JP7208352B2 - FLEXIBLE COPPER FILM LAMINATED, ELECTRONIC DEVICE CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME FLEXIBLE COPPER FILM LAMINATED FILM - Google Patents

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Description

本発明は、軟性銅箔積層フィルム、それを含む電子素子、及び前記軟性銅箔積層フィルムの製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a flexible copper clad laminate film, an electronic device including the same, and a method for producing the flexible copper clad laminate film.

モバイル市場の成長加速化、及びLCD TVモニタの需要増大により、電子製品及び半導体集積回路のような分野において、薄膜化、小型化、軽量化、耐久性及び高画質の特性を有する素材の開発が促進されている。LCD用ドライバ集積回路(IC)に使用される軟性銅箔積層フィルム(FCCL)分野においても、微細パターン化、薄膜化及び耐久性がだんだんと要求されている。 With the accelerated growth of the mobile market and the increasing demand for LCD TV monitors, the development of materials with the characteristics of thin film, small size, light weight, durability and high image quality is required in fields such as electronic products and semiconductor integrated circuits. promoted. In the field of flexible copper clad laminate (FCCL) used in driver integrated circuits (ICs) for LCDs, fine patterning, thinning and durability are also increasingly required.

軟性銅箔積層フィルムは、その表面に回路パターンが形成され、前記回路パターン上に、半導体チップのような電子素子が実装される構造によってなる。最近、前記回路パターンのピッチ(pitch)が23μm以下である製品が増加しており、ピッチと線幅とが小さくなることにより、寸法変化の不安定性が問題になっている。 A flexible copper clad laminate film has a structure in which a circuit pattern is formed on its surface and an electronic device such as a semiconductor chip is mounted on the circuit pattern. Recently, there has been an increase in the number of products in which the pitch of the circuit pattern is 23 μm or less. As the pitch and line width become smaller, instability of dimensional change becomes a problem.

そのような問題を解決するために、微細回路パターン形成技術も発展している。しかし、微細回路パターン化のためには、基材と金属層との間に高い接着力が維持されなければならず、軟性銅箔積層フィルムの層間が剥離される問題を解決しなければならない。 In order to solve such problems, fine circuit pattern forming techniques are also being developed. However, for fine circuit patterning, it is necessary to maintain high adhesive strength between the substrate and the metal layer, and to solve the problem of interlayer delamination of the flexible copper clad laminate film.

従って、基材と金属層との間に、優秀な寸法安定性を有する軟性銅箔積層フィルム、それを含む電子素子、及び前記軟性銅箔積層フィルムの製造方法に対する要求が依然としてある。 Therefore, there is still a need for a flexible copper clad laminate film having excellent dimensional stability between a substrate and a metal layer, an electronic device including the same, and a method for producing the flexible copper clad laminate film.

本発明が解決しようとする課題は、向上された結晶性及び寸法安定性を有する軟性銅箔積層フィルムを提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a flexible copper foil laminate film with improved crystallinity and dimensional stability.

本発明が解決しようとする課題は、また、前記軟性銅箔積層フィルムを含む電子素子を提供することである。 Another problem to be solved by the present invention is to provide an electronic device including the flexible copper clad laminate film.

本発明が解決しようとする課題は、また、前記軟性銅箔積層フィルムの製造方法を提供することである。 Another problem to be solved by the present invention is to provide a method for producing the flexible copper foil laminate film.

一側面により、
非伝導性高分子基材と、
前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に位置したニッケル含有メッキ層と、
前記ニッケル含有メッキ層上に位置した銅メッキ層と、を含み、
前記銅メッキ層は、X線回折スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる下記数式1によって計算された半値幅変動率が0.01°以下である、軟性銅箔積層フィルムが提供される。
According to one aspect,
a non-conductive polymeric substrate;
a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the non-conductive polymer substrate;
a copper plating layer located on the nickel-containing plating layer;
A flexible copper clad laminate film is provided in which the copper plating layer has a half-value width fluctuation rate of 0.01° or less in an X-ray diffraction spectrum, which is calculated according to Equation 1 below for the peak of the (111) plane.

前記銅メッキ層は、X線回折スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる半値幅が0.20~0.35°でもある。 The copper plating layer also has a half width of 0.20 to 0.35° for the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum.

前記ニッケル含有メッキ層及び銅メッキ層は、それぞれ無電解メッキ層でもある。 Each of the nickel-containing plating layer and the copper plating layer is also an electroless plating layer.

前記銅層の厚みは、40nm~150nmでもある。 The thickness of said copper layer is also between 40 nm and 150 nm.

前記軟性銅箔積層フィルムを1~60日間放置した後、150℃で30分間熱処理し、前記寸法において、最大寸法から最小寸法を差し引いた値である前記非伝導性高分子基材に対する寸法変化率が0.015以下でもある。 After leaving the flexible copper foil laminate film for 1 to 60 days, it is heat-treated at 150° C. for 30 minutes. is also 0.015 or less.

前記ニッケル含有メッキ層は、ニッケル層を含んでもよい。 The nickel-containing plating layer may include a nickel layer.

前記ニッケル含有メッキ層の厚みは、40nmないし250nmでもある。 The nickel-containing plating layer also has a thickness of 40 nm to 250 nm.

前記非伝導性高分子基材は、フェノール系樹脂、フェノールアルデヒド系樹脂、アリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂及びポリイミド系樹脂から選択された1種以上を含んでもよい。 The non-conductive polymer base material is one or more selected from phenol-based resin, phenol-aldehyde-based resin, allyl-based resin, epoxy-based resin, polyethylene-based resin, polypropylene-based resin, polyester-based resin, and polyimide-based resin. may contain.

他の側面により、
前述のところによる軟性銅箔積層フィルムを含む電子素子が提供される。
さらに他の側面により、
非伝導性高分子基材を準備する段階と、
前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に、ニッケル含有無電解メッキ層を形成する段階と、
前記ニッケル含有無電解メッキ層の一面に、銅無電解メッキ層を形成し、前述の軟性銅箔積層フィルムを製造する段階と、を含む軟性銅箔積層フィルムの製造方法が提供される。
Other aspects
An electronic device is provided comprising a flexible copper clad laminate film according to the foregoing.
Yet another aspect
providing a non-conductive polymeric substrate;
forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of the non-conductive polymer substrate;
forming a copper electroless plated layer on one surface of the nickel-containing electroless plated layer to prepare the flexible copper clad film.

本発明の軟性銅箔積層フィルムは、熱的損傷がない水溶液状態において、金属をメッキさせる無電解メッキ層を利用したフィルムであり、結晶性及び寸法安定性が向上されうる。 The flexible copper clad laminate film of the present invention is a film using an electroless plating layer for plating a metal in an aqueous solution state without thermal damage, and may have improved crystallinity and dimensional stability.

一具現例による軟性銅箔積層フィルムの模式図である。1 is a schematic diagram of a flexible copper clad laminate film according to one embodiment; FIG. 実施例1による軟性銅箔積層フィルムに対するXRD(X-ray diffraction)分析結果である。FIG. 4 shows XRD (X-ray diffraction) analysis results for the flexible copper foil laminate film according to Example 1. FIG. 実施例1による軟性銅箔積層フィルムを、295mm×235mmサイズに切り、8個の標準点を表示したサンプルを示した図面である。1 is a drawing showing a sample in which the flexible copper clad laminate film according to Example 1 is cut into a size of 295 mm×235 mm and 8 standard points are indicated. 図3Aのサンプルに対し、三次元測定器で、前記標準点間の距離を測定する方法を示した図面である。FIG. 3B is a view showing a method of measuring the distance between the standard points on the sample of FIG. 3A with a three-dimensional measuring device; FIG.

本発明の実施例と図面とを参照し、軟性銅箔積層フィルム(FCCL)、それを含む電子素子及び前記軟性銅箔積層フィルムの製造方法について詳細に説明する。それら実施例は、ただ本発明について、さらに具体的に説明するために例示的に提示したものであるのみ、本発明の範囲は、それら実施例によって制限されるものではないということは、当業界で当業者において自明であろう。 A flexible copper clad laminate (FCCL), an electronic device including the same, and a method for manufacturing the flexible copper clad laminate will be described in detail with reference to embodiments and drawings of the present invention. It should be understood by those skilled in the art that the examples are merely presented by way of illustration to further illustrate the present invention, and that the scope of the present invention is not limited by these examples. will be obvious to those skilled in the art.

取り立てて定義しない限り、本明細書で使用される全ての技術的及び科学的な用語は、本発明が属する技術分野の熟練者により、一般的に理解されるところと同一意味を有する。相衝する場合、定義を含む本明細書が優先されるのである。 Unless defined otherwise, all technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. In case of conflict, the present specification, including definitions, will control.

本明細書で説明されるところと類似しているか、あるいは同等な方法及び材料は、本発明の実施または試験にも使用されるが、適する方法及び材料が本明細書に記載される。 Although methods and materials similar or equivalent to those described herein can also be used in the practice or testing of the present invention, suitable methods and materials are described herein.

本明細書において、構成要素の前における「少なくとも一面」という表現は、前記構成要素の「一面」または「両面」をいずれも含むことを意味する。本明細書において、構成要素の前における「少なくとも1種」、「1種以上」または「1つ以上」という表現は、全体構成要素のリストを補完するものであり、前記記載の個別構成要素を補完することを意味するものではない。 As used herein, the phrase "at least one side" in front of a component is meant to include both "one side" or "both sides" of said component. As used herein, the phrases "at least one," "one or more," or "one or more" in front of a component complement the list of the overall component and separate the individual components described above. It is not meant to be complementary.

本明細書において、「及び/または」という用語は、関連記載した1以上の項目の任意の組み合わせ、及び全ての組み合わせを含むことを意味する。本明細書において、「または」という用語は、「及び/または」を意味する。 As used herein, the term "and/or" is meant to include any and all combinations of one or more of the associated listed items. As used herein, the term "or" means "and/or."

本明細書において、「含む」という用語は、特別に反対となる記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素を、追加または/及び介在させることができることを示すように使用される。本明細書において、「それら組み合わせ」という用語は、先立って記述された2個以上の構成要素の混合物または合金などを示すように使用される。本明細書において、「~系樹脂」という用語は、「~樹脂」または/及び「~樹脂の誘導体」を含む広い概念を示すように使用される。本明細書において、「リン系難燃剤」という用語は、リンを含む難燃剤の広い概念を示すように使用される。 As used herein, the term "comprising" does not exclude other components, unless specifically stated to the contrary, to indicate that other components may be added and/or interposed. used for The term "combinations thereof" is used herein to indicate mixtures, alloys, etc. of two or more of the previously described components. In this specification, the term "-based resin" is used to indicate a broad concept including "-resin" and/or "derivatives of -resin". The term "phosphorus flame retardant" is used herein to indicate a broad concept of flame retardants containing phosphorus.

本明細書において、特別に取り立てて規定しない限り、単位「重量部」は、各成分間の重量比を意味する。 In this specification, unless otherwise specified, the unit "parts by weight" means the weight ratio between each component.

本明細書において、一構成要素が他構成要素の「上」に配置されていると言及される場合、該一構成要素は、他構成要素上に直接配置されるか、あるいは前記構成要素間に介在された構成要素が存在しうる。一方、一構成要素が他構成要素「上に直接」配置されると言及される場合、介在された構成要素が存在しないのである。 As used herein, when a component is referred to as being positioned "on" another component, the component may be positioned directly on the other component or between the components. There may be intervening components. On the other hand, when a component is referred to as being placed "directly on" another component, there are no intervening components.

スパッタリング工程によって製造された軟性銅箔積層フィルムは、その表面が熱的損傷が生じて加工性に限界がある。本発明の発明者らは、前記問題を解決するために、次のような軟性銅箔積層フィルムを提案する。 A flexible copper clad laminate film produced by a sputtering process suffers from thermal damage on the surface and has limited workability. In order to solve the above problems, the inventors of the present invention propose the following flexible copper foil laminate film.

一具現例による軟性銅箔積層フィルムは、非伝導性高分子基材と、前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に位置したニッケル含有メッキ層と、前記ニッケル含有メッキ層上に位置した銅メッキ層と、を含んでもよく、前記銅メッキ層は、X線回折(XRD)スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる下記数式1によって計算された半値幅変動率が0.01°以下でもある。 A flexible copper clad laminate film according to one embodiment includes a non-conductive polymer substrate, a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the non-conductive polymer substrate, and a copper layer located on the nickel-containing plating layer. and a plated layer, and the copper plated layer has an X-ray diffraction (XRD) spectrum, even if the half-value width fluctuation rate calculated by the following formula 1 related to the peak of the (111) plane is 0.01 ° or less. be.

Figure 0007208352000001
Figure 0007208352000001

図1は、一具現例による軟性銅箔積層フィルム10の模式図である。 FIG. 1 is a schematic diagram of a flexible copper clad laminate film 10 according to one embodiment.

図1を参照すれば、一具現例による軟性銅箔積層フィルム10は、両面軟性銅箔積層フィルム10を示している。前記軟性銅箔積層フィルム10は、非伝導性高分子基材1の両面に、それぞれニッケル含有メッキ層2,2’及び銅メッキ層3,3’が順に配置されている。 Referring to FIG. 1 , the flexible copper clad laminate film 10 according to one embodiment shows a double-sided flexible copper clad laminate film 10 . In the flexible copper clad laminate film 10, nickel-containing plating layers 2, 2' and copper plating layers 3, 3' are sequentially arranged on both sides of a non-conductive polymer substrate 1, respectively.

一具現例による軟性銅箔積層フィルム10は、半値幅変動率が0.01°以下でもあり、優秀な結晶性を有することができる。それにより、一具現例による軟性銅箔積層フィルム10は、向上された寸法安定性を有することができる。前記銅メッキ層は、X線回折スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる半値幅が0.20~0.35°でもある。それは、後述する図2及び分析例1から確認することができる。 The flexible copper clad laminate film 10 according to one embodiment may have a half-value width fluctuation rate of 0.01° or less and may have excellent crystallinity. Accordingly, the flexible copper clad laminate film 10 according to one embodiment may have improved dimensional stability. The copper plating layer also has a half width of 0.20 to 0.35° for the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum. This can be confirmed from FIG. 2 and Analysis Example 1, which will be described later.

以下、前記軟性銅箔積層フィルム10を構成するそれぞれの非伝導性高分子基材1、ニッケル含有メッキ層2,2’及び銅メッキ層3,3’について詳細に説明する。 The non-conductive polymer substrate 1, the nickel-containing plated layers 2, 2' and the copper plated layers 3, 3', which constitute the flexible copper clad laminate film 10, will now be described in detail.

<非伝導性高分子基材1> <Non-conductive polymer substrate 1>

前記非伝導性高分子基材1は、フェノール系樹脂、フェノールアルデヒド系樹脂、アリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂及びポリイミド系樹脂から選択された1種以上でもある The non-conductive polymer substrate 1 is at least one selected from phenol-based resins, phenol-aldehyde-based resins, allyl-based resins, epoxy-based resins, polyethylene-based resins, polypropylene-based resins, polyester-based resins, and polyimide-based resins. but also

例えば、前記非伝導性高分子基材1は、接着力、引っ張り強度及び剥離強度などを考慮するとき、ポリイミド系樹脂が使用されうる。例えば、該ポリイミド系樹脂は、ポリイミド前駆体であるポリアミック酸を押出してフィルムを作り、前記ポリアミック酸のイミド化のために、前記フィルムを熱処理することにより、ポリイミド系樹脂含有非伝導性高分子基材1を製造することができる。 For example, the non-conductive polymer substrate 1 may be made of a polyimide-based resin in consideration of adhesive strength, tensile strength and peel strength. For example, the polyimide-based resin is prepared by extruding a polyamic acid, which is a polyimide precursor, to form a film, and heat-treating the film for imidization of the polyamic acid. Material 1 can be manufactured.

前記非伝導性高分子基材1は、水分及び残留ガスの除去のために、当該技術分野で一般的に使用される方法によって乾燥させることができる。例えば、常圧下において、ロール・ツー・ロール(roll to roll)タイプの熱処理を介して遂行されるか、あるいは真空雰囲気下において、赤外線(IR)ヒータを利用しても遂行される。 The non-conductive polymer substrate 1 can be dried by methods commonly used in the art to remove moisture and residual gas. For example, under normal pressure, it may be performed through a roll to roll type heat treatment, or it may be performed using an infrared (IR) heater under a vacuum atmosphere.

前記非伝導性高分子基材1の厚みは、5ないし100μmでもあり、例えば、10ないし40μmであるか、あるいは20ないし30μmでもある。前記非伝導性高分子基材1は、前記厚み範囲内において、熱的損傷を遮断しながら、軟性及び接着力にすぐれる基材を得ることができる。 The thickness of said non-conducting polymer substrate 1 is also 5-100 μm, for example 10-40 μm, or even 20-30 μm. The non-conductive polymer base material 1 can provide a base material having excellent flexibility and adhesive strength while blocking thermal damage within the above thickness range.

<ニッケル含有メッキ層2,2’> <Nickel-containing plated layers 2, 2'>

スパッタリング方式のプラズマ処理は、非伝導性高分子基材1と銅メッキ層3,3’との接着力を確保することができるが、25μm以下の薄膜タイプの非伝導性高分子基材1の加工時、熱的損傷が発生しうる。そのような熱的損傷により、非伝導性高分子基材1の寸法がかなり変化しうる。 Sputtering type plasma treatment can ensure adhesion between the non-conductive polymer substrate 1 and the copper plating layers 3, 3', but the thin-film type non-conductive polymer substrate 1 having a thickness of 25 μm or less is Thermal damage can occur during processing. Such thermal damage can significantly change the dimensions of the non-conducting polymeric substrate 1 .

そのような問題を解決するために、前記ニッケル含有メッキ層2,2’は、水溶液状態で金属を蒸着させる無電解メッキ法によって形成された無電解メッキ層でもある。前記ニッケル含有メッキ層2,2’は、ニッケル層を含んでもよい。必要により、ニッケル含有メッキ層は、ニッケル合金層を含んでもよい。前記ニッケル合金層は、例えば、Niと、Cr、Mo及びNbから選択された1種以上とを含んでもよい。前記無電解メッキ層は、熱的損傷が防止されながら、前記非伝導性高分子基材1に対する寸法安定性が向上しうる。 In order to solve such problems, the nickel-containing plating layers 2 and 2' are also electroless plating layers formed by an electroless plating method in which metal is deposited in an aqueous solution. The nickel-containing plating layers 2, 2' may include a nickel layer. If necessary, the nickel-containing plating layer may include a nickel alloy layer. The nickel alloy layer may contain, for example, Ni and one or more selected from Cr, Mo and Nb. The electroless plated layer may prevent thermal damage and improve dimensional stability with respect to the non-conductive polymer substrate 1 .

前記ニッケル含有メッキ層2,2’は、例えば、次のようなメッキ液を使用し、無電解メッキ法を介しても形成される。前記無電解メッキ法は、水平無電解メッキ法または/及び垂直無電解メッキ法いずれも利用可能である。 The nickel-containing plating layers 2, 2' are also formed by electroless plating using the following plating solution, for example. As the electroless plating method, both horizontal electroless plating method and/or vertical electroless plating method can be used.

前記メッキ液は、水溶性ニッケル塩、還元剤及び錯化剤を含んでもよく、前記水溶性ニッケル塩は、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、次亜リン酸ニッケル、酢酸ニッケル、リンゴ酸ニッケル、及びそれら水和物のうちから選択された1種以上を含んでもよい。前記水溶性ニッケル塩は、3ないし50g/l、例えば、3ないし35g/l、例えば、3ないし15g/lの濃度でメッキ液にも含まれる。前記水溶性ニッケル塩は、前記範囲内において、ニッケルメッキ被膜の析出速度及び流動性が向上し、ニッケルメッキ被膜に、ピット(pit)発生が少なくなる。 The plating solution may contain a water-soluble nickel salt, a reducing agent and a complexing agent, and the water-soluble nickel salt includes nickel sulfate, nickel chloride, nickel hypophosphite, nickel acetate, nickel malate, and their water. It may contain one or more selected from Japanese foods. The water-soluble nickel salt is also contained in the plating solution at a concentration of 3 to 50 g/l, such as 3 to 35 g/l, such as 3 to 15 g/l. Within the above range, the water-soluble nickel salt improves the deposition rate and fluidity of the nickel plating film, and reduces the occurrence of pits in the nickel plating film.

前記還元剤は、当該技術分野で一般的に使用される還元剤を使用することができる。例えば、前記還元剤は、次亜リン酸ナトリウム、次亜リン酸カリウムのような次亜リン酸塩;水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウムのような水素化ホウ素化合物;ジメチルアミンボラン(DMAB)、トリメチルアミンボラン、トリエチルアミンボランのようなアミンボラン化合物;などを含んでもよい。 As the reducing agent, a reducing agent commonly used in the art can be used. For example, the reducing agent may be a hypophosphite such as sodium hypophosphite, potassium hypophosphite; a borohydride compound such as sodium borohydride, potassium borohydride; dimethylamine borane (DMAB). , trimethylamine borane, amine borane compounds such as triethylamine borane;

前記還元剤がメッキ液内に含まれる濃度は、使用する還元剤の種類によっても異なる。例えば、還元剤として、次亜リン酸ナトリウムを使用した場合、20ないし50g/lの濃度でもある。例えば、還元剤として、ホウ素化合物であるジメチルアミンボラン(DMAB)を使用する場合、1ないし10g/lの濃度、例えば、3ないし5g/lの濃度でもある。前記濃度範囲内において、メッキ液の分解または成膜に長期間を必要とする問題などを防止することができる。 The concentration of the reducing agent contained in the plating solution varies depending on the type of reducing agent used. For example, when using sodium hypophosphite as a reducing agent, the concentration is also 20 to 50 g/l. For example, when the boron compound dimethylamine borane (DMAB) is used as the reducing agent, the concentration is 1 to 10 g/l, such as 3 to 5 g/l. Within the concentration range, it is possible to prevent the problem of requiring a long period of time for decomposition of the plating solution or film formation.

また、該メッキ液は、ニッケル化合物の沈澱を防止し、ニッケルの析出反応を調節するために、錯化剤をさらに含んでもよい。 In addition, the plating solution may further contain a complexing agent to prevent precipitation of the nickel compound and control the nickel deposition reaction.

前記錯化剤は、リンゴ酸、コハク酸、酒石酸、マロン酸、シュウ酸、アジピン酸のようなジカルボン酸;グリシン、グルタミン酸、アスパラギン酸、アラニンのようなアミノカルボン酸;エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、バーセノール(N-ヒドロキシエチルエチレンジアミン-N,N’,N’-三酢酸)、Qudrol(N,N、N’,N’-テトラヒドロキシエチルエチレンジアミン)のようなエチレンジアミン誘導体;1-ヒドロキシエタン-1,1-ジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸のようなホスホン酸;及びそれら可溶性塩などでもある。 Said complexing agents include dicarboxylic acids such as malic acid, succinic acid, tartaric acid, malonic acid, oxalic acid, adipic acid; aminocarboxylic acids such as glycine, glutamic acid, aspartic acid, alanine; ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA); Ethylenediamine derivatives such as Versenol (N-hydroxyethylethylenediamine-N,N',N'-triacetic acid), Qudrol (N,N,N',N'-tetrahydroxyethylethylenediamine); 1-hydroxyethane-1, phosphonic acids such as 1-diphosphonic acid, ethylenediaminetetramethylene phosphonic acid; and soluble salts thereof.

前記錯化剤は、0.001ないし2mol/lの濃度、例えば、0.002ないし1mol/l濃度でメッキ液に含まれうる。前記錯化剤は、前記濃度範囲内において、メッキ液の分解、水酸化ニッケルの沈澱などを防止することができる。 The complexing agent may be included in the plating solution at a concentration of 0.001 to 2 mol/l, for example, 0.002 to 1 mol/l. The complexing agent can prevent the decomposition of the plating solution and the precipitation of nickel hydroxide within the concentration range.

また、前記メッキ液は、下記化学式1に表示される硫黄含有ベンゾチアゾール系化合物をさらに含んでもよい。 Also, the plating solution may further include a sulfur-containing benzothiazole-based compound represented by Formula 1 below.

Figure 0007208352000002
(ここで、Xは、ハロゲン原子、C-C10アルコキシ基、C-C10アルコキシアルキル基、C-C10ヘテロアルキル基、C-C20アリール基、C-C20アリールアルキル基、C-C20ヘテロアリール基またはC-C20ヘテロアリールアルキル基で置換もしくは非置換のC-C30アルキル基、またはその塩である)
Figure 0007208352000002
(wherein X is a halogen atom, C 1 -C 10 alkoxy group, C 2 -C 10 alkoxyalkyl group, C 1 -C 10 heteroalkyl group, C 6 -C 20 aryl group, C 6 -C 20 aryl a C 2 -C 30 alkyl group substituted or unsubstituted with an alkyl group, a C 6 -C 20 heteroaryl group or a C 7 -C 20 heteroarylalkyl group, or a salt thereof)

「ハロゲン原子」は、フッ素、臭素、塩素、ヨウ素などを含む。 "Halogen atom" includes fluorine, bromine, chlorine, iodine, and the like.

「アルキル」は、完全飽和された分枝状または非分枝状(あるいは、直鎖または線形)炭化水素を言う。「アルキル」の非制限的な例としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、n-ブチル、イソブチル、sec-ブチル、n-ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、iso-アミル、n-ヘキシル、3-メチルヘキシル、2,2-ジメチルペンチル、2,3-ジメチルペンチルまたはn-ヘプチルなどを挙げることができる。 "Alkyl" refers to a fully saturated branched or unbranched (alternatively straight or linear) hydrocarbon. Non-limiting examples of "alkyl" include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, iso-amyl, n-hexyl, 3- Examples include methylhexyl, 2,2-dimethylpentyl, 2,3-dimethylpentyl and n-heptyl.

「アルコキシ」は、酸素原子に結合されたアルキルを意味する。 "Alkoxy" means an alkyl attached to an oxygen atom.

「アリール」は、芳香族環が1以上の炭素環に融合された基も含む。「アリール」の非制限的な例としては、フェニル、ナフチルまたはテトラヒドロナフチルなどを挙げることができる。 "Aryl" also includes groups in which an aromatic ring is fused to one or more carbocyclic rings. Non-limiting examples of "aryl" include phenyl, naphthyl or tetrahydronaphthyl and the like.

「ヘテロアリール」は、N、O、PまたはSのうちから選択された1以上のヘテロ原子を含み、残り環原子が炭素である単環(monocyclic)有機化合物または二環(bicyclic)有機化合物を意味する。前記ヘテロアリール基は、例えば、1~5個のヘテロ原子を含んでもよく、5~10環員(ring member)を含んでもよい。前記Sまたは前記Nは、酸化され、さまざまな酸化状態を有することができる。 "Heteroaryl" refers to a monocyclic or bicyclic organic compound containing one or more heteroatoms selected from N, O, P or S and wherein the remaining ring atoms are carbon. means. The heteroaryl group may contain, for example, 1-5 heteroatoms and may contain 5-10 ring members. The S or the N can be oxidized and have various oxidation states.

「ヘテロアリール」の非制限的な例としては、チエニル、フリル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、1,2,3-オキサジアゾリル、1,2,4-オキサジアゾリル、1,2,5-オキサジアゾリル、1,3,4-オキサジアゾリルギ、1,2,3-チアジアゾリル、1,2,4-チアジアゾリル、1,2,5-チアジアゾリル、1,3,4-チアジアゾリル、イソチアゾール-3-イル、イソチアゾール-4-イル、イソチアゾール-5-イル、オキサゾール-2-イル、オキサゾール-4-イル、オキサゾール-5-イル、イソオキサゾール-3-イル、イソオキサゾール-4-イル、イソオキサゾール-5-イル、1,2,4-トリアゾール-3-イル、1,2,4-トリアゾール-5-イル、1,2,3-トリアゾール-4-イル、1,2,3-トリアゾール-5-イル、テトラゾリル、ピリド-2-イル、ピリド-3-イル、2-ピラジン-2-イル、ピラジン-4-イル、ピラジン-5-イル、2-ピリミジン-2-イル、4-ピリミジン-2-イルまたは5-ピリミジン-2-イルなどを挙げることができる。 Non-limiting examples of "heteroaryl" include thienyl, furyl, pyrrolyl, imidazolyl, pyrazolyl, thiazolyl, isothiazolyl, 1,2,3-oxadiazolyl, 1,2,4-oxadiazolyl, 1,2,5-oxadiazolyl , 1,3,4-oxadiazolyl, 1,2,3-thiadiazolyl, 1,2,4-thiadiazolyl, 1,2,5-thiadiazolyl, 1,3,4-thiadiazolyl, isothiazol-3-yl , isothiazol-4-yl, isothiazol-5-yl, oxazol-2-yl, oxazol-4-yl, oxazol-5-yl, isoxazol-3-yl, isoxazol-4-yl, isoxazol- 5-yl, 1,2,4-triazol-3-yl, 1,2,4-triazol-5-yl, 1,2,3-triazol-4-yl, 1,2,3-triazol-5- yl, tetrazolyl, pyrid-2-yl, pyrid-3-yl, 2-pyrazin-2-yl, pyrazin-4-yl, pyrazin-5-yl, 2-pyrimidin-2-yl, 4-pyrimidin-2-yl yl or 5-pyrimidin-2-yl.

前記硫黄含有ベンゾチアゾール系化合物のメッキ液内濃度は、0.1ないし1g/lでもある。前記硫黄含有ベンゾチアゾール系化合物は、前記濃度範囲内において、改善された被膜柔軟性を得ることができる。 The concentration of the sulfur-containing benzothiazole-based compound in the plating solution is also 0.1 to 1 g/l. The sulfur-containing benzothiazole-based compound can provide improved film flexibility within the concentration range.

また、前記メッキ液は、安定剤をさらに含んでもよい。前記安定剤としては、酢酸鉛のようなPb化合物、酢酸ビスマスのようなBi化合物のような無機化合物;ブチンジオルのような有機化合物;などを含んでもよく、それらのうち単独または2以上を混合して使用することができる。 Also, the plating solution may further contain a stabilizer. The stabilizer may include Pb compounds such as lead acetate, inorganic compounds such as Bi compounds such as bismuth acetate; organic compounds such as butynediol; can be used

前記無電解ニッケルメッキ液は、pHが4ないし8でもある。例えば、前記無電解ニッケルメッキ液は、pHが4ないし7.5でもある。前記無電解ニッケルメッキ液は、前記pH範囲内において、メッキ溶液の分解を防止しながら、安定した析出速度を得ることができる。 The electroless nickel plating solution also has a pH of 4-8. For example, the electroless nickel plating solution may have a pH of 4 to 7.5. The electroless nickel plating solution can obtain a stable deposition rate within the pH range while preventing decomposition of the plating solution.

前記ニッケル含有メッキ層2,2’の厚みは、40nmないし250nmでもあり、例えば、40nmないし200nmでもあるか、あるいは40nmないし150μmでもある。前記ニッケル含有メッキ層2,2’は、前記厚み範囲内において、メッキが容易でありつつ、非伝導性高分子基材1に対する寸法安定性が向上しうる。 The thickness of said nickel-containing plating layer 2, 2' is also between 40 nm and 250 nm, for example between 40 nm and 200 nm, or between 40 nm and 150 µm. The nickel-containing plated layers 2 and 2 ′ can be easily plated within the thickness range and have improved dimensional stability with respect to the non-conductive polymer substrate 1 .

<銅メッキ層3,3’> <Copper plating layers 3, 3'>

前記銅メッキ層3,3’は、前記ニッケル含有メッキ層2,2’と同一に、水溶液状態で金属を蒸着させる無電解メッキ法によって形成された無電解メッキ層でもある。 The copper plating layers 3 and 3' are also electroless plating layers formed by electroless plating in which metal is deposited in an aqueous solution in the same manner as the nickel-containing plating layers 2 and 2'.

前記銅メッキ層3,3’は、例えば、次のようなメッキ液及び方法を利用し、無電解メッキ法を介しても形成される。 The copper plating layers 3 and 3' are also formed through an electroless plating method using, for example, the following plating solution and method.

前記無電解メッキは、当該技術分野で一般的に使用される方法を介しても遂行される。前記無電解メッキは、水平無電解メッキ法または/及び垂直無電解メッキ法いずれも利用可能である。 The electroless plating is also performed through methods commonly used in the art. The electroless plating can be either a horizontal electroless plating method or/and a vertical electroless plating method.

該メッキ液は、銅イオンの供給源、錯化剤またはキレート剤、還元剤、水、並びに選択的に1以上の界面活性剤、及び選択的に1以上のpH調節剤などを含んでもよい。 The plating solution may include a source of copper ions, a complexing or chelating agent, a reducing agent, water, optionally one or more surfactants, and optionally one or more pH adjusting agents.

前記銅イオンの供給源は、水溶性ハライド、硝酸塩、酢酸塩、硫酸塩、及び銅の他の有機塩及び無気塩を含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記銅イオンの供給源は、単独、またはそれらを組み合わせ、銅イオンを提供することができる。前記銅イオンの供給源は、例えば、硫酸銅、硫酸銅五水和物(copper sulfate pentahydrate)、塩化銅、窒化銅、水酸化銅、スルファミン酸銅、またはそれら組み合わせを含んでもよい。前記銅イオンの供給源は、0.5g/lないし30g/l、例えば、1g/lないし25g/l、例えば、5g/lないし20g/l、例えば、5g/lないし15g/l、例えば、10g/lないし15g/lの濃度でメッキ液にも含まれる。 The sources of copper ions may include, but are not limited to, water-soluble halides, nitrates, acetates, sulfates, and other organic and airless salts of copper. The sources of copper ions can be used alone or in combination to provide copper ions. The source of copper ions may include, for example, copper sulfate, copper sulfate pentahydrate, copper chloride, copper nitride, copper hydroxide, copper sulfamate, or combinations thereof. The source of copper ions is from 0.5 g/l to 30 g/l, such as from 1 g/l to 25 g/l, such as from 5 g/l to 20 g/l, such as from 5 g/l to 15 g/l, such as It is also contained in the plating solution at a concentration of 10g/l to 15g/l.

前記錯化剤または前記キレート剤は、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸ナトリウム、サリチル酸ナトリウム、エチレンジアミン四酢酸のナトリウム塩、ニトリロ酢酸及びそのアルカリ金属塩、グルコン酸、グルコネート、トリエチルアルコールアミン、改質されたエチレンジアミン四酢酸、S,S-エチレンジアミンジコハク酸、ヒダントイン及びヒダントイン誘導体、またはそれら組み合わせを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記ヒダントイン誘導体は、1-メチルヒダントイン、1,3-ジメチルヒダントイン及び5,5-ジメチルヒダントインを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記錯化剤は、10g/lないし150g/l、例えば、20g/lないし150g/l、例えば、30g/lないし100g/l、例えば、35g/lないし80g/l、及び、例えば、35g/lないし55g/lの濃度でメッキ液にも含まれる。前記還元剤は、ホルムアルデヒド、ホルムアルデヒド前駆体、ホルムアルデヒド誘導体、例えば、パラホルムアルデヒド;ボロヒドリド、例えば、ナトリウムボロヒドリド、置換されたボロヒドリド;ボラン、例えば、ジメチルアミンボラン(DMAB);糖類、例えば、ブドウ糖(グルコース)、グルコース、ソルビトール、セルロース、砂糖キビ砂糖、マンニトール及びグルコノラクトン;次亜リン酸塩及びその塩、例えば、ナトリウム次亜リン酸塩;ヒドロキノン;カテコール;レゾルシノール;キノール;ピロガロール;ヒドロキシキノール;フロログルシノール、グアイアコール;没食子;3,4-ジヒドロキシ安息香酸;フェノールスルホン酸;クレゾールスルホン酸;ヒドロキノンスルホン酸;カテコールスルホン酸;チロン;及び前述の還元剤いずれの塩を含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記還元剤は、0.5g/lないし100g/l、例えば、0.5g/lないし60g/l、例えば、1g/lないし50g/l、例えば、1g/lないし20g/l、例えば、1g/lないし10g/l、例えば、1g/lないし5g/lの濃度でメッキ液にも含まれる。 The complexing agent or the chelating agent includes sodium potassium tartrate, sodium tartrate, sodium salicylate, sodium salt of ethylenediaminetetraacetic acid, nitriloacetic acid and its alkali metal salts, gluconic acid, gluconate, triethylalcoholamine, modified ethylenediamine tetraacetic acid. It may include, but is not limited to, acetic acid, S,S-ethylenediamine disuccinic acid, hydantoin and hydantoin derivatives, or combinations thereof. Said hydantoin derivatives may include, but are not limited to, 1-methylhydantoin, 1,3-dimethylhydantoin and 5,5-dimethylhydantoin. The complexing agent is between 10 g/l and 150 g/l, such as between 20 g/l and 150 g/l, such as between 30 g/l and 100 g/l, such as between 35 g/l and 80 g/l, and such as between 35 g/l and It is also contained in the plating solution at a concentration of 1 to 55 g/l. The reducing agents include formaldehyde, formaldehyde precursors, formaldehyde derivatives such as paraformaldehyde; borohydrides such as sodium borohydride, substituted borohydrides; boranes such as dimethylamine borane (DMAB); sugars such as glucose (glucose ), glucose, sorbitol, cellulose, sugar cane sugar, mannitol and gluconolactone; hypophosphites and their salts, such as sodium hypophosphite; hydroquinone; catechol; gallic; 3,4-dihydroxybenzoic acid; phenolsulfonic acid; cresolsulfonic acid; hydroquinonesulfonic acid; catecholsulfonic acid; not to be The reducing agent may be from 0.5 g/l to 100 g/l, such as from 0.5 g/l to 60 g/l, such as from 1 g/l to 50 g/l, such as from 1 g/l to 20 g/l, such as 1 g /l to 10 g/l, such as 1 g/l to 5 g/l, in the plating solution.

前記メッキ液のpHは、7超過でもある。選択的には、1種以上のpH調節剤は、前記メッキ液に含まれ、前記メッキ液のpHをアルカリ性pHに調節することができる。前記pH調節剤は、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基、またはそれら混合物を含んでもよい。例えば、前記無機酸は、リン酸、硝酸、硫酸、塩酸、またはそれら組み合わせを含んでもよい。例えば、前記無機塩基は、水酸化アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、またはそれら組み合わせを含んでもよい。 The pH of the plating solution is also greater than 7. Optionally, one or more pH adjusting agents may be included in the plating solution to adjust the pH of the plating solution to an alkaline pH. The pH modifier may comprise organic acids, inorganic acids, organic bases, inorganic bases, or mixtures thereof. For example, the inorganic acid may include phosphoric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, or combinations thereof. For example, the inorganic base may include ammonium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, or combinations thereof.

選択的には、1種以上の界面活性剤は、前記メッキ液にも含まれる。そのような界面活性剤は、イオン性、例えば、陽イオン性及び陰イオン性の界面活性剤、非イオン性及び両性の界面活性剤を含んでもよい。前記界面活性剤は、単独またはその混合物が使用されうる。前記界面活性剤は、0.001g/lないし50g/l、例えば、0.01g/lないし50g/lの濃度でメッキ液にも含まれる。前記陽イオン性界面活性剤は、テトラアルキルアンモニウムハライド、アルキルトリメチルアンモニウムハライド、ヒドロキシエチルアルキルイミダゾリン、アルキルベンザルコニウムハライド、アルキルアミンアセテート、オレイン酸アルキルアミン及びアルキルアミノエチルグリシンを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記陰イオン性界面活性剤は、アルキルベンゼンスルホネート、アルキルナフタレンスルホネートまたはアルコキシナフタレンスルホネート、アルキルジフェニルエーテルスルホネート、アルキルエーテルスルホネート、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル硫酸エステル、高級アルコールリンモノエステル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸(リン酸塩)及びアルキルスルホスクシネートを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記非イオン性界面活性剤は、20ないし150個の反復単位を有するアルキルフェノキシポリエトキシエタノール、ポリオキシエチレン重合体、並びにポリオキシエチレン及びポリオキシプロピレンのランダム共重合体及びブロック共重合体を含んでもよいが、それらに制限されるものではない。前記両性界面活性剤は、2-アルキル-N-カルボン酸メチル、エチル-N-ヒドロキシエチルまたはメチルイミダゾリニウムベタイン;2-アルキル-N-カルボン酸メチルまたはエチル-N-カルボキシメチルオキシエチルイミダゾリニウムベタイン;ジメチルアルキルベタイン、N-アルキル-β-アミノプロピオン酸またはそれらの塩;及び脂肪酸アミドプロピルジメチルアミノ酢酸ベタインを含んでもよいが、それらに制限されるものではない。 Optionally, one or more surfactants are also included in the plating solution. Such surfactants may include ionic, such as cationic and anionic surfactants, nonionic and amphoteric surfactants. The surfactants may be used alone or as a mixture thereof. The surfactant is also contained in the plating solution at a concentration of 0.001 g/l to 50 g/l, such as 0.01 g/l to 50 g/l. Said cationic surfactants may include tetraalkylammonium halides, alkyltrimethylammonium halides, hydroxyethylalkylimidazolines, alkylbenzalkonium halides, alkylamine acetates, alkylamine oleates and alkylaminoethylglycine, although these is not limited to The anionic surfactants include alkylbenzene sulfonates, alkylnaphthalene sulfonates or alkoxynaphthalene sulfonates, alkyldiphenyl ether sulfonates, alkyl ether sulfonates, alkyl sulfates, polyoxyethylene alkyl ether sulfates, polyoxyethylene alkylphenol ether sulfates, and higher alcohols. Phosphorus monoesters, polyoxyalkylene alkyl ether phosphates (phosphates) and alkyl sulfosuccinates may include, but are not limited to. The nonionic surfactants include alkylphenoxypolyethoxyethanols having 20 to 150 repeating units, polyoxyethylene polymers, and random and block copolymers of polyoxyethylene and polyoxypropylene. However, it is not limited to them. Said amphoteric surfactant is methyl 2-alkyl-N-carboxylate, ethyl-N-hydroxyethyl or methylimidazolinium betaine; methyl 2-alkyl-N-carboxylate or ethyl-N-carboxymethyloxyethylimidazol dimethylalkylbetaine, N-alkyl-β-aminopropionic acid or salts thereof; and fatty acid amidopropyldimethylaminoacetate betaine, but are not limited thereto.

前記銅メッキ層3,3’の厚みは、40nmないし150nmでもあり、例えば、50nmないし140nmでもあるか、あるいは60nmないし140μmでもある。前記銅メッキ層3,3’は、前記厚み範囲内において、メッキが容易であり、非伝導性高分子基材1に対する寸法安定性が向上しうる。 The thickness of said copper plating layer 3, 3' is also between 40 nm and 150 nm, for example between 50 nm and 140 nm, or between 60 nm and 140 µm. The copper plating layers 3 and 3 ′ can be easily plated within the above thickness range, and can improve the dimensional stability with respect to the non-conductive polymer substrate 1 .

本明細書において、各層の厚みは、当該技術分野において、一般的な方法で測定することができる。例えば、各層の厚みは、X線蛍光(XRF:X-ray fluorescence)分析法を利用して測定することができる。前記X線蛍光分析法は、一定エネルギーを有した一次X線を対象物質に照射し、その物質の内側から励起によって放出された電子位置に、外郭電子が転移する間に放出される特定X線エネルギーの大きさを検出し、メッキ厚により、そのエネルギー強度が異なる原理を利用して分析する方法である。 In this specification, the thickness of each layer can be measured by a general method in the technical field. For example, the thickness of each layer can be measured using X-ray fluorescence (XRF) analysis. The X-ray fluorescence analysis method irradiates a target substance with primary X-rays having a certain energy, and emits specific X-rays while outer electrons move to electron positions emitted by excitation from the inside of the substance. This is a method of analyzing by detecting the magnitude of energy and utilizing the principle that the energy intensity differs depending on the plating thickness.

<軟性銅箔積層フィルム10> <Flexible copper foil laminate film 10>

前記軟性銅箔積層フィルムを1~60日間放置した後、150℃で30分間熱処理し、前記寸法において、最大寸法から最小寸法を差し引いた値である前記非伝導性高分子基材に対する寸法変化率が0.015以下でもある。 After leaving the flexible copper foil laminate film for 1 to 60 days, it is heat-treated at 150° C. for 30 minutes. is also 0.015 or less.

前記「初期寸法」は、所定サイズに切ったサンプルに対し、複数個の標準点を表示し、前記複数個の標準点間の距離を測定した平均値を意味し、前記「1~60日間放置した後の寸法」は、前記複数個の標準点が表示されたサンプルを1~60日間放置した後、150℃で30分間熱処理し、前記複数個の標準点間の距離を測定した平均値を意味する。 The "initial dimension" means the average value obtained by displaying a plurality of standard points on a sample cut into a predetermined size and measuring the distance between the plurality of standard points. "Dimensions after measurement" is the average value obtained by measuring the distance between the plurality of standard points after leaving the sample on which the plurality of standard points are displayed for 1 to 60 days, followed by heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes. means.

<電子素子> <Electronic element>

電子素子は、前述の軟性銅箔積層フィルムを含んでもよい。前記電子素子は、例えば、電子回路素子または電子部品などを含んでもよい。前記電子回路素子は、例えば、半導体、印刷回路基板または配線基板などを含んでもよい。前記電子素子は、例えば、LCD、OLEDのようなディスプレイ素子を含んでもよい。 The electronic device may include the flexible copper foil laminate film described above. The electronic elements may include, for example, electronic circuit elements or electronic components. The electronic circuit element may include, for example, a semiconductor, a printed circuit board, or a wiring board. Said electronic device may for example comprise a display device such as an LCD, OLED.

<軟性銅箔積層フィルム10の製造方法> <Method for producing flexible copper foil laminate film 10>

一具現例による軟性銅箔積層フィルムの製造方法は、非伝導性高分子基材を準備する段階と、前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に、ニッケル含有無電解メッキ層を形成する段階と、前記ニッケル含有無電解メッキ層の一面に、銅無電解メッキ層を形成し、前述の軟性銅箔積層フィルムを製造する段階と、を含んでもよい。 A method for manufacturing a flexible copper clad laminate film according to one embodiment includes the steps of preparing a non-conductive polymer substrate and forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of the non-conductive polymer substrate. and forming a copper electroless plating layer on one surface of the nickel-containing electroless plating layer to produce the flexible copper clad laminate film.

前記非伝導性高分子基材を準備する段階は、非伝導性高分子基材から水分及び残留ガスを除去するために、乾燥段階をさらに含んでもよい。 The step of preparing the non-conductive polymeric substrate may further include a drying step to remove moisture and residual gas from the non-conductive polymeric substrate.

前記乾燥段階は、例えば、真空雰囲気において、赤外線(IR)ヒータを利用し、50ないし300℃において、例えば、60ないし280℃、あるいは70ないし270℃においても遂行される。前記乾燥温度範囲内において、非伝導性高分子基材が損傷されて品質が低下することなしに、水分を正しく除去することができる効果がある。 The drying step is performed, for example, at 50-300° C., for example, 60-280° C., or even 70-270° C., using an infrared (IR) heater in a vacuum atmosphere. Within the drying temperature range, moisture can be properly removed without damaging the non-conductive polymer substrate and deteriorating its quality.

前記ニッケル含有無電解メッキ層を形成する段階は、湿式無電解メッキ法により、ニッケル含有メッキ層を形成することができる。 The step of forming the nickel-containing electroless plating layer may form the nickel-containing plating layer using a wet electroless plating method.

前記湿式無電解メッキ法実施は、メッキ条件及びメッキ装置が限定されるものではなく、一般的な方法により、適切に選択して実施することができる。例えば、前記組成の無電解ニッケル含有メッキ液を、被メッキ物に浸漬させたり接触させたりする方法で実施することができる。このとき、メッキ処理温度は、45ないし90℃でもあり、例えば、47ないし87℃でもあるか、あるいは50ないし85℃でもある。メッキ処理時間は、形成されるニッケルメッキ被膜の膜厚などにより、適切に設定することができるが、例えば、0.1ないし60分、例えば、0.5ないし10分でもある。前記メッキ処理温度及び前記メッキ処理時間の範囲内において、安定したニッケル含有メッキ層を形成することができる。 The wet electroless plating method is not limited in terms of plating conditions and plating equipment, and can be performed by appropriately selecting a general method. For example, the electroless nickel-containing plating solution having the above composition can be immersed in or brought into contact with the object to be plated. At this time, the plating temperature is also 45 to 90°C, for example, 47 to 87°C, or 50 to 85°C. The plating treatment time can be appropriately set depending on the thickness of the nickel plating film to be formed, and is, for example, 0.1 to 60 minutes, such as 0.5 to 10 minutes. A stable nickel-containing plating layer can be formed within the ranges of the plating temperature and the plating time.

前記銅無電解メッキ層を形成し、前述の軟性銅箔積層フィルムを製造する段階は、湿式無電解メッキ法により、銅メッキ層を形成することができる。前記銅メッキ層形成方法は、メッキ条件及びメッキ装置が限定されるものではなく、一般的な方法により、適切に選択して実施することができる。例えば、前記組成の無電解銅メッキ液を、被メッキ物に浸漬させたり接触させたりする方法によって実施することができる。このとき、該メッキ処理温度は、例えば、室温ないし約50℃の温度においても遂行される。該メッキ処理時間は、形成される銅メッキ被膜の膜厚などにより、適切に設定することができるが、例えば、0.1ないし60分、例えば、0.5ないし30分でもある。前記メッキ処理温度及び前記メッキ処理時間の範囲内において、安定的な銅メッキ層を形成することができる。 In the step of forming the copper electroless plating layer and manufacturing the flexible copper clad film, the copper plating layer may be formed by a wet electroless plating method. The method for forming the copper plating layer is not limited in terms of plating conditions and plating equipment, and can be carried out by appropriately selecting a general method. For example, the electroless copper plating solution having the above composition can be immersed in or brought into contact with the object to be plated. At this time, the plating temperature is, for example, room temperature to about 50.degree. The plating treatment time can be appropriately set depending on the film thickness of the copper plating film to be formed, and is, for example, 0.1 to 60 minutes, or, for example, 0.5 to 30 minutes. A stable copper plating layer can be formed within the ranges of the plating temperature and the plating time.

以下、実施例と比較例とを記載する。しかし、下記実施例は、本発明の一実施例であるのみ、本発明の範疇内、及び技術思想範囲内において、多様な変更及び修正が可能であるということは、当業者において明白なことであり、そのような変更及び修正が添付された実施例が、特許請求の範囲に属することも、言うまでもない。 Examples and comparative examples are described below. However, the following embodiment is only one embodiment of the present invention, and it is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the present invention and within the scope of the technical idea. It goes without saying that embodiments with such changes and modifications fall within the scope of the claims.

実施例1:軟性銅箔積層フィルムExample 1: Flexible copper foil laminate film

非伝導性高分子基材として、厚みが25μmであるポリイミドフィルム(Kapton 100ENC、TDC社製)を使用した。前記ポリイミドフィルム基材1の両面に、それぞれ水平無電解メッキ法により、無電解ニッケルメッキ層(厚み:約100nm)2,2’及び無電解銅メッキ層(厚み:約100nm)3,3’を順次に形成し、図1から分かるように、軟性銅箔積層フィルム10を作製した。 A polyimide film (Kapton 100ENC, manufactured by TDC) with a thickness of 25 μm was used as a non-conductive polymer substrate. Electroless nickel plating layers (thickness: about 100 nm) 2, 2' and electroless copper plating layers (thickness: about 100 nm) 3, 3' are formed on both sides of the polyimide film substrate 1 by horizontal electroless plating. They were formed in sequence, and as can be seen from FIG. 1, a flexible copper foil laminate film 10 was produced.

(無電解ニッケルメッキ液) (Electroless nickel plating solution)

・メッキ液:ニッケル塩水和物NiSO・6HOのニッケルイオンの濃度が約5g/Lになるように設定
・バス(bath)温度:約60℃
・ニッケル析出時間:約1分
・pH濃度:約7.3
(無電解銅メッキ液)
・メッキ液:硫酸銅16.25ml/L、硫酸3.25ml/L
・バス温度:34℃
・銅析出時間:約2.5分
・pH濃度:約13.0
・Plating solution: Nickel salt hydrate NiSO 4 .6H 2 O is set so that the concentration of nickel ions is about 5 g/L ・Bath temperature: about 60°C
・Nickel deposition time: about 1 minute ・pH concentration: about 7.3
(Electroless copper plating solution)
・Plating solution: copper sulfate 16.25 ml/L, sulfuric acid 3.25 ml/L
・Bath temperature: 34℃
・Copper deposition time: about 2.5 minutes ・pH concentration: about 13.0

比較例1:軟性銅箔積層フィルムComparative Example 1: Flexible copper foil laminate film

非伝導性高分子基材として、厚みが25μmであるポリイミドフィルム(Kapton 100ENC、TDC社製)を使用した。前記ポリイミドフィルム基材1の一面に、ロール・ツー・ロールタイプのスパッタリング装置を利用し、物理気相蒸着法(PVD)で、Ni-Cr合金タイ層及びCuシード層を順次に形成した。このとき、前記タイ層は、NiとCrとの重量比を80:20(純度:99.9%以上)にし、約250Å厚に形成し、Cuシード層は、純度99.995%銅を利用し、約1,000Å厚に形成し、軟性銅箔積層フィルムを作製した。 A polyimide film (Kapton 100ENC, manufactured by TDC) with a thickness of 25 μm was used as a non-conductive polymer substrate. A Ni—Cr alloy tie layer and a Cu seed layer were sequentially formed on one surface of the polyimide film substrate 1 by physical vapor deposition (PVD) using a roll-to-roll type sputtering apparatus. At this time, the tie layer has a weight ratio of Ni and Cr of 80:20 (purity: 99.9% or more) and is formed to a thickness of about 250 Å, and the Cu seed layer uses copper with a purity of 99.995%. and formed to a thickness of about 1,000 Å to produce a flexible copper foil laminate film.

比較例2:軟性銅箔積層フィルムComparative Example 2: Flexible copper foil laminated film

銅シード層上に、硫酸銅メッキ液を利用した電解メッキ法で約4μm厚の銅メッキ層を形成した。このとき、メッキ液は、Cu2+濃度約26g/Lと硫酸約188g/Lとの溶液を利用した。バス温度約30℃で、電流密度約1.7A/dmで電流を印加し、厚みが約4μmである銅電解メッキ層を形成し、軟性銅箔積層フィルムを作製したことを除いては、比較例1と同一方法で軟性銅箔積層フィルムを作製した。 A copper plating layer having a thickness of about 4 μm was formed on the copper seed layer by electroplating using a copper sulfate plating solution. At this time, the plating solution used was a solution containing about 26 g/L of Cu 2+ and about 188 g/L of sulfuric acid. At a bath temperature of about 30° C., a current was applied at a current density of about 1.7 A/dm 2 to form a copper electroplating layer with a thickness of about 4 μm to produce a flexible copper foil laminate film. A flexible copper foil laminate film was produced in the same manner as in Comparative Example 1.

分析例1:XRD(X-ray diffraction)分析Analysis example 1: XRD (X-ray diffraction) analysis

実施例1、比較例1及び比較例2による軟性銅箔積層フィルムそれぞれに対し、XRD分析実験を行った。前記XRD分析は、Cu K-アルファ特性X線波長1.541Åを利用した。実施例1による軟性銅箔積層フィルムは、図2から分かるように、ブラッグ2θ角43°において、(111)面のピークが観察された。前記実施例1、比較例1及び比較例2による軟性銅箔積層フィルムを60日間放置した後、前記(111)面のピークから得た半値幅(FWHM)を利用し、下記数式1により、半値幅変動率を計算した。その結果を下記表1に示した。 An XRD analysis experiment was performed on the flexible copper foil laminate films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2, respectively. The XRD analysis utilized a Cu K-alpha characteristic X-ray wavelength of 1.541 Å. As can be seen from FIG. 2, in the flexible copper foil laminate film according to Example 1, a peak of the (111) plane was observed at a Bragg 2θ angle of 43°. After leaving the flexible copper foil laminate films according to Example 1, Comparative Examples 1 and 2 for 60 days, the half maximum width (FWHM) obtained from the peak of the (111) plane was calculated by the following Equation 1. We calculated the price fluctuation rate. The results are shown in Table 1 below.

Figure 0007208352000003
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Figure 0007208352000004
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表1を参照すれば、実施例1による軟性銅箔積層フィルムを60日間放置した後、(111)面のピークに係わる半値幅変動率が0.01と、ほぼ変化がなかったが、比較例1、2による軟性銅箔積層フィルムは、0.095、0.024と、若干変化があった。それにより、実施例1による軟性銅箔積層フィルムが、比較例1,2による軟性銅箔積層フィルムと比較し、結晶性が向上されたことが分かる。 Referring to Table 1, after the flexible copper clad laminate film according to Example 1 was left for 60 days, the half-value width fluctuation rate related to the peak of the (111) plane remained almost unchanged at 0.01. The soft copper foil laminate films according to 1 and 2 had slight changes of 0.095 and 0.024. As a result, it can be seen that the flexible copper foil laminate film according to Example 1 has improved crystallinity as compared with the flexible copper foil laminate films according to Comparative Examples 1 and 2.

分析例2:寸法安定性分析Analysis example 2: Dimensional stability analysis

実施例1、比較例1及び比較例2による軟性銅箔積層フィルムのポリイミド基材フィルムに対し、60日間寸法安定性を分析した。その結果を下記表2に示した。 The polyimide base films of the flexible copper foil laminate films according to Example 1, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 were analyzed for 60-day dimensional stability. The results are shown in Table 2 below.

該寸法安定性は、次のような方法で分析した。 The dimensional stability was analyzed by the following method.

実施例1、比較例1及び比較例2による軟性銅箔積層フィルムを、295mm×235mmサイズに切ったサンプルを準備した。前記サンプルに対し、8個の標準点を表示した(図3A)。三次元測定器で、前記標準点間の距離を測定(図3B)し、平均値(初期寸法)を求めた。前記サンプルのポリイミド基材フィルム面に、前記標準点に該当する8個の点をパンチングし、前記サンプルを恒温恒湿室(23±2℃、50±5%)に1~60日間放置した。その後、前記サンプルを150℃で30分間熱処理し、恒温恒湿室に24時間放置した後、三次元測定器で、前記ポリイミド基材フィルムに対する前記標準点に該当する8個の点間距離を測定し、平均値(1~60日間放置した後の寸法)を求め、前記寸法において、最大寸法から最小寸法を差し引いた値を寸法変化率にした。 Samples were prepared by cutting the flexible copper foil laminate films according to Example 1, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 into a size of 295 mm×235 mm. Eight standard points were displayed for the samples (Fig. 3A). The distance between the standard points was measured with a three-dimensional measuring device (Fig. 3B), and the average value (initial dimension) was obtained. Eight points corresponding to the standard points were punched on the surface of the polyimide base film of the sample, and the sample was left in a constant temperature and humidity room (23±2° C., 50±5%) for 1 to 60 days. After that, the sample was heat-treated at 150° C. for 30 minutes, left in a constant temperature and humidity room for 24 hours, and then measured with a three-dimensional measuring device to measure the distances between the eight points corresponding to the standard points for the polyimide base film. Then, an average value (dimension after standing for 1 to 60 days) was obtained, and the value obtained by subtracting the minimum dimension from the maximum dimension was taken as the dimensional change rate.

Figure 0007208352000005
Figure 0007208352000005

表2を参照すれば、実施例1による軟性銅箔積層フィルムのポリイミド基材フィルムに対する寸法変化率は、0.014であることを確認することができ、比較例1,2による軟性銅箔積層フィルムのポリイミド基材フィルムに対する寸法変化率は、それぞれ0.018、0.017であることを確認することができる。それにより、前記実施例1による軟性銅箔積層フィルムが、比較例1,2による軟性銅箔積層フィルムと比較し、ポリイミド基材フィルムに対し、60日間寸法安定性が優秀であるということが分かる。 Referring to Table 2, it can be seen that the dimensional change rate of the flexible copper clad film according to Example 1 with respect to the polyimide base film was 0.014. It can be confirmed that the dimensional change ratio of the film to the polyimide base film is 0.018 and 0.017, respectively. As a result, it can be seen that the flexible copper clad laminate film according to Example 1 has superior dimensional stability for 60 days to the polyimide base film compared to the flexible copper clad laminate films according to Comparative Examples 1 and 2. .

1 非伝導性高分子基材
2 ニッケル含有メッキ層
2’ ニッケル含有メッキ層
3 銅メッキ層
3’ 銅メッキ層
10 軟性銅箔積層フィルム
REFERENCE SIGNS LIST 1 non-conductive polymeric substrate 2 nickel-containing plating layer 2' nickel-containing plating layer 3 copper plating layer 3' copper plating layer 10 flexible copper foil laminate film

Claims (8)

非伝導性高分子基材と、
前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に位置したニッケル含有メッキ層と、
前記ニッケル含有メッキ層上に位置した銅メッキ層と、を含む軟性銅箔積層フィルムであって、
前記ニッケル含有メッキ層及び前記銅メッキ層は、それぞれ無電解メッキ層であり、
前記銅メッキ層は、X線回折スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる下記数式1によって計算された半値幅変動率が0.01°以下であり、
半値幅(111)変動率={(60日間放置した後の半値幅)-(初期半値幅)}…数式1
であり、
前記軟性銅箔積層フィルムを295mm×235mmのサイズに切り、切断した軟性銅箔積層フィルム内に8個の点を表示し、前記8個の点の間の距離を測定して初期寸法を求め、恒温(23±2℃)及び恒湿(50±5%)で1~60日間放置した後、150℃で30分間熱処理して24時間放置した後、前記8個の点間の距離を測定して1~60日間放置した後の各寸法を求め、前記初期寸法の値および前記1~60日間放置した後の各寸法の値うち最大値から最小値を引いた値である前記非伝導性高分子基材の寸法変化率が0.015以下である、軟性銅箔積層フィルム。
a non-conductive polymeric substrate;
a nickel-containing plating layer located on at least one surface of the non-conductive polymer substrate;
A flexible copper foil laminate film comprising a copper plating layer located on the nickel-containing plating layer,
The nickel-containing plating layer and the copper plating layer are electroless plating layers,
In the X-ray diffraction spectrum, the copper plating layer has a half-value width fluctuation rate of 0.01° or less, which is calculated by the following formula 1 related to the peak of the (111) plane,
Half-value width (111) fluctuation rate = {(half-value width after leaving for 60 days)-(initial half-value width)} ... Equation 1
and
Cut the flexible copper foil laminate film into a size of 295 mm × 235 mm, mark 8 points in the cut flexible copper foil laminate film, measure the distance between the 8 points to obtain the initial size, After standing for 1 to 60 days at constant temperature (23±2° C.) and constant humidity (50±5%), heat treatment at 150° C. for 30 minutes and leave for 24 hours, then measure the distance between the eight points. The non-conductive polymer, which is the value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the initial dimension value and the value of each dimension after being left for 1 to 60 days. A flexible copper foil laminate film in which the dimensional change rate of the substrate is 0.015 or less .
前記銅メッキ層は、X線回折スペクトルにおいて、(111)面のピークに係わる半値幅が0.20~0.35°である、請求項1に記載の軟性銅箔積層フィルム。 2. The flexible copper clad laminate film according to claim 1, wherein the copper plating layer has a half width of 0.20 to 0.35° for the peak of the (111) plane in the X-ray diffraction spectrum. 前記銅メッキ層の厚みが40nm~150nmである、請求項1に記載の軟性銅箔積層フィルム。 2. The flexible copper foil laminate film according to claim 1, wherein the copper plating layer has a thickness of 40 nm to 150 nm. 前記ニッケル含有メッキ層は、ニッケル層を含む、請求項1に記載の軟性銅箔積層フィルム。 2. The flexible copper foil laminate film according to claim 1, wherein said nickel-containing plating layer comprises a nickel layer. 前記ニッケル含有メッキ層の厚みが40nmないし250nmである、請求項1に記載の軟性銅箔積層フィルム。 2. The flexible copper foil laminate film according to claim 1, wherein the nickel-containing plating layer has a thickness of 40 nm to 250 nm. 前記非伝導性高分子基材が、フェノール系樹脂、フェノールアルデヒド系樹脂、アリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエステル系樹脂及びポリイミド系樹脂から選択された1種以上を含む、請求項1に記載の軟性銅箔積層フィルム。 The non-conductive polymer base material is one or more selected from phenolic resins, phenolaldehyde-based resins, allyl-based resins, epoxy-based resins, polyethylene-based resins, polypropylene-based resins, polyester-based resins, and polyimide-based resins. The flexible copper foil laminate film of claim 1, comprising: 請求項1ないしのうちいずれか1項に記載の軟性銅箔積層フィルムを含む、電子素子。 An electronic device comprising the flexible copper foil laminate film according to any one of claims 1 to 6 . 非伝導性高分子基材を準備する段階と、
前記非伝導性高分子基材の少なくとも一面に、ニッケル含有無電解メッキ層を形成する段階と、
前記ニッケル含有無電解メッキ層の一面に、銅無電解メッキ層を形成し、請求項1ないしのうちいずれか1項に記載の軟性銅箔積層フィルムを製造する段階と、を含む軟性銅箔積層フィルムの製造方法。
providing a non-conductive polymeric substrate;
forming a nickel-containing electroless plating layer on at least one surface of the non-conductive polymer substrate;
forming a copper electroless plating layer on one surface of the nickel-containing electroless plating layer to manufacture the flexible copper foil laminate film according to any one of claims 1 to 6 . A method for producing a laminated film.
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