KR102303722B1 - Transparent film structure for stealth and method of manufacturing the same - Google Patents

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KR102303722B1
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재단법인 파동에너지 극한제어 연구단
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Abstract

본 발명의 일실시예는 시인성이 개선된 투명필름 구조체 및 투명필름 구조체를 제공한다. 여기서, 투명필름 구조체는 투명기재, 제1투명전도성패턴 그리고 제2투명전도성패턴을 포함한다. 제1투명전도성패턴은 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가진다. 제2투명전도성패턴은 투명기재 상에 마련되되, 투영평면상 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 배치되며, 제2면저항을 가진다. 제2면저항은 제1면저항보다 크고, 제1투명전도성패턴과 제2투명전도성패턴의 두께는 동일하며, 제1투명전도성패턴의 제1투과도와 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함된다.An embodiment of the present invention provides a transparent film structure and a transparent film structure with improved visibility. Here, the transparent film structure includes a transparent substrate, a first transparent conductive pattern, and a second transparent conductive pattern. The first transparent conductive pattern is provided on the transparent substrate and has a first surface resistance. The second transparent conductive pattern is provided on the transparent substrate, is disposed in an area where the first transparent conductive pattern is not provided on the projection plane, and has a second surface resistance. The second sheet resistance is greater than the first sheet resistance, the thicknesses of the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are the same, and the difference between the first transmittance of the first transparent conductive pattern and the second transmittance of the second transparent conductive pattern is It is included in the permissible range of transmittance difference values that are indistinguishable with the naked eye.

Description

스텔스용 투명필름 구조체 및 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법{TRANSPARENT FILM STRUCTURE FOR STEALTH AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Transparent film structure for stealth and manufacturing method of transparent film structure for stealth

본 발명은 투명필름 구조체 및 투명필름 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 간단한 제조공정을 통하여 제작할 수 있고, 얇은 두께를 가지면서도 시인성이 개선된 투명필름 구조체 및 투명필름 구조체의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent film structure and a method for manufacturing a transparent film structure, and more particularly, to a transparent film structure that can be manufactured through a simple manufacturing process, and a transparent film structure with improved visibility while having a thin thickness and a method for manufacturing a transparent film structure it's about

투명 전극은 LCD, PDP, OLED와 같은 평판디스플레이 또는 비정형 실리콘 박막 태양전지, 염료 감응형 태양전지의 투명전극 등의 다양한 용도로 광범위하게 사용되고 있다. Transparent electrodes are widely used for various purposes, such as flat panel displays such as LCD, PDP, and OLED, or transparent electrodes of amorphous silicon thin film solar cells and dye-sensitized solar cells.

이러한 투명전극 필름으로 현재까지 가장 널리 사용되는 것은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide: ITO) 필름이다.As such a transparent electrode film, the most widely used up to now is an indium tin oxide (ITO) film.

현재 가장 많이 사용되는 이러한 ITO 투명전극은 유리(glass) 및 폴리머 필름(polymer film) 등의 기판 위에 증착되어 사용되고 있으나, 차세대 디스플레이의 개발이 저가격화, 대면적화, 경량화를 추구하고 있는 상황에서, 이를 실현하기 위해서는 유리보다 가벼운 플라스틱을 기판 재료로 사용하는 것이 요구되고 있으며, 플라스틱 기판 상에서 최적의 물성을 나타낼 수 있는 투명전극의 개발이 요구되고 있다.These ITO transparent electrodes, which are currently the most used, are deposited on substrates such as glass and polymer films, but in the situation where the development of next-generation displays pursues lower prices, larger areas, and lighter weights, In order to realize this, it is required to use plastic lighter than glass as a substrate material, and the development of a transparent electrode capable of exhibiting optimal physical properties on a plastic substrate is required.

종래에는 ITO 투명필름에 패터닝된 회로 패턴이 육안으로 보이는 것을 해결하기 위하여 베이스 필름에 하드 코팅층, 고굴절 코팅층, 다공성 구조의 저굴절 고팅층 및 ITO 전도성층을 적층하여 빛의 투과율을 일치시킴으로써 회로패턴이 보이지 않도록 하는 방법이 사용되었다. 그러나 이러한 종래기술에 따른 투명필름 구조체에서는 복수 개의 이종재료들이 적층되기 때문에 투명필름 구조체의 전체 두께가 두꺼워지고, 제조공정이 복잡해지는 문제가 있다. Conventionally, in order to solve that the circuit pattern patterned on the ITO transparent film is visible to the naked eye, the circuit pattern is formed by stacking a hard coating layer, a high refractive index coating layer, a porous low refractive index coating layer and an ITO conductive layer on the base film to match the light transmittance. A method of invisibility was used. However, in the transparent film structure according to the prior art, since a plurality of dissimilar materials are laminated, the overall thickness of the transparent film structure is thickened, and there is a problem in that the manufacturing process becomes complicated.

대한민국 공개특허공보 제2012-0053338호(2012.05.25. 공개)Republic of Korea Patent Publication No. 2012-0053338 (published on May 25, 2012)

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 간단한 제조공정을 통하여 제작할 수 있고, 얇은 두께를 가지면서도 시인성이 개선된 투명필름 구조체 및 투명필름 구조체를 제공하는 것이다.In order to solve the above problems, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide a transparent film structure and a transparent film structure that can be manufactured through a simple manufacturing process and have improved visibility while having a thin thickness.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the description below. There will be.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 투명기재; 상기 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴; 그리고 상기 투명기재 상에 마련되되, 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 배치되며, 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴;을 포함하고, 상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성패턴과 상기 제2투명전도성패턴의 두께는 동일하며, 상기 제1투명전도성패턴의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 투명필름 구조체를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention is a transparent substrate; a first transparent conductive pattern provided on the transparent substrate and having a first surface resistance; and a second transparent conductive pattern provided on the transparent substrate, disposed in an area on the projection plane where the first transparent conductive pattern is not provided, and having a second sheet resistance, wherein the second sheet resistance is the first greater than the sheet resistance, the thicknesses of the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are the same, and the difference between the first transmittance of the first transparent conductive pattern and the second transmittance of the second transparent conductive pattern is visually observed It provides a transparent film structure, characterized in that it is included in the permissible range of the indistinguishable transmittance difference value.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1면저항에 대한 상기 제2면저항의 저항비율은 상기 제2투명전도성패턴이 상기 제1투명전도성패턴의 전기적 성능에 영향을 미치지 않는 저항비율의 허용범위에 포함될 수 있다.In an embodiment of the present invention, the resistance ratio of the second surface resistance to the first surface resistance is included in the allowable range of the resistance ratio in which the second transparent conductive pattern does not affect the electrical performance of the first transparent conductive pattern. can

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 저항비율의 허용범위는 6.25 이상일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the allowable range of the resistance ratio may be 6.25 or more.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1면저항은 60 ohm/sq 초과, 160 ohm/sq 미만일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first sheet resistance may be greater than 60 ohm/sq and less than 160 ohm/sq.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2면저항은 1000 ohm/sq 이상일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the second sheet resistance may be 1000 ohm/sq or more.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 및 상기 제2투명전도성패턴은 그래핀으로 이루어질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern may be made of graphene.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 투과도 차이값의 허용범위는 1.7% 미만일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the allowable range of the transmittance difference value may be less than 1.7%.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴을 마련하는 제1투명전도성패턴 마련단계; 그리고 상기 투명기재 상에서, 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴을 마련하는 제2투명전도성패턴 마련단계;를 포함하고, 상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성패턴과 상기 제2투명전도성패턴의 두께는 동일하며, 상기 제1투명전도성의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 투명필름 구조체의 제조방법을 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention is provided on a transparent substrate, a first transparent conductive pattern preparation step of providing a first transparent conductive pattern having a first surface resistance; And on the transparent substrate, a second transparent conductive pattern providing step of providing a second transparent conductive pattern having a second sheet resistance in an area where the first transparent conductive pattern is not provided on a projection plane; is greater than the first surface resistance, the thicknesses of the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are the same, and a difference value between the first transmittance of the first transparent conductivity and the second transmittance of the second transparent conductive pattern provides a method of manufacturing a transparent film structure, characterized in that it is included in the permissible range of the transmittance difference value indistinguishable with the naked eye.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와, 상기 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 제1포토레지스트 마련단계와, 상기 제1투명전도성층에서 상기 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴을 형성하는 플라즈마 에칭단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the first transparent conductive pattern includes a first transparent conductive layer providing step of providing a first transparent conductive layer having the first sheet resistance on the transparent substrate, and the first transparent conductive layer A first photoresist preparation step of providing a first photoresist on a layer, and plasma etching a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form a first photoresist having a shape corresponding to the first photoresist 1 It may have a plasma etching step of forming a transparent conductive pattern.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2투명전도성패턴 마련단계는 캐리어필름의 일면에 상기 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층이 마련된 상태에서, 상기 제2투명전도성층을 상기 제1포토레지스트 방향으로 가압하여 상기 투명기재 상에서 상기 제2투명전도성층이 상기 제1투명전도성패턴의 사이에 마련되면서 상기 제1포토레지스트를 덮도록 하는 부착단계와, 상기 제2투명전도성층으로부터 상기 캐리어필름을 박리하는 캐리어필름 박리단계와, 상기 제1투명전도성패턴의 사이에 마련되는 상기 제2투명전도성층이 상기 제2투명전도성패턴을 형성하도록, 상기 제1포토레지스트를 용매로 제거하면서 상기 제1포토레지스트를 덮은 상기 제2투명전도성층을 함께 제거하는 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the step of preparing the second transparent conductive pattern, the second transparent conductive layer is applied to the first photoresist in a state in which the second transparent conductive layer having the second sheet resistance is provided on one surface of the carrier film. an attaching step of applying pressure in a direction to cover the first photoresist while the second transparent conductive layer is provided between the first transparent conductive patterns on the transparent substrate, and the carrier film from the second transparent conductive layer The first photoresist is removed with a solvent so that the second transparent conductive layer provided between the peeling carrier film peeling step and the first transparent conductive pattern forms the second transparent conductive pattern. It may have a removal step of removing the second transparent conductive layer covering the resist together.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제거단계에서, 상기 제2투명전도성층 중에 상기 제1포토레지스트를 덮은 부분에서 틈이 발생하여 상기 용매가 상기 제1포토레지스트로 침투되도록, 상기 용매에 초음파를 더 가할 수 있다.In an embodiment of the present invention, in the removing step, ultrasonic waves are applied to the solvent so that a gap is generated in the portion covering the first photoresist in the second transparent conductive layer so that the solvent penetrates into the first photoresist. more can be added

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와, 상기 제1투명전도성층 상에 마스크를 마련하는 마스크 마련단계를 가지고, 상기 제2투명전도성패턴 마련단계는 상기 제1투명전도성층에서 상기 마스크가 마련되지 않은 부분에 플라즈마를 가하여, 상기 플라즈마가 가해지는 부분이 상기 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴이 되도록 변형시키는 면저항 변형단계와, 상기 마스크를 제거하는 마스크 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the first transparent conductive pattern includes a first transparent conductive layer providing step of providing a first transparent conductive layer having the first sheet resistance on the transparent substrate, and the first transparent conductive layer and a mask preparation step of providing a mask on the layer, wherein the second transparent conductive pattern preparation step applies plasma to a portion of the first transparent conductive layer where the mask is not provided, so that the portion to which the plasma is applied is the second transparent conductive layer. It may include a sheet resistance deformation step of deforming the second transparent conductive pattern having two sheet resistances, and a mask removal step of removing the mask.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와, 상기 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 제1포토레지스트 마련단계를 가지고, 상기 제2투명전도성패턴 마련단계는 상기 제1투명전도성층에서 상기 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분에 물리적 충격을 가하여, 상기 물리적 충격이 가해지는 부분이 상기 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴이 되도록 변형시키는 면저항 변형단계와, 상기 제1포토레지스트를 제거하는 제1포토레지스트 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the first transparent conductive pattern includes a first transparent conductive layer providing step of providing a first transparent conductive layer having the first sheet resistance on the transparent substrate, and the first transparent conductive layer A first photoresist preparation step of preparing a first photoresist on the layer, wherein the second transparent conductive pattern preparation step is performed by applying a physical impact to a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided. , a sheet resistance modification step of deforming the portion to which the physical impact is applied to become a second transparent conductive pattern having the second sheet resistance, and a first photoresist removal step of removing the first photoresist.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴을 마련하는 제1투명전도성패턴 마련단계; 캐리어필름 상에서, 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴을 마련하는 제2투명전도성패턴 마련단계; 그리고 상기 제2투명전도성패턴이 상기 투명기재 상에서 상기 제1투명전도성패턴의 사이에 마련되도록 상기 제2투명전도성패턴을 상기 투명기재에 전사하는 전사단계를 포함하고, 상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성패턴과 상기 제2투명전도성패턴의 두께는 동일하며, 상기 제1투명전도성의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 투명필름 구조체의 제조방법을 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention is provided on a transparent substrate, a first transparent conductive pattern preparation step of providing a first transparent conductive pattern having a first surface resistance; a second transparent conductive pattern preparation step of providing a second transparent conductive pattern having a second sheet resistance in a region where the first transparent conductive pattern is not provided on the carrier film; and a transferring step of transferring the second transparent conductive pattern to the transparent substrate so that the second transparent conductive pattern is provided between the first transparent conductive patterns on the transparent substrate, wherein the second surface resistance is the first greater than the sheet resistance, the thicknesses of the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are the same, and the difference between the first transmittance of the first transparent conductive pattern and the second transmittance of the second transparent conductive pattern is visually distinguished It provides a method for manufacturing a transparent film structure, characterized in that it is included in the allowable range of the transmittance difference value.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와, 상기 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 제1포토레지스트 마련단계와, 상기 제1투명전도성층에서 상기 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴을 형성하는 제1플라즈마 에칭단계와, 상기 투명기재 상에 상기 제1투명전도성패턴만 남도록 상기 제1포토레지스트를 제거하는 제1포토레지스트 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the first transparent conductive pattern includes a first transparent conductive layer providing step of providing a first transparent conductive layer having the first sheet resistance on the transparent substrate, and the first transparent conductive layer A first photoresist preparation step of providing a first photoresist on a layer, and plasma etching a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form a first photoresist having a shape corresponding to the first photoresist It may have a first plasma etching step of forming a first transparent conductive pattern, and a first photoresist removal step of removing the first photoresist so that only the first transparent conductive pattern remains on the transparent substrate.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2투명전도성패턴 마련단계는 상기 캐리어필름 상에 상기 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층을 마련하는 제2투명전도성층 마련단계와, 상기 제2투명전도성층 상에 제2포토레지스트를 마련하는 제2포토레지스트 마련단계와, 상기 제2투명전도성층에서 상기 제2포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제2포토레지스트에 대응되는 형상의 제2투명전도성패턴을 형성하는 제2플라즈마 에칭단계와, 상기 캐리어필름 상에 상기 제2투명전도성패턴만 남도록 상기 제2포토레지스트를 제거하는 제2포토레지스트 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the second transparent conductive pattern includes a second transparent conductive layer providing step of providing a second transparent conductive layer having the second sheet resistance on the carrier film, and the second transparent conductive layer A second photoresist preparation step of providing a second photoresist on the layer, and plasma etching a portion of the second transparent conductive layer where the second photoresist is not provided to form a second photoresist having a shape corresponding to the second photoresist It may have a second plasma etching step of forming two transparent conductive patterns, and a second photoresist removal step of removing the second photoresist so that only the second transparent conductive pattern remains on the carrier film.

한편, 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예는 투명기재의 일면 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴을 마련하는 제1투명전도성패턴 마련단계; 그리고 상기 투명기재의 타면 상에 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴을 마련하는 제2투명전도성패턴 마련단계;를 포함하고, 상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성패턴과 상기 제2투명전도성패턴의 두께는 동일하며, 상기 제1투명전도성의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 투명필름 구조체의 제조방법을 제공한다.On the other hand, in order to achieve the above technical problem, an embodiment of the present invention is a first transparent conductive pattern preparation step of providing a first transparent conductive pattern having a first surface resistance on one surface of a transparent substrate; and a second transparent conductive pattern providing step of providing a second transparent conductive pattern having a second surface resistance in an area where the first transparent conductive pattern is not provided on a projection plane on the other surface of the transparent substrate; The second sheet resistance is greater than the first sheet resistance, the thickness of the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are the same, and the first transmittance of the first transparent conductive pattern and the second transmittance of the second transparent conductive pattern are the same. The difference value provides a method for manufacturing a transparent film structure, characterized in that it is included in the permissible range of the transmittance difference value indistinguishable with the naked eye.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제1투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재의 일면 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와, 상기 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 제1포토레지스트 마련단계와, 상기 제1투명전도성층에서 상기 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴을 형성하는 제1플라즈마 에칭단계와, 상기 투명기재의 일면 상에 상기 제1투명전도성패턴만 남도록 상기 제1포토레지스트를 제거하는 제1포토레지스트 제거단계를 가질 수 있다. In an embodiment of the present invention, the step of preparing the first transparent conductive pattern includes a first transparent conductive layer providing step of providing a first transparent conductive layer having the first surface resistance on one surface of the transparent substrate, and the first A first photoresist preparation step of providing a first photoresist on the transparent conductive layer, and plasma etching a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form a shape corresponding to the first photoresist It may have a first plasma etching step of forming a first transparent conductive pattern of, and a first photoresist removal step of removing the first photoresist so that only the first transparent conductive pattern remains on one surface of the transparent substrate.

본 발명의 실시예에 있어서, 상기 제2투명전도성패턴 마련단계는 상기 투명기재의 타면 상에 상기 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층을 마련하는 제2투명전도성층 마련단계와, 상기 제2투명전도성층 상에 제2포토레지스트를 마련하는 제2포토레지스트 마련단계와, 상기 제2투명전도성층에서 상기 제2포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제2포토레지스트에 대응되는 형상의 제2투명전도성패턴을 형성하는 제2플라즈마 에칭단계와, 상기 투명기재의 타면 상에 상기 제2투명전도성패턴만 남도록 상기 제2포토레지스트를 제거하는 제2포토레지스트 제거단계를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the step of preparing the second transparent conductive pattern comprises a second transparent conductive layer providing step of providing a second transparent conductive layer having the second surface resistance on the other surface of the transparent substrate; A second photoresist preparation step of providing a second photoresist on the transparent conductive layer, and plasma etching a portion of the second transparent conductive layer where the second photoresist is not provided to have a shape corresponding to the second photoresist a second plasma etching step of forming a second transparent conductive pattern of

본 발명의 실시예에 따르면, 투명기재 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴을 배치하고, 투명기재 상에 투영평면상 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 제1면저항보다 큰 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴을 마련함으로써, 제1투명전도성패턴의 전기적 성능에 영향을 미치지 않고, 제1투명전도성패턴 및 제2투명전도성패턴에 기인하는 아른거림이 육안으로 구별되지 않는 개선된 시인도를 가지면서도 얇은 두께를 가지는 투명필름 구조체를 간단한 제조공정을 통하여 얻을 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a first transparent conductive pattern having a first sheet resistance is disposed on a transparent substrate, and a first transparent conductive pattern having a first surface resistance greater than the first sheet resistance is disposed in an area where the first transparent conductive pattern is not provided on a projection plane on the transparent substrate. By providing the second transparent conductive pattern having two-sided resistance, the electrical performance of the first transparent conductive pattern is not affected, and the tingling caused by the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern is not distinguished by the naked eye. It is possible to obtain a transparent film structure having a thin thickness while having high visibility through a simple manufacturing process.

본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It should be understood that the effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and include all effects that can be inferred from the configuration of the invention described in the detailed description or claims of the present invention.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 투명필름 구조체를 나타낸 단면예시도이다.
도 2는 단일의 투명전도성패턴만 가지는 투명필름 구조체의 투과도 차이를 설명하기 위한 사진이다.
도 3은 도 1의 투명필름 구조체의 투과도 차이를 설명하기 위한 그래프 및 사진이다.
도 4는 도 1의 제1투명전도성패턴의 제1면저항을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 도 1의 제2투명전도성패턴의 제2면저항을 설명하기 위한 그래프이다.
도 6은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 7은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법의 일실시예를 나타낸 흐름도이다.
도 8은 도 7의 공정도이다.
도 9는 도 6의 투명필름 구조체의 제조방법의 다른 실시예를 나타낸 흐름도이다.
도 10은 도 9의 공정도이다.
도 11은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법의 또 다른 실시예를 나타낸 흐름도이다.
도 12는 도 11의 공정도이다.
도 13은 본 발명의 제2실시예에 따른 투명필름 구조체를 나타낸 단면예시도이다.
도 14 및 도 15는 도 13의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 16은 도 14 및 도 15의 공정도이다.
도 17 및 도 18은 본 발명의 제3실시예에 따른 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 19는 도 17 및 도 18의 공정도이다.1 is a cross-sectional view showing a transparent film structure according to a first embodiment of the present invention.
2 is a photograph for explaining the difference in transmittance of a transparent film structure having only a single transparent conductive pattern.
3 is a graph and a photograph for explaining the difference in transmittance of the transparent film structure of FIG.
FIG. 4 is a graph for explaining a first surface resistance of the first transparent conductive pattern of FIG. 1 .
FIG. 5 is a graph for explaining a second sheet resistance of the second transparent conductive pattern of FIG. 1 .
6 is a flowchart illustrating a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 .
7 is a flowchart illustrating an embodiment of a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 .
8 is a process diagram of FIG. 7 .
9 is a flowchart illustrating another embodiment of a method of manufacturing the transparent film structure of FIG. 6 .
FIG. 10 is a process diagram of FIG. 9 .
11 is a flowchart illustrating another embodiment of a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 .
12 is a process diagram of FIG. 11 .
13 is a cross-sectional view showing a transparent film structure according to a second embodiment of the present invention.
14 and 15 are flowcharts illustrating a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 13 .
16 is a process diagram of FIGS. 14 and 15 .
17 and 18 are flowcharts showing a manufacturing method for manufacturing a transparent film structure according to a third embodiment of the present invention.
19 is a process diagram of FIGS. 17 and 18 .

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 따라서 여기에서 설명하는 실시예로 한정되는 것은 아니다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the present invention may be embodied in several different forms, and thus is not limited to the embodiments described herein. And in order to clearly explain the present invention in the drawings, parts irrelevant to the description are omitted, and similar reference numerals are attached to similar parts throughout the specification.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 “연결(접속, 접촉, 결합)”되어 있다고 할 때, 이는 “직접적으로 연결”되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 “간접적으로 연결”되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is “connected (connected, contacted, coupled)” with another part, it is not only “directly connected” but also “indirectly connected” with another member in between. “Including cases where it is In addition, when a part "includes" a certain component, this means that other components may be further provided without excluding other components unless otherwise stated.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, “포함하다” 또는 “가지다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used herein are used only to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that the features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification exist, and one or more other features It should be understood that this does not preclude the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 투명필름 구조체를 나타낸 단면예시도이다.1 is a cross-sectional view showing a transparent film structure according to a first embodiment of the present invention.

도 1에서 보는 바와 같이, 투명필름 구조체(100)는 투명기재(110), 제1투명전도성패턴(130) 그리고 제2투명전도성패턴(140)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1 , the transparent film structure 100 may include a transparent substrate 110 , a first transparent conductive pattern 130 , and a second transparent conductive pattern 140 .

투명기재(110)는 예를 들면 폴리머 필름일 수 있으며, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름일 수 있다. 투명기재(110)는 170 내지 190㎛의 두께로 형성될 수 있다.The transparent substrate 110 may be, for example, a polymer film, for example, a polyethylene terephthalate (PET) film. The transparent substrate 110 may be formed to a thickness of 170 to 190 μm.

제1투명전도성패턴(130)은 투명기재(110) 상에 마련될 수 있다. 제1투명전도성패턴(130)은 그래핀으로 이루어질 수 있으며, 제1면저항을 가지고 전기적 성능을 구현할 수 있다. The first transparent conductive pattern 130 may be provided on the transparent substrate 110 . The first transparent conductive pattern 130 may be made of graphene, and may implement electrical performance with a first surface resistance.

투명기재(110) 상에 전기적 성능을 구현하기 위한 제1투명전도성패턴(130)만 마련되는 경우, 투명기재(110)의 투과도 및 굴절률과 제1투명전도성패턴(130)의 투과도 및 굴절률이 서로 다르기 때문에, 제1투명전도성패턴(130)의 형상은 육안으로 구별될 수 있다. 그리고 이러한 제1투명전도성패턴(130)의 육안 구별은 아른거림으로 작용할 수 있기 때문에 시인성을 저하시키는 원인이 될 수 있다.When only the first transparent conductive pattern 130 for realizing electrical performance is provided on the transparent substrate 110 , the transmittance and refractive index of the transparent substrate 110 and the transmittance and refractive index of the first transparent conductive pattern 130 are mutually Since they are different, the shape of the first transparent conductive pattern 130 can be visually distinguished. In addition, the visual discrimination of the first transparent conductive pattern 130 may act as a glimmer and may cause deterioration of visibility.

도 2는 단일의 투명전도성패턴만 가지는 투명필름 구조체의 투과도 차이를 설명하기 위한 사진인데, 도 2의 (a)는 550nm 파장(wavelength)에서 89.8%의 투과도를 가지는 투명기재(110) 상에 550nm 파장(wavelength)에서 87.9%의 투과도를 가지는 제1투명전도성패턴(130)이 마련된 사진이고, 도 2의 (b)는 550nm 파장(wavelength)에서 90%의 투과도를 가지는 투명기재(110) 상에 550nm 파장(wavelength)에서 87.9%의 투과도를 가지는 제1투명전도성패턴(130)이 마련된 사진이다.2 is a photograph for explaining the difference in transmittance of a transparent film structure having only a single transparent conductive pattern. It is a photograph in which the first transparent conductive pattern 130 having a transmittance of 87.9% at a wavelength is provided, and (b) of FIG. 2 is a transparent substrate 110 having a transmittance of 90% at a wavelength of 550 nm. It is a photograph in which the first transparent conductive pattern 130 having a transmittance of 87.9% at a wavelength of 550 nm is provided.

도 2의 (a)에서 보는 바와 같이, 투명기재(110)와 제1투명전도성패턴(130)의 투과도 차이가 1.9% 인 경우, 제1투명전도성패턴(130)이 육안으로 식별된다. 그리고, 도 2의 (b)에서 보는 바와 같이, 투명기재(110)와 제1투명전도성패턴(130)의 투과도 차이가 2.1%로 증가하게 되면, 제1투명전도성패턴(130)이 더욱 잘 육안으로 식별되는 것을 알 수 있다.As shown in (a) of FIG. 2 , when the transmittance difference between the transparent substrate 110 and the first transparent conductive pattern 130 is 1.9%, the first transparent conductive pattern 130 is visually identified. And, as shown in (b) of FIG. 2, when the transmittance difference between the transparent substrate 110 and the first transparent conductive pattern 130 is increased to 2.1%, the first transparent conductive pattern 130 is better visually observed. can be identified as

이를 극복하기 위해, 본 발명에서는 제2투명전도성패턴(140)이 투명기재(110) 상에 마련되되, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치될 수 있다. In order to overcome this, in the present invention, the second transparent conductive pattern 140 is provided on the transparent substrate 110, but may be disposed in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane.

본 실시예에서는 제1투명전도성패턴(130) 및 제2투명전도성패턴(140)이 투명기재(110)의 동일평면 상에 마련될 수 있다.In this embodiment, the first transparent conductive pattern 130 and the second transparent conductive pattern 140 may be provided on the same plane of the transparent substrate 110 .

제2투명전도성패턴(140)은 그래핀으로 이루어질 수 있다. 제1투명전도성패턴(130) 및 제2투명전도성패턴(140)이 그래핀으로 이루어짐으로써 투명필름 구조체가 얇은 두께를 가질 수 있게 된다.The second transparent conductive pattern 140 may be made of graphene. Since the first transparent conductive pattern 130 and the second transparent conductive pattern 140 are made of graphene, the transparent film structure can have a thin thickness.

제1투명전도성패턴(130)은 제1투과도를 가지고, 제2투명전도성패턴(140)은 제2투과도를 가질 수 있으며, 제1투과도 및 제2투과도의 차이값은 육안으로 구별되지 않는 투과도 차이값의 허용범위에 포함될 수 있다.The first transparent conductive pattern 130 may have a first transmittance, and the second transparent conductive pattern 140 may have a second transmittance. It can be included in the allowable range of values.

도 3은 도 1의 투명필름 구조체의 투과도 차이를 설명하기 위한 그래프 및 사진이다. 3 is a graph and a photograph for explaining the difference in transmittance of the transparent film structure of FIG.

도 3의 (a)에서 보는 바와 같이, 저저항인 제1투명전도성패턴(130) 및 고저항인 제2투명전도성패턴(140)이 각각 1층으로 마련되고, 제2투명전도성패턴(140)의 투과도가 97.64% 이고, 제1투명전도성패턴(130)의 투과도가 96.13% 으로 투과도의 차이값이 1.51% 인 경우, 도 3의 (b)에서 보는 바와 같이, 투명필름 구조체(100)에서는 제1투명전도성패턴(130) 또는 제2투명전도성패턴(140)에 의한 아른거림이 육안으로 식별되지 않아 시인성이 개선될 수 있다. 종합해보면, 투명전도성패턴에 의한 아른거림이 육안으로 식별되지 않도록 하기 위해서는 제1투명전도성패턴(130) 및 제2투명전도성패턴(140)의 투과도의 차이값의 허용범위는 1.7% 미만으로 관리됨이 바람직하다.As shown in (a) of FIG. 3 , a first transparent conductive pattern 130 having a low resistance and a second transparent conductive pattern 140 having a high resistance are each provided in one layer, and the second transparent conductive pattern 140 is provided in one layer. When the transmittance of the first transparent conductive pattern 130 is 97.64%, the transmittance of the first transparent conductive pattern 130 is 96.13%, and the difference in transmittance is 1.51%, as shown in FIG. Since the glimmer caused by the first transparent conductive pattern 130 or the second transparent conductive pattern 140 is not identified with the naked eye, visibility may be improved. In summary, in order to prevent the glimmer caused by the transparent conductive pattern from being identified with the naked eye, the allowable range of the difference in transmittance between the first transparent conductive pattern 130 and the second transparent conductive pattern 140 is managed to be less than 1.7%. This is preferable.

더하여, 제1투명전도성패턴(130) 및 제2투명전도성패턴(140)은 두께가 동일할 수 있으며, 이를 통해, 개선된 시인성이 영향을 받지않도록 할 수 있다.In addition, the first transparent conductive pattern 130 and the second transparent conductive pattern 140 may have the same thickness, so that improved visibility is not affected.

그리고, 제2투명전도성패턴(140)은 제1투명전도성패턴(130)의 제1면저항보다 큰 제2면저항을 가질 수 있다. 이렇게 되면, 제2투명전도성패턴(140)은 제1투명전도성패턴(130)의 전기적 성능에 영향을 미치지 않게 될 수 있다.In addition, the second transparent conductive pattern 140 may have a second surface resistance greater than the first surface resistance of the first transparent conductive pattern 130 . In this case, the second transparent conductive pattern 140 may not affect the electrical performance of the first transparent conductive pattern 130 .

제1면저항에 대한 제2면저항의 저항비율은 제2투명전도성패턴(140)이 제1투명전도성패턴(130)의 전기적 성능에 영향을 미치지 않는 저항비율의 허용범위에 포함될 수 있다.The resistance ratio of the second surface resistance to the first surface resistance may be included in the allowable range of the resistance ratio in which the second transparent conductive pattern 140 does not affect the electrical performance of the first transparent conductive pattern 130 .

투명필름 구조체(100)가 스텔스(Stealth) 성능을 만족하기 위해서는 엑스밴드(X band)에서 -10dB 이하의 반사도가 구현됨이 바람직하다. In order for the transparent film structure 100 to satisfy the stealth performance, it is preferable that the reflectivity of -10 dB or less is implemented in the X band.

도 4는 도 1의 제1투명전도성패턴의 제1면저항을 설명하기 위한 그래프이다.FIG. 4 is a graph for explaining a first surface resistance of the first transparent conductive pattern of FIG. 1 .

도 4에서 보는 바와 같이, 제1투명전도성패턴의 제1면저항이 60 ohm/sq 이하일 때에는 10.6 GHz 근방에서 반사도가 -10 dB를 넘어서게 된다. 그리고, 제1면저항이 160 ohm/sq 이상일 때에는 8 GHz 근방에서 반사도가 -10 dB를 넘어서게 된다. 따라서, 엑스밴드 전체에서 -10dB 이하의 반사도가 구현되도록 하기 위해서는 제1면저항은 60 ohm/sq 초과, 160 ohm/sq 미만으로 관리됨이 바람직하다.As shown in FIG. 4 , when the first surface resistance of the first transparent conductive pattern is 60 ohm/sq or less, the reflectivity exceeds -10 dB in the vicinity of 10.6 GHz. And, when the first sheet resistance is 160 ohm/sq or more, the reflectivity exceeds -10 dB in the vicinity of 8 GHz. Therefore, in order to realize the reflectivity of -10 dB or less in the entire X-band, it is preferable that the first sheet resistance is managed to be more than 60 ohm/sq and less than 160 ohm/sq.

도 5는 도 1의 제2투명전도성패턴의 제2면저항을 설명하기 위한 그래프이다.FIG. 5 is a graph for explaining a second sheet resistance of the second transparent conductive pattern of FIG. 1 .

도 5에서 보는 바와 같이, 제2투명전도성패턴(140)의 제2면저항이 1000 ohm/sq 이상이 되면, 엑스밴드 전체에서 -10dB 이하의 반사도가 구현될 수 있고, 레이더 반사면적(RCS)이 10% 이하가 될 수 있다.As shown in FIG. 5 , when the second sheet resistance of the second transparent conductive pattern 140 is 1000 ohm/sq or more, reflectivity of -10 dB or less can be implemented in the entire X-band, and the radar reflection area (RCS) is It can be less than 10%.

따라서, 저항비율의 허용범위는 6.25 이상일 수 있다. 바람직하게는, 저항비율의 허용범위는 6.25 이상, 16.67 이하일 수 있다.Accordingly, the allowable range of the resistance ratio may be 6.25 or more. Preferably, the allowable range of the resistance ratio may be 6.25 or more and 16.67 or less.

이하에서는 투명필름 구조체의 제조방법에 대해서 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing the transparent film structure will be described.

도 6은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 7은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법의 일실시예를 나타낸 흐름도이고, 도 8은 도 7의 공정도이다.6 is a flowchart illustrating a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 , FIG. 7 is a flowchart illustrating an embodiment of a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 , and FIG. It is also fair.

도 6 내지 도 8에서 보는 바와 같이, 투명필름 구조체의 제조방법은 제1투명전도성패턴 마련단계(S210) 그리고 제2투명전도성패턴 마련단계(S220)를 포함할 수 있다.6 to 8 , the method of manufacturing the transparent film structure may include a first transparent conductive pattern providing step (S210) and a second transparent conductive pattern providing step (S220).

제1투명전도성패턴 마련단계(S210)는 투명기재(110) 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴(130)을 마련하는 단계일 수 있다. The first transparent conductive pattern preparation step ( S210 ) may be a step of providing the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and having a first surface resistance.

제1투명전도성패턴 마련단계(S210)는 제1투명전도성층 마련단계(S211), 제1포토레지스트 마련단계(S212) 및 플라즈마 에칭단계(S213)를 가질 수 있다.The first transparent conductive pattern preparation step ( S210 ) may include a first transparent conductive layer preparation step ( S211 ), a first photoresist preparation step ( S212 ), and a plasma etching step ( S213 ).

제1투명전도성층 마련단계(S211)는 투명기재(110) 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층(131)을 마련하는 단계일 수 있다.The step of preparing the first transparent conductive layer ( S211 ) may be a step of providing the first transparent conductive layer 131 having a first sheet resistance on the transparent substrate 110 .

제1포토레지스트 마련단계(S212)는 제1투명전도성층(131) 상에 제1포토레지스트(150)를 마련하는 단계일 수 있다. 제1포토레지스트(150)는 제1투명전도성층(131)으로 형성하고자 하는 제1투명전도성패턴(130)에 대응되도록 마련될 수 있다.The first photoresist providing step ( S212 ) may be a step of providing the first photoresist 150 on the first transparent conductive layer 131 . The first photoresist 150 may be provided to correspond to the first transparent conductive pattern 130 to be formed as the first transparent conductive layer 131 .

플라즈마 에칭단계(S213)는 제1투명전도성층(131)에서 제1포토레지스트(150)가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭(160)하여 제1포토레지스트(150)에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴(130)을 형성하는 단계일 수 있다.In the plasma etching step ( S213 ), a portion of the first transparent conductive layer 131 where the first photoresist 150 is not provided is plasma etched 160 to obtain a first transparent shape corresponding to the first photoresist 150 . It may be a step of forming the conductive pattern 130 .

제2투명전도성패턴 마련단계(S220)는 투명기재(110) 상에서, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴(140)을 마련하는 단계일 수 있다.In the second transparent conductive pattern preparation step (S220), a second transparent conductive pattern 140 having a second surface resistance is provided on the transparent substrate 110 in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane. It may be a step to

제2투명전도성패턴 마련단계(S220)는 부착단계(S221), 캐리어필름 박리단계(S222) 및 제거단계(S223)를 가질 수 있다.The second transparent conductive pattern preparation step (S220) may include an attaching step (S221), a carrier film peeling step (S222) and a removing step (S223).

부착단계(S221)는 캐리어필름(170)의 일면에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층(141)이 마련된 상태에서, 제2투명전도성층(141)을 제1포토레지스트(150) 방향으로 가압하여 투명기재(110) 상에서 제2투명전도성층(141)이 제1투명전도성패턴(130)의 사이에 마련되면서 동시에 제1포토레지스트(150)를 덮도록 하는 단계일 수 있다.In the attaching step (S221), in a state in which the second transparent conductive layer 141 having a second sheet resistance is provided on one surface of the carrier film 170, the second transparent conductive layer 141 is applied to the first photoresist 150 in the direction. This may be a step in which the second transparent conductive layer 141 is provided between the first transparent conductive patterns 130 and covers the first photoresist 150 on the transparent substrate 110 by pressing.

캐리어필름 박리단계(S222)는 제2투명전도성층(141)으로부터 캐리어필름(170)을 박리하는 단계일 수 있다.The carrier film peeling step ( S222 ) may be a step of peeling the carrier film 170 from the second transparent conductive layer 141 .

제거단계(S223)는 제1투명전도성패턴(130)의 사이에 마련되는 제2투명전도성층(141)이 제2투명전도성패턴(140)을 형성하도록, 제1포토레지스트(150)를 용매(180)로 제거하면서 제1포토레지스트(150)를 덮은 제2투명전도성층(141)을 함께 제거하는 단계일 수 있다. 이러한 공정을 통해, 투명기재(110) 상에 마련되는 제1투명전도성패턴(130)과, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치되는 제2투명전도성패턴(140)을 포함하는 투명필름 구조체(100)를 얻을 수 있다.In the removing step (S223), the first photoresist 150 is mixed with a solvent so that the second transparent conductive layer 141 provided between the first transparent conductive patterns 130 forms the second transparent conductive pattern 140 . 180) while removing the second transparent conductive layer 141 covering the first photoresist 150 together. Through this process, the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and the second transparent conductive pattern 140 disposed in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane ), it is possible to obtain a transparent film structure 100 comprising a.

한편, 제거단계(S223)에서, 제2투명전도성층(141) 중에 제1포토레지스트(150)를 덮은 부분에서 틈이 발생하여 용매(180)가 제1포토레지스트(150)로 침투되도록, 용매(180)에 초음파를 더 가할 수 있다.Meanwhile, in the removing step (S223), a gap is generated in the portion covering the first photoresist 150 in the second transparent conductive layer 141 so that the solvent 180 penetrates into the first photoresist 150, the solvent An ultrasonic wave may be further applied to (180).

도 9는 도 6의 투명필름 구조체의 제조방법의 다른 실시예를 나타낸 흐름도이고, 도 10은 도 9의 공정도이다. 9 is a flowchart illustrating another embodiment of a method of manufacturing the transparent film structure of FIG. 6 , and FIG. 10 is a process diagram of FIG. 9 .

도 6, 도 9 및 도 10에서 보는 바와 같이, 제1투명전도성패턴 마련단계(S210)는 제1투명전도성층 마련단계(S211a) 및 마스크 마련단계(S212a)를 가질 수 있다.6, 9 and 10 , the first transparent conductive pattern preparation step S210 may include a first transparent conductive layer preparation step S211a and a mask preparation step S212a.

제1투명전도성층 마련단계(S211a)는 투명기재(110) 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층(131)을 마련하는 단계일 수 있으며, 전술한 제1투명전도성층 마련단계(S211)과 동일할 수 있다.The first transparent conductive layer providing step (S211a) may be a step of providing the first transparent conductive layer 131 having a first sheet resistance on the transparent substrate 110, and the above-described first transparent conductive layer providing step (S211) ) can be the same as

마스크 마련단계(S212a)는 제1투명전도성층(131) 상에 마스크(151)를 마련하는 단계일 수 있다. 마스크(151)는 제1투명전도성층(131)으로 형성하고자 하는 제1투명전도성패턴(130)에 대응되도록 마련될 수 있다. The mask providing step ( S212a ) may be a step of providing the mask 151 on the first transparent conductive layer 131 . The mask 151 may be provided to correspond to the first transparent conductive pattern 130 to be formed as the first transparent conductive layer 131 .

마스크(151)는 포토레지스트 기반의 마스크일 수 있으며, 예를 들면, 도 8에 도시된 제1포토레지스트(150)가 사용될 수 있다. 나아가, 마스크(151)는 금속 기반의 마스크가 사용될 수도 있다.The mask 151 may be a photoresist-based mask, for example, the first photoresist 150 shown in FIG. 8 may be used. Furthermore, as the mask 151 , a metal-based mask may be used.

그리고, 제2투명전도성패턴 마련단계(S220)는 면저항 변형단계(S221a) 및 마스크 제거단계(S222a)를 가질 수 있다.In addition, the second transparent conductive pattern preparation step ( S220 ) may include a sheet resistance deformation step ( S221a ) and a mask removal step ( S222a ).

면저항 변형단계(S221a)는 제1투명전도성층(131)에서 마스크(151)가 마련되지 않은 부분에 플라즈마(161)를 가하여, 플라즈마(161)가 가해지는 부분이 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴(140a)이 되도록 변형시키는 단계일 수 있다. In the sheet resistance transformation step S221a, plasma 161 is applied to a portion of the first transparent conductive layer 131 where the mask 151 is not provided, and the portion to which the plasma 161 is applied has a second sheet resistance. It may be a step of deforming the conductive pattern 140a.

마스크 제거단계(S222a)는 마스크(151)를 제거하는 단계일 수 있다.The mask removing step ( S222a ) may be a step of removing the mask 151 .

본 실시예에 따르더라도, 투명기재(110) 상에 마련되는 제1투명전도성패턴(130)과, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치되는 제2투명전도성패턴(140a)을 포함하는 투명필름 구조체(100a)를 간단한 제조공정을 통하여 얻을 수 있다. Even according to this embodiment, the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and the second transparent conductive pattern disposed in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane The transparent film structure 100a including 140a can be obtained through a simple manufacturing process.

도 11은 도 1의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법의 또 다른 실시예를 나타낸 흐름도이고, 도 12는 도 11의 공정도이다.11 is a flowchart illustrating another embodiment of a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 1 , and FIG. 12 is a process diagram of FIG. 11 .

도 6, 도 11 및 도 12에서 보는 바와 같이, 제1투명전도성패턴 마련단계(S210)는 제1투명전도성층 마련단계(S211b)와 제1포토레지스트 마련단계(S212b)를 가질 수 있다. 6, 11 and 12 , the first transparent conductive pattern preparation step S210 may include a first transparent conductive layer preparation step S211b and a first photoresist preparation step S212b.

제1투명전도성층 마련단계(S211b)는 투명기재(110) 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층(131)을 마련하는 단계일 수 있으며, 전술한 제1투명전도성층 마련단계(S211)과 동일할 수 있다.The first transparent conductive layer providing step (S211b) may be a step of providing the first transparent conductive layer 131 having a first sheet resistance on the transparent substrate 110, and the above-described first transparent conductive layer providing step (S211) ) can be the same as

제1포토레지스트 마련단계(S212b)는 제1투명전도성층(131) 상에 제1포토레지스트(152)를 마련하는 단계일 수 있으며, 전술한 제1포토레지스트 마련단계(S212)와 동일할 수 있다.The first photoresist preparation step ( S212b ) may be a step of providing the first photoresist 152 on the first transparent conductive layer 131 , and may be the same as the above-described first photoresist preparation step ( S212 ). have.

그리고, 제2투명전도성패턴 마련단계(S220)는 면저항 변형단계(S221b) 및 제1포토레지스트 제거단계(S222b)를 가질 수 있다.In addition, the second transparent conductive pattern preparation step ( S220 ) may include a sheet resistance deformation step ( S221b ) and a first photoresist removal step ( S222b ).

면저항 변형단계(S221b)는 제1투명전도성층(131)에서 제1포토레지스트(152)가 마련되지 않은 부분에 물리적 충격(162)을 가하여, 물리적 충격이 가해지는 부분이 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴(140b)이 되도록 변형시키는 단계일 수 있다. In the sheet resistance transformation step S221b, a physical impact 162 is applied to a portion of the first transparent conductive layer 131 where the first photoresist 152 is not provided, and the portion to which the physical impact is applied has a second sheet resistance. 2 It may be a step of deforming the transparent conductive pattern 140b.

면저항 변형단계(S221b)에서 물리적 충격(162)은 마이크로 스탬프 또는 마이크로 니들 등에 의해 가해질 수 있다.In the sheet resistance deformation step S221b, the physical impact 162 may be applied by a micro-stamp or a micro-needle.

제1포토레지스트 제거단계(S222b)는 제1포토레지스트(152)를 제거하는 단계일 수 있다.The first photoresist removal step S222b may be a step of removing the first photoresist 152 .

본 실시예에 따르더라도, 투명기재(110) 상에 마련되는 제1투명전도성패턴(130)과, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치되는 제2투명전도성패턴(140b)을 포함하는 투명필름 구조체(100b)를 얻을 수 있다.Even according to this embodiment, the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and the second transparent conductive pattern disposed in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane A transparent film structure (100b) including (140b) can be obtained.

도 13은 본 발명의 제2실시예에 따른 투명필름 구조체를 나타낸 단면예시도이고, 도 14 및 도 15는 도 13의 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 16은 도 14 및 도 15의 공정도이다. 13 is a cross-sectional view illustrating a transparent film structure according to a second embodiment of the present invention, FIGS. 14 and 15 are flowcharts showing a manufacturing method for manufacturing the transparent film structure of FIG. 13, and FIG. 16 is FIG. 14 and a process diagram of FIG. 15 .

도 13 내지 도 16에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 투명필름 구조체의 제조방법은 제1투명전도성패턴 마련단계(S310), 제2투명전도성패턴 마련단계(S320) 그리고 전사단계(S330)를 포함할 수 있다.13 to 16 , the method for manufacturing a transparent film structure according to this embodiment includes a first transparent conductive pattern preparation step (S310), a second transparent conductive pattern preparation step (S320) and a transfer step (S330). may include

제1투명전도성패턴 마련단계(S310)는 투명기재(110) 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴(130)을 마련하는 단계일 수 있다. The first transparent conductive pattern preparation step ( S310 ) may be a step of providing the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and having a first surface resistance.

그리고, 제1투명전도성패턴 마련단계(S310)는 제1투명전도성층 마련단계(S311), 제1포토레지스트 마련단계(S312), 제1플라즈마 에칭단계(S313) 및 제1포토레지스트 제거단계(S314)를 가질 수 있다.In addition, the first transparent conductive pattern preparation step (S310) includes a first transparent conductive layer preparation step (S311), a first photoresist preparation step (S312), a first plasma etching step (S313), and a first photoresist removal step ( S314).

제1투명전도성층 마련단계(S311)는 투명기재(110) 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 단계일 수 있다. 제1포토레지스트 마련단계(S312)는 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 단계일 수 있다. 제1플라즈마 에칭단계(S313)는 제1투명전도성층에서 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴(130)을 형성하는 단계일 수 있다. 제1투명전도성층 마련단계(S311)부터 제1플라즈마 에칭단계(S313)는 도 7을 참조하여 설명한 제1투명전도성층 마련단계(S211)부터 플라즈마 에칭단계(S213)와 동일할 수 있다.The first transparent conductive layer providing step ( S311 ) may be a step of providing a first transparent conductive layer having a first sheet resistance on the transparent substrate 110 . The step of preparing the first photoresist ( S312 ) may be a step of providing the first photoresist on the first transparent conductive layer. The first plasma etching step (S313) is a step of plasma-etching a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form a first transparent conductive pattern 130 having a shape corresponding to the first photoresist. can The first transparent conductive layer providing step S311 to the first plasma etching step S313 may be the same as the first transparent conductive layer providing step S211 to the plasma etching step S213 described with reference to FIG. 7 .

제1포토레지스트 제거단계(S314)는 투명기재(110) 상에 제1투명전도성패턴(130)만 남도록 제1포토레지스트를 제거하는 단계일 수 있다.The first photoresist removal step S314 may be a step of removing the first photoresist so that only the first transparent conductive pattern 130 remains on the transparent substrate 110 .

제2투명전도성패턴 마련단계(S320)는 캐리어필름(170) 상에서, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴(140)을 마련하는 단계일 수 있다.In the second transparent conductive pattern preparation step (S320), on the carrier film 170, a second transparent conductive pattern 140 having a second surface resistance is provided in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane. It may be a step to

제2투명전도성패턴 마련단계(S320)는 제2투명전도성층 마련단계(S321), 제2포토레지스트 마련단계(S322), 제2플라즈마 에칭단계(S323) 및 제2포토레지스트 제거단계(S324)를 가질 수 있다.The second transparent conductive pattern preparation step (S320) includes the second transparent conductive layer preparation step (S321), the second photoresist preparation step (S322), the second plasma etching step (S323), and the second photoresist removal step (S324). can have

제2투명전도성층 마련단계(S321)는 캐리어필름(170) 상에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층(미도시)을 마련하는 단계일 수 있다. 제2포토레지스트 마련단계(S322)는 제2투명전도성층 상에 제2포토레지스트(미도시)를 마련하는 단계일 수 있다. 제2플라즈마 에칭단계(S323)는 제2투명전도성층에서 제2포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 제2포토레지스트에 대응되는 형상의 제2투명전도성패턴(140)을 형성하는 단계일 수 있다. 그리고, 제2포토레지스트 제거단계(S324)는 캐리어필름(170) 상에 제2투명전도성패턴(140)만 남도록 제2포토레지스트를 제거하는 단계일 수 있다.The step of preparing the second transparent conductive layer ( S321 ) may be a step of providing a second transparent conductive layer (not shown) having a second sheet resistance on the carrier film 170 . The step of preparing the second photoresist ( S322 ) may be a step of providing a second photoresist (not shown) on the second transparent conductive layer. The second plasma etching step (S323) is a step of plasma etching a portion of the second transparent conductive layer where the second photoresist is not provided to form a second transparent conductive pattern 140 having a shape corresponding to the second photoresist. can In addition, the second photoresist removing step ( S324 ) may be a step of removing the second photoresist so that only the second transparent conductive pattern 140 remains on the carrier film 170 .

제1투명전도성패턴 마련단계(S310)를 통해 투명기재(110)에 제1투명전도성패턴(130)이 형성되듯이, 제2투명전도성패턴 마련단계(S320)를 통해서는 캐리어필름(170)에 제2투명전도성패턴(140)이 형성될 수 있으며, 제2투명전도성패턴 마련단계(S320)는 제1투명전도성패턴 마련단계(S310)에 대응되는 공정으로 진행될 수 있다.As the first transparent conductive pattern 130 is formed on the transparent substrate 110 through the first transparent conductive pattern preparation step (S310), the second transparent conductive pattern preparation step (S320) is applied to the carrier film 170. Two transparent conductive patterns 140 may be formed, and the step of preparing the second transparent conductive pattern ( S320 ) may be performed as a process corresponding to the step of preparing the first transparent conductive pattern ( S310 ).

전사단계(S330)는 제2투명전도성패턴(140)이 투명기재(110) 상에서 제1투명전도성패턴(130)의 사이에 마련되도록 제2투명전도성패턴(140)을 투명기재(110)에 전사하는 단계일 수 있다.In the transfer step (S330), the second transparent conductive pattern 140 is transferred to the transparent substrate 110 so that the second transparent conductive pattern 140 is provided between the first transparent conductive patterns 130 on the transparent substrate 110 . It may be a step to

본 실시예에 따르면, 투명기재(110) 상에 마련되는 제1투명전도성패턴(130)과, 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치되는 제2투명전도성패턴(140)의 상부에 캐리어필름(170)을 더 포함하는 투명필름 구조체(100c)를 얻을 수 있다.According to the present embodiment, the first transparent conductive pattern 130 provided on the transparent substrate 110 and the second transparent conductive pattern (130) disposed in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the projection plane It is possible to obtain a transparent film structure 100c further including a carrier film 170 on the upper portion of the 140).

도 17및 도 18은 본 발명의 제3실시예에 따른 투명필름 구조체를 제조하기 위한 제조방법을 나타낸 흐름도이고, 도 19는 도 17 및 도 18의 공정도이다.17 and 18 are flowcharts showing a manufacturing method for manufacturing a transparent film structure according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a process diagram of FIGS. 17 and 18 .

도 17 내지 도 19에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 투명필름 구조체의 제조방법은 제1투명전도성패턴 마련단계(S410) 그리고 제2투명전도성패턴 마련단계(S420)를 포함할 수 있다.17 to 19 , the method of manufacturing a transparent film structure according to the present embodiment may include a first transparent conductive pattern preparation step (S410) and a second transparent conductive pattern preparation step (S420).

제1투명전도성패턴 마련단계(S410)는 투명기재(110)의 일면 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴(130)을 마련하는 단계일 수 있다.The first transparent conductive pattern preparation step ( S410 ) may be a step of providing the first transparent conductive pattern 130 having a first surface resistance on one surface of the transparent substrate 110 .

그리고, 제1투명전도성패턴 마련단계(S410)는 제1투명전도성층 마련단계(S411), 제1포토레지스트 마련단계(S412), 제1플라즈마 에칭단계(S413) 및 제1포토레지스트 제거단계(S414)를 가질 수 있다.In addition, the first transparent conductive pattern preparation step (S410) includes the first transparent conductive layer preparation step (S411), the first photoresist preparation step (S412), the first plasma etching step (S413), and the first photoresist removal step ( S414).

제1투명전도성층 마련단계(S411)는 투명기재(110)의 일면 상에 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 단계일 수 있다. 제1포토레지스트 마련단계(S412)는 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 단계일 수 있다. 제1플라즈마 에칭단계(S413)는 제1투명전도성층에서 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴(130)을 형성하는 단계일 수 있다. 제1포토레지스트 제거단계(S414)는 투명기재(110)의 일면 상에 제1투명전도성패턴(130)만 남도록 제1포토레지스트를 제거하는 단계일 수 있다. The first transparent conductive layer preparation step ( S411 ) may be a step of providing a first transparent conductive layer having a first sheet resistance on one surface of the transparent substrate 110 . The step of preparing the first photoresist ( S412 ) may be a step of providing the first photoresist on the first transparent conductive layer. The first plasma etching step (S413) is a step of plasma etching the portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form the first transparent conductive pattern 130 having a shape corresponding to the first photoresist. can The first photoresist removal step S414 may be a step of removing the first photoresist so that only the first transparent conductive pattern 130 remains on one surface of the transparent substrate 110 .

제1투명전도성층 마련단계(S411)부터 제1포토레지스트 제거단계(S414)는 도 15를 참조하여 설명한 제1투명전도성층 마련단계(S311)부터 제1포토레지스트 제거단계(S314)와 동일할 수 있다.The first transparent conductive layer preparation step S411 to the first photoresist removal step S414 may be the same as the first transparent conductive layer preparation step S311 to the first photoresist removal step S314 described with reference to FIG. 15 . can

제2투명전도성패턴 마련단계(S420)는 투명기재(110)의 타면 상에 투영평면상 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴(140)을 마련하는 단계일 수 있다.The second transparent conductive pattern preparation step (S420) is a second transparent conductive pattern 140 having a second surface resistance in an area where the first transparent conductive pattern 130 is not provided on the other surface of the transparent substrate 110 on the projection plane. may be a step in preparing

제2투명전도성패턴 마련단계(S420)는 제2투명전도성층 마련단계(S421), 제2포토레지스트 마련단계(S422), 제2플라즈마 에칭단계(S423) 및 제2포토레지스트 제거단계(S424)를 가질 수 있다.The second transparent conductive pattern preparation step (S420) includes the second transparent conductive layer preparation step (S421), the second photoresist preparation step (S422), the second plasma etching step (S423), and the second photoresist removal step (S424). can have

제2투명전도성층 마련단계(S421)는 투명기재(110)의 타면 상에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성층을 마련하는 단계일 수 있다. 제2포토레지스트 마련단계(S422)는 제2투명전도성층 상에 제2포토레지스트를 마련하는 단계일 수 있다. 제2플라즈마 에칭단계(S423)는 제2투명전도성층에서 제2포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 제2포토레지스트에 대응되는 형상의 제2투명전도성패턴(140)을 형성하는 단계일 수 있다. 제2포토레지스트 제거단계(S424)는 투명기재(110)의 타면 상에 제2투명전도성패턴(140)만 남도록 제2포토레지스트를 제거하는 단계일 수 있다. 제2투명전도성층 마련단계(S421)부터 제2포토레지스트 제거단계(S424)는 제1투명전도성층 마련단계(S411)부터 제1포토레지스트 제거단계(S414)와 동일할 수 있다.The step of preparing the second transparent conductive layer ( S421 ) may be a step of providing a second transparent conductive layer having a second surface resistance on the other surface of the transparent substrate 110 . The step of preparing the second photoresist ( S422 ) may be a step of providing a second photoresist on the second transparent conductive layer. The second plasma etching step (S423) is a step of plasma-etching a portion of the second transparent conductive layer where the second photoresist is not provided to form a second transparent conductive pattern 140 having a shape corresponding to the second photoresist. can The second photoresist removal step S424 may be a step of removing the second photoresist so that only the second transparent conductive pattern 140 remains on the other surface of the transparent substrate 110 . The steps of preparing the second transparent conductive layer ( S421 ) to removing the second photoresist ( S424 ) may be the same as the steps of preparing the first transparent conductive layer ( S411 ) to removing the first photoresist ( S414 ).

본 실시예에 따르면, 투명기재(110)의 일면 상에 마련되는 제1투명전도성패턴(130)과, 투영평면상 투명기재(110)의 타면 상에서 제1투명전도성패턴(130)이 마련되지 않은 영역에 배치되는 제2투명전도성패턴(140)을 포함하는 투명필름 구조체(100d)를 얻을 수 있다.According to this embodiment, the first transparent conductive pattern 130 provided on one surface of the transparent substrate 110 and the first transparent conductive pattern 130 on the other surface of the transparent substrate 110 on the projection plane are not provided. A transparent film structure 100d including the second transparent conductive pattern 140 disposed in the region may be obtained.

전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The description of the present invention described above is for illustration, and those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. will be. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and likewise components described as distributed may be implemented in a combined form.

본 발명의 범위는 후술하는 청구범위에 의하여 나타내어지며, 청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is indicated by the following claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100,100a,100b,100c,100d: 투명필름 구조체
110: 투명기재
130: 제1투명전도성패턴
140,140a,140b: 제2투명전도성패턴100,100a,100b,100c,100d: transparent film structure
110: transparent substrate
130: first transparent conductive pattern
140, 140a, 140b: second transparent conductive pattern

Claims (19)

투명기재;
상기 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴; 그리고
상기 투명기재 상에 마련되되, 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 배치되며, 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴;을 포함하고,
상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성패턴의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 제1 투명전도성패턴과 제2 투명전도성패턴에 의한 아른거림이 육안으로 식별되지 않도록 1.7% 미만의 값을 가지고,
상기 제1면저항에 대한 상기 제2면저항의 저항비율은 상기 제2투명전도성패턴이 상기 제1투명전도성패턴의 스텔스 성능을 위한 전기적 성능에 영향을 미치지 않으면서 엑스밴드(X band)에서 -10 dB 이하의 반사도가 구현되어 스텔스 성능이 만족되도록 6.25 이상, 16.67 이하의 값을 가지며,
상기 제1투명전도성패턴 및 상기 제2투명전도성패턴은 그래핀으로 이루어지고,
상기 제2투명전도성패턴은, 캐리어필름의 일면 전체에 제2투명전도성층이 별도로 구비되어 상기 투명기재 상에 상기 제1투명전도성패턴이 형성된 영역과 상기 제1투명전도성패턴이 형성되지 않은 영역을 동시에 덮도록 가압된 이후에, 상기 캐리어필름을 상기 제2투명전도성층으로부터 박리하고, 상기 제1투명전도성패턴의 상부에 있는 제1포토레지스트를 제거하여 상기 제2투명전도성층 중에 상기 제1포토레지스트를 덮고 있는 제2투명전도성층을 제거함으로써 상기 제1투명전도성패턴들의 사이에 남아있는 제2투명전도성층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체.transparent substrate;
a first transparent conductive pattern provided on the transparent substrate and having a first surface resistance; and
a second transparent conductive pattern provided on the transparent substrate, disposed in a region where the first transparent conductive pattern is not provided on a projection plane, and having a second surface resistance;
The second surface resistance is greater than the first surface resistance, and the difference between the first transmittance of the first transparent conductive pattern and the second transmittance of the second transparent conductive pattern is determined by the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern. has a value of less than 1.7% so that the glimmer is not discernible with the naked eye;
The resistance ratio of the second surface resistance to the first surface resistance is -10 dB in the X band while the second transparent conductive pattern does not affect the electrical performance for the stealth performance of the first transparent conductive pattern It has a value of 6.25 or more and 16.67 or less so that the following reflectivity is realized and stealth performance is satisfied,
The first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are made of graphene,
In the second transparent conductive pattern, a second transparent conductive layer is separately provided on the entire surface of the carrier film to form a region in which the first transparent conductive pattern is formed on the transparent substrate and a region in which the first transparent conductive pattern is not formed. After being pressed to cover at the same time, the carrier film is peeled from the second transparent conductive layer, and the first photoresist on top of the first transparent conductive pattern is removed to form the first photoresist in the second transparent conductive layer. A transparent film structure for stealth, characterized in that it is formed by the second transparent conductive layer remaining between the first transparent conductive patterns by removing the second transparent conductive layer covering the resist. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1면저항은 60 ohm/sq 초과, 160 ohm/sq 미만인 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체.According to claim 1,
The first sheet resistance is more than 60 ohm / sq, a transparent film structure for stealth, characterized in that less than 160 ohm / sq. 제1항에 있어서,
상기 제2면저항은 1000 ohm/sq 이상인 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체.According to claim 1,
The second sheet resistance is a transparent film structure for stealth, characterized in that more than 1000 ohm / sq. 삭제delete 삭제delete 투명기재 상에 마련되고 제1면저항을 가지는 제1투명전도성패턴을 마련하는 제1투명전도성패턴 마련단계; 그리고
상기 투명기재 상에서, 투영평면상 상기 제1투명전도성패턴이 마련되지 않은 영역에 제2면저항을 가지는 제2투명전도성패턴을 마련하는 제2투명전도성패턴 마련단계;를 포함하고,
상기 제2면저항은 상기 제1면저항보다 크고, 상기 제1투명전도성의 제1투과도와 상기 제2투명전도성패턴의 제2투과도의 차이값은 제1 투명전도성패턴과 제2 투명전도성패턴에 의한 아른거림이 육안으로 식별되지 않도록 1.7% 미만의 값을 가지고,
상기 제1면저항에 대한 상기 제2면저항의 저항비율은 상기 제2투명전도성패턴이 상기 제1투명전도성패턴의 스텔스 성능을 위한 전기적 성능에 영향을 미치지 않으면서 엑스밴드(X band)에서 -10 dB 이하의 반사도가 구현되어 스텔스 성능이 만족되도록 6.25 이상, 16.67 이하의 값을 가지며,
상기 제1투명전도성패턴 및 상기 제2투명전도성패턴은 그래핀으로 이루어지고,
상기 제2투명전도성패턴 마련단계에서 상기 제2투명전도성패턴은,
캐리어필름의 일면 전체에 제2투명전도성층이 별도로 구비된 상태에서, 상기 제2투명전도성층을 상기 투명기재 상에 상기 제1투명전도성패턴이 형성된 영역과 상기 제1투명전도성패턴이 형성되지 않은 영역을 동시에 덮도록 가압한 후, 상기 캐리어필름을 상기 제2투명전도성층으로부터 박리하고, 상기 제1투명전도성패턴의 상부에 있는 제1포토레지스트를 제거하여 상기 제2투명전도성층 중에 상기 제1포토레지스트를 덮고 있는 제2투명전도성층을 제거함으로써 상기 제1투명전도성패턴들의 사이에 남아있는 제2투명전도성층에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법.A first transparent conductive pattern preparation step of providing a first transparent conductive pattern provided on the transparent substrate and having a first surface resistance; and
A second transparent conductive pattern preparation step of providing a second transparent conductive pattern having a second surface resistance on the transparent substrate in an area where the first transparent conductive pattern is not provided on a projection plane;
The second sheet resistance is greater than the first sheet resistance, and the difference value between the first transmittance of the first transparent conductivity and the second transmittance of the second transparent conductive pattern is different by the first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern. have a value of less than 1.7% so that the distance is not discernible with the naked eye;
The resistance ratio of the second surface resistance to the first surface resistance is -10 dB in the X band while the second transparent conductive pattern does not affect the electrical performance for the stealth performance of the first transparent conductive pattern It has a value of 6.25 or more and 16.67 or less so that the following reflectivity is realized and stealth performance is satisfied,
The first transparent conductive pattern and the second transparent conductive pattern are made of graphene,
In the step of preparing the second transparent conductive pattern, the second transparent conductive pattern is
In a state in which the second transparent conductive layer is separately provided on the entire surface of the carrier film, the second transparent conductive layer is formed on the transparent substrate in the region where the first transparent conductive pattern is formed and the first transparent conductive pattern is not formed After pressing to cover the regions at the same time, the carrier film is peeled off from the second transparent conductive layer, and the first photoresist on the upper portion of the first transparent conductive pattern is removed to form the first layer in the second transparent conductive layer. A method of manufacturing a transparent film structure for stealth, characterized in that it is formed by the second transparent conductive layer remaining between the first transparent conductive patterns by removing the second transparent conductive layer covering the photoresist. 제8항에 있어서,
상기 제1투명전도성패턴 마련단계는
상기 투명기재 상에 상기 제1면저항을 가지는 제1투명전도성층을 마련하는 제1투명전도성층 마련단계와,
상기 제1투명전도성층 상에 제1포토레지스트를 마련하는 제1포토레지스트 마련단계와,
상기 제1투명전도성층에서 상기 제1포토레지스트가 마련되지 않은 부분을 플라즈마 에칭하여 상기 제1포토레지스트에 대응되는 형상의 제1투명전도성패턴을 형성하는 플라즈마 에칭단계를 가지는 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법.9. The method of claim 8,
The first transparent conductive pattern preparation step
A first transparent conductive layer preparation step of providing a first transparent conductive layer having the first sheet resistance on the transparent substrate;
A first photoresist preparation step of providing a first photoresist on the first transparent conductive layer;
Stealth, characterized in that it has a plasma etching step of plasma etching a portion of the first transparent conductive layer where the first photoresist is not provided to form a first transparent conductive pattern having a shape corresponding to the first photoresist. A method for manufacturing a transparent film structure. 제9항에 있어서,
상기 제2투명전도성패턴 마련단계에서,
상기 제1투명전도성패턴의 사이에 마련되는 상기 제2투명전도성층이 상기 제2투명전도성패턴을 형성하도록, 상기 제1포토레지스트를 용매로 제거하는 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법.10. The method of claim 9,
In the step of preparing the second transparent conductive pattern,
Method of manufacturing a transparent film structure for stealth, characterized in that the first photoresist is removed with a solvent so that the second transparent conductive layer provided between the first transparent conductive patterns forms the second transparent conductive pattern . 제10항에 있어서,
상기 제2투명전도성층 중에 상기 제1포토레지스트를 덮은 부분에서 틈이 발생하여 상기 용매가 상기 제1포토레지스트로 침투되도록, 상기 용매에 초음파를 더 가하는 것을 특징으로 하는 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법.11. The method of claim 10,
Manufacturing of a transparent film structure for stealth, characterized in that further ultrasonic waves are applied to the solvent so that a gap is generated in the portion covering the first photoresist in the second transparent conductive layer so that the solvent penetrates into the first photoresist Way. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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