KR102292951B1 - Imprint apparatus and method of manufacturing article - Google Patents

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Abstract

몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며, 상기 몰드에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여, 상기 몰드와 상기 기판의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출부와, 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 상기 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 가능한 것을 보증하는 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는 임프린트 장치를 제공한다.An imprint apparatus that performs an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, an alignment detection unit that detects light from a mark formed on the mold and generates an alignment signal used for alignment of the mold and the substrate and a control unit for determining a usable period of the mold that guarantees that it is possible to perform the alignment normally, based on a change in contrast of the alignment signal.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}Imprint apparatus and method of manufacturing an article

본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an imprint apparatus and a method of manufacturing an article.

임프린트 기술에서는, 먼저, 기판(예를 들어, 웨이퍼) 상에 임프린트재를 공급(도포)한다. 이어서, 기판 상의 임프린트재와, 미세한 패턴(요철 구조)이 형성된 몰드를 접촉시킨다. 그리고, 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 상태에서, 예를 들어 자외선 등의 광을 임프린트재에 조사함으로써 임프린트재를 경화시킨다. 이어서, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리함으로써 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성한다.In the imprint technique, first, an imprint material is supplied (applied) onto a substrate (eg, a wafer). Next, the imprint material on the substrate is brought into contact with a mold having a fine pattern (concave-convex structure) formed thereon. Then, in a state in which the imprint material and the mold are brought into contact, the imprint material is cured by irradiating the imprint material with light such as ultraviolet rays, for example. Then, a pattern of the imprint material is formed on the substrate by separating the mold from the cured imprint material on the substrate.

이러한 임프린트 기술에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시킨 후에, 몰드와 기판의 얼라인먼트를 행한다. 이러한 얼라인먼트에는, 얼라인먼트 스코프로서, 몰드에 형성된 얼라인먼트 마크와 기판에 형성된 얼라인먼트 마크를 동시에 검출할 수 있는 스루·더·몰드(TTM) 검출계가 사용되고 있다.In this imprint technique, after the imprint material on the substrate and the mold are brought into contact, the mold and the substrate are aligned. For such alignment, as an alignment scope, a through-the-mold (TTM) detection system capable of simultaneously detecting the alignment mark formed on the mold and the alignment mark formed on the substrate is used.

또한, 수은 램프 등의 자외선의 광원을 구비하는 노광 장치에서는, 이러한 광원의 수명을 예측하는 기술이 일본 특허 공개 평 11-12133호 공보에 제안되어 있다. 일본 특허 공개 평 11-12133호 공보에 개시된 기술에 의하면, 광원의 수명을 관리자(유저)에게 통지하거나, 광원의 수명을 파악하면서 노광을 행하거나 하는 것이 가능하다.Moreover, in the exposure apparatus provided with the light source of ultraviolet rays, such as a mercury lamp, the technique of predicting the lifetime of such a light source is proposed in Unexamined-Japanese-Patent No. 11-12133. According to the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 11-12133, it is possible to notify a manager (user) of the lifetime of the light source, or perform exposure while grasping the lifetime of the light source.

그러나, 임프린트 기술을 채용하는 임프린트 장치에서는, 광원뿐만 아니라, 몰드도 수명을 갖는 부품이 된다. 몰드는, 노광 장치에서의 레티클 또는 마스크와 상이하고, 기판 상의 임프린트재에 접촉하거나, 경화된 임프린트재로부터 분리되거나 한다. 이러한 몰드와 임프린트재의 직접적인 접촉 및 분리는, 몰드의 패턴 파손이나 마모의 원인이 된다. 또한, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리할 때에는, 이러한 임프린트재의 일부가 기판으로부터 박리되고, 몰드(의 패턴)에 부착되는 경우가 있다.However, in the imprint apparatus employing the imprint technique, not only the light source but also the mold becomes a component having a lifespan. A mold is different from a reticle or a mask in an exposure apparatus, and contacts an imprint material on a board|substrate, or separates from a hardened|cured imprint material. The direct contact and separation of the mold and the imprint material may cause pattern damage or wear of the mold. In addition, when the mold is separated from the cured imprint material on the substrate, a part of the imprint material is peeled off from the substrate and adheres to (the pattern of) the mold.

몰드의 패턴의 파손이나 마모 및 몰드에 대한 임프린트재의 부착은, 그 이후의 임프린트 처리에 있어서, 기판 상에 형성되는 패턴에 영향을 준다. 특히, 몰드에 임프린트재가 부착된 상태에서 임프린트 처리가 행하여지면, 몰드와 기판의 사이에 이물이 끼었을 경우와 마찬가지로, 몰드의 패턴 파손의 원인이 된다. 그래서, 몰드에 부착된 임프린트재를 제거하기 위해서, 몰드는, 정기적 또는 비정기적으로 세정된다.Damage or abrasion of the pattern of the mold and adhesion of the imprint material to the mold affect the pattern formed on the substrate in the subsequent imprint process. In particular, if the imprint process is performed while the imprint material is attached to the mold, it causes damage to the pattern of the mold, similar to the case where a foreign material is caught between the mold and the substrate. Therefore, in order to remove the imprint material adhering to the mold, the mold is cleaned regularly or irregularly.

몰드의 얼라인먼트 마크에는, 일반적으로, 얼라인먼트 광을 반사하는 반사 재료층이 형성되어 있다. 몰드의 세정은, 몰드에 부착된 임프린트재와 반사 재료층을 구별하지 않고 행해지기 때문에, 임프린트재에 추가하여, 반사 재료층도 세정되게(얇아지게) 된다. 따라서, 몰드의 세정을 반복하고 있으면, 얼라인먼트에 필요한 반사광량을 얻을 수 없게 되기 때문에, 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 곤란해진다. 얼라인먼트가 정상적으로 행하여지지 않게 되면, 임프린트 장치로 반입되기 전에 기판 상에 형성된 패턴(하지)과, 임프린트 장치로 형성되는 패턴을 정확하게 중첩시킬 수 없다(즉, 중첩 정밀도가 저하된다).Generally, a reflective material layer that reflects alignment light is formed on the alignment mark of the mold. Since the cleaning of the mold is performed without distinguishing between the imprint material and the reflective material layer adhering to the mold, in addition to the imprint material, the reflective material layer is also cleaned (thinner). Therefore, if the cleaning of the mold is repeated, the amount of reflected light required for alignment cannot be obtained, so that it becomes difficult to perform alignment normally. If the alignment is not performed normally, the pattern (substrate) formed on the substrate before being carried into the imprint apparatus and the pattern formed by the imprint apparatus cannot be accurately superimposed (that is, the overlapping accuracy is lowered).

본 발명은 몰드와 기판의 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 가능한 것을 보증하는 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.The present invention provides an imprint apparatus advantageous for determining the usable period of a mold that ensures that it is possible to normally perform alignment of a mold and a substrate.

본 발명의 일측면으로서의 임프린트 장치는, 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 임프린트 장치이며, 상기 몰드에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여, 상기 몰드와 상기 기판의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출부와, 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 상기 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 가능한 것을 보증하는 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 한다.An imprint apparatus as an aspect of the present invention is an imprint apparatus that performs an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold, detects light from a mark formed on the mold, and aligns the mold with the substrate It is characterized in that it has an alignment detection unit that generates an alignment signal used for , and a control unit that determines a usable period of the mold that guarantees that it is possible to perform the alignment normally, based on a change in contrast of the alignment signal.

본 발명의 추가의 목적 또는 기타의 측면은, 이하, 첨부 도면을 참조하여 설명되는 바람직한 실시 형태에 의해 분명해질 것이다.Further objects or other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

도 1은, 본 발명의 일측면으로서의 임프린트 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 2는, 기판과 몰드의 얼라인먼트를 상세하게 설명하기 위한 도면이다.
도 3의 (a) 내지 (d)는, 무아레의 발생 원리 및 무아레를 사용한 마크의 상대 위치의 검출을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는, 도 3의 (a)에 나타내는 얼라인먼트 마크의 확대 단면도이다.
도 5는, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와 몰드의 세정 횟수의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 얼라인먼트 신호의 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은, 얼라인먼트 광원으로부터의 광의 조도와 점등 시간의 관계의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8의 (a) 내지 (f)는, 물품의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus as an aspect of the present invention.
It is a figure for demonstrating in detail alignment of a board|substrate and a mold.
3A to 3D are diagrams for explaining the principle of generating moire and detection of the relative position of the mark using moire.
Fig. 4 is an enlarged cross-sectional view of the alignment mark shown in Fig. 3A.
Fig. 5 is a diagram showing an example of the relationship between the contrast of the alignment signal and the number of times the mold is cleaned.
6A and 6B are diagrams showing an example of an alignment signal.
7 : is a figure which shows an example of the relationship between the illuminance of the light from an alignment light source, and lighting time.
8A to 8F are diagrams for explaining a method for manufacturing an article.

이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to an accompanying drawing, preferable embodiment of this invention is described. In addition, in each figure, the same reference number is attached|subjected about the same member, and overlapping description is abbreviate|omitted.

도 1은, 본 발명의 일측면으로서의 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는 몰드를 사용하여 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는 기판 상에 공급된 임프린트재와 몰드를 접촉시켜, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다.1 is a schematic diagram showing the configuration of an imprint apparatus 100 as an aspect of the present invention. The imprint apparatus 100 is a lithographic apparatus that performs an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold. The imprint apparatus 100 contacts the imprint material supplied on the substrate with the mold, and applies energy for curing to the imprint material, thereby forming a pattern of a cured product onto which the concavo-convex pattern of the mold is transferred.

임프린트재에는, 경화용의 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고 칭할 경우도 있음)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자파, 열 등이 사용된다. 전자파로서는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광을 사용한다.As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that is cured by applying the energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, and the like are used. As an electromagnetic wave, the light, such as infrared rays, a visible light, and an ultraviolet-ray, whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less is used, for example.

경화성 조성물은, 광의 조사에 의해, 또는, 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하고, 필요에 따라, 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다.A curable composition is a composition hardened|cured by irradiation of light or by heating. The photocurable composition hardened|cured by irradiation of light contains a polymeric compound and a photoinitiator at least, and may contain a nonpolymerizable compound or a solvent as needed. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal addition type mold release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여되어도 된다. 또한, 임프린트재는, 액체 분사 헤드에 의해, 액적 형상, 또는, 복수의 액적이 연결되어서 형성된 섬 형상 또는 막 형상으로 기판 상에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.The imprint material may be provided in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. In addition, the imprint material may be provided on the substrate in a droplet shape or an island shape or a film shape formed by connecting a plurality of droplets by a liquid jetting head. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25°C) is, for example, 1 mPa·s or more and 100 mPa·s or less.

기판에는, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되고, 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 다른 재료로 이루어지는 부재가 형성되어 있어도 된다. 구체적으로는, 기판은, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등을 포함한다.Glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, etc. are used for the board|substrate, and the member which consists of a material different from the board|substrate may be formed in the surface as needed. Specifically, the substrate includes a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, and the like.

임프린트 장치(100)는 본 실시 형태에서는, 임프린트재의 경화법으로서 광경화법을 채용하고 있다. 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 기판 상의 임프린트재에 조사하는 광의 진행 방향에 평행인 방향을 Z축이라 하고, Z축에 수직한 평면 내에 있어서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축이라 한다.The imprint apparatus 100 employs a photocuring method as a curing method for the imprint material in the present embodiment. Further, as shown in Fig. 1, the direction parallel to the traveling direction of the light irradiated to the imprint material on the substrate is referred to as the Z axis, and the directions perpendicular to each other in the plane perpendicular to the Z axis are referred to as the X axis and the Y axis. .

도 1을 참조하여, 기판(1)은 반송 핸드 등을 포함하는 기판 반송부(22)에 의해, 임프린트 장치(100)의 외부로부터 반입되어, 척(2)에 유지된다. 기판 스테이지(3)는 베이스 정반(4)에 지지되고, 기판(1)을 소정의 위치에 위치 결정하기 위해서, X축 방향 및 Y축 방향으로 이동한다.Referring to FIG. 1 , a substrate 1 is carried in from the outside of the imprint apparatus 100 by a substrate transfer unit 22 including a transfer hand or the like, and is held by the chuck 2 . The substrate stage 3 is supported by the base platen 4 and moves in the X-axis direction and the Y-axis direction in order to position the substrate 1 at a predetermined position.

몰드(11)는 기판(1)에 전사해야 할 패턴을 갖고, 몰드 척(12)에 유지된다. 몰드 척(12)은 몰드 스테이지(13)에 지지되고, 몰드(11)의 Z축 둘레의 기울기를 보정하는 기능을 갖는다. 몰드 척(12) 및 몰드 스테이지(13) 각각은, 광원(24)으로부터 콜리메이터 렌즈를 통하여 조사되는 광(자외선)을 통과시키는 개구(도시하지 않음)을 포함한다. 또한, 몰드 척(12) 또는 몰드 스테이지(13)에는, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(11)의 압박력(압인력)을 계측하기 위한 로드 셀이 배치되어 있다.The mold 11 has a pattern to be transferred to the substrate 1 , and is held by the mold chuck 12 . The mold chuck 12 is supported on the mold stage 13 and has a function of correcting the inclination of the Z-axis circumference of the mold 11 . Each of the mold chuck 12 and the mold stage 13 includes an opening (not shown) through which light (ultraviolet rays) irradiated from the light source 24 through the collimator lens is passed. Further, in the mold chuck 12 or the mold stage 13, a load cell for measuring the pressing force (pressing force) of the mold 11 against the imprint material on the substrate is arranged.

가이드 바(8)는 천장판(6)을 관통하고, 일단부가 가이드 바 플레이트(7)에 고정되고, 타단부가 몰드 스테이지(13)에 고정된다. 몰드 승강부(9)는 가이드 바(8)를 Z축 방향으로 구동하여, 몰드 척(12)에 유지된 몰드(11)를 기판 상의 임프린트재에 접촉시키거나, 기판 상의 임프린트재로부터 분리하거나 한다. 얼라인먼트 선반(14)은 지주(10)를 거쳐서 천장판(6)에 현가된다. 얼라인먼트 선반(14)에는, 가이드 바(8)가 관통하고 있다. 또한, 얼라인먼트 선반(14)에는, 예를 들어 사입사 상 어긋남 방식을 사용하여, 척(2)에 보유 지지된 기판(1)의 높이(평탄도)를 계측하기 위한 높이 계측계(도시하지 않음)가 배치되어 있다.The guide bar 8 penetrates the ceiling plate 6 , one end is fixed to the guide bar plate 7 , and the other end is fixed to the mold stage 13 . The mold lifting unit 9 drives the guide bar 8 in the Z-axis direction to bring the mold 11 held by the mold chuck 12 into contact with or separate from the imprint material on the substrate. . The alignment shelf 14 is suspended to the ceiling plate 6 via a post 10 . A guide bar 8 penetrates the alignment shelf 14 . In addition, the alignment shelf 14 has a height measuring system (not shown) for measuring the height (flatness) of the substrate 1 held by the chuck 2 using, for example, the oblique angle shift method. ) is placed.

몰드 얼라인먼트용 얼라인먼트 스코프(23)는 TTM(스루·더·몰드) 검출계로 구성되고, 기판(1)에 형성된 얼라인먼트 마크와 몰드(11)에 형성된 얼라인먼트 마크를 관찰하기 위한 광학계 및 촬상계를 갖는다. 얼라인먼트 스코프(23)는 기판 상의 샷 영역마다, 기판(1) 및 몰드(11) 각각에 형성된 얼라인먼트 마크의 상대 위치를 계측하고, 그 위치 어긋남을 보정하는, 소위, 다이 바이 다이 방식의 얼라인먼트에 사용된다. 이와 같이, 얼라인먼트 스코프(23)는 몰드(11) 및 기판(1) 각각에 형성된 얼라인먼트 마크를 검출하고, 몰드(11)와 기판(1)의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출부로서 기능한다.The alignment scope 23 for mold alignment is constituted by a TTM (through the mold) detection system, and has an optical system and an imaging system for observing the alignment marks formed on the substrate 1 and the alignment marks formed on the mold 11 . The alignment scope 23 measures the relative positions of the alignment marks formed on the substrate 1 and the mold 11 for each shot region on the substrate, and corrects the position shift. It is used for so-called die-by-die alignment. do. In this way, the alignment scope 23 detects the alignment marks formed on each of the mold 11 and the substrate 1 , and functions as an alignment detection unit that generates an alignment signal used for alignment of the mold 11 and the substrate 1 . do.

공급부(20)는 기판(1)에 미경화의 임프린트재를 토출하는 토출구(노즐)를 포함하는 디스펜서 헤드로 구성되어, 기판 상의 복수의 샷 영역의 각각에 임프린트재를 공급(도포)한다. 공급부(20)는, 예를 들어 피에조 제트 방식이나 마이크로 솔레노이드 방식 등을 채용하고, 기판 상에 1pL(피코리터) 정도의 미소한 용적의 임프린트재를 공급할 수 있다. 또한, 공급부(20)에 있어서의 토출구의 수는, 한정되는 것은 아니며, 하나(싱글 노즐)여도 되고, 100을 초과해도 된다(즉, 리니어 노즐 어레이여도 되고, 복수의 리니어 노즐 어레이를 조합해도 된다).The supply unit 20 is composed of a dispenser head including a discharge port (nozzle) for discharging an uncured imprint material to the substrate 1 , and supplies (applies) an imprint material to each of a plurality of shot regions on the substrate. The supply unit 20 employs, for example, a piezo jet method, a micro solenoid method, or the like, and can supply an imprint material having a small volume of about 1 pL (picoliters) onto the substrate. In addition, the number of the discharge ports in the supply part 20 is not limited, One (single nozzle) may be sufficient, and it may exceed 100 (that is, a linear nozzle array may be sufficient, or a plurality of linear nozzle arrays may be combined. ).

오프 액시스 얼라인먼트(OA) 스코프(21)는 얼라인먼트 선반(14)에 지지된다. OA 스코프(21)는, 기판 상의 복수의 샷 영역에 형성된 얼라인먼트 마크를 검출하고, 복수의 샷 영역의 각각의 위치를 결정하는 글로벌 얼라인먼트 처리에 사용된다. 얼라인먼트 스코프(23)에 의해 몰드(11)와 기판 스테이지(3)의 위치 관계를 구하고, OA 스코프(21)에 의해 기판 스테이지(3)와 기판(1)의 위치 관계를 구함으로써 몰드(11)와 기판(1)의 상대적인 얼라인먼트를 행할 수 있다.An off-axis alignment (OA) scope 21 is supported on an alignment shelf 14 . The OA scope 21 is used for global alignment processing for detecting alignment marks formed in a plurality of shot regions on the substrate and determining respective positions of the plurality of shot regions. The mold 11 is obtained by obtaining the positional relationship between the mold 11 and the substrate stage 3 with the alignment scope 23 and the positional relation between the substrate stage 3 and the substrate 1 with the OA scope 21 . and the substrate 1 can be relatively aligned.

스프레드 카메라(25)는 몰드(11)를 부감하는 위치에 배치되고, 기판 상의 임프린트재에 접촉된 몰드(11)와 기판(1)을 동일 화각 상에서 중첩하여 관찰한다. 스프레드 카메라(25)는 기판 상에 공급된 임프린트재가 몰드(11)에 밀려 퍼지는 모습을 촬상함으로써, 임프린트재가 몰드(11)의 패턴(오목부)에 충전되는 모습을 관찰한다.The spread camera 25 is disposed at a position to look down on the mold 11 , and superimposes the mold 11 and the substrate 1 in contact with the imprint material on the substrate on the same angle of view. The spread camera 25 observes a state in which the imprint material is filled in the pattern (concave portion) of the mold 11 by imaging the state in which the imprint material supplied on the substrate is pushed and spread by the mold 11 .

거리 계측부(26)는 기판 스테이지(3)에 배치되어 있다. 거리 계측부(26)는 기판 스테이지(3)와 몰드(11)를 상대적으로 이동시키고 있는 상태에 있어서, 몰드 척(12)에 보유 지지된 몰드(11)와 기판 스테이지(3) 사이의 거리를 복수회 계측한다. 거리 계측부(26)에 의해 계측된 몰드(11)와 기판 스테이지(3)의 사이의 거리에 기초하여, 몰드(11)가 몰드 척(12)에 정상적으로 보유 지지되고 있는지 여부를 판정할 수 있다. 몰드(11)가 몰드 척(12)에 정상적으로 보유 지지되지 않는 경우, 몰드(11)가 의도하지 않게 낙하하여 파손되거나, 몰드(11)가 의도하지 않은 각도로 기판 상의 임프린트재와 접촉하여 기판 상에 형성되는 패턴의 정밀도가 저하되거나 한다. 이러한 경우에는, 임프린트 처리를 정지하고, 몰드(11)를 몰드 척(12)에 정상적으로 보유 지지시키기 위한 복구 처리를 행하면 된다.The distance measuring unit 26 is disposed on the substrate stage 3 . The distance measuring unit 26 measures a plurality of distances between the mold 11 held by the mold chuck 12 and the substrate stage 3 in a state in which the substrate stage 3 and the mold 11 are relatively moved. count times Based on the distance between the mold 11 and the substrate stage 3 measured by the distance measuring unit 26 , it can be determined whether the mold 11 is normally held by the mold chuck 12 . If the mold 11 is not normally held by the mold chuck 12, the mold 11 may fall unintentionally and be damaged, or the mold 11 may contact the imprint material on the substrate at an unintentional angle and be on the substrate. The precision of the pattern formed in the In such a case, the imprint process may be stopped and the restoration process for normally holding the mold 11 by the mold chuck 12 may be performed.

제어부(CN)는, CPU나 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(100)의 전체를 제어한다. 제어부(CN)는, 임프린트 장치(100)의 각 부를 제어하여 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 처리에서는, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트가 완료되면, 광원(24)으로부터 몰드(11)를 통하여 기판 상의 임프린트재에 광을 조사하고, 기판 상의 임프린트재를 경화시킨다. 임프린트재의 경화가 완료되면, 몰드 승강부(9)에 의해, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(11)를 분리한다. 이와 같이 하여, 몰드(11)의 패턴에 대응하는 임프린트재의 패턴이 기판 상에 형성된다. 또한, 제어부(CN)는, 후술하는 바와 같이, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 결정한다. 여기서, 몰드(11)의 사용 가능 기간이란, 이러한 몰드(11)와 기판(1)의 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 가능한 것을 보증하는 기간이며, 소위, 몰드(11)의 수명에 상당한다.The control unit CN includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire imprint apparatus 100 . The control unit CN controls each unit of the imprint apparatus 100 to perform an imprint process. In the imprint process, when the alignment of the substrate 1 and the mold 11 is completed, light is irradiated from the light source 24 to the imprint material on the substrate through the mold 11 to cure the imprint material on the substrate. When curing of the imprint material is completed, the mold 11 is separated from the cured imprint material on the substrate by the mold lifting unit 9 . In this way, a pattern of the imprint material corresponding to the pattern of the mold 11 is formed on the substrate. In addition, the control part CN determines the usable period of the mold 11 based on the contrast change of the alignment signal generated by the alignment scope 23, as will be described later. Here, the usable period of the mold 11 is a period that guarantees that it is possible to perform the alignment of the mold 11 and the substrate 1 normally, and corresponds to the so-called life of the mold 11 .

도 2를 참조하여, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2는, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트의 모습을 나타내고 있다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 몰드(11) 및 기판(1) 각각에는, 얼라인먼트에서 관찰하는 얼라인먼트 마크(31 및 32)가 형성되어 있다. 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트에서는, 상술한 바와 같이, 기판(1)과 몰드(11)를 중첩하여 관찰가능한 위치, 본 실시 형태에서는, 몰드(11)의 상방에 배치된 얼라인먼트 스코프(23)가 사용된다. 얼라인먼트 스코프(23)는 기판(1)에 형성된 얼라인먼트 마크(32)와 몰드(11)에 형성된 얼라인먼트 마크(31)를 하나의 화각에서 겹쳐서 검출하고, 기판(1)과 몰드(11)의 상대 위치를 구한다.With reference to FIG. 2, the alignment of the board|substrate 1 and the mold 11 is demonstrated in detail. 2 : has shown the mode of alignment of the board|substrate 1 and the mold 11. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the alignment marks 31 and 32 observed by alignment are formed in the mold 11 and the board|substrate 1, respectively. In the alignment of the substrate 1 and the mold 11, as described above, the position where the substrate 1 and the mold 11 are superimposed and observable. In this embodiment, the alignment scope arranged above the mold 11 (23) is used. The alignment scope 23 overlaps the alignment mark 32 formed on the substrate 1 and the alignment mark 31 formed on the mold 11 at one angle of view, and the relative position of the substrate 1 and the mold 11 . save

본 실시 형태에서는, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광은, 얼라인먼트 마크(31 및 32)로 회절되어, 무아레(무아레 무늬)로서 얼라인먼트 스코프(23)의 촬상계(촬상 소자)에 결상된다. 이러한 촬상계로 검출되는 무아레에 기초하여, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대 위치를 구한다. 제어부(CN)는, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대 위치에 기초하여, 몰드(11)에 대하여 기판 스테이지(3)를 구동함으로써, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트가 행하여진다.In this embodiment, the light from the alignment light source 23a is diffracted by the alignment marks 31 and 32, and is imaged on the imaging system (imaging element) of the alignment scope 23 as moire (moire pattern). Based on the moire detected by such an imaging system, the relative position of the alignment mark 31 and the alignment mark 32 is calculated|required. The control part CN drives the board|substrate stage 3 with respect to the mold 11 based on the relative position of the alignment mark 31 and the alignment mark 32, and alignment of the board|substrate 1 and the mold 11 is carried out. is performed

또한, 도 2에 나타낸 바와 같이, 얼라인먼트 스코프(23)는 얼라인먼트 광원(23a)으로부터 얼라인먼트 마크(31 및 32)에 조사되는 광의 조도를 계측하는 계측부(23b)를 포함한다. 계측부(23b)는, 예를 들어 얼라인먼트 광원(23a)과 얼라인먼트 마크(31 및 32)의 사이에 배치된 하프 미러를 통하여, 얼라인먼트 마크(31 및 32)에 조사되는 광의 일부를 추출하고, 그 조도를 계측한다.Moreover, as shown in FIG. 2, the alignment scope 23 includes the measurement part 23b which measures the illuminance of the light irradiated to the alignment marks 31 and 32 from the alignment light source 23a. The measurement part 23b extracts a part of the light irradiated to the alignment marks 31 and 32 through the half mirror arrange|positioned between the alignment light source 23a and the alignment marks 31 and 32, for example, The illuminance to measure

도 3의 (a) 내지 (d)를 참조하여, 얼라인먼트 마크(31 및 32)로부터의 회절광에 의한 무아레의 발생 원리 및 이러한 무아레를 사용한 얼라인먼트 마크(31)(몰드(11))와 얼라인먼트 마크(32)(기판(1))의 상대 위치의 검출을 설명한다. 도 3의 (a) 및 (b)에 나타내는 마크(격자 패턴)는 계측 방향의 격자 피치가 서로 약간 상이하다. 예를 들어, 도 3의 (a)에 나타내는 마크는, 얼라인먼트 마크(31)로서 사용되고, 도 3의 (b)에 나타내는 마크는, 얼라인먼트 마크(32)로서 사용된다. 도 3의 (a)에 나타내는 얼라인먼트 마크(31)와 도 3의 (b)에 나타내는 얼라인먼트 마크(32)를 겹치면, 얼라인먼트 마크(31 및 32)로부터의 회절광이 중첩됨으로써, 도 3의 (c)에 나타내는 바와 같이, 격자 피치의 차를 반영한 주기를 갖는 무아레가 발생한다. 무아레는, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대 위치에 의해 명암의 위치(무아레 무늬의 위상)가 변화한다. 예를 들어, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대 위치가 X 방향으로 약간 변화하면, 도 3의 (c)에 나타내는 무아레는, 도 3의 (d)에 나타내는 무아레로 변화한다. 이와 같이, 무아레는, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대적인 위치 어긋남양을 확대하고, 큰 주기의 줄무늬로서 발생한다. 따라서, 얼라인먼트 스코프(23)의 해상력이 낮아도, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)의 상대 위치를 고정밀도로 검출할 수 있다.3A to 3D, the principle of generating moire by diffracted light from the alignment marks 31 and 32 and the alignment mark 31 (mold 11) and the alignment mark using such moire Detection of the relative position of (32) (substrate 1) will be described. The marks (lattice patterns) shown in FIGS. 3A and 3B have slightly different lattice pitches in the measurement direction. For example, the mark shown in FIG.3(a) is used as the alignment mark 31, and the mark shown in FIG.3(b) is used as the alignment mark 32. As shown in FIG. When the alignment mark 31 shown in Fig. 3(a) and the alignment mark 32 shown in Fig. 3(b) are overlapped, the diffracted light from the alignment marks 31 and 32 is superimposed, which is shown in Fig. 3(c). ), moire having a period reflecting the difference in grating pitches is generated. In the case of moire, the position of light and dark (phase of moire pattern) changes depending on the relative position of the alignment mark 31 and the alignment mark 32 . For example, when the relative position of the alignment mark 31 and the alignment mark 32 slightly changes in the X direction, the moire shown in Fig. 3C changes to the moire shown in Fig. 3D. In this way, the moire enlarges the amount of relative positional shift between the alignment mark 31 and the alignment mark 32, and is generated as a stripe with a large period. Therefore, even if the resolution of the alignment scope 23 is low, the relative position of the alignment mark 31 and the alignment mark 32 can be detected with high accuracy.

도 4는, 도 3의 (a)에 나타내는 얼라인먼트 마크(31)의 확대 단면도이다. 얼라인먼트 마크(31)는 격자 패턴으로 구성되고, 몰드(11)의 표면에 대하여 오목 형상이 되는 복수의 홈(41)으로서 형성된다. 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트에 있어서, 몰드(11)와 기판 상의 임프린트재가 접촉하면, 몰드(11)와 임프린트재의 사이의 굴절률 차가 작기 때문에, 얼라인먼트 마크(31)를 검출(관찰)하는 것이 곤란해진다. 그래서, 얼라인먼트 마크(31)(무아레)를 검출할 수 있도록 하기 위해서, 얼라인먼트 마크(31)에는, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터 얼라인먼트 마크(31)로 조사되는 광을 반사하기 위한 반사층(42)이 형성되어 있다. 본 실시 형태에서는, 복수의 홈(41) 각각의 저부에, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광을 반사하는 재료로 이루어지는 반사층(42)을 설치하고 있다. 반사층(42)은 몰드(11)를 제조할 때에, 원자층 퇴적법이나 이온 임플란테이션법 등에 의해 형성되고, 반사층(42)이 복수의 홈(41) 각각의 저부에만 잔존하도록 에칭된다.Fig. 4 is an enlarged cross-sectional view of the alignment mark 31 shown in Fig. 3A. The alignment marks 31 are configured in a grid pattern and are formed as a plurality of grooves 41 concave with respect to the surface of the mold 11 . In the alignment of the substrate 1 and the mold 11, when the mold 11 and the imprint material on the substrate come into contact, the difference in refractive index between the mold 11 and the imprint material is small, so the alignment mark 31 is detected (observed) it becomes difficult to do Therefore, in order to be able to detect the alignment mark 31 (moire), a reflective layer 42 for reflecting the light irradiated from the alignment light source 23a to the alignment mark 31 is formed on the alignment mark 31 . has been In the present embodiment, a reflective layer 42 made of a material that reflects light from the alignment light source 23a is provided at the bottom of each of the plurality of grooves 41 . When the mold 11 is manufactured, the reflective layer 42 is formed by an atomic layer deposition method, an ion implantation method, or the like, and is etched so that the reflective layer 42 remains only at the bottom of each of the plurality of grooves 41 .

임프린트 장치(100)에서는, 기판 상의 임프린트재와 몰드(11)가 접촉하기 때문에, 기판(1)과 몰드(11)의 사이의 공간에 존재하는 이물이 끼이는 경우가 있다. 또한, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(11)를 분리할 때에는, 이러한 임프린트재의 일부가 기판(1)으로부터 박리되어, 몰드(11)에 부착되는 경우가 있다. 몰드(11)에의 이물이나 임프린트재의 부착은, 그 이후의 임프린트 처리에 있어서, 기판 상에 형성되는 패턴에 영향을 준다.In the imprint apparatus 100 , since the imprint material on the substrate and the mold 11 come into contact with each other, foreign substances existing in the space between the substrate 1 and the mold 11 may be caught. In addition, when the mold 11 is separated from the cured imprint material on the substrate, a part of the imprint material is peeled off from the substrate 1 and adheres to the mold 11 in some cases. The adhesion of the foreign material or imprint material to the mold 11 affects the pattern formed on the board|substrate in the imprint process after that.

그래서, 이물이나 임프린트재가 부착된 몰드(11)는 임프린트 장치(100)로부터 반출되어, 이러한 몰드(11)의 세정이 행하여진다. 몰드(11)의 세정은, SPM이라고 불리는 용제를 사용한 웨트 세정이나 플라스마를 사용한 드라이 세정을 포함한다.Then, the mold 11 to which the foreign material or imprint material adhered is taken out from the imprint apparatus 100, and this mold 11 is cleaned. The cleaning of the mold 11 includes wet cleaning using a solvent called SPM and dry cleaning using plasma.

몰드(11)의 세정은, 몰드(11)에 부착된 이물이나 임프린트재와 반사층(42)을 구별하지 않고 행하여진다. 따라서, 몰드(11)를 세정함으로써, 몰드(11)에 부착된 이물이나 임프린트재와 함께, 반사층(42)도 세정되기 때문에, 반사층(42)의 두께가 얇아지거나, 반사층(42)이 부분적 또는 전체적으로 제거되거나 한다. 이러한 경우, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)를 중첩함으로써 얻어지는 무아레의 강도(명암)가 약해진다. 또한, 반사층(42)의 대부분이 제거되었을 경우에는, 얼라인먼트 마크(31)와 얼라인먼트 마크(32)를 중첩해도 무아레를 얻을 수 없게 된다. 이 때문에, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성되는 얼라인먼트 신호의 강도가 낮아진다. 구체적으로는, 몰드(11)를 세정하기 전에는, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같은 얼라인먼트 신호가 얼라인먼트 스코프(23)에서 얻어지지만, 몰드(11)를 세정함에 따라서, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같은 얼라인먼트 신호가 얼라인먼트 스코프(23)에서 얻어진다. 도 6의 (a) 및 (b)에서는, 종축은, 얼라인먼트 신호의 강도를 나타내고, 횡축은, 얼라인먼트 마크(31 및 32)의 계측 방향의 위치를 나타내고 있다. 따라서, 얼라인먼트 마크(31 및 32)로부터 발생하는 노이즈나 주변부로부터의 노이즈의 영향이 상대적으로 커지고, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 저하되기 때문에, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트를 정상적으로 행할 수 없다. 얼라인먼트가 정상적으로 행하여지지 않게 되면, 기판 상에 형성된 패턴(하지)과, 몰드(11)로부터 전사되는 패턴을 정확하게 중첩시킬 수 없기 때문에, 그 영역은 디바이스로서 정상적으로 동작하지 않고, 수율이 저하되어 버린다. 또한, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 얻어지지 않는 경우에는, 임프린트 처리를 정지하고, 유저의 지시를 기다리게 되기 때문에, 생산성을 저하시키는 요인이 된다.The cleaning of the mold 11 is performed without distinguishing between the foreign material adhering to the mold 11 or the imprint material and the reflective layer 42 . Therefore, by cleaning the mold 11, the reflective layer 42 is also cleaned together with foreign matter or imprint material adhering to the mold 11, so that the thickness of the reflective layer 42 is reduced, or the reflective layer 42 is partially or or removed entirely. In this case, the intensity (contrast) of the moire obtained by overlapping the alignment mark 31 and the alignment mark 32 becomes weak. In addition, when most of the reflective layer 42 is removed, even if the alignment mark 31 and the alignment mark 32 are overlapped, moire cannot be obtained. For this reason, the intensity|strength of the alignment signal generated by the alignment scope 23 becomes low. Specifically, before cleaning the mold 11, an alignment signal as shown in Fig. 6(a) is obtained from the alignment scope 23, but as the mold 11 is cleaned, Fig. 6(b) An alignment signal as shown in is obtained by the alignment scope 23 . In FIGS. 6A and 6B , the vertical axis indicates the intensity of the alignment signal, and the horizontal axis indicates the positions of the alignment marks 31 and 32 in the measurement direction. Therefore, the influence of noise generated from the alignment marks 31 and 32 and noise from the peripheral portion is relatively large, and the contrast of the alignment signal is lowered, so that the alignment of the substrate 1 and the mold 11 cannot be performed normally. . If the alignment is not performed normally, the pattern (substrate) formed on the substrate and the pattern transferred from the mold 11 cannot be accurately overlapped, so that the region does not operate normally as a device, and the yield decreases. In addition, when the contrast of the alignment signal is not obtained, the imprint process is stopped and the user's instruction is awaited, which causes a decrease in productivity.

여기서, 기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트가 정상적으로 행해지도록, 얼라인먼트 마크(31)에 반사층(42)을 재형성하는 것이 고려된다. 단, 이 경우, 몰드(11)를 제조할 때에 행하는 처리를 다시 행하게 되기 때문에, 시간이나 비용의 관점에서 현실적이지 않다. 따라서, 얼라인먼트를 정상적으로 행하는 것이 불가능하게 된 몰드(11)는, 이러한 몰드(11)의 사용 가능 기간(수명)을 초과했다고 보고 파기되게 된다.Here, it is considered to re-form the reflective layer 42 on the alignment mark 31 so that the alignment of the substrate 1 and the mold 11 is performed normally. However, in this case, since the process performed when manufacturing the mold 11 is performed again, it is not realistic from a viewpoint of time or cost. Accordingly, the mold 11 that has become impossible to perform alignment normally is discarded as it is deemed that the usable period (lifetime) of the mold 11 has been exceeded.

그래서, 본 실시 형태에서는, 제어부(CN)는, 얼라인먼트가 정상적으로 행하여지지 않게 되면, 구체적으로는, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 역치보다도 저하되면, 몰드(11)가 사용 가능 기간을 초과했다고 결정한다. 이러한 역치는, 임프린트 장치(100)로 제조하는 디바이스 등에 따라 임의로 설정하는 것이 가능하며, 구체적으로 규정하는 것은 아니다. 예를 들어, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성된 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 근소할 경우에는, 몰드(11)가 사용 가능 기간을 초과했다고는 결정하지 않고, 이러한 몰드(11)의 사용을 계속해도 된다. 또한, 수율에 대한 영향을 고려하여, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 초기의 콘트라스트의 10％ 이하로 되면, 몰드(11)가 사용 가능 기간을 초과했다고 결정해도 된다.Therefore, in the present embodiment, when the alignment is not performed normally, the control unit CN, specifically, when the contrast of the alignment signal generated by the alignment scope 23 is lower than the threshold value, the mold 11 can be used decide that the time limit has been exceeded. Such a threshold can be arbitrarily set according to a device manufactured by the imprint apparatus 100 , and is not specifically defined. For example, when the contrast of the alignment signal generated by the alignment scope 23 is small, the use of the mold 11 may be continued without determining that the mold 11 has exceeded the usable period. In addition, in consideration of the effect on the yield, when the contrast of the alignment signal becomes 10% or less of the initial contrast, it may be determined that the mold 11 has exceeded the usable period.

또한, 제어부(CN)는, 얼라인먼트가 정상적으로 행하여지지 않게 되기 전에, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 결정(예측)할 수도 있다. 도 5는, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성된 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와, 몰드(11)의 세정 횟수의 관계의 일례를 나태내는 도면이다. 도 5에서는, 몰드(11)를 세정한 후, 이러한 몰드(11)에 대하여 얼라인먼트 스코프(23)에서 최초로 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트를 추출하여 플롯하고 있다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트를 몇점 플롯하면, 그 플롯 결과로부터, 몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 나타내는 근사 직선(51)을 구할 수 있다. 근사 직선(51)이 얻어지면, 예를 들어 몰드(11)를 28회 세정하면, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 제로가 되는 것을 알 수 있다. 따라서, 몰드(11)를 앞으로 몇번 세정하면 몰드(11)의 사용 가능 기한을 초과하게 될지를 예측하거나, 몰드(11)의 세정 빈도와 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여 몰드(11)가 사용 가능 기한을 초과하는 시기를 예측하거나 할 수 있다. 이와 같이, 제어부(CN)는, 몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 결정할 수 있다.In addition, the control unit CN may determine (predict) the usable period of the mold 11 based on the contrast change of the alignment signal before the alignment is not performed normally. 5 : is a figure which shows an example of the relationship between the contrast of the alignment signal produced|generated by the alignment scope 23, and the frequency|count of washing|cleaning of the mold 11. As shown in FIG. In FIG. 5, after cleaning the mold 11, the contrast of the alignment signal initially generated by the alignment scope 23 with respect to the mold 11 is extracted and plotted. As shown in Fig. 5, when the contrast of the alignment signal is plotted at several points, an approximate straight line 51 representing the change in contrast of the alignment signal with respect to the number of times of cleaning of the mold 11 can be obtained from the plot result. When the approximate straight line 51 is obtained, for example, when the mold 11 is cleaned 28 times, it turns out that the contrast of an alignment signal becomes zero. Therefore, it is possible to predict how many times the mold 11 will be cleaned in the future to exceed the usable life of the mold 11, or based on the cleaning frequency of the mold 11 and the change in the contrast of the alignment signal, the mold 11 can be used It is possible to predict or do when the deadline is exceeded. As such, the control unit CN may determine the usable period of the mold 11 based on a change in contrast of the alignment signal with respect to the number of times of cleaning the mold 11 .

몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 나타내는 근사 직선(51)을 구하는 방법에 대하여 설명한다. 제어부(CN)는, 얼라인먼트 스코프(23)가 얼라인먼트 신호를 생성하면, 이러한 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 기억부(SU)에 기억시킨다. 여기서, 얼라인먼트 신호에 관한 정보는, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 및 얼라인먼트 신호의 파형 중 적어도 한쪽을 포함하고, 몰드(11)를 세정한 후에 최초로 생성된 제1 얼라인먼트 신호인지 여부를 나타내는 세정 정보와 관련지어져 있다. 그리고, 제어부(CN)는, 세정 정보에 기초하여, 기억부(SU)에 기억된 얼라인먼트 신호에 관한 정보로부터 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 추출해, 이러한 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보로부터 제1 얼라인먼트 신호의 콘트라스트를 구한다. 이에 의해, 도 5에 나타낸 바와 같은 몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 나타내는 근사 직선(51)을 구할 수 있다.The method of obtaining the approximate straight line 51 which shows the contrast change of the alignment signal with respect to the washing|cleaning frequency of the mold 11 is demonstrated. When the alignment scope 23 generates an alignment signal, the control unit CN causes the storage unit SU to store information regarding the alignment signal. Here, the information on the alignment signal includes at least one of the contrast of the alignment signal and the waveform of the alignment signal, and is related to cleaning information indicating whether it is the first alignment signal generated first after cleaning the mold 11. . Then, based on the cleaning information, the control unit CN extracts the information regarding the first alignment signal from the information regarding the alignment signal stored in the storage unit SU, and the first alignment from the information regarding the first alignment signal. Find the contrast of the signal. Thereby, the approximate straight line 51 which shows the contrast change of the alignment signal with respect to the washing|cleaning frequency of the mold 11 as shown in FIG. 5 can be calculated|required.

또한, 제어부(CN)는, 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성되는 얼라인먼트 신호 모두에 대해서, 이러한 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 기억부(SU)에 기억시키는 것이 아니라, 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보만을 기억부(SU)에 기억시켜도 된다. 이 경우, 제어부(CN)는, 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 추출하지 않고, 기억부(SU)에 기억된 제1 얼라인먼트 신호로부터 제1 얼라인먼트 신호의 콘트라스트를 구할 수 있다. 따라서, 도 5에 나타낸 바와 같은 몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 나타내는 근사 직선(51)을 구할 수 있다.In addition, with respect to all the alignment signals generated by the alignment scope 23, the control unit CN does not store the information regarding the alignment signal in the storage unit SU, but only the information regarding the first alignment signal is stored in the storage unit. (SU) may be memorized. In this case, the control part CN can calculate|require the contrast of the 1st alignment signal from the 1st alignment signal memorize|stored in the memory|storage part SU, without extracting the information regarding the 1st alignment signal. Accordingly, an approximate straight line 51 representing a change in contrast of the alignment signal with respect to the number of times of cleaning of the mold 11 as shown in FIG. 5 can be obtained.

본 실시 형태에서는, 몰드(11)의 세정 횟수와 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화의 관계가 근사 직선(51)으로 나타나는 경우에 대하여 설명하였다. 단, 반사층(42)은 그 재료나 표면 코팅 등에 의존하여 몰드(11)의 세정에 대한 내성이 바뀌기 때문에, 몰드(11)의 세정 횟수와 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화의 관계가 곡선(근사 곡선)이 될 경우도 있다. 이러한 경우에는, 몰드(11)의 세정 횟수와 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화의 관계가 직선인 경우보다도 많은 플롯이 필요하게 되지만, 상술한 바와 마찬가지로 하여 근사 곡선을 구할 수 있다. 따라서, 몰드(11)의 세정 횟수에 대한 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 나타내는 근사 곡선에 기초하여, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 결정할 수 있다.In this embodiment, the case where the relationship between the number of times of cleaning of the mold 11 and the contrast change of an alignment signal is represented by the approximate straight line 51 has been demonstrated. However, since the reflective layer 42 has different resistance to cleaning of the mold 11 depending on the material, surface coating, etc., the relationship between the number of times of cleaning of the mold 11 and the contrast change of the alignment signal is a curve (approximate curve) It may be. In this case, more plots are required than when the relationship between the number of times of cleaning of the mold 11 and the contrast change of the alignment signal is a straight line, but an approximate curve can be obtained in the same manner as described above. Accordingly, the usable period of the mold 11 can be determined based on an approximate curve representing a change in contrast of the alignment signal with respect to the number of cleaning times of the mold 11 .

또한, 반사층(42)의 재료나 표면 코팅이 과거와 동일한 경우에는, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트를 플롯하여 근사 곡선을 구하는 대신, 과거에서의 실제 플롯에 의한 근사 곡선을 사용해도 된다. 이에 의해, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 보다 정확하게 결정할 수 있다. 이것은, 반사층(42)의 재료나 표면 코팅이 동일하면, 반사층(42)의 두께에 따라서 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화의 개시점은 상이하지만, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화는 마찬가지이라는 경험적 법칙을 이용하고 있다.In addition, when the material or surface coating of the reflective layer 42 is the same as in the past, instead of obtaining an approximate curve by plotting the contrast of the alignment signal, an approximate curve based on an actual plot in the past may be used. Thereby, the usable period of the mold 11 can be determined more accurately. This uses the empirical rule that if the material and surface coating of the reflective layer 42 are the same, the starting point of the contrast change of the alignment signal is different depending on the thickness of the reflective layer 42, but the contrast change of the alignment signal is the same.

또한, 임프린트 장치(100)에서는, 일반적으로, 복수의 몰드(11)가 교환 가능하게 사용되고 있다. 따라서, 제어부(CN)는, 복수의 몰드(11) 각각에 대해서, 그 사용 가능 기간을 결정하면 된다. 복수의 몰드(11) 각각에는, 개개의 몰드(11)를 식별하기 위한 식별자(바코드 등)가 형성되어 있다. 따라서, 몰드 척(12)에 몰드(11)를 보유 지지시키기 전에, 이러한 몰드(11)의 식별자를 검출함으로써, 복수의 몰드(11) 중, 어느 몰드(11)가 몰드 척(12)에 보유 지지되었는지를 판별할 수 있다. 이에 의해, 제어부(CN)는, 몰드(11) 마다, 그 사용 가능 기간을 결정하는 것이 가능하다.In addition, in the imprint apparatus 100, generally, the some mold 11 is used interchangeably. Therefore, the control unit CN may determine the usable period for each of the plurality of molds 11 . In each of the plurality of molds 11, an identifier (bar code, etc.) for identifying each mold 11 is formed. Therefore, before holding the mold 11 on the mold chuck 12 , by detecting the identifier of the mold 11 , which mold 11 is held by the mold chuck 12 , among the plurality of molds 11 . It can be determined whether it is supported or not. Thereby, the control unit CN can determine the usable period for each mold 11 .

얼라인먼트 신호의 콘트라스트는, 몰드(11)의 얼라인먼트 마크(31)에 형성된 반사층(42)의 상태뿐만 아니라, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터 얼라인먼트 마크(31 및 32)에 조사되는 광의 조도의 영향도 받는다. 얼라인먼트 광원(23a)은, 예를 들어 할로겐 램프 또는 메탈 할라이드 램프를 포함한다.The contrast of the alignment signal is influenced not only by the state of the reflective layer 42 formed on the alignment mark 31 of the mold 11 , but also by the illuminance of the light irradiated from the alignment light source 23a to the alignment marks 31 and 32 . The alignment light source 23a includes, for example, a halogen lamp or a metal halide lamp.

얼라인먼트 광원(23a)으로부터 얼라인먼트 마크(31 및 32)에 조사되는 광은, 도 7에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 광원(23a)의 점등 시간에 따라, 그 조도가 저하(변화)된다. 도 7에서는, 종축은, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도를 나타내고, 횡축은, 얼라인먼트 광원(23a)의 점등시간을 나타내고 있다. 또한, 도 7에서는, 계측부(23b)가 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도를 일정시간 간격으로 계측한 결과를 플롯하고 있다.As for the light irradiated to the alignment marks 31 and 32 from the alignment light source 23a, as shown in FIG. 7, the illumination intensity falls (changes) according to the lighting time of the alignment light source 23a. In FIG. 7, the vertical axis|shaft has shown the illuminance of the light from the alignment light source 23a, and the horizontal axis has shown the lighting time of the alignment light source 23a. In addition, in FIG. 7, the measurement part 23b is plotting the result which measured the illuminance of the light from the alignment light source 23a at fixed time intervals.

기판(1)과 몰드(11)의 얼라인먼트에 필요한 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도는, 일반적으로, 초기의 조도를 100％로 한 경우, 초기의 조도로부터 70％까지의 저하라면 허용된다. 단, 몰드(11)의 사용 가능 기간을 정확하게 결정하기 위해서는, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화로부터 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화분을 제거할 필요가 있다.The illuminance of the light from the alignment light source 23a required for alignment of the substrate 1 and the mold 11 is generally acceptable as long as it is a decrease from the initial illuminance to 70% when the initial illuminance is 100%. However, in order to accurately determine the usable period of the mold 11, it is necessary to remove the change in illuminance of the light from the alignment light source 23a from the change in the contrast of the alignment signal.

얼라인먼트 광원(23a)의 점등 시간 및 조도(의 변화)는 일반적으로, 얼라인먼트 광원(23a)의 교환 시기를 예측하기 위해서, 기억부(SU)에 기억되어 있다. 예를 들어, 얼라인먼트를 개시하기 전에, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도를 계측부(23b)에서 계측하여 조광 처리가 행하여진다. 이러한 조광 처리를 행하기 전에 계측부(23b)에서 계측한 조도가 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도이다. 제어부(CN)는, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도가 적정 범위인지, 얼라인먼트 광원(23a)의 점등 시간이 적정 범위인지를 판정하고, 얼라인먼트 광원(23a)의 열화도나 교환 시기를 결정한다. 따라서, 기억부(SU)에 기억된 조도를 사용함으로써, 제어부(CN)는, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트로부터, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화가 얼라인먼트 신호의 콘트라스트에 미치는 영향을 제거하는 것이 가능하다.In general, the lighting time of the alignment light source 23a and the (change of) illuminance are stored in the storage unit SU in order to predict the replacement time of the alignment light source 23a. For example, before starting alignment, the illuminance of the light from the alignment light source 23a is measured by the measurement part 23b, and a dimming process is performed. The illuminance measured by the measurement part 23b before performing such a light control process is the illuminance of the light from the alignment light source 23a. The control unit CN determines whether the illuminance of the light from the alignment light source 23a is within an appropriate range or whether the lighting time of the alignment light source 23a is within an appropriate range, and determines the degree of deterioration and replacement timing of the alignment light source 23a. Therefore, by using the illuminance stored in the storage unit SU, the control unit CN removes the influence of the change in illuminance of the light from the alignment light source 23a on the contrast of the alignment signal from the contrast of the alignment signal. possible.

얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화가 얼라인먼트 신호의 콘트라스트에 미치는 영향은, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터 얼라인먼트 마크(31 및 32)에 조사된 광의 조도의 변화와 미리 정해진 계수의 곱으로서 구해진다. 이러한 계수는, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 광로에 배치된 광학 부품의 특성이나 얼라인먼트 광원(23a)과 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 실제로 계측함으로써 구해진다. 따라서, 제어부(CN)는, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화와 미리 정해진 계수의 곱을 얼라인먼트 신호의 콘트라스트로부터 차감함으로써 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화가 얼라인먼트 신호의 콘트라스트에 미치는 영향을 제거한다. 이와 같이, 얼라인먼트 광원(23a)으로부터의 광의 조도의 변화의 영향이 제거된 콘트라스트의 변화를 사용함으로써 몰드(11)의 사용 가능 기한을 보다 정확하게 결정할 수 있다.The influence of the change in the illuminance of the light from the alignment light source 23a on the contrast of the alignment signal is obtained as the product of the change in the illuminance of the light irradiated from the alignment light source 23a to the alignment marks 31 and 32 and a predetermined coefficient. . Such a coefficient is calculated|required by actually measuring the characteristic of the optical component arrange|positioned in the optical path of the light from the alignment light source 23a, and the contrast change of the alignment light source 23a and an alignment signal. Accordingly, the control unit CN subtracts the product of the change in illuminance of the light from the alignment light source 23a and a predetermined coefficient from the contrast of the alignment signal, so that the change in the illuminance of the light from the alignment light source 23a affects the contrast of the alignment signal. remove the influence In this way, the usable period of the mold 11 can be more accurately determined by using the change in contrast from which the influence of the change in illuminance of the light from the alignment light source 23a is removed.

또한, 몰드(11)의 세정은, 상술한 바와 같이, 웨트 세정이나 드라이 세정을 포함한다. 웨트 세정은, 용제에 의해 세정성이 변화하고, 드라이 세정은, 가스에 의해 세정성이 변한다. 웨트 세정 및 드라이 세정은, 몰드(11)의 상태에 따라서 선택적으로 사용된다. 이때, 몰드(11)를 웨트 세정해야 하는데도 몰드(11)를 드라이 세정해버리거나, 몰드(11)를 드라이 세정해야 하는데도 몰드(11)를 웨트 세정해버리거나 하는 경우가 있다. 본 실시 형태에서는, 이러한 몰드(11)의 세정의 이상을 검지하는 것이 가능하다.In addition, the cleaning of the mold 11 includes wet cleaning and dry cleaning as described above. In wet cleaning, the cleaning property is changed by the solvent, and in dry cleaning, the cleaning property is changed by the gas. Wet cleaning and dry cleaning are selectively used depending on the state of the mold 11 . At this time, the mold 11 may be dry cleaned even when the mold 11 should be wet cleaned, or the mold 11 may be wet cleaned even though the mold 11 should be dry cleaned. In this embodiment, it is possible to detect such an abnormality in cleaning of the mold 11 .

예를 들어, 몰드(11)를 세정하기 전에 얻어지는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와, 몰드(11)를 웨트 세정한 후에 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성된 얼라인먼트 신호의 콘트라스트의 차분(변화율)은 거의 일정하다. 마찬가지로, 몰드(11)를 세정하기 전에 얻어지는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와, 몰드(11)를 드라이 세정한 후에 얼라인먼트 스코프(23)에서 생성된 얼라인먼트 신호의 콘트라스트의 차분(변화율)은 거의 일정하다. 단, 몰드(11)를 웨트 세정할 경우와 몰드(11)를 드라이 세정할 경우에는, 그 세정의 전후의 얼라인먼트 신호의 차분이 상이하다. 일반적으로는, 웨트 세정에 의한 얼라인먼트 신호의 차분쪽이 드라이 세정에 의한 얼라인먼트 신호의 차분보다도 크다. 즉, 웨트 세정쪽이 드라이 세정보다도 세정력이 강하다. 따라서, 몰드(11)를 웨트 세정할 경우 및 몰드(11)를 드라이 세정할 경우 각각에 대하여 그 세정의 전후의 얼라인먼트 신호의 차분을 미리 구한다. 이에 의해, 제어부(CN)는, 몰드(11)를 세정하기 전의 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와, 몰드(11)를 세정한 후의 얼라인먼트 신호의 콘트라스트의 차분에 기초하여, 몰드(11)의 세정의 이상(몰드(11)의 세정 방식)을 검지하는 것이 가능하게 된다. 또한, 제어부(CN)는, 몰드(11)의 세정의 이상을 검지한 경우에는, 임프린트 장치(100)에 구비된 표시부 등을 통하여, 이러한 이상을 유저에게 통지하면 된다.For example, the difference (rate of change) between the contrast of the alignment signal obtained before cleaning the mold 11 and the contrast of the alignment signal generated by the alignment scope 23 after wet cleaning the mold 11 is almost constant. Similarly, the difference (rate of change) between the contrast of the alignment signal obtained before cleaning the mold 11 and the contrast of the alignment signal generated by the alignment scope 23 after dry cleaning the mold 11 is almost constant. However, the difference between the alignment signals before and after the cleaning is different between the wet cleaning of the mold 11 and the dry cleaning of the mold 11 . In general, the difference between the alignment signals by wet cleaning is larger than the difference in the alignment signals by dry cleaning. That is, wet cleaning has a stronger cleaning power than dry cleaning. Accordingly, the difference between the alignment signals before and after the cleaning is calculated in advance for the wet cleaning of the mold 11 and the dry cleaning of the mold 11 . Thereby, the control unit CN controls the abnormality of cleaning of the mold 11 ( It becomes possible to detect the cleaning method of the mold 11). In addition, when detecting an abnormality in the cleaning of the mold 11 , the control unit CN may notify the user of such abnormality through a display unit or the like provided in the imprint apparatus 100 .

또한, 본 실시 형태에서는, 몰드(11)의 세정의 이상으로서, 몰드(11)의 세정 방식의 오류를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 몰드(11)의 세정의 이상은, 예를 들어 몰드(11)의 세정 중에 의도치 않게 반사층(42)이 제거되었을 경우나 몰드(11)가 의도한 대로 세정되지 않은 경우 등도 포함한다. 이러한 경우에는, 몰드(11)의 세정 전후에 있어서, 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 크게 변화하거나, 거의 변화하지 않거나 하기 때문에, 상술한 것과 마찬가지로 하여, 몰드(11)의 이상으로서 검지하는 것이 가능하다.In addition, although the error of the cleaning method of the mold 11 was mentioned as an example and demonstrated as an abnormality of the cleaning of the mold 11 in this embodiment, it is not limited to this. The abnormal cleaning of the mold 11 includes, for example, a case where the reflective layer 42 is unintentionally removed during cleaning of the mold 11 or a case where the mold 11 is not cleaned as intended. In this case, before and after the cleaning of the mold 11 , the contrast of the alignment signal changes largely or hardly changes, so it is possible to detect an abnormality of the mold 11 in the same manner as described above.

임프린트 장치(100)를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 또는, 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로, 사용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는, 형틀 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM 등의 휘발성 또는 불휘발성 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA 등의 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형틀로서는, 임프린트용 몰드 등을 들 수 있다.The pattern of the cured product formed by using the imprint apparatus 100 is permanently used for at least a part of various articles or temporarily when various articles are manufactured. The article is an electric circuit element, optical element, MEMS, recording element, sensor, or mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. As a formwork, the mold for imprints, etc. are mentioned.

경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 또는, 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article described above, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the substrate, the resist mask is removed.

이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의해, 피가공재의 표면에 임프린트재를 부여한다. 여기에서는, 복수의 액적 형상으로 된 임프린트재가 기판 상에 부여된 모습을 나타내고 있다.Next, a specific manufacturing method of the article will be described. As shown in Fig. 8(a), a substrate 1 such as a silicon wafer on which a work material such as an insulator is formed on the surface is prepared, and then, an imprint material is applied to the surface of the work material by an inkjet method or the like. . Here, an imprint material in the form of a plurality of droplets is provided on the substrate.

도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 임프린트용 몰드(11)를 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재를 향해, 대향시킨다. 도 8의 (c)에 나타낸 바와 같이, 임프린트재가 부여된 기판(1)과 몰드(11)를 접촉시켜, 압력을 가한다. 임프린트재는, 몰드(11)와 피가공재의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 몰드(11)를 통하여 조사하면, 임프린트재는 경화된다.As shown in Fig. 8(b) , the imprint mold 11 faces the side on which the concave-convex pattern is formed toward the imprint material on the substrate. As shown in Fig. 8(c), the substrate 1 to which the imprint material has been applied is brought into contact with the mold 11, and pressure is applied thereto. The imprint material is filled in the gap between the mold 11 and the material to be processed. When light is irradiated through the mold 11 as curing energy in this state, the imprint material is cured.

도 8의 (d)에 나타낸 바와 같이, 임프린트재를 경화시킨 후, 몰드(11)와 기판(1)을 분리하면, 기판 상에 임프린트재의 경화물 패턴이 형성된다. 이 경화물의 패턴은, 몰드(11)의 오목부가 경화물의 볼록부에, 몰드(11)의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있으며, 즉, 임프린트재에 몰드(11)의 요철 패턴이 전사되게 된다.As shown in FIG. 8D , after the imprint material is cured, the mold 11 and the substrate 1 are separated to form a cured product pattern of the imprint material on the substrate. The pattern of the cured product has a shape in which the concave portion of the mold 11 corresponds to the convex portion of the cured product and the convex portion of the mold 11 corresponds to the concave portion of the cured product, that is, the concave-convex pattern of the mold 11 on the imprint material. this will be fought

도 8의 (e)에 나타낸 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로 해서 에칭을 행하면, 피가공재의 표면 중, 경화물이 없거나, 또는, 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈이 된다. 도 8의 (f)에 나타낸 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는, 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.As shown in Fig. 8(e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an etching-resistant mask, there is no cured product or a thinly remaining portion is removed from the surface of the workpiece to form a groove. As shown in Fig. 8(f), when the pattern of the cured product is removed, an article having grooves formed on the surface of the material to be processed can be obtained. Here, although the pattern of the cured product is removed, it may be used as a structural member of an interlayer insulating film included in, for example, a semiconductor element or the like, ie, an article without removing the pattern even after processing.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 물론이고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다. 예를 들어, 본 실시 형태에서는, 무아레를 상정하고, 몰드 및 기판의 각각에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여 얼라인먼트 신호를 생성하는 경우에 대하여 설명했지만, 몰드에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여 얼라인먼트 신호를 생성해도 된다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not limited to these embodiment, Of course, various deformation|transformation and change are possible within the scope of the summary. For example, in the present embodiment, assuming moire, the case of generating an alignment signal by detecting light from a mark formed on each of the mold and the substrate has been described. A signal may be generated.

Claims (16)

몰드를 사용하여 기판 상에 조성물을 형성하는 임프린트 장치이며,
상기 몰드에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여, 상기 몰드와 상기 기판의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출부와,
상기 몰드의 세정 횟수에 대한 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 제어부를 갖고,
상기 몰드의 사용 가능 기간은, 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 미리 정해진 값 이상인 기간인 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.An imprint apparatus for forming a composition on a substrate using a mold,
an alignment detection unit that detects light from a mark formed on the mold and generates an alignment signal used for alignment of the mold and the substrate;
a control unit that determines a usable period of the mold based on a change in contrast of the alignment signal with respect to the number of times the mold is cleaned;
The usable period of the mold is a period in which the contrast of the alignment signal is equal to or greater than a predetermined value. 제1항에 있어서,
상기 얼라인먼트 검출부는, 상기 몰드 및 상기 기판의 각각에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여, 상기 얼라인먼트 신호를 생성하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
The alignment detection unit detects light from a mark formed on each of the mold and the substrate, and generates the alignment signal. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 몰드를 세정한 후에 해당 몰드에 대하여 상기 얼라인먼트 검출부에서 최초로 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화에 기초하여, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
The imprint apparatus, characterized in that the control unit determines the usable period of the mold based on a change in contrast of an alignment signal first generated by the alignment detection unit with respect to the mold after cleaning the mold. 제1항에 있어서,
상기 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 기억하는 기억부를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 기억부에 기억된 상기 얼라인먼트 신호에 관한 정보로부터, 상기 몰드를 세정한 후에 해당 몰드에 대하여 상기 얼라인먼트 검출부에서 최초로 생성되는 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 추출하고, 해당 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보로부터 상기 제1 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 구함으로써, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
Further comprising a storage unit for storing information about the alignment signal,
The control unit extracts, from the information about the alignment signal stored in the storage unit, information regarding a first alignment signal first generated by the alignment detection unit with respect to the mold after cleaning the mold, and the first alignment and determining a usable period of the mold by obtaining a change in contrast of the first alignment signal from information about the signal. 제1항에 있어서,
상기 몰드를 세정한 후에 해당 몰드에 대하여 상기 얼라인먼트 검출부에서 최초로 생성되는 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보를 기억하는 기억부를 더 갖고,
상기 제어부는, 상기 기억부에 기억된 상기 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보로부터 상기 제1 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 변화를 구함으로써, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
a storage unit for storing information about a first alignment signal first generated by the alignment detection unit with respect to the mold after cleaning the mold;
and the control unit determines the usable period of the mold by obtaining a change in contrast of the first alignment signal from information about the first alignment signal stored in the storage unit. 제5항에 있어서,
상기 제1 얼라인먼트 신호에 관한 정보는, 상기 제1 얼라인먼트 신호의 콘트라스트 및 상기 제1 얼라인먼트 신호의 파형 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.6. The method of claim 5,
The information on the first alignment signal includes at least one of a contrast of the first alignment signal and a waveform of the first alignment signal. 제1항에 있어서,
상기 얼라인먼트 검출부는, 상기 마크에 광을 조사하는 광원을 포함하고,
상기 제어부는, 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트로부터, 상기 광원으로부터 상기 마크에 조사된 광의 조도의 변화가 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트에 미치는 영향을 제거함으로써 얻어지는 콘트라스트 변화에 기초하여, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
The alignment detection unit includes a light source for irradiating light to the mark,
The control unit determines the usable period of the mold based on a contrast change obtained by removing an effect of a change in illuminance of light irradiated to the mark from the light source on the contrast of the alignment signal from the contrast of the alignment signal The imprint apparatus, characterized in that. 제8항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 영향으로서, 상기 광원으로부터 상기 마크에 조사된 광의 조도의 변화와 미리 정해진 계수의 곱을 구하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.9. The method of claim 8,
wherein the control unit obtains, as the influence, a product of a change in illuminance of light irradiated to the mark from the light source and a predetermined coefficient. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 몰드를 세정하기 전에 해당 몰드에 대하여 상기 얼라인먼트 검출부에서 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트와, 상기 몰드를 세정한 후에 해당 몰드에 대하여 상기 얼라인먼트 검출부에서 최초로 생성되는 얼라인먼트 신호의 콘트라스트의 차분에 기초하여, 상기 몰드의 세정의 이상을 검지하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
The control unit, before cleaning the mold, the contrast of the alignment signal generated by the alignment detection unit for the mold, and the difference between the contrast of the alignment signal first generated by the alignment detection unit for the mold after cleaning the mold based on the detection of an abnormality in the cleaning of the mold. 제10항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 몰드의 세정의 이상을 검지한 경우에, 해당 이상을 통지하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.11. The method of claim 10,
The control unit, when detecting an abnormality in the cleaning of the mold, notifies the abnormality. 제1항에 있어서,
상기 몰드에 형성된 마크에는, 해당 마크에 조사되는 광을 반사하기 위한 반사층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
An imprint apparatus, characterized in that a reflective layer for reflecting light irradiated to the mark is formed on the mark formed on the mold. 제1항에 있어서,
상기 제어부는, 상기 몰드마다, 상기 몰드의 사용 가능 기간을 결정하는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.According to claim 1,
The control unit, for each mold, the imprint apparatus, characterized in that determining the usable period of the mold. 물품의 제조 방법이며,
제1항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 조성물을 기판에 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 조성물이 형성된 상기 기판을 처리하는 공정과,
처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.A method of manufacturing an article,
A step of forming a composition on a substrate using the imprint apparatus according to claim 1;
a process of treating the substrate on which the composition is formed in the process;
A method of making an article, comprising a step of fabricating the article from the treated substrate. 몰드를 사용하여 기판 상에 조성물을 형성하는 임프린트 장치이며,
상기 몰드에 형성된 마크로부터의 광을 검출하여, 상기 몰드와 상기 기판의 얼라인먼트에 사용되는 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출부와,
적어도 1회의 세정이 행해진 상기 몰드에 형성된 상기 마크로부터의 광이 검출되어 생성된 상기 얼라인먼트 신호의 콘트라스트가 미리 정해진 값보다 큰 경우에 상기 몰드가 사용 가능하다고 결정하는 제어부를 갖는 것을 특징으로 하는, 임프린트 장치.An imprint apparatus for forming a composition on a substrate using a mold,
an alignment detection unit that detects light from a mark formed on the mold and generates an alignment signal used for alignment of the mold and the substrate;
and a control unit that determines that the mold is usable when light from the mark formed on the mold that has been cleaned at least once is detected and the contrast of the generated alignment signal is greater than a predetermined value. Device. 물품의 제조 방법이며,
제15항에 기재된 임프린트 장치를 사용하여 조성물을 기판에 형성하는 공정과,
상기 공정에서 상기 조성물이 형성된 상기 기판을 처리하는 공정과,
처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는, 물품의 제조 방법.A method of manufacturing an article,
A step of forming a composition on a substrate using the imprint apparatus according to claim 15;
a process of treating the substrate on which the composition is formed in the process;
A method of making an article, comprising a step of fabricating the article from the treated substrate.
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