KR102378292B1 - Position alignment method, imprint apparatus, program and manufacturing method of an article - Google Patents

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Abstract

형틀측 마크 및 기판측 마크의 검출 결과에 기초한 형틀과 기판의 위치 정렬 방법이며, 제1 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 있어서, 형틀측 마크 및 제1 기판측 마크를 복수의 검출점에 있어서 검출된 검출 결과에 기초하여, 형틀측 마크와 제1 기판측 마크 사이의 제1 위치 어긋남양을 구하는 공정과, 제1 위치 어긋남양에 기초하여, 형틀 또는 제1 기판의 형상 보정량을 구하는 공정과, 형상 보정량에 기초하여, 형틀 또는 제2 기판을 변형시키는 공정과, 제2 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 있어서, 형틀측 마크 및 제2 기판측 마크를 상기 복수의 검출점보다도 적은 검출점에 있어서 검출된 검출 결과에 기초하여, 형틀측 마크와 제2 기판측 마크 사이의 제2 위치 어긋남양을 구하는 공정을 갖고, 제2 위치 어긋남양에 기초하여, 형틀과 제2 기판의 위치 정렬을 한다.A method for aligning the position of a formwork and a substrate based on the detection results of the form-side mark and the substrate-side mark, wherein the form-side mark and the first substrate-side mark are detected at a plurality of detection points in each of a plurality of shot regions on a first substrate a step of obtaining a first amount of displacement between the form-side mark and the first substrate-side mark based on the detected detection result; deforming the formwork or the second substrate based on the shape correction amount, and in each of the plurality of shot regions on the second substrate, the form-side mark and the second substrate-side mark are detected at fewer detection points than the plurality of detection points, Based on the detected detection result, it has the process of calculating|requiring the 2nd amount of position shift between the form side mark and the 2nd board|substrate side mark, and based on the 2nd position shift amount, the formwork and the 2nd board|substrate are aligned.

Description

위치 정렬 방법, 임프린트 장치, 프로그램 및 물품의 제조 방법Position alignment method, imprint apparatus, program and manufacturing method of an article

본 발명은 위치 정렬 방법, 임프린트 장치, 프로그램 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of aligning a position, an imprint apparatus, a program and a method of manufacturing an article.

기판 상의 임프린트재에 형틀을 접촉시켜서 미세 패턴의 형성을 행하는 임프린트 기술이 있다. 임프린트 기술의 하나에, 임프린트재로서 광경화성 수지를 사용하는 광경화법이 있다. 이 광경화법을 채용한 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상에 임프린트재가 공급된다. 이어서, 기판 상의 임프린트재와 형틀을 접촉시킨다. 그리고, 형틀과 임프린트재를 접촉시킨 상태에서, 광의 조사에 의해 임프린트재를 경화시킨 후, 경화된 임프린트재로부터 형틀을 박리함으로써, 패턴이 기판 상에 형성된다.There is an imprint technique for forming a fine pattern by bringing a mold into contact with an imprint material on a substrate. One of the imprint techniques is a photocuring method using a photocurable resin as an imprint material. In an imprint apparatus employing this photocuring method, first, an imprint material is supplied onto a substrate. Then, the imprint material on the substrate and the mold are brought into contact. Then, in a state in which the mold and the imprint material are in contact, the imprint material is cured by irradiation with light, and then the mold is peeled from the cured imprint material, whereby a pattern is formed on the substrate.

임프린트재에 형틀을 접촉시킬 때의 기판과 형틀의 위치 정렬은, 다이바이다이 얼라인먼트 방식에 의해 행하여질 수 있다. 다이바이다이 얼라인먼트 방식이란, 기판 상의 복수의 샷 영역마다, 이러한 샷 영역에 형성된 마크와 형틀에 형성된 마크를 광학적으로 검출하여 기판과 형틀의 위치 관계의 어긋남을 계측하고, 해당 어긋남을 보정하는 얼라인먼트 방식이다. 어긋남의 보정은, 형틀 또는 기판을 이동, 회전 및 변형시킴으로써 행하여질 수 있다. 예를 들어, 형틀 또는 기판의 변형은, 형틀의 측면에 힘을 가하여 변형시키는 방법(특허문헌 1), 형틀을 열로 변형시키는 방법(특허문헌 2), 기판에 힘을 가하여 연신시킴으로써 변형시키는 방법(특허문헌 3) 및 기판을 열로 변형시키는 방법(특허문헌 4)이 있다.The alignment between the substrate and the form when the form is brought into contact with the imprint material may be performed by a die-by-die alignment method. The die-by-die alignment method is an alignment method in which, for each of a plurality of shot regions on the substrate, a mark formed in the shot region and a mark formed in the mold are optically detected, the displacement of the positional relationship between the substrate and the mold is measured, and the shift is corrected. . The misalignment can be corrected by moving, rotating and deforming the formwork or the substrate. For example, the deformation of the formwork or substrate is a method of deforming by applying a force to the side surface of the formwork (Patent Document 1), a method of deforming the form with heat (Patent Document 2), a method of deforming by applying force to the substrate and stretching (Patent Document 2) Patent Document 3) and a method of deforming the substrate with heat (Patent Document 4).

일본 특허 공개 제2012-23092호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2012-23092 일본 특허 제4328785호 공보Japanese Patent No. 4328785 Publication 일본 특허 제5064743호 공보Japanese Patent Publication No. 5064743 일본 특허 공개 제2013-89663호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2013-89663

형틀이나 기판의 개체차, 일련의 임프린트 처리에 의한 형틀이나 기판의 변형 등의 영향을 받아, 어긋남의 보정량은, 기판 마다 또는 샷 영역마다 상이한 경우가 있다. 얼라인먼트 계측(위치 정렬 계측)을 행하는 위치를 증가시키면, 어긋남의 보정량을 정확하게 구할 수 있지만, 스루풋은 저하된다.Due to the influence of individual differences in the mold or substrate, deformation of the mold or substrate due to a series of imprint processes, the amount of correction of the shift may be different for each substrate or for each shot region. If the position at which alignment measurement (position alignment measurement) is performed is increased, the correction amount of the shift can be accurately obtained, but throughput is lowered.

본 발명은 예를 들어 스루풋의 점에서 유리한 위치 정렬 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a method of positioning which is advantageous, for example in terms of throughput.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 형틀에 형성된 형틀측 마크 및 기판에 형성된 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여 형틀과 기판의 위치 정렬을 하는 위치 정렬 방법이며, 복수의 기판 중, 제1 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 관하여, 형틀측 마크 및 당해 제1 기판에 형성된 제1 기판측 마크를 복수의 검출점에 있어서 검출된 검출 결과에 기초하여, 형틀측 마크와 제1 기판측 마크 사이의 제1 위치 어긋남양을 구하는 공정과, 제1 위치 어긋남양에 기초하여, 형틀과 제1 기판의 위치 정렬을 하기 위한, 형틀 또는 제1 기판의 형상 보정량을 구하는 공정과, 형상 보정량에 기초하여, 형틀 또는 복수의 기판 중 제1 기판과는 다른 제2 기판을 변형시키는 공정과, 제2 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 관하여, 형틀의 형틀측 마크 및 당해 제2 기판에 형성된 제2 기판측 마크를 복수의 검출점보다도 적은 검출점에 있어서 검출된 검출 결과에 기초하여, 형틀측 마크와 제2 기판측 마크 사이의 제2 위치 어긋남양을 구하는 공정을 갖고, 제2 위치 어긋남양에 기초하여, 형틀과 제2 기판의 위치 정렬을 하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the present invention is a positioning method for aligning a mold and a substrate based on a detection result of a mold-side mark formed on a mold and a substrate-side mark formed on a substrate, and among a plurality of substrates, a first substrate With respect to each of the plurality of shot regions on the image, the form-side mark and the first substrate-side mark formed on the first substrate are detected between the form-side mark and the first substrate-side mark based on the detection results at the plurality of detection points. A step of obtaining a first amount of positional displacement; a step of obtaining a shape correction amount of the formwork or the first substrate for aligning the positional alignment between the formwork and the first substrate based on the first amount of positional deviation; a step of deforming a formwork or a second substrate different from the first one of the plurality of substrates, and for each of a plurality of shot regions on the second substrate, a form-side mark of the formwork and a second substrate-side mark formed on the second substrate based on the detection results detected at detection points smaller than the plurality of detection points, a step of obtaining a second amount of displacement between the form-side mark and the second substrate-side mark, based on the second amount of displacement, It is characterized in that the position of the formwork and the second substrate are aligned.

본 발명에 따르면, 예를 들어 스루풋의 점에서 유리한 위치 정렬 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a position alignment method advantageous in terms of throughput, for example.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 임프린트 방법의 흐름도이다.
도 3은 기판 상의 복수의 샷 영역 및 각 샷 영역에 마련된 얼라인먼트 마크를 나타내는 도면이다.
도 4는 상세 계측 모드에 의한 임프린트 처리의 흐름도이다.
도 5는 통상 계측 모드에 의한 임프린트 처리의 흐름도이다.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 임프린트 방법의 흐름도이다.
도 7은 물품의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a diagram showing the configuration of an imprint apparatus according to a first embodiment.
2 is a flowchart of an imprint method according to the first embodiment.
3 is a diagram illustrating a plurality of shot regions on a substrate and alignment marks provided in each shot region;
4 is a flowchart of an imprint process in the detailed measurement mode.
5 is a flowchart of an imprint process in the normal measurement mode.
6 is a flowchart of an imprint method according to the second embodiment.
7 is a view for explaining a method of manufacturing an article.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면 등을 참조하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the form for implementing this invention is demonstrated with reference to drawings etc. FIG.

제1 실시 형태first embodiment

도 1의 (A) 및 도 1의 (B)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성 및 변형부(123)의 구성을 나타내는 도면이다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 형틀과 접촉시켜, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형틀의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 여기에서는, 광경화법을 사용한 임프린트 장치로서, 자외선의 조사에 의해 기판(W) 상의 미경화 임프린트재(R)를 경화시키는 자외선 경화형 임프린트 장치를 사용하고 있다. 또한, 이하의 도면에 있어서는, 기판(W) 상의 임프린트재(R)에 대하여 조사되는 자외선의 광축에 평행하게 Z축을 취하고, Z축에 수직한 평면내에 서로 직교하는 X축 및 Y축을 취하고 있다. 본 실시 형태의 임프린트 장치는, 임프린트 처리를 반복함으로써 기판(W)의 복수의 샷 영역(샷)에 패턴을 형성하도록 구성되어 있다. 여기서, 임프린트 처리란, 기판(W)에의 임프린트재(R)의 공급, 형틀(M)과 임프린트재(R)의 접촉 및 형틀(M)의 패턴에의 임프린트재(R)의 충전, 위치 정렬(얼라인먼트), 경화(노광) 및 형틀(M)의 박리를 포함하는 일련의 사이클을 가리키는 것으로 한다.1A and 1B are views showing the configuration of the imprint apparatus 100 and the configuration of the deformable part 123 according to the first embodiment of the present invention. The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product onto which the concavo-convex pattern of the form is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with a form and applying hardening energy to the imprint material. Here, as an imprint apparatus using a photocuring method, an ultraviolet curing type imprint apparatus for curing the uncured imprint material R on the substrate W by irradiation of ultraviolet rays is used. In addition, in the following drawings, the Z axis is taken parallel to the optical axis of the ultraviolet light irradiated to the imprint material R on the substrate W, and the X axis and the Y axis are taken orthogonal to each other in a plane perpendicular to the Z axis. The imprint apparatus of the present embodiment is configured to form a pattern in a plurality of shot regions (shots) of the substrate W by repeating the imprint process. Here, the imprint process refers to the supply of the imprint material R to the substrate W, the contact between the mold M and the imprint material R, and the filling and alignment of the imprint material R to the pattern of the mold M. (alignment), hardening (exposure) and peeling of the formwork M shall be referred to as a series of cycles.

임프린트 장치(100)는 기판 스테이지(110)와, 구조체(120)와, 도포부(디스펜서)(130)와, 제1 제어부(140)와, 제2 제어부(150)를 포함한다. 기판 스테이지(110)는 기판(웨이퍼)(W)을 보유 지지해(예를 들어, 진공 흡착에 의함), 제2 제어부(150)에 의해 6 자유도로 이동 가능하게 제어된다. 기판(W)은, 도시되지 않은 반송 수단에 의해 임프린트 장치(100) 밖으로부터 기판 스테이지(110)로 반입된다. 임프린트 처리 후에는 기판 스테이지(110)로부터, 해당 반송 수단에 의해 임프린트 장치(100) 밖으로 반출된다. 제2 제어부(150)는 기판 스테이지(110)의 위치를 계측하는 계측부도 포함하는 것으로 하여, 계측 결과(검출 결과)에 기초하여 기판 스테이지(110)를 제어한다.The imprint apparatus 100 includes a substrate stage 110 , a structure 120 , an application unit (dispenser) 130 , a first control unit 140 , and a second control unit 150 . The substrate stage 110 holds the substrate (wafer) W (eg, by vacuum suction), and is controlled to be movable in six degrees of freedom by the second control unit 150 . The substrate W is carried into the substrate stage 110 from the outside of the imprint apparatus 100 by a transfer means (not shown). After the imprint process, the substrate stage 110 is transported out of the imprint apparatus 100 by the transport means. The second control unit 150 also includes a measurement unit that measures the position of the substrate stage 110 , and controls the substrate stage 110 based on the measurement result (detection result).

구조체(120)에는, 조사부(121)와, 얼라인먼트 계측부(122)와, 변형부(123)가 각각 설치되어 있다. 조사부(121)는 형틀(M)을 통하여 임프린트재(R)에 자외광을 조사한다. 얼라인먼트 계측부(122)는 복수의 스코프(122a 내지 122d)와, 도시되지 않은 구동부를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 다이바이다이 얼라인먼트 방식에 의해 형틀(M)과 기판(W)의 상대 위치가 계측되어 위치 정렬이 행하여진다. 따라서, 스코프(122a 내지 122d)로서, 형틀(M)에 형성된 얼라인먼트 마크(형틀측 마크)와, 기판(W)에 형성된 얼라인먼트 마크(기판측 마크)를 형틀(M)을 통하여 검출하는 TTM(Through The Mask) 스코프를 사용한다. 본 실시 형태에서는, 형틀(M)과 기판(W)(임프린트재(R))을 접촉시키고 나서 얼라인먼트 마크를 검출하지만, 이에 한정되지 않고, 접촉 전에 검출해도 된다. 또한, 얼라인먼트 계측부(122)는 형틀(M)에 형성된 얼라인먼트 마크의 상과 기판(W)에 형성된 얼라인먼트 마크의 상을 각각 검출해도 되고, 예를 들어 무아레 무늬와 같이 형틀측 마크와 기판측 마크로부터의 광을 검출해도 된다. 또한, 스코프의 수는, 4에 한정되지 않는다. 얼라인먼트 계측부(122)의 구동부는, 복수의 스코프(122a 내지 122d)의 위치 결정을 행한다.The structure 120 is provided with an irradiation unit 121 , an alignment measurement unit 122 , and a deformation unit 123 , respectively. The irradiation unit 121 irradiates ultraviolet light to the imprint material R through the form M. The alignment measurement unit 122 includes a plurality of scopes 122a to 122d and a driving unit (not shown). In this embodiment, the relative position of the form M and the board|substrate W is measured by the die-by-die alignment method, and position alignment is performed. Therefore, as the scopes 122a to 122d, an alignment mark (form-side mark) formed on the form M and an alignment mark (substrate-side mark) formed on the substrate W are detected through the form M (Through TTM). The Mask) scope is used. In this embodiment, although the alignment mark is detected after making the form M and the board|substrate W (imprint material R) contact, it is not limited to this, You may detect before a contact. In addition, the alignment measurement unit 122 may detect the image of the alignment mark formed on the form M and the image of the alignment mark formed on the substrate W, respectively, for example, from the form-side mark and the substrate-side mark like a moire pattern. of light may be detected. In addition, the number of scopes is not limited to 4. The drive unit of the alignment measurement unit 122 positions the plurality of scopes 122a to 122d.

변형부(123)는 형틀(M)을 변형시켜서 형틀(M)과 기판(W)의 상대 위치나 형상차를 조정하는 기구이다. 예를 들어, 공기나 기름 등의 유체로 작동되는 실린더를 사용하여 형틀(M)을 외주 방향으로부터 가압함으로써 형틀(M)을 변형시킨다. 또한, 변형부(123)는 기판(W)에 열을 가함으로써 기판(W)의 온도를 제어하는 온도 제어 수단을 구비하고, 기판(W)의 온도를 제어함으로써 기판(W)의 형상을 변형시키는 기구여도 된다. 기판(W)은, 열처리 등의 프로세스를 거치는 것에 의해 변형(전형적으로는, 팽창 또는 수축)되는 경우가 있다. 변형부(123)는 이러한 기판(W)의 변형에 따라, 기판(W)와 형틀(M)의 위치가 맞도록 형틀(M) 또는 기판(W)의 형상을 보정한다. 또한, 변형부(123)는 전술한 가압 및 온도 제어에 한하지 않고, 다른 방법으로 형틀(M)이나 기판(W)의 형상을 변형시켜도 상관없다. 추가로, 변형부(123)가 외주 방향으로부터의 가압에 의해 형틀(M)을 변형시키는 수단과, 기판(W)의 온도를 제어하는 수단 양쪽을 구비하는 등, 복수의 수단을 병용해도 상관없다.The deformable part 123 is a mechanism for adjusting the relative position or shape difference between the form M and the substrate W by deforming the form M. As shown in FIG. For example, the mold M is deformed by pressing the mold M from the outer circumferential direction using a cylinder operated with a fluid such as air or oil. In addition, the deformable part 123 includes a temperature control means for controlling the temperature of the substrate W by applying heat to the substrate W, and deforms the shape of the substrate W by controlling the temperature of the substrate W. It may be a tool that makes The substrate W may be deformed (typically, expanded or contracted) by going through a process such as heat treatment. The deformable part 123 corrects the shape of the mold M or the substrate W so that the positions of the substrate W and the mold M match according to the deformation of the substrate W. In addition, the deformable part 123 is not limited to the above-described pressure and temperature control, and may deform the shape of the mold M or the substrate W by other methods. Furthermore, you may use several means together, for example, the deformation|transformation part 123 being equipped with both the means which deform|transforms the form M by the pressurization from the outer peripheral direction, and the means which controls the temperature of the board|substrate W. .

도포부(130)는 예를 들어 임프린트재(R)를 저류하는 탱크와, 해당 탱크로부터 공급로를 통하여 공급되는 임프린트재(R)를 기판(W)에 대하여 토출하는 노즐(토출구)과, 해당 공급로에 마련된 밸브와, 공급량 제어부를 갖는다. 공급량 제어부는, 전형적으로는, 1회의 토출 동작에 있어서 하나의 샷 영역에 임프린트재(R)가 도포되도록, 밸브를 제어함으로써 기판(W)에의 임프린트재의 공급량을 제어한다.The applicator 130 includes, for example, a tank for storing the imprint material R, a nozzle (discharge port) for discharging the imprint material R supplied from the tank through a supply path to the substrate W, and the corresponding It has a valve provided in the supply path, and a supply amount control part. The supply amount control unit typically controls the supply amount of the imprint material to the substrate W by controlling the valve so that the imprint material R is applied to one shot region in one ejection operation.

임프린트재(R)로서는, 경화용 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭할 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파 또는 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선 또는 자외선 등의 광이 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 혹은, 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중, 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제 및 폴리머 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.As the imprint material R, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that is cured when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves or heat are used. Examples of the electromagnetic wave include light such as infrared rays, visible rays or ultraviolet rays whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less. A curable composition is a composition hardened|cured by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition hardened|cured by irradiation of light contains a polymeric compound and a photoinitiator at least, and may contain a nonpolymerizable compound or a solvent as needed. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition type mold release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

임프린트재(R)는, 도포부(130)에 의해, 액적형 또는 복수의 액적이 연결되어 이루어진 섬형 또는 막형으로 되어서 기판 상에 도포된다. 혹은, 임프린트재(R)는 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해, 기판 상에 막형으로 도포되어도 된다. 임프린트재(R)의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1mPa·s 이상, 100mPa·s 이하이다.The imprint material R is applied on the substrate in a droplet shape or an island shape or a film shape formed by connecting a plurality of droplets by the application unit 130 . Alternatively, the imprint material R may be applied in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. The viscosity (viscosity in 25 degreeC) of the imprint material R is 1 mPa*s or more and 100 mPa*s or less, for example.

형틀(M)은, 예를 들어 외주부가 직사각형이며, 기판(W)에 대향하는 면에 있어서, 소정의 요철 패턴이 3차원형으로 형성되어 있고, 자외선을 투과하는 재료(석영 등)로 구성된다. 기판(W)은, 요철 패턴이 전사되는 기판이며, 예를 들어 단결정 실리콘 기판이나 SOI(Silicon on Insulator) 기판 등을 포함한다. 추가로, 기판(W)은, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체 또는 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에, 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판으로서는, 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 또는 석영 유리 등이 있다.The form M has, for example, a rectangular outer periphery, a predetermined concave-convex pattern is formed in a three-dimensional form on the surface opposite to the substrate W, and is composed of a material (such as quartz) that transmits ultraviolet rays. . The substrate W is a substrate to which the concave-convex pattern is transferred, and includes, for example, a single crystal silicon substrate, a silicon on insulator (SOI) substrate, or the like. In addition, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, etc. are used for the board|substrate W, and the member which consists of a material different from the board|substrate may be formed in the surface as needed as needed. Specific examples of the substrate include a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

구조체(120)에는, 형틀(M)을 보유 지지하는 형틀 보유 지지부가 마련될 수 있다. 형틀 보유 지지부는, 형틀(M)을 보유 지지하는 척과, 척을 구동하여 형틀(M)을 이동시키는 구동부와, 구동부를 지지하는 베이스를 포함한다. 척에 의한 형틀(M)의 보유 지지는 진공 흡인력이나 정전기력 등에 의한다. 형틀 보유 지지부의 구동부는, 형틀(M)의 위치를 6 자유도로 조정하거나, 형틀(M)을, 기판(W) 또는 기판(W) 상의 임프린트재(R)에 접촉시키거나, 경화된 임프린트재(R)로부터 형틀(M)을 박리(이형)하거나 한다.The structure 120 may be provided with a form holder for holding the form (M). The formwork holder includes a chuck that holds the formwork M, a drive unit that drives the chuck to move the formwork M, and a base that supports the drive unit. The holding of the mold M by the chuck is based on vacuum suction force, electrostatic force, or the like. The driving part of the form holder part adjusts the position of the form M to 6 degrees of freedom, brings the form M into contact with the substrate W or the imprint material R on the substrate W, or a cured imprint material. The form (M) is peeled (released) from (R).

제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)는 임프린트 장치(100)의 각 구성 요소에 회선을 통하여 접속되고, 프로그램 등에 따라서 각 구성 요소의 동작 및 조정 등을 제어한다. 제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)는 예를 들어 컴퓨터 등으로 구성되고, 도시되지 않았으나, CPU 또는 DSP 등의 계산부와, 레시피 등을 기억하는 메모리나 하드 디스크 등의 기억부를 포함한다. 여기서, 레시피란, 기판(W) 또는 동일한 처리를 행하는 기판 군인 로트를 처리할 때의 일련 처리 파라미터로 이루어지는 정보(데이터)이다. 처리 파라미터란, 예를 들어 샷 영역의 레이아웃, 임프린트 처리되는 샷 영역의 순서 또는 각 샷 영역에서의 임프린트 조건 등이다. 임프린트 조건으로서는, 예를 들어 기판(W) 상에 도포된 임프린트재(R)에 형틀(M)을 압박하는 시간인 충전 시간이나, 자외선을 조사하여 임프린트재(R)을 경화시키는 시간(노광 시간)이 있다. 임프린트 조건으로서, 추가로 각 샷 영역당에 도포되는 임프린트재(R)의 도포량 등도 있다.The first control unit 140 and the second control unit 150 are connected to each component of the imprint apparatus 100 through a line, and control the operation and adjustment of each component according to a program or the like. The first control unit 140 and the second control unit 150 include, for example, a computer, and although not shown, a calculation unit such as a CPU or DSP, and a storage unit such as a memory or hard disk for storing recipes, etc. do. Here, a recipe is information (data) which consists of serial process parameters at the time of processing the board|substrate W or the board|substrate group lot which performs the same process. The processing parameters are, for example, the layout of the shot regions, the order of the shot regions to be imprinted, or imprint conditions in each shot region. As the imprint conditions, for example, a filling time, which is a time for pressing the mold M against the imprint material R applied on the substrate W, or a time for curing the imprint material R by irradiating ultraviolet rays (exposure time) ) is there. As the imprint conditions, there is also an application amount of the imprint material R applied to each shot region and the like.

도 1의 (B)는 변형부(123)의 구성을 나타내는 도면이다. 얼라인먼트 계측부(122)는 복수의 스코프(122a 내지 122d)를 갖는다. 변형부(123)는 형틀(M)의 측면에 배치되는 복수의 액추에이터를 포함한다. 각 액추에이터는, 제1 제어부(140)의 기억부에 보존된 명령값(제어량)에 기초하여 개별로 제어되고, 형틀(M)의 중심 방향으로 힘을 가한다. 또한, 액추에이터의 수, 배치 위치 및 크기 등은, 도 1의 (B)에 나타내는 예에 제한되지 않는다. 변형의 방법은, 예를 들어 형틀(M)을 측면으로부터 흡착하여 연신시키는 방법이어도 된다. 또한, 액추에이터의 위치를 계측하는 센서를 배치하고, 제1 제어부(140)가 해당 계측값에 기초하여 액추에이터의 위치를 제어해도 상관없다. 전술한 바와 같이, 형틀(M)을 가압에 의해 변형시키는 이외에 기판(W)의 온도를 제어하는 등의 다른 방법을 사용해도 상관없다. 또한, 변형부(123)로서 복수의 수단을 사용하여 기판(W)과 형틀(M)의 형상을 맞춰도 상관없다.FIG. 1B is a diagram showing the configuration of the deformable part 123 . The alignment measurement unit 122 has a plurality of scopes 122a to 122d. The deformable portion 123 includes a plurality of actuators disposed on the side surface of the form (M). Each actuator is individually controlled based on the command value (control amount) stored in the memory|storage part of the 1st control part 140, and applies a force in the center direction of the form M. In addition, the number of actuators, an arrangement position, a size, etc. are not restrict|limited to the example shown in FIG.1(B). The method of deformation|transformation may be the method of adsorb|sucking and extending|stretching the form M from the side, for example. In addition, a sensor for measuring the position of the actuator may be disposed, and the first control unit 140 may control the position of the actuator based on the measured value. As mentioned above, you may use other methods, such as controlling the temperature of the board|substrate W, other than deforming the form M by pressurization. Moreover, as the deformable part 123, you may match the shape of the board|substrate W and the formwork M using several means.

또한, 기판(W)과 형틀(M)의 위치 정렬이란, 위치(상대적인 회전을 포함함) 및 형상을 맞추는 것을 가리키는 것으로 한다. 기판(W)과 형틀(M)의 위치 정렬은, 기판(W) 및 형틀(M) 중 적어도 한쪽을 변형 또는 이동시킴으로써 행하여진다. 형상의 어긋남으로서는, 기판(W)이나 형틀(M)이 X 방향과 Y 방향으로 다른 배율로 변형되거나 또는, 마름모 형상으로 변형되는 등의 선형 어긋남 및 임의적인 변형에 의한 비선형 어긋남을 포함한다.In addition, the position alignment of the board|substrate W and the formwork M shall refer to matching a position (including a relative rotation) and a shape. The position alignment of the board|substrate W and the formwork M is performed by deform|transforming or moving at least one of the board|substrate W and the formwork M. The shape shift includes a linear shift such as the substrate W or the mold M being deformed at different magnifications in the X-direction and the Y-direction, or deformed in a rhombus shape, and a non-linear shift due to arbitrary deformation.

도 2는, 본 실시 형태에 따른 임프린트 방법의 흐름도이다. 본 실시 형태의 임프린트 방법에서는, 얼라인먼트 계측을 상세하게 행하는 상세 계측 모드와, 당해 모드보다 적은 계측점으로 얼라인먼트 계측을 행하는 통상 계측 모드를 포함하는, 기판(W)과 형틀(M)의 위치 정렬 방법을 채용한다. 모드의 전환 타이밍은, 사전에 레시피에 보존된다. 본 발명은 로트 등, 마찬가지 처리가 실시된 기판 군에 적용하면 보다 높은 효과가 얻어진다. 예를 들어, 로트의 1매째(제1 기판)만 상세 계측 모드에서 얼라인먼트 계측을 행하고, 동일한 로트에서 선택된 2매째 이후의 기판(제2 기판)에는 통상 계측 모드를 적용하는 등의 전환 타이밍이 생각된다. 각 공정은, 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)의 제어에 의해 진행된다. 공정 S101에서는, 도시되지 않은 반송 수단이 임프린트 장치(100) 밖으로부터 기판 스테이지(110)로 기판(W)을 반입한다. 공정 S102에서는, 제1 제어부(140)가 레시피를 참조하고, 공정 S101에서 기판 스테이지(110)로 반입된 기판(W)의 얼라인먼트 계측시의 계측 모드를 설정한다. 공정 S102에 있어서, 상세 계측 모드가 설정된 경우에는, 공정 S103으로 진행되고, 통상 계측 모드가 설정된 경우에는, 공정 S106으로 진행된다.2 is a flowchart of an imprint method according to the present embodiment. In the imprint method of this embodiment, a detailed measurement mode for performing alignment measurement in detail, and a normal measurement mode for performing alignment measurement with fewer measurement points than the mode, a method of aligning the positions of the substrate W and the formwork M hire The mode switching timing is saved in the recipe in advance. A higher effect is obtained when this invention is applied to the board|substrate group to which the similar process was performed, such as a lot. For example, the timing of switching, such as performing alignment measurement in the detailed measurement mode for only the first sheet (first substrate) of the lot, and applying the normal measurement mode to the second and subsequent substrates (second substrate) selected from the same lot, is considered do. Each process is performed under the control of the first control unit 140 or the second control unit 150 . In step S101 , a transport means (not shown) carries the substrate W into the substrate stage 110 from outside the imprint apparatus 100 . In process S102, the 1st control part 140 refers to a recipe, and sets the measurement mode at the time of alignment measurement of the board|substrate W carried in to the substrate stage 110 in process S101. In process S102, when the detailed measurement mode is set, it progresses to process S103, and when the normal measurement mode is set, it progresses to process S106.

공정 S103 내지 공정 S105는, 상세 계측 모드의 공정이며, 공정 S106 내지 공정 S108은, 통상 계측 모드의 공정이다. 공정 S103에서는, 제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)에 의해 임프린트 처리가 행하여진다. 공정 S103의 상세는 후술한다. 공정 S104에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S103에서의 변형부(123)에 의한 형틀(M)의 형상 보정량을 샷 영역마다 기억부에 보존한다. 여기서, 형상 보정량은, 변형부(123)에 포함되는 각 액추에이터의 제어량(위치)을 의미한다. 또한, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 가해진 열 분포(가해진 열의 위치와 양)를 형상 보정량으로서 보존한다. 공정 S105에서는, 제1 제어부(140)가 전체 샷 영역에 대하여 공정 S103 및 공정 S104를 행했는지를 판단한다. 전체 샷 영역의 처리가 종료되었다고 판단된 경우("예"), 공정 S109에서, 도시되지 않은 반송 수단이, 기판(W)을 임프린트 장치(100) 밖으로 반출한다. 전체 샷 영역의 처리가 종료되지 않았다고 판단된 경우("아니오"), 미처리 샷 영역에 대하여 공정 S103 및 공정 S104를 반복한다.Steps S103 to S105 are steps in the detailed measurement mode, and steps S106 to S108 are steps in the normal measurement mode. In step S103 , an imprint process is performed by the first control unit 140 and the second control unit 150 . The details of step S103 will be described later. In step S104, the first control unit 140 stores the amount of shape correction of the mold M by the deforming unit 123 in the step S103 in the storage unit for each shot area. Here, the shape correction amount means a control amount (position) of each actuator included in the deformable part 123 . Further, when the deformable portion 123 includes means for controlling the temperature of the substrate W, the applied heat distribution (position and amount of the applied heat) is stored as the shape correction amount. In step S105, it is determined whether the first control unit 140 has performed steps S103 and S104 for the entire shot area. When it is determined that the processing of the entire shot region is finished (“Yes”), in step S109 , a transport means (not shown) transports the substrate W out of the imprint apparatus 100 . If it is determined that the processing of the entire shot area is not finished (No), steps S103 and S104 are repeated for the unprocessed shot area.

공정 S106에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S104에서 기억부에 보존된, 처리 대상의 샷 영역에 대응한 형틀(M)의 형상 보정량을 참조한다. 공정 S107에서는, 공정 S106에서 얻은 형상 보정량에 기초하여 제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)에 의해 임프린트 처리가 행하여진다. 공정 S107의 상세는 후술한다. 공정 S108에서는, 제1 제어부(140)가 전체 샷 영역에 대하여 공정 S106 및 공정 S107을 행했는지 여부를 판단한다. 전체 샷 영역에 대하여 처리가 종료되었다고 판단된 경우("예"), 공정 S109에서, 도시되지 않은 반송 수단이, 기판(W)을 임프린트 장치(100) 밖으로 반출한다. 전체 샷 영역에 대하여 처리가 종료되지 않았다고 판단된 경우("아니오"), 미처리의 샷 영역에 대하여 공정 S106 및 공정 S107을 반복한다.In step S106, the first control unit 140 refers to the shape correction amount of the mold M corresponding to the shot area to be processed stored in the storage unit in step S104. In step S107, an imprint process is performed by the first control unit 140 and the second control unit 150 based on the shape correction amount obtained in the step S106. The details of step S107 will be described later. In step S108, it is determined whether the first control unit 140 has performed steps S106 and S107 for the entire shot area. When it is determined that the processing for the entire shot region is finished (“Yes”), in step S109 , a transport means (not shown) transports the substrate W out of the imprint apparatus 100 . If it is determined that the processing has not been completed for the entire shot area (No), steps S106 and S107 are repeated for the unprocessed shot area.

도 3의 (A) 내지 도 3의 (C)는 기판(W) 상의 복수의 샷 영역 및 각 샷 영역에 마련된 얼라인먼트 마크를 나타내는 도면이다. 도 3의 (A)는 기판(W) 상의 구획된 복수의 샷 영역(SR)과, 복수의 샷 영역(SR) 중 일부의 대표적인 샷 영역(샘플 샷 영역)(SS)을 나타내는 도면이다. 도 3의 (A)에 있어서, 샘플 샷 영역(SS)은, 사선으로 해칭되어 있다. 도 3의 (B) 및 도 3의 (C)는 샷 영역(SR)에 마련된 얼라인먼트 마크(AM)를 나타내는 도면이다. 얼라인먼트 마크(AM) 내의 번호는, 동시에 계측하는 얼라인먼트 마크(AM) 세트(검출점)를 나타낸다. 즉, 번호 1로 나타낸 얼라인먼트 마크(AM)가 동시에 얼라인먼트 계측부(122)에 의해 계측된다. 도 3의 (B)의 얼라인먼트 마크(AM)는, 상세 계측 모드에서 계측되는 얼라인먼트 마크(AM)이며, 도 3의 (C)의 얼라인먼트 마크(AM)는, 통상 계측 모드에서 계측되는 얼라인먼트 마크(AM)이다.3A to 3C are views illustrating a plurality of shot regions on the substrate W and alignment marks provided in each shot region. FIG. 3A is a diagram illustrating a plurality of shot regions SR partitioned on the substrate W, and representative shot regions (sample shot regions) SS of some of the plurality of shot regions SR. In FIG. 3A , the sample shot region SS is hatched with an oblique line. 3B and 3C are diagrams illustrating the alignment marks AM provided in the shot region SR. The number in alignment mark AM shows the alignment mark AM set (detection point) measured simultaneously. That is, the alignment mark AM indicated by the number 1 is simultaneously measured by the alignment measurement unit 122 . The alignment mark AM in Fig. 3B is an alignment mark AM measured in the detailed measurement mode, and the alignment mark AM in Fig. 3C is an alignment mark AM measured in the normal measurement mode ( AM).

도 4는, 도 2의 흐름도의 공정 S103에 있어서의 상세 계측 모드에 의한 임프린트 처리의 흐름도이다. 상세 계측 모드에서는, 샷 영역마다 도 3의 (B)에서 나타내는 바와 같은 복수의 얼라인먼트 마크(AM)를 계측한다. 각 공정은, 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)의 제어에 의해 진행된다. 공정 S401에서는, 기판(W)에의 임프린트재(R)의 도포, 형틀(M)과 임프린트재(R)의 접촉 및 형틀(M)의 패턴에의 임프린트재(R)의 충전을 행한다. 구체적으로는, 제2 제어부(150)가 기판 스테이지(110)를 제어하고, 기판(W)을 도포부(130)의 바로 아래까지 이동시키고, 제1 제어부(140)가 레시피에 기초하여 도포부(130)를 제어하고, 대상으로 하는 샷 영역에 임프린트재(R)를 도포시킨다. 도포가 끝나면, 제2 제어부(150)가 기판 스테이지(110)를 제어하고, 기판(W)을 형틀(M)의 바로 아래까지 이동시킨다. 제1 제어부(140)는 레시피에 기초하여, 기판(W) 상에 도포된 임프린트재(R)에 형틀(M)을 접촉시켜, 형틀(M)의 패턴에 임프린트재(R)를 충전시킨다.FIG. 4 is a flowchart of an imprint process in the detailed measurement mode in step S103 of the flowchart of FIG. 2 . In the detailed measurement mode, a plurality of alignment marks AM as shown in Fig. 3B are measured for each shot region. Each process is performed under the control of the first control unit 140 or the second control unit 150 . In step S401, the imprint material R is applied to the substrate W, the form M and the imprint material R are brought into contact, and the pattern of the form M is filled with the imprint material R. Specifically, the second controller 150 controls the substrate stage 110 , moves the substrate W to just below the applicator 130 , and the first controller 140 controls the applicator based on the recipe. Control 130, and apply the imprint material R to the target shot area. When the coating is finished, the second control unit 150 controls the substrate stage 110 , and moves the substrate W to just below the mold M. Based on the recipe, the first control unit 140 makes the mold M contact the imprint material R applied on the substrate W to fill the pattern of the mold M with the imprint material R.

공정 S402에서는, 제1 제어부(140)가 도시되지 않은 구동부를 제어하여 얼라인먼트 계측부(122)에 포함되는 복수의 스코프(122a 내지 122d)를 이동시킨다. 최초의 계측에서는, 도 3의 (B)에 나타낸 번호 1이 부여된 얼라인먼트 마크(AM)를 계측하는 위치에 각 스코프(122a 내지 122d)를 이동시킨다. 동시에 계측되는 얼라인먼트 마크(AM) 세트는 사전에 레시피에 보존된다. 공정 S403에서는, 제1 제어부(140)가 이동 후의 각 스코프(122a 내지 122d)에 얼라인먼트 마크(AM)를 계측시켜, 계측 결과에 기초하여 형틀(M)과 기판(W)의 위치 관계의 어긋남양을 구한다. 공정 S404에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S403에서 구해진 어긋남양이 소정의 역치를 초과하였는지 여부를 판단한다. 역치를 초과하지 않은 경우("아니오"), 공정 S407로 진행되고, 제1 제어부(140)가 모든 얼라인먼트 마크(AM) 세트의 계측 및 위치 정렬이 종료되었는지 여부를 판단한다. 계측 및 위치 정렬이 종료되었다고 판단된 경우("예"), 공정 S408에서, 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)가 각 부를 제어하여, 경화(노광) 및 형틀(M)의 박리가 행하여지고, 일련의 임프린트 처리가 완료된다.In process S402, the 1st control part 140 controls the drive part which is not shown in figure, and moves the some scope 122a-122d contained in the alignment measurement part 122. In the first measurement, each scope 122a to 122d is moved to the position where the alignment mark AM assigned with the number 1 shown in Fig. 3B is measured. A set of alignment marks AM measured at the same time is saved in the recipe in advance. In step S403, the 1st control part 140 measures the alignment mark AM on each scope 122a-122d after movement, and based on the measurement result, the displacement amount of the positional relationship between the formwork M and the board|substrate W. to save In step S404, the first control unit 140 determines whether the amount of deviation obtained in step S403 exceeds a predetermined threshold. When the threshold is not exceeded (No), the flow advances to step S407, where the first control unit 140 determines whether the measurement and alignment of all alignment mark AM sets have been completed. When it is determined that measurement and alignment have been completed (“Yes”), in step S408 , the first control unit 140 or the second control unit 150 controls each unit to cure (exposure) and peel the mold M is performed, and a series of imprint processing is completed.

공정 S404에서, 역치를 초과했다고 판단된 경우("예"), 공정 S405에서, 제1 제어부(140)가 변형부(123)에 포함되는 각 액추에이터를 제어하여 형틀(M)의 형상을 보정시킨다. 또한, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 기판(W)에 열을 가하여 기판(W)의 형상을 보정한다. 공정 S406에서는, 제2 제어부(150)가 기판 스테이지(110)를 제어하여, 기판(W)의 XY 방향의 위치 및 각 축의 회전 방향의 위치를 보정시킨다. 공정 S405 및 공정 S406의 보정이 끝나면, 공정 S403으로 복귀하고, 다시 동 얼라인먼트 마크(AM) 세트의 얼라인먼트 계측이 행하여진다. 계속되는 공정 S404에서, 어긋남양이 소정의 역치를 초과하지 않았다고 판단되면("아니오"), 공정 S407로 진행된다.If it is determined in step S404 that the threshold has been exceeded (“Yes”), in step S405 , the first control unit 140 controls each actuator included in the deformable unit 123 to correct the shape of the mold M . In addition, when the deformable part 123 includes a means for controlling the temperature of the substrate W, heat is applied to the substrate W to correct the shape of the substrate W. In step S406 , the second control unit 150 controls the substrate stage 110 to correct the position in the XY direction of the substrate W and the position in the rotation direction of each axis. After the correction of steps S405 and S406 is finished, the flow returns to step S403, and alignment measurement of the alignment mark AM set is performed again. If it is determined in the succeeding step S404 that the shift amount has not exceeded the predetermined threshold (No), the flow advances to step S407.

공정 S407에서, 모든 얼라인먼트 마크(AM) 세트의 계측이 종료되지 않았다고 판단된 경우("아니오"), 별도의 얼라인먼트 마크(AM) 세트(예를 들어, 번호 2가 부여된 세트)에 대해서, 공정 S402 이후의 공정을 행한다. 또한, 공정 S405에 있어서의 변형부(123)에 포함되는 각 액추에이터의 제어량은, 제1 제어부(140)가 기억부에 보존된다(공정 S104). 여기서, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 가해진 열 분포를 기억부에 보존한다.In step S407, when it is determined that the measurement of all alignment mark AM sets has not been completed (No), for another set of alignment marks AM (for example, the set numbered with number 2), the step Steps after S402 are performed. Further, the control amount of each actuator included in the deformation unit 123 in step S405 is stored in the storage unit by the first control unit 140 (step S104). Here, when the deformable portion 123 includes means for controlling the temperature of the substrate W, the applied heat distribution is stored in the storage unit.

본 실시 형태에서는, 사전에 설정된 모든 얼라인먼트 마크(AM) 세트의 계측이 종료된 후에, 경화 및 이형을 행하는 예에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 공정 S407에서 모든 얼라인먼트 마크(AM) 세트의 계측이 종료된 후에, 공정 S402로 복귀되고, 공정 S402로부터 공정 S406을 사전에 설정된 횟수 반복하여, 보다 고정밀도로 위치 정렬을 행해도 상관없다.In this embodiment, after the measurement of all the alignment mark AM sets set in advance was complete|finished, although the example which performs hardening and mold release was demonstrated, it is not limited to this. For example, after the measurement of all the alignment mark AM sets is finished in step S407, it returns to step S402, repeats step S406 from step S402 a preset number of times to align more precisely. .

도 5는, 도 2의 흐름도 공정 S107에 있어서의 통상 계측 모드에 의한 임프린트 처리의 흐름도이다. 본 실시 형태에서는, 샷 영역마다, 얼라인먼트 계측부(122)에 포함되는 복수의 스코프의 수와 동일 수의 얼라인먼트 마크(AM)를 동시에 계측한다. 동시에 계측되는 얼라인먼트 마크(AM)는, 예를 들어 도 3의 (C)에 있어서 번호 1로 나타낸 마크이다. 통상 계측 모드에서는, 상세 계측 모드에서 얻은 형틀(M)의 당해 샷 영역에 대응한 형상 보정량(각 액추에이터의 제어량)에 의해 형틀(M)의 형상을 보정한 후, 얼라인먼트 마크(AM)의 계측을 행한다. 여기서, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 상세 계측 모드에서 얻은 형상 보정량(열 분포)에 기초하여 기판(W)에 열을 가함으로써, 기판(W)의 형상을 보정한다. 그 후, 제2 제어부(150)는 얼라인먼트 마크(AM)의 계측 결과(검출 결과)에 기초하여, 기판 스테이지(110)를 제어하고, 기판(W)의 XY 방향의 위치 및 각 축의 회전 방향 위치를 보정시킨다. 각 공정은, 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)의 제어에 의해 진행된다.FIG. 5 is a flowchart of an imprint process in the normal measurement mode in the flowchart step S107 of FIG. 2 . In the present embodiment, the number of alignment marks AM equal to the number of a plurality of scopes included in the alignment measurement unit 122 is simultaneously measured for each shot region. The alignment mark AM measured simultaneously is a mark shown by the number 1 in FIG.3(C), for example. In the normal measurement mode, after correcting the shape of the mold M by the shape correction amount (control amount of each actuator) corresponding to the shot area of the mold M obtained in the detailed measurement mode, the alignment mark AM is measured. do Here, when the deformable portion 123 includes means for controlling the temperature of the substrate W, by applying heat to the substrate W based on the shape correction amount (heat distribution) obtained in the detailed measurement mode, the substrate ( Correct the shape of W). Then, based on the measurement result (detection result) of the alignment mark AM, the 2nd control part 150 controls the board|substrate stage 110, The XY direction position of the board|substrate W, and the rotation direction position of each axis. to correct Each process is performed under the control of the first control unit 140 or the second control unit 150 .

공정 S501에서는, 공정 S401과 마찬가지로 기판(W)에의 임프린트재(R)의 도포, 형틀(M)과 임프린트재(R)의 접촉 및 형틀(M)의 패턴에의 임프린트재(R)의 충전이 행하여진다. 공정 S502에서는, 공정 S106에서 참조된 상세 계측 모드에서 얻은 각 액추에이터의 제어량에 기초하여, 제1 제어부(140)가 변형부(123)에 포함되는 각 액추에이터를 제어하여 형틀(M)의 형상을 보정시킨다. 여기서, 전술한 바와 같이, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 상세 계측 모드에서 얻은 열 분포에 기초하여 기판(W)에 열을 가하고, 기판(W)의 형상을 보정한다. 공정 S503에서는, 제1 제어부(140)가 각 스코프(122a 내지 122d)에 도 3의 (C)에 나타내는 번호 1의 얼라인먼트 마크(AM)를 계측시켜, 형틀(M)과 기판(W)의 위치 관계의 어긋남양을 구한다. 공정 S504에서는, 제2 제어부(150)가 기판 스테이지(110)를 제어하여, 기판(W)의 XY 방향의 위치 및 각축의 회전 방향 위치를 보정시킨다. 공정 S505에서는, 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)가 각 부를 제어하여, 경화(노광) 및 형틀(M)의 박리가 행하여져, 일련의 임프린트 처리가 완료된다.In step S501, as in step S401, the application of the imprint material R to the substrate W, the contact between the mold M and the imprint material R, and the filling of the imprint material R to the pattern of the mold M are performed. is done In step S502 , based on the control amount of each actuator obtained in the detailed measurement mode referenced in step S106 , the first control unit 140 controls each actuator included in the deformable unit 123 to correct the shape of the formwork M make it Here, as described above, when the deformable portion 123 includes means for controlling the temperature of the substrate W, heat is applied to the substrate W based on the heat distribution obtained in the detailed measurement mode, and the substrate W is Correct the shape of W). In process S503, the 1st control part 140 makes each scope 122a-122d measure the alignment mark AM of the number 1 shown to FIG.3(C), and the position of the formwork M and the board|substrate W Find the disparity in the relationship. In step S504 , the second control unit 150 controls the substrate stage 110 to correct the position in the XY direction of the substrate W and the position in the rotation direction of each axis. In step S505, the first control unit 140 or the second control unit 150 controls each unit, curing (exposure) and peeling of the mold M are performed, and a series of imprint processing is completed.

또한, 공정 S503과 공정 S504 사이에, 추가로 공정 S502와 마찬가지 형틀(M)의 형상 보정 공정을 추가해도 된다. 이 공정에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S502에서 사용된 각 액추에이터의 제어량을 기준으로 하여, 공정 S503에서의 계측 결과로부터 제어량을 구하고, 구해진 제어량에 기초하여 형틀(M)의 형상 보정을 행한다. 또한, 변형부(123)에 기판(W)의 온도를 제어하는 수단이 포함되는 경우에는, 공정 S502에서 사용된 열 분포를 기준으로서, 공정 S503에서의 계측 결과에 기초하여 기판(W)에 추가로 열을 가하고, 기판(W)의 형상 보정을 행해도 상관없다.Moreover, you may add the shape correction process of the formwork M similar to process S502 further between process S503 and process S504. In this step, the first control unit 140 obtains a control amount from the measurement result in step S503 on the basis of the control amount of each actuator used in step S502, and corrects the shape of the formwork M based on the obtained control amount . In addition, when the deformable portion 123 includes means for controlling the temperature of the substrate W, the heat distribution used in the step S502 is used as a reference, and the substrate W is added based on the measurement result in the step S503. You may apply heat with a furnace and perform shape correction of the board|substrate W.

여기서, 공정 S503과 공정 S504 사이에, 추가로 공정 S502와 마찬가지 형틀(M)의 형상 보정의 공정이 추가되는 경우에 대하여 상세하게 설명한다. 예를 들어, 공정 S503에서 계측된 어긋남양이 X 방향과 Y 방향으로 다른 배율(X 방향으로 Gx, Y 방향으로 Gy)일 경우를 생각한다. 구해진 제어량을, 도 1의 (B)의 형틀(M)의 각 변에 마련된 액추에이터에 대해서, 각각, 상변은 Ai, 좌변은 Bi, 우변은 Ci, 하변은 Di라 한다(i는 1 내지 n의 자연수). n은 액추에이터의 개수를 나타내고, 본 실시 형태에서는, n=7이다. 또한, 공정 S502에서 사용된 제어량은, 형틀(M)의 각 변에 마련된 액추에이터에 대해서, 각각, 상변은 ai, 좌변은 bi, 우변은 ci, 하변은 di라 한다(i는 1 내지 n의 자연수). Gx 및 Gy는, 형틀(M)의 패턴 영역과 기판(W)의 샷 영역의 크기가 동일한 경우가 1.0이며, 형틀(M)의 패턴 영역쪽이 작은 경우에는 1.0 이상, 큰 경우에는 1.0 이하로 되는 값으로 한다. 이상의 파라미터를 사용하여, 구해진 제어량은, 이하의 식 (1)과 같이 된다.Here, the case where the process of shape correction of the formwork M similar to process S502 is further added between process S503 and process S504 is demonstrated in detail. For example, consider the case where the shift|offset|difference amount measured in process S503 is the magnification (G x in X direction, G y in Y direction) different in the X direction and Y direction. The obtained control amount is, with respect to the actuators provided on each side of the frame M of FIG . a natural number from 1 to n). n represents the number of actuators, and in this embodiment, n=7. In addition, the control amount used in step S502 is, with respect to the actuators provided on each side of the form M, the upper side is a i , the left side is b i , the right side is c i , and the lower side is d i (i is 1) to n natural numbers). G x and G y are 1.0 when the size of the pattern area of the form M and the shot area of the substrate W are the same, 1.0 or more when the pattern area of the form M is small, and 1.0 when the size is large. Set it to a value that is less than or equal to The control amount obtained using the above parameters becomes the following formula (1).

Figure 112018131646723-pct00001
Figure 112018131646723-pct00001

공정 S503에서 계측된 어긋남양이, 형틀(M)의 패턴 영역의 기판(W)의 샷 영역에 대한 직행도 오차 T(X축과 Y축 사이의 기울기 오차)인 경우(마름모형상으로 어긋났을 경우)는, 구해진 제어량은 이하의 식 (2)와 같이 된다. 또한, T는 X축과 Y축 사이에 기울기의 오차가 없는(축이 서로 직교하는) 경우에 0으로 되는 값으로 한다. 또한, y는, 형틀(M) 상의 패턴 영역의 중심을 원점으로 한 좌표계에서의 액추에이터의 Y 좌표를 나타내고 있다.When the shift amount measured in step S503 is the perpendicularity error T (inclination error between the X-axis and the Y-axis) of the pattern region of the formwork M with respect to the shot region of the substrate W (when shifted in a diamond shape) ), the obtained control amount becomes the following formula (2). In addition, T is set to be 0 when there is no inclination error between the X-axis and the Y-axis (the axes are orthogonal to each other). In addition, y has shown the Y-coordinate of the actuator in the coordinate system which made the center of the pattern area on the form M as an origin.

Figure 112018131646723-pct00002
Figure 112018131646723-pct00002

공정 S503과 공정 S504 사이에 공정 S502와 마찬가지 형틀(M)의 형상 보정의 공정이 포함되는 경우에는, 본 공정 후에, 공정 S504에 있어서, 공정 S503에서 계측된 어긋남양에 기초하여 기판 스테이지(110)를 구동한다. 그 때문에, 형틀(M)의 형상 보정의 공정을 공정 S503 후에 가함으로써, 통상 계측 모드를 적용한 기판(W)에 있어서의 실제의 계측 결과에 기초하여, 변형부(123)에 의한 형틀(M) 또는 기판(W)의 형상을 보정할 수 있다.When the process of correcting the shape of the formwork M is included between the steps S503 and S504, the same as that of the step S502, after this step, in the step S504, the substrate stage 110 based on the amount of deviation measured in the step S503. to drive Therefore, by adding the process of shape correction of the formwork M after the process S503, based on the actual measurement result in the board|substrate W to which the normal measurement mode is applied, the formwork M by the deformation|transformation part 123. Alternatively, the shape of the substrate W may be corrected.

또한, 본 실시 형태에서는, 형상 보정량의 결정(공정 S103), 보존(공정 S104) 및 참조(공정 S106)를 동일 임프린트 장치 내에서 행하는 예에 대하여 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 결정된 샷 영역마다의 형상 보정량을 외부의 제어 장치에 송신해도 상관없다. 이 경우, 동등한 임프린트 처리를 행할 때에는, 외부의 제어 장치로부터 자장치 또는 동등한 타장치에서 결정된 형상 보정량을 수신하여 사용할 수 있다.In this embodiment, an example has been described in which the determination of the shape correction amount (step S103), storage (step S104), and reference (step S106) are performed in the same imprint apparatus, but the present invention is not limited thereto. For example, the determined shape correction amount for each shot region may be transmitted to an external control device. In this case, when performing equivalent imprint processing, it is possible to receive and use the shape correction amount determined by its own device or another equivalent device from an external control device.

이상과 같이, 본 실시 형태의 위치 정렬 방법은, 사전에 지정된 기판에 있어서 상세하게 얼라인먼트를 행하고, 액추에이터의 제어량을 얻고, 후속의 기판 임프린트 처리에서, 당해 제어량을 사용하고 있다. 이에 의해, 스루풋을 저하시키는 일 없이 얼라인먼트 정밀도를 향상시킬 수 있다. 본 실시 형태에 따르면, 스루풋의 점에서 유리한 위치 정렬 방법을 제공할 수 있다.As described above, the alignment method of the present embodiment performs detailed alignment on a previously designated substrate, obtains the control amount of the actuator, and uses the control amount in the subsequent substrate imprint process. Thereby, alignment precision can be improved, without reducing a throughput. According to this embodiment, it is possible to provide a position alignment method advantageous in terms of throughput.

제2 실시 형태second embodiment

제1 실시 형태에서는, 상세 계측 모드에서, 사전에 지정된 기판(예를 들어, 로트 1매째 기판)에 대하여 기판 내의 전체 샷 영역의 임프린트 처리를 행하였다. 제2 실시 형태에서는, 상세 계측 모드에서, 사전에 지정된 기판에 대하여 도 3의 (A)에 나타낸 샘플 샷 영역(SS)에 대하여 임프린트 처리를 행한다. 즉, 제1 실시 형태는, 기판마다 계측 모드를 설정하는 것에 비해, 본 실시 형태는, 샷 영역마다 계측 모드를 설정하는 실시 형태이다.In the first embodiment, in the detailed measurement mode, the imprint process of the entire shot region in the substrate was performed on a previously designated substrate (eg, the first substrate in the lot). In the second embodiment, in the detailed measurement mode, the imprint process is performed on the sample shot region SS shown in FIG. 3A with respect to a substrate designated in advance. That is, the first embodiment sets the measurement mode for each substrate, whereas the present embodiment sets the measurement mode for each shot region.

구체적으로는, 최초에, 샘플 샷 영역(SS)만을, 상세 계측 모드에서 임프린트한다. 이어서, 샘플 샷 영역(SS)에 있어서의 형상 보정량을 통계 계산하여, 샘플 샷 영역(SS) 이외의 샷 영역에 있어서의 형상 보정량을 산출한다. 마지막으로, 샘플 샷 영역(SS) 이외의 샷 영역을 통상 계측 모드에서 임프린트 처리한다. 이후, 이와 같이, 1매의 기판에 대하여 상세 계측 모드 및 통상 계측 모드 양쪽을 포함하는 계측 모드를 샘플 샷 계측 모드라 칭한다.Specifically, first, only the sample shot area SS is imprinted in the detailed measurement mode. Next, the amount of shape correction in the sample shot region SS is statistically calculated, and the amount of shape correction in the shot regions other than the sample shot region SS is calculated. Finally, a shot region other than the sample shot region SS is imprinted in the normal measurement mode. Hereinafter, in this way, the measurement mode including both the detailed measurement mode and the normal measurement mode for one substrate is referred to as a sample shot measurement mode.

도 6은, 본 실시 형태에 따른 임프린트 방법의 흐름도이다. 각 공정은, 제1 실시 형태와 마찬가지로 제1 제어부(140) 또는 제2 제어부(150)의 제어에 의해 진행된다. 공정 S701 및 공정 S702에서는, 공정 S101 및 공정 S102와 마찬가지로 기판(W)의 반입 및 계측 모드의 설정이 행하여진다. 공정 S702에 있어서, 기판 스테이지(110)에 반입된 기판(W)에 샘플 샷 계측 모드가 설정된 경우에는, 공정 S703으로 진행되고, 통상 계측 모드가 설정된 경우에는, 공정 S106으로 진행된다.6 is a flowchart of the imprint method according to the present embodiment. Each process progresses under the control of the 1st control part 140 or the 2nd control part 150 similarly to 1st Embodiment. In step S701 and step S702, similarly to step S101 and step S102, the loading of the substrate W and the setting of the measurement mode are performed. In step S702, when the sample shot measurement mode is set for the substrate W loaded into the substrate stage 110, the flow advances to step S703, and when the normal measurement mode is set, the flow advances to step S106.

공정 S703 내지 공정 S705는 샘플 샷 계측 모드의 공정이다. 또한, 공정 S709 내지 공정 S711은, 각각 제1 실시 형태의 공정 S106 내지 공정 S108과 마찬가지인 통상 계측 모드의 공정이기 때문에, 그 상세는 생략한다. 공정 S703에서는, 공정 S103과 마찬가지인 임프린트 처리가 행하여진다. 공정 S704에서는, 제1 제어부(140)가 모든 샘플 샷 영역(SS)의 처리가 종료되었는지 여부를 판단한다. 공정 S704에 있어서, 종료되지 않았다고 판단된 경우("아니오"), 공정 S703으로 복귀되어 미처리 샘플 샷 영역(SS)의 임프린트 처리를 행하고, 종료되었다고 판단된 경우("예"), 공정 S705로 진행된다.Steps S703 to S705 are steps in the sample shot measurement mode. In addition, since process S709 - process S711 are the processes of the normal measurement mode similar to process S106 - process S108 of 1st Embodiment, respectively, the detail is abbreviate|omitted. In step S703, the same imprint processing as in step S103 is performed. In step S704 , the first control unit 140 determines whether the processing of all the sample shot areas SS has been completed. If it is determined in step S704 that it has not been finished (No), the flow returns to step S703 to perform imprint processing of the unprocessed sample shot area SS, and if it is determined that the process has been completed (Yes), proceed to step S705 do.

공정 S705에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S703에서 상세 계측 모드에서 임프린트 처치를 행했을 때의 각 샘플 샷 영역(SS)에서의 형상 보정량을 통계 처리하고, 샘플 샷 영역(SS) 이외의 샷 영역에 있어서의 형상 보정량을 산출한다. 여기서, 산출된 형상 보정량은, 제1 제어부(140)에 의해 기억부에 보존된다.In step S705, the first control unit 140 statistically processes the shape correction amount in each sample shot area SS when the imprint treatment is performed in the detailed measurement mode in step S703, and performs a statistical process for shots other than the sample shot area SS. The shape correction amount in the region is calculated. Here, the calculated shape correction amount is stored in the storage unit by the first control unit 140 .

공정 S706에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S705에서 구해진 형상 보정량을 기억부로부터 읽어들인다. 공정 S707에서는, 읽어들여진 형상 보정량에 기초하여 제1 실시 형태와 마찬가지의 통상 계측 모드에 의해, 샘플 샷 영역(SS) 이외의 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행한다. 공정 S708에서는, 제1 제어부(140)가 공정 S706 및 공정 S707의 처리를 샘플 샷 영역(SS) 이외의 모든 샷 영역에서 행했는지를 판단하여, 처리가 종료되었다고 판단된 경우("예")는 공정 S712로 진행된다. 종료되지 않았다고 판단된 경우("아니오")에는, 미처리 샷 영역에 대하여 공정 S706 및 공정 S707의 처리를 실행한다. 공정 S712에서는, 기판(W)이 도시되지 않은 반송 수단에 의해 임프린트 장치(100) 밖으로 반출된다.In step S706, the first control unit 140 reads the shape correction amount obtained in step S705 from the storage unit. In step S707, based on the read shape correction amount, imprint processing is performed on shot regions other than the sample shot region SS in the same normal measurement mode as in the first embodiment. In step S708, the first control unit 140 determines whether the processing of steps S706 and S707 has been performed in all shot areas other than the sample shot area SS, and when it is determined that the processing is complete (Yes), It proceeds to step S712. When it is judged that it has not been completed (No), the processing of steps S706 and S707 is executed for the unprocessed shot area. In step S712 , the substrate W is transported out of the imprint apparatus 100 by a transport means (not shown).

이어서, 공정 S705에서의, 제1 제어부(140)에 의한 샘플 샷 영역(SS) 이외의 샷 영역의 형상 보정량의 산출 방법의 일례에 대하여 설명한다. 먼저, 각 액추에이터의 통계량으로서, 제어량의 평균값 S, X 방향의 제어량의 변화량 M 및 Y 방향의 제어량의 변화량 R을 산출한다. 실제로는, 이들 통계량을 계수로 하는 하기의 식 (3)에 대하여 공지된 최소 제곱법으로 산출한다. 산출 시에는, 샘플 샷에서의 각 액추에이터 위치와 기판(W)의 중심을 원점으로 한 기판 평면 상의 XY 좌표에서의 샘플 샷 영역의 중심 위치 x 및 y를 사용한다.Next, an example of the method of calculating the shape correction amount of the shot region other than the sample shot region SS by the first control unit 140 in the step S705 will be described. First, as the statistic of each actuator, the average value S of the control amount, the amount of change M of the control amount in the X direction, and the amount of change R of the control amount in the Y direction are calculated. In practice, it is calculated by the known least squares method with respect to the following formula (3) using these statistics as coefficients. In the calculation, the positions of the respective actuators in the sample shot and the center positions x and y of the sample shot region in XY coordinates on the substrate plane with the center of the substrate W as the origin are used.

Figure 112018131646723-pct00003
Figure 112018131646723-pct00003

식 (3)의, ai, bi, ci, di는, 식 (1)과 마찬가지이다. 또한, 평균값 S, X 방향 변화량 M, Y 방향 변화량 R은 액추에이터마다 산출되고, 첨자는 대응하는 액추에이터를 나타내고 있다. 상기 통계값인 식 (3)의 계수를 구한 후, 샷마다 식 (3)의 x 및 y에 기판 중심을 원점으로 한 기판 평면 상의 XY 좌표에서의 각 샷의 중심 위치를 대입함으로써, 각 샷에서의 각 액추에이터 제어량이 산출된다. 또한, 본 실시 형태에서는, 식 (3)에 1차 다항식을 사용했지만, 임의의 차수의 식을 사용해도 상관없다.In Formula (3), a i , b i , c i , and d i are the same as in Formula (1). Incidentally, the average value S, the amount of change in the X direction M, and the amount of change in the Y direction R are calculated for each actuator, and the subscripts indicate the corresponding actuators. After obtaining the coefficient of Equation (3), which is the above statistical value, for each shot, by substituting the position of the center of each shot in the XY coordinates on the substrate plane with the center of the substrate as the origin into x and y of Equation (3) for each shot, in each shot Each actuator control amount of is calculated. In addition, in this embodiment, although a linear polynomial was used for Formula (3), you may use an expression of any order.

이상과 같이, 본 실시 형태의 위치 정렬 방법은, 제1 실시 형태와 비교하여, 상세 계측 모드를 사용하는 샷 영역이 적기 때문에, 스루풋의 추가의 저감을 기대할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판마다 설정된 계측 모드에 따라, 샘플 샷 계측 모드와 통상 계측 모드를 전환하는 예에 대하여 설명했지만, 모든 기판을 샘플 샷 계측 모드에서 임프린트 처리해도 상관없다.As described above, in the alignment method of the present embodiment, compared to the first embodiment, since there are fewer shot areas using the detailed measurement mode, further reduction in throughput can be expected. In addition, although the example in which the sample shot measurement mode and the normal measurement mode are switched according to the measurement mode set for each board|substrate was demonstrated in this embodiment, you may imprint all board|substrates in the sample shot measurement mode.

또한, 상기 실시 형태에서는, 위치 정렬 시에 형틀(M)을 변형시키고 있었지만, 이에 한정되지 않고, 기판(W)을 변형시켜도 되고, 이들 양쪽을 변형시켜도 된다. 상기 실시 형태와 같이, 임프린트 장치(100)가 서로 통신 가능한 제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)를 구비하는 구성이 아니라, 일체화된 제어부를 구비하는 구성이어도 된다. 또한, 제1 제어부(140) 및 제2 제어부(150)는 임프린트 장치(100)의 다른 부분과 일체로(공통의 하우징 내에) 구성해도 되고, 임프린트 장치(100)의 다른 부분과는 별체로(다른 하우징 내에) 구성해도 된다. 또한, 상기 실시 형태에 따른 방법은, 프로그램으로서 제1 제어부(140)의 컴퓨터에 의해 실행될 수 있다.In addition, in the said embodiment, although the form M was deformed at the time of alignment, it is not limited to this, The board|substrate W may be deformed, and both of these may be deformed. As in the above embodiment, the imprint apparatus 100 may be configured not to include the first control unit 140 and the second control unit 150 capable of communicating with each other, but may include an integrated control unit. In addition, the first control unit 140 and the second control unit 150 may be configured integrally with other parts of the imprint apparatus 100 (in a common housing) or separately from other parts of the imprint apparatus 100 ( in another housing). In addition, the method according to the above embodiment may be executed by the computer of the first control unit 140 as a program.

물품 제조 방법에 관한 실시 형태Embodiment related to article manufacturing method

물품으로서의 디바이스(반도체 집적 회로 소자, 액정 표시 소자 등)의 제조 방법은, 상술한 방법을 사용한 임프린트 장치에 의해, 기판(웨이퍼, 유리 플레이트, 필름형 기판)에 패턴 형성하는 공정을 포함한다. 추가로, 해당 제조 방법은, 패턴을 형성한 기판을 에칭하는 공정을 포함할 수 있다. 또한, 패턴드 미디어(기록 매체)나 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은, 에칭 대신에 패턴을 형성한 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.A method of manufacturing a device as an article (semiconductor integrated circuit element, liquid crystal display element, etc.) includes a step of pattern forming on a substrate (wafer, glass plate, film-like substrate) by an imprint apparatus using the method described above. Additionally, the manufacturing method may include a step of etching the substrate on which the pattern is formed. Further, in the case of manufacturing other articles such as patterned media (recording media) and optical elements, the manufacturing method may include other processing of processing the substrate on which the pattern is formed instead of etching. The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous compared to the conventional method in at least one of performance, quality, productivity, and production cost of the article.

임프린트 장치를 사용하여 형성된 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 혹은 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로, 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서 또는 형틀 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리 또는 MRAM과 같은 휘발성 혹은 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서 또는 FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형틀로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus is permanently used for at least a part of various articles or temporarily when various articles are manufactured. An article is an electric circuit element, an optical element, MEMS, a recording element, a sensor, a formwork, etc. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory or MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor or FPGA. As a formwork, the mold for imprints, etc. are mentioned.

경화물의 패턴은, 상기 물품 중 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 혹은, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 7의 (A)에 도시되는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 도포(부여)한다. 여기에서는, 복수의 액적형으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 도포된 모습을 나타내고 있다.Next, a specific manufacturing method of the article will be described. As shown in Fig. 7A, a substrate 1z such as a silicon wafer on which a workpiece 2z such as an insulator is formed on the surface is prepared, and then, the workpiece 2z is formed by an inkjet method or the like. An imprint material 3z is applied (applied) to the surface. Here, the state in which the imprint material 3z in the form of a plurality of droplets is applied on the substrate is shown.

도 7의 (B)에 도시되는 바와 같이, 임프린트용 형틀(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향해, 대향시킨다. 도 7의 (C)에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)가 도포된 기판(1)과 형틀(4z)을 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형틀(4z)와 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형틀(4z)을 투과시켜서 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.As shown in Fig. 7(B) , the imprint form 4z is made to face the imprint material 3z on the substrate with the side on which the concave-convex pattern is formed. As shown in FIG. 7C , the substrate 1 on which the imprint material 3z has been applied is brought into contact with the mold 4z, and a pressure is applied thereto. The imprint material 3z is filled in the gap between the formwork 4z and the material to be processed 2z. In this state, when light is transmitted through the mold 4z and irradiated as energy for curing, the imprint material 3z is cured.

도 7의 (D)에 도시되는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형틀(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 형틀(4z)의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형틀(4z)의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있어, 즉, 임프린트재(3z)에 형틀(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.As shown in FIG. 7D , after curing the imprint material 3z, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, the pattern of the cured product of the imprint material 3z on the substrate 1z this is formed The pattern of the cured product has a shape such that the concave portion of the mold 4z corresponds to the convex portion of the cured product and the convex portion of the mold 4z corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the imprint material 3z is attached to the mold 4z. of the concave-convex pattern is transferred.

도 7의 (E)에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내 에칭마스크로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 혹은 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 도 7의 (F)에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in FIG. 7E , when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching mask, a portion without the cured product or thinly remaining on the surface of the material to be processed 2z is removed, and the groove 5z ) becomes As shown in Fig. 7F, when the pattern of the cured product is removed, an article having grooves 5z formed on the surface of the material 2z to be processed can be obtained. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used as a structural member of an interlayer insulating film included in, for example, a semiconductor element or the like, ie, an article without removing the pattern even after processing.

그 다른 실시 형태the other embodiment

본 발명은 상술한 실시 형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통하여 시스템 또는 장치에 공급하고, 그들의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독해 실행하는 처리로도 실현가능하다. 또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현가능하다.The present invention can also be realized as a process in which a program for realizing one or more functions of the above-described embodiments is supplied to a system or apparatus via a network or a storage medium, and one or more processors in their computer read and execute the program. Do. It is also feasible by a circuit (eg, an ASIC) for realizing one or more functions.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, Various deformation|transformation and change are possible within the scope of the summary.

100: 임프린트 장치
110: 기판 스테이지
120: 구조체
121: 조사부
122: 얼라인먼트 계측부
123: 변형부
130: 도포부(디스펜서)
140: 제1 제어부
150: 제2 제어부
M: 형틀
W: 기판
100: imprint device
110: substrate stage
120: structure
121: investigation department
122: alignment measurement unit
123: deformation part
130: applicator (dispenser)
140: first control unit
150: second control unit
M: frame
W: substrate

Claims (16)

형틀에 형성된 형틀측 마크 및 기판에 형성된 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 형틀과 상기 기판의 위치 정렬을 하는 위치 정렬 방법이며,
제1 기판에 관하여,
복수의 샷 영역 각각에 있어서, 복수의 상기 형틀측 마크 및 당해 제1 기판에 형성된 복수의 제1 기판측 마크를 검출한 검출 결과에 기초하여, 상기 형틀과 상기 제1 기판 간의 제1 위치 어긋남양을 구하는 공정과,
상기 제1 위치 어긋남양에 기초하여, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상을 변형시키기 위한, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상 보정량을 취득하는 취득 공정과,
상기 제1 기판과는 다른 제2 기판에 관하여,
상기 제1 기판에서의 상기 형상 보정량에 기초하여, 상기 형틀, 또는 상기 제2 기판을 변형시키는 변형 공정과,
상기 변형 공정의 후에, 복수의 상기 제1 기판측 마크의 검출 결과를 사용하지 않고, 복수의 샷 영역 각각에 있어서, 복수의 상기 형틀측 마크 및 당해 제2 기판에 형성된 복수의 제2 기판측 마크를 검출한 검출 결과에 기초하여, 상기 형틀과 상기 제2 기판 간의 제2 위치 어긋남양을 구하는 공정과,
상기 제2 위치 어긋남양에 기초하여, 상기 형틀과 상기 제2 기판의 위치 정렬을 하는 공정을 갖고,
검출되는 상기 제2 기판측 마크의 수는, 상기 제1 기판측 마크의 수보다도 적은 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
A position alignment method for aligning the position of the formwork and the substrate based on the detection result of the form-side mark formed on the formwork and the substrate-side mark formed on the substrate,
With respect to the first substrate,
In each of the plurality of shot regions, based on a detection result of detecting the plurality of form-side marks and the plurality of first substrate-side marks formed on the first substrate, the amount of first positional shift between the form and the first substrate The process of finding
an acquisition step of acquiring a shape correction amount of the mold or the first substrate for deforming the shape of the mold or the first substrate based on the first position shift amount;
With respect to a second substrate different from the first substrate,
a deforming step of deforming the formwork or the second substrate based on the shape correction amount in the first substrate;
After the deformation step, in each of a plurality of shot regions, without using the detection results of the plurality of the first substrate-side marks, the plurality of the form-side marks and the plurality of second substrate-side marks formed on the second substrate are used. based on the detection result of detecting
a step of aligning the formwork and the second substrate based on the second positional shift amount;
The position alignment method according to claim 1, wherein the number of the detected second substrate-side marks is smaller than the number of the first substrate-side marks.
제1항에 있어서,
상기 제1 기판 상의 복수의 샷 영역은, 상기 제2 기판 상의 복수의 샷 영역과 대응하고, 상기 제1 기판측 마크는, 상기 제2 기판측 마크와 대응하는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
A plurality of shot regions on the first substrate correspond to a plurality of shot regions on the second substrate, and the first substrate-side mark corresponds to the second substrate-side mark.
제1항에 있어서,
상기 제1 기판 및 상기 제2 기판은, 동일한 로트로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
The first substrate and the second substrate are selected from the same lot.
제1항에 있어서,
상기 제2 위치 어긋남양에 기초한 상기 형틀과 상기 제2 기판의 위치 정렬은, 상기 형틀 또는 상기 제2 기판 중 적어도 한쪽을 변형시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
The alignment method according to any one of the preceding claims, wherein the alignment of the mold and the second substrate based on the second displacement amount includes deforming at least one of the mold and the second substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2 위치 어긋남양에 기초한 상기 형틀과 상기 제2 기판의 위치 정렬은, 상기 형틀의 측면에 힘을 가함으로써 행하여지는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
The alignment method according to claim 1, wherein the alignment between the formwork and the second substrate based on the second positional shift amount is performed by applying a force to a side surface of the formwork.
제1항에 있어서,
상기 제2 위치 어긋남양에 기초한 상기 형틀과 상기 제2 기판의 위치 정렬은, 상기 제2 기판에 열을 가함으로써 행하여지는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
The alignment method according to claim 1, wherein the alignment of the formwork and the second substrate based on the second positional shift amount is performed by applying heat to the second substrate.
제1항에 있어서,
상기 제2 위치 어긋남양에 기초한 상기 형틀과 상기 제2 기판의 위치 정렬은, 상기 형틀 또는 상기 제2 기판 중 적어도 한쪽을 이동시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
The alignment method according to claim 1, wherein the alignment of the mold and the second substrate based on the second positional shift includes moving at least one of the mold and the second substrate.
제4항에 있어서,
상기 형틀 또는 상기 제2 기판의 변형은, 상기 제1 위치 어긋남양으로부터 얻어진 상기 형상 보정량을 기준으로 해서, 상기 제2 위치 어긋남양으로부터 얻어지는 보정량에 기초하여 행하여지는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
5. The method of claim 4,
The position alignment method according to claim 1, wherein the deformation of the formwork or the second substrate is performed on the basis of the amount of correction obtained from the amount of the second positional deviation, based on the amount of correction obtained from the amount of the first positional deviation as a reference.
제1항에 있어서,
상기 제1 위치 어긋남양을 구하는 공정에서는, 상기 제1 기판 상의 복수의 샷 영역 중, 일부의 샷 영역에 관하여, 상기 형틀측 마크 및 당해 제1 기판에 형성된 제1 기판측 마크를 복수의 검출점에 있어서 검출하고, 당해 검출 결과로부터 구해진 위치 어긋남양과 당해 검출 결과의 통계량으로부터 산출된 위치 어긋남양을 상기 제1 위치 어긋남양으로 하는 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
According to claim 1,
In the step of determining the first amount of positional shift, the form-side mark and the first substrate-side mark formed on the first substrate are set at a plurality of detection points with respect to a part of the shot region among the plurality of shot regions on the first substrate. is detected, and a positional shift amount obtained from the detection result and a positional shift amount calculated from a statistic of the detection result are used as the first positional shift amount.
형틀에 형성된 형틀측 마크 및 기판에 형성된 기판측 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 형틀과 상기 기판의 위치 정렬을 하는 위치 정렬 방법이며,
제1 기판에 관하여,
복수의 샷 영역 각각에 있어서, 복수의 상기 형틀측 마크 및 당해 제1 기판에 형성된 복수의 제1 기판측 마크를 검출한 검출 결과에 기초하여, 상기 형틀과 상기 제1 기판 간의 제1 위치 어긋남양을 구하는 공정과,
상기 제1 위치 어긋남양에 기초하여, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상을 변형시키기 위한, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상 보정량을 취득하는 취득 공정과,
상기 제1 기판과는 다른 제2 기판에 관하여,
복수의 상기 제1 기판측 마크의 검출 결과를 사용하지 않고, 복수의 샷 영역 각각에 있어서, 복수의 상기 형틀측 마크 및 당해 제2 기판에 형성된 복수의 제2 기판측 마크를 검출한 검출 결과에 기초하여 구해진, 상기 형틀과 상기 제2 기판 간의 제2 위치 어긋남양 및, 상기 제1 기판에서의 상기 형상 보정량에 기초하여, 상기 형틀 또는 상기 제2 기판을 변형시키는 변형 공정을 갖고,
검출되는 상기 제2 기판측 마크의 수는, 상기 제1 기판측 마크의 수보다도 적은 것을 특징으로 하는 위치 정렬 방법.
A position alignment method for aligning the position of the formwork and the substrate based on the detection result of the form-side mark formed on the formwork and the substrate-side mark formed on the substrate,
With respect to the first substrate,
In each of the plurality of shot regions, based on a detection result of detecting the plurality of form-side marks and the plurality of first substrate-side marks formed on the first substrate, the amount of first positional shift between the form and the first substrate The process of finding
an acquisition step of acquiring a shape correction amount of the mold or the first substrate for deforming the shape of the mold or the first substrate based on the first position shift amount;
With respect to a second substrate different from the first substrate,
In each of the plurality of shot regions, without using the detection results of the plurality of first substrate-side marks, the plurality of form-side marks and the plurality of second substrate-side marks formed on the second substrate are detected. a deforming step of deforming the formwork or the second substrate based on a second positional shift amount between the formwork and the second substrate obtained based on the second positional shift amount and the shape correction amount in the first substrate;
The position alignment method according to claim 1, wherein the number of the detected second substrate-side marks is smaller than the number of the first substrate-side marks.
형틀을 사용하여 기판 상에 공급된 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 장치이며,
상기 형틀 및 상기 기판의 상대 위치를 계측하는 계측부와,
상기 형틀 또는 상기 기판을 변형시켜서 상기 상대 위치를 조정하는 기구와,
상기 계측부 및 상기 기구를 제어하는 제어부
를 갖고,
상기 제어부는,
제1 기판에 관하여, 복수의 샷 영역 각각에 있어서 상기 형틀에 형성된 복수의 형틀측 마크 및 당해 제1 기판에 형성된 복수의 제1 기판측 마크를 검출하도록 상기 계측부를 제어하고,
검출 결과로부터 구해진 상기 형틀과 상기 제1 기판 간의 제1 위치 어긋남양에 기초하여, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상을 변형시키기 위한, 상기 형틀 또는 상기 제1 기판의 형상 보정량을 취득하고,
상기 제1 기판과는 다른 제2 기판에 관하여, 상기 제1 기판에서의 상기 형상 보정량에 기초하여, 상기 형틀 또는 상기 제2 기판을 변형시키도록 상기 기구를 제어하고,
복수의 상기 제1 기판측 마크의 검출 결과를 사용하지 않고, 상기 제2 기판 상의 복수의 샷 영역 각각에 있어서, 복수의 상기 형틀측 마크 및 당해 제2 기판에 형성된 복수의 제2 기판측 마크를 검출하도록 상기 계측부를 제어하고,
검출 결과로부터 구해진 상기 형틀과 상기 제2 기판 간의 제2 위치 어긋남양에 기초하여 상기 기구를 제어하고,
검출되는 상기 제2 기판측 마크의 수는, 상기 제1 기판측 마크의 수보다도 적은 것을 특징으로 하는 임프린트 장치.
An imprint apparatus for forming a pattern on an imprint material supplied on a substrate using a mold,
a measuring unit for measuring the relative positions of the formwork and the substrate;
a mechanism for adjusting the relative position by deforming the formwork or the substrate;
A control unit for controlling the measurement unit and the instrument
have,
The control unit is
with respect to the first substrate, controlling the measurement unit to detect a plurality of form-side marks formed on the formwork and a plurality of first substrate-side marks formed on the first substrate in each of a plurality of shot regions;
Acquiring a shape correction amount of the mold or the first substrate for deforming the shape of the mold or the first substrate based on the first positional shift amount between the mold and the first substrate obtained from the detection result;
with respect to a second substrate different from the first substrate, controlling the mechanism to deform the formwork or the second substrate based on the shape correction amount in the first substrate;
In each of the plurality of shot regions on the second substrate, the plurality of form-side marks and the plurality of second substrate-side marks formed on the second substrate are obtained without using the detection results of the plurality of first substrate-side marks. control the measurement unit to detect,
controlling the mechanism based on a second amount of position shift between the formwork and the second substrate obtained from the detection result;
The imprint apparatus according to claim 1, wherein the number of the detected second substrate-side marks is smaller than the number of the first substrate-side marks.
제1항 또는 제10항에 기재된 방법을 컴퓨터에 실행시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.A computer program stored in a computer-readable recording medium, characterized in that the computer executes the method according to claim 1 or 10. 제11항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 가공 공정을 갖고, 해당 가공 공정에 의해 가공된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
A step of forming a pattern of an imprint material on a substrate using the imprint apparatus according to claim 11;
A method for manufacturing an article, comprising a processing step of processing the substrate on which the pattern is formed in the step, and manufacturing an article from the substrate processed by the processing step.
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