KR102319385B1 - Flexible copper clad laminate, electronic device including the same, and method for manufacturing the flexible copper clad laminate - Google Patents

Flexible copper clad laminate, electronic device including the same, and method for manufacturing the flexible copper clad laminate Download PDF

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Abstract

연성동박 적층필름, 이를 포함하는 전자 소자, 및 상기 연성동박 적층필름의 제작방법이 개시된다. 상기 연성동박 적층필름은 비전도성 고분자 기재; 상기 기재의 적어도 일 면에 위치한 니켈함유 도금층; 상기 니켈함유 도금층 상에 위치한 구리 도금층;을 포함하고, 상기 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 하기 수학식 1에 의해 계산된 반치폭 변동률이 0.01°이하일 수 있다
<수학식 1>
반치폭(111) 변동률 = {(60일 간 방치한 후 반치폭) - (초기 반치폭)}
A flexible copper-clad laminated film, an electronic device including the same, and a method for manufacturing the flexible copper-clad laminated film are disclosed. The flexible copper foil laminated film is a non-conductive polymer substrate; a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the substrate; a copper plating layer positioned on the nickel-containing plating layer; and the copper plating layer may have a fluctuation rate of half maximum width calculated by Equation 1 for a peak of (111) plane in an X-ray diffraction spectrum of 0.01° or less.
<Equation 1>
Width at half maximum (111) Change rate = {(width at half maximum after leaving for 60 days) - (initial width at half maximum)}

Description

연성동박 적층필름, 이를 포함하는 전자 소자, 및 상기 연성동박 적층필름의 제작방법{Flexible copper clad laminate, electronic device including the same, and method for manufacturing the flexible copper clad laminate}Flexible copper clad laminate, electronic device including the same, and method for manufacturing the flexible copper clad laminate

연성동박 적층필름, 이를 포함하는 전자 소자, 및 상기 연성동박 적층필름의 제작방법에 관한 것이다.It relates to a flexible copper-clad laminated film, an electronic device including the same, and a manufacturing method of the flexible copper-clad laminated film.

모바일 시장의 성장 가속화 및 LCD TV 모니터의 수요 증가에 따라 전자제품 및 반도체 집적회로 등의 분야에서 박막화, 소형화, 경량화, 내구성 및 고화질 특성을 갖는 소재의 개발이 촉진되고 있다. LCD용 드라이버 집적회로(IC)에 사용되는 연성동박 적층필름(FCCL) 분야에서도 미세 패턴화, 박막화 및 내구성이 점차 요구되고 있다.As the growth of the mobile market accelerates and the demand for LCD TV monitors increases, the development of materials having characteristics of thin film, miniaturization, weight reduction, durability and high quality in the fields of electronic products and semiconductor integrated circuits is being promoted. In the field of flexible copper clad laminated film (FCCL) used in driver integrated circuits (ICs) for LCDs, fine patterning, thinning and durability are increasingly required.

연성동박 적층필름(FCCL)은 그 표면에 회로 패턴이 형성되고 상기 회로 패턴 상에 반도체 칩 등의 전자 소자가 실장되는 구조로 이루어져 있다. 최근, 상기 회로 패턴의 피치(pitch)가 23 ㎛ 이하인 제품이 증가하고 있고 피치와 선폭의 하향으로 인해 치수변화의 불안정성이 문제되고 있다. The flexible copper clad laminated film (FCCL) has a structure in which a circuit pattern is formed on the surface and an electronic device such as a semiconductor chip is mounted on the circuit pattern. Recently, the number of products having a pitch of the circuit pattern of 23 μm or less is increasing, and the instability of dimensional change is a problem due to a downward trend in pitch and line width.

이러한 문제를 해결하기 위하여 미세 회로 패턴 형성기술도 발전되고 있다. 그러나, 미세 회로 패턴화를 위해서는 기재와 금속층 간에 높은 접착력이 유지되어야 하고 연성동박 적층필름(FCCL)의 층간 박리되는 문제를 해결하여야 한다. In order to solve this problem, a fine circuit pattern forming technology is also being developed. However, for fine circuit patterning, high adhesion between the substrate and the metal layer must be maintained, and the problem of interlayer peeling of the flexible copper clad laminated film (FCCL) must be solved.

따라서 기재와 금속층 간에 우수한 치수 안정성을 갖는 연성동박 적층필름, 이를 포함하는 전자 소자, 및 상기 연성동박 적층필름의 제작방법에 대한 요구가 여전히 있다. Therefore, there is still a need for a flexible copper clad laminate having excellent dimensional stability between a substrate and a metal layer, an electronic device including the same, and a method for manufacturing the flexible copper clad laminated film.

일 측면은 향상된 결정성 및 치수 안정성을 갖는 연성동박 적층필름을 제공하는 것이다.One aspect is to provide a flexible copper clad laminated film having improved crystallinity and dimensional stability.

다른 측면은, 상기 연성동박 적층필름을 포함하는 전자 소자를 제공하는 것이다.Another aspect is to provide an electronic device including the flexible copper clad laminated film.

또다른 측면은 상기 연성동박 적층필름의 제작방법을 제공하는 것이다.Another aspect is to provide a method of manufacturing the flexible copper foil laminated film.

일 측면에 따라,According to one aspect,

비전도성 고분자 기재; non-conductive polymeric substrates;

상기 기재의 적어도 일 면에 위치한 니켈함유 도금층;a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the substrate;

상기 니켈함유 도금층 상에 위치한 구리 도금층;을 포함하고,and a copper plating layer positioned on the nickel-containing plating layer;

상기 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 하기 수학식 1에 의해 계산된 반치폭 변동률이 0.01° 이하인, 연성동박 적층필름이 제공된다. The copper plating layer is provided with a flexible copper clad laminated film having a half-width variation of 0.01° or less calculated by Equation 1 below with respect to the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum.

상기 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 반치폭이 0.20 ~ 0.35 °일 수 있다.In the X-ray diffraction spectrum, the copper plating layer may have a full width at half maximum with respect to the peak of the (111) plane of 0.20 to 0.35°.

상기 니켈함유 도금층 및 구리 도금층은 각각 무전해 도금층일 수 있다.Each of the nickel-containing plating layer and the copper plating layer may be an electroless plating layer.

상기 구리층의 두께는 40 nm ~ 150 nm일 수 있다.The thickness of the copper layer may be 40 nm to 150 nm.

상기 연성동박 적층필름을 1~60 일간 방치한 후, 150 ℃에서 30 분간 열처리하여 상기 치수들 중에서 최대 치수에서 최소 치수를 뺀 값인 상기 기재에 대한 치수 변화율이 0.015 이하일 수 있다.After leaving the flexible copper clad laminated film for 1 to 60 days, heat treatment at 150° C. for 30 minutes may result in a dimensional change rate of 0.015 or less for the substrate, which is a value obtained by subtracting the smallest dimension from the largest dimension among the dimensions.

상기 니켈함유 도금층은 니켈층을 포함할 수 있다.The nickel-containing plating layer may include a nickel layer.

상기 니켈함유 도금층의 두께는 40 nm 내지 250 nm일 수 있다.The thickness of the nickel-containing plating layer may be 40 nm to 250 nm.

상기 비전도성 고분자 기재는 페놀계 수지, 페놀알데히드계 수지, 알릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 및 폴리이미드계 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.The non-conductive polymer substrate may include at least one selected from a phenol-based resin, a phenolaldehyde-based resin, an allyl-based resin, an epoxy-based resin, a polyethylene-based resin, a polypropylene-based resin, a polyester-based resin, and a polyimide-based resin. can

다른 측면에 따라,According to the other aspect,

전술한 따른 연성동박 적층필름을 포함하는 전자 소자가 제공된다.An electronic device comprising the flexible copper clad laminated film according to the above is provided.

또다른 측면에 따라,According to another aspect,

비전도성 고분자 기재를 준비하는 단계;preparing a non-conductive polymer substrate;

상기 기재의 적어도 일 면에 니켈함유 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of the substrate; and

상기 니켈함유 무전해 도금층의 일 면에 구리 무전해 도금층을 형성하여 전술한 연성동박 적층필름을 제조하는 단계;를 포함하는 연성동박 적층필름의 제작방법이 제공된다. Forming a copper electroless plating layer on one surface of the nickel-containing electroless plating layer to prepare the above-described flexible copper foil laminated film; is provided a method of manufacturing a flexible copper foil laminated film comprising a.

일 측면에 따른 연성동박 적층필름은 열적 손상이 없는 수용액 상태에서 금속을 도금시키는 무전해 도금층을 이용한 필름으로서, 결정성 및 치수 안정성이 향상될 수 있다. The flexible copper clad laminated film according to one aspect is a film using an electroless plating layer for plating a metal in an aqueous solution state without thermal damage, and crystallinity and dimensional stability can be improved.

도 1은 일 구현예에 따른 연성동박 적층필름의 모식도이다.
도 2는 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름에 대한 XRD 분석결과이다.
도 3(a)는 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름을 295mm x 235mm 크기로 잘라 8 개의 표준점을 표시한 샘플이며, 도 3(b)는 3차원 측정기로 상기 표준점 사이의 거리를 측정하는 방법을 나타낸 것이다.
1 is a schematic diagram of a flexible copper clad laminated film according to an embodiment.
2 is an XRD analysis result of the flexible copper clad laminated film according to Example 1. FIG.
Figure 3 (a) is a sample in which the flexible copper clad laminated film according to Example 1 is cut to a size of 295 mm x 235 mm and marked with eight standard points, Figure 3 (b) is a three-dimensional measuring instrument to measure the distance between the standard points shows how to do it.

본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 연성동박 적층필름, 이를 포함하는 전자 소자, 및 상기 연성동박 적층필름의 제작방법에 관해 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.A flexible copper clad laminated film, an electronic device including the same, and a method of manufacturing the flexible copper clad laminated film will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art that these examples are only presented by way of example to explain the present invention in more detail, and that the scope of the present invention is not limited by these examples. .

달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control.

본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다. Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described herein.

본 명세서에서 구성요소의 앞에 "적어도 일 면"이라는 표현은 상기 구성요소의 "일 면" 또는 "양 면"을 모두 포함하는 것을 의미한다. 본 명세서에서 구성요소들의 앞에 "적어도 1종", "1종 이상", 또는 "하나 이상"이라는 표현은 전체 구성요소들의 목록을 보완할 수 있고 상기 기재의 개별 구성요소들을 보완할 수 있는 것을 의미하지 않는다.In the present specification, the expression “at least one side” in front of a component means including both “one side” or “both sides” of the component. The expression "at least one", "one or more", or "one or more" in front of elements in the present specification means that it may supplement the list of all elements and may supplement individual elements of the description. I never do that.

본 명세서에서 "및/또는"이라는 용어는 관련 기재된 하나 이상의 항목들의 임의의 조합 및 모든 조합을 포함하는 것을 의미한다. 본 명세서에서 "또는"이라는 용어는 "및/또는"을 의미한다. As used herein, the term “and/or” is meant to include any and all combinations of one or more of the related listed items. As used herein, the term “or” means “and/or”.

본 명세서에서 "포함"이라는 용어는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 추가 또는/및 개재할 수 있음을 나타내도록 사용된다. 본 명세서에서 "이들 조합"이라는 용어는 앞서 기술한 2개 이상의 구성요소들의 혼합물 또는 합금 등을 나타내도록 사용된다. 본 명세서에서 "~계 수지"라는 용어는 "~ 수지" 또는/및 "~ 수지의 유도체"를 포함하는 넓은 개념을 나타내도록 사용된다. 본 명세서에서 "인계 난연제"라는 용어는 인을 포함하는 난연제의 넓은 개념을 나타내도록 사용된다. In the present specification, the term “including” is used to indicate that other components may be added and/or interposed, rather than excluding other components, unless specifically stated otherwise. In the present specification, the term “combination of these” is used to indicate a mixture or alloy of two or more components described above. In the present specification, the term "-based resin" is used to denote a broad concept including "-resin" or/and "derivatives of-resin". The term "phosphorus-based flame retardant" is used herein to denote the broad concept of a flame retardant comprising phosphorus.

본 명세서에서 특별히 달리 규정하지 않는 한, 단위 「중량부」는 각 성분 간의 중량비율을 의미한다.Unless otherwise specified in the specification, the unit "part by weight" means a weight ratio between each component.

본 명세서에서 일 구성요소가 다른 구성요소의 "상에" 배치되어 있다고 언급되는 경우, 일 구성요소는 다른 구성요소 위에 직접 배치될 수 있거나 상기 구성요소들 사이에 개재된 구성요소들이 존재할 수 있을 수 있다. 반면에, 일 구성요소가 다른 구성요소 "상에 직접" 배치되어 언급되는 경우, 개재된 구성요소들이 존재하지 않을 수 있다. When it is referred to in this specification that one component is disposed "on" another component, one component may be disposed directly on the other component or there may be components interposed between the components. have. On the other hand, when an element is referred to as being disposed "directly on" another element, intervening elements may not exist.

스퍼터링 공정에 의해 제조된 연성동박 적층필름은 그 표면이 열적 손상이 생겨 가공성에 한계가 있다. 본 발명의 발명자들은 상기 문제를 해결하고자 다음과 같은 연성동박 적층필름을 제안하고자 한다.The flexible copper clad laminated film manufactured by the sputtering process has thermal damage on its surface, which limits workability. The inventors of the present invention intend to propose the following flexible copper foil laminated film in order to solve the above problem.

일 구현예에 따른 연성동박 적층필름은 비전도성 고분자 기재; 상기 기재의 적어도 일 면에 위치한 니켈함유 도금층; 상기 니켈함유 도금층 상에 위치한 구리 도금층;을 포함할 수 있고, 상기 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 하기 수학식 1에 의해 계산된 반치폭 변동률이 0.01° 이하일 수 있다:A flexible copper foil laminated film according to an embodiment includes a non-conductive polymer substrate; a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the substrate; may include; a copper plating layer positioned on the nickel-containing plating layer, wherein the copper plating layer has a fluctuation rate of half maximum width calculated by Equation 1 below for a peak of a (111) plane in an X-ray diffraction spectrum of 0.01° or less. :

<수학식 1><Equation 1>

반치폭(111) 변동률 = {(60일 간 방치한 후 반치폭) - (초기 반치폭)}Width at half maximum (111) change rate = {(width at half maximum after leaving for 60 days) - (initial width at half maximum)}

도 1은 일 구현예에 따른 연성동박 적층필름(10)의 모식도이다.1 is a schematic diagram of a flexible copper clad laminated film 10 according to an embodiment.

도 1을 참조하면, 일 구현예에 따른 연성동박 적층필름(10)은 양면 연성동박 적층필름(10)을 나타내고 있다. 상기 연성동박 적층필름(10)은 비전도성 고분자 기재(1)의 양 면에 각각 니켈함유 도금층(2, 2') 및 구리 도금층(3, 3')이 순차로 배치되어 있다. Referring to FIG. 1 , a flexible copper foil laminated film 10 according to an embodiment shows a double-sided flexible copper foil laminated film 10 . In the flexible copper clad laminated film 10 , nickel-containing plating layers 2 and 2 ′ and copper plating layers 3 and 3 ′ are sequentially disposed on both surfaces of the non-conductive polymer substrate 1 , respectively.

일 구현예에 따른 연성동박 적층필름(10)은 반치폭 변동률이 0.01° 이하일 수 있으며 우수한 결정성을 가질 수 있다. 이로 인해, 일 구현예에 따른 연성동박 적층필름(10)은 향상된 치수 안정성을 가질 수 있다. 상기 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 반치폭이 0.20 ~ 0.35 °일 수 있다. 이는 후술하는 도 2 및 분석예 1로부터 확인할 수 있다. Flexible copper clad laminated film 10 according to an embodiment may have a half-width variation of 0.01° or less, and may have excellent crystallinity. For this reason, the flexible copper clad laminated film 10 according to an embodiment may have improved dimensional stability. In the X-ray diffraction spectrum, the copper plating layer may have a full width at half maximum with respect to the peak of the (111) plane of 0.20 to 0.35°. This can be confirmed from FIG. 2 and Analysis Example 1 to be described later.

이하, 상기 연성동박 적층필름(10)을 구성하는 각각의 비전도성 고분자 기재(1), 니켈함유 도금층(2, 2'), 및 구리 도금층(3, 3')에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, each of the non-conductive polymer substrate 1, the nickel-containing plating layers 2 and 2', and the copper plating layers 3 and 3' constituting the flexible copper clad laminated film 10 will be described in detail.

<< 비전도성non-conductive 고분자 기재(1)> Polymer substrate (1)>

상기 비전도성 고분자 기재(1)는 페놀계 수지, 페놀알데히드계 수지, 알릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 및 폴리이미드계 수지로부터 선택된 1종 이상일 수 있다The non-conductive polymer substrate 1 may be at least one selected from a phenol-based resin, a phenolaldehyde-based resin, an allyl-based resin, an epoxy-based resin, a polyethylene-based resin, a polypropylene-based resin, a polyester-based resin, and a polyimide-based resin. can

예를 들어, 상기 비전도성 고분자 기재(1)는 접착력, 인장강도 및 박리강도 등을 고려할 때, 폴리이미드계 수지가 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리이미드계 수지는 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산을 압출하여 필름을 만들고, 상기 폴리아믹산의 이미드화를 위하여 상기 필름을 열처리함으로써 폴리이미드계 수지 함유 비전도성 고분자 기재(1)를 제조할 수 있다.For example, the non-conductive polymer substrate 1 may include a polyimide-based resin in consideration of adhesive strength, tensile strength, peel strength, and the like. For example, the polyimide-based resin is produced by extruding polyamic acid, which is a polyimide precursor, to make a film, and heat-treating the film for imidization of the polyamic acid to prepare the polyimide-based resin-containing non-conductive polymer substrate (1). can

상기 비전도성 고분자 기재(1)는 수분 및 잔류가스를 제거하기 위하여 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 방법으로 건조될 수 있다. 예를 들어, 상압 하에서 롤투롤(roll to roll) 타입의 열처리를 통해 수행되거나 또는 진공분위기 하에서 적외선(IR) 히터를 이용하여 수행될 수 있다.The non-conductive polymer substrate 1 may be dried by a method commonly used in the art to remove moisture and residual gas. For example, it may be performed through a roll to roll type heat treatment under normal pressure or may be performed using an infrared (IR) heater under a vacuum atmosphere.

상기 비전도성 고분자 기재(1)의 두께는 5 내지 100 ㎛일 수 있고, 예를 들어 10 내지 40 ㎛이거나 20 내지 30 ㎛일 수 있다. 상기 비전도성 고분자 기재(1)는 상기 두께 범위 내에서 열적 손상을 차단하면서 연성 및 접착력이 우수한 기재를 얻을 수 있다.The thickness of the non-conductive polymer substrate 1 may be 5 to 100 μm, for example, 10 to 40 μm or 20 to 30 μm. The non-conductive polymer substrate 1 may obtain a substrate having excellent ductility and adhesion while blocking thermal damage within the thickness range.

<니켈함유 <Contains nickel 도금층plating layer (2, 2')>(2, 2')>

스퍼터링 방식의 플라즈마 처리는 비전도성 고분자 기재(1)와 구리 도금층(3, 3')과의 접착력을 확보할 수 있지만, 25 ㎛이하의 박막 타입의 비전도성 고분자 기재(1)의 가공시 열적 손상이 발생할 수 있다. 이러한 열적 손상에 따라 비전도성 고분자 기재(1)의 치수가 상당히 변화할 수 있다.The sputtering plasma treatment can secure the adhesion between the non-conductive polymer substrate 1 and the copper plating layers 3 and 3', but thermal damage during processing of the thin film type non-conductive polymer substrate 1 of 25 μm or less. This can happen. According to such thermal damage, the dimensions of the non-conductive polymer substrate 1 may be significantly changed.

이러한 문제를 해결하기 위하여, 상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 수용액 상태에서 금속을 증착시키는 무전해 도금법으로 형성된 무전해 도금층일 수 있다. 상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 니켈층을 포함할 수 있다. 필요에 따라, 니켈함유 도금층은 니켈합금층을 포함할 수 있다. 상기 니켈합금층은 예를 들어, Ni과, Cr, Mo, 및 Nb로부터 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 무전해 도금층은 열적 손상이 방지되면서 상기 비전도성 고분자 기재(1)에 대한 치수 안정성이 향상될 수 있다. In order to solve this problem, the nickel-containing plating layers 2 and 2' may be an electroless plating layer formed by an electroless plating method of depositing a metal in an aqueous solution state. The nickel-containing plating layers 2 and 2' may include a nickel layer. If necessary, the nickel-containing plating layer may include a nickel alloy layer. The nickel alloy layer may include, for example, Ni and at least one selected from Cr, Mo, and Nb. The electroless plating layer may have improved dimensional stability of the non-conductive polymer substrate 1 while preventing thermal damage.

상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 예를 들어 다음과 같은 도금액을 사용하여 무전해 도금법을 통하여 형성될 수 있다. 상기 무전해 도금법은 수평 또는/및 수직 무전해 도금법 모두 이용 가능하다. The nickel-containing plating layers 2 and 2' may be formed through, for example, an electroless plating method using the following plating solution. The electroless plating method may be used in both horizontal and/or vertical electroless plating methods.

상기 도금액은 수용성 니켈염, 환원제 및 착화제를 포함할 수 있고, 상기 수용성 니켈염은 황산니켈, 염화니켈, 차아인산니켈, 아세트산니켈, 말산니켈, 및 이들 수화물에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 상기 수용성 니켈염은 3 내지 50g/ℓ, 예를 들어 3 내지 35g/ℓ, 예를 들어 3 내지 15g/ℓ의 농도로 도금액에 포함될 수 있다. 상기 수용성 니켈염은 상기 범위 내에서 니켈 도금 피막의 석출 속도 및 유동성이 향상될 수 있으며, 니켈 도금 피막에 피트(pit) 발생이 적게 될 수 있다.The plating solution may include a water-soluble nickel salt, a reducing agent, and a complexing agent, and the water-soluble nickel salt may include at least one selected from nickel sulfate, nickel chloride, nickel hypophosphite, nickel acetate, nickel malate, and hydrates thereof. have. The water-soluble nickel salt may be included in the plating solution at a concentration of 3 to 50 g/L, for example, 3 to 35 g/L, for example, 3 to 15 g/L. The water-soluble nickel salt may improve the deposition rate and fluidity of the nickel plating film within the above range, and may reduce the occurrence of pits in the nickel plating film.

상기 환원제는 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 환원제를 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 환원제는 차아인산나트륨, 차아인산칼륨 등의 차아인산염; 수소화붕소나트륨, 수소화붕소칼륨 등의 수소화붕소 화합물; 디메틸아민 보란(DMAB), 트리메틸아민보란, 트리에틸아민보란 등의 아민보란 화합물; 등을 포함할 수 있다.The reducing agent may be a reducing agent commonly used in the art. For example, the reducing agent is hypophosphite, such as sodium hypophosphite and potassium hypophosphite; boron hydride compounds such as sodium borohydride and potassium borohydride; amine borane compounds such as dimethylamine borane (DMAB), trimethylamine borane, and triethylamine borane; and the like.

상기 환원제가 도금액 내에 포함되는 농도는, 사용하는 환원제의 종류에 따라 상이할 수 있다. 예를 들어, 환원제로서 차아인산나트륨을 사용한 경우, 20 내지 50g/ℓ의 농도일 수 있다. 예를 들어, 환원제로서 붕소 화합물인 디메틸아민붕소(DMAB)를 사용하는 경우, 1 내지 10g/ℓ의 농도, 예를 들어 3 내지 5g/ℓ의 농도일 수 있다. 상기 농도 범위 내에서 도금액의 분해 또는 성막에 장시간을 필요로 하는 문제 등을 방지할 수 있다.The concentration of the reducing agent contained in the plating solution may be different depending on the type of the reducing agent used. For example, when sodium hypophosphite is used as a reducing agent, the concentration may be 20 to 50 g/L. For example, when dimethylamine boron (DMAB), a boron compound, is used as the reducing agent, the concentration may be 1 to 10 g/L, for example, 3 to 5 g/L. Within the above concentration range, it is possible to prevent the decomposition of the plating solution or the problem of requiring a long time to form a film.

또한, 도금액은 니켈 화합물의 침전을 방지하고, 니켈의 석출반응을 조절하기 위하여 착화제를 더 포함할 수 있다.In addition, the plating solution may further include a complexing agent to prevent precipitation of the nickel compound and to control the precipitation reaction of nickel.

상기 착화제는 말산, 숙신산, 타르타르산, 말론산, 옥살산, 아디프산 등의 디카르복시산; 글리신, 글루탐산, 아스파르트산, 알라닌 등의 아미노카르복시산; 에틸렌디아민사아세트산, 버세놀 (N-하이드록시에틸에틸렌디아민-N,N',N'-삼아 세트산), 쿼드롤(N,N,N',N'-테트라하이드록시에틸에틸렌디아민) 등의 에틸렌디아민 유도체; 1-히드록시에탄-1,1-디포스폰산, 에틸렌디아민테트라메틸렌포스폰산 등의 포스폰산; 및 이들 가용성 염 등일 수 있다. The complexing agent may include dicarboxylic acids such as malic acid, succinic acid, tartaric acid, malonic acid, oxalic acid, and adipic acid; aminocarboxylic acids such as glycine, glutamic acid, aspartic acid, and alanine; Ethylenediaminetetraacetic acid, Versenol (N-hydroxyethylethylenediamine-N,N',N'-triacetic acid), Quadrol (N,N,N',N'-tetrahydroxyethylethylenediamine), etc. ethylenediamine derivatives of phosphonic acids such as 1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid and ethylenediaminetetramethylenephosphonic acid; and these soluble salts.

상기 착화제는 0.001 내지 2 ㏖/ℓ의 농도로, 예를 들어 0.002 내지 1 ㏖/ℓ 농도로 도금액에 포함될 수 있다. 상기 착화제는 상기 농도 범위 내에서 도금액의 분해, 수산화니켈의 침전 등을 방지할 수 있다.The complexing agent may be included in the plating solution at a concentration of 0.001 to 2 mol/L, for example, at a concentration of 0.002 to 1 mol/L. The complexing agent may prevent decomposition of the plating solution and precipitation of nickel hydroxide within the concentration range.

또한, 상기 도금액은 하기 화학식 1로 표시되는 황함유 벤조티아졸계 화합 물을 더 포함할 수 있다.In addition, the plating solution may further include a sulfur-containing benzothiazole-based compound represented by Formula 1 below.

<화학식 1> <Formula 1>

Figure 112019132017581-pat00001
Figure 112019132017581-pat00001

(여기서, X는 할로겐 원자, C1-C10의 알콕시, C2-C10의 알콕시알킬, C1-C10의 헤테로알킬기, C6-C20의 아릴기, C6-C20의 아릴알킬기, C6-C20의 헤테로아릴기, 또는 C7-C20의 헤테로아릴알킬기로 치환 또는 비치환된 C2-C30인 알킬기, 또는 그 염이다)(wherein X is a halogen atom, C1-C10 alkoxy, C2-C10 alkoxyalkyl, C1-C10 heteroalkyl group, C6-C20 aryl group, C6-C20 arylalkyl group, C6-C20 heteroaryl group, or a C2-C30 alkyl group unsubstituted or substituted with a C7-C20 heteroarylalkyl group, or a salt thereof)

"할로겐 원자"는 불소, 브롬, 염소, 요오드 등을 포함한다."Halogen atom" includes fluorine, bromine, chlorine, iodine, and the like.

"알킬"은 완전 포화된 분지형 또는 비분지형(또는 직쇄 또는 선형) 탄화수소를 말한다. "알킬"의 비제한적인 예로는 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, iso-아밀, n-헥실, 3-메틸헥실, 2,2-디메틸펜틸, 2,3-디메틸펜틸, 또는 n-헵틸 등을 들 수 있다."Alkyl" refers to a fully saturated branched or unbranched (or straight or linear) hydrocarbon. Non-limiting examples of "alkyl" include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, iso-amyl, n-hexyl, 3 -methylhexyl, 2,2-dimethylpentyl, 2,3-dimethylpentyl, or n-heptyl etc. are mentioned.

"알콕시"는 산소 원자에 결합된 알킬을 의미한다."Alkoxy" means an alkyl bound to an oxygen atom.

"아릴"은 방향족 고리가 하나 이상의 탄소고리고리에 융합된 그룹도 포함한다. "아릴"의 비제한적인 예로는, 페닐, 나프틸, 또는 테트라히드로나프틸 등을 들 수 있다."Aryl" also includes groups in which an aromatic ring is fused to one or more carbocyclic rings. Non-limiting examples of "aryl" include phenyl, naphthyl, or tetrahydronaphthyl, and the like.

"헤테로아릴" 은 N, O, P 또는 S 중에서 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 나머지 고리원자가 탄소인 모노시클릭(monocyclic) 또는 바이시클릭(bicyclic) 유기 화합물을 의미한다. 상기 헤테로아릴기는 예를 들어 1-5개의 헤테로원자를 포함할 수 있고, 5-10 고리 멤버(ring member)를 포함할 수 있다. 상기 S 또는 N은 산화되어 여러가지 산화 상태를 가질 수 있다."Heteroaryl" means a monocyclic or bicyclic organic compound containing one or more heteroatoms selected from N, O, P or S, and the remaining ring atoms are carbon. The heteroaryl group may include, for example, 1-5 heteroatoms, and may include 5-10 ring members. The S or N may be oxidized to have various oxidation states.

"헤테로아릴"의 비제한적인 예로는, 티에닐, 푸릴, 피롤릴, 이미다졸릴, 피라졸릴, 티아졸릴, 이소티아졸릴, 1,2,3-옥사디아졸릴, 1,2,4-옥사디아졸릴, 1,2,5-옥사디아졸릴, 1,3,4-옥사디아졸릴기, 1,2,3-티아디아졸릴, 1,2,4-티아디아졸릴, 1,2,5-티아디아졸릴, 1,3,4-티아디아졸릴, 이소티아졸-3-일, 이소티아졸-4-일, 이소티아졸-5-일, 옥사졸-2-일, 옥사졸-4-일, 옥사졸-5-일, 이소옥사졸-3-일, 이소옥사졸-4-일, 이소옥사졸-5-일, 1,2,4-트리아졸-3-일, 1,2,4-트리아졸-5-일, 1,2,3-트리아졸-4-일, 1,2,3-트리아졸-5-일, 테트라졸릴, 피리드-2-일, 피리드-3-일, 2-피라진-2일, 피라진-4-일, 피라진-5-일, 2- 피리미딘-2-일, 4- 피리미딘-2-일, 또는 5-피리미딘-2-일 등을 들 수 있다.Non-limiting examples of "heteroaryl" include thienyl, furyl, pyrrolyl, imidazolyl, pyrazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, 1,2,3-oxadiazolyl, 1,2,4-oxa Diazolyl, 1,2,5-oxadiazolyl, 1,3,4-oxadiazolyl group, 1,2,3-thiadiazolyl, 1,2,4-thiadiazolyl, 1,2,5- Thiadiazolyl, 1,3,4-thiadiazolyl, isothiazol-3-yl, isothiazol-4-yl, isothiazol-5-yl, oxazol-2-yl, oxazol-4- yl, oxazol-5-yl, isoxazol-3-yl, isoxazol-4-yl, isoxazol-5-yl, 1,2,4-triazol-3-yl, 1,2, 4-triazol-5-yl, 1,2,3-triazol-4-yl, 1,2,3-triazol-5-yl, tetrazolyl, pyrid-2-yl, pyrid-3- yl, 2-pyrazin-2yl, pyrazin-4-yl, pyrazin-5-yl, 2-pyrimidin-2-yl, 4-pyrimidin-2-yl, or 5-pyrimidin-2-yl can be heard

상기 황함유 벤조티아졸계 화합물의 도금액 내에 농도는 0.1 내지 1g/ℓ 일 수 있다. 상기 황함유 벤조티아졸계 화합물은 상기 농도 범위 내에서 개선된 피막 유연성을 얻을 수 있다.The concentration of the sulfur-containing benzothiazole compound in the plating solution may be 0.1 to 1 g/L. The sulfur-containing benzothiazole-based compound may obtain improved film flexibility within the concentration range.

또한, 상기 도금액은 안정제를 더 포함할 수 있다. 상기 안정제로는 아세트산 납 등의 Pb 화합물, 아세트산비스무트 등의 Bi 화합물 등의 무기 화합물; 부틴디올 등의 유기 화합물; 등을 포함할 수 있으며, 이 중에서 단독 또는 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.In addition, the plating solution may further include a stabilizer. Examples of the stabilizer include inorganic compounds such as Pb compounds such as lead acetate and Bi compounds such as bismuth acetate; organic compounds such as butynediol; and the like, and among them, it may be used alone or in combination of two or more.

상기 무전해 니켈 도금액은 pH가 4 내지 8일 수 있다. 예를 들어, 상기 무전해 니켈 도금액은 pH가 4 내지 7.5일 수 있다. 상기 무전해 니켈 도금액은 상기 pH 범위 내에서 도금욕의 분해를 방지하면서 안정적인 석출속도를 얻을 수 있다. The electroless nickel plating solution may have a pH of 4 to 8. For example, the electroless nickel plating solution may have a pH of 4 to 7.5. The electroless nickel plating solution can obtain a stable deposition rate while preventing decomposition of the plating bath within the pH range.

상기 니켈함유 도금층(2, 2')의 두께는 40 nm 내지 250 nm일 수 있고, 예를 들어 40 nm 내지 200 nm일 수 있거나 40 nm 내지 150 ㎛일 수 있다. 상기 니켈함유 도금층(2, 2')은 상기 두께 범위 내에서 도금이 용이하면서 비전도성 고분자 기재(1)에 대한 치수 안정성이 향상될 수 있다.The thickness of the nickel-containing plating layer (2, 2') may be 40 nm to 250 nm, for example, may be 40 nm to 200 nm, or may be 40 nm to 150 ㎛. The nickel-containing plating layers 2 and 2' may be easily plated within the thickness range, and dimensional stability of the non-conductive polymer substrate 1 may be improved.

<구리 <Copper 도금층plating layer (3, 3')>(3, 3')>

상기 구리 도금층(3, 3')은 상기 니켈함유 도금층(2, 2')과 동일하게 수용액 상태에서 금속을 증착시키는 무전해 도금법으로 형성된 무전해 도금층일 수 있다.The copper plating layers 3 and 3' may be an electroless plating layer formed by an electroless plating method of depositing a metal in an aqueous solution in the same manner as the nickel-containing plating layers 2 and 2'.

상기 금속 도금층(4, 4')은 예를 들어 다음과 같은 도금액 및 방법을 이용하여 무전해 도금법을 통하여 형성될 수 있다. The metal plating layers 4 and 4' may be formed through, for example, an electroless plating method using the following plating solution and method.

상기 무전해 도금은 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 방법을 통해 수행할 수 있다. 상기 무전해 도금은 수평 또는/및 수직 무전해 도금법 모두 이용 가능하다. The electroless plating may be performed by a method commonly used in the art. For the electroless plating, both horizontal and/or vertical electroless plating methods may be used.

도금액은 구리 이온의 공급원, 착화제 또는 킬레이트제, 환원제, 물, 및 선택적으로 하나 이상의 계면활성제, 및 선택적으로 하나 이상의 pH 조절제 등을 포함할 수 있다. The plating solution may include a source of copper ions, a complexing or chelating agent, a reducing agent, water, and optionally one or more surfactants, and optionally one or more pH adjusting agents, and the like.

상기 구리 이온의 공급원은 수용성 할라이드, 나이트레이트, 아세테이트, 설페이트 및 구리의 다른 유기염 및 무기염을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 구리 이온의 공급원은 단독 또는 이들을 조합하여 구리 이온을 제공할 수 있다. 상기 구리 이온의 공급원은 예를 들어, 황산구리, 황산구리 오수화물(copper sulfate pentahydrate), 염화구리, 질화구리, 수산화구리, 설파믹산구리, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다. 상기 구리 이온의 공급원은 0.5 g/ℓ 내지 30 g/ℓ, 예를 들어 1 g/ℓ 내지 25 g/ℓ, 예를 들어 5 g/ℓ 내지 20 g/ℓ, 예를 들어 5 g/ℓ 내지 15 g/ℓ, 예를 들어 10 g/ℓ 내지 15 g/ℓ의 농도로 도금액에 포함될 수 있다. Sources of the copper ions may include, but are not limited to, water-soluble halides, nitrates, acetates, sulfates, and other organic and inorganic salts of copper. The source of copper ions may provide copper ions alone or in combination thereof. The copper ion source may include, for example, copper sulfate, copper sulfate pentahydrate, copper chloride, copper nitride, copper hydroxide, copper sulfamic acid, or a combination thereof. The source of copper ions is from 0.5 g/l to 30 g/l, for example from 1 g/l to 25 g/l, for example from 5 g/l to 20 g/l, for example from 5 g/l to 15 g/L, for example, may be included in the plating solution at a concentration of 10 g/L to 15 g/L.

상기 착화제 또는 킬레이트화제는 타르타르산칼륨나트륨, 타르타르산나트륨, 살리실산나트륨, 에틸렌디아민테트라아세트산(EDTA)의 나트륨염, 니트릴로아세트산 및 이의 알칼리 금속염, 글루콘산, 글루코네이트, 트리에탄올아민, 개질된 에틸렌디아민테트라아세트산, S, S-에틸렌디아민 디숙신산, 히단토인 및 히단토인 유도체, 또는 이들 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 히단토인 유도체는, 1-메틸히단토인, 1,3-디메틸히단토인 및 5,5-디메틸히단토인을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 착화제는 10 g/ℓ 내지 150 g/ℓ, 예를 들어 20 g/ℓ 내지 150 g/ℓ, 예를 들어 30 g/ℓ 내지 100 g/ℓ, 예를 들어 35 g/ℓ 내지 80 g/ℓ, 및 예를 들어 35 g/ℓ 내지 55 g/ℓ의 농도로 도금액에 포함될 수 있다. 상기 환원제는 포름알데히드, 포름알데히드 전구체, 포름알데히드 유도체, 예를 들어 파라포름알데히드; 보로히드라이드, 예를 들어 나트륨 보로히드라이드, 치환된 보로히드라이드; 보란, 예를 들어 디메틸아민 보란(DMAB); 당류, 예를 들어 포도당(글루코오스), 글루코오스, 소르비톨, 셀룰로오스, 사탕수수 설탕, 만니톨 및 글루코노락톤; 차아인산염 및 이의 염, 예를 들어 나트륨 차아인산염; 히드로퀴논; 카테콜; 레조르시놀; 퀴놀; 피로갈롤; 히드록시퀴놀; 플로로글루시놀, 과이어콜; 갈산; 3,4-디히드록시벤조산; 페놀설폰산; 크레졸 설폰산; 히드로퀴논 설폰산; 카테콜설폰산; 티론; 및 전술된 환원제 모두의 염을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 환원제는 0.5 g/ℓ 내지 100 g/ℓ, 예를 들어 0.5 g/ℓ 내지 60 g/ℓ, 예를 들어 1 g/ℓ 내지 50 g/ℓ, 예를 들어 1 g/ℓ 내지 20 g/ℓ, 예를 들어 1 g/ℓ 내지 10 g/ℓ, 예를 들어 1 g/ℓ 내지 5 g/ℓ의 농도로 도금액에 포함될 수 있다.The complexing or chelating agent is potassium sodium tartrate, sodium tartrate, sodium salicylate, sodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA), nitriloacetic acid and alkali metal salts thereof, gluconic acid, gluconate, triethanolamine, modified ethylenediaminetetra acetic acid, S, S-ethylenediamine disuccinic acid, hydantoin and hydantoin derivatives, or combinations thereof. The hydantoin derivative may include, but is not limited to, 1-methylhydantoin, 1,3-dimethylhydantoin, and 5,5-dimethylhydantoin. The complexing agent is from 10 g/l to 150 g/l, for example from 20 g/l to 150 g/l, for example from 30 g/l to 100 g/l, for example from 35 g/l to 80 g /L, and may be included in the plating solution at a concentration of, for example, 35 g/L to 55 g/L. The reducing agent is formaldehyde, formaldehyde precursors, formaldehyde derivatives such as paraformaldehyde; borohydrides such as sodium borohydride, substituted borohydride; boranes such as dimethylamine borane (DMAB); sugars such as glucose (glucose), glucose, sorbitol, cellulose, cane sugar, mannitol and gluconolactone; hypophosphite and salts thereof, such as sodium hypophosphite; hydroquinone; catechol; resorcinol; quinol; pyrogallol; hydroxyquinol; Phloroglucinol, Guaircol; gallic acid; 3,4-dihydroxybenzoic acid; phenolsulfonic acid; cresol sulfonic acid; hydroquinone sulfonic acid; catecholsulfonic acid; tyrone; and salts of all of the reducing agents described above, but are not limited thereto. The reducing agent is from 0.5 g/l to 100 g/l, for example from 0.5 g/l to 60 g/l, for example from 1 g/l to 50 g/l, for example from 1 g/l to 20 g/l. L, for example, 1 g/L to 10 g/L, for example, may be included in the plating solution at a concentration of 1 g/L to 5 g/L.

상기 도금액의 pH는 7 초과일 수 있다. 선택적으로, 1종 이상의 pH 조절제는 상기 도금액에 포함되어, 상기 도금액의 pH를 알칼리성 pH로 조절할 수 있다. 상기 pH 조절제는 유기 산, 무기 산, 유기 염기, 무기 염기, 또는 이들 혼합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 산은 인산, 질산, 황산, 염산, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 무기 염기는 수산화암모늄, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 또는 이들 조합을 포함할 수 있다. The pH of the plating solution may be greater than 7. Optionally, at least one pH adjusting agent may be included in the plating solution to adjust the pH of the plating solution to an alkaline pH. The pH adjusting agent may include an organic acid, an inorganic acid, an organic base, an inorganic base, or a mixture thereof. For example, the inorganic acid may include phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, or a combination thereof. For example, the inorganic base may include ammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, or a combination thereof.

선택적으로, 1종 이상의 계면활성제가 상기 도금액에 포함될 수 있다. 이러한 계면활성제는 이온성, 예를 들어 양이온성 및 음이온성 계면활성제, 비이온성 및 양쪽성 계면활성제를 포함할 수 있다. 상기 계면활성제는 단독으로 또는 이의 혼합물이 사용될 수 있다. 상기 계면활성제는 0.001 g/ℓ 내지 50 g/ℓ, 예를 들어 0.01 g/ℓ 내지 50 g/ℓ의 농도로 도금액에 포함될 수 있다. 상기 양이온성 계면활성제는 테트라알킬암모늄 할라이드, 알킬트리메틸암모늄 할라이드, 히드록시에틸 알킬 이미다졸린, 알킬벤잘코늄 할라이드, 알킬아민 아세테이트, 알킬아민 올레에이트, 및 알킬아미노에틸 글리신을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 음이온성 계면활성제는 알킬벤젠설포네이트, 알킬 또는 알콕시 나프탈렌 설포네이트, 알킬디페닐에테르 설포네이트, 알킬에테르 설포네이트, 알킬황산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 황산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬 페놀에테르 황산 에스테르, 고급 알코올 인 모노에스테르, 폴리옥시알킬렌 알킬 에테르 인산(인산염) 및 알킬 설포숙시네이트를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 비이온성 계면활성제는 20 내지 150개의 반복 단위를 갖는 알킬 페녹시 폴리에톡시에탄올, 폴리옥시에틸렌 중합체, 및 폴리옥시에틸렌 및 폴리옥시프로필렌의 랜덤 및 블록 공중합체를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 상기 양쪽성 계면활성제는 2-알킬-N-카르복시메틸 또는 에틸-N-히드록시에틸 또는 메틸이미다졸늄 베타인, 2-알킬-N-카르복시메틸 또는 에틸-N-카르복시메틸옥시에틸 이미다졸늄 베타인, 디메틸알킬 베타인, N-알킬-β-아미노프로피온산 또는 이의 염 및 지방산 아미도프로필 디메틸아미노아세트산 베타인을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Optionally, one or more surfactants may be included in the plating solution. Such surfactants may include ionic, for example, cationic and anionic surfactants, and nonionic and amphoteric surfactants. The surfactant may be used alone or a mixture thereof. The surfactant may be included in the plating solution at a concentration of 0.001 g/L to 50 g/L, for example, 0.01 g/L to 50 g/L. The cationic surfactant may include tetraalkylammonium halide, alkyltrimethylammonium halide, hydroxyethyl alkyl imidazoline, alkylbenzalkonium halide, alkylamine acetate, alkylamine oleate, and alkylaminoethyl glycine, but not limited The anionic surfactant is an alkylbenzene sulfonate, alkyl or alkoxy naphthalene sulfonate, alkyldiphenyl ether sulfonate, alkyl ether sulfonate, alkyl sulfuric acid ester, polyoxyethylene alkyl ether sulfuric ester, polyoxyethylene alkyl phenol ether sulfuric ester , higher alcohols phosphorus monoesters, polyoxyalkylene alkyl ethers phosphoric acid (phosphate) and alkyl sulfosuccinates. The nonionic surfactant may include, but is not limited to, alkyl phenoxy polyethoxyethanol having 20 to 150 repeating units, polyoxyethylene polymers, and random and block copolymers of polyoxyethylene and polyoxypropylene. does not The amphoteric surfactant is 2-alkyl-N-carboxymethyl or ethyl-N-hydroxyethyl or methylimidazolium betaine, 2-alkyl-N-carboxymethyl or ethyl-N-carboxymethyloxyethyl imidazolium betaine, dimethylalkyl betaine, N-alkyl-β-aminopropionic acid or salts thereof and fatty acid amidopropyl dimethylaminoacetic acid betaine.

상기 구리 도금층(3, 3')의 두께는 40 nm 내지 150 nm일 수 있고, 예를 들어 50 nm 내지 140 nm일 수 있거나 60 nm 내지 140 ㎛일 수 있다. 상기 구리 도금층(3, 3')은 상기 두께 범위 내에서 도금이 용이하면서 비전도성 고분자 기재(1)에 대한 치수 안정성이 향상될 수 있다.The thickness of the copper plating layers 3 and 3' may be 40 nm to 150 nm, for example, 50 nm to 140 nm, or 60 nm to 140 μm. The copper plating layers 3 and 3' may be easily plated within the thickness range and dimensional stability of the non-conductive polymer substrate 1 may be improved.

본 명세서에서 각 층의 두께는 당해 기술분야에서 통상적인 방법으로 측정할 수 있다. 예를 들어, 각 층의 두께는 X-선 형광 (XRF: X-ray fluorescence) 분석법을 이용하여 측정할 수 있다. 상기 X-선 형광 분석법은 일정한 에너지를 가진 1차 X선을 대상물질에 조사하여 그 물질의 내각에서 들뜸으로 인해 방출된 전자위치에 외각전자가 전이하는 사이 방출되는 특정 X선 에너지의 크기를 검출하여 도금두께에 따라 그 에너지 세기가 달라지는 원리를 이용하여 분석하는 방법이다.In the present specification, the thickness of each layer may be measured by a method conventional in the art. For example, the thickness of each layer may be measured using X-ray fluorescence (XRF) analysis. The X-ray fluorescence analysis method irradiates a target material with primary X-rays having a certain energy, and detects the magnitude of specific X-ray energy emitted while the outer electrons are transferred to the electron positions emitted due to excitation in the inner shell of the material. Therefore, it is a method of analysis using the principle that the energy intensity varies depending on the thickness of the plating.

<< 연성동박Flexible copper foil 적층필름(10)> Laminated film (10)>

상기 연성동박 적층필름을 1~60 일간 방치한 후, 150 ℃에서 30 분간 열처리하여 상기 치수들 중에서 최대 치수에서 최소 치수를 뺀 값인 상기 기재에 대한 치수 변화율이 0.015 이하일 수 있다.After leaving the flexible copper foil laminated film for 1 to 60 days, heat treatment at 150° C. for 30 minutes may result in a dimensional change rate of 0.015 or less for the substrate, which is a value obtained by subtracting the smallest dimension from the largest dimension among the dimensions.

상기 “초기 치수”는 소정의 크기로 자른 샘플에 대하여 복수 개의 표준점을 표시하여 상기 복수 개의 표준점 사이의 거리를 측정한 평균값을 의미하며, 상기 “1~60일 간 방치한 후 치수"는 상기 복수 개의 표준점이 표시된 샘플을 1~60 일간 방치한 후, 150 ℃에서 30 분간 열처리하고 상기 복수 개의 표준점 사이의 거리를 측정한 평균값을 의미한다.The “initial dimension” refers to an average value obtained by measuring the distance between the plurality of standard points by marking a plurality of standard points for a sample cut to a predetermined size, and the “dimension after leaving for 1 to 60 days” is It refers to an average value obtained by measuring the distance between the plurality of standard points after leaving the sample marked with the plurality of standard points to stand for 1 to 60 days, and then performing heat treatment at 150° C. for 30 minutes.

<전자 소자><Electronic device>

전자 소자는 전술한 연성동박 적층필름을 포함할 수 있다. 상기 전자 소자는 예를 들어, 전자회로 소자 또는 전자 부품 등을 포함할 수 있다. 상기 전자회로 소자는 예를 들어, 반도체, 인쇄 회로 기판, 또는 배선 기판 등을 포함할 수 있다. 상기 전자 소자는 예를 들어 LCD, OLED와 같은 디스플레이 소자를 포함할 수 있다. The electronic device may include the above-described flexible copper foil laminated film. The electronic device may include, for example, an electronic circuit device or an electronic component. The electronic circuit device may include, for example, a semiconductor, a printed circuit board, or a wiring board. The electronic device may include, for example, a display device such as LCD or OLED.

<< 연성동박Flexible copper foil 적층필름(10)의 제작방법> Manufacturing method of laminated film 10>

일 구현예에 따른 연성동박적층필름의 제작방법은 비전도성 고분자 기재를 준비하는 단계; 상기 기재의 적어도 일 면에 니켈함유 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및 상기 니켈함유 무전해 도금층의 일 면에 구리 무전해 도금층을 형성하여 전술한 연성동박 적층필름을 제조하는 단계;를 포함할 수 있다. A method of manufacturing a flexible copper clad laminate according to an embodiment includes the steps of preparing a non-conductive polymer substrate; forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of the substrate; and forming a copper electroless plating layer on one surface of the nickel-containing electroless plating layer to prepare the above-described flexible copper foil laminated film.

상기 비전도성 고분자 기재를 준비하는 단계는 비전도성 고분자 기재로부터 수분 및 잔류 가스를 제거하기 위해 건조단계를 더 포함할 수 있다.The preparing of the non-conductive polymer substrate may further include a drying step to remove moisture and residual gas from the non-conductive polymer substrate.

상기 건조단계는 예를 들어, 진공분위기에서 적외선(IR) 히터를 이용하여 50 내지 300 ℃에서, 예를 들어 60 내지 280 ℃일 수 있거나 70 내지 270 ℃에서 수행될 수 있다. 상기 건조 온도 범위 내에서 비전도성 고분자 기재가 손상되어 품질이 저하됨이 없이 수분을 제대로 제거할 수 있는 효과가 있다.The drying step, for example, using an infrared (IR) heater in a vacuum atmosphere at 50 to 300 ℃, for example, may be 60 to 280 ℃ or may be performed at 70 to 270 ℃. Within the drying temperature range, there is an effect that moisture can be properly removed without damage to the non-conductive polymer substrate and deterioration of quality.

상기 니켈함유 무전해 도금층을 형성하는 단계는 습식 무전해 도금법으로 니켈함유 도금층을 형성할 수 있다.In the forming of the nickel-containing electroless plating layer, the nickel-containing plating layer may be formed by a wet electroless plating method.

상기 습식 무전해 도금법의 실시는 도금 조건 및 도금 장치가 한정되지 않으며, 통상적인 방법에 따라 적절히 선택하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 상기 조성의 무전해 니켈함유 도금액을 피도금물에 침지시키거나 접촉시키는 방법으로 실시할 수 있다. 이 때, 도금 처리 온도는 45 내지 90 ℃일 수 있고, 예를 들어 47 내지 87 ℃일 수 있거나 50 내지 85 ℃일 수 있다. 도금 처리 시간은 형성되는 니켈 도금 피막의 막두께 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 예를 들어 0.1 내지 60 분, 예를 들어 0.5 내 지 10 분일 수 있다. 상기 도금 처리 온도 및 도금 처리 시간 범위 내에서 안정적인 니켈함유 도금층을 형성할 수 있다.The wet electroless plating method is not limited to plating conditions and plating equipment, and may be appropriately selected according to a conventional method. For example, it may be carried out by immersing or contacting the plating solution containing the electroless nickel of the composition to the object to be plated. At this time, the plating temperature may be 45 to 90 ℃, for example, may be 47 to 87 ℃ or may be 50 to 85 ℃. The plating treatment time may be appropriately set depending on the film thickness of the nickel plating film to be formed, but may be, for example, 0.1 to 60 minutes, for example, 0.5 to 10 minutes. It is possible to form a stable nickel-containing plating layer within the range of the plating treatment temperature and the plating treatment time.

상기 구리 무전해 도금층을 형성하여 전술한 연성동박 적층필름을 제조하는 단계는 습식 무전해 도금법으로 구리 도금층을 형성할 수 있다. 상기 구리 도금층 형성방법은 도금 조건 및 도금 장치가 한정되지 않으며, 통상적인 방법에 따라 적절히 선택하여 실시할 수 있다. 예를 들어, 상기 조성의 무전해 구리 도금액을 피도금물에 침지시키거나 접촉시키는 방법으로 실시할 수 있다. 이 때, 도금 처리 온도는 예를 들어, 실온 내지 약 50 ℃의 온도에서 수행될 수 있다. 도금 처리 시간은 형성되는 구리 도금 피막의 막두께 등에 따라 적절히 설정할 수 있지만, 예를 들어 0.1 내지 60 분, 예를 들어 0.5 내 지 30 분일 수 있다. 상기 도금 처리 온도 및 도금 처리 시간 범위 내에서 안정적인 구리 도금층을 형성할 수 있다.In the step of forming the copper electroless plating layer to prepare the above-described flexible copper foil laminate film, the copper plating layer may be formed by a wet electroless plating method. The method for forming the copper plating layer is not limited to plating conditions and plating apparatus, and may be appropriately selected according to a conventional method. For example, the electroless copper plating solution of the above composition may be immersed in or contacted with the object to be plated. At this time, the plating treatment temperature may be, for example, performed at a temperature of room temperature to about 50 ℃. The plating treatment time may be appropriately set depending on the thickness of the copper plating film to be formed, for example, 0.1 to 60 minutes, for example, 0.5 to 30 minutes. A stable copper plating layer may be formed within the range of the plating treatment temperature and plating time.

이하, 실시예와 비교예를 기재한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변경 및 수정이 첨부된 실시예가 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, an Example and a comparative example are described. However, the following examples are only one embodiment of the present invention, and it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications are possible within the scope and spirit of the present invention, and the embodiments to which such changes and modifications are attached fall within the scope of the claims. It is also natural.

[실시예] [Example]

실시예Example 1: One: 연성동박Flexible copper foil 적층필름 laminated film

비전도성 고분자 기재로서 두께가 25 ㎛인 폴리이미드 필름(Kapton 100ENC, TDC사 제조)을 사용하였다. 상기 폴리이미드 필름 기재(1)의 양면에 각각, 수평 무전해 도금법에 의해 무전해 니켈 도금층(두께: 약 100 nm)(2, 2') 및 무전해 구리 도금층(두께: 약 100 nm)(3, 3')을 순차적으로 형성하여 도 1에서 보이는 바와 같이 연성동박 적층필름(10)을 제작하였다:A polyimide film (Kapton 100ENC, manufactured by TDC) having a thickness of 25 μm was used as a non-conductive polymer substrate. On both sides of the polyimide film substrate 1, an electroless nickel plating layer (thickness: about 100 nm) (2, 2') and an electroless copper plating layer (thickness: about 100 nm) (3) by a horizontal electroless plating method, respectively , 3') were sequentially formed to prepare a flexible copper clad laminated film 10 as shown in FIG. 1 :

(무전해 니켈 도금액) (electroless nickel plating solution)

· 도금액: 니켈염 수화물 NiSO4·6H2O의 니켈이온의 농도가 약 5 g/L이 되도록 설정· Plating solution: set so that the nickel ion concentration of nickel salt hydrate NiSO 4 ·6H 2 O is about 5 g/L

· 배쓰(bath) 온도: 약 60 ℃· Bath temperature: about 60 ℃

· 니켈 석출 시간: 약 1 분· Nickel precipitation time: about 1 minute

· pH 농도: 약 7.3· pH concentration: about 7.3

(무전해 구리 도금액) (electroless copper plating solution)

· 도금액: 황산구리 16.25 ㎖/L, 황산 3.25 ㎖/L Plating solution: 16.25 ml/L copper sulfate, 3.25 ml/L sulfuric acid

· 배쓰(bath) 온도: 34 ℃· Bath temperature: 34 ℃

· 구리 석출 시간: 약 2.5 분· Copper precipitation time: about 2.5 minutes

· pH 농도: 약 13.0 · pH concentration: about 13.0

비교예comparative example 1: One: 연성동박Flexible copper foil 적층필름 laminated film

비전도성 고분자 기재로서 두께가 25 ㎛인 폴리이미드 필름(Kapton 100ENC, TDC사 제조)을 사용하였다. 상기 폴리이미드 필름 기재(1)의 일 면에 롤-투-롤 타입의 스퍼터링 장치를 이용하여 물리기상증착법(PVD)으로 Ni-Cr 합금 타이층 및 Cu 시드층을 순차적으로 형성하였다. 이 때, 상기 타이층은 Ni과 Cr의 중량비를 80 : 20 (순도: 99.9% 이상)으로 하여 약 250 Å의 두께로 형성하였고, Cu 시드층은 순도 99.995% 구리를 이용하여 약 1000 Å의 두께로 형성하여 연성동박 적층필름을 제작하였다:A polyimide film (Kapton 100ENC, manufactured by TDC) having a thickness of 25 μm was used as a non-conductive polymer substrate. A Ni-Cr alloy tie layer and a Cu seed layer were sequentially formed on one surface of the polyimide film substrate 1 by physical vapor deposition (PVD) using a roll-to-roll type sputtering apparatus. At this time, the tie layer was formed to a thickness of about 250 Å with a weight ratio of Ni and Cr of 80:20 (purity: 99.9% or more), and the Cu seed layer was formed to a thickness of about 1000 Å using 99.995% pure copper. A flexible copper foil laminated film was prepared by forming with:

비교예comparative example 2: 2: 연성동박Flexible copper foil 적층필름 laminated film

구리 시드층 상에 황산구리 도금액을 이용한 전해 도금법으로 약 4 ㎛ 두께의 구리 도금층을 형성하였다. 이 때, 도금액은 Cu2 + 농도 약 26 g/L과 황산 약 188 g/L의 용액을 이용하였다. 배쓰(bath) 온도는 약 30 ℃에서 전류밀도 약 1.7 A/dm2으로 전류를 인가하여 두께가 약 4 ㎛인 구리 전해도금층을 형성하여 연성동박 적층필름을 제작한 것을 제외하고는, 비교예 1과 동일한 방법으로 연성동박 적층필름을 제작하였다.A copper plating layer having a thickness of about 4 μm was formed on the copper seed layer by an electrolytic plating method using a copper sulfate plating solution. At this time, the plating solution was performed using a solution of Cu 2 + concentration of about 26 g / L and sulfuric acid of about 188 g / L. Comparative Example 1, except that a flexible copper clad laminate was prepared by applying a current at a bath temperature of about 30 ° C. with a current density of about 1.7 A/dm 2 to form a copper electrolytic plating layer having a thickness of about 4 μm. A flexible copper clad laminated film was manufactured in the same manner as described above.

분석예Analysis example 1: XRD 분석 1: XRD analysis

실시예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에 따른 연성동박 적층필름 각각에 대하여 XRD 분석실험을 수행하였다. 상기 XRD 분석은 CuK-알파 특성 X-선 파장 1.541Å을 이용하였다. 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름은 도 2에서 보이는 바와 같이 브래그 2Θ각 43 °에서 (111)면의 피크가 관찰되었다. 상기 실시예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에 따른 연성동박 적층필름에 대하여 60일간 방치한 후 상기 (111)면의 피크로부터 얻은 반치폭((FWHM)을 이용하여 하기 수학식 1에 의해 반치폭 변동률을 계산하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.An XRD analysis experiment was performed on each of the flexible copper foil laminated films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2. For the XRD analysis, a CuK-alpha characteristic X-ray wavelength of 1.541 Å was used. In the flexible copper clad laminated film according to Example 1, as shown in FIG. 2, a peak of (111) plane was observed at a Bragg 2Θ angle of 43°. After leaving the flexible copper clad laminated films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 to stand for 60 days, the half maximum width ((FWHM) obtained from the peak of the (111) plane was used to calculate the half maximum width by Equation 1 below. The rate of change was calculated, and the results are shown in Table 1 below.

<수학식 1><Equation 1>

반치폭(111) 변동률 = {(60일 간 방치한 후 반치폭) - (초기 반치폭)}Width at half maximum (111) change rate = {(width at half maximum after leaving for 60 days) - (initial width at half maximum)}

구분division 초기 반치폭(FWHM, °)Initial full width at half maximum (FWHM, °) 60일간 방치후(FWHM,°)After leaving for 60 days (FWHM,°) 반치폭 변동률(°)Half width change rate (°) 실시예 1Example 1 0.250.25 0.240.24 0.010.01 비교예 1Comparative Example 1 0.2420.242 0.1470.147 0.0950.095 비교예 2Comparative Example 2 0.1010.101 0.0770.077 0.0240.024

표 1을 참조하면, 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름에 대하여 60일간 방치한 후 (111)면의 피크에 대한 반치폭 변동률이 0.01로 거의 변화가 없었으나, 비교예 1, 2에 따른 연성동박 적층필름은 0.095, 0.024로 다소 변화가 있었다. Referring to Table 1, after standing for 60 days for the flexible copper foil laminated film according to Example 1, there was little change in the half-width variation with respect to the peak of the (111) plane to 0.01, but the flexible copper foil according to Comparative Examples 1 and 2 The laminated film showed some changes at 0.095 and 0.024.

이로부터, 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름이 비교예 1, 2에 따른 연성동박 적층필름과 비교하여 결정성이 향상되었음을 알 수 있다. From this, it can be seen that the crystallinity of the flexible copper clad laminated film according to Example 1 was improved compared with the flexible copper clad laminated films according to Comparative Examples 1 and 2.

분석예Analysis example 2: 치수 안정성 분석 2: Dimensional stability analysis

실시예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에 따른 연성동박 적층필름의 폴리이미드 기재필름에 대하여 60일 간 치수 안정성을 분석하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.The dimensional stability of the polyimide base film of the flexible copper clad laminated films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 was analyzed for 60 days. The results are shown in Table 2 below.

치수 안정성은 다음과 같은 방법으로 분석하였다. Dimensional stability was analyzed as follows.

실시예 1, 비교예 1, 및 비교예 2에 따른 연성동박 적층필름을 295mm x 235mm 크기로 자른 샘플을 준비하였다. 상기 샘플에 대하여 8 개의 표준점을 표시하였다(도 3(a)). 3차원 측정기로 상기 표준점 사이의 거리를 측정(도 3(b))하여 평균값(초기 치수)을 구하였다. 상기 샘플의 폴리이미드 기재필름의 면에 상기 표준점에 해당되는 8개의 점들을 펀칭하고 상기 샘플을 항온 항습실(23±2 ℃. 50±5%)에서 1~60일간 방치하였다. 이후 상기 샘플을 150 ℃에서 30분간 열처리하고 항온 항습실에 24시간 방치한 후 3차원 측정기로 상기 폴리이미드 기재필름에 대한 상기 표준점에 해당되는 8개의 점들 사이의 거리를 측정하여 평균값(1~60일간 방치한 후 치수)을 구하였고, 상기 치수들 중에서 최대 치수에서 최소 치수를 뺀 값을 치수 변화율로 하였다.Samples of the flexible copper foil laminated films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 were cut to a size of 295 mm x 235 mm were prepared. Eight standard points were marked for the sample (Fig. 3(a)). The average value (initial dimension) was obtained by measuring the distance between the standard points with a three-dimensional measuring instrument (FIG. 3(b)). Eight points corresponding to the standard points were punched on the surface of the polyimide base film of the sample, and the sample was left in a constant temperature and humidity room (23±2° C., 50±5%) for 1 to 60 days. After that, the sample was heat treated at 150 ° C. for 30 minutes and left in a constant temperature and humidity room for 24 hours, and then the distance between eight points corresponding to the standard point for the polyimide base film was measured with a three-dimensional measuring instrument, and the average value (1 to 60 Dimensions after standing for one day) were calculated, and the value obtained by subtracting the smallest dimension from the largest dimension among the dimensions was used as the dimensional change rate.

실시예 1Example 1 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 초기Early 0.1070.107 0.0650.065 0.0540.054 5일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 5 days 0.1040.104 0.071 0.071 0.0590.059 7일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 7 days 0.1060.106 0.0670.067 0.0610.061 10일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 10 days 0.096 0.096 0.0680.068 0.0550.055 15일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 15 days 0.0990.099 0.0690.069 0.0560.056 20일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 20 days 0.0970.097 0.0570.057 0.064 0.064 30일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 30 days 0.110 0.110 0.053 0.053 0.0590.059 45일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 45 days 0.0980.098 0.0560.056 0.047 0.047 60일간 방치 후 치수 Dimensions after leaving for 60 days 0.0990.099 0.0530.053 0.0490.049

표 2를 참조하면, 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름의 폴리이미드 기재필름에 대한 치수 변화율은 0.014임을 확인할 수 있다, 비교에 1, 2에 따른 연성동박 적층필름의 폴리이미드 기재필름에 대한 치수 변화율은 각각 0.018, 0.017임을 확인할 수 있다. 이로부터, 상기 실시예 1에 따른 연성동박 적층필름이 비교예 1, 2에 따른 연성동박 적층필름과 비교하여 폴리이미드 기재필름에 대하여 60일 간 치수 안정성이 우수함을 알 수 있다.Referring to Table 2, it can be seen that the dimensional change rate of the flexible copper clad laminated film according to Example 1 with respect to the polyimide base film is 0.014. It can be seen that the rate of change is 0.018 and 0.017, respectively. From this, it can be seen that the flexible copper clad laminated film according to Example 1 has excellent dimensional stability for 60 days with respect to the polyimide base film compared to the flexible copper clad laminated films according to Comparative Examples 1 and 2.

1: 비전도성 고분자 기재 (폴리이미드 필름)
2, 2': 니켈함유 도금층 (무전해 니켈 도금층)
3, 3': 구리 도금층(무전해 구리 도금층),
10: 연성동박 적층필름
1: Non-conductive polymer substrate (polyimide film)
2, 2': Nickel-containing plating layer (electroless nickel plating layer)
3, 3': copper plating layer (electroless copper plating layer),
10: flexible copper foil laminated film

Claims (10)

비전도성 고분자 기재;
상기 기재의 양면에 위치한 무전해 니켈 도금층;
상기 무전해 니켈 도금층 상에 위치한 무전해 구리 도금층;을 포함하고,
상기 무전해 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 하기 수학식 1에 의해 계산된 반치폭 변동률이 0.01° 이하인, 연성동박 적층필름:
<수학식 1>
반치폭(111) 변동률 = {(60일 간 방치한 후 반치폭) - (초기 반치폭)}
non-conductive polymeric substrates;
Electroless nickel plating layers located on both sides of the substrate;
including; an electroless copper plating layer positioned on the electroless nickel plating layer;
The electroless copper plating layer is a flexible copper clad laminated film in which the half-width variation calculated by the following Equation 1 for the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum is 0.01° or less:
<Equation 1>
Width at half maximum (111) Change rate = {(width at half maximum after leaving for 60 days) - (initial width at half maximum)}
제1항에 있어서,
상기 무전해 구리 도금층은 X-선 회절 스펙트럼에서 (111)면의 피크에 대한 60일간 방치한 후 반치폭 및 초기 반치폭이 각각 0.20 ~ 0.35 °인, 연성동박 적층필름.
According to claim 1,
The electroless copper plating layer was left for 60 days for the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum, and then the half-width and the initial half-width are 0.20 to 0.35 °, respectively.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 무전해 구리 도금층의 두께가 40 nm ~ 150 nm인, 연성동박 적층필름.
According to claim 1,
The thickness of the electroless copper plating layer is 40 nm to 150 nm, flexible copper foil laminated film.
제1항에 있어서,
상기 연성동박 적층필름을 295mm x 235mm 크기로 자르고 상기 자른 연성동박적층필름 내에 8개의 점을 표시하고 상기 8개의 점들 사이의 거리를 측정하여 초기 치수로 하고, 23±2 ℃. 50±5%에서 1~60 일간 방치한 후 150 ℃에서 30 분간 열처리하고 24시간 방치한 후에 상기 8개의 점들 사이의 거리를 측정하여 1~60일간 방치한 후 치수를 구하여, 상기 측정한 초기 치수 및 1~60일간 방치한 치수들 중에서 최대 치수에서 최소 치수를 뺀 값인 상기 기재에 대한 치수 변화율이 0.015 이하인, 연성동박 적층필름.
According to claim 1,
Cut the flexible copper clad laminated film to a size of 295mm x 235mm, mark 8 dots in the cut flexible copper clad laminated film, measure the distance between the 8 dots, and take the initial dimension as 23±2 ° C. After leaving at 50±5% for 1 to 60 days, heat treatment at 150° C. for 30 minutes, leaving it for 24 hours, measuring the distance between the eight points, leaving it for 1 to 60 days, obtaining the dimensions, and measuring the initial dimensions and a dimensional change rate of 0.015 or less with respect to the substrate, which is a value obtained by subtracting the minimum dimension from the maximum dimension among the dimensions left for 1 to 60 days.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 무전해 니켈 도금층의 두께가 40 nm 내지 250 nm인, 연성동박 적층필름.
According to claim 1,
The thickness of the electroless nickel plating layer is 40 nm to 250 nm, a flexible copper foil laminated film.
제1항에 있어서,
상기 비전도성 고분자 기재가 페놀계 수지, 페놀알데히드계 수지, 알릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리에틸렌계 수지, 폴리프로필렌계 수지, 폴리에스테르계 수지, 및 폴리이미드계 수지로부터 선택된 1종 이상을 포함하는, 연성동박 적층필름.
According to claim 1,
The non-conductive polymer substrate comprises at least one selected from a phenol-based resin, a phenolaldehyde-based resin, an allyl-based resin, an epoxy-based resin, a polyethylene-based resin, a polypropylene-based resin, a polyester-based resin, and a polyimide-based resin , Flexible copper foil laminated film.
제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항, 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 연성동박 적층필름을 포함하는 전자 소자.An electronic device comprising the flexible copper foil laminated film according to any one of claims 1, 2, 4, 5, 7, and 8. 비전도성 고분자 기재를 준비하는 단계;
상기 기재의 양면에 니켈함유 무전해 도금층을 형성하는 단계; 및
상기 니켈함유 무전해 도금층의 일 면에 구리 무전해 도금층을 형성하여 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항, 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 연성동박 적층필름을 제조하는 단계;를 포함하는 연성동박 적층필름의 제작방법.



preparing a non-conductive polymer substrate;
forming a nickel-containing electroless plating layer on both surfaces of the substrate; and
A copper electroless plating layer is formed on one surface of the nickel-containing electroless plating layer to laminate the flexible copper foil according to any one of claims 1, 2, 4, 5, 7, and 8. Manufacturing method of a flexible copper foil laminated film comprising; manufacturing a film.



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