KR102309093B1 - 발광소자 - Google Patents

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KR102309093B1
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노은우
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최광용
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쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드
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Abstract

실시예는 발광소자에 관한 것으로서, 발광 구조물; 발광 구조물에 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 제1 전극과 제2 전극에 각각 연결되는 제1 금속층과 제2 금속층; 제1 금속층과 연결되며, 제1 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 발광 구조물을 지지하는 제1 지지층; 제2 금속층과 연결되며, 제2 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 발광 구조물을 지지하는 제2 지지층; 제1 지지층과 제2 지지층을 감싸도록 배치되는 절연체를 포함한다.

Description

발광소자{Light Emitting Device}
실시예는 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광소자에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 발광소자로는 LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)를 들 수 있는데, 이는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
보통 LED의 사용 범위는 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)와 VLED(Visible Light Emitting Diode)로 나뉘어 진다. 상기의 LED의 구조는 일반적으로 다음과 같다.
일반적으로 청색 LED는 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층이 형성되고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈이 있고, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 활성층이 형성되어 있다.
그리고, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층이 형성되고, 상기 P형 GaN 층 상에 P-메탈이 형성되어 있다. 상기 활성층은 P-메탈을 통하여 전송되어 오는 정공과 N 메탈을 통하여 전송해오는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.
상기와 같은 LED는 출력되는 광의 세기에 따라, 가정용 가전 제품, 전광판 등에 사용되는데, 특히, LED는 정보 통신 기기의 소형화, 슬림(slim)화 추세에 있고, 주변 기기인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등도 더욱 소형화되고 있다.
따라서, 발광소자를 PCB(Printed Circuit Board: 이하 PCB라고 함) 기판에 직접 장착할 수 있는 표면실장소자(Surface Mount Device: 이하, SMD라 함)형으로 만들어지고 있다. 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 SMD 형으로 개발되고 있다.
이러한 SMD는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
상기와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등 요구되는 휘도도 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 LED가 널리 쓰이고 있다.
도 1a는 종래의 발광소자를 나타내는 단면도이고, 도 1b는 종래의 발광소자를 나타내는 저면도이다.
도 1a와 도 1b에 도시한 바와 같이, 종래의 발광소자는 제1 전극(11)과 제2 전극(12)을 포함하는 발광 구조물(10), 제1 전극(11) 및 제2 전극(12)과 각각 연결되는 제1 시드금속(seed metal)(21)과 제2 시드금속(seed metal)(22), 발광소자의 발광 구조물(10)을 지지해 주도록 제1 시드금속(21)과 제2 시드금속(22)의 하부에 각각 배치되는 제1 금속필러(metal pillar)(31)와 제2 금속필러(metal pillar)(32), 제1 시드금속(21)과 제2 시드금속(22) 및 제1 금속필러(31)와 제2 금속필러(32)의 둘레에 채워지는 절연체(40), 발광 구조물(10)의 일면에 배치되는 형광체(50)를 포함하여 이루어진다.
그러나, 상기 발광소자의 빈 공간에 채워지는 절연층의 재료는 경도가 약하고, 열전도율이 낮아 발광소자의 제조 공정 중에 파손되기 쉬우며, 높은 출력의 광을 얻기 위해서 전류의 크기를 높일 경우에는 패키지 내의 방열 성능이 좋지 않아 높은 열이 발생하는 문제가 있고, 이와 같이 패키지 내부에 높은 열이 방열되지 않은 채 그대로 존재할 경우 저항이 매우 높아져 광효율이 저하되는 문제점이 있다.
실시예는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 절연층의 단면적을 최소화하고, 발광 구조물을 지지해 주는 지지층의 단면적을 늘린 구조를 갖는 발광소자를 제공하고자 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 실시예는 발광 구조물; 상기 발광 구조물에 배치되는 제1 전극과 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 각각 연결되는 제1 금속층과 제2 금속층; 상기 제1 금속층과 연결되며, 상기 제1 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 상기 발광 구조물을 지지하는 제1 지지층; 상기 제2 금속층과 연결되며, 상기 제2 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 상기 발광 구조물을 지지하는 제2 지지층; 상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층을 감싸도록 배치되는 절연체를 포함하는 발광소자를 제공한다.
실시예에서, 상기 제1 지지층은 서로 다른 단면적을 갖는 제1 상부 지지층과 제1 하부 지지층을 포함하고, 상기 제2 지지층은 서로 다른 단면적을 갖는 제2 상부 지지층과 제2 하부 지지층을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 상부 지지층의 단면적은 상기 제1 하부 지지층의 단면적보다 크고, 상기 제2 상부 지지층의 단면적은 상기 제2 하부 지지층의 단면적보다 클 수 있다.
또한, 상기 제1 하부 지지층의 높이는 상기 제1 상부 지지층의 높이의 0.1 내지 0.3배이고, 상기 제2 하부 지지층의 높이는 상기 제2 상부 지지층의 높이의 0.1 내지 0.3배일 수 있다.
아울러, 상기 제1 및 제2 상부 지지층 각각은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 상기 제1 상부 지지층은 '┖┙'의 평면 형상을 갖고, 상기 제2 상부 지지층은 '┳'의 평면 형상을 가질 수 있다.
그리고, 상기 제2 상부 지지층에 대한 상기 제1 상부 지지층의 단면적의 비율은 1:3 내지 2:5일 수 있다.
또한, 상기 절연체는 실리콘(Si), 수지(Resin) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC:Epoxy Molding Compound) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 및 제2 금속층과 대향하는 상기 발광 구조물의 일면에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 노출시키면서 배치된 반사층을 더 포함할 수 있다.
아울러, 상기 제1 금속층의 일면과 상기 반사층 사이 및 상기 제2 금속층의 일면과 상기 반사층 사이에 배치된 절연층을 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같은 실시예에 의하면, 발광소자의 공정 안정성과 방열 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1a는 종래의 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1b는 종래의 발광소자를 나타내는 저면도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 저면도이다.
도 3은 도 2의 A-B 단면도이다.
도 4는 도 2의 C-D 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 저면도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly) 접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한, 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 2는 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 저면도이고, 도 3은 도 2의 A-B 단면도이며, 도 4는 도 2의 C-D 단면도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광소자는 발광 구조물(100), 제1 금속층(210), 제2 금속층(220), 제1 지지층(300), 제2 지지층(400), 절연체(600)를 포함할 수 있다.
발광 구조물(100)에는 발광소자가 실장되는 발광소자 패키지의 리드 프레임에 연결되어 전원을 공급받는 제1 전극(110)과 제2 전극(120)이 배치될 수 있다.
실시예에서, 투광성 기판(미도시)은 사파이어 기판 등이 사용될 수 있고, 투광성을 가지는 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하는데 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 투광성 기판(미도시)의 일면에는 복수의 반도체 화합물이 적층된 발광 구조물(100)이 배치된다. 그리고, 발광 구조물(100)은 투광성 기판(미도시)의 하부에 구비되는 제1 도전형 반도체층(100a), 제1 도전형 반도체층(100a)의 하부에 구비되는 활성층(100b), 활성층(100b)의 하부에 구비되는 제2 도전형 반도체층(100c)을 포함한다.
그리고, 발광 구조물(100)이 배치된 후에는 투광성 기판은 발광 구조물(100)로부터 분리되고, 발광 구조물의 일면에 요철을 형성하여 광효율을 높일 수 있다.
여기서, 제1 도전형 반도체층(100a)과 활성층(100b) 및 제2 도전형 반도체층(100c)을 포함하는 발광 구조물(100)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
아울러, 제1 도전형 반도체층(100a)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 제1 도전형 반도체층(100a)이 n형 반도체층인 경우, 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
그리고, 제1 도전형 반도체층(100a)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 제1 도전형 반도체층(100a)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
한편, 활성층(100b)은 제1 도전형 반도체층(100a)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(100c)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(100b)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이다.
또한, 활성층(100b)은 이중 접합 구조(Double Hetero Junction Structure), 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 활성층(100b)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
활성층(100b)의 우물층/장벽층은 예를 들어, InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, InAlGaN/InAlGaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 여기서, 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
그리고, 활성층(100b)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전형 클래드층은 활성층(100b)의 장벽층이나 밴드갭보다 더 넓은 밴드갭을 가지는 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전형 클래드층은 GaN, AlGaN, InAlGaN 또는 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 또한, 도전형 클래드층은 n형 또는 p형으로 도핑될 수 있다.
아울러, 제2 도전형 반도체층(100c)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 제2 도전형 반도체층(100c)이 p형 반도체층인 경우, 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
한편, 발광소자(100)에 구비되는 제1 전극(110)은 제1 도전형 반도체층(100a)의 일부가 메사 식각되어 일부가 노출된 면에 배치되고, 제2 전극(120)은 제2 도전형 반도체층(100c)의 하단면 일측에 배치된다. 여기서, 도전성을 높이기 위해 제2 도전형 반도체층(100c)의 하단면과 제2 전극(120) 사이에는 ITO(Indium Tin Oxide)(130)가 더 포함될 수 있다.
또한, 제1 전극(110)과 제2 전극(120)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 금속층(210)과 제2 금속층(220)은 예컨대, Ni, Pd, Ag, Au, Al, Sn, Sb, Cu, Co, Tr, Ru, Rh, Cd 또는 Pt 등의 금속들 중 어느 하나를 이용하여 형성할 수 있으며, 예컨대, 금속 박막 또는 금속 파우더 등의 형태로 증착하는 것이 가능하다. 하지만, 이에 국한하지는 않는다.
아울러, 제1 지지층(300)은 제1 전극(110)과 연결되고, 제1 전극(110)의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 발광 구조물(100)을 지지할 수 있다.
여기서, 제1 지지층(300)은 서로 다른 단면적을 갖는 제1 상부 지지층(320)과 제1 하부 지지층(310)을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 제1 상부 지지층(320)의 단면적은 제1 하부 지지층(310)의 단면적보다 클 수 있다.
종래에는 제1 지지층과 제2 지지층이 단면적이 동일한 기둥 형태로 배치되어 발광소자가 제조되는 공정 과정 중에 발광소자에 가해지는 충격으로 제1 지지층과 제2 지지층 사이에 절연체가 배치되는 영역에서 발광소자가 파손되어 발광소자의 불량률이 높았다.
하지만, 실시예에 따르면 제1 상부 지지층(320)의 단면적을 제1 하부 지지층(310)의 단면적보다 크게 배치하여 제1 상부 지지층이 발광 구조물을 지지하는 지지력을 향상시키고, 발광소자가 외부의 충격으로부터 일어나는 파손을 방지할 수 있게 해 준다.
한편, 제1 하부 지지층(310)의 높이(L2)는 제1 상부 지지층(320)의 높이(L1)의 0.1 내지 0.3배일 수 있다. 여기서, 제1 하부 지지층(310)의 높이(L2)가 제1 상부 지지층(320)의 높이(L1)보다 너무 낮으면 후술할 제2 하부 지지층과 제1 하부 지지층(310) 사이에 절연체가 배치될 공간이 부족하게 되고, 제1 하부 지지층(310)의 높이(L2)가 제1 상부 지지층(320)의 높이(L1)보다 너무 높으면 제1 상부 지지층(320)의 지지력이 저하될 수 있다.
여기서, 제1 하부 지지층(310)의 높이(L2)와 제1 상부 지지층(320)의 높이(L1)의 비율은 발광소자의 크기나 제1 상부 지지층과 제1 하부 지지층의 두께에 따라 달라질 수 있다.
또한, 제2 지지층(400)은 제2 전극(120)과 연결되고, 제2 전극(120)의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 발광 구조물(100)을 지지할 수 있다.
여기서, 제2 지지층(400)은 서로 다른 단면적을 갖는 제2 상부 지지층(420)과 제2 하부 지지층(410)을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 제2 상부 지지층(420)의 단면적은 제2 하부 지지층(410)의 단면적보다 클 수 있다.
한편, 제2 하부 지지층(410)의 높이는 제2 상부 지지층(420)의 높이의 0.1 내지 0.3배일 수 있는데, 제2 하부 지지층(410)의 높이와 제2 상부 지지층(420)의 높이의 비율에 대한 설명은 전술한 제1 하부 지지층(310)의 높이(L2)와 제1 상부 지지층(320)의 높이(L1)의 비율과 동일하므로 생략하기로 한다.
아울러, 제2 하부 지지층(410)의 높이와 제2 상부 지지층(420)의 높이의 비율은 발광소자의 크기나 제1 상부 지지층과 제1 하부 지지층의 두께에 따라 달라질 수 있다.
한편, 제1 및 제2 상부 지지층(320, 420) 각각은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 도 2에 도시한 바와 같이 제1 상부 지지층(320)은 '┖┙'의 평면 형상을 갖고, 제2 상부 지지층(420)은 '┳'의 평면 형상을 가질 수 있으며, 제2 상부 지지층(420)에 대한 제1 상부 지지층(320)의 단면적의 비율은 1:3 내지 2:5일 수 있다.
이러한 구조는 발광소자에 가해지는 충격이 각 지지층에 분산되어 흡수될 수 있으므로 발광소자가 제조되는 공정 과정 중에 발광소자에 가해지는 충격으로부터 발광소자가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
도 5 는 다른 실시예에 따른 발광소자를 나타내는 저면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제1 상부 지지층(320)와 제2 상부 지지층(420)이 배치될 수 있고, 발광소자에 가해지는 충격을 완화해 줄 수 있는 구조라면 상술한 제1 상부 지지층과 제2 상부 지지층의 형태나 단면적의 비율에 한정하지는 않는다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 절연체(600)가 제1 지지층(300)과 제2 지지층(400)을 감싸도록 배치될 수 있다. 그리고, 절연체(600)는 실리콘(Si), 수지(Resin) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC:Epoxy Molding Compound) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 실시예에 따른 발광소자는 제1 및 제2 금속층(210, 220)과 대향하는 발광 구조물(100)의 일면에서 제1 전극(110) 및 제2 전극(120)을 노출시키면서 배치된 반사층(700)을 더 포함할 수 있다.
또한, 제1 금속층(210)의 일면과 반사층(700) 사이 및 제2 금속층(220)의 일면과 반사층(700) 사이에 절연층(500)이 배치될 수 있다.
상술한 바와 같이 실시예에 따르면, 발광소자의 공정 안정성을 높일 수 있다. 그리고, 열전도율이 낮은 절연체의 단면적을 최소화하고 열전도율이 높은 금속재질의 지지층의 단면적을 넓혀 방열 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
상술한 발광소자는 하나 또는 복수 개가 하나의 발광소자 패키지 내에 배치될 수 있다.
발광소자 패키지 내에 발광소자가 배치될 때, 발광소자의 제1 전극과 제2 전극은 각각 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 발광소자의 둘레에는 실리콘 등을 포함하는 몰딩부가 배치되어 발광소자를 보호할 수 있다.
그리고, 상술한 발광소자 내지 발광소자 패키지는 조명 시스템의 광원으로 사용될 수 있는데, 일례로 영상표시장치의 백라이트 유닛과 조명 장치에 사용될 수 있다.
영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치에 사용될 때 등기구나 벌브(bulb) 타입의 광원에 사용될 수도 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광 구조물 100a : 제1 도전형 반도체층
100b : 활성층 100c : 제2 도전형 반도체층
110 : 제1 전극 120 : 제2 전극
130 : ITO 210 : 제1 금속층
220 : 제2 금속층 300 : 제1 지지층
310 : 제1 하부 지지층 320 : 제1 상부 지지층
400 : 제2 지지층 410 : 제2 하부 지지층
420 : 제2 상부 지지층 500 : 절연층
600 : 절연체 700 : 반사층

Claims (10)

  1. 발광 구조물;
    상기 발광 구조물에 배치되는 제1 전극과 제2 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 각각 연결되는 제1 금속층과 제2 금속층;
    상기 제1 금속층과 연결되며, 상기 제1 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 상기 발광 구조물을 지지하는 제1 지지층;
    상기 제2 금속층과 연결되며, 상기 제2 금속층의 하부에서 수직 방향으로 중첩 배치되어 상기 발광 구조물을 지지하는 제2 지지층; 및
    상기 제1 지지층과 상기 제2 지지층을 감싸도록 배치되는 절연체를 포함하고,
    상기 제1 지지층은 서로 다른 단면적을 갖는 제1 상부 지지층과 제1 하부 지지층을 포함하고,
    상기 제2 지지층은 서로 다른 단면적을 갖는 제2 상부 지지층과 제2 하부 지지층을 포함하고,
    상기 제1 상부 지지층은 '┖┙'의 평면 형상을 갖고, 상기 제2 상부 지지층은 '┳의 평면 형상을 갖는 발광소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 상부 지지층의 단면적은 상기 제1 하부 지지층의 단면적보다 크고,
    상기 제2 상부 지지층의 단면적은 상기 제2 하부 지지층의 단면적보다 큰 발광소자.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 상부 지지층 각각은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 또는 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 절연체는 실리콘(Si), 수지(Resin) 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC:Epoxy Molding Compound) 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 금속층과 대향하는 상기 발광 구조물의 일면에서 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 노출시키면서 배치된 반사층; 및
    상기 제1 금속층의 일면과 상기 반사층 사이 및 상기 제2 금속층의 일면과 상기 반사층 사이에 배치된 절연층을 더 포함하는 발광소자.
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