KR101499279B1 - Substrate for organic electronic device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기전자소자용 기판, 그 제조 방법 및 유기전자장치에 관한 것이다. 본 발명의 예시적인 기판은, 예를 들어, 그 기판의 상부에 유기발광소자를 형성하는 경우, 상기 소자가 대면적으로 구성되는 경우에도 전극의 표면 저항을 효율적으로 조절하여, 우수한 발광 휘도 및 발광 균일도가 확보되도록 할 수 있다.The present invention relates to a substrate for an organic electronic device, a manufacturing method thereof, and an organic electronic device. The exemplary substrate of the present invention can effectively adjust the surface resistance of the electrode, for example, when the organic light emitting element is formed on the substrate, even when the element is configured as a large area, Uniformity can be ensured.

Description

유기전자소자용 기판{SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate for organic electronic devices,

본 발명은, 유기전자소자용 기판, 그 제조 방법 및 유기전자소자에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for an organic electronic device, a manufacturing method thereof, and an organic electronic device.

유기전자소자(OED; Organic Electronic Device)는, 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 통하여 다양한 기능을 발휘하는 소자를 의미할 수 있고, 그 예시에는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.An organic electronic device (OED) may mean an element that performs various functions through charge exchange between an electrode and an organic material, and examples thereof include an organic light emitting device (OLED), an organic solar cell, (OPC) or an organic transistor.

유기전자소자에서 전극 특성은 매우 중요하다. 예를 들어, 조명용으로 사용되는 유기발광소자는 통상적으로 한 변의 길이가 5 cm 또는 그 이상인 발광 면적을 가지는 픽셀로 이루어진다. 이와 같은 큰 발광면적을 가지기 때문에, 전극의 표면 저항이 높으면, 전자 또는 정공이 전체 면적에 걸쳐서 균일하게 주입되지 않고, 따라서 발광 얼룩이 발생하거나, 전 발광 영역에서 균일한 휘도를 얻을 수 없다.Electrode properties are very important in organic electronic devices. For example, organic light emitting devices used for illumination usually consist of pixels having a light emitting area of 5 cm or more in length on one side. When the surface resistance of the electrode is high, electrons or holes are not uniformly injected over the entire area because of having such a large light emitting area, so that uneven light emission occurs or a uniform brightness can not be obtained in the whole light emitting region.

통상적으로 유기전자소자는 2개의 전극을 포함하고, 그 중에서 적어도 하나의 전극은 광의 추출 또는 입사가 가능하도록 투명 전극으로 구성된다. 그런데, 특히 투명 전극은, 투명성 확보를 위하여 두께를 지나치게 두껍게 할 수 없고, 따라서 표면 저항을 조절하는 것이 더욱 용이하지 않다.Typically, the organic electronic device includes two electrodes, and at least one of the electrodes is composed of a transparent electrode so that light can be extracted or incident. However, in particular, the transparent electrode can not be made too thick in order to ensure transparency, and it is therefore more difficult to control the surface resistance.

일본공개특허공보 제2009-146640호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-146640

본 발명은, 유기전자소자용 기판, 그 제조 방법 및 유기전자소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate for an organic electronic device, a manufacturing method thereof, and an organic electronic device.

본 발명의 예시적인 유기전자소자용 기판은, 기재; 상기 기재의 주표면에 형성되어 있는 접착제층; 및 상기 접착제층에 함입되어 있는 도전성 패턴을 포함할 수 있다. 상기에서 도전성 패턴은 상기 접착제층의 상기 기재측 표면과는 반대측의 표면에 노출되어 있으며, 상기 노출된 도전성 패턴의 표면을 포함한 상기 접착제층의 반대측의 표면은, 최대 높이 조도(maximum height roughness)가 1 ㎛ 이하인 평탄면을 형성하고 있다. An exemplary organic electronic element substrate of the present invention comprises: a substrate; An adhesive layer formed on the main surface of the substrate; And a conductive pattern embedded in the adhesive layer. Wherein the conductive pattern is exposed on a surface of the adhesive layer opposite to the substrate side surface and the surface of the opposite side of the adhesive layer including the exposed surface of the conductive pattern has a maximum height roughness And a flat surface of 1 mu m or less is formed.

본 명세서에서 용어 평탄면 또는 반대 표면은, 상기 기판의 구조에서 상기 도전성 패턴이 노출되어 있는 측의 접착제층의 표면과 상기 도전성 패턴의 노출 표면이 함께 형성하고 있는 표면을 의미할 수 있다. 또한, 상기에서 접착제층의 표면은, 접착제 자체의 표면은 물론, 예를 들어 후술하는 바와 같이 접착제층이 표면층을 포함하는 경우, 상기 표면층의 표면을 의미할 수 있다.In this specification, the term flat surface or reverse surface may refer to a surface formed by the surface of the adhesive layer on the side where the conductive pattern is exposed in the structure of the substrate and the exposed surface of the conductive pattern together. In addition, the surface of the adhesive layer may refer to the surface of the adhesive itself, as well as the surface of the surface layer when the adhesive layer includes a surface layer, for example, as described later.

하나의 예시에서 상기 평탄면은 그 상부에 유기전자소자가 형성되는 평탄면일 수 있다.In one example, the flat surface may be a flat surface on which organic electronic devices are formed.

도 1은 하나의 예시적인 상기 기판(1)의 구조로서, 기재(11), 상기 기재(11)상에 형성되어 있는 접착제층(12) 및 그 접착제층(12)의 내부에 함입되어 있는 도전성 패턴(13)을 포함한다.Fig. 1 is a view showing one example of the structure of the substrate 1, which includes a base material 11, an adhesive layer 12 formed on the base material 11, Pattern 13 as shown in FIG.

기재로는 특별한 제한 없이 필요에 따라 적절한 소재가 사용될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 유기전자소자가 하부 발광(bottom emission)형 유기발광소자인 경우에는, 상기 기재는 투광성 기재, 예를 들면, 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm 파장 영역의 광의 투과율이 50% 이상인 기재일 수 있다. 투광성 기재로는, 유리 기재 또는 투명 고분자 기재가 예시될 수 있다. 유리 기재로는, 소다석회 유리, 바륨/스트론튬 함유 유리, 납 유리, 알루미노 규산 유리, 붕규산 유리, 바륨 붕규산 유리 또는 석영 등의 기재가 예시될 수 있고, 고분자 기재로는, PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등을 포함하는 기재가 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 필요에 따라서 상기 기재는, 구동용 TFT가 존재하는 TFT 기판일 수도 있다. A suitable material may be used as the substrate, if necessary, without any particular limitation. In one example, when the organic electronic device is a bottom emission type organic light emitting device, the substrate may be a translucent substrate, for example, a visible light region, for example, a light transmittance in a wavelength range of 400 nm to 700 nm May be 50% or more. As the translucent substrate, a glass substrate or a transparent polymer substrate can be exemplified. Examples of the glass substrate include substrates such as soda lime glass, barium / strontium containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass or quartz. Examples of the polymer substrate include polycarbonate, Acrylic resin, PET (poly (ethylene terephthalate)), PES (poly (ether sulfide)), PS (polysulfone), and the like. Further, if necessary, the substrate may be a TFT substrate on which a driving TFT exists.

또한, 상기 유기전자소자가 상부 발광(top emission)형인 경우, 상기 기재는 반드시 투광성의 기재일 필요는 없다. 상기의 경우 필요에 따라서 기재의 표면에는 알루미늄 등을 사용한 반사층이 형성되어 있을 수도 있다.Further, when the organic electronic device is a top emission type, the substrate need not necessarily be a light-transmitting substrate. In this case, a reflective layer using aluminum or the like may be formed on the surface of the substrate as needed.

접착제층은 상기 기재의 적어도 하나의 주표면상에 형성되어, 상기 도전성 패턴을 유지하는 역할을 할 수 있다. 접착제층으로는 상기와 같은 역할을 수행하는 것이라면 다양한 소재가 사용될 수 있다.An adhesive layer may be formed on at least one major surface of the substrate to serve to retain the conductive pattern. As the adhesive layer, various materials can be used as long as they perform the above-mentioned functions.

접착제층은, 예를 들면, 투광성 접착제층으로, 가시광 영역, 예를 들면, 400 nm 내지 700 nm의 파장의 광에 대한 투과율이 70% 이상, 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상인 접착제를 포함하는 접착제층을 사용할 수 있다.The adhesive layer is a translucent adhesive layer, for example, having a transmittance of 70% or more, preferably 80% or more, more preferably 90% or more, in a visible light region, for example, a light having a wavelength of 400 nm to 700 nm, Or more of the adhesive layer may be used.

접착제층으로는, 상온 경화형, 습기 경화형, 열경화형, 활성 에너지선 경화형 또는 혼성 경화형의 유기 또는 무기 접착제를 포함하는 접착제층을 사용할 수 있다. 접착제는, 예를 들면, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 폴리우레탄, 에폭시 수지, 불소 수지 또는 스티렌 수지 등의 접착 수지 또는 지르코늄 알콕시드, 티타늄 알콕시드 또는 실리콘 알콕시드의 축합 반응물을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 경화는 포함되는 성분의 화학적 또는 물리적 반응 내지는 작용에 의하여 접착제층으로 작용할 수 있는 물성을 나타내는 과정을 의미하고, 상온 경화형, 습기 경화형, 열경화형, 활성 에너지선 경화형 또는 혼성 경화형이란 각각 상기와 같은 경화가 상온에서의 유지, 습기의 인가, 열의 인가 또는 활성 에너지선의 조사에 의해 유도되거나, 상기 중 2가지 이상의 방식이 조합되어 경화되는 유형의 접착제를 의미할 수 있다. 또한, 상기에서 용어 활성 에너지선의 범주에는, 마이크로파(microwaves), 적외선(IR), 자외선(UV), X 선 또는 γ 선이나, 알파-입자선(alpha-particle beam), 프로톤빔(proton beam), 뉴트론빔(neutron beam) 또는 전자선(electron beam)과 같은 입자선 등이 포함될 수 있다.As the adhesive layer, an adhesive layer containing an organic or inorganic adhesive agent of room temperature curing type, moisture curing type, thermosetting type, active energy ray curing type or hybrid curing type can be used. The adhesive may include, for example, an adhesive resin such as an acrylic resin, a silicone resin, a polyurethane, an epoxy resin, a fluororesin or a styrene resin, or a condensation reaction product of a zirconium alkoxide, a titanium alkoxide or a silicon alkoxide. As used herein, the term "curing" refers to a process that exhibits physical properties that can act as an adhesive layer by chemical or physical reaction or action of the components contained therein. Examples of the curing type include room temperature curing type, moisture curing type, thermosetting type, active energy ray curing type, May mean a type of adhesive in which the above-mentioned curing is induced by keeping at room temperature, applying moisture, applying heat or irradiating an active energy ray, or curing a combination of two or more of the above methods. In the above, the term active energy ray includes microwaves, infrared (IR), ultraviolet (UV), X-rays or gamma rays, alpha-particle beams, proton beams, , A particle beam such as a neutron beam or an electron beam, and the like.

하나의 예시에서, 공정 또는 물성 구현의 편의성 측면에서 상기 접착제층으로서 활성 에너지선 경화형 접착제를 포함하는 접착제층을 사용할 수 있다.In one example, an adhesive layer comprising an active energy ray-curable adhesive may be used as the adhesive layer in terms of process or property realization.

하나의 예시에서 상기 평탄면에 상기 유기전자소자가 형성되는 경우에 상기 접착제층은 고굴절 접착제층, 예를 들면, 상기 평탄면의 상부에 형성되는 유기전자소자와 동일 또는 유사하거나, 혹은 그보다 높은 굴절률을 나타내는 접착제층일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 접착제층의 굴절률과 상기 평탄면의 상부에 형성되는 유기전자소자의 굴절률의 차이의 절대값은 1 이하, 0.8 이하, 0.6 이하, 0.4 이하 또는 0.2 이하일 수 있다. 하나의 예시에서 상기 접착제층의 굴절률은 1.6 이상, 1.7 이상, 1.8 이상 또는 1.9 이상일 수 있다. 이러한 굴절률 범위에서, 예를 들어, 상기 유기전자소자가 유기발광소자인 경우, 소자로부터 발생한 광을 전반사 현상 등을 최소화하면서 효율적으로 접착제층까지 입사시킬 수 있다. 또한, 상기 접착제층의 굴절률의 상한은 유기전자소자와 유사하거나 혹은 그보다 높은 범위라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 4.0 이하, 3.5 이하, 3.0 이하, 2.5 이하 또는 2.0 이하일 수 있다.In one example, when the organic electronic device is formed on the flat surface, the adhesive layer may have a refractive index equal to or higher than that of the high refractive index adhesive layer, for example, the organic electronic device formed on the flat surface, May be an adhesive layer. In one example, the absolute value of the difference between the refractive index of the adhesive layer and the refractive index of the organic electronic device formed on the flat surface may be 1 or less, 0.8 or less, 0.6 or less, 0.4 or less or 0.2 or less. In one example, the index of refraction of the adhesive layer may be 1.6 or higher, 1.7 or higher, 1.8 or higher, or 1.9 or higher. In such a refractive index range, for example, when the organic electronic device is an organic light emitting device, light generated from the device can be efficiently incident on the adhesive layer while minimizing total reflection phenomenon. The upper limit of the refractive index of the adhesive layer is not particularly limited as long as it is similar to or higher than that of the organic electronic device. For example, it may be 4.0 or less, 3.5 or less, 3.0 or less, 2.5 or less or 2.0 or less.

접착제층에 높은 굴절률을 부여하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 접착제층을 형성하는 접착 수지 또는 접착제층의 첨가제로, 구조 중에 페놀 등의 방향족기를 포함하거나, 불소 이외의 할로겐 원자, 황 원자, 인 원자 또는 질소 원자 등이 도입된 단량체나 그 단량체를 포함하는 수지 등을 도입하여 매트릭스 자체의 굴절률을 높인 접착제를 사용하거나, 접착제 내에 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 인듐, 아연, 주석 또는 안티몬 등의 금속의 산화물이나 수화물과 같은 고굴절 특성을 나타내는 미립자를 분산시키는 방식으로 굴절률을 조절할 수 있다. 상기에서 고굴절률을 발현할 수 있는 단량체의 구체적인 예로는, 비스(4-메타크릴로일 티오페닐)술피드, 비닐 나프탈렌, 비닐 페닐 술피드, 4-메타크릴록시 페닐-4'-메톡시 페닐 티오에테르 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The manner of imparting a high refractive index to the adhesive layer is not particularly limited. For example, an additive for an adhesive resin or an adhesive layer for forming an adhesive layer may be a monomer containing an aromatic group such as phenol in the structure, or a monomer in which a halogen atom other than fluorine, a sulfur atom, a phosphorus atom or a nitrogen atom is introduced, Or a fine particle exhibiting high refractive index properties such as an oxide or hydrate of a metal such as titanium, zirconium, aluminum, indium, zinc, tin or antimony is dispersed in the adhesive The refractive index can be controlled by a method. Specific examples of the monomer capable of exhibiting a high refractive index as described above include bis (4-methacryloylthiophenyl) sulfide, vinylnaphthalene, vinylphenylsulfide, 4-methacryloxyphenyl-4'-methoxyphenyl Thioethers, and the like, but are not limited thereto.

접착제층은 또한 산란 입자를 추가로 포함할 수 있다. 본 명세서에서 용어 산란 입자란 상기 산란 입자가 포함되는 접착제층과는 상이한 굴절률을 가지는 입자를 의미할 수 있다. 이러한 입자는, 접착제층으로 입사된 광을 산란시킬 수 있는 기능을 하는 입자를 의미할 수 있다. 예를 들어, 접착제층의 굴절률이 상기와 같이 유기전자소자와 유사하거나 혹은 그보다 높은 수준으로 조절되고, 또한 산란 입자가 포함될 경우, 소자로부터 발생한 광을 외부로 유도하는 비율, 소위 광추출 효율을 높일 수 있다. 산란 입자로는 상기 접착제층과는 상이한 굴절률을 가지는 것이라면 특별히 제한되지 않고, 다양한 유기 입자, 무기 입자 또는 유무기 복합 입자를 사용할 수 있다. 유기 입자로는, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지, 실리콘 수지 또는 노볼락 수지 등의 유기 고분자로 되는 입자 등이 예시될 수 있고, 무기 입자로는 실리카, 알루미나, 티타니아 또는 지르코니아 등과 같은 금속 산화물로 되는 입자가 예시될 수 있다. 그 외에도, 예를 들면, 코어(core)/셀(shell) 구조의 미립자나 미립자 중에 또한 미세한 미립자가 분산되어 있는 형태의 미립자 또는 중공 입자 등을 사용할 수도 있다. The adhesive layer may further comprise scattering particles. As used herein, the term scattering particles may mean particles having a refractive index different from that of the adhesive layer containing the scattering particles. Such particles may mean particles that function to scatter light incident on the adhesive layer. For example, when the refractive index of the adhesive layer is adjusted to a level similar to or higher than that of the organic electronic device as described above, and scattering particles are included, the ratio of guiding light generated from the device to the outside, that is, . The scattering particles are not particularly limited as far as they have refractive indices different from those of the adhesive layer, and various organic particles, inorganic particles or organic-inorganic composite particles can be used. Examples of the organic particles include particles made of organic polymers such as polystyrene or a derivative thereof, an acrylic resin, a silicone resin or a novolac resin, and examples of the inorganic particles include metal oxide such as silica, alumina, titania or zirconia Particles can be exemplified. In addition, for example, fine particles or hollow particles in which fine particles are dispersed in a core / shell structure may also be used.

하나의 예시에서 접착제층은 상기 반대 표면을 형성하고 있는 표면층을 추가로 포함할 수 있다. 도 2는 표면층(21)이 형성되어 있는 기판(2)을 예시적으로 나타낸 모식도이다.In one example, the adhesive layer may further comprise a surface layer forming said opposing surface. 2 is a schematic diagram exemplarily showing a substrate 2 on which a surface layer 21 is formed.

하나의 예시에서 상기 표면층은 후술하는 방식으로 상기 기판을 제조하는 과정에서 이형성 기판과의 부착력을 조절하는 역할을 하는 층일 수 있다. 이 경우, 상기 표면층은 상기 이형성 기판의 표면과 적절한 접착력을 나타내어, 공정 과정에서는 상기 이형성 기판에 안정적으로 부착되어 있고, 이형성 기판의 제거 과정에서는 이형성 기판이 효과적으로 제거될 수 있는 소재인 것이 바람직하고, 또한 접착제층과는 높은 부착력을 나타내는 소재인 것이 바람직하다. In one example, the surface layer may be a layer that plays a role in adjusting the adhesion with the releasable substrate in the process of manufacturing the substrate in a manner to be described later. In this case, it is preferable that the surface layer exhibits an appropriate adhesive force with the surface of the releasable substrate, and is stably attached to the releasable substrate during the process, and that the releasable substrate can be effectively removed in the process of removing the releasable substrate, It is also preferable that the material is a material exhibiting a high adhesive force with the adhesive layer.

하나의 예시에서, 표면층은 광투과율, 예를 들면, 가시광 영역, 구체적으로는 400 nm 내지 700 nm의 파장의 광에 대한 투과율이 70% 이상, 80% 이상 또는 90% 이상이고, 상기와 같은 부착 특성을 나타내는 소재를 포함할 수 있다.In one example, the surface layer has a light transmittance, for example, a transmittance of 70% or more, 80% or more, or 90% or more to a visible light region, specifically a light having a wavelength of 400 nm to 700 nm, And may include a material representing the characteristics.

표면층은 상기와 같은 소재로서, 예를 들면, PC(polycarbonate), PET(poly(ethylene terephthalate)) 등과 같은 폴리에스테르, 아크릴 수지, PES(poly(ether sulfide)), 우레탄 수지, 에폭시 수지, 올레핀 수지, PS(polysulfone) 또는 폴리이미드 등과 같은 유기 고분자나 SiO2와 같은 산화 규소, 질화 규소 또는 FeO 등의 무기 재료를 포함할 수 있다. 이러한 소재를 포함하는 표면층은 습식 코팅법 등과 같은 코팅 방식 또는 스퍼터링 또는 진공 증착 방식 등을 통하여 형성할 수 있다.The surface layer may be made of a material such as a polyester such as polycarbonate (PC) or poly (ethylene terephthalate), an acrylic resin, poly (ether sulfide) (PES), an urethane resin, , Polysulfone (PS), or polyimide, silicon oxide such as SiO 2 , silicon nitride, or an inorganic material such as FeO. The surface layer containing such a material can be formed through a coating method such as a wet coating method or a sputtering or vacuum deposition method.

하나의 예시에서 상기 표면층은 전도성 물질로 이루어지거나 또는 전도성 물질을 포함하는 도전성 표면층일 수 있다. 이러한 방식으로 상기 반대 표면의 표면 저항을 보다 효율적으로 조절할 수 있다. 표면층을 구성하거나, 또는 표면층에 포함될 수 있는 전도성 물질로는, 예를 들면, PEDOT(3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜) 또는 PEDOT/PSS(폴리스티렌술포네이트 및 PEDOT의 혼합물) 등과 같은 폴리티오펜계 폴리머, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리테트라티아풀발렌, 폴리나프탈렌, 폴리(p-페닐렌 술파이드) 또는 폴리(파라-페닐렌 비닐렌) 등과 같은 전도성 폴리머 또는 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 크롬, 백금 또는 금 등의 금속 물질, 또는 Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 도핑되거나, 또는 상기와의 합금인 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 크롬, 백금 또는 금; 또는 탄소나노튜브 등과 같은 전기 전도성 물질이 예시될 수 있고, 이러한 물질을 사용한 표면층은, 예를 들면 습식 코팅 방식 또는 증착 방식으로 형성할 수 있다.In one example, the surface layer may be made of a conductive material, or it may be a conductive surface layer comprising a conductive material. In this way, the surface resistance of the opposite surface can be more efficiently controlled. Examples of the conductive material that can constitute the surface layer or may be included in the surface layer include a polythiophene-based material such as PEDOT (3,4-polyethylenedioxythiophene) or PEDOT / PSS (mixture of polystyrene sulfonate and PEDOT) A conductive polymer such as a polymer, polyacetylene, polypyrrole, polyaniline, polyfluorene, polytetrathiafulvalene, polynaphthalene, poly (p-phenylene sulfide) A metal such as copper, palladium, chromium, platinum or gold or a metal such as Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Aluminum, copper, palladium, chromium, platinum or gold doped with at least one element selected from the group consisting of aluminum, copper, Or carbon nanotubes, and the surface layer using such a material can be formed by, for example, a wet coating method or a vapor deposition method.

상기 기판에서 상기 접착제층의 내부에는 도전성 패턴이 함입되어 있다. 도전성 패턴은, 접착제층의 기판의 반대측 표면, 즉 상기 접착제층의 상기 기재와 접하는 면의 반대면에 노출되어 있으며, 상기 평탄면의 일부로 존재한다. 즉, 상기 도전성 패턴의 노출 표면과 상기 접착제층의 표면은 동일 표면으로서 평탄면을 형성하고, 하나의 예시에서 상기 접착제층이 상기 표면층을 포함하는 경우, 상기 평탄면을 형성하는 접착제층의 표면은 상기 표면층의 표면일 수 있다.In the substrate, a conductive pattern is embedded in the adhesive layer. The conductive pattern is exposed on the surface opposite to the substrate of the adhesive layer, that is, the surface opposite to the surface of the adhesive layer in contact with the substrate, and exists as a part of the flat surface. That is, the exposed surface of the conductive pattern and the surface of the adhesive layer form a flat surface as the same surface, and in one example, when the adhesive layer includes the surface layer, the surface of the adhesive layer forming the flat surface And may be the surface of the surface layer.

도전성 패턴이 평탄면에 노출되어 있기 때문에, 평탄면에 유기전자소자의 전극이 형성되는 경우, 상기 전극과 상기 도전성 패턴은 서로 접촉할 수 있고, 이에 따라 상기 전극의 표면 저항을 필요에 따라 적절한 범위로 조절할 수 있다.Since the conductive pattern is exposed to the flat surface, when the electrode of the organic electronic device is formed on the flat surface, the electrode and the conductive pattern can contact with each other, .

도전성 패턴이 평탄면에 노출되어 형성하는 패턴의 형상은 특별히 제한되지 않으며, 필요에 따라서 조절될 수 있다. 예를 들면, 상기 노출 패턴은, 평탄면을 상부에서 관찰하였을 때에, 복수의 노출면이 각각 스트라이프(stripe) 형상을 가지면서 서로 평행하게 배치되어 있거나, 격자 무늬를 이루고 있거나, 사선형 또는 허니컴형을 이루거나, 또는 일정한 패턴이 아닌 무정형을 이루고 있을 수도 있다. The shape of the pattern formed by exposing the conductive pattern to the flat surface is not particularly limited and can be adjusted as needed. For example, when the flat surface is viewed from the top, the exposure pattern may be a pattern in which a plurality of exposed surfaces are arranged in parallel with each other with a stripe shape, a lattice pattern, a quadrangular or honeycomb shape Or may be amorphous rather than a uniform pattern.

도 3은 하나의 예시적인 도전성 패턴(13)의 노출 부분의 패턴을 나타내고, 노출된 도전성 패턴(13)은 접착제층(12) 또는 표면층(21)과 함께 평탄면을 형성하고 있다. 3 shows a pattern of an exposed portion of one exemplary conductive pattern 13 and the exposed conductive pattern 13 forms a flat surface together with the adhesive layer 12 or the surface layer 21. [

하나의 예시에서 상기 도전성 패턴이 노출된 상기 평탄면의 표면 저항은 10 Ω/□ 이하, 바람직하게는 5 Ω/□ 이하일 수 있다. 그러나, 상기 표면 저항 수치는 예시적인 것이며, 예를 들면, 목적하는 전극의 표면 저항 수치에 따라서 상기 도전성 패턴이 평탄면에 노출되는 면적 또는 노출 패턴 또는 접착제층에 함입되어 있는 도전성 패턴의 깊이 등을 조절하여 변경할 수 있다.In one example, the surface resistance of the flat surface on which the conductive pattern is exposed may be 10 Ω / □ or less, preferably 5 Ω / □ or less. However, the surface resistance value is an example, and may be, for example, an area where the conductive pattern is exposed on the flat surface or a depth of the conductive pattern embedded in the adhesive layer or the like depending on the surface resistance value of the target electrode Can be adjusted and changed.

또한, 도전성 패턴이 평탄면에 노출되어 있는 면적도 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 목적하는 전극의 표면 저항 수치를 고려하여 적절하게 조절될 수 있다. 하나의 예시에서 도전성 패턴이 노출되어 있는 면적은, 전체 평탄면의 면적의 0.01% 내지 40%, 바람직하게는 0.1% 내지 40%, 보다 바람직하게는 0.1% 내지 20%의 비율을 가질 수 있다. 상기와 같은 면적 비율에서 도전성 패턴을 통하여 전극의 표면 저항을 효과적으로 조절하면서, 또한 기판의 전체적인 투광성도 적절한 범위로 유지할 수 있다.Also, the area of the conductive pattern exposed on the flat surface is not particularly limited, and can be appropriately adjusted in consideration of the surface resistance value of the target electrode, for example. In one example, the exposed area of the conductive pattern may have a ratio of 0.01% to 40%, preferably 0.1% to 40%, more preferably 0.1% to 20% of the area of the entire flat surface. The surface resistivity of the electrode can be effectively controlled through the conductive pattern at the above-mentioned area ratio, and the overall light transmittance of the substrate can be maintained in an appropriate range.

도전성 패턴의 치수는, 도전성 패턴의 형태 또는 도전성 패턴에 사용되는 도전성 물질 또는 목적하는 전극의 표면 저항 수치 등을 고려하여 조절할 수 있다. 하나의 예시에서 도전성 패턴은, 0.01 ㎛ 내지 50 ㎛, 바람직하게는 0.01 ㎛ 내지 40 ㎛, 보다 바람직하게는 0.01 ㎛ 내지 30 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.01 ㎛ 내지 20 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛의 두께를 가질 수 있다. 또한, 도전성 패턴의 평탄면에서 노출되는 형상이 스트라이프 형상이거나, 스트라이프 형상으로 이루어진 소정 패턴인 경우, 각 스트라이프 형상은 0.1 ㎛ 내지 500 ㎛, 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 400 ㎛, 보다 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.1 ㎛ 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ 내지 100 ㎛의 선폭을 가질 수 있다. The dimensions of the conductive pattern can be adjusted in consideration of the shape of the conductive pattern or the surface resistance value of the conductive material or the target electrode used in the conductive pattern. In one example, the conductive pattern may have a thickness of 0.01 to 50 탆, preferably 0.01 to 40 탆, more preferably 0.01 to 30 탆, more preferably 0.01 to 20 탆, more preferably 0.1 to 탆, And may have a thickness of 10 [mu] m. In the case of a predetermined pattern having a stripe shape or a stripe shape exposed on the flat surface of the conductive pattern, each stripe shape is 0.1 to 500 mu m, preferably 0.1 to 400 mu m, more preferably 0.1 mu m To 300 mu m, more preferably from 0.1 mu m to 200 mu m, and more preferably from 1 mu m to 100 mu m.

하나의 예시에서 도전성 패턴은, PEDOT 또는 PEDOT/PSS 등과 같은 폴리티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리(3-알킬 티오펜), 폴리테트라티아풀발렌, 폴리나프탈렌, 폴리(p-페닐렌 술파이드) 또는 폴리(파라-페닐렌 비닐렌) 등과 같은 전도성 폴리머; Ag, Al, Cu, Pd, Cr, Pt 또는 Au 등과 같은 금속; Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 2개 이상의 합금 물질 또는 탄소나노튜브 등과 같은 카본계 물질 등을 포함할 수 있다. In one example, the conductive pattern can be a polythiophene such as PEDOT or PEDOT / PSS, polyacetylene, polypyrrole, polyaniline, polyfluorene, poly (3-alkylthiophene), polytetrathiafulvalene, p-phenylene sulfide) or poly (para-phenylene vinylene); Ag, Al, Cu, Pd, Cr, Pt, or Au; At least two alloy materials or carbon nanotubes selected from the group consisting of Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Based carbon material and the like.

상기와 같은 물질을 포함하는 도전성 패턴은, 예를 들면, 후술하는 바와 같이, 상기 물질을 사용하여 건조 타입 또는 소성 타입의 도전성 페이스트 또는 잉크를 제조한 후에, 그 페이스트 또는 잉크를 사용한 인쇄 방식을 통하여 형성하는 것이 바람직하다.The conductive pattern including the above-mentioned material can be obtained by, for example, preparing a conductive paste or ink of a dry type or a firing type by using the above-mentioned material, and then, by using a printing method using the paste or ink .

상기 기판에서 도전성 패턴의 노출 표면과 접착제층 또는 표면층의 표면은 함께 동일 표면인 평탄면을 형성한다. 상기 평탄면은 최대 높이 조도가 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하일 수 있다. 본 명세서에서 최대 높이 조도는, 컷 오프(cut off) 내의 조도 곡선에서 중심선과 평행하면서, 상기 조도 곡선의 최고점을 지나는 직선과 최저점을 지나는 직선의 거리를 의미하고, 이러한 최대 높이 조도는 예를 들면 후술하는 실시예에 기재되어 있는 방식으로 측정할 수 있다. 본 명세서에서 최대 높이 조도는 100 ㎛2의 면적을 가지는 평탄면의 임의의 영역에서 측정된 최대 높이 조도일 수 있다. 상기에서 임의의 영역은 기판의 평탄면에서 무작위적으로 선택된 면적 100 ㎛2의 영역을 의미한다. 즉, 바람직한 예시에서는, 상기 기판의 평탄면은 최대 높이 조도가 1 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하인 영역만이 존재한다. 이와 같이 평탄면이 우수한 평활도를 가지면, 상기 평탄면상에 유기전자소자를 효율적으로 형성할 수 있고, 또한 예를 들어, 상기 유기전자소자가 평탄면상에 전극, 유기물층 및 전극을 순차적으로 가지는 경우에 전극간에 단락이 일어나는 등의 불량을 방지할 수 있다. 평탄면의 최대 높이 조도는 그 수치가 적을수록 평활도가 우수한 표면이 형성되었다는 것을 의미하므로, 그 하한은 특별히 제한되지 않는다. The exposed surface of the conductive pattern and the surface of the adhesive layer or the surface layer on the substrate together form a flat surface having the same surface. The flat surface may have a maximum height roughness of 1 占 퐉 or less, preferably 0.5 占 퐉 or less. In the present specification, the maximum height roughness means a distance between a straight line passing through the highest point of the roughness curve and a straight line passing through the lowest point in parallel with the center line in the roughness curve in the cut off, Can be measured by the method described in the following examples. In the present specification, the maximum height roughness may be the maximum height roughness measured in any area of the flat surface having an area of 100 mu m < 2 >. In the above, an arbitrary region means an area of 100 탆 2 selected at random on the flat surface of the substrate. That is, in a preferred example, the flat surface of the substrate has only a region having a maximum height illuminance of 1 μm or less, preferably 0.5 μm or less. If the flatness of the flat surface is excellent, it is possible to efficiently form the organic electronic device on the flat surface. For example, when the organic electronic device has the electrodes, the organic material layer and the electrodes sequentially on the flat surface, It is possible to prevent defects such as short-circuiting between the electrodes. The maximum height of the flat surface means that the smaller the numerical value is, the better the smooth surface is formed, and therefore the lower limit is not particularly limited.

예를 들어, 상기 최대 높이 조도의 하한은 0 ㎛, 0.001 ㎛ 또는 0.01 ㎛일 수 있다.For example, the lower limit of the maximum height illuminance may be 0 占 퐉, 0.001 占 퐉, or 0.01 占 퐉.

하나의 예시에서 상기 평탄면은, 이형성 기판의 표면의 전사 표면일 수 있다. 평탄면이 이형성 기판의 전사 표면인 경우, 보다 우수한 평활도를 가지는 평탄면의 형성이 가능하다.In one example, the flat surface may be the transfer surface of the surface of the releasable substrate. When the flat surface is the transfer surface of the releasable substrate, it is possible to form a flat surface having better smoothness.

본 명세서에서 용어 「이형성 기판의 전사 표면」은, 상기 도전성 패턴의 노출 표면과 접착제층 또는 표면층의 표면이 형성하는 평탄면이 이형성 기판의 표면을 일종의 주형으로 하여, 이형성 기판의 표면에 접하여 우선 형성된 이후에, 상기 이형성 기판이 제거됨으로써, 상기 이형성 기판의 평활도가 전사된 표면을 의미할 수 있다. 이와 같이, 평탄면을 이형성 기판의 표면의 전사 표면으로 구성하기 위해서는, 예를 들면, 후술하는 제조 방식을 적용하여 상기 평탄면을 형성하면 된다.The term " transfer surface of a releasable substrate " in the present specification means that the exposed surface of the conductive pattern and the flat surface formed by the surface of the adhesive layer or the surface layer are formed as a mold on the surface of the releasable substrate, Hereinafter, the surface of the releasable substrate may be referred to as the surface to which the flatness is transferred by removing the releasable substrate. Thus, in order to form the flat surface with the transfer surface of the surface of the releasable substrate, for example, the flat surface may be formed by applying a manufacturing method described later.

하나의 예시에서 상기 기판은 상기 평탄면에 형성된 도전층을 추가로 포함할 수 있다. 상기 도전층은, 예를 들면, 유기전자소자의 정공 주입 전극 또는 전자 주입 전극을 형성할 수 있다.In one example, the substrate may further include a conductive layer formed on the flat surface. The conductive layer may be, for example, a hole injection electrode or an electron injection electrode of an organic electronic device.

하나의 예시에서 상기 도전층은, 투명성을 가지는 것으로서, 높은 일 함수(work function)을 가져서 정공 주입 전극으로서의 역할을 할 수 있는 물질에 의해 형성되어 있을 수 있다. 이러한 물질로는, ITO, IZO, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등이 예시될 수 있고, 통상적으로는 ITO가 사용된다.In one example, the conductive layer may have transparency and be formed of a material having a high work function and serving as a hole injection electrode. As such a material, ITO, IZO, ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 can be exemplified, and usually ITO is used.

다른 예시에서 상기 도전층은, 투명성을 가지는 것으로서, 상대적으로 낮은 일 함수(work function)을 가져서 전자 주입 전극으로서의 역할을 할 수 있는 물질에 의해 형성되어 있을 수 있다. 이러한 물질로는, K, Li, Na, Mg, La, Ce, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Zn 또는 Zr 등의 금속 또는 상기 금속으로부터 선택된 2 성분 또는 그 이상의 합금계일 수 있다. 상기에서 합금계로는, Ag/Mg, Al/Li, In/Mg 또는 Al/Ca 등이 예시될 수 있다.In another example, the conductive layer may have transparency and be formed of a material having a relatively low work function and serving as an electron injection electrode. As such a substance, a metal such as K, Li, Na, Mg, La, Ce, Ca, Sr, Ba, Al, Ag, In, Sn, Zn or Zr or two or more alloys have. Examples of the alloy system include Ag / Mg, Al / Li, In / Mg, and Al / Ca.

상기 도전층의 두께는, 목적하는 표면 저항이나, 광투과도 등을 고려하여 적절하게 조절할 수 있다.The thickness of the conductive layer can be appropriately adjusted in consideration of the desired surface resistance, light transmittance, and the like.

상기와 같은 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 이형성 기판의 이형 표면에 도전성 패턴을 형성하는 단계; 도전성 패턴이 형성된 기판상에 접착제층의 전구 물질을 형성하는 단계; 접착제층의 전구 물질과 기재를 라미네이트하고, 상기 전구 물질을 접착제층으로 전환시키는 단계; 및 상기 이형성 기판을 제거하는 단계를 포함하는 방식으로 제조할 수 있다.The substrate for an organic electronic device as described above may be formed by, for example, forming a conductive pattern on a release surface of a releasable substrate; Forming a precursor of the adhesive layer on the substrate on which the conductive pattern is formed; Laminating the precursor of the adhesive layer and the substrate, and converting the precursor into an adhesive layer; And a step of removing the releasable substrate.

도 4는, 상기 제조 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다.4 is a diagram schematically showing the above-described manufacturing method.

상기 제조 방법에서 사용되는 이형성 기판(41)의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 이형성 기판으로는, 예를 들면, 적어도 일 표면이 도전성 패턴과 접착제층 또는 표면층과 적절한 박리 특성을 나타내고, 또한 상기 표면이 우수한 평활도를 가지는 통상의 필름 또는 시트가 사용될 수 있다.The type of the releasable substrate 41 used in the above production method is not particularly limited. As the releasable substrate, for example, a normal film or sheet having at least one surface thereof exhibiting an appropriate peeling property with the conductive pattern and the adhesive layer or the surface layer, and having excellent smoothness of the surface can be used.

상기 이형성 기재(41)의 이형 표면에 도전성 패턴(42)을 형성한다. 이 과정에서 도전성 패턴을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 도전성 패턴을 형성하는 소재를 사용하여 건조 또는 소성 타입의 도전성 페이스트 또는 잉크를 제조한 후에 상기 페이스트 또는 잉크를 인쇄 방식에 적용하여 형성할 수 있다. 인쇄 방식으로는, 예를 들면, 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄 또는 리버스그라비아 인쇄 방식 등이 예시될 수 있다.A conductive pattern 42 is formed on the release surface of the releasable base 41. [ The method for forming the conductive pattern in this process is not particularly limited. For example, after a conductive paste or ink of a dry or plastic type is manufactured using a material for forming a conductive pattern, the paste or ink is applied to a printing method . As the printing method, for example, screen printing, inkjet printing, offset printing, gravure printing, or reverse gravure printing method can be exemplified.

인쇄 공정에 이어서, 페이스트 또는 잉크의 형태에 따라서 필요한 소성 또는 건조 공정을 진행함으로써 도전성 패턴을 형성할 수도 있다.Following the printing process, a conductive pattern may be formed by conducting a necessary baking or drying process depending on the type of paste or ink.

도전성 패턴(42)을 형성한 후에 패턴이 형성된 이형성 기판(41)의 표면에 접착제층의 전구 물질(43)을 형성할 수 있다. 접착제층의 전구 물질이란, 예를 들면, 전술한 경화 반응에 의하여 접착제층을 형성할 수 있는 물질로서, 상온 경화형, 습기 경화형, 열 경화형, 활성 에너지선 경화형 또는 혼성 경화형 접착제 조성물이거나, 졸겔 코팅액일 수 있다. 상기 졸겔 코팅액은 예를 들면, 지르코늄 알콕시드, 티타늄 알콕시드 또는 실리콘 알콕시드 등의 금속 알콕시드를 알코올이나 물 등의 용매에 용해시키고, 필요에 따라서 촉매 등을 적절하게 배합하여 형성할 수 있다. 또한, 기술한 바와 같이, 상기 전구 물질은, 내부에 고굴절 나노입자가 분산되어 있거나, 고굴절률을 발현할 수 있는 단량체 또는 그 단량체를 포함하는 중합체를 포함하는 전구 물질일 수 있으며, 그 내부에는 추가로 전술한 산란 입자가 포함되어 있을 수도 있다. 이러한 접착제 조성물 또는 졸겔 코팅액을 도전성 패턴이 형성된 이형성 표면상에, 예를 들면, 바 코팅, 스핀 코팅, 그라비아 코팅 등의 방식으로 도포함으로써, 상기 전구 물질의 층을 형성할 수 있다.The precursor 43 of the adhesive layer can be formed on the surface of the moldable substrate 41 on which the pattern is formed after the conductive pattern 42 is formed. The precursor of the adhesive layer is, for example, a substance capable of forming an adhesive layer by the curing reaction described above, and may be a room temperature curing type, a moisture curing type, a thermosetting type, an active energy ray curing type or a hybrid curing type adhesive composition, . The sol-gel coating solution can be formed, for example, by dissolving a metal alkoxide such as zirconium alkoxide, titanium alkoxide or silicon alkoxide in a solvent such as alcohol or water, and appropriately blending a catalyst and the like as necessary. Also, as described above, the precursor may be a precursor containing a monomer having high refractive index nanoparticles dispersed therein or exhibiting a high refractive index, or a polymer containing the monomer, Scattering particles described above may be included. A layer of the precursor can be formed by applying the adhesive composition or the sol-gel coating solution on a releasable surface on which the conductive pattern is formed by, for example, bar coating, spin coating, gravure coating or the like.

전구 물질의 층(43)을 형성한 후에 그 전구 물질의 층(43)상에 기재(45)를 라미네이트하고, 그 상태에서 상기 전구 물질의 층(43)을 접착제층(44)으로 전환시킬 수 있다. 전구 물질의 층의 접착제층으로의 전환은, 사용된 전구 물질의 형태에 따른 적합한 경화를 유도하거나, 축합 반응을 유도함으로써 수행할 수 있다.After forming a layer 43 of precursor, the substrate 45 may be laminated on the layer 43 of precursor and the layer 43 of the precursor may be converted into an adhesive layer 44 in that state. have. The conversion of the layer of the precursor to the adhesive layer can be carried out by inducing suitable curing according to the type of precursor used or by inducing a condensation reaction.

접착제층(44)을 형성한 후에 상기 이형성 기판(41)을 박리함으로써, 상기 기판의 제조가 가능하다. After the adhesive layer 44 is formed, the releasable substrate 41 is peeled off, so that the substrate can be manufactured.

도 5는, 상기 제조 방법의 다른 예시로서 상기 접착제층의 전구 물질(43)을 형성하는 단계 전에 이형성 기판 상에 상기 기술한 표면층(51)을 형성하는 단계를 추가로 수행하는 예시이다.5 is an example of further performing the step of forming the surface layer 51 described above on the releasable substrate before the step of forming the precursor 43 of the adhesive layer as another example of the manufacturing method.

도 5에 나타난 예시적인 제조 방법은, 상기 접착제층의 전구 물질의 층(43)을 형성하기 전에 표면층(51)을 형성하는 방식을 거치는 것 외에는 도 4에서 언급한 제조 방법과 유사한 방식으로 진행될 수 있다.The exemplary fabrication process shown in FIG. 5 can be performed in a manner similar to the fabrication process described in FIG. 4, except that it goes through the way of forming the surface layer 51 before forming the layer 43 of precursor of the adhesive layer have.

또한, 상기 표면층(51)은, 예를 들면, 상기 기술한 표면층을 형성하는 재료를 사용한 습식 코팅 등의 코팅 방식이나, 증착 방식으로 형성할 수 있다.The surface layer 51 can be formed by, for example, a coating method such as wet coating using a material forming the above-described surface layer, or a vapor deposition method.

상기 예시적인 제조 방법에서는, 상기 이형성 기판을 제거한 후에 그 이형성 기판이 제거된 면에 전술한 도전층을 형성하는 단계를 추가로 수행할 수 있다.In the exemplary manufacturing method, after removing the releasable substrate, the step of forming the conductive layer described above on the surface from which the releasable substrate is removed may be further performed.

도전층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않으며, 이 분야에서 공지된 통상의 방식을 적용할 수 있다. 예를 들어, 상기 도전층이 ITO 또는 IZO 등의 투명한 전도성 산화물(TCO)인 경우에는, 상기 도전층은 펄스 DC 스퍼터링법 등과 같은 스퍼터링법에 의해 형성하거나, 혹은 습식 코팅법 또는 이온 도금법 등에 의해 형성할 수 있다. 또한, 도전층이 전자 주입성 전극인 경우에는, 도전층은 저항 가열 증착법, 전자빔 증착법, 반응성 증착법, 이온 도금법 또는 스퍼터링법 등을 통하여 형성할 수 있다.The method of forming the conductive layer is not particularly limited, and a conventional method known in the art can be applied. For example, when the conductive layer is a transparent conductive oxide (TCO) such as ITO or IZO, the conductive layer may be formed by a sputtering method such as a pulsed DC sputtering method or by a wet coating method or an ion plating method can do. When the conductive layer is an electron injecting electrode, the conductive layer can be formed through resistance heating deposition, electron beam deposition, reactive deposition, ion plating, sputtering or the like.

본 발명은 또한 유기전자장치에 관한 것이다. 본 발명의 예시적인 유기전자장치는, 상기 기판 및 상기 기판의 평탄면에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함할 수 있다.The present invention also relates to organic electronic devices. An exemplary organic electronic device of the present invention may include an organic electronic device formed on the substrate and the flat surface of the substrate.

하나의 예시에서 상기 유기전자소자는 유기발광소자(OLED)일 수 있다. 유기전자소자가 유기발광소자인 경우, 상기 유기전자소자는, 예를 들면, 발광층을 적어도 포함하는 유기층이 정공 주입 전극과 전자 주입 전극의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 또한, 정공 주입 전극 또는 전자 주입 전극은, 이미 기술한 기판의 평탄면상에 형성되는 도전층일 수 있다.In one example, the organic electronic device may be an organic light emitting diode (OLED). When the organic electronic device is an organic light emitting device, the organic electronic device may have, for example, a structure in which an organic layer including at least a light emitting layer is interposed between the hole injection electrode and the electron injection electrode. The hole injection electrode or the electron injection electrode may be a conductive layer formed on the flat surface of the substrate described above.

예시적으로 유기발광소자는, 기판의 평탄면으로부터 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극/유기 발광층/전자 주입 전극의 형태; (2) 정공 주입 전극/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입 전극의 형태; (3) 정공 주입 전극/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극의 형태; (4) 정공 주입 전극/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극의 형태; (5) 정공 주입 전극/유기 반도체층/유기 발광층/전자 주입 전극의 형태; (6) 정공 주입 전극/유기 반도체층/전자장벽층/유기 발광층/전자 주입 전극의 형태; (7) 정공 주입 전극/유기 반도체층/유기 발광층/부착개선층/전자 주입 전극의 형태; (8) 정공 주입 전극/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극의 형태; (9) 정공 주입 전극/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극의 형태; (10) 정공 주입 전극/무기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극의 형태; (11) 정공 주입 전극/유기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극의 형태; (12) 정공 주입 전극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극의 형태를 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극 또는 전하 발생층(CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Illustratively, the organic light emitting device includes: (1) a form of a hole injection electrode / an organic light emitting layer / electron injection electrode formed sequentially from the flat surface of the substrate; (2) the form of hole injection electrode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection electrode; (3) a form of hole injection electrode / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode; (4) Forms of hole injection electrode / hole injection layer / organic light emitting layer / electron injection layer / electron injection electrode; (5) a form of hole injection electrode / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / electron injection electrode; (6) Forms of hole injection electrode / organic semiconductor layer / electron barrier layer / organic light emitting layer / electron injection electrode; (7) Forms of hole injecting electrode / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / adhesion improving layer / electron injecting electrode; (8) Forms of hole injecting electrode / hole injecting layer / hole transporting layer / organic light emitting layer / electron injecting layer / electron injecting electrode; (9) Forms of hole injecting electrode / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injecting electrode; (10) Forms of hole injection electrode / inorganic semiconductor layer / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injection electrode; (11) Forms of hole injection electrode / organic semiconductor layer / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injection electrode; (12) Hole injection electrode / Insulation layer / Hole injection layer / Hole transport layer / Organic light emitting layer / Insulation layer / Form of electron injection electrode or (13) Hole injection electrode / Insulating layer / Hole injection layer / Hole transport layer / And may be in the form of an injection layer / electron injection electrode. In some cases, at least two light emission layers may be disposed between the hole injection electrode and the electron injection electrode, and may be an intermediate electrode or a charge generation layer (CGL) But the present invention is not limited thereto.

이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.In this field, various materials for forming a hole or electron injection electrode and an organic layer such as a light emitting layer, an electron injecting or transporting layer, a hole injecting or transporting layer, and a forming method thereof are known. All of the same methods can be applied.

본 발명의 예시적인 기판은, 예를 들어, 그 기판의 상부에 유기발광소자를 형성하는 경우, 상기 소자가 대면적으로 구성되는 경우에도 전극의 표면 저항을 효율적으로 조절하여, 우수한 발광 휘도 및 발광 균일도가 확보되도록 할 수 있다.The exemplary substrate of the present invention can effectively adjust the surface resistance of the electrode, for example, when the organic light emitting element is formed on the substrate, even when the element is configured as a large area, Uniformity can be ensured.

도 1 및 2는, 예시적인 기판을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 기판의 평탄면에 노출된 도전성 패턴의 형태를 예시적으로 나타내는 도면이다.
도 4 및 5는 예시적인 기판의 제조 방법을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6 및 7은, 실시예에서 제조된 기판을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시예에서 제조된 기판의 최대 높이 조도를 보여주는 도면이다.
Figures 1 and 2 are schematic diagrams illustrating an exemplary substrate.
3 is a diagram exemplarily showing a form of a conductive pattern exposed on a flat surface of a substrate.
Figs. 4 and 5 are diagrams schematically showing a method of manufacturing an exemplary substrate.
Figures 6 and 7 are views showing the substrate produced in the embodiment.
8 is a view showing a maximum height illuminance of the substrate manufactured in the embodiment.

이하, 본 발명에 따른 실시예 및 본 발명에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples of the present invention and Comparative Examples which are not according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited by the following Examples.

이하 실시예에서의 물성은 하기의 방식으로 측정하였다.
The physical properties in the following examples were measured in the following manner.

1. 표면 조도의 측정1. Measurement of surface roughness

기판의 평탄면의 표면 조도는, AFM 기기(모델명: D3100, 제조사: Digital Instrument)를 사용하여 탭핑 모드(tapping mode)로 측정하였고, 사용된 팁의 반경은 8 nm였다. 기판에 대하여 면적이 100 ㎛2인 영역을 임의적으로 3 군데 지정한 후에, 지정된 영역에 대하여 상기 방식으로 표면 조도를 측정였다. 하기 표 1에는 측정 결과의 평균치를 기재하였다. 도 8은, 실시예 1의 기판의 표면 조도를 측정하는 사진을 나타낸다.
The surface roughness of the flat surface of the substrate was measured in a tapping mode using an AFM instrument (model name: D3100, manufacturer: Digital Instrument), and the radius of the tip used was 8 nm. After designating three areas with an area of 100 占 퐉 2 with respect to the substrate, the surface roughness was measured in the above-described manner for the designated area. Table 1 below shows the average values of the measurement results. Fig. 8 shows a photograph measuring the surface roughness of the substrate of Example 1. Fig.

2. 기판의 표면 저항 측정2. Measurement of substrate surface resistance

기판의 평탄면의 표면 저항은, 표면 저항 측정 시에 통상적으로 사용되는 4 포인트 프로브(기기명: MCP-T610, 제조사: MITSUBISHI CHEMICAL)를 사용하고, 핀간 간격이 5 mm인 ESP 타입의 프로브를 이용하여 측정하였다.
The surface resistance of the flat surface of the substrate was measured using a 4-point probe (MCP-T610, manufacturer: MITSUBISHI CHEMICAL) commonly used in surface resistance measurement, and using an ESP type probe with a pin interval of 5 mm Respectively.

실시예 1.Example 1.

프라이머 처리가 되어 있지 않은 PET(poly(ethylene terephthalate)) 필름의 표면에 Ag 페이스트를 이용하여 오프셋 그라비어 프린팅 방식으로 격자형의 도전성 패턴을 인쇄하였다. 이 과정에서 도전성 패턴의 선폭은 20 ㎛, 선간의 간격은 280 ㎛로 조절하였고, 도전성 패턴의 높이는 약 1 ㎛로 조절하였다. 그 후, 인쇄된 도전성 패턴을 150℃의 온도에서 약 30 분 동안 유지시켜서 상기 패턴을 소성하였다. 이어서 도전성 패턴이 형성된 PET 필름의 면에 자외선 경화형 접착제 조성물(NOA65, Norland Products Inc.)을 도포한 후에 그 상부에 유리 기재를 라미네이트하고, 고무 롤러로 압력을 인가하여 상기 조성물이 충분하게 펴지도록 하였다. 그 후 상기 조성물에 자외선을 조사(2 J/cm2)하여 접착제층을 형성하였다. 접착제층의 형성 후에 상기 PET 필름을 박리하여 유기전자소자용 기판을 제조하였다. 도 6 및 7은 제조된 기판의 사진을 나타낸다.
A lattice type conductive pattern was printed on the surface of a PET (poly (ethylene terephthalate)) film not subjected to a primer treatment by an offset gravure printing method using an Ag paste. In this process, the line width of the conductive pattern was adjusted to 20 탆, the interval between the lines was adjusted to 280 탆, and the height of the conductive pattern was adjusted to about 1 탆. Thereafter, the pattern was fired by maintaining the printed conductive pattern at a temperature of 150 DEG C for about 30 minutes. Next, an ultraviolet curable adhesive composition (NOA65, Norland Products Inc.) was applied to the surface of the PET film having the conductive pattern formed thereon, the glass substrate was laminated on the surface thereof, and the composition was sufficiently spread by applying pressure with a rubber roller . Then, the composition was irradiated with ultraviolet rays (2 J / cm 2 ) to form an adhesive layer. After the formation of the adhesive layer, the PET film was peeled off to produce a substrate for an organic electronic device. Figures 6 and 7 show photographs of the substrate produced.

실시예 2.Example 2.

도전성 패턴의 형성 시에 선폭은 40 ㎛, 선간의 간격은 260 ㎛로 조절하고, 높이는 약 2 ㎛로 조절한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 기판을 제조하였다.
A substrate was prepared in the same manner as in Example 1, except that the line width was adjusted to 40 탆, the line spacing to 260 탆, and the height to about 2 탆 in the formation of the conductive pattern.

실시예 3.Example 3.

프라이머 처리가 되어 있지 않은 PET(poly(ethylene terephthalate)) 필름의 표면에 Ag 페이스트를 이용하여 오프셋 그라비어 프린팅 방식으로 격자형의 도전성 패턴을 인쇄하였다. 이 과정에서 도전성 패턴의 선폭은 20 ㎛, 선간의 간격은 280 ㎛로 조절하였고, 도전성 패턴의 높이는 약 1 ㎛로 조절하였다. 그 후, 인쇄된 도전성 패턴을 150℃의 온도에서 약 30 분 동안 유지시켜서 상기 패턴을 소성하였다. 이어서 도전성 패턴이 형성된 PET 필름의 면에 표면층을 형성하기 위한 코팅액(TYT-80-01, Toyo ink)을 도포한 후에 100℃의 온도에서 약 10분 동안 건조하고, 자외선을 조사하여 경화시킴으로써 표면층을 형성하였다. 그 후, 도전성 패턴과 표면층이 형성된 기판에 자외선 경화형 접착제 조성물(NOA65, Norland Products Inc.)을 도포한 후에 유리 기재를 라미네이트하고, 고무 롤러로 압력을 인가하여 상기 조성물이 충분하게 펴지도록 하였다. 그 후 상기 조성물에 자외선을 조사(2 J/cm2)하여 접착제층을 형성한 후에 상기 PET 필름을 박리하여 유기전자소자용 기판을 제조하였다.
A lattice type conductive pattern was printed on the surface of a PET (poly (ethylene terephthalate)) film not subjected to a primer treatment by an offset gravure printing method using an Ag paste. In this process, the line width of the conductive pattern was adjusted to 20 탆, the interval between the lines was adjusted to 280 탆, and the height of the conductive pattern was adjusted to about 1 탆. Thereafter, the pattern was fired by maintaining the printed conductive pattern at a temperature of 150 DEG C for about 30 minutes. Subsequently, a coating liquid (TYT-80-01, Toyo ink) for forming a surface layer on the surface of the PET film having the conductive pattern formed thereon was applied, and the substrate was dried at a temperature of 100 DEG C for about 10 minutes, . Thereafter, a UV-curable adhesive composition (NOA65, Norland Products Inc.) was applied to a substrate having a conductive pattern and a surface layer formed thereon, the glass substrate was laminated, and a pressure was applied by a rubber roller to sufficiently spread the composition. Thereafter, the composition was irradiated with ultraviolet light (2 J / cm 2 ) to form an adhesive layer, and then the PET film was peeled off to produce a substrate for an organic electronic device.

상기 실시예에서 제조된 각 기판의 표면 조도 및 표면 저항을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.The surface roughness and the surface resistance of each substrate prepared in the above examples were measured and are shown in Table 1 below.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 표면 조도(㎛)Surface roughness (탆) 0.200.20 0.270.27 0.210.21 표면 저항(Ω/□)Surface resistance (Ω / □) 5.15.1 1.21.2 4.94.9

표 1의 결과로부터 평탄면을 이형성 기판의 전사 표면으로 구성한 경우, 상기 평탄면의 평활도가 매우 우수해지는 것을 확인할 수 있다. 또한, 표 1의 결과로부터 도전성 패턴을 구성하는 물질이나, 그 패턴 등을 조절함으로써, 기판의 표면 저항을 목적에 따라서 효과적으로 조절할 수 있는 점을 확인할 수 있다.From the results in Table 1, it can be confirmed that when the flat surface is composed of the transfer surface of the releasable substrate, the flatness of the flat surface is extremely excellent. It can also be seen from the results of Table 1 that the surface resistance of the substrate can be effectively controlled depending on the purpose by adjusting the material constituting the conductive pattern, the pattern thereof, and the like.

1, 2: 유기전자소자용 기판
11: 기재 12: 접착제층
13: 도전성 패턴 21: 표면층
41: 이형성 기판 42: 도전성 패턴
43: 접착제층의 전구 물질 44: 접착제층
45: 기재 51: 표면층
1, 2: substrate for organic electronic device
11: substrate 12: adhesive layer
13: conductive pattern 21: surface layer
41: releasability substrate 42: conductive pattern
43: precursor of adhesive layer 44: adhesive layer
45: Base material 51: Surface layer

Claims (20)

기재; 상기 기재의 주표면에 형성되어 있는 접착제층; 및 상기 접착제층에 함입되어 있는 도전성 패턴을 포함하고, 상기 도전성 패턴은 상기 접착제층의 상기 기재측의 표면과는 반대측의 표면에 노출되어 있으며, 상기 노출된 도전성 패턴의 표면을 포함하는 상기 접착제층의 반대측의 표면은, 최대 높이 조도가 1 ㎛ 이하인 평탄면이고, 상기 접착제층은 상기 평탄면을 형성하고 있는 표면층을 포함하며, 상기 표면층은 폴리에스테르, 아크릴 수지, 폴리에테르술피드, 우레탄 수지, 에폭시 수지, 올레핀 수지, 폴리술폰 및 폴리이미드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 유기 고분자, 산화 규소, 질화 규소 또는 FeO를 포함하거나, 전도성 물질로 이루어지거나 또는 전도성 물질을 포함하는 유기전자소자용 기판.materials; An adhesive layer formed on the main surface of the substrate; And a conductive pattern embedded in the adhesive layer, wherein the conductive pattern is exposed on a surface of the adhesive layer opposite the surface of the substrate side, and the adhesive layer including the surface of the exposed conductive pattern Is a flat surface having a maximum height of not more than 1 占 퐉 and the adhesive layer includes a surface layer forming the flat surface, and the surface layer is formed of a polyester, an acrylic resin, a polyether sulfide, a urethane resin, A substrate for an organic electronic device comprising at least one organic polymer selected from the group consisting of an epoxy resin, an olefin resin, a polysulfone and a polyimide, silicon oxide, silicon nitride or FeO, or a conductive material or a conductive material . 제 1 항에 있어서, 평탄면은 그 상부에 유기전자소자가 형성되는 면인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the planar surface is a surface on which the organic electronic device is formed. 제 1 항에 있어서, 기재는 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상인 투광성 기재인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the substrate is a translucent substrate having a transmittance of 50% or more with respect to light in a visible light region. 제 1 항에 있어서, 접착제층은, 활성 에너지선 경화형 접착제층인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the adhesive layer is an active energy ray curable adhesive layer. 제 2 항에 있어서, 접착제층의 굴절률과 평탄면의 상부에 형성되는 유기전자소자의 굴절률의 차이의 절대값이 1 이하인 유기전자소자용 기판. The organic electronic element substrate according to claim 2, wherein an absolute value of a difference between a refractive index of the adhesive layer and a refractive index of the organic electronic device formed on the flat surface is 1 or less. 제 1 항에 있어서, 접착제층은, 접착제층과는 상이한 굴절률을 가지는 산란 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판. The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the adhesive layer comprises scattering particles having a refractive index different from that of the adhesive layer. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질은 폴리티오펜계 폴리머, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리테트라티아풀발렌, 폴리나프탈렌, 폴리(p-페닐렌 술파이드) 또는 폴리(파라-페닐렌 비닐렌)인 유기전자소자용 기판.The method of claim 1 wherein the conductive material is selected from the group consisting of a polythiophene based polymer, polyacetylene, polypyrrole, polyaniline, polyfluorene, polytetrathiafulvalene, polynaphthalene, poly (p-phenylene sulfide) Wherein the substrate is an organic electronic device substrate. 제 1 항에 있어서, 전도성 물질은, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 크롬, 백금 또는 금이거나, Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 도핑된 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 크롬, 백금 또는 금이거나, 또는 Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, Co 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상과의 합금인 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 크롬, 백금 또는 금이거나, 또는 탄소나노튜브인 유기전자소자용 기판.The method of claim 1, wherein the conductive material is at least one selected from the group consisting of silver, aluminum, copper, palladium, chromium, platinum or gold or a metal selected from Ag, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, Cd, In, Si, Zr, Au, Pd, Al, Pt, Cu, Zn, and the like doped with at least one element selected from the group consisting of Cr, Mg, Mn, Co and Sn, aluminum, copper, palladium, chromium, Wherein the alloy is at least one selected from the group consisting of aluminum, copper, palladium, chromium, platinum or gold, or an alloy of at least one selected from the group consisting of Cd, In, Si, Zr, Mo, Ni, Cr, Mg, Mn, A substrate for an organic electronic device. 제 1 항에 있어서, 평탄면의 표면 저항은 10 Ω/□ 이하인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the flat surface has a surface resistance of 10 Ω / □ or less. 제 1 항에 있어서, 평탄면에 노출되어 있는 도전성 패턴의 면적의 비율은, 평탄면의 전체 면적의 0.01% 내지 40%인 유기전자소자용 기판.The organic electronic device substrate according to claim 1, wherein the ratio of the area of the conductive pattern exposed on the flat surface is 0.01% to 40% of the total area of the flat surface. 제 1 항에 있어서, 도전성 패턴은, 전도성 폴리머, 금속, 합금 또는 카본계 물질을 포함하는 유기전자소자용 기판.The substrate for an organic electronic device according to claim 1, wherein the conductive pattern comprises a conductive polymer, a metal, an alloy, or a carbon-based material. 제 1 항에 있어서, 최대 높이 조도는 100 ㎛2의 면적을 가지는 평탄면의 임의의 영역의 조도인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the maximum height illuminance is an illuminance of an arbitrary area of a flat surface having an area of 100 mu m < 2 & gt ;. 제 1 항에 있어서, 평탄면은, 이형성 기판의 표면의 전사 표면인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the planar surface is a transfer surface of the surface of the releasable substrate. 제 1 항에 있어서, 평탄면상에 형성된 도전층을 추가로 포함하는 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, further comprising a conductive layer formed on a flat surface. 이형성 기판의 이형 표면에 도전성 패턴을 형성하는 단계; 도전성 패턴이 형성된 기판상에 접착제층의 전구 물질을 형성하는 단계; 접착제층의 전구 물질과 기재를 라미네이트하고, 상기 전구 물질을 접착제층으로 전환시키는 단계; 및 상기 이형성 기판을 제거하는 단계를 포함하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.Forming a conductive pattern on a release surface of the releasable substrate; Forming a precursor of the adhesive layer on the substrate on which the conductive pattern is formed; Laminating the precursor of the adhesive layer and the substrate, and converting the precursor into an adhesive layer; And removing the releasable substrate. 제 15 항에 있어서, 도전성 패턴은, 도전성 페이스트 또는 잉크를 이형성 기판의 표면에 인쇄하는 방식으로 형성하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.16. The method of manufacturing a substrate for an organic electronic device according to claim 15, wherein the conductive pattern is formed by printing conductive paste or ink on the surface of the releasable substrate. 제 16 항에 있어서, 인쇄 방식이 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄 또는 리버스그라비아 인쇄인 유기전자소자용 기판의 제조 방법.The method according to claim 16, wherein the printing method is screen printing, inkjet printing, offset printing, gravure printing or reverse gravure printing. 제 15 항에 있어서, 접착제층의 전구 물질을 형성하기 전에 이형성 기판의 표면에 표면층을 형성하는 단계를 추가로 수행하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법.16. The method according to claim 15, further comprising the step of forming a surface layer on the surface of the releasable substrate before forming the precursor of the adhesive layer. 제 1 항에 따른 유기전자소자용 기판 및 상기 기판의 평탄면에 형성되어 있는 유기전자소자를 포함하는 유기전자장치.An organic electronic device comprising a substrate for an organic electronic device according to claim 1 and an organic electronic device formed on a flat surface of the substrate. 제 19 항에 있어서, 유기전자소자가 유기발광소자인 유기전자장치.20. The organic electronic device according to claim 19, wherein the organic electronic device is an organic light emitting device.
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