KR102297566B1 - Glass substrate, method for producing glass substrate and black matrix substrate - Google Patents

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Abstract

알루미늄을 함유하는 규산 유리로 이루어지는 유리 기판이고, X 선 광전자 분광법에 의해 측정된, 상기 유리 기판의 내부에 있어서의 알루미늄의 원자 농도와 규소의 원자 농도의 비의 값으로부터, 상기 유리 기판의 표면에 있어서의 알루미늄의 원자 농도와 규소의 원자 농도의 비의 값을 뺀 값이 0.25 이하인 유리 기판이다.It is a glass substrate made of silicate glass containing aluminum, and from the value of the ratio of the atomic concentration of aluminum and the atomic concentration of silicon in the inside of the glass substrate, measured by X-ray photoelectron spectroscopy, to the surface of the glass substrate The value obtained by subtracting the value of ratio of the atomic concentration of aluminum and the atomic concentration of silicon in is 0.25 or less of the glass substrate.

Description

유리 기판, 유리 기판의 제조 방법 및 블랙 매트릭스 기판{GLASS SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING GLASS SUBSTRATE AND BLACK MATRIX SUBSTRATE}A glass substrate, the manufacturing method of a glass substrate, and a black-matrix board|substrate TECHNICAL FIELD

본 발명은, 유리 기판, 유리 기판의 제조 방법 및 블랙 매트릭스 기판에 관한 것이다.This invention relates to a glass substrate, the manufacturing method of a glass substrate, and a black-matrix board|substrate.

액정 표시 장치 (LCD) 등의 FPD (Flat Panel Display) 에 사용되는 유리 기판은, 예를 들어, 플로트법이나 퓨전법에 의해 용융 유리로부터 유리 리본으로 성형되고, 유리 리본으로부터 잘라져 제조된다. 이와 같은 유리 기판의 표면에는, OH 기를 과잉으로 함유하는 친수성이 높은 층 (이하, OH 리치 친수층이라고 한다) 이 형성되는 경우가 있다.The glass substrate used for FPD (Flat Panel Display), such as a liquid crystal display device (LCD), is shape|molded into a glass ribbon from a molten glass by a float method or a fusion method, for example, cut out from a glass ribbon, and is manufactured. On the surface of such a glass substrate, the high hydrophilicity layer (henceforth OH-rich hydrophilic layer) containing an OH group excessively may be formed.

특히 용융 유리로부터 판상으로 성형된 유리를, 자전 및 공전하는 연마구로 연마하는 경우에 현저하다. 연마 공정에서는 표면의 미소한 요철이나 굴곡을 제거함으로써, FPD 용 유리 기판에 요구되는 평탄도를 만족시키는 소정의 두께 (예를 들어, 0.1 ∼ 1.1 ㎜) 의 박판상으로 형성하고 있다.It is remarkable, especially when grind|polishing the glass shape|molded into plate shape from molten glass with the grinding|polishing tool which rotates and revolves. In a grinding|polishing process, it forms in the thin plate shape of predetermined thickness (for example, 0.1-1.1 mm) which satisfy|fills the flatness requested|required of the glass substrate for FPDs by removing the micro unevenness|corrugation and undulation of the surface.

이와 같은 유리 기판의 연마에는, 예를 들어, 지립으로서 산화세륨 입자를 함유하는 연마제 (슬러리) 가 사용되고 있다. 또, 연마 후에는, 유리 기판의 표면에 부착되어 있는 지립 등의 잔류물을 세정액에 의해 세정하여 제거하고 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).For polishing of such a glass substrate, for example, an abrasive (slurry) containing cerium oxide particles as an abrasive is used. Moreover, after grinding|polishing, residues, such as an abrasive grain adhering to the surface of a glass substrate, are wash|cleaned and removed with a washing|cleaning liquid (for example, refer patent document 1).

그리고, 이와 같은 산화세륨 입자의 지립을 함유하는 연마제 등의 잔류물을 제거하기 위해서, 유기 포스폰산과 같은 유기산을 함유하는 산성의 세정액이 유효하다.And in order to remove residues, such as an abrasive|polishing agent containing the abrasive grain of such a cerium oxide particle, the acidic washing liquid containing organic acids, such as organic phosphonic acid, is effective.

그러나, LCD 용 등의 알루미노붕규산 유리로 이루어지는 유리 기판을 산성의 세정액으로 세정한 경우, 리칭 (leaching, 침출) 작용에 의해, 유리 기판의 표면 (표층) 에 있어서 알루미늄 이온 등의 유리 성분이 빠져 나가는 경우가 있다. 그 결과, 유리 기판의 표면에는, OH 리치 친수층이 형성되기 쉬워진다.However, when a glass substrate made of aluminoborosilicate glass, such as for LCD, is washed with an acidic cleaning solution, glass components such as aluminum ions are removed from the surface (surface layer) of the glass substrate by leaching action. Sometimes going out As a result, it becomes easy to form an OH-rich hydrophilic layer on the surface of a glass substrate.

이상과 같이 표면에 OH 리치 친수층이 형성된 유리 기판에서는, 그 표면 상에, 카본 블랙과 같은 흑색 안료를 함유하는 수지 조성물을 사용하여 컬러 필터용의 블랙 매트릭스 막 (이하, BM 막이라고도 한다) 을 형성하는 공정에서, OH 리치 친수층과 수지계의 BM 막의 계면에 현상액이 침입하여, OH 리치 친수층으로부터 BM 막이 잘 박리된다는 문제가 있었다.In the glass substrate in which the OH-rich hydrophilic layer was formed on the surface as mentioned above, the black matrix film|membrane for color filters (henceforth a BM film|membrane) using the resin composition containing a black pigment like carbon black on the surface. In the forming step, there was a problem that the developer penetrated the interface between the OH-rich hydrophilic layer and the resin-based BM film, and the BM film was easily peeled off from the OH-rich hydrophilic layer.

일본 공개특허공보 2009-215093호Japanese Patent Laid-Open No. 2009-215093

본 발명은, 상기 문제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 표면에 형성되는 수지계의 BM 막 (이하, 수지 BM 막이라고도 한다) 의 밀착성이 높고, 수지 BM 막의 박리가 잘 발생하지 않는 유리 기판의 제공을 목적으로 하고 있다.The present invention has been made in order to solve the above problems, and the adhesiveness of a resin-based BM film (hereinafter also referred to as a resin BM film) formed on the surface is high, and peeling of the resin BM film does not easily occur. is doing

또, 본 발명은, 연마 후의 유리 기판의 표면을 세정하는 데에 있어서, 세정 후의 유리 기판의 표면에 형성되는 수지 BM 막의 밀착성 저하를 억제하여, 수지 BM 막의 박리를 방지하는 것이 가능한 유리 기판의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.Moreover, this invention suppresses the adhesive fall of the resin BM film|membrane formed in the surface of the glass substrate after washing|cleaning in wash|cleaning the surface of the glass substrate after grinding|polishing, and manufacture of the glass substrate which can prevent peeling of a resin BM film|membrane It aims to provide a method.

본 발명의 유리 기판은, 알루미늄을 함유하는 규산 유리로 이루어지는 유리 기판이고, X 선 광전자 분광법에 의해 측정된, 상기 유리 기판의 내부에 있어서의 알루미늄의 원자 농도 (이하, Al 농도라고 한다) 와 규소의 원자 농도 (이하, Si 농도라고 한다) 의 비의 값 (이하, Al/Si 값이라고 한다) 으로부터, 상기 유리 기판의 표면에 있어서의 Al/Si 값을 뺀 값 (이하, ΔAl/Si 값이라고 한다) 이, 0.25 이하인 것을 특징으로 한다.The glass substrate of the present invention is a glass substrate made of silicate glass containing aluminum, and the atomic concentration of aluminum (hereinafter referred to as Al concentration) and silicon in the inside of the glass substrate, measured by X-ray photoelectron spectroscopy. A value obtained by subtracting the Al/Si value on the surface of the glass substrate from the ratio of the atomic concentration (hereinafter referred to as Si concentration) (hereinafter referred to as Al/Si value) (hereinafter referred to as ΔAl/Si value) It is characterized in that it is 0.25 or less.

본 발명의 유리 기판에 있어서, 상기 ΔAl/Si 값은 0.19 이하가 바람직하다. 또, 상기 유리 기판 표면의 산술 평균 표면 조도는 0.2 ㎚ 이하인 것이 바람직하다.The glass substrate of this invention WHEREIN: As for the said (DELTA)Al/Si value, 0.19 or less is preferable. Moreover, it is preferable that the arithmetic mean surface roughness of the said glass substrate surface is 0.2 nm or less.

또, 상기 알루미늄을 함유하는 규산 유리가, SiO2, Al2O3, B2O3, 및 알칼리 토금속의 산화물을 함유하는 조성을 갖는 알루미노붕규산 유리인 것이 바람직하고, 상기 알루미늄을 함유하는 규산 유리는, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 함유하지 않는 알루미노붕규산 유리인 것이 바람직하다.Further, a silicate glass containing the Al, SiO 2, Al 2 O 3 , B 2 O 3, and preferably in the alkali alumino borosilicate glass having a composition containing an oxide of the earth metal, and silicate containing the aluminum glass It is preferable that silver is an alumino borosilicate glass which does not contain an alkali metal component substantially.

본 발명의 유리 기판의 제조 방법은, 상기 본 발명의 유리 기판을 제조하는 방법이고, 지립을 함유하는 연마제에 의해 연마된 유리 기판을, pH 가 2.7 보다 큰 수계 세정액에 의해 세정하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 상기 지립은 산화세륨 입자인 것이 바람직하다.The manufacturing method of the glass substrate of this invention is the method of manufacturing the said glass substrate of this invention, It is characterized by washing|cleaning the glass substrate grind|polished with the abrasive|polishing agent containing an abrasive with the aqueous cleaning liquid whose pH is larger than 2.7. . In the manufacturing method of the glass substrate of this invention, it is preferable that the said abrasive grain is a cerium oxide particle.

본 발명의 블랙 매트릭스 기판은, 본 발명의 유리 기판 상에 BM 막이 형성 되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.The black-matrix board|substrate of this invention is formed by BM film|membrane on the glass substrate of this invention, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 유리 기판 및 블랙 매트릭스 기판에 의하면, 표면에 형성되는 수지 BM 막의 밀착성이 양호하여, 수지 BM 막의 박리가 방지된다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the glass substrate and black-matrix board|substrate of this invention, the adhesiveness of the resin BM film|membrane formed in the surface is favorable, and peeling of a resin BM film|membrane is prevented.

또, 본 발명의 유리 기판의 제조 방법에 의하면, 표면에 형성되는 수지 BM 막의 밀착성이 양호하여, 수지 BM 막의 박리가 잘 발생하지 않는 유리 기판을 얻을 수 있다.Moreover, according to the manufacturing method of the glass substrate of this invention, the adhesiveness of the resin BM film|membrane formed in the surface is favorable, and the glass substrate which peeling of a resin BM film|membrane does not generate|occur|produce easily can be obtained.

도 1 은, 본 발명의 유리 기판을 얻기 위한, 세정 방법의 일 실시형태를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 실시예 1 에서 얻어진 유리 기판에 있어서의 Al 농도 및 Si 농도와, 측정시의 스퍼터 시간의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 3 은, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에 있어서의 세정액의 pH 의 값과, 세정 후의 유리 기판의 ΔAl/Si 값의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4 는, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에서 얻어진 유리 기판의 ΔAl/Si 값과, 수지 BM 막의 잔여 해상도의 관계를 나타내는 그래프이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows one Embodiment of the washing|cleaning method for obtaining the glass substrate of this invention.
It is a graph which shows the relationship between Al concentration and Si concentration in the glass substrate obtained in Example 1, and sputtering time at the time of a measurement.
3 : is a graph which shows the relationship between the pH value of the washing|cleaning liquid in Examples 1-3 and the comparative example 1, and (DELTA)Al/Si value of the glass substrate after washing|cleaning.
It is a graph which shows the relationship between the ΔAl/Si value of the glass substrate obtained in Examples 1-3 and Comparative Example 1, and the residual resolution of a resin BM film|membrane.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다. 본 발명은 이 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지에 합치하는 한, 다른 실시형태도 본 발명의 범주에 속할 수 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described. The present invention is not limited to this embodiment, and other embodiments may also fall within the scope of the present invention as long as they are consistent with the spirit of the present invention.

<유리 기판><Glass substrate>

본 발명의 실시형태에 관련된 유리 기판은, 알루미늄을 함유하는 규산 유리로 이루어지는 유리 기판이고, X 선 광전자 분광법에 의해 측정된, 유리 기판 내부의 Al/Si 값으로부터, 마찬가지로 X 선 광전자 분광법에 의해 측정된, 유리 기판 표면의 Al/Si 값을 뺀 값인 ΔAl/Si 값이 0.25 이하인 것이다. ΔAl/Si 값은, 0 (제로) 에 가까울수록 바람직하다. 구체적으로는, ΔAl/Si 값은 0.19 이하가 바람직하고, 0.15 이하가 보다 바람직하다.The glass substrate according to the embodiment of the present invention is a glass substrate made of silicate glass containing aluminum, and is similarly measured by X-ray photoelectron spectroscopy from the Al/Si value in the glass substrate measured by X-ray photoelectron spectroscopy. The ΔAl/Si value, which is a value obtained by subtracting the Al/Si value of the surface of the glass substrate, is 0.25 or less. The ΔAl/Si value is preferably closer to 0 (zero). Specifically, 0.19 or less is preferable and, as for ΔAl/Si value, 0.15 or less is more preferable.

실시형태의 유리 기판은, 예를 들어, LCD 와 같은 FPD 용의 유리 기판이다. 이 유리 기판을 구성하는 유리는, 알루미늄 성분을 함유하는 규산 유리로 이루어지는 것이면, 조성은 한정되지 않지만, SiO2, Al2O3, B2O3, 및 알칼리 토금속의 산화물을 함유하는 조성을 갖는 알루미노붕규산 유리가 바람직하고, 유리 조성에 알칼리 금속 성분을 실질적으로 함유하지 않는, 이른바 무알칼리의 알루미노붕규산 유리가 보다 바람직하다. 또한, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 함유하지 않는다는 것은, 유리 조성 중에 있어서의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 합계로 1 질량% 이하, 바람직하게는 0.1 질량% 이하인 것을 말한다.The glass substrate of embodiment is a glass substrate for FPDs like LCD, for example. Glass constituting the glass substrate is aluminum having as long as made of a silicate glass containing an aluminum component, the composition includes, but not limited to, SiO 2, Al 2 O 3 , B 2 O 3, and a composition containing an oxide of an alkaline earth metal Noborosilicate glass is preferable, and so-called alkali-free aluminoborosilicate glass which does not contain an alkali metal component substantially in a glass composition is more preferable. In addition, not containing an alkali metal component substantially is 1 mass % or less in total in content of the alkali metal oxide in a glass composition, Preferably it is 0.1 mass % or less.

예를 들어, 본 발명의 실시형태에 관련된 유리 기판은, 변형점이 630 ℃ 이상, 바람직하게는 650 ℃ 이상이고, 조성이, 산화물 기준의 질량 백분율 표시로,For example, the glass substrate according to the embodiment of the present invention has a strain point of 630 ° C. or higher, preferably 650 ° C. or higher, and the composition is expressed as an oxide-based mass percentage,

SiO2 : 54 ∼ 73SiO 2 : 54 to 73

Al2O3 : 10 ∼ 23Al 2 O 3 : 10 to 23

B2O3 : 0 ∼ 12B 2 O 3 : 0 ∼ 12

MgO : 0 ∼ 12MgO: 0 ~ 12

CaO : 0 ∼ 15CaO: 0 ~ 15

SrO : 0 ∼ 16SrO: 0 ~ 16

BaO : 0 ∼ 15BaO: 0 ~ 15

MgO + CaO + SrO + BaO : 8 ∼ 26MgO + CaO + SrO + BaO: 8 to 26

을 함유하는 무알칼리 유리가 바람직하다.An alkali free glass containing

유리 기판의 내부 및 표면에 있어서의 Al 농도 및 Si 농도는, X 선 광전자 분광법에 의해 측정된 값으로 한다. 여기서, 유리 기판 내부의 Al 농도 및 Si 농도를 측정하는 점의 표면으로부터의 깊이는, 이하에 나타내는 바와 같이 하여 결정한 깊이로 하는 것이 바람직하다.Al concentration and Si concentration in the inside and surface of a glass substrate shall be the values measured by X-ray photoelectron spectroscopy. Here, it is preferable to make the depth from the surface of the point which measures Al concentration and Si concentration in a glass substrate into the depth determined as shown below.

즉, C60 이온 스퍼터링을 사용하여 유리 기판에 오목한 구멍 (크레이터) 을 형성하면서, 여러 가지 깊이의 오목한 구멍의 바닥부에서 Al 농도 및 Si 농도를 측정하여, 각 원자 농도의 깊이 방향의 분포를 구한다. 그리고, Al 농도 및 Si 농도의 깊이 방향의 분포가 일정해지는 깊이를 구하고, 그 깊이에서 측정한 Al 농도와 Si 농도의 비의 값을, 유리 기판 내부의 Al/Si 값으로 하고, 이 값으로부터 유리 기판 표면의 Al/Si 값을 뺀 값인 ΔAl/Si 값을 구한다.That is, while forming a concave hole (crater) in a glass substrate using C 60 ion sputtering, the Al concentration and Si concentration are measured at the bottom of the concave hole of various depths, and the distribution of each atomic concentration in the depth direction is obtained. . Then, the depth at which the distribution of the Al concentration and the Si concentration in the depth direction becomes constant is obtained, and the value of the ratio of the Al concentration and the Si concentration measured at the depth is the Al/Si value inside the glass substrate, and from this value, free The ΔAl/Si value, which is a value obtained by subtracting the Al/Si value of the substrate surface, is obtained.

이와 같이, 본 발명의 실시형태의 유리 기판에 있어서는, 유리 기판 내부의 Al/Si 값에 대한 유리 기판 표면의 Al/Si 값의 저하의 정도가, 소정의 값 (0.25) 이하로 억제되어 있으므로, 유리 기판의 표면에 형성되는 수지 BM 막의 밀착성이 양호하여, 수지 BM 막의 박리가 잘 발생하지 않는다.Thus, in the glass substrate of embodiment of this invention, since the grade of the fall of the Al/Si value of the glass substrate surface with respect to the Al/Si value inside a glass substrate is suppressed to predetermined value (0.25) or less, The adhesiveness of the resin BM film|membrane formed in the surface of a glass substrate is favorable, and peeling of a resin BM film|membrane does not generate|occur|produce easily.

상기한 바와 같이, 유리 기판의 연마 후의 세정에 있어서, 유리 기판의 표면 (표층) 의 Al 성분의 발출량이 많을수록, 유리 기판의 표면에 OH 리치 친수층이 형성된다. 그리고, 유리 기판 표면의 Al/Si 값이, 상기한 Al 성분의 발출이 없는 유리 기판 내부의 Al/Si 값에 비해, 어느 정도 낮은지를 나타내는 ΔAl/Si 값은, OH 리치 친수층의 형성의 정도를 나타낸다. 즉, ΔAl/Si 값이 낮을수록, 유리 기판의 표면에 있어서의 Al 성분의 결핍이 적은 것을 의미하고, 유리 기판 표면의 OH 기에서 기인하는 친수성이 낮은 것을 나타내고 있다.As mentioned above, washing|cleaning after grinding|polishing of a glass substrate WHEREIN: OH-rich hydrophilic layer is formed in the surface of a glass substrate, so that there is much extraction amount of Al component of the surface (surface layer) of a glass substrate. And the ΔAl/Si value indicating how low the Al/Si value on the surface of the glass substrate is compared to the Al/Si value inside the glass substrate without extraction of the Al component described above is the degree of formation of the OH-rich hydrophilic layer. indicates That is, it means that there is little deficiency of the Al component in the surface of a glass substrate, and it has shown that the hydrophilicity resulting from the OH group on the surface of a glass substrate is low, so that ΔAl/Si value is low.

구체적으로는, 유리 기판 내부의 Al/Si 값으로부터 유리 기판 표면의 Al/Si 값을 뺀 값인 ΔAl/Si 값이 0.25 이하인 경우에는, 유리 기판 표면의 OH 기에서 기인하는 친수성이 낮다. 그 때문에, 유리 기판 상에 수지 BM 막을 형성할 때에, 유리 기판과 BM 형성용 수지 조성물막의 계면에 대한 현상액의 침입이 억제되고, 수지 BM 막의 밀착성이 향상되어 막 박리가 방지된다.Specifically, when the ΔAl/Si value, which is a value obtained by subtracting the Al/Si value on the surface of the glass substrate from the Al/Si value inside the glass substrate, is 0.25 or less, the hydrophilicity resulting from the OH group on the surface of the glass substrate is low. Therefore, when forming a resin BM film|membrane on a glass substrate, penetration of the developing solution with respect to the interface of a glass substrate and the resin composition film for BM formation is suppressed, the adhesiveness of a resin BM film|membrane improves, and film peeling is prevented.

이와 같이, ΔAl/Si 값이 0.25 이하인 본 발명의 유리 기판은, 이하의 방법으로 얻을 수 있다.Thus, the glass substrate of this invention whose (DELTA)Al/Si value is 0.25 or less can be obtained with the following method.

<유리 기판의 제조 방법><The manufacturing method of a glass substrate>

본 발명의 실시형태에 관련된 유리 기판은, 플로트법이나 퓨전법에 의해 용융 유리로부터 판상의 유리 리본으로 성형되고, 유리 리본으로부터 소정의 크기로 잘라져 제조된다. 또, 필요에 따라 판상으로 성형된 유리를 연마한다.The glass substrate which concerns on embodiment of this invention is shape|molded from a molten glass into a plate-shaped glass ribbon by the float method or a fusion method, and is cut out from a glass ribbon to a predetermined size, and is manufactured. Moreover, the glass shape|molded in plate shape is grind|polished as needed.

본 발명의 실시형태의 유리 기판의 제조 방법은, 연마 공정을 갖는 것으로서 이하에 설명한다. 실시형태의 유리 기판의 제조 방법은, 유리 기판을 지립을 함유하는 연마제에 의해 연마하는 연마 공정과, 연마된 유리 기판을 세정하는 세정 공정을 구비한다. 그리고, 지립을 함유하는 연마제에 의해 연마된 유리 기판을, pH 가 2.7 보다 큰 수계 세정액에 의해 세정함으로써, 상기한 본 발명의 유리 기판을 얻을 수 있다. 수계 세정액의 pH 는, 3.0 이상이 바람직하고, 3.5 이상이 보다 바람직하다.The manufacturing method of the glass substrate of embodiment of this invention is demonstrated below as what has a grinding|polishing process. The manufacturing method of the glass substrate of embodiment is equipped with the grinding|polishing process of grind|polishing a glass substrate with the abrasive|polishing agent containing an abrasive grain, and the washing|cleaning process of wash|cleaning the grind|polished glass substrate. And the glass substrate of above-mentioned this invention can be obtained by washing|cleaning the glass substrate grind|polished with the abrasive|polishing agent containing an abrasive with the aqueous washing liquid larger than pH 2.7. 3.0 or more are preferable and, as for pH of an aqueous washing liquid, 3.5 or more are more preferable.

세정 대상물인 유리 기판은, LCD 와 같은 FPD 용의 유리 기판이고, 지립을 함유하는 연마제로 연마된 것이다. The glass substrate which is a cleaning object is a glass substrate for FPD like LCD, and grind|polished with the abrasive containing an abrasive grain.

유리 기판을 구성하는 유리는, 상기한 바와 같이, SiO2, Al2O3, B2O3, 및 알칼리 토금속의 산화물을 함유하는 조성을 갖는 알루미노붕규산 유리가 바람직하고, 유리 조성에 알칼리 금속 성분을 실질적으로 함유하지 않는 알루미노붕규산 유리가 보다 바람직하다.Glass constituting the glass substrate,, SiO 2, Al 2 O 3, B 2 O 3, and the alumino-borosilicate glass having a composition containing oxides of alkaline earth metals are preferred, and alkali metal component in the glass composition as described above, An aluminoborosilicate glass which does not contain substantially is more preferable.

세정 전의 연마에서는, 이와 같은 유리 기판의 표면을, 예를 들어, 연마 패드를 사용하여, 지립을 함유하는 연마제 (슬러리) 에 의해 연마한다. 연마제에 함유되는 지립은 특별히 한정되지 않고, 실리카 입자, 알루미나 입자, 산화세륨 입자, 티타니아 입자, 지르코니아 입자 및 산화망간 입자 등의 입자를 들 수 있는데, 연마 효율의 면에서, 특히 산화세륨 입자가 바람직하다. 지립의 평균 입경은, 예를 들어 0.8 ∼ 1.0 ㎛ 의 범위가 바람직하다. 이와 같은 연마 공정을 거침으로써, 유리 기판 표면의 산술 평균 표면 조도 Ra (JIS B0601-2013) 는, 0.2 ㎚ 이하가 되는 것이 바람직하다.In the grinding|polishing before washing|cleaning, the surface of such a glass substrate is grind|polished with the abrasive|polishing agent (slurry) containing an abrasive grain using a polishing pad, for example. The abrasive grains contained in the abrasive are not particularly limited, and include particles such as silica particles, alumina particles, cerium oxide particles, titania particles, zirconia particles, and manganese oxide particles. In terms of polishing efficiency, particularly cerium oxide particles are preferable. do. The average particle diameter of the abrasive grains is, for example, preferably in the range of 0.8 to 1.0 µm. It is preferable that arithmetic mean surface roughness Ra (JIS B0601-2013) of the surface of a glass substrate becomes 0.2 nm or less by passing through such a grinding|polishing process.

본 발명의 실시형태에 사용되는, pH 가 2.7 보다 큰 수계 세정액으로는, 이하에 나타내는 유기산을 함유하는 산성의 세정액 및 알칼리성의 세정액을 들 수 있다. 유리 기판의 표면의 평탄성을 확보하기 위해서, 수계 세정액의 pH 는 11 미만이 바람직하고, 9 미만이 보다 바람직하다. 이상으로부터, 수계 세정액의 pH 는, 3.5 이상 9 미만의 범위가 보다 바람직하다.Examples of the aqueous cleaning liquid having a pH greater than 2.7 used in the embodiment of the present invention include an acidic cleaning liquid and an alkaline cleaning liquid containing an organic acid, which are shown below. In order to ensure the flatness of the surface of a glass substrate, less than 11 is preferable and, as for pH of an aqueous washing|cleaning liquid, less than 9 is more preferable. From the above, the pH of the aqueous washing liquid is more preferably in the range of 3.5 or more and less than 9.

(산성의 세정액)(acidic cleaning solution)

산성의 세정액에 함유되는 유기산으로는, 예를 들어, 아스코르브산, 시트르산과 같은 유기 카르복실산이나, 유기 포스폰산 등을 들 수 있지만, 이것들에 한정되지 않는다. 세정액에는, 이들 유기산과 함께, 무기산 (예를 들어, 황산, 인산, 질산, 불산, 염산 등) 을 첨가할 수 있고, 무기산을 단독으로 사용하는 것도 가능하다. 또, 상기 무기산을 사용한 경우, pH 의 변동을 억제하기 위해서, 무기산과 함께 이들 산의 염을 첨가하는 것도 가능하다.Examples of the organic acid contained in the acidic washing liquid include, but are not limited to, organic carboxylic acids such as ascorbic acid and citric acid, and organic phosphonic acids. An inorganic acid (for example, sulfuric acid, phosphoric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, hydrochloric acid, etc.) can be added to a washing|cleaning liquid together with these organic acids, and it is also possible to use an inorganic acid independently. Moreover, when the said inorganic acid is used, in order to suppress the fluctuation|variation of pH, it is also possible to add the salt of these acids together with an inorganic acid.

킬레이트 효과를 갖는 유기 카르복실산이나 유기 포스폰산 등의 화합물은, 세정성의 관점에서, 세정액 중에 함유해도 된다. 한편, 유리로부터의 Al 성분의 발출을 촉진시킬 가능성이 있기 때문에, 수지 BM 막의 밀착성의 관점에서, 이들 화합물은 세정액 중에 함유하지 않는 편이 좋다. You may contain compounds, such as organic carboxylic acid and organic phosphonic acid which have a chelating effect, in a washing|cleaning liquid from a washability viewpoint. On the other hand, since there is a possibility of promoting the extraction of the Al component from the glass, it is better not to contain these compounds in the cleaning liquid from the viewpoint of adhesion of the resin BM film.

여기서, 킬레이트 효과를 갖는 유기 카르복실산으로는, 디카르복실산계 킬레이트제, 트리카르복실산계 킬레이트제, 글루콘산계 킬레이트제, 니트릴로삼아세트산계 킬레이트제, 이미노숙신산계 킬레이트제 등을 들 수 있다.Here, as the organic carboxylic acid having a chelating effect, a dicarboxylic acid-based chelating agent, a tricarboxylic acid-based chelating agent, a gluconic acid-based chelating agent, a nitrilotriacetic acid-based chelating agent, an iminosuccinic acid-based chelating agent, and the like are mentioned. can

유기 포스폰산이란, 식 : -P(=O)(OH)2 로 나타내는 포스폰산기가, 탄소 원자에 결합된 구조를 갖는 유기 화합물을 말한다. 유기 포스폰산 1 분자당의 상기 식으로 나타내는 포스폰산기의 수는, 2 이상이 바람직하고, 2 ∼ 8 이 보다 바람직하며, 2 ∼ 4 가 특히 바람직하다.The organic phosphonic acid refers to an organic compound having a structure in which a phosphonic acid group represented by the formula: -P(=O)(OH) 2 is bonded to a carbon atom. 2 or more are preferable, as for the number of the phosphonic acid groups represented by the said formula per molecule of organic phosphonic acid, 2-8 are more preferable, and 2-4 are especially preferable.

유기 포스폰산으로는, 치환기를 가져도 되는 탄화수소류의 탄소 원자에 결합된 수소 원자를, 포스폰산기로 치환한 구조를 갖는 화합물, 및, 암모니아나 아민류의 질소 원자에 결합된 수소 원자를, -CH2-P(=O)(OH)2 로 나타내는 메틸렌포스폰산기로 치환한 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.As the organic phosphonic acid, a compound having a structure in which a hydrogen atom bonded to a carbon atom of hydrocarbons which may have a substituent is substituted with a phosphonic acid group, and a hydrogen atom bonded to a nitrogen atom of ammonia or amines, - A compound having a structure substituted with a methylenephosphonic acid group represented by CH 2 -P(=O)(OH) 2 is preferred.

구체적으로는, 유기 포스폰산은, 메틸디포스폰산, 1-하이드록시에탄-1,1-디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥사메틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 트리에틸렌테트라민헥사(메틸렌포스폰산), 트리스(2-아미노에틸)아민헥사(메틸렌포스폰산), 트랜스-1,2-시클로헥산디아민테트라(메틸렌포스폰산), 글리콜에테르디아민테트라(메틸렌포스폰산), 및 테트라에틸렌펜타민헵타(메틸렌포스폰산) 등을 들 수 있다.Specifically, organic phosphonic acids are methyldiphosphonic acid, 1-hydroxyethane-1,1-diphosphonic acid, aminotri(methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), hexamethylenediaminetetra( Methylenephosphonic acid), propylenediaminetetra(methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta(methylenephosphonic acid), triethylenetetraminehexa(methylenephosphonic acid), tris(2-aminoethyl)amine hexa(methylenephosphonic acid) , trans-1,2-cyclohexanediaminetetra(methylenephosphonic acid), glycol etherdiaminetetra(methylenephosphonic acid), and tetraethylenepentaminehepta(methylenephosphonic acid).

(알칼리성의 세정액)(Alkaline cleaning solution)

알칼리성의 세정액은, 염기를 함유하고, 염기 이외에 킬레이트제나 계면 활성제를 함유할 수 있다. 킬레이트제는, 세정성의 관점에서, 세정액 중에 함유해도 된다. 한편, 유리로부터의 Al 성분의 발출을 촉진시킬 가능성이 있기 때문에, 수지 BM 막의 밀착성의 관점에서, 킬레이트제는 세정액 중에 함유하지 않는 편이 좋다.The alkaline washing liquid contains a base and may contain a chelating agent and a surfactant in addition to the base. The chelating agent may be contained in the cleaning liquid from the viewpoint of cleaning properties. On the other hand, since there is a possibility of promoting the extraction of the Al component from the glass, it is better not to contain the chelating agent in the cleaning solution from the viewpoint of adhesion of the resin BM film.

알칼리성의 세정액에 함유되는 염기로는, 알칼리 금속 수산화물이나 알칼리 금속 탄산염 등의 알칼리 금속 화합물, 아민류, 수산화 제 4 급 암모늄 등을 들 수 있다. 염기로는, 수산화칼륨이나 수산화나트륨 등의 알칼리 금속 수산화물이 바람직하다.Examples of the base contained in the alkaline washing solution include alkali metal compounds such as alkali metal hydroxides and alkali metal carbonates, amines, and quaternary ammonium hydroxide. As a base, alkali metal hydroxides, such as potassium hydroxide and sodium hydroxide, are preferable.

킬레이트제로는, 에틸렌디아민사아세트산계 킬레이트제, 글루콘산계 킬레이트제, 니트릴로삼아세트산계 킬레이트제, 이미노숙신산계 킬레이트제 등을 들 수 있다. 특히, 에틸렌디아민사아세트산계 킬레이트제가 바람직하다.Examples of the chelating agent include an ethylenediaminetetraacetic acid chelating agent, a gluconic acid chelating agent, a nitrilotriacetic acid chelating agent, and an iminosuccinic acid chelating agent. In particular, an ethylenediaminetetraacetic acid chelating agent is preferable.

계면 활성제로는, 논이온성 계면 활성제가 바람직하다.As surfactant, a nonionic surfactant is preferable.

(세정 공정)(cleaning process)

세정 공정에 있어서는, 산성의 세정제 원액을 물로 희석하고, pH 가 2.7 보다 커지도록 한 희석액 (산성의 세정액), 또는 알칼리성의 세정제 원액을 물로 희석한 희석액 (알칼리성의 세정액) 을 사용하여, 연마 후의 유리 기판의 표면을 세정한다. 매엽 방식으로 세정하는 것이 바람직하다. 세정액을 유리 기판의 표면에 직접 접촉시켜 세정하는 방법이라면, 세정 방법은 특별히 한정되지 않는다. 세정 방법은, 예를 들어, 스크럽 세정, 샤워 세정 (분사 세정), 딥 (침지) 세정 등을 사용할 수 있다. 세정액의 온도는 특별히 한정되는 경우는 없고, 실온 (15 ℃) ∼ 95 ℃ 에서 사용된다. 95 ℃ 를 초과하는 경우에는, 세정액 중의 물이 비등할 우려가 있어, 세정 조작상 불편하여 바람직하지 않다. 세정 후, 건조를 실시해도 된다. 건조 방법으로는, 온풍을 내뿜는 방법이나, 압축한 공기를 내뿜는 방법 등을 들 수 있다.In the washing step, a dilution solution obtained by diluting an acidic detergent stock solution with water and having a pH greater than 2.7 (acidic washing solution) or a dilution solution obtained by diluting an alkaline detergent stock solution with water (alkaline washing solution) Clean the surface of the substrate. It is preferable to wash by a single-wafer method. The cleaning method is not particularly limited as long as it is a method of cleaning by bringing the cleaning liquid into direct contact with the surface of the glass substrate. As a washing method, scrub washing, shower washing (spray washing), dip (immersion) washing, etc. can be used, for example. The temperature of the washing|cleaning liquid is not specifically limited, It is used at room temperature (15 degreeC) - 95 degreeC. When it exceeds 95 degreeC, there exists a possibility that the water in a washing|cleaning liquid may boil, and it is inconvenient on washing|cleaning operation, and it is unpreferable. You may dry after washing|cleaning. As a drying method, the method of blowing warm air, the method of blowing compressed air, etc. are mentioned.

세정 공정에서는, 예를 들어, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 반송 롤 (1) 등의 기구에 의해 세정실 (2) 내를 수평 방향으로 연속적으로 반송되는 유리 기판 (3) 의 상하 양면에, 세정 노즐 (4) 로부터 분사된 수계 세정액 (5) 을 내뿜으면서, 유리 기판 (3) 의 상하 양면측에 배치된 회전 브러시 (6) 로 유리 기판 (3) 의 상하 양면을 스크럽하는 (문지르는) 방법을 채택할 수 있다. 수계 세정액 (5) 을 분사하는 세정 노즐 (4) 과 회전 브러시 (6) 로 이루어지는 세정부는, 1 단만으로 해도 되지만, 복수 단 형성해도 된다. 또한, 도 1 에 나타내는 세정 방법에 있어서는, 세정부는 2 단이다. 세정을 복수 단으로 실시하는 경우, 즉, 세정부를 복수 단 형성하는 경우, 각 단에서 분사하는 수계 세정액 (5) 은, 작업성의 관점에서, 산성의 세정액 또는 알칼리성의 세정액 중 어느 일방으로 동일한 조성인 것을 사용하는 것이 바람직하지만, 세정액의 pH 가 상기 범위이면, 각 단에서 상이한 수계 세정액 (5) 을 사용하여 세정할 수도 있다.In a washing|cleaning process, as shown, for example in FIG. 1, by mechanisms, such as a conveyance roll 1, it wash|cleans in the upper and lower surfaces of the glass substrate 3 continuously conveyed in the inside of the washing|cleaning chamber 2 in a horizontal direction. A method of scrubbing (rubbing) the upper and lower surfaces of the glass substrate 3 with rotating brushes 6 disposed on the upper and lower both sides of the glass substrate 3 while spraying the aqueous cleaning liquid 5 sprayed from the nozzle 4 can be adopted The cleaning unit composed of the cleaning nozzle 4 and the rotary brush 6 for spraying the aqueous cleaning liquid 5 may be provided in one stage, or may be formed in multiple stages. In addition, in the washing|cleaning method shown in FIG. 1, the washing|cleaning part has two stages. When washing is performed in multiple stages, that is, when multiple stages of the washing unit are formed, the aqueous washing liquid 5 sprayed from each stage has the same composition as either an acidic washing liquid or an alkaline washing liquid from the viewpoint of workability. It is preferable to use phosphorus, but as long as the pH of the washing liquid is in the above range, washing may be performed using different aqueous washing liquids 5 at each stage.

여기서, 세정용의 회전 브러시 (6) 로는, PVA (폴리비닐알코올) 발포체제 등이고, 외경 70 ∼ 100 ㎜ 의 원기둥 형상인 것을 복수 개 사용한다. 그리고, 이들 회전 브러시 (6) 를, 회전 브러시 (6) 의 회전축이 유리 기판 (3) 의 피세정면, 여기서는 상하 양면에 대해 수직이 되도록, 또한 회전 브러시 (6) 의 선단부가 유리 기판 (3) 의 피세정면과 접촉하거나, 또는 피세정면과 2 ㎜ 미만의 간격을 두도록 배치한다. 회전 브러시 (6) 의 회전 속도는, 100 ∼ 500 rpm 으로 하는 것이 바람직하다.Here, as the rotating brush 6 for washing|cleaning, it is a PVA (polyvinyl alcohol) foaming system, etc., and uses a plurality of cylindrical ones with an outer diameter of 70-100 mm. And, these rotary brushes 6 are set so that the rotational axis of the rotary brush 6 is perpendicular to the surface to be cleaned of the glass substrate 3, here, the upper and lower surfaces, and the tip of the rotary brush 6 is the glass substrate 3 . It is placed in contact with the surface to be cleaned of or placed at a distance of less than 2 mm from the surface to be cleaned. It is preferable that the rotation speed of the rotating brush 6 shall be 100-500 rpm.

수계 세정액 (5) 으로는, 상기한 산성의 세정제 원액 또는 알칼리성의 세정제 원액을 원하는 pH 가 되도록 물로 희석한 것을 사용하고, 희석된 세정액, 요컨대 수계 세정액 (5) 의 유량 (분사량) 은, 15 ∼ 40 ℓ/min 로 하는 것이 바람직하다. 또, 스크럽 시간은 1.5 초 이상으로 하는 것이 바람직하다.As the aqueous cleaning liquid 5, the acidic cleaning agent stock solution or the alkaline cleaning agent stock solution described above is diluted with water to a desired pH. It is preferable to set it as 40 L/min. Moreover, it is preferable to make scrub time into 1.5 second or more.

실시형태의 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 산화세륨 입자를 함유하는 연마제로 연마된 유리 기판은, 상기 세정 공정에서, pH 가 2.7 보다 큰 수계 세정액에 의해 세정됨으로써, 유리 기판 내부의 Al/Si 값으로부터 유리 기판 표면의 Al/Si 값을 뺀 ΔAl/Si 값이 0.25 이하로 조정된다. 이렇게 하여, 유리 기판의 표면에 있어서, OH 리치 친수층의 형성이 억제되는 결과, 수지 BM 막의 형성 공정에서, 유리 기판의 표면과 BM 형성용 수지 조성물막의 계면으로의 현상액의 침입이 억제되어, 수지 BM 막의 밀착성이 향상된다. 따라서, 수지 BM 막의 밀착성이 양호하여 막 박리가 방지된 유리 기판을 얻을 수 있다.In the manufacturing method of the glass substrate of embodiment, the glass substrate grind|polished with the abrasive|polishing agent containing cerium oxide particle|grains is washed with the aqueous cleaning liquid whose pH is larger than 2.7 in the said cleaning process, and Al/Si value inside a glass substrate The ΔAl/Si value obtained by subtracting the Al/Si value of the glass substrate surface is adjusted to 0.25 or less. In this way, in the surface of the glass substrate, as a result of suppressing the formation of the OH-rich hydrophilic layer, in the process of forming the resin BM film, the penetration of the developer into the interface between the surface of the glass substrate and the resin composition film for BM formation is suppressed, and the resin The adhesion of the BM film|membrane improves. Therefore, the adhesiveness of a resin BM film|membrane is favorable and the glass substrate by which film|membrane peeling was prevented can be obtained.

실시예Example

이하, 본 발명의 실시예에 대해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 예에 있어서, 특별히 언급하지 않는 한, 「%」는 질량% 를 의미하고, 「부」는 질량부를 의미한다.Hereinafter, examples of the present invention will be specifically described, but the present invention is not limited to these examples. In the following examples, unless otherwise specified, "%" means mass %, and "part" means mass parts.

(실시예 1 ∼ 3, 비교예 1)(Examples 1 to 3, Comparative Example 1)

유리 기판의 표면을, 이하에 나타내는 바와 같이 하여 연마하였다. 유리 기판으로는, 알루미노붕규산 유리로 이루어지는 LCD 용 유리 기판 (아사히 가라스사 제조, 상품명 : AN100) 을 사용하였다. 그리고, 이 유리 기판의 표면을, 연마 패드를 사용하고, 평균 입경 0.8 ∼ 1.0 ㎛ 의 산화세륨 입자를 함유하는 슬러리상의 연마제 (쇼와 전공 (주) 제조, 상품명 : SHOROX A10) 를 사용하여 연마하였다.The surface of the glass substrate was polished as shown below. As a glass substrate, the glass substrate for LCDs (the Asahi Glass Company make, brand name: AN100) which consists of alumino borosilicate glass was used. Then, the surface of this glass substrate was polished using a polishing pad using a slurry-like abrasive containing cerium oxide particles having an average particle diameter of 0.8 to 1.0 µm (manufactured by Showa Denko Co., Ltd., trade name: SHOROX A10). .

그리고, 표면이 연마된 유리 기판을, 도 1 에 나타내는 세정 방법을 사용하여 세정하였다.And the glass substrate by which the surface was grind|polished was wash|cleaned using the washing|cleaning method shown in FIG.

실시예 1 에서는, 알칼리성의 세정제 원액 (파카 코포레이션사 제조, 상품명 : PK-LCG28) 을 pH 가 8.9 가 되도록 물로 희석한 것을, 수계 세정액으로서 사용하였다.In Example 1, an alkaline detergent stock solution (manufactured by Parker Corporation, trade name: PK-LCG28) diluted with water to a pH of 8.9 was used as an aqueous washing liquid.

또, 실시예 2 및 실시예 3 에서는, 산성의 세정제 원액을 pH 가 각각 5.3 (실시예 2) 및 3.9 (실시예 3) 가 되도록 물로 희석한 것을, 수계 세정액으로서 사용하였다. 또한, 산성의 세정제 원액은, PK-LCG492A (파카 코포레이션사 제조의 산성의 세정제 원액의 상품명) 를, 액 중의 유기 포스폰산 농도를 1/4 로 한 것이다.Moreover, in Example 2 and Example 3, what diluted the acidic detergent stock solution with water so that pH might become 5.3 (Example 2) and 3.9 (Example 3), respectively, was used as an aqueous washing liquid. In addition, the organic phosphonic acid density|concentration in a liquid is what made PK-LCG492A (the brand name of the acidic detergent undiluted|stock solution manufactured by Parker Corporation) into 1/4 of the acidic detergent undiluted|stock solution.

또한, 비교예 1 에서는, 산성의 세정제 원액 (파카 코포레이션사 제조, 상품명 : PK-LCG492A) 을, pH 가 2.7 이 되도록 물로 희석한 것을, 수계 세정액으로서 사용하였다.In Comparative Example 1, an acidic detergent stock solution (manufactured by Parker Corporation, trade name: PK-LCG492A) was diluted with water to a pH of 2.7, and used as an aqueous washing solution.

그리고, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 의 각각에 있어서, 연마 후의 유리 기판의 표면에, 수계 세정액을 1 분간 25 ℓ 의 유량 (이하, 세정액 유량이라고도 한다) 으로 내뿜으면서, 회전하는 PVA 제의 회전 브러시로 유리 기판을 스크럽 세정하였다. 또한, 수계 세정액의 온도는 25 ℃ 로 하였다. 또, 세정 공정에 있어서의 스크럽 시간은, 각각 3 ∼ 5 초간이었다.And in each of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the water-based cleaning liquid is sprayed on the surface of the glass substrate after polishing at a flow rate of 25 L (hereinafter also referred to as cleaning liquid flow rate) for 1 minute, while rotating PVA products The glass substrate was scrub-cleaned with a rotating brush. In addition, the temperature of the aqueous washing|cleaning liquid was 25 degreeC. Moreover, the scrub time in a washing|cleaning process was 3 to 5 second, respectively.

이렇게 하여 세정된 유리 기판의 표면에 대해, 이하에 나타내는 방법으로, 수지 BM 막의 밀착성을 측정하여 평가하였다. 또, 유리 기판 표면의 Al/Si 값 (표면 Al/Si 값이라고도 한다), 유리 기판 내부의 Al/Si 값 (내부 Al/Si 값이라고도 한다), 및 ΔAl/Si 값을 구하였다.In this way, about the surface of the wash|cleaned glass substrate, the method shown below measured and evaluated the adhesiveness of a resin BM film|membrane. Moreover, the Al/Si value of the surface of a glass substrate (it is also called surface Al/Si value), the Al/Si value inside a glass substrate (it is also called an internal Al/Si value), and (DELTA)Al/Si value were calculated|required.

<수지 BM 막의 밀착성의 평가><Evaluation of adhesion of resin BM film>

먼저, 이하에 나타내는 각 성분을 이하의 조성으로 배합하고, 균일하게 혼합하여, 고형분 농도 15 % 의 감광성 BM 형성용 수지 조성물을 조제하였다.First, each component shown below was mix|blended with the following compositions, it mixed uniformly, and the resin composition for photosensitive BM formation of 15% of solid content concentration was prepared.

[BM 형성용 수지 조성물의 조성][Composition of resin composition for BM formation]

·바인더 수지 (닛폰 화약사 제조, 상품명 : ZCR1569H) : 28.4 부・Binder resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: ZCR1569H): 28.4 parts

·광 활성제 (광중합 개시제)・Photoactivator (photopolymerization initiator)

(치바·스페셜티·케미컬사 제조, 상품명 : 이르가큐어 OXE02) : 6.1 부(manufactured by Chiba Specialty Chemicals, trade name: Irgacure OXE02): 6.1 copies

·콜로이달 실리카 미립자 (닛산 화학사 제조, 상품명 : PMAST) : 20.3 부Colloidal silica fine particles (manufactured by Nissan Chemical, trade name: PMAST): 20.3 parts

·카본 블랙 : 32.5 부・Carbon Black: 32.5 parts

·계면 활성제 (빅케미·재팬사 제조, 상품명 : BYK306) : 0.3 부・Surfactant (manufactured by Big Chemie Japan, trade name: BYK306): 0.3 parts

·가교제 (닛폰 화약사 제조, 상품명 : UX5002D) : 6.1 부・Crosslinking agent (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: UX5002D): 6.1 parts

(닛폰 화약사 제조, 상품명 : NC3000H) : 3.0 부 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., trade name: NC3000H): 3.0 copies

·실란 커플링제 (신에츠 화학사 제조, 상품명 : KBM403) : 3.0 부· Silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical, trade name: KBM403): 3.0 parts

·인산 화합물 (인산과 모노메타크릴로일옥시에틸포스페이트, 디메타크릴로일옥시에틸포스페이트의 2 : 1 (질량비) 혼합물) : 0.3 부- Phosphoric acid compound (2:1 (mass ratio) mixture of phosphoric acid, monomethacryloyloxyethyl phosphate, and dimethacryloyloxyethyl phosphate): 0.3 parts

이어서, 이 BM 형성용 수지 조성물을, 세정 후의 유리 기판의 표면에, 스핀 코트 장치 (미카사사 제조, 장치명 : MS-A100) 를 사용하고, 200 rpm 으로 10 초간 도포 (스핀 코트) 한 후, 핫 플레이트 (애즈원사 제조, 장치명 : HI-1000) 를 사용하고, 90 ℃ 에서 60 초간 가열·건조시켜 도막을 형성하였다. 그 후, 노광 장치 (다이닛폰 과학 연구소 제조, 장치명 : MA-1200) 를 사용하여, 포토 마스크를 개재하여 노광 (조도 : 30 mW/㎠, 노광량 : 30 mJ/㎠, 노광 GAP : 50 ㎛) 한 후, 현상 장치 (아크테스사 제조, 장치명 : ADE-3000S) 를 사용하여, 0.045 %KOH 수용액을 사용하여 15 초간 현상하였다. 계속해서, 순수 세정함으로써, 유리 기판의 표면에 수지 BM 막의 패턴을 형성하였다.Next, this resin composition for BM formation was applied to the surface of the glass substrate after washing using a spin coating apparatus (manufactured by Mikasa Corporation, apparatus name: MS-A100) at 200 rpm for 10 seconds (spin coating), and then hot Using a plate (manufactured by Asone Corporation, device name: HI-1000), it was heated and dried at 90° C. for 60 seconds to form a coating film. Thereafter, using an exposure apparatus (manufactured by Dainippon Scientific Research Institute, apparatus name: MA-1200), exposure (illuminance: 30 mW/cm 2 , exposure dose: 30 mJ/cm 2 , exposure GAP: 50 µm) was carried out through a photomask. Then, it developed for 15 second using the 0.045% KOH aqueous solution using the developing apparatus (The Arctes company make, apparatus name: ADE-3000S). Then, the pattern of the resin BM film|membrane was formed in the surface of a glass substrate by pure water washing|cleaning.

포토 마스크는, 이하에 나타내는 L1 ∼ L4 의 4 종류의 패턴 형상을 갖고, 또한 각 종류마다 선 폭을 1 ㎛ 씩 변화시킨 합계 110 종류의 패턴으로 하였다.The photomask had four types of pattern shapes of L1-L4 shown below, and set it as 110 types of patterns in which the line|wire width was changed at a time of 1 micrometer for each type.

L1 ……… 패턴 간격 100 ㎛ 로 1 블록 (2835 ㎛ × 2000 ㎛) 에 25 개의 선상 패턴 (선폭은 1 ∼ 25 ㎛ 의 범위에서 가변)L1 … … … 25 linear patterns in one block (2835 µm × 2000 µm) with a pattern interval of 100 µm (line width is variable in the range of 1 to 25 µm)

L2 ……… 패턴 간격 50 ㎛ 로 1 블록 (2952.6 ㎛ × 2000 ㎛) 에 30 개의 선상 패턴 (선폭은 1 ∼ 30 ㎛ 의 범위에서 가변)L2 … … … 30 linear patterns in one block (2952.6 µm × 2000 µm) with a pattern interval of 50 µm (line width is variable in the range of 1 to 30 µm)

L3 ……… 패턴 간격 200 ㎛ 로 1 블록 (2682.5 ㎛ × 2000 ㎛) 에 25 개의 선상 패턴 (선폭은 1 ∼ 25 ㎛ 의 범위에서 가변)L3 … … … 25 linear patterns in one block (2682.5 µm × 2000 µm) with a pattern interval of 200 µm (line width is variable in the range of 1 to 25 µm)

L4 ……… 패턴 간격 200 ㎛ 로 1 블록 (2682.5 ㎛ × 2000 ㎛) 에 25 개의 짧은 선상 패턴 (선폭은 1 ∼ 25 ㎛ 의 범위에서 가변)L4 … … … 25 short linear patterns in one block (2682.5 µm × 2000 µm) with a pattern interval of 200 µm (line width is variable in the range of 1 to 25 µm)

순수 세정 후의 유리 기판을 레이저 현미경 (키엔스사 제조, 장치명 : VK-9510) 에 의해 관측하고, 유리 기판 상에 수지 BM 막의 패턴이 남는 마스크의 선 폭 (이하, 잔여 해상도라고 한다) 을, L1 ∼ L4 의 4 종류의 패턴 형상 각각에 대해 조사하였다. 그리고, 4 종류의 패턴 형상 각각에 대한 잔여 해상도의 평균을 구하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 잔여 해상도의 값이 작을수록, 세정 후의 유리 기판 상에 형성된 수지 BM 막의 밀착성이 높은 것을 나타내고 있다.The glass substrate after pure water cleaning is observed with a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, device name: VK-9510), and the line width of the mask (hereinafter referred to as residual resolution) in which the pattern of the resin BM film remains on the glass substrate is L1- Each of the four types of pattern shapes of L4 was investigated. Then, the average of the residual resolution for each of the four types of pattern shapes was obtained. A result is shown in Table 1. Moreover, it has shown that the adhesiveness of the resin BM film|membrane formed on the glass substrate after washing|cleaning is so high that the value of the residual resolution is small.

<표면 Al/Si 값의 측정><Measurement of surface Al/Si values>

세정 후의 유리 기판의 표면에 있어서의 Al 농도 및 Si 농도를, X 선 광전자 분광법 (이하, XPS 라고 나타낸다) 을 사용하여 측정하고, Al/Si 값 (원자 농도비) 을 구하였다.The Al concentration and Si concentration on the surface of the glass substrate after washing were measured using X-ray photoelectron spectroscopy (hereinafter referred to as XPS) to determine the Al/Si value (atomic concentration ratio).

측정에는, 알박·파이사 제조의 PHI5500 을 사용하고, Si (2p) 및 Al (2p) 의 피크를 사용하여, 패스 에너지 117.4 eV, 에너지 스텝 0.5 eV/step, 검출각 (시료 표면과 검출기가 이루는 각도) 15°의 조건에서 측정을 실시하였다. 스펙트럼의 해석에는, 해석 소프트웨어 MultiPak 를 사용하였다. 스펙트럼의 백그라운드를 빼는 방법에는 Shirley 법을 적용하였다. 얻어진 결과를 표 1 에 나타낸다.For the measurement, PHI5500 manufactured by Albac Pai Co., Ltd. was used, and the peaks of Si (2p) and Al (2p) were used to measure a path energy of 117.4 eV, an energy step of 0.5 eV/step, and a detection angle (between the sample surface and the detector). Angle) measurement was performed under the condition of 15°. Analysis software MultiPak was used for the analysis of the spectrum. The Shirley method was applied to the method of subtracting the background of the spectrum. The obtained result is shown in Table 1.

<내부 Al/Si 값의 측정><Measurement of internal Al/Si values>

표면 Al/Si 값의 측정에 사용한 유리 기판에 대해, Al 농도 및 Si 농도의 깊이 방향 분포를, C60 이온 스퍼터링을 사용한 XPS 에 의해 측정하였다. XPS 측정 장치 및 해석 소프트웨어는, 표면 Al/Si 값의 측정과 동일한 것을 사용하였다. 측정 조건은, 패스 에너지를 117.4 eV, 에너지 스텝을 0.5 eV/step, 모니터 피크를 Si (2p) 및 Al (2p), 검출각을 75°로 하였다. 그리고, 스퍼터 간격을 5 분간으로 하고, 5 분간 스퍼터를 실시할 때마다, 형성된 크레이터 바닥부의 Al 농도 및 Si 농도를 측정하였다. 이와 같은 측정을, Al 농도 및 Si 농도가 일정해질 때까지 실시하였다. 이렇게 하여 얻어진, 실시예 1 의 유리 기판에 있어서의 Al 농도 및 Si 농도의 깊이 방향 분포를 도 2 에 나타낸다. 이 그래프로부터, 스퍼터 시간이 40 분간에서, Al 농도 및 Si 농도가 일정해지는 것으로 판단하였다.With respect to a glass substrate used for the measurement of surface Al / Si values, the depth direction distribution of Al concentration and Si concentration was determined by XPS using C 60 ion sputtering. As for the XPS measuring apparatus and analysis software, the same thing as the measurement of the surface Al/Si value was used. Measurement conditions were 117.4 eV for pass energy, 0.5 eV/step for energy step, Si (2p) and Al (2p) for monitor peaks, and 75 degrees for detection angle. Then, the sputtering interval was 5 minutes, and the Al concentration and the Si concentration of the formed crater bottom were measured every time sputtering was performed for 5 minutes. Such measurements were carried out until the Al concentration and the Si concentration became constant. The depth direction distribution of the Al concentration in the glass substrate of Example 1 and Si concentration obtained in this way is shown in FIG. From this graph, it was judged that the Al concentration and the Si concentration became constant when the sputtering time was 40 minutes.

또한, Si 웨이퍼 상의 열 산화막 (SiO2 막) 에 있어서의 C60 이온 스퍼터링의 스퍼터 속도를 측정한 결과, 1.4 ㎚/min 였으므로, 유리 기판에 대해서도 유사한 스퍼터 속도인 것으로 추측된다. 따라서, 스퍼터 시간 40 분에 상당하는 깊이인 56 ㎚ 이상에서, 유리 기판 내부의 Al 농도 및 Si 농도는 일정해지는 것으로 생각된다. Moreover, as a result of measuring the sputtering rate of C 60 ion sputtering in the thermal oxide film (SiO 2 film) on the Si wafer, it was 1.4 nm/min, so it is estimated that it is a similar sputtering rate also for a glass substrate. Therefore, it is thought that the Al concentration and Si concentration inside a glass substrate become constant at 56 nm or more which is a depth corresponding to 40 minutes of sputtering time.

또, 실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 은 동일 조성의 유리 기판이므로, 실시예 2, 실시예 3 및 비교예 1 의 내부 Al/Si 값도, 실시예 1 과 동일한 것으로 간주할 수 있다.Moreover, since Examples 1-3 and Comparative Example 1 are glass substrates of the same composition, the internal Al/Si value of Example 2, Example 3, and Comparative Example 1 can also be considered as the same thing as Example 1.

실시예 1 ∼ 3 및 비교예 1 에서 얻어진 유리 기판에 대해, 이렇게 하여 측정된 잔여 해상도, 표면 Al/Si 값, 내부 Al/Si 값, 및 ΔAl/Si 값을 표 1 에 각각 나타낸다.For the glass substrates obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1, the thus-measured residual resolution, surface Al/Si value, internal Al/Si value, and ΔAl/Si value are shown in Table 1, respectively.

Figure 112016112299072-pct00001
Figure 112016112299072-pct00001

다음으로, 표 1 의 측정 결과를 기초로, 수계 세정액의 pH 와 ΔAl/Si 값의 관계, 및 ΔAl/Si 값과 잔여 해상도의 관계를 각각 조사하였다. 수계 세정액의 pH 와 ΔAl/Si 값의 관계를 도 3 에, ΔAl/Si 값과 잔여 해상도의 관계를 도 4 에 각각 나타낸다.Next, based on the measurement results in Table 1, the relationship between the pH of the aqueous cleaning solution and the ΔAl/Si value, and the relation between the ΔAl/Si value and the residual resolution were respectively investigated. The relationship between the pH of the aqueous cleaning solution and the ΔAl/Si value is shown in FIG. 3, and the relationship between the ΔAl/Si value and the residual resolution is shown in FIG. 4, respectively.

도 3 으로부터, 수계 세정액의 pH 와 ΔAl/Si 값에는 부 (負) 의 상관 관계가 있어, 수계 세정액의 pH 가 상승함에 수반하여, ΔAl/Si 값은 저하되는 경향이 있는 것을 알 수 있다.It can be seen from FIG. 3 that there is a negative correlation between the pH of the aqueous cleaning liquid and the ΔAl/Si value, and as the pH of the aqueous cleaning liquid increases, the ΔAl/Si value tends to decrease.

또, 도 4 로부터, ΔAl/Si 값과 잔여 해상도에는 정 (正) 의 상관 관계가 있어, ΔAl/Si 값의 저하에 수반하여, 잔여 해상도도 작아지는 경향이 확인된다. 그리고, 상기한 바와 같이, 잔여 해상도가 작을수록, 세정 후의 유리 기판 상에 형성된 수지 BM 막의 밀착성이 높기 때문에, ΔAl/Si 값이 작을수록, 수지 BM 막의 밀착성이 높은 것을 알 수 있다.Also, from Fig. 4 , there is a positive correlation between the ?Al/Si value and the residual resolution, and it is confirmed that the residual resolution also decreases with the decrease of the ?Al/Si value. And, as mentioned above, since the adhesiveness of the resin BM film|membrane formed on the glass substrate after washing|cleaning is so high that the residual resolution is small, it turns out that the adhesiveness of a resin BM film|membrane is so high that ΔAl/Si value is small.

이상으로부터, 비교예 1 에 비해 높은 pH 를 갖는 수계 세정액을 사용한 실시예 1 ∼ 3 에서는, ΔAl/Si 값을 0.25 이하로 낮출 수 있고, 그것에 의해 수지 BM 막의 밀착성을 향상시킬 수 있는 것을 알 수 있었다.From the above, it was found that in Examples 1 to 3 in which the aqueous cleaning solution having a higher pH than in Comparative Example 1 was used, the ΔAl/Si value could be lowered to 0.25 or less, thereby improving the adhesion of the resin BM film. .

산업상 이용가능성Industrial Applicability

본 발명의 유리 기판에 의하면, 표면에 형성되는 수지 BM 막의 밀착성이 양호하여, 수지 BM 막의 박리가 방지된다. 따라서, 본 발명의 유리 기판은, LCD 와 같은 FPD 용으로 사용되는 유리 기판에 유효하게 적용할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the glass substrate of this invention, the adhesiveness of the resin BM film|membrane formed in the surface is favorable, and peeling of a resin BM film|membrane is prevented. Therefore, the glass substrate of this invention can be effectively applied to the glass substrate used for FPD like LCD.

또 본 발명의 유리 기판의 제조 방법에 의하면, 이와 같이 FPD 용 유리 기판으로서 적합한 유리 기판을 효율적으로 얻을 수 있다.Moreover, according to the manufacturing method of the glass substrate of this invention, a glass substrate suitable as a glass substrate for FPD can be obtained efficiently in this way.

1 : 반송 롤
2 : 세정실
3 : 유리 기판
4 : 세정 노즐
5 : 수계 세정액
6 : 회전 브러시
1: convey roll
2: cleaning room
3: Glass substrate
4: cleaning nozzle
5: water-based cleaning solution
6: Rotating brush

Claims (8)

플로트법으로 얻어진 알루미늄을 함유하는 규산 유리로 이루어지는 유리 기판이고,
상기 알루미늄을 함유하는 규산 유리가, SiO2, Al2O3, B2O3, 및 알칼리 토금속의 산화물을 함유하는 조성을 갖는 알루미노붕규산 유리이고, 유리 조성 중에 있어서의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 합계로 0 질량% 내지 1 질량% 이하이고,
X 선 광전자 분광법에 의해 측정된, 상기 유리 기판의 내부에 있어서의 알루미늄의 원자 농도와 규소의 원자 농도의 비의 값으로부터, 상기 유리 기판의 표면에 있어서의 알루미늄의 원자 농도와 규소의 원자 농도의 비의 값을 뺀 값 (ΔAl/Si 값) 이, 0.25 이하인 것을 특징으로 하는 유리 기판.
It is a glass substrate which consists of silicate glass containing aluminum obtained by the float method,
And a silicate glass containing the Al, SiO alumino borosilicate glass having 2, Al 2 O 3, B 2 O 3, and a composition containing an oxide of an alkaline earth metal, the content of alkali metal oxide in the glass composition in total 0% by mass to 1% by mass or less,
From the value of the ratio of the atomic concentration of aluminum and the atomic concentration of silicon in the inside of the glass substrate measured by X-ray photoelectron spectroscopy, the atomic concentration of aluminum and the atomic concentration of silicon on the surface of the glass substrate A value obtained by subtracting the value of the ratio (ΔAl/Si value) is 0.25 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 ΔAl/Si 값이 0.19 이하인, 유리 기판.
The method of claim 1,
The ΔAl/Si value is 0.19 or less, a glass substrate.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유리 기판의 표면의 산술 평균 표면 조도는 0.2 ㎚ 이하인, 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
The glass substrate whose arithmetic mean surface roughness of the surface of the said glass substrate is 0.2 nm or less.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 유리 기판은, 유리 조성 중에 있어서의 알칼리 금속 산화물의 함유량이 합계로 0 질량% 내지 0. 1 질량% 이하인, 유리 기판.
3. The method according to claim 1 or 2,
The said glass substrate is a glass substrate whose content of the alkali metal oxide in a glass composition is 0 mass % - 0.1 mass % or less in total.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 유리 기판을 제조하는 방법이고,
지립을 함유하는 연마제에 의해 연마된 유리 기판을, pH 가 2.7 보다 큰 수계 세정액에 의해 세정하는 것을 특징으로 하는 유리 기판의 제조 방법.
It is the method of manufacturing the glass substrate of Claim 1 or 2,
A glass substrate polished with an abrasive containing an abrasive is washed with an aqueous cleaning liquid having a pH greater than 2.7.
제 5 항에 있어서,
상기 지립이 산화세륨 입자인, 유리 기판의 제조 방법.
6. The method of claim 5,
The manufacturing method of the glass substrate whose said abrasive grain is a cerium oxide particle.
제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 유리 기판 상에, 블랙 매트릭스 막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 기판.A black matrix film|membrane is formed on the glass substrate of Claim 1 or 2, The black-matrix board|substrate characterized by the above-mentioned. 제 4 항에 기재된 유리 기판 상에, 블랙 매트릭스 막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 기판.
A black matrix film|membrane is formed on the glass substrate of Claim 4, The black-matrix board|substrate characterized by the above-mentioned.
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