KR102338583B1 - 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각냉크 - Google Patents

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Abstract

반도체 공정에서 사용된 폐황산을 단계적으로 수용하여 냉각하기 위한 복수의 냉각챔버를 가지는 탱크 본체와, 탱크 본체에 매설되어 각 냉각챔버 내에 수용되는 폐황산과 열교환을 통해 냉각시키기 위한 열교환매체를 이동시키는 열교환매체 이송경로와, 각 냉각챔버에서 폐황산이 단계별로 이동하도록 하는 폐황산 이동경로 및 각 냉각챔버 폐황산의 상태를 확인하는 모니터링부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크가 개시된다.

Description

반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각냉크{COOLING TANK OF WASTE SULFURIC ACID USED IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS}
본 발명은 폐황산 냉각탱크에 관한 것으로서, 반도체 제조공정에 사용된 고온의 폐황산을 안전하게 급속 냉각시킬 수 있는 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각탱크에 관한 것이다.
집적회로의 성능과 신뢰성 및 생산수율은 제작시 사용된 웨이퍼나 제작 후 소자 표면에 존재하는 불필요한 물리적·화학적 불순물들에 의하여 많은 제한을 받는다. 웨이퍼 표면에 존재하는 불순물들은 필름, 개별 입자 혹은 입자 덩어리, 흡착된 가스 등으로 이루어져 있으며, 이들은 원자, 이온, 분자 등과 같은 물질 특성을 갖고 있다. 소자의 최소 선폭이 점점 작아져 서브마이크론 영역에 이르게 되면, 산화(oxidation)와 패터닝(patterning) 등의 전에 웨이퍼 표면을 청결하게 세정하는 기술에 대한 중요성은 더욱 커진다. 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 기술은 크게 습식화학방법, 건식방법, 증기(vapor phase)방법 등으로 나눌 수 있다.
세정은 단순한 물리적 분리를 통해서나 화학 반응을 통해서 일어나게 되는데, 이 중에서 화학 반응을 통해서 어떤 용매에 녹을 수 있는 물질로 변화시킴으로써 세정하는 과정을 습식화학방법이라고 한다.
한편, 세정에서 사용되는 세정액의 온도 변화는 여러 가지 중요한 효과들을 일으킨다. 온도가 증가되면 화학물질들의 반응률이 증가하여, 온도가 10℃ 증가할 때마다 약 2배 정도의 반응률 상승이 나타난다. 뿐만 아니라 온도 증가는 일반적으로 오염물질들의 물에 녹는 용해도를 증가시켜 세정이 빨리 이루어지게 한다. 따라서 세정액이 황산인 경우 통상 120 내지 150℃의 고온을 유지한다.
이처럼 습식세정장비에서는 웨이퍼를 세정하고 오염된 고온의 폐황산액을 배출하기 위해서는 소정 온도(예를 들어, 60℃) 이하까지 냉각시킨 후에, 옥외에 설치된 폐액탱크로 배출해야 한다. 그러나 많은 양의 폐황산을 배출하면서 냉각시키기에는 시간이 많이 소요되므로, 설정된 시간 내에 충분히 냉각시키지 못하거나 배출하지 못하였다.
또한, 폐황산은 부식성이 강한 성질을 가지므로, 냉각 및 배출과정에서의 안전성을 확보하면서도 신속하게 냉각하여 처리해야하는 것으로서, 이에 대한 연구개발이 절실히 필요하다.
대한민국 등록특허 제10-1572914호
본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 창안된 것으로서, 반도체 공정에 사용된 폐황산을 신속하고 안전하게 냉각시킬 수 있는 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각탱크를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각탱크는, 반도체 공정에서 사용된 폐황산을 단계적으로 수용하여 냉각하기 위한 복수의 냉각챔버를 가지는 탱크 본체; 상기 탱크 본체에 매설되어 상기 각 냉각챔버 내에 수용되는 폐황산과 열교환을 통해 냉각시키기 위한 열교환매체를 이동시키는 열교환매체 이송경로; 상기 각 냉각챔버에서 폐황산이 단계별로 이동하도록 하는 폐황산 이동경로; 및 상기 각 냉각챔버 폐황산의 상태를 확인하는 모니터링부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이로써, 반도체 제조공정에 사용되고 나오는 고온의 폐황산을 급속냉각시켜 처리할 수 있다.
여기서, 상기 탱크 본체는 테프론 재질로 형성되는 것이 좋다.
이로써, 강산성의 폐황산을 안전하게 냉각처리 할 수 있다.
또한, 상기 탱크 본체는, 상부벽과 하부벽과 전면벽과 후면벽 및 좌우 측면벽을 가지고, 상기 상부벽과 하부벽 사이에 상기 냉각챔버를 제1 내지 제3냉각챔버로 단계적으로 격리되게 구획하는 격벽이 설치되는 것이 좋다.
이로써, 폐황산을 격리된 복수의 챔버를 통해 단계적으로 냉각처리하여 냉각효율을 높일 수 있다.
또한, 상기 열교환매체 이송경로는, 상기 좌우 측면벽 내부에 매설되어 설치되며, 상기 각 냉각챔버에 대응하도록 독립적으로 배치되어 상기 열교환매체를 이동시키면서 열교환하는 열교환파이프; 상기 전면벽 또는 후면벽에 설치되어 상기 열교환 파이프로 열교환매체를 주입하는 열교환매체 주입구; 및 상기 전면벽 또는 후면벽에 설치되어 상기 열교환 파이프를 경유한 열교환매체가 배출되는 열교환매체 배출구;를 포함하는 것이 좋다.
이로써, 폐황산을 냉각하기 위한 열교환매체를 냉각채버와 격리되도록 안전하게 공급할 수 있다.
또한, 상기 폐황산 이동경로는, 상기 제1냉각챔버로 폐황산을 주입하는 폐황산 주입구; 상기 제1 및 제2냉각챔버에서 단계적으로 냉각된 후 최종적으로 제3냉각챔버에서 냉각된 폐황산을 배출하는 폐황산 배출구; 상기 제1냉각챔버의 폐황산을 상기 제2냉각챔버로 이송시키는 제1폐황산 전달라인; 및 상기 제2냉각챔버의 폐황산을 상기 제3냉각챔버로 전달하는 제2폐황산 전달라인;을 포함하는 것이 좋다.
이로써, 폐황산을 테프론으로 제작된 냉각탱크 내의 복수 챔버로 용이하게 순차 이동시킬 수 있다.
또한, 상기 모니터링부는, 상기 제1 내지 제3냉각챔버에 수용된 폐황산의 수위를 측정하기 위한 레벨감지부; 및 상기 제3냉각챔버의 폐황산의 온도를 측정하기 위한 온도센서;를 포함하는 것이 좋다.
이로써, 폐황산의 처리과정을 모니터링하여 처리속도를 조절할 수 있다.
또한, 상기 탱크 본체는, 상부벽과 하부벽과 전면벽과 후면벽 및 좌우 측면벽을 가지고, 상기 좌우 측면벽들 사이에 상기 냉각챔버를 제1 내지 제3냉각챔버로 수평으로 단계적으로 격리되게 구획하는 격벽이 설치되는 것이 좋다.
이로써, 복수의 냉각챔버를 좌우방향으로도 배치할 수 있어서, 설계 자유도를 높일 수 있다.
또한, 상기 열교환매체 이송경로는, 상기 좌우 측면벽과 격벽 각각에 매설되도록 일체로 설치되는 복수의 냉각파이프; 상기 각 냉각파이프로 열교환매체를 주입하기 위해 상기 상부벽에 설치되는 열교환매체 주입구; 및 상기 각 냉각파이프를 경유한 열교환매체가 배출되도록 상기 상부벽에 설치되는 열교환매체 배출구;를 포함하는 것이 좋다.
또한, 상기 폐황산 이동경로는, 상기 제1 내지 제3냉각챔버 각각으로 폐황산을 주입하도록 상기 상부벽에 설치되는 제1 내지 제3폐황산 주입구; 상기 제1 내지 제3냉각챔버에서 단계적으로 냉각된 폐황산을 배출하는 제1 내지 제3폐황산 배출구; 상기 제1냉각챔버의 폐황산을 상기 제2냉각챔버로 이송시키는 제1폐황산 전달라인; 및 상기 제2냉각챔버의 폐황산을 제3냉각챔버로 전달하는 제2폐황산 전달라인;을 포함하는 것이 좋다.
본 발명의 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각탱크는, 반도체 공정에 사용된 고온의 폐황산을 테프론 재질로 제작된 다단형의 냉각탱크를 이용하여 효과적으로 빠르게 냉각시킬 수 있다.
이로써, 위험물질인 폐황산을 안전하면서도 급속으로 냉각하여 처리할 수 있으므로, 반도체 제조공정에서의 멈춤시간을 단축하여 반도체의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조공정에 사용된 폐황산 냉각탱크는,
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 폐황산 냉각탱크를 자세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 폐황산 냉각탱크는, 복수의 냉각챔버(101,102,103)를 가지는 탱크 본체(100), 탱크 본체(100)에 매설되어 열교환매체를 이동시키는 열교환매체 이송경로(200)와, 상기 각 냉각챔버(101,102,103)에서 폐황산이 단계별로 이동하도록 하는 폐황산 이동경로(300)와, 상기 각 냉각챔버()의 폐황산의 상태를 확인하는 모니터링부(400)를 구비한다.
상기 탱크 본체(100)는 대략 직육면체의 형상을 가지며, 제1 내지 제3 냉각챔버(101,102,103)가 격리된 구조를 가지다. 이러한 탱크 본체(100)는 폐황산에 대해서 내화학성을 가지고, 안정성을 가지는 테프론(Taflone) 재질로 형성된다.
상기 제1 내지 제3냉각챔버(101,102,103)는 상부에서 하부로 동일 부피로 형성되고, 상부에서 하부로 단계적으로 배치된다.
구체적으로 보면, 탱크 본체(100)는 상부벽(110)과 하부벽(120)과, 전면벽(130)과 후면벽(140), 좌우 측면벽(150)과, 상부벽(110)과 하부벽(120) 사이에 일정 간격으로 설치되어 제1 내지 제3냉각챔버(101,102,103)를 구획하는 복수의 격벽(160)을 가진다. 여기서, 좌우 측면벽(150)에는 폐황산 이송경로(330)로서 냉각파이프가 일체로 내장되어 설치된다.
상기 상부벽(110)에는 폐황산을 제1냉각챔버(101)로 주입하기 위한 폐황산 주입구(310)가 설치되고, 하부벽(120)에는 제3냉각챔버(103)에서 냉각된 폐황산을 배출라인으로 배출하는 폐황산 배출구(320)가 설치된다.
전면벽(130)에는 모니터링부(400) 중에서 레벨감지부(410)가 설치되고, 후면벽(140)에는 온도센서(420)가 설치될 수 있다. 또한, 후면벽(140)에는 각 냉각챔버(101,102,103)에서 오버풀로우되는 폐황산을 흘려보내는 오버플로우 배출라인(170)이 설치된다. 오버플로우 배출라인(170)의 유입구는 제1 내지 제3냉각챔버(101,102,103) 각각의 상부에 연결되고, 배출구는 별도의 드레인 공정으로 연결된다.
상기 열교환매체 이송경로(200)는 상기 좌우 측면벽150)에 복수 설치된다. 이러한 열교환매체 이송경로(200)는 각각이 독립적으로 분리되게 매설되는 열교환 파이프(210)와, 상기 열교환 파이프(210)로 열교환 매체를 주입하는 열교환매체 주입구(220)와, 열교환 파이프(210)를 경유한 열교환매체가 배출되는 열교환매체 배출구(230)를 구비한다. 열교환매체 주입구(220)와 열교환매체 배출구(230) 각각는 전면벽(130) 또는 후면벽(140)에 설치될 수 있다.
바람직하게는 상기 열교환 파이프(210)는 각 챔버(101,102,103)에 대응되는 위치에 형성됨으로써, 각 챔버(101,102,103)로 유입된 폐황산과의 열교환이 더욱 효과적으로 빠르게 이루어지도록 하는 것이 좋다.
상기 폐황산 이동경로(300)는 제1냉각챔버(101)로 폐황산을 주입하는 폐황산 주입구(310)와, 제1 및 제2냉각챔버(101,102)에서 단계적으로 냉각된 후 최종적으로 제3냉각챔버(103)에서 냉각된 폐황산을 배출하는 폐황산 배출구(320)와, 제1냉각챔버(101)의 폐황산을 제2냉각챔버(102)로 이송시키는 제1폐황산 전달라인(330) 및 제2냉각챔버(102)의 폐황산을 제3냉각챔버(103)로 전달하는 제2폐황산 전달라인(340)을 구비한다.
상기 폐황산 주입구(310)는 복수 설치될 수 있으며, 상부벽(110)에 설치되어 반도체 공정에서 사용된 폐황산이 제1냉각챔버(101)로 주입되도록 한다.
상기 폐황산 배출구(320)는 하나 또는 복수 설치될 수 있으며, 하부벽(120)에 설치되어 제3냉각챔버(103)에서 최종적으로 원하는 온도범위로 냉각된 폐황산을 별도의 저장탱크나 처리공정으로 배출시킨다.
상기 제1폐황산 전달라인(330)은 제1냉각챔버(101)의 하부와 제2냉각챔버(102)의 상부를 연결하도록 설치되어, 제1냉각챔버(101)에서 1차로 급속 냉각된 페황산을 제2냉각챔버(102)로 흘러내려 갈 수 있도록 한다. 이러한 제1폐황산 전달라인(330)에는 제1조절밸브(331)가 설치되어 제1냉각챔버(101)에서 제2냉각챔버(102)로 흘러가는 폐황산액의 양을 조절할 수 있다.
상기 제2폐황산 전달라인(340)은 제2냉각챔버(102)의 하부와 제3냉각챔버(103)의 상부를 연결하도록 설치되어, 제2냉각챔버(102)에서 2차로 금속 냉각된 폐황산을 제3냉각챔버(103)로 흘러내려 가도록 한다. 제2폐황산 전달라인(340)에는 제2조절밸브(341)가 설치되어 제2냉각챔버(102)에서 제3냉각챔버(103)로 흘러가는 폐황산액의 양을 조절할 수 있다.
상기 모니터링부(400)는 각 냉각챔버(101,102,103)에 수용된 폐황산의 수위를 측정하기 위한 레벨감지부(410)와, 제3냉각챔버(103)의 폐황산의 온도를 측정하기 위한 온도센서(420)를 구비한다.
상기 레벨감지부(410)는 냉각챔버(101,102,103) 각각에 상하로 연결되는 레벨감지용 연결관(411)과, 레벨감지용 연결관(411)에 설치되는 복수의 레벨센서(413)를 구비한다.
상기 온도센서(420)는 후면벽(140)에 설치되어, 제3냉각챔버(103)의 하부에서의 폐황산 온도를 측정한다. 상기 레벨감지부(410)와 온도센서(420)에서 감지된 정보를 근거로 하여, 폐황산의 냉각처리 과정과 속도를 확인할 수 있고, 이로써 이후의 공정을 원활하게 수행할 수 있다. 또한, 상기와 같이 모니터링부(400)에서의 모니터링정보를 근거로 하여 냉각속도를 조절할 수 있도록 상기 제1 및 제2조절밸브(331,341)를 조절할 수 있다.
상기 구성을 가지는 본 발명의 실시예에 따른 폐황산 냉각탱크는 탱크 본체(100)를 테프론 재질로 형성하고, 그 내부에 냉각파이프(210)를 일체로 형성시키되, 내부 공간 즉 제1 내지 제3냉각챔버(101,102,103)와는 격리되도록 구성함으로써, 안정성을 확보화면서도 고온의 폐황상을 급속으로 냉각시켜 처리할 수 있다.
특히, 단계적으로 폐황산을 냉각처리할 수 있는 구성을 가짐으로써, 전체의 폐황산을 동시에 냉각처리 하는 것에 비하여, 냉각 처리 효율을 높이고 처리속도를 향상시킬 수 있다.
이를 위해서, 상기 제1냉각 챔버(101)를 냉각하기 위해 배치된 냉각파이프(210) 쪽으로는 더 많은 열교환 매체를 공급하거나, 또는 열교환 매체의 순환순서를 폐황산의 경유순서에 대응되도록 공급할 수 있다. 이로써, 위험물질은 폐황산을 안전하게 신속하게 급속냉각하여 처리할 수 있게 되며, 그로 인해 반도체 생산공정의 멈춤구간을 줄여서 생산성을 높일 수 있게 된다.
또한, 도 6 내지 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐황산 냉각탱크는 복수의 냉각챔버(101',102',103')를 가지는 탱크 본체(100'), 탱크 본체(100')에 매설되어 열교환매체를 이동시키는 열교환매체 이송경로(200')와, 상기 각 냉각챔버(101',102',103')에서 폐황산이 단계별로 이동하도록 하는 폐황산 이동경로(300')와, 상기 각 냉각챔버(101',102',103')의 폐황산의 상태를 확인하는 모니터링부(400')를 구비한다.
상기 탱크 본체(100')는 대략 직육면체의 형상을 가지며, 제1 내지 제3 냉각챔버(101',102',103')가 수평으로 격리된 구조를 가지다. 이러한 탱크 본체(100')는 폐황산에 대해서 내화학성을 가지고, 안정성을 가지는 테프론(Teflon) 재질로 형성된다.
상기 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103')는 수평으로 동일 부피로 격리되게 형성되고, 좌측에서 우측으로 또는 그 반대로 단계적으로 배치된다.
구체적으로 보면, 탱크 본체(100')는 상부벽(110')과 하부벽(120)과, 전면벽(130')과 후면벽(140'), 좌우 측면벽(150)과, 좌우 측면벽들(150) 사이에 일정 간격으로 설치되어 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103')를 구획하는 복수의 격벽(160')을 가진다. 여기서, 좌우 측면벽(150')과 격벽(160')에는 폐황산 이송경로(210')로서 냉각파이프가 일체로 내장되어 설치된다.
상부벽(110')에는 각 챔버(101',102',103')에 대응되는 부분에 배치되 각 챔버(101',102',103')로 폐황산을 주입하기 위한 제1 내지 제3폐황산 주입구(311,313.315)가 설치된다. 하부벽(120')에는 각 챔버(101',102',103')에서 냉각된 폐황산을 배출하기 위한 제1 내지 제3폐황산 배출구(321,323,325)가 설치된다. 상기 제1폐황산 주입구(311)로 반도체 공정에서 사용된 고온의 폐황산이 주입되어 제1냉각챔버(101')로 공급된다.
상기 전면벽(130')에는 모니터링부(400')가 설치된다.
상기 열교환매체 이송경로(200')는 좌우 측면벽(150)과 격벽(160') 각각에 매설되도록 일체로 설치되는 냉각파이프(210')와, 상기 각 냉각파이프(210')로 열교환매체를 주입하기 위한 열교환매체 주입구(220')와, 상기 각 냉각파이프(210')를 경유한 열교환매체가 배출되는 열교환매체 배출구(230')를 구비한다.
상기 열교환 파이프(210')는 각 챔버(101',102',103')에 대응되는 위치에 설치됨으로써, 각 챔버(101',102',103')로 유입된 폐황산과의 열교환이 더욱 효과적으로 빠르게 이루어지도록 하는 것이 좋다.
상기 폐황산 이동경로(300')는 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103') 각각으로 폐황산을 주입하도록 상부벽(110')에 설치되는 제1 내지 제3폐황산 주입구(311.313,315)와, 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103')에서 단계적으로 냉각된 폐황산을 배출하는 제1 내지 제3폐황산 배출구(321.323,325)와, 제1냉각챔버(101')의 폐황산을 제2냉각챔버(102')로 이송시키는 제1폐황산 전달라인(330') 및 제2냉각챔버(102')의 폐황산을 제3냉각챔버(103')로 전달하는 제2폐황산 전달라인(340')을 구비한다.
제1폐황산 전달라인(330')은 제1폐황산 배출구(321)와 제2폐황산 주입구(313)를 연결한다. 제2폐황산 전달라인(340')은 제2폐황산 배출구(323)와 제3폐황산 주입구(315)를 연결한다.
상기 모니터링부(400')는 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103')에 수용된 폐황산을 각각 모니터링하도록 설치되며, 폐황산의 레벨을 감지하는 레벨감지부(410')와, 온도를 측정하는 온도센서(420')를 구비한다.
상기 레벨감지부(410')는 제1 내지 제3냉각챔버(101',102',103') 각각의 상하부를 연결하여 폐황산의 수위에 따라서 채워지도록 하는 레벨감지용 연결관(411')과, 레벨감지용 연결관(411')에 설치되는 복수의 레벨센서(413')를 구비한다. 레벨센서(413')는 복수가 상하 다른 높이에 배치됨으로써, 폐황산의 수위가 설정된 범위 내에 있는지 감지할 수 있다.
또한, 상기 온도센서(420')는 레벨감지용 연결관(411')의 하부에 연결되어 각 냉각챔버(101',102',103')에서 냉각되는 폐황산의 온도를 측정할 수 있다.
이처럼, 상기 모니터링부(400')를 통해서 각 냉각챔버(101',102',103')에서 냉각중인 폐황산의 수위와 온도를 확인함으로써, 폐황산의 냉각처리속도를 조절할 수 있고, 이후의 반도체 공정의 진행시점을 결정할 수 있게 된다.
따라서, 반도체 제조 공정의 멈춤 시간을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 위험물질은 폐황산은 안전한 상태로 금속 냉각시켜 처리할 수 있게 된다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 일이다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 기술적 사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 되며, 변형된 실시예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100,100'..탱크 본체 110,110'..상부벽
120,120'..하부벽 130,130'..전면벽
140,140'..후면벽 150..좌우 측면벽
160,160'..격벽 200,200'..열교환매체 이송경로
210,210..냉각 파이프 220,220'...열교환매체 주입구
230,230'..열교환매체 배출구 300,300'..폐황산 이동경로
310..폐황산 주입구 320..폐황산 배출구
330,330'..제1폐황산 전달라인 340,340'..제2폐황산 전달라인
400,400'..모니터링부 410,410'..레벨감지부
420,420'..온도센서

Claims (9)

  1. 반도체 공정에서 사용된 폐황산을 단계적으로 수용하여 냉각하기 위한 복수의 냉각챔버를 가지는 탱크 본체;
    상기 탱크 본체에 매설되어 상기 각 냉각챔버 내에 수용되는 폐황산과 열교환을 통해 냉각시키기 위한 열교환매체를 이동시키는 열교환매체 이송경로;
    상기 각 냉각챔버에서 폐황산이 단계별로 이동하도록 하는 폐황산 이동경로; 및
    상기 각 냉각챔버 폐황산의 상태를 확인하는 모니터링부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 탱크 본체는 테프론 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  3. 제2항에 있어서, 상기 탱크 본체는,
    상부벽과 하부벽과 전면벽과 후면벽 및 좌우 측면벽을 가지고,
    상기 상부벽과 하부벽 사이에 상기 냉각챔버를 제1 내지 제3냉각챔버로 단계적으로 격리되게 구획하는 격벽이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열교환매체 이송경로는,
    상기 좌우 측면벽 내부에 매설되어 설치되며, 상기 각 냉각챔버에 대응하도록 독립적으로 배치되어 상기 열교환매체를 이동시키면서 열교환하는 열교환파이프;
    상기 전면벽 또는 후면벽에 설치되어 상기 열교환 파이프로 열교환매체를 주입하는 열교환매체 주입구; 및
    상기 전면벽 또는 후면벽에 설치되어 상기 열교환 파이프를 경유한 열교환매체가 배출되는 열교환매체 배출구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  5. 제4항에 있어서, 상기 폐황산 이동경로는,
    상기 제1냉각챔버로 폐황산을 주입하는 폐황산 주입구;
    상기 제1 및 제2냉각챔버에서 단계적으로 냉각된 후 최종적으로 제3냉각챔버에서 냉각된 폐황산을 배출하는 폐황산 배출구;
    상기 제1냉각챔버의 폐황산을 상기 제2냉각챔버로 이송시키는 제1폐황산 전달라인; 및
    상기 제2냉각챔버의 폐황산을 상기 제3냉각챔버로 전달하는 제2폐황산 전달라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  6. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 모니터링부는,
    상기 제1 내지 제3냉각챔버에 수용된 폐황산의 수위를 측정하기 위한 레벨감지부; 및
    상기 제3냉각챔버의 폐황산의 온도를 측정하기 위한 온도센서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  7. 제2항에 있어서, 상기 탱크 본체는,
    상부벽과 하부벽과 전면벽과 후면벽 및 좌우 측면벽을 가지고,
    상기 좌우 측면벽들 사이에 상기 냉각챔버를 제1 내지 제3냉각챔버로 수평으로 단계적으로 격리되게 구획하는 격벽이 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열교환매체 이송경로는,
    상기 좌우 측면벽과 격벽 각각에 매설되도록 일체로 설치되는 복수의 냉각파이프;
    상기 각 냉각파이프로 열교환매체를 주입하기 위해 상기 상부벽에 설치되는 열교환매체 주입구; 및
    상기 각 냉각파이프를 경유한 열교환매체가 배출되도록 상기 상부벽에 설치되는 열교환매체 배출구;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 폐황산 이동경로는,
    상기 제1 내지 제3냉각챔버 각각으로 폐황산을 주입하도록 상기 상부벽에 설치되는 제1 내지 제3폐황산 주입구;
    상기 제1 내지 제3냉각챔버에서 단계적으로 냉각된 폐황산을 배출하는 제1 내지 제3폐황산 배출구;
    상기 제1냉각챔버의 폐황산을 상기 제2냉각챔버로 이송시키는 제1폐황산 전달라인; 및
    상기 제2냉각챔버의 폐황산을 제3냉각챔버로 전달하는 제2폐황산 전달라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 공정에 사용된 폐황산 냉각 탱크.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20020062433A (ko) * 2001-01-20 2002-07-26 삼성전자 주식회사 습식세정장비에서 폐황산을 배출하는 방법 및 장치
KR101572914B1 (ko) 2015-04-15 2015-12-01 넥스테크(주) 반도체공정에서 발생하는 폐황산을 이용한 폐수처리용 폴리황산제이철 제조방법

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