective view of the exhaust member of Fig. 1;
10 is an exploded perspective view of FIG.
11 is a view illustrating a flow of a purge gas injected to the wafer supported on the support of FIG. 1 and a flow of the purge gas and fume exhausted to an exhaust member;
12 is a view showing a branch flow path portion plate of the left front injection member according to the first modified example.
13 is a view illustrating a flow of a purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG. 12 .
Fig. 14 is a perspective view of a left front injection member according to a second modified example;
15 is an exploded perspective view of FIG. 14;
Figure 16 (a) is a view showing the front of the injection plate of Figure 15.
Figure 16 (b) is a view showing the back side of the injection plate of Figure 15.
Figure 17 is a view showing the flow of the purge gas flowing through the injection plate of Figure 16 (b).
18 is a view showing the front side of the additional flow path plate of FIG.
Fig. 19 (a) is a view showing the front side of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example;
19 (b) is a view showing the rear surface of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example.
Fig. 20 (a) is a view showing the front side of the injection plate of the right front injection member according to the third modified example;
Fig. 20 (b) is a view showing the rear surface of the injection plate of the right front injection member according to the third modified example;
Fig. 21 (a) is a view showing the front side of the injection plate of the central rear injection member according to the third modified example;
Fig. 21 (b) is a view showing the rear surface of the injection plate of the central rear injection member according to the third modified example;
22 is a view illustrating a flow of a purge gas injected to a wafer supported on a support of a wafer receiving container having injection members and a flow of a purge gas and fume exhausted to an exhaust member according to a third modified example;

이하에서 언급되는 '퍼지가스'는 웨이퍼의 퓸을 제거하기 위한 불활성 가스를 통칭하는 말이며, 특히, 불활성 가스 중 하나인 질소(N2) 가스일 수 있다.The 'purge gas' referred to below is a generic term for an inert gas for removing fumes from a wafer, and in particular, nitrogen (N 2 ) gas, which is one of the inert gases, may be used.

또한, '퍼징(Purging)'은 웨이퍼에 퍼지가스를 분사하여 웨이퍼 표면에 잔존하는 퓸을 제거하거나, 수납실 내부의 습도를 제거함으로써, 웨이퍼의 산화를 방지하는 것을 통칭하는 말이다.In addition, 'purging' is a generic term for preventing oxidation of the wafer by spraying a purge gas on the wafer to remove fumes remaining on the wafer surface or removing humidity inside the storage room.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기는 전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실과, 수납실 내부에 구비되어 웨이퍼를 지지하는 지지대와, 웨이퍼 수납용기의 하부면을 이루는 하부플레이트와, 웨이퍼 수납용기의 상부면을 이루는 상부플레이트와, 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 퍼지가스를 분사하는 분사부재와, 수납실의 둘레면 중 적어도 분사부재가 배치되지 않은 나머지면에 배치되어 퍼지가스를 배기하는 배기부재를 포함하여 구성된다.A wafer storage container according to a preferred embodiment of the present invention includes a storage chamber in which a wafer accommodated through a front opening is accommodated, a support provided in the storage chamber to support a wafer, a lower plate forming a lower surface of the wafer storage container; The upper plate constituting the upper surface of the wafer storage container, the injection member disposed on at least a partial surface of the circumferential surface of the storage chamber to spray the purge gas, and at least the remaining surface of the circumferential surface of the storage chamber on which the injection member is not disposed and an exhaust member for exhausting the purge gas.

수납실의 전방에는 전방개구부가 형성되어 있으며, 전방개구부를 통해 웨이퍼가 수납실 내부로 출입하게 된다.A front opening is formed in the front of the storage chamber, and the wafer enters and exits the storage chamber through the front opening.

지지대는 수납실의 내부에 구비되어 웨이퍼를 지지하는 기능을 하며, 웨이퍼는 수납실의 전방에 형성된 전방개구부를 통해 지지대에 수납되게 된다.The support is provided inside the storage room to support the wafer, and the wafer is accommodated in the support through the front opening formed in the front of the storage room.

상부플레이트와 하부플레이트는 각각 웨이퍼 수납용기의 상부면 및 하부면을 이루게 된다. 따라서, 수납실은 상부플레이트 및 하부플레이트에 의해 수납실의 상부면 및 하부면이 폐쇄되어 있다.The upper plate and the lower plate form an upper surface and a lower surface of the wafer storage container, respectively. Accordingly, the storage chamber is closed with the upper and lower surfaces of the storage chamber by the upper plate and the lower plate.

하부플레이트에는 공급구와, 공급구와 연통되는 공급유로가 형성되어 있으며, 공급구를 통해 외부 퍼지가스가 공급되어 하부플레이트 내로 유입되면, 공급유로를 통해 유입된 퍼지가스를 분사부재로 유동시킨다.A supply port and a supply passage communicating with the supply port are formed in the lower plate. When an external purge gas is supplied through the supply port and flows into the lower plate, the purge gas introduced through the supply passage flows to the injection member.

분사부재는 웨이퍼가 수납되는 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되며, 하부플레이트에 형성된 하부플레이트 유로를 통해 유입된 퍼지가스를 수납실로 분사하는 기능을 한다.The injection member is disposed on at least a portion of the circumferential surface of the storage chamber in which the wafer is accommodated, and functions to spray the purge gas introduced through the lower plate flow path formed in the lower plate into the storage chamber.

분사부재는 공급유로와 연통되어 퍼지가스를 분사부재로 유입시키는 유입구와, 퍼지가스를 수납실로 분사하도록 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치된 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구와, 유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부를 포함하며, 이 경우, 분지유로부는 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치된 일부면과 평행 이동한 면에 구비되어 있다.The injection member communicates with the supply flow path and includes an inlet for introducing the purge gas into the injection member, a plurality of injection holes arranged on a part of the peripheral surface of the storage chamber on which the injection member is disposed so as to inject the purge gas into the storage chamber, and the inlet. It includes a branch flow path part having at least one branching section so as to flow the introduced purge gas to the plurality of injection ports, and in this case, the branch flow path part is on the peripheral surface of the storage room that is moved in parallel with a partial surface on which the injection member is disposed. It is available.

배기부재는 웨이퍼가 수납되는 수납실의 둘레면 중 적어도 분사부재가 배치되지 않은 나머지면, 즉, 적어도 일부면이 아닌 나머지면에 배치되며, 수납실에 분사된 퍼지가스와 웨이퍼의 퓸을 배기하는 기능을 한다.The exhaust member is disposed on at least the remaining surface on which the injection member is not disposed, that is, at least a part of the circumferential surface of the storage chamber in which the wafer is accommodated, and exhausts the purge gas injected into the storage chamber and the fume of the wafer. function.

이처럼, 웨이퍼 수납용기에 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재와, 퍼지가스를 배기하는 배기부재가 구비됨에 따라, 수납실에 수납된 웨이퍼의 퓸 제거 및 습도 제어를 달성할 수 있다.As such, as the wafer storage container is provided with an injection member for spraying a purge gas into the storage chamber and an exhaust member for exhausting the purge gas, it is possible to achieve fume removal and humidity control of the wafer accommodated in the storage chamber.

다시 말해, 분사부재는 수납실에 퍼지가스를 분사하고, 배기부재는 분사부재에 의해 수납실로 분사된 퍼지가스와 웨이퍼의 퓸을 배기함으로써, 웨이퍼의 퓸 제거를 달성하거나, 배기부재에 의한 배기가 이루어지지 않도록 한 후, 분사부재에서퍼지가스를 수납실에 분사함으로써, 웨이퍼의 습도 제어를 달성할 수 있는 것이다.In other words, the injection member injects a purge gas into the storage chamber, and the exhaust member exhausts the purge gas injected into the storage chamber by the injection member and the fume of the wafer, thereby achieving fume removal of the wafer or evacuation by the exhaust member. After preventing this from happening, the humidity control of the wafer can be achieved by spraying the purge gas into the storage chamber from the spraying member.

위와 같은 분사부재 및 배기부재는 웨이퍼 수납용기의 크기, 용도 등에 따라 복수 개가 구비될 수 있다.A plurality of the injection member and the exhaust member as described above may be provided according to the size and use of the wafer storage container.

예컨데, 수납실의 전방이 개방된 전방개구부가 구비되어 있고, 수납실의 둘레면이 좌측부터 우측 순으로, 좌측전방면, 좌측후방면, 중앙후방면, 우측후방면 및 우측전방면으로 이루어져 있을 경우, 복수 개의 분사부재는, 수납실의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되는 좌측전방분사부재와, 수납실의 둘레면 중 우측전방면에 배치되는 우측전방분사부재와, 수납실의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되는 중앙후방분사부재로 이루어질 수 있다.For example, the front opening of the storage room is provided with an open front opening, and the circumferential surface of the storage room is, in order from left to right, left front, left rear, center rear, right rear and right front. In this case, the plurality of jetting members include a left front jet member disposed on a left front surface of the circumferential surface of the storage room, a right front jet member disposed on a right front side of the circumferential surface of the storage room, and a circumferential surface of the storage room. It may consist of a central rear injection member disposed on the central rear surface.

또한, 복수 개의 배기부재는, 수납실의 둘레면 중 분사부재가 배치되지 않은 좌측후방면과, 우측후방면에 배치될 수 있다.In addition, the plurality of exhaust members may be disposed on a left rear surface and a right rear surface on which the injection member is not disposed among the circumferential surfaces of the storage chamber.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)의 하나의 실시 예로서, 복수 개의 분사부재(500)가 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면, 우측전방면, 중앙후방면 각각에 배치되는 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)로 이루어지고, 배기부재(600)는 하나의 배기부재(600)로서, 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치된 배기부재(600)로 이루어진 웨이퍼 수납용기(10)인 것을 기준으로 설명한다.Hereinafter, as one embodiment of the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention, a plurality of injection members 500 are left front, right front, and center rear of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 . It consists of a left front injection member (500LF), a right front injection member (500RF) and a central rear injection member (500MR) disposed in each direction, and the exhaust member 600 is one exhaust member 600, a storage room ( It will be described on the basis of the wafer storage container 10 made of the exhaust member 600 disposed on the right rear surface on which the injection member 500 is not disposed among the circumferential surface of the 100).

이 경우, 좌측전방분사부재(500LF)는 분사부재(500)가 좌측전방(LEFT FRONT)에 배치된다는 것을 나타내고, 우측전방분사부재(500RF)는 분사부재(500)가 우측전방(RIGHT FRONT)에 배치된다는 것을 나타내며, 중앙후방분사부재(500MR)는 분사부재(500)가 중앙후방(MIDDLE REAR)에 배치된다는 것을 나타낸다.In this case, the left front spraying member 500LF indicates that the spraying member 500 is disposed in the left front (LEFT FRONT), and the right front spraying member 500RF is the spraying member 500 in the right front (RIGHT FRONT). is disposed, and the central rear jetting member 500MR indicates that the jetting member 500 is disposed at the center rear (MIDDLE REAR).

다시 말해, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 그 배치 위치만 상이할 뿐, 그 구성들은 동일하다. 따라서, 이하의 설명에서 좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하고, 나머지 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)에서 중복되는 설명은 좌측전방분사부재(500LF)의 설명으로 갈음한다.In other words, the left front jet member 500LF, the right front jet member 500RF, and the center rear jet member 500MR differ only in their arrangement positions, and their configurations are the same. Therefore, in the following description, the description will be based on the left front spray member 500LF, and the description overlapping in the remaining right front spray member 500RF and the center rear spray member 500MR will be described with the left front spray member 500LF. substitute

또한, 위와 같이 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 설명의 용이함을 위해 그 배치 위치를 지정한 것이므로, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)의 용어에 상관없이 모두 분사부재(500)라는 용어로 이해될 수 있다.In addition, as above, the left front injection member (500LF), the right front injection member (500RF), and the center rear injection member (500MR) have their arrangement positions designated for ease of explanation, so the left front injection member (500LF), the right front Regardless of the terms of the injection member (500RF) and the central rear injection member (500MR), both may be understood as the term of the injection member (500).

또한, 이하의 설명에서 나타나는 하부영역, 중앙영역 및 상부영역 각각에 해당하는 유로 및 구멍들은 이해를 돕기 위해, 그 도면부호에 'B(BOTTOM), M(MIDDLE), T(TOP)'을 붙여 설명한다. 따라서, 각 도면에 'B, M, T' 가 표시되지 않은 도면 부호라도, 전술한 바와 같이, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역 각각에 해당하는 유로 및 구멍들로 이해될 수 있다.In addition, the flow paths and holes corresponding to each of the lower region, the central region, and the upper region appearing in the following description are 'B (BOTTOM), M (MIDDLE), and T (TOP)' to the reference numerals for better understanding. Explain. Accordingly, even if the reference numerals 'B, M, and T' are not indicated in each drawing, as described above, it may be understood as flow paths and holes corresponding to each of the lower region, the central region, and the upper region.

본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)Wafer container 10 according to a preferred embodiment of the present invention

이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11 .

도 1은 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기의 사시도이고, 도 2는 도 1의 분해 사시도이고, 도 3은 도 1의 저면도이고, 도 4는 도 1의 하부플레이트에서 분사부재들로 유동되는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 5는 도 1의 좌측전방분사부재의 사시도이고, 도 6은 도 5의 분해 사시도이고, 도 7은 도 6의 분지유로부플레이트를 도시한 도이고, 도 8은 도 7의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 9는 도 1의 배기부재의 사시도이고, 도 10은 도 9의 분해 사시도이고, 도 11은 도 1의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도이다.1 is a perspective view of a wafer storage container according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is an exploded perspective view of FIG. 1, FIG. 3 is a bottom view of FIG. 1, and FIG. 4 is a spraying member in the lower plate of FIG. It is a view showing the flow of the purge gas flowing into FIG. 8 is a diagram illustrating the flow of the purge gas flowing through the branch flow path plate of FIG. 7 , FIG. 9 is a perspective view of the exhaust member of FIG. 1 , FIG. 10 is an exploded perspective view of FIG. 9 , and FIG. 11 FIG. 1 is a diagram illustrating a flow of a purge gas sprayed to the wafer supported by the support of FIG. 1 and a flow of the purge gas and fume exhausted to the exhaust member.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)는, 전방개구부(110)를 통해 수납된 웨이퍼(W)가 수납되는 수납실(100)과, 수납실(100) 내부에 구비되어 웨이퍼(W)를 지지하는 지지대(200)와, 웨이퍼 수납용기(10)의 하부면을 이루는 하부플레이트(300)와, 웨이퍼 수납용기(10)의 상부면을 이루는 상부플레이트(400)와, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 좌측전방분사부재(500LF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 우측전방분사부재(500RF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되어 수납실(100)에 퍼지가스를 분사하는 중앙후방분사부재(500MR)와, 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치되어 수납실(100)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸을 배기하는 배기부재(600)를 포함하여 구성된다.1 to 3, the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention includes a storage chamber 100 in which the wafer W received through the front opening 110 is accommodated; A support 200 provided in the storage chamber 100 to support the wafer W, a lower plate 300 constituting the lower surface of the wafer storage container 10, and the upper surface of the wafer storage container 10 The upper plate 400 forming the upper plate 400 , the left front injection member 500LF disposed on the left front surface of the circumferential surface of the storage room 100 and spraying the purge gas into the storage room 100 , and the circumference of the storage room 100 . A right front injection member 500RF disposed on the right front side of the surface to spray a purge gas into the storage room 100, and a central rear surface of the circumferential surface of the storage room 100 to purge the storage room 100 The central rear injection member 500MR for spraying gas and the purge gas and wafer W of the storage chamber 100 are disposed on the right rear surface of the circumferential surface of the storage room 100 where the injection member 500 is not disposed. It is configured to include an exhaust member 600 that exhausts the fume.

수납실storage room (100)(100)

이하, 수납실(100)에 대해 설명한다.Hereinafter, the storage room 100 will be described.

도 1 및 도 11에 도시된 바와 같이, 수납실(100)은 내부에 웨이퍼(W)를 수납하는 기능을 하며, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF), 중앙후방분사부재(500MR), 좌측후방벽체(130LR, 130 LEFT REAR) 및 배기부재(600)가 배치된 둘레면으로 둘러싸인 내측 공간으로 정의된다.As shown in FIGS. 1 and 11 , the storage room 100 functions to accommodate the wafer W therein, and includes a left front jet member 500LF, a right front jet member 500RF, and a central rear jet member. (500MR), the left rear wall (130LR, 130 LEFT REAR), and the exhaust member 600 is defined as the inner space surrounded by the peripheral surface is arranged.

수납실(100)의 전방에는 전방개구부(110)가 형성되어 있으며, 전방개구부(110)를 통해 웨이퍼(W)가 출입하게 된다.A front opening 110 is formed in front of the storage room 100 , and the wafer W enters and exits through the front opening 110 .

수납실(100)의 상부면은 상부플레이트(400)로 이루어져 있고, 수납실(100)의 하부면은 하부플레이트(300)로 이루어져 있으며, 수납실(100)의 둘레면은 좌측에서 우측 순으로 좌측전방면, 좌측후방면, 중앙후방면, 우측후방면 및 우측전방면으로 이루어져 있다.The upper surface of the storage room 100 is made of an upper plate 400 , the lower surface of the storage room 100 is made of a lower plate 300 , and the circumferential surface of the storage room 100 is in order from left to right. It consists of a left front surface, a left rear surface, a center rear surface, a right rear surface, and a right front surface.

이 경우, 좌측전방면에는 좌측전방분사부재(500LF)가 배치되고, 좌측후방면에는 좌측후방벽체(130LR)가 배치되고, 중앙후방면에는 중앙후방분사부재(500MR)가 배치되고, 우측후방면에는 배기부재(600)가 배치되며, 우측전방면에는 우측전방분사부재(500RF)가 배치된다.In this case, the left front injection member 500LF is disposed on the left front surface, the left rear wall body 130LR is disposed on the left rear surface, the central rear injection member 500MR is disposed on the central rear surface, and the right rear surface The exhaust member 600 is disposed, and the right front jet member 500RF is disposed on the right front surface.

따라서, 수납실(100)은 전방개구부(110)를 제외한 상부면, 하부면 및 둘레면이 상부플레이트(400), 하부플레이트(300), 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500), 중앙후방분사부재(500MR), 좌측후방벽체(130LR) 및 배기부재(600)에 의해 폐쇄되어 있다.Accordingly, the storage room 100 has an upper surface, a lower surface, and a peripheral surface excluding the front opening 110 , the upper plate 400 , the lower plate 300 , the left front injection member 500LF, and the right rear injection member 500 . ), the central rear injection member (500MR), the left rear wall (130LR) and the exhaust member (600) is closed.

따라서, 도 11에 도시된 바와 같이, 퍼지가스는 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)가 배치된 수납실(100)의 좌측전방면, 우측전방면 및 중앙후방면에서 수납실(100) 내부로 분사되고, 수납실(100) 내부에 분사된 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 수납실(100)의 우측후방면에 배치된 배기부재(600)를 통해 배기된다.Therefore, as shown in FIG. 11 , the purge gas is the left front surface and right side of the storage room 100 in which the left front injection member 500LF, the right rear injection member 500 and the center rear injection member 500MR are disposed. The purge gas and the fume of the wafer W sprayed into the storage chamber 100 from the front and center rear surfaces of the storage chamber 100 are exhaust members disposed on the right rear surface of the storage chamber 100 . Exhaust through 600.

지지대(200)Support (200)

도 1, 도 2 및 도 11에 도시된 바와 같이, 수납실(100)의 내부에는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지대(200)가 구비된다.As shown in FIGS. 1, 2 and 11 , the support 200 for supporting the wafer W is provided inside the storage room 100 .

지지대(200)는 수납실(100)에 수납되는 웨이퍼(W)의 갯수에 따라 수직 방향으로 복수 개가 구비된다. A plurality of supports 200 are provided in the vertical direction according to the number of wafers W accommodated in the storage chamber 100 .

예컨데, 수납실(100)에 30개의 웨이퍼(W)가 수납될 경우, 30개의 웨이퍼(W) 각각을 지지하는 30개의 지지대(200)가 구비된다.For example, when 30 wafers W are accommodated in the storage room 100 , 30 supports 200 supporting each of the 30 wafers W are provided.

위와 같은, 복수 개의 지지대(200)는 지지대결합부(210)에 의해, 수납실(100)의 좌측전방면, 좌측후방면, 우측전방면 및 우측후방면에 고정되어 결합된다.As described above, the plurality of supports 200 are fixedly coupled to the left front surface, left rear surface, right front surface and right rear surface of the storage room 100 by the support coupling part 210 .

또한, 지지대(200)에는 웨이퍼(W)의 외측 방향 일부 영역이 겹쳐지도록 하방으로 단턱진 단턱(230)이 구비되며, 단턱(230)에는 3개의 돌출핀(250)이 구비된다. 따라서, 웨이퍼(W)는 돌출핀(250)에 얹어져 지지대(200)에 지지되게 된다.In addition, the support 200 is provided with a step 230 stepped downward so that a partial area in the outer direction of the wafer W overlaps, and the step 230 is provided with three protruding pins 250 . Accordingly, the wafer W is placed on the protruding pin 250 to be supported by the support 200 .

위와 같이, 웨이퍼(W)가 돌출핀(250)에 얹어져 지지대(200)에 지지되게 됨으로써, 웨이퍼(W)와 지지대(200)가 접하는 면적이 최소화될 수 있으며, 이로 인해, 접촉에 의한 웨이퍼(W)의 파손이 최소화될 수 있다.As described above, since the wafer W is placed on the protruding pin 250 and supported by the support 200 , the contact area between the wafer W and the support 200 can be minimized, and thereby, the wafer by contact The damage of (W) can be minimized.

하부플레이트(300) 및 상부플레이트(400)Lower plate 300 and upper plate 400

이하, 하부플레이트(300) 및 상부플레이트(400)에 대해 설명한다.Hereinafter, the lower plate 300 and the upper plate 400 will be described.

도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)는 웨이퍼 수납용기(10)의 하부면을 이루며, 수납실(100)의 하부를 폐쇄함과 동시에 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 퍼지가스를 하부플레이트(300)의 하부면, 즉, 밑면에 형성된 공급구와 하부플레이트(300)의 내부에 형성된 공급유로를 통해 좌측전방분사부재(500LF), 우측후방분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)로 유동시키는 기능을 한다.1 to 4 , the lower plate 300 forms the lower surface of the wafer storage container 10 , and closes the lower portion of the storage chamber 100 from the outside of the wafer storage container 10 at the same time. The supplied purge gas is passed through the supply port formed on the lower surface of the lower plate 300, that is, the supply passage formed inside the lower plate 300, the left front injection member 500LF, the right rear injection member 500, and It functions to flow to the central rear injection member (500MR).

공급구(311)는 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 가스를 하부플레이트(300)로 유입시키는 기능을 한다. The supply port 311 serves to introduce the gas supplied from the outside of the wafer storage container 10 into the lower plate 300 .

이러한 공급구(311)는 하부플레이트(300)의 하부면, 즉, 하부플레이트(300)의 밑면에 형성되며, 수납실(100) 내부의 수직방향 영역, 즉, 하부영역, 중앙영역, 상부영역 중 어느 영역으로 퍼지가스를 공급하냐에 따라 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 좌우측상부영역공급구(311T), 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)로 이루어져 있다.The supply port 311 is formed on the lower surface of the lower plate 300 , that is, the lower surface of the lower plate 300 , and is a vertical region inside the storage room 100 , that is, the lower region, the central region, and the upper region. Depending on which region the purge gas is supplied to, the left and right lower region supply ports 311B, the left and right central region supply ports 311M, the left and right upper region supply ports 311T, the rear lower region supply port 313B, and the rear side It consists of a central region supply port 313M and a rear side upper region supply port 313T.

공급유로(331)는 공급구(311)와 연통되어, 웨이퍼 수납용기(10)의 외부에서 공급된 퍼지가스, 즉, 외부 공급부(미도시)에서 공급된 퍼지가스를 분사부재(500)에 유동시키는 통로 역할을 한다.The supply passage 331 communicates with the supply port 311 to flow the purge gas supplied from the outside of the wafer storage container 10 , that is, the purge gas supplied from the external supply unit (not shown) to the injection member 500 . It serves as a pathway to

이러한 공급유로(331)는 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 및 좌우측상부영역공급구(311T)와 연통되어 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)에 퍼지가스를 유동시키는 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)와, 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)와 연통되어 후방전방분사부재(500)에 퍼지가스를 유동시키는 후방측하부영역공급유로(333B), 후방측중앙영역공급유로(333M) 및 후방측상부영역공급유로(333T)로 이루어져 있다.This supply flow path 331 communicates with the left and right lower region supply ports 311B, the left and right central region supply ports 311M, and the left and right upper region supply ports 311T, so that the left front injection member 500LF and the right front injection member ( 500RF), the left and right lower region supply passages 331B, the left and right central region supply passages 331M and the left and right upper region supply passages 331T, the rear lower region supply port 313B, and the rear central region A rear lower region supply passage 333B and a rear central region supply passage 333M communicating with the supply port 313M and the rear side upper region supply port 313T to flow a purge gas to the rear front injection member 500 . and a rear side upper region supply passage 333T.

이 경우, 좌우측하부영역공급유로(331B)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 하부영역연통구(511B) 및 우측전방분사부재(500RF)의 하부영역연통구(511B)와 연통되어 있고, 좌우측중앙영역공급유로(331M)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 중앙영역연통구(511M) 및 우측전방분사부재(500RF)의 중앙영역연통구(511M)와 연통되어 있으며, 좌우측상부영역공급유로(331T)는 그 일단 및 타단이 각각 좌측전방분사부재(500LF)의 상부영역연통구(511T) 및 우측전방분사부재(500RF)의 상부영역연통구(511T)와 연통되어 있다.In this case, the left and right lower region supply passages 331B have one end and the other end of the lower region communication port 511B of the left front injection member 500LF and the lower region communication port 511B of the right front injection member 500RF, respectively. The left and right central area supply passages 331M have one end and the other end of the central area communication port 511M of the left front injection member 500LF and the central area communication port 511M of the right front injection member 500RF, respectively. The left and right upper region supply passages 331T have one end and the other end of the upper region communication port 511T of the left front injection member 500LF and the upper region communication port 511T of the right front injection member 500RF, respectively. ) is connected with

또한, 후방측하부영역공급유로(333B)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 하부영역연통구(511B)와 연통되어 있고, 후방측중앙영역공급유로(333M)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 중앙영역연통구(511M)와 연통되어 있으며, 후방측상부영역공급유로(333T)는 그 일단이 중앙후방분사부재(500MR)의 상부영역연통구(511T)와 연통되어 있다.Further, the rear-side lower region supply passage 333B has one end in communication with the lower region communication port 511B of the central rear jet member 500MR, and the rear-side central region supply passage 333M has one end of the central rear It communicates with the central area communication port 511M of the injection member 500MR, and the rear-side upper area supply passage 333T has one end in communication with the upper area communication port 511T of the central rear injection member 500MR. .

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상부플레이트(400)는 웨이퍼 수납용기(10)의 상부면을 이루며, 수납실(100)의 상부를 폐쇄하는 기능을 한다. 이 경우, 상부플레이트(400)의 전체적인 형상은 하부플레이트(300)의 전체적인 형상과 동일한 형상을 갖는 것이 바람직하다.1 and 2 , the upper plate 400 forms the upper surface of the wafer storage container 10 and functions to close the upper portion of the storage chamber 100 . In this case, it is preferable that the overall shape of the upper plate 400 has the same shape as the overall shape of the lower plate 300 .

분사부재spraying member (500)(500)

도 1 내지 도 4 및 도 11에 도시된 바와 같이, 분사부재(500)는 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 배치되는 좌측전방분사부재(500LF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면에 배치되는 우측전방분사부재(500RF)와, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면에 배치되는 중앙후방분사부재(500MR)로 이루어져 있다.As shown in FIGS. 1 to 4 and 11 , the spraying member 500 includes a left front spraying member 500LF disposed on the left front surface among the circumferential surfaces of the storage room 100 , and the storage room 100 . It consists of a right front spraying member 500RF disposed on the right front surface of the circumferential surface, and a central rear spraying member 500MR disposed on the central rear surface of the circumferential surface of the storage room 100 .

좌측전방분사부재(500LF)는, 도 5 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며 유입구와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.The left front injection member 500LF is, as shown in FIGS. 5 to 8, an inlet plate 510 in which a communication port 511 and an inlet 513 communicating with the supply passage of the lower plate 300 are formed; The left front wall 530LF, which is coupled to the inlet plate 510 and forms the left front surface of the circumferential surface of the storage room 100, and the left front wall 530LF, and a branch flow passage 551 communicating with the inlet are The formed branch flow path part plate 550 and the branch flow path part plate 550 and the injection hole plate 570 having a plurality of injection holes 571 communicating with the branch flow path part 551 are formed, and the inlet plate 510. It is configured to include a provided heater rod (590).

유입플레이트(510)의 하부에는 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511)가 형성되어 있다.A communication port 511 communicating with the supply passage 331 of the lower plate 300 is formed at a lower portion of the inlet plate 510 .

연통구(511)는 하부플레이트(300)의 좌우측하부영역공급유로(331B)의 일단과 연통되는 하부영역연통구(511B)와, 좌우측중앙영역공급유로(331M)의 일단과 연통되는 중앙영역연통구(511M)와, 좌우측상부영역공급유로(331T)의 일단과 연통되는 상부영역연통구(511T)로 이루어진다.The communication port 511 has a lower area communication port 511B communicating with one end of the left and right lower area supply passage 331B of the lower plate 300, and a central area communication port communicating with one end of the left and right central area supply passage 331M. It consists of a sphere 511M and an upper area communication port 511T communicating with one end of the left and right upper area supply passages 331T.

또한, 유입플레이트(510)에는 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551)와 연통되는 유입구(513)가 형성되어 있다.In addition, an inlet 513 communicating with the branch flow passage portion 551 of the branch passage portion plate 550 is formed in the inlet plate 510 .

유입구(513)는 하부영역연통구(511B) 연통되는 하부영역유입구(513B)와, 중앙영역연통구(511M)와 연통되는 중앙영역유입구(513M)와, 상부영역연통구(511T)와 연통되는 상부영역유입구(513T)로 이루어진다.The inlet 513 includes a lower area inlet 513B communicating with the lower area communication port 511B, a central area inlet 513M communicating with the central area communication port 511M, and an upper area communication port 511T communicating with the inlet 513. It consists of an upper area inlet (513T).

이 경우, 각 연통구(511)와 각 유입구(513)는 유입플레이트(510) 내부에 형성된 내부유로(미도시)에 의해 연통된다.In this case, each communication port 511 and each inlet port 513 are communicated by an internal flow path (not shown) formed inside the inlet plate 510 .

또한, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T)는 각각 3개의 유입구(513)로 이루어진다.In addition, each of the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T includes three inlets 513 .

좌측전방벽체(530LF)는 유입플레이트(510)와 분지유로부플레이트(550) 사이에 게재되도록 유입플레이트(510)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측방향)에 결합되며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 벽체이다.The left front wall 530LF is coupled to the front direction (the right direction in FIGS. 1 and 2) of the inlet plate 510 so as to be interposed between the inlet plate 510 and the branch passage plate 550, and the storage chamber 100 ) is a wall that forms the front left side of the circumferential surface.

이러한 좌측전방벽체(530LF)에 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)가 결합함으로써, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에 좌측전방분사부재(500LF)가 용이하게 배치될 수 있다.By coupling the inlet plate 510, the branch passage plate 550 and the injection hole plate 570 to the left front wall 530LF, the left front spray member 500LF is placed on the left front surface of the circumferential surface of the storage room 100. ) can be easily arranged.

또한, 위와 같은 결합구조에 의해, 웨이퍼 수납용기(10)를 장기간 사용함에 따라 좌측전방분사부재(500LF)에 웨이퍼(W)의 퓸 등 오염물질이 쌓일 경우, 좌측전방분사부재(500LF)를 분리하여 교체함으로써, 웨이퍼 수납용기(10)의 수명을 오랫동안 유지할 수 있다.In addition, due to the above coupling structure, when contaminants such as fumes of the wafer W are accumulated on the left front spraying member 500LF as the wafer receiving container 10 is used for a long time, the left front spraying member 500LF is separated. By replacing it, the lifetime of the wafer storage container 10 can be maintained for a long time.

또한, 좌측전방벽체(530LF)에는 오염물질이 쌓이지 않고, 좌측전방분사부재(500LF)의 유로들에만 오염물질이 쌓일 경우, 좌측전방벽체(530LF)를 제외한 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다. 이처럼, 좌측전방벽체(530LF)의 결합/분리 구조는 교체를 원하는 구성요소만의 교체를 매우 쉽게 달성할 수 있다는 효과가 있다.In addition, when contaminants do not accumulate in the left front wall 530LF and contaminants are accumulated only in the flow paths of the left front spray member 500LF, the inlet plate 510 except for the left front wall 530LF, the branch passage plate (550) and the nozzle plate 570 can be removed and replaced. As such, the coupling/separation structure of the left front wall 530LF has the effect that replacement of only the components desired to be replaced can be achieved very easily.

물론, 전술한 결합/분리 구조는 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)도 적용될 수 있다. Of course, the above-described coupling/separation structure may also be applied to the right front injection member 500RF and the central rear injection member 500MR.

이 경우, 필요에 따라 우측전방분사부재(500RF) 자체를 교체하거나, 우측전방벽체(530RF)를 제외한 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다.In this case, if necessary, replace the right front injection member 500RF itself, or replace the inlet plate 510 excluding the right front wall 530RF, the branch flow passage plate 550 and the injection hole plate 570 by separating them. can

또한, 중앙후방분사부재(500MR)의 경우에도 필요에 따라 중앙후방분사부재(500MR) 자체를 교체하거나, 중앙후방벽체(530MR)를 제외한 유입플레이트(510), 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)를 분리하여 교체할 수 있다.In addition, in the case of the central rear injection member (500MR), the central rear injection member (500MR) itself is replaced if necessary, or the inlet plate 510, the inlet plate 510, and the branch flow path except for the central rear wall body (530MR). The plate 550 and the injection hole plate 570 can be removed and replaced.

분지유로부플레이트(550)는 좌측전방벽체(530LF)와 분사구플레이트(570) 사이에 게재되도록 좌측전방벽체(530LF)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측 방향)에 결합되며, 분지유로부플레이트(550)에는 전술한 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성되어 있다.The branch flow path plate 550 is coupled to the front direction (right direction in FIGS. 1 and 2) of the left front wall 530LF so as to be interposed between the left front wall 530LF and the injection hole plate 570, and the branch flow path part The plate 550 has a branch flow path portion 551 communicating with the inlet 513 of the above-described inlet plate 510 is formed.

분지유로부(551)는 전술한 바와 같이 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되며, 3개의 영역, 즉, 하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)로 이루어질 수 있다.The branch flow path portion 551 communicates with the inlet 513 of the inlet plate 510 as described above, and has three regions, namely, the lower region branch passage portion 551B, the central region branch passage portion 551M, and the upper portion. It may be formed of an area branch flow path part 551T.

또한, 하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)는 각각 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 메인유로(561)와, 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 연통되는 분지유로(563)를 포함하여 구성되어 있다.In addition, the lower region branch passage portion 551B, the central region branch passage portion 551M, and the upper region branch passage portion 551T each have a main passage 561 communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510 and, It is configured to include a branch flow path 563 communicating with a plurality of injection holes 571 of the injection hole plate 570 .

하부영역분지유로부(551B), 중앙영역분지유로부(551M) 및 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561) 각각에는 3개의 구멍(565)이 형성되어 있으며, 3개의 구멍(565)은 각각 3개의 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T)에 연통되어 있다.Three holes 565 are formed in each of the main flow passages 561 of the lower region branch passage portion 551B, the central region branch passage portion 551M, and the upper region branch passage portion 551T, and the three holes 565 ) communicates with the three lower area inlets 513B, the central area inlets 513M and the upper area inlets 513T, respectively.

이 경우, 3개의 구멍(565) 중 적어도 하나의 구멍은 메인유로(561)의 수직방향 길이의 중심에 위치하도록 배치되어 형성되는 것이 바람직하다. 이는, 구멍(565)이 메인유로(561)의 수직방향 길이의 중심에 위치할 경우, 상기 중심에 위치한 구멍(565)을 통해 메인유로(561)를 따라 유동되는 퍼지가스가 상부 방향 또는 하부 방향으로 유동할 때 유동거리가 같아지기 때문이다. 따라서, 전술한 바와 달리 1개의 구멍(565)만이 메인유로(561)에 형성되어 있어도 어느 정도 퍼지가스의 균일한 유동을 보장할 수 있다(단, 퍼지가스의 유동 거리차에 따른 유동량, 분사속도 등의 차이는 어느정도 발생할 수 있다).In this case, it is preferable that at least one of the three holes 565 is disposed and formed to be positioned at the center of the vertical length of the main flow path 561 . In this case, when the hole 565 is located at the center of the vertical length of the main flow path 561 , the purge gas flowing along the main flow path 561 through the hole 565 located at the center moves upward or downward. This is because the flow distance is the same when flowing Therefore, unlike the above, even if only one hole 565 is formed in the main flow path 561, it is possible to ensure a uniform flow of the purge gas to some extent (however, the flow amount and the injection speed according to the flow distance difference of the purge gas) Differences may occur to some extent).

분지유로(563)는 메인유로(561)를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 분지구간을 형성하게 되며, 복수 개로 구비되어 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 메인유로(561)를 각각 연통시킨다.The branch flow path 563 is branched symmetrically with respect to the main flow path 561 to form a branch section, and is provided in plurality to provide a plurality of injection holes 571 and the main flow path 561 of the injection hole plate 570, respectively. communicate

분사구플레이트(570)는 분지유로부플레이트(550)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 우측 방향)에 결합되며, 분사구플레이트(570)에는 전술한 복수 개의 분지유로(563)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 구비되어 있다. 이 경우, 복수 개의 분사구(571)는 복수 개의 행과 열을 갖는다(도 5 및 도 6에는 30개의 행 및 4개의 열, 총 120개의 분사구(571)가 도시되어 있으며, 30개의 행 중 하부를 기점으로 10개까지의 행은 하부영역분사구(571B), 11개부터 20개까지의 행은 중앙영역분사구(571M), 21개부터 30개까지의 행은 상부영역분사구(571T)라 할 수 있다).The nozzle plate 570 is coupled to the front direction (the right direction in FIGS. 1 and 2) of the branch flow path plate 550, and the injection hole plate 570 has a plurality of branch flow paths 563 that communicate with each other. An injection port 571 is provided. In this case, the plurality of injection holes 571 has a plurality of rows and columns (30 rows and 4 columns, a total of 120 injection holes 571 are shown in FIGS. 5 and 6, and the lower part of the 30 rows is shown. As a starting point, 10 rows may be referred to as the lower area nozzle 571B, 11 to 20 rows may be referred to as the central area nozzle 571M, and rows 21 to 30 may be referred to as the upper area nozzle 571T. ).

복수 개의 분사구(571)는 분지유로(563)를 통해 유동된 퍼지가스를 수납실(100)의 내부로 분사시키는 기능을 하게 되며, 위와 같이, 복수 개의 분사구(571)가 30개의 행을 갖는 경우, 30개의 웨이퍼(W) 각각의 상면에 퍼지가스를 분사하여 웨이퍼(W)의 퓸 제거 및 습도 제어 등을 달성할 수 있다.The plurality of injection holes 571 functions to inject the purge gas flowing through the branch flow path 563 into the storage chamber 100, and as above, when the plurality of injection holes 571 has 30 rows , by spraying a purge gas on the upper surface of each of the 30 wafers (W), it is possible to achieve fume removal and humidity control of the wafer (W).

전술한 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561)는 지면에 수직하게 형성되거나, 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성된다.The main flow path 561 of the above-described branch flow path plate 550 is formed perpendicular to the ground, or parallel to the surface moved in parallel on some of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 in which the jetting member 500 is disposed. It is formed to extend or is formed to extend along the height or up-down direction.

좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하면, 수납실(100)의 둘레면 중 일부면이라 함은 좌측전방분사부재(500LF)가 배치된 좌측전방면으로 정의될 수 있으며, 일부면에서 평행이동한 면은 메인유로(561)가 형성된 분지유로부플레이트(550)의 앞면(도 1 및 도 2에서는 우측방향 면)으로 정의될 수 있다.When described with reference to the left front jet member 500LF, a partial surface of the circumferential surface of the storage room 100 may be defined as the left front side on which the left front jet member 500LF is disposed, and is parallel in some surfaces. The moved surface may be defined as the front side (the right side surface in FIGS. 1 and 2) of the branch passage plate 550 on which the main passage 561 is formed.

예컨데, 좌측전방분사부재(500LF)의 가장 내측면인 분사구플레이트(570)의 앞면을 좌측전방면이라 가정하면, 분지유로부플레이트(550)의 앞면은 분사구플레이트(570)의 앞면에서 외측방향으로 평행이동한 면이기 때문에 메인유로(561)가 형성된 분지유로부플레이트(550)의 앞면은 일부면에서 평행이동한 면이 될 수 있다.For example, assuming that the front surface of the injection hole plate 570, which is the innermost surface of the left front injection member 500LF, is the left front surface, the front surface of the branch flow passage plate 550 is the front surface of the injection hole plate 570 in the outward direction. Since it is a surface that is moved in parallel, the front surface of the branch passage plate 550 on which the main passage 561 is formed may be a surface that is moved in parallel in some surfaces.

따라서, 이를 적용하면, 우측전방분사부재(500RF)의 분지유로부플레이트(550)에 형성된 분지유로부(551)의 메인유로(561)는 지면에 수직하게 형성되거나, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면과 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성되고, 중앙후방분사부재(500MR)의 분지유로부플레이트(550)에 형성된 분지유로부(551)의 메인유로(561)는 지면에 수직하게 형성되거나, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면과 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성된다고 할 수 있다.Therefore, when this is applied, the main flow path 561 of the branch flow path part 551 formed on the branch flow path part plate 550 of the right front jet member 500RF is formed perpendicular to the ground or around the storage room 100 . A branch flow path portion 551 formed on the branch flow path plate 550 of the central rear jet member 500MR, which is formed to extend in parallel with the right front side of the plane or to extend in the vertical direction or in the vertical direction. ) of the main flow path 561 is formed perpendicular to the ground, formed to extend parallel to the central rear surface of the circumferential surface of the storage room 100, and to extend parallel to the surface of the storage room 100, or to extend along the height or up-down direction. can

위와 같이, 분사부재(500)의 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561)가 지면에 수직하게 형성되거나, 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성됨으로써, 분지유로부플레이트(550)는 작은 두께를 갖도록 형성될 수 있으며, 이를 통해 분사부재(500) 및 웨이퍼 수납용기(10)의 컴팩트화가 달성될 수 있다.As described above, the main flow path 561 of the branch flow path plate 550 of the jetting member 500 is formed perpendicular to the ground, or on some of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 in which the jetting member 500 is disposed. By being formed to extend in parallel with the parallel surface or to extend along the height or up and down direction, the branch flow path plate 550 may be formed to have a small thickness, through which the injection member 500 and the wafer storage container The compactness of (10) can be achieved.

상세하게 설명하면, 지지대(200)에 지지되는 웨이퍼(W)는 수직방향으로 여러 층 지지되어 있고, 분사부재(500)의 분지유로부플레이트(550)의 메인유로(561) 등을 포함한 분지유로부(551)의 형상으로 인해, 종래의 웨이퍼 수납용기와 달리, 작은 두께를 갖는 분사부재(500), 즉, 컴팩트화된 분사부재(500)를 통해 하부에서 상부로의 퍼지가스 공급이 용이하게 이루어져 수납실(100) 내부로의 퍼지가스 분사를 달성할 수 있는 것이다.In detail, the wafer W supported by the support 200 is supported in several layers in the vertical direction, and the branch flow path including the main flow path 561 of the branch flow path part plate 550 of the jetting member 500 and the like. Due to the shape of the portion 551, unlike the conventional wafer storage container, the purge gas supply from the lower part to the upper part through the injection member 500 having a small thickness, that is, the compact injection member 500, is facilitated. It is made possible to achieve injection of the purge gas into the storage chamber 100 .

또한, 위와 같은 개념은 각 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)가 도 5 내지 도 8 등에 도시된 것과 달리 평면이 아닌 곡면을 갖는 경우에도 동일하게 적용될 수 있다. 이는, 좌측전방분사부재가 배치된 일부면, 즉, 수납실의 둘레면이 원형과 유사한 곡면으로 형성되어, 수납실의 둘레면 중 좌측전방면이 곡면의 형상을 갖고 있는 경우에도 좌측전방면을 평행이동시키게 되면 곡면을 갖는 분지유로부플레이트의 앞면과 일치한 면을 갖기 때문이다.(즉, 곡면의 경우에도, 좌측전방면 또는 분사구플레이트의 앞면을 평행이동시킨 면은 분지유로부플레이트의 앞면이라 할 수 있다.)In addition, the above concept is different from that shown in FIGS. 5 to 8 in which each injection member 500, that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR, is flat The same can be applied even to a case in which a surface other than this is curved. This is because a part of the surface on which the left front jet member is disposed, that is, the circumferential surface of the storage room is formed in a curved surface similar to a circle, so that even when the left front surface among the circumferential surfaces of the storage room has a curved shape, the left front surface is This is because, when it is moved in parallel, it has a surface that coincides with the front surface of the branch passage plate having a curved surface. can be said.)

위와 같은 구조로 인해, 각 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)의 메인유로(561)들은 수납실(100)에 수납된 웨이퍼(W)의 수납방향, 즉, 수직방향과 평행하도록 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각의 분지유로부플레이트(550)에 형성된다.Due to the above structure, the main flow paths 561 of each injection member 500, that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR, are stored in the storage room 100. The branch flow path plate 550 of each of the left front jet member 500LF, the right front jet member 500RF, and the central rear jet member 500MR so as to be parallel to the receiving direction of the wafer W accommodated in the vertical direction, that is, parallel to the vertical direction. is formed in

전술한 분지유로부플레이트(550)의 분지유로(563)는 메인유로(561)로부터 직각, 즉, 90˚의 사잇각을 갖도록 분지된다. 따라서, 분지유로(563)는 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 길이 또는 좌우방향으로 형성된다고 할 수 있는 것이다.The branch flow path 563 of the above-described branch flow path part plate 550 is branched from the main flow path 561 to have a right angle, that is, an angle of 90°. Accordingly, it can be said that the branch flow path 563 is formed in the length or left and right direction of a surface moved in parallel from some of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 on which the injection member 500 is disposed.

이는, 전술한 바와 같이, 메인유로(561)가 지면에 수직하게 형성되거나, 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성되고, 분지유로(563)가 메인유로(561)로부터 직각, 즉, 90˚의 사잇각을 갖도록 분지되므로, 분지유로(563)는 분사부재(500)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면의 길이 또는 좌우방향으로 형성된다고 할 수 있는 것이다.This is, as described above, the main flow path 561 is formed perpendicular to the ground, or is formed to extend in parallel with a surface shifted in parallel from some of the circumferential surfaces of the storage chamber 100 in which the injection member 500 is disposed. or is formed to extend along the height or the vertical direction, and the branch flow path 563 is branched from the main flow path 561 at a right angle, that is, an angle of 90°, so the branch flow path 563 is a jetting member 500 is disposed. It can be said that it is formed in the length or left and right direction of the surface moved in parallel from some of the circumferential surfaces of the storage room 100 .

히터봉(590)은 유입플레이트(510)의 내부에 삽입되어 구비되며, 유입플레이트(510)의 내부유로로 유동하는 퍼지가스를 가열시켜 온도를 올리는 기능과 동시에 수납실(100) 내부를 가열시켜 온도를 올리는 기능을 한다.The heater rod 590 is inserted into the inlet plate 510 and provided, and functions to increase the temperature by heating the purge gas flowing into the internal flow path of the inlet plate 510 and at the same time heat the inside of the storage chamber 100 . function to raise the temperature.

다시 말해, 히터봉(590)은 유입플레이트(510)의 내부유로와 가깝도록 유입플레이트(510)의 내부에 삽입되어 구비되므로, 히터봉(590)이 자체적으로 발열하게 되면, 내부유로로 유동하는 퍼지가스가 가열된다. 따라서, 비활성기체인 퍼지가스가 가열됨에 따라, 퍼지가스의 유동이 더욱 활발하게 되어 수납실(100) 내부로의 분사 등이 원할하게 이루어질 수 있다.In other words, since the heater rod 590 is inserted and provided inside the inlet plate 510 to be close to the internal flow path of the inflow plate 510, when the heater rod 590 generates heat by itself, it flows into the internal flow path. The purge gas is heated. Accordingly, as the purge gas, which is an inert gas, is heated, the flow of the purge gas becomes more active, so that injection into the storage chamber 100 can be performed smoothly.

또한, 히터봉(590)이 자체적으로 발열되면 분사부재(500) 자체를 가열하게 되므로, 수납실(100) 내부까지 열이 전달되어 수납실(100) 내부의 온도가 상승하게 된다. 따라서, 수납실(100)의 내부 온도가 상승함에 따라, 수납실(100) 내부의 수분이 적어지게되는 제습효과가 이루어지게 되며, 이를 통해, 퍼지가스의 퍼징과 더불어 웨이퍼 수납용기(10)의 제습을 달성할 수 있다.In addition, when the heater rod 590 is self-heating, since the injection member 500 itself is heated, heat is transferred to the inside of the storage chamber 100 and the temperature inside the storage chamber 100 rises. Accordingly, as the internal temperature of the storage chamber 100 rises, a dehumidifying effect is achieved in which the moisture inside the storage chamber 100 decreases, and through this, the wafer storage container 10 is purged with the purge gas. dehumidification can be achieved.

우측전방분사부재(500RF)는, 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 우측전방면을 이루는 우측전방벽체(530RF)와, 우측전방벽체(530RF)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며, 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.The right front injection member (500RF) is coupled to the inlet plate 510 in which the communication port 511 and the inlet 513 communicating with the supply passage 331 of the lower plate 300 are formed, and the inlet plate 510, and , the right front wall 530RF forming the right front surface of the circumferential surface of the storage room 100 and the right front wall 530RF, coupled to the branch flow path portion 551 communicating with the inlet 513 is formed. The sub plate 550, coupled to the branch passage plate 550, and provided in the injection hole plate 570 having a plurality of injection holes 571 communicating with the branch passage portion 551, and the inlet plate 510 It is configured to include a heater rod (590).

또한, 중앙후방분사부재(500MR)는, 하부플레이트(300)의 공급유로(331)와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 중앙후방면을 이루는 중앙후방벽체(530MR)와, 중앙후방벽체(530MR)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551)가 형성된 분지유로부플레이트(550)와, 분지유로부플레이트(550)와 결합하며, 분지유로부(551)와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.In addition, the central rear injection member (500MR), the inlet plate 510, the inlet plate 510 and the inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet 513 communicating with the supply passage 331 of the lower plate 300 are formed. Combined, the central rear wall (530MR) forming the central rear surface of the circumferential surface of the storage room 100, and the central rear wall (530MR), coupled to the branch flow path portion 551 communicating with the inlet (513) is formed The branch passage plate 550 and the branch passage plate 550 are coupled to the injection hole plate 570 having a plurality of injection holes 571 communicating with the branch passage portion 551 , and the inlet plate 510 . It is configured to include a provided heater rod (590).

즉, 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 좌측전방분사부재(500LF)와 그 배치 위치가 상이하고, 각각 우측전방벽체(530RF)와 중앙후방벽체(530MR)를 포함한다는 점에서 차이가 있을 뿐, 좌측전방분사부재(500LF)와 대동소이한 구성을 갖는다.That is, the right front spraying member 500RF and the central rear spraying member 500MR are different from the left front spraying member 500LF in their arrangement positions, and they include the right front wall 530RF and the center rear wall 530MR, respectively. There is only a difference in point, and it has the same configuration as the left front injection member 500LF.

배기부재exhaust member (600)(600)

이하, 배기부재(600)에 대해 설명한다.Hereinafter, the exhaust member 600 will be described.

도 1, 도 2, 도 9 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 배기부재(600)는 수납실(100)의 둘레면 중 분사부재(500)가 배치되지 않은 우측후방면에 배치되며, 하부에 배기홀(611)이 형성된 배기호퍼(610)와, 배기호퍼(610)에 결합하며, 배기홀(611)과 연통되는 복수 개의 배기구(651)가 형성된 배기구플레이트(650)와, 배기호퍼(610)와 배기구플레이트(650) 사이에 게재되며, 배기부재(600)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸 배기를 차단하는 차단플레이트(630)를 포함하여 구성된다.1, 2, and 9 to 11, the exhaust member 600 is disposed on the right rear side of the circumferential surface of the storage room 100, on which the injection member 500 is not disposed, and at the bottom An exhaust hopper 610 having an exhaust hole 611 formed thereon, an exhaust plate 650 having a plurality of exhaust ports 651 coupled to the exhaust hopper 610 and communicating with the exhaust hole 611, and an exhaust hopper 610 ) and the exhaust plate 650, and is configured to include a blocking plate 630 for blocking the exhaust of the purge gas of the exhaust member 600 and the fume of the wafer (W).

배기호퍼(610)의 하부, 즉, 배기호퍼(610)에는 웨이퍼 수납용기(10)의 외부 배기부(미도시)와 연통되는 배기홀(611)이 형성되어 있다.An exhaust hole 611 communicating with an external exhaust portion (not shown) of the wafer storage container 10 is formed in the lower portion of the exhaust hopper 610 , that is, the exhaust hopper 610 .

배기구플레이트(650)는 배기호퍼(610)의 앞쪽 방향(도 1 및 도 2에서는 좌측 방향)에 결합되며, 배기홀(611)과 연통되는 복수 개의 배기구(651)가 형성되어 있다.The exhaust plate 650 is coupled to the front direction (left direction in FIGS. 1 and 2) of the exhaust hopper 610, and a plurality of exhaust ports 651 communicating with the exhaust hole 611 are formed.

이 경우, 복수 개의 배기구(651)는 배기구플레이트(650)의 하부에서 상부로 갈수록 그 개구면적이 크게 형성될 수 있으며, 이로 인해, 상대적으로 배기홀(611)과 거리가 먼 상부의 배기구(651)에서의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸의 배기가 원할하게 이루어질 수 있다.In this case, the opening area of the plurality of exhaust ports 651 may be increased from the lower part to the upper part of the exhaust port plate 650 . As a result, the upper exhaust ports 651 are relatively far from the exhaust hole 611 . ) in the purge gas and the fumes of the wafer W can be evacuated smoothly.

차단플레이트(630)는 배기호퍼(610)와 배기구플레이트(650)의 사이에 게재되며, 배기구플레이트(650)의 복수 개의 배기구(651)와 대응되는 복수 개의 배기연통구(633)가 형성되어 있다.The blocking plate 630 is placed between the exhaust hopper 610 and the exhaust plate 650, and a plurality of exhaust communication ports 633 corresponding to the plurality of exhaust ports 651 of the exhaust plate 650 are formed. .

차단플레이트(630)와 배기호퍼(610)는 구동부(631)에 의해 연결되며, 구동부(631)는 차단플레이트(630)를 승하강시키는 기능을 한다.The blocking plate 630 and the exhaust hopper 610 are connected by a driving unit 631 , and the driving unit 631 functions to raise and lower the blocking plate 630 .

위와 같은 구성으로 인해, 차단플레이트(630)는 구동부(631)의 작동에 따라 배기호퍼(610) 및 배기구플레이트(650)에 대해 상대적으로 승하강함으로써, 배기부재(600)의 배기를 차단할 수 있다.Due to the above configuration, the blocking plate 630 may block the exhaust of the exhaust member 600 by moving up and down relative to the exhaust hopper 610 and the exhaust plate 650 according to the operation of the driving unit 631. .

상세하게 설명하면, 차단플레이트(630)가 정 위치, 즉, 하강된 위치에 있을 경우, 배기구플레이트(650)의 복수 개의 배기구(651)와 차단플레이트(630)의 복수 개의 배기연통구(633)가 연통되게 된다. 이는, 복수 개의 배기연통구(633)는 복수 개의 배기구(651)에 대응되도록 같은 형상으로 형성되기 때문이다.In detail, when the blocking plate 630 is in the normal position, that is, in the lowered position, a plurality of exhaust ports 651 of the exhaust plate 650 and a plurality of exhaust communication ports 633 of the blocking plate 630 are provided. becomes connected. This is because the plurality of exhaust communication ports 633 are formed in the same shape to correspond to the plurality of exhaust ports 651 .

따라서, 차단플레이트(630)가 정위치에 있을 경우, 외부 배기부의 팬 등이 작동되어 흡입력이 발생하면, 수납실(100) 내부의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 복수 개의 배기구(651), 복수 개의 배기연통구(633) 및 배기홀(611)을 통해 외부 배기부로 배기되게 된다.Therefore, when the blocking plate 630 is in the correct position, the fan of the external exhaust unit is operated and suction force is generated, the purge gas inside the storage chamber 100 and the fume of the wafer W are discharged from a plurality of exhaust ports 651 . , is exhausted to the external exhaust unit through a plurality of exhaust communication ports 633 and exhaust holes 611 .

그러나, 차단플레이트(630)가 차단 위치, 즉, 상승된 위치에 있을 경우, 복수 개의 배기구(651)와 복수 개의 배기연통구(633)의 연통이 차단된다. However, when the blocking plate 630 is in the blocking position, that is, in the raised position, communication between the plurality of exhaust ports 651 and the plurality of exhaust communication ports 633 is blocked.

이는, 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역(즉, 복수 개의 배기연통구(633)들 사이의 영역)이 복수 개의 배기구(651)를 막음으로써, 복수 개의 배기구(651)와 복수 개의 배기연통구(633)의 연통을 차단시키는 것이다.This is because the area on the front side of the blocking plate 630 in which the exhaust communication port 633 is not formed (that is, the area between the plurality of exhaust communication ports 633) blocks the plurality of exhaust ports 651, The communication between the plurality of exhaust ports 651 and the plurality of exhaust communication ports 633 is blocked.

따라서, 외부 배기부의 팬 등이 작동하여 흡입력이 발생하더라도, 수납실(100)의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 상기 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역에 의해 차단되어 배기가 차단되게 된다.Therefore, even if the fan of the external exhaust unit operates and suction force is generated, the purge gas of the storage chamber 100 and the fume of the wafer W are formed by the exhaust communication port 633 in the area of the front surface of the blocking plate 630 . It is blocked by the non-exhaust area and the exhaust is blocked.

위와 같이, 차단플레이트(630)가 배기부재(600)의 배기를 차단하게 됨으로써, 다음과 같은 이점을 갖는다.As described above, the blocking plate 630 blocks the exhaust of the exhaust member 600, thereby having the following advantages.

만약, 차단플레이트(630)가 구비되지 않고, 외부 배기부와 연통 부분에 구비된 밸브 등을 제어함으로써, 배기부재(600)의 배기를 선택적으로 제어할 수 있는 경우, 수납실(100) 내부에 웨이퍼(W)의 퓸 등 오염기체가 혼합될 수 있다.If the blocking plate 630 is not provided and it is possible to selectively control the exhaust of the exhaust member 600 by controlling a valve provided in the communication part with the external exhaust part, the inside of the storage room 100 is Contaminant gases such as fume of the wafer W may be mixed.

상세하게 설명하면, 외부 배기부의 팬 등의 작동에 의해 배기부재(600)를 통해 배기가 진행되던 중, 밸브를 잠궈 배기부재(600)의 배기를 멈추게 되면, 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 배기홀(611)과 외부 배기부가 연통되어 있는 공간(즉, 배기홀(611)과 외부 배기부의 연통 통로 중 밸브까지의 통로)에 갇히게 된다.In detail, when the exhaust of the exhaust member 600 is stopped by closing the valve while exhaust is in progress through the exhaust member 600 by the operation of a fan of the external exhaust unit, the purge gas and the fume of the wafer W is trapped in a space in which the exhaust hole 611 and the external exhaust unit communicate (that is, a passage between the exhaust hole 611 and the communication passage of the external exhaust unit from the passage to the valve).

따라서, 밸브를 개방 상태로 전환하여 다시 배기부재(600)의 배기를 진행할 때까지, 상기 공간에 갖힌 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸은 분사부재(500)에서 분사되는 퍼지가스와 섞이게 되며, 이로 인해, 수납실(100) 내부가 오염될 위험성을 가지게 된다.Therefore, until the valve is switched to the open state and the exhaust member 600 is exhausted again, the purge gas trapped in the space and the fume of the wafer W are mixed with the purge gas sprayed from the spray member 500, For this reason, there is a risk that the inside of the storage room 100 is contaminated.

또한, 상기 공간에 계속 웨이퍼(W)의 퓸, 즉, 오염된 기체가 머물게 되므로, 상기 공간이 쉽게 오염되며, 이로 인해, 배기라인 전체를 교체해야 하는 문제점이 발생할 수 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 배기부재(600)에 차단플레이트(630)가 구비되면, 수납실(100)과 배기라인 자체를 차단플레이트(630)가 차단하게 되므로, 전술한 공간에 오염 기체가 잔존하지도 않을뿐만 아니라, 더욱 빠른 시간에 배기부재(600)의 배기 차단을 달성할 수 있다.In addition, since the fume of the wafer W, ie, the contaminated gas, continues to stay in the space, the space is easily polluted, which may cause a problem in that the entire exhaust line needs to be replaced. However, as described above, when the blocking plate 630 is provided in the exhaust member 600 , the blocking plate 630 blocks the storage chamber 100 and the exhaust line itself, so that the pollutant gas remains in the above-described space. Not only does it not do it, but it is possible to achieve the exhaust blocking of the exhaust member 600 in a faster time.

전술한 배기부재(600)의 차단플레이트(630)는 그 위치에 따라, 배기구(651)를 완전히 차단하지 않고, 배기구(651)의 일부 영역만을 차단할 수도 있다. The blocking plate 630 of the exhaust member 600 may block only a partial area of the exhaust port 651 without completely blocking the exhaust port 651 depending on the position thereof.

다시 말해, 전술한 상승된 위치보다 조금 낮은 위치만큼 차단플레이트(630)를 상승시키게 되면, 배기구(651)의 일부 영역은 차단플레이트(630)의 앞면의 영역 중 배기연통구(633)가 형성되지 않은 영역(즉, 복수 개의 배기연통구(633)들 사이의 영역)에 의해 차단되나, 배기구(651)의 나머지 영역은 여전히 배기연통구(633)와 연통되게 된다. In other words, when the blocking plate 630 is raised by a position slightly lower than the above-mentioned elevated position, the exhaust communication port 633 is not formed in some areas of the exhaust port 651 among the areas on the front side of the blocking plate 630 . Although blocked by the non-exhaust area (ie, the area between the plurality of exhaust communication ports 633 ), the remaining area of the exhaust port 651 is still in communication with the exhaust communication port 633 .

따라서, 상기 배기구(651)와 배기연통구(633)의 연통에 의해 배기가 이루어질 수 있으나, 배기구(651)의 연통 영역이 줄어들었으므로, 배기구(651)와 배기연통구(633)가 완전히 연통되었을 때보다 배기력이 약해지게 된다.Therefore, although exhaust can be achieved by the communication between the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633, the communication area of the exhaust port 651 is reduced, so the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633 are completely in communication. Exhaust power will be weaker than when it was.

이처럼, 차단플레이트(630)의 상승 위치, 즉, 상승 높이의 조절을 통해 배기구(651)와 배기연통구(633)의 연통영역, 즉, 배기구(651)의 개구 면적을 조절할 수 있으며, 이를 통해, 배기부(600)의 배기력을 원하는데로 제어할 수 있다.In this way, the communication area between the exhaust port 651 and the exhaust communication port 633, that is, the opening area of the exhaust port 651 can be adjusted by adjusting the rising position of the blocking plate 630, that is, the rising height, and through this , the exhaust force of the exhaust unit 600 can be controlled as desired.

물론, 전술한 배기부재(600)는 웨이퍼 수납용기(10)의 용도, 크기 등에 따라 필요적으로 수납실(100)의 둘레면 중 좌측후방면에 배치될 수도 있다.Of course, the above-described exhaust member 600 may be disposed on the left rear surface of the circumferential surface of the storage chamber 100 as necessary according to the purpose, size, etc. of the wafer storage container 10 .

또한, 전술한 설명에서는 배기부재(600)의 차단플레이트(630)가 구동부(631)에 의해 승하강함으로써, 배기부재(600)의 배기를 차단하는 것을 기준으로 설명하였으나, 웨이퍼 수납용기(10)의 용도, 크기 등에 따라 필요적으로 수평방향 슬라이드 이동, 회전 등의 움직임으로도 배기부재(600)의 배기를 차단할 수도 있다.In addition, in the above description, the blocking plate 630 of the exhaust member 600 is raised and lowered by the driving unit 631 to block the exhaust of the exhaust member 600 , but the wafer storage container 10 It is also possible to block the exhaust of the exhaust member 600 even by movement such as horizontal slide movement, rotation, etc. as necessary depending on the use, size, etc.

또한, 위의 차단플레이트(630)는 분사부재(500), 즉, 전방우측분사부재(500), 좌측전방분사부재(500LF), 중앙후방분사부재(500MR)의 분사구플레이트(570)의 뒷면 사이에 구비되어 전술한 구성 및 기능으로, 분사부재(500)의 퍼지가스 분사를 차단할 수도 있다.In addition, the above blocking plate 630 is between the back side of the injection hole plate 570 of the injection member 500, that is, the front right injection member 500, the left front injection member 500LF, and the center rear injection member 500MR. It is provided in the above-described configuration and function, it is also possible to block the purge gas injection of the injection member (500).

웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동Flow of the purge gas in the wafer storage container (10)

이하, 전술한 구성을 갖는 웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.Hereinafter, the flow of the purge gas in the wafer storage container 10 having the above-described configuration will be described.

먼저, 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.First, the flow of the purge gas injected into the storage chamber 100 through the injection member 500, that is, the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR. Explain.

웨이퍼 수납용기(10)의 외부 공급부에서 퍼지가스가 공급되면, 공급된 퍼지가스는 하부플레이트(300)의 공급구(311)를 통해 하부플레이트(300)로 유입된다.When the purge gas is supplied from the external supply unit of the wafer receiving container 10 , the supplied purge gas flows into the lower plate 300 through the supply port 311 of the lower plate 300 .

이 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 공급구(311) 중 좌우측하부영역공급구(311B)로 유동된 퍼지가스는 좌우측하부영역공급유로(331B)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 나눠져서 유동하게 된다.In this case, as shown in FIG. 4 , the purge gas flowing into the left and right lower region supply ports 311B of the supply ports 311 flows into the left front injection member 500LF through the left and right lower region supply passages 331B. The flow is divided into the lower area communication port 511B of the plate 510 and the lower area communication port 511B of the inlet plate 510 of the right front jet member 500RF.

또한, 공급구(311) 중 좌우측중앙영역공급구(311M)로 유동된 퍼지가스는 좌우측중앙영역공급유로(331M)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 나눠져서 유동하게 된다.In addition, the purge gas flowing into the left and right central region supply ports 311M among the supply ports 311 passes through the left and right central region supply passages 331M through the central region communication port of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF. (511M) and the central area communication port (511M) of the inlet plate 510 of the right front injection member (500RF) is divided into flow.

또한, 공급구(311) 중 좌우측상부영역공급구(311T)로 유동된 퍼지가스는 좌우측상부영역공급유로(331T)를 통해 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T) 및 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 나눠져서 유동하게 된다.In addition, the purge gas flowing into the left and right upper region supply ports 311T among the supply ports 311 passes through the left and right upper region supply passages 331T through the upper region communication port of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF. (511T) and the flow is divided into the upper area communication port (511T) of the inlet plate 510 of the right front injection member (500RF).

좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. The purge gas that has flowed into the lower area communication port 511B of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF flows to the lower area inlet 513B through the internal flow path, and is a branch of the branch flow path plate 550 . As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the lower region branch passage portion 551B of the flow passage portion 551, it flows to the main passage 561 of the lower region branch passage portion 551B. .

하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the lower area injection hole 571B.

또한, 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the central area communication port 511M of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF flows to the central area inlet 513M through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the central region branch flow path part 551M among the branch flow path parts 551 of will do

중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563, the injection hole is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.

또한, 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the upper area communication port 511T of the inlet plate 510 of the left front injection member 500LF flows to the upper area inlet 513T through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the upper region branch flow path portion 551T of the branch flow path portion 551 of will do

상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas that has flowed into the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.

전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 퍼지가스의 유동은 우측전방분사부재(500RF)의 퍼지가스 유동에도 적용될 수 있다.The flow of the purge gas of the left front jet member 500LF described above may also be applied to the flow of the purge gas of the right front jet member 500RF.

즉, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. That is, the purge gas flowing into the lower area communication port 511B of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the lower area inlet 513B through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the lower region branch flow path portion 551B of the branch flow path portion 551 of will do

하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the lower area injection hole 571B.

또한, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the central area communication port 511M of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the central area inlet 513M through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the central region branch flow path part 551M among the branch flow path parts 551 of will do

중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563, the injection hole is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.

또한, 우측전방분사부재(500RF)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the upper area communication port 511T of the inlet plate 510 of the right front injection member 500RF flows to the upper area inlet 513T through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the upper region branch flow path portion 551T of the branch flow path portion 551 of will do

상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas that has flowed into the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.

중앙후방분사부재(500MR)의 경우, 전술한 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)와 달리, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)를 통해 퍼지가스가 유입되게 된다.In the case of the central rear injection member 500MR, unlike the above-described left front injection member 500LF and right front injection member 500RF, of the supply ports 311 of the lower plate 300 , the rear lower region supply port 313B ), the purge gas is introduced through the rear-side central region supply port 313M and the rear-side upper region supply port 313T.

따라서, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측하부영역공급구(313B)로 유동된 퍼지가스는 후방측하부영역공급유로(333B)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동하고, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측중앙영역공급구(313M)로 유동된 퍼지가스는 후방측중앙영역공급유로(333M)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동하고, 하부플레이트(300)의 공급구(311) 중 후방측상부영역공급구(313T)로 유동된 퍼지가스는 후방측상부영역공급유로(333T)를 통해 중앙후방분사부재(500MR)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동한다.Accordingly, the purge gas flowing into the rear lower region supply port 313B among the supply ports 311 of the lower plate 300 passes through the rear lower region supply passage 333B to the inlet plate of the central rear injection member 500MR. The purge gas flowing into the lower region communication port 511B of 510 and flowing to the rear central region supply port 313M among the supply ports 311 of the lower plate 300 is the rear central region supply passage 333M. ) through the central region communication port 511M of the inlet plate 510 of the central rear injection member 500MR, and to the rear side upper region supply port 313T among the supply ports 311 of the lower plate 300 The flowed purge gas flows to the upper area communication port 511T of the inlet plate 510 of the central rear injection member 500MR through the rear side upper area supply passage 333T.

후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 하부영역연통구(511B)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 하부영역유입구(513B)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. The purge gas flowing into the lower area communication port 511B of the inlet plate 510 of the rear central injection member 500 flows to the lower area inlet 513B through the internal flow path, and the branch of the branch passage plate 550 is As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the lower region branch passage portion 551B of the flow passage portion 551, it flows to the main passage 561 of the lower region branch passage portion 551B. .

하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 하부영역분지유로부(551B)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 하부영역분사구(571B)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the lower region branch flow path part 551B, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the lower area injection hole 571B.

또한, 후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 중앙영역연통구(511M)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 중앙영역유입구(513M)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the central area communication port 511M of the inlet plate 510 of the rear central injection member 500 flows to the central area inlet 513M through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the central region branch flow path part 551M among the branch flow path parts 551 of will do

중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 중앙영역분지유로부(551M)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 중앙영역분사구(571M)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas flowing into the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the central area branch flow path part 551M, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563, the injection hole is injected into the storage chamber 100 through the central area injection hole 571M.

또한, 후방중앙분사부재(500)의 유입플레이트(510)의 상부영역연통구(511T)로 유동된 퍼지가스는 내부유로를 통해 상부영역유입구(513T)로 유동되며, 분지유로부플레이트(550)의 분지유로부(551) 중 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)의 구멍을 통해 도 8에 도시된 바와 같이, 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동하게 된다. In addition, the purge gas flowing into the upper region communication port 511T of the inlet plate 510 of the rear central injection member 500 flows to the upper region inlet 513T through the internal flow path, and the branch passage plate 550. As shown in FIG. 8 , through the hole of the main flow path 561 of the upper region branch flow path portion 551T of the branch flow path portion 551 of will do

상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)로 유동된 퍼지가스는 상부영역분지유로부(551T)의 메인유로(561)에서 분지된 분지유로(563)를 따라 유동한 후, 분지유로(563)와 연통된 분사구플레이트(570)의 분사구(571) 중 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.The purge gas that has flowed into the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T flows along the branch flow path 563 branched from the main flow path 561 of the upper region branch flow path part 551T, and then flows into the branch flow path. Among the injection holes 571 of the injection hole plate 570 communicating with the 563 , it is injected into the storage chamber 100 through the upper area injection hole 571T.

이처럼 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각으로 유입된 퍼지가스는 분사구플레이트(570)의 하부영역분사구(571B), 중앙영역분사구(571M) 및 상부영역분사구(571T)를 통해 수납실(100) 내부로 유입된다. 따라서, 하부영역분사구(571B), 중앙영역분사구(571M) 및 상부영역분사구(571T)에서 분사된 퍼지가스는 수납실(100) 내부의 하부영역, 중앙영역, 상부영역 각각에 분사되게 되는 것이다.As such, the purge gas introduced into each of the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF, and the central rear injection member 500MR is the lower area injection port 571B and the central area injection port 571M of the injection port plate 570. And it flows into the storage chamber 100 through the upper area injection hole (571T). Accordingly, the purge gas injected from the lower region injection hole 571B, the central region injection hole 571M, and the upper region injection hole 571T is to be injected into each of the lower region, the central region, and the upper region inside the storage chamber 100 .

다시 말해, 좌측전방분사부재(500LF), 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각에서 유입플레이트(510), 분지유로부플레이트(550) 및 분사구플레이트(570)의 유로 및 구멍들은 위와 같이, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역, 즉, 상, 하 방향으로 3개의 영역으로 구획되어 형성되며, 이로 인해, 수납실(100) 내부에도 하부영역, 중앙영역 및 상부영역, 즉, 상, 하 방향(또는 수직방향)으로 3개의 영역으로 구획된 퍼징영역이 형성되게 되는 것이다. In other words, in each of the left front injection member 500LF, the right front injection member 500RF and the central rear injection member 500MR, the flow path of the inlet plate 510, the branch flow passage plate 550 and the injection hole plate 570, and As described above, the holes are divided into three regions in the lower region, the central region and the upper region, that is, in the upper and lower directions, so that the lower region, the central region and the upper region, that is, in the storage room 100 as well. , a purging area divided into three areas in the upper and lower directions (or vertical direction) is formed.

위와 같이, 좌측전방분사부재(500LF)의 내부에는 각각의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징영역으로의 유로 및 구멍이 형성되어 있으므로, 종래의 웨이퍼 수납용기의 챔버 형태의 분사부재보다 외부 공급부에서 공급된 퍼지가스의 유동 속도가 유지될 수 있다. 따라서, 분사구에서 분사되는 퍼지가스의 분사 속도가 종래의 웨이퍼 수납용기보다 높아지게 되며, 그만큼 수납실(100) 내부의 사영역의 발생이 억제되게 된다.As described above, since flow paths and holes to the purging areas of each purging area, that is, the lower area, the central area, and the upper area, are formed inside the left front jet member 500LF, the conventional chamber type of the wafer storage container The flow rate of the purge gas supplied from the external supply unit rather than the injection member may be maintained. Accordingly, the injection speed of the purge gas injected from the injection port becomes higher than that of the conventional wafer storage container, and the generation of the dead area inside the storage chamber 100 is suppressed by that much.

또한, 3개의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징영역은 각각 10개의 웨이퍼(W)(전술한 바와 같이 수납실(100)에 30장의 웨이퍼(W)가 수납된 경우)를 각각 퍼징하게 되며, 이로 인해, 균일한 웨이퍼(W)의 퍼징이 달성될 수 있다.In addition, the three purging areas, that is, the purging area of the lower area, the central area, and the upper area, each have 10 wafers W (when 30 wafers W are accommodated in the storage room 100 as described above) are purged, respectively, so that uniform purging of the wafer W can be achieved.

또한, 3개의 퍼징영역과 연결된 유로를 선택적으로 차단, 즉, 하부플레이트(300)의 공급구를 통해 유동하는 유로들을 선택적으로 차단하는 것만으로도, 수납실(100) 내부의 원하는 영역에만 퍼지가스의 분사를 달성할 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부의 3개의 퍼징영역의 퍼징을 용이하게 제어할 수 있다.In addition, by selectively blocking the flow paths connected to the three purging areas, that is, selectively blocking the flow paths flowing through the supply port of the lower plate 300 , the purge gas is limited to a desired area inside the storage chamber 100 . can be achieved, and thus, it is possible to easily control the purging of the three purging areas inside the storage room 100 .

즉, 외부 공급부에 밸브를 구비하고, 상기 밸브가 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M) 및 좌우측상부영역공급구(311T)로 유동하는 퍼지가스의 유동을 제어하게 되면, 수납실(100) 내부의 하부영역, 중앙영역 및 상부영역의 퍼징을 용이하게 제어할 수 있는 것이다.That is, if a valve is provided in the external supply unit, and the valve controls the flow of the purge gas flowing to the left and right lower region supply ports 311B, left and right central region supply ports 311M, and left and right upper region supply ports 311T , it is possible to easily control the purging of the lower region, the central region and the upper region inside the storage room 100 .

한편, 전술한 바와 달리, 3개의 퍼징영역, 즉, 하부영역, 중앙영역 및 상부영역으로 구분되지 않고, 그 이상의 퍼징영역으로 구분될 수도 있다.Meanwhile, unlike the above, it is not divided into three purging areas, ie, a lower area, a central area, and an upper area, but may be divided into more purging areas.

위와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)는 수납실(100) 내부의 수직방향으로의 퍼지가스 분사 제어를 달성할 수 있다.As described above, the wafer storage container 10 according to the preferred embodiment of the present invention can achieve the purge gas injection control in the vertical direction inside the storage chamber 100 .

또한, 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)로의 퍼지가스의 공급은 하부플레이트(300)의 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)에 의해 이루어지고, 중앙후방분사부재(500MR)로의 퍼지가스의 공급은 하부플레이트(300)의 후방측하부영역공급유로(331B), 후방측중앙영역공급유로(331M) 및 후방측상부영역공급유로(331T)에 의해 따로 이루어짐으로써, 수납실(100) 내부의 동등한 퍼지가스의 분사량을 달성할 수 있다.In addition, the supply of the purge gas to the left front injection member 500LF and the right front injection member 500RF is the left and right lower region supply passages 331B, the left and right central region supply passages 331M and the left and right upper regions of the lower plate 300 . The supply flow path 331T provides the supply of the purge gas to the central rear injection member 500MR, the rear lower region supply passage 331B, the rear central region supply passage 331M, and the rear of the lower plate 300 . By being separately formed by the side upper region supply passage 331T, it is possible to achieve an equal injection amount of the purge gas inside the storage chamber 100 .

상세하게 설명하면, 외부 공급부에서 좌우측하부영역공급구(311B), 좌우측중앙영역공급구(311M), 좌우측상부영역공급구(311T)를 통해 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T) 각각으로 공급시키는 퍼지가스의 유동량을 '2'라 가정하자.In detail, the left and right lower region supply passages 331B, left and right central region supply passages through the left and right lower region supply ports 311B, left and right central region supply ports 311M, and left and right upper region supply ports 311T from the external supply unit Assume that the flow amount of the purge gas supplied to each of the 331M and the left and right upper region supply passages 331T is '2'.

이 경우, 좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)를 통해 좌측전방분사부재(500LF) 및 우측전방분사부재(500RF)로 유입되는 퍼지가스의 유동량은 각각 '1'이 된다(좌우측하부영역공급유로(331B), 좌우측중앙영역공급유로(331M) 및 좌우측상부영역공급유로(331T)가 갈라지게 되므로)In this case, the purge flowing into the left front injection member 500LF and the right front injection member 500RF through the left and right lower region supply passages 331B, left and right central region supply passages 331M, and left and right upper region supply passages 331T The gas flow rate becomes '1', respectively (since the left and right lower region supply passages 331B, left and right central region supply passages 331M, and left and right upper region supply passages 331T are divided)

따라서, 외부 공급부에서 후방측하부영역공급구(313B), 후방측중앙영역공급구(313M) 및 후방측상부영역공급구(313T)를 통해 후방측하부영역공급유로(333B), 후방측중앙영역공급유로(333M) 및 후방측상부영역공급유로(333T)로 공급시키는 퍼지가스의 유동량을 '1'로 맞추게 되면, 중앙후방분사부재(500MR)로 유입되는 퍼지가스의 유동량을 '1'로 맞출 수 있다.Accordingly, the rear side lower region supply passage 333B, the rear central region through the rear side lower region supply port 313B, the rear side central region supply port 313M, and the rear side upper region supply port 313T from the external supply section When the flow amount of the purge gas supplied to the supply passage 333M and the rear side upper region supply passage 333T is set to '1', the flow amount of the purge gas flowing into the central rear injection member 500MR is set to '1'. can

따라서, 위와 같이, 외부 공급부에서 하부플레이트(300)의 공급유로(331) 중 좌우측공급유로, 후방측공급유로로 공급되는 퍼지가스의 유동량을 조절시킴으로써, 분사부재(500)로 유입되는 퍼지가스의 유동량을 동일하게 맞출 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동량 또한 동일하게 맞출 수 있다.Therefore, as described above, by adjusting the flow amount of the purge gas supplied to the left and right supply passages and the rear supply passage among the supply passages 331 of the lower plate 300 from the external supply unit, the purge gas flowing into the injection member 500 is The flow amount may be equalized, and thus, the flow amount of the purge gas injected into the storage chamber 100 may also be adjusted to be the same.

이처럼 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 유동량을 동일하게 함으로써, 수납실(100) 내부의 퍼지가스의 흐름이 원할하게 이루어지게 할 수 있으며, 이로 인해, 한 쪽으로 퍼지가스의 분사가 치우쳐 난류 등이 발생하는 것을 최소화시킬 수 있다.As such, by making the flow amount of the purge gas injected into the storage chamber 100 the same, the flow of the purge gas inside the storage chamber 100 can be made smoothly, and as a result, the injection of the purge gas is biased toward one side. It is possible to minimize the occurrence of turbulence, etc.

배기부재(600)를 통해 배기되는 수납실(100) 내부의 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸의 유동은 배기부재(600)에 대한 설명에서 전술하였으므로 생략한다.The flow of the purge gas inside the storage chamber 100 and the fume of the wafer W, which are exhausted through the exhaust member 600 , will be omitted since the description of the exhaust member 600 has been described above.

이처럼, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)의 퍼지가스의 유동은 도 11에 도시된 바와 같이, 좌측전방분사부재(500LF), 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)에 의해 수납실(100)의 둘레면 중 전방좌측면, 전방우측면 및 중앙후방면에서 퍼지가스가 분사되고, 배기부재(600)에 의해 수납실(100)의 둘레면 중 후방우측면에서 퍼지가스 및 웨이퍼(W)의 퓸이 배기되게 된다.As such, the flow of the purge gas in the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention is as shown in FIG. 11 , the left front injection member 500LF, the front right injection member 500 and the central rear injection member. (500MR), the purge gas is injected from the front left side, front right side, and center rear surface among the circumferential surfaces of the storage room 100, and from the rear right side of the circumferential surface of the storage room 100 by the exhaust member 600 The purge gas and the fume of the wafer W are exhausted.

따라서, 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되지 못하는 사영역 없이 웨이퍼(W)의 퍼징이 이루어질 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼(W) 제조 공정을 통해 발생된 퓸이 균일하게 제거될 수 있다.Accordingly, the purging of the wafer W may be performed without dead areas from which the fumes of the wafer W cannot be removed, and through this, the fumes generated through the wafer W manufacturing process may be uniformly removed.

또한, 전술한 바와 같이, 배기부재(600)의 차단플레이트(630)를 작동시켜 배기부재(600)의 배기를 차단할 수 있으며, 이와 같은 경우, 수납실(100) 내부에 퍼지가스가 가득 차도록 분사가 되므로, 퍼지가스를 통해 수납실(100) 내부의 습도를 낮출 수 있으며, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 습기 제거를 달성할 수 있다.In addition, as described above, by operating the blocking plate 630 of the exhaust member 600, the exhaust of the exhaust member 600 can be blocked, and in this case, the purge gas is injected so that the inside of the storage chamber 100 is full. Therefore, it is possible to lower the humidity inside the storage chamber 100 through the purge gas, thereby achieving moisture removal of the wafer (W).

더불어 위와 같이, 웨이퍼 수납용기(10)가 수납실(100) 내부의 습도 제어를 할 경우, 전술한 히터봉(590)이 수납실(100) 내부를 가열함으로써, 습도 제어를 도와줄 수 있으며, 이로 인해, 습도 제어의 효율이 상승될 수 있다.In addition, as above, when the wafer storage container 10 controls the humidity inside the storage room 100, the above-described heater rod 590 heats the inside of the storage room 100, thereby helping to control the humidity, Due to this, the efficiency of humidity control can be increased.

전술한 분사부재(500), 즉, 좌측전방분사부재(500LF), 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)는 다양한 변형 예를 가질 수 있다.The aforementioned injection member 500, that is, the left front injection member 500LF, the front right injection member 500, and the central rear injection member 500MR may have various modifications.

따라서, 이하의 설명에서는 분사부재의 제1 내지 제3변형 예에 대해 순서대로 설명한다.Therefore, in the following description, the first to third modified examples of the injection member will be described in order.

단, 후술할 제1 내지 제3변형 예에 따른 분사부재 또한, 각 변형 예의 좌측전방분사부재(500LF)를 기준으로 설명하며, 이를 다른 분사부재, 즉, 전방우측분사부재(500) 및 중앙후방분사부재(500MR)에도 적용할 수 있다. However, the injection members according to the first to third modifications to be described later will also be described based on the left front injection member 500LF of each modification, and this will be described with other injection members, that is, the front right injection member 500 and the center rear. It can also be applied to the injection member (500MR).

또한, 전술한 분사부재(500)에 대한 설명에서 중복되는 설명은 생략하며, 중복된 설명은 전술한 설명에서 언급한 내용으로 갈음한다. In addition, overlapping descriptions in the description of the above-described spray member 500 will be omitted, and the overlapped description will be replaced with the contents mentioned in the above description.

따라서, 전술한 분사부재(500)의 구성요소와 동일한 구성요소는 동일한 도면부호로 표현하며, 변형이 된 구성요소는 제1변형 예의 경우 도면부호에 (')를 붙어 표기하고, 제2변형 예의 경우 도면부호에 (")를 붙여 표기하고, 제3변형 예의 경우, ("')를 붙여 표기한다.Accordingly, the same components as those of the aforementioned injection member 500 are represented by the same reference numerals, and the deformed components are denoted by adding (') to the reference numerals in the case of the first modified example, and the second modified example. In this case, (") is attached to the reference numerals, and in the case of the third modified example, ("') is attached.

제1변형 예에 따른 according to the first modification 분사부재spraying member (500')(500')

이하, 도 12 및 도 13을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 12 and 13, the left front spray member 500'LF according to the first modification that can be applied to the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

도 12는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분지유로부플레이트를 도시한 도이고, 도 13은 도 12의 분지유로부플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이다.12 is a diagram illustrating a branch flow path plate of the left front injection member according to a first modified example, and FIG. 13 is a diagram illustrating a flow of a purge gas flowing through the branch flow passage plate of FIG. 12 .

제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며, 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551')가 형성된 분지유로부플레이트(550')와, 분지유로부플레이트(550')와 결합하며, 분지유로부(551')와 연통되는 복수 개의 분사구(571)가 형성된 분사구플레이트(570)와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.The left front injection member 500 'LF according to the first modified example includes an inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet 513 communicating with the supply passage of the lower plate 300 formed therein, and an inlet plate ( 510) and coupled to the left front wall 530LF and the left front wall 530LF forming the left front surface among the circumferential surfaces of the storage room 100, and a branch flow path portion 551 communicating with the inlet 513. ') is formed with a branched flow path plate 550', and a branched flow path plate 550' coupled with a plurality of injection holes 571 communicating with the branched flow path portion 551'. , including a heater rod 590 provided on the inlet plate 510 .

제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF), 분사구플레이트(570) 및 히터봉(590)은 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF), 분사구플레이트(570) 및 히터봉(590)과 동일한 구성이므로, 그 설명은 생략한다.The inlet plate 510, the left front wall 530LF, the injection hole plate 570, and the heater rod 590 of the left front injection member 500'LF according to the first modified example are the above-described left front injection member 500LF. of the inlet plate 510, the left front wall 530LF, the injection hole plate 570 and the heater rod 590 and the same configuration, so the description thereof will be omitted.

즉, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는 분지유로부플레이트(550')의 분지유로부(551')의 형상을 달리한 분사부재(500')이다.That is, the left front jetting member 500'LF according to the first modified example is a jetting member 500' in which the shape of the branching flow path part 551' of the branching flow path part plate 550' is different.

단, 유입플레이트(510)의 유입구(513)의 경우, 후술할 메인유로(561')의 구멍(565')이 4개가 형성되어 있으므로, 구멍(565')과 동일하게 4개로 형성되는 것이 바람직하며, 이 경우, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T) 중 어느 하나가 2개의 유입구(513)로 형성될 수 있다.However, in the case of the inlet 513 of the inlet plate 510, since four holes 565' of the main flow path 561' to be described later are formed, it is preferable to form four holes 565' and the same. In this case, any one of the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T may be formed of two inlets 513 .

분지유로부플레이트(550')에는 유입구플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 분지유로부(551')가 형성되며, 분지유로부(551')는, 도 12에 도시된 바와 같이, 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 메인유로(561')와, 메인유로(561')에 연통되며, 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)와 연통되는 분지유로(563')를 포함하여 구성되어 있다.A branch flow passage portion 551 ′ communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510 is formed on the branch passage plate 550 ′, and the branch passage portion 551 ′ is, as shown in FIG. 12 , A main passage 561 ′ communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510 , and a branch passage 563 communicating with the main passage 561 ′ and communicating with a plurality of injection ports 571 of the injection port plate 570 . ') is included.

메인유로(561')는 지면에 수직하게 형성되거나, 분사부재(500')가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 일부면에서 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성된다.The main flow path 561' is formed perpendicular to the ground, or is formed to extend in parallel with a surface moved in parallel from some of the circumferential surfaces of the storage room 100 in which the injection member 500' is disposed, or in a height or vertical direction. is formed to extend along the

따라서, 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부플레이트(550')의 메인유로(561')는 지면에 수직하게 형성되거나, 좌측전방분사부재(500'LF)가 배치된 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면에서 평행이동한 면과 나란하게 연장되게 형성되거나 높이 또는 상하 방향을 따라 연장되게 형성된다(이에 대한 자세한 설명은 위의 좌측전방분사부재(500')에 대한 설명에서 전술하였으므로, 생략한다).Therefore, the main flow path 561' of the branch flow path plate 550' of the left front jet member 500'LF is formed perpendicular to the ground, or a storage room in which the left front jet member 500'LF is disposed ( 100) of the circumferential surface of the left front surface is formed to extend parallel to the surface moved in parallel or is formed to extend along the height or up and down direction (for detailed description of this, the description of the left front injection member 500' above) As described above, it is omitted).

메인유로(561')의 중앙에는 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통되는 구멍(565')이 형성되어 있으며, 이로 인해, 퍼지가스는 유입플레이트(510)의 유입구(513) 및 구멍(565')을 통해 메인유로(561)로 유입된다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 구멍(565')은 각 분지유로부(551')에 1개씩 총4개가 형성된다.A hole 565 ′ communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510 is formed in the center of the main flow path 561 ′, so that the purge gas is supplied through the inlet 513 and the hole of the inlet plate 510 . It flows into the main flow path 561 through (565'). In this case, as described above, a total of four holes 565' are formed, one for each branch flow path part 551'.

분지유로(563')는 메인유로(561')의 양 단부에서 서로 반대방향으로 분지되어 2개의 분지유로(563')로 분지된다.The branch flow path 563' is branched in opposite directions from both ends of the main flow path 561', and is branched into two branch flow paths 563'.

따라서, 하나의 분지유로부(551')를 기준으로 하나의 메인유로(561')에는 상부, 하부 단부 각각에 2개씩 총 4개의 분지유로(563')들이 형성되게 된다.Accordingly, a total of four branch passages 563' are formed in one main passage 561' based on one branch passage portion 551', two at each of the upper and lower ends.

이 경우, 메인유로(561')와 분지유로(563')들 간의 사잇각은 직각, 즉, 90˚로 형성되며, 일종의 'T' 형상의 형태를 갖게 된다.In this case, the angle between the main flow path 561 ′ and the branch flow paths 563 ′ is formed at a right angle, that is, 90°, and has a kind of 'T' shape.

위와 같은 분지유로(563')들의 단부에서는 또 다른 분지유로(563')들이 연속되게 형성되며, 각각의 분지유로(563')들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 되어, 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키게 된다.At the ends of the branch flow paths 563' as described above, other branch flow paths 563' are continuously formed, and each branch flow path 563' is split in a 'T' shape to reduce the flow of the purge gas. flow in opposite directions.

위와 같이, 연속되는 분지유로(563')들은 연속분지유로(567')를 형성하게 되며, 연속분지유로(567')는 그 전체적인 형상이 'I' 5개가 연결된 형태(큰 'I' 형상의 분지유로의 단부 각각에 'I' 분지유로가 연속되게 연통된 형태)를 갖게 된다.As described above, the continuous branch flow paths 563' form a continuous branch flow path 567', and the continuous branch flow path 567' has an overall shape in which five 'I's are connected (large 'I' shape). The 'I' branch flow path is continuously connected to each end of the branch flow path).

위와 같은 연속분지유로(567')의 경우에도, 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키기 위해, 각각의 분지유로(563')들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 형성된다고 할 수 있다.Even in the case of the continuous branch flow path 567' as described above, in order to flow the purge gas in opposite directions, each branch flow path 563' can be said to be formed to be split in a 'T' shape.

연속분지유로(567')에서 퍼지가스가 가장 마지막으로 도달하는 구간은 연통유로(569')이다. The section in which the purge gas last arrives in the continuous branch flow path 567' is the communication flow path 569'.

이러한 연통유로(569')는 분사구플레이트(570)의 복수 개의 분사구(571)에 대응되는 위치에 배열되어 있다. 따라서, 유입구(513) 및 구멍(565')을 통해 메인유로(561'), 분지유로(563'), 연속분지유로(567')를 순서대로 유동한 퍼지가스는 연통유로(569')에서 분사구(571)를 통해 수납실(100)로 분사된다.These communication passages 569 ′ are arranged at positions corresponding to the plurality of injection holes 571 of the injection hole plate 570 . Therefore, the purge gas flowing through the main flow path 561 ′, the branch flow path 563 ′, and the continuous branch flow path 567 ′ through the inlet 513 and the hole 565 ′ in order is in the communication flow path 569 ′. It is injected into the storage chamber 100 through the injection hole 571 .

위와 같은 구성을 갖는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)는 다음과 같은 이점을 갖는다.The left front injection member 500'LF according to the first modified example having the above configuration has the following advantages.

전술한 분지유로부(551')의 구조로 인해, 퍼지가스가 분지유로부플레이트(550')의 구멍(565')에서 연통유로(569')를 통해 복수 개의 분사구(571) 각각을 통해 분사될 때, 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하다. Due to the structure of the branch flow path portion 551 ′ described above, the purge gas is injected through each of the plurality of injection ports 571 from the hole 565 ′ of the branch flow passage plate 550 ′ through the communication passage 569 ′. , the flow distance of the purge gas is the same.

따라서, 복수 개의 분사구(571)를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량이 모두 일정하게 유지될 수 있으며, 이로 인해, 수납실(100) 내부에는 균일한 퍼지가스의 분사가 이루어질 수 있다. Accordingly, the flow amount of the purge gas injected through the plurality of injection holes 571 may all be kept constant, and thus, the purge gas may be uniformly injected into the storage chamber 100 .

또한, 위와 같은 수납실(100) 내부의 균일한 퍼지가스의 분사로 인해, 수납실(100) 내부에서 퍼지가스의 불균등한 분사에 의한 난류의 발생이 최소화될 수 있다.In addition, due to the uniform injection of the purge gas in the storage chamber 100 as described above, the occurrence of turbulence due to the uneven injection of the purge gas in the storage chamber 100 can be minimized.

상세하게 설명하면, 수납실(100) 내부에 분사되는 퍼지가스의 유동량이 비교적 균일하게 이루어지지 않고, 한쪽으로만 지나치게 많이 분사되게 되면, 수납실(100) 내부의 퍼지가스 유동이 일종의 난류를 형성할 수 있다.In detail, if the flow amount of the purge gas injected into the storage chamber 100 is not relatively uniform and is sprayed too much to one side, the flow of the purge gas inside the storage chamber 100 forms a kind of turbulence. can do.

따라서, 각각의 웨이퍼(W)의 상면을 유동하는 퍼지가스의 흐름이 원할하게 이루어지지 못하고, 어느 임의의 한 영역에만 퍼지가스의 흐름이 몰리게 될 수 있다. 이러한 퍼지가스의 흐름은 웨이퍼(W)의 퓸을 제거하지 못하는 사영역의 발생을 촉진시키게 되고, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퓸 제거, 습도 제어를 달성하지 못하는 원인이 될 수 있다.Accordingly, the flow of the purge gas flowing on the upper surface of each wafer W may not be made smoothly, and the flow of the purge gas may be concentrated only in any one area. The flow of the purge gas promotes the generation of dead areas that cannot remove fumes from the wafer W, which may cause failure to achieve fume removal and humidity control of the wafer W.

그러나, 웨이퍼 수납용기(10)에 제1변형 예에 따른 분사부재(500')를 적용하게 되면, 도 13에 도시된 바와 같이, 유입구(513)로부터 분사구(571)까지의 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하며, 이로 인해, 분사구(571)를 통해 분사되는 퍼지가스의 균일한 유동량이 보장될 수 있다. 따라서, 종래의 웨이퍼 수납용기에서 발생할 수 있는 수납실(100) 내부의 난류 현상 등을 방지할 수 있고, 이로 인해, 웨이퍼(W)의 퍼징의 효율이 대폭 상승되게 된다.However, when the injection member 500 ′ according to the first modification is applied to the wafer storage container 10 , as shown in FIG. 13 , the flow distance of the purge gas from the inlet 513 to the injection hole 571 . are all the same, and for this reason, a uniform flow amount of the purge gas injected through the injection hole 571 may be ensured. Accordingly, it is possible to prevent turbulence in the storage chamber 100 that may occur in the conventional wafer storage container, and thereby, the efficiency of purging the wafer W is significantly increased.

또한, 분지유로(563'), 연속분지유로(567')의 분지구간이 모두 직각, 즉, 'T' 형상이 연속된 형태를 갖고 있으므로, 분지유로부플레이트(550')의 분지유로부(551')가 형성된 면의 면적을 낭비하는 일 없이 분지유로부(551')를 형성시킬 수 있다. In addition, since the branching sections of the branch flow path 563' and the continuous branch flow path 567' have a right angle, that is, a 'T' shape is continuous, the branch flow path portion ( The branch flow path part 551' can be formed without wasting the area of the surface on which 551' is formed.

따라서, 분지유로부플레이트(550')의 크기를 최소화하여 제작할 수 있으며, 이로 인해, 분사부재(500')의 크기 또한 최소화될 수 있으므로, 웨이퍼 수납용기(10)의 컴팩트화를 달성할 수 있다.Therefore, it can be manufactured by minimizing the size of the branch flow path plate 550 ′, and thereby, the size of the spray member 500 ′ can also be minimized, so that the compactness of the wafer storage container 10 can be achieved. .

제2변형 예에 따른 According to the second modification 분사부재spraying member (500")(500")

이하, 도 14 내지 도 18을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 14 to 18, the left front spray member 500"LF according to a second modification that can be applied to the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention will be described.

도 14는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 사시도이고, 도 15는 도 14의 분해 사시도이고, 도 16(a)는 도 15의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 16(b)는 도 15의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 17은 도 16(b)의 분사플레이트를 유동하는 퍼지가스의 흐름을 도시한 도이고, 도 18은 도 15의 부가유로플레이트의 앞면을 도시한 도이다.Figure 14 is a perspective view of the left front spraying member according to a second modified example, Figure 15 is an exploded perspective view of Figure 14, Figure 16 (a) is a view showing the front of the spray plate of Figure 15, Figure 16 (b) ) is a view showing the rear side of the injection plate of FIG. 15, FIG. 17 is a diagram showing the flow of purge gas flowing through the injection plate of FIG. 16(b), and FIG. 18 is a front side of the additional flow path plate of FIG. is a diagram showing

제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는, 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구 및 유입구가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면을 이루는 좌측전방벽체(530LF)와, 좌측전방벽체(530LF)와 결합하며, 유입구와 연통되는 분지유로부 및 분지유로부와 연통되는 복수 개의 분사구(571")가 형성되는 분사플레이트(580")와, 유입플레이트(510)와 분사플레이트(580") 사이에 배치되며, 유입구(513)와 분지유로부(551")를 연통시키는 부가유로(541")가 형성된 부가유로플레이트(540")와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 14 and 15 , the left front injection member 500 "LF according to the second modified example is an inlet plate 510 having a communication port and an inlet communicating with the supply flow path of the lower plate 300 . And, coupled to the inlet plate 510, the left front wall (530LF) and the left front wall (530LF) forming the left front surface of the circumferential surface of the storage room 100, coupled to the branch flow path portion communicating with the inlet and the injection plate 580 ″, in which a plurality of injection ports 571 ″ communicating with the branch flow path part are formed, and the inlet plate 510 and the injection plate 580 ″ are disposed between the inlet port 513 and the branch flow path part. It is configured to include an additional flow path plate 540 ″ in which an additional flow path 541 ″ communicating 551″ is formed, and a heater rod 590 provided in the inlet plate 510 .

제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF) 및 히터봉(590)은 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 유입플레이트(510), 좌측전방벽체(530LF) 및 히터봉(590)과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.The inlet plate 510, the left front wall 530LF and the heater rod 590 of the left front spray member 500 "LF according to the second modified example are the inlet plate 510 of the left front spray member 500LF. , since it is the same as the left front wall (530LF) and the heater rod 590, the overlapping description will be omitted.

즉, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 전술한 좌측전방분사부재(500LF)의 분지유로부플레이트(550)와 분사구플레이트(570)가 하나의 분사플레이트(580")로 변형되어 구성되어 있는 분사부재(500")라 할 수 있다.That is, in the left front injection member 500 "LF according to the second modified example, the branch flow path plate 550 and the injection hole plate 570 of the aforementioned left front injection member 500LF are one injection plate 580 "). It can be said that the injection member 500" is configured by being deformed.

단, 유입플레이트(510)의 유입구(513)의 경우, 후술할 부가유로(541")의 구멍(565")이 총 13개로 형성되어있으므로, 구멍(565")과 동일한 갯수인 13개로 형성되는 것이 바람직하다.However, in the case of the inlet 513 of the inlet plate 510, since a total of 13 holes 565" of the additional flow path 541" to be described later are formed, 13, which is the same number as the holes 565". it is preferable

이 경우, 하부영역유입구(513B), 중앙영역유입구(513M) 및 상부영역유입구(513T) 중 어느 하나가 5개의 유입구(513)로 형성되고, 나머지가 4개의 유입구(513)로 형성될 수 있다.(도 15에는 하부영역유입구(513B)가 5개로 형성되어 있다)In this case, any one of the lower region inlet 513B, the central region inlet 513M, and the upper region inlet 513T may be formed of five inlets 513, and the remainder may be formed of four inlets 513. (In Fig. 15, there are five lower region inlets 513B)

분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")는 도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 복수 개로 이루어지며, 좌측전방벽체(530LF)에 결합되어 있다.As shown in FIGS. 14 and 15 , the injection plate 580 ″ and the additional flow path plate 540 ″ are formed in plurality and are coupled to the left front wall 530LF.

도 14 및 도 15에서는 하나의 실시 예로써 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")가 각각 13개로 이루어져 있으며, 이처럼 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")는 동일한 갯수로 이루어진 것이 바람직하다.14 and 15, the injection plate 580" and the additional flow path plate 540" are each composed of 13 pieces as an embodiment, and as such, the injection plate 580" and the additional flow path plate 540" are the same number. It is preferable to consist of

분사플레이트(580")의 경우, 도 16(a)에 도시된 바와 같이, 분사플레이트(580")의 일측면(앞면)에 복수 개의 분사구(571")가 형성되어 있으며, 도 16(b)에 도시된 바와 같이, 분사플레이트(580")의 반대측면(뒷면)에는 분지유로부(551")가 형성되어 있다.In the case of the injection plate 580 ", as shown in FIG. 16(a), a plurality of injection holes 571" are formed on one side (front) of the injection plate 580", FIG. 16(b) As shown, a branch flow path portion 551 ″ is formed on the opposite side (rear surface) of the injection plate 580 ″.

즉, 분사플레이트(580")는 양측면 각각에 분사구(571")와 분지유로부(551")가 형성되며, 이를 통해 하나의 분사플레이트(580")만으로도 분사구플레이트(570) 및 분지유로부플레이트(550)의 기능을 동시에 달성할 수 있다.That is, the injection plate 580 ″ has injection holes 571 ″ and branch passage portions 551 ″ formed on each of both sides thereof, and through this, only one injection plate 580 ″ is used for the injection hole plate 570 and the branch passage portion plate. The functions of 550 can be achieved at the same time.

분사플레이트(580")의 반대측면에 형성된 분지유로부(551")는 부가유로플레이트(540")의 부가유로(541")와 연통되는 메인유로(561")와, 메인유로(561")의 양단부에서 연속하여 분지되는 연속분지유로(567")를 포함하여 구성된다.The branch flow path portion 551″ formed on the opposite side of the injection plate 580″ includes a main flow path 561″ that communicates with the additional flow path 541″ of the additional flow path plate 540″, and the main flow path 561″. It is configured to include a continuous branching flow path 567 " that is continuously branched from both ends of the .

연속분지유로(567")는 전술한 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 연속분지유로(567')와 같이, 분지유로들이 'T' 형상의 형태로 연속되게 갈라지게 되며, 그 전체적인 형상이 'I' 5개가 연결된 형태(큰 'I' 형상의 분지유로의 단부 각각에 'I' 분지유로가 연속되게 연통된 형태)를 갖는다.The continuous branch flow path 567" is similar to the continuous branch flow path 567' of the left front jet member 500'LF according to the first modified example, so that the branch flow paths are continuously divided in a 'T' shape. and the overall shape has a form in which five 'I's are connected (a form in which 'I' branch channels are continuously connected to each end of a large 'I'-shaped branch flow path).

이 경우, 연속분지유로(567")의 분지유로들은 퍼지가스의 유동을 서로 반대 방향으로 유동시키기 위해 각각의 분지유로들은 'T' 형상의 형태로 갈라지게 형성된다고 할 수 있다.In this case, it can be said that the branch flow paths of the continuous branch flow path 567 ″ are formed to be split in a 'T' shape in order to cause the flow of the purge gas to flow in opposite directions.

연속분지유로(567")에서 퍼지가스가 가장 마지막으로 도달하는 구간에는 일측면 방향으로 개구된 복수 개의 분사구(571")가 형성되어 있다.In the section where the purge gas reaches the last in the continuous branch flow path 567 ″, a plurality of injection holes 571 ″ opened in one side direction are formed.

부가유로플레이트(540")는 도 18에 도시된 바와 같이, 그 일측면(앞면)에 부가유로(541")가 형성되어 있으며, 부가유로(541")에는 구멍(565")이 형성되고, 구멍(565")은 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 분사플레이트(580")의 분지유로부(551")의 메인유로(561")를 연통시키는 역할을 한다. 이 경우, 부가유로(541")는 메인유로(561")와 동일한 길이, 높이, 폭, 즉, 동일한 부피로 형성되며, 구멍(565")은 부가유로(541")의 길이 방향의 중심점에 위치한다.As shown in FIG. 18, the additional flow path plate 540" has an additional flow path 541" formed on one side (front) thereof, and a hole 565" is formed in the additional flow path 541". The hole 565 ″ serves to communicate the inlet 513 of the inlet plate 510 with the main flow path 561 ″ of the branch flow path portion 551 ″ of the spray plate 580 ″. In this case, the additional flow path 541" is formed to have the same length, height, and width, that is, the same volume as the main flow path 561", and the hole 565" is located at the center point in the longitudinal direction of the additional flow path 541". Located.

위와 같은 구성을 갖는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 다음과 같은 이점을 갖는다.The left front injection member 500"LF according to the second modified example having the above configuration has the following advantages.

먼저, 분사플레이트(580")에 복수 개의 분사구(571")와 분지유로부(551")가 모두 형성되어 있으므로, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)와 달리 하나의 분사플레이트(580")만으로도 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분사구플레이트(570) 및 분지유로부플레이트(550')의 기능을 달성할 수 있으며, 이를 통해, 제조비용의 절감 및 좌측전방분사부재(500"LF)의 컴팩트화를 달성할 수 있다.First, since the plurality of injection holes 571 ″ and the branch passage portion 551 ″ are all formed in the injection plate 580 ″, unlike the left front injection member 500 ′LF according to the first modification, one injection The function of the injection hole plate 570 and the branch passage plate 550' of the left front injection member 500'LF according to the first modified example can be achieved only by the plate 580", and through this, the manufacturing cost is reduced. Saving and compactness of the left front injection member 500"LF can be achieved.

또한, 복수 개의 분사플레이트(580") 및 부가유로플레이트(540")가 좌측전방벽체(530LF)에 결합되는 구조이므로, 장기간동안 웨이퍼 수납용기(10)를 사용하여 좌측전방분사부재(500"LF)의 유로 등에 오염물질이 쌓인 경우, 심하게 오염된 부위만을 쉽게 교체할 수 있으므로, 용이한 유지보수를 달성할 수 있다.In addition, since the plurality of injection plates 580" and the additional flow path plate 540" are coupled to the left front wall 530LF, the left front injection member 500"LF using the wafer storage container 10 for a long period of time. ), easy maintenance can be achieved because only heavily contaminated parts can be easily replaced when contaminants are accumulated on the flow path.

또한, 퍼지가스의 유동 및 분사를 살펴보면, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 유입플레이트(510)의 유입구(513)와 연통된 구멍(565")을 통해 퍼지가스가 유입될 때, 도 17에 도시된 바와 같이, 퍼지가스가 부가유로(541") 및 메인유로(561")를 따라 유동하여 메인유로(561")와 연통된 각 연속분지유로(567")를 통해 유동하게 된다. 따라서, 연속분지유로(567")로 유동된 퍼지가스는 최종적으로 복수 개의 분사구(571")를 통해 수납실(100) 내부로 분사되게 된다.In addition, looking at the flow and injection of the purge gas, the left front injection member 500 "LF according to the second modified example is the purge gas through the hole 565" communicating with the inlet 513 of the inlet plate 510. When introduced, as shown in FIG. 17 , the purge gas flows along the additional flow path 541 ″ and the main flow path 561 ″ to pass through each continuous branch flow path 567″ communicated with the main flow path 561″. will flow through Accordingly, the purge gas flowing into the continuous branch flow path 567 ″ is finally injected into the storage chamber 100 through the plurality of injection holes 571 ″.

위와 같이, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)의 분지유로부(551")를 따라 퍼지가스가 유동하여 분사되는 경우에도, 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부(551')와 같이, 퍼지가스가 부가유로(541")의 구멍(565")에서 복수 개의 분사구(571") 각각으로 분사될 때, 퍼지가스의 유동거리가 모두 동일하게 형성된다. As described above, even when the purge gas flows and is sprayed along the branch flow path portion 551 ″ of the left front injection member 500 “LF according to the second modified example, the left front injection member 500 according to the first modified example When the purge gas is injected from the hole 565" of the additional flow path 541" to each of the plurality of injection holes 571", like the branch passage portion 551' of the 'LF), the flow distance of the purge gas is all formed in the same way

따라서, 수납실(100) 내부에 균일한 퍼지가스의 분사가 이루어질 수 있어, 수납실(100) 내부의 난류 형성을 억제시키고, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기(10)의 웨이퍼(W) 퍼징의 효율이 대폭 상승하게 된다.Accordingly, the uniform purge gas can be sprayed into the storage chamber 100 , thereby suppressing the formation of turbulence inside the storage chamber 100 , and through this, the efficiency of purging the wafer W of the wafer storage container 10 . This will increase significantly.

또한, 전술한 바와 같이, 부가유로(541")와 메인유로(561")의 형상이 서로 동일하게 되어 있으므로, 부가유로(541") 및 메인유로(561")의 폭이 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)의 분지유로부(551')의 메인유로(561') 보다 더 크게 된다. In addition, as described above, since the shapes of the additional flow path 541" and the main flow path 561" are identical to each other, the widths of the additional flow path 541" and the main flow path 561" are the same as in the first modified example. It becomes larger than the main flow path 561' of the branch flow path part 551' of the left front injection member 500'LF.

위와 같이, 부가유로(541") 및 메인유로(561")의 폭이 더 커지게 되므로, 메인유로(561")와 연통된 연속분지유로(567")로 퍼지가스가 유동할 경우, 유로의 부피 차이에 의해 퍼지가스의 유동 속도가 더 빨라질 수 있으며, 이로 인해, 분사구(571")를 통해 분사되는 퍼지가스의 분사속도 또한 더 빨라지게 된다.As described above, since the width of the additional flow path 541" and the main flow path 561" becomes larger, when the purge gas flows into the continuous branch flow path 567" communicated with the main flow path 561", the The flow rate of the purge gas may be increased due to the volume difference, and thus, the injection speed of the purge gas injected through the injection hole 571 ″ is also increased.

이는, 기체의 유동속도는 단면적에 반비례하므로, 상대적으로 단면적이 큰 메인유로(561") 및 부가유로(541") 구간에서 단면적이 상대적으로 작은 연속분지유로(567")로 퍼지가스가 유동되면, 순간적으로 퍼지가스의 유동속도가 상승할 수 있기 때문이다.This is because the flow velocity of the gas is inversely proportional to the cross-sectional area, so when the purge gas flows from the main passage 561" and the additional passage 541" with a relatively large cross-sectional area to the continuous branch passage 567" with a relatively small cross-sectional area, , this is because the flow rate of the purge gas may increase instantaneously.

위와 같이, 분사구(571")를 통해 수납실(100) 내부로 분사되는 퍼지가스의 분사속도가 커지게 되므로, 퍼지가스의 유동량 또한, 늘어나게 되며, 수납실(100) 내부에는 더욱 더 많은 퍼지가스와, 더욱 더 먼 거리로 유동하는 퍼지가스가 늘어나게 된다(또는 더욱 넓은 면적으로의 퍼지가스가 분사된다고 할 수 있다). As described above, since the injection speed of the purge gas injected into the storage chamber 100 through the injection hole 571 ″ is increased, the flow rate of the purge gas is also increased, and more and more purge gas is contained in the storage chamber 100 . Wow, the purge gas flowing over a longer distance is increased (or it can be said that the purge gas is sprayed over a larger area).

따라서, 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)는 제1변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500'LF)보다 더욱 높은 효율의 퍼지가스 분사를 달성할 수 있다.Therefore, the left front injection member 500"LF according to the second modification can achieve higher efficiency of purge gas injection than the left front injection member 500'LF according to the first modification.

제3변형 예에 따른 According to the third modification 분사부재spraying member (500"')(500"')

이하, 도 19 내지 도 22를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 수납용기(10)에 적용될 수 있는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"MR)에 대해 설명한다.Hereinafter, with reference to FIGS. 19 to 22 , a left front jet member 500″′LF and a right front jet member according to a third modification that can be applied to the wafer storage container 10 according to a preferred embodiment of the present invention. (500"'RF) and the central rear injection member (500"MR) will be described.

단, 이하의 설명에서, 복수 개의 분사구(571"')는 그 개구 면적에 따라 작은분사구(571"'S, 571"' SMALL), 보통분사구(571"'R, 571"' REGULAR), 큰분사구(571"'L, 571"' LARGE)로 구분하여 설명한다.However, in the following description, the plurality of nozzles 571"' is a small nozzle (571"'S, 571"' SMALL), a normal injection hole (571"'R, 571"' REGULAR), a large The injection holes 571"'L, 571"' LARGE will be divided and described.

이 경우, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L)의 개구면적의 비는 '1:2:4' 이다.In this case, the ratio of the opening areas of the small jet opening 571"'S, the normal jet opening 571"'R, and the large jet opening 571"'L is '1:2:4'.

도 19(a)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 19(b)는 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 20(a)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 20(b)는 제3변형 예에 따른 우측전방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 21(a)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 앞면을 도시한 도이고, 도 21(b)는 제3변형 예에 따른 중앙후방분사부재의 분사플레이트의 뒷면을 도시한 도이고, 도 22는 제3변형 예에 따른 분사부재들이 구비된 웨이퍼 수납용기의 지지대에 지지된 웨이퍼에 분사되는 퍼지가스의 유동 및 배기부재로 배기되는 퍼지가스 및 퓸의 유동을 도시한 도이다.19 (a) is a view showing the front side of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example, Figure 19 (b) shows the rear surface of the injection plate of the left front injection member according to the third modified example 20 (a) is a view showing the front side of the spray plate of the right front spray member according to the third modified example, and FIG. 20 (b) is the spray plate of the right front spray member according to the third modified example. 21 (a) is a view showing the front side of the injection plate of the central rear injection member according to the third modified example, Figure 21 (b) is the central rear injection according to the third modified example It is a view showing the rear side of the injection plate of the member, and FIG. 22 is a flow of a purge gas injected to a wafer supported on a support of a wafer storage container having injection members according to a third modified example and a purge gas exhausted to the exhaust member And it is a diagram showing the flow of fume.

제3변형 예에 따른 분사부재(500"'), 즉, 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR) 각각은, 하부플레이트(300)의 공급유로와 연통되는 연통구(511) 및 유입구(513)가 형성된 유입플레이트(510)와, 유입플레이트(510)와 결합하며, 수납실(100)의 둘레면 중 좌측전방면, 우측전방분사부재(500RF) 및 중앙후방분사부재(500MR) 각각을 이루는 좌측전방벽체(530LF), 우측전방벽체(530RF) 및 중앙후방벽체(530MR)와(좌측전방분사부재(500LF)의 경우 좌측전방벽체(530LF)를 포함하고, 우측전방분사부재(500RF)의 경우 우측전방벽체(530RF)를 포함하며, 중앙후방분사부재부재(500MR)의 경우 중앙후방벽체(530MR)를 포함함), 유입플레이트(510)와 분사플레이트(580"') 사이에 배치되며, 유입구(513)와 분지유로부(551"')를 연통시키는 부가유로(541"')가 형성된 부가유로플레이트(540"')와, 유입플레이트(510)에 구비되는 히터봉(590)을 포함하여 구성된다.The injection member 500"' according to the third modified example, that is, the left front injection member 500"'LF, the right front injection member 500"'RF, and the center rear injection member 500"'MR, respectively, , an inlet plate 510 having a communication port 511 and an inlet 513 in communication with the supply passage of the lower plate 300 , coupled to the inlet plate 510 , and on the left side of the circumferential surface of the storage chamber 100 . Left front wall (530LF), right front wall (530RF) and center rear wall (530MR) and (left front spraying member (500LF) forming each of the front surface, right front spraying member 500RF and central rear spraying member 500MR) In the case of including the left front wall (530LF), in the case of the right front spraying member (500RF), including the right front wall (530RF), in the case of the central rear spraying member (500MR), including the central rear wall (530MR) ), an additional flow path plate 540 disposed between the inlet plate 510 and the injection plate 580 "', in which an additional flow path 541"' for communicating the inlet 513 and the branch flow path part 551"' is formed. "') and a heater rod 590 provided on the inlet plate 510 is configured.

이 경우, 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR)는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)와 분사플레이트(580")의 분사구(571")의 형상만이 다를 뿐 나머지는 동일하므로(물론 배치위치는 각각 다르다), 중복되는 설명은 생략한다.In this case, the left front injection member 500"'LF, the right front injection member 500"'RF, and the center rear injection member 500"'MR according to the third modification are the left front injection members according to the second modification. Since only the shape of the injection hole 571" of the injection member 500"LF and the injection plate 580" is different, the rest are the same (of course, the arrangement positions are different), and overlapping descriptions are omitted.

즉, 제3변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"'LF), 우측전방분사부재(500"'RF) 및 중앙후방분사부재(500"'MR)는 제2변형 예에 따른 좌측전방분사부재(500"LF)에서 분사구(571")의 형상만을 변형하여 구성되어 있는 분사부재(500"')라 할 수 있다.That is, the left front injection member 500"'LF, the right front injection member 500"'RF, and the center rear injection member 500"'MR according to the third modified example are left front injection members according to the second modification. In the member 500"LF, it can be said that the injection member 500"' is configured by deforming only the shape of the injection hole 571".

먼저, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"LF)의 분사구(571"') 형상을 설명한다.First, the shape of the injection hole 571"' of the injection plate 580"LF of the left front injection member 500"'LF will be described.

도 19(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'LF)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제1 내지 제3열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제4열에 해당하는 분사구(571"')는 큰분사구(571"'L)로 형성되어 있다.Based on that shown in FIG. 19(a), the injection holes 571"' corresponding to the first to third rows among the plurality of injection holes 571"' of the injection plate 580"'LF are the normal injection holes 571" 'R), and the injection port 571"' corresponding to the fourth row is formed as a large injection port 571"'L.

이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 19(b)를 기준으로 우측)만 개구되어 있다.In this case, as shown in FIG. 19(b), the normal injection port 571"'R has an 'I'-shaped end at which the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"' on one side (FIG. 19). Only the right side of (b) is open.

또한, 큰분사구(571"'L)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 모두 개구되어 있다.In addition, as shown in FIG. 19(b), the large jet opening 571"'L has all of the 'I'-shaped ends where the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"' open.

이하, 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580")의 분사구(571"') 형상을 설명한다.Hereinafter, the shape of the injection hole 571"' of the injection plate 580" of the right front injection member 500"'RF will be described.

도 20(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'RF)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제2 내지 제4열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제1열에 해당하는 분사구(571"')는 큰분사구(571"'L)로 형성되어 있다.Based on that shown in FIG. 20(a), the injection holes 571"' corresponding to the second to fourth rows among the plurality of injection holes 571"' of the injection plate 580"'RF are the normal injection holes 571" 'R), and the injection hole 571"' corresponding to the first row is formed as a large injection hole 571"'L.

이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 20(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 20(b)를 기준으로 좌측)만 개구되어 있다.In this case, as shown in FIG. 20(b), the normal injection port 571"'R has an 'I'-shaped end at which the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"' on one side (Fig. 20). Only the left side of (b) is open.

또한, 큰분사구(571"'L)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 모두 개구되어 있다.In addition, as shown in FIG. 19(b), the large jet opening 571"'L has all of the 'I'-shaped ends where the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"' open.

이하, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"')의 분사구(571"') 형상을 설명한다.Hereinafter, the shape of the injection port 571"' of the injection plate 580"' of the central rear injection member 500"'MR will be described.

도 21(a)에 도시된 것을 기준으로, 분사플레이트(580"'MR)의 복수 개의 분사구(571"') 중 제1열 및 제6열에 해당하는 분사구(571"')는 보통분사구(571"'R)로 형성되어 있으며, 제2 내지 제5열에 해당하는 분사구(571"')는 작은분사구(571"'S)로 형성되어 있다.Based on the reference shown in FIG. 21(a), the injection holes 571"' corresponding to the first and sixth rows among the plurality of injection holes 571"' of the injection plate 580"'MR are the normal injection holes 571 It is formed with "'R, and the injection holes 571"' corresponding to the second to fifth rows are formed with small injection holes 571"'S.

이 경우, 보통분사구(571"'R)는 도 21(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부가 일측(도 21(b)를 기준으로 좌측 또는 우측)만 개구되어 있다.In this case, as shown in FIG. 21(b), the normal injection port 571"'R has an 'I'-shaped end at which the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"' on one side (FIG. 21). Only the left or right side of (b) is open.

또한, 작은분사구(571"'S)는 도 19(b)에 도시된 바와 같이, 연속분지유로(567"')에서 퍼지가스가 최종적으로 도달하는 'I' 형상의 단부의 양측에 절반씩 개구되어 있다(전술한 보통분사구(571"'R)의 개구면적의 절반이 단부의 양측에 하나씩 개구되어 있음)In addition, as shown in FIG. 19(b), the small jet openings 571"'S are half-opened on both sides of the 'I'-shaped end where the purge gas finally arrives in the continuous branch flow path 567"'. (Half of the opening area of the above-mentioned ordinary injection port 571"'R is opened one by one on both sides of the end)

이하, 도 22를 참조하여 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동에 대해 설명한다.Hereinafter, the flow of the purge gas injected through the injection member 500″′ according to the third modified example will be described with reference to FIG. 22 .

다만, 전술한 바와 같이, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L)의 개구면적의 비는 '1:2:4' 이므로, 작은분사구(571"'S), 보통분사구(571"'R), 큰분사구(571"'L) 각각을 통해 분사되는 퍼지가스의 분사량의 비 또한 '1:2:4'이다.However, as described above, since the ratio of the opening areas of the small nozzle 571"'S, the normal nozzle 571"'R, and the large injection hole 571"'L is '1:2:4', the small nozzle (571"'S), the normal injection port 571"'R, and the ratio of the injection amount of the purge gas injected through each of the large injection ports 571"'L is also '1:2:4'.

좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제1열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제4열에 각각 위치한 큰분사구(571"'L)를 통해 분사되는 퍼지가스는 직선으로 웨이퍼(W)를 향해 분사된다.The large, located in the first row of the jetting plates 580"'LF of the left front jetting member 500"'LF and the fourth row of the jetting plates 580"'RF of the right front jetting member 500"'RF, respectively. The purge gas injected through the injection hole 571"'L is injected toward the wafer W in a straight line.

좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제2 내지 제4열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제2 내지 제4열에 각각 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 수납실(100)의 후방 방향으로 경사지게 분사된다. 이는, 분지유로부(551"')의 'I' 형상의 단부 일측에만 보통분사구(571"'R)가 형성되어 있으므로, 퍼지가스의 유동에 경사가 발생하게 되는 것이다.The second to fourth rows of the injection plate 580"'LF of the left front injection member 500"'LF and the second to fourth rows of the injection plate 580"'RF of the right front injection member 500"'RF The purge gas injected through the normal injection ports 571"'R respectively located in the fourth row is injected obliquely in the rear direction of the storage chamber 100. This is the 'I'-shaped end of the branch flow path part 551"'. Since the normal injection port 571"'R is formed only on one side, an inclination is generated in the flow of the purge gas.

중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 각각 수납실(100)의 좌측전방 방향 및 우측후방 방향으로 경사지게 분사되며, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제2 내지 제5열에 위치한 작은분사구(571"'S)를 통해 분사되는 퍼지가스는 직선으로 웨이퍼(W)를 향해 분사된다. The purge gas sprayed through the common injection ports 571"'R located in the first and sixth rows of the injection plate 580"'MR of the central rear injection member 500"'MR is, respectively, of the storage room 100. It is sprayed obliquely in the left front direction and right rear direction, and is sprayed through the small spray holes 571"'S located in the second to fifth rows of the spray plate 580"'MR of the central rear injection member 500"'MR. The purge gas used is sprayed toward the wafer W in a straight line.

위와 같이, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제2 내지 제4열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제2 내지 제4열에 각각 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스와, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 웨이퍼(W) 상면의 좌측후방 및 우측후방 방향으로 분사되어 유동되며, 이를 통해, 웨이퍼(W)의 사영역을 메꿔주게 된다(도 11과 비교).As described above, the second to fourth rows of the injection plate 580"'LF of the left front injection member 500"'LF and the injection plate 580"'RF of the right front injection member 500"'RF The purge gas injected through the ordinary injection ports 571"'R located in the second to fourth rows, respectively, and the first and sixth rows of the injection plate 580"'MR of the central rear injection member 500"'MR The purge gas injected through the normal injection port 571"'R located in the row is injected and flows in the left rear and right rear directions of the upper surface of the wafer W, and thus fills the dead area of the wafer W ( 11).

다시 말해, 도 22에 도시된 바와 같이, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 양측, 즉, 좌우측에서, 각각 좌, 우측 방향으로 퍼지가스가 분사되고, 좌측전방분사부재(500"'LF) 및 우측전방분사부재(500"'RF) 각각에서 후방측 방향으로 퍼지가스가 분사됨으로써, 분사부재(500"')가 배치되지 않는 수납실(100)의 좌측후방면 및 우측후방면의 퍼지가스의 유동이 메꿔질 수 있으며, 이를 통해, 수납실(100)의 좌측후방면 및 우측후방면의 사영역이 발생하는 것을 최소화할 수 있는 것이다.In other words, as shown in FIG. 22 , on both sides of the central rear injection member 500"'MR, that is, on the left and right, the purge gas is injected in the left and right directions, respectively, and the left front injection member 500"'LF ) and the right front injection member 500"'RF, respectively, by spraying the purge gas in the rearward direction, purge of the left rear surface and the right rear surface of the storage room 100 in which the injection member 500"' is not disposed. The flow of gas can be filled, and through this, it is possible to minimize the occurrence of dead areas on the left rear surface and the right rear surface of the storage room 100 .

또한, 전술한 분사구(571"')의 개구면적의 비율에 비추어 볼 때, 좌측전방분사부재(500"'LF)의 분사플레이트(580"'LF)의 제1열 및 우측전방분사부재(500"'RF)의 분사플레이트(580"'RF)의 제4열에 각각 위치한 큰분사구(571"'L)를 통해 분사되는 퍼지가스의 유동량은 '4'가 되므로, 수납실(100)의 전방개구부(110) 방향에 많은 양의 퍼지가스가 분사되며, 이로 인해, 외부 기체가 수납실(100) 내부로 유입되는 것을 차단할 수 있는 효과가 있다.In addition, in view of the ratio of the opening area of the injection hole 571"' described above, the first row of the injection plate 580"'LF of the left front injection member 500"'LF and the right front injection member 500 Since the flow amount of the purge gas injected through the large injection ports 571"'L located in the fourth row of the injection plate 580"'RF of "'RF" becomes '4', the front opening of the storage chamber 100 is A large amount of purge gas is injected in the (110) direction, thereby having an effect of blocking the inflow of external gas into the storage chamber 100 .

또한, 중앙후방분사부재(500"'MR)의 분사플레이트(580"'MR)의 제1열 및 제6열에 위치한 보통분사구(571"'R)를 통해 분사되는 퍼지가스는 각각 수납실(100)의 좌측전방 방향 및 우측후방 방향으로 경사지게 분사되고, 그 유동량이 '2'가 되므로, 배기부(600)를 통해 퍼지가스 및 퓸이 배기 될 때, 상기 퍼지가스의 유동이 퍼지가스 및 퓸의 배기를 도와주게 되며, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기의 원할한 퍼징을 달성할 수 있다.In addition, the purge gas sprayed through the common injection ports 571"'R located in the first and sixth rows of the injection plate 580"'MR of the central rear injection member 500"'MR are each stored in the storage chamber 100 ) is sprayed obliquely in the left front direction and right rear direction, and the flow amount is '2', so when the purge gas and fume are exhausted through the exhaust unit 600, the flow of the purge gas is It helps to evacuate, and through this, it is possible to achieve smooth purging of the wafer storage container.

위와 같이 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')들은 분사구(571"')의 형상을 작은분사구(571"'S), 일반분사구(571"'R) 및 큰분사구(571"'L)로 차등을 두어 형성시킴으로써, 퍼지가스의 분사 방향 및 유량을 제어하게 되며, 이를 통해, 수납실(100) 내부의 퍼지가스의 흐름을 제어함으로써 웨이퍼(W)의 퓸이 제거되지 못하는 사영역의 발생을 최소화함과 동시에 수납실(100) 내부의 기류 형성을 달성할 수 있다.As described above, the injection members 500"' according to the third modified example change the shape of the injection hole 571"' to a small injection hole 571"'S, a general injection hole 571"'R, and a large injection hole 571"'L. ) to control the injection direction and flow rate of the purge gas, and through this, by controlling the flow of the purge gas inside the storage chamber 100, the fume of the wafer W cannot be removed. While minimizing the occurrence, it is possible to achieve the formation of an airflow inside the storage room 100 .

물론, 전술한 웨이퍼 수납용기(10)에 배치되는 분사부재의 배치위치에 따라, 제3변형 예에 따른 분사부재(500"')와 다르게 분사구들의 위치 및 개구 면적에 변형을 줄 수 있으며, 이를 통해, 웨이퍼 수납용기(10)의 분사부재의 배치위치에 알맞도록 수납실(100) 내부의 최적화된 퍼지가스의 기류 형성을 달성할 수 있는 웨이퍼 수납용기(10)를 제작할 수 있다.Of course, according to the arrangement position of the injection member disposed in the above-described wafer storage container 10, it is possible to give a deformation to the position and the opening area of the injection hole differently from the injection member 500"' according to the third modified example, Through this, it is possible to manufacture the wafer storage container 10 capable of achieving an optimized airflow of the purge gas inside the storage chamber 100 to be suitable for the arrangement position of the injection member of the wafer storage container 10 .

전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예 및 분사부재의 변형 예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although it has been described with reference to preferred embodiments of the present invention and modified examples of the injection member, those of ordinary skill in the art will not depart from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. The present invention can be practiced with various modifications or variations.

10: 웨이퍼 수납용기 100: 수납실
110: 전방개구부 130LR: 좌측후방벽체
200: 지지대 210: 지지대결합부
230: 단턱 250: 돌출핀
300: 하부플레이트 311: 공급구
311B: 좌우측하부영역공급구 311M: 좌우측중앙영역공급구
311T: 좌우측상부영역공급구 313B: 후방측하부영역공급구
313M: 후방측중앙영역공급구 313T: 후방측상부영역공급구
331: 공급유로 331B: 좌우측하부영역공급유로
331M: 좌우측중앙영역공급유로 331T: 좌우측상부영역공급유로
333B: 후방측하부영역공급유로 333M: 후방측중앙영역공급유로
333T: 후방측상부영역공급유로 400: 상부플레이트
500, 500', 500", 500"': 분사부재
500LF, 500'LF, 500"LF, 500"'LF: 좌측전방분사부재
500RF, 500'RF, 500"RF, 500"'RF: 좌측전방분사부재
500MR, 500'MR, 500"MR, 500"'MR: 중앙후방분사부재
530: 벽체 530LF: 좌측전방벽체
530RF: 우측전방벽체 530MR: 중앙후방벽체
540": 부가유로플레이트 541": 부가유로
550, 550': 분지유로부플레이트
551, 551', 551", 551"': 분지유로부
551B: 하부영역분지유로부 551M: 중앙영역분지유로부
551T: 상부영역분지유로부
561, 561', 561", 561"': 메인유로 563, 563'분지유로
565, 565', 565": 구멍
567', 567", 567"': 연속분지유로
569': 연통유로 570: 분사구플레이트
571, 571", 571"': 분사구 571B: 하부영역분사구
571M: 중앙영역분사구 571T: 상부영역분사구
571"'S: 작은분사구 571"'R: 보통분사구
571"'L: 큰분사구
580", 580"', 580"'LF, 580"'RF, 580"'MR:분사플레이트
590: 히터봉 600: 배기부재
610: 배기호퍼 611: 배기홀
630: 차단플레이트 631: 구동부
633: 배기연통구 650: 배기구플레이트
651: 배기구
10: wafer storage container 100: storage room
110: front opening 130LR: left rear wall
200: support 210: support coupling part
230: step 250: protruding pin
300: lower plate 311: supply port
311B: left and right lower area supply port 311M: left and right center area supply port
311T: left and right upper area supply port 313B: rear side lower area supply port
313M: Rear side central area supply port 313T: Rear side upper area supply port
331: supply flow path 331B: left and right lower area supply flow path
331M: left and right central area supply passage 331T: left and right upper area supply passage
333B: rear-side lower area supply passage 333M: rear-side central area supply passage
333T: rear side upper area supply passage 400: upper plate
500, 500', 500", 500"': injection member
500LF, 500'LF, 500"LF, 500"'LF: Left front injection member
500RF, 500'RF, 500"RF, 500"'RF: Left front injection member
500MR, 500'MR, 500"MR, 500"'MR: Central rear injection member
530: wall 530LF: left front wall
530RF: Right front wall 530MR: Central rear wall
540": Additional EuroPlate 541": Additional Euro
550, 550': Branch Eurobu Plate
551, 551', 551", 551"': Basin Eurobu
551B: lower area branch flow path part 551M: central area branch flow path part
551T: upper area branch flow passage part
561, 561', 561", 561"': Main Euro 563, 563' Branch Euro
565, 565', 565": Holes
567', 567", 567"': continuous branched Euro
569': communication channel 570: nozzle plate
571, 571", 571"': Nozzle 571B: Lower Area Nozzle
571M: Central area nozzle 571T: Upper area nozzle
571"'S: Small nozzle 571"'R: Normal nozzle
571"'L: large nozzle
580", 580"', 580"'LF, 580"'RF, 580"'MR:Spray plate
590: heater rod 600: exhaust member
610: exhaust hopper 611: exhaust hole
630: blocking plate 631: driving unit
633: exhaust vent 650: exhaust plate
651: exhaust port

Claims (7)

전방개구부를 통해 수납된 웨이퍼가 수납되는 수납실; 및
상기 수납실의 둘레면 중 적어도 일부면에 배치되어 상기 수납실에 퍼지가스를 분사하는 분사부재;를 포함하되,
상기 분사부재는,
상기 퍼지가스를 상기 수납실로 분사하도록 상기 일부면에 배열되는 복수 개의 분사구; 및
유입구를 통해 유입된 퍼지가스를 상기 복수 개의 분사구로 유동시키도록 적어도 하나 이상의 분지구간을 갖는 분지유로부;를 포함하고,
상기 분지유로부는 상기 일부면에서 평행이동한 면에 구비되고,
상기 분사구는 상기 수납실 내부의 하부영역에 퍼지가스를 분사하는 하부영역분사구와, 상기 수납실 내부의 상부영역에 퍼지가스를 분사하는 상부영역분사구를 포함하고,
상기 분지유로부는 하부영역분지유로부와, 상부영역분지유로부를 포함하고,
상기 하부영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 하부영역분사구를 통해 상기 하부영역으로 분사되고,
상기 상부영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 상부영역분사구를 통해 상기 상부영역으로 분사되고,
상기 하부영역분사구 및 상기 상부영역분사구에서 분사된 퍼지가스는 상기 수납실 내부의 상기 하부영역 및 상기 상부영역 각각에 분사되게 되어 상기 수납실 내부의 상기 하부영역 및 상기 상부영역의 퍼징을 제어할 수 있으며,
상기 유입구는 상기 하부영역분지유로부로 퍼지가스를 유입시키는 하부영역유입구와, 상기 상부 영역분지유로부로 퍼지가스를 유입시키는 상부영역유입구를 포함하고,
상기 하부영역분지유로부의 메인유로에서 분지된 분지유로는, 상기 하부영역분지유로부의 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하고,
상기 상부영역분지유로부의 메인유로에서 분지된 분지유로는, 상기 상부영역분지유로부의 메인유로를 중심으로 상호 대칭되게 분지되어 상기 분지구간을 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
a storage chamber in which the wafer received through the front opening is accommodated; and
Including; a spray member disposed on at least a portion of the circumferential surface of the storage room to spray a purge gas into the storage room;
The spray member,
a plurality of injection holes arranged on the partial surface to inject the purge gas into the storage chamber; and
Including; and a branch passage having at least one branching section to flow the purge gas introduced through the inlet to the plurality of injection ports,
The branch flow path portion is provided on a surface that is moved in parallel from the partial surface,
The injection port includes a lower area injection port for injecting a purge gas to a lower area inside the storage room, and an upper area injection port for spraying a purge gas to an upper area inside the storage room,
The branch flow passage includes a lower region branch passage portion and an upper region branch passage portion,
The purge gas flowing through the lower region branch flow passage is injected into the lower region through the lower region jet port,
The purge gas flowing through the upper region branch flow passage is injected into the upper region through the upper region jet port,
The purge gas injected from the lower area injection port and the upper area injection port is sprayed to each of the lower area and the upper area inside the storage chamber, so that purging of the lower area and the upper area inside the storage chamber can be controlled. there is,
The inlet includes a lower region inlet for introducing a purge gas into the lower region branch passage, and an upper region inlet for introducing a purge gas into the upper region branch passage,
The branch flow passages branched from the main flow path of the lower region branch flow passage part are branched symmetrically with respect to the main flow path of the lower region branch flow passage part to form the branching section,
The branch flow path branched from the main flow path of the upper region branch flow path part is branched symmetrically with respect to the main flow path of the upper region branch flow path part to form the branching section.
제1항에 있어서,
상기 분사구는 상기 수납실 내부의 중앙영역에 퍼지가스를 분사하는 중앙영역분사구를 더 포함하고,
상기 분지유로부는 중앙영역분지유로부를 더 포함하고,
상기 중앙영역분지유로부를 유동한 퍼지가스는 상기 중앙영역분사구를 통해 상기 중앙영역으로 분사되고,
상기 중앙영역분사구에서 분사된 퍼지가스는 상기 수납실 내부의 상기 중앙영역에 분사되게 되어 상기 수납실 내부의 상기 중앙영역의 퍼징을 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
According to claim 1,
The injection port further includes a central area injection port for injecting a purge gas to a central area inside the storage room,
The branch flow passage further includes a central region branch flow passage,
The purge gas flowing through the central region branch flow passage is injected into the central region through the central region jet port,
The purge gas injected from the central area injection port is sprayed to the central area inside the storage chamber, so that purging of the central area inside the storage chamber can be controlled.
제1항에 있어서,
상기 하부영역유입구는 상기 하부영역분지유로부의 메인유로의 상하방향 길이의 중심에 위치하고,
상기 상부영역유입구는 상기 상부영역분지유로부의 메인유로의 상하방향 길이의 중심에 위치하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
According to claim 1,
The lower area inlet is located at the center of the vertical length of the main flow path of the lower area branch flow path part,
The upper region inlet is located at the center of the vertical length of the main flow path of the upper region branch flow path part.
제1항에 있어서,
상기 분지유로부를 통해 상기 유입구에서 상기 복수 개의 분사구 각각으로 유동하는 퍼지가스의 유동거리는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
According to claim 1,
The wafer storage container, characterized in that all of the flow distances of the purge gas flowing from the inlet to each of the plurality of injection ports through the branch flow path portion are the same.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 분사부재는,
상기 복수 개의 분사구 및 상기 분지유로부가 형성되는 분사플레이트; 및
상기 분사플레이트에 결합하며, 상기 유입구가 형성되는 유입플레이트;를 더 포함하되,
상기 분사플레이트의 일측면에 상기 복수 개의 분사구가 형성되고, 상기 분사플레이트의 반대측면에 상기 분지유로부가 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
According to claim 1,
The spray member,
a spray plate in which the plurality of spray holes and the branch flow passage are formed; and
It is coupled to the injection plate, the inlet plate is formed in the inlet; further comprising,
The wafer storage container, characterized in that the plurality of injection holes are formed on one side of the injection plate, and the branch flow passage portion is formed on the opposite side of the injection plate.
제6항에 있어서,
상기 분사부재는,
상기 분사플레이트와 상기 유입플레이트 사이에 배치되며, 상기 유입구와 상기 분지유로부를 연통시키는 부가유로가 형성된 부가유로플레이트;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 수납용기.
7. The method of claim 6,
The spray member,
and an additional flow path plate disposed between the injection plate and the inlet plate and having an additional flow path communicating the inlet and the branch flow path part.
KR1020170035864A 2017-03-22 2017-03-22 Wafer storage container KR102385329B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170035864A KR102385329B1 (en) 2017-03-22 2017-03-22 Wafer storage container

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170035864A KR102385329B1 (en) 2017-03-22 2017-03-22 Wafer storage container

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180107500A KR20180107500A (en) 2018-10-02
KR102385329B1 true KR102385329B1 (en) 2022-04-08

Family

ID=63863909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170035864A KR102385329B1 (en) 2017-03-22 2017-03-22 Wafer storage container

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102385329B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101100284B1 (en) * 2010-06-21 2011-12-30 세메스 주식회사 Thin film deposition apparatus
JP2016225352A (en) * 2015-05-27 2016-12-28 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container
JP2017005082A (en) 2015-06-09 2017-01-05 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101682473B1 (en) * 2013-10-18 2016-12-05 삼성전자주식회사 Fume purging chamber and manufacturing apparatus for semiconductor devices including the same
KR101670383B1 (en) 2015-03-10 2016-10-28 우범제 Purge gas injection plate and apparatus for removing fume with same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101100284B1 (en) * 2010-06-21 2011-12-30 세메스 주식회사 Thin film deposition apparatus
JP2016225352A (en) * 2015-05-27 2016-12-28 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container
JP2017005082A (en) 2015-06-09 2017-01-05 信越ポリマー株式会社 Substrate housing container

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180107500A (en) 2018-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102066175B1 (en) Wafer storage container
US11710651B2 (en) Container for storing wafer
JP6615336B2 (en) Substrate processing apparatus and tube assembly method
US11443967B2 (en) Wafer storage container
KR102385329B1 (en) Wafer storage container
KR101715192B1 (en) Substrate Processing Apparatus
KR102113275B1 (en) Wafer purge apparatus for buffer chamber
US11355371B2 (en) Wafer storage container
KR102303593B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102283302B1 (en) Wafer storage container
KR102089464B1 (en) Side storage purge apparatus
KR102327873B1 (en) Substrate drying chamber
KR102282145B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102401082B1 (en) Wafer storage container
KR20220086943A (en) Substrate Processing Apparatus
KR102282147B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102282146B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102357842B1 (en) Substrate drying apparatus
KR102119686B1 (en) Substrate supporting unit, heat treatment unit and substrate treating apparatus including the same
KR102357843B1 (en) Substrate drying apparatus
KR102204883B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102355357B1 (en) Substrate drying apparatus
KR102450335B1 (en) Bake chamber
KR102398794B1 (en) Substrate drying chamber
KR102303596B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant