KR102312760B1 - Display device and method of manufacturing display device using the same - Google Patents

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Abstract

제 1영역 및 제 2영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소전극;을 포함하며, 기 제1영역에 구비된 제1접촉 구멍보다 상기 제2영역에 구비된 제2접촉 구멍의 면적이 더 큰 표시장치를 제공한다.a substrate including a first region and a second region; a gate line and a data line formed on the substrate; a thin film transistor formed on the substrate and connected to the gate line and the data line; and a pixel electrode connected to the thin film transistor, wherein an area of a second contact hole provided in the second region is larger than that of the first contact hole provided in the first region.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE USING THE SAME}Display device and manufacturing method thereof

본 발명은 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 접촉 구멍 패턴의 면적을 다르게 형성한 노광 마스크를 이용하여 기판의 중첩 노광 영역에 배치되는 접촉 구멍의 면적이 더 크게 형성된 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a display device having a larger contact hole area disposed in an overlapping exposure area of a substrate by using an exposure mask having different contact hole pattern areas; It relates to a manufacturing method thereof.

일반적으로 액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치는 복수 쌍의 전기장 생성 전극과 그 사이에 들어 있는 전기광학(electro-optical) 활성층을 포함한다. 액정 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 액정층을 포함하고, 유기 발광 표시 장치의 경우 전기 광학 활성층으로 유기 발광층을 포함한다.In general, a flat panel display device, such as a liquid crystal display device or an organic light emitting display device, includes a plurality of pairs of electric field generating electrodes and an electro-optical active layer interposed therebetween. A liquid crystal display device includes a liquid crystal layer as an electro-optical active layer, and an organic light-emitting display device includes an organic light emitting layer as an electro-optically active layer.

한 쌍을 이루는 전기장 생성 전극 중 하나는 통상 스위칭 소자에 연결되어 전기 신호를 인가 받고, 전기 광학 활성층은 이 전기 신호를 광학 신호를 변환함으로써 영상이 표시된다.One of the pair of electric field generating electrodes is usually connected to a switching element to receive an electric signal, and the electro-optical active layer converts the electric signal into an optical signal to display an image.

최근 표시장치가 대면적화, 고집적화 되어 감에 따라, 일반적으로 마스크 크기보다 표시 장치 기판의 액티브 영역(active area)이 큰 경우가 많다. 따라서, 최근 표시장치 제조방법은 상기 액티브 영역에 패턴을 형성하기 위해서, 액티브 영역을 분할하여 스텝 앤 리피트(step and repeat) 공정을 수행하는 분할 노광이 적용된다. 상기 분할 노광은 하나의 액티브 영역을 둘 이상의 샷으로 노광하는 방식이다. 이러한 분할 노광 방식의 경우, 실제의 샷은 전이(shift), 회전(rotation), 비틀림(distortion) 등의 왜곡이 발생하기 때문에 샷 사이가 정확히 정렬되지 않아 스티치(Stitch) 불량이 발생하며, 이는 화상이 표시될 때, 서로 다른 샷 간의 밝기 차이 또는 샷 사이의 경계에서 얼룩으로 나타난다.In recent years, as display devices have become large-area and highly integrated, the active area of the display device substrate is generally larger than the mask size in many cases. Accordingly, in a recent display device manufacturing method, in order to form a pattern in the active region, divided exposure in which the active region is divided and a step and repeat process is performed is applied. The divided exposure is a method of exposing one active area with two or more shots. In the case of such a divided exposure method, because distortion such as shift, rotation, and distortion occurs in the actual shot, the shots are not accurately aligned, resulting in stitch defects, which When is displayed, it appears as a difference in brightness between different shots or as blobs at the boundaries between shots.

본 발명의 일례는 표시장치 및 그 제조방법을 제공하고자 한다. 이를 위하여 본 발명의 일례는 제 1투광부에 형성된 제1마스크 패턴 및 제2투광부에 형성된 제2마스크 패턴의 면적보다 상기 제3투광부에 형성된 제3마스크 패턴의 면적이 더 큰 노광 마스크를 이용하여 형성한 표시장치 및 그 제조방법을 제공한다.An example of the present invention is to provide a display device and a method for manufacturing the same. To this end, in one embodiment of the present invention, an exposure mask in which the area of the third mask pattern formed in the third light-transmitting unit is larger than the area of the first mask pattern formed in the first light-transmitting unit and the second mask pattern formed in the second light-transmitting unit is used. A display device formed by using the same and a manufacturing method thereof are provided.

본 발명의 일예는 제 1영역 및 제 2영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 형성된 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터와 연결된 화소전극;을 포함하며, 상기 제1영역에 구비된 제1접촉 구멍보다 상기 제2영역에 구비된 제2접촉 구멍의 면적이 더 큰 표시장치를 제공한다.An example of the present invention is a substrate including a first region and a second region; a gate line and a data line formed on the substrate; a thin film transistor formed on the substrate and connected to the gate line and the data line; and a pixel electrode connected to the thin film transistor, wherein an area of a second contact hole provided in the second region is larger than that of the first contact hole provided in the first region.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제2접촉구멍의 면적은 상기 제1접촉구멍의 면적의 1.3배 내지 1.5배일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the area of the second contact hole may be 1.3 times to 1.5 times the area of the first contact hole.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍은 동일층에 구비될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first contact hole and the second contact hole may be provided on the same layer.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제1접촉 구멍 및 상기 제2접촉 구멍은 반도체층, 드레인 전극, 게이트 배선, 데이터 배선 및 패드 전극 중 어느 하나를 노출시킬 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first contact hole and the second contact hole may expose any one of a semiconductor layer, a drain electrode, a gate line, a data line, and a pad electrode.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제2영역은 상기 게이트 배선 및 상기 데이터 배선 중 어느 하나를 포함할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the second region may include any one of the gate line and the data line.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제2영역은 구동회로가 배치될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a driving circuit may be disposed in the second region.

본 발명의 일예는 복수의 제 1 마스크 패턴을 구비하는 제1투광부; 상기 제1투광부의 좌측 및 우측에 배치되어 복수의 제 2 마스크 패턴을 구비하는 제2투광부; 및 상기 제1투광부 및 상기 제2투광부 사이에 배치되어 복수의 제 3 마스크 패턴을 구비하는 제3투광부;를 포함하며, 상기 제 3 마스크 패턴은 상기 제 1 마스크 패턴 및 상기 제 2 마스크 패턴보다 더 큰 면적을 갖는 노광 마스크를 제공한다.An example of the present invention includes a first light-transmitting part having a plurality of first mask patterns; a second light-transmitting unit disposed on the left and right sides of the first light-transmitting unit and having a plurality of second mask patterns; and a third transmissive part disposed between the first transmissive part and the second transmissive part and including a plurality of third mask patterns, wherein the third mask pattern includes the first mask pattern and the second mask. An exposure mask having a larger area than the pattern is provided.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제1마스크 패턴, 상기 제2마스크 패턴 및 상기 제3마스크 패턴은 노광영역 및 차광 영역 중 어느 하나일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first mask pattern, the second mask pattern, and the third mask pattern may be any one of an exposure area and a light blocking area.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제1마스크 패턴, 상기 제2마스크 패턴 및 상기 제3마스크 패턴은 접촉 구멍 형성용 패턴일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first mask pattern, the second mask pattern, and the third mask pattern may be a pattern for forming a contact hole.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 접촉 구멍 형성 패턴은 원형 또는 다각형 형상일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the contact hole forming pattern may have a circular or polygonal shape.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 접촉 구멍 형성 패턴은, 제1노광부; 상기 제 1 노광부를 둘러싸는 제1차광부; 상기 제1차광부를 둘러싸는 제2노광부; 및 상기 제2노광부를 둘러싸는 제2차광부;를 포함하며, 상기 제2노광부는 슬릿 형상일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the contact hole forming pattern may include: a first exposure part; a first light blocking part surrounding the first exposure part; a second exposure unit surrounding the first light blocking unit; and a second light blocking part surrounding the second exposure part, wherein the second exposure part may have a slit shape.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 접촉 구멍 형성 패턴은, 제1차광부; 상기 제 1 차광부를 둘러싸는 제1노광부; 상기 제1노광부를 둘러싸는 제2차광부; 및 상기 제2차광부를 둘러싸는 제2노광부;를 포함하며, 상기 제 2 차광부는 슬릿 형상일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the contact hole forming pattern may include: a first light blocking part; a first exposure unit surrounding the first light blocking unit; a second light blocking part surrounding the first exposure part; and a second exposure unit surrounding the second light blocking unit, wherein the second light blocking unit may have a slit shape.

본 발명의 일예에서는 적어도 3개 이상의 제1영역 및 상기 제1영역의 사이에 형성된 제2영역을 포함하는 기판 상에 피식각층을 형성하는 단계; 상기 피식각층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 노광 마스크를 이용하여 첫 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 첫 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제1노광단계; 노광 마스크를 이용하여 두 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 두 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제2노광단계; 노광 마스크를 이용하여 세 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 세 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제3노광단계; 상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 기판 상에 형성된 피식각층을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)하는 단계;를 포함하는 표시장치의 제조방법을 제공한다.In one embodiment of the present invention, the method includes: forming an etched layer on a substrate including at least three first regions and a second region formed between the first regions; applying a photoresist on the layer to be etched; a first exposure step of exposing the photoresist applied to the first first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the first first region to different exposure doses using an exposure mask; a second exposure step of exposing the photoresist applied to the second first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the second first region to different exposure doses using an exposure mask; a third exposure step of exposing the photoresist applied to the third first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the third first region to different exposure doses using an exposure mask; forming a photoresist pattern by developing the exposed photoresist; etching the layer to be etched formed on the substrate using the photoresist pattern; and stripping the photoresist pattern.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 제2영역에 조사되는 노광량은 상기 제1영역에 조사되는 노광량의 1% 내지 50%일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the exposure amount irradiated to the second region may be 1% to 50% of the exposure amount irradiated to the first region.

본 발명의 일예에 따르면, 상기 노광 마스크는, 복수의 제 1 마스크 패턴을 구비하는 제1투광부; 상기 제1투광부의 좌측 및 우측에 배치되어 복수의 제 2 마스크 패턴을 구비하는 제2투광부; 및 상기 제1투광부 및 상기 제2투광부 사이에 배치되어 복수의 제 3 마스크 패턴을 구비하는 제3투광부;를 포함하며, 상기 제 3 마스크 패턴은 상기 제 1 마스크 패턴 및 상기 제 2 마스크 패턴보다 더 큰 면적을 가질 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the exposure mask may include: a first light-transmitting part having a plurality of first mask patterns; a second light-transmitting unit disposed on the left and right sides of the first light-transmitting unit and having a plurality of second mask patterns; and a third transmissive part disposed between the first transmissive part and the second transmissive part and including a plurality of third mask patterns, wherein the third mask pattern includes the first mask pattern and the second mask. It may have a larger area than the pattern.

본 발명의 일례에 따른 표시장치는 기판의 중첩 노광 영역에 배치되는 접촉 구멍을 효과적으로 형성하여 표시장치의 화면 품질을 개선한다.The display device according to an exemplary embodiment of the present invention improves the screen quality of the display device by effectively forming the contact hole disposed in the overlapping exposure area of the substrate.

도 1은 스탭퍼(stepper) 방식에 의한 분할 노광 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크를 나타낸 평면도이다.
도 3은 모기판에 형성된 제1기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 종래의 마스크를 이용하여 노광한 뒤 형성된 접촉 구명을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도2의 P1을 확대한 평면도이다.
도 6은 도2의 P2를 확대한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제1영역 및 제2영역을 나타낸 단면도이다.
도 8은 도7에 도시된 제1접촉 구멍 및 제2접촉 구멍을 나타낸 평면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크를 이용하여 표시장치의 접촉 구멍을 형성하는 방법을 나타낸 단면도이다.
도 10a 내지 도 10d는 노광 마스크에 형성된 제1마스크 패턴 및 제3마스크 패턴의 다양한 실시예를 도시한 평면도이다.1 is a diagram schematically illustrating a divided exposure method using a stepper method.
2 is a plan view illustrating an exposure mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view illustrating a first substrate formed on a mother substrate.
4 is a cross-sectional view showing a contact hole formed after exposure using a conventional mask.
FIG. 5 is an enlarged plan view of P1 of FIG. 2 .
FIG. 6 is an enlarged plan view of P2 of FIG. 2 .
7 is a cross-sectional view illustrating a first region and a second region of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
8 is a plan view illustrating the first contact hole and the second contact hole shown in FIG. 7 .
9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method of forming a contact hole of a display device using an exposure mask according to an exemplary embodiment of the present invention.
10A to 10D are plan views illustrating various embodiments of a first mask pattern and a third mask pattern formed on an exposure mask.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in a variety of different forms, and only these embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and common knowledge in the technical field to which the present invention belongs It is provided to fully inform the possessor of the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims. Accordingly, in some embodiments, well-known process steps, well-known device structures, and well-known techniques have not been specifically described in order to avoid obscuring the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.Spatially relative terms "below", "beneath", "lower", "above", "upper", etc. It can be used to easily describe a correlation between an element or components and other elements or components. Spatially relative terms should be understood as terms including different orientations of the device during use or operation in addition to the orientation shown in the drawings. For example, when an element shown in the figures is turned over, an element described as "beneath" or "beneath" another element may be placed "above" the other element. Accordingly, the exemplary term “below” may include both directions below and above. The device may also be oriented in other orientations, and thus spatially relative terms may be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing the embodiments and is not intended to limit the present invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated in the phrase. As used herein, "comprises" and/or "comprising" refers to the presence of one or more other components, steps, operations and/or elements mentioned. or addition is not excluded.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used with the meaning commonly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. In addition, terms defined in a commonly used dictionary are not to be interpreted ideally or excessively unless clearly specifically defined.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여, 스탭퍼 방식에 따른 분할 노광 방법에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a divided exposure method according to the stepper method will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4 .

도 1은 스탭퍼(stepper) 방식에 의한 분할 노광 방법을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크를 나타낸 평면도이다. 도 3은 모기판에 형성된 제1기판을 나타낸 평면도이다. 도 4는 종래의 마스크를 이용하여 노광한 뒤 형성된 접촉 구명을 나타낸 단면도이다.1 is a diagram schematically illustrating a divided exposure method using a stepper method. 2 is a plan view illustrating an exposure mask according to an embodiment of the present invention. 3 is a plan view illustrating a first substrate formed on a mother substrate. 4 is a cross-sectional view showing a contact hole formed after exposure using a conventional mask.

도 1에 도시된 모기판(20)은 패터닝을 위한 박막(금속층, 절연막, 반도체층 등)과, 포토레지스트(미도시)가 적층된 모기판(20)을 의미한다. 포토레지스트는 노광 공정으로 마스크(10)의 패턴을 전사한 후, 현상함으로써 패터닝된다. 이때, 포토레지스트는 모기판(20)이 마스크(10) 보다 큰 경우 그 마스크(10)를 이동하면서 노광 공정을 반복하는 스티치 노광 방법으로 노광된다. 여기서, 마스크를 이용한 한 번의 노광 공정 단위를 샷(Shot) 이라 하고, 하나의 샷에 대응되는 기판의 노광 영역을 샷 영역이라 한다.The mother substrate 20 shown in FIG. 1 means a mother substrate 20 on which a thin film (a metal layer, an insulating film, a semiconductor layer, etc.) for patterning and a photoresist (not shown) are laminated. The photoresist is patterned by transferring the pattern of the mask 10 through an exposure process and then developing. At this time, when the mother substrate 20 is larger than the mask 10 , the photoresist is exposed by a stitch exposure method in which the exposure process is repeated while moving the mask 10 . Here, a single exposure process unit using a mask is referred to as a shot, and an exposure area of the substrate corresponding to one shot is referred to as a shot area.

예를 들면, 도 1에 도시된 모기판(20)은 대형 기판의 일예로서, 2개의 기판이 형성될 수 있다. 모기판(20)은 제1기판(30)과 제2기판(40)을 포함한다. 제1기판(30)은 제1영역(31,32,33,34) 및 제2영역(35,36,37)을 포함한다. 제2기판(40)은 제1영역(41,42,43,44) 및 제2영역(45,46,47)을 포함한다. 상기 제1영역(31,32,33,34, 41,42,43,44)이 하나의 샷 영역이 된다. 따라서, 전체적으로 도 1의 모기판(20)은 제1 내지 제8 샷 영역(31 내지 44)으로 분할되어 노광됨을 알 수 있다. 다시 말하여, 도 1에 도시된 마스크(10)를 이동하면서 제1 내지 제8 샷 영역(31 내지 44)의 포토레지스트(미도시)를 순차적으로 노광한다.For example, the mother substrate 20 shown in FIG. 1 is an example of a large substrate, and two substrates may be formed therein. The mother substrate 20 includes a first substrate 30 and a second substrate 40 . The first substrate 30 includes first regions 31 , 32 , 33 , and 34 and second regions 35 , 36 , 37 . The second substrate 40 includes first regions 41 , 42 , 43 , 44 and second regions 45 , 46 , 47 . The first regions 31 , 32 , 33 , 34 , 41 , 42 , 43 and 44 become one shot region. Accordingly, it can be seen that as a whole, the mother substrate 20 of FIG. 1 is divided into first to eighth shot regions 31 to 44 and exposed. In other words, the photoresists (not shown) of the first to eighth shot regions 31 to 44 are sequentially exposed while moving the mask 10 shown in FIG. 1 .

제1기판(30) 및 제2 기판(40)의 제1영역들은 노광 마스크(10)를 이용하여 단일 노광되는 영역이고, 제1기판(30) 및 제2기판(40)의 제2영역들은 중첩 노광되는 영역들이다.The first regions of the first substrate 30 and the second substrate 40 are regions exposed to a single exposure using the exposure mask 10 , and the second regions of the first substrate 30 and the second substrate 40 are These are overlapping exposed areas.

제2영역(35,36,37,45,46,47)은 게이트 배선(미도시)이나 데이터 배선(미도시)을 포함하는 영역이거나 구동회로(미도시)가 배치된 영역일 수 있다. 예를 들면, 제2영역(35,36,37,45,46,47)은 화소전극과 나란히 배치되며, 각 화소 사이에 형성된 데이터 배선을 포함하는 영역일 수 있다. 상기 구동회로는 스캔 드라이버(미도시), 데이터 드라이버(미도시) 및 구동 IC(미도시) 중 어느 하나이거나 스캔 드라이버, 데이터 드라이버 및 구동 IC를 연결하거나 신호를 인가하는 배선일 수 있다.The second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 , and 47 may include a gate line (not shown) or a data line (not shown) or a region in which a driving circuit (not shown) is disposed. For example, the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 , and 47 may be disposed in parallel with the pixel electrodes and may include data lines formed between the pixels. The driving circuit may be any one of a scan driver (not shown), a data driver (not shown), and a driving IC (not shown), or a wire connecting the scan driver, the data driver, and the driving IC or applying a signal.

하기에서는 제2영역(35,36,37,45,46,47)이 중첩 노광된다는 전제하에 설명한다.Hereinafter, description will be made on the assumption that the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 are exposed to overlap.

하기에서는 설명의 편의를 위해서 제1영역의 31을 제1부영역, 32를 제2부영역, 33을 제3부영역, 34를 제4부영역, 35를 제5부영역, 36을 제6부영역, 37을 제7부영역으로 명명한다. 상기 제1부영역 및 제4부영역은 상기 제2부영역 및 상기 제3부영역보다 1.5배 정도 큰 면적을 각각 갖는다. 즉, 예를 들면 제1부영역은 제2부영역보다 1.5배 정도 큰 면적을 가진다.Hereinafter, for convenience of explanation, in the first region, 31 of the first region is a first subregion, 32 is a second subregion, 33 is a third subregion, 34 is a fourth subregion, 35 is a fifth subregion, and 36 is a sixth subregion. The subregion 37 is called a seventh subregion. The first sub-region and the fourth sub-region each have an area 1.5 times larger than that of the second sub-region and the third sub-region. That is, for example, the first sub-region has an area 1.5 times larger than that of the second sub-region.

상기 분할 노광 방법을 중첩 노광과 관련하여 상세히 설명하면 다음과 같다. The divided exposure method will be described in detail with respect to the overlapping exposure as follows.

도 2에 도시된 마스크(10)는 단일 노광부(100) 및 중첩 노광부(200)를 포함한다. 단일 노광부(100)는 제1투광부(120) 및 제2투광부(110,130)를 포함한다. 중첩 노광부(200)는 제3투광부(210,220)를 포함한다.The mask 10 illustrated in FIG. 2 includes a single exposure part 100 and an overlapping exposure part 200 . The single exposure unit 100 includes a first light-transmitting unit 120 and second light-transmitting units 110 and 130 . The overlap exposure unit 200 includes third light-transmitting units 210 and 220 .

본 발명의 표시장치의 분할 노광 방법을 설명하기에 앞서, 하나의 기판과 노광마스크(10)의 크기를 비교하면 다음과 같다.Before describing the method of dividing the display device of the present invention, the sizes of one substrate and the exposure mask 10 are compared as follows.

노광마스크(10)의 제1투광부(120)는 제1 기판(30)의 제2부영역(32) 및 제3부영역(33)와 실질적으로 동일한 크기를 갖는다. 제2투광부(110,130)는 경계영역(31a,32a,32b,33a,33b,34b)과 실질적으로 동일한 크기를 갖는다. 또한, 제3투광부(210,220)는 제5부영역(35), 제6부영역(36) 및 제7부영역(37)과 실질적으로 동일한 크기를 갖는다. 노광 마스크(10)는 제1 기판의 제1부영역(31), 제5부영역(35) 및 경계 영역(32b)를 합친 면적과 실질적으로 동일한 면적을 갖는다. 달리 표현하면, 제 1 기판(30)의 제1부영역(31) 및 제5부영역(35)를 합친 면적은 노광 마스크(10)의 전체 면적에서 우측의 제2투광부(130)를 제외한 면적과 동일하다.The first light-transmitting part 120 of the exposure mask 10 has substantially the same size as the second sub-region 32 and the third sub-region 33 of the first substrate 30 . The second light-transmitting portions 110 and 130 have substantially the same size as the boundary regions 31a, 32a, 32b, 33a, 33b, and 34b. In addition, the third light-transmitting parts 210 and 220 have substantially the same size as the fifth sub-region 35 , the sixth sub-region 36 , and the seventh sub-region 37 . The exposure mask 10 has substantially the same area as the sum of the first subregion 31 , the fifth subregion 35 , and the boundary region 32b of the first substrate. In other words, the combined area of the first sub-region 31 and the fifth sub-region 35 of the first substrate 30 is the total area of the exposure mask 10 , excluding the right second light-transmitting part 130 . equal to the area

노광기가 조사할 수 있는 최대 노광량을 100%의 노광량이라고 가정한 경우,노광기(미도시)는 단일 노광부(100)에 100%의 노광량에 해당하는 광을 조사하고, 중첩 노광부(200)에 1~50%의 노광량에 해당하는 광을 조사한다. 이는 단일 노광부(100)에 대응하는 모기판(20)의 제1영역(31,32,33,34,41,42,43,44)은 1회 노광되며, 중첩 노광부(200)에 대응하는 모기판(20)의 제2영역(35,36,37,45,46,47)은 2회 노광 되기 때문이다. 즉, 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 1회 노광하는 광의 노광량을 1~50%로 맞추는 이유는 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 조사되는 총 2회 노광량이 100%의 노광량으로 조사되기 위함이다.When it is assumed that the maximum exposure amount that the exposure machine can irradiate is an exposure amount of 100%, the exposure machine (not shown) irradiates light corresponding to 100% of the exposure amount to the single exposure unit 100 , and to the overlap exposure unit 200 . Irradiate the light corresponding to the exposure dose of 1-50%. In this case, the first regions 31 , 32 , 33 , 34 , 41 , 42 , 43 , and 44 of the mother substrate 20 corresponding to the single exposure part 100 are exposed once, and corresponding to the overlap exposure part 200 . This is because the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 of the mother substrate 20 are exposed twice. That is, the reason for adjusting the exposure amount of the light once exposed to the second region 35,36,37,45,46,47 to 1 to 50% is the second region 35,36,37,45,46,47. This is to irradiate a total of 2 exposure doses to be irradiated with 100% exposure dose.

도 3에 도시된 모기판(20)의 제1기판(30)에 배치된 제1부영역(31), 제5부영역(35) 및 제2부영역(32)을 일예로 들어, 마스크(10)와 모기판(20)간의 대응영역에 따른 분할 노광 방법을 설명하면 다음과 같다.Taking the first sub-region 31, the fifth sub-region 35 and the second sub-region 32 disposed on the first substrate 30 of the mother substrate 20 shown in FIG. 3 as an example, a mask ( 10) and the divided exposure method according to the corresponding area between the mother substrate 20 will be described as follows.

첫 번째 샷의 경우, 노광 마스크(10)가 제1부영역(31), 제5부영역(35) 및 경계영역(32b)의 상부에 대응되도록 위치한다. 첫 번째 샷에서 경계영역(32b)을 노광하지 않도록 노광 마스크(10)의 우측의 제2투광부(130)는 마스크 블라인드(미도시)로 가려진다. 노광기는 노광 마스크(10)의 좌측의 제2투광부(110), 좌측의 제3투광부(210) 및 제1투광부(120)에 100%의 노광량으로 광을 조사하고, 상기 100%의 노광량을 갖는 광은 노광 마스크(10)를 거쳐 제1부영역(31)에 조사된다. 또한, 노광기는 노광 마스크(10)의 우측의 제3투광부(220)에 1~50%의 노광량으로 광을 조사하고, 상기 1~50%의 노광량을 갖는 광은 노광 마스크(10)를 거쳐 제5부영역(35)에 조사된다.In the case of the first shot, the exposure mask 10 is positioned to correspond to the upper portions of the first sub-region 31 , the fifth sub-region 35 , and the boundary region 32b. The second light-transmitting part 130 on the right side of the exposure mask 10 is covered with a mask blind (not shown) so as not to expose the boundary region 32b in the first shot. The exposure machine irradiates light with an exposure amount of 100% to the second light-transmitting part 110 on the left side of the exposure mask 10 , the third light-transmitting part 210 , and the first light-transmitting part 120 on the left side of the exposure mask 10 , and Light having an exposure amount is irradiated to the first sub-region 31 through the exposure mask 10 . In addition, the exposure machine irradiates light with an exposure amount of 1-50% to the third light-transmitting part 220 on the right side of the exposure mask 10 , and the light having an exposure amount of 1-50% passes through the exposure mask 10 . The fifth sub-region 35 is irradiated.

두 번째 샷의 경우, 노광 마스크(10)가 경계영역(31a), 제5부영역(35) 및 제2부영역(32), 제6부영역(36) 및 경계영역(33b)의 상부에 대응되도록 위치한다. 두 번째 샷에서 경계영역(31a,33b)을 노광하지 않도록 노광 마스크(10)의 제2투광부(110,130)는 마스크 블라인드(미도시)로 가려진다. 노광기는 노광 마스크(10)의 제1투광부(120)에 100%의 노광량으로 광을 조사하고, 상기 100%의 노광량을 갖는 광은 노광 마스크(10)를 거쳐 제1 기판(30)의 제2부영역(32)에 조사된다. 또한, 노광기는 노광 마스크(10)의 좌, 우측의 제3투광부(210,220)에 1~50%의 노광량으로 광을 조사하고, 상기 1~50%의 노광량을 갖는 광은 노광 마스크(10)를 거쳐 제1 기판(30)의 제5부영역(35) 및 제6부영역(36)에 조사된다. 따라서, 두 번째 샷을 통해, 제5부영역(35)은 총 2회 노광된다.In the case of the second shot, the exposure mask 10 is placed on the boundary region 31a, the fifth subregion 35, the second subregion 32, the sixth subregion 36, and the boundary region 33b. positioned to correspond. The second light-transmitting portions 110 and 130 of the exposure mask 10 are covered with a mask blind (not shown) so as not to expose the boundary regions 31a and 33b in the second shot. The exposure machine irradiates light to the first light-transmitting part 120 of the exposure mask 10 at an exposure amount of 100%, and the light having an exposure amount of 100% passes through the exposure mask 10 to the first substrate 30 . The second sub-region 32 is irradiated. In addition, the exposure machine irradiates light with an exposure amount of 1-50% to the third light-transmitting portions 210 and 220 on the left and right sides of the exposure mask 10 , and the light having an exposure amount of 1-50% is applied to the exposure mask 10 . The fifth subregion 35 and the sixth subregion 36 of the first substrate 30 are irradiated through Accordingly, through the second shot, the fifth sub-region 35 is exposed twice in total.

앞서 설명한 첫 번째 샷과 두 번째 샷의 방법과 동일하게 세 번째 샷 및 네 번째 샷도 진행된다.The third and fourth shots are also performed in the same manner as the first and second shots described above.

도 1 내지 도3에 설명된 분할 노광 방법의 경우, 중첩노광영역에 해당하는 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 조사되는 광의 노광량이 100%를 넘지 않도록 조절된다. 따라서 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 과도한 노광량을 갖는 광이 조사되지 않음에 따라, 각 샷의 경계부분에 해당하는 제2영역(35,36,37,45,46,47)과 단일노광영역에 해당하는 제1영역(31,32,33,34,41,42,43,44) 사이에 패턴의 크기가 상이해지는 문제점은 발생하지 않는다. 그러나, 제2영역(35,36,37,45,46,47)이 2회 노광될 경우, 항상 100%의 노광량으로 일정하게 광이 조사되지 않는 경우가 생기고, 제2영역(35,36,37,45,46,47)의 2회 노광량이 100%의 노광량에 미치지 못함에 따라 도 4에 도시된 바와 같은 오픈되지 않은 접촉 구멍(2) 불량이 생기는 문제점이 있었다. 즉, 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 충분한 노광량이 전달되지 않음에 따라, 특히 보호막에 접촉 구멍(1)을 형성하는 공정에서 일부 오픈되지 않은 접촉 구멍(2)이 드레인 전극(67)을 노출시키지 못하는 문제점이 있었다.In the case of the divided exposure method illustrated in FIGS. 1 to 3 , the exposure amount of light irradiated to the second areas 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 corresponding to the overlapping exposure area is adjusted so as not to exceed 100%. Accordingly, as the light having an excessive exposure amount is not irradiated to the second regions 35,36,37,45,46,47, the second regions 35,36,37,45, 46 and 47) and the first regions 31, 32, 33, 34, 41, 42, 43, and 44 corresponding to the single exposure region, there is no problem in that the size of the pattern is different. However, when the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 are exposed twice, there is a case where the light is not constantly irradiated with an exposure amount of 100%, and the second regions 35 , 36 , 37,45,46,47) did not reach 100% of the exposure dose, so there was a problem in that the unopened contact hole 2 as shown in FIG. 4 was defective. That is, as a sufficient amount of exposure is not transmitted to the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 , in particular in the process of forming the contact hole 1 in the protective film, the partially unopened contact hole 2 . There was a problem in that the drain electrode 67 was not exposed.

따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 도입된 것으로서, 전체적인 구성을 도 5 및 도6과 함께 설명하면 다음과 같다.Accordingly, the exposure mask according to an embodiment of the present invention is introduced to solve the above problems, and the overall configuration will be described with reference to FIGS. 5 and 6 as follows.

도 5는 도2의 P1을 확대한 평면도이다. 도 6은 도2의 P2를 확대한 평면도이다.FIG. 5 is an enlarged plan view of P1 of FIG. 2 . FIG. 6 is an enlarged plan view of P2 of FIG. 2 .

도 2, 도5 및 도6을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크는 제1투광부(120), 제2투광부(110.130) 및 제3투광부(210,220)를 포함한다.2, 5 and 6 , the exposure mask according to an embodiment of the present invention includes a first light-transmitting part 120 , a second light-transmitting part 110.130 , and third light-transmitting parts 210 and 220 .

제2투광부(110,130)는 제1투광부(120)의 좌측 및 우측에 형성된다. 제3투광부(210,220)는 제1투광부(120)와 제2투광부(110,130) 사이에 형성된다. 예를 들면, 제1투광부(120)의 좌측에 제3투광부(210) 및 제2투광부(110)이 인접하여 형성되고, 제1투광부의 우측에 제3투광부(220) 및 제2투광부(130)가 인접하여 형성된다. 제1투광부(120) 및 제3투광부(210,220)는 표시부에 형성되는 패턴이 배치되고, 제2투광부(110,130)는 비표시부의 구동회로 등의 패턴이 배치된다.The second light-transmitting units 110 and 130 are formed on the left and right sides of the first light-transmitting unit 120 . The third light-transmitting units 210 and 220 are formed between the first light-transmitting unit 120 and the second light-transmitting units 110 and 130 . For example, the third light-transmitting unit 210 and the second light-transmitting unit 110 are formed adjacent to each other on the left side of the first light-transmitting unit 120 , and the third light-transmitting unit 220 and the second light transmitting unit 110 are formed on the right side of the first light transmitting unit 120 . Two light-transmitting portions 130 are formed adjacent to each other. A pattern formed on the display unit is disposed on the first light-transmitting unit 120 and the third light-transmitting unit 210 and 220 , and a pattern such as a driving circuit of a non-display unit is disposed on the second light transmitting unit 110 and 130 .

앞서 언급한 접촉 구멍 불량을 해결하기 위해, 노광 마스크(10)는 제 1투광부(120)에 형성된 제1마스크 패턴(410) 및 제2투광부(110,130)에 형성된 제2마스크 패턴(430)의 면적보다 제3투광부(210,220)에 형성된 제3마스크 패턴(420)의 면적이 더 크다.In order to solve the aforementioned contact hole defect, the exposure mask 10 includes a first mask pattern 410 formed on the first light-transmitting part 120 and a second mask pattern 430 formed on the second light-transmitting part 110 and 130 . The area of the third mask pattern 420 formed on the third light-transmitting parts 210 and 220 is larger than the area of .

제1마스크 패턴(410), 제2마스크 패턴(430) 및 제3마스크 패턴(420)은 노광영역 및 차광 영역 중 어느 하나일 수 있다. 이는 포토레지스트가 포지티브(Positive) 또는 네거티브(negative) 타입에 따라 달라진다.The first mask pattern 410 , the second mask pattern 430 , and the third mask pattern 420 may be any one of an exposure area and a light blocking area. It depends on the type of photoresist positive or negative.

제1마스크 패턴(410), 제2마스크 패턴(430) 및 제3마스크 패턴(420)은 접촉 구멍 형성 패턴일 수 있고, 예를 들어, 상기 접촉 구멍은 드레인 전극을 노출시키는 접촉 구멍일 수 있다. 이외에도 상기 접촉 구멍은 반도체층, 게이트 배선, 데이터 배선 및 패드 전극 중 어느 하나를 노출시키는 접촉 구멍일 수 있다. 상기 접촉 구멍 형성 패턴의 형상은 도10a 내지 도10d의 설명 부분에서 후술한다.The first mask pattern 410 , the second mask pattern 430 , and the third mask pattern 420 may be a contact hole forming pattern, for example, the contact hole may be a contact hole exposing the drain electrode. . In addition, the contact hole may be a contact hole exposing any one of a semiconductor layer, a gate line, a data line, and a pad electrode. The shape of the contact hole forming pattern will be described later in the description of FIGS. 10A to 10D .

도 5를 참조하면, 제1마스크패턴(410)은 접촉 구멍의 형상에 대응하는 노광영역(411)과 노광영역(411)을 둘러싸는 차광영역(412)으로 이루어진다. 제3마스크패턴(420)은 접촉 구멍의 형상에 대응하는 노광영역(421)과 노광영역(421)을 둘러싸는 차광영역(422)으로 이루어진다. 포지티브 타입의 포토레지스트는 노광 시 빛을 받은 부분이 현상 시 잘 녹는 특성을 갖는다. 따라서, 접촉 구멍이 형성될 부분에 대응되는 노광 마스크(10) 영역에 빛을 투과하는 노광영역이 형성되어야 한다. 물론, 네거티브 타입의 포토레지스트를 사용하는 경우, 노광영역(411,421) 및 차광영역(412,422)이 서로 바뀌면 된다.Referring to FIG. 5 , the first mask pattern 410 includes an exposure area 411 corresponding to the shape of the contact hole and a light blocking area 412 surrounding the exposure area 411 . The third mask pattern 420 includes an exposure area 421 corresponding to the shape of the contact hole and a light blocking area 422 surrounding the exposure area 421 . The positive-type photoresist has a characteristic that the portion that receives light during exposure melts well during development. Accordingly, an exposure region that transmits light should be formed in the region of the exposure mask 10 corresponding to the portion where the contact hole is to be formed. Of course, when a negative type photoresist is used, the exposure areas 411 and 421 and the light blocking areas 412 and 422 may be interchanged.

제3투광부(220)에 형성된 제3마스크패턴(420)의 노광영역(421) 면적은 제1투광부(120)에 형성된 제1마스크패턴(410)의 노광영역(411) 면적보다 1.3~1.5배 크다.The area of the exposure area 421 of the third mask pattern 420 formed on the third light-transmitting part 220 is 1.3 to greater than the area of the exposure area 411 of the first mask pattern 410 formed on the first light-transmitting part 120 . 1.5 times larger.

도 6을 참조하면, 제2마스크패턴(430)은 접촉 구멍의 형상에 대응하는 노광영역(431)과 노광영역(431)을 둘러싸는 차광영역(432)으로 이루어진다. 제3투광부(220)에 형성된 제3마스크패턴(420)의 노광영역(421) 면적은 제2투광부(130)에 형성된 제2마스크패턴(430)의 노광영역(431) 면적보다 1.3~1.5배 크다.Referring to FIG. 6 , the second mask pattern 430 includes an exposure area 431 corresponding to the shape of the contact hole and a light blocking area 432 surrounding the exposure area 431 . The area of the exposure area 421 of the third mask pattern 420 formed on the third light-transmitting part 220 is 1.3 to greater than the area of the exposure area 431 of the second mask pattern 430 formed on the second light-transmitting part 130 . 1.5 times larger.

모기판(20)의 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 대응하는 제3투광부(210,220)에 형성된 제3마스크 패턴(420)의 노광영역(421)이 커짐에 따라, 제2영역(35,36,37,45,46,47)의 접촉 구멍 형성 영역에 보다 많은 노광량을 갖는 광이 조사된다. 즉, 제3 마스크 패턴(420)의 노광영역(421)의 면적을 넓힘에 따라, 제2영역(35,36,37,45,46,47)의 접촉 구멍이 불량이 일어나지 않게 된다.As the exposure area 421 of the third mask pattern 420 formed in the third light-transmitting part 210 and 220 corresponding to the second area 35,36,37,45,46,47 of the mother substrate 20 increases, Accordingly, the light having a larger exposure dose is irradiated to the contact hole forming regions of the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 . That is, as the area of the exposure region 421 of the third mask pattern 420 is increased, the contact holes of the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 are not defective.

상기와 같은 마스크 패턴(400)이 적용되어 형성된 접촉 구멍을 포함하는 표시장치의 구조를 도2, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다.The structure of the display device including the contact hole formed by applying the mask pattern 400 as described above will be described with reference to FIGS. 2, 7 and 8 .

도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 표시장치의 제1영역 및 제2영역을 나타낸 단면도이다. 도8은 도7에 도시된 제1접촉 구멍 및 제2접촉 구멍을 나타낸 평면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a first region and a second region of a display device according to an exemplary embodiment of the present invention. 8 is a plan view showing the first contact hole and the second contact hole shown in FIG.

보호막(68)에 접촉 구멍(71,72)을 형성하는 공정을 설명하기에 앞서, 표시장치의 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 설명하면 다음과 같다.Before describing the process of forming the contact holes 71 and 72 in the passivation layer 68 , the structure of the thin film transistor array panel of the display device will be described as follows.

도2, 도7 및 도 8를 참조하면, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 모기판(20) 상에 게이트 배선(미도시) 및 게이트 전극(61)이 배치된다. 게이트 배선으로부터 돌출한 복수의 게이트 전극(gate electrode)(61)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.2, 7 and 8 , a gate wiring (not shown) and a gate electrode 61 are disposed on the mother substrate 20 made of glass or plastic. It includes a plurality of gate electrodes 61 protruding from the gate wiring and an end portion (not shown) having a large area for connection with another layer or an external driving circuit.

게이트 배선(미도시) 및 게이트 전극(61) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(62)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 62 made of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) is formed on the gate wiring (not shown) and the gate electrode 61 .

게이트 절연막(62) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 또는 다결정 규소(polysilicon) 등으로 만들어진 복수의 반도체(63)가 형성되어 있다. 반도체(63)는 주로 세로 방향으로 뻗으며, 게이트 전극(61)을 향하여 뻗어 나온 복수의 돌출부(projection)(미도시)를 포함한다.A plurality of semiconductors 63 made of hydrogenated amorphous silicon (a-Si is abbreviated as a-Si) or polysilicon are formed on the gate insulating layer 62 . The semiconductor 63 mainly extends in the vertical direction and includes a plurality of projections (not shown) extending toward the gate electrode 61 .

상기 복수의 반도체(63)는 산화물 반도체이다. 상기 산화물 반도체는 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In) 및 주석(Sn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.The plurality of semiconductors 63 are oxide semiconductors. The oxide semiconductor may include at least one selected from the group consisting of zinc (Zn), gallium (Ga), indium (In), and tin (Sn).

예컨대, 상기 산화물 반도체는 아연(Zn), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 기본으로 하는 산화물, 또는 복합 산화물인 산화아연(ZnO), 인듐-갈륨-아연 산화물(InGaZnO4), 인듐-아연 산화물(In-Zn-O), 아연-주석 산화물(Zn-Sn-O) 등과 같은 산화물 반도체 재료를 이용하여 만들어질 수 있다.For example, the oxide semiconductor may be an oxide based on zinc (Zn), gallium (Ga), tin (Sn) or indium (In), or a composite oxide of zinc oxide (ZnO), indium-gallium-zinc oxide (InGaZnO4) , indium-zinc oxide (In-Zn-O), zinc-tin oxide (Zn-Sn-O), and the like.

구체적으로, 상기 산화물 반도체는 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn) 및 산소(O)를 포함하는 IGZO계의 산화물을 포함할 수 있다. 이외에도 상기 산화물 반도체는 In-Sn-Zn-O계 금속 산화물, In-Al-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Ga-Zn-O계 금속 산화물, Al-Ga-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Al-Zn-O계 금속 산화물, In-Zn-O계 금속 산화물, Sn-Zn-O계 금속 산화물, Al-Zn-O계 금속 산화물, In-O계 금속 산화물, Sn-O계 금속 산화물, 및 Zn-O계 금속 산화물을 포함할 수 있다.Specifically, the oxide semiconductor may include an IGZO-based oxide including indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O). In addition, the oxide semiconductor includes In-Sn-Zn-O-based metal oxide, In-Al-Zn-O-based metal oxide, Sn-Ga-Zn-O-based metal oxide, Al-Ga-Zn-O-based metal oxide, Sn -Al-Zn-O-based metal oxide, In-Zn-O-based metal oxide, Sn-Zn-O-based metal oxide, Al-Zn-O-based metal oxide, In-O-based metal oxide, Sn-O-based metal oxide , and a Zn-O-based metal oxide.

반도체(63) 위에는 복수의 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(64, 65)가 형성되어 있고, 접촉 저항을 낮추어 주는 역할을 한다. 저항성 접촉 부재(64, 65)는 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어지거나 실리사이드(silicide)로 만들어질 수 있다.A plurality of ohmic contacts 64 and 65 are formed on the semiconductor 63 and serve to lower the contact resistance. The ohmic contact members 64 and 65 may be made of a material such as n+ hydrogenated amorphous silicon doped with an n-type impurity such as phosphorus (P) at a high concentration, or may be made of silicide.

저항성 접촉 부재(64, 65) 및 게이트 절연막(62) 위에는 복수의 데이터 배선(data line)(미도시)과 복수의 드레인 전극(drain electrode)(67)이 형성되어 있다.A plurality of data lines (not shown) and a plurality of drain electrodes 67 are formed on the ohmic contact members 64 and 65 and the gate insulating layer 62 .

각 데이터 배선(미도시)은 게이트 전극(61)을 향하여 뻗은 복수의 소스 전극(source electrode)(66)과 다른 층 또는 외부 구동회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(도시하지 않음)을 포함한다.Each data line (not shown) includes a plurality of source electrodes 66 extending toward the gate electrode 61 and an end (not shown) having a large area for connection to another layer or an external driving circuit. include

드레인 전극(67)은 데이터 배선(미도시)과 분리되어 있고 게이트 전극(61)을 중심으로 소스 전극(66)과 마주 본다.The drain electrode 67 is separated from the data line (not shown) and faces the source electrode 66 with the gate electrode 61 as the center.

구체적으로, 소스 전극(66), 드레인 전극(67) 및 데이터 배선(미도시)은 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속(refractory metal) 또는 이들의 합금에 의하여 형성될 수 있으며, 상기 내화성 금속막과 저저항 도전막을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다. 상기 다중막 구조의 예로, 크롬 또는 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 상부막으로 된 이중막, 몰리브덴(합금) 하부막과 알루미늄(합금) 중간막과 몰리브덴(합금) 상부막으로 된 삼중막을 들 수 있다.Specifically, the source electrode 66 , the drain electrode 67 , and the data line (not shown) may be formed of a refractory metal such as molybdenum, chromium, tantalum and titanium or an alloy thereof, and the refractory metal It may have a multi-film structure including a film and a low-resistance conductive film. As an example of the multi-layer structure, a double film composed of a chromium or molybdenum (alloy) lower film and an aluminum (alloy) upper film, a triple film composed of a molybdenum (alloy) lower film, an aluminum (alloy) intermediate film, and a molybdenum (alloy) upper film can be heard

하나의 게이트 전극(61), 하나의 소스 전극(66) 및 하나의 드레인 전극(67)은 반도체(63)의 돌출부(미도시)와 함께 하나의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(66)과 드레인 전극(67) 사이의 돌출부에 형성된다.One gate electrode 61, one source electrode 66, and one drain electrode 67 form one thin film transistor (TFT) together with the protrusion (not shown) of the semiconductor 63, A channel of the thin film transistor is formed in a protrusion between the source electrode 66 and the drain electrode 67 .

게이트 배선(미도시), 데이터 배선(미도시), 소스 전극(66), 드레인 전극(67) 및 노출된 반도체(63) 부분 위에는 보호막(68)이 형성된다. 보호막(passivation layer)(68)은 질화규소나 산화규소 따위의 무기 절연물, 유기 절연물, 저유전율 절연물 따위로 만들어진다.A passivation layer 68 is formed on the gate line (not shown), the data line (not shown), the source electrode 66 , the drain electrode 67 , and the exposed semiconductor 63 portion. The passivation layer 68 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, an organic insulating material, or a low dielectric constant insulating material.

보호막(68)에는 드레인 전극(67)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(71,72)이 형성되어 있다.A plurality of contact holes 71 and 72 for exposing the drain electrode 67, respectively, are formed in the passivation layer 68 .

제1접촉구멍(71)은 기판(30,40)의 제1영역(31,32,33,34,41,42,43,44)에 형성된다. 제2접촉구멍(72)은 기판(30,40)의 제2영역(35,36,37,45,46,47)에 형성된다. 제1접촉구멍(71)은 단일노광되어 형성된 접촉 구멍이고, 제2접촉구멍(72)은 중첩노광되어 형성된 접촉구멍이다. The first contact hole 71 is formed in the first regions 31 , 32 , 33 , 34 , 41 , 42 , 43 and 44 of the substrate 30 , 40 . The second contact holes 72 are formed in the second regions 35 , 36 , 37 , 45 , 46 and 47 of the substrates 30 and 40 . The first contact hole 71 is a contact hole formed by single exposure, and the second contact hole 72 is a contact hole formed by overlapping exposure.

도 8에 도시된 바와 같이, 제2접촉구멍(72)의 면적은 제1접촉구멍(71)의 면적의 1.3 배 내지 1.5배이다. 예를 들면, 제2접촉구멍(72)의 상개구부가 제1접촉구멍(71)의 상개구부보다 1.3 배 내지 1.5배 더 클 수 있다.As shown in FIG. 8 , the area of the second contact hole 72 is 1.3 to 1.5 times that of the first contact hole 71 . For example, the upper opening of the second contact hole 72 may be 1.3 times to 1.5 times larger than the upper opening of the first contact hole 71 .

제1접촉구멍(71) 및 제2접촉구멍(72)은 동일층에 형성될 수 있고, 동일 공정에서 형성된다. 제1접촉구멍(71) 및 제2접촉구멍(72)은 상기 드레인 전극(67)을 노출시키는 구조에 한정되지 아니하고, 반도체(63), 드레인 전극(67), 게이트배선, 데이터배선 및 패드 전극 중 어느 하나를 노출시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 분할노광방법에 의해 형성되는 접촉 구멍들(71,72)은 기판(30,40)에 형성되는 다양한 기능의 접촉 구멍들 중 하나일 수 있다.The first contact hole 71 and the second contact hole 72 may be formed on the same layer and are formed in the same process. The first contact hole 71 and the second contact hole 72 are not limited to the structure exposing the drain electrode 67 , and the semiconductor 63 , the drain electrode 67 , the gate wiring, the data wiring, and the pad electrode are not limited thereto. Either one can be exposed. That is, the contact holes 71 and 72 formed by the divided exposure method of the present invention may be one of various functional contact holes formed in the substrates 30 and 40 .

보호막(68) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(미도시)이 형성되어 있다. 화소 전극은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질이나 알루미늄, 은 또는 그 합금 등의 반사성 금속으로 만들어질 수 있다.A plurality of pixel electrodes (not shown) are formed on the passivation layer 68 . The pixel electrode may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, or a reflective metal such as aluminum, silver, or an alloy thereof.

화소 전극(미도시)은 접촉 구멍(71,72)을 통하여 드레인 전극(67)과 물리적?전기적으로 연결되어 있으며, 드레인 전극(67)으로부터 데이터 전압을 인가 받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(191)은 공통 전압(common voltage)을 인가 받는 다른 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극(common electrode)(도시하지 않음)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자의 방향을 결정한다. 화소 전극과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프(turn-off)된 후에도 인가된 전압을 유지한다.The pixel electrode (not shown) is physically and electrically connected to the drain electrode 67 through the contact holes 71 and 72 , and receives a data voltage from the drain electrode 67 . The pixel electrode 191 to which the data voltage is applied generates an electric field together with a common electrode (not shown) of another display panel (not shown) to which a common voltage is applied, thereby forming a liquid crystal between the two electrodes. Determine the orientation of liquid crystal molecules in a layer (not shown). The pixel electrode and the common electrode form a capacitor (hereinafter referred to as a “liquid crystal capacitor”) to maintain the applied voltage even after the thin film transistor is turned off.

한편, 본 발명이 유기 발광 표시 장치로 구성될 경우, 본 발명의 일 실시예는 화소 전극(미도시) 상에 형성된 유기 발광층(미도시) 및 상기 유기 발광층 상에 형성된 대향 전극(미도시)을 포함한다.Meanwhile, when the present invention is configured as an organic light emitting display device, an embodiment of the present invention includes an organic light emitting layer (not shown) formed on a pixel electrode (not shown) and a counter electrode (not shown) formed on the organic light emitting layer. include

화소 전극(미도시)은 화소 정의막(미도시)의 개구부에 대응하도록 배치되는데, 화소 전극이 반드시 화소 정의막의 개구부에만 배치되는 것은 아니며, 화소 전극의 일부가 화소 정의막과 중첩되도록 화소 정의막 아래에 배치될 수 있다. 화소정의막은 폴리아크릴계 수지(polyacrylates resin) 및 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지 또는 실리카 계열의 무기물 등으로 만들 수 있다.The pixel electrode (not shown) is disposed to correspond to the opening of the pixel defining layer (not shown), but the pixel electrode is not necessarily disposed only in the opening of the pixel defining layer, and a portion of the pixel electrode overlaps the pixel defining layer. It can be placed below. The pixel defining layer may be made of a resin such as polyacrylates resin and polyimides, or a silica-based inorganic material.

화소 전극 위에는 유기 발광층(미도시)이 형성되고, 유기 발광층 상에는 캐소드 전극이 되는 대향 전극(미도시)이 형성된다. 이와 같이, 화소 전극, 유기 발광층 및 대향 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치가 형성된다.An organic light emitting layer (not shown) is formed on the pixel electrode, and a counter electrode (not shown) serving as a cathode is formed on the organic light emitting layer. In this way, an organic light emitting diode display including a pixel electrode, an organic light emitting layer, and a counter electrode is formed.

상기와 같은 마스크 패턴(400)이 적용되어 접촉 구멍을 형성하는 방법을 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 설명한다.A method of forming a contact hole by applying the mask pattern 400 as described above will be described with reference to FIGS. 9A to 9C .

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일실시예에 따른 노광 마스크를 이용하여 표시장치의 접촉 구멍을 형성하는 방법을 나타낸 단면도이다.9A to 9C are cross-sectional views illustrating a method of forming a contact hole of a display device using an exposure mask according to an exemplary embodiment of the present invention.

*앞서 설명한 표시장치의 구조 중, 보호막(68)에 접촉 구멍(71,72)을 형성하는 공정을 본 발명의 분할노광방법 중 첫 번째 샷과 두 번째 샷을 예로 들어 설명하면 다음과 같다. 특히, 모기판(20)의 제5부영역(35) 및 그에 인접한 영역(31a,32b)에 형성되는 접촉 구멍을 예로 들어 설명한다. 따라서, 노광 마스크(10)도 상기 모기판(20)의 제5부영역(35) 및 그에 인접한 영역에 대응한 부분에 집중하여 설명한다.* Among the structures of the display device described above, the process of forming the contact holes 71 and 72 in the protective film 68 will be described by taking the first shot and the second shot of the divided exposure method of the present invention as examples. In particular, the contact holes formed in the fifth sub-region 35 and adjacent regions 31a and 32b of the mother substrate 20 will be described as an example. Accordingly, the exposure mask 10 will also be described with a focus on the portion corresponding to the fifth sub-region 35 of the mother substrate 20 and a region adjacent thereto.

도9a를 참조하면, 첫 번째 샷의 경우, 노광 마스크(10)가 제1부영역(31), 제5부영역(35) 및 경계영역(32b)의 상부에 대응하게 위치한다. 첫 번째 샷에서 경계영역(32b)을 노광하지 않도록 노광 마스크(10)의 우측의 제2투광부(130)는 마스크 블라인드(50)로 가려진다. 노광기는 노광 마스크(10)의 제1투광부(120)에 100%의 노광량으로 광(L1)을 조사하고, 상기 100%의 노광량을 갖는 광(L1)은 노광 마스크(10)를 거쳐 제1부영역(31)의 경계 영역(31a)인 접촉 구멍(71) 형성 영역에 조사된다. 또한, 노광기는 노광 마스크(10)의 제3투광부(220)에 1~50%의 노광량을 갖는 광(L2)을 조사하고, 상기 1~50%의 노광량을 갖는 광(L2)은 노광 마스크(10)를 거쳐 제1중첩노광영역(35)의 경계영역(32b)인 접촉 구명(72) 형성 영역에 조사된다. 제1부영역(31)의 접촉 구멍 형성 영역(71a)는 현상 공정시 충분히 제거될 정도로 노광된다. 단, 제5부영역(35)의 접촉 구멍 형성 영역(72a)는 현상 공정 시 충분히 제거될 정도로 노광되지는 않는다. 한편, 제3마스크 패턴(420)이 제1마스크패턴(410)보다 면적이 크므로, 제5부영역(35)의 접촉 구멍 형성 영역(72a)이 제1부영역(31)의 접촉 구멍 형성 영역(71a)보다 크게 형성된다.Referring to FIG. 9A , in the case of the first shot, the exposure mask 10 is positioned to correspond to the upper portions of the first subregion 31 , the fifth subregion 35 and the boundary region 32b . The second light-transmitting part 130 on the right side of the exposure mask 10 is covered with the mask blind 50 so as not to expose the boundary region 32b in the first shot. The exposure machine irradiates the light L1 with an exposure amount of 100% to the first light-transmitting part 120 of the exposure mask 10 , and the light L1 having the exposure amount of 100% passes through the exposure mask 10 to the first It is irradiated to the contact hole 71 formation region, which is the boundary region 31a of the subregion 31 . In addition, the exposure machine irradiates the light L2 having an exposure amount of 1-50% to the third light-transmitting part 220 of the exposure mask 10 , and the light L2 having an exposure amount of 1-50% is the exposure mask. Through (10), it is irradiated to the area where the contact hole 72 is formed, which is the boundary area 32b of the first overlapping exposure area 35 . The contact hole forming region 71a of the first subregion 31 is exposed enough to be sufficiently removed during the development process. However, the contact hole forming region 72a of the fifth sub region 35 is not exposed enough to be sufficiently removed during the developing process. Meanwhile, since the third mask pattern 420 has a larger area than the first mask pattern 410 , the contact hole forming region 72a of the fifth subregion 35 forms a contact hole in the first subregion 31 . It is formed to be larger than the region 71a.

도 9b를 참조하면, 두 번째 샷의 경우, 노광 마스크(10)가 경계영역(31a), 제5부영역(35) 및 경계영역(32b)의 상부에 대응하게 위치한다. 두 번째 샷에서 경계영역(31a)을 노광하지 않도록 노광 마스크(10)의 좌측의 제2투광부(110)는 마스크 블라인드(미도시)로 가려진다. 노광기는 노광 마스크(10)의 제1투광부(120)에 100%의 노광량을 갖는 광(L1)을 조사하고, 상기 100%의 노광량을 갖는 광(L1)은 노광 마스크(10)를 거쳐 경계영역(32b)에 조사된다. 또한, 노광기는 노광 마스크(10)의 제3투광부(210)에 1~50%의 노광량으로 광(L2)을 조사하고, 상기 1~50%의 노광량을 갖는 광(L2)은 노광 마스크(10)를 거쳐 제5부영역(35)에 조사된다. 따라서, 두 번째 샷을 통해, 제5부영역(35)은 총 2회 노광되고, 현상 공정 시 충분히 제거될 정도로 노광 된다.Referring to FIG. 9B , in the case of the second shot, the exposure mask 10 is positioned to correspond to the boundary region 31a, the fifth sub region 35, and the upper portion of the boundary region 32b. The second light-transmitting part 110 on the left side of the exposure mask 10 is covered with a mask blind (not shown) so as not to expose the boundary area 31a in the second shot. The exposure machine irradiates the light L1 having an exposure amount of 100% to the first light-transmitting part 120 of the exposure mask 10 , and the light L1 having the exposure amount of 100% passes through the exposure mask 10 to a boundary The region 32b is irradiated. In addition, the exposure machine irradiates the light L2 with an exposure amount of 1-50% to the third light-transmitting part 210 of the exposure mask 10, and the light L2 with the exposure amount of 1-50% is applied to the exposure mask ( 10), the fifth sub-region 35 is irradiated. Accordingly, through the second shot, the fifth sub-region 35 is exposed twice in total, and exposed enough to be sufficiently removed during the development process.

도 9c를 참조하면, 도 4와 달리 제5부영역(35)의 접촉 구멍(72)은 드레인 전극(67)을 노출시킨다. 제3마스크 패턴(420)이 제1마스크패턴(410)보다 면적이 크므로, 제5부영역(35)의 접촉 구멍(72)이 제1부영역(31)의 접촉 구멍(71)보다 크게 형성된다.Referring to FIG. 9C , unlike FIG. 4 , the contact hole 72 of the fifth subregion 35 exposes the drain electrode 67 . Since the third mask pattern 420 has a larger area than the first mask pattern 410 , the contact hole 72 of the fifth subregion 35 is larger than the contact hole 71 of the first subregion 31 . is formed

상기와 같은 도 9a 내지 도 9c의 접촉 구멍 제조 공정에 따라, 중첩 노광 영역인 제2영역에서 발생하는 접촉 구멍 불량을 개선할 수 있다.According to the process of manufacturing the contact hole of FIGS. 9A to 9C as described above, it is possible to improve the contact hole defect occurring in the second area, which is the overlapping exposure area.

상기와 같은 본 발명의 노광 마스크(10)에 따른 노광 방법을 포함하는 식각 공정을 종합하면 다음과 같다. 우선, 일반적으로 제1 기판(30)의 제1영역이 3개 이상이지만, 설명의 편의를 위하여 제 1 영역이 3개로 예를 들어 기술하기로 한다.The etching process including the exposure method according to the exposure mask 10 of the present invention as described above is summarized as follows. First, although there are generally three or more first regions of the first substrate 30 , for convenience of description, three first regions will be described as an example.

3개의 제1영역 및 상기 제1영역의 사이에 형성된 제2영역으로 구분되어 정의된 기판 상에 피식각층을 형성한다. 상기 피식각층 상에 포토레지스트를 도포한다. 노광 마스크를 이용하여 첫 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 첫 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시킨다. 노광 마스크를 이용하여 두 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 두 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시킨다. 노광 마스크를 이용하여 세 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 세 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시킨다. 상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 기판 상에 형성된 피식각층을 식각한다. 상기 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)한다.An etched layer is formed on a substrate defined by being divided into three first regions and a second region formed between the first regions. A photoresist is applied on the layer to be etched. Using an exposure mask, the photoresist applied to the first first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the first first region are exposed at different exposure doses. Using an exposure mask, the photoresist applied to the second first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the second first region are exposed at different exposure doses. Using an exposure mask, the photoresist applied to the third first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the third first region are exposed at different exposure doses. The exposed photoresist is developed to form a photoresist pattern. The layer to be etched formed on the substrate is etched using the photoresist pattern. The photoresist pattern is stripped.

한편, 상기 피식각층은 패터닝을 위한 박막(금속층, 절연막, 반도체층 등)을 의미한다.On the other hand, the layer to be etched means a thin film (metal layer, insulating layer, semiconductor layer, etc.) for patterning.

상기와 같은 노광 공정을 거치는 경우, 제1영역은 1회 노광되고, 제2영역은 2회 노광된다. 상기 제2영역에 조사되는 노광량은 상기 제1영역에 조사되는 노광량의 1% 내지 50%임은 앞서 설명한 바와 같다.When the above exposure process is performed, the first area is exposed once and the second area is exposed twice. As described above, the exposure amount irradiated to the second region is 1% to 50% of the exposure amount irradiated to the first region.

도 10a 내지 도10d를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 마스크 패턴(400)의 형상을 설명하면 다음과 같다.The shape of the mask pattern 400 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10A to 10D .

도 10a 내지 도 10d는 노광 마스크에 형성된 제1마스크 패턴 및 제3마스크 패턴의 다양한 실시예를 도시한 평면도이다.10A to 10D are plan views illustrating various embodiments of a first mask pattern and a third mask pattern formed on an exposure mask.

도 10a를 참조하면, 제1마스크 패턴(410) 및 제3마스크패턴(430)은 원형 또는 다각형 형상일 수 있다. 제1마스크 패턴(410)은 노광영역(411) 및 차광영역(412)을 포함한다. 노광영역(411)의 단변은 11μm이고, 장변은 14μm일 수 있다. 제3마스크 패턴(420)은 노광영역(421) 및 차광영역(422)을 포함한다. 노광영역(421)의 단변은 13μm이고, 장변은 16μm일 수 있다. 따라서, 제3마스크 패턴(420)의 면적은 제1마스크패턴의 면적보다 1.4배 클 수 있다.Referring to FIG. 10A , the first mask pattern 410 and the third mask pattern 430 may have a circular or polygonal shape. The first mask pattern 410 includes an exposure area 411 and a light blocking area 412 . The short side of the exposure area 411 may be 11 μm, and the long side may be 14 μm. The third mask pattern 420 includes an exposure area 421 and a light blocking area 422 . The short side of the exposure area 421 may be 13 μm, and the long side may be 16 μm. Accordingly, the area of the third mask pattern 420 may be 1.4 times larger than the area of the first mask pattern.

도 10b를 참조하면, 제1마스크 패턴(410) 및 제3마스크패턴(430)은 슬릿을 포함할 수 있다. 제1마스크 패턴(410) 및 제3마스크패턴(430)은 제1투광부분, 상기 제 1 투광부분을 둘러싸는 제1차단부분, 상기 제1차단부분을 둘러싸는 제2투광부분 및 상기 제2투광부분을 둘러싸는 제2차단부분을 포함하며, 상기 제2투광부분은 슬릿 형상일 수 있다. 상기 투광부분은 도 10b에서 투명한 부분이며, 상기 차단부분은 도 10b에서 빗금친 부분이다. 슬릿 형상인 제2투광부분은 2μm일 수 있고, 도 10b에 도시된 마스크 패턴의 전체 면적은 도 10a에 도시된 마스크 패턴들의 면적과 동일하다. 한편, 네거티브 타입의 포토레지스트가 노광 대상일 경우는 상기 투광부분과 차단부분이 서로 바뀔 수 있다.Referring to FIG. 10B , the first mask pattern 410 and the third mask pattern 430 may include slits. The first mask pattern 410 and the third mask pattern 430 include a first light-transmitting portion, a first blocking portion surrounding the first light-transmitting portion, a second light-transmitting portion surrounding the first blocking portion, and the second A second blocking portion surrounding the light-transmitting portion may be included, and the second light-transmitting portion may have a slit shape. The light transmitting part is a transparent part in FIG. 10B , and the blocking part is a hatched part in FIG. 10B . The slit-shaped second light-transmitting portion may be 2 μm, and the total area of the mask pattern illustrated in FIG. 10B is the same as that of the mask patterns illustrated in FIG. 10A . On the other hand, when the negative type photoresist is an exposure target, the light-transmitting portion and the blocking portion may be interchanged.

도 10c를 참조하면, 제1마스크 패턴(410) 및 제3마스크패턴(430)은 서로 동일한 형성을 가진 하프톤(halftone) 마스크 패턴일 수 있다. 즉, 제1마스크 패턴(410)의 투과율보다 제3마스크 패턴의 투과율을 더 크게 제작할 수 있다. 상기 투과율은 접촉 구멍 형성이 효과적으로 이루어지도록 조절될 수 있다.Referring to FIG. 10C , the first mask pattern 410 and the third mask pattern 430 may be halftone mask patterns having the same formation. That is, the transmittance of the third mask pattern may be greater than that of the first mask pattern 410 . The transmittance may be adjusted to effectively form a contact hole.

도 10d를 참조하면, 도10b에 도시된 마스크 패턴들의 외곽에 투명 부분의 슬릿을 더 추가한 형태이다. 슬릿이 추가될수록 보호막에 형성되는 접촉구멍의 면적이 커진다. 이로 인해 디스플레이의 화질 개선 효과가 생긴다.Referring to FIG. 10D , a slit of a transparent portion is further added to the periphery of the mask patterns illustrated in FIG. 10B . As the slit is added, the area of the contact hole formed in the protective film increases. This results in an effect of improving the picture quality of the display.

종합하면, 도10a에 도시된 마스크패턴들은 미세패턴을 형성하기에 적합하고, 도 10b 및 도10d에 도시된 슬릿이 추가된 마스크 패턴들은 접촉 구멍 면적을 더 크게 형성하므로 화질 개선에 적합하다. 따라서, 기판에 형성되는 패턴의 목적에 맞게 도 10a 내지 도10d에 도시된 마스크패턴들을 적절히 선택하면 된다.In summary, the mask patterns shown in Fig. 10A are suitable for forming fine patterns, and the mask patterns with slits added as shown in Figs. 10B and 10D form a larger contact hole area, so they are suitable for image quality improvement. Accordingly, the mask patterns shown in FIGS. 10A to 10D may be appropriately selected according to the purpose of the pattern to be formed on the substrate.

이상에서 설명된 노광 마스크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명의 보호범위는 본 발명 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등예를 포함할 수 있다.The embodiments of the exposure mask and the method of manufacturing a display device using the exposure mask described above are merely exemplary, and the protection scope of the present invention may be variously modified and equivalent to those of ordinary skill in the art of the present invention. may include

1:기존 접촉 구멍 2:오픈되지 않은 접촉 구멍
10:노광 마스크 20:모기판
30:제1기판 31,32,33,34:제1영역
35,36,37:제2영역 40:제2기판
41,42,43,44:제1영역 45,46,47:제2영역
50: 마스크 블라인드
31a,32a,32b,33a,33b,34b:경계영역
61:게이트전극 62:게이트절연막
63:반도체 64,65:저항성 접촉 부재
66:소스 전극 67:드레인 전극
68:보호막 70:접촉 구멍
71:제1접촉 구멍 72:제2접촉 구멍
100:단일노광부 120:제1투광부
110,130:제2투광부 200:중첩노광부
210,220:제3투광부 300:경계부
310,320,330,340:경계선
400:마스크 패턴 410:제1마스크 패턴
411:노광영역 412:차광영역
420:제3마스크 패턴 421:노광영역
422:차광영역 430:제2마스크 패턴
431:노광영역 432:차광영역
440:제4마스크 패턴 441:노광영역
442:차광영역 450:제5마스크 패턴
451:노광영역 452:차광영역1: Existing contact hole 2: Unopened contact hole
10: exposure mask 20: mosquito board
30: first substrate 31, 32, 33, 34: first area
35, 36, 37: second area 40: second substrate
41,42,43,44: first area 45,46,47: second area
50: mask blind
31a, 32a, 32b, 33a, 33b, 34b: border area
61: gate electrode 62: gate insulating film
63: semiconductor 64, 65: resistive contact member
66: source electrode 67: drain electrode
68: protective film 70: contact hole
71: first contact hole 72: second contact hole
100: single exposure unit 120: first light-transmitting unit
110,130: second light-transmitting part 200: overlapping exposure part
210,220: third light-transmitting part 300: boundary part
310,320,330,340: borderline
400: mask pattern 410: first mask pattern
411: exposure area 412: light-shielding area
420: third mask pattern 421: exposure area
422: light blocking area 430: second mask pattern
431: exposure area 432: light-shielding area
440: fourth mask pattern 441: exposure area
442: light blocking area 450: fifth mask pattern
451: exposure area 452: light-shielding area

Claims (9)

복수의 제 1 마스크 패턴을 구비하는 제1투광부;
상기 제1투광부의 좌측 및 우측에 배치되어 복수의 제 2 마스크 패턴을 구비하는 제2투광부; 및
상기 제1투광부 및 상기 제2투광부 사이에 배치되어 복수의 제 3 마스크 패턴을 구비하는 제3투광부;를 포함하며,
상기 제 3 마스크 패턴의 노광영역은 상기 제 1 마스크 패턴 및 상기 제 2 마스크 패턴의 노광영역보다 더 큰 면적을 가지고,
상기 제1 마스크 패턴, 상기 제2 마스크 패턴 및 상기 제3 마스크 패턴은 접촉 구멍 형성용 패턴이고,
상기 접촉 구멍은 드레인 전극을 노출시키고,
상기 접촉 구멍은 다수 개가 서로 동일한 높이를 가지는 노광 마스크.a first light-transmitting part having a plurality of first mask patterns;
a second light-transmitting unit disposed on the left and right sides of the first light-transmitting unit and having a plurality of second mask patterns; and
a third light-transmitting part disposed between the first light-transmitting part and the second light-transmitting part and having a plurality of third mask patterns;
The exposure area of the third mask pattern has a larger area than the exposure area of the first mask pattern and the second mask pattern,
the first mask pattern, the second mask pattern, and the third mask pattern are patterns for forming contact holes;
The contact hole exposes the drain electrode,
A plurality of the contact holes have the same height as the exposure mask. 제 1항에 있어서,
상기 제1마스크 패턴, 상기 제2마스크 패턴 및 상기 제3마스크 패턴은 노광영역 및 차광 영역 중 어느 하나인 노광 마스크.The method of claim 1,
and the first mask pattern, the second mask pattern, and the third mask pattern are any one of an exposure area and a light blocking area. 삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 접촉 구멍 형성 패턴은 원형 또는 다각형 형상인 노광 마스크.The method of claim 1,
and the contact hole forming pattern has a circular or polygonal shape. 제 1항에 있어서,
상기 접촉 구멍 형성 패턴은,
제1노광부;
상기 제 1 노광부를 둘러싸는 제1차광부;
상기 제1차광부를 둘러싸는 제2노광부; 및
상기 제2노광부를 둘러싸는 제2차광부;를 포함하며,
상기 제2노광부는 슬릿 형상인 노광마스크.The method of claim 1,
The contact hole formation pattern is
a first exposure unit;
a first light blocking part surrounding the first exposure part;
a second exposure unit surrounding the first light blocking unit; and
and a second light blocking part surrounding the second exposure part;
The second exposure part is an exposure mask having a slit shape. 제 1항에 있어서,
상기 접촉 구멍 형성 패턴은,
제1차광부;
상기 제 1 차광부를 둘러싸는 제1노광부;
상기 제1노광부를 둘러싸는 제2차광부; 및
상기 제2차광부를 둘러싸는 제2노광부;를 포함하며,
상기 제 2 차광부는 슬릿 형상인 노광마스크.The method of claim 1,
The contact hole formation pattern is
a first light blocking unit;
a first exposure unit surrounding the first light blocking unit;
a second light blocking part surrounding the first exposure part; and
a second exposure unit surrounding the second light blocking unit;
The second light blocking portion is an exposure mask having a slit shape. 적어도 3개 이상의 제1영역 및 상기 제1영역의 사이에 형성된 제2영역을포함하는 기판 상에 피식각층을 형성하는 단계;
상기 피식각층 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;
노광 마스크를 이용하여 첫 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 첫 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제1노광단계;
노광 마스크를 이용하여 두 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 두 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제2노광단계;
노광 마스크를 이용하여 세 번째 제1영역에 도포된 포토레지스트와 세 번째 제1영역에 인접한 제2영역에 도포된 포토레지스트를 서로 다른 노광량으로 노광시키는 제3노광단계;
상기 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 기판 상에 형성된 피식각층을 식각하는 단계; 및
상기 포토레지스트 패턴을 스트립(strip)하는 단계;를 포함하고,
상기 노광 마스크는,
복수의 제 1 마스크 패턴을 구비하는 제1투광부;
상기 제1투광부의 좌측 및 우측에 배치되어 복수의 제 2 마스크 패턴을 구비하는 제2투광부; 및
상기 제1투광부 및 상기 제2투광부 사이에 배치되어 복수의 제 3 마스크 패턴을 구비하는 제3투광부;를 포함하며,
상기 제 3 마스크 패턴의 노광영역은 상기 제 1 마스크 패턴 및 상기 제 2 마스크 패턴의 노광영역보다 더 큰 면적을 가지고,
상기 제1 마스크 패턴, 상기 제2 마스크 패턴 및 상기 제3 마스크 패턴은 접촉 구멍 형성용 패턴이고,
상기 접촉 구멍은 드레인 전극을 노출시키고,
상기 접촉 구멍은 다수 개가 서로 동일한 높이를 가지는, 표시장치의 제조방법.forming an etched layer on a substrate including at least three or more first regions and a second region formed between the first regions;
applying a photoresist on the layer to be etched;
a first exposure step of exposing the photoresist applied to the first first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the first first region to different exposure doses using an exposure mask;
a second exposure step of exposing the photoresist applied to the second first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the second first region to different exposure doses using an exposure mask;
a third exposure step of exposing the photoresist applied to the third first region and the photoresist applied to the second region adjacent to the third first region to different exposure doses using an exposure mask;
forming a photoresist pattern by developing the exposed photoresist;
etching the layer to be etched formed on the substrate using the photoresist pattern; and
Including; stripping the photoresist pattern;
The exposure mask is
a first light-transmitting part having a plurality of first mask patterns;
a second light-transmitting unit disposed on the left and right sides of the first light-transmitting unit and having a plurality of second mask patterns; and
a third light-transmitting part disposed between the first light-transmitting part and the second light-transmitting part and having a plurality of third mask patterns;
The exposure area of the third mask pattern has a larger area than the exposure area of the first mask pattern and the second mask pattern,
the first mask pattern, the second mask pattern, and the third mask pattern are patterns for forming contact holes;
The contact hole exposes the drain electrode,
A method of manufacturing a display device, wherein a plurality of the contact holes have the same height. 제 7항에 있어서,
상기 제2영역에 조사되는 노광량은 상기 제1영역에 조사되는 노광량의 1% 내지 50%인 표시장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
The exposure amount irradiated to the second region is 1% to 50% of the exposure amount irradiated to the first region. 삭제delete
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006053588A (en) * 2005-10-17 2006-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photomask
JP2008191277A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Fujitsu Ltd Photomask and method of manufacturing semiconductor device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040031313A (en) * 2002-10-04 2004-04-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Array Panel for Liquid Crystal Display Device and Method for Fabricating the same
KR101050312B1 (en) * 2003-12-30 2011-07-19 엘지디스플레이 주식회사 Split exposure method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006053588A (en) * 2005-10-17 2006-02-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Photomask
JP2008191277A (en) * 2007-02-02 2008-08-21 Fujitsu Ltd Photomask and method of manufacturing semiconductor device

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