KR102332801B1 - Dechuck method for substrate polishing apparatus - Google Patents
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Abstract
기판의 디척 공정 시 오류 발생을 최소화할 수 있는 기판 연마장치의 디척 방법이 개시된다. 기판 연마장치의 디척 방법은, 연마 공정이 완료된 기판을 연마패드에 대해서 가압하는 단계, 상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계 및 상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계를 포함할 수 있다.Disclosed is a dechuck method of a substrate polishing apparatus capable of minimizing the occurrence of errors during the dechucking process of the substrate. A dechuck method of a substrate polishing apparatus includes the steps of pressing a substrate on which a polishing process is completed against a polishing pad, stopping the pressing on the substrate, providing a vacuum to the substrate, and repulsive force generated by the polishing pad and the substrate It may include separating the substrate from the polishing pad with the vacuum pressure provided to the .
Description
본 발명은 기판의 화학기계적 연마장치에 관한 것으로, 기판의 디척 공정 시 오류 발생을 최소화할 수 있는 기판 연마장치의 디척 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus for a substrate, and to a method for dechucking a substrate polishing apparatus capable of minimizing the occurrence of errors during a substrate dechucking process.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여, 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 반도체 공정 기술이 발전되고 있다.In recent years, with the rapid spread of information media such as computers, semiconductor devices are also developing rapidly. In terms of their functions, a semiconductor device is required to operate at a high speed while having a large storage capacity. In response to these demands, semiconductor processing technology is being developed in the direction of improving the degree of integration, reliability, and response speed of semiconductor devices.
반도체 소자 제조용 재료로서 광범위하게 사용되고 있는 실리콘 기판은 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다. 기판을 제조하는 공정은 성장된 실리콘 단결정 잉곳(ingot)을 박판으로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정, 기판의 두께를 균일화하고 평면화하는 래핑(lapping) 공정, 슬라이싱 공정 및 래핑 공정에서 발생한 데미지를 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정, 기판 표면을 경면화하는 연마(polishing) 공정 및 연마가 완료된 기판을 세척하고 표면에 부착된 이물질을 제거하는 세정(cleaning) 공정으로 이루어진다.A silicon substrate widely used as a material for manufacturing semiconductor devices refers to a single-crystal silicon thin plate made of polycrystalline silicon as a raw material. The substrate manufacturing process includes a slicing process for cutting a grown silicon single crystal ingot into a thin plate, a lapping process for equalizing and flattening the thickness of the substrate, a slicing process, and removing or mitigating damage generated in the lapping process It consists of an etching process, a polishing process for mirror-finishing the substrate surface, and a cleaning process for cleaning the polished substrate and removing foreign substances attached to the surface.
여기서, 연마 공정은 기판의 표면 변질층을 제거하고 두께 균일도를 개선시키는 스톡(stock) 연마와 기판의 표면을 경면으로 가공하는 파이널(final) 연마로 나뉜다.Here, the polishing process is divided into stock polishing, which removes a surface-damaged layer of the substrate and improves thickness uniformity, and final polishing, which processes the surface of the substrate into a mirror surface.
파이널 연마 공정은 기판에 일정한 압력을 가하여 고정시키는 연마헤드(polishing head)와 연마포가 부착된 테이블인 정반이 회전하면서 작용하는 기계적 반응과 콜로이달 실리카로 구성된 연마 슬러리에 의한 화학적인 반응에 의해 연마되는 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 장치가 사용된다.In the final polishing process, a polishing head fixed by applying a constant pressure to the substrate and a surface plate, which is a table to which a polishing cloth is attached, are rotated and polished by a mechanical reaction and a chemical reaction by a polishing slurry composed of colloidal silica. A chemical mechanical polishing (CMP) apparatus is used.
이러한 CMP 장치는, 기판을 파지하는 장치로서 캐리어 헤드가 사용되는데, 캐리어 헤드는, 기판을 직접 및 간접적으로 진공 흡착하여 파지하며, 멤브레인(membrane) 타입이 주로 사용되고 있다. 또한, 기판의 표면에 단순히 균일한 압력을 가하여 연마하는 단계를 넘어서, 하나의 기판에 국부적으로 다른 압력을 가하여 기판의 연마 프로파일을 다양하게 조절할 수 있는 다중영역분할 연마식의 캐리어 헤드가 제안된 바 있다.In such a CMP apparatus, a carrier head is used as an apparatus for gripping a substrate, and the carrier head directly and indirectly vacuums and grips the substrate, and a membrane type is mainly used. In addition, a multi-region division polishing type carrier head capable of variously adjusting the polishing profile of a substrate by applying a different pressure locally to one substrate has been proposed, beyond the step of simply applying a uniform pressure to the surface of the substrate for polishing. have.
한편, 연마 공정이 완료된 후에는 기판을 파지하고 있는 캐리어 헤드에서 기판에 소정의 진공 압력을 제공하여 연마패드에서 기판을 분리하는 디척 공정을 수행한다. 그런데, 기존의 디척 공정에서는 연마패드에서 기판을 분리하기 위해서 기판에 강하게 진공을 작용시킴에 따라 오류 발생 또는 기판의 파손 위험이 있다. 따라서, 기판의 디척 시 오류 발생이나 기판의 파손 발생 위험을 줄일 수 있는 디척 공정의 개발이 필요하다 할 것이다.
Meanwhile, after the polishing process is completed, a dechuck process of separating the substrate from the polishing pad is performed by applying a predetermined vacuum pressure to the substrate by the carrier head holding the substrate. However, in the conventional dechuck process, as a strong vacuum is applied to the substrate in order to separate the substrate from the polishing pad, there is a risk of an error or damage to the substrate. Therefore, it is necessary to develop a dechuck process capable of reducing the risk of occurrence of errors or damage to the substrate during dechucking of the substrate.
본 발명의 실시예들에 따르면, 기판을 디척 시 오류 발생 및 기판의 파손 위험을 최소화하는 기판 연마장치를 제공하기 위한 것이다.According to embodiments of the present invention, an object of the present invention is to provide a substrate polishing apparatus that minimizes the risk of occurrence of errors and damage to the substrate when dechucking the substrate.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The problems to be solved by the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 연마장치의 디척 방법은, 연마 공정이 완료된 기판을 연마패드에 대해서 가압하는 단계, 상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계 및 상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계를 포함할 수 있다.According to the embodiments of the present invention for achieving the object of the present invention described above, the dechuck method of the substrate polishing apparatus includes the steps of pressing the substrate on which the polishing process is completed against the polishing pad, stopping the pressing on the substrate, The method may include providing a vacuum to the substrate and separating the substrate from the polishing pad using a repulsive force generated by the polishing pad and a vacuum pressure applied to the substrate.
일 측에 따르면, 상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판을 연마하는 공정 동안 가해지는 공정 압력보다 높은 압력을 인가할 수 있다. 또한, 상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판과 상기 연마패드 사이에서 작용하는 표면장력보다 상기 연마패드에서 발생하는 반발력의 크기가 더 커지도록 압력을 인가할 수 있다. 또한, 상기 가압하는 단계는, 상기 기판의 전체에 대해서 균일한 압력을 인가할 수 있다. 또는, 상기 가압하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 압력을 인가할 수 있다.According to one side, in the pressing, a pressure higher than the process pressure applied during the process of polishing the substrate may be applied. In addition, in the pressing, the pressure may be applied so that the magnitude of the repulsive force generated by the polishing pad becomes larger than the surface tension acting between the substrate and the polishing pad. In addition, in the pressing, a uniform pressure may be applied to the entire substrate. Alternatively, in the pressing, the carrier head may have a pressure chamber divided into a plurality of zones therein, and may apply different pressures to each zone.
일 측에 따르면, 상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 가압하는 단계 직후 또는 상기 가압하는 단계와 동시에 수행되는 수 있다. 예를 들어, 상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판을 상기 연마패드에서 들어올릴 수 있는 크기의 진공을 제공할 수 있다. 또한, 상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판에 작용하는 진공 압력의 크기가 상기 연마패드와 상기 기판 사이에 작용하는 표면장력 이상의 크기를 갖도록 진공을 제공할 수 있다. 또한, 상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 진공을 제공하여 상기 기판을 분리할 수 있다.
According to one side, the step of providing the vacuum may be performed immediately after the step of pressing or simultaneously with the step of pressing. For example, in the step of providing the vacuum, a vacuum of a size capable of lifting the substrate from the polishing pad may be provided. In addition, in the step of providing the vacuum, the vacuum may be provided so that the magnitude of the vacuum pressure acting on the substrate has a magnitude greater than or equal to the surface tension acting between the polishing pad and the substrate. In addition, in the step of providing the vacuum, the carrier head may have a pressure chamber divided into a plurality of zones therein, and may separate the substrate by providing a vacuum of a different size for each zone.
본 발명의 다양한 실시예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.Various embodiments of the present invention may have one or more of the following effects.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 연마패드에서 발생하는 반발력과 진공을 이용하여 기판을 디척하므로, 진공압만으로 디척하는 경우에 비해서 작은 압력으로 디척이 가능하여, 디척 오류를 방지 및 개선할 수 있고, 기판의 디척 공정 중에 기판의 리젝(reject) 또는 파손을 방지할 수 있다.
As described above, according to the embodiments of the present invention, since the substrate is dechucked using the repulsive force and vacuum generated from the polishing pad, dechucking is possible with a small pressure compared to the case of dechucking only with vacuum pressure, thereby reducing the dechuck error. It is possible to prevent and improve, and it is possible to prevent rejection or damage of the substrate during the dechuck process of the substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 요부 사시도이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 디척 방법을 설명하기 위한 모식도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치의 디척 방법을 설명하기 위한 순서도이다.1 is a perspective view of a main part of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 to 4 are schematic diagrams for explaining a dechuck method of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a dechuck method of a substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. In adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components are given the same reference numerals as much as possible even though they are indicated on different drawings. In addition, in describing the embodiment of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function interferes with the understanding of the embodiment of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
또한, 본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
In addition, in describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), (b), etc. may be used. These terms are only for distinguishing the components from other components, and the essence, order, or order of the components are not limited by the terms. When it is described that a component is “connected”, “coupled” or “connected” to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, but between each component another component It will be understood that may also be "connected", "coupled" or "connected".
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 연마장치의 디척 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 요부 사시도이고, 도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 디척 방법을 설명하기 위한 모식도들이다. 그리고 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 연마장치(10)의 디척 방법을 설명하기 위한 순서도이다.Hereinafter, a dechuck method of a substrate polishing apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. For reference, FIG. 1 is a perspective view of a main part of a
도면을 참조하면, 기판 연마장치(10)는 기판(1)을 파지하는 캐리어 헤드(11)와 연마를 위한 연마패드(12) 및 정반(121)을 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, the
캐리어 헤드(11)는 기판(1)을 파지하고, 연마패드(12)에 대해서 소정 압력으로 가압하여 회전시킴에 따라 기판(1)을 연마한다. 캐리어 헤드(11)는 구동을 위한 구동축(미도시)에 연결된 본체부(111)와, 내부에 기판(1)에 압력을 가하기 위한 압력 챔버(113) 및 기판(1)을 파지하기 위한 링부(112)를 포함하여 구성된다. 그리고 압력 챔버(113)에 압력을 제공하거나 진공을 제공하도록 압력을 조절하는 압력조절부(114)가 연결된다. 여기서, 기판 연마장치(10) 및 캐리어 헤드(11)의 상세 구조에 대해서는 상세한 설명 및 도시를 생략한다.The
캐리어 헤드(11)는 기판(1)에 소정 크기의 진공을 제공하여 기판(1)을 파지하고, 연마 공정이 수행되는 동안에는 연마패드(12)에 대해서 기판(1)을 소정의 압력(이하, '공정 압력(P0)'이라 함)으로 가압하여 연마 공정을 수행한다.The
연마 공정이 완료된 후에는, 기판(1)을 연마패드(12)에서 분리시키는 디척 공정이 수행된다. 여기서, 연마 공정이 수행되는 동안 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 가압시키므로, 기판(1)과 연마패드(12)는 밀착되어 있고, 그 사이에 소정 크기의 표면장력이 작용하는 상태이다. 연마패드(12)에서 기판(1)을 분리시키기 위해서는 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 표면장력보다는 큰 힘을 가하게 된다. 본 실시예에 따르면, 기판(1)의 디척 공정에서는, 기판(1)에 캐리어 헤드(11)에서 진공 압력과 연마패드(12)에서의 반발력의 2가지 힘이 작용하게 된다.After the polishing process is completed, a dechuck process for separating the
상세하게는, 연마 공정이 완료된 후(S1), 도 3에 도시한 바와 같이, 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 소정의 압력(이하, '디척 압력(P1)'이라 함)으로 가압한다(S2). 여기서, 가압 단계(S2)에서는 연마패드(12)에서 소정의 반발력이 발생하도록 기판(1)을 연마패드(12)에 대해서 가압한다. 이 경우 기판(1)에 작용시키는 디척 압력(P1)은 공정 압력(P0)보다 더 큰 압력으로 가압된다.In detail, after the polishing process is completed ( S1 ), as shown in FIG. 3 , the
그리고 기판(1)에 디척 압력(P1)을 작용시키면 연마패드(12)에서는 소정의 반발력이 발생하면서 기판(1)과 연마패드(12) 사이가 소정 간격 이격된다. 또는 기판(1)에 디척 압력(P1)을 작용시키면, 적어도 기판(1)과 연마패드(12) 사이의 표면장력이 깨질 정도의 반발력이 발생하게 된다.In addition, when the dechuck pressure P1 is applied to the
한편, 디척 압력(P1)은 전체 기판(1)에 대해서 균일한 크기의 압력이 인가될 수 있다. 그러나 이와는 달리, 캐리어 헤드(11)에서 압력 챔버(113)는 내부가 복수의 존으로 구획되고, 각 존마다 서로 다른 크기로 디척 압력을 인가하는 것도 가능하다.Meanwhile, as the dechuck pressure P1 , a pressure having a uniform magnitude may be applied to the
다음으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 캐리어 헤드(11)에서 기판(1)에 소정의 진공을 제공하면(이하, '진공 압력(P2)'라 함) 기판(1)이 연마패드(12)에서 분리되면서 디척 공정이 완료된다(S4). 여기서, 진공 압력(P2)은, 기판(1)이 이미 연마패드(12)와의 표면장력이 깨지고, 연마패드(12)에서 반발력을 받고 있는 상태이기 때문에, 진공만 제공하여서 연마패드(12)에서 기판(1)을 분리시키는 경우에 비해서, 작은 진공 압력 만으로도 기판(1)을 분리시킬 수 있다. 또한, 진공 압력(P2)은 기판(1)을 들어올릴 수 있을 정도의 압력만으로도 디척 공정이 완료된다.Next, as shown in FIG. 4 , when a predetermined vacuum is applied to the
여기서, 상술한 디척 압력(P1)과 마찬가지로, 캐리어 헤드(11)에서 압력 챔버(113)는 내부가 복수의 존으로 구획되고, 각 존마다 서로 다른 크기로 진공 압력(P2)을 제공하여 기판(1)을 분리시키는 것도 가능하다. 즉, 본 실시예에서는, 캐리어 헤드(11)에서 균일한 크기의 디척 압력(P1)을 가하거나 복수의 존마다 서로 다른 크기의 디척 압력(P1)을 가하여 가압한 후, 캐리어 헤두(11)에서 하나의 균일한 진공 압력(P2)을 제공하거나 복수의 존마다 서로 다른 크기의 진공 압력(P2)을 가하여 기판(1)을 분리시키는 것이 가능하다. 캐리어 헤드(11)에 하나의 압력 또는 진공을 형성하거나, 복수의 존마다 서로 다른 크기의 압력 또는 진공을 형성하는 것은 필요에 따라 실질적으로 다양하게 변경하여 적용할 수 있다.Here, similarly to the dechuck pressure P1 described above, the
한편, 기판(1)의 가압 단계(S2)와 기판(1)에 진공을 제공하는 단계(S3)는 순차적으로 수행되거나, 동시에 수행될 수 있다.Meanwhile, the step of pressing the substrate 1 ( S2 ) and the step of providing a vacuum to the substrate 1 ( S3 ) may be sequentially performed or may be performed simultaneously.
본 실시예들에 따르면, 기판(1)에 연마패드(12)에서 발생하는 반발력에 의해 캐리어 헤드(11)에 분리되기 때문에, 기판(1)의 디척이 용이하다. 또한, 기판(1)의 디척 시 연마패드(12)에서 발생하는 반발력과 캐리어 헤드(11)에서 제공되는 진공이 같이 작용하기 때문에, 진공만으로 디척하는 것에 비해서 작은 진공압으로 기판(1)을 디척할 수 있으므로, 디척 오류를 방지 및 개선할 수 있다. 또한, 과도한 진공이 기판(1)에 가해짐으로써 발생할 수 있는 기판(1)의 리젝(reject) 또는 파손을 방지할 수 있다. 또한, 기판 연마장치(10)의 구조를 변경하거나 추가하지 않고도 기판(1)의 디척 공정을 수행할 수 있다.According to the present embodiments, since the
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.As described above, although the embodiments have been described with reference to the limited embodiments and drawings, various modifications and variations are possible from the above description by those skilled in the art. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or the described components of the system, structure, apparatus, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components Or substituted or substituted by equivalents may achieve an appropriate result.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.
1: 기판
10: 기판 연마장치
11: 캐리어 헤드
111: 본체부
112: 링부(R-ring)
113: 압력 챔버
114: 압력조절부
12: 연마패드
121: 정반1: substrate
10: substrate polishing apparatus
11: carrier head
111: body part
112: ring portion (R-ring)
113: pressure chamber
114: pressure control unit
12: polishing pad
121: surface plate
Claims (9)
상기 기판에 대한 가압을 중단하고, 상기 기판에 진공을 제공하는 단계; 및
상기 연마패드에서 발생하는 반발력과 상기 기판에 제공된 진공 압력으로 상기 기판을 상기 연마패드에서 분리하는 단계;
를 포함하는 기판 연마장치의 디척 방법.
pressing the substrate on which the polishing process is completed against the polishing pad;
stopping pressurization to the substrate and providing a vacuum to the substrate; and
separating the substrate from the polishing pad using a repulsive force generated from the polishing pad and a vacuum pressure applied to the substrate;
A dechuck method of a substrate polishing apparatus comprising a.
상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판을 연마하는 공정 동안 가해지는 공정 압력보다 높은 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
According to claim 1,
In the pressing, a dechuck method of a substrate polishing apparatus for applying a pressure higher than a process pressure applied during the polishing process of the substrate.
상기 가압하는 단계에서는, 상기 기판과 상기 연마패드 사이에서 작용하는 표면장력보다 상기 연마패드에서 발생하는 반발력의 크기가 더 커지도록 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
3. The method of claim 2,
In the pressing step, a dechuck method of a substrate polishing apparatus for applying a pressure such that the magnitude of the repulsive force generated in the polishing pad is greater than the surface tension acting between the substrate and the polishing pad.
상기 가압하는 단계는, 상기 기판의 전체에 대해서 균일한 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
3. The method of claim 2,
The pressing is a dechuck method of a substrate polishing apparatus for applying a uniform pressure to the entire substrate.
상기 가압하는 단계는, 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 압력을 인가하는 기판 연마장치의 디척 방법.
3. The method of claim 2,
In the pressing, the carrier head is provided with a pressure chamber divided into a plurality of zones therein, and a dechuck method of a substrate polishing apparatus for applying different pressures to each zone.
상기 진공을 제공하는 단계는, 상기 가압하는 단계 직후 또는 상기 가압하는 단계와 동시에 수행되는 기판 연마장치의 디척 방법.
According to claim 1,
The step of providing the vacuum is a dechuck method of a substrate polishing apparatus that is performed immediately after the pressing step or simultaneously with the pressing step.
상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판을 상기 연마패드에서 들어올릴 수 있는 크기의 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.
According to claim 1,
In the step of providing the vacuum, a dechuck method of a substrate polishing apparatus for providing a vacuum of a size capable of lifting the substrate from the polishing pad.
상기 진공을 제공하는 단계에서는, 상기 기판에 작용하는 진공 압력의 크기가 상기 연마패드와 상기 기판 사이에 작용하는 표면장력 이상의 크기를 갖도록 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.
According to claim 1,
In the step of providing the vacuum, a dechuck method of a substrate polishing apparatus for providing a vacuum so that the magnitude of the vacuum pressure acting on the substrate has a magnitude greater than or equal to the surface tension acting between the polishing pad and the substrate.
상기 진공을 제공하는 단계는, 캐리어 헤드는 내부에 복수의 존으로 구획된 압력 챔버가 구비되고, 상기 존마다 서로 다른 크기의 진공을 제공하는 기판 연마장치의 디척 방법.According to claim 1,
In the step of providing the vacuum, the carrier head is provided with a pressure chamber divided into a plurality of zones therein, and the dechuck method of the substrate polishing apparatus provides different sizes of vacuum for each zone.
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|---|---|---|---|
| KR1020150063154A KR102332801B1 (en) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | Dechuck method for substrate polishing apparatus |
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| KR1020150063154A KR102332801B1 (en) | 2015-05-06 | 2015-05-06 | Dechuck method for substrate polishing apparatus |
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2015
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Patent Citations (1)
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