KR102313131B1 - 리셉터클 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 리셉터클(1) 내의 안과용 렌즈(10), 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법은, - 상기 안과용 렌즈(10)가 추정상 수용되는 상기 리셉터클(1)의 적어도 일부분(3)으로부터 나오는 적외선을 검출하는 단계, - 상기 안과용 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도(AL)가 상기 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도(AR)와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 상기 검출된 적외선을 분석하는 단계, 및 - 상기 스펙트럼 부분의 상기 분석으로부터, 상기 리셉터클 내의 상기 안과용 렌즈(10)의 존재 유무를 검출하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 리셉터클(receptacle) 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 리셉터클 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 렌즈 검출 스테이션(lens detection station)에 관한 것이다.
요즘에는, 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈가 고도로 자동화된 제조 라인에서 대량으로 생산된다. 그러한 제조 라인의 포장 스테이션에서, 콘택트 렌즈는 최종 콘택트 렌즈 포장을 위해 리셉터클 내에 배치된다. 통상, 식염수(saline)가 리셉터클 내로 추가되고, 제거 가능한 커버가 리셉터클의 상부에 배치, 예를 들어 라미네이팅되어, 패키지의 보관 및 출하 동안에 식염수 내에 콘택트 렌즈를 수용하는 리셉터클의 액밀 덮개(liquid-tight closure)를 제공한다.
최종 검출 단계에서는, 콘택트 렌즈 패키지의 리셉터클 내에 사실상 하나의 유일한 콘택트 렌즈만이 존재하는 것이 확인된다. 리셉터클 내에 하나의 유일한 콘택트 렌즈만이 존재하는지 여부를 검출하기 위한 하나의 방법은 형광(fluorescence)에 기초한다. 이러한 방법에서, 반투명한 리셉터클에는 자외선이 조사되어 콘택트 렌즈 재료를 자극해서 형광을 방출시킨다. 리셉터클 내로부터 나오는 형광의 양을 검출함으로써, 콘택트 렌즈가 리셉터클 내에 존재하는지 여부가 결정될 수 있다. 검출된 형광의 양으로부터, 하나 초과의 콘택트 렌즈가 리셉터클 내에 수용되어 있는지가 또한 결정될 수 있다.
콘택트 렌즈 재료의 형광 자극을 위한 자외선은 300 ㎚보다 짧은 파장을 갖는다. 300 ㎚보다 짧은 파장의 방사선을 방출하는 자외선 광원은 단지 제한된 수명을 갖는데, 통상 사용되는 UV-LED의 경우에는 단지 수백 시간일 수 있다. 따라서, 자외선 광원은 비교적 자주 교체되어야 하고, 이것은 자동화된 제조 프로세스를 저해할 수 있고, 제조 프로세스의 효율을 감소시킨다. 또한, 자외선에 의해 유발되는 임의의 자극으로부터 작업자를 보호하기 위해서, 신뢰성 있는 차폐 수단이 제공되어야 한다. 그러나 그러한 차폐 수단은 작업 절차 및 작업자 모두에 대해 물리적 장애물이 될 수 있고, 제조 프로세스의 비용 증대를 초래한다. 또한, 형광에 기초한 콘택트 렌즈의 검출 방법은 콘택트 렌즈를 제조하는 재료에 강하게 의존한다. 렌즈 재료에 따라, 형광에 기초한 검출이 선택사항이 아닐 수 있다.
그러므로, 본 발명의 목적은 전술한 단점을 회피하고 기술적으로 단순하고 신뢰성 있는, 리셉터클 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 검출을 위한 방법을 제공하는 것이다.
이것을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 태양에 따르면, 리셉터클 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 방법이 제안되어 있다. 본 발명에 따른 방법은,
- 상기 안과용 렌즈가 추정상 수용되는 상기 리셉터클의 적어도 일부분으로부터 나오는 적외선을 검출하는 단계,
- 상기 안과용 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도(absorbance)가 상기 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 상기 검출된 적외선을 분석하는 단계, 및
- 상기 스펙트럼 부분의 상기 분석으로부터, 상기 리셉터클 내의 상기 안과용 렌즈의 존재 유무를 검출하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 일 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위만의 적외선을 검출하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 방법의 다른 태양에 따르면, 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 상기 파장 범위만의 적외선을 검출하는 것은 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 상기 파장 범위만 투과 가능한 필터를 사용하여 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 적외선 센서를 사용하여 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 적외선 카메라를 사용하여 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 다른 태양에 따르면, 상기 리셉터클의 적어도 일부분으로부터 나오는 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클의 하부 아래로부터 수행된다.
대안적으로 또는 추가로, 본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클의 측면측으로부터 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클이 액체로 충전된 상태로 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 리셉터클은, 상기 리셉터클, 및 상기 리셉터클의 상부면에 부착된 제거가능한 커버를 포함하는 콘택트 렌즈 패키지의 일부이며, 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 제거가능한 커버가 상기 리셉터클의 상기 상부면에 부착된 상태로 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 다른 태양에 따르면, 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클 전체로부터 나오는 상기 적외선을 검출함으로써 수행된다.
본 발명에 따른 방법의 다른 태양에 따르면, 상기 리셉터클은 주변 광(ambient light)에 의해서만 조명된다.
본 발명에 따른 방법의 또 다른 태양에 따르면, 상기 안과용 렌즈를 제조하는 상기 재료의 흡광도는 상기 리셉터클을 제조하는 상기 재료의 흡광도보다 2% 초과로 높고, 바람직하게는 상기 리셉터클을 제조하는 상기 재료의 흡광도보다 5% 초과로 높고, 그리고, 적용 가능하다면, 상기 액체의 흡광도보다 10% 초과로 높고, 바람직하게는 상기 액체의 흡광도보다 15% 초과로 높다.
본 발명의 다른 태양은 리셉터클 내의 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 존재 유무를 검출하기 위한 렌즈 검출 스테이션(lens detection station)에 관한 것이다. 렌즈 검출 스테이션은 상기 안과용 렌즈가 추정상 수용되는 상기 리셉터클의 적어도 일부분으로부터 나오는 적외선을 검출하도록 구성 및 배열되는 검출기를 포함하며, 상기 검출기는 상기 안과용 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도가 상기 안과용 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 상기 검출된 적외선을 분석하도록 추가로 구성된다. 상기 검출기는, 상기 스펙트럼 부분의 상기 분석으로부터, 상기 리셉터클 내의 상기 안과용 렌즈의 존재 유무를 검출하도록 추가로 구성된다.
본 발명에 따른 렌즈 검출 스테이션의 일 태양에 따르면, 상기 검출기는 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위의 상기 적외선을 검출하도록 구성된다.
본 발명에 따른 렌즈 검출 스테이션의 다른 태양에 따르면, 상기 검출기는 적외선 카메라이다.
일반적으로, 본 발명은 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈를 제조하는 재료가 적외선에 대한 특유한 흡수 특성을 갖는다는 사실을 이용한다. 따라서, 콘택트 렌즈를 추정상 수용하는 리셉터클로부터 나오는 적외선은 각각의 렌즈 재료에 특유한 흡수 스펙트럼에 대해 검출 및 분석될 수 있다. 특히, 검출 방법은 수동(passive) 검출 방법이며, 형광을 자극하기 위한 자외선에 의한 콘택트 렌즈의 조사를 필요로 하지 않는다. 일반적으로, 본 발명에 따른 방법은 콘택트 렌즈에 대한 어떠한 조사도 전혀 필요로 하지 않는다(주변 광이 충분할 수 있음). 따라서, 고가이고 비교적 수명이 짧은 자외선원이 생략될 수 있다. 또한, 자외선원의 부존재로 인해, 자외선에 대한 작업자의 차폐에 대한 필요성이 더 이상 없다. 따라서, 그러한 차폐를 제공하는 결점도 더 이상 존재하지 않는다. 본 발명에 따른 방법은 렌즈가 리셉터클 내에 존재하는지 여부를 구별할 수 있으며, 또한 리셉터클 내의 하나 초과의 렌즈의 존재를 검출할 수도 있다.
빈의 변위 법칙(Wien's displacement law)에 따르면, 임의의 온도에서의 흑체(black body)로부터의 열 방사선의 파장 분포는 임의의 다른 온도에서의 분포와 본질적으로 동일한 형상을 갖는다. 이러한 일반 법칙으로부터, 흑체의 방사의 피크 파장과, 파장의 함수로 표현된 경우의 흑체의 온도 사이에 역비례 관계가 있다는 것이 된다. 따라서, 빈의 변위 법칙에 따르면, 방사된 방사선의 강도가 최댓값을 갖는 파장은 λmax = 2897.8 ㎛·K/T로서 표현될 수 있으며, 여기서 K는 켈빈(Kelvin)을 의미하고, T는 켈빈 단위의 절대 온도를 나타낸다. 특히, 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위는 약 17℃ 내지 약 166℃ 범위의 온도에 대응한다. 안과용 렌즈, 특히 콘택트 렌즈의 제조에 통상 사용되는 재료는 지정된 파장 범위 내에 흡광도 피크를 가지며, 그에 따라 리셉터클 내의 렌즈의 신뢰성 있는 식별이 적외선 검출을 사용하여 확인될 수 있다. 그러나 콘택트 렌즈용 리셉터클을 제조하는 재료, 예를 들어 폴리프로필렌도 이러한 파장 범위 내에 흡광도 피크를 갖는다. 그러므로, 검출된 적외선은 콘택트 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도가 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 분석된다. 용어 "크게 상이한"은 콘택트 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도가 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도와 적어도 2%, 바람직하게는 5% 초과만큼 상이하다는 의미로 이해되어야 한다. 따라서, 리셉터클과 콘택트 렌즈 사이의 콘트라스트(contrast)는 증가될 수 있고, 검출이 향상될 수 있다. 바람직하게는, 검출된 적외선은 콘택트 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도가 높은 반면, 리셉터클을 제조하는 재료가 약간의 흡광도만을 갖는 스펙트럼 부분에서 분석된다.
6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위의 적외선을 검출하는 것은 상기 파장 범위만 투과 가능한 필터를 사용하여 수행될 수 있다. 예를 들면, 필터는 리셉터클과 검출기, 예를 들어 적외선 센서 또는 적외선 카메라 사이에 배치될 수 있거나, 필터는 검출기 자체의 일부일 수도 있다.
예를 들면, 적외선 센서는, 렌즈가 리셉터클 내에 존재하는지 여부를 결정하고, 하나 초과의 렌즈가 존재하는지를 식별하기 위해서, 콘택트 렌즈가 추정상 수용되는 리셉터클의 부분을 가로질러 스캐닝 될 수 있다. 적외선 센서가 충분히 큰 적외선 감지 표면을 갖는 경우(예를 들면, 적합한 적외선 카메라의 경우), 리셉터클 전체로부터 나오는 적외선이 동시에 분석될 수 있다. 적합한 적외선 카메라는, 예를 들어 독일 오르텐부르크 소재의 마이크로-엡실론 메스테크니크(Micro-Epsilon Messtechnik)사로부터 입수 가능한 타입 "thermoIMAGER TIM 640"의 카메라일 수 있다.
적외선의 검출은 리셉터클의 하부 아래로부터 수행될 수 있다. 그러나 대안적으로 또는 그에 추가하여, 검출은 리셉터클의 측면 측으로부터 수행될 수 있다. 측면 측으로부터의 검출은 리셉터클 내의 하나 초과의 렌즈의 검출에 특히 유리할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은, 심지어는, 리셉터클 및 이 리셉터클의 상부면에 부착된 제거가능한 커버를 포함하는 이미 밀폐된 콘택트 렌즈 패키지 내의 콘택트 렌즈의 존재 유무의 검출을 허용한다. 리셉터클은 심지어 액체, 예를 들어 식염수로 충전될 수도 있다. 이미 언급된 바와 같이, 한편으로는 콘택트 렌즈와, 다른 한편으로는 리셉터클 및 식염수 사이의 높은 콘트라스트를 얻기 위해서, 검출된 적외선의 분석되는 스펙트럼 부분은 한편으로는 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도 및 식염수(또는 물과 같은 다른 적합한 액체)의 흡광도 모두가 콘택트 렌즈가 제조되는 재료의 흡광도와 크게 상이하도록 선택된다. 바람직하게는, 콘택트 렌즈를 제조하는 재료의 흡광도가 높은 반면, 리셉터클을 제조하는 재료 및 식염수 모두가 약간의 흡광도만을 갖는다. 이미 언급된 바와 같이, 본 발명에 따른 방법은 특수한 광원을 필요로 하지 않는다. 따라서, 검출은 주변 광 하에서 수행될 수 있다.
본 발명의 렌즈 검출 스테이션은 전술한 방법과 동일한 이유로 유리하다. 그러므로, 그 이점은 여기에서 반복 설명되지 않는다.
본 발명의 다른 상세내용 및 이점은 개략적인 도면을 참조하는 본 발명의 예시적인 실시예의 하기의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 콘택트 렌즈 패키지의 사시도를 도시하고;
도 2는 리셉터클의 하부 아래에 배열된 적외선 카메라에 의해 얻어진, 리셉터클 내에 콘택트 렌즈를 수용하는 콘택트 렌즈 패키지의 이미지를 도시하고;
도 3은 리셉터클의 측면 측에 배열된 적외선 카메라에 의해 얻어진, 리셉터클 내에 콘택트 렌즈를 수용하는 콘택트 렌즈 패키지의 이미지를 도시하고;
도 4는 실리콘 하이드로겔 재료로 제조된 콘택트 렌즈 및 폴리프로필렌으로 제조된 리셉터클의 흡광도를 나타내는 그래프를 도시하고;
도 5는 물 및 식염수의 흡광도를 나타내는 그래프를 도시한다.
도 1은 콘택트 렌즈 패키지의 사시도를 도시하고;
도 2는 리셉터클의 하부 아래에 배열된 적외선 카메라에 의해 얻어진, 리셉터클 내에 콘택트 렌즈를 수용하는 콘택트 렌즈 패키지의 이미지를 도시하고;
도 3은 리셉터클의 측면 측에 배열된 적외선 카메라에 의해 얻어진, 리셉터클 내에 콘택트 렌즈를 수용하는 콘택트 렌즈 패키지의 이미지를 도시하고;
도 4는 실리콘 하이드로겔 재료로 제조된 콘택트 렌즈 및 폴리프로필렌으로 제조된 리셉터클의 흡광도를 나타내는 그래프를 도시하고;
도 5는 물 및 식염수의 흡광도를 나타내는 그래프를 도시한다.
도 1은 콘택트 렌즈 패키지의 리셉터클(1)의 예시적인 실시예를 도시하고 있다. 그러한 콘택트 렌즈 패키지는 통상적으로 리셉터클(1), 및 이 리셉터클(1)의 상부면(2)에 통상적으로 부착, 예를 들어 라미네이팅(포일의 경우)되는 덮개(closure)를 포함한다. 덮개가 본 발명에 특별히 중요하지 않으므로, 도면에 도시되어 있지 않으며, 이는 콘택트 렌즈의 존재 유무의 검출이 덮개가 있거나 없는 상태에서 수행될 수 있기 때문이다. 리셉터클(1)에는 콘택트 렌즈가 내부에 수용될 오목형 공동부(3)가 제공된다. 오목형 공동부(3)에 대응하여, 리셉터클(1)은 볼록하게 만곡된 하부(4)를 가질 수 있다. 리셉터클(1)의 측부에서 그 하부(4)를 향해 연장되는 지지 플랜지(5, 6)는 지지면 상에의 리셉터클(1)의 안정적인 배치를 용이하게 한다. 리셉터클(1)은 예를 들어 폴리프로필렌으로 제조될 수 있다. 자동화된 콘택트 렌즈 제조 라인의 포장 스테이션에서, 콘택트 렌즈는 리셉터클(1)의 오목형 공동부(3) 내에 배치되고, 그 후에 오목형 공동부(3)는 물 또는 식염수와 같은 액체로 충전된다.
콘택트 렌즈가 리셉터클(1)의 공동부(3) 내에 존재하는지 여부를 검출할 수 있게 하기 위해서, 리셉터클(1)을 전체적으로 또는 공동부(3)를 포함하는 적어도 일부분을 관찰하도록 렌즈 검출 스테이션에 적외선에 민감한 검출기가 배열될 수 있다. 검출기는 적외선 센서 또는 적외선 카메라로서 구현되거나 이것을 포함할 수 있다. 도 1에서, 검출기가 리셉터클(1)을 관찰할 수 있는 방향이 화살표(B, H)로 각각 표시되어 있다. 화살표(B)는 검출기가 리셉터클(1) 아래로부터 리셉터클(1)을 관찰하는 것(즉, 검출기가 리셉터클의 하부(4) 아래에 배열되는 것)을 나타낸다. 화살표(H)는 검출기가 리셉터클(1)의 측면 측으로부터(도시된 실시예에서, 대략 수평방향으로부터) 리셉터클(1)을 관찰하는 것(즉, 검출기가 리셉터클의 측면 측에 배열되는 것)을 나타낸다.
도 2는 리셉터클(1)이 아래로부터 관찰되도록 리셉터클(1)의 하부(4) 아래에 배열되는 적외선 카메라에 의해 얻어진 이미지를 개략적으로 도시하고 있다. 리셉터클(1) 및 그 공동부(3)의 윤곽이 명확하게 보인다. 리셉터클(1)의 공동부(3) 내의 콘택트 렌즈(10)는, 적외선 카메라에 의해 검출되는 바와 같이, 콘택트 렌즈를 제조하는 재료에 의한 적외선의 흡수에 대응하여, 흑색 콘트라스트(black contrast)로 도시되어 있다.
도 3은 리셉터클(1)이 측방으로부터 관찰되도록 리셉터클의 측면 측에(리셉터클에 대해 대략 수평방향으로) 배열되는 적외선 카메라로부터의 이미지를 도시하고 있다. 또한, 리셉터클(1)의 윤곽이 명확하게 보인다. 콘택트 렌즈(10)는 흑색으로부터 회색까지 범위의 음영으로 도시되어 있다. 이것은 리셉터클(1)의 공동부(3) 내의 콘택트 렌즈(10)의 재료를 통과한 적외선의 이동 길이에 따라 달라지는 적외선의 상이한 흡수량의 결과이다. 리셉터클(1)의 측면 측으로부터의 관찰은 또한, 하나 초과의 콘택트 렌즈가 리셉터클(1) 내에 존재하는지 여부에 관한 명확한 정보를 제공할 수 있다.
도 4의 도표는 폴리프로필렌으로 제조된 리셉터클의 흡광도(AR) 및 실리콘 하이드로겔 재료, 예를 들어 하기의 물질의 혼합물로부터 얻어진 재료로 제조된 콘택트 렌즈의 흡광도(AL)를 나타내는 2개의 그래프를 도시하고 있으며, 여기서 "%(w/w)"는 전체 중량당 중량 백분율을 나타낸다:
사슬-연장된 폴리디메틸실록산(CE-PDMS) 31.83%(w/w)
3-아크릴아미도프로필(트리메틸-실록시)실란(TRIS-AAm) 20.71%(w/w)
1-프로판올(1PrOH) 21.72%(w/w)
N,N-디메틸 아크릴아미드(DMA) 23.24%(w/w)
2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논(Darocur 1173) 1.01%(w/w)
N-(카르보닐-메톡시에틸렌 글리콜 2000)-1,2디스테아로일-sn-
글리세롤-3-에탄올아민인산, 나트륨 염(L-PEG 2000) 0.61%(w/w)
1,2-디미리스토일-sn-글리세로-3-포스포릴콜린(DMPC) 0.76%(w/w)
4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸-피페리딘-1-옥실(H-Tempo) 0.02%(w/w)
3-메타아크릴옥시프로필-트리스-(트리메틸실록시)실란(TRIS)
구리 프탈로시아닌(CuP) 서스펜션(Source Batch)
(Visitint Dispersion) 0.10%(w/w)
가로축에는 파수(wavenumber)(단위: ㎝-1)가 나타나 있는 한편, 세로축은 각각의 파장에서의 흡광도(단위: %)를 나타낸다. 세로축에는 무명수(absolute number) 및 치수가 지정되어 있지 않은데, 이는 이러한 무명수 및 치수가 각각의 파장 범위에서의 전자기기의 증폭률(amplification factor) 등으로부터, 사용된 특정 검출기에 따라 달라지기 때문이다. 어떠한 경우에도, 흡광도의 차이는 리셉터클(1)의 공동부(3) 내의 콘택트 렌즈의 존재 유무를 신뢰성 있게 검출하기에 충분하다. 가로축 상의 각각의 파수는 파장의 역수(=1/λ)에 대응한다. 도 4의 2개의 그래프는 폴리프로필렌으로 제조된 리셉터클이 콘택트 렌즈를 제조하는 재료와 상이한 파장 범위에서 흡광도의 피크를 갖는 것을 나타내고 있다. 따라서, 검출된 적외선의 분석에서, 2개의 재료는 신뢰성 있게 구별될 수 있다. 예를 들면, 도시된 실시예에서, 1300 ㎝-1 내지 1210 ㎝-1의 제1 파수 범위(7.7 ㎛ 내지 8.3 ㎛의 파장 범위에 대응함) 및 1150 ㎝-1 내지 1000 ㎝-1의 제2 파수 범위(8.7 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위에 대응함)는 특히 유리한데, 이는 이들 범위에서 콘택트 렌즈의 흡광도(AL) 및 폴리프로필렌 리셉터클의 흡광도(AR)가 콘택트 렌즈의 신뢰성 있는 검출을 수행할 수 있도록 크게 상이하기 때문이다.
도 5의 도표에 도시된 그래프는 물의 흡광도(AW) 및 식염수의 흡광도(AS)를 각각 도시하고 있다. 또한, 가로축에는 파수가 나타나 있는 한편, 세로축은 각각의 파장에서의 흡광도를 %로 나타낸다. 각각의 흡광도(AW, AS)를 나타내는 2개의 그래프는 서로 매우 유사하고, 사실상 동일한 파장 범위에서 흡광도의 피크를 갖는다.
도 4 및 도 5에 도시된 그래프에 의해 나타낸 흡광도(AR, AL, AW, AS)의 비교는 콘택트 렌즈의 흡광도(AL)가 폴리프로필렌 리셉터클, 물 및 식염수 각각의 흡광도(AR, AW, AS)의 최댓값과 명확하게 구별되는 파수 범위(파장 범위)에서 최댓값을 갖는다. 따라서, 적외선을 검출하고 검출된 적외선을 분석하기 위한 검출기를 이용하는 수동 검출 방법은 콘택트 렌즈가 리셉터클 내에 수용되어 있는지 여부, 및 하나 초과의 콘택트 렌즈가 리셉터클 내에 존재하는지 여부에 관한 명확하고 분명한 결과를 초래할 수 있다. 이러한 검출 방법은, 리셉터클에 콘택트 렌즈가 배치되고 물 또는 식염수가 충전되고, 리셉터클의 상부면에 부착, 예를 들어 라이네이팅될 수 있는 제거가능한 덮개(예를 들면, 포일)가 리셉터클에 제공된 후의 콘택트 렌즈 패키지에도 수행될 수 있다. 그러나 리셉터클에 콘택트 렌즈가 배치되었지만, 물 또는 식염수가 추가되기 전에, 또는 물 또는 식염수가 추가된 후이지만, 포일이 리셉터클에 부착되기 전에, 검출이 또한 수행될 수도 있다.
본 발명은 특정 실시예의 도움으로 설명되었지만, 이러한 실시예가 단지 예로서 설명되었고 보다 일반적인 교시(teaching)를 나타낸다는 것과, 본 발명하에 있는 이러한 일반적인 교시로부터 벗어남이 없이 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다. 그러므로, 보호 범위는 설명된 실시예에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 규정된다.
Claims (16)
- 리셉터클(1) 내의 안과용 렌즈(10)의 존재 유무를 검출하기 위한 방법에 있어서,
상기 안과용 렌즈(10)가 추정상 수용되는 상기 리셉터클(1)의 적어도 일부분(3)으로부터 나오는 적외선을 검출하는 단계,
상기 안과용 렌즈(10)를 제조하는 재료의 흡광도(AL)가 상기 리셉터클(1)을 제조하는 재료의 흡광도(AR)와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 상기 검출된 적외선을 분석하는 단계, 및
상기 스펙트럼 부분의 상기 분석으로부터, 상기 리셉터클(1) 내의 상기 안과용 렌즈(10)의 존재 유무를 검출하는 단계를 포함하고,
상기 적외선을 검출하는 단계는 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위의 적외선을 검출하는 단계를 포함하며,
상기 리셉터클(1)은 주변 광에 의해서만 조명되는,
방법. - 제1항에 있어서,
6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 상기 파장 범위의 적외선을 검출하는 단계는 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 상기 파장 범위에서 투과가능한 필터를 사용하여 수행되는, 방법. - 제2항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 적외선 센서를 사용하여 수행되는, 방법. - 제3항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 적외선 카메라를 사용하여 수행되는, 방법. - 제2항에 있어서,
상기 안과용 렌즈(10)를 제조하는 상기 재료의 흡광도(AL)는 상기 리셉터클(1)을 제조하는 상기 재료의 흡광도(AR)보다 2% 초과로 높고, 액체의 흡광도(AW, AS)보다 10% 초과로 높은, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클(1)의 하부(4) 아래로부터 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클(1)의 측면측으로부터 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클이 액체로 충전된 상태로 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리셉터클(1)은, 상기 리셉터클(1), 및 상기 리셉터클(1)의 상부면(2)에 부착된 제거가능한 커버를 포함하는 콘택트 렌즈 패키지의 일부이며, 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 제거가능한 커버가 상기 리셉터클(1)의 상기 상부면(2)에 부착된 상태로 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 리셉터클(1)의 적어도 일부분으로부터 나오는 상기 적외선을 검출하는 단계는 상기 리셉터클(1) 전체로부터 나오는 상기 적외선을 검출함으로써 수행되는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 6.6 ㎛ 내지 8.3 ㎛의 파장 범위의 적외선을 검출하는 단계를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 7.7 ㎛ 내지 8.3 ㎛의 파장 범위의 적외선을 검출하는 단계를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 적외선을 검출하는 단계는 8.7 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위의 적외선을 검출하는 단계를 포함하는, 방법. - 리셉터클(1) 내의 안과용 렌즈(10)의 존재 유무를 검출하기 위한 렌즈 검출 스테이션에 있어서,
상기 안과용 렌즈(10)가 추정상 수용되는 상기 리셉터클(1)의 적어도 일부분(3)으로부터 나오는 적외선을 검출하도록 구성 및 배열되는 검출기를 포함하며, 상기 검출기는 상기 안과용 렌즈(10)를 제조하는 재료의 흡광도(AL)가 상기 리셉터클을 제조하는 재료의 흡광도(AR)와 크게 상이한 스펙트럼 부분에서 상기 검출된 적외선을 분석하도록 추가로 구성되고, 상기 검출기는, 상기 스펙트럼 부분의 상기 분석으로부터, 상기 리셉터클(1) 내의 상기 안과용 렌즈(10)의 존재 유무를 검출하도록 추가로 구성되며,
상기 검출기는 6.6 ㎛ 내지 10 ㎛의 파장 범위의 상기 적외선을 주변 광 하에서만 검출하도록 구성되는,
렌즈 검출 스테이션. - 제14항에 있어서,
상기 검출기는 적외선 카메라인, 렌즈 검출 스테이션. - 제14항에 있어서,
6.6 ㎛ 내지 8.3 ㎛의 상기 파장 범위에서 투과가능한 필터 또는 8.7 ㎛ 내지 10 ㎛의 상기 파장 범위에서 투과가능한 필터를 포함하는, 렌즈 검출 스테이션.
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