KR102331091B1 - copper foil with carrier and copper-clad laminate - Google Patents

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Abstract

캐리어가 있는 동박(cooper foil with carrier)은 캐리어 상에 증착된, 캐리어 및 초박형 구리층(ultra-thin copper layer)을 포함하고, 상기 초박형 구리층은 상기 캐리어에 맞닿은 방출면(release side)을 포함한다. 상기 캐리어가 상기 초박형 구리층으로부터 방출되는 경우, 상기 방출면의 물질 부피(material volume, (Vm))는 0.09 내지 0.27 μm3/μm2의 범위에 있고, 상기 방출면의 니켈 잔여물의 양은 60 μg/dm2보다 크지 않다.A copper foil with carrier comprises a carrier and an ultra-thin copper layer deposited on the carrier, the ultra-thin copper layer comprising a release side against the carrier do. When the carrier is released from the ultra-thin copper layer, the material volume (Vm) of the emitting surface is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the amount of nickel residue on the emitting surface is 60 μg /dm not greater than 2

Description

캐리어가 있는 동박 및 동박적층판{copper foil with carrier and copper-clad laminate}Copper foil with carrier and copper-clad laminate

본 개시는 전착된 동박(electrodeposited copper foil) 분야에 관한 것으로, 보다 상세하게는 캐리어가 있는 전착된 동박 및 이의 동박적층판(copper-clad laminate)에 관한 것이다.The present disclosure relates to the field of electrodeposited copper foil, and more particularly, to an electrodeposited copper foil with a carrier and a copper-clad laminate thereof.

고주파 신호를 전송할 수 있는 소형 및 박형 전자 제품에 대한 수요가 증가함에 따라, 동박 및 동박적층판에 대한 수요도 증가하고 있다. 일반적으로, 동박적층판의 회로는 구리선과 같은 전도성 선으로 구성될 수 있다. 상기 회로는 특정 레이아웃을 갖기 때문에, 전기 신호는 회로 내 소정의 경로를 따라 소정의 영역으로 전송될 수 있다. 또한, 회로의 전도성 선의 선 너비/선 간격(L/S)의 계속적인 소형화로 인해, 동박적층판 상의 동박의 두께를 더 감소시킬 필요가 있는데, 예컨대 미세한 선 너비/선 간격(L/S)에 대한 요구를 충족시키기 위해, 동박의 두께가 9μm 미만일 수 있다. 그러나, 동박의 두께가, 예컨대 5μm 미만으로, 너무 얇으면, 기계적 강도가 대개 불충분하여, 동박의 제조 과정에서 동박이 파손 또는 균열이 된다. 따라서 이러한 동박은 요구 사항을 충족하지 못할 수 있다. 전술한 문제점을 해결하기 위해, 캐리어층 상에 비교적 박형 구리층이 배치되는 개선된 캐리어가 있는 동박이 개발되었다. 상기 캐리어층을 사용함으로써 전체 동박의 기계적 강도가 강화될 수 있기 때문에, 동박의 제조 공정에 대한 요구 사항이 충족될 수 있다.As the demand for small and thin electronic products capable of transmitting high-frequency signals increases, the demand for copper foils and copper clad laminates is also increasing. In general, the circuit of the copper clad laminate may be composed of a conductive wire such as a copper wire. Since the circuit has a specific layout, an electrical signal can be transmitted to a predetermined area along a predetermined path in the circuit. In addition, due to the continuous miniaturization of the line width/line spacing (L/S) of the conductive lines of the circuit, it is necessary to further reduce the thickness of the copper foil on the copper clad laminate, for example, to a fine line width/line spacing (L/S). In order to meet the demand for the copper foil, the thickness of the copper foil may be less than 9 μm. However, when the thickness of the copper foil is too thin, for example less than 5 μm, the mechanical strength is usually insufficient, resulting in breakage or cracking of the copper foil in the manufacturing process of the copper foil. Therefore, these copper foils may not meet the requirements. In order to solve the above-mentioned problems, an improved carrier-bearing copper foil has been developed in which a relatively thin copper layer is disposed on the carrier layer. Since the mechanical strength of the whole copper foil can be strengthened by using the carrier layer, the requirements for the manufacturing process of the copper foil can be satisfied.

전도성 선이 있는 동박적층판을 제조하기 위해서, 캐리어가 있는 동박이 채택되는 경우, 동박적층판의 제조 공정은 다음 단계를 포함할 수 있다. 우선, 캐리어가 있는 동박의 구리층을 절연 보드에 적층한다. 이어, 캐리어가 있는 동박의 캐리어층을 박리하여 구리층의 표면을 노출시켜 절연보드와 구리층으로 이루어진 동박적층판을 얻는다. 그 후, 동박적층판의 구리층의 노출된 표면 상에 포토레지스트층(photoresist layer)이 배치될 수 있고, 그런 다음 상기 포토레지스트층은 포토리소그래피 공정(photolithography process)을 통해 패턴화되어 패턴화된 포토레지스트층을 형성한다. 이어서, 구리층을 더 패턴화하기 위해, 에칭 공정이 수행되어 패턴화된 포토레지스트층의 패턴을 하부 구리층으로 전사시킬 수 있다. 마지막으로, 패턴화된 포토레지스트층이 제거된다. 상기 공정을 수행함으로써, 회로가 있는 동박적층판을 얻을 수 있다.In order to manufacture a copper-clad laminate with a conductive wire, when a copper foil with a carrier is adopted, the manufacturing process of the copper-clad laminate may include the following steps. First, a copper layer of copper foil with a carrier is laminated on an insulating board. Then, the carrier layer of the copper foil with the carrier is peeled off to expose the surface of the copper layer to obtain a copper clad laminate comprising an insulating board and a copper layer. Thereafter, a photoresist layer may be disposed on the exposed surface of the copper layer of the copper clad laminate, and then the photoresist layer is patterned through a photolithography process to form a patterned photoresist layer. A resist layer is formed. Then, to further pattern the copper layer, an etching process may be performed to transfer the pattern of the patterned photoresist layer to the underlying copper layer. Finally, the patterned photoresist layer is removed. By performing the above process, a copper clad laminate with a circuit can be obtained.

그러나, 전술된 회로를 갖는 동박적층판의 기술적 단점을 해결해야 할 필요성이 남아있다. 예를 들어, 구리층의 노출된 표면과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 열악한 접착 강도로 인해, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴을 하부 구리층으로 전사하는 공정 동안에, 패턴화된 포토레지스트층이 구리층으로부터 이탈되기 쉽다. 따라서, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴은 완전하고 정확하게 하부 구리층으로 전사되지 않을 수 있다. 그 결과, 원치 않은 회로 레이아웃 및 부적격의 선 너비/선 간격을 갖는 패턴화된 구리층이 얻어질 수 있다.However, there remains a need to solve the technical disadvantages of the copper clad laminate having the circuit described above. During the process of transferring the pattern of the patterned photoresist layer to the underlying copper layer, for example, due to poor adhesion strength between the exposed surface of the copper layer and the patterned photoresist layer, the patterned photoresist layer It is easy to separate from the copper layer. Accordingly, the pattern of the patterned photoresist layer may not be completely and accurately transferred to the underlying copper layer. As a result, a patterned copper layer with undesired circuit layout and unsuitable line width/line spacing may be obtained.

따라서, 전술된 결점 없이, 개선된 캐리어가 있는 동박 및 개선된 동박적층판에 대한 필요성이 남아있다.Accordingly, without the aforementioned drawbacks, there remains a need for improved carrier-bearing copper foils and improved copper-clad laminates.

이를 고려하여, 본 개시는 종래 기술의 단점을 해결할 수 있는 개선된 캐리어를 갖는 동박 및 이의 동박적층판을 제공한다.In consideration of this, the present disclosure provides a copper foil having an improved carrier capable of solving the disadvantages of the prior art, and a copper-clad laminate thereof.

본 개시의 일 구현예에 따르면, 캐리어가 있는 동박이 제공된다. 상기 캐리어가 있는 동박은 캐리어층 및 캐리어 호일 상에 배치된 초박형 구리층을 포함하고, 여기서 초박형 구리층은 캐리어 호일을 향하는 방출면을 포함한다. 캐리어층이 초박형 구리층으로부터 박리될 때, 방출면의 물질 부피(Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 방출면의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 미만이다. According to one embodiment of the present disclosure, there is provided a copper foil with a carrier. The carrier-bearing copper foil includes a carrier layer and an ultra-thin copper layer disposed on the carrier foil, wherein the ultra-thin copper layer includes an emissive surface facing the carrier foil. When the carrier layer is peeled off from the ultra-thin copper layer, the material volume (Vm) on the emitting surface is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the amount of nickel residue on the emitting surface is less than 60 μg/dm 2 .

본 개시의 다른 구현예에 따르면, 동박적층판이 제공된다. 동박적층판은 보드 및 보드의 하나 이상의 표면 상에 배치된 초박형 구리층을 포함하고, 여기서 초박형 구리층은 보드의 표면으로부터 이격된 방출면을 포함하며, 상기 방출면의 물질 부피는 0.09 내지 0.27μm3/μm2이고, 방출면의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 미만이다. According to another embodiment of the present disclosure, a copper clad laminate is provided. The copper-clad laminate comprises a board and an ultra-thin copper layer disposed on at least one surface of the board, wherein the ultra-thin copper layer comprises an emissive face spaced from the surface of the board, the emissive face having a material volume of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the amount of nickel residue on the emission surface is less than 60 μg/dm 2 .

상기 구현예들에 따르면, 초박형 구리층의 방출면의 물질 부피는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 방출면 상의 니켈 잔여물은 60μg/dm2 미만이다. 초박형 구리층의 방출면 상에 패턴화된 포토레지스트층이 순차적으로 형성되면, 방출면과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 접착 강도가 충분히 높을 수 있다. 초박형 구리층의 방출면과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 접착 강도를 향상시킴으로써, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴을 하부 구리층으로 전사하는 공정 동안에, 초박형 구리층의 표면으로부터 쉽게 박리되지 않을 수 있다. 그 결과, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴이 하부 초박형 구리층으로 완전하고 정확하게 전사될 수 있으며, 원하는 회로 레이아웃 및 미세한 선 너비/선 간격을 갖는 패턴화된 초박형 구리층을 얻을 수 있다.According to the above embodiments, the material volume of the emission side of the ultra-thin copper layer is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the nickel residue on the emission side is less than 60 μg/dm 2 . If the patterned photoresist layer is sequentially formed on the emitting surface of the ultra-thin copper layer, the adhesive strength between the emitting surface and the patterned photoresist layer can be sufficiently high. By improving the adhesive strength between the release surface of the ultra-thin copper layer and the patterned photoresist layer, during the process of transferring the pattern of the patterned photoresist layer to the underlying copper layer, it can not be easily peeled off from the surface of the ultra-thin copper layer. have. As a result, the pattern of the patterned photoresist layer can be completely and accurately transferred to the underlying ultra-thin copper layer, and a patterned ultra-thin copper layer having a desired circuit layout and fine line width/line spacing can be obtained.

본 발명의 이러한 목적과 다른 목적은 다양한 도면 및 그림에서 설명된 바람직한 구현예인 다음의 상세한 설명을 읽은 다음, 당업자에게 명백해질 것이다.These and other objects of the present invention will become apparent to those skilled in the art after reading the following detailed description, which is a preferred embodiment illustrated in the various drawings and figures.

본 개시는 첨부 도면을 참조하여 이하의 예시적인 구현예의 설명으로부터 보다 잘 이해될 것이다.
도 1은 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어가 있는 동박의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 개시의 일 구현예에 따른 동박적층판의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 개시의 일 구현예에 따른 초박형 구리층의 표면 높이와 초박형 구리층의 물질비와의 관계를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어층의 일면 상에 형성된 방출면 및 이동 방지층(anti-migration layer)이 있는 구조의 개략적인 단면도이다.
도 5는 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어층의 일면 상에 형성된 전착된 구리층(electrodeposited copper layer) 및 러프닝층(roughening layer)이 있는 구조의 개략적인 단면도이다.
도 6은 본 개시의 일 구현예에 따른 초박형 구리층의 일면 상에 형성된 패턴화된 포토레지스트층이 있는 구조의 개략적인 단면도이다.
도 7은 본 개시의 일 구현예에 따른 패턴화된 초박형 구리층이 있는 구조의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 개시의 일 구현예에 따른 패턴화된 포토레지스트층의 제거 후의 구조의 개략적인 단면도이다.
본 개시는 다양한 변형 및 대안적인 형태에 영향을 받기 쉽다. 일부 대표적인 구현예가 도면에 예로서 도시되어 있으며, 본원에서 상세하게 설명 될 것이다. 그러나, 본 발명은 개시되는 특정 형태로 제한되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 오히려, 본 개시는 첨부되는 청구 범위에 의해 정의된 바와 같이, 본 발명의 사상 및 범위 내에 속하는 모든 변형, 균등물 및 대안을 포괄하는 것이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present disclosure will be better understood from the following description of exemplary implementations with reference to the accompanying drawings.
1 is a schematic cross-sectional view of a copper foil with a carrier according to an embodiment of the present disclosure.
2 is a schematic cross-sectional view of a copper clad laminate according to an embodiment of the present disclosure.
3 is a diagram illustrating a relationship between a surface height of an ultra-thin copper layer and a material ratio of an ultra-thin copper layer according to an embodiment of the present disclosure.
4 is a schematic cross-sectional view of a structure having an emitting surface and an anti-migration layer formed on one surface of a carrier layer according to an embodiment of the present disclosure;
5 is a schematic cross-sectional view of a structure having an electrodeposited copper layer and a roughening layer formed on one surface of a carrier layer according to an embodiment of the present disclosure;
6 is a schematic cross-sectional view of a structure having a patterned photoresist layer formed on one side of an ultra-thin copper layer according to an embodiment of the present disclosure.
7 is a schematic cross-sectional view of a structure with a patterned ultra-thin copper layer in accordance with an embodiment of the present disclosure.
8 is a schematic cross-sectional view of a structure after removal of a patterned photoresist layer according to an embodiment of the present disclosure.
The present disclosure is susceptible to various modifications and alternative forms. Some representative embodiments are shown by way of example in the drawings and will be described in detail herein. It should be understood, however, that the present invention is not limited to the specific form disclosed. Rather, this disclosure is intended to cover all modifications, equivalents and alternatives falling within the spirit and scope of the invention, as defined by the appended claims.

당업자에게 본 개시의 보다 나은 이해를 제공하기 위해, 달성되는 내용 및 효과를 구체화하는 넘버링된 요소를 사용한 첨부 도면을 참조하여, 본 개시의 몇 가지 예시적인 구현예가 다음과 같이 상세하게 설명될 것이다. 첨부 도면은 구현예의 추가의 이해를 제공하기 위해 포함되며, 본 명세서에 통합되어 본 명세서의 일부를 구성한다. 이들 구현예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분히 상세하게 설명된다. 다른 구현예들이 이용될 수 있으며, 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 구조적, 논리적 및 전기적 변형이 이루어질 수 있다.In order to provide those skilled in the art with a better understanding of the present disclosure, several exemplary embodiments of the present disclosure will be described in detail as follows, with reference to the accompanying drawings using numbered elements specifying the content and effects to be achieved. The accompanying drawings are included to provide a further understanding of the embodiments, and are incorporated in and constitute a part of this specification. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the present invention. Other implementations may be utilized and structural, logical, and electrical changes may be made without departing from the spirit and scope of the present disclosure.

본 개시에서 "~상(on)", "~위에(above)" 및 "~위로(over)"의 의미는 "상(on)"이 무언가 "직접적으로 ~상"을 의미할 뿐만 아니라 중간적 특징 또는 그 이에 층이 있는 무언가 ~상"의 의미를 포함하고, "~위에" 또는 "~위로"는 무언가의 "위에" 또는 "위로"의 의미뿐만 아니라, 중간적 특징 또는 그 사이에 층이 없는 무언가 "위에" 또는 "위로"(즉, 무언가 상에 직접적으로)의 의미를 포함하도록 가장 넓은 방식으로 해석되어야 한다는 것을 쉽게 이해해야 한다.In this disclosure, the meaning of "on", "above" and "over" means that "on" means something "directly on" as well as intermediate includes the meaning of "on" a feature or something layered thereon, and "on" or "over" means "on" or "over" something, as well as an intermediate feature or layer in between. It should be readily understood that something missing should be interpreted in its broadest way to include the meaning of "on" or "over" (ie, directly on something).

적어도, 각각의 수치적인 파라미터는 보고된 유효 자릿수의 관점에서 해석되어야 하고, 통상적인 반올림법을 적용하여 해석되어야 한다. 본원에 표현되는 범위는 하나의 종점에서 다른 종점으로 또는 두 종점 사이로 표현될 수 있다. 달리 명시되지 않는 한, 본원에 개시된 모든 범위는 종점을 포함한다.At a minimum, each numerical parameter should be interpreted in terms of the number of reported significant digits and should be interpreted using ordinary rounding methods. Ranges expressed herein may be expressed from one endpoint to another or between two endpoints. Unless otherwise specified, all ranges disclosed herein are inclusive of the endpoints.

이하에서 설명되는 다른 구현예들에서의 기술적 특징들은 본 개시의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다른 구현예를 구성하기 위해 서로 대체, 재조합 또는 조합될 수 있음을 유의해야 한다.It should be noted that technical features in other embodiments described below may be substituted, recombined or combined with each other to constitute other embodiments without departing from the spirit and scope of the present disclosure.

도 1은 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어가 있는 동박의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 도 1에서 도시된 바와 같이, 캐리어(100)가 있는 동박은 적어도 캐리어층(102) 및 초박형 구리층(104)을 포함한다. 초박형 구리층(104)은 캐리어층(102)의 일면 상에 배치되고, 방출층(106) 및 이동 방지층(108)은 캐리어층(102)과 초박형 구리층(104) 사이에 배치될 수 있다. 초박형 구리층(104)은 전착된 구리층(110), 러프닝층(112), 배리어층(114), 및 커플링층(116)은 순차적으로 적층된다. 본 개시에서, "초박형 구리층"이란 용어는 "두께가 5μm 이하인 구리 함유 복합층"으로, 예컨대 두께가 0.2μm 내지 3.5μm인 구리 함유 복합층을 지칭할 수 있다. 1 is a schematic cross-sectional view of a copper foil with a carrier according to an embodiment of the present disclosure. Referring to FIG. 1 , as shown in FIG. 1 , a copper foil with a carrier 100 includes at least a carrier layer 102 and an ultra-thin copper layer 104 . The ultra-thin copper layer 104 may be disposed on one side of the carrier layer 102 , and the emissive layer 106 and the anti-migration layer 108 may be disposed between the carrier layer 102 and the ultra-thin copper layer 104 . In the ultra-thin copper layer 104 , the electrodeposited copper layer 110 , the roughening layer 112 , the barrier layer 114 , and the coupling layer 116 are sequentially stacked. In the present disclosure, the term “ultra-thin copper layer” may refer to a “copper-containing composite layer having a thickness of 5 μm or less”, for example, a copper-containing composite layer having a thickness of 0.2 μm to 3.5 μm.

캐리어층(102)은 전해 증착(전기분해, 전착 또는 전기도금이라고도 칭함)을 통해 형성된 금속층일 수 있다. 캐리어층(102)의 조성은 구리, 알루미늄, 철, 니켈 또는 이들의 합금을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 캐리어층(102)은 증착면(102A) 및 증착면(102A)에 대향하는 드럼면(102B)을 가질 수 있고, 증착면(102A)의, JIS B 0601-1994에 따라 정의된, 10점 평균 거칠기(Rz)는 드럼면(102B)의 것 보다 높을 수 있다. 캐리어층(102)의 두께는 초박형 구리층(104)을 지지할 수 있고, 충분한 기계적 강도를 제공할 수 있는 한 제한되지 않는다. 예를 들어, 캐리어층(102)의 두께는 18μm 내지 35μm의 범위일 수 있다.The carrier layer 102 may be a metal layer formed through electrolytic deposition (also called electrolysis, electrodeposition or electroplating). The composition of the carrier layer 102 may include, but is not limited to, copper, aluminum, iron, nickel, or alloys thereof. The carrier layer 102 may have a deposition surface 102A and a drum surface 102B opposite to the deposition surface 102A, the 10-point average of the deposition surface 102A, defined according to JIS B 0601-1994. The roughness Rz may be higher than that of the drum surface 102B. The thickness of the carrier layer 102 is not limited as long as it can support the ultra-thin copper layer 104 and provide sufficient mechanical strength. For example, the thickness of the carrier layer 102 may range from 18 μm to 35 μm.

방출층(106) 및 이동 방지층(108)은 캐리어층(102)의 증착면(102A) 또는 드럼면(102B) 상에 순차적으로 배치될 수 있다. 상기 방출층(106)은 접착 촉진층일 수 있는데, 이는 캐리어층(102)과 초박형 구리층(104) 사이의 접착 강도를 알맞게 조정하는데 사용된다. 방출층(106)을 사용함으로써, 캐리어층(102)이 초박형 구리층(104)에 접착될 수 있지만, 방출층(106)은 후속 공정에서 초박형 구리층(104)로부터 캐리어층(102)이 어렵게 박리되는 것을 야기하지 않을 수 있다. 예를 들어, 방출층(106)의 조성은 헤테로 방향족 화합물, 예컨대 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸(CBTA), N',N'-비스(벤조트리아졸메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸, 또는 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또한, 이동 방지층(108)과 전착된 구리층(110)은 서로 다른 조성을 가질 수 있다. 예를 들어, 이동 방지층(108)은 니켈 함유층일 수 있으며, 이의 조성은 순수 니켈, 니켈 함유 무기 도펀트, 또는 니켈 함유 합금일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 니켈과 합금될 수 있는 일부 금속은 코발트, 텅스텐, 몰리브덴, 아연, 주석, 크롬 또는 철일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 일부 구현예에 따르면, 이동 방지층(108)은 선택적으로 생략될 수 있음을 유의해야 한다.The release layer 106 and the anti-migration layer 108 may be sequentially disposed on the deposition surface 102A or the drum surface 102B of the carrier layer 102 . The release layer 106 may be an adhesion promoting layer, which is used to suitably adjust the adhesion strength between the carrier layer 102 and the ultra-thin copper layer 104 . By using the release layer 106, the carrier layer 102 can be adhered to the ultra-thin copper layer 104, but the release layer 106 makes the carrier layer 102 difficult from the ultra-thin copper layer 104 in a subsequent process. It may not cause peeling. For example, the composition of the emissive layer 106 may include a heteroaromatic compound such as 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole (CBTA), N′,N′-bis(benzotriazolemethyl)urea, 1H-1,2,4-triazole, or 3-amino-1H-1,2,4-triazole. Also, the movement preventing layer 108 and the electrodeposited copper layer 110 may have different compositions. For example, the movement preventing layer 108 may be a nickel-containing layer, and the composition thereof may be pure nickel, a nickel-containing inorganic dopant, or a nickel-containing alloy, but is not limited thereto. Some metals that may be alloyed with nickel may be, but are not limited to, cobalt, tungsten, molybdenum, zinc, tin, chromium, or iron. It should be noted that, according to some embodiments, the anti-migration layer 108 may optionally be omitted.

캐리어층(102) 상에 초박형 구리층(104)의 전착된 구리층(110), 러프닝층(112), 배리어층(114) 및 커플링층(116)이 순차적으로 배치된다. 방출층(106) 및 이동 방지층(108) 모두 캐리어층(102) 및 초박형 구리층(104) 사이에 배치될 수 있다. 전착된 구리층(110)은 전착 공정에 의해 캐리어층(102) 상에 형성된 구리층이고, 이의 두께는 대개 5μm 이하이다. 러프닝층(112)은 단일층 또는 다중 구리층일 수 있으며, 이는 결절을 포함할 수 있다. 러프닝층(112)의 목적은 초박형 구리층(104)의 표면 거칠기를 증가시키는 것이다. 배리어층(114)은 금속층 또는 금속 합금층일 수 있다. 상술된 금속층의 조성은 니켈, 아연, 크롬, 코발트, 몰리브덴, 철, 주석, 또는 바나듐, 예컨대 니켈층, 니켈-아연 합금층, 아연층, 아연-주석 합금층 또는 크롬층일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또한, 금속층 및 금속 합금층은 단일층 또는 다중층 구조를 가질 수 있는데, 예컨대 아연 및/또는 니켈을 함유하는 단일층이다. 금속층이 다중층 구조인 경우, 서브층의 적층 순서는 특정 제한 없이 서로 다른 요구 사항에 따라 변경될 수 있다. 예를 들어, 아연 함유층이 니켈 함유층 상에 적층될 수 있거나, 니켈 함유층이 아연 함유층 상에 적층될 수 있다. 커플링층(116)은 실란으로 구성될 수 있으며, 이는 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTES), N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란,(3-글리시딜옥시프로필)트리에톡시실란,(8-글리시딜옥시옥틸)트리메톡시실란, 메타크릴로일 프로필트리에톡시실란, 메타크릴로일 옥틸트리메톡시실란, 메타크릴로일 프로필트리메톡시실란,(3-메르캅토프로필)트리메톡시실란,(3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 커플링층(116)의 목적은 초박형 구리층(104)과 다른 인접한 물질들(예컨대, 보드) 사이의 접착 강도를 증가시키는 것이다.An electrodeposited copper layer 110 of an ultra-thin copper layer 104 , a roughening layer 112 , a barrier layer 114 , and a coupling layer 116 are sequentially disposed on the carrier layer 102 . Both the emissive layer 106 and the anti-migration layer 108 may be disposed between the carrier layer 102 and the ultra-thin copper layer 104 . The electrodeposited copper layer 110 is a copper layer formed on the carrier layer 102 by an electrodeposition process, and the thickness thereof is usually 5 μm or less. The roughening layer 112 may be a single layer or multiple copper layers, which may include nodules. The purpose of the roughening layer 112 is to increase the surface roughness of the ultra-thin copper layer 104 . The barrier layer 114 may be a metal layer or a metal alloy layer. The composition of the above-mentioned metal layer may be nickel, zinc, chromium, cobalt, molybdenum, iron, tin, or vanadium, such as a nickel layer, a nickel-zinc alloy layer, a zinc layer, a zinc-tin alloy layer, or a chromium layer, but is not limited thereto. does not Further, the metal layer and the metal alloy layer may have a single-layer or multi-layer structure, for example, a single layer containing zinc and/or nickel. When the metal layer has a multi-layer structure, the stacking order of the sub-layers may be changed according to different requirements without specific limitations. For example, the zinc-containing layer may be deposited on the nickel-containing layer, or the nickel-containing layer may be deposited on the zinc-containing layer. The coupling layer 116 may be composed of silane, which is 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES), N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, (3-glycidyl). Oxypropyl) triethoxysilane, (8-glycidyloxyoctyl) trimethoxysilane, methacryloyl propyltriethoxysilane, methacryloyl octyltrimethoxysilane, methacryloyl propyltrimethoxy silane, (3-mercaptopropyl)trimethoxysilane, (3-glycidyloxypropyl)trimethoxysilane, but is not limited thereto. The purpose of the coupling layer 116 is to increase the adhesive strength between the ultra-thin copper layer 104 and other adjacent materials (eg, a board).

또한, 초박형 구리층(104)은 캐리어층(102)을 향하는 방출면(104A) 및 방출면(104A)에 대향하는 적층면(104B)을 갖는다. 달리 명시되지 않는 한, 본원에 개시된 방출면(104A)은 캐리어층(102)이 초박형 구리층(104)으로부터 박리될 때 초박형 구리층(104)의 노출된 표면을 지칭한다. 캐리어층(102)이 초박형 구리층(104)으로부터 박리될 때, 방출면(104A)의 물질 부피(Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 방출면(104A)상의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 보다 크지 않으며, 바람직하게는 25 내지 54μg/dm2의 범위이다. 또한, 적층면(104B)의 10점 평균 거칠기(Rz)는 0.7 내지 1.9μm의 범위에 있다. 적층면(104B)의 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(Vv) 및 둘 간의 차에 대해, 적층면(104B)의 물질 부피(Vm)는 0.25 내지 0.37μm3/μm2의 범위이고, 적층면(104B)의 공극 부피(Vv)는 0.28 내지 0.47μm3/μm2의 범위에 있고, 적층면(104B)의 물질 부피(Vm)와 공극 부피(Vv) 간의 차는 0.01 내지 0.14μm3/μm2의 범위에 있다. 본 개시의 일 구현예에 따르면, 커플링층(116)의 바깥면은 초박형 구리층(104)의 적층면(104B)이다.The ultra-thin copper layer 104 also has an emitting surface 104A facing the carrier layer 102 and a lamination surface 104B facing the emitting surface 104A. Unless otherwise specified, the release surface 104A disclosed herein refers to the exposed surface of the ultra-thin copper layer 104 when the carrier layer 102 is peeled from the ultra-thin copper layer 104 . When the carrier layer 102 is peeled from the ultra-thin copper layer 104 , the material volume Vm of the release surface 104A is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the nickel residue on the release surface 104A is the amount no greater than 60μg / dm 2, preferably from 25 to the range of 54μg / dm 2. Moreover, the 10-point average roughness Rz of the lamination|stacking surface 104B exists in the range of 0.7-1.9 micrometers. For the material volume (Vm) and void volume (Vv) of the layered surface 104B and the difference between the two, the material volume (Vm) of the layered surface 104B is in the range of 0.25 to 0.37 μm 3 /μm 2 , The pore volume (Vv) of 104B is in the range of 0.28 to 0.47 μm 3 /μm 2 , and the difference between the material volume (Vm) and the void volume (Vv) of the layered surface 104B is 0.01 to 0.14 μm 3 /μm 2 is in the range of According to one embodiment of the present disclosure, the outer surface of the coupling layer 116 is the lamination surface 104B of the ultra-thin copper layer 104 .

도 2는 본 개시의 일 구현예에 따른 동박적층판의 개략적인 단면도이다. 동박적층판(200)은 적어도 초박형 구리층(104) 및 보드(118)를 포함하고, 여기서 초박형 구리층(104)의 적층면(104B)은 보드(118)를 향하며 직접 접촉한다. 도 2에 도시된 구조는, 도 1에 도시된 캐리어(100)로 동박을 열-가압함으로써 얻을 수 있다. 캐리어층(102)이 초박형 구리층(104)으로부터 박리될 때, 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)이 노출될 수 있다. 노출된 방출면(104A)의 물질 부피(Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 노출된 방출면(104A)의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 보다 크지 않다.2 is a schematic cross-sectional view of a copper clad laminate according to an embodiment of the present disclosure. The copper-clad laminate 200 includes at least an ultra-thin copper layer 104 and a board 118 , wherein the laminated surface 104B of the ultra-thin copper layer 104 faces and directly contacts the board 118 . The structure shown in FIG. 2 can be obtained by heat-pressing a copper foil with the carrier 100 shown in FIG. 1 . When the carrier layer 102 is peeled from the ultra-thin copper layer 104 , the emitting surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 may be exposed. The material volume Vm of the exposed release face 104A is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the amount of nickel residue on the exposed release face 104A is not greater than 60 μg/dm 2 .

도 3은 본 개시의 일 구현예에 따른 초박형 구리층의 표면 높이와 초박형 구리층의 물질비(material ratio, mr)의 관계를 나타내는 도면이다. 본원에 개시된 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(Vv)는 ISO 25178-2 (2012)에 따라 정의되며, 측정 결과는 도 3에 도시되어 있다. 특히, 도 3을 참조하면, 물질 부피(Vm)(304)는 도 3에 도시된 곡선(상한 경계) 및 수평 절단선(하한 경계)으로 둘러싸인 물질의 부피를 적분함으로써 계산된다. 수평 절단선의 z-축 위치는 곡선상의 특정 지점에 해당하는 높이로 설정되며, 여기서 특정 지점의 물질비(mr)는 P2일 수 있다. 따라서, 물질 부피(Vm)(304)는 도 3에 도시된 곡선 및 수평 절단선으로 둘러싸인 면적이고, 여기서 물질비(mr)는 0% 내지 80%(P2)의 범위에 있다. 달리 명시되지 않는 한, 본원에 개시된 물질 부피(Vm)는 물질비(mr)는 0% 내지 80%의 범위에 있고, 즉 물질 부피(Vm)의 물질비(mr)가 80%에서 설정된, 적분 값을 지칭한다는 것을 유의해야 한다.3 is a diagram illustrating a relationship between a surface height of an ultra-thin copper layer and a material ratio (mr) of an ultra-thin copper layer according to an embodiment of the present disclosure. The material volume (Vm) and pore volume (Vv) disclosed herein are defined according to ISO 25178-2 (2012), and the measurement results are shown in FIG. 3 . In particular, referring to FIG. 3 , the material volume Vm 304 is calculated by integrating the volume of the material surrounded by the curve (upper boundary) and the horizontal cut line (lower boundary) shown in FIG. 3 . The z-axis position of the horizontal cutting line is set to a height corresponding to a specific point on the curve, where the material ratio mr at the specific point may be P2. Accordingly, the material volume Vm 304 is the area enclosed by the curve and the horizontal cut line shown in FIG. 3, where the material ratio mr is in the range of 0% to 80% (P2). Unless otherwise specified, the volume of material (Vm) disclosed herein is an integral, wherein the ratio of material (mr) is in the range of 0% to 80%, i.e., the ratio of material (mr) of volume of material (Vm) is set at 80%. Note that it refers to a value.

공극 부피(Vv)(302)는 도 3에 도시된 곡선(하한 경계) 및 수평 절단선(상한 경계)으로 둘러싸인 공극의 부피를 적분함으로써 계산된다. 수평 절단선의 z-축 위치는 곡선상의 특정 지점에 해당하는 높이로 설정되며, 여기서 특정 지점의 물질비(mr)는 P1일 수 있다. 따라서, 공극 부피(Vv)(302)는 도 1에 도시된 곡선 및 수평 절단선으로 둘러싸인 면적이고, 여기서 물질비(mr)는 10%(P1) 내지 100%의 범위에 있다. 달리 명시되지 않는 한, 본원에 개시된 공극 부피(Vv)는 물질비(mr)가 10% 내지 100%의 범위에 있으며, 즉 공극 부피(Vv)는 10%로 설정된, 적분 값을 지칭한다는 것을 유의해야 한다.The void volume (Vv) 302 is calculated by integrating the volume of the void surrounded by the curve (lower bound) and the horizontal cut line (upper bound) shown in FIG. 3 . The z-axis position of the horizontal cutting line is set to a height corresponding to a specific point on the curve, where the material ratio mr at the specific point may be P1. Thus, the void volume (Vv) 302 is the area enclosed by the curve and the horizontal cut line shown in FIG. 1 , where the material ratio mr is in the range of 10% (P1) to 100%. Note that, unless otherwise specified, the pore volume (Vv) disclosed herein refers to an integral value with the material ratio (mr) in the range of 10% to 100%, i.e., the pore volume (Vv) is set to 10%. Should be.

구체적으로, 본 개시의 일부 구현예에 따르면, 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)의 물질 부피(Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 방출면(104A)의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2보다 크지 않다. 패턴화된 포토레지스트층이 초박형 구리층(104)의 방출면(104A) 상에 순차적으로 형성될 때, 방출면(104A) 및 패턴화된 포토레지스트층은 보다 우수한 접착 강도를 가질 수 있다. 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 접착 강도를 향상시킴으로써, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴이 하부 초박형 구리층(104)으로 전사하는 공정 동안에, 패턴화된 포토레지스트층이 초박형 구리층(104)의 표면으로부터 쉽게 박리되지 않을 수 있다. 그 결과, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴이 하부 초박형 구리층(104)으로 완전하고 정확하게 전사될 수 있고, 원하는 회로 레이아웃 및 미세한 선 너비/선 간격을 갖는 패턴화된 초박형 구리층을 얻을 수 있다.Specifically, according to some embodiments of the present disclosure, the material volume (Vm) of the emission surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the nickel of the emission surface 104A is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 . The amount of residue is not greater than 60 μg/dm 2 . When the patterned photoresist layer is sequentially formed on the emitting surface 104A of the ultra-thin copper layer 104, the emitting surface 104A and the patterned photoresist layer may have better adhesion strength. By improving the adhesion strength between the emitting surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 and the patterned photoresist layer, during the process of transferring the pattern of the patterned photoresist layer to the underlying ultra-thin copper layer 104, the pattern The photoresist layer may not be easily peeled off from the surface of the ultra-thin copper layer 104 . As a result, the pattern of the patterned photoresist layer can be completely and accurately transferred to the lower ultra-thin copper layer 104, and a patterned ultra-thin copper layer having a desired circuit layout and fine line width/line spacing can be obtained. .

또한, 본 개시의 일부 구현예에 따르면, 초박형 구리층(104)의 적층면(104B)의 10점 평균 거칠기(Rz)는 0.7 내지 1.9μm의 범위이고, 적층면(104B)의 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(Vv) 간의 차는 0.01 내지 0.14μm3/μm2의 범위에 있다. 이러한 표면 특성으로 인해, 초박형 구리층(104)과 보드(118) 사이의 박리 강도는 3lb/in보다 높고, 이는 패턴을 전사하는 공정 동안에 패턴화된 초박형 구리층(104)이 보드(118)로부터 박리될 가능성이 훨씬 낮다는 것을 의미한다.Further, according to some embodiments of the present disclosure, the 10-point average roughness (Rz) of the lamination surface 104B of the ultra-thin copper layer 104 is in the range of 0.7 to 1.9 μm, and the material volume (Vm) of the lamination surface 104B ) and the difference between the pore volume (Vv) is in the range of 0.01 to 0.14 μm 3 /μm 2 . Due to these surface properties, the peel strength between the ultra-thin copper layer 104 and the board 118 is higher than 3 lb/in, which indicates that the patterned ultra-thin copper layer 104 is removed from the board 118 during the process of transferring the pattern. This means that the chances of delamination are much lower.

캐리어가 있는 동박, 동박적층판 및 회로가 있는 동박적층판의 제조 방법이 예시로서 더 설명된다.The manufacturing method of the copper foil with a carrier, a copper-clad laminated board, and a copper-clad laminated board with a circuit is further demonstrated as an example.

도 4는 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어층의 일면 상에 형성된 방출층 및 이동 방지층이 있는 구조의 개략적인 단면도이다. 도 4를 참조하면, 전착 공정에 의해 금속 캐소드 드럼의 표면 상에 캐리어층(102), 예컨대 구리 함유 캐리어층이 형성될 수 있다. 금속 캐소드 드럼으로부터 이격된 캐리어층(102)의 일면은 증착면(102A)으로 간주될 수 있으며, 금속 캐소드 드럼을 향하는 캐리어층(102)의 다른면은 드럼면(102B)으로 간주될 수 있다. 그런 다음, 방출층(106) 및 이동 방지층(108)이 캐리어층(102)의 드럼면(102B) 상에 순차적으로 배치된다. 특히, 침지 공정에 의해 방출층(106)이 캐리어층(102) 상에 배치될 수 있고, 전착 공정에 의해 이동 방지층(108)이 방출층(106) 상에 배치될 수 있다.4 is a schematic cross-sectional view of a structure having an emitting layer and a movement preventing layer formed on one surface of a carrier layer according to an embodiment of the present disclosure. Referring to FIG. 4 , a carrier layer 102 , such as a copper-containing carrier layer, may be formed on the surface of the metal cathode drum by an electrodeposition process. One side of the carrier layer 102 that is spaced from the metal cathode drum may be considered the deposition side 102A, and the other side of the carrier layer 102 facing the metal cathode drum may be considered the drum side 102B. Then, the release layer 106 and the anti-migration layer 108 are sequentially disposed on the drum face 102B of the carrier layer 102 . In particular, the release layer 106 may be disposed on the carrier layer 102 by an immersion process, and the anti-migration layer 108 may be disposed on the release layer 106 by an electrodeposition process.

도 5는 본 개시의 일 구현예에 따른 캐리어층의 일면 상에 형성된 전착된 구리층 및 러프닝층이 있는 구조의 개략적인 단면도이다. 이동 방지층(108)의 형성 후, 이동 방지층(108)의 표면 상에 전착된 구리층(110), 러프닝층(112) 및 배리어층(114)을 포함하는 초박형 구리층(104)이 형성될 수 있다. 이 제조 단계에서, 전착 공정을 수행함으로써, 초박형 구리층(104)의 전착된 구리층(110), 러프닝층(112) 및 배리어층(114)이 이동 방지층(108)의 표면 상에 순차적으로 형성될 수 있다. 그 후, 커플링층(116)은 배리어층(114) 상에 코팅되고, 도 1에 도시된 구조를 얻을 수 있다.5 is a schematic cross-sectional view of a structure having an electrodeposited copper layer and a roughening layer formed on one side of a carrier layer according to an embodiment of the present disclosure; After the formation of the movement prevention layer 108, an ultra-thin copper layer 104 including an electrodeposited copper layer 110, a roughening layer 112, and a barrier layer 114 on the surface of the movement prevention layer 108 may be formed. have. In this manufacturing step, by performing an electrodeposition process, the electrodeposited copper layer 110 of the ultra-thin copper layer 104 , the roughening layer 112 and the barrier layer 114 are sequentially formed on the surface of the movement preventing layer 108 . can be Then, the coupling layer 116 is coated on the barrier layer 114, and the structure shown in FIG. 1 can be obtained.

그 후, 캐리어(100)가 있는 동박은 보드로 열-가압될 수 있으며, 동박(100)의 캐리어층(102)은 초박형 구리층(104)으로부터 박리되어 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)을 노출시킬 수 있다. 그 결과, 도 2에 도시된 동박적층판(200)과 유사한 구조를 얻을 수 있다. 캐리어층(102)이 초박형 구리층(104)으로부터 박리될 때, 이동 방지층(108)의 일부, 예컨대 니켈 잔여물은 초박형 구리층의 방출면(104A) 상에 남아있을 수 있음을 유의해야 한다. 남아있는 니켈 잔여물은 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)의 일부로 간주될 수 있다. 또한, 방출층(106) 및 이동 방지층(108)의 총 두께는 극심하게 얇기 때문에, 초박형 구리층(104)이 전착 공정에 의해 형성되는 경우, 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)의 표면 토포그래피(surface topography)는 캐리어층(102)에 의해 지배된다. 즉, 캐리어층(102)의 표면 토포그래피, 또는 전해질의 조성 또는 캐리어층(102)을 형성하기 위한 전착 조건과 같은 요소들 중 어느 하나가 방출면(104A)의 표면 토포그래피에 영향을 줄 수 있다. 다시 말해서, 원하는 표면 토포그래피를 갖는 캐리어층을 채택하거나, 전해질 용액의 조성을 조정하거나, 전착 공정 조건을 제어함으로써, 방출면(104A)의 표면 토포그래피가 제어될 수 있다.Then, the copper foil with the carrier 100 can be heat-pressed into a board, and the carrier layer 102 of the copper foil 100 is peeled off from the ultra-thin copper layer 104 to release the ultra-thin copper layer 104 ( 104A) may be exposed. As a result, a structure similar to the copper clad laminate 200 shown in FIG. 2 can be obtained. It should be noted that when the carrier layer 102 is peeled from the ultra-thin copper layer 104 , a portion of the anti-migration layer 108 , such as a nickel residue, may remain on the release surface 104A of the ultra-thin copper layer. The remaining nickel residue may be considered part of the exit surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 . In addition, since the total thickness of the release layer 106 and the anti-migration layer 108 is extremely thin, when the ultra-thin copper layer 104 is formed by an electrodeposition process, the emission surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 is The surface topography is dominated by the carrier layer 102 . That is, any one of factors such as the surface topography of the carrier layer 102 , or the composition of the electrolyte or the electrodeposition conditions for forming the carrier layer 102 , can affect the surface topography of the emitting surface 104A. have. In other words, the surface topography of the emitting surface 104A can be controlled by adopting a carrier layer having a desired surface topography, adjusting the composition of the electrolyte solution, or controlling the electrodeposition process conditions.

보드(118)는 베이클라이트 보드(bakelite board), 폴리머 보드, 또는 유리 섬유 보드일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 폴리머 보드의 경우, 이의 조성은, 예컨대 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 아크릴, 포름알데히드 수지, 비스말레이미드 트리아진 수지(BT 수지), 시아네이트 에스테르 수지, 플루오로폴리머, 폴리에테르 설폰, 셀룰로오스 열가소성물질, 폴리카보네이트, 폴리올레핀, 폴리프로필렌, 폴리설파이드, 폴리우레탄, 폴리이미드, 액정 폴리머(LCP), 또는 폴리페닐렌 옥시드(PPO)일 수 있다. 유리 섬유 보드의 경우, 유리 섬유 보드는 부직포 유리 섬유 직물을 상기 폴리머 함유 용액(에폭시 수지 함유 용액)에 침지시켜 형성된 프리프레그(prepreg)일 수 있다.The board 118 may be, but is not limited to, a bakelite board, a polymer board, or a fiberglass board. In the case of a polymer board, its composition is, for example, an epoxy resin, a phenol resin, a polyester resin, a polyimide resin, an acrylic, a formaldehyde resin, a bismaleimide triazine resin (BT resin), a cyanate ester resin, a fluoropolymer, polyether sulfone, cellulosic thermoplastic, polycarbonate, polyolefin, polypropylene, polysulfide, polyurethane, polyimide, liquid crystal polymer (LCP), or polyphenylene oxide (PPO). In the case of a glass fiber board, the glass fiber board may be a prepreg formed by immersing a nonwoven glass fiber fabric in the polymer-containing solution (epoxy resin-containing solution).

도 6은 본 개시의 일 구현예에 따른 초박형 구리층의 일면 상에 패턴화된 포토레지스트층이 있는 구조의 개략적인 단면도이다. 도 2에 도시된 동박적층판(200)의 형성 후, 포토레지스트층, 예컨대 건조필름 포토레지스트가 동박적층판(200)의 초박형 구리층(104)의 방출면(104A) 상에 배치될 수 있다. 적절한 포토리소그래피 공정을 수행함으로써, 포토레지스트층이 패턴화되어 패턴화된 포토레지스트층(320)이 될 수 있다. 상기 패턴화된 포토레지스트층(320)은 패턴, 예컨대 회로 패턴을 가질 수 있다.6 is a schematic cross-sectional view of a structure with a patterned photoresist layer on one side of an ultra-thin copper layer according to an embodiment of the present disclosure. After formation of the copper clad laminate 200 shown in FIG. 2 , a photoresist layer, such as a dry film photoresist, may be disposed on the emitting surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 of the copper clad laminate 200 . By performing an appropriate photolithography process, the photoresist layer can be patterned to become the patterned photoresist layer 320 . The patterned photoresist layer 320 may have a pattern, for example, a circuit pattern.

도 7은 본 개시의 일 구현예에 따른 패턴화된 초박형 구리층을 갖는 구조의 개략적인 단면도이다. 패턴화된 포토레지스트층(320)의 형성 후, 적절한 에칭 공정, 예컨대 습식 에칭 공정이 수행되어 패턴화된 포토레지스트층(320)에 정의된 회로 패턴을 하부 초박형 구리층(104)으로 전사할 수 있다. 에칭 공정이 완료되면, 전도성 선(412)의 패턴 및 간격(414)의 패턴으로 구성된 패턴화된 초박형 구리층(410)을 얻을 수 있다. 본 개시의 일 구현예에 따르면, 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 접착 강도가 충분히 높기 때문에, 패턴화된 포토레지스트층(320)의 패턴을 하부 초박형 구리층(104)으로 전사하는 공정 동안에, 패턴화된 포토레지스트층(320)은 초박형 구리층(104)의 표면으로부터 쉽게 박리되지 않을 수 있다. 그 결과, 패턴화된 포토레지스트층(320)의 패턴을 하부 초박형 구리층(104)으로 완전하고 정확하게 전사할 수 있으며, 원하는 회로 레이아웃 및 선 너비/선 간격을 갖는 패턴화된 초박형 구리층(410) 및 상응하는 동박적층판(400)을 얻을 수 있다. 따라서, 상기 개시된 제조 공정이 완료되면, 동박적층판(400)을 얻을 수 있다.7 is a schematic cross-sectional view of a structure having a patterned ultra-thin copper layer in accordance with an embodiment of the present disclosure. After formation of the patterned photoresist layer 320 , an appropriate etching process, such as a wet etching process, may be performed to transfer the circuit pattern defined in the patterned photoresist layer 320 to the lower ultra-thin copper layer 104 . have. When the etching process is completed, a patterned ultra-thin copper layer 410 composed of a pattern of conductive lines 412 and a pattern of gaps 414 can be obtained. According to one embodiment of the present disclosure, since the adhesive strength between the emitting surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 and the patterned photoresist layer is sufficiently high, the pattern of the patterned photoresist layer 320 is lowered. During the process of transferring to the ultra-thin copper layer 104 , the patterned photoresist layer 320 may not easily peel off from the surface of the ultra-thin copper layer 104 . As a result, the pattern of the patterned photoresist layer 320 can be completely and accurately transferred to the lower ultra-thin copper layer 104, and the patterned ultra-thin copper layer 410 with the desired circuit layout and line width/line spacing. ) and the corresponding copper clad laminate 400 can be obtained. Accordingly, when the disclosed manufacturing process is completed, the copper clad laminate 400 can be obtained.

도 8은 본 개시의 일 구현예에 따른 패턴화된 포토레지스트층의 제거 후의 구조의 개략적인 단면도이다. 도 7에 도시된 동박적층판(400)의 형성 후, 패턴화된 포토레지스트층(320)이 제거되어 초박형 구리층(104)의 방출면(104A)을 노출시킨다. 본 개시의 일 구현예에 따르면, 초박형 구리층(104)과 보드(118) 사이의 박리 강도가 3lb/in보다 높기 때문에, 패턴화된 포토레지스트층(320)을 제거하는 공정 동안, 패턴화된 초박형 구리층(410)이 보드(118)로부터 쉽게 박리되지 않을 수 있다. 다시 말해, 소정의 레이아웃을 벗어나지 않으면서 원하는 패턴을 갖는 초박형 구리층(410)의 전도성 선(412) 및 간격(414)이 보드(118) 상에 제조될 수 있다.8 is a schematic cross-sectional view of a structure after removal of a patterned photoresist layer according to an embodiment of the present disclosure. After formation of the copper clad laminate 400 shown in FIG. 7 , the patterned photoresist layer 320 is removed to expose the emission surface 104A of the ultra-thin copper layer 104 . According to one embodiment of the present disclosure, since the peel strength between the ultra-thin copper layer 104 and the board 118 is greater than 3 lb/in, during the process of removing the patterned photoresist layer 320 , the patterned The ultra-thin copper layer 410 may not easily peel off the board 118 . In other words, the conductive lines 412 and spacing 414 of the ultra-thin copper layer 410 having a desired pattern can be fabricated on the board 118 without departing from a predetermined layout.

당업자가 본 개시 내용을 구현할 수 있게 하기 위해, 캐리어가 있는 동박 및 동박적층판에 대한 특정 실시예들이 하기에 더 상세하게 설명된다. 그러나, 하기 실시예는 단지 예시를 위한 것이며, 본 개시를 제한하는 것으로 해석되어서는 안된다는 점에 유의해야 한다. 즉, 각 실시예에서의 물질, 물질의 양 및 비율, 및 공정 흐름은, 이들 변형이 첨부된 청구 범위에 의해 정의된 바와 같이, 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 한, 적절하게 수정될 수 있다.To enable a person skilled in the art to implement the present disclosure, specific embodiments of a copper foil with a carrier and a copper clad laminate are described in more detail below. However, it should be noted that the following examples are for illustrative purposes only and should not be construed as limiting the present disclosure. That is, the materials, amounts and proportions of materials, and process flows in each embodiment may be appropriately modified as long as these variations fall within the spirit and scope of the present invention, as defined by the appended claims. .

특히, 하기 실시예 및 비교예에 따르면, 캐리어가 있는 동박 및 동박적층판의 제조 공정, 캐리어가 있는 동박의 표면 거칠기(Rz, Vv, Vm), 포토레지스트층과 동박적층판 사이의 접착 강도, 및 초박형 구리층과 하부 보드 사이의 박리 강도가 개시되고, 파라미터 및 시험 결과는 하기 표 1 및 표 2에 기재되어 있다.In particular, according to the following Examples and Comparative Examples, the manufacturing process of the copper foil and the copper clad laminate with a carrier, the surface roughness (Rz, Vv, Vm) of the copper foil with the carrier, the adhesive strength between the photoresist layer and the copper clad laminate, and the ultra-thin The peel strength between the copper layer and the lower board is disclosed, and the parameters and test results are shown in Tables 1 and 2 below.

실시예Example

실시예 1Example 1

〈i. 캐리어층의 제조〉<i. Preparation of carrier layer>

구리 와이어를 황산 수용액(50wt%)중에 용해시켜 320g/L의 황산구리(CuSO4·5H2O) 및 110g/L의 황산을 함유한 황산구리 전해질 용액을 제조하였다. 황산구리 전해액의 1 리터당, 5.5mg의 저-분자량 겔(SV, Nippi, Inc. 제조), 3mg의 소듐 3-메르캅토프로판 설포네이트(MPS, Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd. 제조), 25mg의 염산(RCI Labscan Ltd.제조)을 첨가하였다.A copper wire was dissolved in a sulfuric acid aqueous solution (50 wt%) to prepare a copper sulfate electrolyte solution containing 320 g/L copper sulfate (CuSO 4 ·5H 2 O) and 110 g/L sulfuric acid. Per liter of copper sulfate electrolyte, 5.5 mg of low-molecular weight gel (SV, manufactured by Nippi, Inc.), 3 mg of sodium 3-mercaptopropane sulfonate (MPS, manufactured by Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd.), 25 mg of hydrochloric acid (RCI) Labscan Ltd.) was added.

그 후, 50℃의 액체 온도 및 50A/dm2의 전류 밀도에서, 두께가 18μm인 전착(또는 '전기도금'이라 칭함)된 동박을 제조하였다. 동박을 제조하기 위한 전형적인 장치는 금속 캐소드 드럼 및 불용성 금속 애노드를 포함하고, 상기 금속 캐소드 드럼은 회전 가능하고 미러 폴리싱된 표면을 갖는다. JIS G 0552에 따르면, 미러 폴리싱된 표면의 입자 크기 수(grain size number)는 7이다. 불용성 금속 애노드는 대략 금속 캐소드 드럼의 하반부(lower half)에 배치되고 금속 캐소드 드럼을 감쌌다. 캐소드 드럼과 애노드 사이에 구리 전해액을 유동시키고, 이들 사이에 전류를 인가하여 캐소드 드럼 상에 구리를 전착하고, 캐소드 드럼으로부터 전착된 동박을 이탈함으로써, 장치로 동박을 계속 제조하였다. 전착된 동박을 다음 공정에 캐리어층으로서 사용할 수 있다. Then, at a liquid temperature of 50° C. and a current density of 50 A/dm 2 , an electrodeposited copper foil having a thickness of 18 μm (or referred to as 'electroplating') was prepared. A typical apparatus for making copper foil comprises a metal cathode drum and an insoluble metal anode, the metal cathode drum being rotatable and having a mirror polished surface. According to JIS G 0552, the grain size number of the mirror polished surface is 7. An insoluble metal anode was placed approximately in the lower half of the metal cathode drum and wrapped around the metal cathode drum. Copper foil was continuously produced with the apparatus by flowing a copper electrolyte solution between the cathode drum and the anode, applying an electric current between them to electrodeposit copper on the cathode drum, and detaching the electrodeposited copper foil from the cathode drum. The electrodeposited copper foil can be used as a carrier layer in the next process.

〈ii. 방출층의 제조〉<ii. Preparation of Emissive Layer>

30℃의 온도에서 30초 동안, 두께가 18μm인 전착된 동박('캐리어층'이라고도 칭함)을 1000 ppm 카르복시벤조트리아졸(CBTA) 용액으로 침지시켰다. 그 결과, 캐리어층 상에 방출층을 형성하였다. An electrodeposited copper foil having a thickness of 18 µm (also referred to as a 'carrier layer') was immersed in a 1000 ppm carboxybenzotriazole (CBTA) solution at a temperature of 30° C. for 30 seconds. As a result, an emission layer was formed on the carrier layer.

〈iii. 이동 방지층의 제조><iii. Preparation of migration prevention layer>

300g/L의 황산 니켈(NiSO4·7H2O) 및 40g/L의 붕산(H3BO3)을 함유하는 전해액을 사용하여, 50℃의 온도에서 4A/dm2의 전류 밀도로 1초 동안, 캐리어층의 드럼면 상의 방출면 상에 이동 방지층을 선택적으로 배치하였다. 실시예 1의 경우, 캐리어층 상에 배치된 이동 방지층이 없었다. Using an electrolyte containing 300 g/L of nickel sulfate (NiSO 4 .7H 2 O) and 40 g/L of boric acid (H 3 BO 3 ), at a temperature of 50° C. and a current density of 4 A/dm 2 for 1 second , an anti-migration layer was optionally disposed on the emitting side on the drum side of the carrier layer. For Example 1, there was no anti-migration layer disposed on the carrier layer.

〈iv. 전착된 구리층의 제조〉<iv. Preparation of Electrodeposited Copper Layer>

구리 와이어를 50wt%의 황산 수용액 중에 용해시켜 320g/L의 황산구리(CuSO4·5H2O) 및 110g/L의 황산을 함유하는 황산구리 전해액을 제조하였다. 상기 황산구리 전해액 1 리터당, 5.5mg의 저-분자량 겔(SV, Nippi, Inc. 제조), 3mg의 소듐 3-메르캅토프로판 설포네이트(MPS, Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd. 제조) ), 25mg의 염산(RCI Labscan Ltd. 제조), 9.5mg의 PEI(폴리에틸렌이민, 선형, Mn=5000, Sigma-Aldrich Company에서 시판) 및 6.8mg의 사카린(1,1-디옥소-1,2-벤조티아졸-3-온, Sigma-Aldrich Company에서 시판)을 첨가하였다.A copper wire was dissolved in a 50wt% aqueous solution of sulfuric acid to prepare a copper sulfate electrolyte containing 320 g/L of copper sulfate (CuSO 4 ·5H 2 O) and 110 g/L of sulfuric acid. Per 1 liter of the copper sulfate electrolyte solution, 5.5 mg of low-molecular-weight gel (SV, manufactured by Nippi, Inc.), 3 mg of sodium 3-mercaptopropane sulfonate (MPS, manufactured by Hopax Chemicals Manufacturing Company Ltd.), 25 mg of hydrochloric acid ( manufactured by RCI Labscan Ltd.), 9.5 mg of PEI (polyethylenimine, linear, Mn=5000, commercially available from Sigma-Aldrich Company) and 6.8 mg of saccharin (1,1-dioxo-1,2-benzothiazole-3) -on, commercially available from Sigma-Aldrich Company) was added.

구리 함유 전해액의 제조 후, 전착 공정에 의해 전착된 구리층을 제조한다. 전착 동안, 전해액을 50℃의 온도에서 유지하였고, 전류 밀도를 20A/dm2에서 유지하였다. 도금 시간은 45 초였다. 그 결과, 캐리어층의 드럼면의 이동 방지층 상에 두께가 3μm인 전착된 구리층을 첨가하였다.After preparation of the copper-containing electrolytic solution, a copper layer electrodeposited by an electrodeposition process is prepared. During electrodeposition, the electrolyte was maintained at a temperature of 50° C. and the current density was maintained at 20 A/dm 2 . The plating time was 45 seconds. As a result, an electrodeposited copper layer having a thickness of 3 μm was added on the movement preventing layer on the drum surface of the carrier layer.

〈v. 러프닝층(Roughening Layer)의 제조〉<v. Preparation of Roughening Layer>

95g/L의 황산구리(CuSO4·5H2O), 115g/L의 황산, 및 3.5 ppm의 염화이온을 함유하는 황산구리 전해액을 사용하여, 러프닝층(예컨대, 구리 결절)을 전착된 구리층 상에, 25℃의 온도에서 10초 동안 50A/dm2의 전류 밀도를 사용하여, 첨가하였다.Using a copper sulfate electrolyte containing 95 g/L copper sulfate (CuSO 4 .5H 2 O), 115 g/L sulfuric acid, and 3.5 ppm chloride ions, a roughening layer (eg, copper nodules) was applied onto the electrodeposited copper layer. , was added, using a current density of 50 A/dm 2 for 10 s at a temperature of 25°C.

또한, 구리 결절의 박리를 방지하기 위한 전착 공정을 사용하여 구리 결절 상에 구리 커버층을 형성하였다. 구리 커버층을 형성하기 위한 전착 공정에서, 황산구리 및 황산의 농도가 각각 320g/L 및 100g/L 인 황산구리 전해액을 사용하였다. 전해액의 온도를 40 ℃에서 유지하였고, 전류 밀도를 15A/dm2에서 10초 동안 유지하였다.In addition, a copper cover layer was formed on the copper nodules using an electrodeposition process to prevent peeling of the copper nodules. In the electrodeposition process for forming the copper cover layer, copper sulfate electrolytes having copper sulfate and sulfuric acid concentrations of 320 g/L and 100 g/L, respectively, were used. The temperature of the electrolyte was maintained at 40 °C, and the current density was maintained at 15A/dm 2 for 10 seconds.

〈vi. 배리어층의 제조〉<vi. Preparation of barrier layer>

180g/L의 황산니켈(NiSO4·7H2O), 3.6g/L의 소듐 하이포포스파이트(NaH2PO2)를 포함하는 황산니켈 전해액(pH=3.5)을 사용하여 전착 공정을 수행함으로써, 20℃의 온도에서 0.2A/dm2의 전류 밀도를 3초 동안 사용하여, 니켈 함유층을 러프닝층 상에 첨가하였다. 니켈 함유층의 형성이 완료되면, 물로 세척을 수행하였다.180 g/L of nickel sulfate (NiSO 4 .7H 2 O) and 3.6 g/L of sodium hypophosphite (NaH 2 PO 2 ) By performing an electrodeposition process using a nickel sulfate electrolyte (pH=3.5), A nickel-containing layer was added on the roughening layer using a current density of 0.2 A/dm 2 at a temperature of 20° C. for 3 seconds. When the formation of the nickel-containing layer was completed, washing was performed with water.

그런 다음, pH=3.4 및 50℃의 온도에서 유지된 100g/L의 황산아연을 함유하는 황산아연 전해액을 사용하여 전착 공정을 수행함으로써, 2초 동안 4A/dm2의 전류 밀도를 사용하여, 동박의 2개의 대향면 상에 아연 함유층을 첨가하였다. 아연 함유층의 형성이 완료되면, 물로 세척을 수행하였다.Then, an electrodeposition process was performed using a zinc sulfate electrolyte containing 100 g/L of zinc sulfate maintained at pH = 3.4 and a temperature of 50° C., thereby using a current density of 4 A/dm 2 for 2 seconds. A zinc-containing layer was added on two opposite surfaces of When the formation of the zinc-containing layer was completed, washing was performed with water.

또한, 35℃의 온도, pH=11.5로 유지된, 5g/L의 크롬산을 함유하는 크롬 산 배쓰를 사용하여 전착 공정을 수행함으로써, 5초 동안 10A/dm2의 전류 밀도를 사용하여 동박의 2개의 대향면 상에 크롬 함유층을 첨가하였다. Further, by carrying out the electrodeposition process using a chromic acid bath containing 5 g/L of chromic acid, maintained at a temperature of 35° C., pH=11.5, 2 of the copper foil using a current density of 10 A/dm 2 for 5 seconds A chromium-containing layer was added on the opposite side of the dog.

〈vii. 커플링층의 제조〉<vii. Preparation of Coupling Layer>

패시베이션 처리가 완료되면, 동박을 물로 세척하였다. 그 후, 동박 표면을 건조시키지 않고, 동박을 실란 커플링제 처리용 챔버에 넣었다. 이 처리에서, 용액의 농도는 0.25wt% 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTES)이고, 용액을 배리어층 상단에 분무하여 배리어층의 표면이 실란 커플링제를 흡수하게 하였다. 실란 커플링제는 구리 캐리어층의 특정면(즉, 러프닝층을 갖는 면) 상에 배치되었고, 실란 커플링제는 커플링층을 구성하였다.When the passivation treatment was completed, the copper foil was washed with water. Then, the copper foil was put into the chamber for a silane coupling agent process, without drying the copper foil surface. In this treatment, the concentration of the solution was 0.25 wt % 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES), and the solution was sprayed on top of the barrier layer to make the surface of the barrier layer absorb the silane coupling agent. The silane coupling agent was disposed on a specific side of the copper carrier layer (ie, the side with the roughening layer), and the silane coupling agent constituted the coupling layer.

상기 공정을 완료한 후, 실시예 1의 캐리어가 있는 동박을 얻었다. 전착 된 구리층, 러프닝층, 배리어층 및 커플링층은 초박형 구리층으로 불리는 복합층으로 간주되었다. 커플링층의 바깥면은 캐리어가 있는 동박의 적층면으로 간주되었다.After completing the above process, a copper foil with a carrier of Example 1 was obtained. The electrodeposited copper layer, roughening layer, barrier layer and coupling layer were considered as composite layers called ultra-thin copper layer. The outer surface of the coupling layer was regarded as the laminated surface of the copper foil with the carrier.

실시예 2-18Example 2-18

실시예 2-18의 제조 공정은 실시예 1의 제조 공정과 실질적으로 동일했다. 실시예 1의 것과 다른 제조 파라미터는 하기 표 1 및 표 2에 제시되어 있다. 특히, 실시예 2-9는 이동 방지층을 제공하지 않지만, 실시예 10-18은 이동 방지층을 제공하였다.The manufacturing process of Example 2-18 was substantially the same as that of Example 1. Preparation parameters different from those of Example 1 are shown in Tables 1 and 2 below. In particular, Examples 2-9 did not provide the anti-migration layer, but Examples 10-18 provided the anti-migration layer.

비교예 1-10Comparative Example 1-10

비교예 1-10의 제조 공정은 실시예 1의 제조 공정과 실질적으로 동일했다. 실시예 1의 것과 다른 제조 파라미터는 하기 표 1 및 표 2에 제시되어 있다. 특히, 비교예 1-4는 이동 방지층을 제공하지 않지만, 비교예 5-10은 이동 방지층을 제공하였다.The manufacturing process of Comparative Examples 1-10 was substantially the same as that of Example 1. Preparation parameters different from those of Example 1 are shown in Tables 1 and 2 below. In particular, Comparative Examples 1-4 did not provide a migration preventing layer, but Comparative Examples 5-10 provided a migration preventing layer.

테스트 방법test method

실시예 및 비교예의 시험편을 하기 테스트 방법에 의해 추가로 테스트 또는 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1 및 표 2에 나타내었다.The test pieces of Examples and Comparative Examples were further tested or measured by the following test method, and the results are shown in Tables 1 and 2 below.

〈공극 부피(Vv) 및 물질 부피(Vm)〉<void volume (Vv) and material volume (Vm)>

동박 및 초박형 구리층의 표면의 공극 부피(Vv) 및 물질 부피(Vm)를 레이저 현미경의 표면 조직 분석을 사용하여 ISO 25178-2 (2012)에 따라 측정하였다. 상기 레이저 현미경은 Olympus가 제조한 LEXT OLS5000-SAF이고, 광원은 405nm 파장 원이었다. 대물 렌즈는 100 x 확대(MPLAPON-100xLEXT)였다. 광학 줌을 1.0 x로 설정하였다. 이미지 면적을 129 μm x 129 μm로 설정하였다. 해상도를 1024 픽셀 x 1024 픽셀로 설정하였다. 조건을 자동 틸트 제거(auto tilt removal)로 설정하고 필터 설정을 필터링하지 않은 상태로 설정했다. 이미지를 24 ± 3 ℃의 공기 온도 및 63 ± 3 %의 상대 습도에서 제작하였다. 표 1 및 표 2에 열거된 바와 같이, 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(Vv)의 값을 각각 80% 및 10%에서 물질비(mr)로 계산하였다. 물질(Vm) 및 공극 부피(Vv)의 단위는μm³/μm²였다.The void volume (Vv) and material volume (Vm) of the surface of copper foils and ultra-thin copper layers were measured according to ISO 25178-2 (2012) using surface texture analysis of a laser microscope. The laser microscope was LEXT OLS5000-SAF manufactured by Olympus, and the light source was a 405 nm wavelength source. The objective lens was 100 x magnification (MPLAPON-100xLEXT). Optical zoom was set to 1.0 x. The image area was set to 129 μm×129 μm. The resolution was set to 1024 pixels x 1024 pixels. The condition was set to auto tilt removal and the filter setting was set to unfiltered. Images were prepared at an air temperature of 24 ± 3 °C and a relative humidity of 63 ± 3%. As listed in Tables 1 and 2, the values of material volume (Vm) and pore volume (Vv) were calculated as material ratio (mr) at 80% and 10%, respectively. The units of substance (Vm) and pore volume (Vv) were μm³/μm².

〈방출면의 물질 부피(Vm)〉<Material volume at the emission surface (Vm)>

동박의 적층면이 BT 수지를 향하도록 하여, 캐리어가 있는 동박을 BT 수지(GHPL-830NX 타입 A, Mitsubishigas chemical co.)에 적층하였다. 적층 조건은 다음과 같았다: 온도 : 233 ℃, 압력 : 580 psi, 및 가압 시간 : 100 분. 그런 다음, 동박의 캐리어층을 박리하여 초박형 구리층의 일면, 즉 초박형 구리층의 방출면을 노출시켰다. 상기 <공극 부피(Vv) 및 물질 부피(Vm)>에 개시되어 있는 측정을 수행하여 초박형 구리층의 방출면의 물질 부피(Vm)를 측정하였다.The copper foil with a carrier was laminated on the BT resin (GHPL-830NX type A, Mitsubishigas chemical co.) with the lamination surface of the copper foil facing the BT resin. Lamination conditions were as follows: temperature: 233 °C, pressure: 580 psi, and pressurization time: 100 min. Then, the carrier layer of the copper foil was peeled off to expose one side of the ultra-thin copper layer, that is, the release side of the ultra-thin copper layer. The material volume (Vm) of the emission surface of the ultra-thin copper layer was measured by performing the measurements described in <Volume of the void (Vv) and Volume of the material (Vm)>.

〈방출면의 10점 평균 거칠기(Rz)〉<10-point average roughness of the emission surface (Rz)>

JIS B 0601-1994에 따르면, 표면 거칠기 측정기(SE 600 시리즈; Kosaka Laboratory Ltd)를 사용하여 동박의 적층면의 10점 평균 거칠기(Rz)를 검출하였다. 측정 조건은 다음과 같았다. 스타일러스 팁(tip of stylus)의 직경은 2μm이며, 팁의 원추각은 90˚였다. 평가 길이는 4.0mm이고, 컷오프 값(λc)이 0.8mm 인 프로파일 필터를 적용했다.According to JIS B 0601-1994, the 10-point average roughness (Rz) of the laminated surface of the copper foil was detected using a surface roughness meter (SE 600 series; Kosaka Laboratory Ltd). The measurement conditions were as follows. The diameter of the tip of the stylus was 2 μm, and the cone angle of the tip was 90°. A profile filter having an evaluation length of 4.0 mm and a cutoff value (λc) of 0.8 mm was applied.

〈방출면 상에 니켈 잔여물의 양〉<Amount of Nickel Residue on Release Surface>

캐리어가 있는 동박을 절단하여 150 mm x 150 mm의 시험편을 수득하였고, 2개의 폴리이미드 보호층을 각각 캐리어층 및 초박형 구리층의 바깥면 상에 놓았다(폴리이미드 보호층은 하부 구리를 용해로부터 방지함). 그런 다음, 캐리어층은 초박형 구리층으로부터 박리되어 초박형 구리층의 일면(즉, 초박형 구리층의 방출면)을 노출시킨다. 시험편을 100 mm x 100 mm(면적=1 dm2)의 크기로 더 절단하였다. 그런 다음, 시험편을 디시(dish)에 넣고, 20 ml의 18% HCl 용액 및 3 ml의 30% H2O2 용액을 디시에 첨가하였다. 시험편을 25℃의 용액 온도에서 10 분 동안 침지시켰다. 초박형 구리층의 방출면 상의 니켈이 완전히 용해된 후, 용액을 50 ml 부피 플라스크에 부었다. 디시를 물로 세척하고, 부피 플라스크의 용액이 최종 부피(즉, 50 ml)에 도달할 때까지 부피 플라스크가 세척수를 수집하였다. 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법(ICP-AES)(iCAP7000; Thermo Co.)에 의해 니켈의 양을 결정하였다.The copper foil with the carrier was cut to obtain a 150 mm x 150 mm test piece, and two polyimide protective layers were placed on the outer surfaces of the carrier layer and the ultra-thin copper layer, respectively (the polyimide protective layer prevents the underlying copper from dissolving) box). The carrier layer is then peeled off from the ultra-thin copper layer to expose one side of the ultra-thin copper layer (ie, the emitting side of the ultra-thin copper layer). The test piece was further cut to a size of 100 mm x 100 mm (area = 1 dm 2 ). Then, the test piece was placed in a dish, and 20 ml of 18% HCl solution and 3 ml of 30% H 2 O 2 solution were added to the dish. The test piece was immersed for 10 minutes at a solution temperature of 25°C. After the nickel on the discharge side of the ultra-thin copper layer was completely dissolved, the solution was poured into a 50 ml volumetric flask. The dishes were washed with water and the volumetric flask collected wash water until the solution in the volumetric flask reached its final volume (ie 50 ml). The amount of nickel was determined by inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy (ICP-AES) (iCAP7000; Thermo Co.).

〈포토레지스트 패턴 접착〉<Photoresist pattern adhesion>

동박의 적층면이 BT 수지를 향하도록 하여, 캐리어가 있는 동박을 BT 수지(GHPL-830NX 타입 A, Mitsubishigas chemical co.)에 적층하였다. 적층 조건은 다음과 같았다: 온도 : 233 ℃, 압력 : 580 psi, 및 가압 시간 : 100 분. 그런 다음, 캐리어층을 전착된 구리층으로부터 박리하여 초박형 구리층의 방출면을 노출시켰다. 그 후, 초박형 구리층의 노출된 방출면을 포토레지스트 건조필름(FF-9030A, Chang Chun plastics co.)으로 적층하여 적층을 형성하였으며, 적층 조건은 65 ℃, 3.0 kg/cm2, 및 3초였다.The copper foil with a carrier was laminated on the BT resin (GHPL-830NX type A, Mitsubishigas chemical co.) with the lamination surface of the copper foil facing the BT resin. Lamination conditions were as follows: temperature: 233 °C, pressure: 580 psi, and pressurization time: 100 min. The carrier layer was then peeled from the electrodeposited copper layer to expose the release side of the ultra-thin copper layer. After that, the exposed surface of the ultra-thin copper layer was laminated with a photoresist dry film (FF-9030A, Chang Chun plastics co.) to form a laminate, and the lamination conditions were 65 °C, 3.0 kg/cm 2 , and 3 seconds. it was

포토레지스트 건조필름으로 적층한 후, 적층을 실온에서 15 분 동안 냉각시켰다. 그런 다음, 적층의 표면 상에 포토마스크(L/S = 1/1, 직선 패턴, 너비가 20 내지 50μm)를 커버하고, ORC EXM-1201F 노출 기계로 적층을 mJ/cm2 의 에너지 하에서 15 분간 노출시켰다. 노출 공정이 완료되면, 포토레지스트 건조필름의 일부가 경화되었다.After lamination with a photoresist dry film, the lamination was cooled at room temperature for 15 minutes. Then, a photomask (L/S = 1/1, straight pattern, width 20-50 μm) was covered on the surface of the stack, and the stack was subjected to an ORC EXM-1201F exposure machine under an energy of mJ/cm 2 for 15 minutes. exposed. When the exposure process was completed, a portion of the photoresist dry film was cured.

노출 후, 노출 적층을 실온에서 15 분 동안 냉각시켰다. 다음, 경화되지 않은 건조필름을 건조필름 상에 현상액을 분무함으로써 세척하여 선 패턴을 현상하였다. 세척 조건은 29 ℃, 1.0 wt% Na2CO3이고, 분무 압력은 1.2 kg/cm2였다.After exposure, the exposed stack was cooled at room temperature for 15 minutes. Next, the uncured dry film was washed by spraying a developer on the dry film to develop a line pattern. Washing conditions were 29 °C, 1.0 wt% Na 2 CO 3 , and the spray pressure was 1.2 kg/cm 2 .

그런 다음, 상기 샘플을 에칭 용액으로 에칭하여 패턴화된 건조필름에 나타난 패턴을 하부 전착된 구리층으로 전사시켰다. 에칭 용액은 36wt% HCl 용액, 40wt% FeCl3 용액 및 정제수(HCl 용액, FeCl3 용액 및 정제수의 부피비는 1:1:1 임)를 혼합하여 제조하였다. 에칭 공정이 완료되면, 패턴화된 초박형 구리층을 제조하였다.Then, the sample was etched with an etching solution, and the pattern shown on the patterned dry film was transferred to the lower electrodeposited copper layer. The etching solution was prepared by mixing 36wt% HCl solution, 40wt% FeCl 3 solution, and purified water ( volume ratio of HCl solution, FeCl 3 solution and purified water is 1:1:1). Upon completion of the etching process, a patterned ultra-thin copper layer was prepared.

다양한 포토마스크를 사용하여 다양한 패턴을 갖는 패턴화된 초박형 구리층(예를 들어, 특정 너비를 갖는 선 패턴)을 얻을 수 있다. 예를 들어, 샘플 세트는 5μm 간격으로 제조되었으며(예 : 첫 번째 세트의 경우 20μm, 두 번째 세트의 경우 25μm, 세 번째 세트의 경우 30μm 등), 각 세트는 같은 선 너비를 갖는 5개의 샘플을 포함하였다.A variety of photomasks can be used to obtain patterned ultra-thin copper layers with different patterns (eg, line patterns with specific widths). For example, a set of samples was prepared 5 μm apart (e.g., 20 μm for the first set, 25 μm for the second set, 30 μm for the third set, etc.), and each set contains 5 samples with the same line width. included.

전착된 구리층의 에칭 공정이 완료되면, 각 세트의 경화된 건조필름을 관찰하여 동일한 세트의 5개의 샘플의 경화된 건조필름이 에칭된, 전착된 구리층으로부터 분리되었는지를 확인하였다. 관찰을 이용하여, 경화된 포토레지스트 건조필름과 전착된 구리층 사이의 접착 강도를 평가하였다. 포토레지스트 패턴 접착의 기준은 다음과 같다:When the etching process of the electrodeposited copper layer was completed, each set of cured dry film was observed to ensure that the cured dry film of 5 samples of the same set was separated from the etched, electrodeposited copper layer. The observation was used to evaluate the adhesive strength between the cured photoresist dry film and the electrodeposited copper layer. The criteria for photoresist pattern adhesion are as follows:

등급 A: 등급 A : 선 너비 ≤ 30μm인 세트가 시험을 통과한다(특정 세트의 5개의 샘플 모두 경화된 건조필름이 에칭된 구리층에서 분리되지 않음).Grade A: Grade A: Sets with line width ≤ 30 μm pass the test (all 5 samples in a specific set, the cured dry film does not separate from the etched copper layer).

등급 B: 너비 ≤ 30μm 인 하나의 세트는 시험을 통과하지 못한다(특정 세트의 5개의 샘플 중 경화된 건조필름의 일부가 에칭된 구리층에서 분리됨). 너비 > 30μm인 다른 세트는 시험을 통과한다(특정 세트의 5개의 샘플의 경화된 건조필름 모두 에칭된 구리층으로부터 분리되지 않음).Grade B: One set with a width ≤ 30 μm does not pass the test (part of the cured dry film of the five samples in the specified set separates from the etched copper layer). Another set with a width >30 μm passed the test (not all cured dry films of 5 samples of a particular set separated from the etched copper layer).

<박리 강도><Peel strength>

동박의 적층면이 BT 수지를 향한 상태로 캐리어가 있는 동박을 BT 수지(GHPL-830NX 타입 A, Mitsubishigas chemical co.)에 적층함으로써 동박적층판을 얻었다. 적층 조건은 다음과 같았다: 온도 : 233 ℃, 압력 : 580 psi, 및 가압 시간 : 100 분.A copper clad laminate was obtained by laminating a copper foil with a carrier on a BT resin (GHPL-830NX type A, Mitsubishigas chemical co.) with the lamination surface of the copper foil facing the BT resin. Lamination conditions were as follows: temperature: 233 °C, pressure: 580 psi, and pressurization time: 100 min.

그런 다음, 캐리어층은 초박형 구리층으로부터 박리되어 초박형 구리층의 일면(즉, 초박형 구리층의 방출면)을 노출시켰다. 그 후, 초박형 구리층의 방출면 상에 두께 32μm인 추가 구리층을 전착하여 추가 구리층 및 하부 초박형 구리층의 총 두께가 35μm에 도달하였다.Then, the carrier layer was peeled off from the ultra-thin copper layer to expose one side of the ultra-thin copper layer (ie, the emitting side of the ultra-thin copper layer). Then, an additional copper layer with a thickness of 32 μm was electrodeposited on the release side of the ultra-thin copper layer, so that the total thickness of the additional copper layer and the lower ultra-thin copper layer reached 35 μm.

마지막으로, 범용 시험기를 사용하여 BT 수지로부터 35μm 구리층(추가 구리층 및 하부 초박형 구리층을 포함)을 동시에 박리하고 나서, 박리 강도를 분석하였다.Finally, a 35 μm copper layer (including an additional copper layer and a lower ultra-thin copper layer) was simultaneously peeled from the BT resin using a universal testing machine, and then the peel strength was analyzed.

[표 1][Table 1]

Figure 112020033776978-pat00001
Figure 112020033776978-pat00001

[표 1-계속][Table 1-Continued]

Figure 112020033776978-pat00002
Figure 112020033776978-pat00002

[표 2][Table 2]

Figure 112020033776978-pat00003
Figure 112020033776978-pat00003

[표 2 - 계속][Table 2 - Continued]

Figure 112020033776978-pat00004
Figure 112020033776978-pat00004

실시예 1-18에 따르면, 초박형 구리층의 방출면의 물질 부피(Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 방출면 상에 니켈 잔여물은 60μg/dm2 미만이었다. 이어서, 초박형 구리층의 방출면에 패턴화된 포토레지스트층이 형성되면, 방출면과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 박리 강도는 등급 A에 도달할 수 있으며, 이는 비교예 1-10의 등급 B보다 우수하였다. 초박형 구리층의 방출면과 패턴화된 포토레지스트층 사이의 박리 강도를 개선함으로써, 패턴화된 포토레지스트층은, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴을 하부 구리층으로 전사하는 공정 동안에, 초박형 구리층의 표면으로부터 박리될 가능성이 적었다. 그 결과, 패턴화된 포토레지스트층의 패턴이 하부 초박형 구리층으로 완전하고 정확하게 전사될 수 있었고, 원하는 회로 레이아웃 및 선 너비/선 간격을 갖는 패턴화된 초박형 구리층을 얻을 수 있었다.According to Examples 1-18, the material volume (Vm) of the emission side of the ultra-thin copper layer was in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the nickel residue on the emission side was less than 60 μg/dm 2 . Then, when a patterned photoresist layer is formed on the emitting surface of the ultra-thin copper layer, the peel strength between the emitting surface and the patterned photoresist layer can reach grade A, which is grade B of Comparative Examples 1-10 was better. By improving the peel strength between the emitting surface of the ultra-thin copper layer and the patterned photoresist layer, the patterned photoresist layer is formed into the ultra-thin copper layer during the process of transferring the pattern of the patterned photoresist layer to the underlying copper layer. There was little possibility of peeling from the surface of As a result, the pattern of the patterned photoresist layer could be completely and accurately transferred to the lower ultra-thin copper layer, and a patterned ultra-thin copper layer having the desired circuit layout and line width/line spacing was obtained.

또한, 실시예 1-7 및 10-16에 따르면, 초박형 구리층의 적층면의 10점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 1.9μm의 범위에 있으면, 적층면의 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(Vv)가 0.01 내지 0.14μm3/μm2의 범위에 있고, 초박형 구리층과 BT 수지 보드 사이의 박리 강도가 3lb/in보다 크며, 이는 비교예 2 및 6의 박리 강도(즉, 2.1lb/in)보다 크다. 따라서, 높은 박리 강도는 패턴화된 초박형 구리층이 수지 보드로부터 박리될 가능성이 훨씬 적다는 것을 의미한다.Further, according to Examples 1-7 and 10-16, when the 10-point average roughness (Rz) of the lamination surface of the ultra-thin copper layer is in the range of 0.7 to 1.9 μm, the material volume (Vm) and the void volume ( Vv) is in the range of 0.01 to 0.14 μm 3 /μm 2 , and the peel strength between the ultra-thin copper layer and the BT resin board is greater than 3 lb/in, which is the peel strength of Comparative Examples 2 and 6 (i.e., 2.1 lb/in ) is greater than Thus, high peel strength means that the patterned ultra-thin copper layer is much less likely to peel from the resin board.

당업자는 본 발명의 교시를 유지하면서 장치 및 방법의 수 많은 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다. 따라서, 상기 개시 내용은 첨부된 청구 범위의 범위 및 경계에 의해서만 제한되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art will readily appreciate that numerous modifications and variations of the apparatus and method may be made while maintaining the teachings of the present invention. Accordingly, the above disclosure should be construed as being limited only by the scope and boundaries of the appended claims.

Claims (10)

캐리어가 있는 동박으로서,
캐리어층, 및
상기 캐리어층 상에 배치된 초박형 구리층을 포함하고, 상기 초박형 구리층은 캐리어층을 향하는 방출면을 포함하며,
상기 캐리어층이 상기 초박형 구리층으로부터 박리된 후, 상기 방출면의 물질 부피(material volume, Vm)는 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이고, 상기 방출면의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 미만이며,
상기 방출면의 물질 부피(Vm)는 0% 내지 80%의 범위에서 물질비(material ratio, mr)로 계산되는 값인, 캐리어가 있는 동박.
As a copper foil with a carrier,
a carrier layer, and
an ultra-thin copper layer disposed on the carrier layer, the ultra-thin copper layer comprising an emissive surface facing the carrier layer;
After the carrier layer is peeled off from the ultra-thin copper layer, the material volume (Vm) of the release surface is in the range of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , and the amount of nickel residue on the release surface is 60 μg/dm 2 is less than,
The material volume (Vm) of the emission surface is a value calculated by the material ratio (material ratio, mr) in the range of 0% to 80%, copper foil with a carrier.
제1항에 있어서,
상기 초박형 구리층은
상기 방출면에 대향하는 적층면을 더 포함하고,
상기 적층면의 10점 평균 거칠기(Rz)가 0.7 내지 1.9μm이며,
상기 적층면의 물질 부피(Vm) 및 공극 부피(void volume, Vv) 간의 차는 0.01 내지 0.14μm3/μm2이고,
상기 적층면의 물질 부피(Vm)는 0% 내지 80%의 범위에서 물질비(mr)로 계산되는 값이고, 상기 적층면의 공극 부피(Vv)는 10% 내지 100%의 범위에서 물질비(material ratio, mr)로 계산되는 값인, 캐리어가 있는 동박.
According to claim 1,
The ultra-thin copper layer is
Further comprising a lamination surface opposite the emitting surface,
10-point average roughness (Rz) of the laminated surface is 0.7 to 1.9 μm,
The difference between the material volume (Vm) and the void volume (Vv) of the layered surface is 0.01 to 0.14 μm 3 /μm 2 ,
The material volume (Vm) of the lamination surface is a value calculated as the material ratio (mr) in the range of 0% to 80%, and the void volume (Vv) of the lamination surface is the material ratio ( Copper foil with carrier, a value calculated as material ratio (mr).
제2항에 있어서,
상기 적층면의 공극 부피(Vv)가 0.28 내지 0.47μm3/μm2의 범위인, 캐리어가 있는 동박.
3. The method of claim 2,
The void volume (Vv) of the laminated surface is in the range of 0.28 to 0.47 μm 3 /μm 2 , copper foil with a carrier.
제2항에 있어서,
상기 적층면의 물질 부피(Vm)가 0.25 내지 0.37μm3/μm2의 범위인, 캐리어가 있는 동박.
3. The method of claim 2,
The material volume (Vm) of the laminated surface is in the range of 0.25 to 0.37 μm 3 /μm 2 , copper foil with a carrier.
제2항에 있어서,
상기 초박형 구리층은,
순차적으로 배치되는 러프닝층(roughening layer), 배리어층(barrier layer), 및 커플링층(coupling layer)을 더 포함하고,
상기 커플링층의 바깥면은 상기 적층면이며, 상기 적층면의 10점 평균 거칠기(Rz)는 상기 방출면의 10점 평균 거칠기(Rz)보다 큰, 캐리어가 있는 동박.
3. The method of claim 2,
The ultra-thin copper layer is
Further comprising a roughening layer, a barrier layer, and a coupling layer disposed sequentially,
The outer surface of the coupling layer is the laminated surface, and the 10-point average roughness (Rz) of the laminated surface is greater than the 10-point average roughness (Rz) of the emitting surface, copper foil with a carrier.
제1항에 있어서,
상기 캐리어층 및 상기 초박형 구리층 사이에 배치된 이동 방지층(anti-migration layer)을 더 포함하고,
상기 이동 방지층의 조성은 상기 초박형 구리층의 조성과 다른, 캐리어가 있는 동박.
According to claim 1,
Further comprising an anti-migration layer disposed between the carrier layer and the ultra-thin copper layer,
The composition of the movement preventing layer is different from the composition of the ultra-thin copper layer, copper foil with a carrier.
제6항에 있어서,
상기 이동 방지층의 조성은 니켈을 포함하는, 캐리어가 있는 동박.
7. The method of claim 6,
The composition of the anti-movement layer includes nickel, copper foil with a carrier.
제7항에 있어서,
상기 캐리어층이 상기 초박형 구리층으로부터 박리된 후, 상기 방출면의 니켈 잔여물의 양이 25 내지 54μg/dm2의 범위인, 캐리어가 있는 동박.
8. The method of claim 7,
After the carrier layer is peeled off from the ultra-thin copper layer, the amount of nickel residue on the release surface is in the range of 25 to 54 μg/dm 2 Copper foil with a carrier.
제1항에 있어서,
상기 캐리어층과 상기 초박형 구리층 사이에 배치된 박리층(peeling layer)을 더 포함하고,
상기 박리층의 조성은 헤테로 방향족 화합물을 포함하는, 캐리어가 있는 동박.
According to claim 1,
Further comprising a peeling layer disposed between the carrier layer and the ultra-thin copper layer,
The composition of the release layer includes a heteroaromatic compound, copper foil with a carrier.
동박적층판(copper-clad laminate)으로서
보드(board), 및
상기 보드의 하나 이상의 표면 상에 배치된 초박형 구리층을 포함하며, 상기 초박형 구리층이 보드의 하나 이상의 표면으로부터 이격된 방출면을 포함하고, 상기 방출면의 물질 부피(Vm)가 0.09 내지 0.27μm3/μm2의 범위이며, 상기 방출면의 니켈 잔여물의 양은 60μg/dm2 미만이고,
상기 방출면의 물질 부피(Vm)는 0% 내지 80%의 범위에서 물질비(mr)로 계산되는 값인, 동박적층판.
As a copper-clad laminate
a board, and
an ultra-thin copper layer disposed on at least one surface of the board, wherein the ultra-thin copper layer comprises an emissive surface spaced apart from the at least one surface of the board, the emissive surface having a material volume (Vm) of 0.09 to 0.27 μm 3 /μm 2 , wherein the amount of nickel residue on the emitting surface is less than 60 μg/dm 2 ,
The material volume (Vm) of the emitting surface is a value calculated by the material ratio (mr) in the range of 0% to 80%, the copper clad laminate.
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