KR102361396B1 - Anodic oxide structure and probe card comprising thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수개의 양극산화막으로 구성되는 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것으로서, 특히, 효율적으로 온도 변화되는 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to an anodization film structure including a plurality of anodization films and a probe card including the same, and more particularly, to an anodization film structure in which temperature is efficiently changed and a probe card including the same.
Description
본 발명은 복수개의 양극산화막으로 구성되는 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention relates to an anodization film structure including a plurality of anodization films and a probe card including the same.
양극산화막 재질은 낮은 열팽창 계수로 인해 고온의 분위기에서 열변형이 적을 수 있다. 따라서 양극산화막은 고온의 공정 분위기가 요구되는 반도체 또는 디스플레이 분야를 포함한 산업 분야에서 유리하게 이용될 수 있다.The material of the anodized film may have little thermal deformation in a high-temperature atmosphere due to its low coefficient of thermal expansion. Therefore, the anodized film can be advantageously used in industrial fields including semiconductors or displays that require a high-temperature process atmosphere.
양극산화막은 얇은 박판 형태로 제작되어 반도체 또는 디스플레이 분야를 포함한 산업 분야에 이용되는 다양한 부품들을 구성할 수 있다. 박형화된 양극산화막은 특정 분야에서의 성능 효율을 향상시킬 수 있다. 양극산화막은 얇은 두께의 강도를 보완하기 위해 복수개 구비되어 적층되는 구조로 형성되어 이용될 수 있다.The anodic oxide film is manufactured in the form of a thin thin plate, so that various parts used in industrial fields including semiconductors or display fields can be formed. The thinned anodization film can improve performance efficiency in certain fields. The anodized film may be formed in a structure in which a plurality of anodization films are provided and stacked to supplement the strength of a thin thickness.
그런데 양극산화막은 상대적으로 열용량이 크고 열전도율이 낮다는 특성이 있다. 이러한 양극산화막이 복수개 구비되어 적층되는 구조로 특정 분야에 구비될 경우, 비교적 큰 열용량과 낮은 열전도율 특성 때문에 특정 온도로 가열하거나 냉각해서 특정 공정을 수행하기 위해 필요한 온도 분포가 되기까지 오히려 오랜 시간이 소요된다는 문제점이 있다.However, the anodized film has a relatively large heat capacity and low thermal conductivity. When a plurality of such anodized films are provided in a stacked structure and provided in a specific field, it takes a rather long time until the temperature distribution required to perform a specific process by heating or cooling to a specific temperature due to the relatively large heat capacity and low thermal conductivity characteristics There is a problem that
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 효율적으로 특정 온도 온도를 올리거나 내리는데 소요되는 시간이 단축되는 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an anodized film structure in which the time required to efficiently raise or lower a specific temperature is reduced, and a probe card including the same.
본 발명의 일 특징에 따른 양극산화막 구조체는, 복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되는 양극산화막 구조체에 있어서, 상기 양극산화막 구조체에 구비되어 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하는 것을 특징으로 한다.An anodization film structure according to one aspect of the present invention, in the anodization film structure configured by laminating a plurality of anodization film sheets, is provided in the anodization film structure to reduce the heat capacity of the anodization film structure characterized in that it comprises a heat conduction part do it with
또한, 배선부를 더 포함하고, 상기 열전도부는 상기 배선부와 절연되는 것을 특징으로 한다.In addition, it further includes a wiring part, characterized in that the heat conduction part is insulated from the wiring part.
또한, 상기 열전도부는 표면측에 위치하는 양극산화막 시트에 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat conduction part is characterized in that it is provided on the anodized film sheet located on the surface side.
또한, 표면측에 위치하는 상기 양극산화막 시트에 홀이 구비되고, 상기 홀에 상기 열전도부가 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, a hole is provided in the anodized film sheet positioned on the surface side, and the heat conduction unit is provided in the hole.
또한, 상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 표면에 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat conduction part is characterized in that it is provided on the surface of the anodized film sheet.
또한, 상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 내부에 구비되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat conduction part is characterized in that it is provided inside the anodized film sheet.
또한, 상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 열전도율보다 열전도율이 높은 재질인 것을 특징으로 한다.In addition, the heat conductive part is characterized in that the material having a higher thermal conductivity than the thermal conductivity of the anodized film sheet.
또한, 상기 열전도부는 양극산화막의 적어도 일부의 기공에 충진되는 것을 특징으로 한다.In addition, the heat-conducting part is characterized in that at least a portion of the pores of the anodized film is filled.
본 발명의 다른 특징에 따른 프로브 카드는, 프로브와 회로 기판 사이에 구비되어 상기 프로브와 상기 회로 기판 사이의 피치 간의 차이를 보상하는 공간 변환기를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 상기 공간변환기는 양극산화막 구조체를 포함하고, 상기 양극산화막 구조체는, 복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A probe card according to another aspect of the present invention is a probe card comprising a space converter provided between a probe and a circuit board to compensate for a difference in pitch between the probe and the circuit board, wherein the space converter is an anodized film structure Including, wherein the anodization film structure is configured by stacking a plurality of anodization film sheets, characterized in that it comprises a heat conduction portion for reducing the heat capacity of the anodization film structure.
본 발명의 다른 특징에 따른 프로브 카드는, 프로브와 회로 기판 사이에 구비되어 상기 프로브와 상기 회로 기판을 전기적으로 연결하는 인터포저를 포함하는 프로브 카드에 있어서, 상기 인터포저는 양극산화막 구조체를 포함하고, 상기 양극산화막 구조체는, 복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, a probe card includes an interposer provided between a probe and a circuit board to electrically connect the probe and the circuit board, wherein the interposer includes an anodized film structure, , wherein the anodized film structure is configured by stacking a plurality of anodized film sheets, and it is characterized in that it includes heat conduction to reduce the heat capacity of the anodized film structure.
본 발명에 의한 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드는 열용량이 감소되고 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 공정에 따라 온도 환경이 변화하는 반도체 분야 및 디스플레이 분야를 포함하는 산업 분야에서 보다 신속하게 온도 변화할 수 있다. The anodization film structure and the probe card including the same according to the present invention may have reduced thermal capacity and improved thermal conductivity. Due to this, the temperature can be changed more quickly in the industrial field including the semiconductor field and the display field where the temperature environment changes according to the process.
또한, 본 발명에 의한 양극산화막 구조체 및 이를 포함하는 프로브 카드는 특정 공정 수행을 위한 필요 온도 범위까지 제품의 온도를 상승시키는데 소요되는 시간이 단축될 수 있다. 이에 따라 이용되는 산업 분야의 전체적인 공정 수행이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다.In addition, in the anodized film structure and the probe card including the same according to the present invention, the time required for raising the temperature of the product to a temperature range required for performing a specific process can be reduced. Accordingly, the overall process performance of the industrial field used can be made more efficiently.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 포함하는 멤스 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 포함하는 수직형 프로브 카드를 개략적으로 도시한 도이다.1 is a view showing an anodization film structure according to a first preferred embodiment of the present invention.
2 is a view showing an anodized film structure according to a second preferred embodiment of the present invention.
3 is a view showing an anodization film structure according to a third preferred embodiment of the present invention.
4 is a view showing an anodic oxide film structure according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
5 is a diagram schematically illustrating a MEMS probe card including an anodization film structure according to a first exemplary embodiment of the present invention.
6 and 7 are diagrams schematically illustrating a vertical probe card including an anodization film structure according to a first preferred embodiment of the present invention.
이하의 내용은 단지 발명의 원리를 예시한다. 그러므로 당업자는 비록 본 명세서에 명확히 설명되거나 도시되지 않았지만 발명의 원리를 구현하고 발명의 개념과 범위에 포함된 다양한 장치를 발명할 수 있는 것이다. 또한, 본 명세서에 열거된 모든 조건부 용어 및 실시 예들은 원칙적으로, 발명의 개념이 이해되도록 하기 위한 목적으로 명백히 의도되고, 이와 같이 특별히 열거된 실시 예들 및 상태들에 제한되지 않는 것으로 이해되어야 한다.The following is merely illustrative of the principles of the invention. Therefore, those skilled in the art can devise various devices that, although not explicitly described or shown herein, embody the principles of the invention and are included in the spirit and scope of the invention. In addition, all conditional terms and examples listed herein are, in principle, expressly intended for the purpose of understanding the inventive concept, and should be understood as not limited to the specifically enumerated embodiments and states.
상술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해질 것이며, 그에 따라 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다.The above-described objects, features, and advantages will become more apparent through the following detailed description in relation to the accompanying drawings, and accordingly, those of ordinary skill in the art to which the invention pertains will be able to easily practice the technical idea of the invention. .
본 명세서에 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 사시도들을 참고하여 설명될 것이다. 이러한 도면들에 도시된 막 및 영역들의 두께 및 구멍들의 지름 등은 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.Embodiments described herein will be described with reference to cross-sectional and/or perspective views, which are ideal illustrative views of the present invention. The thicknesses of the films and regions, the diameters of the holes, etc. shown in these drawings are exaggerated for effective description of technical content. The shape of the illustrative drawing may be modified due to manufacturing technology and/or tolerance. Accordingly, embodiments of the present invention are not limited to the specific form shown, but also include changes in the form generated according to the manufacturing process.
다양한 실시 예들을 설명함에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 실시 예가 다르더라도 편의상 동일한 명칭 및 동일한 참조 번호를 부여하기로 한다. 또한, 이미 다른 실시 예에서 설명된 구성 및 작동에 대해서는 편의상 생략하기로 한다.In describing various embodiments, components performing the same function will be given the same names and the same reference numbers for convenience even if the embodiments are different. In addition, configurations and operations already described in other embodiments will be omitted for convenience.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체Anodizing film structure according to a first preferred embodiment of the present invention
도 1은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 도시한 도이다.1 is a view showing an anodization film structure (AS) according to a first preferred embodiment of the present invention.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 복수개의 양극산화막 시트(A) 및 열전도부(HC1)를 포함하여 구성될 수 있다.The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may include a plurality of anodization film sheets A and a heat conduction unit HC1.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 복수개의 양극산화막 시트(A)가 적층되어 구성되고, 양극산화막 구조체(AS)에 구비되어 양극산화막 구조체(AS)의 열용량을 감소시키는 열전도부(HC1)를 포함하여 구성될 수 있다.1, the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention is configured by stacking a plurality of anodization film sheets (A), and is provided in the anodization film structure (AS) to provide an anodization film It may be configured to include a heat conduction unit HC1 that reduces the heat capacity of the structure AS.
양극산화막 시트(A)는 기공(P)을 포함하는 다공층(PL) 및 기공(P)을 포함하지 않는 배리어층을 포함하는 양극산화막 재질로 구성될 수 있다. 양극산화막은 모재인 금속을 양극 산화하여 형성된 막을 의미하고, 기공(P)은 금속을 양극산화하여 양극산화막을 형성하는 과정에서 형성되는 구멍을 의미한다.The anodization film sheet A may be made of an anodization film material including a porous layer PL including pores P and a barrier layer not including pores P. The anodization film refers to a film formed by anodizing a metal as a base material, and the pores P refer to holes formed in the process of anodizing a metal to form an anodization film.
양극산화막 시트(A)는 다음과 같은 과정에 의해 제작될 수 있다.The anodized film sheet A may be manufactured by the following process.
먼저, 모재인 금속이 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금인 경우, 모재를 양극산화하면 모재의 표면에 알루미늄 산화물(Al2O3)재질의 양극산화막이 형성된다. 양극산화막은 내부에 기공(P)이 형성되지 않은 배리어층과 내부에 기공(P)이 형성된 다공층(PL)을 포함하여 구성된다.First, when the base metal is aluminum (Al) or an aluminum alloy, when the base material is anodized, an anodization film made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) material is formed on the surface of the base material. The anodized film is configured to include a barrier layer in which pores P are not formed and a porous layer PL in which pores P are formed.
배리어층은 모재의 상부에 위치하고, 다공층(PL)은 배리어층의 상부에 위치한다. 구체적으로, 모재를 양극산화할 경우, 배리어층이 먼저 생성되고, 배리어층이 소정의 두께를 이루게 되면 다공층(PL)이 형성된다.The barrier layer is positioned on the base material, and the porous layer PL is positioned on the barrier layer. Specifically, when the base material is anodized, the barrier layer is first generated, and when the barrier layer has a predetermined thickness, the porous layer PL is formed.
배리어층의 두께는 수십㎚이상 ~ 수㎛이하로 형성되고, 바람직하게는 100㎚이상 ~ 1㎛이하 사이로 형성된다.The barrier layer has a thickness of several tens of nm or more to several μm or less, preferably 100 nm or more to 1 μm or less.
다공층(PL)의 두께는 수십㎚이상 ~ 수백㎛이하로 형성된다.The thickness of the porous layer PL is formed in a range of several tens of nm or more to several hundred μm or less.
다공층(PL)에 포함되는 기공(P)의 직경은 수㎚이상 ~ 수백㎚이하로 형성된다.The diameter of the pores (P) included in the porous layer (PL) is formed in the range of several nm to several hundred nm or less.
그런 다음, 배리어층과 다공층(PL)을 갖는 양극산화막이 표면에 형성된 모재에서, 모재를 제거하는 과정이 수행될 수 있다. 이와 같은 과정에 의해 알루미늄 산화물(Al2O3) 재질의 양극산화막이 남게 된다.Then, a process of removing the base material from the base material on which the anodization film having the barrier layer and the porous layer PL is formed on the surface may be performed. By this process, an anodic oxide film made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ) is left.
양극산화막 시트(A)는 배리어층 및 다공층(PL)을 포함하는 구조로 구비될 수 있다. 또는 양극산화막 시트(A)는 다공층(PL)만을 포함하는 구조로 구비될 수도 있다.The anodized film sheet A may have a structure including a barrier layer and a porous layer PL. Alternatively, the anodized film sheet A may have a structure including only the porous layer PL.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)에서는 일 예로서 양극산화막 시트(A)가 다공층(PL)만을 포함하는 구조로 구비될 수 있다. 다만, 양극산화막 시트(A)의 구조는 이에 한정되지 않는다.In the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, as an example, the anodization film sheet A may be provided in a structure including only the porous layer PL. However, the structure of the anodized film sheet A is not limited thereto.
양극산화막은 웨이퍼(W)의 열팽창 계수와 유사한 열팽창 계수를 갖는다. 이러한 양극산화막은 고온의 분위기에서 온도에 의한 열변형이 웨이퍼와 유사할 수 있다. 따라서, 고온의 분위기에서 공정 수행이 이루어지는 반도체 또는 디스플레이 분야를 포함하는 산업 분야에서 유리하게 이용될 수 있다.The anodized film has a coefficient of thermal expansion similar to that of the wafer W. The anodic oxide film may be similar to wafer in thermal deformation due to temperature in a high-temperature atmosphere. Therefore, it can be advantageously used in industrial fields including semiconductors or displays in which processes are performed in a high-temperature atmosphere.
그런데 양극산화막은 다른 이종의 재료에 비해 상대적으로 열용량이 크고 열전도율이 낮기 때문에 특정 공정을 수행하기 위해 필요한 온도 범위까지 도달하는데 비교적 오랜 시간이 소요될 수 있다.However, since the anodized film has a relatively large thermal capacity and low thermal conductivity compared to other types of materials, it may take a relatively long time to reach the temperature range required to perform a specific process.
예컨대, 반도체 공정에서는 칩의 신뢰성을 보장하기 위한 번인 테스트가 수행될 수 있다. 번인 테스트는 85℃ 또는 100℃의 고온의 환경에서 진행될 수 있다. 이 때, 양극산화막은 번인 테스트를 수행하기 위한 하나의 제품을 구성할 수 있다. 양극산화막을 포함한 제품은 번인 테스트를 수행하기 위한 온도 범위까지 가열될 수 있다. 그런데 양극산화막은 비교적 열용량이 크고 열전도율이 낮기 때문에 필요한 온도 범위까지 온도가 상승하는데에 많은 시간이 소요될 수 있다.For example, in a semiconductor process, a burn-in test may be performed to ensure reliability of a chip. The burn-in test may be performed in a high temperature environment of 85°C or 100°C. In this case, the anodic oxide film may constitute one product for performing a burn-in test. Products containing anodized films can be heated up to a temperature range for performing burn-in tests. However, since the anodic oxide film has a relatively large heat capacity and low thermal conductivity, it may take a long time for the temperature to rise to a required temperature range.
하지만 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)를 구비함으로써 양극산화막 구조체(AS)의 열용량을 감소시킬 수 있다. 또한, 열전도부(HC1)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)에 구비됨으로써 제품 자체의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 쉽게 온도 변화하여 필요한 온도 범위까지의 온도 상승 또는 하강이 효율적으로 이루어질 수 있다.However, since the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention includes the heat conduction unit HC1, the heat capacity of the anodization film structure AS can be reduced. In addition, the heat conduction unit HC1 is provided in the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, thereby improving the thermal conductivity of the product itself. For this reason, the temperature of the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention can be easily changed so that the temperature can be efficiently increased or decreased to a required temperature range.
열전도부(HC1)는 양극산화막 시트(A)의 열전도율보다 높은 재질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 열전도부(HC1)는 금속 물질로 구성될 수 있다. 또한, 열전도부(HC1)는 알루미늄 나이트라이드를 포함하는 열전도율이 높은 세라믹 재질로 구성될 수도 있다. 열전도부(HC1)를 구성하는 재질은 양극산화막 시트(A)의 열전도율보다 높은 재질이라면 한정되지 않는다.The heat conduction part HC1 may be made of a material having a higher thermal conductivity than that of the anodized film sheet A. For example, the heat conduction part HC1 may be made of a metal material. In addition, the heat conductive part HC1 may be made of a ceramic material having high heat conductivity including aluminum nitride. The material constituting the heat conductive portion HC1 is not limited as long as it is a material having a higher thermal conductivity than that of the anodized film sheet A.
열전도부(HC1)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 열용량을 감소시키고 열전도율을 향상시키기 적합한 위치에 적합한 형태로 구비될 수 있다. 이 경우, 열전도부(HC1)는 위치 및 형태에 알맞은 방법으로 구비될 수 있다.The heat conduction unit HC1 may be provided in a shape suitable for a position suitable for reducing the heat capacity and improving the thermal conductivity of the anodization film structure AS according to the first exemplary embodiment of the present invention. In this case, the heat conduction unit HC1 may be provided in a method suitable for a position and a shape.
일 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 열전도부(HC1)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 구비될 수 있다. As an example, as shown in FIG. 1 , the heat conduction unit HC1 may be provided on the anodization film sheet SA located on the surface side of the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention. have.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 복수개의 양극산화막 시트(A)가 접합층(60)에 의해 서로 접합되는 적층 구조로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 양극산화막 구조체(AS)의 표면측에 위치하는 표면측 양극산화막 시트(SA) 및 표면측 양극산화막 시트(SA) 사이에 구비되는 내부측 양극산화막 시트(IA)가 접합층(60)에 의해 서로 접합되는 구조일 수 있다. The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may be formed in a stacked structure in which a plurality of anodization film sheets A are bonded to each other by a
접합층(60)은 감광성 재료일 수 있고, 하나의 예로서 감광성 필름(DFR; Dry Film Photoresist)일 수 있다. 접합층(60)이 감광성 재료로 구성될 경우에는 접합층(60)을 이용하여 양극산화막 시트(A)에 열전도부(HC1)를 구비하기 위한 홀(H) 및 양극산화막 시트(A)의 내부에 구비되되, 구비되는 구성에 따라 적합하게 기능하는 관통홀(EH)을 용이하게 형성할 수 있다. 예컨대, 감광성 재료의 접합층(60)을 이용하여 관통홀(EH)을 구비할 경우, 감광성 재료는 포토 공정에 의해 적어도 일부가 패터닝될 수 있다. 그런 다음 패터닝 과정에 의해 감광성 재료가 제거된 양극산화막 시트(A)의 패터닝 제거 영역을 통해 에칭 공정이 수행될 수 있다. 양극산화막 시트(A)의 양극산화막 에칭 용액으로 습식 에칭하면 수직한 내벽을 갖는 관통홀(EH)이 형성될 수 있다. 관통홀(EH)은 감광성 재료의 접합층(60)의 패터닝 과정에 의해 제거된 영역과 동일한 형상 및 크기로 형성될 수 있다. 따라서, 관통홀(EH) 및 홀(H)은 형상 및 크기의 제약없이 구비될 수 있다. The
또한, 접합층(60)은 양극산화막 시트(A) 간을 접합하는 접합 기능을 수행하므로 접합 특성을 보유하는 구성으로 구성될 수 있다. 따라서, 접합층(60)은 감광성 특성 및 접합 특성을 동시에 보유하는 구성으로 구비될 수 있다.In addition, since the
또한, 접합층(60)은 리소그래피가 가능한 에폭시, 폴리이미드(PI) 또는 아크릴레이트(Acrylate) 기반의 포토레지스트일 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 리소그래피가 가능한 포토레지스트는 단일 분자에 8개의 에폭시 그룹이 포함된 에폭시 기반의 레지스트인 SU-8일 수 있다. In addition, the
한편, 접합층(60)은 열경화성 수지일 수 있다. 이 경우, 열경화성 수지 재료로서는 폴리이미드 수지, 폴리퀴놀린 수지, 폴리아미드이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리페닐렌 에테르 수지 및 불소수지 등일 수 있다.Meanwhile, the
접합층(60)에 의해 복수의 양극산화막 시트(A)간이 접합되는 구조에서, 열전도부(HC1)는 일 예로서 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 구비될 수 있다. 열전도부(HC1)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 표면측에 구비되어 제품의 열용량을 감소시킬 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 필요 온도 범위까지 가열 또는 냉각될 때 비교적 쉽게 온도 변화가 일어날 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는, 열전도부(HC1)에 의해 열용량이 감소되어 공정 수행을 위해 필요한 온도 범위까지 보다 쉽게 온도 변화할 수 있다. In a structure in which the plurality of anodization film sheets A are bonded by the
또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 표면측 양극산화막 시트(SA)에 열전도부(HC1)를 구비하여 제품 자체의 열전도율이 향상되도록 할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 특정 공정(예를 들어, 번인 테스트)에 필요한 온도 범위까지 신속하게 상승 또는 하강할 수 있다. 그 결과 특정 공정에 소요되는 시간이 단축되어 효율적인 공정 수행이 가능한 효과를 발휘할 수 있다.In addition, in the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, the thermal conductivity of the product itself can be improved by providing the heat conduction part HC1 on the surface side anodization film sheet SA. Due to this, the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention can be rapidly increased or decreased to a temperature range required for a specific process (eg, burn-in test). As a result, the time required for a specific process can be shortened, thereby exhibiting the effect of efficiently performing the process.
도 1에 도시된 바와 같이, 열전도부(HC1)는 일 예로서 표면측 양극산화막 시트(SA)에 구비되되, 표면측 양극산화막 시트(SA)의 양극산화막의 적어도 일부의 기공(P)에 충진되는 형태로 구비될 수 있다. 여기서, 기공(P)의 내부에 열전도부(HC1)를 충진하는 방법으로는, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용할 수 있다. 다만, 충진 방법은 기공(P)에 열전도부(HC1)를 충진할 수 있는 방법이라면 원자층 증착법 이외에 다른 방법도 가능하다.As shown in FIG. 1 , the heat conduction unit HC1 is provided in the surface-side anodization film sheet SA, for example, and is filled in the pores P of at least a portion of the anodization film of the surface-side anodization film sheet SA. It may be provided in the form Here, as a method of filling the heat-conducting part HC1 in the pore P, an atomic layer deposition (ALD) may be used. However, if the filling method is a method capable of filling the heat-conducting portion HC1 in the pores P, other methods other than the atomic layer deposition method are also possible.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 이용되는 분야, 구성 및 기능에 따라 추가적인 구성(예를 들어, 배선부(E))을 포함하여 구성되어 적합한 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)의 구비 위치가 어느 한 위치로 한정되지 않는다. 또한, 열전도부(HC1)의 구비 형태도 어느 한 형태로 한정되지 않는다.The anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention is configured to include an additional configuration (eg, the wiring part (E)) according to the field, configuration and function to be used, and may be formed into a suitable structure. have. Therefore, in the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, the position of the heat conduction unit HC1 is not limited to any one position. Also, the form of the heat conduction unit HC1 is not limited to any one form.
일 예로서 도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 배선부(E)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 배선부(E)의 구조는 및 구성(구체적으로, 후술하는 수직 배선부(VE) 및 수평 배선부(HE))은 일 예로서 도시된 것이므로 이에 한정되지 않는다.As an example, as shown in FIG. 1 , the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may further include a wiring part E. The structure and configuration of the wiring unit E (specifically, a vertical wiring unit VE and a horizontal wiring unit HE to be described later) are illustrated as examples, and thus are not limited thereto.
배선부(E)는 양극산화막 시트(A)에 형성된 관통홀(EH)에 충진될 수 있다. 이 경우, 관통홀(EH)은 배선부(E)를 구비하는 배선홀로서 기능할 수 있다. The wiring part E may be filled in the through hole EH formed in the anodized film sheet A. In this case, the through hole EH may function as a wiring hole including the wiring part E.
배선부(E)는 관통홀(EH)에 충진되는 수직 배선부(VE) 및 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 구비되되 수직 배선부(VE)와 연결되도록 구비되는 수평 배선부(HE)를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한 배선부(E)는 전도성을 갖는 재질로 구성되고, 이에 대한 한정은 없다.The wiring part (E) is provided on at least one surface of the vertical wiring part (VE) filled in the through hole (EH) and the anodization film sheet (A) and the horizontal wiring part (HE) provided to be connected to the vertical wiring part (VE) It may be composed of The wiring part E is made of a conductive material, and there is no limitation thereto.
수직 배선부(VE)는 양극산화막 시트(A)에 금속 물질을 충진하기 위한 관통홀(EH)을 형성한 다음, 관통홀(EH)에 금속 물질을 충진함으로써 구비될 수 있다. 수평 배선부(HE)는 일 예로서 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. The vertical wiring part VE may be provided by forming a through hole EH for filling the anodization film sheet A with a metal material and then filling the metal material in the through hole EH. The horizontal wiring unit HE may be formed by patterning in an island shape, for example.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 배선부(E)를 구비할 경우 전기적 연결 기능을 수행하는 구성품으로 이용될 수 있다. 이 경우, 열전도부(HC1)는 배선부(E)와 서로 절연되는 구조로 구비될 수 있다. The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may be used as a component that performs an electrical connection function when the wiring part E is provided. In this case, the heat-conducting part HC1 may be provided in a structure insulated from the wiring part E.
구체적으로, 도 1에 도시된 바와 같이 열전도부(HC1)는 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 구비된 수직 배선부(VE)와 인접하는 주변의 일부 영역을 제외한 나머지 영역에 구비될 수 있다. 보다 구체적으로, 열전도부(HC1)는 수직 배선부(VE)와 인접하는 주변의 기공(P)에는 충진되지 않고, 수직 배선부(VE)와 인접하는 주변의 기공(P)을 제외한 나머지 기공(P)에 충진될 수 있다. 이로 인해, 열전도부(HC1)는 표면측 양극산화막 시트(SA)에 구비되는 배선부(E)와 이격 거리를 두고 구비되어 절연될 수 있다.Specifically, as shown in FIG. 1 , the heat conduction unit HC1 may be provided in the remaining area except for a partial area adjacent to the vertical wiring unit VE provided on the anodization film sheet SA located on the surface side. can More specifically, the heat conduction part HC1 is not filled in the pores P adjacent to the vertical wiring part VE, and the remaining pores except for the pores P adjacent to the vertical wiring part VE ( P) can be filled. For this reason, the heat conduction part HC1 may be insulated by being spaced apart from the wiring part E provided on the surface-side anodization film sheet SA.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 배선부(E)를 포함하여 구성될 경우, 일 예로서 반도체 분야의 프로브 카드(PC)의 공간 변환기(10) 또는 인터포저(20)로서 구비되어 전기적 연결 기능을 수행할 수 있다. 이 때 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 열용량이 감소되고, 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 온도 상승 과정에 의한 휨 변형이 발생하지 않고 효과적으로 필요 온도 범위까지 온도 상승할 수 있다. When the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention is configured to include the wiring part (E), as an example, the
양극산화막은 고온 환경의 공정 수행을 위해 온도를 급작스럽게 상승시킬 경우, 휨 변형이 발생할 수 있다. 양극산화막의 휨 변형은 제품의 성능 저하 문제를 야기할 수 있다.When the temperature of the anodized film is suddenly increased to perform a process in a high-temperature environment, warpage may occur. Warpage deformation of the anodized film may cause product performance degradation.
하지만 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 열용량이 감소되어 적은 열량으로도 쉽게 온도 변화할 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 열전도율이 향상되어 특정 공정을 수행하기 위해 필요한 온도 범위까지 신속한 열전도가 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 휨 변형이 방지되면서 효과적인 온도 상승 과정이 이루어질 수 있다. However, since the heat capacity of the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention is reduced by the heat conduction unit HC1, the temperature can be easily changed even with a small amount of heat. In addition, in the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, thermal conductivity is improved by the heat conduction unit HC1, so that rapid heat conduction can be achieved up to a temperature range required to perform a specific process. Therefore, in the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, an effective temperature increase process can be made while bending deformation is prevented by the heat conduction part HC1.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 양극산화막 구조체(AS)의 전체 면적 중 표면측의 적어도 일부의 면적이 열전도부(HC1)로 구성되도록 형성될 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 고온의 환경의 공정을 수행하기 위한 필요 온도 범위까지 효과적으로 온도 상승할 수 있고, 필요 온도 범위까지 온도 상승했을 때는 고온의 온도에 의해 쉽게 열변형하지 않을 수 있다. 그 결과 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 반도체 분야 또는 디스플레이 분야를 포함하는 산업 분야에서 고온의 환경의 공정을 수행할 경우, 높은 내구성을 가지면서 공정 수행의 시간은 단축할 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may be formed so that at least a portion of the surface side of the total area of the anodization film structure AS is constituted by the heat conduction part HC1. For this reason, the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention can effectively increase the temperature up to the required temperature range for performing the process in a high temperature environment, and when the temperature rises to the required temperature range, the high temperature temperature It may not be easily thermally deformed by As a result, the anode oxide film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention has high durability when performing a process in a high temperature environment in an industrial field including a semiconductor field or a display field. It can have a shortening effect.
상술한 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 일 예로서 배선부(E)를 포함하여 구성되고, 배선부(E)는 관통홀(EH)에 구비될 수 있다. 이 경우, 관통홀(EH)은 배선홀로서 기능하고, 이를 구비하는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 전기적 연결 기능을 수행하는 구성으로서 기능할 수 있다.The anode oxide film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention described above may include, for example, the wiring part E, and the wiring part E may be provided in the through hole EH. In this case, the through hole EH functions as a wiring hole, and the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention having the same may function as a configuration for performing an electrical connection function.
이와는 달리, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 관통홀(EH)에 배선부(E)를 구비하지 않고, 유체가 통과하는 관로로서 관통홀(EH)을 구비할 수 있다. 관통홀(EH)이 유체가 통과하는 관로로서 기능할 경우, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 관통홀(EH)을 통과하는 유체를 주변 환경으로부터 단열시키는 기능을 수행하게 된다.On the other hand, the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention does not include the wiring portion E in the through hole EH, but has the through hole EH as a conduit through which the fluid passes. can When the through hole (EH) functions as a conduit through which the fluid passes, the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention insulates the fluid passing through the through hole (EH) from the surrounding environment. will perform
또한, 관통홀(EH)은 고체가 통과하는 관로로서 기능할 수도 있다. 관통홀(EH)을 통과하는 고체는, 예를 들어, 특정 사이즈의 파티클일 수 있다. 이 경우, 관통홀(EH)은 파티클을 필터링하는 필터로서 기능할 수 있다. In addition, the through hole EH may function as a conduit through which the solid passes. The solid passing through the through hole EH may be, for example, a particle of a specific size. In this case, the through hole EH may function as a filter for filtering particles.
또 다른 예로 관통홀(EH)을 통과하는 고체는 벌크 형태의 물질일 수 있다. 일 예로서 프로브(30)일 수 있다. 이 경우, 관통홀(EH)은 프로브(30)가 삽입되어 구비되는 가이드 구멍으로서 기능할 수 있다. 관통홀(EH)이 가이드 구멍으로서 기능할 경우, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 프로브(30)의 선단을 안내하는 가이드 플레이트(GP)로서 기능할 수 있다. As another example, the solid passing through the through hole EH may be a bulk material. As an example, it may be the
본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 양극산화막 구조체Anodizing film structure according to a second preferred embodiment of the present invention
도 2는 본 발명의 바람직한 제2실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다. 제2실시 예는 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 열전도부(HC2)가 구비되는 홀(H)을 포함하여 구성된다는 점에서 열전도부(HC1)가 기공(P)에 구비되는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)와 차이가 있다. 이를 제외한 나머지 구성은 동일하므로, 이하에서는 특징적인 구성을 중점적으로 설명한다.2 is a view showing an anodized film structure according to a second preferred embodiment of the present invention. In the second embodiment, the heat conduction portion HC1 is provided in the pore P in that it is configured to include a hole H provided with the heat conduction portion HC2 in the anodization film sheet SA located on the surface side. There is a difference from the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention. Since the rest of the configuration is the same except for this, the characteristic configuration will be mainly described below.
도 2에서는 제2실시 예가 배선부(E)를 포함하여 구성되는 것으로 도시하였으나, 배선부(E)는 제2실시 예의 이용 분야, 구성 및 기능에 따라 구비되지 않을 수도 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제2실시 예가 배선부(E)를 포함하여 구성될 경우, 일 예로서 제2실시 예는 배선부(E)를 통해 전기적인 연결 기능을 수행하는 구성으로 이용될 수 있다.Although FIG. 2 illustrates that the second embodiment is configured to include the wiring unit E, the wiring unit E may not be provided depending on the field of use, configuration, and function of the second embodiment. As shown in FIG. 2 , when the second embodiment is configured to include the wiring unit E, as an example, the second embodiment may be used as a configuration for performing an electrical connection function through the wiring unit E. can
도 2에 도시된 바와 같이, 제2실시 예는 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 홀(H)을 구비할 수 있다. 홀(H)은 일 예로서 양극산화막 시트(A)에 에칭 용액을 이용한 에칭 공정을 수행함으로써 형성될 수 있다. 홀(H)을 형성하는 방법은 이에 한정되지 않고, 적합한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. As shown in FIG. 2 , in the second embodiment, a hole H may be provided in the anodization film sheet SA positioned on the surface side. The hole H may be formed, for example, by performing an etching process using an etching solution on the anodized film sheet A. The method of forming the hole H is not limited thereto, and may be formed using a suitable method.
일 예로서, 홀(H)은 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 이격 거리를 두고 복수개 구비될 수 있다. 홀(H)은 홀(H)간에 이격 거리를 두고 형성되되, 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 구비된 배선부(E)와 졀연되도록 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. As an example, a plurality of holes H may be provided at a distance apart from each other in the anodization film sheet SA positioned on the surface side. The holes H may be formed with a separation distance between the holes H, and may be formed with a spaced distance apart from the wiring portion E provided on the anodization film sheet SA positioned on the surface side.
홀(H)은 도 2에 도시된 개수에 한정되지 않고, 표면측 양극산화막 시트(SA)에 각각 한 개씩 단수개 구비될 수도 있다. 또한, 홀(H)은 수직 배선부(VE)를 구비하는 관통홀(EH)보다 큰 내경으로 형성될 수 있고, 작은 내경으로 형성될 수도 있다. 열전도부(HC2)를 구비하는 홀(H)의 크기는 한정되지 않는다.The number of holes H is not limited to the number shown in FIG. 2 , and a single hole H may be provided in each of the surface-side anodization film sheets SA. In addition, the hole H may have a larger inner diameter than the through hole EH having the vertical wiring portion VE, or may have a smaller inner diameter. The size of the hole H including the heat conduction part HC2 is not limited.
홀(H)에는 열전도부(HC2)가 구비될 수 있다. 열전도부(HC2)는 기공(P)에 충진되는 원자층 증착법과 동일한 방법으로 충진될 수 있다. 다만, 홀(H)에 열전도부(HC2)를 구비하는 방법은 이에 한정되지 않는다.A heat conduction unit HC2 may be provided in the hole H. The heat conduction portion HC2 may be filled in the same manner as the atomic layer deposition method for filling the pores P. However, the method of providing the heat conduction unit HC2 in the hole H is not limited thereto.
제2실시 예는 열전도부(HC2)를 구비함으로써 열용량이 감소되어 적은 열량으로도 쉽게 온도 변화가 이루어질 수 있다. 이로 인해 제2실시 예는 특정 공정을 수행하기 위해 제품의 온도를 변화시키는 과정에 소요되는 시간이 단축될 수 있다. In the second embodiment, since the heat conduction unit HC2 is provided, the heat capacity is reduced, so that the temperature can be easily changed even with a small amount of heat. Accordingly, in the second embodiment, the time required for the process of changing the temperature of the product to perform a specific process may be reduced.
또한, 제2실시 예는 열전도부(HC2)에 의해 열전도율이 향상되어 특정 공정을 위한 필요한 온도 범위까지 신속한 열전도가 이루어질 수 있다. 온도 범위까지 신속한 온도 분포가 될 수 있다. 그 결과 특정 공정을 위한 준비 과정 및 공정 수행이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다.In addition, in the second embodiment, thermal conductivity is improved by the heat conduction unit HC2, so that rapid heat conduction can be achieved up to a temperature range required for a specific process. It can be a rapid temperature distribution up to the temperature range. As a result, preparation for a specific process and process execution can be performed more efficiently.
본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 양극산화막 구조체Anodizing film structure according to a third preferred embodiment of the present invention
도 3은 본 발명의 바람직한 제3실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다. 제3실시 예는 양극산화막 시트(A)의 표면에 열전도부(HC3)를 구비한다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)와 차이가 있다.3 is a view showing an anodization film structure according to a third preferred embodiment of the present invention. The third embodiment is different from the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention in that the heat conduction unit HC3 is provided on the surface of the anodization film sheet A.
도 3에서는 제3실시 예가 배선부(E)를 포함하여 구성되는 것으로 도시하였으나, 제3실시 예는 이용되는 분야, 구성 및 기능에 따라 적합한 구성을 포함하여 구성될 수 있다.In FIG. 3 , the third embodiment is illustrated as being configured to include the wiring unit E, but the third embodiment may be configured to include a suitable configuration according to the field, configuration, and function used.
도 3에 도시된 바와 같이, 열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 표면에 아일랜드 형태로 구비될 수 있다. 다시 말해, 열전도부(HC3)는 제3실시 예를 구성하는 복수개의 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 구비될 수 있다. 제3실시 예는 표면측 양극산화막 시트(SA) 및 내부측 양극산화막 시트(IA)를 포함하는 양극산화막 시트(A)로 구성될 수 있다. 따라서, 열전도부(HC3)는 표면측 양극산화막 시트(SA) 및 내부측 양극산화막 시트(IA)의 적어도 일면에 구비될 수 있다.As shown in FIG. 3 , the heat conduction unit HC3 may be provided on the surface of the anodization film sheet A in the form of an island. In other words, the heat conduction unit HC3 may be provided on at least one surface of the plurality of anodization film sheets A constituting the third embodiment. The third embodiment may be composed of an anodization film sheet A including a surface side anodization film sheet SA and an inner side anodization film sheet IA. Accordingly, the heat conduction unit HC3 may be provided on at least one surface of the surface-side anodization film sheet SA and the inner anodization film sheet IA.
열전도부(HC3)가 양극산화막 시트(A)의 표면에 구비될 경우, 열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 구비되는 접합층(60)과 동일 평면상에 구비될 수 있다. 접합층(60)은 감광성 특성 및 접합 특성을 동시에 보유하는 구성으로 구성될 수 있다. 이에 따라 열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 구비된 접합층(60)의 일부 영역을 패터닝한 다음, 패터닝 과정에 의해 제거된 패터닝 영역에 구비될 수 있다. 이로 인해 열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 접합층(60)과 동일 평면상에 구비되는 구조로 형성될 수 있다.When the heat conduction unit HC3 is provided on the surface of the anodization film sheet A, the heat conduction unit HC3 may be provided on the same plane as the
열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 표면에 구비되되, 배선부(E)와 절연되도록 구비될 수 있다. The heat conduction part HC3 may be provided on the surface of the anodization film sheet A, and may be provided to be insulated from the wiring part E.
구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 표면측 양극산화막 시트(SA)의 표면에 구비되는 열전도부(HC3)는, 열전도부(HC3)와 표면측 양극산화막 시트(SA)에 구비된 수직 배선부(VE)의 양극산화막의 표면에 대한 수직 투영 영역 사이에 여유 공간(AF)을 두고 구비될 수 있다. 이에 따라 표면측 양극산화막 시트(SA)의 수직 배선부(VE)의 표면 및, 수직 배선부(VE)와 인접하는 주변 양극산화막의 적어도 일부의 기공(P)의 표면은 노출될 수 있다. 이 때, 표면의 노출된 기공(P)을 통해 외부 이물질이 유입되지 않도록 별도의 차폐부가 구비될 수 있다. 차폐부는 표면의 기공을 막는 기능을 수행할 수 있는 것이라면 그 재질, 형상, 두께에는 한정이 없다. 다만 바람직하게는 차폐부는 열전도부(HC3)와 수직 배선부(VE) 사이에 구비되므로 절연 특성을 갖는 구성으로 구비될 수 있다. 차폐부는, 표면측 양극산화막 시트(SA)를 배리어층 및 다공층(PL)을 포함하는 구조로 구비하여, 배리어층을 통해 외부 이물질의 유입이 차단될 수도 있다.Specifically, as shown in FIG. 3 , the heat conduction unit HC3 provided on the surface of the surface side anodization film sheet SA is a vertical wiring provided on the heat conduction unit HC3 and the surface side anodization film sheet SA. It may be provided with an extra space AF between the negative VE and the vertical projection areas on the surface of the anodized film. Accordingly, the surface of the vertical wiring portion VE of the surface-side anodization film sheet SA and the surface of at least a portion of the pores P of the peripheral anodization film adjacent to the vertical wiring portion VE may be exposed. At this time, a separate shielding part may be provided so that foreign substances do not flow through the pores (P) exposed on the surface. The shielding part is not limited in material, shape, and thickness as long as it can perform the function of blocking pores on the surface. However, preferably, since the shielding part is provided between the heat conductive part HC3 and the vertical wiring part VE, it may be provided in a configuration having an insulating characteristic. The shielding unit may include the surface-side anodization film sheet SA having a structure including a barrier layer and a porous layer PL, so that the inflow of external foreign substances through the barrier layer may be blocked.
내부측 양극산화막 시트(IA)의 표면에도 열전도부(HC3)가 구비될 수 있다. 열전도부(HC3)는 내부측 양극산화막 시트(IA)의 표면에 구비되어 수평 배선부(HE) 및 접합층(60)과 동일한 평면상에 구비될 수 있다. 열전도부(HC3)는 수평 배선부(HE)와 이격 거리를 두고 구비되어 수평 배선부(HE)와 절연되는 구조를 형성할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 수평 배선부(HE), 접합층(60) 및 열전도부(HC3)는 동일 평면상에 구비되고 수평 배선부(HE) 및 열전도부(HC3)는 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. 따라서, 열전도부(HC3)는 접합층(60)을 사이에 두고 수평 배선부(HE)와 이격 거리를 두고 구비될 수 있다.A heat conduction unit HC3 may also be provided on the surface of the inner anodized film sheet IA. The heat conduction unit HC3 may be provided on the surface of the inner anodization film sheet IA and be provided on the same plane as the horizontal wiring unit HE and the
열전도부(HC3)는 양극산화막 시트(A)의 표면에 구비되어 각 층의 양극산화막 시트 사이에서 열용량을 감소시키고, 열전도율을 향상시킬 수 있다. 이로 인해 제3실시 예는 특정 공정을 수행하기 위한 전처리 과정(구체적으로, 필요 온도 범위까지의 제품의 온도 상승 과정) 및 특정 공정 수행 시간을 단축시킬 수 있다. 이와 동시에 제3실시 예는 양극산화막 재질로 구성됨으로써 고온의 환경에서 공정 수행시 고온의 온도에 의한 열변형 방지 효과도 발휘할 수 있다. The heat conduction unit HC3 may be provided on the surface of the anodized film sheet A to reduce heat capacity between the anodized film sheets of each layer and improve thermal conductivity. For this reason, the third embodiment can shorten the pretreatment process (specifically, the process of increasing the temperature of the product up to the required temperature range) for performing the specific process and the specific process execution time. At the same time, since the third embodiment is made of an anodized film material, it is possible to exhibit the effect of preventing thermal deformation due to high temperature when the process is performed in a high temperature environment.
본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체Anodizing film structure according to a fourth preferred embodiment of the present invention
도 4는 본 발명의 바람직한 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 도시한 도이다. 제4실시 예는 양극산화막 시트(A)의 내부에 열전도부(HC4)가 구비된다는 점에서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 시트(A)와 차이가 있다.4 is a view showing an anodic oxide film structure according to a fourth preferred embodiment of the present invention. The fourth embodiment is different from the anodization film sheet A according to the first preferred embodiment of the present invention in that the heat conduction unit HC4 is provided inside the anodization film sheet A.
도 4에서는 제4실시 예가 배선부(E)를 포함하여 구성되는 것으로 도시하였으나, 제4실시 예는 이용되는 분야, 구성 및 기능에 따라 적합한 구성을 포함하여 구성될 수 있다.In FIG. 4 , the fourth embodiment is illustrated as including the wiring unit E, but the fourth embodiment may include a suitable configuration according to the field, configuration, and function used.
도 4에 도시된 바와 같이, 열전도부(HC4)는 양극산화막 시트(A)의 내부에 구비될 수 있다. 구체적으로, 표면측 양극산화막 시트(SA) 및 내부측 양극산화막 시트(IA)에는 홀(H)이 형성될 수 있다. 홀(H)은 도 2를 참조하는 제3실시 예의 홀 형성 방법과 동일한 방법으로 구비될 수 있다. 다만, 홀 형성 방법은 이에 한정되지 않는다. 홀(H)은 양극산화막 시트(A) 내부에 구비되는 수직 배선부(VE)와 이격 거리를 두고 형성될 수 있다. 또한, 홀(H)은 양극산화막 시트(A)의 적어도 일면에 구비되는 수평 배선부(HE)의 양극산화막에 대한 수직 투영 영역과 여유 공간(AF)을 두고 형성될 수 있다. 이로 인해 홀(H)에 열전도부(HC4)를 구비할 경우, 열전도부(HC4)가 배선부(E)와 절연되는 구조로 구비될 수 있다.As shown in FIG. 4 , the heat conduction unit HC4 may be provided inside the anodization film sheet A. As shown in FIG. Specifically, holes H may be formed in the surface-side anodization film sheet SA and the inner anodization film sheet IA. The hole H may be provided in the same way as the hole forming method of the third embodiment with reference to FIG. 2 . However, the hole forming method is not limited thereto. The hole H may be formed to be spaced apart from the vertical wiring portion VE provided in the anodized film sheet A. In addition, the hole H may be formed with a vertical projection area for the anodization film of the horizontal wiring unit HE provided on at least one surface of the anodization film sheet A and the free space AF. For this reason, when the heat-conducting part HC4 is provided in the hole H, the heat-conducting part HC4 may be provided in a structure insulated from the wiring part E.
홀(H)에는 열전도부(HC4)가 충진될 수 있다. 열전도부(HC4)를 충진하는 방법은 원자층 증착법이 이용될 수 있고, 이에 한정되지 않는다. 도 4에 도시된 바와 같이, 열전도부(HC4)는 각 층의 양극산화막 시트(A)에 구비된 홀(H)에 충진됨으로써, 양극산화막 시트(A)의 내부에 구비될 수 있다. 이에 따라 제4실시 예는 내부에 열전도부(HC4)를 구비할 수 있다.A heat conduction part HC4 may be filled in the hole H. A method of filling the heat conductive portion HC4 may be an atomic layer deposition method, but is not limited thereto. As shown in FIG. 4 , the heat conduction part HC4 may be provided inside the anodization film sheet A by filling the holes H provided in the anodization film sheet A of each layer. Accordingly, the fourth embodiment may include the heat conduction unit HC4 therein.
제4실시 예는 내부에 열전도부(HC4)를 구비함으로써 열용량을 감소시킬 수 있다. 또한, 제4실시 예는 내부에 구비되는 열전도부(HC4)에 의해 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 제4실시 예는 특정 공정을 수행하기 위한 필요 온도 범위까지 쉽게 온도 변화하고, 효과적으로 온도 상승 또는 하강할 수 있다. 그 결과 특정 공정에 소요되는 시간이 단축될 수 있다.In the fourth embodiment, the heat capacity may be reduced by including the heat conduction unit HC4 therein. In addition, in the fourth embodiment, thermal conductivity may be improved by the heat conduction unit HC4 provided therein. Due to this, in the fourth embodiment, the temperature can be easily changed up to a temperature range required for performing a specific process, and the temperature can be effectively increased or decreased. As a result, the time required for a specific process can be reduced.
본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체Anodizing film structure according to a fifth preferred embodiment of the present invention
본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는, 양극산화막 구조체로 형성된 본 발명의 바람직한 제1 내지 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 결합한 구조로 형성될 수 있다.The anodization film structure according to the fifth preferred embodiment of the present invention may be formed by combining the anodization film structures according to the first to fourth preferred embodiments of the present invention formed of the anodization film structure.
구체적으로, 본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는, 본 발명의 바람직한 제1 내지 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 각각 구비하고, 접합층에 의해 서로 접합하여 적층된 구조로 형성될 수 있다.Specifically, the anodized film structure according to the fifth preferred embodiment of the present invention is provided with the anodized film structure according to the first to fourth preferred embodiments of the present invention, respectively, and has a laminated structure by bonding to each other by a bonding layer. can be formed.
이와는 달리, 본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는, 표면측에 위치하는 양극산화막 시트(SA)에 열전도부(HC1)를 구비하고, 내부측에 위치하는 양극산화막 시트(IA)에 본 발명의 바람직한 제2 내지 제4실시 예에 따른 열전도부(HC2, HC3, HC4)를 구비할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 각각의 본 발명의 바람직한 제1 내지 제4실시 예에 따른 양극산화막 구조체의 열전도부(HC1, HC2, HC3, HC4)가 하나의 구조체에 구비되는 구조로 형성될 수도 있다.On the contrary, in the anodization film structure according to the fifth preferred embodiment of the present invention, the heat conduction part HC1 is provided on the anodization film sheet SA located on the surface side, and the anodization film sheet IA located on the inside side. may be provided with heat conduction units HC2, HC3, and HC4 according to the second to fourth preferred embodiments of the present invention. Accordingly, in the anodization film structure according to the fifth embodiment of the present invention, the heat conduction parts HC1, HC2, HC3, HC4 of the anodization film structure according to the first to fourth preferred embodiments of the present invention are in one structure. It may be formed in a provided structure.
본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 표면측 양극산화막 시트(SA) 및 내부측 양극산화막 시트(IA)에 각각 다른 형태로 열전도부(HC1, HC2, HC3, HC4)를 구비할 수 있다.The anodization film structure according to the fifth preferred embodiment of the present invention may include heat conduction units HC1, HC2, HC3, HC4 in different shapes on the surface side anodization film sheet SA and the inner side anodization film sheet IA. can
본 발명의 바람직한 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 열전도부에 의해 열용량이 감소되고 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 고온의 환경의 공정을 수행하기 위한 필요 온도 범위까지 효과적으로 온도 상승할 수 있다.In the anodized film structure according to the fifth preferred embodiment of the present invention, the heat capacity may be reduced and the thermal conductivity may be improved by the heat conduction unit. Due to this, the temperature may be effectively increased to a temperature range required for performing a process in a high temperature environment.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체를 구비하는 프로브 카드Probe card having an anodized film structure according to a first preferred embodiment of the present invention
프로브 카드(PC)는 프로브(30)를 배선 기판에 설치하는 구조 및 프로브(30)의 구조에 따라 멤스 프로브 카드(MEMS PROBE CARD, (MPC)), 수직형 프로브 카드(VERTICAL TYPE PROBE CARD, (VPC)) 및 컨틸레버형 프로브 카드(CANTILEVER TYPE PROBE CARD)로 구분될 수 있다.The probe card (PC) is a MEMS probe card (MEMS PROBE CARD, (MPC)), a vertical probe card (VERTICAL TYPE PROBE CARD, ( VPC)) and cantilever type probe card (CANTILEVER TYPE PROBE CARD).
본 발명의 바람직한 제1 내지 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 위와 같이 구분되는 프로브 카드(PC)의 종류 중 하나의 프로브 카드(PC)의 구성으로 포함되어 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1 내지 제5실시 예에 따른 양극산화막 구조체는 프로브 카드(PC)에서 수행하는 기능에 따라 적합한 구조 및 구성으로 구비될 수 있다. 이하에서는 일 예로서 프로브 카드(PC)에 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)가 구비되는 것으로 설명한다.The anodization film structure according to the first to fifth preferred embodiments of the present invention may be included in the configuration of one of the probe cards PC divided as described above. The anodization film structure according to the first to fifth preferred embodiments of the present invention may be provided in a suitable structure and configuration according to the function performed by the probe card (PC). Hereinafter, as an example, it will be described that the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention is provided on the probe card PC.
예컨대, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 프로브(30)와 회로 기판(40) 사이에 구비되어 프로브(30)와 회로 기판(40) 사이의 피치 간의 차이를 보상하는 공간 변환기(10)에 구비될 수 있다. 이 경우, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 공간 변환기(10)로서 기능하기 적합한 구조 및 구성(구체적으로, 배선부(E))으로 제공될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 하나의 예로서 멤스 프로브 카드(MPC)에 구비될 수 있다. 도 5를 참조하여 구체적으로 설명한다.For example, the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention is provided between the
도 5는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 공간 변환기(10)로서 구비하는 멤스 프로브 카드(MPC)를 개략적으로 도시한 도이다. 5 is a diagram schematically illustrating a MEMS probe card (MPC) having an anodized film structure (AS) as a space converter (10) according to a first preferred embodiment of the present invention.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 멤스 프로브 카드(MPC)는 복수개의 프로브(30), 복수개의 프로브(30)와 전기적으로 연결되는 프로브 접속 패드(10a)를 구비하는 공간 변환기(10), 공간 변환기(10)와 회로 기판(40) 사이에서 공간 변환기(10)와 회로 기판(40)을 전기적으로 연결하는 인터포저(20)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 5 , the MEMS probe card (MPC) according to the first preferred embodiment of the present invention includes a plurality of
공간 변환기(10)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 포함하여 구성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 공간 변환기(10)로서 기능할 수 있다.The
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 복수개의 양극산화막 시트(A)가 적층되어 구성되고 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 열용량을 감소시키는 열전도부(HC1)를 포함할 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 공간 변환기(10)로서 기능하므로 배선부(E)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 도 5에 도시된 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 배선부(E)의 구조는 일 예로서 도시된 것이므로 이에 한정되지 않는다.The anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention is configured by stacking a plurality of anodization film sheets (A) and reduces the heat capacity of the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention It may include a heat conduction unit HC1. Since the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention functions as the
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)를 구비함으로써 열용량을 감소시킬 수 있다. 이로 인해 쉽게 온도 변화할 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 특정 공정을 수행하기 위한 필요 온도 범위까지 신속하게 열전도되어 온도가 상승할 수 있다.The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention includes the heat conduction unit HC1 to reduce heat capacity. This can easily change the temperature. In addition, in the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, thermal conductivity may be improved by the heat conduction unit HC1. Due to this, heat may be rapidly conducted to a temperature range required to perform a specific process, thereby increasing the temperature.
프로브 카드(PC)는 위와 같은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 구비하여 고온의 환경에서 수행되는 특정 공정을 보다 효율적으로 수행할 수 있게 된다. The probe card (PC) is provided with the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention as described above, so that a specific process performed in a high temperature environment can be performed more efficiently.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 열용량이 감소하고, 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 무리하게 온도를 상승시키기 위한 과정을 수행하지 않더라도 효과적으로 온도 변화할 수 있다. 따라서 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 급작스러운 온도 변화로 인해 휨 변형이 발생하는 문제가 방지될 수 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 휨 변형에 의해 웨이퍼(W)의 전극 패드(WP)와 프로브(30)간의 접촉 위치가 어긋나는 문제가 방지될 수 있다.In the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, the heat capacity may be reduced by the heat conduction unit HC1 and the thermal conductivity may be improved. For this reason, the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention can effectively change the temperature without performing a process for forcibly increasing the temperature. Accordingly, in the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, a problem in which bending deformation occurs due to abrupt temperature change can be prevented. In addition, in the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention, a problem in which the contact position between the electrode pad WP of the wafer W and the
또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 번인 테스트와 같은 고온의 환경의 특정 공정을 수행하기 위한 필요 온도 범위까지 온도 상승되는 준비 과정에 소요되는 시간이 단축될 수 있다. 그 결과 보다 효율적인 공정 수행이 가능해질 수 있다.In addition, in the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention, the time required for the preparation process in which the temperature is raised to the required temperature range for performing a specific process in a high temperature environment, such as a burn-in test, can be reduced. have. As a result, a more efficient process may be performed.
도 6은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 공간 변환기(10)로서 구비하는 수직형 프로브 카드(VPC)를 개략적으로 도시한 도이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 인터포저(20)로서 구비하는 수직형 프로브 카드(VPC')를 개략적으로 도시한 도이다.6 is a diagram schematically illustrating a vertical probe card (VPC) having an anodized film structure AS as a
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 수직형 프로브 카드(VPC)에 구비될 경우, 공간 변환기(10) 또는 인터포저(20)로 이용될 수 있다. 이 경우, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 수직형 프로브 카드(VPC)의 구조에 따라 적합한 구성으로 구비될 수 있다.When provided in the vertical probe card (VPC), the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may be used as the
도 6을 참조하여 수직형 프로브 카드(VPC)에 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)가 공간 변환기(10)로서 구비되는 경우에 대해 설명한다.A case in which the anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention is provided as the
수직형 프로브 카드(VPC)는 복수개의 프로브(30)와 전기적으로 연결되는 프로브 접속 패드(10a)를 구비하는 공간 변환기(10), 공간 변환기(10)와 회로 기판 사이에서 공간 변환기(10)와 회로 기판(40)을 전기적으로 연결하는 인터포저(20) 및 공간 변환기(10)의 하부에 구비되는 프로브 헤드(PH)를 포함하여 구성될 수 있다.A vertical probe card (VPC) includes a
도 6에 도시된 바와 같이, 공간 변환기(10)를 구성하는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)의 상측으로 회로 기판(40)이 구비될 수 있다. 또한, 하측에 프로브 헤드(PH)가 구비될 수 있다.As shown in FIG. 6 , the
본 발명이 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)가 수직형 프로브 카드(VPC)에 공간 변환기(10)로서 구비될 경우, 하측에 가이드 플레이트(GP)를 포함하는 프로브 헤드(PH)를 구비한다는 점에서 도 5를 참조하여 설명한 멤스 프로브 카드(MPC)의 공간 변환기(10)와 차이가 있다. 다시 말해, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)와 결합되는 주변 구성품에 있어서 차이가 있다. 이를 제외한 기능 및 효과는 동일할 수 있다.When the anodization film structure (AS) according to the first preferred embodiment of the present invention is provided as the
보다 구체적으로, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 열전도부(HC1)에 의해 효과적으로 온도 변화할 수 있다. 이에 따라 급작스러운 온도 상승 과정에 의한 휨 변형이 방지될 수 있다. 그 결과 프로브 헤드(PH)에 구비되는 프로브(30)와, 프로브 접속 패드(10a)간의 접촉 위치가 어긋나는 문제가 방지될 수 있다.More specifically, the temperature of the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention can be effectively changed by the heat conduction unit HC1. Accordingly, bending deformation caused by a sudden temperature rise process can be prevented. As a result, a problem in which a contact position between the
프로브 헤드(PH)는 프로브(30)가 삽입되는 가이드 구멍이 형성된 가이드 플레이트(GP) 및 가이드 플레이트(GP)를 지지하는 플레이트(P)를 포함하여 구성될 수 있다. 가이드 플레이트(GP)는 프로브(30)를 지지하여 프로브(30)의 침저를 정확하게 위치 결정하는 기능을 수행할 수 있다.The probe head PH may include a guide plate GP having a guide hole into which the
일 예로서, 가이드 플레이트(GP)는 상부 가이드 플레이트(UGP), 하부 가이드 플레이트(LGP) 및 중간부 가이드 플레이트(MGP)를 포함하여 구성될 수 있다. 가이드 플레이트(GP)는 제1, 2플레이트(100, 200)를 포함하는 플레이트(P)에 지지되는 구조로 구비될 수 있다.As an example, the guide plate GP may include an upper guide plate UGP, a lower guide plate LGP, and an intermediate guide plate MGP. The guide plate GP may be provided in a structure supported by the plate P including the first and
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 관통홀(EH)을 프로브(30)를 지지하는 가이드 구멍으로서 제공할 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)는 가이드 플레이트(GP)로서 제공될 수 있다.The anodization film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention may provide the through hole EH as a guide hole for supporting the
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)가 가이드 플레이트(GP)로서 제공될 경우, 열용량이 감소되고, 열전도율이 향상된 가이드 플레이트(GP)가 구현될 수 있다. 이에 따라 가이드 플레이트(GP)를 고온의 환경에서 수행되는 특정 공정의 필요 온도 범위까지 온도 상승시키는 과정에 소요되는 시간이 단축되어 보다 효율적인 공정이 수행될 수 있다.When the anodized film structure AS according to the first preferred embodiment of the present invention is provided as the guide plate GP, the guide plate GP with reduced heat capacity and improved thermal conductivity can be implemented. Accordingly, the time required for the process of raising the temperature of the guide plate GP to the required temperature range of a specific process performed in a high-temperature environment is shortened, so that a more efficient process can be performed.
도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')는 인터포저(20')로서 수직형 프로브 카드(VPC')에 구비될 수 있다. 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')가 인터포저(20')로서 기능할 경우, 배선부(E)의 구조가 변형된 구조로 구비될 수 있다. 일 예로서, 배선부(E)는 수직 배선부(VE)로만 구성되어 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)를 상, 하 관통하는 수직한 구조로 구비될 수 있다. 배선부(E)의 구조는 이에 한정되지 않는다.As shown in FIG. 7 , the anodization film structure AS′ according to the first preferred embodiment of the present invention may be provided in the vertical probe card VPC′ as the interposer 20′. When the anodization film structure AS' according to the first preferred embodiment of the present invention functions as the interposer 20', the structure of the wiring part E may be provided in a modified structure. As an example, the wiring unit E may include only the vertical wiring unit VE, and may have a vertical structure penetrating the anodization film structure AS according to the first exemplary embodiment of the present invention. The structure of the wiring part E is not limited thereto.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')가 인터포저(20')로서 수직형 프로브 카드(VPC')에 구비될 경우, 배선부(E)가 다른 구조로 구비된다는 점을 제외한 나머지 구성은 상술한 설명과 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략한다.When the anodization film structure AS' according to the first preferred embodiment of the present invention is provided in the vertical probe card VPC' as the interposer 20', the wiring part E is provided in a different structure. Except for , the rest of the configuration is the same as described above. Accordingly, a detailed description of the same configuration will be omitted.
도 7에 도시된 바와 같이, 프로브(30)와 회로 기판(40) 사이의 피치 간의 차이를 보상하지 않아도 되는 경우, 수직형 프로브 카드(VPC')는 공간 변환기(10)를 구비하지 않을 수 있다. 이에 따라 수직형 프로브 카드(VPC')는 프로브 헤드(PH), 회로 기판(40) 및 프로브(30)와 회로 기판(40) 사이에 구비되어 회로 기판(40)과 프로브(30)를 전기적으로 연결하는 인터포저(20')를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 7 , when it is not necessary to compensate for the difference between the pitch between the
인터포저(20)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')를 포함하여 구성될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')는 인터포저(20')로서 기능할 수 있다.The interposer 20 may be configured to include the anodization film structure AS′ according to the first preferred embodiment of the present invention. Accordingly, the anodized film structure AS' according to the first preferred embodiment of the present invention may function as the interposer 20'.
도 7에 도시된 바와 같이, 수직 배선부(VE)는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')를 상, 하 관통하고, 일단(20a)이 프로브 측으로 돌출되도록 구비될 수 있다. 돌출된 일단(20a)은 프로브(30)와 접촉하여 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS)와 프로브(30)간의 전기적 연결이 수행될 수 있다.As shown in FIG. 7 , the vertical wiring unit VE passes through the anodization film structure AS′ according to the first preferred embodiment of the present invention at the top and bottom, and has one
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')는 열전도부(HC1)에 의해 열용량이 감소되고, 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 특정 공정 수행을 위한 필요 온도 범위까지 쉽게 온도 변화하고, 열전도 과정이 효과적으로 이루어져 신속하게 온도 상승할 수 있다. 수직형 프로브 카드(VPC')는 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')를 인터포저(20')로서 구비하여 고온의 환경에서 수행되는 특정 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 이로 인해 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS')를 포함하는 프로브 카드(PC)는 보다 효율적인 반도체 공정을 수행할 수 있게 된다.In the anodized film structure AS' according to the first preferred embodiment of the present invention, the heat capacity may be reduced by the heat conduction unit HC1, and the thermal conductivity may be improved. Due to this, the temperature can be easily changed up to the temperature range required for performing a specific process, and the heat conduction process can be effectively performed to quickly increase the temperature. The vertical probe card (VPC') includes the anodization film structure (AS') according to the first preferred embodiment of the present invention as the interposer 20' to shorten the time required for a specific process performed in a high temperature environment. can do. Due to this, the probe card PC including the anodization film structure AS′ according to the first preferred embodiment of the present invention can perform a more efficient semiconductor process.
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS') 및 제1 내지 제4실시 예들은 단독으로 사용되어 그 자체가 구조체로 이용될 수 있다. 또한, 인접하는 구성과 결합된 구조체의 구조체의 일부 구성으로서 이용될 수도 있다. 또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS') 및 제1 내지 제4실시 예에 형성되는 관통홀(EH)은 고체 또는 액체를 포함하는 대상물이 지나가는 통로로서 기능할 수 있고, 관통홀(EH)을 통과하는 대상물을 주변 환경과 절연 및 단열시키는 효과를 발휘할 수 있다.The anodization film structures (AS, AS') and the first to fourth embodiments according to the first preferred embodiment of the present invention may be used alone to be used as a structure itself. It may also be used as a part of a structure of a structure combined with an adjacent structure. In addition, the anodization film structures (AS, AS') according to the first preferred embodiment of the present invention and the through holes (EH) formed in the first to fourth embodiments function as a passage through which an object containing a solid or liquid passes. It is possible to achieve the effect of insulating and insulating the object passing through the through hole (EH) from the surrounding environment.
이처럼 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS')는 관통홀(EH)의 기능에 따라 상술한 공간 변환기(10) 및 인터포저(20) 뿐만 아니라 다양한 구성으로 제공될 수 있다. As such, the anodization film structures AS and AS' according to the first preferred embodiment of the present invention may be provided in various configurations as well as the above-described
본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS')는 산업 분야에서 다양한 구성으로 제공되되, 열전도부(HC1, HC2, HC3, HC4)에 의해 열용량이 감소되고 열전도율이 향상될 수 있다. 이로 인해 공정에 따라 온도 환경이 변화하는 반도체 분야 및 디스플레이 분야를 포함하는 산업 분야에서 급작스러운 온도 변화에 의해 손상되는 문제없이 효과적으로 온도 변화할 수 있다. The anodization film structure (AS, AS') according to the first preferred embodiment of the present invention is provided in various configurations in the industrial field, the heat capacity is reduced by the heat conduction units (HC1, HC2, HC3, HC4) and the thermal conductivity is improved. can Due to this, the temperature can be effectively changed without being damaged by a sudden temperature change in the industrial field including the semiconductor field and the display field where the temperature environment is changed according to the process.
또한, 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS')는 열전도부(HC1, HC2, HC3, HC4)에 의해 특정 공정 수행을 위한 필요 온도 범위까지 제품의 온도를 상승시키는데 소요되는 시간이 단축될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 바람직한 제1실시 예에 따른 양극산화막 구조체(AS, AS')가 이용되는 산업 분야의 전체적인 공정 수행이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다. In addition, the anodization film structure (AS, AS') according to the first preferred embodiment of the present invention raises the temperature of the product to a temperature range necessary for performing a specific process by the heat conduction units (HC1, HC2, HC3, HC4). The time required can be shortened. Accordingly, the overall process performance in the industrial field in which the anodization film structure (AS, AS') according to the first preferred embodiment of the present invention is used can be performed more efficiently.
전술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 통상의 기술자는 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변형하여 실시할 수 있다.As described above, although described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art can variously modify the present invention within the scope without departing from the spirit and scope of the present invention described in the claims below. Or it can be carried out by modification.
AS: 양극산화막 구조체
A: 양극산화막 시트
HC: 열전도부
PC: 프로브 카드
10: 공간 변환기 20: 인터포저
30: 프로브 40: 회로 기판
50: 프로브 헤드 60: 접합층AS: anodic oxide film structure
A: Anodized film sheet
HC: heat conduction unit
PC: probe card
10: space transducer 20: interposer
30: probe 40: circuit board
50: probe head 60: bonding layer
Claims (10)
상기 양극산화막 구조체에 구비되어 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 열전도부는, 기공을 포함하는 다공층만을 구비하는 상기 양극산화막 시트의 상기 기공 중 적어도 일부에 구비되되,
상기 양극산화막 시트에 구비된 수직 배선부와 인접하는 주변의 기공을 제외한 나머지 기공에 구비되어 상기 수직 배선부와 이격되어 절연되는 양극산화막 구조체.
In the anodization film structure constituted by stacking a plurality of anodization film sheets,
It is provided in the anodization film structure comprising a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodization film structure,
The heat conduction part is provided in at least some of the pores of the anodized film sheet having only a porous layer including pores,
An anodization film structure provided in the remaining pores except for pores adjacent to the vertical wiring portion provided in the anodization film sheet to be spaced apart from the vertical wiring portion and insulated.
상기 양극산화막 구조체에 구비되어 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 양극산화막 시트는 기공을 포함하는 다공층을 구비하고,
표면측에 위치하는 상기 양극산화막 시트에 홀이 구비되고,
상기 홀은 상기 양극산화막 시트에 구비되는 수직 배선부와 이격 거리를 두고 형성되어 상기 열전도부를 구비하고,
상기 수직 배선부와 인접하는 주변의 기공에는 상기 열전도부가 충진되지 않는 양극산화막 구조체.
In the anodization film structure constituted by stacking a plurality of anodization film sheets,
It is provided in the anodization film structure comprising a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodization film structure,
The anodized film sheet has a porous layer including pores,
A hole is provided in the anodized film sheet located on the surface side,
The hole is formed to be spaced apart from a vertical wiring part provided in the anodization film sheet, and has the heat conduction part;
The anodic oxide film structure in which the heat-conducting part is not filled in the pores adjacent to the vertical wiring part.
상기 열전도부는 표면측에 위치하는 양극산화막 시트에 구비되는 양극산화막 구조체.
3. The method of claim 1 or 2,
The heat conduction unit is an anodized film structure provided on the anodized film sheet located on the surface side.
상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 내부에 구비되는 양극산화막 구조체.
3. The method of claim 1 or 2,
The heat conduction unit is an anodized film structure provided in the interior of the anodized film sheet.
상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 열전도율보다 열전도율이 높은 재질인 양극산화막 구조체.
3. The method of claim 1 or 2,
The heat-conducting part is an anodized film structure made of a material having a higher thermal conductivity than that of the anodized film sheet.
상기 열전도부는 상기 양극산화막 시트의 열전도율보다 열전도율이 높은 재질인 양극산화막 구조체.
3. The method of claim 1 or 2,
The heat-conducting part is an anodized film structure made of a material having a higher thermal conductivity than that of the anodized film sheet.
상기 공간변환기는 양극산화막 구조체를 포함하고,
상기 양극산화막 구조체는,
복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 열전도부는, 기공을 포함하는 다공층만을 구비하는 상기 양극산화막 시트의 상기 기공 중 적어도 일부에 구비되되,
상기 양극산화막 시트에 구비된 수직 배선부와 인접하는 주변의 기공을 제외한 나머지 기공에 구비되어 상기 수직 배선부와 이격되어 절연되는 프로브 카드.
A probe card comprising a space converter provided between a probe and a circuit board to compensate for a difference between a pitch between the probe and the circuit board,
The space converter includes an anodic oxide film structure,
The anodic oxide film structure,
A plurality of anodized film sheets are stacked and configured and include a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodized film structure,
The heat conduction part is provided in at least some of the pores of the anodized film sheet having only a porous layer including pores,
A probe card provided in the remaining pores except for the surrounding pores adjacent to the vertical wiring unit provided in the anodization film sheet to be spaced apart from the vertical wiring unit and insulated.
상기 공간변환기는 양극산화막 구조체를 포함하고,
상기 양극산화막 구조체는,
복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 양극산화막 시트는 기공을 포함하는 다공층을 구비하고,
표면측에 위치하는 상기 양극산화막 시트에 홀이 구비되고,
상기 홀은 상기 양극산화막 시트에 구비되는 수직 배선부와 이격 거리를 두고 형성되어 상기 열전도부를 구비하고,
상기 수직 배선부와 인접하는 주변의 상기 기공에는 상기 열전도부가 충진되지 않는 프로브 카드.
A probe card comprising a space converter provided between a probe and a circuit board to compensate for a difference between a pitch between the probe and the circuit board,
The space converter includes an anodic oxide film structure,
The anodic oxide film structure,
A plurality of anodized film sheets are stacked and configured and include a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodized film structure,
The anodized film sheet has a porous layer including pores,
A hole is provided in the anodized film sheet located on the surface side,
The hole is formed to be spaced apart from a vertical wiring part provided in the anodization film sheet, and has the heat conduction part;
A probe card in which the heat conduction part is not filled in the pores adjacent to the vertical wiring part.
상기 인터포저는 양극산화막 구조체를 포함하고,
상기 양극산화막 구조체는,
복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 열전도부는, 기공을 포함하는 다공층만을 구비하는 상기 양극산화막 시트의 상기 기공 중 적어도 일부에 구비되되,
상기 양극산화막 시트에 구비된 수직 배선부와 인접하는 주변의 기공을 제외한 나머지 기공에 구비되어 상기 수직 배선부와 이격되어 절연되는 프로브 카드.
A probe card comprising an interposer provided between a probe and a circuit board to electrically connect the probe and the circuit board,
The interposer includes an anodized film structure,
The anodic oxide film structure,
A plurality of anodized film sheets are stacked and configured and include a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodized film structure,
The heat conduction part is provided in at least some of the pores of the anodized film sheet having only a porous layer including pores,
A probe card provided in the remaining pores except for the surrounding pores adjacent to the vertical wiring unit provided in the anodization film sheet to be spaced apart from the vertical wiring unit and insulated.
상기 인터포저는 양극산화막 구조체를 포함하고,
상기 양극산화막 구조체는,
복수개의 양극산화막 시트가 적층되어 구성되고 상기 양극산화막 구조체의 열용량을 감소시키는 열전도부를 포함하고,
상기 양극산화막 시트는 기공을 포함하는 다공층을 구비하고,
표면측에 위치하는 상기 양극산화막 시트에 홀이 구비되고,
상기 홀은 상기 양극산화막 시트에 구비되는 수직 배선부와 이격 거리를 두고 형성되어 상기 열전도부를 구비하고,
상기 수직 배선부와 인접하는 주변의 상기 기공에는 상기 열전도부가 충진되지 않는 프로브 카드.A probe card comprising an interposer provided between a probe and a circuit board to electrically connect the probe and the circuit board,
The interposer includes an anodized film structure,
The anodic oxide film structure,
A plurality of anodized film sheets are stacked and configured and include a heat conduction unit for reducing the heat capacity of the anodized film structure,
The anodized film sheet has a porous layer including pores,
A hole is provided in the anodized film sheet located on the surface side,
The hole is formed to be spaced apart from a vertical wiring part provided in the anodization film sheet, and has the heat conduction part;
A probe card in which the heat conduction part is not filled in the pores adjacent to the vertical wiring part.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |