KR102325984B1 - Calibrator with Active Point Heaters for Wafer Temperature Sensor - Google Patents

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Abstract

본 발명의 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기는, 챔버, 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서가 놓이는 플레이트, 플레이트 표면을 균일하게 가열하기 위한 메인 히터부, 플레이트 표면의 복수 지점에 각각 대응하여 그 지점을 국부적으로 가열하고 온도를 측정하는 국부가열봉을 포함한다. 이때, 국부가열봉은 열전대 센서의 측면을 감싸 절연시키는 절연 부재, 절연 부재의 외측면에 감기는 열선 형태의 히터, 열선에서 발생하는 열을 전달하는 절연 재질의 열전달 부재, 및 열전달 부재를 감싸고 열을 플레이트의 하부면에 전달하는 케이싱 부재를 포함하여 이루어진다. 온도 측정 웨이퍼 센서의 상태를 전체적인 관점과 국부적인 관점에서 모두 정확하게 파악할 수 있고, 웨이퍼 센서에 내장된 각 온도 센서에 대한 보정 작업이 더욱 정밀하고 정확하게 이루어질 수 있다. 또한, 보정기를 이동 가능하게 구성할 수 있어, 보정 작업에 대한 공간적 제한성을 완화할 수 있다.The wafer temperature sensor compensator with an active local heating rod of the present invention corresponds to a chamber, a plate on which a temperature measuring wafer sensor to be calibrated is placed, a main heater unit for uniformly heating the plate surface, and a plurality of points on the plate surface. It includes a local heating rod for locally heating and measuring the temperature. At this time, the local heating rod is an insulating member that surrounds and insulates the side surface of the thermocouple sensor, a heater in the form of a hot wire wound around the outer surface of the insulating member, a heat transfer member made of an insulating material that transfers heat generated from the hot wire, and wraps the heat transfer member and absorbs heat and a casing member that transmits to the lower surface of the plate. The state of the temperature measuring wafer sensor can be accurately grasped from both a global and a local point of view, and correction work for each temperature sensor embedded in the wafer sensor can be performed more precisely and accurately. In addition, the compensator can be configured to be movable, so that spatial restrictions on the calibration operation can be alleviated.

Description

능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기{ Calibrator with Active Point Heaters for Wafer Temperature Sensor }Wafer Temperature Sensor Calibrator with Active Point Heaters for Wafer Temperature Sensor

본 발명은 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서를 세분화된 각 지점별로 구분하여 가열하고 온도를 측정하여, 온도 측정 웨이퍼 센서의 각 센서 상태를 더욱 정밀하게 확인하고, 보정할 수 있도록 해준다.The present invention relates to a wafer temperature sensor calibrator having an active local heating rod, and more particularly, by heating and measuring the temperature by dividing the temperature measuring wafer sensor to be calibrated for each subdivided point, and measuring the state of each sensor of the temperature measuring wafer sensor to be more precisely checked and corrected.

반도체 제조 공정에서 웨이퍼는 서셉터 상에 놓인 상태에서 열을 전달받아 가열되는데, 웨이퍼로 열이 전도되는 과정에서 열 손실이 발생하므로, 웨이퍼가 목표 온도로 균일하게 가열되지 못할 수 있다.In a semiconductor manufacturing process, a wafer is heated by receiving heat while placed on a susceptor. Since heat loss occurs in the process of heat conduction to the wafer, the wafer may not be uniformly heated to a target temperature.

예를 들어, 서셉터의 표면 온도를 1,000℃로 설정하더라도 웨이퍼의 실제 온도는 이보다 낮을 수 있다.For example, even if the surface temperature of the susceptor is set to 1,000°C, the actual temperature of the wafer may be lower than this.

웨이퍼에서 온도 균일성이 떨어지면 부분별로 공정 조건이 달라지는 결과가 되어 공정 신뢰도 및 생산 수율이 떨어지게 된다. 따라서 웨이퍼의 전 면적에 대한 온도 균일성을 파악하는 것이 매우 중요하다.If the temperature uniformity on the wafer is lowered, the process conditions for each part are different, resulting in lower process reliability and lower production yield. Therefore, it is very important to understand the temperature uniformity over the entire area of the wafer.

반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 실제 온도를 알아보기 위하여, 여러 온도 센서가 내장된 테스트용 웨이퍼(온도 측정 웨이퍼 센서)가 사용된다.In order to check the actual temperature of the wafer in the semiconductor manufacturing process, a test wafer (temperature measuring wafer sensor) with several temperature sensors is used.

그런데, 온도 측정 웨이퍼 센서는 계속 사용됨에 따라 내장된 각 온도 센서에 오차가 발생할 수 있다. 온도 측정 웨이퍼 센서에 형성되어 있는 각 온도 센서에 오차가 발생하면 반도체 공정상의 웨이퍼 온도를 정확히 파악할 수 없고, 온도 측정 웨이퍼 센서를 통한 검사 결과에 의존하여 진행하는 반도체 제조 공정에서 생산 수율이 떨어지는 등 공정의 신뢰도가 떨어진다.However, as the temperature measuring wafer sensor continues to be used, an error may occur in each embedded temperature sensor. If an error occurs in each temperature sensor formed in the temperature measuring wafer sensor, it is impossible to accurately grasp the wafer temperature in the semiconductor process, and the production yield decreases in the semiconductor manufacturing process, which is dependent on the inspection result through the temperature measuring wafer sensor. is less reliable.

그러므로, 온도 측정 웨이퍼 센서의 상태에 따라, 온도 측정이 정상적으로 이루어질 수 있도록, 각 온도 센서를 보정해 주어야 한다.Therefore, according to the state of the temperature measuring wafer sensor, each temperature sensor needs to be calibrated so that the temperature can be measured normally.

예를 들어, 온도 측정 웨이퍼 센서에 내장된 온도 센서를 x도로 만들고자 시도한 후, 온도 센서의 측정값을 확인한 결과 'x-1'도 이었다면, 이후 이 온도 센서를 통해 측정된 값에 '+1'을 해주는 방법으로 보정할 수 있다.For example, after trying to make the temperature sensor built into the temperature measuring wafer sensor x degrees, if the measured value of the temperature sensor is 'x-1', then the value measured through this temperature sensor is '+1'. It can be corrected by doing

이와 같이, 온도 측정 웨이퍼 센서를 보정하려면, 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서를 목표 온도로 가열하고, 온도 측정 웨이퍼 센서와 인접한 지점의 실제 온도 측정이 필요하다.As such, in order to calibrate the temperature measuring wafer sensor, it is necessary to heat the temperature measuring wafer sensor to be calibrated to a target temperature, and to measure the actual temperature at a point adjacent to the temperature measuring wafer sensor.

이때, 온도 측정 웨이퍼 센서의 상태를 전체적인 관점과 국부적인 관점에서 모두 정확하게 파악하기 위해서는, 온도 측정 웨이퍼 센서를 전체적으로 균일하게 가열하는 것뿐 아니라, 테스트 대상이 되는 여러 세부 지점에 대한 정밀한 가열과 측정도 필요하다.At this time, in order to accurately grasp the state of the temperature measuring wafer sensor from both a global and local point of view, not only uniformly heating the temperature measuring wafer sensor as a whole, but also precise heating and measurement of various detailed points to be tested necessary.

또한, 온도 측정 웨이퍼 센서에 대한 보정 작업이 고정된 장비에서만 이루어질 수 있으면, 작업의 유연성이 제한된다.In addition, if the calibration operation for the temperature measuring wafer sensor can be performed only on fixed equipment, the flexibility of the operation is limited.

그러므로, 보정 작업에 대한 공간적 제한을 완화하기 위해서는, 온도 측정 웨이퍼 센서의 가열과 측정 등 보정 작업을 수행할 수 있는 장치를 이동이 가능한 정도로 소형화할 필요가 있다.Therefore, in order to alleviate the spatial limitation of the calibration operation, it is necessary to miniaturize an apparatus capable of performing a calibration operation such as heating and measurement of the temperature measuring wafer sensor to the extent that it can be moved.

이에 본 발명은 상기와 같은 필요성에 부응하기 위하여 안출된 것으로서, 온도 측정 웨이퍼 센서의 상태를 전체적인 관점과 국부적인 관점에서 모두 정확하게 파악할 수 있고, 이동이 가능한 정도로 소형화도 가능한, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기를 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been devised to meet the above needs, and it is possible to accurately grasp the state of the temperature measuring wafer sensor from both a general and a local point of view, and it is possible to miniaturize it to the extent that it can be moved, with an active local heating rod. It is an object to provide a wafer temperature sensor calibrator.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기는, 밀폐 공간을 형성할 수 있는 챔버; 상기 챔버의 내부에 구비되고, 그 표면에 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서가 놓이는 플레이트; 상기 플레이트 표면을 균일하게 가열하기 위한 메인 히터부; 상기 플레이트 표면의 복수 지점에 각각 대응하여 구비되어 그 지점에서의 온도를 측정하는 온도측정부; 및 상기 각 온도측정부가 온도를 측정하는 상기 각 지점에 대응하여 구비되어, 그 지점을 국부적으로 가열하는 보조 히터부를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, a wafer temperature sensor compensator having an active local heating rod according to the present invention, a chamber capable of forming a closed space; a plate provided in the chamber and on which a temperature measuring wafer sensor to be calibrated is placed; a main heater unit for uniformly heating the plate surface; a temperature measuring unit provided corresponding to a plurality of points on the surface of the plate to measure a temperature at that point; And each of the temperature measuring unit is provided in correspondence with each of the points for measuring the temperature, and comprises an auxiliary heater for locally heating the point.

상기 각 지점에 대응하는 온도측정부와 보조 히터부의 쌍은 일체화된 모듈 형태로 구성될 수 있다.The pair of the temperature measuring unit and the auxiliary heater corresponding to each of the points may be configured in an integrated module form.

상기 온도측정부는 일정 길이를 갖는 열전대 센서를 포함할 수 있다.The temperature measuring unit may include a thermocouple sensor having a predetermined length.

이때, 상기 보조 히터부는, 상기 열전대 센서의 측면을 감싸 절연시키는 절연 부재; 상기 절연 부재의 외측면에 감기는 열선 형태의 히터; 상기 열선을 감싸고, 상기 열선에서 발생하는 열을 전달하는 절연 재질의 열전달 부재; 및 상기 열전달 부재를 감싸고, 상기 열전달 부재를 통해 전달되는 열을 상기 플레이트의 하부면에 전달하는 케이싱 부재를 포함하여 이루어질 수 있다.In this case, the auxiliary heater unit may include an insulating member surrounding and insulating a side surface of the thermocouple sensor; a heater in the form of a hot wire wound around the outer surface of the insulating member; a heat transfer member made of an insulating material that surrounds the heating wire and transfers heat generated from the heating wire; and a casing member that surrounds the heat transfer member and transfers heat transferred through the heat transfer member to a lower surface of the plate.

상기 열전대 센서에서 온도 측정 지점에 배치되는 말단부는 상기 케이싱 부재를 통과하여 상기 플레이트의 하부면에 접촉하도록 구성될 수 있다.In the thermocouple sensor, the distal end disposed at the temperature measuring point may be configured to pass through the casing member and contact the lower surface of the plate.

상기 열전대 센서에서 온도 측정 지점에 배치되는 말단부는 상기 케이싱 부재를 통과하여 일정 길이만큼 돌출되도록 구성될 수 있다.In the thermocouple sensor, the distal end disposed at the temperature measuring point may be configured to protrude by a predetermined length through the casing member.

이때, 상기 플레이트의 하부면에는 상기 열전대 센서의 말단부가 삽입될 수 있는 홈이 형성될 수 있다.In this case, a groove into which the distal end of the thermocouple sensor can be inserted may be formed in the lower surface of the plate.

상기 메인 히터부는 동심원 형태의 서로 다른 반경을 갖는 둘 이상의 열선을 포함하여 이루어질 수 있다.The main heater unit may include two or more heating wires having different radii in the form of concentric circles.

이때, 상기 온도측정부와 보조 히터부의 쌍이 구비되는 각 지점은 상기 메인 히터부를 형성하는 각 열선의 사이에 설정될 수 있다.In this case, each point at which a pair of the temperature measuring unit and the auxiliary heater unit is provided may be set between the respective heating wires forming the main heater unit.

상기 열전달 부재는 세라믹 소재로 구성될 수 있으며, 상기 케이싱 부재는 SUS 소재, 또는 세라믹 소재로 구성될 수 있다.The heat transfer member may be made of a ceramic material, and the casing member may be made of a SUS material or a ceramic material.

본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기는, 웨이퍼 센서가 놓이는 플레이트 표면을 전체적으로 균일하게 가열할 수 있을 뿐 아니라, 일체형으로 형성되는 모듈을 통해 플레이트 표면의 여러 지점을 국부적으로 가열하고 각 지점의 실제 온도를 간단하게 측정할 수 있다.The wafer temperature sensor compensator with an active local heating rod according to the present invention can not only uniformly heat the entire plate surface on which the wafer sensor is placed, but also locally heat several points on the plate surface through the integrally formed module. You can simply measure the actual temperature at each point.

이에 따라, 온도 측정 웨이퍼 센서의 상태를 전체적인 관점과 국부적인 관점에서 모두 정확하게 파악할 수 있고, 웨이퍼 센서에 내장된 각 온도 센서에 대한 보정 작업이 더욱 정밀하고 정확하게 이루어질 수 있다.Accordingly, the state of the temperature measuring wafer sensor can be accurately grasped both from the overall point of view and from the local point of view, and the correction operation for each temperature sensor embedded in the wafer sensor can be performed more precisely and accurately.

또한, 본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기는 이동성을 가질 수 있는 정도로 소형화할 수 있어, 웨이퍼 센서의 보정 작업에 대한 공간적 제한성을 완화할 수 있다.In addition, the wafer temperature sensor calibrator having an active local heating rod according to the present invention can be miniaturized to the extent that it can have mobility, so that the spatial limitation of the calibration operation of the wafer sensor can be alleviated.

도 1은 본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기에 관한 일 실시예,
도 2와 도 3은 메인 히터부와 보조 히터부의 배치에 관한 일 실시예,
도 4는 메인 히터부의 열선을 이중으로 구성하는 실시예,
도 5와 도 6은 온도측정부와 보조 히터부의 각 쌍이 일체화된 모듈 형태로 구성되는 실시예,
도 7은 플레이트에 열전대 센서의 말단이 삽입될 수 있도록 홈이 형성되는 실시예이다.1 is an embodiment of a wafer temperature sensor calibrator having an active local heating rod according to the present invention;
2 and 3 are an embodiment of the arrangement of the main heater unit and the auxiliary heater unit,
4 is an embodiment in which the heating wire of the main heater part is configured as a double;
5 and 6 are an embodiment in which each pair of a temperature measuring unit and an auxiliary heater unit is integrated in the form of a module;
7 is an embodiment in which a groove is formed so that the end of the thermocouple sensor can be inserted into the plate.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can apply various transformations and can have various embodiments, specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and it should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes included in the spirit and scope of the present invention.

본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The terms used in the present application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification exists, but one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Terms such as first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1을 참조하자면, 본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)는, 밀폐 상태를 유지할 수 있는 챔버(110)의 내부에 온도 측정 웨이퍼 센서(30)를 놓고, 보정을 수행하도록 구성된다.Referring to Figure 1, the wafer temperature sensor calibrator 100 with an active local heating rod according to the present invention, the temperature measurement wafer sensor 30 is placed inside the chamber 110 that can maintain a closed state, and the calibration is performed. configured to perform

보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서(30)에는 실제 반도체 공정이 이루어질 때의 웨이퍼 온도를 알기 위해 여러 개의 온도 센서가 내장되어 있다.The temperature measuring wafer sensor 30 to be calibrated has several temperature sensors built-in to know the wafer temperature when the actual semiconductor process is performed.

챔버(110)의 내부에는 플레이트(120)가 구비되고, 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서(30)는 플레이트(120)의 표면에 놓인다. 챔버(110)는 밀폐 상태를 유지할 수 있도록 구성된다. 챔버(110)는 실제 공정 환경과 같거나 유사한 상태로 유지될 수 있으며, 이를 위하여 진공 펌프(미도시) 등 챔버(110)의 내부를 실제 공정 환경과 같거나 유사한 상태로 유지하기 위한 장치가 연결될 수도 있다.A plate 120 is provided inside the chamber 110 , and a temperature measuring wafer sensor 30 to be calibrated is placed on the surface of the plate 120 . The chamber 110 is configured to maintain a closed state. The chamber 110 may be maintained in the same or similar state as the actual process environment, and for this purpose, a device for maintaining the inside of the chamber 110 in the same or similar state as or similar to the actual process environment, such as a vacuum pump (not shown), may be connected. may be

챔버(110)는 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서(30)를 내부 공간에 넣거나, 보정이 완료된 온도 측정 웨이퍼 센서(30)를 꺼내기 위하여, 개폐 가능하게 구성될 수 있으며, 챔버(110)의 동작과 관련된 다양한 요소가 포함될 수 있다.The chamber 110 may be configured to be openable and openable in order to put the temperature measuring wafer sensor 30 to be calibrated into the internal space or take out the calibrated temperature measuring wafer sensor 30 , and related to the operation of the chamber 110 . Various elements may be included.

플레이트(120)는 그 표면에 온도 측정 웨이퍼 센서(30)가 놓이고, 온도 측정 웨이퍼 센서(30)와 접촉하여 열을 전달하며, 다양한 소재로 구성될 수 있다.The plate 120 has a temperature measurement wafer sensor 30 placed on its surface, and transfers heat in contact with the temperature measurement wafer sensor 30 , and may be made of various materials.

구체적인 예로서, 400℃ 이하의 온도에서는 구리 합금(Cu-alloy), 400~900℃의 온도에서는 SUS 310 또는 SUS 316, 900℃ 이상에서는 인코넬(inconel) 또는 초합금(super alloy)을 사용할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.As a specific example, a copper alloy (Cu-alloy) at a temperature of 400 ° C. or less, SUS 310 or SUS 316 at a temperature of 400 to 900 ° C., and inconel or a super alloy at 900 ° C. or higher, can be used, The present invention is not limited thereto.

능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)는 플레이트(120)의 가열과 관련하여 메인 히터부(130)와 보조 히터부(140)를 포함한다.The wafer temperature sensor compensator 100 having an active local heating rod includes a main heater unit 130 and an auxiliary heater unit 140 in relation to the heating of the plate 120 .

메인 히터부(130)는 플레이트(120)의 표면을 전체적으로 균일하게 가열하는 역할을 수행하며, 보조 히터부(140)는 플레이트 표면의 복수 지점에 각각 대응하여 구비되어, 그 지점을 국부적으로 가열한다.The main heater unit 130 serves to uniformly heat the entire surface of the plate 120, and the auxiliary heater unit 140 is provided to correspond to a plurality of points on the plate surface, respectively, and locally heats the points. .

보조 히터부(140)가 국부적으로 가열하게 되는 플레이트 표면의 각 지점에는 그 지점의 온도를 측정하기 위한 온도측정부(150)도 함께 구비된다.At each point on the surface of the plate to be locally heated by the auxiliary heater unit 140, a temperature measuring unit 150 for measuring the temperature of that point is also provided.

즉, 보조 히터부(140)와 온도측정부(150)는 쌍으로 구비되며, 각 지점에 각각 대응하여 복수 개가 구비된다.That is, the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 are provided in pairs, and a plurality of each corresponding to each point is provided.

온도 측정 웨이퍼 센서(30)는 내장된 각 온도 센서를 통해 측정된 값을 유선 또는 무선 방식으로 전송할 수 있다.The temperature measuring wafer sensor 30 may transmit a value measured through each built-in temperature sensor in a wired or wireless manner.

온도 측정 웨이퍼 센서(30)의 보정 과정에서는, 플레이트(120)를 특정 온도로 가열한 후, 플레이트(120)의 표면에 놓인 온도 측정 웨이퍼 센서(30)의 각 온도 센서에서 측정된 값과 상기 특정 온도를 비교하여, 온도 측정 웨이퍼 센서(30)에 내장된 각 온도 센서의 측정 오차를 확인하게 된다.In the calibration process of the temperature measuring wafer sensor 30, after heating the plate 120 to a specific temperature, the value measured by each temperature sensor of the temperature measuring wafer sensor 30 placed on the surface of the plate 120 and the specific temperature By comparing the temperatures, a measurement error of each temperature sensor built into the temperature measuring wafer sensor 30 is checked.

능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)는 이러한 보정 과정을 실행하기 위하여 다양하게 구성될 수 있다.The wafer temperature sensor calibrator 100 with an active local heating rod may be configured in various ways to carry out this calibration process.

예를 들어, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)는, 메인 히터부(130)와 보조 히터부(140)에 전원을 공급하여 특정 온도로 가열하는 히터 제어부(191), 및 보정부(192) 등과 연동할 수 있다. 여기서, 보정부(192)는 온도측정부(150)로부터 측정된 온도 값, 및 온도 측정 웨이퍼 센서(30)의 각 온도 센서에서 측정된 값을 수신하여 비교함으로써, 온도 측정 웨이퍼 센서(30)에 내장된 각 온도 센서에 대한 보정값을 산출할 수 있다.For example, the wafer temperature sensor compensator 100 having an active local heating rod includes a heater control unit 191 for heating to a specific temperature by supplying power to the main heater unit 130 and the auxiliary heater unit 140, and It can be linked to the government 192 and the like. Here, the compensator 192 receives and compares the temperature value measured from the temperature measuring unit 150 and the values measured by each temperature sensor of the temperature measuring wafer sensor 30 , to the temperature measuring wafer sensor 30 . A correction value for each built-in temperature sensor can be calculated.

도 2는 메인 히터부(130)와 보조 히터부(140)의 배치에 관한 일 실시예를 보인 것이고, 도 3은 A-A' 사이의 단면에 관한 예를 보인 것이다.FIG. 2 shows an embodiment of the arrangement of the main heater unit 130 and the auxiliary heater unit 140 , and FIG. 3 shows an example of a cross section between A-A′.

메인 히터부(130)는 플레이트(120)의 표면을 전체적으로 균일하게 가열하기 위하여 다양하게 구성될 수 있다.The main heater unit 130 may be configured in various ways to uniformly heat the entire surface of the plate 120 .

도 2에 보인 예와 같이, 메인 히터부(130)는 히터 지지 부재(180)에 동심원 형태로 서로 다른 반경을 갖는 둘 이상의 열선(131~133)을 배치하는 방식으로 구성될 수 있다. 각 열선은 히터 제어부(191)의 제어에 따라, 열선 접속 단자(131-1, 131-2)를 통해 전원을 공급받는다.As illustrated in FIG. 2 , the main heater unit 130 may be configured in such a way that two or more heating wires 131 to 133 having different radii are disposed on the heater support member 180 in the form of concentric circles. Each of the heating wires is supplied with power through the heating wire connection terminals 131-1 and 131-2 under the control of the heater controller 191 .

서로 다른 반경을 갖는 3개의 열선(131~133)으로 구성되는 예가 도시되어 있으나, 플레이트(120)의 표면을 전체적으로 균일하게 가열하기 위한 열선의 배치, 개수, 구조 등은 필요에 따라 다양하게 구성될 수 있다.Although an example composed of three heating wires 131 to 133 having different radii is shown, the arrangement, number, structure, etc. of the heating wires for uniformly heating the entire surface of the plate 120 may be variously configured as needed. can

도 4에 도시된 예와 같이, 각 열선(131)은 둘 이상의 열선이 인접하여 나란히 함께 형성되도록 구성될 수도 있다. 도 4에는 가장 바깥쪽의 열선(131)이 이중으로 형성되는 예가 나타나 있지만, 다른 반경의 열선(132, 133)도 이와 마찬가지로 이중으로 구성될 수 있음은 물론이다.As in the example shown in FIG. 4 , each of the heating wires 131 may be configured such that two or more heating wires are adjacent to each other and formed side by side. 4 shows an example in which the outermost heating wire 131 is formed as a double, of course, the heating wires 132 and 133 of different radii may also be configured as a double in the same way.

또한, 메인 히터부(130)를 구성하는 각 열선은 히터 지지 부재(180)에 형성된 열선 수용 홈(181-1, 181-2)에 설치될 수 있다.In addition, each heating wire constituting the main heater unit 130 may be installed in the heating wire receiving grooves 181-1 and 181-2 formed in the heater support member 180 .

보조 히터부(140)와 온도 측정부(150)의 쌍이 구비되는 각 지점의 개수와 배치 등은 필요에 따라 다양하게 설정될 수 있다.The number and arrangement of each point where a pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measurement unit 150 are provided may be variously set as needed.

구체적인 예로서, 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서(30)가 플레이트(120)의 표면에 놓였을 때, 온도 측정 웨이퍼 센서(30)의 각 온도 센서 위치에 대응하는 지점일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.As a specific example, when the temperature measuring wafer sensor 30 to be corrected is placed on the surface of the plate 120, it may be a point corresponding to each temperature sensor position of the temperature measuring wafer sensor 30, but is not limited thereto. .

또한, 보조 히터부(140)와 온도 측정부(150)의 쌍이 구비되는 각 지점은 메인 히터부(130)를 형성하는 각 열선(131~133)의 사이에 설정될 수 있다.In addition, each point at which the pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 is provided may be set between the respective heating wires 131 to 133 forming the main heater unit 130 .

도 2에는 메인 히터부(130)를 형성하는 각 열선(131~133)의 사이에 대칭적으로 설정된 25개의 지점에 보조 히터부(140)와 온도 측정부(150)의 쌍이 구비되는 예가 나타나 있다.2 shows an example in which a pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 is provided at 25 points symmetrically set between the respective heating wires 131 to 133 forming the main heater unit 130 . .

보조 히터부(140)와 온도 측정부(150)의 쌍을 여러 지점에 배치함으로써, 관심의 대상이 되는 특정 지점 또는 온도 측정 웨이퍼 센서의 각 온도 센서에 대한 맞춤형 검사와 보정이 더욱 세밀하고 정확하게 이루어질 수 있다.By arranging the pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 at various points, a specific point of interest or a customized inspection and correction of each temperature sensor of the temperature measuring wafer sensor can be performed more precisely and precisely. can

각 지점에 구비되는 보조 히터부(140)와 온도측정부(150)의 쌍은 다양하게 구성될 수 있다. 구체적인 예로서, 각 지점에 구비되는 보조 히터부(140)와 온도측정부(150)의 쌍은 일체화된 모듈 형태로 구성될 수 있다.The pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 provided at each point may be configured in various ways. As a specific example, the pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 provided at each point may be configured in the form of an integrated module.

이하에서는 모듈 형태로 구성된 보조 히터부(140)와 온도측정부(150)의 쌍을 국부가열봉이라 칭하기로 한다. Hereinafter, a pair of the auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 configured in the form of a module will be referred to as a local heating rod.

도 5는 국부가열봉(200)의 일 실시예를 보인 것이고, 도 6은 도 5에 표시한 C-C' 사이의 단면에 관한 예를 보인 것으로서, 국부가열봉(200)은 원통형의 형태로 구성될 수 있다.5 shows an embodiment of the local heating rod 200, and FIG. 6 shows an example of a cross section between CC' shown in FIG. 5, wherein the local heating rod 200 is to be configured in a cylindrical shape. can

온도측정부(150)는 일정 길이를 갖는 열전대 센서(thermocouple)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 열전대 센서(150)는 원통형 구조를 갖는 국부가열봉(200)의 중심부에 배치될 수 있다.The temperature measuring unit 150 may include a thermocouple sensor having a predetermined length, and the thermocouple sensor 150 may be disposed in the center of the local heating rod 200 having a cylindrical structure.

이때, 보조 히터부(140)는 열전대 센서(150)의 측면을 감싸 절연시키는 절연 부재(141), 절연 부재(141)에 감기는 열선 형태의 히터(142), 열선을 감싸고 히터(142)에서 발생하는 열을 전달하는 절연 재질의 열전달 부재(143), 열전달 부재(143)를 감싸고, 열전달 부재(143)를 통해 전달되는 열을 플레이트(120)의 하부면에 전달하는 케이싱 부재(144)를 포함하여 이루어질 수 있다.At this time, the auxiliary heater unit 140 includes an insulating member 141 that surrounds and insulates the side surface of the thermocouple sensor 150 , a heater 142 in the form of a heating wire wound around the insulating member 141 , and a heater 142 that wraps the heating wire and insulates it from the heater 142 . A heat transfer member 143 made of an insulating material for transferring generated heat, a casing member 144 that surrounds the heat transfer member 143, and transfers heat transferred through the heat transfer member 143 to the lower surface of the plate 120. can be included.

절연 부재(141), 열선(142), 열전달 부재(143), 케이싱 부재(144)의 재질, 형태, 크기 등은 필요에 따라 다양하게 구성될 수 있다.Materials, shapes, sizes, etc. of the insulating member 141 , the heating wire 142 , the heat transfer member 143 , and the casing member 144 may be variously configured as needed.

구체적인 예를 들자면, 열전달 부재(143)는 절연 성능이 좋고, 열이 잘 전달되는 세라믹 소재로 구성될 수 있다. 또한, 케이싱 부재(144)는 SUS 소재, 또는 세라믹 소재로 구성될 수 있다.As a specific example, the heat transfer member 143 may be made of a ceramic material that has good insulation performance and transmits heat well. In addition, the casing member 144 may be made of a SUS material or a ceramic material.

크기와 형태에 관한 예를 들자면, 열전대 센서(150)의 직경은 약 1mm 정도일 수 있다. 온도 측정 지점에 배치되는 열 전대 센서(150)의 말단은 평평한 모습의 예로 도시되어 있으나, 반구형의 곡면으로 구성될 수도 있다.For example, regarding the size and shape, the diameter of the thermocouple sensor 150 may be about 1 mm. The end of the thermocouple sensor 150 disposed at the temperature measurement point is shown as an example of a flat shape, but may be configured as a hemispherical curved surface.

또한, 원통형으로 구성되는 국부가열봉(200)의 직경은 약 8~10mm 정도로 구성될 수 있다.In addition, the diameter of the local heating rod 200 configured in a cylindrical shape may be configured to be about 8 ~ 10mm.

한편, 국부가열봉(200)의 열선(142)에서 발생한 열은 플레이트(120)에 잘 전달되어야 하고, 열전대 센서(150)의 말단은 플레이트(120)와 접촉한다.On the other hand, the heat generated from the heating wire 142 of the local heating rod 200 should be well transferred to the plate 120 , and the end of the thermocouple sensor 150 is in contact with the plate 120 .

그러므로, 국부가열봉(200)의 최외곽을 형성하는 케이싱 부재의 상부면(144-1)은 플레이트(120)의 하부면과 잘 접촉할 수 있도록 구성되고, 케이싱 부재의 상부면(144-1)의 중심부에서 열전대 센서(150)의 말단이 노출된다.Therefore, the upper surface 144-1 of the casing member forming the outermost portion of the local heating rod 200 is configured to be in good contact with the lower surface of the plate 120, and the upper surface 144-1 of the casing member ), the end of the thermocouple sensor 150 is exposed in the center.

즉, 열전대 센서(150)에서 온도 측정 지점에 배치되는 말단은 케이싱 부재(144)의 상부면을 통과하여 플레이트(120)의 하부면에 접촉할 수 있다.That is, the end disposed at the temperature measurement point in the thermocouple sensor 150 may pass through the upper surface of the casing member 144 to contact the lower surface of the plate 120 .

열전대 센서(150)의 말단은 온도 측정 웨이퍼 센서(30)와 가능한 가까이 배치하기 위하여, 케이싱 부재(144)를 통과하여 일정 길이만큼 돌출될 수도 있다.The end of the thermocouple sensor 150 may protrude through the casing member 144 by a predetermined length in order to be disposed as close as possible to the temperature measuring wafer sensor 30 .

이때, 플레이트(120)의 하부면에는, 도 7에 도시된 예와 같이, 각 국부가열봉(200)에 대응하여, 열전대 센서의 말단(151)이 삽입될 수 있는 홈(121)이 형성될 수 있다. 이 홈(121)은 도시된 예와 같이 플레이트(120)를 완전히 관통하지 않고, 플레이트(120)의 표면 근처까지만 형성될 수 있다.At this time, in the lower surface of the plate 120 , as in the example shown in FIG. 7 , a groove 121 into which the end 151 of the thermocouple sensor can be inserted is formed in response to each local heating rod 200 . can The groove 121 does not completely penetrate the plate 120 as in the illustrated example, and may be formed only near the surface of the plate 120 .

플레이트(120)의 표면과 홈(121) 사이의 두께(d1)는 다양하게 구성될 수 있다. 예를 들어, 플레이트(120)의 표면으로부터 약 0.1mm 정도까지 홈(121)이 형성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The thickness d1 between the surface of the plate 120 and the groove 121 may be variously configured. For example, the groove 121 may be formed to about 0.1 mm from the surface of the plate 120, but is not limited thereto.

열전대 센서의 말단(151)이 반구형으로 구성될 때, 플레이트(120)의 하부면에 형성되는 각 홈(121)의 말단도 이에 맞추어 반구형을 갖도록 구성될 수 있다.When the end 151 of the thermocouple sensor is configured in a hemispherical shape, the end of each groove 121 formed on the lower surface of the plate 120 may also be configured to have a hemispherical shape according to the same.

열전대 센서의 말단(151)이 삽입되도록 플레이트(120)의 하부면에 형성되는 홈(121)은 플레이트(120)를 완전히 관통하도록 형성될 수도 있다.The groove 121 formed on the lower surface of the plate 120 to insert the end 151 of the thermocouple sensor may be formed to completely penetrate the plate 120 .

그러면, 열전대 센서의 말단(151)이 온도 측정 웨이퍼 센서(30)의 하부면에 직접 접촉하므로, 실제 웨이퍼 센서(30)의 온도를 정확히 측정할 수 있다.Then, since the end 151 of the thermocouple sensor directly contacts the lower surface of the temperature measuring wafer sensor 30 , the actual temperature of the wafer sensor 30 can be accurately measured.

다만, 이러한 실시예에서는 챔버(110)의 내부 공간에 형성된 밀폐 상태에 영향을 미치지 않도록, 각 홈과 열전대 센서의 사이에 발생할 수 있는 틈을 완전히 매꿀 수 있어야 한다.However, in this embodiment, a gap that may occur between each groove and the thermocouple sensor must be completely filled so as not to affect the sealed state formed in the inner space of the chamber 110 .

본 발명에 따른 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)를 이동이 가능할 정도로 소형화하여 구성하면, 온도 측정 웨이퍼 센서의 보정 작업에 대한 공간적 제한성을 완화할 수 있다. 각 보조 히터부(140)와 온도측정부(150)의 쌍을 모듈화하는 것은 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기(100)의 소형화에 도움을 줄 수 있다.If the wafer temperature sensor compensator 100 having the active local heating rod according to the present invention is miniaturized enough to be movable, the spatial limitation on the calibration operation of the temperature measuring wafer sensor can be alleviated. Modularizing the pair of each auxiliary heater unit 140 and the temperature measuring unit 150 may help to miniaturize the wafer temperature sensor compensator 100 having an active local heating rod.

상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 기술적 특징이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 명백한 것이다.Although the present invention has been shown and described in relation to specific preferred embodiments, the present invention may be modified and changed in various ways without departing from the technical features or fields of the present invention provided by the following claims. It will be apparent to those of ordinary skill in the art.

30: 온도 측정 웨이퍼 센서
100: 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기
110: 챔버
120: 플레이트
130: 메인 히터부
131~133: 열선
140: 보조 히터부
141: 절연 부재
142: 열선
143: 열전달 부재
144: 케이싱 부재
150: 온도측정부
180: 히터 지지 부재
191: 히터 제어부
192: 보정부
200: 국부가열봉30: temperature measurement wafer sensor
100: Wafer temperature sensor compensator with active local heating rod
110: chamber
120: plate
130: main heater unit
131~133: hot wire
140: auxiliary heater unit
141: insulation member
142: hot wire
143: heat transfer member
144: casing member
150: temperature measurement unit
180: heater support member
191: heater control unit
192: correction unit
200: local heating rod

Claims (10)

밀폐 공간을 형성할 수 있는 챔버;
상기 챔버의 내부에 구비되고, 그 표면에 보정 대상인 온도 측정 웨이퍼 센서가 놓이는 플레이트;
상기 플레이트 표면을 균일하게 가열하기 위한 메인 히터부;
상기 플레이트 표면의 복수 지점에 각각 대응하여 구비되어, 그 지점에서의 온도를 측정하는 온도측정부; 및
상기 각 온도측정부가 온도를 측정하는 상기 각 지점에 대응하여 구비되어, 그 지점을 국부적으로 가열하는 보조 히터부를 포함하며,
상기 온도측정부는 일정 길이를 갖는 열전대 센서를 포함하고,
상기 보조 히터부는,
상기 열전대 센서의 측면을 감싸 절연시키는 절연 부재;
상기 절연 부재의 외측면에 감기는 열선 형태의 히터;
상기 열선을 감싸고, 상기 열선에서 발생하는 열을 전달하는 절연 재질의 열전달 부재; 및
상기 열전달 부재를 감싸고, 상기 열전달 부재를 통해 전달되는 열을 상기 플레이트의 하부면에 전달하는 케이싱 부재를 포함하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.a chamber capable of forming an enclosed space;
a plate provided inside the chamber, on which a temperature measuring wafer sensor to be corrected is placed;
a main heater unit for uniformly heating the plate surface;
a temperature measuring unit provided corresponding to a plurality of points on the surface of the plate, respectively, and measuring a temperature at the point; and
Each of the temperature measuring units is provided in correspondence with each of the points for measuring the temperature, including an auxiliary heater for locally heating the point,
The temperature measuring unit includes a thermocouple sensor having a predetermined length,
The auxiliary heater unit,
an insulating member surrounding and insulating a side surface of the thermocouple sensor;
a heater in the form of a hot wire wound around the outer surface of the insulating member;
a heat transfer member made of an insulating material that surrounds the heating wire and transfers heat generated from the heating wire; and
and a casing member surrounding the heat transfer member and transferring heat transferred through the heat transfer member to a lower surface of the plate. 제 1 항에 있어서,
상기 각 지점에 대응하는 온도측정부와 보조 히터부의 쌍은 일체화된 모듈 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
A wafer temperature sensor compensator with an active local heating rod, characterized in that the pair of the temperature measurement unit and the auxiliary heater unit corresponding to each point is configured in an integrated module form. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 열전대 센서에서 온도 측정 지점에 배치되는 말단부는 상기 케이싱 부재를 통과하여 상기 플레이트의 하부면에 접촉하는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
A wafer temperature sensor calibrator with an active localized heating rod, characterized in that the distal end disposed at the temperature measurement point in the thermocouple sensor passes through the casing member and contacts the lower surface of the plate. 제 1 항에 있어서,
상기 열전대 센서에서 온도 측정 지점에 배치되는 말단부는 상기 케이싱 부재를 통과하여 일정 길이만큼 돌출되도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
In the thermocouple sensor, the distal end disposed at the temperature measurement point is configured to protrude by a predetermined length through the casing member. 제 5 항에 있어서,
상기 플레이트의 하부면에는 상기 열전대 센서의 말단부가 삽입될 수 있는 홈이 형성된 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.6. The method of claim 5,
A wafer temperature sensor calibrator with an active local heating rod, characterized in that a groove is formed in the lower surface of the plate into which the distal end of the thermocouple sensor can be inserted. 제 1 항에 있어서,
상기 메인 히터부는 동심원 형태의 서로 다른 반경을 갖는 둘 이상의 열선을 포함하여 이루어지고,
상기 온도측정부와 보조 히터부의 쌍이 구비되는 각 지점은 상기 메인 히터부를 형성하는 각 열선의 사이에 설정되는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
The main heater part is made of two or more heating wires having different radii in the form of concentric circles,
Each point at which a pair of the temperature measuring unit and the auxiliary heater unit is provided is set between each heating wire forming the main heater unit, a wafer temperature sensor compensator having an active local heating rod. 제 1 항에 있어서,
상기 열전달 부재는 세라믹 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
The heat transfer member is a wafer temperature sensor calibrator with an active local heating rod, characterized in that composed of a ceramic material. 제 1 항에 있어서,
상기 케이싱 부재는 SUS 소재, 또는 세라믹 소재로 구성되는 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
The casing member is a wafer temperature sensor compensator with an active local heating rod, characterized in that it is made of a SUS material or a ceramic material. 제 1 항에 있어서,
상기 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기는 이동 가능한 것을 특징으로 하는, 능동형 국부가열봉을 가진 웨이퍼 온도센서 보정기.The method of claim 1,
The wafer temperature sensor calibrator with an active local heating rod, characterized in that the wafer temperature sensor calibrator with an active local heating rod is movable.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150366004A1 (en) * 2013-03-12 2015-12-17 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling esc for plasma process chamber

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050121913A (en) * 2004-06-23 2005-12-28 삼성전자주식회사 Apparatus for baking
CN202796877U (en) * 2012-04-16 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 Substrate support pin
KR102056089B1 (en) * 2017-12-20 2019-12-16 주식회사 에스엔텍비엠 temporature correction apparatus for sensor mounted wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150366004A1 (en) * 2013-03-12 2015-12-17 Applied Materials, Inc. Multi zone heating and cooling esc for plasma process chamber

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