KR102380987B1 - 증발원 및 증착 장치 - Google Patents

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사토시 사토
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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 냉각 효율을 높일 수 있는 증발원 및 증착 장치를 제공한다.
[해결 수단] 기판에 증착시키는 물질의 재료를 수용하는 도가니(100)와, 도가니(100)를 둘러싸도록 설치되어, 도가니(100)를 가열하는 가열체(200)와, 가열체(200)를 둘러싸도록 설치되어, 열을 차단하는 리플렉터(300)를 구비하는 증발원(10)으로서, 리플렉터 본체(310)의 내부에 리플렉터 본체(310)의 내벽면을 따르도록 설치되고, 또한 냉각액이 흐르는 냉각액실(311)과, 냉각액실(311) 내에 구비되어, 냉각액을 냉각액실(311)의 하방으로부터 배출시키는 배액관(340)을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

증발원 및 증착 장치{EVAPORATION SOURCE AND VAPOR DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은, 진공 증착을 행하기 위해 이용되는 증발원 및 증착 장치에 관한 것이다.
증발원에 있어서는, 도가니를 가열하는 가열체로부터의 열을 차단하는 구조가 구비되어 있다.
종래 구조로서, 파이프 형상의 배관을 도가니의 주위에 감고, 이 배관에 냉각수를 흘리는 구조가 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
그러나, 이와 같은 구조의 경우, 냉각수가 흐르는 파이프의 도가니 등에 대한 접촉 면적이 좁아지기 때문에, 냉각 효율이 낮았다.
일본특허공개 평6-10118호 공보
본 발명의 목적은, 냉각 효율을 높일 수 있는 증발원 및 증착 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해 이하의 수단을 채용했다.
즉, 본 발명의 증발원은,
기판에 증착시키는 물질의 재료를 수용하는 도가니와,
상기 도가니를 둘러싸도록 설치되어, 당해 도가니를 가열하는 가열체와,
상기 가열체를 둘러싸도록 설치되어, 열을 차단하는 차열 구조체
를 구비하는 증발원으로서,
상기 차열 구조체의 내부에 당해 차열 구조체의 내벽면을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액이 흐르는 냉각액실과,
상기 냉각액실 내에 구비되고, 냉각액을 당해 냉각액실의 하방으로부터 배출시키는 배액관
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이상 설명한 것처럼, 본 발명에 의하면, 냉각 효율을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 증착 장치의 개략 구성도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 모식적 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1에 관한 리플렉터의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 1에 관한 리플렉터의 내부 구조의 개략 구성도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2에 관한 리플렉터의 평면도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 2에 관한 리플렉터의 내부 구조의 개략 구성도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 2에 관한 리플렉터의 내부 구조의 개략 구성도이다.
도 10은 본 발명의 실시예 3에 관한 리플렉터의 평면도이다.
도 11은 본 발명의 실시예 3에 관한 리플렉터의 내부 구조의 개략 구성도이다.
이하에 도면을 참조하여, 이 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 기초하여 예시적으로 상세하게 설명한다. 다만, 이 실시예에 기재되어 있는 구성부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한은, 이 발명의 범위를 그러한 바로만 한정하는 취지의 것이 아니다.
(실시예 1)
도 1~도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원 및 증착 장치에 대해 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예 1에 관한 증착 장치의 개략 구성도이다. 도 2는 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 평면도이다. 도 3은 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 측면도이며, 증착 장치 내에 배치된 상태에 있어서의 증발원의 측면도를 나타내고 있다. 도 4는 본 발명의 실시예 1에 관한 증발원의 모식적 단면도이며, 도 2 중의 A1-A2 단면도에 상당한다. 도 5는 본 발명의 실시예 1에 관한 리플렉터의 평면도이며, 덮개부를 제거한 상태를 나타내고 있다. 도 6은 본 발명의 실시예 1에 관한 리플렉터의 내부 구조의 개략 구성도이며, 리플렉터의 내부 구조를 간략한 단면도로 나타내고 있다. 도 1, 도 3, 도 4 및 도 6에 있어서는, 도면 중의 상방이 증착 장치의 사용 시에 있어서의 연직 방향 상방에 상당하고, 도면 중의 하부가 증착 장치의 사용 시에 있어서의 연직 방향 하방에 상당한다.
＜증착 장치＞
도 1을 참조하여, 증착 장치(1)에 대해 간단하게 설명한다. 증착 장치(1)는, 진공 펌프(30)에 의해, 내부가 진공에 가까운 상태가 되도록 구성되는 챔버(20)와, 챔버(20)의 내부에 배치되는 증발원(10)을 구비하고 있다. 증발원(10)은, 기판(70)에 증착시키는 물질의 재료를 가열시킴으로써, 당해 재료를 증발 또는 승화시키는 역할을 담당하고 있다. 이 증발원(10)에 의해 증발 또는 승화된 물질이, 챔버(20)의 내부에 설치된 기판(70)에 부착됨으로써, 기판(70)에 박막이 형성된다.
또한, 증착 장치(1)에는, 챔버(20)의 외부에 구비되어진 냉각액 펌프(40)로부터 공급되는 냉각액을 증발원(10)에 공급하기 위한 제1 배관(50)과, 증발원(10)으로부터 챔버(20)의 외부로 냉각액을 배출하기 위한 제2 배관(60)이 구비되어 있다.
＜증발원＞
특히, 도 2~도 4를 참조하여, 본 실시예에 관한 증발원(10)의 전체 구성에 대해 설명한다. 증발원(10)은, 기판(70)에 증착시키는 물질의 재료를 수용하는 도가니(100)와, 도가니(100)를 둘러싸도록 설치되어, 도가니(100)를 가열하는 가열체(200)와, 가열체(200)를 둘러싸도록 설치되어, 열을 차단하는 차열 구조체로서의 리플렉터(300)를 구비하고 있다. 도가니(100)를 가열하는 방식은 각종의 구성이 채용될 수 있다. 예를 들어, 통전 가열 방식이 채용되는 경우에는, 가열체(200)는, 통전되는 와이어에 상당한다. 또한, 고주파 유도 가열 방식이 채용되는 경우에는, 가열체(200)는 가열 코일에 상당한다.
리플렉터(300)는, 원통 형상의 리플렉터 본체(310)와, 리플렉터 본체(310)의 하방에 설치되는 저판부(320)와, 리플렉터 본체(310)의 상방에 설치되는 덮개부(330)로 구성된다. 이 리플렉터(300)는, 재치대(350)에 재치된다.
또한, 챔버(20)의 내부에 리플렉터(300)를 설치했을 때에, 재치대(350)에 대한 리플렉터(300)의 기울기를 조정하는 기울기 조정 기구가 설치되고 있다. 이 기울기 조정 기구는, 각각의 위치에서, 재치대(350)와 리플렉터(300)와의 간격을 조정하는 복수의 나사 부품(360)에 의해 구성되어 있다. 이들 복수의 나사 부품(360)에 의해, 각각의 위치에서, 재치대(350)와 리플렉터(300)와의 간격을 조정함으로써, 재치대(350)에 대한 리플렉터(300)의 기울기를 조정할 수 있다.
리플렉터 본체(310)의 내벽면(312)과 가열체(200)와의 사이에는, 가열체(200)로부터의 열을 반사시키는 원통 형상 리플렉터(410)가 설치되어 있다. 또한, 가열체(200)와 저판부(320)와의 사이에는, 가열체(200)로부터의 열을 반사시키는 판 형상 리플렉터(420)가 설치되어 있다. 또한, 판 형상 리플렉터(420)는 중앙에 구멍이 뚫린 원판 형상의 부재에 의해 구성되어 있다. 본 실시예에서는, 원통 형상 리플렉터(410)와 판 형상 리플렉터(420)는 떨어지도록 구성되어 있지만, 이들은 연결되도록 구성해도 된다. 또한, 원통 형상 리플렉터(410)와 판 형상 리플렉터(420)는, 리플렉터(300)를 구성하는 각종 부재에 고정하면 된다. 그리고, 리플렉터(300)에 있어서의 리플렉터 본체(310)의 내부에는, 리플렉터 본체(310)의 내벽면(312)을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액(L)이 흐르는 냉각액실(311)이 설치되어 있다. 본 실시예에 관한 리플렉터 본체(310)의 내벽면(312)은, 가열체(200)로부터의 열을 반사시키는 반사면으로서의 기능을 가지고 있다. 또한, 본 실시예에 관한 냉각액실(311)은, 원통 형상의 공간에 의해 형성되고 있다. 그리고, 이 냉각액실(311) 내에는, 냉각액(L)을 냉각액실(311)의 하방으로부터 배출시키는 배액관(340)이 구비되어 있다.
리플렉터(300)에 있어서의 저판부(320)에는, 리플렉터(300)의 저면으로부터 냉각액실(311) 내에 이르도록 설치되며, 냉각액(L)이 공급되는 공급 통로(321)가 설치되고 있다. 또한, 이 저판부(320)에는, 냉각액실(311) 내로부터 리플렉터(300)의 저면에 이르도록 설치되며, 냉각액(L)이 배출되는 배출 통로(322)가 설치되고 있다. 그리고, 배액관(340)은, 일단이 냉각액실(311) 내의 상방에 위치하며, 타단이 배출 통로(322)에 접속되어 있다. 이 배액관(340)의 일단측의 단면에 설치된 개구부는, 상방을 향하도록 구성되어 있다.
상술한 제1 배관(50)은, 챔버(20)에 형성된 제1 삽통공(21) 내와, 재치대(350)에 형성된 제3 삽통공(351) 내를 삽통하도록 설치되어 있다. 또한, 이 제1 배관(50)의 일단측은, 공급 통로(321)에 접속되어 있다. 그리고, 제1 배관(50)과 제1 삽통공(21)과의 사이의 환 형상 간극은, 탄성체제의 제1 가스켓(26)에 의해 봉지되고 있고, 제1 배관(50)과 제3 삽통공(351)과의 사이에는 환 형상 간극이 확보되도록 설계되어 있다.
또한, 제2 배관(60)은, 챔버(20)에 형성된 제2 삽통공(22) 내와, 재치대(350)에 형성된 제4 삽통공(352) 내를 삽통하도록 설치되어 있다. 또한, 이 제2 배관(60)의 일단측은, 배출 통로(322)에 접속되어 있다. 그리고, 제2 배관(60)과 제2 삽통공(22)과의 사이의 환 형상 간극은, 탄성체제의 제2 가스켓(27)에 의해 봉지되고 있고, 제2 배관(60)과 제4 삽통공(352)과의 사이에는 환 형상 간극이 확보되도록 설계되어 있다. 또한, 제1 가스켓(26) 및 제2 가스켓(27)에 대해서는, 단면 형상이 원형의 O링이나, 단면 형상이 직사각형의 각 링 등, 각종 공지 기술을 적용할 수 있다.
상술한 기울기 조정 기구에 의해, 재치대(350)에 대한 리플렉터(300)의 기울기가 변화하면, 제1 배관(50)과 제2 배관(60)은, 챔버(20) 및 재치대(350)에 대한 기울기가 변화한다. 이 경우에도, 제1 배관(50)과 제3 삽통공(351)과의 사이에는 환 형상 간극이 확보되도록 설계되어 있으므로, 재치대(350)에 대한 제1 배관(50)의 기울기의 변화에 지장을 초래하는 일은 없다. 또한, 제1 가스켓(26)은 탄성체에 의해 구성되어 있기 때문에, 챔버(20)에 대한 제1 배관(50)의 기울기가 변화해도, 제1 배관(50)과 제1 삽통공(21)과의 사이의 환 형상 간극은 봉지된 상태가 유지된다. 제2 배관(60)과 재치대(350)와의 관계, 및 제2 배관(60)과 챔버(20)와의 관계에 대해서도 마찬가지이다.
＜냉각액의 흐름 방식＞
특히, 도 4~도 6을 참조하여, 냉각액(L)의 흐름 방식에 관해 설명한다. 또한, 도 5에 있어서는, 리플렉터(300) 중, 덮개부(330)를 떼어낸 상태의 평면도를 간략하게 나타내고 있다. 또한, 도 6에 있어서는, 냉각액(L)의 흐름 방식을 알 수 있기 쉽도록, 리플렉터(300)의 내부 구조에 있어서, 냉각액(L)의 흐름 방식에 관련하는 부재를 간략하게 나타내고 있다.
제1 배관(50)으로부터 공급되는 냉각액(L)은, 공급 통로(321)를 지나, 냉각액실(311) 내로 이송된다. 공급되는 냉각액(L)의 증가에 수반하여, 냉각액(L)의 액면은, 냉각액실(311) 내에 있어서, 서서히 상승하여 간다(도 6 중의 실선 화살표 참조). 그리고, 냉각액(L)의 액면이, 배액관(340)의 상단 위치(H)를 넘으면, 냉각액(L)은, 배액관(340)의 상단(일단측의 단면)의 개구부로부터 배액관(340)의 관내로 들어가고, 중력에 의해 낙하한다(도 6 중의 점선 화살표 참조). 그 후, 냉각액(L)은, 배출 통로(322)를 지나, 제2 배관(60)으로부터 챔버(20)의 외부로 배출된다.
＜본 실시예에 관한 증발원이 뛰어난 점＞
본 실시예에 관한 증발원(10)에 의하면, 차열 구조체로서의 리플렉터(300)의 내부(리플렉터 본체(310)의 내부)에, 리플렉터 본체(310)의 내벽면(312)을 따르도록 냉각액실(311)이 설치되고 있다. 따라서, 파이프 형상의 관에 의해, 냉각액을 흘리는 경우에 비해, 냉각 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 실시예에 관한 증발원(10)에 의하면, 리플렉터(300)의 저면으로부터 냉각액실(311) 내에 이르도록 공급 통로(321)가 구비되어 있다. 따라서, 냉각액(L)은, 냉각액실(311) 내의 하방으로부터 공급된다.
그리고, 리플렉터 본체(310)의 하방에 설치되는 저판부(320)에, 공급 통로(321)와 배출 통로(322)가 구비되어 있다. 이에 의해, 리플렉터(300)의 하방에, 제1 배관(50)과 제2 배관(60)을 접속할 수 있다. 즉, 리플렉터(300)의 측면 측이나 상면 측에 배관을 접속시킬 필요가 없다. 따라서, 장치 전체를 소형화할 수 있다.
또한, 냉각액실(311) 내에 구비되는 배액관(340)은, 일단이 냉각액실(311) 내의 상방에 위치하고, 타단이 배출 통로(322)에 접속되어 있다. 이에 의해, 냉각액(L)을, 냉각액실(311) 내의 상방으로부터, 배액관(340)을 통해서, 리플렉터(300)의 하방으로 배출시킬 수 있다. 따라서, 냉각액(L)이 냉각액실(311) 내의 하방으로부터 공급되는 것과 더불어, 냉각액의 순환 방향을 도가니(100)에 요구되는 온도 분포에 적합시키는 것이 가능하게 된다. 즉, 도가니(100)에 있어서는, 상방 측이 지나치게 냉각되어 버리면, 증발 또는 승화한 물질이 도가니(100)의 상부에 부착되어 고화된 상태로 되어 버린다. 그 때문에, 냉각액실(311)을 흐르는 냉각액(L)에 의해, 가열체(200)로부터의 열을 차단시키고 싶은 한편, 도가니(100)의 상부측은 지나치게 냉각되지 않게 하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서는, 냉각액(L)은, 냉각액실(311)의 하방으로부터 상방으로 흘러, 배액관(340)으로부터 배출되도록 순환한다. 그리고, 냉각액(L)의 온도가 높을수록, 상승하기 때문에, 냉각액실(311) 내에 있어서의 냉각액(L)의 온도는, 하방으로부터 상방을 향해 온도가 높아지는 것 같은 온도 분포로 된다. 따라서, 도가니(100)의 상방 측이 지나치게 냉각되어 버리는 것이 억제된다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 배액관(340)의 일단 측의 단면에 설치된 개구부가, 상방을 향하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 냉각액(L)의 액면이, 배액관(340)의 상단 위치(H)를 넘으면, 냉각액(L)은, 배액관(340)의 상단(일단측의 단면)의 개구부로부터 배액관(340)의 관내에 들어가서, 중력에 의해 낙하한다. 따라서, 냉각액(L)을 배출시키기 위한 동력원 등을 마련하는 일 없이, 냉각액(L)을 배액관(340)으로부터 효율 좋게 배출시킬 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 냉각액실(311)은 원통 형상의 공간에 의해 형성되고 있다. 이에 의해, 가열체(200)의 주위에 있어서, 균일적으로 열을 차단시킬 수 있다.
나아가, 본 실시예에 있어서는, 원통 형상 리플렉터(410) 및 판 형상 리플렉터(420)에 의해, 가열체(200)로부터의 열을 반사시키며, 또한 차열 구조체인 리플렉터(200)의 리플렉터 본체(310)에 의해서도 열을 반사시키는 구성이 채용되고 있다. 따라서, 도가니(100)의 가열 효율을 높이면서, 가열체(200)로부터의 열을 차단할 수 있다. 또한, 원통 형상 리플렉터(410) 및 판 형상 리플렉터(420)가 설치되어 있기 때문에, 리플렉터 본체(310)가 가열되어 버리는 것이 억제되며, 냉각액(L)에 의한 냉각 효율을 높일 수 있다.
(실시예 2)
도 7~도 9에는, 본 발명의 실시예 2가 나타내어져 있다. 본 실시예에 있어서는, 차열 구조체로서의 리플렉터의 구조가, 상기 실시예 1의 경우와는 다른 경우의 구성을 나타낸다. 리플렉터 이외의 구성에 관해서는, 상기 실시예 1에서 설명한 구성을 적용 가능하기 때문에, 본 실시예에서는, 리플렉터의 구조에 관해서만 설명한다.
도 7에 있어서는, 리플렉터(300X) 중, 덮개부를 떼어낸 상태의 평면도를 간략하게 나타내고 있다. 또한, 도 8 및 도 9에 있어서는, 냉각액(L)의 흐름 방식을 알기 쉽도록, 리플렉터(300X)의 내부 구조에 있어서, 냉각액(L)의 흐름 방식에 관련하는 부재를 간략하게 나타내고 있다. 또한, 도 8은 도 7 중의 B1-B2 단면을 간략하게 나타내고 있고, 도 9는 도 7 중의 C1-C2 단면을 간략하게 나타내고 있다.
본 실시예에 관한 리플렉터(300X)는, 원통 형상의 제1 리플렉터 본체(310XX) 및 제2 리플렉터 본체(310XY)와, 제2 리플렉터 본체(310XY)의 하방에 설치되는 저판부(320X)를 구비하고 있다. 또한, 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)는, 제1 리플렉터 본체(310XX)와 제2 리플렉터 본체(310XY)와의 사이에 설치되는 격벽부(315X)도 구비하고 있다.
또한, 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)에 있어서도, 제1 리플렉터 본체(310)의 상방에는, 덮개부도 구비되어 있다. 다만, 덮개부에 대해서는, 상기 실시예 1에서 설명한 대로이므로, 도시 및 상세 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)가 재치대에 재치되고, 또한 재치대에 대해서 기울기 조정이 가능한 점에 관해서도, 실시예 1에서 설명한 대로이므로, 그 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 상기 실시예 1에서 나타낸 제1 배관(50) 및 제2 배관(60)이 리플렉터(300X)에 접속된다. 본 실시예의 경우에는, 2개의 제1 배관(50)과 2개의 제2 배관(60)이 접속된다.
리플렉터(300X)에 있어서의 제1 리플렉터 본체(310XX)의 내부에는, 제1 리플렉터 본체(310XX)의 내벽면(312XX)를 따르도록 설치되고, 또한 냉각액(L)이 흐르는 냉각액실(311XX)이 설치되어 있다. 이 제1 리플렉터 본체(310XX)의 내벽면(312XX)는, 가열체(도시하지 않음)로부터의 열을 반사시키는 반사면으로서의 기능을 가지고 있다. 또한, 본 실시예에 관한 냉각액실(311XX)은, 원통 형상의 공간에 의해 형성되고 있다.
그리고, 제2 리플렉터 본체(310XY)의 내부에도, 제2 리플렉터 본체(310XY)의 내벽면(312XY)을 따르도록 설치되고, 또한 냉각액(L)이 흐르는 냉각액실(311XY)이 설치되어 있다. 이 제2 리플렉터 본체(310XY)의 내벽면(312XY)은, 가열체(도시하지 않음)로부터의 열을 반사시키는 반사면으로서의 기능을 가지고 있다. 또한, 본 실시예에 관한 냉각액실(311XY)도, 원통 형상의 공간에 의해 형성되어 있다.
이와 같이, 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)에 있어서는, 냉각액실(311XX, 311XY)이 상하 방향으로 분할하도록 설치되어 있다.
본 실시예의 경우에는, 제1 리플렉터 본체(310XX)에 있어서의 냉각액실(311XX)에 냉각액(L)을 공급하기 위한 공급관(370X)이, 제2 리플렉터 본체(310XY)에 있어서의 냉각액실(311XY)을 통과하도록 설치되어 있다. 또한, 제1 리플렉터 본체(310XX)에 있어서의 냉각액실(311XX) 내에는, 냉각액(L)을 냉각액실(311XX)의 하방으로부터 배출시키는 배액관(340XX)이 구비되어 있다. 이 배액관(340XX)은, 제2 리플렉터 본체(310XY)에 있어서의 냉각액실(311XY)을 통과하도록 설치되어 있다.
그리고, 리플렉터(300X)에 있어서의 저판부(320X)에는, 냉각액(L)이 공급되는 공급 통로(321XX)와, 냉각액(L)이 배출되는 배출 통로(322XX)가 설치되어 있다. 그리고, 배액관(340XX)은, 일단이 제1 리플렉터 본체(310XX)에 있어서의 냉각액실(311XX) 내의 상방에 위치하고, 타단이 배출 통로(322XX)에 접속되어 있다. 이 배액관(340XX)의 일단측의 단면에 설치된 개구부는, 상방을 향하도록 구성되어 있다.
또한, 제2 리플렉터 본체(310XY)에 있어서의 냉각액실(311XY) 내에는, 냉각액(L)을 냉각액실(311XY)의 하방으로부터 배출시키는 배액관(340XY)이 구비되어 있다.
그리고, 리플렉터(300X)에 있어서의 저판부(320X)에는, 리플렉터(300X)의 저면으로부터 제2 리플렉터 본체(310XY)에 있어서의 냉각액실(311XY) 내에 이르도록 설치되고, 냉각액(L)이 공급되는 공급 통로(321XY)가 설치되어 있다. 또한, 이 저판부(320X)에는, 제2 리플렉터 본체(310XY)에 있어서의 냉각액실(311XY) 내로부터 리플렉터(300X)의 저면에 이르도록 설치되고, 냉각액(L)이 배출되는 배출 통로(322XY)가 설치되어 있다. 그리고, 배액관(340XY)은, 일단이 냉각액실(311XY) 내의 상방에 위치하고, 타단이 배출 통로(322XY)에 접속되어 있다. 이 배액관(340XY)의 일단측의 단면에 설치된 개구부는, 상방을 향하도록 구성되어 있다.
이상과 같이, 제1 리플렉터 본체(310XX)와 제2 리플렉터 본체(310XY)에는, 각각, 냉각액실(311XX, 311XY)이 설치되어 있다. 또한, 이들 제1 리플렉터 본체(310XX)와 제2 리플렉터 본체(310XY)에는, 각각, 공급 통로(321XX, 321XY), 배출 통로(322XX, 322XY) 및 배액관(340XX, 340XY)이 설치되어 있다. 공급 통로(321XX, 321XY)에는, 각각 제1 배관(50)이 접속되고, 배출 통로(322XX, 322XY)에는 각각 제2 배관(60)이 접속된다. 제1 배관(50)과 제2 배관(60)의 구성 및 접속 구조에 관해서는, 상기 실시예 1에서 설명한 대로이므로, 도시 및 상세 설명은 생략한다.
이상과 같이 구성되는 리플렉터(300X)에 있어서의 냉각액(L)의 흐름 방식에 관해, 제1 리플렉터 본체(310XX) 및 제2 리플렉터 본체(310XY)의 각각에 관해 설명한다.
(제1 리플렉터 본체(310XX)에 관해)
도 8에 나타내는 바와 같이, 공급 통로(321XX)로부터 공급관(370X)을 거쳐 냉각액실(311XX) 내로 냉각액(L)이 공급된다. 그리고, 냉각액(L)의 증가에 수반하여, 냉각액(L)의 액면은, 냉각액실(311XX) 내에 있어서, 서서히 상승하여 간다(도 8 중의 실선 화살표 참조). 그리고, 냉각액(L)의 액면이, 배액관(340XX)의 상단 위치(H1)를 넘으면, 냉각액(L)은, 배액관(340XX)의 상단(일단측의 단면)의 개구부로부터 배액관(340XX)의 관 내로 들어가, 중력에 의해 낙하한다(도 8 중의 점선 화살표 참조). 그 후, 냉각액(L)은, 배출 통로(322XX)를 지나, 챔버(20)의 외부로 배출된다.
(제2 리플렉터 본체(310XY)에 관해)
도 9에 나타내는 바와 같이, 공급 통로(321XY)로부터 냉각액실(311XY) 내로 냉각액(L)이 공급된다. 그리고, 냉각액(L)의 증가에 수반하여, 냉각액(L)의 액면은, 냉각액실(311XY) 내에 있어서, 서서히 상승하여 간다(도 9 중의 실선 화살표 참조). 그리고, 냉각액(L)의 액면이, 배액관(340XY)의 상단 위치(H2)를 넘으면, 냉각액(L)은, 배액관(340XY)의 상단(일단측의 단면)의 개구부로부터 배액관(340XY)의 관 내로 들어가, 중력에 의해 낙하한다(도 9 중의 점선 화살표 참조). 그 후, 냉각액(L)은, 배출 통로(322XY)를 지나, 챔버(20)의 외부로 배출된다.
이상과 같이 구성되는 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)를 증발원에 적용했을 경우에 있어서도, 상기 실시예 1의 경우와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시예의 경우에는, 냉각액실(311XX, 311XY)이 상하 방향으로 분할되도록 설치되고 있다. 따라서, 이들 냉각액실(311XX, 311XY)에 공급하는 냉각액(L)의 온도를 변경함으로써, 리플렉터(300X)의 상하에서 냉각 정도를 변경할 수 있다. 즉, 상술한 것처럼, 도가니의 상부 측은 지나치게 냉각되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 상기 실시예 1의 경우에도, 냉각액실(311) 내에 있어서의 냉각액(L)의 온도는, 하방으로부터 상방을 향해 온도가 높아지는 온도 분포로 하는 것이 가능하다. 그렇지만, 보다 더, 상방의 온도를 높게 하고, 하방의 온도를 낮게 하고 싶은 경우에는, 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)를 채용하면 효과적이다.
또한, 본 실시예에 있어서는, 냉각액실이 상하 방향으로 2 분할되는 경우의 구성을 나타냈지만, 냉각액실이 상하 방향으로 3 분할 이상으로 분할되는 구성을 채용할 수도 있다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 상기 실시예 1의 경우처럼, 원통 형상 리플렉터(410) 및 판 형상 리플렉터(420)를 마련하는 것이 바람직하다.
(실시예 3)
도 10 및 도 11에는, 본 발명의 실시예 3이 나타내어져 있다. 본 실시예에 있어서는, 차열 구조체로서의 리플렉터의 구조가, 상기 실시예 1의 경우와는 다른 경우의 구성을 나타낸다. 리플렉터 이외의 구성에 관해서는, 상기 실시예 1에서 설명한 구성을 적용 가능하기 때문에, 본 실시예에서는, 리플렉터의 구조에 대해서만 설명한다.
도 10에 있어서는, 리플렉터(300Y) 중, 덮개부를 떼어낸 상태의 평면도를 간략하게 나타내고 있다. 또한, 도 11에 있어서는, 냉각액(L)의 흐름 방식을 알기 쉽도록, 리플렉터(300Y)의 내부 구조에 있어서, 냉각액(L)의 흐름 방식에 관련하는 부재를 간략하게 나타내고 있다. 또한, 도 11은 도 10 중의 D1-D2 단면을 간략하게 나타낸 도면에 상당함과 함께, 도 10 중의 E1-E2 단면을 간략하게 나타낸 도면에도 상당한다.
본 실시예에 관한 리플렉터(300Y)는, 반원 통 형상(원통 형상에 대해서, 원통의 중심 축선을 포함한 면에서 절단한 것 같은 형상)의 제1 리플렉터 본체(310YX) 및 제2 리플렉터 본체(310YY)를 구비하고 있다. 또한, 제1 리플렉터 본체(310YX) 및 제2 리플렉터 본체(310YY)는, 동일한 구성이므로, 이하, 제1 리플렉터 본체(310YX)를 중심으로 설명하고, 제2 리플렉터 본체(310YY)에 대한 설명은 적절히 생략한다.
본 실시예에 관한 리플렉터(300Y)에 있어서도, 제1 리플렉터 본체(310YX)의 하방에는 저판부(320Y)가 구비되어 있다. 또한, 본 실시예에 관한 리플렉터(300Y)에 있어서도, 제1 리플렉터 본체(310)의 상방에는, 덮개부도 구비되어 있다. 다만, 덮개부에 대해서는, 그 형상이 리플렉터 본체의 형상에 맞춰서 다르지만, 기본적인 구성은, 상기 실시예 1의 경우와 마찬가지이므로, 도시 및 상세 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예에 관한 리플렉터(300Y)가 재치대에 재치되고, 또한 재치대에 대해서 기울기 조정이 가능한 점에 대해서도, 실시예 1에서 설명한 대로이므로, 그 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 상기 실시예 1에서 나타낸 제1 배관(50) 및 제2 배관(60)이 리플렉터(300Y)에 접속된다. 본 실시예의 경우에는, 2개의 제1 배관(50)과 2개의 제2 배관(60)이 접속된다. 즉, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)에, 각각 제1 배관(50) 및 제2 배관(60)이 접속된다.
리플렉터(300Y)에 있어서의 제1 리플렉터 본체(310YX)의 내부에는, 제1 리플렉터 본체(310YX)의 내벽면(312Y)을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액(L)이 흐르는 냉각액실(311Y)이 설치되어 있다. 이 제1 리플렉터 본체(310YX)의 내벽면(312Y)은, 가열체(도시하지 않음)로부터의 열을 반사시키는 반사면으로서의 기능을 가지고 있다. 또한, 본 실시예에 관한 냉각액실(311Y)은, 반원 통 형상의 공간에 의해 형성되고 있다.
상기한 바와 같이, 제2 리플렉터 본체(310YY)에 대해서는, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 동일한 구성이다. 이에 의해, 본 실시예에 있어서는, 차열 구조체인 리플렉터(300Y)는 둘레 방향으로 분할되도록 설치되어 있고, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)의 내부에, 각각 냉각액실(311Y)이 설치되어 있다.
본 실시예에 있어서도, 상기 실시예 1의 경우와 마찬가지로, 제1 리플렉터 본체(310YX)에 있어서의 냉각액실(311Y) 내에는, 냉각액(L)을 냉각액실(311Y)의 하방으로부터 배출시키는 배액관(340Y)이 구비되어 있다.
그리고, 리플렉터(300Y)에 있어서의 저판부(320Y)에는, 리플렉터(300Y)의 저면으로부터 냉각액실(311Y) 내에 이르도록 설치되어, 냉각액(L)이 공급되는 공급 통로(321Y)가 설치되어 있다. 또한, 이 저판부(320Y)에는, 냉각액실(311Y) 내로부터 리플렉터(300Y)의 저면에 이르도록 설치되어, 냉각액(L)이 배출되는 배출 통로(322Y)가 설치되어 있다. 그리고, 배액관(340Y)은, 일단이 냉각액실(311Y) 내의 상방에 위치하고, 타단이 배출 통로(322Y)에 접속되어 있다. 이 배액관(340Y)의 일단측의 단면에 설치된 개구부는, 상방을 향하도록 구성되어 있다.
상기한 바와 같이, 제2 리플렉터 본체(310YY)에 대해서는, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 동일한 구성이다. 따라서, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)에는, 각각 냉각액실(311Y)이 설치되고 있다. 또한, 이들 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)에는, 각각, 공급 통로(321Y), 배출 통로(322Y) 및 배액관(340Y)이 설치되어 있다. 각 공급 통로(321Y)에는, 각각 제1 배관(50)이 접속되고, 각 배출 통로(322Y)에는 각각 제2 배관(60)이 접속된다. 제1 배관(50)과 제2 배관(60)의 구성 및 접속 구조에 관해서는, 상기 실시예 1에서 설명한 대로이므로, 도시 및 상세 설명은 생략한다.
이상과 같이 구성되는 리플렉터(300Y)에 있어서의 냉각액(L)의 흐름 방식에 관해서 설명한다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 제1 리플렉터 본체(310YX)에 있어서는, 공급 통로(321Y)로부터 냉각액실(311Y) 내로 냉각액(L)이 공급된다. 그리고, 냉각액(L)의 증가에 수반하여, 냉각액(L)의 액면은, 냉각액실(311Y) 내에 있어서, 서서히 상승해 간다(도 11 중의 실선 화살표 참조). 그리고, 냉각액(L)의 액면이, 배액관(340Y)의 상단 위치(H)를 넘으면, 냉각액(L)은, 배액관(340Y)의 상단(일단측의 단면)의 개구부로부터 배액관(340Y)의 관내로 들어가, 중력에 의해 낙하한다(도 11 중의 점선 화살표 참조). 그 후, 냉각액(L)은, 배출 통로(322Y)를 지나, 챔버의 외부로 배출된다. 제2 리플렉터 본체(310YY)의 경우도 마찬가지이다.
이상과 같이 구성되는 본 실시예에 관한 리플렉터(300X)를 증발원에 적용했을 경우에 있어서도, 상기 실시예 1의 경우와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 본 실시예의 경우에는, 도가니를 가열하는 가열 방식으로서, 고주파 유도 가열 방식이 채용되는 경우에 효과적이다. 이하, 그 이유를 설명한다.
고주파 유도 가열 방식을 채용했을 경우에, 상기 실시예 1 및 실시예 2에서 나타낸 것처럼, 원통 형상의 리플렉터 본체를 채용하고, 또한 리플렉터 본체가 도전성의 재료에 의해 구성되는 경우에는, 가열 코일에 전류가 흐르면, 리플렉터 본체에도 와전류가 발생하여 버린다. 이에 대해서, 본 실시예에 관한 리플렉터(300Y)의 경우에는, 둘레 방향으로 분할되어 있기 때문에, 가열 코일에 전류가 흘러도, 리플렉터(300Y)에는 와전류가 발생하지는 않는다. 또한 도시의 예에서는, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)와의 사이에 간극이 마련되고 있다. 다만, 이 간극에 비도전체로 이루어진 부재를 설치한 상태에서, 제1 리플렉터 본체(310YX)와 제2 리플렉터 본체(310YY)를 연결시키는 구성도 채용할 수 있다.
본 실시예에 있어서는, 리플렉터(300Y)가 둘레 방향으로 2 분할되는 경우의 구성을 나타냈지만, 리플렉터를 둘레 방향으로 3 분할 이상으로 분할시키는 구성을 채용할 수도 있다. 또한, 본 실시예와 같이, 리플렉터를 둘레 방향으로 분할시키는 구성을 채용한 다음, 상기 실시예 2에서 설명한 것처럼, 냉각액실을 상하 방향으로 복수로 분할시키는 구성을 채용할 수도 있다. 또한, 본 실시예에 있어서도, 상기 실시예 1의 경우와 마찬가지로, 리플렉터 본체(제1 리플렉터 본체(310YX) 및 제2 리플렉터 본체(310YY)의 내벽면(312Y)과 가열체(도시하지 않음)와의 사이에, 가열체로부터의 열을 반사시키는 리플렉터를 설치하는 것이 바람직하다. 당해 리플렉터에 대해서도, 와전류가 발생하지 않도록, 반원 통 형상의 부재로 이루어지는 리플렉터를 채용하는 것이 바람직하다. 또한, 가열체와 저판부(320Y)와의 사이에도, 가열체로부터의 열을 반사시키는 판 형상 리플렉터를 설치하는 것이 바람직하다. 이 판 형상 리플렉터에 대해서도, 와전류가 발생하지 않는 형상을 채용하는 것이 바람직하다.
(그 외)
실시예 3에서 설명한 대로, 고주파 유도 가열 방식을 채용했을 경우에, 원통 형상의 리플렉터 본체를 채용하고, 또한 리플렉터 본체가 도전성의 재료에 의해 구성되는 경우에는, 가열 코일에 전류가 흐르면, 리플렉터 본체에도 와전류가 발생해 버린다. 이를 방지하기 위해서, 원통 형상에 대해서, 둘레 방향의 1개소에 축선 방향으로 연장하는 슬릿이 설치된 형상의 리플렉터 본체를 채용할 수도 있다. 이 경우, 리플렉터 본체 및 냉각액실을 상방으로부터 본 형상은, C자 형상이 된다.
상기 실시예 1에서 나타낸 원통 형상 리플렉터(410) 및 판 형상 리플렉터(420)에 관해서는, 1개뿐만 아니라, 몇 겹으로도 설치할 수 있다. 실시예 2, 3의 경우에도 마찬가지이다. 또한, 원통 형상 리플렉터(410)만을 설치하고, 판 형상 리플렉터(420)를 설치하지 않는 구성도 채용할 수 있다. 또한, 상기 각 실시예에 있어서는, 차열 구조체가 리플렉터에 의해 구성되는 경우를 나타냈다. 그렇지만, 원통 형상 리플렉터나 판 형상 리플렉터가 설치되는 경우에는, 차열 구조체는 리플렉터가 아니여도 된다. 즉, 차열 구조체에는, 열을 반사시키는 기능을 마련하지 않아도 좋다. 또한, 차열 구조체가 리플렉터인 경우에는, 원통 형상 리플렉터 및 판 형상 리플렉터를 마련하지 않는 구성도 채용할 수 있다.
1: 증착 장치
10: 증발원
20: 챔버
70: 기판
100: 도가니
200: 가열체
300, 300X, 300Y: 리플렉터
310, 310XX, 310XY, 310YX, 310YY: 리플렉터 본체
311, 311XX, 311XY, 311Y: 냉각액실
312, 312XX, 312XY, 312Y: 내벽면
320, 320X, 320Y: 저판부
321, 321XX, 321XY, 321Y: 공급 통로
322, 322XX, 322XY, 322Y: 배출 통로
330: 덮개부
340, 340XX, 340XY, 340Y: 배액관
350: 재치대
360: 나사 부품
L: 냉각액

Claims (11)

  1. 기판에 증착시키는 재료를 수용하는 도가니와,
    상기 도가니를 둘러싸도록 설치되고, 당해 도가니를 가열하는 가열체와,
    상기 가열체를 둘러싸도록 설치되고, 열을 차단하는 차열 구조체
    를 구비하는 증발원으로서,
    상기 차열 구조체의 내부에 당해 차열 구조체의 내벽면을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액이 흐르는 냉각액실과,
    상기 냉각액실 내에 구비되고, 냉각액을 당해 냉각액실의 하방으로부터 배출시키는 배액관
    을 구비하고,
    상기 냉각액실은 상하 방향으로 분할되도록 복수 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차열 구조체의 저면으로부터 상기 냉각액실 내에 이르도록 설치되며, 냉각액이 공급되는 공급 통로를 구비하는 것을 특징으로 하는 증발원.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 냉각액실 내로부터 상기 차열 구조체의 저면에 이르도록 설치되며, 냉각액이 배출되는 배출 통로를 구비함과 함께,
    상기 배액관은, 일단이 상기 냉각액실 내의 상방에 위치하고, 타단이 상기 배출 통로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배액관의 일단측의 단면에 설치된 개구부가, 상방을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각액실은 원통 형상의 공간에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  6. 삭제
  7. 기판에 증착시키는 재료를 수용하는 도가니와,
    상기 도가니를 둘러싸도록 설치되고, 당해 도가니를 가열하는 가열체와,
    상기 가열체를 둘러싸도록 설치되고, 열을 차단하는 차열 구조체
    를 구비하는 증발원으로서,
    상기 차열 구조체의 내부에 당해 차열 구조체의 내벽면을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액이 흐르는 냉각액실과,
    상기 냉각액실 내에 구비되고, 냉각액을 당해 냉각액실의 하방으로부터 배출시키는 배액관
    을 구비하고,
    상기 차열 구조체는 둘레 방향으로 분할되도록 복수 설치되어 있고, 각 차열 구조체의 내부에 각각 냉각액실이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  8. 제1항 또는 제7항에 있어서,
    상기 차열 구조체와 상기 가열체와의 사이에는, 당해 가열체로부터의 열을 반사시키는 리플렉터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 증발원.
  9. 삭제
  10. 기판에 증착시키는 재료를 수용하는 도가니와, 상기 도가니를 둘러싸도록 설치되고, 당해 도가니를 가열하는 가열체와, 상기 가열체를 둘러싸도록 설치되고, 열을 차단하는 차열 구조체와, 상기 차열 구조체의 내부에 당해 차열 구조체의 내벽면을 따르도록 설치되며, 또한 냉각액이 흐르는 냉각액실과, 상기 냉각액실 내에 구비되고, 냉각액을 당해 냉각액실의 하방으로부터 배출시키는 배액관을 구비하는 증발원과,
    상기 증발원이 내부에 배치되는 챔버와,
    상기 차열 구조체의 재치대와,
    상기 재치대에 대한 상기 차열 구조체의 기울기를 조정하는 기울기 조정 기구와,
    상기 챔버에 형성된 제1 삽통공 내를 삽통하도록 설치되며, 또한 상기 냉각액실 내에 공급되는 냉각액이 흐르는 제1 배관과,
    제1 배관과 제1 삽통공과의 사이의 환 형상 간극을 봉지하는 탄성체제의 제1 가스켓과,
    상기 챔버에 형성된 제2 삽통공 내를 삽통하도록 설치되며, 또한 상기 냉각액실 내로부터 배출되는 냉각액이 흐르는 제2 배관과,
    제2 배관과 제2 삽통공과의 사이의 환 형상 간극을 봉지하는 탄성체제의 제2 가스켓
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기울기 조정 기구는,
    각각의 위치에서, 상기 재치대와 상기 차열 구조체와의 간격을 조정하는 복수의 나사 부품에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 증착 장치.
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CN111748773A (zh) * 2020-06-29 2020-10-09 合肥维信诺科技有限公司 一种蒸发源和蒸镀装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05112864A (ja) * 1991-10-18 1993-05-07 Stanley Electric Co Ltd 真空蒸着用水冷坩堝
JPH0610118A (ja) 1992-06-29 1994-01-18 Nec Kansai Ltd 蒸着方法及び蒸発装置
KR100671673B1 (ko) * 2005-03-09 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 다중 진공증착장치 및 제어방법
JP2011256427A (ja) * 2010-06-09 2011-12-22 Hitachi Zosen Corp 真空蒸着装置における蒸着材料の蒸発、昇華方法および真空蒸着用るつぼ装置
JP2013211138A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Hitachi High-Technologies Corp 蒸発源、及びそれを用いた真空蒸着装置
TWI624554B (zh) * 2015-08-21 2018-05-21 弗里松股份有限公司 蒸發源

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007031828A (ja) 2005-07-28 2007-02-08 Applied Materials Gmbh & Co Kg 蒸着装置

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