KR102365293B1 - Method of manufacturing a flexible device, a flexible device, a flexible device manufacturing apparatus and a resin solution for forming a flexible substrate - Google Patents

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KR102365293B1
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노부유키 하야시
카츠후미 히라이시
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닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 간이한 방법이며 제조 비용이 낮고, 또한 다양한 수지에 적용할 수 있는 수지층이 형성된 플렉서블 기판으로부터의 경질 지지체의 제거가 용이한 플렉서블 디바이스의 제조방법을 제공한다.
[해결수단] 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하여 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성하는 플렉서블 기판 형성 공정, 상기 플렉서블 기판 상에 기능층을 형성하는 기능층 형성 공정, 및 상기 기능층이 형성된 플렉서블 기판을 기능층과 함께 경질 지지체로부터 제거하는 지지체 제거 공정의 각 공정을 포함하는 플렉서블 디바이스의 제조방법으로서, 상기 플렉서블 기판 형성 공정에 있어서 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법이다.
[Problem] To provide a method for manufacturing a flexible device that is a simple method, has a low manufacturing cost, and allows easy removal of a rigid support from a flexible substrate having a resin layer that can be applied to various resins.
[Solution] A flexible substrate forming process of forming a flexible substrate on a rigid support by applying a resin solution on a rigid support, a functional layer forming process of forming a functional layer on the flexible substrate, and a flexible substrate with the functional layer formed A method for manufacturing a flexible device comprising each step of a support removal step of removing a layer from a hard support together with a functional layer, wherein in the flexible substrate forming step, a resin solution is applied after the hard support is heat-treated. A method of manufacturing a device.

Description

플렉서블 디바이스의 제조방법, 플렉서블 디바이스, 플렉서블 디바이스 제조장치 및 플렉서블 기판을 형성하기 위한 수지 용액{METHOD OF MANUFACTURING A FLEXIBLE DEVICE, A FLEXIBLE DEVICE, A FLEXIBLE DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND A RESIN SOLUTION FOR FORMING A FLEXIBLE SUBSTRATE}A flexible device manufacturing method, a flexible device, a flexible device manufacturing apparatus, and a resin solution for forming a flexible substrate TECHNICAL FIELD

본 발명은 기능층이 형성된 플렉서블 기판으로부터의 경질 지지체의 제거가 용이한 플렉서블 디바이스의 제조방법, 그 제조방법에 의해 제조된 플렉서블 디바이스 및 그 제조방법용의 플렉서블 디바이스 제조장치에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing a flexible device that can easily remove a rigid support from a flexible substrate on which a functional layer is formed, a flexible device manufactured by the manufacturing method, and a flexible device manufacturing apparatus for the manufacturing method.

액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 태양전지, 터치 패널, 컬러필터 등의 전자 디바이스는 주로 유리를 기판으로 하여 제조된다. 이 유리 기판 대신에 플라스틱 등의 플렉서블 기판을 사용한 전자 디바이스는, 소위 플렉서블 디바이스라고 한다. 플렉서블 디바이스의 1종인 플렉서블 디스플레이를 제조하는 경우, 신규 설비 도입에 의한 제조 비용 증가를 억제하기 위해 기존의 유리 기판용 제조기술(제조설비를 포함함)을 활용하는 것이 바람직하다. Electronic devices such as liquid crystal displays, organic EL displays, solar cells, touch panels, and color filters are mainly manufactured using glass as a substrate. An electronic device using a flexible substrate such as plastic instead of the glass substrate is called a so-called flexible device. In the case of manufacturing a flexible display, which is one type of flexible device, it is preferable to utilize the existing manufacturing technology for glass substrates (including manufacturing facilities) in order to suppress an increase in manufacturing cost due to the introduction of new facilities.

기존의 제조기술을 이용한 플렉서블 디스플레이의 제조방법의 일례는, 우선 유리를 지지체로 해서 상기 지지체 상에 플렉서블 기판을 탑재하고, 또한 플렉서블 기판 상에 기능 소자를 탑재하고, 도통 패턴 형성, 밀봉 등을 행한다(이하, 합쳐서 「기능층 형성 공정」이라 함). 이어서, 상기 지지체로부터 플렉서블 기판을 기능소자와 함께 박리한다(이하, 「지지체 제거 공정」이라 함). 이를 위해, 기능층 형성 공정에 있어서 유리 기재와 플렉서블 기판이 박리되지 않고, 또한 지지체 제거 공정에 있어서는 플렉서블 기판이 플렉서블 기판 자체 및 기능 소자에 손상을 주지 않고 박리되는 것이 중요하다.An example of a method for manufacturing a flexible display using an existing manufacturing technology is to first mount a flexible substrate on the support using glass as a support, then mount a functional element on the flexible substrate, and conduct a conduction pattern formation, sealing, etc. (hereinafter, collectively referred to as "functional layer formation process"). Next, the flexible substrate and the functional element are peeled off from the support (hereinafter referred to as "support removal process"). To this end, it is important that the glass substrate and the flexible substrate are not peeled off in the functional layer forming process, and that the flexible substrate is peeled off without damaging the flexible substrate itself and the functional element in the support removing process.

또한, 플렉서블 디바이스의 제조공정에 있어서, 통상은 플렉서블 기판에 대하여 가열 처리(200∼500℃) 및 여러 가지 약품 처리를 행한다. 이 때문에, 플렉서블 기판은 내열성 및 내약품성이 요구된다. 이러한 요구에 대응하는 플렉서블 기판 재료로서 폴리이미드 수지가 검토되어 왔다(특허문헌 1∼3 참조). 이 폴리이미드 수지는 선열팽창계수(CTE)가 낮고, 그 제어가 비교적 용이하기 때문에 고온에 노출되는 일이 있는 제조 공정 및 제품의 사용에 있어서 문제가 발생하기 어렵다는 특징이 있다. In addition, in the manufacturing process of a flexible device, heat processing (200-500 degreeC) and various chemical processing are normally performed with respect to a flexible board|substrate. For this reason, heat resistance and chemical resistance are calculated|required of a flexible board|substrate. Polyimide resin has been studied as a flexible substrate material to meet such a request (refer to Patent Documents 1 to 3). Since this polyimide resin has a low coefficient of linear thermal expansion (CTE) and is relatively easy to control, it is characterized in that it is difficult to cause problems in the use of products and manufacturing processes that may be exposed to high temperatures.

이 중, 상기 특허문헌 1에서는 액상의 수지 조성물을 캐리어 기판 상에 도포 성막해서 고체상의 수지막을 형성하고, 상기 수지막 상에 회로를 형성하여 수지막으로부터 캐리어 기판을 박리하는 공정을 포함하는 플렉서블 디바이스의 제조방법을 개시하고 있고, 상기 수지막이 상기 회로에 박리 등의 결함을 발생시키는 일없이 캐리어 기판으로부터의 박리성에 우수하다는 취지의 개시가 있다. 그러나, 캐리어 기판-수지막 사이의 박리강도의 제어에 대해서 개시는 없다. 즉, 상기 기능층 형성 공정에 있어서의 캐리어 기판-수지막의 박리하기 어려움은 불분명하다.Among these, in Patent Document 1, a flexible device comprising a step of coating and forming a liquid resin composition on a carrier substrate to form a solid resin film, and forming a circuit on the resin film to peel the carrier substrate from the resin film. is disclosed, and there is a disclosure to the effect that the resin film is excellent in peelability from a carrier substrate without causing defects such as peeling in the circuit. However, there is no disclosure about the control of the peel strength between the carrier substrate and the resin film. That is, the difficulty in peeling of the carrier substrate-resin film in the said functional layer formation process is not clear.

또한, 특허문헌 2에서는 지지체 상에 폴리이미드 피막을 형성하고, 또한 그 위에 박막 디바이스를 형성한 후에 지지체로부터 박리하여 필름 디바이스를 얻는 프로세스를 개시하고 있고, 지지체로부터의 폴리이미드 피막의 박리력이 0.05N/㎝∼1.55N/㎝인 것을 개시하고 있다. 그 때, 필름 디바이스 가공 중에 박리되는 일 없이, 또한 가공 종료 후에는 신속하게 박리되는 것이 가능하다는 취지를 개시하고 있다. 그러나, 이 프로세스에 적용할 수 있는 수지는 벤졸 골격을 갖는 것에 한정된다. Moreover, in patent document 2, the process of forming a polyimide film on a support body, forming a thin film device on it, peeling from a support body, and obtaining a film device is disclosed, The peeling force of the polyimide film from a support body is 0.05 N/cm to 1.55 N/cm are disclosed. In that case, it is not peeling during film device processing, and the effect is disclosed that it is possible to peel quickly after completion|finish of processing. However, resins applicable to this process are limited to those having a benzol skeleton.

또한, 특허문헌 3에서는 기판 상에 질화물층을 형성하고, 또한 그 위에 산화물층을 형성함으로써 피박리층을 형성하고, 또한 그 위에 절연층 및 소자를 형성한 후 물리적 수단에 의해 상기 산화물층의 층내 또는 계면에 있어서 박리하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 기판 상에 상기와 같은 피박리층을 형성할 필요가 있기 때문에 제조 프로세스가 복잡하고, 제조 비용 상승으로 이어진다.Further, in Patent Document 3, a layer to be peeled is formed by forming a nitride layer on a substrate and an oxide layer thereon, and after forming an insulating layer and an element thereon, the oxide layer is formed in the layer by physical means. Or the method of peeling in the interface is disclosed. However, since it is necessary to form the above-mentioned layer to be peeled on the substrate, the manufacturing process is complicated, leading to an increase in manufacturing cost.

이상과 같이, 기능층의 형성에 있어서 지지체로부터 플렉서블 기판이 박리되지 않고, 또한 그 후에 플렉서블 기판 및 기능층에 손상을 주지 않고 지지체로부터 플렉서블 기판을 박리하며, 또한 저비용으로 간편하게 행할수 있는 수단이 요망되고 있다. As described above, there is a need for a means that does not peel off the flexible substrate from the support in the formation of the functional layer, and then peels the flexible substrate from the support without damaging the flexible substrate and the functional layer, and that can be easily carried out at low cost is becoming

일본 특허공개 2010-202729호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2010-202729 일본 특허공개 2012-140560호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2012-140560 일본 특허공개 2003-174153호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2003-174153

상술한 바와 같이, 미리 유리 기판 등과 같은 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성해서 경질 지지체에 플렉서블 기판이 고정된 상태에서 기능층을 형성하여 경질 지지체로부터 분리하여 플렉서블 디바이스를 제조하는 방법은, 각종 기능층을 정밀도 좋게 형성할 수 있는 점, 제조시의 취급성이 우수한 점 등의 관점에서 유리하다고 생각된다. 그런데, 경질 지지체로부터 플렉서블 디바이스를 분리할 때에 잘 분리할 수 없어 플렉서블 기판이 손상되어 버리고, 기능층에 영향을 미치는 등, 다양한 트러블이 발생할 우려가 있다. 또한, 지금까지 알려진 상기 방법에서는 제조 비용을 낮게 억제하고, 또한 다양한 수지에 적용할 수 있다는 관점에서는 충분하지 않고, 더나은 개선이 필요했다.As described above, by forming a flexible substrate on a rigid support such as a glass substrate in advance to form a functional layer in a state in which the flexible substrate is fixed to the rigid support and separating it from the rigid support, the method of manufacturing a flexible device includes various functional layers It is considered to be advantageous from the viewpoint of being able to form with high precision and excellent handleability at the time of manufacture. However, when the flexible device is separated from the rigid support, it cannot be easily separated, the flexible substrate is damaged, and various troubles, such as affecting the functional layer, may occur. In addition, the method known so far is not sufficient from the viewpoint of lowering the manufacturing cost and being applicable to various resins, and further improvement is required.

그래서, 본 발명의 목적은 간이한 방법이며 제조 빙용이 낮고, 또한 다양한 수지에 적용할 수 있다는 범용성을 가지며, 또한 기능층이 형성된 플렉서블 기판으로부터의 경질 지지체의 제거가 용이한 플렉서블 디바이스의 제조방법을 제공하는 것에 있다.Therefore, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a flexible device that is simple, has a low manufacturing cost, has versatility that can be applied to various resins, and is easy to remove a rigid support from a flexible substrate on which a functional layer is formed. is to provide.

즉, 본 발명은 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하여 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성하는 플렉서블 기판 형성 공정, 상기 플렉서블 기판 상에 기능층을 형성하는 기능층 형성 공정, 및 상기 기능층이 형성된 플렉서블 기판을 기능층과 함께 경질 지지체로부터 제거하는 지지체 제거 공정의 각 공정을 포함하는 플렉서블 디바이스의 제조방법으로서, 상기 플렉서블 기판 형성 공정에 있어서 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법이다.That is, the present invention provides a flexible substrate forming process of forming a flexible substrate on a rigid support by applying a resin solution on a rigid support, a functional layer forming process of forming a functional layer on the flexible substrate, and the functional layer formed on the flexible substrate A method of manufacturing a flexible device comprising each step of a support removal step of removing a substrate from a rigid support together with a functional layer, wherein in the flexible substrate forming step, a resin solution is applied after heat-treating the rigid support A method of manufacturing a flexible device.

또한, 본 발명에 있어서 상기 가열 처리의 최고 온도가 300℃ 이상인 것이 바람직하고, 360℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.Moreover, in this invention, it is preferable that the maximum temperature of the said heat processing is 300 degreeC or more, and it is more preferable that it is 360 degreeC or more.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 가열 처리의 종료 후 180분 이내에, 상기 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하는 것이 바람직하다.Further, in the present invention, it is preferable to apply the resin solution on the rigid support within 180 minutes after the end of the heat treatment.

또한, 본 발명은 상기 플렉서블 디바이스의 제조방법에 의해 제조된 플렉서블 디바이스이다. 그 중에서도 바람직하게는 플렉서블 디바이스가 터치 패널이다.In addition, the present invention is a flexible device manufactured by the method of manufacturing the flexible device. Among them, the flexible device is preferably a touch panel.

또한, 본 발명은 경질 지지체를 연속적으로 300℃ 이상, 바람직하게는 360℃ 이상으로 가열 처리하는 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법용 플렉서블 디바이스 제조장치이다.In addition, the present invention is an apparatus for manufacturing a flexible device for a method for manufacturing a flexible device, characterized in that it comprises an apparatus for continuously heat-treating a rigid support at 300°C or higher, preferably 360°C or higher.

또한, 본 발명은 상기 플렉서블 디바이스에 있어서의 플렉서블 기판을 형성하기 위한 수지 용액이다.Moreover, this invention is a resin solution for forming the flexible board|substrate in the said flexible device.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명의 플렉서블 디바이스의 제조방법은 박리층의 부여 등의 복잡한 공정을 추가할 필요가 없고, 또한 다양한 수지에 적용하여 플렉서블 디바이스를 얻을 수 있기 때문에, 신규 설비 동입에 의한 제조 비용 증가를 억제할 수 있고, 기존의 유리 기판용 제조기술을 활용하는 것이 가능하다. 그 때문에 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 태양전지, 터치 패널, 컬러필터 등의 전자 디바이스에 대해서 유리 기판으로부터 플렉서블 기판으로의 치환을 촉진할 수 있다.The manufacturing method of the flexible device of the present invention does not need to add a complicated process such as providing a release layer, and since the flexible device can be obtained by applying it to various resins, it is possible to suppress the increase in manufacturing cost due to the introduction of new equipment. and it is possible to utilize the existing manufacturing technology for glass substrates. Therefore, substitution from a glass substrate to a flexible substrate can be accelerated|stimulated with respect to electronic devices, such as a liquid crystal display, organic electroluminescent display, a solar cell, a touch panel, and a color filter.

도 1은 본 발명의 플렉서블 디바이스 제조장치를 나타내는 모식 설명도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic explanatory drawing which shows the flexible device manufacturing apparatus of this invention.

이하, 본 발명의 플렉서블 디바이스의 제조방법의 일형태에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, one aspect of the manufacturing method of the flexible device of this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 플렉서블 디바이스의 제조방법은 플렉서블 기판 상에 소정의 기능을 갖는 기능층을 구비한 플렉서블 디바이스의 제조방법으로서, 이하의 3가지 공정을 포함한다.The method of manufacturing a flexible device of the present invention is a method of manufacturing a flexible device having a functional layer having a predetermined function on a flexible substrate, and includes the following three steps.

(1) 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하여 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성하는 플렉서블 기판 형성 공정, (1) a flexible substrate forming process of forming a flexible substrate on the rigid support by applying a resin solution on the rigid support;

(20 상기 플렉서블 기판 상에 기능층을 형성하는 기능층 형성 공정,(20 A functional layer forming process of forming a functional layer on the flexible substrate;

(3) 상기 기능층이 형성된 플렉서블 기판으로부터 경질 지지체를 제거하는 지지체 제거 공정의 각 공정.(3) Each process of the support body removal process which removes a rigid support body from the flexible substrate on which the said functional layer was formed.

그리고 본 발명에 있어서는, 상기 플렉서블 기판 형성 공정에 있어서 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포한다.And in this invention, after heat-processing a hard support body in the said flexible board|substrate formation process, the resin solution is apply|coated.

우선, 플렉서블 기판 형성 공정에 대하여 설명한다.First, the flexible substrate forming process will be described.

경질 지지체는 무기물이고, 또한 적층체로서의 성능을 담보할 수 있으면 그 종류에 제한은 없지만, 예를 들면 유리나 세라믹이나 금속을 들 수있다. 여기서, 금속으로서는 구리, 알루미늄, 스테인리스, 철, 은, 팔라듐, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 지르코늄, 금, 코발트, 티탄, 탄탈, 아연, 납, 주석, 규소, 비스무트, 인듐 또는 이것들의 합금으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속 재료를 예시할 수 있고, 또한 유리와 복합하여 형성되도록 해도 좋고, 이러한 것들이면 내열성이나 플렉서블 기판층을 지지하는 관점에서 바람직하다. 또한, 세라믹으로서는 알루미나, 실리카, 규소 웨이퍼를 들 수 있다. 보다 바람직하게는 기존의 플렉서블 디바이스의 제조 공정에의 적합성에 뛰어난 유리이다.The hard support is not limited in its kind as long as it is an inorganic material and can ensure performance as a laminate, and examples thereof include glass, ceramics, and metals. Here, the metal includes copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zirconium, gold, cobalt, titanium, tantalum, zinc, lead, tin, silicon, bismuth, indium, or an alloy thereof. One or two or more metal materials selected from the group consisting of can be exemplified, and may be formed by compounding with glass, and these are preferable from the viewpoint of heat resistance and support of the flexible substrate layer. Examples of the ceramic include alumina, silica, and silicon wafers. More preferably, it is glass excellent in the suitability to the manufacturing process of the existing flexible device.

또한, 이들 경질 지지체에 대해서는 표면 성상의 조정 및 플렉서블 기판과의 접착력 등의 향상을 목적으로 해서 그 표면에 사이징, 크롬 도금, 니켈 도금, 크롬-니켈 도금, 구리-아연 합금 도금, 산화구리 석출 또는 알루미늄 알코올레이트, 알루미늄 킬레이트, 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 알콕시티탄 등의 티탄 화합물, 알콕시실란 등의 실란 화합물, 트리아진티올류, 벤조트리아졸류, 아세틸렌알코올류, 아세틸아세톤류, 카테콜류, o-벤조퀴논류, 타닌류, 퀴놀리놀류 등의 화학적 표면 처리, 또는 표층 조면화 처리 등의 기계적인 표면 처리를 실시해도 좋다.In addition, for these rigid supports, for the purpose of adjusting the surface properties and improving adhesion with the flexible substrate, sizing, chrome plating, nickel plating, chrome-nickel plating, copper-zinc alloy plating, copper oxide precipitation or Aluminum alcoholate, aluminum chelate, silane coupling agent, titanate-based coupling agent, titanium compounds such as alkoxy titanium, silane compounds such as alkoxysilane, triazinethiols, benzotriazoles, acetylene alcohols, acetylacetones, catechols , o-benzoquinones, tannins, chemical surface treatment such as quinolinols, or mechanical surface treatment such as surface roughening treatment may be performed.

이 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포해서 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성한다. 수지 용액은 공지의 수지를 공지의 용매에 용해시킨 것이다. 수지는, 예를 들면 폴리벤조옥사졸, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체를 들 수 있다. 바람직하게는 플렉서블 기판으로 했을 때에 내열성 및 내약품성에 우수한 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체이다. 용매로서는 N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸술폭사이드(DMSO), 황산 디메틸, 술포란, 부티로락톤, 크레졸, 페놀, 할로겐화 페놀, 시클로헥산온, 디옥산, 테트라히드로푸란, 디글라임계, 트리글라임계, 카보네이트계(디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 에틸메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 외) 등을 들 수 있다.A resin solution is applied on the rigid support to form a flexible substrate on the rigid support. The resin solution is obtained by dissolving a known resin in a known solvent. As for resin, polybenzoxazole, polyamideimide, a polyimide, or a polyimide precursor is mentioned, for example. Preferably, it is a polyimide or polyimide precursor excellent in heat resistance and chemical-resistance when it is set as a flexible substrate. Examples of the solvent include N-methylpyrrolidone (NMP), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAc), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethyl sulfate, sulfolane, butyrolactone, cresol, phenol, halogenated phenol, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, carbonate (dimethyl carbonate, diethyl carbonate, ethylmethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, etc.) and the like.

수지가 폴리이미드 또는 폴리아미드 전구체인 경우, 경질 지지체에 폴리이미드 또는 폴리이미드 전구체를 포함하는 수지 용액을 도포하고, 경질 지지체를 가열 처리함으로써 수지 용액을 경화시켜서 플렉서블 기판으로 한다. 이 때, 경화시키기 전의 수지 용액의 층을 「프리폴리이미드 수지층」이라 한다.When the resin is a polyimide or polyamide precursor, a resin solution containing polyimide or a polyimide precursor is applied to a rigid support, and the rigid support is heat-treated to cure the resin solution to obtain a flexible substrate. At this time, the layer of the resin solution before hardening is called "pre-polyimide resin layer."

상기 플렉서블 기판이 폴리이미드로 형성될 경우, 폴리이미드의 구조는 특별히 제한없이 작용할 수 있지만, 경질 지지체로부터 제거하기 쉬운 점에서 주쇄 골격에 지환 구조를 갖는 폴리이미드(이하, 「지환 함유 폴리이미드」라 함) 또는 불소원자를 갖는 폴리이미드(이하, 「불소 함유 폴리이미드」라 함)가 바람직하다. 지환 함유 폴리이미드의 예로서는, 모노머로서 9,9-비스(4-아미노페놀)플루오렌(DCHM), 시클로헥실아민(CHA) 등의 지환 구조 함유 디아미노 화합물, 또는 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물(CHDA), 1,2,4,5-시클로시클로부탄테트라카르복실산 2무수물(CBDA) 등의 지환 구조 함유 산무수물 중 적어도 1종류 이상을 갖고, 이것을 폴리이미드로 한 것이다. 불소 함유 폴리이미드의 예로서는, 모노머로서 4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB) 등의 불소 함유 디아미노 화합물, 또는 2,2-비스(3,4-안히드로디키르복시페닐)헥사플루오로프로판(6FDA), 9,9-비스(트리플로오로메틸)크산텐테트라카르복실산 2무수물(6FCDA), 9-페닐-9-(트리플루오로메틸)크산텐테트라카르복실산 2무수물(3FCDA) 등의 불소 함유 산무수물 중 적어도 1종류 이상을 갖고, 이것을 폴리이미드 전구체로 한 것이다. 보다 바람직하게는 불소 함유 폴리이미드이고, 더욱 바람직하게는 불소 함유 디아미노 화합물로서 TFMB 및 불소 함유 산무수물로서 6FDA를 갖는 불소 함유 폴리이미드이다.When the flexible substrate is formed of polyimide, the structure of the polyimide can function without particular limitation, but since it is easy to remove from the rigid support, it is a polyimide having an alicyclic structure in the main chain backbone (hereinafter referred to as “alicyclic-containing polyimide”). ) or a polyimide having a fluorine atom (hereinafter referred to as "fluorine-containing polyimide") is preferable. As an example of an alicyclic-containing polyimide, an alicyclic structure-containing diamino compound such as 9,9-bis(4-aminophenol)fluorene (DCHM) and cyclohexylamine (CHA) as a monomer, or 1,2,4,5- It has at least 1 type or more of alicyclic structure containing acid anhydrides, such as cyclohexane tetracarboxylic dianhydride (CHDA) and 1,2,4,5- cyclocyclobutane tetracarboxylic dianhydride (CBDA), It is a polyimide it was done with Examples of the fluorine-containing polyimide include, as a monomer, a fluorine-containing diamino compound such as 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB), or 2,2-bis(3). , 4-anhydrodikyrboxyphenyl) hexafluoropropane (6FDA), 9,9-bis (trifluoromethyl) xanthene tetracarboxylic dianhydride (6FCDA), 9-phenyl-9- (trifluoro It has at least 1 type or more of fluorine-containing acid anhydrides, such as romethyl) xanthene tetracarboxylic dianhydride (3FCDA), and made this into a polyimide precursor. More preferably, it is a fluorine-containing polyimide, More preferably, it is a fluorine-containing polyimide which has TFMB as a fluorine-containing diamino compound and 6FDA as a fluorine-containing acid anhydride.

프리폴리이미드 수지층의 형성은 임의의 도포방법을 사용할 수 있다. 또한, 경질 지지체 상에 복수층의 프리폴리이미드 수지층을 형성해도 좋다. 복수층을 형성할 경우, 바람직하게는 막두께 등의 정밀도가 높기 때문에 이하의 3가지 방법이 바람직하다.Any coating method can be used for formation of the prepolyimide resin layer. Moreover, you may form the prepolyimide resin layer of multiple layers on a hard support body. In the case of forming a plurality of layers, the following three methods are preferable because the precision such as the film thickness is high.

방법 1) 다층 다이에 의해 2종 이상의 프리폴리이미드 수지층을 동시에 형성하다.Method 1) Two or more types of prepolyimide resin layers are simultaneously formed by a multilayer die.

방법 2) 임의의 방법으로 프리폴리이미드 수지층을 형성한 후, 그 미건조의 도포면 상에 나이프 코트 방식이나 다이 방식 등에 의해 또 다른 프리폴리이미드 수지층을 형성한다.Method 2) After forming the prepolyimide resin layer by any method, another prepolyimide resin layer is formed on the undried coated surface by a knife coating method or a die method or the like.

방법 3) 임의의 방법으로 프리폴리이미드 수지층을 형성, 건조한 후, 그 도공면 상에 임의의 방법으로 다른 프리폴리이미드를 수지층에 형성한다.Method 3) After forming and drying a prepolyimide resin layer by an arbitrary method, another prepolyimide is formed in the resin layer by an arbitrary method on the coated surface.

여기에서 서술하는 나이트 코트 방식이란, 바, 스퀴지, 나이프 등에 의해 수지 용액을 고르게 해서 도포하는 방법이다. The night coat method described here is a method of applying the resin solution evenly with a bar, squeegee, knife, or the like.

프리폴리이미드 수지층의 경화방법으로서는 임의의 방법을 사용할 수 있다. 프리폴리이미드 수지층을 형성한 후에 예비 건조한 프리폴리이미드 수지층을 포함하는 경질 지지체를 배치식의 가열 건조로 내에서 고온 상태에서 일정 시간 정치하거나, 연속 가열 처리장치의 로 내에 있어서의 상기 적층체의 이동속도를 제어하여, 건조 및 경화를 위한 시간 및 온도를 확보함으로써 단층 또는 복수층의 폴리이미드 수지층으로 이루어지는 플렉서블 기판을 형성할 수 있다.Arbitrary methods can be used as a hardening method of a prepolyimide resin layer. After forming the prepolyimide resin layer, the hard support including the pre-dried prepolyimide resin layer is left standing for a certain period of time at a high temperature in a batch-type heat-drying furnace, or the laminate in the furnace of a continuous heat treatment apparatus. By controlling the movement speed of the substrate to secure the time and temperature for drying and curing, a flexible substrate made of a single or multiple polyimide resin layers can be formed.

폴리이미드 수지층이 경화될 때 프리폴리이미드 수지층은 가열 처리 가열에 의해서 용매가 제거된다. 특히, 폴리이미드 전구체 수지 용액을 이용한 경우에는 또한 개환 반응에 의해 이미드 결합이 형성된다(이하, 「이미드화」라고 함). 경화 조건은 후술하는 폴리이미드 및 폴리이미드 전구체의 화학 구조, 가열 처리장치의 구조 등에 의해 적절히 조정되지만, 급격하게 고온으로 가열 처리하면 수지층 표면에 스킨층이 생성되어 용매가 증발하기 어려워지거나, 발포하거나 하므로 저온에서 서서히 고온까지 상승시키면서 가열 처리하여 가는 것이 바람직하다.When the polyimide resin layer is cured, the solvent is removed from the prepolyimide resin layer by heat treatment and heating. In particular, when a polyimide precursor resin solution is used, an imide bond is further formed by a ring-opening reaction (hereinafter referred to as "imidization"). Curing conditions are appropriately adjusted depending on the chemical structure of polyimide and polyimide precursor, the structure of the heat treatment device, etc., which will be described later. However, if the heat treatment is rapidly heated to a high temperature, a skin layer is generated on the surface of the resin layer, making it difficult to evaporate the solvent, or foaming. Therefore, it is preferable to heat-process while raising it from low temperature to high temperature gradually.

프리폴리이미드 수지층이 폴리이미드 전구체인 경우, 경화시킬 때의 가열 처리 조건은 제조 공정에 있어서의 플렉서블 기판의 열열화 및 제조 비용을 억제하기 위해서 가열 처리 온도는 낮은 쪽이 바람직하고, 가열 처리 시간은 짧은 쪽이 바람직하다. 단, 가열 처리 온도가 지나치게 낮거나, 또는 가열 처리 시간이 지나치게 짧으면 충분히 경화되지 않을 우려가 있으므로, 바람직하게는 최고 온도가 300℃ 이상이며, 또한 그 최고 온도에 있어서의 유지 시간이 2분 이상인 것이 좋다. 이 온도 범위이면 이미드화가 효율적으로 진행된다. 또한, 경질 지지체의 표면에 분포하는 대기 성분, 수분 등으로부터 유래되는 흡착물을 충분히 제거할 수 있다. 보다 바람직하게는 최고 온도가 320℃ 이상이며, 또한 그 최고 온도에 있어서의 유지 시간이 2분 이상이다. 더욱 바람직하게는 최고 온도가 360℃ 이상이며, 또한 그 최고 온도에 있어서의 유지 시간이 2분 이상이다.When the prepolyimide resin layer is a polyimide precursor, the heat treatment conditions at the time of curing are preferably a lower heat treatment temperature in order to suppress thermal deterioration and manufacturing cost of the flexible substrate in the manufacturing process, and heat treatment time is preferably shorter. However, if the heat treatment temperature is too low or the heat treatment time is too short, there is a fear that the curing may not be sufficiently performed. good night. If it is this temperature range, imidation advances efficiently. In addition, it is possible to sufficiently remove adsorbates derived from atmospheric components, moisture, and the like distributed on the surface of the rigid support. More preferably, the maximum temperature is 320°C or more, and the holding time at the maximum temperature is 2 minutes or more. More preferably, the maximum temperature is 360°C or more, and the holding time at the maximum temperature is 2 minutes or more.

한편, 프리폴리이미드 수지층이 폴리이미드인 경우, 건조에 의해 경화를 행한다. 따라서, 폴리이미드 전구체의 경우보다 가열 처리 온도는 낮아도 좋다. 이 경우의 가열 처리 온도는 최고 온도가 280℃ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 300℃ 이상이다.On the other hand, when a prepolyimide resin layer is a polyimide, it hardens by drying. Therefore, the heat processing temperature may be lower than the case of a polyimide precursor. As for the heat processing temperature in this case, it is preferable that the highest temperature is 280 degreeC or more, More preferably, it is 300 degreeC or more.

또한, 경화는 질소, 아르곤 등의 불활성 가스 중 및 공기 중의 어느 조건에서나 행할 수 있다. 또한, 상압 하, 감압 하, 가압 하 및 진공 하 중 어느 조건이라도 행할 수 있다.In addition, curing can be performed under any condition in air and in an inert gas such as nitrogen or argon. In addition, any conditions of under normal pressure, under reduced pressure, under pressure, and under vacuum can be performed.

또한, 프리폴리이미드 수지층의 형성과 플렉서블 기판의 형성을 연속 가열 처리장치에서 연속적으로 행해도 좋다.Moreover, you may perform formation of a prepolyimide resin layer and formation of a flexible board|substrate continuously with a continuous heat processing apparatus.

또한, 상기 플렉서블 기판 형성 공정에 있어서 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포한다. 이 수지 용액을 도포하기 전의 경질 지지체의 가열 처리를, 「전가열 처리」라고도 한다. 전가열 처리를 행함으로써 기능층 형성 공정에 있어서 경질 지지체로부터 플렉서블 기판이 박리되지 않고, 또한 지제체 제거 공정에 있어서 경질 지지체, 플렉서블 기판 및 기능층에 손상을 주지 않고 플렉서블 기판으로부터 경질 지지체를 제거할 수 있다. 구체적으로는, 전가열 처리를 행하지 않는 경우에 경질 지지체-플렉서블 기판의 박리강도가 지나치게 높아서 경질 지지체를 제거할 때에 경질 지지체, 플렉서블 기판 또는 기능층에 깨짐, 균열 등의 손상이 주어지는 경우가 있지만, 전가열 처리를 행함으로써 기능층 형성 공정에 있어서 박리가 발생하지 않을 정도로 경질 지지체-플렉서블 기판의 박리강도가 억제되어 상기 손상 없이 지지체 제거 공정을 행할 수 있다.In addition, in the flexible substrate forming step, the resin solution is applied after the hard support is heat-treated. The heat treatment of the hard support before application of this resin solution is also referred to as "pre-heat treatment". By performing the pre-heating treatment, the flexible substrate is not peeled from the rigid support in the functional layer forming step, and the rigid support is removed from the flexible substrate without damaging the rigid support, the flexible substrate and the functional layer in the paper material removal step. can Specifically, if the pre-heating treatment is not performed, the peel strength of the rigid support-flexible substrate is too high, and when the rigid support is removed, the rigid support, the flexible substrate or the functional layer may be damaged, such as cracks, cracks, etc. By performing the pre-heating treatment, the peeling strength of the rigid support-flexible substrate is suppressed to such an extent that peeling does not occur in the functional layer forming process, so that the support removal process can be performed without the above damage.

전가열 처리의 조건은 사용하는 경질 지지체 및 수지 용액에 따라서 다르지만, 경질 지지체 상의 불순물을 제거하고, 경질 지지체-플렉서블 기판의 박리강도를 적절한 범위로 유지한다는 관점에서, 상기 가열 처리의 최고 온도는 300℃ 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 전가열 처리의 최고 온도는 360℃ 이상이다. 또한, 가열시의 분위기는 대기중, 불활성 가스 중, 감압 환경하 중의 어느 분위기여도 좋지만, 제조 비용을 억제하는 점, 경질 지지체 표면의 제고 효율이 높은 점에서 대기중이 바람직하다. 또한, 예를 들면 경화 지지체로서 유리를 사용하는 경우, 열변형을 억제하는 관점 및 제조 비용을 억제한다고 하는 관점에서 이 전가열 처리의 최고 온도의 상한은 실질적으로는 500℃이다.The conditions of the pre-heating treatment differ depending on the rigid support and resin solution used, but from the viewpoint of removing impurities on the rigid support and maintaining the peel strength of the rigid support-flexible substrate in an appropriate range, the maximum temperature of the heat treatment is 300 It is preferable that it is more than °C. More preferably, the maximum temperature of the preheating treatment is 360°C or higher. The atmosphere at the time of heating may be any atmosphere in the atmosphere, in an inert gas, or under a reduced pressure environment, but it is preferable to use the atmosphere in the atmosphere from the viewpoint of suppressing the manufacturing cost and high efficiency of increasing the surface of the rigid support. In addition, for example, when using glass as a hardening support body, the upper limit of the maximum temperature of this preheating process is substantially 500 degreeC from a viewpoint of suppressing a thermal deformation and a viewpoint of suppressing manufacturing cost.

또한, 가열 처리를 행한 경질 지지체로의 불순물이나 수분의 부착을 방지하기 위해서, 상기 가열 처리의 종료 후 180분 이내에서 상기 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 120분 이내이다. 한편으로, 가열 처리 후 나머지 시간이 경과하지 않는 중에 수지 용액을 도포하면, 경질 지지체의 열에 의해 플렉서블 기판에 팽창이나 열화가 발생할 가능성이 있다. 그 때문에, 가열 처리 후 경질 지지체의 온도가 40℃ 이하인 상태에서 수지 용액을 도포하는 것이 바람직하다. 여기서, 가열 처리 종료란 가열 처리 후에 경질 지지체의 냉각을 개시한 시점을 말한다. 냉각의 방법은 방냉, 송풍에 의한 강제적인 냉각 등이 예시된다. In addition, in order to prevent adhesion of impurities and moisture to the hard support subjected to the heat treatment, it is preferable to apply the resin solution on the hard support within 180 minutes after the end of the heat treatment. More preferably, it is within 120 minutes. On the other hand, if the resin solution is applied while the remaining time has not passed after the heat treatment, there is a possibility that the flexible substrate may be expanded or deteriorated due to the heat of the rigid support. Therefore, it is preferable to apply the resin solution in a state where the temperature of the hard support is 40° C. or less after heat treatment. Here, the end of the heat treatment refers to the time when the cooling of the rigid support is started after the heat treatment. The cooling method is exemplified by cooling, forced cooling by blowing, and the like.

이어서, 기능층 형성 공정에 대해서 설명한다. 상기 플렉서블 기판 형성 공정에서 얻어진 플렉서블 기판 상에 기능층을 형성한다. 기능층으로서는 공지의 플렉서블 디바이스의 기능을 담보하는 소자를 적용할 수 있지만, 예를 들면 유기 EL·TFT, 광전 변환 소자. 전자 페이퍼 구동 소자, 컬러필터 등이 예시된다. 플렉서블 디바이스로서 유기 EL 디스플레이를 제조하는 경우, 기능층으로서는 화상 구동을 위한 TFT가 예시된다. TFT의 재질로서는 규소 반도체 또는 산화물 반도체가 예시된다. 종래 기술인 플렉서블 기판을 사용하지 않는 경우에는 판유리 등의 경질 지지체 상에 무기계 성분에 의한 배리어층을 형성하고, 그 위에 TFT를 형성한다. 이 형성시에 고온 처리(300℃대∼400℃대)가 필요하게 된다. 따라서, 상기 플렉서블 기판에 있어서도 이 고온 처리에 견딜 수 있는 것이 중요하다. 또한, 예를 들면 플렉서블 디바이스로서 터치 패널을 제조하는 경우, 기능층으로서는 투명 도전막, 메탈 메쉬 등의 전극층이 형성된다. 투명 도전막의 일례로서는 ITO(tin-doped indium oxide), SnO, ZnO, IZO가 예시된다. 이들 전극층의 형성시에 200℃ 이상에서 열처리를 행함으로써 저항값이 작은 도전층을 성형할 수 있다. 따라서, 상기 플렉서블 기판에 있어서도 이 고온 처리에 견딜 수 있는 것이 중요하다. Next, the functional layer formation process is demonstrated. A functional layer is formed on the flexible substrate obtained in the flexible substrate forming process. As a functional layer, although the element which guarantees the function of a well-known flexible device is applicable, For example, organic electroluminescent TFT and a photoelectric conversion element. An electronic paper driving element, a color filter, etc. are exemplified. In the case of manufacturing an organic EL display as a flexible device, TFT for image driving is exemplified as the functional layer. A silicon semiconductor or an oxide semiconductor is illustrated as a material of TFT. When a conventional flexible substrate is not used, a barrier layer made of an inorganic component is formed on a rigid support such as plate glass, and a TFT is formed thereon. At the time of this formation, high-temperature treatment (300° C. to 400° C. range) is required. Therefore, it is important that the flexible substrate also be able to withstand this high-temperature treatment. Moreover, for example, when manufacturing a touch panel as a flexible device, electrode layers, such as a transparent conductive film and a metal mesh, are formed as a functional layer. Examples of the transparent conductive film include tin-doped indium oxide (ITO), SnO, ZnO, and IZO. When these electrode layers are formed, a conductive layer having a small resistance can be formed by performing heat treatment at 200°C or higher. Therefore, it is important that the flexible substrate also be able to withstand this high-temperature treatment.

이어서, 지지체 제거 공정에 대하여 설명한다. 상기 기능층이 형성된 플렉서블 기판으로부터 경질 지지체를 제거한다. 제거할 때에 플렉서블 기판 상에 기능층이 형성된 부분(이하, 「기능층 형성부」라고 한다)의 표면 둘레가장자리부에 임의의 방법으로 절개선을 형성하고, 프레임체를 구획하여도 좋다. 절개선을 형성함으로써 기능층이 형성된 플렉서블 기판의 크기 및 형상을 제어할 수 있다. 예를 들면, 제조효율을 높이기 위해서, 하나의 플렉서블 기판 상에 복수의 기능층을 형성했을 때에, 절개선을 형성함으로써 복수의 플렉서블 기판의 크기 및 형상을 맞출 수 있다. 프레임체의 면적이 작을수록 플렉서블 기판의 면적이 커지고, 하나의 플렉서블 기판 상에 형성할 수 있는 기능층을 증가시킬 수 있다. 따라서, 프레임체의 면적은 플렉서블 기판의 크기 및 형상을 제어할 수 있는 범위에서 작은 쪽이 바람직하다. Next, the support body removal process is demonstrated. The rigid support is removed from the flexible substrate on which the functional layer is formed. When removing, a cut line may be formed in the periphery of the surface of the portion in which the functional layer is formed on the flexible substrate (hereinafter, referred to as "functional layer formation part") by any method to partition the frame body. By forming the cut line, the size and shape of the flexible substrate on which the functional layer is formed can be controlled. For example, in order to increase manufacturing efficiency, when a plurality of functional layers are formed on one flexible substrate, the size and shape of the plurality of flexible substrates may be matched by forming cut lines. As the area of the frame body decreases, the area of the flexible substrate may increase, and a functional layer that may be formed on one flexible substrate may be increased. Therefore, it is preferable that the area of the frame body be smaller within the range in which the size and shape of the flexible substrate can be controlled.

또한, 절개선으로 구획된 내측 영역의 플렉서블 기판을 기능층과 함께 경질 지지체로부터 박리하여 플렉서블 기판 상에 기능층을 구비한 플렉서블 디바이스를 얻는다. 상기 박리의 방법은 얻어지는 플렉서블 디바이스의 품질을 저하시키지 않는 한은 공지의 방법을 사용할 수 있다, 프레임체의 박리도 공지의 방법을 사용할 수 있다. 플렉서블 기판의 박리 및 프레임체의 박리는 어느 쪽을 먼저 행해도 좋다. 절개선을 형성하지 않는 경우에는 플렉서블 기판 전체를 기능층과 함께 박리한다. Further, the flexible substrate in the inner region divided by the cut line is peeled from the rigid support together with the functional layer to obtain a flexible device having the functional layer on the flexible substrate. A well-known method can be used as the method of the said peeling unless the quality of the flexible device obtained is reduced. A well-known method can also be used for peeling of a frame body. Either of peeling of a flexible board|substrate and peeling of a frame body may be performed first. In the case where an incision is not formed, the entire flexible substrate is peeled off together with the functional layer.

이상과 같이, 본 발명의 플렉서블 디바이스의 제조방법은 경질 지지체의 가열 처리라고 하는 간편한 방법에 의해, 경질 지지체-플렉서블 기판의 박리강도를 적절하게 제어할 수 있다. 그 결과, 경질 지지체로부터 플렉서블 디바이스를 분리할 때에 경질 지지체, 플렉서블 기판 및 기능층에 손상을 주지 않고 플렉서블 디바이스를 제조할 수 있다. 따라서, 이 제조방법에 의해 제조된 플렉서블 디바이스는 제조 수율이 높고, 제품 수명이 긴 것이 기대된다. As described above, the method for manufacturing the flexible device of the present invention can appropriately control the peel strength of the rigid support-flexible substrate by a simple method of heat treatment of the rigid support. As a result, when the flexible device is separated from the rigid support, the flexible device can be manufactured without damaging the rigid support, the flexible substrate, and the functional layer. Therefore, it is expected that the flexible device manufactured by this manufacturing method has a high manufacturing yield and a long product life.

이어서, 본 발명의 플렉서블 디바이스 제조장치에 대하여 설명한다. 상기 플렉서블 디바이스 제조장치는, 플렉서블 기판 형성 공정을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 한다. 구체적으로는, 도 1에 나타내는 바와 같은 경질 지지체를 연속적으로 300℃ 이상에서 가열 처리하는 장치를 구비한다. 일례로서, 도 1에 나타내는 플렉서블 디바이스 제조장치(10)에 대하여 이하에 설명한다. 컨베이어(16) 상에 경질 지지체(11)를 놓으면, 컨베이어(16) 상에서 경질 지지체(11)가 화살표 방향으로 이동한다. 경질 지지체(11)는 제 1 연속 가열 처리장치(13) 내에서 최고 온도가 300℃ 이상에서 가열된다(전가열 처리). 가열 후, 경질 지지체(11)의 표면에 수지 용액 공급장치(14)로부터 공급되는 수지 용액이 도포된다. 그 후, 제 2 연속 가열 처리장치(15) 내에서 최고 온도가 300℃ 이상에서 가열되고(후가열 처리), 경질 지지체(11) 상에 플렉서블 기판(12)이 형성된다. Next, the flexible device manufacturing apparatus of this invention is demonstrated. The flexible device manufacturing apparatus is characterized in that the flexible substrate forming process is continuously performed. The apparatus which heat-processes a hard support body as specifically, shown in FIG. 1 at 300 degreeC or more continuously is provided. As an example, the flexible device manufacturing apparatus 10 shown in FIG. 1 is demonstrated below. When the rigid support 11 is placed on the conveyor 16 , the rigid support 11 moves in the direction of the arrow on the conveyor 16 . The rigid support 11 is heated at a maximum temperature of 300° C. or higher in the first continuous heat treatment device 13 (pre-heating treatment). After heating, the resin solution supplied from the resin solution supply device 14 is applied to the surface of the rigid support 11 . Thereafter, the highest temperature in the second continuous heat treatment apparatus 15 is heated to 300° C. or higher (post-heat treatment), and the flexible substrate 12 is formed on the rigid support 11 .

다른 일례로서, 이하의 공정 1∼7로 이루어지는 플렉서블 디바이스 제조장치가 예시된다. As another example, the flexible device manufacturing apparatus which consists of the following processes 1-7 is illustrated.

(공정 1) 스토커(보관장치)로부터 경질 지지체를 인출하고, 오븐에 넣어서 최고 온도가 300℃ 이상에서 가열한다(전가열 처리).(Step 1) The hard support is taken out from the stocker (storage device), put in an oven, and heated at a maximum temperature of 300°C or higher (pre-heating treatment).

(공정 2) 가열 후 오븐에서 경질 지지체를 인출하고, 경질 지지체의 표면에 코터로 수지 용액을 도포한다.(Step 2) After heating, the hard support is taken out from the oven, and a resin solution is applied to the surface of the hard support with a coater.

(공정 3) 수지 용액이 도포된 경질 지지체를 진공건조기, 핫플레이트 또는 오븐에서 건조하고, 경질 지지체 상에 프리폴리이미드 수지층을 형성한다.(Step 3) The hard support coated with the resin solution is dried in a vacuum dryer, hot plate or oven, and a prepolyimide resin layer is formed on the hard support.

(공정 4) 프리폴리이미드 수지층이 형성된 경질 지지체를 연속 가열 처리장치에 투입하고, 최고 온도가 300℃ 이상에서 가열하여 플렉서블 기판을 형성한다(후가열 처리). 연속 가열 처리장치 내는 금속제의 컨베이어 또는 롤에 의해 반송된다. (Step 4) The rigid support on which the prepolyimide resin layer is formed is put into a continuous heat treatment apparatus and heated at a maximum temperature of 300° C. or higher to form a flexible substrate (post-heat treatment). The inside of the continuous heat treatment apparatus is conveyed by a metal conveyor or roll.

(공정 5) 플렉서블 기판이 형성된 경질 지지체를 기능층 형성장치에 카피하여 연속 배치식으로 기능층을 형성한다.(Step 5) The rigid support on which the flexible substrate is formed is copied to a functional layer forming apparatus to form a functional layer in a continuous batch manner.

(공정 6) 기능층을 형성한 플렉서블 기판과 경질 지지체를 박리기에 의해 분리한다.(Step 6) The flexible substrate on which the functional layer is formed and the rigid support are separated by a peeler.

(공정 7) 박리된 경질 지지체를 세정하여 스토커로 이동시킨다.(Step 7) The peeled hard support is washed and moved to a stocker.

이상의 공정 1∼7에 있어서, 경질 지지체 등의 이동은 로봇을 이용하여도 좋고, 수작업으로 행해도 좋다.In the above steps 1 to 7, a robot may be used to move the rigid support or the like, or it may be performed manually.

[실시예][Example]

이하, 실시예 및 비교예에 의거하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 이들의 내용에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples and Comparative Examples. In addition, the present invention is not limited to these contents.

1. 각종 물성 측정 및 성능 시험 방법1. Various physical properties measurement and performance test methods

[박리강도의 측정][Measurement of peel strength]

경질 지지체와 폴리이미드 수지층 사이의 박리강도는 적층체에 대해서 측정에 적절한 선폭(1㎜∼30㎜ 정도)으로 폴리이미드측에서의 절개 또는 기재측에서의 패턴 에칭의 가공을 행하고, 도요 세이키 가부시키가이샤 제품 인장시험기(스트로그래피 M1)를 이용하여 수지층을 180°방향으로 박리하여 필 강도를 측정했다. 또한, 가공 세선과 수지 계면 사이의 접착이 강고하여 박리가 곤란한 것은 「박리불가」로 했다.The peel strength between the hard support and the polyimide resin layer is obtained by cutting the polyimide side or pattern etching at the substrate side with a line width (about 1 mm to 30 mm) suitable for measurement of the laminate, and manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd. The resin layer was peeled off in the 180 degree direction using the tensile tester (strograph M1), and the peeling strength was measured. In addition, the thing in which peeling was difficult because the adhesion|attachment between a processed fine wire and a resin interface was strong was set as "peelability impossible".

2. 폴리아미드산(폴리이미드 전구체) 용액의 합성2. Synthesis of polyamic acid (polyimide precursor) solution

이하의 합성예나 실시예 및 비교예에 있어서 취급되는 폴리아미드산(폴리이미드 전구체) 용액의 합성에 사용한 원료, 방향족 디아미노 화합물, 방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물 및 지환 구조 함유 산무수물, 용제를 이하에 나타낸다. Raw materials used for the synthesis of polyamic acid (polyimide precursor) solutions handled in the following synthesis examples, examples and comparative examples, aromatic diamino compounds, acid anhydride compounds of aromatic tetracarboxylic acids, acid anhydrides containing alicyclic structures, solvents is shown below.

[방향족 디아미노 화합물][aromatic diamino compound]

·4,4'-디아미노-2,2'-비스(트리플루오로메틸)비페닐(TFMB)4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB)

·4,4'-디아미노디페닐에테르(44DAPE)4,4'-diaminodiphenyl ether (44DAPE)

[방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물][Acid anhydride compound of aromatic tetracarboxylic acid]

·무수 피로멜리트산(PMDA)· Pyromellitic anhydride (PMDA)

·2,2-비스(3,4-안히드로디카르복시페닐)헥사플루오로프로판(6FDA)· 2,2-bis (3,4-anhydrodicarboxyphenyl) hexafluoropropane (6FDA)

·2,3,2',3'-비페닐테트라카르복실산 2무수물(BPDA)2,3,2',3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA)

[지환 구조 함유 산무수물][Acid anhydride containing alicyclic structure]

·1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 2무수물(CHDA)1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (CHDA)

[용제][solvent]

·N,N-디메틸아세트아미드(DMAc)·N,N-dimethylacetamide (DMAc)

합성예 1Synthesis Example 1

질소 기류 하에서 TFMB(15.8227g)를 300ml의 분리가능 플라스크 내에서 교반하면서 용제 DMAc 170g 중에 첨가하여 가온하고, 20℃에서 용해시켰다. 이어서, 6FDA(7.5660g)와 PMDA(6.6113g)를 첨가했다. 그 후, 용액을 실온에서 4시간 교반을 계속해서 중합반응을 행하고, 200g의 담황색의 점조한 폴리아미드산 A 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 A 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 A가 얻어진다.Under a stream of nitrogen, TFMB (15.8227 g) was added to 170 g of solvent DMAc with stirring in a 300 ml separable flask, warmed and dissolved at 20°C. 6FDA (7.5660 g) and PMDA (6.6113 g) were then added. Thereafter, the solution was stirred at room temperature for 4 hours to carry out polymerization reaction to obtain 200 g of a pale yellow viscous polyamic acid A varnish. Furthermore, polyimide resin A is obtained by hardening|curing this polyamic-acid A varnish on the heating conditions mentioned later.

합성예 2Synthesis Example 2

방향족 디아미노 화합물로서 TFMB(16.93g), 방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물로서 PMDA(10.12g) 및 6FDA(2.95g)를 사용한 것 외는, 합성예 1과 같은 방법으로 200g의 담황색의 점조한 폴리아미드산 B 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 B 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 B가 얻어진다. In the same manner as in Synthesis Example 1 except that TFMB (16.93 g) as an aromatic diamino compound and PMDA (10.12 g) and 6FDA (2.95 g) as an acid anhydride compound of aromatic tetracarboxylic acid were used, 200 g of light yellow viscous A polyamic acid B varnish was obtained. Furthermore, polyimide resin B is obtained by hardening|curing this polyamic-acid B varnish on the heating conditions mentioned later.

합성예 3Synthesis Example 3

방향족 디아미노 화합물로서 TFMB(12.54g), 방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물로서 6FDA(17.46g)를 사용한 것 외는, 합성예 1과 같은 방법으로 200g의 담황색의 점조한 폴리아미드산 C 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 C 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 C가 얻어진다. 200 g of pale yellow viscous polyamic acid C varnish was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that TFMB (12.54 g) was used as the aromatic diamino compound and 6FDA (17.46 g) was used as the acid anhydride compound of aromatic tetracarboxylic acid. got it Furthermore, polyimide resin C is obtained by hardening|curing this polyamic-acid C varnish on the heating conditions mentioned later.

합성예 4Synthesis Example 4

방향족 디아미노 화합물로서 TFMB(12.31g), 방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물로서 6FCDA(17.69g)를 사용한 것 외는, 합성예 1과 같은 방법으로 200g의 담황색의 점조한 폴리아미드산 D 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 D 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 D가 얻어진다. 200 g of pale yellow viscous polyamic acid D varnish was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that TFMB (12.31 g) was used as the aromatic diamino compound and 6FCDA (17.69 g) was used as the acid anhydride compound of aromatic tetracarboxylic acid. got it Furthermore, polyimide resin D is obtained by hardening|curing this polyamic-acid D varnish on the heating conditions mentioned later.

합성예 5Synthesis Example 5

방향족 디아미노 화합물로서 44DAPE(14.29g), 방향족 테트라카르복실산의 산무수물 화합물로서 BPDA(15.65g)를 사용한 것 외는, 합성예 1과 같은 방법으로 200g의 퇴색의 점조한 폴리아미드산 E 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 E 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 E가 얻어진다.200 g of discolored viscous polyamic acid E varnish was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 44DAPE (14.29 g) was used as the aromatic diamino compound and BPDA (15.65 g) was used as the acid anhydride compound of aromatic tetracarboxylic acid. got it Furthermore, polyimide resin E is obtained by hardening|curing this polyamic-acid E varnish on the heating conditions mentioned later.

합성예 6Synthesis Example 6

방향족 디아미노 화합물로서 TFMB(17.60g), 지환 구조 함유 산무수물로서 CHDA(12.37g)를 사용한 것 외는, 합성예 1과 같은 방법으로 200g의 담황색의 점조한 폴리아미드산 F 바니시를 얻었다. 또한, 이 폴리아미드산 F 바니시를 후술의 가열 조건에서 경화함으로써 폴리이미드 수지 F가 얻어진다. 200 g of a pale yellow viscous polyamic acid F varnish was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that TFMB (17.60 g) as the aromatic diamino compound and CHDA (12.37 g) as the alicyclic structure-containing acid anhydride were used. Furthermore, polyimide resin F is obtained by hardening|curing this polyamic-acid F varnish on the heating conditions mentioned later.

3. 지지 기재 상에의 폴리이미드층의 형성 및 성능평가3. Formation of polyimide layer on support substrate and performance evaluation

이하의 실시예 및 비교예에 있어서 취급되는 경질 지지체를 이하에 나타낸다.The rigid supports handled in the following Examples and Comparative Examples are shown below.

·유리판…코닝사 제품 무알칼리 유리, 상품명 「이글 XG」, 두께 500㎛・Glass plate… Corning's alkali-free glass, trade name "Eagle XG", thickness 500㎛

경질 지지체 상에 도포한 폴리아미드산 바니시는 70℃∼100℃의 핫플레이트 상에서 건조시킨 후 100℃에서 360℃까지 30분 정도로 승온하여 경화시켰다.The polyamic acid varnish applied on the hard support was dried on a hot plate at 70°C to 100°C, and then cured by raising the temperature from 100°C to 360°C for about 30 minutes.

실시예 1Example 1

청정한 유리 시트(15㎝×15㎝)를 오븐에서 대기중 360℃, 60분 가열한 후 대기중에서 냉각하고, 표면을 아세톤으로 닦은 후에 상기 표면 상에 폴리아미드산 A 바니시를 도포했다. 가열 종료 후부터 도포까지의 시간은 60분이었다. 이것을 상기 가열 조건에서 가열하여 두께가 25㎛인 플렉서블 기판을 형성했다. 이어서, 이 플렉서블 기판을 커터로 절개선을 형성하여 폴리이미드 수지층 내에 10㎜×10㎜의 프레임체를 구획했다. 그리고, 절개선으로 둘러싸인 내측 영역의 플렉서블 기판을 박리했다. 박리강도를 표 1에 나타낸다. A clean glass sheet (15 cm×15 cm) was heated in an oven at 360° C. in the air for 60 minutes, cooled in the air, and after wiping the surface with acetone, polyamic acid A varnish was applied on the surface. The time from completion of heating to application was 60 minutes. This was heated under the above heating conditions to form a flexible substrate having a thickness of 25 µm. Next, a cut line was formed on this flexible board|substrate with a cutter, and the frame body of 10 mm x 10 mm was partitioned in the polyimide resin layer. And the flexible board|substrate of the inner area|region surrounded by the incision line was peeled. The peel strength is shown in Table 1.

실시예 2∼7Examples 2-7

하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 폴리아미드산 A 바니시 대신에 폴리아미드산 B 바니시를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 실시예 2로 하고, 실시예 1의 폴리아미드산 A 바니시 대신에 폴리아미드산 C 바니시를 사용하여(실시예 3), 이하와 같이 폴리아미드산 D 바니시를 사용한 경우(실시예 4), 폴리아미드산 E바니시를 사용한 경우(실시예 5), 폴리아미드산 F 바니시를 사용한 경우(실시예 6)에 대해서, 그것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 두께가 25㎛인 플렉서블 기판을 형성하고, 또한 플렉서블 기판을 박리했다. 박리강도를 표 1에 나타냈다.As shown in Table 1 below, Example 2 was carried out in the same manner as in Example 1 except that the polyamic acid B varnish was used instead of the polyamic acid A varnish, and the polyamic acid A varnish was replaced with the polyamic acid A varnish of Example 1 When varnish C was used (Example 3), when polyamic acid D varnish was used as follows (Example 4), when polyamic acid E varnish was used (Example 5), when polyamic acid F varnish was used With respect to (Example 6), a flexible substrate having a thickness of 25 µm was formed in the same manner as in Example 1 except for that, and the flexible substrate was further peeled off. The peel strength is shown in Table 1.

실시예 5Example 5

오븐에서 대기중 300℃, 60분간 가열한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 두께가 25㎛인 플렉서블 기판을 형성하고, 또한 플렉서블 기판을 박리했다. 박리강도를 표 1에 나타냈다. A flexible substrate having a thickness of 25 µm was formed in the same manner as in Example 1 except that the oven was heated at 300°C in the air for 60 minutes, and the flexible substrate was further peeled off. The peel strength is shown in Table 1.

실시예 6Example 6

상기 가열 처리의 종료 후 200분에서, 상기 표면 상의 폴리이미드산 A 바니시를 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법으로 두께가 25㎛인 플렉서블 기판을 형성하고, 또한 플렉서블 기판을 박리했다. 박리강도를 표 1에 나타냈다.200 minutes after the end of the heat treatment, a flexible substrate having a thickness of 25 µm was formed in the same manner as in Example 1 except that the polyimide acid A varnish on the surface was applied, and the flexible substrate was also peeled off. The peel strength is shown in Table 1.

비교예 1Comparative Example 1

유리 시트를 가열하지 않도록 한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 해서 플렉서블 기판을 형성하고, 박리했다. 결과를 표 1에 나타냈다. Except not heating the glass sheet, it carried out similarly to Example 1, the flexible board|substrate was formed and it peeled. The results are shown in Table 1.

실시예
1
Example
One
실시예
2
Example
2
실시예3Example 3 실시예
4
Example
4
실시예
5
Example
5
실시예
6
Example
6
실시예
7
Example
7
실시예
8
Example
8
비교예
1
comparative example
One
폴리이미드 수지polyimide resin AA BB CC DD EE FF AA AA AA 플렉서블 기판
두께(㎛)
flexible substrate
Thickness (㎛)
2525 2525 2525 2525 2525 2525 2525 2525 2525
박리강도
(N/m)
peel strength
(N/m)
4.74.7 4.64.6 4.44.4 3.93.9 22 55 5.35.3 4.74.7 16.416.4

이들 실시예, 비교예의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포해서 플렉서블 기판을 형성함으로써 양호한 박리강도가 얻어지게 된다. 그 때문에, 이와 같이 해서 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성하면 그 후의 기능층 형성 공정에서 소정의 기능층을 정밀도 좋게 형성할 수 있고, 또한, 지지체 제거 공정에서는 플렉서블 기판을 기능층과 함께 경질 지지체로부터 용이하게 제거하는 것이 가능하여, 플렉서블 디바이스를 저비용으로 간편하게 제조할 수 있게 된다. As can be seen from the results of these Examples and Comparative Examples, good peel strength can be obtained by heat-treating the hard support and then applying a resin solution to form a flexible substrate. Therefore, when the flexible substrate is formed on the rigid support in this way, a predetermined functional layer can be formed with high precision in the subsequent functional layer forming step, and in the support removing step, the flexible substrate is removed from the rigid support together with the functional layer. Since it can be easily removed, the flexible device can be easily manufactured at low cost.

10 : 플렉서블 기판 제조장치 11 : 경질 지지체
12 : 풀렉시블 기판 13 : 제 1 연속 가열 처리장치
14 : 수지 용액 공급장치 15 : 제 2 연속 가열 처리장치
16 : 컨베이어
10: flexible substrate manufacturing apparatus 11: rigid support
12: flexible substrate 13: first continuous heat processing device
14: resin solution supply device 15: second continuous heat treatment device
16: conveyor

Claims (7)

경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하여 경질 지지체 상에 플렉서블 기판을 형성하는 플렉서블 기판 형성 공정, 상기 플렉서블 기판 상에 기능층을 형성하는 기능층 형성 공정, 및 상기 기능층이 형성된 플렉서블 기판을 기능층과 함께 경질 지지체로부터 제거하는 지지체 제거 공정의 각 공정을 포함하는 플렉서블 디바이스의 제조방법으로서,
상기 플렉서블 기판 형성 공정에 있어서 박리층의 부여 없이 경질 지지체를 가열 처리한 후에 수지 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법.
A flexible substrate forming process of forming a flexible substrate on a rigid support by applying a resin solution on a rigid support, a functional layer forming process of forming a functional layer on the flexible substrate, and a functional layer of the flexible substrate on which the functional layer is formed; A method of manufacturing a flexible device comprising each step of a support removal step of removing from a rigid support together,
In the flexible substrate forming process, a method of manufacturing a flexible device, characterized in that the resin solution is applied after the hard support is heat-treated without providing a release layer.
제 1 항에 있어서,
상기 가열 처리의 최고 온도가 300℃ 이상인 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법.
The method of claim 1,
A method of manufacturing a flexible device, wherein the maximum temperature of the heat treatment is 300° C. or higher.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가열 처리의 종료 후 180분 이내에, 상기 경질 지지체 상에 수지 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 디바이스의 제조방법.
3. The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a flexible device, characterized in that the resin solution is applied on the rigid support within 180 minutes after the end of the heat treatment.
삭제delete 삭제delete 경질 지지체의 표면에 수지 용액을 연속적으로 공급하는 수지 용액 공급 장치와, 이 경질 지지체의 표면에 도포된 수지 용액을 연속적으로 가열하는 가열 처리 장치를 구비하고, 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 플렉서블 디바이스의 제조방법에 있어서의 플렉서블 기판 형성 공정을 실시하는 장치이며,
상기 수지 용액 공급 장치의 전에, 상기 경질 지지체를 연속적으로 300℃ 이상으로 가열 처리하는 가열 처리 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판 형성 공정용의 장치.
A resin solution supply device for continuously supplying a resin solution to the surface of a hard support, and a heat treatment device for continuously heating the resin solution applied to the surface of the hard support, the flexible according to claim 1 or 2 An apparatus for performing a flexible substrate forming process in a device manufacturing method,
and a heat treatment device for continuously heat-treating the rigid support at 300°C or higher before the resin solution supply device.
삭제delete
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