KR102290890B1 - 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템 - Google Patents

반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두 개 이상의 소스로부터 공급된 서로 다른 온도의 쿨런트를 전자식 밸브로 혼합하여 설비에서 요구하는 다중의 공정 온도를 최소의 시간내에 맞추고 안정화시킴으로써 공정 효율화를 달성할 수 있도록 개선된 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 관한 것이다.

Description

반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템{Mixed chiller system used in semiconductor processing equipment}
본 발명은 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 두 개 이상의 소스로부터 공급된 서로 다른 온도의 쿨런트를 전자식 밸브로 혼합하여 설비에서 요구하는 다중의 공정 온도를 최소의 시간내에 맞추고 안정화시킴으로써 공정 효율화를 달성할 수 있도록 개선된 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 관한 것이다.
칠러는 반도체 소자의 제조공정에서 안정적인 공정제어를 위한 온도조절장치이다.
예컨대, 반도체 제조 공정에 있어서 온도제어는 필수적인 요소로서 챔버 내의 정전 척의 온도를 일정하게 유지하기 위해 상기 칠러가 사용된다.
이러한 칠러를 통해 열매체의 온도를 일정하게 유지시키는 방식은 소정 온도 구간에 대응하는 방식이다.
그런데, 최근 들어 반도체의 미세화 및 다층화 제조에 따라 특정 단위 구간 내에서도 온도를 가변할 필요가 생겼다.
이를 위해, 본 출원인은 [선행기술문헌]에 밝힌 바와 같이, 등록특허 제10-1739369호(2017.05.18.)를 통해 칠러의 온도 가변 기술을 확보한 바 있다.
종래에는 도 1의 예시와 같이, 콜드공급밸브(V1)와 콜드리턴밸브(V2)는 연동되며 저온의 쿨런트를 공급하고, 핫공급밸브(V3)와 핫리턴밸브(V4)는 서로 연동되며 고온의 쿨런트를 공급하는 밸브이다.
그리고, 상기 밸브들은 모두 제1온도센서(T1)의 온도에 따라 제어된다.
즉, 요구 온도가 하강할 경우 콜드공급밸브(V1)와 콜드리턴밸브(V2)가 열리고, 핫공급밸브(V3)와 핫리턴밸브(V4)는 닫혀 밸브혼합부(30)에서 혼합온도를 떨어뜨리고; 반대로 온도가 상승할 경우 핫공급밸브(V3)와 핫리턴밸브(V4)가 열리고, 콜드공급밸브(V1)와 콜드리턴밸브(V2)는 닫혀 온도를 상승시키도록 동작한다.
그런 다음, 전기모듈(TEM)이 제2온도센서(T2)의 온도를 최종 제어하여 설비(Main Tool)로 보내게 된다.
하지만, 이와 같은 구조에서는 밸브혼합부(30)와 최종 온도를 제어하는 제2온도센서(T2) 사이에 펌프(Pump)와 전기모듈(TEM)이 존재하고 있어 밸브 개도에 따른 초기 온도 반응속도가 느리다는 한계가 있다.
특히, 밸브들과 전기모듈(TEM)의 위치 차이에 의한 제어 갭이 발생하여 내부 방해요인이 되므로 온도 제어성능이 떨어지는 단점도 가진다.
또한, 저온부/고온부 밸브간의 PID 제어가 각각 제어되도록 구성되어 있기 때문에 내부 부하가 발생하고 커지는 단점도 있다.
이로 인해, 온도 조절 후 설정온도 ±0.5℃내로 안정화되기 위한 속도가 낮아 신속한 공정제어를 저해하는 요인이 되게 된다.
예컨대, 도 2의 그래프에서와 같이, 종래 칠러 시스템을 이용하여 25℃→65℃로 조절 후 65±0.5℃로 안정화되는 안정화 속도는 0.75℃/sec이고, 걸리는 시간은 53sec로 확인되었다.
또한, 65℃→25℃로 조절 후 25±0.5℃로 안정화되는 안정화 속도는 0.59℃/sec이고, 걸리는 시간은 67sec로 확인되었다.
하지만, 이럴 경우 너무 지연되어 공정손실이 발생하기 때문에 반도체 제조사에서는 안정화 속도를 2.0℃/sec 이상이 되게 요구하고 있지만, 종래 기술로는 이를 만족시킬 수가 없었다.
국내 등록특허 제10-1109730호(2012.01.18.), 반도체 공정용 칠러 장치 및 이의 온도제어 방법 국내 등록특허 제10-1739369호(2017.05.18.), 반도체 공정 설비용 온도 제어시스템
본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점들을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로, 두 개 이상의 소스로부터 공급된 서로 다른 온도의 쿨런트를 전자식 밸브로 혼합하여 설비에서 요구하는 다중의 공정 온도를 최소의 시간내에 맞추고 안정화시킴으로써 공정 효율화를 달성할 수 있도록 개선된 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템을 제공함에 그 주된 목적이 있다.
본 발명은 상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로, 부하로 작용하는 메인툴과 연결되어 메인툴의 온도를 내리거나 올리는데 사용되는 콜드채널(Ch1)과 핫채널(Ch2)을 포함하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 있어서;
상기 콜드채널(Ch1)에는 콜드분기점(CD1)을 중심으로 저온의 쿨런트를 순환시키는 콜드바이패스밸브(V2)가 형성되고; 상기 핫채널(Ch2)에는 핫분기점(HD1)을 중심으로 고온의 쿨런트를 순환시키는 핫바이패스밸브(V5)가 형성되며; 상기 메인툴에는 쿨런트투입라인(IL)과 쿨런트회수라인(DL)이 연결되어 쿨런트가 순환하는 폐회로가 구성되고; 상기 쿨런트투입라인(IL)에는 상부로부터 하부를 향해 간격을 두고 순차로 제1,2,3,4분기점(D1,D2,D3,D4)이 마련되며, 상기 제3분기점(D3)과 제4분기점(D4) 사이의 라인상에는 순환펌프(400)가 설치되고; 상기 제1분기점(D1)에는 상기 콜드분기점(CD1)에서 분기된 콜드투입라인(110)과, 상기 핫분기점(HD1)에서 분기된 핫투입라인(210)이 연결 접속되며; 상기 제1분기점(D1)으로부터 메인툴을 향해 순차로 최종온도센서(T1)와 최종유량계(310)가 설치되고; 상기 콜드투입라인(110)에는 상기 콜드분기점(CD1)으로부터 차례로 콜드서플라이밸브(V1)와, 콜드쿨런트유량계(120)가 설치되며; 상기 핫투입라인(210)에는 상기 핫분기점(HD1)으로부터 차례로 핫서플라이밸브(V4)와, 핫쿨런트유량계(220)가 설치되고; 상기 제2분기점(D2)과 제4분기점(D4)을 다이렉트로 연결하는 바이패스라인(330)이 더 형성되며, 상기 바이패스라인(330) 상에는 믹스바이패스밸브(V7)가 설치되고; 상기 제3분기점(D3)에는 콜드리턴라인(CL2)중 콜드바이패스라인(V2)을 통과한 지점에 형성된 콜드리턴분기점(CRD)로 연결되는 콜드채널회수라인(130)이 더 구비되며, 상기 콜드채널회수라인(130)에는 콜드리턴밸브(V3)가 설치되고; 상기 제3분기점(D3)에는 핫리턴라인(HL2)중 핫바이패스라인(V5)을 통과한 지점에 형성된 핫리턴분기점(HRD)로 연결되는 핫채널회수라인(230)이 더 구비되며, 상기 핫채널회수라인(230)에는 핫리턴밸브(V6)가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템을 제공한다.
이때, 상기 콜드채널(Ch1)을 순환하는 콜드순환라인에는 제1열원소스(100)가 더 설치되고; 상기 제1열원소스(100)의 배출단 다음에 콜드온도센서(T2)가 더 설치되어 콜드순환라인을 순환하는 쿨런트의 온도를 조절하며; 상기 핫채널(Ch2)을 순환하는 핫순환라인에는 제2열원소스(200)가 더 설치되고; 상기 제2열원소스(200)의 배출단 다음에 핫온도센서(T4)가 설치되어 핫순환라인을 순환하는 쿨런트의 온도를 조절하도록 구성된 것에도 그 특징이 있다.
또한, 상기 제1분기점(D1)과 제2분기점(D2) 사이의 쿨런트투입라인(IL)에는 순환쿨런트유량계(320)가 설치되어 순환되는 쿨런트의 유량을 조절하도록 구성된 것에도 그 특징이 있다.
또한, 상기 제2분기점(D2)과 제3분기점(D3) 사이의 쿨런트투입라인(IL) 상에는 제3분기점(D3)에서 제2분기점(D2)을 향해 순차로 제3열원소스(300)와, 순환쿨런트온도센서(T3)가 설치되어 순환쿨런트의 온도와 유량을 조절하도록 구성된 것에도 그 특징이 있다.
본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
첫째, 쿨런트를 제어하는 믹싱밸브가 공정온도를 제어하는 바로 전단에 위치하여 밸브의 동작에 따른 온도상승/하강의 반응속도가 매우 빠르다.
둘째, 혼합밸브 전단의 각 채널에 TEM 및 HEATER를 설치하여 혼입전단의 온도를 더욱 안정적으로 유지할 수 있다.
셋째, 온도 상승시 쿨링/온도 하강시 히팅으로 온도 업/다운시 발생하는 오버슈트, 언더슈트를 최소화할 수 있다.
넷째, 7개의 밸브가 각각 PID 제어하는 것이 아닌 0-100%중 각 %별 정해진 연동된 통합 %값으로 PID 제어하므로 제어속도가 빠르고, 설비공급 유량을 일정하게 유지할 수 있다.
도 1은 종래 칠러 시스템의 예시적인 구성도이다.
도 2는 종래 칠러 시스템의 안정화 속도를 테스트한 예를 보인 그래프이다.
도 3은 본 발명에 따른 혼합형 칠러 시스템의 예시적인 구성도이다.
도 4는 본 발명에 따른 혼합형 칠러 시스템의 제어예를 보인 예시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 혼합형 칠러 시스템의 안정화 속도 정의를 보인 그래프이다.
도 6은 본 발명에 따른 안정화 속도를 테스트한 예를 보인 그래프이다.
이하에서는, 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명 설명에 앞서, 이하의 특정한 구조 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.
본 발명에 따른 혼합형 칠러 시스템은 온도의 상승과 하강이 반복되는 반도체 공정의 온도 조건에 대해 신속하게 대응하되, 특히 3가지 이상의 온도변화, 즉 다중 온도변화 요구에 빠르게 대응할 수 있도록 개선된 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템은 상부 믹스유닛과 하부 소스유닛으로 구성되며, 이중 하부 소스유닛은 냉동기(콜드채널)와 열교환기(핫채널)를 포함하는 2채널 장비이다.
냉동기 즉, 콜드채널은 상대적으로 저온의 온도를, 그리고 열교환기, 즉 핫채널은 고온의 온도를 유지하며, 상부 믹싱유닛과 순환한다.
그리고, 상부 믹싱유닛은 하부 소스유닛으로부터 순환하는 고/저온의 쿨런트를 전자식 밸브를 통해 혼합하여 설비에서 요구하는 온도를 빠르게 맞추게 된다.
보다 구체적으로, 도 3의 예시와 같이, 본 발명에 따른 혼합형 칠러 시스템은 부하로 작용하는 메인툴(Main Tool)과 연결되어 이의 온도를 내리거나 올리는데 사용되는 콜드채널(Ch1)과 핫채널(Ch2)을 포함한다.
아울러, 상기 콜드채널(Ch1)에는 콜드분기점(CD1)을 중심으로 저온의 쿨런트를 순환시키는 콜드바이패스밸브(V2)를 포함한다.
이때, 콜드채널(Ch1)을 순환하는 콜드순환라인에는 제1열원소스(100)가 더 설치될 수 있다.
여기에서, 콜드순환라인은 저온의 쿨런트가 콜드공급라인(CL1)-콜드분기점(CD1)-콜드바이패스밸브(V2)-콜드리턴라인(CL2)을 순차로 계속 순환하도록 하는 라인이다.
이 경우, 상기 제1열원소스(100)는 가열 혹은 냉각이 가능한 소스여야 하며, 바람직하게로는 열전모듈(TEM module)이 사용될 수 있다.
상기 제1열원소스(100)는 콜드순환라인 자체적으로 열관리를 할 수 있도록 한 것으로 콜드온도센서(T2)를 통해 원하는 온도값을 유지하도록 적정하게 제어된다.
또한, 상기 제1열원소스(100)는 상기 콜드순환라인중 콜드공급라인(CL1) 상에 설치되며, 그 배출단 다음에 콜드온도센서(T2)가 설치된다.
한편, 상기 핫채널(Ch2)에는 핫분기점(HD1)을 중심으로 고온의 쿨런트를 순환시키는 핫바이패스밸브(V5)를 포함한다.
이때, 핫채널(Ch2)을 순환하는 핫순환라인에는 제2열원소스(200)가 더 설치될 수 있다.
여기에서, 핫순환라인은 고온의 쿨런트가 핫공급라인(HL1)-핫분기점(HD1)-핫바이패스밸브(V5)-핫리턴라인(HL2)을 순차로 계속 순환하도록 하는 라인이다.
이 경우, 상기 제2열원소스(200)는 가열 혹은 냉각이 가능한 소스여야 하며, 바람직하게로는 열전모듈(TEM module)이 사용될 수 있다.
상기 제2열원소스(200)는 핫순환라인 자체적으로 열관리를 할 수 있도록 한 것으로 핫온도센서(T4)를 통해 원하는 온도값을 유지하도록 적정하게 제어된다.
또한, 상기 제2열원소스(200)는 상기 핫순환라인중 핫공급라인(HL1) 상에 설치되며, 그 배출단 다음에 핫온도센서(T4)가 설치된다.
그리고, 메인툴(Main Tool)에는 쿨런트투입라인(IL)과 쿨런트회수라인(DL)이 연결되어 폐회로를 구성하도록 설계된다.
즉, 쿨런트투입라인(IL)으로 투입된 쿨런트가 메인툴의 온도조절에 기여한 후 쿨런트회수라인(DL)을 통해 회수되는 순환을 반복하게 된다.
아울러, 쿨런트의 투입과 배출을 위해 상기 쿨런트투입라인(IL)에는 상부로부터 하부를 향해 간격을 두고 순차로 제1,2,3,4분기점(D1,D2,D3,D4)이 마련되고, 상기 제3분기점(D3)과 제4분기점(D4) 사이의 라인상에 순환펌프(400)가 설치된다.
또한, 상기 제1분기점(D1)에는 상기 콜드분기점(CD1)에서 분기된 콜드투입라인(110)과, 상기 핫분기점(HD1)에서 분기된 핫투입라인(210)이 연결 접속된다.
뿐만 아니라, 상기 제1분기점(D1)으로부터 메인툴을 향해 순차로 최종온도센서(T1)와 최종유량계(310)가 설치된다.
그리고, 상기 콜드투입라인(110)에는 상기 콜드분기점(CD1)으로부터 차례로 콜드서플라이밸브(V1)와, 콜드쿨런트유량계(120)가 설치되어 콜드투입라인(110)으로의 개도 조절 및 유량 조절이 가능하도록 구성된다.
또한, 상기 핫투입라인(210)에는 상기 핫분기점(HD1)으로부터 차례로 핫서플라이밸브(V4)와, 핫쿨런트유량계(220)가 설치되어 핫투입라인(210)으로의 개도 조절 및 유량 조절이 가능하도록 구성된다.
나아가, 상기 제1분기점(D1)과 제2분기점(D2) 사이의 쿨런트투입라인(IL)에는 순환쿨런트유량계(320)가 설치되어 순환되는 쿨런트의 유량을 조절하도록 구성된다.
뿐만 아니라, 상기 제2분기점(D2)과 제4분기점(D4)을 다이렉트로 연결하는 바이패스라인(330)이 더 형성되고, 상기 바이패스라인(330) 상에는 믹스바이패스밸브(V7)가 설치된다.
상기 믹스바이패스밸브(V7)는 순환 쿨런트의 순환량을 조절하는 밸브이다.
덧붙여, 상기 제2분기점(D2)과 제3분기점(D3) 사이의 쿨런트투입라인(IL) 상에는 제3분기점(D3)에서 제2분기점(D2)을 향해 순차로 제3열원소스(300)와, 순환쿨런트온도센서(T3)가 설치되어 순환쿨런트의 온도와 유량을 조절할 수 있도록 구성될 수 있다.
여기에서, 이들 조절은 도시하지 않았지만 당해 분야에서 공지된 마이콤 혹은 PLC를 통해 이루어진다.
또한, 상기 제3분기점(D3)에는 콜드리턴라인(CL2)중 콜드바이패스라인(V2)을 통과한 지점에 형성된 콜드리턴분기점(CRD)로 연결되는 콜드채널회수라인(130)이 더 구비되고, 상기 콜드채널회수라인(130)에는 콜드리턴밸브(V3)가 설치된다.
마찬가지로, 상기 제3분기점(D3)에는 핫리턴라인(HL2)중 핫바이패스라인(V5)을 통과한 지점에 형성된 핫리턴분기점(HRD)로 연결되는 핫채널회수라인(230)이 더 구비되고, 상기 핫채널회수라인(230)에는 핫리턴밸브(V6)가 설치된다.
여기에서, 상기 제1,2,3열원소스(100,200,300)는 선택사항으로서 설정온도의 미세조절 및 신속한 조절을 위해 구비될 수 있으며, 기본적인 온도조절은 도 1에서 예시하였듯이 하부 소스유닛을 구성하는 콜드채널(Ch1)과, 핫채널(Ch2)에서 이루어진다.
그리하여, 요구 온도가 하강할 경우, 콜드서플라이밸브(V1), 콜드바이패스밸브(V2), 콜드리턴밸브(V3), 믹스바이패스밸브(V7)가 최종온도센서(T1)의 온도에 따라 동기화되어 자동 제어되며, 이때 핫채널(Ch2)의 쿨런트는 모두 바이패스된다.
반대로, 요구 온도가 상승할 경우, 핫서플라이밸브(V4), 핫바이패스밸브(V5), 핫리턴밸브(V6), 믹스바이패스밸브(V7)가 최종온도센서(T1)의 온도에 따라 동기화되어 자동 제어되며, 이때 콜드채널(Ch1)의 쿨런트는 모두 바이패스된다.
그리고, 각 밸브들은 온도 및 유량 조절을 통해 내부압이 억제되어 헌팅하지 않으면서 아주 빠른시간내에 설정온도에 근접하도록 도 4와 같이 제어될 수 있다.
도 4에 따르면, 각 밸브를 PID 제어할 때 온도와 개도량에 따른 유량이 일정하게 유지되도록 하고 그 상태에서의 설정온도 조절여부를 수십차례 테스트하여 이를 테이블화시킴으로써 조절되어야 할 온도가 결정되면 각 밸브의 개도량(유량계로 체크)과 온도를 자동으로 제어하여 예시와 같이 퍼센트 단위로 제어케 함으로써 아주 빠른시간내에 설정온도에 접근하도록 구성할 수 있다.
이렇게 하게 되면, 도 5의 예시와 같이, 온도 조절 후 설정온도 ±0.5℃내로 안정화되기 위한 속도인 안정화 속도를 제조사가 요구하는 2℃/sec 이상으로 맞출 수 있게 된다.
예컨대, 25℃로 맞춰야 할 경우, 콜드채널(Ch1)의 유지 온도와 핫채널(Ch2)의 유지 온도를 확인한 후 그 온도에 해당하는 테이블값을 확인하고, 이를 조절하여 25℃로 맞출 경우에 대응하는 테이블값에 따라 7개의 밸브와 4개의 유량계를 동시에 제어하여 %별로 개도를 조절하게 되면 아주 단시간에 원하는 온도인 25℃를 맞출 수 있게 된다.
믈론, 승온시에도 마찬가지이다.
이에 대한 실제 테스트 예는 도 6에 나타내었으며, 도 2의 종래와 비교했을 때 안정화 속도가 2℃/sec에 최근접한 상태로 아주 양호한 결과를 얻을 수 있었다.
100: 제1열원소스
200: 제2열원소스
300: 제3열원소스

Claims (4)

  1. 부하로 작용하는 메인툴과 연결되어 메인툴의 온도를 내리거나 올리는데 사용되는 콜드채널(Ch1)과 핫채널(Ch2)을 포함하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템에 있어서;
    상기 콜드채널(Ch1)에는 콜드분기점(CD1)을 중심으로 저온의 쿨런트를 순환시키는 콜드바이패스밸브(V2)가 형성되고; 상기 핫채널(Ch2)에는 핫분기점(HD1)을 중심으로 고온의 쿨런트를 순환시키는 핫바이패스밸브(V5)가 형성되며; 상기 메인툴에는 쿨런트투입라인(IL)과 쿨런트회수라인(DL)이 연결되어 쿨런트가 순환하는 폐회로가 구성되고; 상기 쿨런트투입라인(IL)에는 상부로부터 하부를 향해 간격을 두고 순차로 제1,2,3,4분기점(D1,D2,D3,D4)이 마련되며, 상기 제3분기점(D3)과 제4분기점(D4) 사이의 라인상에는 순환펌프(400)가 설치되고; 상기 제1분기점(D1)에는 상기 콜드분기점(CD1)에서 분기된 콜드투입라인(110)과, 상기 핫분기점(HD1)에서 분기된 핫투입라인(210)이 연결 접속되며; 상기 제1분기점(D1)으로부터 메인툴을 향해 순차로 최종온도센서(T1)와 최종유량계(310)가 설치되고; 상기 콜드투입라인(110)에는 상기 콜드분기점(CD1)으로부터 차례로 콜드서플라이밸브(V1)와, 콜드쿨런트유량계(120)가 설치되며; 상기 핫투입라인(210)에는 상기 핫분기점(HD1)으로부터 차례로 핫서플라이밸브(V4)와, 핫쿨런트유량계(220)가 설치되고; 상기 제2분기점(D2)과 제4분기점(D4)을 다이렉트로 연결하는 바이패스라인(330)이 더 형성되며, 상기 바이패스라인(330) 상에는 믹스바이패스밸브(V7)가 설치되고; 상기 제3분기점(D3)에는 콜드리턴라인(CL2)중 콜드바이패스라인(V2)을 통과한 지점에 형성된 콜드리턴분기점(CRD)로 연결되는 콜드채널회수라인(130)이 더 구비되며, 상기 콜드채널회수라인(130)에는 콜드리턴밸브(V3)가 설치되고; 상기 제3분기점(D3)에는 핫리턴라인(HL2)중 핫바이패스라인(V5)을 통과한 지점에 형성된 핫리턴분기점(HRD)로 연결되는 핫채널회수라인(230)이 더 구비되며, 상기 핫채널회수라인(230)에는 핫리턴밸브(V6)가 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 콜드채널(Ch1)을 순환하는 콜드순환라인에는 제1열원소스(100)가 더 설치되고; 상기 제1열원소스(100)의 배출단 다음에 콜드온도센서(T2)가 더 설치되어 콜드순환라인을 순환하는 쿨런트의 온도를 조절하며;
    상기 핫채널(Ch2)을 순환하는 핫순환라인에는 제2열원소스(200)가 더 설치되고; 상기 제2열원소스(200)의 배출단 다음에 핫온도센서(T4)가 설치되어 핫순환라인을 순환하는 쿨런트의 온도를 조절하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1분기점(D1)과 제2분기점(D2) 사이의 쿨런트투입라인(IL)에는 순환쿨런트유량계(320)가 설치되어 순환되는 쿨런트의 유량을 조절하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2분기점(D2)과 제3분기점(D3) 사이의 쿨런트투입라인(IL) 상에는 제3분기점(D3)에서 제2분기점(D2)을 향해 순차로 제3열원소스(300)와, 순환쿨런트온도센서(T3)가 설치되어 순환쿨런트의 온도와 유량을 조절하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 공정 설비에 사용되는 혼합형 칠러 시스템.
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