KR102361783B1 - Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof - Google Patents

Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof Download PDF

Info

Publication number
KR102361783B1
KR102361783B1 KR1020180081033A KR20180081033A KR102361783B1 KR 102361783 B1 KR102361783 B1 KR 102361783B1 KR 1020180081033 A KR1020180081033 A KR 1020180081033A KR 20180081033 A KR20180081033 A KR 20180081033A KR 102361783 B1 KR102361783 B1 KR 102361783B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive layer
metal foil
pattern
transparent electrode
electrode substrate
Prior art date
Application number
KR1020180081033A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20200007201A (en
Inventor
이건석
손용구
이기석
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020180081033A priority Critical patent/KR102361783B1/en
Publication of KR20200007201A publication Critical patent/KR20200007201A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102361783B1 publication Critical patent/KR102361783B1/en

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/12Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • B32B7/14Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties applied in spaced arrangements, e.g. in stripes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/06Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the heating method
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B37/1207Heat-activated adhesive
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B2037/1253Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives curable adhesive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/26Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer which influences the bonding during the lamination process, e.g. release layers or pressure equalising layers
    • B32B2037/268Release layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/418Refractive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/538Roughness
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment

Abstract

본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극 기판은, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비되고, 홈부 패턴을 포함하는 접착층; 및 상기 접착층의 홈부 패턴 내부에 구비된 금속박 패턴을 포함하고, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것을 특징으로 한다.A transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes a transparent substrate; an adhesive layer provided on the transparent substrate and including a groove pattern; and a metal foil pattern provided inside the groove pattern of the adhesive layer, wherein the step between the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is not provided with the groove pattern of the adhesive layer. It is characterized in that the upper surface of the is 1㎛ to 50㎛ higher.

Description

매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법{EMBEDDED TRANSPARENT ELECTRODE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF}EMBEDDED TRANSPARENT ELECTRODE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

본 출원은 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present application relates to a buried type transparent electrode substrate and a method for manufacturing the same.

최근 우리나라는 첨단 ICT 기술과 LED 기술의 융합을 통해 화려한 간판뿐만 아니라 공원 및 도심지 내에 다양한 경관 조명을 연출하여 도시민에게 정보 및 볼거리를 제공하고 있다. 특히, ITO 투명 전극 소재를 사용한 투명 LED 디스플레이는 Glass와 Glass 사이에 LED를 적용하거나 LED가 적용된 투명 필름을 Glass의 일면에 부착한 것으로써, 전선이 보이지 않아 고급스러운 연출이 가능한 장점이 있다. 이로 인해 호텔, 백화점 등의 실내 인테리어에 활용되고 있으며, 건물 외벽의 미디어 파사드 구현에 있어 그 중요성이 커지고 있다.Recently, through the convergence of cutting-edge ICT technology and LED technology, Korea is providing information and attractions to city residents by producing not only colorful signboards but also various landscape lighting in parks and downtown areas. In particular, the transparent LED display using the ITO transparent electrode material has the advantage of applying an LED between the glass and the glass or attaching a transparent film to which the LED is applied to one side of the glass, so that the wire is not visible, so it can be produced in a luxurious way. For this reason, it is being used for interior decoration of hotels and department stores, and its importance is growing in the realization of the media façade of the exterior wall of the building.

투명하면서도 전기가 흘러 터치스크린 등에 사용되는 투명 전극은 스마트기기가 보급되면서 그 수요가 폭발적으로 늘어났으며, 그 중 가장 많이 사용하는 투명 전극은 인듐과 주석의 산화물인 ITO(Indium Tin Oxide) 이다. 그러나, ITO 투명 전극 소재의 주원료인 인듐은 전 세계적으로 매장량이 많지 않고, 중국 등 일부 국가에서만 생산되고 있으며 생산비용이 고가이다. 또한, 저항값이 일정하게 적용되지 않아 표출되는 LED 불빛이 일정하지 않다는 단점을 갖고 있다. 이로 인해 ITO를 활용한 투명 LED는 고성능 저비용의 투명 전극 소재로 활용하기에는 한계가 있다.The demand for transparent electrodes used for touch screens, etc., which are transparent yet flow electricity, has exploded with the spread of smart devices. Among them, the most used transparent electrode is Indium Tin Oxide (ITO), an oxide of indium and tin. However, indium, the main raw material of ITO transparent electrode material, is produced only in some countries, such as China, with few reserves worldwide, and the production cost is high. In addition, there is a disadvantage that the displayed LED light is not constant because the resistance value is not uniformly applied. For this reason, there is a limit to using ITO-based transparent LED as a high-performance, low-cost transparent electrode material.

투명 전극 소재로서 ITO가 가장 많은 비중을 차지하며 사용되어 온 것은 사실이나, 경제성, 제한적 성능 등 한계로 인하여 새로운 소재를 활용한 연구와 기술개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 차세대 신소재로 주목받고 있는 투명 전극 소재로는 메탈메쉬(Metal Mesh), 나노 와이어(Ag Nanowire), 탄소나노튜브(CNT), 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등이 있다. 그 중 메탈메쉬는 ITO를 대체한 물질의 85%를 차지하는 신소재로서 저비용 고전도도를 갖고 있어 그 활용도 측면에서 시장이 확대되고 있다.It is true that ITO has been used as a transparent electrode material with the largest proportion, but research and technology development using new materials is continuously being made due to limitations such as economic feasibility and limited performance. Transparent electrode materials that are attracting attention as next-generation new materials include metal mesh, nanowire, carbon nanotube (CNT), conductive polymer, and graphene. Among them, metal mesh is a new material that accounts for 85% of the materials that have replaced ITO, and has low cost and high conductivity, so the market is expanding in terms of its utilization.

메탈메쉬를 활용한 투명 LED 디스플레이는 기존 ITO 투명 디스플레이보다 유지보수가 용이하고, 자원절약, 환경오염방지를 대폭 줄일 수 있을 뿐만 아니라 제조원가 절감으로 경제적이다. 또한, 다양한 용도로 확대 적용이 가능하여 새로운 투명전극 소재로서 다양한 제품에 적용 및 활용에 가능성을 갖고 있다.The transparent LED display using the metal mesh is easier to maintain than the existing ITO transparent display, and it is economical by reducing the manufacturing cost as well as saving resources and reducing environmental pollution significantly. In addition, it can be applied to a variety of uses, and as a new transparent electrode material, it has the potential to be applied and utilized in various products.

대한민국 특허공개공보 제10-2015-0033169호Korean Patent Publication No. 10-2015-0033169

본 출원은 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.An object of the present application is to provide a buried transparent electrode substrate and a method for manufacturing the same.

본 출원의 일 실시상태는,An exemplary embodiment of the present application is,

투명 기재;transparent substrate;

상기 투명 기재 상에 구비되고, 홈부 패턴을 포함하는 접착층; 및an adhesive layer provided on the transparent substrate and including a groove pattern; and

상기 접착층의 홈부 패턴 내부에 구비된 금속박 패턴을 포함하고,It includes a metal foil pattern provided inside the groove pattern of the adhesive layer,

상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것인 매립형 투명 전극 기판을 제공한다.The step difference between the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is 1 µm to 50 µm higher than the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided. A substrate is provided.

또한, 본 출원의 다른 실시상태는,In addition, another embodiment of the present application is,

투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;forming a structure including a transparent substrate, an adhesive layer provided on the transparent substrate, and a metal foil provided on the adhesive layer;

상기 금속박 상에 드라이 필름 레지스트(dry film resist, DFR)를 합지하는 단계;laminating a dry film resist (DFR) on the metal foil;

상기 금속박 및 드라이 필름 레지스트를 패터닝하여, 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계;patterning the metal foil and the dry film resist to form a metal foil pattern and a dry film resist pattern;

70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하여, 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 상기 접착층 내부로 매립시키는 단계; 및performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C. to embed the metal foil pattern and the dry film resist pattern into the adhesive layer; and

상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계removing the dry film resist pattern and completely curing the adhesive layer

를 포함하는 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 제공한다.It provides a method of manufacturing a buried transparent electrode substrate comprising a.

본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 금속박을 이용하여 금속박 패턴을 형성하므로 투명 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행한 후, 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거함으로써, 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 매립형 투명 전극 기판을 제조할 수 있다.According to an exemplary embodiment of the present application, since the metal foil pattern is formed using an inexpensive metal foil, the cost of raw materials can be reduced when manufacturing the transparent electrode substrate. In particular, according to an exemplary embodiment of the present application, after forming a metal foil pattern and a dry film resist pattern on an adhesive layer, performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C., and then removing the dry film resist pattern, A buried transparent electrode substrate in which the metal foil pattern is embedded into the adhesive layer may be manufactured.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, it is possible to prevent an increase in haze of the transparent electrode substrate according to the roughness of the surface of the metal foil by heat-treating it at a temperature of 70°C to 100°C after forming the metal foil pattern on the adhesive layer. .

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 구성을 갖는다. 이에 따라, 전극 기판 상에 LED를 실장하기 위한 솔더(solder) 리플로우(reflow) 공정시 솔더가 인접한 금속 전극으로 번지는 것을 방지할 수 있고, 쇼트(short) 불량을 방지할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, the step between the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is 1, the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided. μm to 50 μm higher configuration. Accordingly, it is possible to prevent the solder from spreading to the adjacent metal electrode during a solder reflow process for mounting the LED on the electrode substrate, and short-circuit defects can be prevented.

또한, 상기 솔더가 인접 금속 전극으로 번져 연결되면 쇼트불량이 일어날 뿐만 아니라, 추가로 솔더가 번져 금속 패드를 벗어나고 인접한 금속 전극으로 번지지 않은 경우에도 금속 패드를 벗어난 솔더는 솔더볼 형태가 되어 기재에 피착되지 않고 유실되어 다른 금속 전극에 쇼트를 유발시킬 수 있다. 따라서, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 솔더 리플로우가 금속 패드와 같이 한정된 특정 영역에서만 진행되도록 할 수 있다.In addition, when the solder spreads and connects to the adjacent metal electrode, short circuit failure occurs, and even when the solder further spreads out of the metal pad and does not spread to the adjacent metal electrode, the solder leaving the metal pad becomes a solder ball shape and is not deposited on the substrate. Otherwise, it may be lost and cause a short circuit in other metal electrodes. Therefore, according to an exemplary embodiment of the present application, solder reflow may be performed only in a limited specific area such as a metal pad.

도 1은 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 2는 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 3은 종래의 투명 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
도 4 내지 도 8은 각각 본 출원의 실시예 1에 따른 매립형 투명 전극 기판을 나타낸 도이다.
도 9 내지 도 11은 각각 본 출원의 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 전극 기판의 솔더 리플로우 형상을 나타낸 도이다.
도 12 및 도 13은 각각 본 출원의 비교예 1 및 2에 따른 전극 기판을 개략적으로 나타낸 도이다.
1 is a diagram schematically illustrating a buried type transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application.
2 is a diagram schematically illustrating a method of manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application.
3 is a view schematically showing a conventional transparent electrode substrate.
4 to 8 are views showing a buried transparent electrode substrate according to Example 1 of the present application, respectively.
9 to 11 are diagrams illustrating solder reflow shapes of electrode substrates according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 of the present application, respectively.
12 and 13 are diagrams schematically illustrating electrode substrates according to Comparative Examples 1 and 2 of the present application, respectively.

이하 본 출원에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present application will be described in detail.

본 출원에 있어서, "투명"은 가시광선 영역(400 내지 700nm)에서 약 80% 이상의 투과율 특성을 갖는 것을 의미하기로 한다.In the present application, "transparent" means having a transmittance characteristic of about 80% or more in the visible ray region (400 to 700 nm).

투명 기재 상부에 금속 배선이 구비되어 있는 투명 LED 디스플레이에 적용되는 투명 전극 기판의 경우에는, 70% 이상의 투과율과 0.5 ohm/sq 이하의 면저항 특성이 확보되어야 한다. 상기 투과율 및 면저항 특성을 확보하기 위해서는 비저항층이 낮은 구리 증착층이 1㎛ 이상의 두께를 가져야 한다. 투명 기재 상부에 스퍼터링, 이베퍼레이션, 도금 공정 등을 활용하여 1㎛ 이상의 구리 증착층을 형성할 수 있으나, 이러한 경우에는 고가의 증착비용이 발생하며 구리 증착층의 부착력 저하 및 증착 공정 중 하부 투명 기재의 손상이 발생할 수 있다.In the case of a transparent electrode substrate applied to a transparent LED display having a metal wire on the transparent substrate, transmittance of 70% or more and sheet resistance of 0.5 ohm/sq or less must be secured. In order to secure the transmittance and sheet resistance characteristics, the copper deposition layer having a low resistivity layer should have a thickness of 1 μm or more. A copper deposition layer of 1 μm or larger can be formed on the upper part of the transparent substrate by using sputtering, evaporation, plating, etc., but in this case, expensive deposition costs occur, adhesion of the copper deposition layer is reduced, and the lower part is transparent during the deposition process. Damage to the substrate may occur.

또한, 저가의 동박과 투명 기재를 접착제를 활용하여 합지하는 경우에는, 제조비용을 크게 낮출 수 있고 부착력이 개선될 수 있으나, 동박의 표면조도가 접착제 표면에 전사되어 개구부의 헤이즈(haze)가 증가되는 문제가 발생한다.In addition, when a low-cost copper foil and a transparent substrate are laminated using an adhesive, the manufacturing cost can be greatly reduced and adhesion can be improved, but the surface roughness of the copper foil is transferred to the adhesive surface, thereby increasing the haze of the opening. problem arises.

또한, 우수한 표면 평탄도를 갖는 매립형 전극을 제조하기 위해서, 전극 패턴이 구비되어 있는 투명 기재 상에 추가로 수지층을 도포한 후 전극 상부에 존재하는 잔류 수지층을 제거하거나, 이형기재 상에 전극 패턴을 형성한 후 그 상부에 수지층을 도포 및 경화하여 전극을 수지층으로 전사하는 방법을 이용할 수 있으나, 이러한 경우에는 공정이 복잡하고 제조비용이 상승하는 문제점을 가지고 있다.In addition, in order to manufacture a buried electrode having excellent surface flatness, a resin layer is additionally applied on a transparent substrate provided with an electrode pattern, and then the residual resin layer present on the electrode is removed, or the electrode is placed on a release substrate. A method of transferring an electrode to a resin layer by coating and curing a resin layer on top of the pattern after forming the pattern can be used, but in this case, the process is complicated and manufacturing cost is increased.

또한, 투명 전극 기판 상에 LED를 실장하기 위한 SMT(surface-mount technology) 솔더(Solder) 스크린 인쇄가 치우쳐 인쇄되면 리플로우(reflow) 과정에서 인접한 금속 전극으로 솔더(Solder)가 번져 쇼트(Short) 불량이 발생할 수 있다. 상기와 같은 종래의 투명 전극 기판을 하기 도 3에 개략적으로 나타내었다. 솔더 페이스트(Solder Paste) 스크린 프린팅 공차가 적어도 평균적으로 100㎛ 이상의 수준이다. 상기 불량을 방지하기 위하여, 인접 금속 전극의 이격 거리를 일정 수준 이상으로 하는 경우에는, 설계시 패드(Pad) 부와 배선부의 면적 및 위치가 제한될 수 있다.In addition, if the SMT (surface-mount technology) solder screen printing for mounting the LED on the transparent electrode substrate is biased and printed, the solder is spread to the adjacent metal electrode during the reflow process, resulting in a short defects may occur. The conventional transparent electrode substrate as described above is schematically shown in FIG. 3 . Solder paste screen printing tolerance is at least 100㎛ or more on average. In order to prevent the above defects, when the separation distance between the adjacent metal electrodes is greater than or equal to a certain level, the area and position of the pad portion and the wiring portion may be limited during design.

이에 본 출원에서는, 가격 경쟁력을 확보하기 위하여, 금속층으로써 초저가의 금속박을 이용하고, 투명 전극 기판의 헤이즈를 개선할 수 있으며, 전술한 솔더 리플로우시 쇼트 불량을 방지할 수 있는 매립형 투명 전극 기판 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Accordingly, in the present application, in order to secure price competitiveness, an ultra-low-priced metal foil is used as a metal layer, the haze of the transparent electrode substrate can be improved, and a buried type transparent electrode substrate capable of preventing short circuit defects during solder reflow, and An object of the present invention is to provide a manufacturing method thereof.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판은, 투명 기재; 상기 투명 기재 상에 구비되고, 홈부 패턴을 포함하는 접착층; 및 상기 접착층의 홈부 패턴 내부에 구비된 금속박 패턴을 포함하고, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것을 특징으로 한다.An embedded transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes a transparent substrate; an adhesive layer provided on the transparent substrate and including a groove pattern; and a metal foil pattern provided inside the groove pattern of the adhesive layer, wherein the step between the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is not provided with the groove pattern of the adhesive layer. It is characterized in that the upper surface of the is 1㎛ to 50㎛ higher.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기재는 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기재 또는 투명 플라스틱 기재가 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 전자 소자에 통상적으로 사용되는 투명 기재이면 제한되지 않는다. 구체적으로, 상기 투명 기재로는 유리; 우레탄 수지; 폴리이미드 수지; 폴리에스테르수지; (메타)아크릴레이트계 고분자 수지; 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지 등으로 이루어진 것이 될 수 있다. 또한, 상기 투명기재는 PET(Polyethylene terephthalate), COP(cyclic olefin polymer), PEN(polyethylene naphthalate), PES(polyethersulfone), PC(polycarbonate), 아세틸 셀룰로이드와 같은 가시광 투과율 80% 이상의 필름일 수 있다. 상기 투명기재의 두께는 25㎛ 내지 250㎛일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.In an exemplary embodiment of the present application, the transparent substrate may be a glass substrate or a transparent plastic substrate excellent in transparency, surface smoothness, handling and waterproofing properties, but is not limited thereto, and if it is a transparent substrate commonly used in electronic devices not limited Specifically, as the transparent substrate, glass; urethane resin; polyimide resin; polyester resin; (meth)acrylate-based polymer resin; It may be made of a polyolefin-based resin such as polyethylene or polypropylene. In addition, the transparent substrate may be a film having a visible light transmittance of 80% or more, such as polyethylene terephthalate (PET), cyclic olefin polymer (COP), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polycarbonate (PC), or acetyl celluloid. The thickness of the transparent substrate may be 25 μm to 250 μm, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 금속박 패턴은 당 기술분야에 알려진 재료를 이용할 수 있고, 보다 구체적으로 동박(Cu Foil) 패턴 또는 알루미늄박(Al Foil) 패턴을 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 금속박 패턴의 두께는 2㎛ 내지 20㎛ 일 수 있다. 상기 금속박 패턴의 두께는 마이크로미터나 두께 게이지로 측정이 가능하다.In the exemplary embodiment of the present application, the metal foil pattern may use a material known in the art, and more specifically, may include a copper foil (Cu Foil) pattern or an aluminum foil (Al Foil) pattern, but limited thereto it is not going to be The metal foil pattern may have a thickness of 2 μm to 20 μm. The thickness of the metal foil pattern can be measured with a micrometer or a thickness gauge.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 접착층은 굴절율이 1.45 내지 1.55 일 수 있고, 70℃ 이상의 온도에서 유동성을 가질 수 있다. 또한, 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the adhesive layer may have a refractive index of 1.45 to 1.55, and may have fluidity at a temperature of 70° C. or higher. In addition, the adhesive layer may include a thermosetting adhesive composition or a UV curing adhesive composition.

보다 구체적으로, 상기 접착층은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 개시제 및 실란 커플링제를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.More specifically, the adhesive layer may include a silane-modified epoxy resin, a bisphenol A-type phenoxy resin, an initiator, and a silane coupling agent, but is not limited thereto.

상기 접착층은 전술한 접착제 조성물을 이용하고, 콤마 코팅, 슬롯다이 코팅 등의 방법으로 5㎛ 내지 30㎛의 두께범위로 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The adhesive layer may be formed in a thickness range of 5 μm to 30 μm by using the above-described adhesive composition, comma coating, slot die coating, or the like, but is not limited thereto.

본 출원에 있어서, 상기 굴절율은 프리즘 커플러(Prism Coupler; 장비 예시 - Metricon 사의 2010/M), 일립소미터(ellipsometer; 장비 예시 - Horriba Scientific 사의 UVISEL), 아베 굴절계(Abbe Refractometer; 장비 예시 - Kruss 사의 AR4) 등으로 측정 가능하다. 예를 들어, 프리즘 커플러를 이용하여, 코팅층에서 반사된 광량의 변화를 측정하여 굴절율을 계산할 수 있다. 보다 구체적으로, 유리 또는 기타 굴절율을 알고 있는 기재 위에 굴절율을 측정하고자 하는 물질을 수 ㎛의 두께로 스핀코팅 등의 방법으로 코팅한 뒤, 그 코팅된 샘플을 프리즘에 접촉시킨다. 이후 프리즘에 레이저를 입사하면 대부분 전반사하지만, 특정 입사각과 조건을 만족하면 경계면에서 감쇄파(evanescent field)가 발생하여 빛이 커플링된다. 커플링이 일어나서 검출기에서 검출되는 빛의 세기가 급감하는 각도를 측정하면, 빛의 편광모드 관련한 파라미터 및 프리즘과 기재의 굴절율로부터 코팅층의 굴절율을 프리즘 커플러가 자동으로 산출해줄 수 있다.In the present application, the refractive index is a prism coupler (Prism Coupler; equipment example - Metricon's 2010/M), ellipsometer (  equipment example - Horriba Scientific's UVISEL), Abbe Refractometer (equipment example - Kruss Corporation) AR4) can be measured. For example, a refractive index may be calculated by measuring a change in the amount of light reflected from the coating layer using a prism coupler. More specifically, a material for which a refractive index is to be measured is coated on glass or other substrate with a known refractive index by a method such as spin coating to a thickness of several μm, and then the coated sample is brought into contact with a prism. After that, when the laser is incident on the prism, most of it is totally reflected, but when a specific incident angle and conditions are satisfied, an evanescent field is generated at the interface and the light is coupled. When coupling occurs and the angle at which the intensity of light detected by the detector sharply decreases is measured, the prism coupler can automatically calculate the refractive index of the coating layer from the parameters related to the polarization mode of the light and the refractive index of the prism and the substrate.

상기 금속박 패턴은 십점 평균 거칠기(Rz)가 상대적으로 높은 매트(matt) 면을 적어도 한 면 포함하는 금속박으로부터 제조될 수 있다. 이 때, 상기 금속박의 매트 면이 상기 투명 기재와 대향하게 된다.The metal foil pattern may be manufactured from a metal foil including at least one surface of a matt surface having a relatively high ten-point average roughness (Rz). At this time, the mat surface of the metal foil faces the transparent substrate.

상기 금속박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종 이상의 금속박 패턴을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속박 패턴은 서로 선폭이 상이한 2종의 금속박 패턴을 포함하고, 1종의 금속박 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고, 다른 1종의 금속박 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있다. 상기 선폭이 3㎛ 내지 30㎛인 금속박 패턴은 전극 패턴의 역할을 수행할 수 있고, 상기 선폭이 50㎛ 이상인 금속박 패턴은 외부 단자를 연결하기 위한 전극 패드부 패턴의 역할을 수행할 수 있다. 즉, 상기 금속박 패턴은 전극 패턴 및 전극 패드부 패턴을 포함할 수 있다.The metal foil pattern may include two or more types of metal foil patterns having different line widths. In addition, the metal foil pattern may include two types of metal foil patterns having different line widths, one type of metal foil pattern may have a line width of 3 μm to 30 μm, and the line width of the other type of metal foil pattern may be 50 μm or more. The metal foil pattern having a line width of 3 μm to 30 μm may serve as an electrode pattern, and the metal foil pattern having a line width of 50 μm or more may serve as an electrode pad pattern for connecting external terminals. That is, the metal foil pattern may include an electrode pattern and an electrode pad part pattern.

상기 전극 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 일 수 있고, 3㎛ 내지 20㎛ 일 수 있으며, 3㎛ 내지 10㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 전극 패드부 패턴의 선폭은 50㎛ 이상일 수 있고, 50㎛ 내지 1,000㎛ 일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The line width of the electrode pattern may be 3 μm to 30 μm, 3 μm to 20 μm, and 3 μm to 10 μm, but is not limited thereto. In addition, the line width of the electrode pad part pattern may be 50 μm or more, and may be 50 μm to 1,000 μm, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 하부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하일 수 있다. 또한, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 하부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과 3㎛ 미만일 수 있다. 또한, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0 내지 0.1㎛ 일 수 있다. 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 하부면의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.5㎛ 이하인 경우에는 낮은 요철에 의하여 금속박 특유의 높은 반사율을 갖게 된다. 따라서, 이로부터 제조되는 투명 전극 기판의 반사율을 낮추기 어려우므로, 높은 반사율에 의하여 패턴이 눈에 쉽게 인지되는 단점이 있다. 또한, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 하부면의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.5㎛ 이하인 경우에는 금속박과 접착층간의 부착력이 저하되어 금속박 패턴을 형성하는 과정(포토공정) 중에 금속박 패턴이 접착층에서 탈리되는 문제가 발생할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the ten-point average roughness (Rz) of the lower surface of the metal foil pattern facing the transparent substrate is greater than 0.5 μm, and the ten-point average of the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided The roughness Rz may be 0.1 μm or less. In addition, the ten-point average roughness (Rz) of the lower surface of the metal foil pattern facing the transparent substrate may be greater than 0.5 μm and less than 3 μm. In addition, the ten-point average roughness Rz of the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided may be 0 to 0.1 μm. When the ten-point average roughness (Rz) of the lower surface of the metal foil pattern facing the transparent substrate is 0.5 μm or less, the metal foil has a characteristic high reflectance due to low concavities and convexities. Therefore, since it is difficult to lower the reflectance of the transparent electrode substrate manufactured therefrom, there is a disadvantage that the pattern is easily recognized by the eye due to the high reflectance. In addition, when the ten-point average roughness (Rz) of the lower surface of the metal foil pattern facing the transparent substrate is 0.5 μm or less, the adhesion between the metal foil and the adhesive layer is lowered and the metal foil pattern is formed during the process of forming the metal foil pattern (photo process) as the adhesive layer A problem of detachment may occur.

즉, 투명 기재 상에 접착층을 구비시킨 후 저가의 금속박을 합지하는 경우에는, 금속박의 표면 조도가 접착층 표면에 전사되어 최종 제품의 헤이즈가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.That is, when an inexpensive metal foil is laminated after providing an adhesive layer on a transparent substrate, the surface roughness of the metal foil is transferred to the surface of the adhesive layer, thereby increasing haze of the final product may occur. Accordingly, according to an exemplary embodiment of the present application, it is possible to prevent an increase in haze of the transparent electrode substrate according to the roughness of the surface of the metal foil by forming a metal foil pattern on the adhesive layer and then heat-treating it at a temperature of 70°C to 100°C.

본 출원에 있어서, 상기 십점 평균 거칠기(Rz) 값은 단면곡선에서 가장 높은 봉우리 5개의 평균 높이와 가장 깊은 골짜기 5개의 평균 깊이의 차이를 의미할 수 있다. 상기 Rz는 Mitutoyo SJ301 측정장비로 측정할 수 있다.In the present application, the ten-point average roughness (Rz) value may mean a difference between an average height of five highest peaks and an average depth of five deepest valleys in a cross-sectional curve. The Rz may be measured with a Mitutoyo SJ301 measuring device.

본 출원의 일 실시상태에 있어서, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 전극 기판 상에 LED를 실장하기 위한 솔더(solder) 리플로우(reflow) 공정시 솔더가 인접한 금속 전극으로 번지는 것을 방지할 수 있고, 쇼트(short) 불량을 방지할 수 있다.In the exemplary embodiment of the present application, the step difference between the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is 1 μm to the upper surface of the region in which the groove pattern of the adhesive layer is not provided. It is characterized in that it is 50 μm higher. Accordingly, it is possible to prevent the solder from spreading to the adjacent metal electrode during a solder reflow process for mounting the LED on the electrode substrate, and short-circuit defects can be prevented.

상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는 당 기술분야에 알려진 방법을 이용하여 측정할 수 있다. 예컨대, SEM 단면을 관찰하고 측정하는 방법, 비접촉 표면형상 측정기(Optical Profiler)로 측정하는 방법, 촉침식 표면 단차 측정기(알파스텝 또는 Surfacer Profiler)로 측정하는 방법 등을 이용할 수 있다.The step difference between the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern may be measured using a method known in the art. For example, a method of observing and measuring the SEM cross section, a method of measuring with a non-contact surface profiler (Optical Profiler), a method of measuring with a stylus type surface step measuring device (Alpha Step or Surfacer Profiler), etc. may be used.

또한, 상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 5% 이하일 수 있다.In addition, a haze of a region in which the metal foil pattern of the buried transparent electrode substrate is not provided may be 5% or less.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판을 하기 도 1에 개략적으로 나타내었다.A buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application is schematically shown in FIG. 1 below.

하기 도 1과 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판은, 투명 기재(10); 상기 투명 기재(10) 상에 구비되고, 홈부 패턴을 포함하는 접착층(20); 및 상기 접착층(20)의 홈부 패턴 내부에 구비된 금속박 패턴(30)을 포함하고, 상기 접착층(20)의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면(40)과 상기 금속박 패턴의 상부면(50) 간의 단차(90)는, 상기 접착층(20)의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면(40)이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것을 특징으로 한다.1, the buried type transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes a transparent substrate 10; an adhesive layer 20 provided on the transparent substrate 10 and including a groove pattern; and a metal foil pattern 30 provided inside the groove pattern of the adhesive layer 20, wherein the upper surface 40 of the region where the groove pattern of the adhesive layer 20 is not provided and the upper surface 50 of the metal foil pattern ) is characterized in that the upper surface 40 of the region where the groove pattern of the adhesive layer 20 is not provided is 1 μm to 50 μm higher.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계; 상기 금속박 상에 드라이 필름 레지스트(dry film resist, DFR)를 합지하는 단계; 상기 금속박 및 드라이 필름 레지스트를 패터닝하여, 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하여, 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 상기 접착층 내부로 매립시키는 단계; 및 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계를 포함한다.In addition, the method for manufacturing a buried type transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes forming a structure including a transparent substrate, an adhesive layer provided on the transparent substrate, and a metal foil provided on the adhesive layer ; laminating a dry film resist (DFR) on the metal foil; patterning the metal foil and the dry film resist to form a metal foil pattern and a dry film resist pattern; performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C. to embed the metal foil pattern and the dry film resist pattern into the adhesive layer; and removing the dry film resist pattern and completely curing the adhesive layer.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박을 포함하는 구조체를 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing an embedded transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes forming a structure including a transparent substrate, an adhesive layer provided on the transparent substrate, and a metal foil provided on the adhesive layer.

상기 구조체를 형성하는 단계는, 금속박 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 투명 기재를 형성하는 단계; 또는 투명 기재 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 금속박을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.Forming the structure may include: forming an adhesive layer on a metal foil, and forming a transparent substrate on the adhesive layer; Alternatively, the method may include forming an adhesive layer on a transparent substrate and forming a metal foil on the adhesive layer.

상기 접착층은 전술한 접착제 조성물을 이용하고, 콤마 코팅, 슬롯다이 코팅 등의 방법으로 5 내지 30㎛의 두께범위로 형성할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.The adhesive layer may be formed in a thickness range of 5 to 30 μm by using the above-described adhesive composition, comma coating, slot die coating, or the like, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 금속박 상에 드라이 필름 레지스트를 합지하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes laminating a dry film resist on the metal foil.

상기 드라이 필름 레지스트는 당 기술분야에 알려진 재료를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 드라이 필름 레지스트는 메타크릴레이트와 그 유도체, 아크릴레이트와 그 유도체, 메타크릴일옥시에틸산 포스페이트 및 프탈산 유도체의 메타크릴레이트로 구성된 군에서 선택된 일관능성 단량체; 디메타크릴레이트와 그 유도체, 디아크릴레이트와 그 유도체, 트리 메타크릴레이트와 그 유도체, 테트라 메타크릴레이트와 그 유도체, 트리 아크릴레이트와 그 유도체 및 테트라 아크릴레이트와 그 유도체로 구성된 군에서 선택된 다관능성 단량체; 및 이들의 혼합물 중 선택된 광중합 단량체로 제조된 것일 수 있다. 일반적으로, 드라이 필름 레지스트의 감광층 조성은 광에 의해 광중합을 하는 광중합 단량체(다관능성 단량체), 광중합이 일어나도록 광에 의해 라디칼이나 라디칼을 유도하는 광중합 개시제, 광중합 조성물의 기계적 강도와 텐딩성 및 접착성을 부여하는 바인더 폴리머, 그리고 염료와 안정제 접착촉진제 열중합 방지제 등의 첨가제를 포함할 수 있다.The dry film resist may include materials known in the art. More specifically, the dry film resist may include a monofunctional monomer selected from the group consisting of methacrylate and its derivatives, acrylate and its derivatives, and methacrylate of methacryyloxyethyl acid phosphate and phthalic acid derivatives; Dimethacrylate and its derivatives, diacrylate and its derivatives, trimethacrylate and its derivatives, tetramethacrylate and its derivatives, triacrylate and its derivatives, and tetraacrylate and its derivatives functional monomers; and a photopolymerizable monomer selected from mixtures thereof. In general, the composition of the photosensitive layer of the dry film resist includes a photopolymerization monomer (polyfunctional monomer) that photopolymerizes by light, a photopolymerization initiator that induces radicals or radicals by light to cause photopolymerization, mechanical strength and tendability of the photopolymerization composition, and It may contain additives such as a binder polymer that imparts adhesiveness, and a dye, a stabilizer, an adhesion promoter, and a thermal polymerization inhibitor.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 금속박 및 드라이 필름 레지스트를 패터닝하여, 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.The method of manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes forming a metal foil pattern and a dry film resist pattern by patterning the metal foil and the dry film resist.

상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있고, 예컨대 포토리소그래피 공정을 이용할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 방법은, 금속박 상에 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성한 후 상기 금속박을 식각하는 단계를 포함할 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.A method of forming the metal foil pattern and the dry film resist pattern may use a method known in the art, for example, a photolithography process may be used. More specifically, the method of forming the metal foil pattern and the dry film resist pattern may include etching the metal foil after forming the dry film resist pattern on the metal foil, but is not limited thereto.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하여, 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 상기 접착층 내부로 매립시키는 단계를 포함한다.The method for manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C., and embedding the metal foil pattern and the dry film resist pattern into the adhesive layer. do.

상기 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하는 단계에 의하여, 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴이 매립될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하는 단계는 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴의 상부를 핫 플레이트(Hot Plate) 또는 핫 롤(Hot Roll)로 압력을 가함으로써, 상기 금속박 패턴 및 필름 레지스트 패턴을 접착층 내부로 매립시킬 수 있다.By performing the thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C., the metal foil pattern and the dry film resist pattern may be embedded into the adhesive layer. More specifically, the step of performing the thermal bonding process at a temperature of 70 ° C. to 100 ° C. by applying pressure to the upper portions of the metal foil pattern and the dry film resist pattern with a hot plate or a hot roll. , the metal foil pattern and the film resist pattern may be embedded in the adhesive layer.

또한, 상기 열 합착 공정 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고, 상기 열 합착 공정 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하일 수 있다. 또한, 상기 열 합착 공정 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과 3㎛ 미만일 수 있다. 또한, 상기 열 합착 공정 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0 내지 0.1㎛ 일 수 있다. 상기 열 합착 공정 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.5㎛ 이하인 경우에는 낮은 요철에 의하여 금속박 특유의 높은 반사율을 갖게 된다. 따라서, 이로부터 제조되는 투명 전극 기판의 반사율을 낮추기 어려우므로, 높은 반사율에 의하여 패턴이 눈에 쉽게 인지되는 단점이 있다. 또한, 상기 열 합착 공정 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)가 0.5㎛ 이하인 경우에는 금속박과 접착층간의 부착력이 저하되어 금속박 패턴을 형성하는 과정(포토공정) 중에 금속박 패턴이 접착층에서 탈리되는 문제가 발생할 수 있다.In addition, the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer before the thermal bonding process may be greater than 0.5 µm, and the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer after the thermal bonding process may be 0.1 µm or less. In addition, the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer before the thermal bonding process may be greater than 0.5 μm and less than 3 μm. In addition, the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer after the thermal bonding process may be 0 to 0.1 μm. When the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer before the thermal bonding process is 0.5 μm or less, it has a high reflectance characteristic of the metal foil due to low unevenness. Therefore, since it is difficult to lower the reflectance of the transparent electrode substrate manufactured therefrom, there is a disadvantage that the pattern is easily recognized by the eye due to the high reflectance. In addition, when the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer before the thermal bonding process is 0.5 μm or less, the adhesion between the metal foil and the adhesive layer is lowered, and the metal foil pattern is detached from the adhesive layer during the process of forming the metal foil pattern (photo process) problems may arise.

즉, 투명 기재 상에 접착층을 구비시킨 후 저가의 금속박을 합지하는 경우에는, 금속박의 표면 조도가 접착층 표면에 전사되어 최종 제품의 헤이즈가 증가되는 문제가 발생할 수 있다. 이에 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.That is, when an inexpensive metal foil is laminated after providing an adhesive layer on a transparent substrate, the surface roughness of the metal foil is transferred to the surface of the adhesive layer, thereby increasing haze of the final product may occur. Accordingly, according to an exemplary embodiment of the present application, after forming a metal foil pattern on the adhesive layer, a thermal bonding process is performed at a temperature of 70° C. to 100° C., thereby preventing an increase in haze of the transparent electrode substrate according to the roughness of the surface of the metal foil. can do.

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계를 포함한다. 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계는, 접착층을 120℃ 이상의 온도로 열경화시키거나 UV 경화시키는 단계를 포함할 수 있다.The method of manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application includes removing the dry film resist pattern and completely curing the adhesive layer. The adhesive layer may include a thermosetting adhesive composition or a UV curable adhesive composition, and the step of completely curing the adhesive layer may include thermosetting or UV curing the adhesive layer at a temperature of 120° C. or higher.

상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거하는 방법은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있으며, 보다 구체적으로 알칼리 박리액을 이용하여 스프레이 공정 또는 침지 공정으로 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거할 수 있다.As a method of removing the dry film resist pattern, a method known in the art may be used, and more specifically, the dry film resist pattern may be removed by a spray process or an immersion process using an alkali stripper.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법을 하기 도 2에 개략적으로 나타내었다.In addition, a method of manufacturing a buried transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application is schematically shown in FIG. 2 below.

하기 도 2와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판의 제조방법은, 투명 기재(10), 상기 투명 기재(10) 상에 구비된 접착층(20) 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil) (60)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계; 상기 금속박(60) 상에 드라이 필름 레지스트(dry film resist, DFR) (70)를 합지하는 단계; 상기 금속박(60) 및 드라이 필름 레지스트(70)를 패터닝하여, 금속박 패턴(30) 및 드라이 필름 레지스트 패턴(80)을 형성하는 단계; 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하여, 상기 금속박 패턴(30) 및 드라이 필름 레지스트 패턴(80)을 상기 접착층(20) 내부로 매립시키는 단계; 및 상기 드라이 필름 레지스트 패턴(80)을 제거하고, 상기 접착층(20)을 완전 경화시키는 단계를 포함한다.As shown in FIG. 2 below, in the method of manufacturing an embedded transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application, the transparent substrate 10, the adhesive layer 20 provided on the transparent substrate 10, and the adhesive layer provided on the Forming a structure comprising a metal foil (metal foil) (60); Laminating a dry film resist (dry film resist, DFR) (70) on the metal foil (60); patterning the metal foil 60 and the dry film resist 70 to form a metal foil pattern 30 and a dry film resist pattern 80; embedding the metal foil pattern 30 and the dry film resist pattern 80 into the adhesive layer 20 by performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C.; and removing the dry film resist pattern 80 and completely curing the adhesive layer 20 .

본 출원의 일 실시상태에 따른 매립형 투명 전극 기판은 전자 소자의 투명 전극으로 적용될 수 있다.The buried transparent electrode substrate according to the exemplary embodiment of the present application may be applied as a transparent electrode of an electronic device.

상기 전자 소자는 발열 필름, 투명 LED 디스플레이, 터치 패널, 태양 전지 또는 트랜지스터일 수 있다. 상기 발열 필름, 투명 LED 디스플레이, 터치 패널, 태양 전지 또는 트랜지스터는 당업계에 일반적으로 알려져 있는 것일 수 있으며, 전극을 본 출원의 일 실시상태에 따른 투명 전극 기판으로 사용한 것일 수 있다.The electronic device may be a heating film, a transparent LED display, a touch panel, a solar cell, or a transistor. The heating film, transparent LED display, touch panel, solar cell, or transistor may be those generally known in the art, and the electrode may be used as a transparent electrode substrate according to an exemplary embodiment of the present application.

이하, 실시예를 통하여 본 명세서에 기재된 실시상태를 예시한다. 그러나, 이하의 실시예에 의하여 상기 실시상태들의 범위가 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.Hereinafter, the embodiments described in the present specification are illustrated by way of Examples. However, it is not intended that the scope of the above embodiments be limited by the following examples.

<< 실시예Example >>

<< 실시예Example 1> 1>

250㎛ 두께의 PET 필름 상에 콤마 코터를 이용하여 UV 경화형 접착제를 도포한 후 100℃에서 5분간 열풍 건조하여 굴절율이 1.45 내지 1.55이고 30㎛ 두께의 접착층을 형성하였다. 이 때, 상기 UV 경화형 접착제는, 실란변성 에폭시 수지 KSR-277HMC70(Kukdo Chemical) 33 중량%, 실란변성 에폭시 수지 KSR-177(Kukdo Chemical) 35 중량%, 비스페놀 A형 페녹시 수지 YP-50E(Kukdo Chemical) 30 중량%, 양이온 개시제 Igacure290(BASF) 1 중량%, 및 실란 커플링제 KBM-403(Shinetsu) 1 중량%를 포함하였다.A UV curable adhesive was applied on a PET film with a thickness of 250 μm using a comma coater and then dried with hot air at 100° C. for 5 minutes to form an adhesive layer having a refractive index of 1.45 to 1.55 and a thickness of 30 μm. At this time, the UV curable adhesive is, silane-modified epoxy resin KSR-277HMC70 (Kukdo Chemical) 33% by weight, silane-modified epoxy resin KSR-177 (Kukdo Chemical) 35% by weight, bisphenol A phenoxy resin YP-50E (Kukdo Chemical) Chemical) 30% by weight, cationic initiator Igacure290 (BASF) 1% by weight, and silane coupling agent KBM-403 (Shinetsu) 1% by weight.

상기 투명 접착층이 구비된 PET 필름과 8㎛ 두께의 동박을 100℃, 1.3mpm(meter per minute) 조건으로 핫롤(Hot Roll) 합지하였다. 이 때, 상기 투명 접착층과 동박의 matt 면이 접하도록 하였고, 동박의 matt 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 1.63㎛ 내지 2.54㎛이었으며, 동박의 shiny 면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이었다.The PET film provided with the transparent adhesive layer and the copper foil having a thickness of 8 μm were hot roll-laminated at 100° C. and 1.3 mpm (meter per minute). At this time, the transparent adhesive layer and the matt surface of the copper foil were brought into contact, the ten-point average roughness (Rz) of the matt surface of the copper foil was 1.63 µm to 2.54 µm, and the ten-point average roughness (Rz) of the shiny surface of the copper foil was 0.1 µm. .

상기 동박 합지 필름의 동박 면에 DFR(Dry Film Resist)를 합지한 후 노광 및 현상 공정을 통해 20㎛ 선폭의 Hexagonal 형태의 DFR 패턴을 형성하였다.After laminating DFR (Dry Film Resist) on the copper foil side of the copper foil laminated film, a Hexagonal DFR pattern having a line width of 20 μm was formed through exposure and development processes.

염화제2철계 구리 식각액을 이용하여 노출된 동박을 제거하여 Hexagonal 형태의 동박 패턴을 형성하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 86.7% 였다. 상기 DFR 패턴과 동박 패턴이 형성된 필름을 하기 도 4에 나타내었다.A hexagonal copper foil pattern was formed by removing the exposed copper foil using a ferric chloride-based copper etchant. At this time, the haze of the region where the copper foil pattern was not provided was 86.7%. The film on which the DFR pattern and the copper foil pattern were formed is shown in FIG. 4 below.

상기 동박 패턴 필름을 100℃에서 5분간 열처리하면서 상기 동박 패턴 및 DFR 패턴의 상부를 핫 플레이트(Hot Plate)로 압력을 가함으로써 동박 패턴 및 DFR 패턴을 접착층 내부로 매립한 후, 알칼리 박리액을 이용하여 스프레이 공정으로 DFR 패턴을 박리하였다. 상기 동박 패턴 및 DFR 패턴을 접착층 내부로 매립시킨 필름을 하기 도 5에 나타내었고, DFR 패턴을 박리시킨 후의 필름을 하기 도 6에 나타내었다.After the copper foil pattern and the DFR pattern are embedded in the adhesive layer by applying pressure to the upper portion of the copper foil pattern and the DFR pattern with a hot plate while the copper foil pattern film is heat treated at 100° C. for 5 minutes, an alkali stripper is used Thus, the DFR pattern was peeled off by a spray process. The film in which the copper foil pattern and the DFR pattern were embedded into the adhesive layer was shown in FIG. 5, and the film after the DFR pattern was peeled off is shown in FIG. 6 below.

그 후, 동박 패턴이 구비되어 있는 면의 반대면에서 2 J/cm2의 노광량으로 UV를 조사하여 접착층을 완전 경화하였다. 이 때, 동박 패턴이 구비되어 있지 않은 영역의 헤이즈는 3.44% 였다. 또한, 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는 15㎛ 였다.Thereafter, the adhesive layer was completely cured by irradiating UV with an exposure amount of 2 J/cm 2 from the opposite side of the surface on which the copper foil pattern was provided. At this time, the haze of the region where the copper foil pattern was not provided was 3.44%. In addition, the step difference between the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern was 15 μm.

상기 동박 패턴 및 DFR 패턴을 접착층 내부로 매립하기 전의 접착층의 표면형상을 하기 도 7에 나타내었고, 상기 동박 패턴 및 DFR 패턴을 접착층 내부로 매립한 후의 접착층의 표면형상을 하기 도 8에 나타내었다. 하기 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 동박의 표면에 의해 반영된 접착층의 높은 조도는 열 합착 공정 이후에 평탄화된 것을 확인할 수 있다.The surface shape of the adhesive layer before embedding the copper foil pattern and the DFR pattern into the adhesive layer is shown in FIG. 7, and the surface shape of the adhesive layer after embedding the copper foil pattern and the DFR pattern into the adhesive layer is shown in FIG. 7 and 8, it can be seen that the high roughness of the adhesive layer reflected by the surface of the copper foil is planarized after the thermal bonding process.

<< 비교예comparative example 1> 1>

실시예 1에서 접착층을 형성하지 않고, PET 필름 상에 동박 패턴을 형성하였으며, 열 합착 공정을 수행하지 않았다. 상기 비교예 1의 전극 기판의 구조는 하기 도 12에 나타내었다.In Example 1, a copper foil pattern was formed on a PET film without forming an adhesive layer, and a thermal bonding process was not performed. The structure of the electrode substrate of Comparative Example 1 is shown in FIG. 12 below.

<< 비교예comparative example 2> 2>

실시예 1에서 동박 패턴을 형성한 후 DFR 패턴을 박리하였다. 이후 열 합착 공정을 수행하여 동박 패턴만을 접착층 내부로 매립시켰다. 상기 비교예 2의 전극 기판의 구조는 하기 도 13에 나타내었다.After forming the copper foil pattern in Example 1, the DFR pattern was peeled off. Thereafter, a thermal bonding process was performed to embed only the copper foil pattern into the adhesive layer. The structure of the electrode substrate of Comparative Example 2 is shown in FIG. 13 below.

이 때, 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 동박 패턴의 상부면 간의 단차는 0 이었다.At this time, the step difference between the upper surface of the region where the groove portion pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the copper foil pattern was zero.

<< 실험예Experimental example >>

상기 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 전극 기판에 대하여 솔더 리플로우 평가를 진행하였고, 그 결과를 하기 도 9 내지 도 11에 나타내었다. 보다 구체적으로, 상기 실시예 1에 따른 전극 기판의 솔더 리플로우 형상을 하기 도 9에 나타내었고, 상기 비교예 1에 따른 전극 기판의 솔더 리플로우 형상을 하기 도 10에 나타내었으며, 상기 비교예 2에 따른 전극 기판의 솔더 리플로우 형상을 하기 도 11에 나타내었다.Solder reflow evaluation was performed on the electrode substrates according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, and the results are shown in FIGS. 9 to 11 below. More specifically, the solder reflow shape of the electrode substrate according to Example 1 is shown in FIG. 9, the solder reflow shape of the electrode substrate according to Comparative Example 1 is shown in FIG. 10, and the comparative example 2 The solder reflow shape of the electrode substrate according to FIG. 11 is shown below.

하기 도 9 내지 도 11의 결과와 같이, 실시예 1의 경우에는 단차부가 솔더 번짐을 방지할 수 있었으나, 비교예 1 및 2의 경우에는 솔더 번짐에 의한 쇼트 불량이 발생하였다.As shown in the results of FIGS. 9 to 11 below, in the case of Example 1, the step portion could prevent solder smearing, but in Comparative Examples 1 and 2, a short circuit defect due to the solder smear occurred.

상기 결과와 같이, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 저가의 금속박을 이용하여 금속박 패턴을 형성하므로 투명 전극 기판의 제조시 원재료비가 절감될 수 있는 특징이 있다. 특히, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행한 후, 상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거함으로써, 상기 접착층 내부로 상기 금속박 패턴이 매립되는 매립형 투명 전극 기판을 제조할 수 있다.As described above, according to an exemplary embodiment of the present application, since a metal foil pattern is formed using an inexpensive metal foil, there is a feature that the raw material cost can be reduced when manufacturing the transparent electrode substrate. In particular, according to an exemplary embodiment of the present application, after forming a metal foil pattern and a dry film resist pattern on an adhesive layer, performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C., and then removing the dry film resist pattern, An embedded transparent electrode substrate in which the metal foil pattern is embedded into the adhesive layer may be manufactured.

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 접착층 상에 금속박 패턴을 형성한 후 70℃ 내지 100℃의 온도로 열처리함으로써, 금속박 표면의 조도에 따른 투명 전극 기판의 헤이즈가 증가하는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, it is possible to prevent an increase in haze of the transparent electrode substrate according to the roughness of the surface of the metal foil by heat-treating it at a temperature of 70°C to 100°C after forming the metal foil pattern on the adhesive layer. .

또한, 본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 구성을 갖는다. 이에 따라, 전극 기판 상에 LED를 실장하기 위한 솔더(solder) 리플로우(reflow) 공정시 솔더가 인접한 금속 전극으로 번지는 것을 방지할 수 있고, 쇼트(short) 불량을 방지할 수 있다.In addition, according to an exemplary embodiment of the present application, the step difference between the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is 1, the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided. μm to 50 μm higher configuration. Accordingly, it is possible to prevent the solder from spreading to the adjacent metal electrode during a solder reflow process for mounting the LED on the electrode substrate, and short-circuit defects can be prevented.

10: 투명 기재
20: 접착층
30: 금속박 패턴
40: 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면
50: 금속박 패턴의 상부면
60: 금속박
70: 드라이 필름 레지스트
80: 드라이 필름 레지스트 패턴
90: 단차
10: transparent substrate
20: adhesive layer
30: metal foil pattern
40: the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided
50: upper surface of the metal foil pattern
60: metal foil
70: dry film resist
80: dry film resist pattern
90: step

Claims (14)

투명 기재;
상기 투명 기재 상에 구비되고, 홈부 패턴을 포함하는 접착층; 및
상기 접착층의 홈부 패턴 내부에 구비된 금속박 패턴을 포함하고,
상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면과 상기 금속박 패턴의 상부면 간의 단차는, 상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면이 1㎛ 내지 50㎛ 더 높은 것인 매립형 투명 전극 기판이고,
상기 매립형 투명 전극 기판의 금속박 패턴이 구비되지 않은 영역의 헤이즈가 5% 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판.
transparent substrate;
an adhesive layer provided on the transparent substrate and including a groove pattern; and
It includes a metal foil pattern provided inside the groove pattern of the adhesive layer,
The step difference between the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided and the upper surface of the metal foil pattern is 1 μm to 50 μm higher than the top surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided. is the substrate,
The buried type transparent electrode substrate of which the haze of the region not provided with the metal foil pattern of the buried type transparent electrode substrate is 5% or less.
청구항 1에 있어서, 상기 접착층의 굴절율은 1.45 내지 1.55인 것인 매립형 투명 전극 기판.The buried transparent electrode substrate of claim 1, wherein the adhesive layer has a refractive index of 1.45 to 1.55. 청구항 1에 있어서, 상기 투명 기재와 대향하는 상기 금속박 패턴의 하부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고,
상기 접착층의 홈부 패턴이 구비되지 않은 영역의 상부면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판.
The method according to claim 1, wherein the ten-point average roughness (Rz) of the lower surface of the metal foil pattern facing the transparent substrate is greater than 0.5㎛,
The 10-point average roughness (Rz) of the upper surface of the region where the groove pattern of the adhesive layer is not provided is 0.1 μm or less.
삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 실란변성 에폭시 수지, 비스페놀 A형 페녹시 수지, 개시제 및 실란 커플링제를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판.The embedded transparent electrode substrate of claim 1, wherein the adhesive layer includes a silane-modified epoxy resin, a bisphenol A-type phenoxy resin, an initiator, and a silane coupling agent. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박 패턴의 두께는 2㎛ 내지 20㎛인 것인 매립형 투명 전극 기판.The buried type transparent electrode substrate of claim 1, wherein the metal foil pattern has a thickness of 2 µm to 20 µm. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박 패턴은 동박 패턴 또는 알루미늄박 패턴을 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판.The buried transparent electrode substrate of claim 1, wherein the metal foil pattern includes a copper foil pattern or an aluminum foil pattern. 청구항 1에 있어서, 상기 금속박 패턴은 선폭이 서로 상이한 2종의 금속박 패턴을 포함하고,
1종의 금속박 패턴의 선폭은 3㎛ 내지 30㎛ 이고,
다른 1종의 금속박 패턴의 선폭은 50㎛ 이상인 것인 매립형 투명 전극 기판.
The method according to claim 1, wherein the metal foil pattern comprises two types of metal foil patterns having different line widths,
The line width of one type of metal foil pattern is 3 μm to 30 μm,
The line width of the other metal foil pattern is 50 µm or more.
투명 기재, 상기 투명 기재 상에 구비된 접착층 및 상기 접착층 상에 구비된 금속박(metal foil)을 포함하는 구조체를 형성하는 단계;
상기 금속박 상에 드라이 필름 레지스트(dry film resist, DFR)를 합지하는 단계;
상기 금속박 및 드라이 필름 레지스트를 패터닝하여, 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
70℃ 내지 100℃의 온도로 열 합착 공정을 수행하여, 상기 금속박 패턴 및 드라이 필름 레지스트 패턴을 상기 접착층 내부로 매립시키는 단계; 및
상기 드라이 필름 레지스트 패턴을 제거하고, 상기 접착층을 완전 경화시키는 단계
를 포함하는 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
forming a structure including a transparent substrate, an adhesive layer provided on the transparent substrate, and a metal foil provided on the adhesive layer;
laminating a dry film resist (DFR) on the metal foil;
patterning the metal foil and the dry film resist to form a metal foil pattern and a dry film resist pattern;
performing a thermal bonding process at a temperature of 70° C. to 100° C. to embed the metal foil pattern and the dry film resist pattern into the adhesive layer; and
removing the dry film resist pattern and completely curing the adhesive layer
A method of manufacturing a buried transparent electrode substrate comprising a.
청구항 9에 있어서, 상기 구조체를 형성하는 단계는,
금속박 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 투명 기재를 형성하는 단계; 또는
투명 기재 상에 접착층을 형성하고, 상기 접착층 상에 금속박을 형성하는 단계를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
The method according to claim 9, wherein the step of forming the structure,
forming an adhesive layer on the metal foil, and forming a transparent substrate on the adhesive layer; or
Forming an adhesive layer on a transparent substrate, and forming a metal foil on the adhesive layer, the method of manufacturing an embedded transparent electrode substrate comprising the steps of.
청구항 9에 있어서, 상기 접착층은 70℃ 이상의 온도에서 유동성을 갖는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.The method of claim 9 , wherein the adhesive layer has fluidity at a temperature of 70° C. or higher. 청구항 9에 있어서, 상기 열 합착 공정 이전의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.5㎛ 초과이고,
상기 열 합착 공정 이후의 상기 접착층의 표면의 십점 평균 거칠기(Rz)는 0.1㎛ 이하인 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
The method according to claim 9, wherein the ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer before the thermal bonding process is greater than 0.5㎛,
The ten-point average roughness (Rz) of the surface of the adhesive layer after the thermal bonding process is 0.1 μm or less.
청구항 9에 있어서, 상기 접착층은 열경화형 접착제 조성물 또는 UV 경화형 접착제 조성물을 포함하고,
상기 접착층을 완전 경화시키는 단계는, 접착층을 120℃ 이상의 온도로 열경화시키거나 UV 경화시키는 단계를 포함하는 것인 매립형 투명 전극 기판의 제조방법.
The method according to claim 9, wherein the adhesive layer comprises a thermosetting adhesive composition or a UV curing adhesive composition,
The step of completely curing the adhesive layer, the method of manufacturing a buried transparent electrode substrate comprising the step of thermosetting or UV curing the adhesive layer at a temperature of 120 ℃ or more.
청구항 9에 있어서, 상기 금속박 패턴의 형성은 포토리소그래피 공정을 이용하는 것인 투명 전극 기판의 제조방법.The method of claim 9 , wherein the metal foil pattern is formed using a photolithography process.
KR1020180081033A 2018-07-12 2018-07-12 Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof KR102361783B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180081033A KR102361783B1 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180081033A KR102361783B1 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200007201A KR20200007201A (en) 2020-01-22
KR102361783B1 true KR102361783B1 (en) 2022-02-10

Family

ID=69368171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180081033A KR102361783B1 (en) 2018-07-12 2018-07-12 Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102361783B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113088212B (en) * 2021-04-07 2022-05-20 浙江海轩科技有限公司 High-viscosity self-adhesive protective film and preparation method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177503A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Nihon Ceratec Co Ltd Metal bushing and ceramic product including the same
JP2017045855A (en) * 2015-08-26 2017-03-02 大日本印刷株式会社 Flexible transparent substrate and see-through led display device using the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101499279B1 (en) * 2011-10-07 2015-03-09 주식회사 엘지화학 Substrate for organic electronic device
JP6202289B2 (en) * 2013-03-07 2017-09-27 エルジー・ケム・リミテッド Transparent substrate containing fine metal wires and method for producing the same
KR20150033169A (en) 2013-09-23 2015-04-01 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and liquid crystal display device using the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177503A (en) * 2009-01-30 2010-08-12 Nihon Ceratec Co Ltd Metal bushing and ceramic product including the same
JP2017045855A (en) * 2015-08-26 2017-03-02 大日本印刷株式会社 Flexible transparent substrate and see-through led display device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200007201A (en) 2020-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI543036B (en) Double-layer touch screen and method for making the same
EP3651216B1 (en) Embedded electrode substrate for transparent light-emitting element display, and method for manufacturing same
KR102129674B1 (en) Electrode substrate for transparent light emitting device display and method for manufacturing thereof
JP5805799B2 (en) Touch sensor and touch sensor module
KR102129675B1 (en) Electrode substrate for transparent light emitting device display and method for manufacturing thereof
TWM498348U (en) Touch device
KR102361783B1 (en) Embedded transparent electrode substrate and method for manufacturing thereof
CN111666003A (en) Ultrathin flexible touch display screen
US11716818B2 (en) Embedded-type transparent electrode substrate and method for manufacturing same
TWI707258B (en) Touch-sensing cover and manufacturing method thereof
CN111665974A (en) Flexible touch display screen
KR20150068617A (en) Layered film for touch panel sensor
CN210142513U (en) Ultrathin composite transparent conductive film
CN109155167B (en) Light-transmitting conductive film and method for manufacturing light-transmitting conductive film having patterned conductive layer
KR20200118581A (en) Transparent substrate, embedded electrode substrate and method for manufacturing thereof
CN115426867A (en) Substrate-free shielding film and manufacturing method thereof
CN111667940A (en) Ultrathin composite transparent conductive film and preparation method thereof
KR20150031993A (en) Touch panel sensor and manufacturing method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant