KR102341381B1 - 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법 - Google Patents

반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 그의 온도 제어 방법을 제공하고, 발열체 매트릭스에서의 각각의 행 또는 각각의 열의 각각의 발열체는 모두 동일한 파워 소스와 전원 회로를 구성하고, 발열체 매트릭스에서의 각각의 열 또는 각각의 행의 모든 발열체의 전원 회로에 동일한 스위치 모듈이 배치되고, 각각의 파워 소스의 출력 파워를 조절함으로써 각각의 파워 소스가 제어하는 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체의 출력 파워를 조절하고, 각각의 스위치의 연결과 절단을 제어함으로써 각각의 스위치 모듈이 제어하는 하나의 열 전체 또는 하나의 행 전체의 발열체의 전원 회로의 연결과 절단을 제어한다. 본 발명은 회로의 어려움을 감소시키고, 코스트를 낮게 하고, 온도 제어의 정밀도를 보증하면서 온도 제어의 어려움을 낮게 하고, 균일하고 또한 유연성 있는 온도 제어 효과를 얻는다.

Description

반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법{TEMPERATURE CONTROL APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT, AND TEMPERATURE CONTROL METHOD FOR THE SAME}
본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법에 관한 것이다.
플라즈마 처리 장치는 반도체 공업에서 폭넓게 응용되어 있고, 처리될 기판을 플라즈마 식각, 화학 기상 증착(CVD) 등과 같은 고정밀 가공을 실행하는 것에 사용된다. 플라즈마 처리 과정에서 기판의 온도는 처리 효과에 큰 영향을 미치고, 기판 표면에서의 다른 온도 분포는 다른 처리 효과를 일으킬 수 있다. 기판의 온도를 더 잘 제어하기 위해, 항상 지지 기판의 베이스와 정전 척 사이에 가열 파워를 자발적으로 제어할 수 있는 가열기를 배치하고, 다른 영역의 가열기에게 다른 파워를 입력하는 것을 통해 온도에 대한 제어를 실현한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 일반적으로 플라즈마 처리 장치는 반응 챔버(1)를 포함하고, 베이스(2)는 반응 챔버 안에 배치되고, 베이스 위에 기판(5)을 지지하기 위한 정전 척(4)이 배치되고, 정전 척(4) 하부에 가열기(3)가 배치되고, 가열기를 통해 정전 척(4)과 기판(5)의 온도를 조절한다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 다른 영역의 온도에 대한 조절, 온도 조절의 균일성과 제어 가능성을 쉽게 증가시키기 위해, 일반적으로 가열기는 규칙적으로 배열된 복수의 발열체(301)를 포함하고, 각각의 발열체(301)는 모두 전원 라인(303)을 통해 하나의 파워 소스(302)에 연결되고, 파워 소스(302)의 출력 파워를 조절함으로써 대응하는 발열체(301)의 출력 열량을 조절하고, 그 영역의 온도를 조절한다. 이러한 가열기의 설치 방식은 각각의 발열체를 독립적으로 제어하는 것에 있고 전원 라인과 파워 소스를 대량으로 소모할 필요가 있기 때문에, 가열기 구조가 복잡해지고 코스트가 높아질 뿐만 아니라, 온도에 대한 제어도 안정시키기 어렵다. 독립적으로 제어되는 각각의 온도 영역과 인접하는 가열기 영역 사이의 온도 차이가 너무 높은 경우, 항상 주변 가열기 영역의 열량이 목적 영역으로 이동하거나 목적 영역에서 벗어나게 된다. 이런 방식으로, 복수의 조절을 해야 안정된 가열 파워를 얻을 수 있기 때문에, 처리 시간을 느리게 한다. 한편으로는, 이 발열체들은 플라즈마 처리 장치에서 RF전력 방사 영역에 위치되기 때문에, 각각의 제어 라인 또는 구동 라인은 반드시 하나의 여파기를 통과해야 외부 제어 회로 또는 구동 회로와 연결될 수 있다. 발열체 수량이 매우 많은 경우, 그에 상응하는 여파기를 많이 배치할 필요가 있기 때문에, 코스트가 크게 증가할 뿐만 아니라, 유한한 장착 공간에서 여파기를 대량으로 장착하는 것도 불가능하다. 그러므로, 종래의 복수의 발열체를 갖는 구동 제어 회로는 매우 많은 가열 영역(100보다 많다)의 경우에 적용할 수 없다. 따라서, 극대량(200보다 많다)의 가열 영역에서의 각각의 발열체를 제어하고 구동하기 위해, 새로운 구동 제어 회로를 개발할 필요가 있다.
본 발명에서 제공된 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법은 회로의 어려움을 감소시키고, 코스트를 낮게 하고, 온도 제어의 정밀도를 보증하면서 온도 제어의 어려움을 낮게 하고, 규일하고 또한 유연성 있는 온도 제어 효과를 얻는다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치를 제공하고, 온도 제어 장치는 반도체 처리 장치의 반응 챔버 내부의 베이스에 배치되고, 정전 척 하부에 위치하며, 상기 온도 제어 장치는,
"행"과 "열"의 방식으로 배열된 복수의 발열체를 포함하는 발열체 매트릭스;
복수의 가열 파워 출력 포트를 포함하는 파워 소스 - 상기 발열체 매트릭스의 동일한 열에서의 각각의 발열체는 모두 파워 소스의 동일한 가열 파워 출력 포트에 전기적으로 연결되고, 파워 소스의 각각의 가열 파워 출력 포트로부터 출력된 가열 파워가 독립적으로 조절될 수 있음 -; 및
복수의 스위치 모듈
을 포함하고,
상기 발열체 매트릭스의 각각의 행의 모든 발열체의 전원 회로에 대하여 동일한 스위치 모듈이 배치되고, 각각의 상기 스위치 모듈은 하나의 행 전체에서의 상기 발열체의 전원 회로의 연결과 절단을 제어한다.
상기 발열체 매트릭스에서, 각각의 발열체는 제1 단부와 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부와 상기 제2 단부는 개별적으로 전류 입력 단부와 전류 출력 단부 중의 하나에 연결되고, 상기 파워 소스로부터의 전류는 전류 입력 단부를 통해 상기 발열체에 흘러 들어가고, 출력 단부를 통해 흘러 나온다. 상기 복수의 발열체의 상기 제2 단부는 동일한 와이어에 연결됨으로써 하나의 행을 구성하고 또한 하나의 상기 와이어에 하나의 상기 스위치 모듈이 직렬로 연결되어 있다; 상기 복수의 발열체의 제1 단부는 동일한 가열 파워 출력 포트에 연결됨으로써 하나의 열을 구성한다.
상기 발열체 매트릭스에서, 각각의 행과 각각의 열은 모두 복수의 발열체를 포함하고, 상기 온도 제어 장치는 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은 파워 소스의 출력 파워의 크기 및 스위치 모듈의 연결과 절단을 제어하는 것에 사용된다.
스위치 트랜지스터 또는 광 커플러 또는 게이트 구동 회로를 상기 스위치 모듈로서 사용된다.
본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 방법을 더 제공하고, 이하와 같은 공정을 포함한다:
각각의 상기 파워 소스의 출력 파워의 크기를 조절함으로써 각각의 상기 파워 소스가 제어하는 열 전체의 상기 발열체의 출력 파워를 조절하는 파워 소스 조절 공정; 및
각각의 상기 스위치 모듈의 연결과 절단을 제어함으로써 각각의 상기 스위치 모듈이 제어하는 행 전체의 상기 발열체의 전원 회로의 연결과 절단을 제어하는 스위치 모듈 조절 공정.
파워 소스 조절 방식과 스위치 모듈 조절 방식을 동시에 채용함으로써 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행하거나, 파워 소스 조절 방식 또는 스위치 모듈 조절 방식을 단독적으로 채용하여 상기 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행한다.
본 발명은 반도체 처리 장치를 더 제공하고, 상기 반도체 처리 장치는,
반응 챔버;
반응 챔버 안에 배치된 베이스;
베이스에 배치된 온도 제어 장치; 및
온도 제어 장치에 배치된 정전 척
을 포함하고,
상기 온도 제어 장치에서 발열체와 연결하는데 사용되는 전원 라인은 정전 척 안에 내장식으로 배치된다.
본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치를 더 제공하고, 상기 온도 제어 장치는 반도체 처리 장치의 반응 챔버 내부의 베이스에 배치되고, 정전 척 하부에 위치하며, 상기 온도 제어 장치는,
복수의 발열체를 포함하는 발열체 매트릭스, 발열체는 "행"과 "열"의 방식으로 배열되고;
복수의 양극(bipolar) 파워 소스 - 상기 발열체 매트릭스의 각각의 행 또는 각각의 열에서의 각각의 상기 발열체는 모두 개별적으로 동일한 상기 양극 파워 소스와 전원 회로를 구성하고, 각각의 상기 양극 파워 소스는 행 전체 또는 열 전체의 상기 발열체의 입력 파워의 크기를 제어함 -;
복수의 스위치 요소
를 포함하고,
각각의 상기 스위치 요소는 개별적으로 각각의 상기 발열체의 전원 회로 안에 배치되고, 각각의 행 또는 각각의 열에서의 임의의 두 개의 발열체가 하나의 발열체 그룹을 구성하고, 각각의 상기 발열체 그룹의 전원 회로에서의 두 개의 상기 스위치 요소는 전도 방향이 서로 상반된다.
상기 발열체 매트릭스에서의 각각의 행은 적어도 하나의 발열체를 포함하고, 각각의 열도 적어도 하나의 발열체를 포함한다.
상기 온도 제어 장치는 제어 유닛을 포함하고, 제어 유닛은 양극 파워 소스의 전류 방향의 변경 및 양극 파워 소스의 출력 파워의 크기를 제어하는 것에 사용된다.
본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 방법을 더 제공하고, 상기 온도 제어 방법은,
각각의 상기 양극 전원의 전류 방향을 전환하는 공정으로서, 상기 양극 파워 소스가 순방향 전류를 제공할 경우, 순방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 연결되고, 역방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 절단되고, 상기 양극 파워 소스가 역방향 전류를 제공할 경우, 상기 순방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 끊기고, 상기 역방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 연결되는 파워 소스의 전류 방향에 대한 조절 공정; 및
각각의 상기 양극 파워 소스의 출력 파워의 크기를 조절함으로써 각각의 상기 양극 파워 소스가 제어하는 행 전체 또는 열 전체의 상기 발열체의 출력 파워를 조절하는 입력 파워의 크기에 대한 조절 공정
을 포함한다.
파워 소스의 전류 방향에 대한 조절과 입력 파워에 대한 조절을 동시에 채용함으로써 상기 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행하거나, 파워 소스의 전류 방향에 대한 조절 또는 입력 파워의 크기에 대한 조절을 단독적으로 채용함으로써 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행한다.
본 발명은 반도체 처리 장치를 더 제공하고, 상기 반도체 처리 장치는,
반응 챔버;
상기 반응 챔버 안에 배치된 베이스;
상기 베이스에 배치된 온도 제어 장치; 및
온도 제어 장치에 배치된 정전 척
을 포함하고,
상기 온도 제어 장치에서 발열체와 연결하는데 사용되는 전원 라인은 정전 척에 내장식으로 배치된다.
본 발명이 제공하는 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법에 따르면, 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하기 때문에, 파워 소스의 수량을 절약하고, 코스트를 낮게 한다. 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하하고 또한 하나의 열 전체 또는 하나의 행 전체의 발열체는 동일한 스위치 모듈을 공용하기 때문에, 전원 라인의 수량을 크게 절약하고, 코스트를 낮게 하는 목적도 달성한다. 하나의 파워 소스가 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체의 출력 파워를 동시에 조절할 수 있고, 하나의 스위치 모듈이 하나의 열 전체 또는 하나의 행 전체의 발열체의 연결과 절단을 동시에 제어할 수 있고, 각각의 발열체를 단독적으로 제어할 필요가 없고, 발열체를 제어하는 어려움을 낮게 하는 동시에, 파워 소스의 출력 파워를 조절하고 스위치 모듈의 온(ON)/오프(OFF)를 제어하기 때문에, 발열체에 대한 온도 제어의 정밀도를 낮게 하지 않고, 매우 균일하고 유연성 있는 온도 제어 효과를 여전히 얻을 수 있다.
도 1은 배경 기술에서의 플라즈마 처리 장치의 구조 모식도이다.
도 2는 배경 기술에서의 가열기의 상면도이다.
도 3은 본 발명이 제공하는 온도 제어 장치의 구조 모식도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에서의 온도 제어 장치의 구조 모식도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에서의 온도 제어 장치 구조 모식도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에서의 온도 제어 장치의 구조 모식도이다.
도 7 및 도8 은 발열체의 배치 형식의 모식도이다.
이하, 도 3내지 도 8에 의해, 본 발명의 바람직한 실시예를 구체적으로 설명한다.
본 발명은 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 장치를 제공하고, 온도 제어 장치는 반응 챔버 내부의 베이스에 배치되고, 기판의 온도를 균일하게 제어하는 것에 사용된다.
상기 온도 제어 장치는 복수의 발열체를 포함하고, 이 발열체는 정전 척(ESC) 하부에 배치되고, 정전 척을 가열하는 것에 사용되고 또한 열량을 정전 척 위에 위치한 기판에 전도하고, 기판의 온도를 제어한다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 발열체는 매트릭스 형식으로 배치되고, 복수의 발열체(101)는 M 행과 N열의 형식에 의해 배열되고, 발열체 매트릭스에서 전부 발열체 M×N 개가 배치되고, M 및 N는 모두 자연수이고, M 및 N의 값은 정전 척의 면적 및 각각의 발열체의 면적에 의해 합리적으로 선택해도 되고, 인접하는 발열체 사이의 거리도 합리적으로 선택해도 된다. 각각의 행(또는 각각의 열)의 발열체(101)는 각자의 전원 입력 라인(104)과 전원 출력 라인(105)을 통해 동일한 파워 소스(102)에 연결되고, 파워 소스(102)의 출력 전력 크기는 조정 가능하고, 각각의 행(또는 각각의 열)의 발열체(101)는 각자의 전원 입력 라인(104)과 전원 출력 라인(105)을 통해 동일한 스위치 모듈(103) 에 연결되고, 이 스위치 모듈(103)은 각각의 열(또는 각각의 행)에서 모든 발열체(101)의 파워 소스와의 연결 또는 절단을 제어하는 것에 사용된다. 행 전체 또는 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하기 때문에, 파워 소스의 수량을 절약하고 코스트를 낮게 한다. 행 전체 또는 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하고 또한 열 전체 또는 행 전체의 발열체는 동일한 스위치 모듈을 공용하기 때문에, 전원 라인의 수량도 크게 절약하고 코스트를 낮게 하는 목적을 더 달성한다. 하나의 파워 소스는 행 전체 또는 열 전체의 발열체의 출력 파워를 동시에 조절할 수 있고, 하나의 스위치 모듈도 열 전체 또는 행 전체의 발열체의 연결과 절단을 동시에 제어할 수 있고, 각각의 발열체를 단독적으로 제어할 필요가 없고, 발열체를 제어하는 어려움을 낮게 하는 동시에, 파워 소스의 출력 파워의 크기를 조절하고 스위치 모듈의 온(ON)/오프(OFF)를 제어하기 때문에, 발열체에 대한 온도 제어의 정밀도를 낮게 하지 않고, 매우 균일하고 유연성 있는 온도 제어 효과를 여전히 얻을 수 있다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에서, 온도 제어 장치에서의 발열체는 표준 매트릭스에 의해 배열되고, 각각의 발열체(101)는 "행-열"의 방식으로 명명된다. 즉, 발열체(1-1)는 제1 행과 제1 열에 위치한 것이고, 발열체(3-2)는 제3 행과 제2 열에 위치한 것이다. 각각의 열의 발열체는 모두 전원 입력 라인(104)과 전원 출력 라인(105)을 통해 동일한 파워 소스(102)에 연결되고, 발열체의 수량과 동일하게 파워 소스(102)가 배치된다. 상기 파워 소스(102)는 프로그램 가능한 전원으로 실현될 수 있고, 파워 소스(102)는 제어 유닛(107)에 연결되고, 제어 유닛(107)의 제어 하에서, 각각의 파워 소스(102)는 출력 파워의 크기를 조절할 수 있고, 각각의 열의 발열체의 가열 파워를 조절하고, 각각의 열의 발열체와 대응하는 가열 영역의 온도를 더욱 조절한다. 각각의 행의 발열체의 전원 출력 라인(105)을 모두 동일한 스위치 모듈(103)에 연결되고(스위치 모듈(103)은 발열체의 전원 회로에 배치되고 발열체 전원의 연결과 절단에 대한 제어를 실현할 수 있으면 된다. 즉, 다른 실시예에서, 스위치 모듈을 발열체의 전원 입력 라인(104)에 배치해도 된다), 스위치 모듈(103)은 복수의 스위치 요소를 포함하고, 각각의 스위치 요소는 각각의 행에서의 각각의 발열체의 전원 회로에 상응하게 배치되고, 스위치 모듈(103)에서의 각각의 스위치 요소는 동시에 작동하고, 즉, 동시에 절단되거나 동시에 연결된다. 스위치 모듈(103)은 제어 유닛(107)에 연결되고, 제어 유닛(107)은 스위치 모듈에게 신호를 제공하고, 스위치 모듈(103)이 통하는지 않는지를 제어하고, 각각의 행의 발열체의 전원 회로의 온(ON)/오프(OFF)를 제어하고, 각각의 행의 발열체와 대응하는 가열 영역의 온도를 더욱 제어한다. 발열체 매트릭스에서, 각각의 발열체는 모두 대응하는 가열 영역을 제어하고, 파워 소스의 출력 파워의 크기를 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 열의 발열체와 대응하는 가열 영역의 온도를 제어하고, 스위치 모듈의 온(ON)/오프(OFF)를 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 행의 발열체와 대응하는 가열 영역의 온도를 제어하고, 동시에 파워 소스와 스위치 모듈을 이용함으로써 행과 열을 개별적으로 제어하고, 각각의 발열체에 대한 이중 제어를 실현하고, 발열체 매트릭스에서의 각각의 발열체는 모두 파워 소스와 스위치 모듈을 통해 제어를 받을 수 있고, 각각의 발열체와 대응하는 가열 영역의 온도에 대한 제어의 유연성과 정확성을 향상시킨다. 예를 들어, 스위치 모듈(103)에서의 하나의 스위치가 연결될 경우, 발열체 중 하나의 행이 파워 소스(102)와 연결된다. 파워 소스(102)는 복수의 가열 파워 출력 포트(독립적으로 조절 가능한 출력 파워를 갖는 출력 포트)를 갖고, 이 가열 파워 출력 포트들에서부터 출력된 다른 전압/파워는 다른 열에서의 대응하는 발열체에 연결되기 때문에, 연결된 행 전체의 발열체는 가장 바람직한 가열 파워를 갖는다. 가장 바람직한 파워 분포를 갖는 발열체의 한 행은 가열을 완료한 후에 스위치 모듈(103)에서의 다른 스위치 요소가 연결 상태로 전환되고, 그 다음에 다른 행에서의 발열체가 독립적이고 제어 가능한 가열을 실행한다. 이렇게 행마다 주사하면, 발열체 매트릭스는 가장 짧은 시간에서 가열 파워에 대한 조절을 완료할 수 있다. 본 실시예에서, 파워 소스는 각각의 행의 발열체를 제어할 수도 있고, 그것에 상당하는 것으로, 스위치 모듈은 각각의 열의 발열체를 제어하고, 제어 원리는 상기 방법과 동일하다.
플라즈마 처리 장치에서, 고주파수 RF전력을 도입해야 전기적으로 플라즈마를 점화할 수 있다. 이런 고주파수(MHz)와 고파워(KW)를 갖는 RF전력은 플라즈마 처리 장치의 반응 챔버 내부에서의 여러 가지 발열체(예를 들어, 본 발명에서의 발열체)를 심하게 간섭하고, 동시에 이 발열체들에서 외부 가열 전원까지 흘러가는 파워도 반응 챔버 내의 RF전력이 누출하는 것을 일으킨다. 제어 유닛(107)이 스위치 모듈(103)에 전송하는 제어 신호가 RF 신호의 간섭을 받는 것을 방지하기 위해, 온도 제어 장치에서 파워 소스에 의해 생성된 고주파수 간섭 신호를 상당히 감쇠시키는데 사용되는 RF 여파기(106)가 배치된다. 비교적 좋은 여파 효과를 얻기 위해 전원 입력 라인(104)과 전원 출력 라인(105)을 모두 RF 여파기(106)와 연결하고, 신호 간섭에 대한 차단을 최대화하기 위해, 특히 스위치 모듈에 연결된 전원 라인을 RF 여파기(106)와 연결한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에서, 상기 발열체는 여전히 표준 매트릭스에 의해 배열되고, 매트릭스의 배열 방식 및 파워 소스와 스위치 모듈의 연결 방식은 모두 도 4에 나타낸 바와 동일하다.
상기 스위치 모듈로서, 스위치 트랜지스터를 사용해도 되고, 스위치 트랜지스터(Switch transistor)는 컷오프 영역과 포화 영역에서 작업하고, 회로의 절단과 연결에 상당한다. 이의 절단과 연결의 역할 때문에, 여러 가지 회로에 폭넓게 응용되고 있다. 예를 들어, 스위치 전원 회로, 구동 회로, 고주파수 발진 회로, 아날로그-디지털 전환 회로, 펄스 회로 및 출력 회로 등을 들 수 있다. 스위치 트랜지스터의 베이스는 와이어를 통해 제어 유닛(107)에 연결되고, 스위치 트랜지스터의 콜렉터와 이미터는 발열체(101)의 전원 회로 안에 연결된다. 제어 유닛(107)은 스위치 트랜지스터에게 저전압 신호를 송신할 때, 베이스에 전류가 없기 때문에, 콜렉터에도 전류가 없고, 콜렉터에 연결된 부하에도 전류가 없고, 스위치의 절단(절단 상태)에 상당한다. 이 때, 스위치 트랜지스터는 여전히 컷오프 영역에서 작업하고, 트랜지스터에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로가 절단 상태에 있고, 발열체가 가열을 중지하고, 상당하는 가열 영역의 온도가 낮아진다. 제어 유닛(107)이 스위치 트랜지스터에게 고전압 신호를 송신할 때, 베이스에 전류의 유동이 있기 때문에, 보다 큰 증폭된 전류가 콜렉터를 흐르고, 그러므로 부하 회로가 연결되고, 스위치의 연결(연결 상태)에 상당한다. 이 때, 스위치 트랜지스터는 여전히 포화 영역에서 작업하고, 스위치 트랜지스터에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로가 연결 상태에 있고, 발열체가 가열을 시작하고, 상당하는 가열 영역의 온도가 상승한다. 제어 유닛(107)이 스위치 트랜지스터에게 송신한 제어 신호는 유선 전송 과정에서 파워 소스에서부터 생긴 고주파수 신호의 간섭을 받는 것을 방지하기 위해, RF 여파기(106)가 배치되고, 와이어로 스위치 트랜지스터에 연결된 제어 유닛(107)에게 송신된 제어 신호는 RF 여파기(106)를 통해 여과된 후에, 간섭 신호를 감쇠한다.
상기 스위치 모듈로서, 광 커플러도 사용해도 된다. 광 커플러(OC)는 광 아이솔레이터라고도 불린다. 이는 광을 매체로 하고 전기 신호를 전송하는 전기-광-전기 변환기의 하나이고, 광을 매체로 하고 입력 단부의 전기 신호를 광 신호로 전환하고, 출력 단부에 결합되어 다시 전기 신호로 전환하기 때문에, 광 커플러라고 불린다. 광 커플러의 입력 단부와 출력 단부 사이의 절연이나 전기 신호 전송의 단방향성 등의 특징 때문에, 광 커플러는 우수한 전기 절연 능력과 간섭 방지 능력을 갖는다. 광 커플러는 작은 체적, 긴 수명, 접촉점이 없는 것, 강한 간섭 방지 능력, 출력과 입력이 서로 격리되는 것, 단방향을 따른 신호 전송 등의 특징을 가질 뿐만 아니라, 계전기, 변압기, 쵸퍼 등을 대체할 수 있기 때문에, 이제 전기 절연, 레벨 변환, 스테이지간 결합, 구동 회로, 스위치 회로, 쵸퍼, 멀티 바이브레이터, 신호 절연, 스테이지간 절연, 펄스 증폭 회로, 디지털 미터, 장거리 신호 전송, 펄스 증폭, 고체 상태 계전기(SSR), 계기, 통신 장치 및 마이크로 컴퓨터 인터페이스에 폭넓게 응용되고 있다. 광 커플러의 발광 장치로서 발광 다이오드 또는 레이저 튜브가 자주 사용되고, 수신 장치로서 감광성 다이오드, 감광성 트랜지스터 및 광학 집적 회로가 자주 사용된다. 광 커플러의 발광 장치는 광섬유를 통해 제어 유닛(107)에 연결되고, 광 커플러의 수신 장치는 발열체(101)의 전원 회로에 직렬로 연결된다. 제어 유닛(107)이 광 커플러에 광 신호를 송신할 때, 광 커플러가 연결되고, 광 커플러에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로는 접속되고, 발열체가 가열을 시작하고, 상당하는 가열 영역의 온도는 상승한다. 제어 유닛(107)이 광 커플러에 광 신호의 송신을 중지할 때, 광 커플러가 절단되고, 커플러에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로가 절단되고, 발열체가 가열을 중지하고, 상당하는 가열 영역의 온도가 낮아진다. 제어 유닛(107)의 제어 신호가 광섬유를 통해 전송되기 때문에, 파워 소스에서 생성된 고주파수 신호의 간섭을 받는 것을 피하고, RF 여파기(106)를 생략할 수 있다.
스위치 모듈로서, MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 게이트 구동 회로도 상용해도 된다. MOSFET는 전원 회로, 모터 드라이버 및 다른 시스템의 스위치 요소로 사용되는 전압 제어 장치이다. 게이트는 각각의 MOSFET 장치의 전기적인 절연 제어 단부이고, MOSFET의 다른 두 단부는 소스(source)와 드레인(drain)(IGBT에 대해, 콜렉터와 이미터라고 불린다)이다. MOSFET/IGBT를 조작하기 위해, 일반적으로 전압을 게이트(장치의 소스/드레인에 대해 상대적으로 불린다)에 인가해야 하고, 특정한 구동 장치를 사용함으로써 파워 장치의 게이트에 전압을 인가하고 구동 전류를 제공한다. MOSFET의 게이트는 와이어를 통해 제어 유닛(107)에 연결되고, MOSFET의 소스와 드레인(IGBT에 대해, 콜렉터와 이미터이다)은 발열체(101)의 전원 회로에 연결된다. 제어 유닛(107)이 MOSFET에 게이트 구동 신호를 송신할 때, 게이트 전압은 역치 전압을 넘은 후, 소스와 드레인은 연결되고, MOSFET에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로가 접속되고, 발열체가 가열을 시작하고, 상당하는 가열 영역의 온도는 상승한다. 제어 유닛(107)이 MOSFET에 게이트 구동 신호를 송신하는 것을 중지할 때, 소스와 드레인은 절단되고, MOSFET에 의해 제어된 복수의 발열체의 전원 회로가 절단되고, 발열체가 가열을 중지하고, 상당하는 가열 영역의 온도가 낮아진다. 제어 유닛(107)이 MOSFET에게 송신한 게이트 구동 신호는 유선 전송 과정에서 파워 소스에서부터 생긴 고주파수 신호의 간섭을 받는 것을 방지하기 위해, RF 여파기(106)가 배치되고, 와이어로 MOSFET에 연결된 제어 유닛(107)에게 송신된 제어 신호는 RF 여파기(106)를 통해 여과된 후에, 간섭 신호를 감쇠한다. 일 응용예의 경우에서, 무선 모델을 사용함으로써 MOSFET게이트 구동 회로를 제어하는 것을 실현해도 된다. 무선 모듈을 이용하고 MOSFET의 게이트에게 게이트 구동 신호를 제공하고, 무선 모듈과 MOSFET 사이에 고주파수 무선 신호를 통해 통신하고, 이 무선 모듈은 반도체 장치의 반응 챔버 밖에 배치되어도 되고, 블루투스 또는 적외선 등의 방식을 통해 MOSFET에 게이트 구동 신호를 송신하고, MOSFET의 연결과 절단에 대한 제어를 실현할 수 있다. 무선 모델을 사용하면, MOSFET와 제어 유닛 사이의 와이어를 절약할 수 있을 뿐만 아니라, 장치의 디자인을 더욱 간단하게 하고, 코스트를 절약한다.
상기 각각의 발열체(101)의 한 단부는 전원 입력 라인(104)에 연결되고, 다른 단부는 전원 출력 라인(105)에 연결된다. 전원 입력 라인(104)과 전원 출력 라인(105)을 총칭해서 전원 라인이라고 부른다. 발열체(101)는 전원 라인을 통해 파워 소스(102)의 전원 회로에 연결되고, 스위치 모듈(103)은 전원 회로 안에 배치된다. 고주파수 신호의 간섭을 낮게 하기 위해, RF 여파기(106)가 전원 회로에 배치된다. 구체적인 실시예에서, 발열체(101)의 양 단부에 연결된 전원 라인은 내장식으로 정전 척 안에 배치되고, 발열체(101)는 정전 척 하부에 배치되고 또한 정전 척과 접촉한다. 파워 소스(102), 스위치 모듈(103) 및 RF 여파기(106)도 정전 척 밖에 배치되고 또한 전원 라인의 수량을 감소시키기 위해 파워 소스(102), 스위치 모듈(103) 및 RF 여파기(106)는 가능한 한 정전 척과의 거리가 비교적 가까운 위치에 배치되어야 한다.
전원 라인을 더욱 절약하기 위해, 본 발명에서 양극(bipolar) 파워 소스(102)를 사용함으로써 발열체에 대한 제어를 실현해도 된다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 온도 제어 장치에서의 발열체는 여전히 표준 매트릭스에 의해 배열된다. 3×2 매트릭스를 예로 하면, 각각의 발열체(101)는 "행-열"의 방식으로 명명된다. 즉, 발열체(1-1)는 제1 행과 제1 열에 위치한 것이고, 발열체(2-1)는 제2 행과 제1 열에 위치한 것이다. 제1 열의 발열체(1-1 및 2-1)는 모두 전원 라인을 통해 번호 1의 파워 소스(제1 파워 소스라고 불린다)에 연결된다. 이 제1 파워 소스는 양극 전원이고, 순방향 전류와 역“‡향 전류를 제공할 수 있다. 발열체(1-1및 1-2)의 전원 회로에는 스위치 요소가 개별적으로 배치되고, 이 스위치 요소는 발열체의 전원 입력 라인에 배치되어도 되고, 발열체의 전원 출력 라인에 배치되어도 된다. 스위치 요소는 이극 다이오드 또는 삼극 다이오드와 같은 방향성을 갖는 장치를 사용한다. 발열체(1-1)와 발열체(2-1)를 예로 하면, 발열체(1-1)의 전원 출력 라인(105)에 제1 스위치 요소(1031)가 배치되고, 발열체(2-1)의 전원 출력 라인(105)에 제2 스위치 요소(1032)가 배치되고, 제1 스위치 요소(1031)와 제2 스위치 요소(1032)는 연결 방향이 상반된다. 예를 들어, 제1 스위치 요소(1031)가 순방향으로 배치되는 반면, 제2 스위치 요소(1032)가 역방향으로 배치된다. 발열체(1-1)와 발열체(2-1)의 각자의 스위치 요소 뒤에 있는 전원 출력 라인(즉, 정전 척 안에 내장식으로 배치되지 않는 전원 라인의 부분)은 동일한 전원 라인을 공용할 수 있다. 이런 방식으로 전원 라인을 절약한다. 더욱이, 스위치 요소를 발열체의 전원 입력 라인에 배치하면, 두 발열체는 동일한 전원 출력 라인을 완전히 공용할 수 있고 전원 라인을 더 절약한다. 본 실시예에서, 스위치 요소를 단독적으로 제어할 필요가 없다. 다시 발열체(1-1)와 발열체(2-1)를 예로 들면, 발열체는 그가 위치하는 영역을 가열할 필요가 있으면, 제어 유닛(107)이 제1 파워 소스를 제어하고 역방향 전류를 제공한다. 이 때, 제1 스위치 요소(1031)가 연결되고 제2 스위치 요소(1032)가 연결되지 않기 때문에, 발열체(1-1)의 전원 회로가 연결되고, 발열체(1-1)는 그가 위치하는 영역을 가열하고, 발열체(2-1)의 전원 회로가 절단되고 가열할 수 없다. 반면, 발열체(2-1)는 그가 위치하는 영역을 가열할 필요가 있으면, 제어 유닛(107)이 제1 파워 소스를 제어하고 순방향 전류를 제공한다. 이 때, 제2 스위치 요소(1032)가 연결되고 제1 스위치 요소(1031)가 연결되지 않기 때문에, 발열체(2-1)의 전원 회로가 연결되고 그가 위치하는 영역을 가열하기가 시작하는 반면, 발열체(1-1)의 전원 회로가 절단되고 가열이 중지된다. 본 실시예에서, 양극 전원이 스위치 요소와 협력함으로써 동일한 양극 전원에 연결된 모든 발열체를 동시에 제어하는 것을 실현할 수 있다. 파워 소스가 순방향 전류 또는 역방향 전류를 제공할 때, 모두 절반의 발열체의 전원 회로만 연결될 수 있고, 다른 절반의 발열체의 전원 회로가 절단되고, 동일한 파워 소스에 연결된 두 발열체는 다른 전류 연결 방향을 갖는다. 이런 방식으로, 이런 두 발열체는 동일한 전원 출력 라인을 공용할 수 있기 때문에, 온도 제어 장치 전체는 절반의 전원 출력 라인을 절약할 수 있다.
본 발명에서 제공된 온도 제어 장치에서의 발열체의 배열 방식으로써, 비전통적인 매트릭스를 사용해도 된다. 매트릭스에서의 "행"과 "열"은 반드시 직선에 의해 배열되는 것은 아니고, 모든 행에서의 발열체의 수량도 반드시 동일한 것은 아니고, 모든 열에서의 발열체의 수량도 동일한 것은 아니다. 즉, "행"과 "열"은 다양하게 배열되고, "행"과 "열"에서의 발열체의 수량도 변화될 수 있다(매트릭스에서 공백이 있는 것은 허가된다).
도 7에 나타낸 바와 같이, 각각의 발열체(101)는 여전히 "행-열"의 방식으로 명명된다. 매트릭스에서의 발열체의 파워 소스 및 스위치 모듈(또는 스위치 요소)과의 연결 방식 및 제어 방식도 전술한 스킴(scheme)과 일치하고, 파워 소스의 출력 파워의 크기를 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 열 또는 각각의 행의 발열체에 상당하는 가열 영역의 온도를 제어하고, 스위치 전원의 연결과 절단을 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 행 또는 각각의 열의 발열체에 상당하는 가열 영역의 온도를 제어한다. 본 실시예에서, 매트릭스의 각각의 행은 원형의 방식으로 배열돼도 되고, 제1 행은 하나의 발열체(1-1)만을 포함하고, 매트릭스 전체의 중간에 배열되고, 제2 행의 발열체는 제1 행의 발열체(1-1)를 둘러싸는 방식으로 배치되고, 제2 행은 4개의 발열체를 포함하고, 제3 행의 발열체는 제2 행의 발열체를 둘러싸는 방식으로 더 배치되고, 제3 행은 여덟 개 이상의 발열체를 포함해도 되고, 제4 행은 제3 행의 발열체를 둘러싸는 방식으로 배치되고, 또한 제4 행의 발열체의 수량은 제3 행의 발열체의 수량보다 많다. 이러한 방식으로 유추하면, 발열체 매트릭스 전체는 원형과 비슷한 원형 방식으로 배치된다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 4×4 매트릭스를 예로 하여, 각각의 발열체(101)는 여전히 "행-열"의 방식으로 명명된다. 매트릭스에서의 발열체의 파워 소스 및 스위치 모듈(또는 스위치 요소)과의 연결 방식 및 제어 방식도 전술한 스킴과 일치하고, 파워 소스의 출력 파워의 크기를 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 열 또는 각각의 행의 발열체에 상당하는 가열 영역의 온도를 제어하고, 스위치 전원의 연결과 절단을 이용함으로써 발열체 매트릭스에서의 각각의 행 또는 각각의 열의 발열체에 상당하는 가열 영역의 온도를 제어한다. 본 실시예에서, 매트릭스의 각각의 행의 발열체는 모두 하나의 영역에 배치된다. 예를 들어, 제1 행의 네 개의 발열체는 모두 매트릭스의 왼쪽 상단에 배치되고, 제2 행의 네 개의 발열체는 모두 매트릭스의 오른쪽 상단에 배치되고, 제3 행의 네 개의 발열체는 모두 매트릭스의 왼쪽 하단에 배치되고, 제4 행의 네 개의 발열체는 모두 매트릭스 오른쪽 하단에 배치된다. 파워 소스는 영역 네 개(왼쪽 상단, 오른쪽 상단, 왼쪽 하단, 오른쪽 하단)에 대한 제어를 실현할 수 있고, 스위치 모듈은 네 개의 영역에서의 각각의 발열체에 대한 단독적인 제어를 실현할 수 있다.
본 발명에서 제공된 온도 제어 장치 및 이의 온도 제어 방법에 따르면, 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하고 파워 소스의 수량을 절약하고 코스트를 더욱 절약한다. 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체는 동일한 파워 소스를 공용하고 또한 하나의 열 전체 또는 하나의 행 전체의 발열체는 동일한 스위치 모듈을 공용하기 때문에, 전원 라인의 수량도 크게 절약하고 코스트를 절약하는 목적도 달성한다. 하나의 파워 소스는 하나의 행 전체 또는 하나의 열 전체의 발열체의 출력 파워를 동시에 조절할 수 있고, 하나의 스위치도 하나의 열 전체 또는 하나의 행 전체의 발열체의 연결과 절단을 동시에 제어할 수 있고, 각각의 발열체를 단독적으로 제어할 필요가 없고, 발열체를 제어하는 어려움을 낮게 함과 함께, 파워 소스의 출력 파워를 조절하고 스위치 모듈의 온(ON)/오프(OFF)를 제어하기 때문에, 발열체에 대한 온도 제어의 정밀도를 낮게 하지 않고, 매우 균일하고 유연성 있는 온도 제어 효과를 여전히 얻을 수 있다. 본 발명에서, 하나의 행은 하나의 스위치를 공용하고 하나의 열은 하나의 가열 파워 출력 포트에만 연결되기 때문에, 전체적으로 배치될 여파기의 수량이 크게 감소한다. 예를 들어, 도 4에 나타낸 실시예에서 N×N 발열체 매트릭스에 대해 2N 개의 여파기만 필요하고, 도 5와 도 6에 나타낸 실시예에서 N+1 개의 여파기만 필요하다. 그러므로, 본 발명은 여파기의 수량을 크게 감소시키고 또한 코스트도 크게 낮게 한다.
비록 본 발명의 내용을 전술한 바람직한 실시예로 자세하게 설명했지만, 전술한 설명은 본 발명을 제한한다고 생각하여서는 안 된다. 전술한 내용을 접한 당업자가 본 발명을 토대로 여러 가지 변경과 대체를 하는 것은 모두 자명적이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 청구항에 의해 확정되어야 한다.

Claims (12)

  1. 반도체 처리 장치에 사용되고, 상기 반도체 처리 장치의 반응 챔버 내부의 베이스에 배치되고 정전 척 하부에 위치하는 온도 제어 장치에 있어서,
    "행"과 "열"의 방식으로 배열된 복수의 발열체를 포함하는 발열체 매트릭스;
    복수의 가열 파워 출력 포트를 포함하는 파워 소스, - 상기 발열체 매트릭스의 동일한 열에서의 각각의 발열체는 모두 상기 파워 소스의 동일한 가열 파워 출력 포트에 전기적으로 연결되고, 상기 파워 소스의 각각의 가열 파워 출력 포트로부터 출력된 가열 파워가 독립적으로 조절될 수 있음 -; 및
    복수의 스위치 모듈
    을 포함하고,
    상기 발열체 매트릭스의 각각의 행의 모든 발열체의 전원 회로에 대하여 동일한 스위치 모듈이 배치되고, 각각의 상기 스위치 모듈은 하나의 행 전체에서의 상기 발열체의 전원 회로의 연결과 절단을 제어하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발열체 매트릭스에서, 각각의 상기 발열체는 제1 단부와 제2 단부를 포함하고, 상기 제1 단부와 상기 제2 단부는 개별적으로 전류 입력 단부와 전류 출력 단부 중 하나에 연결되고, 상기 파워 소스로부터의 전류는 상기 전류 입력 단부를 통해 상기 발열체에 흘러 들어가고, 상기 출력 단부를 통해 흘러 나오고, 상기 복수의 발열체의 상기 제2 단부는 동일한 와이어에 연결됨으로써 하나의 행을 구성하고 또한 하나의 상기 와이어에 하나의 상기 스위치 모듈이 직렬로 연결되고, 상기 복수의 발열체의 상기 제1 단부는 동일한 가열 파워 출력 포트에 연결됨으로써 하나의 열을 구성하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 발열체 매트릭스에서, 각각의 행과 각각의 열은 모두 복수의 발열체를 포함하고, 상기 온도 제어 장치는 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은 파워 소스의 출력 파워의 크기 및 스위치 모듈의 연결과 절단을 제어하는 것에 사용되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    스위치 트랜지스터 또는 광 커플러 또는 MOSFET 게이트 구동 회로를 상기 스위치 모듈로서 사용하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 상기 온도 제어 장치를 이용함으로써 온도를 제어하는 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 방법에 있어서,
    각각의 상기 파워 소스의 출력 파워의 크기를 조절함으로써 각각의 상기 파워 소스가 제어하는 열 전체의 상기 발열체의 출력 파워를 조절하는 파워 소스 조절 공정; 및
    각각의 상기 스위치 모듈의 연결과 절단을 제어함으로써 각각의 상기 스위치 모듈이 제어하는 행 상기 전체의 발열체의 전원 회로의 연결과 절단을 제어하는 스위치 모듈 조절 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    파워 소스 조절 방식과 스위치 모듈 조절 방식을 동시에 채용함으로써 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행하거나, 파워 소스 조절 방식 또는 스위치 모듈 조절 방식을 단독적으로 채용하여 상기 발열체 매트릭스에 대한 온도 제어를 실행하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  7. 반도체 처리 장치에 있어서,
    반응 챔버;
    반응 챔버 안에 배치된 베이스;
    베이스에 배치된 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 상기 온도 제어 장치;
    상기 온도 제어 장치에 배치된 정전 척
    을 포함하고,
    상기 온도 제어 장치에서 발열체와 연결하는데 사용되는 전원 라인은 상기 정전 척 안에 내장식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
  8. 반도체 처리 장치에 사용되고, 상기 반도체 처리 장치의 반응 챔버 내부의 베이스에 배치되고 정전 척 하부에 위치하는 온도 제어 장치에 있어서,
    "행"과 "열"의 방식으로 배열된 복수의 발열체를 포함하는 발열체 매트릭스;
    복수의 양극(bipolar) 파워 소스 - 상기 발열체 매트릭스의 각각의 행 또는 각각의 열에서의 각각의 상기 발열체는 모두 개별적으로 동일한 상기 양극 파워 소스와 전원 회로를 구성하고, 각각의 상기 양극 파워 소스는 행 전체 또는 열 전체의 상기 발열체의 입력 파워의 크기를 제어하고, 상기 양극 파워 소스의 각각의 가열 파워 출력 포트로부터 출력된 가열 파워가 독립적으로 조절될 수 있음 -; 및
    복수의 스위치 요소
    를 포함하고,
    각각의 상기 스위치 요소는 개별적으로 각각의 상기 발열체의 전원 회로 안에 배치되고, 각각의 행 또는 각각의 열에서의 임의의 두 개의 상기 발열체가 하나의 발열체 그룹을 구성하고, 각각의 상기 발열체 그룹의 전원 회로에서의 두 개의 상기 스위치 요소는 전도 방향이 서로 상반되는 것을 특징으로 온도 제어 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 온도 제어 장치는 제어 유닛을 포함하고, 상기 제어 유닛은, 양극 파워 소스의 전류 방향의 변경 및 양극 파워 소스의 출력 파워의 크기를 제어하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 온도 제어 장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 기재된 상기 온도 제어 장치를 이용함으로써 온도를 제어하는 반도체 처리 장치에 사용되는 온도 제어 방법으로서,
    각각의 상기 양극 파워 소스의 전류 방향을 전환하는 공정으로서, 상기 양극 파워 소스가 순방향 전류를 제공할 경우, 순방향 전도 스위치 요소를 갖는 발열체의 전원 회로는 연결되고, 역방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 절단되고, 상기 양극 파워 소스가 역방향 전류를 제공할 경우, 상기 순방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 절단되고, 상기 역방향 전도 스위치 요소를 갖는 상기 발열체의 전원 회로는 연결되는 파워 소스의 전류 방향에 대한 조절 공정; 및
    각각의 상기 양극 파워 소스의 출력 파워의 크기를 조절함으로써 각각의 상기 양극 파워 소스가 제어하는 행 전체 또는 열 전체의 상기 발열체의 출력 파워를 조절하는 입력 파워의 크기에 대한 조절 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    파워 소스의 전류 방향에 대한 조절과 입력 파워의 크기에 대한 조절을 동시에 채용함으로써 상기 발열체 매트릭스에게 온도 제어를 실행하거나, 파워 소스의 전류 방향에 대한 조절 또는 입력 파워의 크기에 대한 조절을 단독적으로 채용함으로써 상기 발열체 매트릭스에게 온도 제어를 실행하는 것을 특징으로 하는 온도 제어 방법.
  12. 반도체 처리 장치에 있어서,
    반응 챔버;
    상기 반응 챔버 안에 배치된 베이스;
    상기 베이스에 배치된 제8항 또는 제9항에 기재된 온도 제어 장치; 및
    상기 온도 제어 장치에 배치된 정전 척
    을 포함하고,
    상기 온도 제어 장치에서 상기 발열체와 연결하는 것에 사용되는 전원 라인은 상기 정전 척에 내장식으로 배치되는 것 것을 특징으로 하는 반도체 처리 장치.
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