KR102310805B1 - 형광체 플레이트 및 이를 포함하는 조명장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 유리 매트릭스의 내부에 형광체가 분산된 플레이트 상(狀)의 광변환 구조체이고, 상기 플레이트의 양면 중 적어도 일면 상에, 적어도 1종 이상의 패턴을 포함하는 요철면이 형성되고, 상기 패턴은 상기 일면의 면적 70% 내지 95%를 점유하는 형광체 플레이트에 관한 것이다.

Description

형광체 플레이트 및 이를 포함하는 조명장치{PHOSPHOR PLATE AND LIGHTING DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명의 실시예는 조명 장치 및 이를 구성하는 형광체 플레이트에 관한 것이다.
백색 LED는 고효율, 고신뢰성의 백색 조명광원으로서 주목 받아 일부가 미소 전력 소형 광원으로서 이미 사용에 제공되고 있다. 백색 LED를 구현하는 다양한 방법이 있지만, 가장 일반적으로 현재 많이 사용되고 있는 방법은 청색 LED 소자를 황색 형광체와 함께 수지를 매트릭스로 하여 몰딩한 것이다. 그러나 청색광은 에너지가 강하기 때문에 수지를 열화 시키기 쉽다. 따라서 이러한 구조의 백색 LED는 장기간 사용 시, 수지가 변색되기 때문에 발광되는 색조가 변화한다. 또한 수지로 몰딩되어 있어 소자로부터의 열발산이 잘 되지 않기 때문에, 온도가 상승하기 쉽다. 이러한 온도로 인하여 발광색이 황색 쪽으로 시프트하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 세라믹 소결체를 형광체의 매트릭스 물질로 사용한 형광체 플레이트를 적용하게 되었다. 그러나 세라믹 소결체를 사용할 경우 기존의 수지 매트릭스 대비 투과율(30% 내지 40%)이 저하된다. 세라믹 소결체의 낮은 투과율로 인해 청색 LED 광원이 다량 입사되지 못하여 형광체를 충분히 여기 시키지 못한다. 또한 청색 광원이 형광체 플레이트(광파장 변환부)에 충분히 입사되지 못하기 때문에 원하는 색좌표의 빛을 발광시키기 위하여 투입되는 형광체의 농도가 낮아짐으로 광속 저하를 야기하는 문제점이 발생한다.
또한, 일체형 형광체 플래이트의 경우 광원소자에 실장을 위하여 표면 연마 및 가공 진행하게 되는데, 표면 연마를 통해 평평한 면으로 빛 반사도가 커져 광속 추출이 떨어지게 된다.
본 발명의 실시예는 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 실시예는 유리 매트릭스의 내부에 형광체가 분산된 플레이트 상(狀)의 광변환 구조체이고, 상기 플레이트의 양면 중 적어도 일면 상에, 적어도 1종 이상의 패턴을 포함하는 요철면이 형성되고, 상기 패턴은 상기 일면의 면적 70% 내지 95%를 점유하는 형광체 플레이트를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하고자, 본 발명의 실시예에서는 유리 매트릭스의 내부에 형광체가 분산된 플레이트 상(狀)의 광변환 구조체이고, 상기 플레이트의 양면 중 적어도 일면 상에, 적어도 1종 이상의 패턴을 포함하는 요철면이 형성되고, 상기 패턴은 상기 일면의 면적 70% 내지 95%를 점유하는 형광체 플레이트를 제공한다.
또한, 본 실시예의 다른 측면으로, 상기 형광체 플레이트 및 광원소자를 포함하는 조명장치를 제공한다.
실시예에 따르면, 유리 매트릭스의 내부에 형광체가 분산된 플레이트 상(狀)의 광변환 구조체이고, 상기 플레이트의 양면 중 적어도 일면 상에, 적어도 1종 이상의 패턴을 포함하는 요철면이 형성되고, 상기 패턴은 상기 일면의 면적 70% 내지 95%를 점유하는 형광체 플레이트를 구현함으로써, 다양한 패턴을 통해 굴절율 차이를 최소화하여 광원소자의 휘도 향상 및 빛의 균일도를 향상시켜 광효율을 증대하는 효과가 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 조명장치에 포함되는 광확산부의 단면도이다.
도 2는 본 실시예에 따른 조명장치에 포함되는 광확산부의 단면도이다.
도 3은 본 실시예에 따른 조명장치에 포함되는 광확산부의 단면도이다.
도 4는 본 실시예에 따른 시뮬레이션에 적용된 패턴들의 투시도이다.
도 5는 본 실시예에 따른 형광체 플레이트의 표면조도를 측정한 도표이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서, 각 용어의 의미는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 해석되어야 할 것이다. 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
본 실시예에 따른 형광체 플레이트(110, 210, 310)는 적어도 일면 상에 적어도 1종 이상의 패턴(112, 212, 312)을 포함하는 요철면이 형성되고, 패턴(112, 212, 312)은 상기 일면 면적의 70% 내지 95%를 점유한다.
도 1 내지 도 3은 본 실시예에 따른 조명장치에 포함되는 광확산부(100, 200,300)의 단면도이다. 우선, 여기에서는 광확산부(100, 200, 300) 중 형광체 플레이트(110, 210, 310)에 대해서만 설명하고, 이외의 부분(120, 130, 220, 230, 320, 330)은 추후 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 형광체 플레이트(110, 210, 310)는 내부에 형광체가 분산된 플레이트 형상의 광변환 구조체이다. 형광체 플레이트(110, 210, 310)의 매트릭스는 유리 재료로 이루어져 있고, 일반적으로는 유리프리트(glass frit)에 입자형태의 형광체를 혼합하여 소결함으로써 형광체 플레이트를 수득할 수 있다. 상기 유리 재료로는 유리 소결 후의 두께 190㎛ 기준에서 투과율이 70% 내지 80%이고, 굴절률이 1.5 내지 1.7인 것을 사용할 수 있다. 상기 유리 재료의 투과율 및 굴절률은 상기 유리 재료에 형광체를 혼합하여 소결할 경우, 그 값이 낮아지게 되므로, 형광체의 종류에 따라서 적절한 범위의 것을 선택하여 사용할 수 있다. 목적하고자 하는 형광체 플레이트의 광특성, 열가공 특성 및 혼합되는 형광체를 고려하여 상기 유리 재료의 조성을 달리하여 사용할 수도 있다.
상기 형광체는 이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminium Garnet; YAG)계, 루테늄-알루미늄-가넷(Lutetium aluminium garnet; LuAG)계, 질화물(nitride)계, 황화물(sulfide)계 또는 규산염(silicate)계의 형광체 중 적어도 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 형광체는 파장이 530nm 내지 600nm(초록~노랑)인 것을 선택할 수 있다.
상기 형광체는 입자형 또는 분말형인 것을 사용할 수 있고, 입경이 10㎛ 내지 20㎛인 것을 사용할 수 있다. 상기 형광체 중에서도 굴절률이 1.5 내지 2.5인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 형광체가 상기 유리 프리트에 대하여 10 중량% 내지 20 중량%가 되도록 혼합한다. 이때, 소결 후 투과도와 색차에 따라 형광체 혼합량은 미량 변경될 수 있다. 또한 두께의 변화에 따라서도 형광체의 함량이 변화되는데, 두께 증가 시 형광체는 감량하여 첨가할 수 있다.
형광체 플레이트(110, 120, 130)의 제조는 다음과 같은 방법에 의해서 수행될 수 있다. 상기 유리 프리트 및 상기 형광체의 혼합물이 플레이트 또는 원반 형태를 갖도록 서스(Stainless Use Steel, SUS) 몰드에 투입하여 일축성 압축을 한다. 상기 몰드는 형광체 플레이트의 용도에 따라서 크기가 달라질 수 있는데, 예를 들어서 조명용 다운 라이트 제품에서는 직경 50 내지 100㎜, 두께 200㎛ 내지 600㎛가 되도록 하는 원반형 몰드를 사용할 수 있다. 또한, 아웃도어용 조명의 경우에는 소결 후의 형광체 플레이트가 15x60x0.5㎜(WxDxH) 차량헤드 램프용 제품: 1x1x0.16 내지 1x1x0.2㎜(WxDxH)가 되도록 하는 육면체형 몰드를 사용할 수 있다.
이때, 압축은 5톤 내지 8톤에서 5분 내지 10분간 수행된다. 압축된 상기 형광체-유리 프리트의 혼합물은 소성로에 넣어 소성을 수행한다. 이때, 상기 형광체 및 유리 프리트의 유리전이온도(Tg)에 따라서 소성을 수행하는 온도 및 시간을 조절할 수 있다.
소성이 완료된 형광체 플레이트(110, 210, 310)는 본 실시예에서 요구되는 특성에 맞도록 두께를 조절하고 표면 조도를 조절하기 위하여 표면 연마(surface polishing)를 더 수행할 수 있다. 이 때, 상기 세라믹 광변환 부재의 두께는 200㎛ 내지 1000㎛, 표면 조도(表面粗度)가 0.1㎛ 내지 0.3㎛가 되도록 연마를 수행한다.
상기에서 수득된 형광체 플레이트(110, 210, 310)는 일반적인 패터닝공정을이용하여 패턴(112, 212, 312)을 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 LED 공정에서 사파이어 기판에 사용되는 PSS(Patterned Sapphire Substrate) 공정을 이용하여 패턴(112, 212, 312)을 형성을 사용하였다.
표면 미세 가공된 형광체 플레이트(110, 210, 310)의 표면에 포토레지스트(photoresist, PR)을 도포하거나 또는 건식필름 레지스트(Dry Film Resist, DFR)를 부착한다. 요구되는 특성에 따라 패터닝된 마스크를 이용하여 노광한 후 현상하여, 습식 또는 건식으로 식각을 진행한다. 이때, 형광체 플레이트(110, 210, 310)의 패턴(112, 212, 312)은 도 1 내지 도 3에는 직각형태의 패턴으로 표시하였으나, 이에 한정되지 않고 돔형(반구형), 원뿔형, 피라미드형, 원통형, 육각기둥형 등 다른 형태의 패턴으로 형성할 수도 있다. 또한 패턴(112, 212, 312)은 양각(convex), 음각(concave) 또는 음양각 혼합패턴으로 형성될 수 있다. 도 1은 양각, 도 2는 음양각의 혼합패턴, 도 3은 음각의 패턴을 나타낸다. 상기 음양각 혼합패턴은 양각)의 패턴(212)들 사이에 음극의 패턴(214)이 추가로 형성된 패턴이다.
패턴(112, 212, 312)의 크기(A)는 패턴의 밑면을 기준으로 한 크기이며, 밑면이 사각형일 경우에는 한 변의 길이, 원형일 경우에는 직경의 길이를 의미한다. 패턴(112, 212, 312)의 크기(A)는 5.0㎛ 내지 8.0㎛일 수 있고, 패턴(112, 212, 312)의 간격(B)은 패턴의 중심점을 기준으로, 7.0㎛ 내지 10㎛일 수 있다. 패턴의 크기(A)와 간격(B)를 조절하여 상기 면적 점유율 70% 내지 95%를 조절할 수 있다. 상기 점유율이 70% 미만일 경우에는, 패턴 형상의 점유율이 낮아 충분한 난반사 효과를 얻을 수 없어서 광속이 기존대비 상승되는 효과가 미비하다. 반면, 상기 점유율이 95%를 초과할 경우에는 광원소자로부터 출사되는 청색광이 형광체 플레이트를 투과하기 힘들어지게 되어 색좌표가 변경이 되는 문제가 발생할 우려가 있다.
패턴(112, 212, 312)의 높이(C) 또는 깊이(C')는 0.3㎛ 내지 1.5㎛일 수 있다. 패턴이 음양각 혼합패턴일 경우(도 2의 212, 214)에는 높이(C) 및 깊이(C')를 합친 것이 2㎛를 넘지 않도록 한다. 본 실시예에서 형광체 플레이트(1100, 210, 310)에 패턴(112, 212, 312)을 형성하는 이유는 광원소자(120, 220, 320)로부터 조사되는 빛이 형광체 플레이트에서 후방산란(back scattering)되는 것을 방지하기 위한 것으로, 다양한 패턴을 통해 굴절율 차이를 최소화할 수 있다. 빛의 난반사를 통해서 최대한 많은 광추출이 이루어지도록 해야 하는데, 패턴(112, 212, 312)의 높이(C) 또는 깊이(C')가 0.3㎛ 미만일 경우에는 난반사가 적어서 광효율 증대를 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 오히려 광효율이 나빠질 수도 있다.
본 실시예의 다른 측면에 따른 조명장치는 상술한 형광체 플레이트(110, 210, 310) 및 광원소자(120, 220, 320)로 이루어진 광확산부(100, 200, 300)를 포함한다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 광원소자(120, 220, 320)에 패터닝된 형광체 플레이트(110, 210, 310)가 적어도 1종의 접착제를 포함하는 접착층(130, 230, 330)을 개재하여 적층될 수 있다.
광원소자(120, 220, 320)는 광을 출사하는 소자로서, 일례로 고체발광소자가적용될 수 있다. 상기 고체발광소자로는 LED, OLED, LD(laser diode), Laser 또는 VCSEL를 사용할 수 있다. 광원소자(120, 220, 320)는 종래에 사용되는 종류의 소자를 사용할 수 있고, 특히 본 실시예에서는 청색 계열의 빛을 발광할 수 있는 소자를 사용할 수 있다.
광원소자(120, 220, 320) 상에는 접착층(130, 230, 330)이 도포되어 형광체 플레이트(110, 210, 310)가 부착될 수 있다. 접착층(130, 230, 330)은 적어도 1종의 접착제를 도포하여 형성할 수 있고, 경화 후의 두께가 2㎛ 내지 5㎛일 수 있다. 두께가 2㎛ 미만일 경우에는 접착력이 충분하지 못하여 분리될 가능성이 있으며, 광원소자(120, 220, 320)로부터 발생되는 열로 인하여 변형될 우려가 있다. 반면, 두께가 5㎛를 초과할 경우에는 광확산부(100, 200, 300)의 굴절률 및 투과율이 크게 떨어지게 되어 광효율이 낮아지게 되는 우려가 있다. 상기 접착제는 경화 후에 광원소자(120, 220, 320)로부터 발생되는 열에 의하여 변형되지 않는 종류라면 크게 제한되지 않고 사용할 수 있다.
또한 도 1 내지 도 3에는 도시하지 않았으나, 광원소자(120, 220, 320)의 빛샘 방지를 위하여 광원소자(120, 220, 320) 주변을 백색의 몰딩재료(도료)를 도포하여 몰딩할 수 있다. 상기 백색의 몰딩재료는 반사율이 99.8% 이상의 완전 반사체인 것이 바람직하고, 필요에 따라서는 반사도가 큰 구형의 입자를 혼합하여 도포하여 사용할 수도 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나 하기의 실시예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 어떠한 의미로든 본 발명의 범위가 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[패턴 시뮬레이션]
패턴은 하기 표 1과 같은 조건으로, 패턴의 형상, 위치, 양각/음각, 배열 등에 대한 광효율의 특성을 알아보기 위하여 시뮬레이션을 수행하였다.
(색좌표 및 배광분포에 대해서는 고려하지 않음)
상기 패턴의 형상은 도 4에 각각 나타내었다.
구분 패턴 볼록/오목 상부/하부 효율 효율비
비교예 - - - 65.32 1
패턴 1
피라미드
(4x4x2)
볼록 상부 72.56 1.1108
패턴 2 하부 64.42 0.9862
패턴 3 오목 상부 73.11 1.1193
패턴 4 하부 65.8 1.0073
패턴 5
반구
(Φ4x2)
볼록 상부 74.77 1.1447
패턴 6 하부 61.64 0.9437
패턴 7 오목 상부 71.9 1.1007
패턴 8 하부 66.15 1.0127
패턴 9
원뿔 1
(Φ4x2)
볼록 상부 73.01 1.1177
패턴 10 하부 65.44 1.0018
패턴 11 오목 상부 72.18 1.1050
패턴 12 하부 64.57 0.9885
패턴 13 원뿔 2
(Φ4x4)
볼록 상부 73.94 1.1320
패턴 14 오목 상부 73.57 1.1263
패턴 15 구_헥사
(Φ4x2)
볼록 상부 75.58 1.1571
패턴 16 오목 상부 72.39 1.1082
패턴 17 원뿔_헥사
(Φ4x2)
볼록 상부 73.16 1.1200
패턴 18 오목 상부 72.16 1.1047
(상기 표 1에서, "헥사"는 하나의 패턴이 다른 6개의 패턴과 이웃하는 배치, 즉, 벌집형 배치를 의미함)
시뮬레이션 결과, 형광체 플레이트 상부에 양각/음각 형태의 피라미드, 구형, 원뿔 패턴 적용 시, 패턴이 없을 때보다 약 110% 이상의 효율 증가를 나타냈다. 그러나, 형광체 플레이트 하부에 패턴 적용 시 효율 개선 미비하거나 감소되는 것으로 나타났다.
특정 형태의 패턴 적용 시에 광효율이 최대가 되는 형상, 즉 원뿔이나 피라미드의 경우에는 경사면의 각도 등을 최적화하는 것이 가능하다. 또한, 시뮬레이션 결과, 패턴의 간격이 조밀할수록 광효율 개선효과에 유리한 것으로 나타났다.
[ 실시예 ]
형광체 플레이트의 준비
하기와 같은 특성을 갖는 유리 및 형광체를 혼합하여, 두께 160㎛인 형광체 플레이트를 준비하였다.
1) 유리 재료
- 투과율: 75% (두께 190㎛기준 유리 단독 투과율)
- 굴절률: 1.613
2) 형광체
- LuAG 형광체: 파장 550nm, 입경 15um, 함량 15 중량%, 굴절률 1.8
- 질화물 형광체: 파장 595nm, 입경 15um, 함량 2 중량%, 굴절률 2.0
실시예 1 및 실시예 2: 형광체 플레이트 패터닝
위에서 준비된 형광체 플레이트 일면을 표면 연마를 실시하여 표면을 평탄하게 하여 준 후, PSS(Patterned Sapphire Substrate) 공정에 준하여 포토레지스트를 도포하고 패턴에 따라 노광한 후에 에칭하여 형광체 플레이트 표면에 패턴(표 2)을 형성하였다.
구분 패턴조건
패턴 패턴 높이
실시예 1 PSS 패턴 0.4㎛
실시예 2 PSS 패턴 1.0㎛
[ 비교예 ]
비교예
위에서 제조된 형광체 플레이트를 패터닝 공정을 실시하지 않고 표면 연마만을 수행하였다.
[평가]
1. 일체형의 광특성 평가
하기 표 3과 같은 조건의 광원소자에 실리콘 접착 수지(Dow KER-2300, 굴절률 1.42)를 3㎛ 도포한 후, 실시예 1 및 실시예 2의 패터닝된 형광체 플레이트 및 비교예의 비패터닝 형광체 플레이트를 접착시킨 후, 광특성을 측정하여 하기 표 4에 결과를 표시했다.
p-GaN GaN
[Mg] 5.0E18, 2000A
MQW In0.14Ga.0xN 4pairs
25A(InGaN)/80A(GaN)
n-GaN GaN (4.5㎛)
[Si] 1.0E19
사이즈 0.98x0.98, 2 Wire
백색 몰딩재료 WR-3001
반사율: 99.8%
Peak at 442nm, FWHM 21nm
구분 Cx Cy lm 상대비교
실시예 1 0.3247 0.3273 1905.0 94%
실시예 2 0.3299 0.3434 2092.4 103%
비교예 0.325 0.3358 2027.0 100%
2. 원격형( remote type )의 광특성 평가
상기 표 1과 같은 조건의 광원소자를 광특성을 측정하기 위한 적분구에 장착하고, 실시예 1의 패터닝된 형광체 플레이트 및 비교예의 비패터닝 형광체 플레이트를 적분구에 장착하여 색좌표(CIE), 광속, 광효율, 표면조도를 측정하고, 이를 하기 표 5 및 도 5에 결과를 표시했다.
광속
(Lumen)
CIE 광효율
(Lm/Wrad)
비고
Cx Cy
실시예 1
(top view)
638.9 0.4425 0.5042 251.2 101.5%
실시예 1
(bottom view)
638.2 0.4426 0.5039 251.0 101.4%
비교예 641.4 0.4412 0.5040 247.5 100%
상기 표 5에 따르면, 패턴하기 전의 광속과 패터닝한 후에 광속이 변화한 것을 확인할 수 있었다. 또한, 광원소자와 접촉하는 부분이 패터닝 된 경우 및 반대 부분일 경우 모두 광속차이는 나지 않는 것으로 확인되었다.
(도 5에서, Ra는 전체 구간에 대한 평균값, Rq: Ra(평균값)의 RMS값, Rt는 측정구간 전체에서 중심선을 기점으로 상위 최대 값과 하위 최대 값을 더한 값, Rz(DIN)는 측정구간 전체를 5등분하여 각 등분별로 최대 값을 구하고 구한 값들의 합을 5로 나눈 값임, 도표 오른쪽의 색깔 축은 패턴의 깊이를 나타냄)
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 해석되어야 하며 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100, 200, 300: 광확산부
110, 210, 310: 형광체 플레이트
112, 212, 312: 패턴
210, 220, 320: 광원소자
310, 320, 330: 실리콘 접착 수지층
A: 패턴폭
B: 패턴 간격
C: 패턴 높이
C': 패턴 깊이

Claims (11)

  1. 유리 매트릭스의 내부에 형광체가 분산된 플레이트 상(狀)의 광변환 구조체이고,
    상기 플레이트의 양면 중 적어도 일면 상에 적어도 1종 이상의 패턴을 포함하는 요철면이 형성되고,
    상기 패턴은 상기 일면의 면적 70% 내지 95%를 점유하고,
    상기 패턴의 길이는 5㎛ 내지 8㎛이고,
    상기 패턴의 높이는 0.3㎛ 내지 1.5㎛이고,
    상기 패턴의 간격은 상기 패턴의 중심점을 기준으로, 7.0㎛ 내지 10㎛인 형광체 플레이트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체는,
    이트륨-알루미늄-가넷(Yttrium Aluminium Garnet; YAG)계, 루테늄-알루미늄-가넷(Lutetium aluminium garnet; LuAG)계, 질화물(nitride)계, 황화물(sulfide)계 및 규산염(silicate) 계로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 2종 이상의 형광체인 형광체 플레이트.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 형광체는,
    굴절률이 1.5 내지 2.5인 형광체 플레이트.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 패턴은,
    양각(convex), 음각(concave) 또는 음양각 혼합패턴으로 형성되는 형광체 플레이트.
  5. 삭제
  6. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항의 형광체 플레이트;
    상기 요철면이 형성되지 않은 형광체 플레이트의 타면에 배치되는 접착층; 및
    상기 접착층에 의해 결합되는 광원소자를 포함하는 조명장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 광원소자는,
    LED, OLED, LD(laser diode), Laser 및 VCSEL으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 소자인 조명장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 광원소자의 적어도 1면 이상의 표면에,
    반사율 99.8% 이상의 백색 몰딩재료가 코팅되는 조명장치.

  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016105988A1 (de) * 2016-04-01 2017-10-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Konverter zur teilweisen Konversion einer Primärstrahlung und lichtemittierendes Bauelement
KR101949893B1 (ko) 2016-11-25 2019-02-19 광주과학기술원 사파이어 형광체 플레이트 및 이를 이용한 레이저 기반 백색광원 장치
US11199764B2 (en) 2018-07-02 2021-12-14 Coretronic Corporation Light wavelength conversion element and projection apparatus
CN110673427B (zh) * 2018-07-02 2021-08-24 中强光电股份有限公司 光波长转换元件及投影装置
KR20200032598A (ko) * 2018-09-18 2020-03-26 삼성전자주식회사 발광 장치
CN109761501A (zh) * 2019-03-08 2019-05-17 福建师范大学 一种可用于上转换激光固态照明的玻璃陶瓷及其制备方法与固态照明器件

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109946A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Toyoda Gosei Co Ltd 蛍光体板及びこれを備えた発光装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4415572B2 (ja) * 2003-06-05 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
WO2005028950A1 (ja) * 2003-09-19 2005-03-31 Sony Corporation バックライト装置及び液晶表示装置
JP4020092B2 (ja) * 2004-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 半導体発光装置
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
JP4688553B2 (ja) * 2005-04-18 2011-05-25 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
KR100746749B1 (ko) * 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
KR100723233B1 (ko) * 2006-03-31 2007-05-29 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
DE102006054330A1 (de) * 2006-11-17 2008-05-21 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffplättchen für LEDs aus strukturierten Folien
CN101459163B (zh) * 2007-12-12 2011-07-06 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 发光二极管
WO2009119034A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting apparatus
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
KR100969100B1 (ko) * 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
EP2602303A4 (en) * 2010-08-04 2014-03-05 Sekisui Chemical Co Ltd SURFACE-TREATED FLUORESCENT MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING SURFACE-TREATED FLUORESCENT MATERIAL
KR101805121B1 (ko) * 2010-12-03 2017-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US9122000B2 (en) * 2011-08-24 2015-09-01 Minebea Co., Ltd. Illuminator using a combination of pseudo-white LED and lens sheet
KR101338704B1 (ko) * 2011-12-18 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광장치
CN104040739B (zh) * 2011-11-08 2018-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光装置
US20130258637A1 (en) * 2012-03-31 2013-10-03 Michael Dongxue Wang Wavelength-converting structure for a light source
KR20130112577A (ko) * 2012-04-04 2013-10-14 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 조명 장치
JP2014082401A (ja) 2012-10-18 2014-05-08 Ushio Inc 蛍光光源装置
US9995458B2 (en) * 2014-01-13 2018-06-12 Lg Innotek Co., Ltd. Ceramic phosphor plate and lighting device including the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007109946A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Toyoda Gosei Co Ltd 蛍光体板及びこれを備えた発光装置

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KR20160017948A (ko) 2016-02-17
US20170234506A1 (en) 2017-08-17
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