KR102316288B1 - Film for preventing humidity from percolation and Method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 투습 방지막; 및 상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고, 상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어진 투습 방지막과 그 제조방법 및 그를 이용한 유기 발광 소자와 그 제조방법을 제공한다. The present invention is a first moisture-permeable barrier; and a second moisture permeation prevention film provided on the first moisture permeation barrier film, wherein the composition of the first vapor permeation barrier film and the second vapor permeation barrier film are different from each other, and the second moisture permeation barrier film has a different composition ratio. Provided are a moisture-permeable barrier film formed by alternately stacking a lamination region and a second lamination region, a method for manufacturing the same, an organic light emitting device using the same, and a method for manufacturing the same.

Description

투습 방지막과 그 제조 방법{Film for preventing humidity from percolation and Method for manufacturing the same}Moisture-permeable film and its manufacturing method {Film for preventing humidity from percolation and Method for manufacturing the same}

본 발명은 투습 방지막에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유기 발광 소자에 적용될 수 있는 투습 방지막 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a moisture-permeable barrier film, and more particularly, to a moisture-permeable barrier film applicable to an organic light emitting device and a method for manufacturing the same.

유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device)는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기 상태(excited state)에서 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으키는 소자이다. An organic light emitting device has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, and electrons and anodes generated from the cathode When the generated holes are injected into the light emitting layer, the injected electrons and holes combine to generate an exciton, and the generated exciton falls from an excited state to a ground state, causing light emission. is a small

이와 같은 유기 발광 소자의 경우 상기 발광층에 수분이 침투하게 되면 상기 발광층이 쉽게 열화되어 소자 특성이 떨어지고 수명도 단축된다. 따라서, 유기 발광 소자의 상면에는 상기 발광층에 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 투습 방지막이 형성된다. In the case of such an organic light emitting device, when moisture penetrates into the light emitting layer, the light emitting layer is easily deteriorated, so that device characteristics are deteriorated and the lifespan of the light emitting layer is shortened. Accordingly, a moisture permeation barrier for preventing moisture from penetrating into the light emitting layer is formed on the upper surface of the organic light emitting diode.

이하, 도면을 참조로 종래의 유기 발광 소자에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional organic light emitting device will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting device.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 유기 발광 소자는, 기판(1), 발광부(2), 및 투습 방지막(3)을 포함하여 이루어진다. As can be seen from FIG. 1 , a conventional organic light emitting device includes a substrate 1 , a light emitting unit 2 , and a moisture permeation barrier 3 .

상기 발광부(2)는 상기 기판(1) 상에 형성되어 있다. 상기 발광부(2)는 양극, 음극, 및 상기 양극과 음극 사이에 구비된 유기 발광층을 포함하여 이루어진다. The light emitting part 2 is formed on the substrate 1 . The light emitting unit 2 includes an anode, a cathode, and an organic light emitting layer provided between the anode and the cathode.

상기 투습 방지막(3)은 상기 발광부(2) 상에 형성되어 상기 발광부(2) 내로 수분이 침투하는 것을 방지한다. The moisture permeation barrier 3 is formed on the light emitting unit 2 to prevent moisture from penetrating into the light emitting unit 2 .

이와 같은 종래의 유기 발광 소자는 상기 투습 방지막(3)의 재료로 무기 절연물을 이용하고 있는데, 그 형성 공정의 한계로 인해서 투습 방지 효과가 떨어지는 단점이 있다. Such a conventional organic light emitting device uses an inorganic insulating material as a material of the moisture permeation barrier 3, but has a disadvantage in that the moisture permeation prevention effect is lowered due to the limitation of the formation process.

무기 절연물은 화학적 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 공정을 통해 형성하는데, 증착 공정시 박막에 핀 홀(Pin hole)과 같은 결함(defect)이 발생하게 되면, 박막이 성장하면서 상기 핀 홀과 같은 결함도 함께 성장하게 된다. 즉, 상기 핀 홀과 같은 결함이 상기 투습 방지막(3)의 하부에서부터 상부까지 연속적으로 형성되기 때문에, 외부의 수분이 상기 결함이 있는 영역을 통해서 상기 발광부(2)로 쉽게 침투할 수 있어 상기 발광부(2)를 쉽게 열화시키는 문제가 있다. Inorganic insulators are formed through a chemical vapor deposition (CVD) process. When a defect such as a pin hole occurs in a thin film during the deposition process, the thin film grows as the pin hole is formed. Defects also grow. That is, since defects such as the pinhole are continuously formed from the lower part to the upper part of the moisture permeation barrier 3, external moisture can easily penetrate into the light emitting part 2 through the defective area. There is a problem in that the light emitting part 2 is easily deteriorated.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 핀 홀과 같은 결함이 하부에서 상부까지 연속적으로 형성되는 것을 차단하여 수분 침투 방지 효과가 우수한 투습 방지막과 그 제조방법 및 그를 이용한 유기 발광 소자와 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised to solve the conventional problems, and the present invention is a moisture permeation prevention film excellent in preventing moisture penetration by preventing defects such as pinholes from being formed continuously from the bottom to the top, and a method for manufacturing the same, and an organic method using the same An object of the present invention is to provide a light emitting device and a method for manufacturing the same.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 투습 방지막; 및 상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고, 상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어진 투습 방지막을 제공한다. The present invention, in order to achieve the above object, a first moisture-permeable barrier; and a second moisture permeation prevention film provided on the first moisture permeation barrier film, wherein the composition of the first vapor permeation barrier film and the second vapor permeation barrier film are different from each other, and the second moisture permeation barrier film has a different composition ratio. There is provided an anti-moisture barrier film in which the lamination region and the second lamination region are alternately laminated.

상기 제1 투습 방지막은 2 종류의 성분으로 이루어져 있고, 상기 제2 투습 방지막은 상기 2 종류의 성분에 1 종류의 성분이 추가되어 3 종류의 성분으로 이루어질 수 있다. The first moisture permeation barrier may include two types of components, and the second moisture permeation barrier may include three types of components by adding one component to the two types of components.

상기 제1 투습 방지막의 하면은 상기 제1 투습 방지막의 상면보다 실리콘 함유량이 많을 수 있다. The lower surface of the first moisture permeation barrier may have a higher silicon content than the upper surface of the first moisture permeation barrier.

상기 제1 투습 방지막의 중앙부는 상기 제1 투습 방지막의 하면 및 상면보다 실리콘 함유량이 많을 수 있다. The central portion of the first moisture permeation barrier may have a higher silicon content than the lower surface and upper surface of the first moisture permeation barrier.

상기 제1 적층 영역에 포함된 질소의 함유량은 상기 제1 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량보다 많고, 상기 제2 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량은 상기 제2 적층 영역에 포함된 질소의 함유량보다 많을 수 있다. A content of nitrogen included in the first stacked region is greater than a content of silicon included in the first stacked region, and a content of silicon included in the second stacked region is higher than a content of nitrogen included in the second stacked region. can be many

상기 제1 적층 영역의 하층은 상기 제1 적층 영역의 상층보다 질소 함유량이 많고, 상기 제2 적층 영역의 하층은 상기 제2 적층 영역의 상층보다 실리콘 함유량이 많을 수 있다. A lower layer of the first stacked region may have a higher nitrogen content than an upper layer of the first stacked region, and a lower layer of the second stacked region may have a higher silicon content than an upper layer of the second stacked region.

상기 제1 적층 영역의 질소 함유량은 하층에서 중간층으로 갈수록 증가하다고 중간층에서 상측으로 갈수록 감소하고, 상기 제2 적층 영역의 실리콘 함유량은 하층에서 중간층으로 갈수록 증가하다고 중간층에서 상측으로 갈수록 감소할 수 있다. The nitrogen content of the first lamination region may decrease from the middle layer to the upper side as it increases from the lower layer to the middle layer, and the silicon content of the second lamination region increases from the lower layer to the middle layer and may decrease from the middle layer to the upper side.

본 발명은 또한, 제1 소스 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료시점까지 계속해서 공급하는 공정; 플라즈마를 상기 반응 초기 시점부터 상기 반응 종료시점까지 계속해서 형성시키는 공정; 및 상기 제1 소스 가스를 공급한 이후에 제2 소스 가스와 제3 소스 가스를 펄스 구동을 가지도록 교대로 공급하는 공정을 포함하는 투습 방지막의 제조 방법을 제공한다. The present invention also provides a process of continuously supplying the first source gas from the initial point of the reaction to the end of the reaction; continuously forming plasma from the initial point of the reaction to the end of the reaction; and alternately supplying a second source gas and a third source gas to have a pulse driving after supplying the first source gas.

상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스를 공급하는 공정은 상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스의 공급량을 일정하게 유지하면서 공급하는 공정을 포함할 수 있다. The process of supplying the second source gas and the third source gas may include supplying the second source gas and the third source gas while maintaining a constant supply amount.

상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스를 공급하는 공정은 상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스의 공급량을 점차로 증가시키다가 다시 점차로 감소시키는 공정을 포함할 수 있다. The process of supplying the second source gas and the third source gas may include a process of gradually increasing supply amounts of the second source gas and the third source gas and then gradually decreasing it again.

상기 제1 소스 가스는 산소 가스로 이루어지고, 상기 제2 소스 가스는 질소 소스 가스로 이루어지고, 상기 제3 소스 가스를 실리콘 소스 가스로 이루어질 수 있다. The first source gas may include an oxygen gas, the second source gas may include a nitrogen source gas, and the third source gas may include a silicon source gas.

본 발명은 또한 기판; 상기 기판 상에 구비된 발광부; 및 상기 발광부 상에 구비된 투습 방지막을 포함하여 이루어지고, 상기 투습 방지막은 제1 투습 방지막; 및 상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고, 상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어진 유기 발광 소자를 제공한다.The present invention also relates to a substrate; a light emitting unit provided on the substrate; and a moisture permeation barrier provided on the light emitting unit, wherein the moisture permeation barrier includes a first moisture permeation barrier; and a second moisture permeation prevention film provided on the first moisture permeation barrier film, wherein the composition of the first vapor permeation barrier film and the second vapor permeation barrier film are different from each other, and the second moisture permeation barrier film has a different composition ratio. Provided is an organic light emitting device in which a stacked region and a second stacked region are alternately stacked.

본 발명은 또한, 기판 상에 발광부를 형성하는 공정; 및 상기 발광부 상에 투습 방지막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 투습 방지막을 형성하는 공정은 제1 소스 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료시점까지 계속해서 공급하는 공정; 플라즈마를 상기 반응 초기 시점부터 상기 반응 종료시점까지 계속해서 형성시키는 공정; 및 상기 제1 소스 가스를 공급한 이후에 제2 소스 가스와 제3 소스 가스를 펄스 구동을 가지도록 교대로 공급하는 공정을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법을 제공한다.The present invention also provides a process for forming a light emitting part on a substrate; and forming a moisture barrier film on the light emitting unit, wherein the forming the vapor barrier film includes continuously supplying a first source gas from an initial reaction time to an end time of the reaction; continuously forming plasma from the initial point of the reaction to the end of the reaction; and alternately supplying a second source gas and a third source gas to have a pulse driving operation after supplying the first source gas.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.According to the present invention as described above, there are the following effects.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 투습 방지막이 서로 조성이 상이한 제1 투습 방지막과 제2 투습 방지막을 포함하고, 또한 상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어져 있기 때문에, 핀 홀과 같은 결함이 하부에서 상부까지 연속적으로 형성되는 것이 방지되어 투습 방지막의 수분 침투 방지 효과가 우수하다. According to an embodiment of the present invention, the moisture permeation barrier includes a first moisture permeation barrier film and a second moisture permeation barrier film having different compositions from each other, and the second moisture permeation barrier film includes a first lamination region and a second lamination region having different composition ratios. Since they are stacked alternately, defects such as pinholes are prevented from being continuously formed from the lower part to the upper part, and thus the moisture permeation prevention film is excellent in preventing moisture penetration.

도 1은 종래의 유기 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반응 가스 공급 방법을 도시한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응 가스 공급 방법을 도시한 개념도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting device.
2A to 2C are schematic process diagrams illustrating a manufacturing process of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a conceptual diagram illustrating a reaction gas supply method according to an embodiment of the present invention.
4 is a conceptual diagram illustrating a reaction gas supply method according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present invention are exemplary, and thus the present invention is not limited to the illustrated matters. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'including', 'having', 'consisting', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the case in which the plural is included is included unless otherwise explicitly stated.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the components, it is interpreted as including an error range even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, when the positional relationship of two parts is described as 'on', 'on', 'on', 'beside', etc., 'right' Alternatively, one or more other parts may be positioned between the two parts unless 'directly' is used.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, 'immediately' or 'directly' when a temporal relationship is described with 'after', 'following', 'after', 'before', etc. It may include cases that are not continuous unless this is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다. Each feature of the various embodiments of the present invention may be partially or wholly combined or combined with each other, technically various interlocking and driving are possible, and each of the embodiments may be implemented independently of each other or may be implemented together in a related relationship. may be

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 제조 공정을 도시한 개략적인 공정도이다. 2A to 2C are schematic process diagrams illustrating a manufacturing process of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

우선, 도 2a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 발광부(20)를 형성한다. First, as shown in FIG. 2A , the light emitting part 20 is formed on the substrate 10 .

상기 발광부(20)를 형성하는 공정은 상기 기판(10) 상에 제1 전극을 형성하는 공정, 상기 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 공정, 및 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 공정을 포함하여 이루어질 수 있다. The process of forming the light emitting part 20 includes a process of forming a first electrode on the substrate 10 , a process of forming an organic light emitting layer on the first electrode, and forming a second electrode on the organic light emitting layer It can be made including the process of

상기 발광부(20)를 형성하는 공정은 당업계에 공지된 다양한 방법으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전극은 ITO와 같은 양극으로 이루어질 수 있고, 상기 유기 발광층은 정공 주입층(Hole Injecting Layer), 정공 수송층(Hole Transporting Layer), 발광층(Emitting Layer), 전자 수송층(Electron Transporting Layer), 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer)으로 이루어질 수 있고, 상기 제2 전극은 Ag 또는 Al과 같은 음극으로 이루어질 수 있다. The process of forming the light emitting part 20 may be performed by various methods known in the art. For example, the first electrode may be formed of an anode such as ITO, and the organic emission layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, an emission layer, and an electron transport layer. layer), and an electron injecting layer, and the second electrode may be formed of a cathode such as Ag or Al.

한편, 도시하지는 않았지만, 상기 기판(10)과 상기 발광부(20) 사이에 박막 트랜지스터가 추가로 형성되어, 상기 발광부(20)의 발광이 상기 박막 트랜지스터에 의해 조절될 수 있다. 이와 같이 박막 트랜지스터가 구비된 유기 발광 소자는 화상을 디스플레이하는 표시 장치로 이용될 수 있다. Meanwhile, although not shown, a thin film transistor is additionally formed between the substrate 10 and the light emitting unit 20 , so that the light emission of the light emitting unit 20 may be controlled by the thin film transistor. As described above, the organic light emitting device including the thin film transistor may be used as a display device for displaying an image.

다음, 도 2b에서 알 수 있듯이 상기 발광부(20)가 형성된 기판(10)을 증착 장치 내에 로딩한 후, 도 2c에서 알 수 있듯이 상기 발광부(20) 상에 투습 방지막(30)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 2b , the substrate 10 on which the light emitting unit 20 is formed is loaded into the deposition apparatus, and then, as shown in FIG. 2c , a moisture barrier film 30 is formed on the light emitting unit 20 . .

우선, 상기 증착 장치에 대해서 설명하면 다음과 같다. First, the deposition apparatus will be described as follows.

상기 증착 장치는 공정 챔버(100), 기판 지지부(110), 가스 분사부(120), 가스 공급 라인(130), 가스 공급부(140a, 140b, 140c), 가스 공급 조절부(150a, 150b, 150c), 플라즈마 전원(160), 및 급전 케이블(161)을 포함하여 이루어진다. The deposition apparatus includes a process chamber 100 , a substrate support unit 110 , a gas injection unit 120 , a gas supply line 130 , gas supply units 140a , 140b , 140c , and gas supply control units 150a , 150b , and 150c . ), a plasma power source 160 , and a power supply cable 161 .

상기 공정 챔버(100)는 반응 공간을 정의한다. The process chamber 100 defines a reaction space.

상기 기판 지지부(110)는 상기 공정 챔버(100)의 하측 내부에 마련될 수 있다. 상기 기판 지지부(110)에는 상기 발광부(20)가 형성된 기판(10)이 안착된다. 상기 기판 지지부(110)는 회전가능하도록 구성될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 상기 기판 지지부(110) 내에는 가열 장치가 추가로 내장될 수 있으며, 이 경우 공정 진행시 상기 기판(10)에 대한 가열이 가능하다. The substrate support 110 may be provided inside the lower side of the process chamber 100 . The substrate 10 on which the light emitting part 20 is formed is seated on the substrate support part 110 . The substrate support 110 may be configured to be rotatable. Also, although not shown, a heating device may be additionally built in the substrate support 110 , and in this case, the substrate 10 may be heated during the process.

상기 가스 분사부(120)는 상기 공정 챔버(100)의 상측 내부에 마련될 수 있다. 상기 가스 분사부(120)는 상기 가스 공급 라인(130)과 연통되어 있어, 상기 가스 공급 라인(130)으로부터 공급되는 가스를 상기 기판(10)으로 분사한다. 상기 기판(10) 방향으로 균일하게 가스가 공급될 수 있도록 상기 가스 분사부(120)에는 가스 분배판이 구비될 수 있다. 이와 같은 가스 분사부(120)의 구성은 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The gas injection unit 120 may be provided inside the upper side of the process chamber 100 . The gas injection unit 120 communicates with the gas supply line 130 , and injects the gas supplied from the gas supply line 130 to the substrate 10 . A gas distribution plate may be provided in the gas injection unit 120 so that the gas may be uniformly supplied in the direction of the substrate 10 . The configuration of the gas injection unit 120 may be changed to various forms known in the art.

상기 가스 공급 라인(130)은 상기 공정 챔버(100)의 상측에 연결되며 상기 가스 분사부(120)와 연통되어 있다. 상기 가스 공급 라인(130)은 공급되는 가스의 종류에 따른 다양하게 변경될 수 있다. 본 발명에 일 실시예에 따르면 3 종류의 반응가스가 상기 공정 챔버(100) 내부로 공급될 수 있기 때문에, 세 갈래로 분지된 가스 공급 라인(130)을 도시하였다. The gas supply line 130 is connected to the upper side of the process chamber 100 and communicates with the gas injection unit 120 . The gas supply line 130 may be variously changed according to the type of supplied gas. According to an embodiment of the present invention, since three types of reaction gases can be supplied into the process chamber 100 , the gas supply line 130 branched into three branches is illustrated.

상기 가스 공급부(140a, 140b, 140c)는 상기 가스 공급 라인(130)과 연결되어 있다. 상기 가스 공급부(140a, 140b, 140c)는 제1 가스 공급부(140a), 제2 가스 공급부(140b), 및 제3 가스 공급부(140c)를 포함하여 이루어진다. The gas supply units 140a , 140b , and 140c are connected to the gas supply line 130 . The gas supply units 140a , 140b , and 140c include a first gas supply unit 140a , a second gas supply unit 140b , and a third gas supply unit 140c .

상기 제1 가스 공급부(140a)는 산소 가스를 수용하고 있다. 상기 제1 가스 공급부(140a)에 수용된 산소 가스는 상기 가스 공급 라인(130)을 통해서 상기 가스 분사부(120)로 공급된다. The first gas supply unit 140a accommodates oxygen gas. The oxygen gas accommodated in the first gas supply unit 140a is supplied to the gas injection unit 120 through the gas supply line 130 .

상기 제2 가스 공급부(140b)는 질소 소스 가스를 수용하고 있다. 상기 제2 가스 공급부(140b)에 수용된 질소 소스 가스는 상기 가스 공급 라인(130)을 통해서 상기 가스 분사부(120)로 공급된다. 상기 질소 소스 가스는 질소를 함유하는 가스로 이루어지며, 예로서 N2 또는 NH3로 이루어질 수 있다. The second gas supply unit 140b receives a nitrogen source gas. The nitrogen source gas accommodated in the second gas supply unit 140b is supplied to the gas injection unit 120 through the gas supply line 130 . The nitrogen source gas is made of a gas containing nitrogen, for example, N 2 or NH 3 It may be made of.

상기 제3 가스 공급부(140c)는 실리콘 소스 가스를 수용하고 있다. 상기 제3 가스 공급부(140c)에 수용된 실리콘 소스 가스는 상기 가스 공급 라인(130)을 통해서 상기 가스 분사부(120)로 공급된다. 상기 실리콘 소스 가스는 실리콘을 함유하는 가스로 이루어지며, 예로서 실란(Silane; SiH4), 디실란(Disilane; Si2H6), 트리실란(Trisilane; Si3H8), TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane) 및 TSA(Trisilylamine), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), 및 HMDSN(Hexamethyldisilazane)로 이루어진 가스 중 적어도 하나의 가스로 이루어질 수 있다. The third gas supply unit 140c contains a silicon source gas. The silicon source gas accommodated in the third gas supply unit 140c is supplied to the gas injection unit 120 through the gas supply line 130 . The silicon source gas is made of a gas containing silicon, for example, Silane (SiH 4 ), Disilane (Si 2 H 6 ), Trisilane (Si 3 H 8 ), Tetraethylorthosilicate (TEOS) , DCS (Dichlorosilane), HCD (Hexachlorosilane), TriDMAS (Tri-dimethylaminosilane) and TSA (Trisilylamine), HMDSO (Hexamethyldisiloxane), and HMDSN (Hexamethyldisilazane) may be made of at least one gas of gas.

상기 가스 공급 조절부(150a, 150b, 150c)는 상기 가스 공급 라인(130)에 구비될 수 있으며, 상기 가스 공급부(140a, 140b, 140c)와 대응되는 개수로 형성될 수 있다. The gas supply control units 150a , 150b , and 150c may be provided in the gas supply line 130 , and may be formed in a number corresponding to the number of the gas supply units 140a , 140b , and 140c .

구체적으로, 상기 가스 공급 조절부(150a, 150b, 150c)는 상기 제1 가스 공급부(140a)에서 공급되는 산소 가스의 공급 여부 또는 공급량을 조절하는 제1 가스 공급 조절부(150a), 상기 제2 가스 공급부(140b)에서 공급되는 질소 소스 가스의 공급 여부 또는 공급량을 조절하는 제2 가스 공급 조절부(150b), 및 상기 제3 가스 공급부(140c)에서 공급되는 실리콘 소스 가스의 공급 여부 또는 공급량을 조절하는 제3 가스 공급 조절부(150c)로 이루어질 수 있다. Specifically, the gas supply control units 150a, 150b, and 150c include a first gas supply control unit 150a for controlling whether or not the oxygen gas supplied from the first gas supply unit 140a is supplied or a supply amount, and the second The second gas supply control unit 150b for controlling whether or not the nitrogen source gas supplied from the gas supply unit 140b is supplied or the supply amount, and whether the silicon source gas supplied from the third gas supply unit 140c is supplied or not It may be formed of a third gas supply control unit 150c that controls.

상기 가스 공급 조절부(150a, 150b, 150c)는 상기 가스 공급부(140a, 140b, 140c)에서 공급되는 가스의 공급 여부를 온/오프(on/off) 할 수 있는 밸브로 이루어질 수도 있고, 상기 가스 공급부(140a, 140b, 140c)에서 공급되는 가스의 공급량을 조절할 수 있는 MFC(Mass Flow Controller)로 이루어질 수도 있다. The gas supply control units 150a, 150b, and 150c may include valves capable of turning on/off whether the gas supplied from the gas supply units 140a, 140b, and 140c is supplied. It may be formed of a mass flow controller (MFC) capable of adjusting the amount of gas supplied from the supply units 140a, 140b, and 140c.

상기 플라즈마 전원(160)은 급전 케이블(161)을 통해서 상기 반응 챔버(100)와 연결되어 있다. 상기 플라즈마 전원(160)은 반응 챔버(100) 내부에 플라즈마를 발생시켜 가스들 사이의 반응을 보다 용이하게 한다. 이와 같은 플라즈마 전원(160)과 반응 챔버(100) 사이의 연결 구조는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The plasma power source 160 is connected to the reaction chamber 100 through a power supply cable 161 . The plasma power source 160 generates plasma in the reaction chamber 100 to facilitate a reaction between gases. The connection structure between the plasma power source 160 and the reaction chamber 100 may be changed in various forms known in the art.

본 발명에 따른 증착 장치가 도 2b에 도시한 구조로 한정되는 것은 아니고, 본 발명에 따른 증착 장치는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 도 2b와 같은 증착 장치를 이용하여 도 2c와 같이 상기 발광부(20) 상에 투습 방지막(30)을 형성할 수 있다. The deposition apparatus according to the present invention is not limited to the structure shown in FIG. 2B, and the deposition apparatus according to the present invention may be changed into various forms known in the art. According to an embodiment of the present invention, the moisture barrier layer 30 may be formed on the light emitting unit 20 as shown in FIG. 2C by using the deposition apparatus shown in FIG. 2B .

상기 투습 방지막(30)은 상기 발광부(20)의 상면에 형성된 제1 투습 방지막(31) 및 상기 제1 투습 방지막(31)의 상면에 형성된 제2 투습 방지막(32)으로 이루어질 수 있다. The moisture permeation barrier 30 may include a first moisture permeation barrier layer 31 formed on the upper surface of the light emitting unit 20 and a second moisture permeation barrier film 32 formed on the upper surface of the first moisture permeation barrier film 31 .

상기 제1 투습 방지막(31)과 상기 제2 투습 방지막(32)은 조성이 서로 상이하다. 특히, 상기 제1 투습 방지막(31)은 2 종류의 성분으로 이루어지고, 상기 제2 투습 방지막(32)은 상기 2 종류의 성분에 1 종류의 성분이 추가되어 3 종류의 성분으로 이루어질 수 있다. 예로서, 상기 제1 투습 방지막(31)은 실리콘 산화물로 이루어질 수 있고, 상기 제2 투습 방지막(32)은 실리콘 산화 질화물로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 투습 방지막(31)은 SiO2로 이루어질 수 있고, 상기 제2 투습 방지막(32)은 SiON으로 이루어질 수 있다. The first moisture permeation barrier layer 31 and the second moisture permeation barrier layer 32 have different compositions. In particular, the first moisture permeation barrier layer 31 may be composed of two types of components, and the second moisture permeation barrier layer 32 may be composed of three types of components by adding one component to the two types of components. For example, the first moisture barrier layer 31 may be made of silicon oxide, and the second moisture barrier layer 32 may be made of silicon oxynitride. Specifically, the first moisture permeation barrier layer 31 may be made of SiO 2 , and the second moisture permeation barrier layer 32 may be made of SiON.

상기 실리콘 산화물로 이루어진 제1 투습 방지막(31)은 상기 발광부(20)와 접촉하는 하면에서부터 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 상면까지 그 조성비가 일정하지 않고 변경될 수 있다. The composition ratio of the first moisture permeation barrier layer 31 made of silicon oxide from a lower surface in contact with the light emitting part 20 to an upper surface in contact with the second moisture permeation barrier layer 32 may not be constant and may be changed.

예를 들어, 상기 발광부(20)와 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 하면은 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 상면보다 실리콘의 함유량이 많을 수 있다. 특히, 상기 제1 투습 방지막(31)의 실리콘 함유량은 상기 발광부(20)와 접촉하는 하면에서부터 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 상면으로 갈수록 점차로 감소할 수 있다. For example, the lower surface of the first moisture permeation barrier layer 31 in contact with the light emitting unit 20 may have a higher content of silicon than the upper surface of the first moisture permeation barrier layer 31 in contact with the second moisture permeation barrier layer 32 . have. In particular, the silicon content of the first moisture permeation barrier layer 31 may gradually decrease from the lower surface in contact with the light emitting unit 20 toward the upper surface in contact with the second moisture permeation barrier layer 32 .

또는, 상기 제1 투습 방지막(31)의 중앙부가 상기 발광부(20)와 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 하면 및 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 상면보다 실리콘 함유량이 많을 수 있다. 특히, 상기 제1 투습 방지막(31)의 실리콘 함유량은 상기 발광부(20)와 접촉하는 하면에서부터 중앙부로 갈수록 점차로 증가하다가 다시 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 상면으로 갈수록 점차로 감소할 수 있다. Alternatively, the central portion of the first moisture permeation barrier 31 is in contact with the lower surface of the first moisture permeation barrier 31 in contact with the light emitting unit 20 and the second vapor permeation barrier 31 in contact with the second vapor permeation barrier 32 . There may be more silicon content than the upper surface of the In particular, the silicon content of the first moisture permeation barrier layer 31 gradually increases from the lower surface in contact with the light emitting part 20 toward the central portion, and then gradually decreases toward the upper surface in contact with the second moisture permeation barrier film 32 again. have.

상기 실리콘 산화 질화물로 이루어진 제2 투습 방지막(32)은 제1 투습 방지막(31)과 접촉하는 하면에서부터 제1 투습 방지막(31)과 접촉하지 않는 상면까지 그 조성비가 일정하지 않고 변경될 수 있으며, 특히, 상기 제2 투습 방지막(32)의 경우 조성비의 변경이 하면에서 상면까지 일정한 간격을 가지면서 교대로 반복될 수 있다. The composition ratio of the second moisture permeation barrier film 32 made of silicon oxynitride is not constant from the lower surface in contact with the first vapor barrier film 31 to the upper surface not in contact with the first vapor permeation barrier 31. In particular, in the case of the second moisture-permeable barrier layer 32 , the change in the composition ratio may be alternately repeated while having a constant interval from the lower surface to the upper surface.

예를 들어, 상기 제2 투습 방지막(32)은 질소의 함유량이 실리콘의 함유량보다 많은 제1 적층 영역과 실리콘 함유량이 질소 함유량보다 많은 제2 적층 영역을 포함하고 있고, 이와 같은 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 일정한 간격으로 교대로 반복될 수 있다. 상기 제1 적층 영역과 상기 제2 적층 영역은 서로 접하고 있다. For example, the second moisture barrier film 32 includes a first laminated region in which the nitrogen content is greater than the silicon content and a second laminated region in which the silicon content is greater than the nitrogen content, and the first laminated region and The second stacked regions may be alternately repeated at regular intervals. The first stacked area and the second stacked area are in contact with each other.

특히, 상기 질소의 함유량이 실리콘의 함유량보다 많은 제1 적층 영역의 경우, 하층의 질소 함유량이 상층의 질소 함유량보다 상대적으로 많을 수도 있고, 하층에서 중간층으로 갈수록 질소 함유량이 증가하다가 중간층에서 상측으로 갈수록 질소 함유량이 감소할 수도 있다. In particular, in the case of the first stacked region in which the nitrogen content is greater than the silicon content, the nitrogen content of the lower layer may be relatively higher than the nitrogen content of the upper layer, and the nitrogen content increases from the lower layer to the middle layer, and then increases from the middle layer to the upper layer. The nitrogen content may be reduced.

또한, 상기 실리콘 함유량이 질소 함유량보다 많은 제2 적층 영역의 경우, 하층의 실리콘 함유량이 상층의 실리콘 함유량보다 상대적으로 많을 수도 있고, 하층에서 중간층으로 갈수록 실리콘 함유량이 증가하다가 중간층에서 상측으로 갈수록 실리콘 함유량이 감소할 수도 있다. In addition, in the case of the second laminated region in which the silicon content is greater than the nitrogen content, the silicon content of the lower layer may be relatively higher than the silicon content of the upper layer, and the silicon content increases from the lower layer to the middle layer, and then the silicon content goes from the middle layer to the upper layer. This may decrease.

이상 설명한 본 발명의 다양한 형태의 투습 방지막(30)은 산소 가스, 질소 소스 가스 및 실리콘 소스 가스의 공급 주기 및 공급량을 조절함으로써 얻을 수 있는데 그에 대해서는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명하기로 한다. The moisture permeation barrier 30 of the present invention described above can be obtained by adjusting the supply period and supply amount of oxygen gas, nitrogen source gas, and silicon source gas, which will be described with reference to FIGS. 3 and 4 .

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 반응 가스 공급 방법을 도시한 개념도이다. 3 is a conceptual diagram illustrating a reaction gas supply method according to an embodiment of the present invention.

도 3에서 알 수 있듯이, 산소 가스는 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 공급하고, 플라즈마도 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 형성시킨다. As can be seen from FIG. 3 , oxygen gas is continuously supplied from the initial reaction time to the reaction end time, and plasma is also continuously formed from the initial reaction time to the reaction end time.

실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스는 펄스(pulse) 구동을 가지도록 교대로 온/오프(on/off) 공급을 반복한다. 도시한 바와 같이, 실리콘 소스 가스를 먼저 공급하고, 그 후 실리콘 소스 가스의 공급을 멈춘 후 질소 소스 가스를 공급하고, 다시 질소 소스 가스의 공급을 멈춘 후 실리콘 소스 가스를 공급한다. 이와 같이, 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스를 일정한 간격으로 교대로 공급하게 된다. The silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied on/off to have pulse driving. As illustrated, the silicon source gas is supplied first, then the silicon source gas is stopped, then the nitrogen source gas is supplied, and then the nitrogen source gas is stopped again and then the silicon source gas is supplied. In this way, the silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied at regular intervals.

도면에서 H1은 실리콘 소스 가스의 1회 공급량을 H2는 질소 소스 가스의 1회 공급량을 도시한 것으로서, H1과 H2는 목적하는 박막의 조성에 따라 조절할 수 있다. 또한, 도면에서 L1은 실리콘 소스 가스의 1회 공급 시간을 L2는 질소 소스 가스의 1회 공급 시간을 도시한 것으로서, L1과 L2도 목적하는 박막의 조성에 따라 조절할 수 있다. In the drawing, H1 denotes a one-time supply amount of the silicon source gas and H2 denotes a one-time supply amount of the nitrogen source gas, and H1 and H2 can be adjusted according to the composition of the desired thin film. In addition, in the drawing, L1 denotes a single supply time of the silicon source gas and L2 denotes a single supply time of the nitrogen source gas, and L1 and L2 can also be adjusted according to the composition of the desired thin film.

도 3에 도시된 바와 같이, 산소 가스의 공급과 플라즈마의 발생을 계속해서 수행하고, 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스를 교대로 공급하게 되면, 반응 초기에는 실리콘 산화물이 형성되고 그 후 실리콘 산화 질화물이 이어서 형성될 수 있다. As shown in FIG. 3 , when the supply of oxygen gas and the generation of plasma are continuously performed, and the silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied, silicon oxide is formed at the beginning of the reaction, and then silicon oxynitride is formed. It can then be formed.

보다 구체적으로, 반응 초기에 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 실리콘 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 실리콘이 반응하여 실리콘 산화물이 형성되며, 이와 같이 형성된 실리콘 산화물이 전술한 제1 투습 방지막(31)이 된다.More specifically, when a silicon source gas is supplied in a state in which oxygen plasma is formed at the initial stage of the reaction, oxygen and silicon react to form silicon oxide, and the silicon oxide thus formed becomes the above-described first moisture permeation barrier layer 31 .

특히, a구간에는 실리콘 소스 가스가 공급되지만 b구간에는 실리콘 소스 가스가 공급되지 않는다. 따라서, a구간에 생성된 실리콘 산화물에 포함된 실리콘의 함유량은 b구간에 생성된 실리콘 산화물에 포함된 실리콘의 함유량보다 많다. 결국 전술한 상기 발광부(20)와 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 하면은 상기 a구간에 해당하고, 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 제1 투습 방지막(31)의 상면은 상기 b구간에 해당하게 되어, 상기 제1 투습 방지막(31)의 하면의 실리콘 함유량이 상기 제1 투습 방지막(31)의 상면의 실리콘 함유량보다 많게 된다. In particular, silicon source gas is supplied to section a, but no silicon source gas is supplied to section b. Therefore, the content of silicon included in the silicon oxide generated in section a is greater than the content of silicon included in the silicon oxide generated in section b. As a result, the lower surface of the first moisture permeation barrier 31 in contact with the light emitting part 20 corresponds to the section a, and the upper surface of the first moisture permeation barrier 31 in contact with the second moisture permeation barrier 32 is It corresponds to the section b, and the silicon content of the lower surface of the first moisture permeation barrier 31 is greater than the silicon content of the upper surface of the first moisture permeation barrier 31 .

또한, x구간에서와 같이 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 실리콘 소스 가스의 공급을 멈추고 질소 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 잔류하는 실리콘 및 공급된 질소가 반응하여 실리콘 산화 질화물이 형성된다. 또한, y구간에서와 같이 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 질소 소스 가스의 공급을 멈추고 실리콘 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 잔류하는 질소 및 공급된 실리콘이 반응하여 실리콘 산화 질화물이 형성된다. 이와 같이, x구간과 y구간을 반복수행 함으로써 전술한 제2 투습 방지막(32)을 구성하는 실리콘 산화 질화물을 얻을 수 있다. Also, as in section x, when the supply of the silicon source gas is stopped and the nitrogen source gas is supplied while the oxygen plasma is formed, oxygen, the remaining silicon, and the supplied nitrogen react to form silicon oxynitride. In addition, when the supply of the nitrogen source gas is stopped and the silicon source gas is supplied in a state in which the oxygen plasma is formed as in the y section, oxygen, the remaining nitrogen, and the supplied silicon react to form silicon oxynitride. In this way, by repeatedly performing the x section and the y section, it is possible to obtain silicon oxynitride constituting the second moisture permeation prevention film 32 described above.

특히, 상기 x구간에서는 질소 소스 가스는 공급되지만 실리콘 소스 가스는 공급되지 않는다. 따라서, x구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 경우 질소의 함유량이 실리콘의 함유량보다 많게 되어 전술한 실리콘 산화 질화물의 제1 적층 영역을 구성하게 된다. In particular, in the x section, the nitrogen source gas is supplied but the silicon source gas is not supplied. Accordingly, in the case of the silicon oxynitride generated in the x section, the nitrogen content is greater than the silicon content, and thus the first stacked region of the silicon oxynitride is formed.

또한, 상기 y구간에서는 실리콘 소스 가스는 공급되지만 질소 소스 가스는 공급되지 않는다. 따라서, y구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 경우 실리콘의 함유량이 질소의 함유량보다 많게 되어 전술한 실리콘 산화 질화물의 제2 적층 영역을 구성하게 된다. Also, in the y section, the silicon source gas is supplied but the nitrogen source gas is not supplied. Accordingly, in the case of silicon oxynitride generated in the y section, the content of silicon is greater than the content of nitrogen to constitute the above-described second stacked region of silicon oxynitride.

결국, 상기 x구간과 y구간을 반복 수행하게 되면 질소의 함유량이 실리콘의 함유량보다 많은 제1 적층 영역과 실리콘의 함유량이 질소의 함유량보다 많은 제2 적층 영역이 반복될 수 있다. As a result, if the x section and the y section are repeatedly performed, the first stacked region in which the nitrogen content is greater than the silicon content and the second stacked region in which the silicon content is greater than the nitrogen content may be repeated.

한편, x구간 중에서 앞쪽 구간은 질소 소스 가스가 공급되지만 뒤쪽 구간은 질소 소스 가스가 공급되지 않는다. 따라서, x구간 중에서 앞쪽 구간의 질소 함유량이 뒤쪽 구간의 질소 함유량보다 많다. 결국, x구간 중에서 앞쪽 구간은 상기 제1 적층 영역의 하층을 구성하고, x구간 중에서 뒤쪽 구간은 상기 제1 적층 영역의 상층을 구성하기 때문에, 상기 제1 적층 영역의 하층의 질소 함유량이 제1 적층 영역의 상층의 질소 함유량보다 많다. On the other hand, the nitrogen source gas is supplied to the front section of the x section, but the nitrogen source gas is not supplied to the rear section. Therefore, the nitrogen content in the front section of the x section is greater than the nitrogen content in the rear section. As a result, the front section of the x section constitutes the lower layer of the first stacking region, and the rear section of the x section constitutes the upper layer of the first stacking region, so that the nitrogen content of the lower layer of the first stacking region is the first It is more than the nitrogen content of the upper layer of the lamination|stacking area|region.

또한, y구간 중에서 앞쪽 구간은 실리콘 소스 가스가 공급되지만 뒤쪽 구간은 실리콘 소스 가스가 공급되지 않는다. 따라서, y구간 중에서 앞쪽 구간의 실리콘 함유량이 뒤쪽 구간의 실리콘 함유량보다 많다. 결국, y구간 중에서 앞쪽 구간은 상기 제2 적층 영역의 하층을 구성하고, y구간 중에서 뒤쪽 구간은 상기 제2 적층 영역의 상층을 구성하기 때문에, 상기 제2 적층 영역의 하층의 실리콘 함유량이 제2 적층 영역의 상층의 실리콘 함유량보다 많다. In addition, the silicon source gas is supplied to the front section of the y section, but the silicon source gas is not supplied to the rear section. Accordingly, the silicon content in the front section of the y section is greater than the silicon content in the rear section. After all, since the front section of the y section constitutes the lower layer of the second stacked region, and the rear section of the y section constitutes the upper layer of the second stacked region, the silicon content in the lower layer of the second stacked region is the second It is more than the silicon content of the upper layer of the lamination|stacking area|region.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반응 가스 공급 방법을 도시한 개념도이다. 4 is a conceptual diagram illustrating a reaction gas supply method according to another embodiment of the present invention.

도 4에서 알 수 있듯이, 산소 가스는 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 공급하고, 플라즈마도 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 형성시킨다. As can be seen from FIG. 4 , oxygen gas is continuously supplied from the initial point of the reaction to the end of the reaction, and plasma is also continuously formed from the initial time of the reaction to the end of the reaction.

실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스는 펄스(pulse) 구동을 가지도록 교대로 온/오프(on/off) 공급을 반복한다. 전술한 도 3에 따른 실시예에서는 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스의 공급량이 조절되지 않고 따라서 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스의 공급량이 일정하게 유지되는 반면에, 도 4에 따른 실시예에서는 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스의 공급량이 조절될 수 있다. The silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied on/off to have pulse driving. In the embodiment according to FIG. 3, the supply amounts of the silicon source gas and the nitrogen source gas are not adjusted, and thus the supply amounts of the silicon source gas and the nitrogen source gas are kept constant, whereas in the embodiment according to FIG. 4, the silicon source gas and the supply amount of the nitrogen source gas can be adjusted.

구체적으로, 도시한 바와 같이, 실리콘 소스 가스를 먼저 공급하되 공급량을 점차로 증가시키다가 다시 점차로 감소시키고, 그 후 실리콘 소스 가스의 공급을 멈춘 후 질소 소스 가스를 공급하되 공급량을 점차로 증가시키다가 다시 점차로 감소시키고, 다시 질소 소스 가스의 공급을 멈춘 후 실리콘 소스 가스를 공급하되 공급량을 점차로 증가시키다가 다시 점차로 감소시킨다. 이와 같이, 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스를 일정한 간격으로 교대로 공급하게 된다. Specifically, as shown, the silicon source gas is supplied first, but the supply amount is gradually increased and then gradually decreased again. After that, the supply of the silicon source gas is stopped and the nitrogen source gas is supplied but the supply amount is gradually increased and then gradually increased again. After the supply of the nitrogen source gas is stopped again, the silicon source gas is supplied, but the supply amount is gradually increased and then gradually decreased again. In this way, the silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied at regular intervals.

도 4에 도시된 바와 같이, 산소 가스의 공급과 플라즈마의 발생을 계속해서 수행하고, 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스를 교대로 공급하게 되면, 반응 초기에는 실리콘 산화물이 형성되고 그 후 실리콘 산화 질화물이 이어서 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, when the supply of oxygen gas and the generation of plasma are continuously performed, and the silicon source gas and the nitrogen source gas are alternately supplied, silicon oxide is formed at the beginning of the reaction, and then silicon oxynitride is formed. It can then be formed.

보다 구체적으로, 반응 초기에 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 실리콘 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 실리콘이 반응하여 실리콘 산화물이 형성되며, 이와 같이 형성된 실리콘 산화물이 전술한 제1 투습 방지막(31)이 된다.More specifically, when a silicon source gas is supplied in a state in which oxygen plasma is formed at the initial stage of the reaction, oxygen and silicon react to form silicon oxide, and the silicon oxide thus formed becomes the above-described first moisture permeation barrier layer 31 .

특히, 실리콘 소스 가스의 공급량은 점차로 증가하다가 다시 점차로 감소하게 된다. 따라서, 생성된 실리콘 산화물에 포함된 실리콘의 함유량은 점차로 증가하다가 다시 점차로 감소하게 된다. 결국 전술한 제1 투습 방지막(31)에 함유된 실리콘 함유량은 상기 발광부(20)와 접촉하는 하면에서부터 중앙부로 갈수록 점차로 증가하다고 다시 상기 제2 투습 방지막(32)과 접촉하는 상면으로 갈수록 점차로 감소하게 된다. In particular, the supply amount of the silicon source gas gradually increases and then gradually decreases again. Accordingly, the content of silicon included in the generated silicon oxide gradually increases and then gradually decreases again. As a result, the silicon content contained in the first moisture barrier layer 31 as described above gradually increases from the lower surface in contact with the light emitting part 20 toward the central portion, and decreases gradually toward the upper surface in contact with the second moisture barrier film 32 . will do

또한, x구간에서와 같이 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 실리콘 소스 가스의 공급을 멈추고 질소 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 잔류하는 실리콘 및 공급된 질소가 반응하여 실리콘 산화 질화물이 형성된다. 또한, y구간에서와 같이 산소 플라즈마가 형성된 상태에서 질소 소스 가스의 공급을 멈추고 실리콘 소스 가스를 공급하게 되면 산소와 잔류하는 질소 및 공급된 실리콘이 반응하여 실리콘 산화 질화물이 형성된다. 이와 같이, x구간과 y구간을 반복수행 함으로써 전술한 제2 투습 방지막(32)을 구성하는 실리콘 산화 질화물을 얻을 수 있다. Also, as in section x, when the supply of the silicon source gas is stopped and the nitrogen source gas is supplied while the oxygen plasma is formed, oxygen, the remaining silicon, and the supplied nitrogen react to form silicon oxynitride. In addition, when the supply of the nitrogen source gas is stopped and the silicon source gas is supplied in a state in which the oxygen plasma is formed as in the y section, oxygen, the remaining nitrogen, and the supplied silicon react to form silicon oxynitride. In this way, by repeatedly performing the x section and the y section, it is possible to obtain silicon oxynitride constituting the second moisture permeation prevention film 32 described above.

상기 x구간에서는 질소 소스 가스는 공급되지만 실리콘 소스 가스는 공급되지 않는다. 따라서, x구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 경우 질소의 함유량이 실리콘의 함유량보다 많게 되어 전술한 실리콘 산화 질화물의 제1 적층 영역을 구성하게 된다. 특히, x구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 질소 함유량은 점차로 증가하다가 점차로 감소하게 된다. 즉, 상기 제1 적층 영역의 경우 하층에서 중간층으로 갈수록 질소 함유량이 증가하다가 중간층에서 상측으로 갈수록 질소 함유량이 감소한다. In the x section, the nitrogen source gas is supplied but the silicon source gas is not supplied. Accordingly, in the case of the silicon oxynitride generated in the x section, the nitrogen content is greater than the silicon content, and thus the first stacked region of the silicon oxynitride is formed. In particular, the nitrogen content of silicon oxynitride generated in the x section gradually increases and then gradually decreases. That is, in the case of the first stacked region, the nitrogen content increases from the lower layer to the middle layer, and the nitrogen content decreases from the middle layer to the upper layer.

상기 y구간에서는 실리콘 소스 가스는 공급되지만 질소 소스 가스는 공급되지 않는다. 따라서, y구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 경우 실리콘의 함유량이 질소의 함유량보다 많게 되어 전술한 실리콘 산화 질화물의 제2 적층 영역을 구성하게 된다. 특히, y구간에 생성된 실리콘 산화 질화물의 실리콘 함유량은 점차로 증가하다가 점차로 감소하게 된다. 즉, 상기 제2 적층 영역의 경우 하층에서 중간층으로 갈수록 실리콘 함유량이 증가하다가 중간층에서 상측으로 갈수록 실리콘 함유량이 감소한다. In the y section, the silicon source gas is supplied but the nitrogen source gas is not supplied. Accordingly, in the case of silicon oxynitride generated in the y section, the content of silicon is greater than the content of nitrogen to constitute the above-described second stacked region of silicon oxynitride. In particular, the silicon content of the silicon oxynitride generated in the y section gradually increases and then gradually decreases. That is, in the case of the second stacked region, the silicon content increases from the lower layer to the middle layer, and the silicon content decreases from the middle layer to the upper layer.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 투습 방지막(30)이 서로 조성이 상이한 제1 투습 방지막(31)과 제2 투습 방지막(32)을 포함하고, 또한 상기 제2 투습 방지막(32)은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어져 있다. 따라서, 본 발명에 따른 투습 방지막(30)은 조성이 상이하거나 조성비가 상이한 복수의 박막이 적층된 구조로 이루어져 있기 때문에, 핀 홀과 같은 결함이 하부에서 상부까지 연속적으로 형성되지 않아 수분 침투 방지 효과가 우수하다. As described above, according to an embodiment of the present invention, the moisture permeation barrier 30 includes a first moisture permeation barrier layer 31 and a second moisture permeation barrier layer 32 having different compositions from each other, and the second moisture permeation barrier film ( 32) is formed by alternately stacking first and second stacked areas having different composition ratios. Therefore, since the moisture permeation prevention film 30 according to the present invention has a structure in which a plurality of thin films having different compositions or different composition ratios are stacked, defects such as pinholes are not continuously formed from the lower part to the upper part, thereby preventing moisture penetration is excellent

이상의 실시예는 산소 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 공급하고, 플라즈마도 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 형성하고, 실리콘 소스 가스와 질소 소스 가스는 펄스(pulse) 구동을 가지도록 교대로 공급을 반복함으로써, 실리콘 산화물로 이루어진 제1 투습 방지막(31)과 실리콘 산화 질화물로 이루어진 제2 투습 방지막(32)을 연속하여 형성하는 방법 및 그에 의해 제조된 투습 방지막(30)에 관한 것이지만, 본 발명이 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. In the above embodiment, oxygen gas is continuously supplied from the initial time of the reaction to the end of the reaction, the plasma is also continuously formed from the initial time of the reaction to the end of the reaction, and the silicon source gas and the nitrogen source gas have pulse driving. A method of continuously forming the first moisture permeation barrier film 31 made of silicon oxide and the second vapor permeation barrier film 32 made of silicon oxynitride by repeating the supply alternately to However, the present invention is not necessarily limited thereto.

예로서, 본 발명은 질소 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 공급하고, 플라즈마도 반응 초기 시점부터 반응 종료 시점까지 계속해서 형성하고, 실리콘 소스 가스와 산소 소스 가스는 펄스(pulse) 구동을 가지도록 교대로 공급을 반복함으로써, 실리콘 질화물로 이루어진 제1 투습 방지막(31)과 실리콘 산화 질화물로 이루어진 제2 투습 방지막(32)을 연속하여 형성하는 방법 및 그에 의해 제조된 투습 방지막(30)도 포함할 수 있다. For example, in the present invention, nitrogen gas is continuously supplied from the initial point of the reaction to the end of the reaction, the plasma is also continuously formed from the initial time of the reaction to the end of the reaction, and the silicon source gas and the oxygen source gas are pulse driven A method of continuously forming a first moisture permeation barrier film 31 made of silicon nitride and a second moisture permeation barrier film 32 made of silicon oxynitride by repeating the supply alternately to have may also include.

또한, 본 발명은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물로 이루어진 제1 투습 방지막(31)과 실리콘 산화 질화물로 이루어진 제2 투습 방지막(32)을 연속하여 형성하는 방법에만 한정되는 것은 아니고, 당업계에 공지된 투습 방지 기능을 가지는 절연막이 조성이 서로 상이한 복수의 적층구조로 이루어진 투습 방지막(30)을 형성하는 방법도 포함할 수 있다. In addition, the present invention is not limited to the method of continuously forming the first moisture permeation barrier film 31 made of silicon oxide or silicon nitride and the second vapor permeation barrier film 32 made of silicon oxynitride, but is not limited to the method known in the art. The method may also include a method of forming the moisture permeation barrier 30 having a plurality of stacked structures in which the insulating film having a barrier function is different from each other in composition.

또한, 본 발명에 따른 투습 방지막은 유기 발광 소자의 투습 방지에만 한정되는 것은 아니고 투습 방지가 요구되는 다양한 분야의 다양한 구조에 확대 적용될 수 있다. In addition, the moisture permeation prevention film according to the present invention is not limited to the moisture permeation prevention of the organic light emitting device, but can be extended to various structures in various fields requiring moisture permeation prevention.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made within the scope without departing from the technical spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. The protection scope of the present invention should be construed by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

10: 기판 20: 발광부
30: 투습 방지막 31, 32: 제1, 제2 투습 방지막
100: 공정 챔버 110: 기판 지지부
120: 가스 분사부 130: 가스 공급 라인
140a, 140b, 140c: 가스 공급부
150a, 150b, 150c: 가스 공급 조절부
160: 플라즈마 전원 161: 급전 케이블 10: substrate 20: light emitting part
30: moisture-permeable barrier 31, 32: first, second moisture-permeable barrier
100: process chamber 110: substrate support
120: gas injection unit 130: gas supply line
140a, 140b, 140c: gas supply
150a, 150b, 150c: gas supply control unit
160: plasma power 161: power supply cable

Claims (13)

제1 투습 방지막; 및
상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고,
상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어지고,
상기 제1 투습 방지막의 하면은 상기 제1 투습 방지막의 상면보다 실리콘 함유량이 많은 투습 방지막. a first moisture-permeable barrier; and
and a second moisture permeation barrier provided on the first moisture permeation barrier,
The composition of the first moisture-permeable barrier film and the second vapor-permeable barrier film are different from each other,
The second moisture permeation barrier is formed by alternately stacking first and second stacked areas having different composition ratios;
A lower surface of the first moisture permeation barrier has a higher silicon content than an upper surface of the first moisture permeation barrier film. 제1항에 있어서,
상기 제1 투습 방지막은 2 종류의 성분으로 이루어져 있고, 상기 제2 투습 방지막은 상기 2 종류의 성분에 1 종류의 성분이 추가되어 3 종류의 성분으로 이루어져 있는 투습 방지막. According to claim 1,
The first moisture permeation barrier is composed of two types of components, and the second moisture permeation barrier is composed of three types of components by adding one component to the two types of components. 삭제delete 제1 투습 방지막; 및
상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고,
상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어지고,
상기 제1 투습 방지막의 중앙부는 상기 제1 투습 방지막의 하면 및 상면보다 실리콘 함유량이 많은 투습 방지막. a first moisture-permeable barrier; and
and a second moisture permeation barrier provided on the first moisture permeation barrier,
The composition of the first moisture-permeable barrier film and the second vapor-permeable barrier film are different from each other,
The second moisture permeation barrier is formed by alternately stacking first and second stacked areas having different composition ratios;
The central portion of the first moisture-permeable barrier film has a higher content of silicon than the lower surface and upper surface of the first vapor-permeable barrier film. 제1 투습 방지막; 및
상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 투습 방지막과 상기 제2 투습 방지막의 조성은 서로 상이하고,
상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어지고,
상기 제1 적층 영역에 포함된 질소의 함유량은 상기 제1 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량보다 많고,
상기 제2 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량은 상기 제2 적층 영역에 포함된 질소의 함유량보다 많은 투습 방지막. a first moisture-permeable barrier; and
and a second moisture permeation barrier provided on the first moisture permeation barrier,
The composition of the first moisture-permeable barrier film and the second vapor-permeable barrier film are different from each other,
The second moisture permeation barrier is formed by alternately stacking first and second stacked areas having different composition ratios;
The content of nitrogen contained in the first lamination region is greater than the content of silicon contained in the first lamination region,
The content of silicon in the second lamination region is greater than the content of nitrogen contained in the second lamination region. 제5항에 있어서,
상기 제1 적층 영역의 하층은 상기 제1 적층 영역의 상층보다 질소 함유량이 많고, 상기 제2 적층 영역의 하층은 상기 제2 적층 영역의 상층보다 실리콘 함유량이 많은 투습 방지막. 6. The method of claim 5,
A lower layer of the first lamination region has a higher nitrogen content than an upper layer of the first lamination region, and a lower layer of the second lamination region has a higher silicon content than an upper layer of the second lamination region. 제5항에 있어서,
상기 제1 적층 영역의 질소 함유량은 하층에서 중간층으로 갈수록 증가하다고 중간층에서 상측으로 갈수록 감소하고,
상기 제2 적층 영역의 실리콘 함유량은 하층에서 중간층으로 갈수록 증가하다고 중간층에서 상측으로 갈수록 감소하는 투습 방지막. 6. The method of claim 5,
The nitrogen content of the first stacked region increases from the lower layer to the middle layer and decreases from the middle layer to the upper side,
The silicon content of the second lamination region increases from the lower layer to the middle layer and decreases from the middle layer to the upper side. 제1 소스 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료시점까지 계속해서 공급하는 공정;
플라즈마를 상기 반응 초기 시점부터 상기 반응 종료시점까지 계속해서 형성시키는 공정; 및
상기 제1 소스 가스를 공급한 이후에 제2 소스 가스와 제3 소스 가스를 펄스 구동을 가지도록 교대로 공급하여 제1 투습 방지막 및 상기 제1 투습 방지막 상에 구비된 제2 투습 방지막을 형성하는 공정을 포함하고,
상기 제2 투습 방지막은 조성비가 서로 상이한 제1 적층 영역과 제2 적층 영역이 교대로 적층되어 이루어지고,
상기 제1 적층 영역에 포함된 질소의 함유량은 상기 제1 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량보다 많고,
상기 제2 적층 영역에 포함된 실리콘의 함유량은 상기 제2 적층 영역에 포함된 질소의 함유량보다 많은 투습 방지막의 제조 방법. continuously supplying the first source gas from the initial time of the reaction to the end of the reaction;
continuously forming plasma from the initial point of the reaction to the end of the reaction; and
After supplying the first source gas, a second source gas and a third source gas are alternately supplied to have a pulse driving to form a first moisture permeation barrier film and a second vapor permeation barrier film provided on the first vapor permeation barrier film process, including
The second moisture permeation barrier is formed by alternately stacking first and second stacked areas having different composition ratios;
The content of nitrogen contained in the first lamination region is greater than the content of silicon contained in the first lamination region,
The content of silicon included in the second lamination region is greater than the content of nitrogen contained in the second lamination region. 제8항에 있어서,
상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스를 공급하는 공정은 상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스의 공급량을 일정하게 유지하면서 공급하는 공정을 포함하는 투습 방지막의 제조 방법. 9. The method of claim 8,
The step of supplying the second source gas and the third source gas may include supplying the second source gas and the third source gas while maintaining a constant supply amount of the second source gas and the third source gas. 제1 소스 가스를 반응 초기 시점부터 반응 종료시점까지 계속해서 공급하는 공정;
플라즈마를 상기 반응 초기 시점부터 상기 반응 종료시점까지 계속해서 형성시키는 공정; 및
상기 제1 소스 가스를 공급한 이후에 제2 소스 가스와 제3 소스 가스를 펄스 구동을 가지도록 교대로 공급하는 공정을 포함하고,
상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스를 공급하는 공정은 상기 제2 소스 가스와 상기 제3 소스 가스의 공급량을 점차로 증가시키다가 다시 점차로 감소시키는 공정을 포함하는 투습 방지막의 제조 방법. continuously supplying the first source gas from the initial time of the reaction to the end of the reaction;
continuously forming plasma from the initial point of the reaction to the end of the reaction; and
after supplying the first source gas, alternately supplying the second source gas and the third source gas to have a pulse driving;
The supplying of the second source gas and the third source gas may include gradually increasing supply amounts of the second source gas and the third source gas and then gradually decreasing the supply amounts. 제8항에 있어서,
상기 제1 소스 가스는 산소 가스로 이루어지고, 상기 제2 소스 가스는 질소 소스 가스로 이루어지고, 상기 제3 소스 가스를 실리콘 소스 가스로 이루어진 투습 방지막의 제조 방법. 9. The method of claim 8,
The first source gas includes oxygen gas, the second source gas includes nitrogen source gas, and the third source gas includes silicon source gas. 기판;
상기 기판 상에 구비된 발광부; 및
상기 발광부 상에 구비된 투습 방지막을 포함하여 이루어지고,
상기 투습 방지막은 전술한 제1항 내지 제2항 및 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 따른 투습 방지막으로 이루어진 유기 발광 소자. Board;
a light emitting unit provided on the substrate; and
and a moisture permeation prevention film provided on the light emitting part,
The moisture permeation barrier is an organic light emitting device made of the moisture permeation barrier according to any one of claims 1 to 2 and 4 to 7 described above. 기판 상에 발광부를 형성하는 공정; 및
상기 발광부 상에 투습 방지막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지고,
상기 투습 방지막을 형성하는 공정은 전술한 제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 투습 방지막의 제조 방법으로 이루어진 유기 발광 소자의 제조 방법. forming a light emitting part on a substrate; and
and forming a moisture barrier film on the light emitting part,
The process of forming the moisture permeation barrier film is a method of manufacturing an organic light emitting device comprising the method for manufacturing the moisture permeation barrier film according to any one of claims 8 to 11.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014109356A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 コニカミノルタ株式会社 Gas-barrier film
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7776670B2 (en) * 2006-06-16 2010-08-17 Toray Engineering Co., Ltd. Silicon thin-film and method of forming silicon thin-film
US20130330531A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Cheil Industries, Inc. Barrier stacks and methods of making the same
KR102108359B1 (en) * 2013-04-03 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015502869A (en) 2011-10-24 2015-01-29 テラ‐バリア フィルムズ プライベート リミテッド Encapsulated barrier stack
WO2014109356A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 コニカミノルタ株式会社 Gas-barrier film
JP2014159153A (en) 2013-01-24 2014-09-04 Toray Ind Inc Gas barrier laminated body, and solar battery or display body formed by using the same

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