KR102359846B1 - 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치 - Google Patents

증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버와, 상기 챔버에 내장되는 가열공간과, 상기 가열공간의 외부에 인접하는 발열부와, 상기 챔버의 일단부에 구성되어 피증착물이 인입 및 인출되는 개폐구와, 상기 개폐구의 일측에 형성되는 분위기 가스 인입관 및 상기 챔버 중 개폐구의 반대단부에 형성되는 분위기 가스 인출관을 포함하는 증착 장비에 적용되며, 상기 개폐구에 인접하고, 챔버의 측면에 형성된 복수의 제1홀들을 통하여 관통삽입되어 가열공간의 벽체와 나란한 방향으로 1차 절곡 또는 만곡되면서 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제1가스 공급관; 상기 개폐구의 반대단부에 형성되는 복수의 제2홀들을 통하여 관통삽입되어 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제2가스 공급관; 및 상기 챔버 외부에 위치하며, 제1가스 공급관과 제2가스 공급관에 각각 반응가스를 공급하는 제1반응가스 탱크 및 제2반응가스 탱크;를 포함하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치를 제공한다.

Description

증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치{Gas furnishing device for homogeneous gas furnishing into the chamber of deposition equipment}
본 발명은 가스 공급 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가열로 내에 가스를 공급하기 위한 노즐의 갯수와 위치를 적절히 결정 및 배치함으로써 가열로 내에서 가열되는 복수의 피가열체에, 그 피가열체의 위치에 상관없이 가스가 전체적으로 균일하게 공급되도록 하기 위한 가스 공급 장치를 제공한다.
반도체 제조공정 중 중요한 공정으로서, 반도체 웨이퍼를 도핑하는 공정이 있다. 위 도핑공정은 순수한 단일 원소 또는 화합물로 구성되는 반도체 웨이퍼에 불순물(도펀트, dopant)을 주입하거나 확산시켜 반도체 웨이퍼 고유의 전기적 특성을 변화시키는 과정을 의미한다.
이 중 도펀트를 주입하는 공정은 이온화된 도펀트가 이온빔을 통해서 반도체 속으로 강제로 주입되는 공정에 의한다. 반도체 웨이퍼의 표면을 물리적으로 손상시키면서 주입되는 것이므로 주입 이온에 큰 에너지를 작용시킨다. 도핑 농도는 반도체 웨이퍼 내, 즉 목표 깊이에서 최고 분포값을 가지며, 도펀트 분포의 형태는 이온 질량과 이온 에너지에 의하여 결정된다.
또한 도펀트를 확산시키는 열확산 공정은 통상 고온 증착 장비에서 높은 온도를 유지하면서 이루어지는데, 도펀트 원자는 도핑된 산화물 소스를 사용하거나, 도펀트의 기체상으로부터 증착에 의하여 웨이퍼 표면 근처에 자리를 잡게된다. 도핑 농도는 표면으로부터 점차 감소하고, 도펀트 분포와 측면도는 온도와 확산시간에 의하여 결정된다. 열확산 공정은 저렴하고 간단한 공정이지만, 도펀트의 정밀한 농도 제어가 어렵다는 단점이 존재한다.
특히, 최근 들어서 4차 산업의 시대를 지향하여 반도체 웨이퍼에 대한 수요가 급증하고 있으며, 단위 시간동안의 생산속도와 생산량이 점차 높아지고 있다. 이에, 반도체 웨이퍼에 도펀트를 확산하는 공정에서 1회 공정당 처리되는 반도체 웨이퍼의 양이 많아지고 있으며, 그만큼 도핑 공정을 위한 고온 증착 장비의 규모도 커지고 있다. 그러므로 증착 장비의 챔버 용적이 커지면서 챔버 내 도펀트의 농도 분포의 균일성이 문제되고 있다.
즉, 챔버 내 도펀트의 농도가 국부적으로 차이가 나면서 개별적인 웨이퍼간 도핑 농도의 차이가 발생되고 있는데, 이는 당초의 도핑 설계를 벗어난 것으로서 반도체 웨이퍼의 불량을 의미하며, 균일한 물성을 갖는 반도체 웨이퍼를 재현성 있게 생산하는데에도 어려움이 발생되는 문제점이 존재한다.
그러므로, 보다 대형화된 증착 장비의 챔버 내부에서 공급되는 도펀트 소스가 고른 분포를 갖고, 따라서 챔버내 모든 반도체 웨이퍼에서의 도핑농도가 균일하게 구현됨은 물론, 이러한 공정이 재현성있게 이루어지도록 하는 방안의 도출이 필요한 실정이다.
대한민국 공개특허 제2009-0086624호
본 발명은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 도핑공정에 사용되는 증착 장비 내에 도펀트 소스를 균일하게 공급할 수 있도록 하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 증착 장비 내에 도펀트 소스를 균일하게 공급함으로써, 동일 챔버 공간 내에서 동시에 도핑되는 반도체 웨이퍼간 도핑 농도의 불균일성을 제거하도록 하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 이러한 도핑 공정을 재현성 있게 구현할 수 있는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 챔버와, 상기 챔버에 내장되는 가열공간과, 상기 가열공간의 외부에 인접하는 발열부와, 상기 챔버의 일단부에 구성되어 피증착물이 인입 및 인출되는 개폐구와, 상기 개폐구의 일측에 형성되는 분위기 가스 인입관 및 상기 챔버 중 개폐구의 반대단부에 형성되는 분위기 가스 인출관을 포함하는 증착 장비에 적용되며, 상기 개폐구에 인접하고, 챔버의 측면에 형성된 복수의 제1홀들을 통하여 관통삽입되어 가열공간의 벽체와 나란한 방향으로 1차 절곡 또는 만곡되면서 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제1가스 공급관; 상기 개폐구의 반대단부에 형성되는 복수의 제2홀들을 통하여 관통삽입되어 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제2가스 공급관; 및 상기 챔버 외부에 위치하며, 제1가스 공급관과 제2가스 공급관에 각각 반응가스를 공급하는 제1반응가스 탱크 및 제2반응가스 탱크;를 포함하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치를 제공한다.
상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관은 가열공간 내에서 서로 반대되는 방향으로 인입되는 것이 바람직하다.
상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관은 각각 4개씩 배치되는 것이 바람직하다.
상기 제1가스 공급관 및 상기 제2가스 공급관에서, 각 4개의 공급관은 2개의 군으로 구분되어 위치상 서로 대칭되도록 설치되며, 1개의 군은 2개의 공급관으로 구성되는 것이 바람직하다.
피증착물이 단일의 보트에 적치되었을 경우, 상기 제1가스 공급관 중 2개의 단부가, 개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점 또는 그보다 개폐구 방향으로 후퇴된 지점 중 어느 하나에 위치되며, 상기 제1가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가, 피증착물 중 상기 개폐구와 가장 가까운 피증착물을 기준으로 할 때, 피증착물의 양단간 길이의 1/4 지점 또는 1/4 지점과 인접한 지점에 위치되되, 상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며, 상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 것이 바람직하다.
피증착물이 단일의 보트에 적치되었을 경우, 상기 제2가스 공급관 중 2개의 단부가, 피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되며, 상기 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가, 피증착물 중 상기 개폐구와 가장 가까운 피증착물을 기준으로 할 때, 피증착물의 양단간 길이의 3/4 지점 또는 3/4 지점과 인접한 지점에 위치되되, 상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며, 상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 것이 바람직하다.
피증착물이 동일한 길이의 직렬로 위치하는 두개의 보트에 적치되는 경우, 상기 제1가스 공급관 중 2개의 단부가, 첫번째 보트 중 개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점 또는 그보다 개폐구 방향으로 후퇴된 지점 중 어느 하나에 위치되며, 상기 제1가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가, 피증착물 중 첫번째 보트의 피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되되, 상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며, 상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 것이 바람직하다.
피증착물이 동일한 길이의 직렬로 위치하는 두개의 보트에 적치되는 경우, 상기 제2가스 공급관 중 2개의 단부가, 두번째 보트 중 개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점에 위치되며, 상기 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가, 피증착물 중 두번째 보트의 피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되되, 상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며, 상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 것이 바람직하다.
상기 챔버가 원형일 때, 상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 2개의 공급관은 챔버의 정면을 기준으로 7시 30분 ~ 11시의 위치 중 선택되는 어느 두개의 지점으로부터 삽입되며, 상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 공급관은 챔버의 정면을 기준으로 1시 ~ 4시 30분의 위치 중 선택되는 어느 두개의 지점으로부터 삽입되는 것이 바람직하다.
상기 반응가스는 제1반응가스와 제2반응가스의 반응에 의한 반응물이 피증착물에 도핑되는 것이며, 제1반응가스의 탱크는 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 각 2개에 연결되고, 제2반응가스의 탱크는 각각 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 나머지 각 2개에 연결되며, 상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 동일한 탱크에 연결되는 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 것이 바람직하다.
상기 반응가스 중 하나는 실란(silane) 계열의 물질이고, 다른 하나는 도펀트가 포함된 수화물인 것이 바람직하다.
상기 도펀트가 포함된 수화물은 포스핀(phosphine) 계열의 물질인 것이 바람직하다.
이상과 같은 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼의 도핑공정에 사용되는 증착 장비 내에 도펀트 소스를 균일하게 공급할 수 있도록 하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급이 가능한 효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 증착 장비 내에 도펀트 소스를 균일하게 공급함으로써, 동일 챔버 공간 내에서 동시에 도핑되는 반도체 웨이퍼간 도핑 농도의 불균일성을 제거하도록 하며, 이로써, 반도체 생산에 있어서 양품율을 높이는 효과가 기대된다.
또한, 본 발명은 이러한 도핑 공정을 재현성 있게 구현할 수 있는 효과가 기대된다.
도 1은 반도체 웨이퍼가 장입된 증착장비를 나타내는 도면으로서, (a)는 단일의 보트에 적치된 반도체 웨이퍼가 장입된 상태를, (b)는 서로 직렬로 배치되는 두개의 보트에 적치된 반도체 웨이퍼가 장입된 상태를 각각 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관이 각각 인입된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관으로부터 반응가스가 배출될 때 반응가스의 흐름을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관이 도 3과 다른 위치에 설치되는 경우, 반응가스의 흐름과 관련한 문제점을 설명하기 위하여 나타낸 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1가스 공급관이 설치되는 증착 장치의 개폐구측을 나타내는 정면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 제2가스 공급관이 설치되는 증착 장치의 개폐구 반대측을 나타내는 정면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 제1반응가스 탱크와 제2반응가스 탱크가 제1 및 제2가스 공급관과 연결되는 양태를 나타내는 단면도이다.
이하에서는 본 발명을 첨부되는 도면과 바람직한 실시예를 기초로 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 반도체 웨이퍼가 장입된 증착장비를 나타내는 도면으로서, (a)는 단일의 보트에 적치된 반도체 웨이퍼가 장입된 상태를, (b)는 서로 직렬로 배치되는 두개의 보트에 적치된 반도체 웨이퍼가 장입된 상태를 각각 나타낸 단면도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관이 각각 인입된 상태를 나타내는 단면도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관으로부터 반응가스가 배출될 때 반응가스의 흐름을 나타내는 단면도, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1 및 제2가스 공급관이 도 3과 다른 위치에 설치되는 경우, 반응가스의 흐름과 관련한 문제점을 설명하기 위하여 나타낸 단면도, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 제1가스 공급관이 설치되는 증착 장치의 개폐구측을 나타내는 정면도, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 제2가스 공급관이 설치되는 증착 장치의 개폐구 반대측을 나타내는 정면도, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 제1반응가스 탱크와 제2반응가스 탱크가 제1 및 제2가스 공급관과 연결되는 양태를 나타내는 단면도이다.
도 1에서 도시된 바와 같이, 최근의 증착장비(100)는 통상적인 보트(170) 2개가 수용될 수 있을 정도로 대형화되었으며, 다만, 보다 더 길이가 길어진 단일의 보트(170)를 증착장비(100)에 장입하여 사용할 수도 있다. 그러므로, 보다 더 대형화된 증착장비(100)의 챔버(110) 내에서, 반도체 웨이퍼에 도핑을 수행하기 위한 반응가스를 복수의 반도체 웨이퍼(피도핑체)에 균일하게 전달할 수 있도록 하는 기술이 마련되어야 한다. 만일 그렇지 않으면 동일 챔버(110) 내의 개별적인 반도체 웨이퍼마다 도핑 농도가 상이해지며, 그 결과, 미리 설계된 도핑 농도로부터 벗어나 반도체 웨이퍼가 과도핑되거나, 도핑량이 부족해지는 경우에는 바로 불량으로 판정될 수 밖에 없으므로 반응가스의 균일한 공급은 무엇보다 중요한 과제가 되었다. 한편, 통상적인 보트(170) 대비 2배의 길이를 갖는 단일의 보트(170)를 사용하는 것도 가능하며, 이를 도 1의 (b)에 표시하였다. 이하에서는 보트(170) 2개를 예를 들어서 설명하나, 보트(170)의 갯수는 특정한 수량으로 한정되지 않음은 물론이다.
도 2에서 도시된 바와 같이, 본 발명의 가스공급관은 개폐부(130)(130)로부터 인입되는 제1가스 공급관(180)과 챔버(110) 중 개폐부(130)의 반대단부(150)로부터 인입되는 제2가스 공급관(190)으로 구성되며, 본 실시예에서는 각각 4개의 공급관으로 구성되도록 하였다. 도시되지는 않았으나, 반응가스의 균일한 공급을 위해서라면 보다 더 많은 숫자의 공급관을 설치할 수도 있다.
제1가스 공급관(180)을 예로 들면 제1가스 공급관(180)은 개폐부(130)에 직접 홀을 가공하여 인입할 수는 없으므로, 챔버(110)의 측면으로서 개폐부(130)에 의하여 간섭받지 않는 영역에 주입부(181, 191)를 형성하여 이곳을 통하여 인입된다. 다만, 챔버(110)의 측면으로부터 인입되므로 도시된 바와 같이 제1가스 공급관(180)은 인입된 후 가열공간 내부를 향하여 약 90도의 각도로 절곡(만곡)되어야 가열공간 내부로 안내될 수 있다. 물론 절곡(만곡)의 각도는 90도로 제한되는 것은 아니다.
제2가스 공급관(190)은 제1가스 공급관(180)과는 달리 챔버(110)의 측면이 아닌 개폐부(130)의 반대면(151)에 주입부(181, 191)를 형성함으로써 위 주입부(181, 191)를 통해 곧바로 가열공간내로 안내되도록 할 수 있다. 개폐부(130)(미도시)의 반대단부(150)는 개폐부(130)(미도시)와는 달리 상시 폐쇄되어 있기 때문이다.
각 가스 공급관은 가스가 공급되는 위치가 서로 다르다. 즉, 가스 공급관의 가스가 분출되는 단부의 위치가 서로 다르게 구성된다. 이는 챔버(110) 내부로 유입되어 가열공간을 경유하여 외부로 유출되는 분위기 가스의 흐름을 고려한 것이다. 도핑공정중 가열공간을 채우는 분위기 가스는 예를 들어 질소(N2)를 사용할 수 있으나, 반드시 질소에 한정되는 것은 아님은 물론이다.
본 발명의 증착 장치는 개폐부(130)로부터 분위기 가스가 유입되고, 개폐부(130)의 반대단부(150)를 통해 분위기 가스가 배출된다. 이러한 분위기 가스의 흐름은 챔버(110)의 가열공간 내부로 공급되는 반응가스의 흐름에 영향을 미친다.
즉, 분위기 가스의 흐름방향은 가열공간 내에서의 유체의 메인 스트림(main stream)을 형성하며, 도펀트 성분을 포함하는 가스(반응가스)가 주입되면 도펀트 성분의 가스는 메인 스트림을 따라서 동반 스트림을 형성한다. 그러므로, 제1가스 공급관(180)과 제2가스 공급관(190)은 이러한 메인 스트림을 고려하여 그 주입 단부의 위치를 결정하여야 한다. 여기서 메인 스트림은 실선으로, 동반 스트림(반응가스의 흐름)은 점선으로 표시하였다.
도 3에서 도시된 바와 같이, 일 예로서, 제1가스 공급관(180)과 제2가스 공급관(190)은 각각 2개의 장관(180-3, 180-4, 190-3, 190-4)과 2개의 단관(180-1, 180-2, 190-1, 190-2)으로 구성되어 있다. 각 보트(170) 중 분위기 가스 인입부(131)와 가까운 부분을 기단부, 분위기 가스 인입부(131)와 먼 부분을 말단부라고 하였을 때, 제1가스 공급관(180)의 경우 단관(180-1, 180-2)은 가스가 인출되는 단부가 보트(170)의 기단부 또는 기단부를 벗어나 분위기 가스 인입부(131)와 더 가까운 방향에 위치하게 된다. 이 경우, 분위기 가스의 스트림을 따라서 반응가스가 흐르면서 1차적으로 보트(170)의 기단부로부터 중앙 사이의 피도핑체(웨이퍼)에 골고루 도핑이 되도록 할 수 있다. 제1가스 공급관(180) 중 장관(180-3, 180-4)은 가스가 인출되는 단부가 보트(170)의 기단부와 말단부의 대략 중앙의 위치에 놓이는 것이 바람직하며, 이 경우 보트(170)의 중앙으로부터 말단부 사이의 피도핑체에 골고루 도핑이 되도록 할 수 있다.
제2가스 공급관(190)의 경우, 단관(190-1, 190-2)은 그 단부가 해당 보트(170)의 기단부와 말단부 사이, 즉 대략 중앙부에 위치하는 것이 바람직한데, 이 경우, 해당 보트(170)의 중앙부로부터 말단부까지 위치하는 피도핑체에 골고루 도핑이 될 수 있다. 장관(190-3, 190-4)의 경우 그 단부가 해당 보트(170)의 기단부 또는 기단부를 벗어나 분위기 가스 인입부(131)과 더 가까운 방향에 위치하는 것이 바람직하다. 이 경우 해당 보트(170)의 기단부로부터 중앙부까지 위치하는 피도핑체에 골고루 도핑이 될 수 있다.
이러한 제1, 제2가스 공급관(180, 190)들의 선정 위치를 벗어나는 경우, 도 4에서와 같이 반응가스가 전혀 미치지 못하는 사각지대(A)가 발생되거나 전반적으로 고른 도핑농도를 구현하지 못하게 된다. 그러므로, 제1, 제2가스 공급관(180, 190)들의 단부 위치는 매우 중요하다.
도 5는 분위기 가스 인입부(131) 방향에서 본 도면으로서, 제1가스 공급관(180)이 각 주입부(181, 191)로 주입되는 것을 보여준다. 즉, 챔버(110)의 측면으로 제1 가스 공급관이 주입되며, 이는 도 6에서와 같이 분위기 가스 인출관 방향에서 본 주입부(181, 191) 및 제2가스 공급관(190)의 위치와 대비된다.
도 7에서 도시된 바와 같이, 반응가스로서 실란가스(silane gas)와 인화수소가스(phosphine gas)의 혼합가스를 사용하였으며, 제1, 2가스 공급관(180, 190)에서 단관들(180-1, 180-2, 190-1, 190-2)과 장관(180-3, 180-4, 190-3, 190-4)들은 탱크로부터 공급될 때, 각각 독립적으로 제어된다. 도시되지는 않았으나, 더 세분화해서 단관(180-1, 180-2, 190-1, 190-2) 및 장관(180-3, 180-4, 190-3, 190-4)을 각 단관(180-1, 180-2, 190-1, 190-2)마다, 그리고 각 장관(180-3, 180-4, 190-3, 190-4)마다 개별적으로 제어할 수도 있다. 이로써, 피도핑체에 균일하게 도핑하기 위한 최적의 조건을 찾아 이를 재현성있게 공정에 반영할 수 있게 된다.
이상과 같이 본 발명을 바람직한 실시예를 기초로 상세히 설명하였으나, 실시예는 특허청구범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니됨은 자명하다.
100 : 증착장비 110 : 챔버
130 : 개폐부 131 : 분위기 가스 인입부
150 : 반대단부 151 : 반대면
157 : 분위기 가스 인출부 180 : 제1가스 공급관
180-1, 180-2, 190-1, 190-2 : 단관
180-3, 180-4, 190-3, 190-4 : 장관
181, 191 : 주입부 190 : 제2가스 공급관

Claims (12)

  1. 챔버와, 상기 챔버에 내장되는 가열공간과, 상기 가열공간의 외부에 인접하는 발열부와, 상기 챔버의 일단부에 구성되어 피증착물이 인입 및 인출되는 개폐구와, 상기 개폐구의 일측에 형성되는 분위기 가스 인입관 및 상기 챔버 중 개폐구의 반대단부에 형성되는 분위기 가스 인출관을 포함하는 증착 장비에 적용되며,
    상기 개폐구에 인접하고, 챔버의 측면에 형성된 복수의 제1홀들을 통하여 관통삽입되어 가열공간의 벽체와 나란한 방향으로 1차 절곡 또는 만곡되면서 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제1가스 공급관;
    상기 개폐구의 반대단부에 형성되는 복수의 제2홀들을 통하여 관통삽입되어 상기 가열공간내로 안내되는 복수의 제2가스 공급관; 및
    상기 챔버 외부에 위치하며, 제1가스 공급관과 제2가스 공급관에 각각 반응가스를 공급하는 제1반응가스 탱크 및 제2반응가스 탱크;
    를 포함하며,
    상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관은 가열공간 내에서 서로 반대되는 방향으로 인입되며, 상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관은 각각 4개씩 배치되고,
    상기 제1가스 공급관 및 상기 제2가스 공급관에서, 각 4개의 공급관은 2개의 군으로 구분되어 위치상 서로 대칭되도록 설치되며, 1개의 군은 2개의 공급관으로 구성되는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
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  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    피증착물이 단일의 보트에 적치되었을 경우,
    상기 제1가스 공급관 중 2개의 단부가,
    개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점 또는 그보다 개폐구 방향으로 후퇴된 지점 중 어느 하나에 위치되며,
    상기 제1가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가,
    피증착물 중 상기 개폐구와 가장 가까운 피증착물을 기준으로 할 때, 피증착물의 양단간 길이의 1/4 지점 또는 1/4 지점과 인접한 지점에 위치되되,
    상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며,
    상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    피증착물이 단일의 보트에 적치되었을 경우,
    상기 제2가스 공급관 중 2개의 단부가,
    피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되며,
    상기 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가,
    피증착물 중 상기 개폐구와 가장 가까운 피증착물을 기준으로 할 때, 피증착물의 양단간 길이의 3/4 지점 또는 3/4 지점과 인접한 지점에 위치되되,
    상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며,
    상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    피증착물이 동일한 길이의 직렬로 위치하는 두개의 보트에 적치되는 경우,
    상기 제1가스 공급관 중 2개의 단부가,
    첫번째 보트 중 개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점 또는 그보다 개폐구 방향으로 후퇴된 지점 중 어느 하나에 위치되며,
    상기 제1가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가,
    피증착물 중 첫번째 보트의 피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되되,
    상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며,
    상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    피증착물이 동일한 길이의 직렬로 위치하는 두개의 보트에 적치되는 경우,
    상기 제2가스 공급관 중 2개의 단부가,
    두번째 보트 중 개폐구로부터 첫번째 위치에 놓인 피증착물에 인접한 지점에 위치되며,
    상기 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 단부가,
    피증착물 중 두번째 보트의 피증착물의 양단간 길이의 1/2 지점 또는 1/2 지점과 인접한 지점에 위치되되,
    상기 공급관은 상기 피증착물 및 보트와 접촉하지 않도록 설치되며,
    상기 2개의 가스 공급관은 서로 다른 군에 속하는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 챔버가 원형일 때,
    상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 2개의 공급관은 챔버의 정면을 기준으로 7시 30분 ~ 11시의 위치 중 선택되는 어느 두개의 지점으로부터 삽입되며,
    상기 제1가스 공급관 및 제2가스 공급관 중 나머지 2개의 공급관은 챔버의 정면을 기준으로 1시 ~ 4시 30분의 위치 중 선택되는 어느 두개의 지점으로부터 삽입되는 증착 장비 내 균일한 가스 공급을 위한 가스 공급 장치.
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