KR102383138B1 - Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method of manufacturing touch panel - Google Patents

Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method of manufacturing touch panel Download PDF

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Abstract

(A)성분: 바인더 폴리머, (B)성분: 광중합성 화합물, 및 (C)성분: 광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)성분이 하기 일반식(1)로 표시되는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물.

Figure 112015023700686-pat00009

[식(1) 중, R1은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다. R2는, 히드록실기를 함유하는 알킬렌기 또는 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. R3은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.](A) component: binder polymer, (B) component: photopolymerizable compound, and (C) component: (meth)acrylate compound which contains a photoinitiator, and the said (B) component is represented by following General formula (1) A photosensitive resin composition for ITO etching comprising a.
Figure 112015023700686-pat00009

[In formula (1), R 1 represents an acryloyl group or a methacryloyl group. R 2 represents an alkylene group containing a hydroxyl group or a polyoxyalkylene group having a hydroxyl group. R 3 represents an acryloyl group, a methacryloyl group, an alkyl group, or an aryl group.]

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD OF MANUFACTURING TOUCH PANEL}The photosensitive resin composition, the photosensitive element, the formation method of a resist pattern, and the manufacturing method of a touch panel TECHNICAL FIELD

본 개시(開示)는, 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다. The present disclosure relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element, a method for forming a resist pattern, and a method for manufacturing a touch panel.

터치 패널의 터치 센서부는, 시각적 정보를 표시하는 범위(뷰 에리어)에 있어서, 사람의 손가락 등의 접촉에 의한 위치 정보를 검출하는 센서 부위와, 위치 정보를 외부 소자에 전달하기 위한 인출 배선 부위를 구비하는 구성으로 이루어져 있다. In the range (view area) for displaying visual information, the touch sensor unit of the touch panel includes a sensor portion that detects position information by contact with a human finger or the like, and a lead-out wiring portion for transmitting position information to an external element. It consists of a set of components.

상기 센서 부위에는, 가시광의 흡수 및 산란이 적고, 또한 도전성을 가지는 전극의 패턴이 형성되어 있다. 또한, 인출 배선 부위의 각각의 배선에는 저항값이 작은 금속이 사용되고 있다. In the sensor portion, a pattern of electrodes having little absorption and scattering of visible light and having conductivity is formed. In addition, a metal having a small resistance value is used for each wiring in the lead wiring portion.

이와 같은 센서 부위 및 인출 배선 부위는, 예를 들면, 네가티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여, 도 2와 같이 하여 제조된다. 또한, 도 2는, 터치 패널의 터치 센서부의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다. 우선, 투명 도전층(14)을 가지는 지지 기재(支持基材)(12)(폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 필름 기판 또는 유리 기판) 상에 감광성 수지 조성물의 도포 등에 의해, 감광성 수지 조성물층(16)을 형성한다(감광성 수지 조성물층 형성 공정)(도 2(a)). 다음으로, 감광성 수지 조성물층(16)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시킨다(노광 공정). 그 후, 미(未)경화 부분을 투명 도전층(14) 상으로부터 제거함으로써, 투명 도전층(14) 상에 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성한다(현상 공정)(도 2(b)). 레지스트 패턴에 대하여 에칭 처리를 실시하여, 지지 기재(12) 상으로부터 투명 도전층(14)의 일부를 제거하고, 센서 부위의 투명 도전층의 패턴을 형성한다(에칭 공정)(도 2(c)). 이어서, 투명 도전층(14)으로부터 레지스터를 박리, 제거한다(박리 공정)(도 2(d)). 계속하여, 형성된 센서 부위의 투명 도전층의 패턴으로부터의 인출 배선(18)을 제작하기 위해, 은페이스트 등을 사용한 스크린 인쇄로 형성함으로써 터치 센서부를 제조한다. Such a sensor site|part and a lead-out wiring site|part are manufactured like FIG. 2 using a negative photosensitive resin composition, for example. Moreover, FIG. 2 is a schematic sectional drawing which shows the conventional manufacturing method of the touch sensor part of a touch panel. First, the photosensitive resin composition layer 16 is formed by application of the photosensitive resin composition on a supporting substrate 12 (a film substrate or glass substrate such as polyethylene terephthalate) having a transparent conductive layer 14 . It forms (photosensitive resin composition layer formation process) (FIG.2(a)). Next, actinic light is irradiated to a predetermined part of the photosensitive resin composition layer 16, and an exposure part is hardened (exposure process). Then, by removing an uncured part from on the transparent conductive layer 14, the resist pattern containing the hardened|cured material of the photosensitive resin composition is formed on the transparent conductive layer 14 (development process) (FIG. 2) (b)). The resist pattern is etched to remove a part of the transparent conductive layer 14 from the supporting substrate 12, and a pattern of the transparent conductive layer in the sensor portion is formed (etching step) (Fig. 2(c)). ). Next, the resist is peeled and removed from the transparent conductive layer 14 (peeling process) (FIG.2(d)). Then, in order to produce the lead-out wiring 18 from the pattern of the transparent conductive layer of the formed sensor part, a touch sensor part is manufactured by forming by screen printing using silver paste etc.

또한, 터치 패널의 액자(베젤)의 협소화에 따라 인출 배선 부위에 있어서의 배선폭 및 피치의 협소화가 요구되고 있다. 은페이스트를 사용한 스크린 인쇄에서는 L/S(라인폭/스페이스폭)가 70/70(단위: ㎛) 정도의 패턴 형성이 한도가 되지만, 액자의 협소화에 대응하기 위해 L/S가 30/30(단위: ㎛) 이하의 패턴 형성이 요구되고 있다. Moreover, with the narrowing of the frame (bezel) of a touch panel, narrowing of the wiring width and the pitch in a lead-out wiring site|part is calculated|required. In screen printing using silver paste, pattern formation with L/S (line width/space width) of 70/70 (unit: μm) is the limit, but in order to cope with the narrowing of the frame, L/S is 30/30 ( Unit: [mu]m) The following pattern formation is requested.

인출 배선의 패턴으로 L/S가 작고, 인출 배선의 피치가 협소한 터치 센서부를 제조하기 위해, 포토리소그래피의 기법을 사용한 터치 센서부의 형성 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 터치 센서부의 제조 방법에서는, 우선, 투명 도전층 및 금속층을 가지는 지지 기재(基材) 상에, 감광성 수지 조성물을 사용하여, 제1의 감광성 수지 조성물층을 형성한다(제1의 감광성 수지 조성물층 형성 공정). 다음으로, 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시키고(제1의 노광 공정), 그 후, 미경화 부분을 금속층 상으로부터 제거함으로써, 금속층 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물을 포함하는 레지스트 패턴을 형성한다(제1의 현상 공정). 다음으로, 에칭 처리에 의해, 금속층 및 투명 도전층을 제거한다(제1의 에칭 공정). 이어서, 레지스트 패턴을 금속층 상으로부터 박리, 제거한다(제1의 박리 공정). 계속하여, 새롭게, 감광성 수지 조성물을 사용하여, 금속층 상에 제2의 감광성 수지 조성물층을 형성한다(제2의 감광성 수지 조성물층 형성 공정). 다음으로, 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화시키고(제2의 노광 공정), 그 후, 미경화 부분을 금속층 상으로부터 제거함으로써, 금속층 상에, 레지스트 패턴을 형성한다(제2의 현상 공정). 다음으로, 센서 부위에서 불필요한 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 금속층만을 에칭 처리에 의해 제거하고(제2의 에칭 공정), 최종적으로, 레지스트 패턴을 박리, 제거함으로써 터치 센서부를 제조한다. In order to manufacture a touch sensor part in which L/S is small as a pattern of outgoing wiring and the pitch of outgoing wiring is narrow, the formation method of the touch sensor part using the technique of photolithography is proposed (for example, refer patent document 1). . In the manufacturing method of this touch sensor part, first, on the support base material which has a transparent conductive layer and a metal layer, using the photosensitive resin composition, the 1st photosensitive resin composition layer is formed (1st photosensitive resin composition) layer forming process). Next, a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer is irradiated with actinic light to harden the exposed portion (the first exposure step), and then, the uncured portion is removed from the metal layer, on the metal layer, on the photosensitive resin composition. A resist pattern containing a cured product is formed (first development step). Next, the metal layer and the transparent conductive layer are removed by etching (first etching step). Next, the resist pattern is peeled and removed from the metal layer (first peeling step). Then, a 2nd photosensitive resin composition layer is newly formed on a metal layer using the photosensitive resin composition (2nd photosensitive resin composition layer formation process). Next, a resist pattern is formed on the metal layer by irradiating actinic light to a predetermined portion of the photosensitive resin composition layer to harden the exposed portion (second exposure step), and then removing the uncured portion from the metal layer. (second developing step). Next, only the metal layer on which the unnecessary resist pattern is not formed in the sensor portion is removed by etching (the second etching step), and finally, the resist pattern is peeled off and removed to manufacture the touch sensor portion.

이와 같은 터치 센서부의 제조 방법에서는, 포트리소그래피의 기법을 이용함으로써, 원리적으로 L/S를 30/30(단위: ㎛) 이하로 하는 것이 가능하고, 터치 패널의 박형(薄型) 경량화에 크게 공헌할 수 있다. 한편, 터치 센서부의 투명 도전층은, 예를 들면, 산화인듐주석(ITO)을 스퍼터링의 기법을 이용하여 제막함으로써 형성된다. 또한, 투명 도전층 상에 형성되는 금속층은, 예를 들면, 투명 도전층과 동일하게, 스퍼터링의 기법을 이용하여 형성된다. 스퍼터링의 기법을 사용하여 형성된 투명 도전층 및 금속층의 표면은 매우 높은 평활성을 가지고 있다. 매우 높은 평활성을 가지는 금속층과 감광성 수지 조성물과의 밀착성은 저하되는 경우가 있기 때문에, 구리, 구리와 니켈과의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리와의 합금 등이 사용되는 금속층에 대하여, 사용하는 감광성 수지 조성물에는, 높은 밀착성이 요구된다. In such a method for manufacturing the touch sensor unit, by using the technique of photolithography, in principle, it is possible to make L/S 30/30 (unit: μm) or less, which greatly contributes to the reduction in thickness and weight of the touch panel. can do. On the other hand, the transparent conductive layer of the touch sensor unit is formed by, for example, forming a film of indium tin oxide (ITO) using a sputtering technique. In addition, the metal layer formed on the transparent conductive layer is formed using the technique of sputtering similarly to a transparent conductive layer, for example. The surfaces of the transparent conductive layer and the metal layer formed using the sputtering technique have very high smoothness. Since the adhesion between the metal layer having very high smoothness and the photosensitive resin composition may be lowered, copper, an alloy of copper and nickel, a molybdenum-aluminum-molybdenum laminate, an alloy of silver, palladium and copper, etc. are used. High adhesiveness is calculated|required of the photosensitive resin composition to be used with respect to a metal layer.

또한, 투명 도전층에는, 에칭 처리의 용이함의 관점에서, 예를 들면, 비정성(非晶性)의 ITO가 사용된다. 여기서, 비정성의 ITO는 저항값이 높기 때문에, 예를 들면, 가열(어닐) 처리에 의해 ITO의 결정화를 실시하는 것으로, 저항값을 내리고 있다. 그러나, 최근, 터치 패널의 박형 경량화에 따라, 터치 패널부의 지지 기재로서, 필름 기재를 사용하는 것이 요구되고 있다. 지지 기재로서 필름 기재를 사용하는 경우, 어닐 처리를 실시하면 필름 기재의 수축이 일어나는 등 치수 안정성이 악화된다. 그 때문에, 투명 도전층의 패턴을 형성하기 전에, 투명 도전층으로서 결정성의 ITO를 사용하는 것이 필요하다. In addition, amorphous ITO is used for a transparent conductive layer from a viewpoint of the easiness of an etching process, for example. Here, since amorphous ITO has a high resistance value, the resistance value is lowered|hung by performing crystallization of ITO by heating (annealing) process, for example. However, using a film base material as a support base material of a touch panel part is calculated|required with thinning and weight reduction of a touch panel in recent years. When a film base material is used as a support base material, dimensional stability deteriorates, such as shrinkage|contraction of a film base material occurring when annealing is performed. Therefore, before forming the pattern of a transparent conductive layer, it is necessary to use crystalline ITO as a transparent conductive layer.

비정성의 ITO는, 옥살산 등의 약산으로 충분히 용해할 수 있지만, 결정성의 ITO는 농염산(>20질량%) 등의 강산을 사용하고, 또한 가열 조건(40∼50℃ 정도)으로 에칭할 필요가 있다. 그 때문에, 사용하는 감광성 수지 조성물에는, 높은 내산성, 즉, 강산을 사용한 에칭에 의해, 금속층과의 밀착성을 확보할 수 있고, 강산에 의해 금속이 부식되기 어려운 것이 요구되고 있다. Amorphous ITO can be sufficiently dissolved with a weak acid such as oxalic acid. For crystalline ITO, it is necessary to use a strong acid such as concentrated hydrochloric acid (> 20% by mass) and to etch under heating conditions (about 40 to 50°C). there is Therefore, it is calculated|required by the photosensitive resin composition to be used that adhesiveness with a metal layer can be ensured by high acid resistance, ie, etching using a strong acid, and a metal is hard to be corroded by a strong acid.

내산성(강산 중에 침지한 후의 밀착성)을 향상시키는 기술로서, 특정의 에폭시 화합물, 광중합성 화합물 및 광중합 개시제를 필수 성분으로 하는 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). As a technique for improving acid resistance (adhesiveness after immersion in a strong acid), a photosensitive resin composition comprising a specific epoxy compound, a photopolymerizable compound, and a photoinitiator as essential components has been proposed (for example, refer to Patent Document 2).

또한, 레지스트 패턴의 L/S를 30/30(단위: ㎛) 이하로 하고, 높은 해상성을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 경우, 레지스트 패턴의 기복, 결함, 박리 등의 불량이 발생하기 쉬워진다. 불량의 발생에 의해, 센서 부위의 전극 및 인출 배선에 단락(短絡) 및 단선이 발생할 가능성이 있다. 따라서, 레지스트 패턴에는, 기복, 결함, 박리 등이 발생하지 않는 것이 요구되고 있다. In addition, when the resist pattern L/S is set to 30/30 (unit: mu m) or less and a resist pattern having high resolution is formed, defects such as undulations, defects, and peeling of the resist pattern are likely to occur. Due to the occurrence of the defect, there is a possibility that a short circuit or disconnection may occur in the electrode and the lead wiring in the sensor portion. Therefore, it is calculated|required that undulations, defects, peeling, etc. do not generate|occur|produce in a resist pattern.

이와 같은 레지스트 패턴의 불량을 저감하기 위해서, 여러 가지의 감광성 수지 조성물이 검토되고 있다. 예를 들면, 특정의 가교제, 특정의 실란 커플링제 등을 첨가하는 것, 특정의 구조 단위를 가지는 바인더 폴리머를 필수 성분으로 하는 것 등이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3∼7 참조). In order to reduce the defect of such a resist pattern, various photosensitive resin compositions are examined. For example, adding a specific crosslinking agent, a specific silane coupling agent, etc., using a binder polymer which has a specific structural unit as an essential component, etc. are proposed (for example, refer patent documents 3-7) .

특허문헌 1 : 특허 제 4855536호 공보Patent Document 1: Patent No. 4855536 Publication 특허문헌 2 : 특허 제 4219641호 공보Patent Document 2: Patent No. 4219641 Publication 특허문헌 3 : 일본 특허공개 2002-040645호 공보Patent Document 3: Japanese Patent Laid-Open No. 2002-040645 특허문헌 4 : 일본 특허공개 2002-268215호 공보Patent Document 4: Japanese Patent Laid-Open No. 2002-268215 특허문헌 5 : 일본 특허공개 2008-112146호 공보Patent Document 5: Japanese Patent Laid-Open No. 2008-112146 특허문헌 6 : 일본 특허공개 2009-042720호 공보Patent Document 6: Japanese Patent Laid-Open No. 2009-042720 특허문헌 7 : 일본 특허공개 2003-107695호 공보Patent Document 7: Japanese Patent Laid-Open No. 2003-107695

그러나, 특허문헌 2에 기재된 감광성 수지 조성물은, 기재와의 밀착성이 불충분하기 때문에, 해상성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하는 것이 곤란하고, 레지스트 패턴의 불량이 발생하는 경우가 있었다. 또한, 특허문헌 3∼7에 기재된 감광성 수지 조성물은, ITO 에칭 시에 레지스터의 박리, 결함 등의 불량이 발생하는 경우가 있었다. 또한, 선행 기술 문헌에 기재된 감광성 수지 조성물은, 크로스컷 시험법 등을 이용하여 밀착성을 어렵게 평가했을 때, 요구 성능을 충분히 만족하고 있다고는 할 수 없는 경우가 있었다. However, since the photosensitive resin composition of patent document 2 has insufficient adhesiveness with a base material, it is difficult to form the resist pattern excellent in resolution, and the defect of a resist pattern may generate|occur|produce. Moreover, defects, such as peeling of a resist, and a defect, may generate|occur|produce in the photosensitive resin composition of patent documents 3-7 at the time of ITO etching. Moreover, when the photosensitive resin composition described in a prior art document evaluated adhesively using the cross-cut test method etc. with difficulty, it may not be able to say that the requested|required performance is fully satisfied.

본 개시는, 이와 같은 과제를 해결하기 위해 이루어진 것이고, 기재에 대한 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴이 형성 가능하게 되는 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. This indication was made in order to solve such a subject, and an object of this disclosure is to provide the photosensitive resin composition from which the resist pattern excellent in adhesiveness to a base material can be formed.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 (銳意) 검토를 거듭한 결과, 소정의 성분을 함유하는 ITO 에칭용 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 기재에 대한 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있다는 것을 발견했다. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors discovered that the resist pattern excellent in adhesiveness to a base material can be formed by using the photosensitive resin composition for ITO etching containing a predetermined component, as a result of repeating earnest examination in order to solve the said subject. did.

즉, 본 개시의 제1의 태양(態樣)은, (A)성분: 바인더 폴리머, (B)성분: 광중합성 화합물, 및 (C)성분: 광중합 개시제를 함유하고, 상기 (B)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물에 관한 것이다. That is, the 1st aspect of this indication contains (A) component: a binder polymer, (B) component: a photopolymerizable compound, and (C) component: a photoinitiator, and said (B) component , It relates to the photosensitive resin composition for ITO etching containing the (meth)acrylate compound represented by following General formula (1).

Figure 112015023700686-pat00001
Figure 112015023700686-pat00001

여기서, 일반식(1) 중, R1은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다. R2는, 히드록실기를 함유하는 알킬렌기 또는 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. R3은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.Here, in general formula (1), R< 1 > represents an acryloyl group or a methacryloyl group. R 2 represents an alkylene group containing a hydroxyl group or a polyoxyalkylene group having a hydroxyl group. R 3 represents an acryloyl group, a methacryloyl group, an alkyl group, or an aryl group.

이와 같은 감광성 수지 조성물은, 매우 높은 평활성을 가지는 기재에 대한 밀착성이 큰 폭으로 향상되기 때문에, ITO 에칭용에서는 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. Since the adhesiveness with respect to the base material which has very high smoothness of such a photosensitive resin composition improves significantly, in the object for ITO etching, the resist pattern excellent in adhesiveness can be formed.

상기 (B)성분은, (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 레지스터의 내산성이 한층 향상되고, ITO 에칭 시에 레지스터의 팽윤에 의한 박리를 한층 현저하게 억제할 수 있다. The said (B) component may contain the bisphenol A type|mold di(meth)acrylate compound which has a (poly)oxyethylene group and a (poly)oxypropylene group. According to such a photosensitive resin composition, the acid resistance of a resist improves still more, and peeling by swelling of a resist can be suppressed further remarkably at the time of ITO etching.

상기 (B)성분은, 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이에 의해, 레지스터에 유연성을 부여하는 것이 가능하게 되고, 또한, 레지스터의 내산성이 향상된다. The said (B) component may contain the urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group. Thereby, it becomes possible to provide flexibility to a resistor, and also improves the acid resistance of a resistor.

본 개시의 제2의 태양은, 지지체와, 그 지지체의 일면 상에 설치된 상기 제 1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는, 감광성 엘리먼트에 관한 것이다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 감광성 수지 조성물층을 구비하기 때문에, 평활성이 높은 기판에 대하여 뛰어난 밀착성을 가지므로, 해상성이 뛰어난 패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다. A second aspect of the present disclosure relates to a photosensitive element comprising a support and a photosensitive resin composition layer formed using the photosensitive resin composition according to the first aspect provided on one surface of the support. According to such a photosensitive element, since the photosensitive resin composition layer formed using the photosensitive resin composition which concerns on the 1st aspect is provided, since it has outstanding adhesiveness with respect to the board|substrate with high smoothness, it forms the pattern excellent in resolution. it becomes possible to do

본 개시의 제3의 태양은, 기재 상에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물 또는 제2의 태양에 관련되는 감광성 엘리먼트를 사용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 제1의 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 제2의 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 상기 경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 상으로부터 제거하여, 상기 경화물 영역으로 이루어지는 레지스트 패턴을 얻는 제3의 공정을 가지는, 레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 이와 같은 레지스트 패턴의 형성 방법에 의하면, 평활성이 높은 기판에 대하여도 뛰어난 밀착성을 가지기 때문에, 해상성이 뛰어난 패턴을 형성하는 것이 가능하게 된다. A third aspect of the present disclosure is a first step of forming a photosensitive resin composition layer on a substrate by using the photosensitive resin composition according to the first aspect or the photosensitive element according to the second aspect; A second step of curing a part of the photosensitive resin composition layer by irradiation with actinic light to form a cured product region, and removing a region other than the cured product region of the photosensitive resin composition layer from the substrate Thus, it relates to a method of forming a resist pattern, comprising a third step of obtaining a resist pattern comprising the cured product region. According to such a resist pattern formation method, since it has excellent adhesiveness also with respect to the board|substrate with high smoothness, it becomes possible to form the pattern excellent in resolution.

본 개시의 제4의 태양은, 지지 기재와, 그 지지 기재의 일면 상에 설치된 산화인듐주석을 포함하는 투명 도전층과 그 투명 도전층 상에 설치된 금속층을 구비하는 적층 기재의, 상기 금속층 상에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트 패턴을 형성하는 제1의 공정과, 상기 금속층 및 상기 투명 도전층을 에칭하여, 상기 투명 도전층의 잔부(殘部) 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과, 상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명 도전층의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다. A fourth aspect of the present disclosure is a laminated substrate comprising a supporting substrate, a transparent conductive layer containing indium tin oxide provided on one surface of the supporting substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer, on the metal layer a first step of forming a resist pattern made of a cured product of the photosensitive resin composition according to the first aspect; and etching the metal layer and the transparent conductive layer to obtain the remainder of the transparent conductive layer and the A second step of forming a laminated pattern composed of the remainder of the metal layer, and removing the metal layer from a part of the laminated pattern to form a transparent electrode composed of the remainder of the transparent conductive layer and a metal wiring composed of the remainder of the metal layer It is related with the manufacturing method of the touch panel which has a 3rd process.

이와 같은 터치 패널의 제조 방법에 의하면, 레지스트 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 수지 조성물층으로 형성된 것이기 때문에, 에칭 처리에 있어서의 레지스트 패턴의 박리 등이 충분히 억제되고, 용이하고 또한 효율적으로 협피치의 터치 패널(예를 들면, L/S가 30/30 이하인 인출 배선을 가지는 터치 패널)을 제조할 수 있다. According to such a method for manufacturing a touch panel, since the resist pattern is formed of the photosensitive resin composition layer using the photosensitive resin composition according to the first aspect, peeling of the resist pattern in the etching process is sufficiently suppressed, It is possible to easily and efficiently manufacture a narrow-pitch touch panel (for example, a touch panel having outgoing wiring having an L/S of 30/30 or less).

상기 투명 도전층은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고 있어도 되고, 상기 제2의 공정에 있어서의 에칭은, 강산에 의한 에칭이어도 된다. 상기 제조 방법에 있어서는, 레지스트 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 수지 조성물층으로부터 형성된 것이기 때문에, 강산에 의한 에칭에 의해서도 레지스트 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다. 그 때문에, 상기 제조 방법은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하는 투명 도전층을 구비하는 적층 기재를 사용한 터치 패널의 제조에 적합하게 적용할 수 있다. The transparent conductive layer may contain crystalline indium tin oxide, and the etching by a strong acid may be sufficient as the etching in the said 2nd process. In the manufacturing method, since the resist pattern is formed from the photosensitive resin composition layer using the photosensitive resin composition according to the first aspect, peeling of the resist pattern is sufficiently suppressed even by etching with a strong acid. Therefore, the said manufacturing method is suitably applicable to manufacture of the touchscreen using the laminated|multilayer base material provided with the transparent conductive layer containing crystalline indium tin oxide.

본 개시에 의하면, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성하는 것이 가능한 감광성 수지 조성물이 제공된다. 또한, 본 개시에 의하면, 해당 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법이 제공된다. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this indication, the photosensitive resin composition which can form the resist pattern excellent in adhesiveness with respect to the base material with high smoothness is provided. Moreover, according to this indication, the formation method of the photosensitive element using this photosensitive resin composition, a resist pattern, and the manufacturing method of a touch panel are provided.

도 1은 본 개시의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
도 2는 터치 패널의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다.
도 3은 본 개시의 터치 패널의 제조 방법의 일 태양을 나타내는 모식 단면도이다
도 4는 본 개시를 이용하여 얻어지는 터치 패널의 일 태양을 나타내는 상면도이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of the photosensitive element of this indication.
2 is a schematic cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a touch panel.
3 is a schematic cross-sectional view showing an aspect of a method for manufacturing a touch panel of the present disclosure;
4 is a top view showing an aspect of a touch panel obtained by using the present disclosure.

이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 개시는 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, (메타)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다. Hereinafter, the form for implementing this indication is demonstrated in detail. However, this indication is not limited to the following embodiment. In addition, in this specification, (meth)acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid, and (meth)acrylate means an acrylate or the methacrylate corresponding to it.

또한 본 명세서에 있어서, (폴리)옥시알킬렌기란, 옥시알킬렌기 또는 2이상의 알킬렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시알킬렌기의 적어도 1종을 의미한다. (폴리)옥시에틸렌기란, 옥시에틸렌기 또는 2이상의 에틸렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시에틸렌기의 적어도 1종을 의미하고, (폴리)옥시프로필렌기는 옥시프로필렌기 또는 2이상의 프로필렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시프로필렌기의 적어도 1종을 의미한다. 또한 「EO변성」이란, (폴리)옥시에틸렌기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「PO변성」이란, (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「EO·PO변성」이란, (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기의 양쪽을 가지는 화합물인 것을 의미한다. 또한, 「층」이라는 용어는, 평면도로서 관찰했을 때에, 전면(全面)에 형성되어 있는 형상의 구조에 더하여, 일부에 형성되어 있는 형상의 구조도 포함된다. In addition, in this specification, the (poly)oxyalkylene group means at least 1 sort(s) of the polyoxyalkylene group which an oxyalkylene group or two or more alkylene groups were connected by the ether bond. The (poly)oxyethylene group means at least one type of polyoxyethylene group in which an oxyethylene group or two or more ethylene groups are connected by an ether bond, and the (poly)oxypropylene group is an oxypropylene group or a poly(poly) group in which two or more propylene groups are connected by an ether bond. It means at least 1 sort(s) of an oxypropylene group. In addition, "EO modified" means that it is a compound which has a (poly)oxyethylene group, "PO modified" means that it is a compound which has a (poly)oxypropylene group, and "EO/PO modified" means that it is (poly) It means that it is a compound which has both an oxyethylene group and a (poly)oxypropylene group. In addition, when the term "layer" observes as a top view, in addition to the structure of the shape formed in the whole surface, the structure of the shape currently formed in part is also included.

또한, 「∼」를 이용하여 나타낸 수치 범위는, 「∼」의 전후에 기재되는 수치를, 각각 최소값 및 최대값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 또한, 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어느 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 다른 단계의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환되어도 된다. 또한, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환되어도 된다. In addition, the numerical range shown using "-" represents the range which includes the numerical value described before and after "-" as a minimum value and a maximum value, respectively. In addition, in the numerical range described in stages in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range of one stage may be substituted with the upper limit or lower limit of the numerical range of another stage. In addition, in the numerical range described in this specification, the upper limit or lower limit of the numerical range may be substituted with the value shown in the Example.

<감광성 수지 조성물><Photosensitive resin composition>

본 실시형태에 관련되는 ITO 에칭용 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 「감광성 수지 조성물」이라고 한다.)은, (A)성분: 바인더 폴리머, (B)성분: 광중합성 화합물, 및 (C)성분: 광중합 개시제를 함유하고, (B)성분으로서 하기 일반식(1)을 가지는 (메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는, 감광성 수지 조성물이다. The photosensitive resin composition for ITO etching which concerns on this embodiment (hereinafter, simply referred to as "photosensitive resin composition") is (A) component: binder polymer, (B) component: photopolymerizable compound, and (C) component: It is a photosensitive resin composition containing a photoinitiator and containing the (meth)acrylate compound which has following General formula (1) as (B) component.

Figure 112015023700686-pat00002
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여기서, 일반식(1) 중, R1은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다. R2는, 히드록실기를 함유하는 알킬렌기 또는 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. R3은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.Here, in general formula (1), R< 1 > represents an acryloyl group or a methacryloyl group. R 2 represents an alkylene group containing a hydroxyl group or a polyoxyalkylene group having a hydroxyl group. R 3 represents an acryloyl group, a methacryloyl group, an alkyl group, or an aryl group.

이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 얻어지는 레지스트 패턴은, 염산을 사용하여 ITO를 에칭했을 경우이어도, 박리 또는 결함이 발생하기 어려운 경향이 있다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, ITO 에칭용으로서, 특히 결정성 ITO를 포함하는 투명 도전층의 에칭용으로서 적합하다. According to such a photosensitive resin composition, the resist pattern excellent in the adhesiveness to the base material with high smoothness can be formed. Moreover, even when the resist pattern obtained is a case where ITO is etched using hydrochloric acid, there exists a tendency for peeling or a defect to be hard to generate|occur|produce. Therefore, the photosensitive resin composition which concerns on this embodiment is suitable as an object for ITO etching, and especially for the object for etching of the transparent conductive layer containing crystalline ITO.

이와 같은 효과가 발휘되는 이유로서는, 기재의 최표면에 있는 금속층의 히드록실기와 상기 일반식(1)에 포함되는 히드록실기가 수소 결합을 형성하기 위해서 높은 밀착성을 발현하는 것이라고 생각한다. As a reason for such an effect to be exhibited, it is thought that the hydroxyl group of the metal layer in the outermost surface of a base material and the hydroxyl group contained in the said General formula (1) express high adhesiveness in order to form a hydrogen bond.

(A)성분: 바인더 폴리머(A) Component: Binder Polymer

감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서 바인더 폴리머를 적어도 1종 함유한다. 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 중합성 단량체(모노머)를 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체를 들 수 있다. The photosensitive resin composition contains at least 1 type of binder polymer as (A) component. As a binder polymer, the polymer obtained by radical polymerization of a polymerizable monomer (monomer) is mentioned, for example.

중합성 단량체(모노머)로서는, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르, 스티렌, α-위치 또는 방향족환에 있어서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체, 아크릴아미드, 아크릴아미드 유도체, 아크릴로니트릴, 비닐알코올의 에테르 화합물, 말레산, 말레산무수물, 말레산모노에스테르, 불포화 카르본산 유도체 등을 들 수 있다. (메타)아크릴산에스테르로서는, (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산벤질 유도체, (메타)아크릴산푸르푸릴, (메타)아크릴산테트라히드로푸르푸릴, (메타)아크릴산이소보닐, (메타)아크릴산아다만틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산글리시딜, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, α-브로모아크릴산, α-크롤아크릴산, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시에틸, (메타)아크릴산이소보닐옥시에틸, (메타)아크릴산시클로헥실옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시프로필옥시에틸, β-프릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산 등을 들 수 있다. α-위치 또는 방향족환에 있어서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체로서는, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등을 들 수 있다. 아크릴아미드 유도체로서는, 디아세톤아크릴아미드 등을 들 수 있다. 비닐알코올의 에테르 화합물로서는, 비닐-n-부틸에테르 등을 들 수 있다. 말레산모노에스테르로서는, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등을 들 수 있다. 불포화 카르본산 유도체로서는, 푸말산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다. Examples of the polymerizable monomer (monomer) include (meth)acrylic acid, (meth)acrylic acid ester, styrene, a polymerizable styrene derivative substituted at the α-position or an aromatic ring, acrylamide, acrylamide derivative, acrylonitrile, vinyl alcohol ether compounds, maleic acid, maleic anhydride, maleic acid monoesters, unsaturated carboxylic acid derivatives, and the like. As (meth)acrylic acid ester, (meth)acrylic acid alkylester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, (meth)acrylic acid benzyl, (meth)acrylic acid benzyl derivative, (meth)acrylic acid furfuryl, (meth)acrylic acid tetrahydrofurfuryl , (meth) acrylate isobornyl, (meth) acrylate adamantyl, (meth) acrylate dicyclopentanyl, (meth) acrylate dimethylaminoethyl, (meth) acrylate diethylaminoethyl, (meth) acrylate glycidyl, 2,2,2-trifluoroethyl (meth)acrylate, 2,2,3,3-tetrafluoropropyl (meth)acrylate, α-bromoacrylic acid, α-chloroacrylic acid, (meth)acrylic acid dish Clopentenyloxyethyl, (meth)acrylic acid dicyclopentanyloxyethyl, (meth)acrylic acid isobornyloxyethyl, (meth)acrylic acid cyclohexyloxyethyl, (meth)acrylic acid adamantyloxyethyl, (meth)acrylic acid dish Clopentenyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylic acid dicyclopentanyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxypropyloxyethyl, (meth)acrylic acid adamantyloxypropyloxyethyl, β-pril (meth)acrylic acid ) acrylic acid, β-styryl (meth)acrylic acid, and the like. Examples of the polymerizable styrene derivative substituted at the α-position or the aromatic ring include vinyltoluene and α-methylstyrene. As an acrylamide derivative, diacetone acrylamide etc. are mentioned. Vinyl-n-butyl ether etc. are mentioned as an ether compound of vinyl alcohol. Monomethyl maleate, monoethyl maleate, monoisopropyl maleate, etc. are mentioned as maleic acid monoester. Examples of the unsaturated carboxylic acid derivative include fumaric acid, cinnamic acid, α-cyanocinnamic acid, itaconic acid, crotonic acid, and propiolic acid. These can be used individually or in combination of 2 or more types arbitrarily.

(A)성분은, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가지는 것이 바람직하다. (A)성분이, (메타)아크릴산에서 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 박리성(에칭 후의 레지스터 박리성)이 뛰어난 점에서는, (A)성분의 전량을 기준(100질량%, 이하 동일)으로 하여, 10질량%∼60질량%인 것이 바람직하고, 15질량%∼50질량%인 것이 보다 바람직하고, 20질량%∼35질량%인 것이 더욱 바람직하다. (A) It is preferable that component has a structural unit derived from (meth)acrylic acid. When component (A) has a structural unit derived from (meth)acrylic acid, the content is excellent in resolution and peelability (resistor peelability after etching), based on the whole quantity of component (A) (100 mass) %, hereinafter the same), preferably 10 mass % to 60 mass %, more preferably 15 mass % to 50 mass %, still more preferably 20 mass % to 35 mass %.

또한, (A)성분은, 아크릴 현상성 및 박리성이 한층 향상되는 관점에서, (메타)아크릴산알킬에스테르에서 유래하는 구조 단위를 가지는 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that (A) component has a structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester from a viewpoint in which acryl developability and peelability improve further.

(메타)아크릴산알킬에스테르로서는, (메타)아크랄산과 탄소수 1∼12의 알킬알코올과의 에스테르가 바람직하다. 이와 같은 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다. As (meth)acrylic acid alkylester, ester of (meth)acrylic acid and C1-C12 alkyl alcohol is preferable. As such (meth)acrylic acid alkylester, for example, (meth)acrylate methyl, (meth)acrylate, (meth)acrylic acid propyl, (meth)acrylate butyl, (meth)acrylate pentyl, (meth)acrylate hexyl and (meth)acrylic acid 2-ethylhexyl can be mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types arbitrarily.

(A)성분이 (메타)아크릴산알킬에스테르에서 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, (A)성분의 전량을 기준으로 하여 40질량%∼90질량%인 것이 바람직하고, 50질량%∼85질량%인 것이 보다 바람직하고, 65질량%∼80질량%인 것이 더욱 바람직하다. When the component (A) has a structural unit derived from alkyl (meth)acrylic acid alkylester, the content is 40% by mass to 90% by mass based on the total amount of the component (A) from the viewpoint of excellent resolution and adhesiveness. It is preferable that they are 50 mass % - 85 mass %, It is more preferable that they are 65 mass % - 80 mass %.

(A)성분의 산가는, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 90mgKOH/g∼250mgKOH/g인 것이 바람직하고, 100mgKOH/g∼240mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 120mgKOH/g∼235mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하고, 130mgKOH/g∼230mgKOH/g인 것이 특히 바람직하다. (A) From the point excellent in developability and adhesiveness, as for the acid value of component, it is preferable that they are 90 mgKOH/g - 250 mgKOH/g, It is more preferable that they are 100 mgKOH/g - 240 mgKOH/g, It is 120 mgKOH/g - 235 mgKOH/g It is more preferable, and it is especially preferable that it is 130 mgKOH/g - 230 mgKOH/g.

현상 시간을 단축하는 점에서, 이 산가는 90mgKOH/g 이상인 것이 바람직하고, 100mgKOH/g 이상인 것이 보다 바람직하고, 120mgKOH/g 이상인 것이 더욱 바람직하고, 130mgKOH/g 이상인 것이 특히 바람직하다. From the viewpoint of shortening the development time, the acid value is preferably 90 mgKOH/g or more, more preferably 100 mgKOH/g or more, still more preferably 120 mgKOH/g or more, and particularly preferably 130 mgKOH/g or more.

또한, 감광성 수지 조성물의 경화물의 밀착성이 한층 향상되는 점에서, 이 산가는 250mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 240mgKOH/g 이하인 것이 보다 바람직하고, 235mgKOH/g 이하인 것이 더욱 바람직하고, 230mgKOH/g 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 용제 현상을 실시하는 경우는, (메타)아크릴산 등의 카르복실기를 가지는 중합성 단량체(모노머)를 소량으로 조정하는 것이 바람직하다. In addition, since the adhesiveness of the hardened|cured material of the photosensitive resin composition improves further, it is preferable that this acid value is 250 mgKOH/g or less, It is more preferable that it is 240 mgKOH/g or less, It is more preferable that it is 235 mgKOH/g or less, It is more preferable that it is 230 mgKOH/g or less Especially preferred. Moreover, when performing solvent image development, it is preferable to adjust in a small amount the polymerizable monomer (monomer) which has carboxyl groups, such as (meth)acrylic acid.

(A)성분의 중량평균분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정(표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의해 환산)했을 경우, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000∼200000인 것이 바람직하고, 20000∼100000인 것이 보다 바람직하고, 25000∼80000인 것이 더욱 바람직하고, 30000∼60000인 것이 특히 바람직하다. 현상성이 뛰어난 점에서는, 200000 이하인 것이 바람직하고, 100000 이하인 것이 보다 바람직하고, 80000 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60000 이하인 것이 특히 바람직하다. 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000 이상인 것이 바람직하고, 20000 이상인 것이 보다 바람직하고, 25000 이상인 것이 더욱 바람직하고, 30000 이상인 것이 특히 바람직하다. (A) When the weight average molecular weight (Mw) of the component is measured by gel permeation chromatography (GPC) (converted by a calibration curve using standard polystyrene), it is excellent in developability and adhesiveness, it is 10,000 to 20,000 It is preferable, it is more preferable that it is 20000-100000, It is still more preferable that it is 25000-80000, It is especially preferable that it is 30000-60000. From the point of excellent developability, it is preferable that it is 200000 or less, It is more preferable that it is 100000 or less, It is still more preferable that it is 80000 or less, It is especially preferable that it is 60000 or less. From a point excellent in adhesiveness, it is preferable that it is 10000 or more, It is more preferable that it is 20000 or more, It is still more preferable that it is 25000 or more, It is especially preferable that it is 30000 or more.

(A)성분의 분산도(중량평균분자량/수평균분자량)는, 해상도 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 3.0 이하인 것이 바람직하고, 2.8 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.5 이하인 것이 더욱 바람직하다. (A) From a point excellent in resolution and adhesiveness, it is preferable that it is 3.0 or less, It is more preferable that it is 2.8 or less, It is still more preferable that it is 2.5 or less, as for the dispersion degree (weight average molecular weight / number average molecular weight) of component.

(A)성분으로서는, 1종류의 바인더 폴리머를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 바인더 폴리머를 임의로 조합하여 사용해도 된다. (A) As a component, 1 type of binder polymer may be used independently and you may use it combining arbitrarily two or more types of binder polymers.

감광성 수지 조성물에 있어서의 (A)성분의 함유량은, 필름 형성성(形成性), 감도 및 해상도가 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에 30질량부∼70질량부로 하는 것이 바람직하고, 35질량부∼65질량부로 하는 것이 보다 바람직하고, 40질량부∼60질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 필름(감광성 수지 조성물층)의 형성성의 점에서, 이 함유량은 30질량부 이상인 것이 바람직하고, 35질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 40질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 감도 및 해상도가 균형있게 향상되는 점에서는, 이 함유량은 70질량부 이하인 것이 바람직하고, 65질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 60질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다. Content of (A) component in the photosensitive resin composition is 30 mass parts - 70 mass parts in 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component at the point excellent in film formability, a sensitivity, and resolution It is preferable to set it as mass parts, It is more preferable to set it as 35 mass parts - 65 mass parts, It is especially preferable to set it as 40 mass parts - 60 mass parts. From the point of the formability of a film (photosensitive resin composition layer), it is preferable that this content is 30 mass parts or more, It is more preferable that it is 35 mass parts or more, It is especially preferable that it is 40 mass parts or more. Moreover, it is preferable that it is 70 mass parts or less, and, as for this content, it is more preferable that it is 65 mass parts or less, and it is still more preferable that it is 60 mass parts or less at the point which a sensitivity and a resolution improve in a balanced way.

(B)성분: 광중합성 화합물(B) Component: Photopolymerizable compound

감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서 상기 일반식(1)로 표시되는 화합물을 함유한다. The photosensitive resin composition contains the compound represented by the said General formula (1) as (B) component.

식(1) 중, R2에 있어서, 1개 이상의 히드록실기를 가지는 알킬렌기로서는, 일반식 -(CH2)n-(n은 3∼10의 정수)로 표시되는, 프로필렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기 등에 있어서의 수소 원자의 하나 이상이 히드록실기로 치환된 기 등이 예시된다. 히드록실기의 수는, 1 또는 2인 것이 바람직하다. 또한, R2에 있어서, 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기로서는, 상술한 알킬렌기가 에테르 결합으로 결합한 폴리옥시알킬렌기에 있어서의 수소 원자의 하나 이상이 히드록실기로 치환된 기 등이 예시된다. In Formula (1), as an alkylene group which has one or more hydroxyl groups in R< 2 >, it is a propylene group and trimethylene represented by the general formula -(CH2) n- ( n is an integer of 3-10). The group etc. in which one or more of the hydrogen atoms in a group, a tetramethylene group, etc. were substituted by the hydroxyl group are illustrated. It is preferable that the number of hydroxyl groups is 1 or 2. Further, in R 2 , examples of the polyoxyalkylene group having a hydroxyl group include a group in which at least one hydrogen atom in the polyoxyalkylene group to which the above-described alkylene group is bonded by an ether bond is substituted with a hydroxyl group. do.

식(1) 중, R3에 있어서, 알킬기로서는, 탄소수 1∼20의 알킬기인 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등이 예시된다. R3에 있어서, 아릴기로서는, 탄소수 6∼10의 아릴기인 페닐기, 나프틸기 등이 예시된다. In Formula (1), in R< 3 >, as an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc. which are a C1-C20 alkyl group are illustrated. In R 3 , examples of the aryl group include a phenyl group and a naphthyl group that are an aryl group having 6 to 10 carbon atoms.

일반식(1)로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-아크리로일록시프로필(메타)아크릴레이트 및 글리세린디(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-acryroyloxypropyl (meth) acrylate and glycerin di ( meth) acrylate.

(B)성분은, 일반식(1)로 표시되는 화합물 이외의 그 밖의 광중합성 화합물을 더 함유하는 것이 바람직하다. 일반식(1)로 표시되는 화합물 이외의 그 밖의 광중합성 화합물은, 광중합이 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없다. 일반식(1)로 표시되는 화합물 이외의 그 밖의 광중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물인 것이 바람직하고, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물로서는, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 가지는 화합물 등을 들 수 있다. (B) It is preferable that component contains other photopolymerizable compounds other than the compound represented by General formula (1) further. There will be no restriction|limiting in particular as long as it is a compound which can photopolymerize other photopolymerizable compounds other than the compound represented by General formula (1). It is preferable that it is a radically polymerizable compound, and, as for other photopolymerizable compounds other than the compound represented by General formula (1), it is more preferable that it is a compound which has an ethylenically unsaturated bond. Examples of the compound having an ethylenically unsaturated bond include a compound having one ethylenically unsaturated bond in a molecule, a compound having two ethylenically unsaturated bonds in a molecule, and a compound having three or more ethylenically unsaturated bonds in a molecule. .

(B)성분은, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하다. (B)성분이 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물을 포함하는 경우, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물의 함유량은 (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 5질량부∼60질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼55질량부인 것이 보다 바람직하고, 10질량부∼50질량부인 것이 더욱 바람직하다. (B) It is preferable that component contains at least 1 sort(s) of the compound which has two ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator. (B) When component contains the compound which has two ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator, content of the compound which has two ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator in 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component , It is preferable that they are 5 mass parts - 60 mass parts, It is more preferable that they are 5 mass parts - 55 mass parts, It is still more preferable that they are 10 mass parts - 50 mass parts.

분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물, 수소 첨가 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물, 분자내에 우레탄 결합을 가지는 디(메타)아크릴레이트 화합물, 분자내에 (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기의 양쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of the compound having two ethylenically unsaturated bonds in the molecule include a bisphenol A di(meth)acrylate compound, a hydrogenated bisphenol A di(meth)acrylate compound, and a di(meth) urethane bond in the molecule. ) acrylate compounds, and polyalkylene glycol di(meth)acrylates having both (poly)oxyethylene groups and (poly)oxypropylene groups in the molecule, trimethylolpropane di(meth)acrylates, and the like. .

(B)성분은, 내산성을 한층 향상시키는 관점에서, 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물, 및 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물의 양쪽을 포함하는 것이 바람직하다. It is preferable that (B) component contains both the urethane (meth)acrylate compound which has a bisphenol A di(meth)acrylate compound and an isocyanurate group from a viewpoint of improving acid resistance further.

비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물로서는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다. As a bisphenol A type|mold di(meth)acrylate compound, the compound represented by following formula (2) is mentioned.

Figure 112015023700686-pat00003
Figure 112015023700686-pat00003

식(2) 중, R4 및 R5는 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. XO 및 YO는 각각 독립하여, 옥시에틸렌기 또는 옥시프로필렌기를 나타낸다. m1, m2, n1 및 n2는 각각 독립하여 0∼40을 나타낸다. 다만, m1+n1 및 m2+n2는 모두 1 이상이다. XO가 옥시에틸렌기, YO가 옥시프로필렌기인 경우, m1+m2는 1∼40이며, n1+n2는 0∼20이다. XO가 옥시프로필렌기, YO가 옥시에틸렌기인 경우, m1+m2는 0∼20이며, n1+n2는 1∼40이다. m1, m2, n1 및 n2는 구성 단위의 구성 단위수를 나타낸다. 따라서 단일의 분자에 있어서는 정수값을 나타내고, 복수 종의 분자의 집합체로서는 평균값인 유리수를 나타낸다. 이하, 구성 단위의 구성 단위수에 관해서는 동일하다. In formula (2), R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom or a methyl group. XO and YO each independently represent an oxyethylene group or an oxypropylene group. m 1 , m 2 , n 1 and n 2 each independently represent 0-40. However, both m 1 +n 1 and m 2 +n 2 are 1 or more. When XO is an oxyethylene group and YO is an oxypropylene group, m1 + m2 is 1-40 , and n1 + n2 is 0-20. When XO is an oxypropylene group and YO is an oxyethylene group, m1 + m2 is 0-20, and n1 + n2 is 1-40 . m 1 , m 2 , n 1 and n 2 represent the number of structural units of the structural unit. Therefore, an integer value is shown for a single molecule, and a rational number that is an average value is shown as an aggregate of a plurality of types of molecules. Hereinafter, it is the same about the number of structural units of a structural unit.

내산성이 뛰어난 점에서는, 식(2) 중, m1+m2는 8∼40인 것이 바람직하고, 8∼20인 것이 보다 바람직하고, 8∼10인 것이 더욱 바람직하다. From the point of excellent acid resistance, in Formula (2), it is preferable that m< 1 >+m< 2 > is 8-40, It is more preferable that it is 8-20, It is still more preferable that it is 8-10.

감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물의 함유량으로서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼50질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼50질량부인 것이 보다 바람직하다. When the photosensitive resin composition contains a bisphenol A type di(meth)acrylate compound as (B) component, as content of a bisphenol A type di(meth)acrylate compound, the total amount of (A) component and (B) component 100 It is preferable that they are 1 mass part - 50 mass parts in mass parts, and it is more preferable that they are 5 mass parts - 50 mass parts.

이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물로서는, 하기 일반식(3)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다. As a urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group, the compound represented by the following general formula (3) is mentioned.

Figure 112015023700686-pat00004
Figure 112015023700686-pat00004

식(3) 중, R9, R10 및 R11은 독립하여 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. l, m 및 n은 각각 독립하여 0∼40이며, 1+m+n은 1 이상이다. XO는 옥시에틸렌기 또는 옥시프로필렌기를 나타낸다. 1, m 및 n은 구성 단위의 구성 단위수를 나타낸다. In formula (3), R 9 , R 10 and R 11 independently represent a hydrogen atom or a methyl group. l, m, and n are each independently 0-40, and 1+m+n is 1 or more. XO represents an oxyethylene group or an oxypropylene group. 1, m, and n represent the number of structural units of a structural unit.

1+m+n은, 현상성 및 내산성의 관점에서, 3∼30인 것이 바람직하고, 3∼20인 것이 보다 바람직하고, 3∼15인 것이 더욱 바람직하다. From a viewpoint of developability and acid resistance, it is preferable that 1+m+n is 3-30, It is more preferable that it is 3-20, It is still more preferable that it is 3-15.

또한, 상기 일반식(3)으로 표시되는 화합물 중에서, 상업적으로 입수 가능한 것으로서, UA-21(신나카무라가가쿠교교사제, 상품명) 등을 들 수 있다. Moreover, as a commercially available thing among the compounds represented by the said General formula (3), UA-21 (The Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. make, brand name) etc. are mentioned.

감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물의 함유량으로서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼50질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼50질량부인 것이 보다 바람직하다. When the photosensitive resin composition contains the urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group as (B) component, as content of the urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group, (A) component and ( B) It is preferable that they are 1 mass part - 50 mass parts in 100 mass parts of total amounts of a component, and it is more preferable that they are 5 mass parts - 50 mass parts.

감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물에 더하여, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물을 더 함유하고 있어도 된다. The photosensitive resin composition may further contain the compound which has one ethylenically unsaturated bond in a molecule|numerator in addition to the compound which has two ethylenically unsaturated bonds in a molecule|numerator as (B)component.

분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트, 프탈산계 화합물 및 (메타)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 이들 중에서도, 해상도, 밀착성, 레지스터 형상 및 경화 후의 박리 특성을 균형있게 향상시키는 관점에서, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트 또는 프탈산계 화합물을 적어도 어느 1종류를 포함하는 것이 바람직하다. Examples of the compound having one ethylenically unsaturated bond in the molecule include nonylphenoxypolyethyleneoxyacrylate, phthalic acid-based compounds and (meth)acrylic acid alkyl esters. Among these, it is preferable to contain at least any 1 type of nonylphenoxy polyethyleneoxy acrylate or a phthalic acid type compound from a viewpoint of improving the resolution, adhesiveness, resist shape, and peeling characteristic after hardening in a balanced way.

분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 프탈산계 화합물로서는, 예를 들면, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, 2-아크리로일록시에틸-2-히드록시에틸-프탈산 및 2-아크리로일록시에틸프탈산을 들 수 있다. Examples of the phthalic acid compound having one ethylenically unsaturated bond in the molecule include γ-chloro-β-hydroxypropyl-β′-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, 2-acryloyloxyethyl -2-hydroxyethyl-phthalic acid and 2-acryroyloxyethylphthalic acid are mentioned.

감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물을 포함하는 경우, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼30질량부인 것이 바람직하고, 3질량부∼25질량부인 것이 보다 바람직하고, 10질량부∼20질량부인 것이 더욱 바람직하다. When the photosensitive resin composition contains the compound which has one ethylenically unsaturated bond in a molecule|numerator as (B) component, content of the compound which has one ethylenically unsaturated bond in a molecule|numerator of (A) component and (B) component It is preferable that they are 1 mass part - 30 mass parts in 100 mass parts of total amounts, It is more preferable that they are 3 mass parts - 25 mass parts, It is still more preferable that they are 10 mass parts - 20 mass parts.

감광성 수지 조성물에 있어서의 (B)성분 전체의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 30질량부∼70질량부로 하는 것이 바람직하고, 35질량부∼65질량부로 하는 것이 보다 바람직하고, 35질량부∼50질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 이 함유량이 30질량부 이상이면, 감도 및 해상도가 균형있게 향상되는 경향이 있다. 70질량부 이하이면, 필름(감광성 수지 조성물층)을 형성하기 쉽게 되는 경향이 있고, 또한 양호한 레지스터 형상을 얻기 쉽게 되는 경향이 있다. It is preferable that content of the whole (B) component in the photosensitive resin composition shall be 30 mass parts - 70 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, 35 mass parts - 65 mass parts It is more preferable to use it, and it is especially preferable to set it as 35 mass parts - 50 mass parts. When this content is 30 mass parts or more, there exists a tendency for a sensitivity and resolution to improve in a well-balanced way. There exists a tendency for it to become easy to form a film (photosensitive resin composition layer) as it is 70 mass parts or less, and there exists a tendency to become easy to obtain a favorable resist shape.

(C)성분: 광중합 개시제(C) Component: Photoinitiator

감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서 광중합 개시제를 적어도 1종 함유한다. 광중합 개시제는, (B)성분을 중합시킬 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 통상 사용되는 광중합 개시제로부터 적절히 선택할 수 있다. The photosensitive resin composition contains at least 1 type of photoinitiator as (C)component. There will be no restriction|limiting in particular as long as a photoinitiator can superpose|polymerize (B) component, Usually, it can select suitably from the photoinitiator used.

(C)성분으로서는, 방향족 케톤, 퀴논류, 벤조인에테르 화합물, 벤조인 화합물, 벤질 유도체, 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체, 아크리딘 유도체 등을 들 수 있다. 방향족 케톤으로서는, 벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판온-1 등을 들 수 있다. 퀴논류로서는, 알킬안트라퀴논 등을 들 수 있다. 벤조인에테르 화합물로서는, 벤조인알킬에테르 등을 들 수 있다. 벤조인 화합물로서는, 벤조인, 알킬벤조인 등을 들 수 있다. 벤질 유도체로서는, 벤질디메틸케탈 등을 들 수 있다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체로서는, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4, 5-디페닐이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 아크리딘 유도체로서는, 9-페닐아크리딘, 1,7-(9,9'-아크리디닐)헵탄 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. (C) As a component, an aromatic ketone, quinones, a benzoin ether compound, a benzoin compound, a benzyl derivative, a 2,4,5- triaryl imidazole dimer, an acridine derivative, etc. are mentioned. Examples of the aromatic ketone include benzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1, 2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2- Morpholino propanone-1 etc. are mentioned. As quinones, an alkyl anthraquinone etc. are mentioned. Benzoin alkyl ether etc. are mentioned as a benzoin ether compound. Benzoin, alkylbenzoin, etc. are mentioned as a benzoin compound. Benzyl dimethyl ketal etc. are mentioned as a benzyl derivative. Examples of the 2,4,5-triarylimidazole dimer include 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5- A diphenylimidazole dimer etc. are mentioned. Examples of the acridine derivative include 9-phenylacridine and 1,7-(9,9'-acridinyl)heptane. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

(C)성분은, 감도 및 밀착성을 한층 향상시키는 관점에서, 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체의 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체는, 그 구조가 대칭이어도 비대칭이어도 된다. (C) It is preferable that a component contains at least 1 sort(s) of a 2,4,5- triaryl imidazole dimer from a viewpoint of improving a sensitivity and adhesiveness further, 2-(o-chlorophenyl)-4 It is more preferable to include a ,5-diphenylimidazole dimer. The structure of the 2,4,5-triaryl imidazole dimer may be symmetrical or asymmetrical may be sufficient as it.

감광성 수지 조성물에 있어서의 (C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 0.1질량부∼10질량부인 것이 바람직하고, 1질량부∼7질량부인 것이 보다 바람직하고, 2질량부∼6질량부인 것이 더욱 바람직하고, 3질량부∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 이 함유량이 0.1질량부 이상이면 양호한 감도, 해상도 또는 밀착성을 얻기 쉽게 되는 경향이 있고, 10질량부 이하이면 양호한 레지스터 형상을 얻기 쉽게 되는 경향이 있다. It is preferable that content of (C)component in the photosensitive resin composition is 0.1 mass part - 10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, and it is more that they are 1 mass part - 7 mass parts It is preferable, It is more preferable that they are 2 mass parts - 6 mass parts, It is especially preferable that they are 3 mass parts - 5 mass parts. When this content is 0.1 mass part or more, there exists a tendency for a favorable sensitivity, resolution, or adhesiveness to become easy to be acquired, and when it is 10 mass parts or less, there exists a tendency for a favorable resist shape to become easy to be obtained.

(그 밖의 성분)(Other ingredients)

감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 상기 (A)∼(C)성분 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 실란 커플링제, 증감 색소, 비스[4-(디메틸아미노)페닐]메탄, 비스[4-(디에틸아미노)페닐]메탄 및 로이코 크리스탈 바이올렛으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유할 수 있다. The photosensitive resin composition may contain components other than the said (A)-(C)component as needed. For example, the photosensitive resin composition is selected from the group consisting of a silane coupling agent, a sensitizing dye, bis[4-(dimethylamino)phenyl]methane, bis[4-(diethylamino)phenyl]methane, and leuco crystal violet. It may contain at least 1 type.

(D)성분: 실란 커플링제(D)Component: Silane coupling agent

감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 실란 커플링제를 더 함유시켜도 된다. 실란 커플링제로서는, (D1)성분: 메르캅토 알킬기를 가지는 실란 화합물, (D2)성분: 아미노기를 가지는 실란 화합물(바람직하게는, 우레이도기를 가지는 실란 화합물), (D3)성분: (메타)아크릴록시기를 가지는 실란 화합물을 들 수 있다. The photosensitive resin composition may further contain a silane coupling agent as (D)component. As the silane coupling agent, (D1) component: a silane compound having a mercaptoalkyl group, (D2) component: a silane compound having an amino group (preferably a silane compound having a ureido group), (D3) component: (meth)acryl and a silane compound having a hydroxy group.

감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 (D1)성분을 함으로써, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어나고, 또한 염산에 의한 ITO 에칭에 의해서도 박리 등이 발생하기 어려운 뛰어난 내산성을 가지는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다고 하는, 뛰어난 효과를 나타낸다. By using component (D1) as component (D), the photosensitive resin composition has excellent adhesion to a substrate with high smoothness and excellent acid resistance that is difficult to cause peeling or the like even by ITO etching with hydrochloric acid It can form a resist pattern. It shows the excellent effect that it can be said.

또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분 이외의 실란 커플링제를 함유하고 있어도 된다. Moreover, the photosensitive resin composition may contain silane coupling agents other than (D1) component as (D)component.

예를 들면, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분과 (D3)성분을 병용할 수 있다. 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분만을 포함하는 경우, 뛰어난 밀착성을 나타내는 레지스터를 얻을 수 있는 한편, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사(殘渣)가 발생하기 쉬운(즉, 구리 기판 상에 형성된 레지스터가, 에칭 후에 박리되기 어려운) 경향이 있고, 에칭 시간이 증가되는 경향이 있다. 이에 대하여, 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분 및 (D3)성분을 함유하는 경우, 뛰어난 밀착성을 유지하면서, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하여, 에칭 시간의 단축을 도모할 수 있다. For example, the photosensitive resin composition can use together (D1)component and (D3)component as (D)component. When the photosensitive resin composition contains only the (D1) component as the (D) component, a resist exhibiting excellent adhesion can be obtained, while developing residues on the copper substrate or the like are easy to occur (that is, formed on the copper substrate) The resist tends to be difficult to peel off after etching), and the etching time tends to be increased. On the other hand, when the photosensitive resin composition contains (D1) component and (D3) component as (D)component, generation|occurrence|production of the image development residue with respect to a copper substrate etc. is suppressed while maintaining outstanding adhesiveness, and shortening of etching time is aimed at can do.

또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분, (D2)성분 및 (D3)성분을 모두 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하면서, 보다 높은 밀착성을 실현할 수 있다. Moreover, the photosensitive resin composition may contain all the (D1) component, (D2) component, and (D3) component as (D)component. According to such a photosensitive resin composition, higher adhesiveness can be implement|achieved, suppressing generation|occurrence|production of the image development residue with respect to a copper substrate etc.

(D1)성분으로서는, 메르캅토 알킬기 및 알콕시기를 가지는 실란 화합물(메르캅토알킬알콕시실란)이 바람직하고, 이러와 같은 (D1)성분으로서는, 메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 메르캅토프로필트리메톡시실란, 메르캅토프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 가수분해가 일어나기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 메르캅토프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다. (D1) As a component, the silane compound (mercaptoalkyl alkoxysilane) which has a mercapto alkyl group and an alkoxy group is preferable, As such (D1) component, mercaptopropylmethyldimethoxysilane, mercaptopropyltrimethoxysilane and mercaptopropyltriethoxysilane. Among these, the mercaptopropyl trimethoxysilane which hydrolysis occurs easily and which can crosslink at 3 points|pieces is most preferable with respect to adhesive expression.

(D2)성분으로서는, 말단에 1급 아미노기를 가지는 실란 화합물이 바람직하고, 이와 같은 (D2)성분으로서는, 예를 들면, 3-아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리메톡시실란, 우레이도메틸트리메톡시실란, 우레이도메틸트리에톡시실란, 2-우레이도에틸트리메톡시실란, 2-우레이도에틸트리에톡시실란, 4-우레이도부틸트리메톡시실란, 4-우레이도부틸트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 바인더 폴리머와의 반응성을 고려하여, 우레이도기 등의 카르본산기와의 반응성이 낮은 관능기를 가지는 실란 화합물이 바람직하고, (D1)성분과 병용했을 때에 현상 잔사의 억제 효과가 특히 현저하게 볼 수 있는 3-우레이도프로필트리에톡시실란이 가장 바람직하다. (D2) As a component, the silane compound which has a primary amino group at the terminal is preferable, As such (D2) component, 3-aminopropyl methoxysilane, aminopropyl ethoxysilane, N-2-( Aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, ureidomethyltrimethoxysilane, ureidomethyltriethoxysilane, 2 -Ureidoethyltrimethoxysilane, 2-ureidoethyltriethoxysilane, 4-ureidobutyltrimethoxysilane, 4-ureidobutyltriethoxysilane, etc. are mentioned. Among these, in consideration of the reactivity with the binder polymer, a silane compound having a low reactivity with a carboxylic acid group such as a ureido group is preferable, and when used in combination with component (D1), the effect of inhibiting the development residue is particularly remarkable. Most preferred is 3-ureidopropyltriethoxysilane.

(D3)성분으로서는, 예를 들면, 3-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란을 들 수 있다. 이 중에서도, 가수분해를 일으키기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다. (D3) As a component, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltri and ethoxysilane. Among these, 3-methacryloxypropyl trimethoxysilane which is easy to raise|generate hydrolysis and which can bridge|crosslink at 3 points|pieces is most preferable with respect to adhesive expression.

감광성 수지 조성물에 있어서의 (D)성분의 함유량은, 밀착성이 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01질량부∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.05질량부∼5질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량부∼3질량부인 것이 더욱 바람직하다. (D)성분의 함유량이 상기 범위내이면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사를 충분히 억제하면서, 레지스터 저부(底部)에서의 경화성을 향상시키는 경향이 있다. 레지스터 저부까지 충분히 경화시킴으로써, 양호한 레지스터 형상이 얻어짐과 동시에, 에칭액에 대한 내성이 한층 양호하게 된다. It is preferable that content of (D)component in the photosensitive resin composition is 0.01 mass part - 10 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component from the point excellent in adhesiveness, 0.05 mass It is more preferable that they are parts - 5 mass parts, and it is still more preferable that they are 0.1 mass parts - 3 mass parts. (D) There exists a tendency for sclerosis|hardenability in a resist bottom part to be improved, fully suppressing the image development residue with respect to a copper substrate etc. as content of a component is in the said range. By fully hardening to a resist bottom part, while a favorable resist shape is obtained, the tolerance with respect to an etching liquid becomes still more favorable.

(E)성분: 증감 색소(E) Ingredient: sensitizing dye

감광성 수지 조성물은, (E)성분으로서, 증감 색소를 더 함유하는 것이 바람직하다. 증감 색소로서는, 예를 들면, 디알킬아미노벤조페논 화합물, 피라졸린 화합물, 안트라센 화합물, 쿠말린 화합물, 크산톤 화합물, 티오크산톤 화합물, 옥사졸 화합물, 벤조옥사졸 화합물, 티아졸 화합물, 벤조티아졸 화합물, 트리아졸 화합물, 스틸벤 화합물, 트리아진 화합물, 티오펜 화합물, 나프탈이미드 화합물, 트리아릴아민 화합물, 및 아미노 아크리딘 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 레지스터 저부의 경화도를 더욱 향상시키고, 밀착성이 뛰어나다는 관점에서, 피라졸린 화합물을 함유하는 것이 바람직하다It is preferable that the photosensitive resin composition further contains a sensitizing dye as (E) component. As a sensitizing dye, it is a dialkylamino benzophenone compound, a pyrazoline compound, an anthracene compound, a coumaline compound, a xanthone compound, a thioxanthone compound, an oxazole compound, a benzoxazole compound, a thiazole compound, benzothia, for example. A sol compound, a triazole compound, a stilbene compound, a triazine compound, a thiophene compound, a naphthalimide compound, a triarylamine compound, and an amino acridine compound are mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types. It is preferable to contain a pyrazoline compound from a viewpoint of further improving the hardening degree of a resistor bottom part and being excellent in adhesiveness.

레지스터 저부의 경화도를 향상시키고, 더욱 밀착성을 향상시키는 관점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01∼5질량부 첨가하는 것이 바람직하고, 0.01∼1질량부 첨가하는 것이 더욱 바람직하고, 0.01∼0.2질량부 첨가하는 것이 특히 바람직하다. It is preferable to add 0.01-5 mass parts with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component from a viewpoint of improving the hardening degree of a resist bottom part and improving adhesiveness further, 0.01-1 mass part addition It is more preferable to do it, and it is especially preferable to add 0.01-0.2 mass part.

또한, 감광성 수지 조성물은, 분자내에 적어도 1개의 양이온 중합 가능한 환상(環狀) 에테르기를 가지는 중합성 화합물(옥세탄 화합물 등), 양이온 중합 개시제, 염료, 광발색제, 열발색방지제, 가소제, 안료, 충전제, 소포제, 난연제, 안정제, 밀착성 부여제, 레벨링제, 박리 촉진제, 산화 방지제, 향료, 이미징제, 열가교제 등을 함유하여도 된다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 염료로서는, 말라카이트 그린, 빅토리아 퓨어 블루, 브릴리언트 그린, 메틸 바이올렛 등을 들 수 있다. 광발색제로서는, 트리브로모페닐술폰, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, o-클로로아닐린 등을 들 수 있다. 가소제로서는, p-톨루엔술폰아미드 등을 들 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition includes a polymerizable compound (such as an oxetane compound) having at least one cationically polymerizable cyclic ether group in the molecule, a cationic polymerization initiator, a dye, a photochromic agent, a thermal color development inhibitor, a plasticizer, a pigment, It may contain a filler, an antifoaming agent, a flame retardant, a stabilizer, an adhesion-imparting agent, a leveling agent, a peeling accelerator, antioxidant, a fragrance|flavor, an imaging agent, a thermal crosslinking agent, etc. These can be used individually or in combination of 2 or more types. Examples of the dye include malachite green, victoria pure blue, brilliant green, and methyl violet. Examples of the photochromic agent include tribromophenylsulfone, diphenylamine, benzylamine, triphenylamine, diethylaniline and o-chloroaniline. Examples of the plasticizer include p-toluenesulfonamide.

감광성 수지 조성물이 그 밖의 성분((A)∼(D)성분 이외의 성분)을 포함하는 경우, 이들의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 각각 0.01질량부∼20질량부 정도로 하는 것이 바람직하다. When the photosensitive resin composition contains other components (components other than (A)-(D) component), these content is 0.01 mass each with respect to 100 mass parts of total amounts of (A) component and (B) component, respectively It is preferable to set it as part - about 20 mass parts.

[감광성 수지 조성물의 용액][Solution of photosensitive resin composition]

감광성 수지 조성물은, 유기용제의 적어도 1종을 더 포함하는 액상 조성물이어도 된다. 유기용제로서는, 알코올 용제, 케톤 용제, 글리콜에테르 용제, 방향족 탄화수소 용제, 비(非)프로톤성 극성 용제 등을 들 수 있다. 알코올 용제로서는, 메탄올, 에탄올 등을 들 수 있다. 케톤 용제로서는, 아세톤, 메틸에틸케톤 등을 들 수 있다. 글리콜에테르 용제로서는, 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등을 들 수 있다. 방향족 탄화수소 용제로서는, 톨루엔 등을 들 수 있다. 비프로톤성 극성 용제로서는, N,N-디메틸포름아미드 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다. The photosensitive resin composition may be a liquid composition further containing at least 1 sort(s) of an organic solvent. As an organic solvent, an alcohol solvent, a ketone solvent, a glycol ether solvent, an aromatic hydrocarbon solvent, aprotic polar solvent, etc. are mentioned. As an alcohol solvent, methanol, ethanol, etc. are mentioned. Acetone, methyl ethyl ketone, etc. are mentioned as a ketone solvent. Examples of the glycol ether solvent include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, and propylene glycol monomethyl ether. Toluene etc. are mentioned as an aromatic hydrocarbon solvent. Examples of the aprotic polar solvent include N,N-dimethylformamide and the like. These may be used individually or in mixture of 2 or more types.

감광성 수지 조성물에 포함되는 유기용제의 함유량은, 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 고형분이 30질량%∼60질량%정도가 되는 액상 조성물(이하, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 「도포액」이라고도 한다.)로서 사용할 수 있다. Content of the organic solvent contained in the photosensitive resin composition can be suitably selected according to the objective etc. For example, the photosensitive resin composition can be used as a liquid composition (henceforth the photosensitive resin composition containing an organic solvent is also called "coating liquid") from which solid content becomes about 30 mass % - 60 mass %.

도포액을, 후술하는 지지체, 금속판 등의 표면 상에 도포하고, 건조시킴으로써, 감광성 수지 조성물의 도막인 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 금속판으로서는 특별히 제한되지 않으며 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철, 스테인레스 등의 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다. 바람직한 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다. The photosensitive resin composition layer which is a coating film of the photosensitive resin composition can be formed by apply|coating a coating liquid on surfaces, such as a support body and a metal plate mentioned later, and drying it. There is no restriction|limiting in particular as a metal plate, According to the objective etc., it can select suitably. As a metal plate, the metal plate which consists of metals, such as iron-type alloys, such as copper, a copper-type alloy, nickel, chromium, iron, and stainless steel, is mentioned. As a preferable metal plate, the metal plate which consists of metals, such as copper, a copper-type alloy, and an iron-type alloy, is mentioned.

형성되는 감광성 수지 조성물층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 그 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 감광성 수지 조성물층의 두께(건조 후의 두께)는, 1㎛∼100㎛ 정도인 것이 바람직하다. The thickness in particular of the photosensitive resin composition layer to be formed is not restrict|limited, According to the use, it can select suitably. It is preferable that the thickness (thickness after drying) of the photosensitive resin composition layer is about 1 micrometer - about 100 micrometers.

금속판 상에 감광성 수지 조성물층을 형성했을 경우, 감광성 수지 조성물층의 금속판과는 반대측의 표면을, 보호층으로 피복해도 된다. 보호층으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름 등을 들 수 있다. When the photosensitive resin composition layer is formed on a metal plate, you may coat|cover the surface on the opposite side to the metal plate of the photosensitive resin composition layer with a protective layer. As a protective layer, polymer films, such as polyethylene and a polypropylene, etc. are mentioned.

<감광성 엘리먼트><Photosensitive element>

본 실시형태에 관련되는 감광성 엘리먼트(이하, 간단히 「감광성 엘리먼트」라고 한다.)는, 지지체와, 그 지지체의 일면 상에 설치된 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 감광성 수지 조성물층을 구비한다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 감광성 수지 조성물층을 구비하기 때문에, 평활성이 높은 기판에 대하여도 충분한 밀착성을 가지고, 또한 뛰어난 내산성을 가지는 레지스트 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. 감광성 엘리먼트는, 필요에 따라 보호층 등의 그 외의 층을 가지고 있어도 된다. The photosensitive element (hereinafter, simply referred to as "photosensitive element") according to the present embodiment includes a support and a photosensitive resin composition layer formed using the photosensitive resin composition provided on one surface of the support. According to such a photosensitive element, since the photosensitive resin composition layer formed using the photosensitive resin composition is provided, a resist pattern having sufficient adhesion to a substrate with high smoothness and excellent acid resistance can be efficiently formed. there is. The photosensitive element may have other layers, such as a protective layer, as needed.

도 1은, 본 개시의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 엘리먼트(10)에서는, 지지체(2), 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성하는 감광성 수지 조성물층(4) 및 보호층(6)이 이 순서로 적층되어 있다. 감광성 수지 조성물층(4)은, 감광성 수지 조성물의 도막이라고 할 수도 있다. 또한 도막은, 감광성 수지 조성물이 미경화 상태의 것이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic sectional drawing which shows one Embodiment of the photosensitive element of this indication. In the photosensitive element 10 shown in FIG. 1, the support body 2, the photosensitive resin composition layer 4 formed using the photosensitive resin composition, and the protective layer 6 are laminated|stacked in this order. The photosensitive resin composition layer 4 can also be called a coating film of the photosensitive resin composition. In addition, as for a coating film, the photosensitive resin composition is a thing of a non-hardened state.

감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 지지체(2) 상에, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물인 도포액을 도포하여 도포층을 형성하고, 이것을 건조(도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거)함으로써 감광성 수지 조성물층(4)을 형성한다. 이어서, 감광성 수지 조성물층(4)의 지지체(2)와는 반대측의 면을 보호층(6)으로 피복함으로써, 지지체(2)와, 그 지지체(2) 상에 적층된 감광성 수지 조성물층(4)과, 그 감광성 수지 조성물층(4) 상에 적층된 보호층(6)을 구비하는, 감광성 엘리먼트(10)를 얻을 수 있다. 또한, 감광성 엘리먼트(10)는, 보호층(6)을 반드시 구비하지 않아도 된다. The photosensitive element 10 can be obtained as follows, for example. On the support 2, a coating liquid, which is a photosensitive resin composition containing an organic solvent, is applied to form an application layer, and the photosensitive resin composition layer 4 is formed by drying (removing at least a part of the organic solvent from the application layer). to form Next, by covering the surface of the photosensitive resin composition layer 4 on the opposite side to the support 2 with the protective layer 6, the support 2 and the photosensitive resin composition layer 4 laminated on the support 2 And the photosensitive element 10 provided with the protective layer 6 laminated|stacked on the photosensitive resin composition layer 4 can be obtained. In addition, the photosensitive element 10 does not necessarily need to be equipped with the protective layer 6 .

지지체(2)로서는, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다. 폴리에스테르로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등을 들 수 있다. 폴리올레핀로서는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. As the support body 2, a film made of a polymer having heat resistance and solvent resistance such as polyester and polyolefin can be used. Polyethylene terephthalate etc. are mentioned as polyester. Polypropylene, polyethylene, etc. are mentioned as polyolefin.

지지체(2)의 두께는, 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 5㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼30㎛인 것이 더욱 바람직하다. 지지체(2)의 두께가 1㎛이상인 것으로, 지지체(2)를 박리할 때에 지지체(2)가 찢어지는 것을 억제할 수 있다. 또 100㎛이하인 것으로 해상도의 저하가 억제된다. It is preferable that they are 1 micrometer - 100 micrometers, as for the thickness of the support body 2, it is more preferable that they are 5 micrometers - 50 micrometers, It is more preferable that they are 5 micrometers - 30 micrometers. When the thickness of the support body 2 is 1 micrometer or more, when peeling the support body 2, it can suppress that the support body 2 is torn. Moreover, when it is 100 micrometers or less, the fall of the resolution is suppressed.

보호층(6)으로서는, 감광성 수지 조성물층(4)에 대한 접착력이, 지지체(2)의 감광성 수지 조성물층(4)에 대한 접착력보다 작은 것이 바람직하다. 구체적으로, 보호층(6)으로서는, 폴리에스테르, 폴리올레핀 등의 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다. 폴리에스테르로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등을 들 수 있다. 폴리올레핀로서는, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등을 들 수 있다. 시판의 것으로서는, 오지세이시 가부시키가이샤제의 알팬 MA-410, E-200, 신에츠필름 가부시키가이샤제 등의 폴리프로필렌 필름, 데이진 가부시키가이샤제의 PS-25 등의 PS시리즈의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 타마폴리의 NF-15 A를 들 수 있다. 또한, 보호층(6)은 지지체(2)와 동일한 것이어도 된다. As the protective layer 6, it is preferable that the adhesive force with respect to the photosensitive resin composition layer 4 is smaller than the adhesive force with respect to the photosensitive resin composition layer 4 of the support body 2. Specifically, as the protective layer 6, a film made of a polymer having heat resistance and solvent resistance, such as polyester or polyolefin, can be used. Polyethylene terephthalate etc. are mentioned as polyester. Polypropylene, polyethylene, etc. are mentioned as polyolefin. As a commercially available thing, polypropylene films, such as Alpan MA-410 and E-200 made by Oji Seishi Co., Ltd., made by Shin-Etsu Film Co., Ltd., PS series polyethylene terephthalate, such as PS-25 made by Teijin Co., Ltd. A phthalate film, NF-15A of Tamapoli is mentioned. In addition, the protective layer 6 may be the same as that of the support body 2 .

보호층(6)의 두께는 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 5㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼30㎛인 것이 더욱 바람직하고, 15㎛∼30㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호층(6)의 두께가 1㎛ 이상이면, 보호층(6)을 벗기면서, 감광성 수지 조성물층(4) 및 지지체(2)를 기재 상에 라미네이트할 때, 보호층(6)이 찢어는 것을 억제할 수 있다. 100㎛ 이하이면, 취급성과 염가성이 뛰어나다. The thickness of the protective layer 6 is preferably 1 µm to 100 µm, more preferably 5 µm to 50 µm, still more preferably 5 µm to 30 µm, and particularly preferably 15 µm to 30 µm. . When the thickness of the protective layer 6 is 1 μm or more, the protective layer 6 is torn when the photosensitive resin composition layer 4 and the support 2 are laminated on the substrate while the protective layer 6 is peeled off. can be restrained If it is 100 micrometers or less, it is excellent in handleability and cheapness.

감광성 엘리먼트(10)는, 구체적으로는 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 준비하는 공정과, 상기 도포액을 지지체(2) 상에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과, 상기 도포층을 건조하여 감광성 수지 조성물층(4)을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법으로 제조할 수 있다. The photosensitive element 10 can be specifically manufactured, for example as follows. A step of preparing a coating solution containing the photosensitive resin composition, a step of applying the coating solution on the support (2) to form an application layer, and drying the coating layer to form a photosensitive resin composition layer (4) It can be manufactured by a manufacturing method including a process.

도포액의 지지체(2) 상에의 도포는, 롤 코트, 콤마 코트, 그라비아 코트, 에어나이프 코트, 다이 코트, 바 코트 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. Coating of the coating liquid on the support body 2 can be performed by known methods such as roll coating, comma coating, gravure coating, air knife coating, die coating, and bar coating.

도포층의 건조는, 도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 70℃∼150℃에서, 5분∼30분간 정도 실시하는 것이 바람직하다. 건조 후, 감광성 수지 조성물층(4) 중의 잔존 유기용제량은, 후의 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하는 관점에서, 2질량% 이하로 하는 것이 바람직하다. The drying of the application layer is not particularly limited as long as at least a part of the organic solvent can be removed from the application layer. For example, it is preferable to carry out at 70 degreeC - 150 degreeC for about 5 minutes - 30 minutes. After drying, it is preferable that the amount of the organic solvent remaining in the photosensitive resin composition layer 4 shall be 2 mass % or less from a viewpoint of preventing the diffusion of the organic solvent in a subsequent process.

감광성 엘리먼트(10)에 있어서의 감광성 수지 조성물층(4)의 두께는, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 건조 후의 두께로 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 1㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼40㎛인 것이 더욱 바람직하다. 감광성 수지 조성물층(4)의 두께가 1㎛ 이상인 것으로, 공업적인 도공이 용이하게 된다. 100㎛ 이하이면, 밀착성 및 해상도를 충분히 얻을 수 있는 경향이 있다. The thickness of the photosensitive resin composition layer 4 in the photosensitive element 10 can be suitably selected according to a use. As thickness after drying, it is preferable that they are 1 micrometer - 100 micrometers, It is more preferable that they are 1 micrometer - 50 micrometers, It is still more preferable that they are 5 micrometers - 40 micrometers. When the thickness of the photosensitive resin composition layer 4 is 1 micrometer or more, industrial coating becomes easy. If it is 100 micrometers or less, there exists a tendency for adhesiveness and resolution to be fully acquired.

감광성 엘리먼트(10)의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 시트상이어도 되고, 또는 권심(卷芯)에 롤상으로 권취한 형상이어도 된다. 롤상으로 권취하는 경우, 지지체(2)가 외측이 되도록 권취하는 것이 바람직하다. 권심으로서는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 롤상의 감광성 엘리먼트 롤의 단면(端面)에는, 단면 보호의 견지에서 단면 세퍼레이터(separator)를 설치하는 것이 바람직하고, 내엣지퓨젼의 견지로부터 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 곤포(梱包) 방법으로서는, 투습성이 작은 블랙 시트로 싸서 포장하는 것이 바람직하다. The shape of the photosensitive element 10 is not particularly limited. For example, a sheet shape may be sufficient and the shape wound up in roll shape to the core may be sufficient. When winding up in roll shape, it is preferable to wind up so that the support body 2 may become an outer side. Examples of the winding core include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, and ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer). In the end face of the roll-shaped photosensitive element roll obtained in this way, it is preferable to provide an end face separator from the standpoint of end face protection, and it is preferable to provide a moisture proof end face separator from the standpoint of edge fusion resistance. As a packing method, it is preferable to wrap with a black sheet with low moisture permeability and to pack.

감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 후술하는 레지스트 패턴의 형성 방법에 적합하게 사용할 수 있다. The photosensitive element 10 can be suitably used for the formation method of the resist pattern mentioned later, for example.

<레지스트 패턴의 형성 방법><Method of forming resist pattern>

본 실시형태에 관련되는 레지스트 패턴의 형성 방법은, (i) 기재 상에 감광성 수지 조성물 또는 감광성 엘리먼트를 사용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 감광성 수지 조성물층 형성 공정과, (ii) 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 노광 공정과, (iii) 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역을 기재 상으로부터 제거하고, 기재 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물(경화물 영역)로 이루어지는 레지스트 패턴을 형성하는 현상 공정을 가진다. 레지스트 패턴의 형성 방법은, 필요에 따라 그 외의 공정을 더 가지고 있어도 된다. 이하, 각 공정에 관하여 상세히 설명한다. The method for forming a resist pattern according to the present embodiment includes (i) a photosensitive resin composition layer forming step of forming a photosensitive resin composition layer on a substrate using a photosensitive resin composition or a photosensitive element, (ii) a photosensitive resin composition layer an exposure step of curing a part of the region by irradiation with actinic light to form a cured product region, (iii) removing a region other than the cured product region of the photosensitive resin composition layer from the substrate, It has a developing process of forming the resist pattern which consists of hardened|cured material (hardened|cured material area|region) of a resin composition. The method of forming the resist pattern may further include other steps as needed. Hereinafter, each process is demonstrated in detail.

(i) 감광성 수지 조성물층 형성 공정(i) photosensitive resin composition layer forming step

감광성 수지 조성물층 형성 공정에서는, 기재 상에 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물층을 형성한다. In the photosensitive resin composition layer forming process, the photosensitive resin composition layer is formed on a base material using the photosensitive resin composition.

기재 상에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 기재 상에, 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 도포한 후, 건조시키는 방법을 들 수 있다. As a method of forming the photosensitive resin composition layer on a base material, after apply|coating the coating liquid containing the photosensitive resin composition on a base material, for example, the method of drying is mentioned.

또한, 기재 상에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 감광성 엘리먼트로부터 필요에 따라 보호층을 제거한 후, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 기재 상에 라미네이트하는 방법을 들 수 있다. 라미네이트는, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 가열하면서 기재에 압착함으로써, 실시할 수 있다. 이 라미네이트에 의해, 기재와 감광성 수지 조성물층과 지지체가 이 순서로 적층된 적층체를 얻을 수 있다. Moreover, as a method of forming the photosensitive resin composition layer on a base material, for example, after removing a protective layer from a photosensitive element as needed, the method of laminating the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element on a base material is mentioned. Lamination can be performed by crimping|bonding to a base material, heating the photosensitive resin composition layer of a photosensitive element. By this lamination, the laminated body in which the base material, the photosensitive resin composition layer, and the support body were laminated|stacked in this order can be obtained.

라미네이트는, 예를 들면 70℃∼130℃의 온도로 실시하는 것이 바람직하고, 0.1MPa∼1.0MPa 정도(1kgf/cm2∼1Okgf/cm2 정도)의 압력으로 압착하여 실시하는 것이 바람직하다. 이와 같은 조건은 필요에 따라 적절히 조정할 수 있다. 라미네이트할 때에 있어서는, 기재가 예열 처리되어 있어도 되고, 감광성 수지 조성물층이 70℃∼130℃로 가열되어 있어도 된다. Lamination is preferably performed at a temperature of, for example, 70° C. to 130° C., and preferably performed by crimping at a pressure of about 0.1 MPa to 1.0 MPa (about 1 kgf/cm 2 to 10 kgf/cm 2 ). Such conditions can be suitably adjusted as needed. When laminating, the base material may be preheated, and the photosensitive resin composition layer may be heated at 70 degreeC - 130 degreeC.

(ii) 노광 공정(ii) exposure process

노광 공정에서는, 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역에 활성 광선을 조사함으로써, 활성 광선이 조사된 노광부가 광경화되어, 잠상(潛像)이 형성된다. 여기서, 감광성 수지 조성물층 형성 공정으로 감광성 엘리먼트를 사용했을 때, 감광성 수지 조성물층 상에는 지지체가 존재하지만, 지지체가 활성 광선에 대하여 투과성을 가지는 경우에는, 지지체를 통해 활성 광선을 조사할 수 있다. 한편, 지지체가 활성 광선에 대하여 차광성을 나타내는 경우에는, 지지체를 제거한 후에, 감광성 수지 조성물층에 활성 광선을 조사한다. At an exposure process, by irradiating actinic light to a part of area|region of the photosensitive resin composition layer, the exposure part irradiated with actinic light is photocured, and a latent image is formed. Here, when a photosensitive element is used in the photosensitive resin composition layer forming step, a support is present on the photosensitive resin composition layer, but when the support has transmittance to actinic light, actinic light can be irradiated through the support. On the other hand, when a support body shows light-shielding property with respect to actinic light, after removing a support body, actinic light is irradiated to the photosensitive resin composition layer.

노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)라고 불리는 네가티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통해 활성 광선을 화상상(畵像狀)으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 또한, LD1(Laser Direct Imaging) 노광법, DLP(Digital Light Processing) 노광법 등의 직접 묘화 노광법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다. As an exposure method, the method (mask exposure method) of irradiating actinic light in an image image through the negative or positive mask pattern called artwork is mentioned. Moreover, you may employ|adopt the method of irradiating actinic light into an image by direct drawing exposure methods, such as an LD1 (Laser Direct Imaging) exposure method and a DLP (Digital Light Processing) exposure method.

활성 광선의 파장(노광 파장)으로서는, 본 개시의 효과를 보다 확실히 얻는 관점에서, 340nm∼430nm의 범위내로 하는 것이 바람직하고, 350nm∼42Onm의 범위내로 하는 것이 보다 바람직하다. The wavelength (exposure wavelength) of the actinic light is preferably within the range of 340 nm to 430 nm, more preferably within the range of 350 nm to 420nm, from the viewpoint of more reliably obtaining the effects of the present disclosure.

(iii) 현상 공정(iii) development process

현상 공정에서는, 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역(즉, 감광성 수지 조성물층의 미경화 부분)을 기재 상으로부터 현상 처리에 의해 제거하여, 감광성 수지 조성물층의 경화물로 이루어지는 레지스트 패턴을 기재 상에 형성한다. 또한, 노광 공정을 거친 감광성 수지 조성물층 상에 지지체가 존재하고 있는 경우에는, 지지체를 제거하고 나서 현상 공정을 실시한다. 현상 처리에는, 웨트 현상과 드라이 현상이 있지만, 웨트 현상이 적합하게 사용된다. In the developing step, regions other than the cured product region of the photosensitive resin composition layer (that is, the uncured portion of the photosensitive resin composition layer) are removed from the substrate by developing treatment to form a resist pattern made of the cured product of the photosensitive resin composition layer. formed on the substrate. In addition, when a support body exists on the photosensitive resin composition layer which passed through the exposure process, after removing a support body, the image development process is implemented. Although there exist wet image development and dry image development in a developing process, wet image development is used suitably.

웨트 현상에서는, 감광성 수지 조성물에 대응한 현상액을 사용하여, 공지된 현상 방법에 의해 현상을 실시한다. 현상 방법으로서는, 딥 방식, 패들 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬래핑, 스크래핑, 요동 침지 등을 사용한 방법을 들 수 있고, 해상도 향상의 관점에서는, 고압 스프레이 방식이 가장 적합하다. 이들 2종 이상의 방법을 조합하여 현상을 실시해도 된다. In wet image development, it develops by a well-known image development method using the developing solution corresponding to the photosensitive resin composition. As a developing method, the method using a dip method, a paddle method, a spray method, brushing, slapping, scraping, swing immersion, etc. is mentioned, From a viewpoint of resolution improvement, the high pressure spray method is the most suitable. You may develop combining these 2 or more types of methods.

현상액은, 감광성 수지 조성물의 구성에 따라 적절히 선택할 수 있다. 현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등을 들 수 있다. A developing solution can be suitably selected according to the structure of the photosensitive resin composition. Examples of the developer include an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, and an organic solvent developer.

현상에 사용하는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1질량%∼5질량% 탄산나트륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 탄산칼륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 수산화나트륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 사붕산나트륨 용액 등이 바람직하다. 알칼리성 수용액의 pH는 9∼11의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한 그 온도는, 감광성 수지 조성물층의 알칼리 현상성에 맞춰 조절된다. 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제 또는 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다. As alkaline aqueous solution used for image development, 0.1 mass % - 5 mass % sodium carbonate solution, 0.1 mass % - 5 mass % potassium carbonate solution, 0.1 mass % - 5 mass % sodium hydroxide solution, 0.1 mass % - 5 mass % sodium tetraborate solution A solution or the like is preferred. The pH of the alkaline aqueous solution is preferably in the range of 9 to 11. In addition, the temperature is adjusted according to the alkali developability of the photosensitive resin composition layer. In the alkaline aqueous solution, a surface active agent, an antifoaming agent, or a small amount of an organic solvent for accelerating image development may be mixed.

레지스트 패턴의 형성 방법은, 미노광 부분을 제거한 후, 필요에 따라 60℃∼250℃ 정도의 가열 및/또는 0.2J/cm2∼10J/cm2 정도의 노광을 실시함으로써, 레지스트 패턴을 더 경화하는 공정을 더 가지고 있어도 된다. In the resist pattern formation method, after removing the unexposed portion, the resist pattern is further cured by heating at about 60°C to 250°C and/or exposing at about 0.2J/cm 2 to 10J/cm 2 if necessary. You may have a further process.

<터치 패널의 제조 방법><Method for manufacturing touch panel>

본 실시형태에 관련되는 터치 패널의 제조 방법은, 상기 레지스트 패턴의 형성 방법에 의해 레지스트 패턴이 형성된 기재를, 에칭 처리하는 공정을 가진다. 에칭 처리는, 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 기재의 도체층 등에 대하여 실시된다. 에칭 처리에 의해, 인출 배선과 투명 전극의 패턴을 형성함으로써, 터치 패널이 제조된다. The manufacturing method of the touch panel which concerns on this embodiment has the process of etching the base material in which the resist pattern was formed by the said resist pattern formation method. An etching process is performed with respect to the conductor layer of a base material, etc. using the formed resist pattern as a mask. A touch panel is manufactured by forming the pattern of lead wiring and a transparent electrode by an etching process.

도 3은, 본 개시의 터치 패널의 제조 방법의 일 태양을 나타내는 모식 단면도이다. 본 태양의 제조 방법은, 지지 기재(22)와, 지지 기재(22)의 일면 상에 설치된 투명 도전층(24)과, 투명 도전층(24) 상에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 상에, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트 패턴(29)을 형성하는 제1의 공정과, 금속층(26) 및 투명 도전층(24)를 에칭하여, 투명 도전층(24)의 잔부 및 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴(도 3(d)에 있어서의 24+26)을 형성하는 제2의 공정과, 적층 패턴의 일부로부터 금속층을 제거하여, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가진다. 3 is a schematic cross-sectional view showing an aspect of a method for manufacturing a touch panel of the present disclosure. The manufacturing method of this aspect is a laminated base material provided with the support base material 22, the transparent conductive layer 24 provided on one surface of the support base material 22, and the metal layer 26 provided on the transparent conductive layer 24. A first step of forming a resist pattern 29 made of a cured product of the photosensitive resin composition on the metal layer 26, etching the metal layer 26 and the transparent conductive layer 24, A second step of forming a laminated pattern (24+26 in Fig. 3(d)) composed of the remainder of 24) and the remainder of the metal layer 26, and removing the metal layer from a part of the laminated pattern, thereby forming the transparent conductive layer 24 ) has a third step of forming a transparent electrode composed of the remainder of the metal layer and a metal wiring composed of the remainder of the metal layer.

제1의 공정에서는, 우선, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 지지 기재(22)와, 지지 기재(22)의 일면 상에 설치된 투명 도전층(24)과, 투명 도전층(24) 상에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 상에, 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물층(28)을 형성한다. 감광성 수지 조성물층(28)은, 금속층(26)과 반대측의 면 상에 지지체를 구비하고 있어도 된다. In a 1st process, first, as shown to Fig.3 (a), the transparent conductive layer 24 provided on the support base material 22, the transparent conductive layer 24 provided on one surface of the support base material 22, and the transparent conductive layer 24 top The photosensitive resin composition layer 28 is formed using the photosensitive resin composition on the metal layer 26 of the laminated base material provided with the metal layer 26 provided. The photosensitive resin composition layer 28 may be equipped with the support body on the surface on the opposite side to the metal layer 26. As shown in FIG.

금속층(26)으로서는, 구리, 구리와 니켈의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리의 합금 등을 포함하는 금속층을 들 수 있다. 이들 중, 본 개시의 효과가 한층 현저하게 얻어지는 관점에서, 구리 또는 구리와 니켈의 합금을 포함하는 금속층을 적합하게 사용할 수 있다. Examples of the metal layer 26 include a metal layer made of copper, an alloy of copper and nickel, a molybdenum-aluminum-molybdenum laminate, an alloy of silver, palladium, and copper, and the like. Among these, the metal layer containing copper or the alloy of copper and nickel can be used suitably from a viewpoint from which the effect of this indication is acquired still more notably.

투명 도전층(24)은, 산화인듐주석(ITO)를 함유한다. 투명 도전층(24)은, 어닐 처리가 불필요하게 되는 관점에서, 결정성의 ITO를 포함하는 것인 것이 바람직하다. The transparent conductive layer 24 contains indium tin oxide (ITO). It is preferable that the transparent conductive layer 24 contains crystalline ITO from a viewpoint that annealing process becomes unnecessary.

이어서, 감광성 수지 조성물층(28)의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하고, 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역을 적층 기재 상으로부터 제거한다. 이에 의해, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 기재 상에 레지스트 패턴(29)이 형성된다. Next, a part of the region of the photosensitive resin composition layer 28 is cured by irradiation of actinic light to form a cured product region, and regions other than the cured product region of the photosensitive resin composition layer are removed from the laminated substrate. Thereby, as shown in FIG.3(b), the resist pattern 29 is formed on the laminated base material.

제2의 공정에서는, 에칭 처리에 의해, 레지스트 패턴(29)으로 마스크되어 있지 않은 영역의 금속층(26) 및 투명 도전층(24)을, 지지 기재(22) 상으로부터 제거한다. In a 2nd process, the metal layer 26 and the transparent conductive layer 24 of the area|region which are not masked by the resist pattern 29 are removed from the support base material 22 by an etching process.

에칭 처리의 방법은, 제거할 층에 따라 적절히 선택된다. 예를 들면, 금속층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 인산 용액 등을 들 수 있다. 또한, 투명 도전층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 옥살산, 염산, 왕수 등이 사용된다. The etching method is appropriately selected depending on the layer to be removed. For example, as an etching liquid for removing a metal layer, a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, a phosphoric acid solution, etc. are mentioned. In addition, oxalic acid, hydrochloric acid, aqua regia, etc. are used as an etching liquid for removing a transparent conductive layer.

투명 도전층(24)이 결정성의 ITO를 포함하는 것인 경우, 투명 도전층(24)을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 농염산 등의 강산을 사용할 필요가 있지만, 본 태양의 제조 방법에서는, 레지스트 패턴이 상기 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 것이기 때문에, 강산에 의한 에칭 처리하에서도 레지스트 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다. When the transparent conductive layer 24 contains crystalline ITO, it is necessary to use a strong acid such as concentrated hydrochloric acid as an etchant for removing the transparent conductive layer 24. In the manufacturing method of this aspect, the resist pattern Since it consists of a hardened|cured material of the said photosensitive resin composition, peeling of a resist pattern, etc. are fully suppressed even under the etching process by strong acid.

도 3(c)는 에칭 처리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(c)에 있어서는 지지 기재(22) 상에, 금속층(26)의 잔부, 투명 도전층(24)의 잔부 및 레지스트 패턴(29)의 잔부로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 본 태양의 제조 방법에 있어서는, 이 적층체로부터 레지스트 패턴(29)이 제거된다. FIG. 3( c ) is a view showing after etching treatment, in FIG. 3( c ), the remainder of the metal layer 26 , the remainder of the transparent conductive layer 24 , and the resist pattern 29 on the support substrate 22 . A laminate made of the remainder of is formed. In the manufacturing method of this aspect, the resist pattern 29 is removed from this laminated body.

레지스트 패턴(29)의 제거는, 예를 들면, 상술한 현상 공정에 사용되는 알칼리성 수용액보다도 알칼리성이 강한 수용액을 사용할 수 있다. 이 강알칼리성의 수용액으로서는, 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액, 1∼10질량% 수산화칼륨 수용액 등이 사용된다. 그 중에서도 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 바람직하고, 1∼5질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 레지스트 패턴의 박리 방식으로서는, 침지 방식, 스프레이 방식 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 병용해도 된다. For the removal of the resist pattern 29, for example, an aqueous solution that is more alkaline than the alkaline aqueous solution used in the above-described developing step can be used. As this strongly alkaline aqueous solution, 1-10 mass % sodium hydroxide aqueous solution, 1-10 mass % potassium hydroxide aqueous solution, etc. are used. Especially, it is preferable to use 1-10 mass % sodium hydroxide aqueous solution or potassium hydroxide aqueous solution, and it is more preferable to use 1-5 mass % sodium hydroxide aqueous solution or potassium hydroxide aqueous solution. As a peeling method of a resist pattern, an immersion method, a spray method, etc. are mentioned, These may be used individually or may be used together.

도 3(d)는, 레지스트 패턴 박리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(d)에 있어서는 지지 기재(22) 상에, 금속층(26)의 잔부 및 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴이 형성되어 있다. Fig. 3(d) is a view showing after resist pattern peeling, and in Fig. 3(d), a laminated pattern composed of the remainder of the metal layer 26 and the remainder of the transparent conductive layer 24 on the support substrate 22 . is formed.

제3의 공정에서는, 이 적층 패턴으로부터, 금속층(26) 중 금속 배선을 이루기 위한 일부분 이외를 제거하여, 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선과 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극을 형성한다. 또한, 본 태양에서는, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법으로서, 에칭을 실시하는 방법을 채용하지만, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법은 반드시 에칭에 한정되지 않는다. In the third step, a transparent electrode composed of the remainder of the metal wiring of the metal layer 26 and the remainder of the transparent conductive layer 24 by removing a portion of the metal layer 26 for forming the metal wiring from this lamination pattern. to form In addition, in this aspect, although the method of performing etching is employ|adopted as a method of removing the metal layer 26 in a 3rd process, the method of removing the metal layer 26 in a 3rd process is not necessarily limited to etching. .

제3의 공정에서는, 우선, 제2의 공정을 거친 적층 기재 상에 감광성 수지 조성물층(30)을 형성한다(도 3(e)). 이어서, 감광성 수지 조성물층(30)의 노광 및 현상을 거쳐, 감광성 수지 조성물층(30)의 경화물로 이루어지는 레지스트(31)를 형성한다(도 3(f)). 또한, 감광성 수지 조성물층은, 상술한 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 층이어도 되고, 종래 공지된 에칭용 감광성 수지 조성물을 포함하는 층이어도 된다. At a 3rd process, first, the photosensitive resin composition layer 30 is formed on the laminated base material which passed through the 2nd process (FIG.3(e)). Next, through exposure and development of the photosensitive resin composition layer 30, the resist 31 which consists of a hardened|cured material of the photosensitive resin composition layer 30 is formed (FIG.3(f)). In addition, the layer containing the photosensitive resin composition which concerns on this embodiment mentioned above may be sufficient as the photosensitive resin composition layer, and the layer containing the conventionally well-known photosensitive resin composition for etchings may be sufficient as it.

다음으로, 에칭 처리에 의해, 적층 패턴 중 레지스트(31)가 형성되어 있지 않은 부분으로부터, 금속층(26)을 제거한다. 이 때, 에칭 처리액으로서는, 상술한 금속층을 제거하기 위한 에칭액과 동일한 것을 사용할 수 있다. Next, the metal layer 26 is removed from the part in which the resist 31 is not formed in the lamination|stacking pattern by an etching process. At this time, the same thing as the etching liquid for removing the above-mentioned metal layer can be used as an etching process liquid.

도 3(g)는 에칭 처리 후를 나타내는 도면이고, 도 3(g)에 있어서는, 지지 기재(22) 상에, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극이 형성되고, 또한, 일부의 투명 전극 상에 금속층(26) 및 레지스트(31)로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 이 적층체로부터, 레지스트(31)를 제거함으로써, 도 3(h)에 나타내는 바와 같이, 지지 기재(22) 상에, 투명 도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선이 형성된다. Fig. 3(g) is a view showing after etching treatment, and in Fig. 3(g), a transparent electrode made of the remainder of the transparent conductive layer 24 is formed on the supporting base material 22, and a part of the transparent electrode is formed. A laminate comprising a metal layer 26 and a resist 31 is formed on the transparent electrode. By removing the resist 31 from this laminate, as shown in FIG. A metal wiring consisting of the negative is formed.

도 4는, 본 개시를 이용하여 얻어지는 터치 패널의 일 태양을 나타내는 상면도이다. 터치 패널(100)에 있어서는, 투명 전극인 X전극(52) 및 Y전극(54)이 교대로 병설되어 있고, 길이 방향의 같은 열에 설치된 X전극(52)끼리가 하나의 인출 배선(56)에 의해 각각 연결되고, 또한, 폭방향의 같은 열에 설치된 Y전극(54)끼리가 하나의 인출 배선(57)에 의해 각각 연결되어 있다. 4 : is a top view which shows one aspect of the touch panel obtained using this indication. In the touch panel 100, the X electrodes 52 and the Y electrodes 54, which are transparent electrodes, are alternately arranged side by side, and the X electrodes 52 provided in the same column in the longitudinal direction are connected to one lead wire 56. Each of the Y electrodes 54 provided in the same column in the width direction are respectively connected by a single lead-out wiring 57 .

이상, 본 개시의 적합한 실시형태에 관하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. As mentioned above, although preferred embodiment of this indication was described, this indication is not limited to the said embodiment.

실시예Example

이하, 실시예에 의해 본 개시를 보다 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, although an Example demonstrates this indication in more detail, this indication is not limited to an Example.

(제조예 1: 바인더 폴리머(A-1)의 제조)(Preparation Example 1: Preparation of Binder Polymer (A-1))

중합성 단량체(모노마)인 메타크릴산 30g, 메타크릴산메틸 35g 및 메타크릴산부틸 35g(질량비 30/35/35)과, 아조비스이소부티로니트릴 0.5g과, 아세톤 10g을 혼합하여 얻은 용액을 「용액 a」라고 했다. 아세톤 30g에 아조비스이소부티로니트릴 0.6g을 용해하여 얻은 용액을 「용액 b」라고 했다. A solution obtained by mixing 30 g of methacrylic acid as a polymerizable monomer (monoma), 35 g of methyl methacrylate, and 35 g of butyl methacrylate (mass ratio of 30/35/35), 0.5 g of azobisisobutyronitrile, and 10 g of acetone was called "solution a". A solution obtained by dissolving 0.6 g of azobisisobutyronitrile in 30 g of acetone was referred to as "solution b".

교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 아세톤 80g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20g의 혼합액(질량비 4:1) 100g을 투입하고, 플라스크내에 질소 가스를 취입하여 교반하면서 가열하여, 80℃까지 승온시켰다. Into a flask equipped with a stirrer, a reflux condenser, a thermometer, a dropping funnel and a nitrogen gas introduction tube, 100 g of a mixed solution (mass ratio of 4:1) of 80 g of acetone and 20 g of propylene glycol monomethyl ether (mass ratio: 4:1) is introduced, and nitrogen gas is blown into the flask and stirred. While heating, it heated up to 80 degreeC.

플라스크내의 상기 혼합액에, 상기 용액 a를 4시간 걸쳐 적하 속도를 일정하게 하여 적하한 후, 플라스크내의 용액을 80℃에서 2시간 교반했다. 이어서, 플라스크내의 용액에, 상기 용액 b를 10분간 걸쳐 적하 속도를 일정하게 하여 적하한 후, 플라스크내의 용액을 80℃에서 3시간 교반했다. 또한, 플라스크내의 용액을 30분간 걸쳐 90℃까지 승온시키고, 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머(A-1)의 용액을 얻었다. The solution a was added dropwise to the mixture in the flask at a constant dropping rate over 4 hours, and then the solution in the flask was stirred at 80 DEG C for 2 hours. Then, the solution b was added dropwise to the solution in the flask at a constant dropping rate over 10 minutes, and then the solution in the flask was stirred at 80 DEG C for 3 hours. Further, the temperature of the solution in the flask was raised to 90 DEG C over 30 minutes, kept at 90 DEG C for 2 hours, and then cooled to obtain a solution of a binder polymer (A-1).

바인더 폴리머(A-1)의 불휘발분(고형분)은 42.8질량%이며, 중량평균분자량은 50000이며, 산가는 195mgKOH/g, 분산도는 2.58이었다. The nonvolatile matter (solid content) of the binder polymer (A-1) was 42.8 mass %, the weight average molecular weight was 50000, the acid value was 195 mgKOH/g, and the dispersion degree was 2.58.

또한, 중량평균분자량 및 분산도는, 겔 침투 크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 사용하여 환산함으로써 도출했다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다. In addition, the weight average molecular weight and dispersion degree were measured by the gel permeation chromatography method (GPC), and were derived|led-out by converting using the analytical curve of standard polystyrene. The conditions of GPC are shown below.

GPC 조건 GPC conditions

펌프: 히타치/L-6000형(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제)Pump: Hitachi/L-6000 type (manufactured by Hitachi, Ltd.)

컬럼: 이하의 합 3개, 컬럼 사양: 10.7mmΦ×300mmColumn: Total of 3 below, Column specification: 10.7mmΦ×300mm

Gelpack GL-R440Gelpack GL-R440

Gelpack GL-450Gelpack GL-450

Gelpack GL-R400M(이상, 히타치가세이 가부시키가이샤제, 상품명)Gelpack GL-R400M (above, made by Hitachi, Ltd., brand name)

용리액: 테트라히드로푸란(THF)Eluent: tetrahydrofuran (THF)

시료 농도: 고형분이 40질량%의 수지 용액을 120mg 채취하고, 5mL의 THF에 용해하여 시료를 조제했다. Sample concentration: 120 mg of a resin solution having a solid content of 40% by mass was collected and dissolved in 5 mL of THF to prepare a sample.

측정 온도: 40℃Measuring temperature: 40℃

주입량: 200μLInjection volume: 200 μL

압력: 49Kgf/cm2(4.8MPa)Pressure: 49Kgf/cm 2 (4.8 MPa)

유량: 2.05mL/분Flow: 2.05 mL/min

검출기: 히타치 L-3300형 RI(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제)Detector: Hitachi L-3300 type RI (manufactured by Hitachi, Ltd.)

실시예 및 비교예는, 이하의 방법으로 실시했다. An Example and a comparative example were implemented with the following method.

(감광성 수지 조성물(도포액)의 조제)(Preparation of photosensitive resin composition (coating liquid))

표 1에 나타내는 각 성분을 배합표에 나타내는 배합량(질량부)으로 혼합함으로써, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물의 도포액을 얻었다. 표 중의 (A)성분의 배합량은 불휘발분의 질량(고형 분량)이다. 또한, 「-」은 미배합을 의미한다. 표 1에 나타내는 각 성분의 상세(詳細)는, 이하와 같다. By mixing each component shown in Table 1 with the compounding quantity (mass part) shown in a compounding table, the coating liquid of the photosensitive resin composition of an Example and a comparative example was obtained. The compounding quantity of (A) component in a table|surface is the mass (solid content) of a non-volatile matter. In addition, "-" means unmixed. The detail of each component shown in Table 1 is as follows.

((A)성분)((A) component)

A-1: 제조예 1에서 얻어진 바인더 폴리머(A-1)A-1: Binder polymer (A-1) obtained in Preparation Example 1

((B)성분) ((B) component)

FA-321M: 2,2-비스(4-(메타크릴록시펜타에톡시)페닐)프로판(히타치가세이 가부시키가이샤제, 상품명)FA-321M: 2,2-bis(4-(methacryloxypentaethoxy)phenyl)propane (manufactured by Hitachi Sei Co., Ltd., trade name)

UA-11: 폴리옥시에틸렌우레탄디메타크릴레이트(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명) UA-11: polyoxyethylene urethane dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name)

UA-131: 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌우레탄디메타크릴레이트(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명)UA-131: polyoxyethylene polyoxypropylene urethane dimethacrylate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name)

UA-21: 트리스(메타크릴록시테트라에틸렌글리콜이소시아네이트)헥사메틸렌이소시아눌레이트(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명) UA-21: tris (methacryloxytetraethylene glycol isocyanate) hexamethylene isocyanurate (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., trade name)

FA-3200MY: 폴리옥시알킬렌화비스페놀A 디메타크릴레이트(히타치가세이 가부시키가이샤제, 상품명)FA-3200MY: polyoxyalkylenated bisphenol A dimethacrylate (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name)

R-128H: 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트(니폰가야쿠 가부시키가이샤제, 상품명) R-128H: 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate (manufactured by Nippon Gayaku Co., Ltd., trade name)

FA-MECH: γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트(히타치가세이 가부시키가이샤제, 상품명)FA-MECH: γ-chloro-β-hydroxypropyl-β′-methacryloyloxyethyl-o-phthalate (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., trade name)

((C)성분)((C)component)

B-CIM: 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비스이미다졸(Hampford사제, 상품명)B-CIM: 2,2'-bis(2-chlorophenyl)-4,4',5,5'-tetraphenylbisimidazole (manufactured by Hampford, trade name)

((D)성분: 실란 커플링제)((D)component: silane coupling agent)

AY43-031: 3-우레이도프로필에톡시실란(토레·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명)AY43-031: 3-Ureidopropylethoxysilane (Toray Dow Corning Co., Ltd., trade name)

KBM-803: 3-메르캅토프로필트리메톡시실란(신에츠가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명)KBM-803: 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name)

SZ-6030: 메타크릴록시프로필트리메톡시실란(토레·다우코닝 가부시키가이샤제, 상품명)SZ-6030: methacryloxypropyl trimethoxysilane (Toray Dow Corning Co., Ltd. make, brand name)

((E)성분: 증감 색소)((E) component: sensitizing dye)

EAB: 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논(호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명)EAB: 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone (manufactured by Hodogaya Chemical Co., Ltd., trade name)

PZ-501D: 1-페닐-3-(4-메톡시스티릴)-5-(4-메톡시페닐)피라졸린PZ-501D: 1-phenyl-3-(4-methoxystyryl)-5-(4-methoxyphenyl)pyrazoline

(그 밖의 성분: (A)∼(E)성분 이외)(Other components: other than (A) to (E) components)

LCV: 로이코 크리스탈 바이올렛(야마다가가쿠 가부시키가이샤제, 상품명)LCV: Roico Crystal Violet (manufactured by Yamada Chemical Co., Ltd., trade name)

TBC: 4-t-부틸카테콜(DIC 가부시키가이샤제, 상품명 「DIC-TBC-5 P」)TBC: 4-t-butylcatechol (manufactured by DIC Corporation, trade name "DIC-TBC-5P")

F-806P: 비스(N,N-2-에틸헥실)아미노메틸-5-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸(산와가세이 가부시키가이샤제, 상품명)F-806P: bis(N,N-2-ethylhexyl)aminomethyl-5-carboxy-1,2,3-benzotriazole (manufactured by Sanwagasei Co., Ltd., trade name)

AZCV-PW: [4-비스(4-디메틸아미노페닐)메틸렌}-2,5-시클로헥사디엔-1-이리덴](호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명)AZCV-PW: [4-bis(4-dimethylaminophenyl)methylene}-2,5-cyclohexadiene-1-iridene] (Hodogaya Chemical Co., Ltd., trade name)

Figure 112015023700686-pat00005
Figure 112015023700686-pat00005

<감광성 엘리먼트의 제작><Production of photosensitive element>

상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물의 도포액을, 각각 두께 16㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레 가부시키가이샤제, 제품명 「FB-40」) 상에 두께가 균일하게 되도록 도포하고, 70℃ 및 110℃의 열풍 대류식 건조기로 순차적으로 건조 처리하여, 건조 후의 막두께가 15㎛인 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 이 감광성 수지 조성물층 상에 보호층(타마폴리 가부시키가이샤제, 제품명 「NF-15 A」)을 붙여 맞추어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지체)과, 감광성 수지 조성물층과, 보호층이 순서대로 적층된 감광성 엘리먼트를 얻었다. The coating liquid of the photosensitive resin composition obtained above was applied to a uniform thickness on a polyethylene terephthalate film (manufactured by Toray Corporation, product name "FB-40") having a thickness of 16 µm, respectively, at 70 ° C. and 110 ° C. It dried sequentially with a hot-air convection dryer, and the film thickness after drying formed the photosensitive resin composition layer whose film thickness is 15 micrometers. A protective layer (manufactured by Tamapoli Co., Ltd., product name "NF-15A") is pasted on this photosensitive resin composition layer, and a polyethylene terephthalate film (support body), a photosensitive resin composition layer, and a protective layer are laminated in this order. A photosensitive element was obtained.

<적층 기재의 제작><Production of laminated substrate>

폴리에틸렌테레프탈레이트재의 상층(上層)에 결정성의 ITO로 이루어지는 투명 도전층, 또한 그 상층에 구리로 이루어지는 금속층이 형성되고, 금속층의 최표면에는 방청 처리를 실시한 필름 기재를 준비했다. 이 필름 기재(이하, 「기재」라고 한다.)를 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 상기에서 제작한 감광성 엘리먼트를, 기재의 금속층 표면에 라미네이트(적층)했다. 라미네이트는, 보호층을 제거하면서, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층이 기재의 금속층 표면에 밀착하도록 하여, 온도 110℃, 라미네이트 압력 4kgf/cm2(0.4MPa)의 조건하에서 실시했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 상에 감광성 수지 조성물층 및 지지체가 적층된 적층 기재를 얻었다. A transparent conductive layer made of crystalline ITO was formed on the upper layer of the polyethylene terephthalate material, and a metal layer made of copper was formed on the upper layer, and the outermost surface of the metal layer was provided with a film base material subjected to a rust prevention treatment. After heating this film base material (hereinafter referred to as "substrate") and raising the temperature to 80°C, the photosensitive element produced above was laminated (laminated) on the surface of the metal layer of the base material. Lamination was carried out under conditions of a temperature of 110° C. and a lamination pressure of 4 kgf/cm 2 (0.4 MPa), while the protective layer was removed so that the photosensitive resin composition layer of the photosensitive element was in close contact with the surface of the metal layer of the substrate. In this way, the laminated base material in which the photosensitive resin composition layer and the support body were laminated|stacked on the metal layer surface of a base material was obtained.

<감도의 평가><Evaluation of sensitivity>

얻어진 적층 기재를 23℃가 될 때까지 방냉했다. 다음으로, 적층 기재를 3개의 영역으로 분할하고, 그 중 하나의 영역의 지지체 상에, 농도 영역 0.00∼2.00, 농도 스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단(段) 스텝 타블렛을 가지는 포토툴을 밀착시켰다. 노광은, 쇼트 아크 UV램프(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「AHD-5000R」)를 광원으로 하는 평행 광선 노광기(가부시키가이샤 오크세이사쿠쇼제, 제품명 「EXM-1201」)를 이용하여, 100mJ/cm2의 에너지양(노광량)으로 포토툴 및 지지체를 통하여 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 이 때, 사용하지 않은 다른 영역은, 블랙 시트로 덮었다. 또한, 각각 다른 영역에 대하여, 동일한 방법으로 개별적으로 200mJ/cm2, 400mJ/cm2의 에너지량으로 노광했다. 또한, 조도의 측정은, 405nm 대응 프로브를 적용한 자외선 조도계(우시오덴키 가부시키가이샤제, 제품명 「UIT-150」)를 이용했다. The obtained laminated base material was left to cool until it became 23 degreeC. Next, the laminated substrate is divided into three regions, and on a support in one region, a concentration region of 0.00 to 2.00, a concentration step of 0.05, a tablet size of 20 mm × 187 mm, and a size of each step of 3 mm × 12 mm 41 A photo tool having a step-step tablet was closely attached. The exposure was performed using a parallel light exposure machine (manufactured by Oaksei Co., Ltd., product name "EXM-1201") using a short arc UV lamp (manufactured by Oaksei Co., Ltd., product name "AHD-5000R") as a light source, The photosensitive resin composition layer was exposed through a photo tool and a support with an energy amount (exposure amount) of 100 mJ/cm 2 . At this time, the other unused area|region was covered with a black sheet. Moreover, about each other area|region, it exposed with the energy amount of 200 mJ/cm 2 and 400 mJ/cm 2 individually by the same method. In addition, the measurement of illuminance used the ultraviolet illuminometer (The Ushio Denki Co., Ltd. make, product name "UIT-150") to which a 405 nm compatible probe was applied.

노광 후, 적층 기재로부터 지지체를 박리하고, 감광성 수지 조성물층을 노출시켜, 30℃의 1질량% 탄산나트륨 수용액을 16초간 스프레이 함으로써, 미노광 부분을 제거했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 상에 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트 패턴을 형성했다. 각 노광량에 있어서의 레지스트 패턴(경화막)으로서 얻어진 스텝 타블렛의 잔존 단수(스텝의 수)로부터, 노광량과 스텝 단수와의 검량선을 작성하고, 스텝단수가 17단이 되는 노광량을 구함으로써, 감광성 수지 조성물의 감도를 평가했다. 감도는, 검량선으로부터 구한 스텝 단수가 17단이 되는 노광량에 의해 나타내며, 노광량이 적을수록 감도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3에 나타냈다. After exposure, the support body was peeled from the laminated base material, the photosensitive resin composition layer was exposed, and the unexposed part was removed by spraying a 30 degreeC 1 mass % sodium carbonate aqueous solution for 16 second. In this way, the resist pattern which consists of a hardened|cured material of the photosensitive resin composition was formed on the metal layer surface of a base material. From the remaining number of stages (number of steps) of the step tablet obtained as a resist pattern (cured film) at each exposure amount, a calibration curve between the exposure amount and the number of steps is created, and the exposure amount at which the number of steps becomes 17 is obtained. The sensitivity of the composition was evaluated. The sensitivity is expressed by the exposure amount at which the number of steps obtained from the calibration curve becomes 17 steps, and it means that the sensitivity is so good that the exposure amount is small. The results are shown in Table 3.

<밀착성의 평가><Evaluation of adhesion>

라인폭(L)/스페이스폭(S)(이하, 「L/S」라고 기재한다.)이 8/400∼47/400(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 이용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다. Residual of the 41-step step tablet using a mask pattern with a line width (L)/space width (S) (hereinafter referred to as “L/S”) of 8/400 to 47/400 (unit: μm) It exposed with respect to the photosensitive resin composition layer of the said laminated|multilayer base material with the energy amount used as 17 stages|stages. After exposure, the same development process as evaluation of the said sensitivity was implemented.

현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행(蛇行)이나 결함을 발생하는 일 없이 형성된 레지스트 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3에 나타냈다. After development, the space portion (unexposed portion) is removed cleanly, and the line portion (exposed portion) is formed without meandering or defects. By this, adhesiveness was evaluated. It means that adhesiveness is so favorable that this numerical value is small. The results are shown in Table 3.

<해상성의 평가><Evaluation of resolution>

L/S가 8/8∼47/47(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 이용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다. Using a mask pattern having an L/S of 8/8 to 47/47 (unit: μm), the photosensitive resin composition layer of the laminated substrate was exposed with an energy amount such that the remaining number of stages of a 41-step tablet was 17. . After exposure, the same development process as evaluation of the said sensitivity was implemented.

현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행이나 결함을 발생하는 일 없이 형성된 레지스트 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 해상도를 평가했다. 이 수치가 작을수록 해상도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3에 나타냈다. After development, the space portion (unexposed portion) is cleanly removed, and the line portion (exposed portion) is formed without meandering or defects. evaluated. It means that the resolution is so good that this numerical value is small. The results are shown in Table 3.

<내에칭액성의 평가><Evaluation of etch-resistance property>

레지스트 패턴의 내에칭성을 이하와 같이 평가했다. L/S가 8/400∼47/400(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 이용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시하여 패턴 형성된 기재를 얻었다. The etching resistance of the resist pattern was evaluated as follows. Using a mask pattern having an L/S of 8/400 to 47/400 (unit: μm), the photosensitive resin composition layer of the laminated substrate was exposed with an energy amount such that the remaining number of stages of a 41-step tablet was 17. . After exposure, the same development process as evaluation of the said sensitivity was performed, and the pattern-formed base material was obtained.

얻어진 기재는 염화제2구리계 용액을 사용하여 표면의 금속층이 없어질 때까지 에칭을 실시했다. 그 후, 수세, 건조시켰다. 또한, 25질량% 염화수소 수용액에 표면의 금속층을 제거한 기재를 2분 침지시키고, 그 후, 수세, 건조시켰다. The obtained base material was etched using a cupric chloride solution until the metal layer on the surface disappeared. After that, it was washed with water and dried. Furthermore, the base material from which the surface metal layer was removed was immersed in 25 mass % hydrogen chloride aqueous solution for 2 minutes, and it was made to wash and dry with water after that.

투명 도전층을 에칭에 의해 제거한 후, 스페이스 부분(미노광 부분)의 금속층 및 투명 도전층이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행이나 결함을 발생하는 일 없이 형성된 레지스트 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 에칭 후의 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 내에칭액성이 높고 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3에 나타냈다. After the transparent conductive layer is removed by etching, the metal layer and the transparent conductive layer in the space portion (unexposed portion) are cleanly removed, and the line portion (exposed portion) is formed without meandering or defects in the formed resist pattern. The minimum value among the values of line width/space width evaluated the adhesiveness after etching. It means that etching resistance is so high that this numerical value is small, and adhesiveness is favorable. The results are shown in Table 3.

<크로스컷 테스트에 의한 경화막의 밀착성 평가><Adhesive evaluation of cured film by cross-cut test>

PET 네가티브: 60mm×45mm 각(角)(베타: 패턴 없음)을 이용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 17단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시하여 60mm×45mm 각의 경화막을 얻었다. 경화막의 밀착성을 평가하기 위해서, 일본공업규격 JISK-5600-5-6(1999)에 준거하여, 크로스컷 테스트를 실시했다. 구체적으로는, 우선, 경화막을 1mm 간격으로 25번째 크로스컷(종횡 6컷씩) 했다. 이어서, 크로스컷 한 개소에, 점착 테이프를 붙인 후, 점착 테이프를 벗김으로써 경화막의 박리의 유무를 조사하여, 표 2에 나타내는 클래스 0으로부터 클래스 5의 6단계로 평가했다. 결과를 표 3에 나타냈다. PET negative: Using a 60 mm x 45 mm square (beta: no pattern), the photosensitive resin composition layer of the said laminated base material was exposed with the energy amount at which the remaining number of stages of a 41-stage tablet becomes 17 stages. After exposure, the same development process as evaluation of the said sensitivity was performed, and the cured film of 60 mm x 45 mm square was obtained. In order to evaluate the adhesiveness of a cured film, based on Japanese Industrial Standards JISK-5600-5-6 (1999), the cross-cut test was implemented. Specifically, first, the 25th cross-cut (6 vertical and horizontal cuts each) of the cured film was carried out at intervals of 1 mm. Next, the presence or absence of peeling of a cured film was investigated by peeling off an adhesive tape, after affixing an adhesive tape to one crosscut location, and it evaluated in 6 grades of the class 0 to the class 5 shown in Table 2. The results are shown in Table 3.

Figure 112015023700686-pat00006
Figure 112015023700686-pat00006

Figure 112015023700686-pat00007
Figure 112015023700686-pat00007

광중합성 화합물로서 일반식(1)의 화합물을 가지는 실시예 1∼7은, 일반식(1)의 화합물을 함유하지 않은 비교예 1 및 2와 비교하여 크로스컷 시험에 의한 밀착성이 양호하다는 것을 알았다. 특히, 증감 색소로서 피라졸린 화합물을 함유하는 실시예 3 및 4에서는, 클래스 0의 밀착성을 나타냈다. It turned out that Examples 1-7 which have the compound of General formula (1) as a photopolymerizable compound have favorable adhesiveness by a crosscut test compared with Comparative Examples 1 and 2 which do not contain the compound of General formula (1). . In particular, in Examples 3 and 4 containing a pyrazoline compound as a sensitizing dye, class 0 adhesiveness was shown.

표 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, EO·PO변성 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트 화합물과 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트를 함유하는 실시예 1∼4 및 7은, 비교예 1 및 2와 비교하여 에칭 후의 밀착성이 향상된다는 것을 알았다. As can be seen from Table 3, Examples 1-4 and 7 containing an EO·PO-modified bisphenol A di(meth)acrylate compound and a urethane (meth)acrylate having an isocyanurate group are Comparative Example 1 and 2, it turned out that the adhesiveness after etching improves.

2… 지지체, 4… 감광성 수지 조성물층, 6… 보호층, 10… 감광성 엘리먼트, 12… 지지 기재, 14… 투명 도전층, 16… 감광성 수지 조성물층, 18… 인출 배선, 22… 지지 기재, 24… 투명 도전층, 26…금속층, 28… 감광성 수지 조성물층, 29… 레지스트 패턴, 30… 감광성 수지 조성물층, 31… 레지스터, 52… 투명 전극(X전극), 54… 투명 전극(Y전극), 56, 57… 인출 배선, 100… 터치 패널. 2… support, 4... A photosensitive resin composition layer, 6... protective layer, 10... A photosensitive element, 12... support substrate, 14 . . . Transparent conductive layer, 16... A photosensitive resin composition layer, 18... lead-out wiring, 22... support substrate, 24 . . . A transparent conductive layer, 26... metal layer, 28... The photosensitive resin composition layer, 29... resist pattern, 30... A photosensitive resin composition layer, 31... register, 52... Transparent electrode (X electrode), 54... Transparent electrode (Y electrode), 56, 57... Outgoing wiring, 100... touch panel.

Claims (7)

(A)성분: 바인더 폴리머,
(B)성분: 광중합성 화합물, 및
(C)성분: 광중합 개시제를 함유하고,
상기 (B)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 (메타)아크릴레이트 화합물, 및 (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 비스페놀A형 디(메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물.
Figure 112021143839364-pat00008

[일반식(1) 중, R1은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다. R2는, 히드록실기를 함유하는 알킬렌기 또는 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. R3은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.]
(A) A component: a binder polymer,
(B) Component: A photopolymerizable compound, and
(C)component: A photoinitiator is contained,
The component (B) contains a (meth)acrylate compound represented by the following general formula (1), and a bisphenol A-type di(meth)acrylate compound having a (poly)oxyethylene group and a (poly)oxypropylene group The photosensitive resin composition for ITO etching.
Figure 112021143839364-pat00008

[In general formula (1), R 1 represents an acryloyl group or a methacryloyl group. R 2 represents an alkylene group containing a hydroxyl group or a polyoxyalkylene group having a hydroxyl group. R 3 represents an acryloyl group, a methacryloyl group, an alkyl group, or an aryl group.]
제1항에 있어서,
상기 (B)성분이, 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물을 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
According to claim 1,
The photosensitive resin composition in which the said (B) component further contains the urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group.
(A)성분: 바인더 폴리머,
(B)성분: 광중합성 화합물, 및
(C)성분: 광중합 개시제를 함유하고,
상기 (B)성분이, 하기 일반식(1)로 표시되는 (메타)아크릴레이트 화합물, 및 이소시아눌레이트기를 가지는 우레탄(메타)아크릴레이트 화합물을 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
Figure 112021143839364-pat00014

[일반식(1) 중, R1은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 나타낸다. R2는, 히드록실기를 함유하는 알킬렌기 또는 히드록실기를 가지는 폴리옥시알킬렌기를 나타낸다. R3은, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다.]
(A) A component: a binder polymer,
(B) Component: A photopolymerizable compound, and
(C)component: A photoinitiator is contained,
The photosensitive resin composition in which the said (B) component further contains the (meth)acrylate compound represented by following General formula (1), and the urethane (meth)acrylate compound which has an isocyanurate group.
Figure 112021143839364-pat00014

[In general formula (1), R1 represents an acryloyl group or a methacryloyl group. R2 represents an alkylene group containing a hydroxyl group or a polyoxyalkylene group having a hydroxyl group. R3 represents an acryloyl group, a methacryloyl group, an alkyl group or an aryl group.]
지지체와, 그 지지체의 일면 상에 설치된 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성되는 감광성 수지 조성물층을 구비하는, 감광성 엘리먼트. A photosensitive element comprising a support and a photosensitive resin composition layer formed using the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 provided on one surface of the support. 기재 상에, 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물을 사용하여 감광성 수지 조성물층을 형성하는 제1의 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 제2의 공정과,
상기 감광성 수지 조성물층의 상기 경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 상으로부터 제거하여, 상기 경화물 영역으로 이루어지는 레지스트 패턴을 얻는 제3의 공정
을 가지는, 레지스트 패턴의 형성 방법.
A 1st process of forming a photosensitive resin composition layer on a base material using the photosensitive resin composition of Claim 1 or 2;
a second step of curing a part of the photosensitive resin composition layer by irradiation with actinic light to form a cured product region;
A third step of removing a region other than the cured product region of the photosensitive resin composition layer from the substrate to obtain a resist pattern comprising the cured product region
A method of forming a resist pattern having a.
지지 기재와, 그 지지 기재의 일면 상에 설치된 산화인듐주석을 포함하는 투명 도전층과 그 투명 도전층 상에 설치된 금속층을 구비하는 적층 기재의, 상기 금속층 상에, 제1항 또는 제2항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스트 패턴을 형성하는 제1의 공정과,
상기 금속층 및 상기 투명 도전층을 에칭하여, 상기 투명 도전층의 잔부(殘部) 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과,
상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명 도전층의 잔부로 이루어지는 투명 전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정
을 가지는, 터치 패널의 제조 방법.
On the metal layer of a laminated substrate comprising a supporting substrate, a transparent conductive layer containing indium tin oxide provided on one surface of the supporting substrate, and a metal layer provided on the transparent conductive layer, the metal layer according to claim 1 or 2 A first step of forming a resist pattern comprising a cured product of the photosensitive resin composition described above;
a second step of etching the metal layer and the transparent conductive layer to form a laminated pattern comprising the remainder of the transparent conductive layer and the remainder of the metal layer;
A third step of removing the metal layer from a part of the lamination pattern to form a transparent electrode comprising the remainder of the transparent conductive layer and a metal wiring comprising the remainder of the metal layer
Having, a method of manufacturing a touch panel.
제6항에 있어서,
상기 투명 도전층이, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고,
상기 제2의 공정에 있어서의 에칭이, 강산에 의한 에칭인, 터치 패널의 제조 방법.
7. The method of claim 6,
The transparent conductive layer contains crystalline indium tin oxide,
The method for manufacturing a touch panel, wherein the etching in the second step is etching with a strong acid.
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