KR102384110B1 - Low dielectric loss material for semiconductor and display etching process, and manufacturing apparatus for thereof - Google Patents

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Abstract

According as a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process is fired by adding a transition metal together with a dopant to a high-purity ceramic, the low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process has an advantage of relatively reducing raw material costs and manufacturing costs compared to a method of pressurizing and sintering expensive high-purity fine particle powder in manufacturing the low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process while having low dielectric loss and having uniform dielectric constant and dielectric loss features.

Description

반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치{Low dielectric loss material for semiconductor and display etching process, and manufacturing apparatus for thereof}Low dielectric loss material for semiconductor and display etching process, and manufacturing apparatus for the same

본 발명은 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a low-dielectric loss material for semiconductor and display etching processes and an apparatus for manufacturing the same.

반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재는 화학기상증착(CVD) 공정에서 정전척 장착 하부 지지판에 사용되는 아이솔레이터(isolator)이다.A low-dielectric loss material for semiconductor and display etching processes is an isolator used for an electrostatic chuck-mounted lower support plate in a chemical vapor deposition (CVD) process.

상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재는 플라즈마 환경에서 웨이퍼의 탈부착을 위한 정전척의 하부 지지 플레이트로 이용되는 것으로, 정전척에 고전압 인가 시에 누설전류 발생없이 정전 기능을 수행할 수 있도록 최소 직경 300mm 이상의 제품에서 플레이트 전체적으로 저유전손실을 갖고 유전율과 유전 손실이 균일한 특성을 가져야 한다.The low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process is used as a lower support plate of the electrostatic chuck for attaching and detaching the wafer in a plasma environment, and has a minimum diameter to perform an electrostatic function without leakage current when a high voltage is applied to the electrostatic chuck. For products of 300mm or larger, the entire plate should have low dielectric loss and uniform dielectric constant and dielectric loss.

이러한 특성을 가지는 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조를 위하여, 종래에는 고가의 고순도(99.99%)의 미립자 파우더를 가압 소결하는 방식이 이용되었는데, 이 방식에 의하면, 그 원재료비는 물론 그 제조에 소요되는 비용이 매우 큰 단점이 있었다.In order to manufacture the low-dielectric loss material for the semiconductor and display etching process having these characteristics, a method of press-sintering an expensive, high-purity (99.99%) fine particle powder was conventionally used. According to this method, the raw material cost as well as the The manufacturing cost was very high.

공개특허 제 10-2020-0125582호, 공개일자: 2020.11.04., 발명의 명칭: 알루미나의 보호액, 보호방법 및 이것을 이용한 알루미나층을 가지는 반도체 기판의 제조방법Patent Publication No. 10-2020-0125582, Publication Date: 2020.11.04., Title of the Invention: Alumina protection liquid, protection method, and method for manufacturing a semiconductor substrate having an alumina layer using the same

본 발명은 저유전손실을 갖고 유전율과 유전 손실이 균일한 특성을 가지면서도, 고가의 고순도의 미립자 파우더를 가압 소결하는 방식에 비해 원재료비 및 제조 비용이 상대적으로 절감될 수 있는 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.The present invention is for semiconductor and display etching processes that have low dielectric loss and uniform dielectric constant and dielectric loss, while reducing raw material cost and manufacturing cost relatively compared to the method of pressurizing and sintering expensive, high-purity particulate powder An object of the present invention is to provide a low dielectric loss material and an apparatus for manufacturing the same.

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본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치는 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 제조될 수 있도록, 세라믹에 도펀트와 함께 전이금속이 첨가된 상태로 소성될 수 있는 소성로 부재; 및 상기 소성로 부재의 설치면으로부터 상기 소성로 부재로 전달되는 바닥 충격을 완충시킬 수 있는 바닥 충격 완충 부재;를 포함하고,
상기 바닥 충격 완충 부재는 상기 소성로 부재의 저면으로부터 하방으로 연장되는 완충 몸체와, 상기 완충 몸체의 외곽을 따라 하방으로 실린더 형태로 연장되는 외부 안내체와, 상기 외부 안내체의 내면과 밀착된 상태로 상기 외부 안내체의 내부에서 승강될 수 있고, 그 상면이 그 중앙부로 갈수록 상대적으로 높아지는 테이퍼 형태로 형성되는 테이퍼 승강체와, 상기 테이퍼 승강체의 중앙부의 상면으로부터 소정 깊이로 함몰되는 수직 상승홀과, 상기 수직 상승홀을 따라 승강될 수 있어서, 상기 수직 상승홀의 내부로 삽입되거나 상기 수직 상승홀의 외부로 돌출될 수 있는 수직 상승체와, 상기 외부 안내체의 내부를 수평 방향으로 구획하도록 패널 형태로 형성되되, 그 중앙부의 저면이 상기 테이퍼 승강체의 중앙부 및 상기 수직 상승체와 접하여 지지되는 피파쇄 지지 패널과, 상기 완충 몸체로부터 서로 이격되도록 소정 길이로 하향 연장되어, 상기 피파쇄 지지 패널의 상면의 중앙부로부터 소정 간격 이격되도록 편심된 대칭 지점을 각각 편심되게 가압하게 되는 한 쌍의 편심 가압 기둥과, 상기 완충 몸체의 저면 중앙부로부터 하방으로 돌출되는 하방 돌출 스토퍼와, 상기 하방 돌출 스토퍼의 중앙부를 따라 소정 직경으로 함몰되다가 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성되는 공기 압축 완충홀과, 상기 공기 압축 완충홀 중 상기 하방 돌출 스토퍼의 중앙부를 따라 소정 직경으로 함몰된 부분을 따라 승강될 수 있는 피가압 상승체와, 상기 공기 압축 완충홀 중 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분의 내면에 그 외곽면이 밀접되도록 삽입되어, 상기 공기 압축 완충홀 중 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분을 따라 승강될 수 있고, 상기 피가압 상승체의 상부와 연결되어 함께 승강될 수 있는 피가압 상승 패널과, 상기 테이퍼 승강체의 경사진 상면에 서로 대칭되도록 한 쌍으로 설치되고, 탄성이 있는 물질로 이루어지고, 그 내부에 공기가 수용되어 있고, 상기 피파쇄 지지 패널이 패널 형태를 유지하는 동안에는 상기 피파쇄 지지 패널과 비접촉되고, 상기 피파쇄 지지 패널이 파쇄되어 하강될 때 상기 피파쇄 지지 패널에 의해 눌려져서 그 내부에 있던 공기가 배출되도록 하는 피가압 탄성 공기 수용체와, 상기 피가압 탄성 공기 수용체와 상기 수직 상승홀의 하부를 연통시켜, 상기 피가압 탄성 공기 수용체의 내부에 있다가 배출된 공기가 유동되어 상기 수직 상승홀의 하부로 유입됨으로써 상기 수직 상승체가 상승될 수 있도록 하는 공기 유동관을 포함하고,
상기 피파쇄 지지 패널이 패널 형태를 유지하는 동안에는, 상기 수직 상승체는 상기 수직 상승홀의 내부에 삽입된 상태를 유지하고, 상기 테이퍼 승강체의 중앙부와 상기 수직 상승체는 상기 피파쇄 지지 패널의 저면의 중앙부에 접하고, 상기 피가압 탄성 공기 수용체는 상기 피파쇄 지지 패널과 비접촉되고, 상기 각 편심 가압 기둥은 상기 피파쇄 지지 패널의 상면의 중앙부로부터 소정 거리로 편심된 각 부분을 각각 눌러주면서 상기 완충 몸체를 지지하고, 상기 피가압 상승 패널은 상기 공기 압축 완충홀의 바닥면에 접하고, 상기 피가압 상승체의 하부가 상기 하방 돌출 스토퍼의 외부로 돌출되도록 상기 피가압 상승체가 하강되되 상기 피파쇄 지지 패널의 상면과 비접촉된 상태를 유지하고,
상기 소성로 부재의 설치면으로부터 상기 소성로 부재로 전달되는 상기 바닥 충격에 의해 상기 테이퍼 승강체가 상기 외부 안내체의 내부에서 상승되면, 상기 피파쇄 지지 패널이 상기 테이퍼 승강체에 의해 눌려 파쇄되어, 상기 피파쇄 지지 패널의 파쇄된 각 부분이 하강되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체를 눌러주게 됨으로써, 상기 피가압 탄성 공기 수용체가 탄성 변형되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체의 내부에 있던 공기가 유출되어 상기 공기 유동관을 통해 유동된 다음 상기 수직 상승홀의 하부로 유입되고, 그에 따라 상기 수직 상승홀로 유입된 공기의 압력에 의해 상기 수직 상승체가 상승되어 상기 테이퍼 승강체의 중앙부의 외부로 돌출되면서 상기 피가압 상승체를 누르게 되어, 상기 피가압 상승체 및 상기 피가압 상승 패널이 함께 상승됨으로써, 상기 공기 압축 완충홀의 내부에 있던 공기가 상기 피가압 상승 패널에 의해 압축되면서 상기 바닥 충격을 완충시키게 되는 것을 특징으로 한다.The apparatus for manufacturing a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process according to an aspect of the present invention is fired in a state in which a transition metal is added along with a dopant to a ceramic so that a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process can be manufactured the absence of a kiln which can be; and a bottom impact buffer member capable of buffering a floor impact transmitted from the installation surface of the firing furnace member to the firing furnace member;
The bottom shock-absorbing member includes a buffer body extending downwardly from the bottom surface of the kiln member, an external guide extending downward along the outer periphery of the buffer body in a cylindrical shape, and an inner surface of the external guide body in close contact. A tapered elevating body that can be lifted from the inside of the external guide, the upper surface of which is formed in a tapered shape that becomes relatively higher toward the central portion, and a vertical ascending hole recessed to a predetermined depth from the upper surface of the central portion of the tapered elevating body; , a vertical riser that can be lifted along the vertical ascending hole, which can be inserted into the vertical ascending hole or protrude to the outside of the vertical ascending hole, and a panel shape to partition the inside of the external guide in a horizontal direction Is formed, the bottom surface of the central portion of the tapered elevating member and the support panel to be crushed supported in contact with the vertical riser, and extending downward to a predetermined length so as to be spaced apart from each other from the buffer body, the upper surface of the support panel to be crushed A pair of eccentric pressure pillars each eccentrically press the symmetrical points eccentric so as to be spaced apart from the central portion of the An air compression buffer hole that is depressed to a predetermined diameter and then expanded to a relatively larger diameter inside the buffer body, and a portion of the air compression buffer hole that is depressed to a predetermined diameter along the central portion of the downward protruding stopper The pressurized lifting body that can be lifted and lowered accordingly, and the outer surface of the air compression buffer hole is inserted so as to be close to the inner surface of the portion formed in a relatively larger diameter expanded form inside the buffer body, the air compression A pressurized lifting panel that can be lifted along a portion formed in an expanded form to a relatively larger diameter in the cushioning hole of the cushioning body, and is connected to the upper portion of the pressurized lifting body to be lifted together; Installed in pairs so as to be symmetrical to each other on the inclined upper surface of the tapered elevator, elastic water made of quality, air is accommodated therein, the support panel to be crushed is non-contact with the support panel to be crushed while the panel shape is maintained, and the support panel to be crushed when the support panel to be crushed is crushed and lowered The pressurized elastic air receptor, which is pressed by the , so that the air therein is discharged, and the pressurized elastic air receptor and the lower part of the vertical rising hole are communicated to each other, so that the air that is inside the pressurized elastic air receptor and is discharged and an air flow pipe that flows and flows into the lower portion of the vertical riser so that the vertical riser can be raised,
While the support panel to be crushed maintains the panel shape, the vertical riser maintains a state inserted into the vertical lift hole, and the central portion of the tapered lifter and the vertical riser are the bottom surface of the support panel to be crushed In contact with the central portion of the, the pressurized elastic air receptor is non-contact with the support panel to be crushed, and each of the eccentric pressure columns is eccentric at a predetermined distance from the central portion of the upper surface of the support panel to be crushed While pressing each part, the buffer Supporting the body, the pressurized rising panel is in contact with the bottom surface of the air compression buffer hole, the pressurized rising body is lowered so that the lower part of the pressurized rising body protrudes to the outside of the downward protruding stopper, the crushed support panel maintain a non-contact state with the upper surface of
When the taper elevating body is raised inside the external guide body by the floor impact transmitted from the installation surface of the kiln member to the kiln member, the crushable support panel is crushed by being pressed by the tapered elevating body to be crushed. As each crushed portion of the crushing support panel is lowered, the pressurized elastic air receptor is pressed, and as the pressurized elastic air receptor is elastically deformed, the air inside the pressurized elastic air receptor is discharged and the air flow pipe is After flowing through the vertical ascending body, it flows into the lower portion of the vertical ascending hole, and accordingly, the vertical ascending body is raised by the pressure of the air introduced into the vertical ascending hole and protrudes to the outside of the central portion of the tapered ascending body to press the pressurized ascending object. As the pressurized rising body and the pressurized rising panel are raised together, the air in the air compression buffer hole is compressed by the pressurized rising panel to cushion the floor impact.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치에 의하면, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 고순도 세라믹에 도펀트와 함께 전이금속을 첨가하여 소성됨에 따라, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 저유전손실을 갖고 유전율과 유전 손실이 균일한 특성을 가지면서도, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조에 있어서 고가의 고순도의 미립자 파우더를 가압 소결하는 방식에 비해 원재료비 및 제조 비용이 상대적으로 절감될 수 있게 되는 효과가 있다.According to the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process and the manufacturing apparatus thereof according to an aspect of the present invention, the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process is fired by adding a transition metal together with a dopant to a high purity ceramic. , while the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process has a low dielectric loss and has uniform dielectric constant and dielectric loss characteristics, expensive high purity fine particles in the production of the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process There is an effect that the raw material cost and manufacturing cost can be relatively reduced compared to the method of sintering the powder under pressure.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치를 구성하는 소성로 부재를 보이는 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치를 구성하는 소성로 부재의 일부를 확대한 도면.1 is a view showing a kiln member constituting an apparatus for manufacturing a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of a part of a kiln member constituting an apparatus for manufacturing a low-dielectric loss material for a semiconductor and display etching process according to an embodiment of the present invention;

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치에 대하여 설명한다.Hereinafter, a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process and an apparatus for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치를 구성하는 소성로 부재를 보이는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치를 구성하는 소성로 부재의 일부를 확대한 도면이다.1 is a view showing a kiln member constituting an apparatus for manufacturing a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a semiconductor and display etching process according to an embodiment of the present invention. It is an enlarged view of a part of a kiln member constituting an apparatus for manufacturing a low dielectric loss material.

도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 본 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재는 고순도 세라믹에 도펀트(dopant)와 함께 전이금속을 첨가하여 소성된 것을 특징으로 한다.1 and 2 together, the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process according to the present embodiment is characterized in that it is fired by adding a transition metal together with a dopant to a high purity ceramic.

상기 고순도 세라믹은 99.99%의 세라믹을 말한다.The high-purity ceramic refers to 99.99% of the ceramic.

상기 도펀트는 이금속계 불순물인 이산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO), 산화칼슘(CaO), 이산화티타늄(TiO2)로 제시될 수 있다.The dopant may include silicon dioxide (SiO 2 ), magnesium oxide (MgO), calcium oxide (CaO), or titanium dioxide (TiO 2 ), which are bimetallic impurities.

상기 전이금속의 예로는 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti)이 제시될 수 있다.Examples of the transition metal include scandium (Sc) and titanium (Ti).

상기와 같이, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 상기 고순도 세라믹에 상기 도펀트와 함께 상기 전이금속을 첨가하여 소성됨에 따라, 상기 도펀트의 첨가량이 격자 용해도 한계 내로 조절될 수 있어서, 결정립 간에 MgAl2O4, CaAl12O19, Al2TiO5 등의 제2상 생성이 제어되고 잔류 기공이 제거될 수 있게 되어, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 보다 치밀하고 수 ㎛ 범위의 미세한 입자 성장을 갖는 균일한 미세 구조를 가질 수 있게 되므로, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 저유전손실을 갖고 유전율과 유전 손실이 균일한 특성을 가지면서도, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조에 있어서 고가의 고순도의 미립자 파우더를 가압 소결하는 방식에 비해 원재료비 및 제조 비용이 상대적으로 절감될 수 있게 된다.As described above, as the low-dielectric loss material for the semiconductor and display etching process is fired by adding the transition metal together with the dopant to the high-purity ceramic, the amount of the dopant can be adjusted within the lattice solubility limit, between crystal grains Second phase generation of MgAl 2 O 4 , CaAl 12 O 19 , Al 2 TiO 5 etc. is controlled and residual pores can be removed, so that the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process is denser and has a range of several μm Since it is possible to have a uniform microstructure with fine grain growth of In the production of a low dielectric loss material for a process, the raw material cost and manufacturing cost can be relatively reduced compared to the method of pressure sintering expensive high-purity particulate powder.

본 실시예에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치는 소성로 부재(100)를 포함한다.The apparatus for manufacturing a low dielectric loss material for a semiconductor and display etching process according to the present embodiment includes the firing furnace member 100 .

상기 소성로 부재(100)는 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 제조될 수 있도록, 상기 고순도 세라믹에 상기 도펀트와 함께 상기 전이금속이 첨가된 상태로 소성될 수 있는 것이다.The firing furnace member 100 may be fired in a state in which the transition metal is added together with the dopant to the high-purity ceramic so that the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching processes may be manufactured.

본 실시예에서는, 상기 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치가 바닥 충격 완충 부재(170)를 더 포함한다.In this embodiment, the apparatus for manufacturing the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process further includes a bottom shock-absorbing member 170 .

상기 바닥 충격 완충 부재(170)는 상기 소성로 부재(100)의 설치면(바닥면)으로부터 상기 소성로 부재(100)로 전달되는 바닥 충격을 완충시킬 수 있는 것으로, 완충 몸체(171)와, 외부 안내체(172)와, 테이퍼 승강체(173)와, 수직 상승홀(174)과, 수직 상승체(175)와, 피파쇄 지지 패널(176)과, 한 쌍의 편심 가압 기둥(177)과, 하방 돌출 스토퍼(178)와, 공기 압축 완충홀(180)과, 피가압 상승체(179)와, 피가압 상승 패널(181)과, 피가압 탄성 공기 수용체(182)와, 공기 유동관(183)을 포함한다.The bottom shock-absorbing member 170 is capable of buffering a floor shock transmitted from the installation surface (bottom surface) of the firing furnace member 100 to the firing furnace member 100 , and includes a buffer body 171 , an external guide A sieve 172, a tapered elevating body 173, a vertical rising hole 174, a vertical rising body 175, a crushable support panel 176, a pair of eccentric pressure columns 177, The downward protruding stopper 178 , the air compression buffer hole 180 , the pressurized rising body 179 , the pressurized rising panel 181 , the pressurized elastic air receiver 182 , and the air flow pipe 183 . includes

상기 완충 몸체(171)는 상기 소성로 부재(100)의 저면으로부터 하방으로 연장되는 것이다.The buffer body 171 extends downward from the bottom surface of the firing furnace member 100 .

상기 외부 안내체(172)는 상기 완충 몸체(171)의 외곽을 따라 하방으로 실린더 형태로 연장되는 것으로, 상기 외부 안내체(172)의 내부는 상기 테이퍼 승강체(173)가 상승될 수 있도록 빈 형태로 형성된다.The external guide 172 extends downward along the outer edge of the buffer body 171 in a cylindrical shape, and the inside of the external guide 172 is empty so that the tapered elevator 173 can be raised formed in the form

상기 테이퍼 승강체(173)는 상기 외부 안내체(172)의 내면과 밀착된 상태로 상기 외부 안내체(172)의 내부에서 승강될 수 있고, 그 상면이 그 중앙부로 갈수록 상대적으로 높아지는 테이퍼 형태로 형성되는 것이다.The tapered elevating body 173 can be lifted from the inside of the external guide 172 in a state of being in close contact with the inner surface of the external guide 172, and the upper surface of the external guide 172 is in a tapered shape that is relatively higher toward the center. will be formed

상기 외부 안내체(172)는 관 형태로 형성되고, 상기 테이퍼 승강체(173)는 전체적으로 상기 외부 안내체(172)의 내면에 밀접될 수 있는 원기둥 형태로 형성되되, 상기 테이퍼 승강체(173)의 상면은 삿갓 형태로 테이퍼진 형태로 돌출된다.The external guide body 172 is formed in a tube shape, and the tapered elevating body 173 is formed in a cylindrical shape that can be in close contact with the inner surface of the external guide 172 as a whole, and the tapered elevating body 173 . The upper surface of the cap protrudes in a tapered shape in the shape of a hat.

상기 수직 상승홀(174)은 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부의 상면으로부터 소정 깊이로 수직으로 함몰되는 것이다.The vertical lifting hole 174 is vertically depressed to a predetermined depth from the upper surface of the central portion of the tapered lifting body 173 .

상기 수직 상승체(175)는 상기 수직 상승홀(174)을 따라 승강될 수 있어서, 상기 수직 상승홀(174)의 내부로 삽입되거나 상기 수직 상승홀(174)의 외부로 돌출될 수 있는 것이다.The vertical rising body 175 may be lifted along the vertical rising hole 174 , such that it may be inserted into the vertical rising hole 174 or may protrude out of the vertical rising hole 174 .

상기 피파쇄 지지 패널(176)은 상기 외부 안내체(172)의 내부를 수평 방향으로 구획하도록 패널 형태로 형성되되, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 중앙부의 저면이 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부 및 상기 수직 상승체(175)와 접하여 지지되는 것이다.The support panel 176 to be crushed is formed in a panel shape to partition the inside of the external guide body 172 in the horizontal direction, and the lower surface of the central part of the support panel 176 to be crushed is the tapered elevating body 173 . It is supported in contact with the central portion and the vertical riser 175 of the.

상기 피파쇄 지지 패널(176)은 상기 외부 안내체(172)의 내부에 삽입되는 평평한 원형 패널 형태로 형성되고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 상기 바닥 충격에 의해 파쇄되기 전이어서 그 원형을 유지하는 동안에는, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 중앙부의 저면은 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부 및 상기 수직 상승체(175)에 의해 지지되고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 중앙부의 상면으로부터 소정 간격 이격된 가장자리 부분 중 서로 대칭되는 두 지점은 상기 각 편심 가압 기둥(177)에 의해 가압된다.The support panel 176 to be crushed is formed in the form of a flat circular panel inserted into the inside of the external guide 172, and before the support panel 176 to be crushed is crushed by the floor impact, its original shape During maintenance, the lower surface of the central portion of the support panel 176 to be crushed is supported by the central portion of the tapered elevating body 173 and the vertical riser 175, and the central portion of the support panel 176 to be crushed Two points symmetrical to each other among the edge portions spaced apart from the upper surface by a predetermined distance are pressed by the respective eccentric pressure pillars 177 .

상기 각 편심 가압 기둥(177)은 상기 완충 몸체(171)로부터 소정 길이로 하향 연장되되, 서로 이격되도록 형성되고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 상면의 중앙부로부터 소정 간격 이격되도록 편심된 대칭 지점을 각각 편심되게 가압하게 되는 것이다.Each of the eccentric pressure pillars 177 extend downwardly from the buffer body 171 by a predetermined length, are formed to be spaced apart from each other, and symmetrical points eccentric to be spaced apart from the central portion of the upper surface of the crushable support panel 176 by a predetermined distance. are pressed eccentrically to each.

상기 각 편심 가압 기둥(177)이 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 각 부분을 각각 가압하는 상태를 유지하면, 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부 및 상기 수직 상승체(175)에 의해 지지된 상태의 상기 피파쇄 지지 패널(176) 상에 상기 각 편심 가압 기둥(177)이 얹혀진 상태가 되고, 그에 따라 상기 완충 몸체(171) 및 상기 소성로 부재(100)도 상기 피파쇄 지지 패널(176)에 의해 지지된 상태를 유지하게 된다.When each of the eccentric pressure pillars 177 maintains a state of pressing each portion of the support panel 176 to be crushed, the central portion of the tapered elevating body 173 and the vertical elevating body 175 support Each of the eccentric pressure pillars 177 are placed on the support panel 176 in a state to be crushed, and accordingly, the buffer body 171 and the kiln member 100 are also the support panel 176 to be crushed. will remain supported by

상기 하방 돌출 스토퍼(178)는 상기 완충 몸체(171)의 저면 중앙부로부터 하방으로 돌출되는 것이다.The downward protrusion stopper 178 is to protrude downward from the center of the bottom surface of the buffer body 171 .

상기 공기 압축 완충홀(180)은 상기 하방 돌출 스토퍼(178)의 중앙부를 따라 소정 직경으로 상방으로 수직으로 함몰되다가 상기 완충 몸체(171)의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성되는 것으로, T자 형태의 단면으로 형성된다.The air compression buffer hole 180 is vertically depressed upward with a predetermined diameter along the central portion of the downward protruding stopper 178, and is formed in a form that is expanded to a relatively larger diameter inside the buffer body 171 As such, it is formed in a T-shaped cross section.

상기 피가압 상승체(179)는 상기 공기 압축 완충홀(180) 중 상기 하방 돌출 스토퍼(178)의 중앙부를 따라 소정 직경으로 함몰된 부분을 따라 승강될 수 있는 것이다.The pressurized lifting body 179 may be raised and lowered along a portion recessed to a predetermined diameter along the central portion of the downward protruding stopper 178 among the air compression buffer holes 180 .

상기 피파쇄 지지 패널(176)이 상기 바닥 충격에 의해 파쇄되기 전이어서 그 원형을 유지하는 동안에는, 상기 각 편심 가압 기둥(177)은 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 각 부분에 접하되, 상기 하방 돌출 스토퍼(178)와 상기 피가압 상승체(179)는 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 상공에 머물어 상기 피파쇄 지지 패널(176)과 비접촉 상태를 유지하게 된다.While the support panel 176 to be crushed before being crushed by the floor impact and maintaining its original shape, each of the eccentric pressure posts 177 is in contact with each part of the support panel 176 to be crushed, The downward protruding stopper 178 and the pressurized riser 179 remain above the crushed support panel 176 to maintain a non-contact state with the crushed support panel 176 .

상기 피가압 상승 패널(181)은 상기 공기 압축 완충홀(180) 중 상기 완충 몸체(171)의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분의 내면에 그 외곽면이 밀접되도록 삽입되어, 상기 공기 압축 완충홀(180) 중 상기 완충 몸체(171)의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분을 따라 승강될 수 있고, 상기 피가압 상승체(179)의 상부와 연결되어 함께 승강될 수 있는 것이다.The pressurized rising panel 181 is inserted so that the outer surface of the air compression buffer hole 180 is closely attached to the inner surface of the portion formed in a relatively larger diameter expanded shape inside the buffer body 171 , , can be lifted along a portion of the air compression buffer hole 180 formed in a relatively larger diameter expanded form inside the buffer body 171 , and connected to the upper portion of the pressurized body 179 . and can be lifted together.

상기 피가압 상승 패널(181)이 상승하게 되면, 상기 공기 압축 완충홀(180)의 내부에 있던 공기가 압축된다.When the pressurized rising panel 181 rises, the air in the air compression buffer hole 180 is compressed.

상기 공기 압축 완충홀(180)의 T자 형태의 단면 중 다리 부분을 따라 상기 피가압 상승체(179)가 승강될 수 있고, 상기 공기 압축 완충홀(180)의 T자 형태의 단면 중 상대적으로 넓은 머리 부분을 따라 상기 피가압 상승 패널(181)이 승강될 수 있다.The pressurized lifting body 179 may be raised and lowered along the leg portion of the T-shaped cross section of the air compression buffer hole 180 , and relatively among the T-shaped cross-sections of the air compression buffer hole 180 . The pressurized lifting panel 181 may be raised and lowered along the wide head.

상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)는 상기 테이퍼 승강체(173)의 경사진 상면에 서로 대칭되도록 한 쌍으로 설치되고, 고무 등 탄성이 있는 물질로 이루어지고, 그 내부에 공기가 수용되어 있고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 패널 형태를 유지하는 동안에는 상기 피파쇄 지지 패널(176)과 비접촉되고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 파쇄되어 하강될 때 상기 피파쇄 지지 패널(176)에 의해 눌려져서 그 내부에 있던 공기가 배출되도록 하는 것이다.The pressurized elastic air receiver 182 is installed in a pair so as to be symmetrical to each other on the inclined upper surface of the tapered elevating body 173, is made of an elastic material such as rubber, and air is accommodated therein, While the support panel 176 to be crushed maintains the panel shape, it is not in contact with the support panel 176 to be crushed, and when the support panel 176 to be crushed is crushed and lowered to the support panel 176 to be crushed. It is pressed by the pressure so that the air inside it is discharged.

상기 피파쇄 지지 패널(176)이 패널 형태를 유지하는 동안에는, 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)의 내부에는 공기가 충진되어 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)는 부풀어오른 형태를 유지하고, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 파쇄되어 하강될 때에는, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 파쇄되어 하강되는 파편에 의해 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)가 눌리면서 탄성 변형되고, 그에 따라 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)의 내부에 있던 공기가 배출된다.While the support panel 176 to be crushed maintains the panel shape, the inside of the pressurized elastic air receptor 182 is filled with air so that the pressurized elastic air receptor 182 maintains the inflated shape, When the crushed support panel 176 is crushed and lowered, the pressurized elastic air receptor 182 is pressed and elastically deformed by the crushed and descending fragments of the crushed supporting panel 176, and accordingly, the pressured The air in the interior of the elastic air receptor 182 is discharged.

예를 들어, 상기 바닥 충격이 가해지면, 상기 테이퍼 승강체(173)가 상승되면서 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 중앙부 저면을 충격하게 됨으로써, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 중앙부부터 파쇄되면서 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 두 동강이 나는 등의 형태로 부서지게 되고, 그에 따라 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 각 부서진 파편이 상기 각 피가압 탄성 공기 수용체(182)를 누르게 된다.For example, when the floor impact is applied, the tapered lifting member 173 rises and impacts the lower surface of the central portion of the support panel 176 to be crushed, thereby being crushed from the center of the support panel 176 to be crushed. The support panel 176 to be crushed is broken in the form of two halves, and accordingly, each broken fragment of the support panel 176 to be crushed presses the respective pressurized elastic air receivers 182 .

상기 공기 유동관(183)은 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)와 상기 수직 상승홀(174)의 하부를 연통시켜, 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)의 내부에 있다가 배출된 공기가 유동되어 상기 수직 상승홀(174)의 하부로 유입됨으로써, 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)로부터 전달된 공기의 압력에 의해 상기 수직 상승체(175)가 상승될 수 있도록 하는 것이다.The air flow pipe 183 communicates the pressurized elastic air receptor 182 and the lower portion of the vertical rising hole 174, so that the air discharged after being in the pressurized elastic air receptor 182 flows. By flowing into the lower portion of the vertical rising hole 174, the vertical rising body 175 can be raised by the pressure of the air transferred from the pressurized elastic air receiver 182 .

상기와 같이 구성되면, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 패널 형태를 유지하는 동안에는, 상기 수직 상승체(175)는 상기 수직 상승홀(174)의 내부에 삽입된 상태를 유지하고, 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부와 상기 수직 상승체(175)는 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 저면의 중앙부에 접하고, 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)는 상기 피파쇄 지지 패널(176)과 비접촉되고, 상기 각 편심 가압 기둥(177)은 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 상면의 중앙부로부터 소정 거리로 편심된 각 부분을 각각 눌러주면서 상기 완충 몸체(171)를 지지하고, 상기 피가압 상승 패널(181)은 상기 공기 압축 완충홀(180)의 바닥면에 접하고, 상기 피가압 상승체(179)의 하부가 상기 하방 돌출 스토퍼(178)의 외부로 돌출되도록 상기 피가압 상승체(179)가 하강되되 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 상면과 비접촉된 상태를 유지한다.When configured as described above, while the support panel 176 to be crushed maintains the panel shape, the vertical riser 175 maintains a state inserted into the vertical riser hole 174, and the taper rises and falls. The central portion of the sieve 173 and the vertical riser 175 are in contact with the central portion of the bottom surface of the support panel 176 to be crushed, and the pressurized elastic air receiver 182 is non-contact with the support panel 176 to be crushed. and each eccentric pressure column 177 supports the cushioning body 171 while pressing each part eccentric at a predetermined distance from the central portion of the upper surface of the crushed support panel 176, and the pressurized rising panel 181 is in contact with the bottom surface of the air compression buffer hole 180, the pressurized lifting body 179 so that the lower portion of the pressurized lifting body 179 protrudes to the outside of the downward protruding stopper 178 is It is lowered and maintains a non-contact state with the upper surface of the support panel 176 to be crushed.

반면, 상기 소성로 부재(100)의 설치면으로부터 상기 소성로 부재(100)로 전달되는 상기 바닥 충격에 의해 상기 테이퍼 승강체(173)가 상기 외부 안내체(172)의 내부에서 상승되면, 상기 피파쇄 지지 패널(176)이 상기 테이퍼 승강체(173)에 의해 눌려 파쇄되어, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 파쇄된 각 부분이 하강되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)를 눌러주게 됨으로써, 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)가 탄성 변형되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체(182)의 내부에 있던 공기가 유출되어 상기 공기 유동관(183)을 통해 유동된 다음 상기 수직 상승홀(174)의 하부로 유입되고, 그에 따라 상기 수직 상승홀(174)로 유입된 공기의 압력에 의해 상기 수직 상승체(175)가 상승되어 상기 테이퍼 승강체(173)의 중앙부의 외부로 돌출되면서 상기 피가압 상승체(179)를 누르게 되어, 상기 피가압 상승체(179) 및 상기 피가압 상승 패널(181)이 함께 상승됨으로써, 상기 공기 압축 완충홀(180)의 내부에 있던 공기가 상기 피가압 상승 패널(181)에 의해 압축되면서 상기 바닥 충격을 완충시키게 된다.On the other hand, when the taper elevating body 173 is raised inside the external guide body 172 by the floor impact transmitted from the installation surface of the kiln member 100 to the kiln member 100, the crushed object The support panel 176 is crushed by being pressed by the tapered lifting member 173, and as each crushed part of the support panel 176 to be crushed is lowered, the pressurized elastic air receiver 182 is pressed. As the pressurized elastic air receiver 182 is elastically deformed, the air inside the pressurized elastic air receiver 182 flows out and flows through the air flow pipe 183 to the lower portion of the vertical rising hole 174 . The vertical elevation body 175 is raised by the pressure of the air introduced into the vertical elevation hole 174 and protrudes to the outside of the central portion of the tapered elevation body 173 by the pressure of the air introduced into the vertical elevation hole 174. 179) is pressed, and the pressurized rising body 179 and the pressurized rising panel 181 are raised together, so that the air in the air compression buffer hole 180 is moved to the pressurized rising panel 181. It is compressed by the cushioning the floor impact.

이 때, 상기 피파쇄 지지 패널(176)의 파쇄된 부분을 통과하여 상승된 상기 수직 상승체(175)가 상기 하방 돌출 스토퍼(178)에 접하면, 상기 수직 상승체(175)의 상승이 멈추게 된다.At this time, when the vertical riser 175 raised through the crushed portion of the support panel 176 to be crushed comes into contact with the downward protrusion stopper 178, the vertical riser 175 stops rising. do.

상기에서 본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시되고 설명되었지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 알 수 있을 것이다. 그렇지만 이러한 수정 및 변형 구조들은 모두 본 발명의 권리범위 내에 포함되는 것임을 분명하게 밝혀두고자 한다.In the above, the present invention has been shown and described with respect to specific embodiments, but those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. and can be changed. However, it is intended to clearly state that all such modifications and variations are included within the scope of the present invention.

본 발명의 일 측면에 따른 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재 및 그 제조 장치에 의하면, 저유전손실을 갖고 유전율과 유전 손실이 균일한 특성을 가지면서도, 고가의 고순도의 미립자 파우더를 가압 소결하는 방식에 비해 원재료비 및 제조 비용이 상대적으로 절감될 수 있으므로, 그 산업상 이용가능성이 높다고 하겠다.According to the low dielectric loss material for the semiconductor and display etching process and the manufacturing apparatus thereof according to an aspect of the present invention, while having a low dielectric loss and uniform dielectric constant and dielectric loss characteristics, high-priced, high-purity particulate powder is press-sintered Since the raw material cost and manufacturing cost can be relatively reduced compared to this method, it can be said that the industrial applicability is high.

100 : 소성로 부재
170 : 바닥 충격 완충 부재100: no kiln
170: floor shock buffer member

Claims (3)

삭제delete 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재가 제조될 수 있도록, 세라믹에 도펀트와 함께 전이금속이 첨가된 상태로 소성될 수 있는 소성로 부재; 및
상기 소성로 부재의 설치면으로부터 상기 소성로 부재로 전달되는 바닥 충격을 완충시킬 수 있는 바닥 충격 완충 부재;를 포함하고,
상기 바닥 충격 완충 부재는
상기 소성로 부재의 저면으로부터 하방으로 연장되는 완충 몸체와,
상기 완충 몸체의 외곽을 따라 하방으로 실린더 형태로 연장되는 외부 안내체와,
상기 외부 안내체의 내면과 밀착된 상태로 상기 외부 안내체의 내부에서 승강될 수 있고, 그 상면이 그 중앙부로 갈수록 상대적으로 높아지는 테이퍼 형태로 형성되는 테이퍼 승강체와,
상기 테이퍼 승강체의 중앙부의 상면으로부터 소정 깊이로 함몰되는 수직 상승홀과,
상기 수직 상승홀을 따라 승강될 수 있어서, 상기 수직 상승홀의 내부로 삽입되거나 상기 수직 상승홀의 외부로 돌출될 수 있는 수직 상승체와,
상기 외부 안내체의 내부를 수평 방향으로 구획하도록 패널 형태로 형성되되, 그 중앙부의 저면이 상기 테이퍼 승강체의 중앙부 및 상기 수직 상승체와 접하여 지지되는 피파쇄 지지 패널과,
상기 완충 몸체로부터 서로 이격되도록 소정 길이로 하향 연장되어, 상기 피파쇄 지지 패널의 상면의 중앙부로부터 소정 간격 이격되도록 편심된 대칭 지점을 각각 편심되게 가압하게 되는 한 쌍의 편심 가압 기둥과,
상기 완충 몸체의 저면 중앙부로부터 하방으로 돌출되는 하방 돌출 스토퍼와,
상기 하방 돌출 스토퍼의 중앙부를 따라 소정 직경으로 함몰되다가 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성되는 공기 압축 완충홀과,
상기 공기 압축 완충홀 중 상기 하방 돌출 스토퍼의 중앙부를 따라 소정 직경으로 함몰된 부분을 따라 승강될 수 있는 피가압 상승체와,
상기 공기 압축 완충홀 중 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분의 내면에 그 외곽면이 밀접되도록 삽입되어, 상기 공기 압축 완충홀 중 상기 완충 몸체의 내부에서 상대적으로 더 큰 직경으로 확장된 형태로 형성된 부분을 따라 승강될 수 있고, 상기 피가압 상승체의 상부와 연결되어 함께 승강될 수 있는 피가압 상승 패널과,
상기 테이퍼 승강체의 경사진 상면에 서로 대칭되도록 한 쌍으로 설치되고, 탄성이 있는 물질로 이루어지고, 그 내부에 공기가 수용되어 있고, 상기 피파쇄 지지 패널이 패널 형태를 유지하는 동안에는 상기 피파쇄 지지 패널과 비접촉되고, 상기 피파쇄 지지 패널이 파쇄되어 하강될 때 상기 피파쇄 지지 패널에 의해 눌려져서 그 내부에 있던 공기가 배출되도록 하는 피가압 탄성 공기 수용체와,
상기 피가압 탄성 공기 수용체와 상기 수직 상승홀의 하부를 연통시켜, 상기 피가압 탄성 공기 수용체의 내부에 있다가 배출된 공기가 유동되어 상기 수직 상승홀의 하부로 유입됨으로써 상기 수직 상승체가 상승될 수 있도록 하는 공기 유동관을 포함하고,
상기 피파쇄 지지 패널이 패널 형태를 유지하는 동안에는, 상기 수직 상승체는 상기 수직 상승홀의 내부에 삽입된 상태를 유지하고, 상기 테이퍼 승강체의 중앙부와 상기 수직 상승체는 상기 피파쇄 지지 패널의 저면의 중앙부에 접하고, 상기 피가압 탄성 공기 수용체는 상기 피파쇄 지지 패널과 비접촉되고, 상기 각 편심 가압 기둥은 상기 피파쇄 지지 패널의 상면의 중앙부로부터 소정 거리로 편심된 각 부분을 각각 눌러주면서 상기 완충 몸체를 지지하고, 상기 피가압 상승 패널은 상기 공기 압축 완충홀의 바닥면에 접하고, 상기 피가압 상승체의 하부가 상기 하방 돌출 스토퍼의 외부로 돌출되도록 상기 피가압 상승체가 하강되되 상기 피파쇄 지지 패널의 상면과 비접촉된 상태를 유지하고,
상기 소성로 부재의 설치면으로부터 상기 소성로 부재로 전달되는 상기 바닥 충격에 의해 상기 테이퍼 승강체가 상기 외부 안내체의 내부에서 상승되면, 상기 피파쇄 지지 패널이 상기 테이퍼 승강체에 의해 눌려 파쇄되어, 상기 피파쇄 지지 패널의 파쇄된 각 부분이 하강되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체를 눌러주게 됨으로써, 상기 피가압 탄성 공기 수용체가 탄성 변형되면서 상기 피가압 탄성 공기 수용체의 내부에 있던 공기가 유출되어 상기 공기 유동관을 통해 유동된 다음 상기 수직 상승홀의 하부로 유입되고, 그에 따라 상기 수직 상승홀로 유입된 공기의 압력에 의해 상기 수직 상승체가 상승되어 상기 테이퍼 승강체의 중앙부의 외부로 돌출되면서 상기 피가압 상승체를 누르게 되어, 상기 피가압 상승체 및 상기 피가압 상승 패널이 함께 상승됨으로써, 상기 공기 압축 완충홀의 내부에 있던 공기가 상기 피가압 상승 패널에 의해 압축되면서 상기 바닥 충격을 완충시키게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 및 디스플레이 에칭 공정용 저유전손실 소재의 제조 장치.a sintering furnace member capable of being sintered in a state in which a transition metal is added together with a dopant to the ceramic so that a low dielectric loss material for semiconductor and display etching processes can be manufactured; and
and a bottom impact buffer member capable of buffering a floor impact transmitted from the installation surface of the firing furnace member to the firing furnace member;
The floor shock-absorbing member is
a buffer body extending downwardly from the bottom surface of the firing furnace member;
an external guide body extending downwardly along the outer periphery of the buffer body in a cylindrical shape;
a tapered elevating body that can be lifted from the inside of the external guide in a state of being in close contact with the inner surface of the external guide, the upper surface of which is formed in a tapered shape that is relatively higher toward the center thereof;
a vertical lifting hole recessed to a predetermined depth from the upper surface of the central portion of the tapered lifting body;
a vertical riser capable of being lifted along the vertical ascending hole and inserted into the vertical ascending hole or protruding out of the vertical ascending hole;
A support panel to be crushed is formed in the form of a panel to partition the inside of the external guide in the horizontal direction, and the bottom surface of the central part is supported in contact with the central part of the tapered elevating body and the vertical elevating body;
A pair of eccentric pressure pillars extending downward to a predetermined length so as to be spaced apart from each other from the cushioning body to eccentrically press eccentrically symmetrical points to be spaced apart from each other by a predetermined distance from the central portion of the upper surface of the support panel to be crushed;
And a downwardly protruding stopper that protrudes downwardly from the center of the bottom surface of the cushioning body;
An air compression buffer hole that is depressed to a predetermined diameter along the central portion of the downward protruding stopper and is expanded to a relatively larger diameter inside the buffer body;
a pressurized riser capable of being raised and lowered along a portion recessed to a predetermined diameter along the central portion of the downward protruding stopper among the air compression buffer holes;
It is inserted so that the outer surface of the air compression buffer hole is close to the inner surface of a portion formed in a relatively larger diameter expanded form inside the buffer body, and is relatively inside the buffer body of the air compression buffer hole. A pressurized lifting panel that can be lifted along a portion formed in an expanded form to a larger diameter and can be raised and lowered together by being connected to an upper portion of the pressurized lifting body;
Installed in a pair so as to be symmetrical to each other on the inclined upper surface of the tapered elevator body, made of an elastic material, air is accommodated therein, and while the support panel to be crushed maintains the panel shape, the crushed target a pressurized elastic air receiver which is not in contact with the support panel and is pressed by the support panel to be crushed when the support panel to be crushed and is lowered so that the air therein is discharged;
By communicating the pressurized elastic air receptor and the lower part of the vertical rising hole, the air discharged from the inside of the pressurized elastic air receptor flows and flows into the lower part of the vertical rising hole so that the vertical rising body can be raised. comprising an air flow tube;
While the support panel to be crushed maintains the panel shape, the vertical riser maintains a state inserted into the vertical lift hole, and the central portion of the tapered lifter and the vertical riser are the bottom surface of the support panel to be crushed In contact with the central portion of the, the pressurized elastic air receptor is non-contact with the support panel to be crushed, and each of the eccentric pressure columns is eccentric at a predetermined distance from the central portion of the upper surface of the support panel to be crushed While pressing each part, the buffer Supporting the body, the pressurized rising panel is in contact with the bottom surface of the air compression buffer hole, the pressurized rising body is lowered so that the lower part of the pressurized rising body protrudes to the outside of the downward protruding stopper, the crushed support panel maintain a non-contact state with the upper surface of
When the taper elevating body is raised inside the external guide body by the floor impact transmitted from the installation surface of the kiln member to the kiln member, the to-be-breaked support panel is crushed by being pressed by the tapered elevating body to be crushed. As each crushed part of the crushing support panel is lowered, the pressurized elastic air receptor is pressed, and as the pressurized elastic air receptor is elastically deformed, the air inside the pressurized elastic air receptor is discharged and the air flow pipe is After flowing through the vertical ascending body, it flows into the lower portion of the vertical ascending hole, and accordingly, the vertical ascending body is raised by the pressure of the air introduced into the vertical ascending hole and protrudes to the outside of the central portion of the tapered ascending body to press the pressurized ascending object. As the pressurized body and the pressurized rising panel are raised together, the air in the air compression buffer hole is compressed by the pressurized rising panel to cushion the floor impact. A device for manufacturing a low-dielectric loss material for the display etching process. 삭제delete
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180088753A (en) * 2015-12-30 2018-08-06 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 Abrasive particles and method for forming the same
KR20200125582A (en) 2018-03-02 2020-11-04 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 Alumina protective solution, protective method, and manufacturing method of semiconductor substrate having alumina layer using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180088753A (en) * 2015-12-30 2018-08-06 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 Abrasive particles and method for forming the same
KR20200125582A (en) 2018-03-02 2020-11-04 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 Alumina protective solution, protective method, and manufacturing method of semiconductor substrate having alumina layer using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102439674B1 (en) * 2022-07-25 2022-09-02 주식회사 코닉스 Alumina ceramics material having improvement of plasma-resistant characteristic, and manufacturing apparatus of the alumina ceramics material having improvement of plasma-resistant characteristic

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